【課題】抵抗値が異なる複数の抵抗状態を記憶する抵抗記憶素子を用いた不揮発性半導体記憶装置に関し、ＣＭＯＳプロセスとの整合性に優れ、より低い駆動電圧で動作が可能な不揮発性半導体記憶装置及びその書き込み方法を提供する。
【解決手段】電界の印加によって酸素イオン伝導性を示す酸化物絶縁材料よりなる絶縁層３８と、絶縁層３８を挟持する電極３６，４０を有する抵抗記憶素子４２を有し、抵抗記憶素子に低抵抗状態又は高抵抗状態を記憶する不揮発性半導体記憶装置において、電極３６，４０間に電界を印加し、絶縁層３６中の酸素イオンによって電極３６を構成する導電性材料を酸化させることにより、低抵抗状態から高抵抗状態に書き換える。 （もっと読む）

半導体メモリ装置は、データを貯蔵するための複数個のメモリセルを有するメモリ層と、前記メモリセルが不良かどうかに関する状態情報を記録するための少なくとも一つのビットレジスターリング層と、を含む。前記メモリ層は、分子メモリ、カーボンナノチューブメモリ、原子メモリ、シングルエレクトロンメモリ、特に化学的ボトムアップ方式で製造されるメモリなどのようなナノメータースケールメモリ装置とすることができる。 （もっと読む）

【課題】熱的、機械的、化学的安定性に優れ、優れたスイッチング特性を有する非揮発性有機抵抗メモリ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１電極と、第２電極と、前記第１電極と第２電極との間に配置され、前記第１電極と前記第２電極との間の電位差によって抵抗が変化するように厚みを有するポリイミド膜と、を含む非揮発性有機抵抗メモリ素子である。前記ポリイミド膜が可変抵抗体として提供されることにより、抵抗メモリ素子の特性及び信頼性が向上する。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 抵抗変換物質から形成された酸化層を備えるメモリ素子において、下部電極と、下部電極上に遷移金属から形成されたナノワイヤーと、ナノワイヤー上に遷移金属酸化物を含んで形成された酸化層と、酸化層上に形成された上部電極と、を備える不揮発性メモリ素子を提供する不揮発性メモリ素子である。 （もっと読む）

【課題】 ＲＲＡＭ装置に用いるメモリ材料及び付随する電極材料の選択方法を提供する。
【解決手段】 ＲＲＡＭ装置に用いるメモリ材料及び付随する電極材料の選択方法は、電子が満席でない内部軌道、及び、狭い伝導性の外部軌道を有するメモリ材料を選択するメモリ材料選択工程と、パルス幅の狭い電気パルスを印加した場合には、選択された前記メモリ材料に電子のパケットを注入し、パルス幅の広い電気パルスを印加した場合には、前記電子のパケットを取り戻す、付随する電極材料を選択する電極材料選択工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】特性が改善されたストレージノードおよびそのストレージノードを有する半導体メモリ素子を提供する。また、ストレージノードの特性を改善できる半導体メモリ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】下部電極と、前記下部電極上に形成された一つの照射されたデータ保存層と、前記データ保存層上に形成された上部電極と、を含むストレージノードである。また、スイッチング素子と、これに連結されたストレージノードとを備え、ストレージノードは、下部電極、データ保存層及び上部電極を備える半導体メモリ素子の製造方法において、前記下部電極上に前記データ保存層を形成した後、前記データ保存層に電子を照射する工程を含むことを特徴とする半導体メモリ素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】イオン伝導層を備える不揮発性半導体メモリ装置とその製造及び動作方法を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板に形成されたスイッチング素子と、スイッチング素子に連結されたストレージノードと、を備える不揮発性メモリ装置において、ストレージノードは、スイッチング素子に連結され、イオンソースとして使われる下部電極と、下部電極上に形成され、その一部は下部電極と離隔されたデータ保存層と、下部電極から離隔された前記データ保存層の部分に側面が連結され、下部電極と離隔されている側部電極と、データ保存層上に形成された上部電極と、を備えることを特徴とする不揮発性メモリ装置とその製造及び動作方法。 （もっと読む）

【課題】大きく異なる２つの安定した抵抗特性を可逆的かつ反復的に示す、高度集積化した不揮発性メモリへ適用可能なスイッチング素子の提供。
【解決手段】２つの電極間に、組成揺らぎを含む単一中心金属元素からなる金属酸化物薄膜が介在した可変抵抗素子を備え、該両電極間に、第１の閾値以上の電圧又は電流と、該第１の閾値の絶対値よりもその絶対値が小さい第２の閾値以下の電圧又は電流と、該第２の閾値の絶対値よりもその絶対値が小さい第３の閾値以下の電圧又は電流とを選択的に印加可能な制御回路と接続し、その絶対値が少なくとも第３の閾値以下の電位域又は電流域における電極間の抵抗特性を可逆的に1000〜10000倍変化せしめることを特徴とする、スイッチング素子。 （もっと読む）

本発明は可変抵抗メモリ装置（３０１）における形造された下部電極の使用に関する。望ましい円錐状形造された下部電極（３０８）は下部電極の頂点における絶縁材料（３１２）の厚さが最細であり、下部電極の頂点における電界が最大であることを確保する。電極（３０８、３１０）の配置およびメモリ素子の構造はメモリ装置内に安定で確実に導電路を作り出し、および、スイッチングとメモリ特性を再生可能にする。 （もっと読む）

【課題】リセット電流の減少及び安定化のためのメモリ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】抵抗変換物質から形成された酸化層を備えるメモリ素子の製造方法において、下部構造体上に下部電極及び酸化層を形成した後、酸化層の一領域に電子ビームまたはイオンビームを照射するステップを含むリセット電流の安定化のためのメモリ素子の製造方法である。これにより、メモリ素子のリセット電流を減少させて安定化させうる。 （もっと読む）