【課題】スイッチング速度を早くすることのできる改善された固体電解質メモリー素子および固体電解質メモリー素子の製造方法を提供する。
【解決手段】不溶性カソード電極２１０、溶出性アノード電極２４０、および、上記不溶性カソード電極２１０と溶出性アノード電極２４０との間の欠陥部位を有する固体電解質層２３０を備える固体電解質メモリー素子の製造方法において、上記固体電解質マトリックスに所望の欠陥部位を形成する工程を含んでいる。 （もっと読む）

追記型記憶装置（１３０）は、第１および第２の電極（１３２、１４８）、第１および第２の電極間の不動態層（１３４）および第１および第２の電極（１３２、１３８）間の活性層（１３６）からなる。記憶装置（１３０）は、荷電種を不動態層（１３４）から活性層（１３６）内へと印加することによってプログラムされる。記憶装置（１３０）は、プログラムされた記憶装置（１３０）について第１の消去活性化エネルギを有するようにプログラムし得る。本方法は、プログラムされた記憶装置（１３０）について、第１の消去活性化エネルギより大きい第２の消去活性化エネルギを与える。
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本発明は２端子の定電流素子を提供する方法及び装置、及び該定電流素子の動作に関連する。本発明は少なくとも約７００ｍＶの印加される電圧範囲にわたって定電流を維持する定電流素子を提供する。本発明は、正電位を印加して定電流値を低減させるか、又は、既存の定電流の電圧上限よりもより負の電圧を印加してその定電流レベルをその元の製造された値にリセットさせるか、又は、増大させるかのいずれかによって、定電流素子における定電流値を変化させかつリセットする方法も提供する。本発明は記憶素子を定電流素子に形成かつ変換する方法もさらに提供する。本発明は定電流素子をアナログ記憶素子として使用する方法も提供する。
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少なくとも２つの電極（１１０、１２０、９０６、９０８、１００２、１００４）の間に制御可能に導電性のある媒体（１３０、９１０）を有する、少なくとも２つの電極（１１０、１２０、９０６、９０８、１００２、１００４）からなるメモリセル（１００、２００、９０４、１００６）が開示される。印加される電界などの外部刺激が第１および第２の電極（１１０、１２０、９０６、９０８、１００２、１００４）に与えられると、イオンが移動し、ポリマーをドープおよび／または脱ドープする。ポリマーをドープするのに用いられる印加外部刺激は、メモリセル（１００、２００、９０４、１００６）を動作させる外部刺激よりも大きい。ポリマーは、ドーピングの度合いの結果である電気的特性を備える可変降伏特性ダイオードとして機能する。メモリ素子は、電流制限された読出信号を有し得る。メモリデバイス／セルを作製する方法、メモリデバイス／セルを用いる方法、およびメモリセル（１００、２００、９０４、１００６）を含む装置も開示される。
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２つの電極（１０６、１０８）間に制御可能な導電媒体（１１０）を有する２つの電極（１０６、１０８）で作られる有機メモリセルの製造方法が開示されている。制御かのうな導電媒体（１１０）には有機半導体層（１１２）及び受動層（１１４）が含まれる。有機半導体層（１１２）はある種の溶剤を用いて、スピンオン技術により形成される。
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【課題】プログラム可能なサブサーフェス集合メタライゼーション構造の提供
【解決手段】メタライゼーション構造(100)は、金属イオンを含むカルコゲナイドガラスなどのイオン導電体(110)と、イオン導電体の対向する表面に配置される少なくとも２つの電極(120,130)とを備え、好適には一方はカソード、もう一方はアノードとして構成される。アノードとカソードとの間に電圧を印加すると、金属デンドライト(140)がイオン導電体を通過してカソードからアノードへ向かって成長する。電圧が十分な長さの間印加されると、連続的金属デンドライトは、イオン導電体を通過して成長し、両電極に接続してデバイスをショートさせる。連続的金属デンドライトは、別に電圧を印加することによって切断され得る。デンドライトの長さの変化または切断の存在が、プログラム可能なサブサーフェス集合メタライゼーション構造抵抗、キャパシタンスおよびインピーダンスに影響を及ぼす。 （もっと読む）

【課題】クロスバー構造に基づく分子電子論理素子を実現するため、優れた特性を示す分子整流装置を提供する。
【解決手段】ＭＥＴＡＬ₁−ＣＯＮ₁−ＢＲＩＤＧＥ−ＣＯＮ₂−ＭＥＴＡＬ₂の一般構造を有する分子整流装置である。ここで、ＣＯＮ₁およびＣＯＮ₂は結合基または結合部であると共に、金属のフェルミエネルギーに近いエネルギーを有する吸着質状態がＭＥＴＡＬ ₁,₂／ＣＯＮ₁,₂界面の一方または両方で形成されるようにＭＥＴＡＬ₁,₂に結合された互いに独立の分子群であり、ＭＥＴＡＬは金属および／または金属の合金から選択され、ＢＲＩＤＧＥは分子の核であり、パイ共役および非共役部により構成されている。 （もっと読む）

本発明のスイッチング素子は、電気化学反応に用いられる金属イオンが伝導するためのイオン伝導体と、イオン伝導体に接して、所定の距離だけ離れて設けられた第１の電極および第２の電極と、イオン伝導体に接して設けられた第３の電極とを有する構成である。オン状態に遷移させる電圧が第３の電極に印加されると、第１の電極および第２の電極の間に金属イオンによる金属を析出させて第１の電極および第２の電極を電気的に接続する。また、オフ状態に遷移させる電圧が第３の電極に印加されると、析出した金属を溶解させて第１の電極および第２の電極の電気的接続を切る。
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【課題】 同一基板に機械的駆動系及び電気的駆動系を混在しつつ、電気的駆動系上に機械的駆動系を積層する構造を無くした簡易な構造を有するＭＥＭＳを備えた混在型半導体集積回路及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 混在型半導体集積回路１は、基板１０上の第１の領域Ａに配設された第１の半導体活性層３１と、第１の半導体活性層３１の側面周囲を取り囲む絶縁分離領域４０と、基板１０上の第１の領域Ａに隣接する第３の領域Ｃに配設され、絶縁分離領域４０の一部及びトレンチ４５により側面周囲が取り囲まれたメカニカル電極３３１と、メカニカル電極３３１に一端が接続され、他端が絶縁分離領域４０の一部上を通過して第１の半導体活性層３１上に延在する第２の薄膜配線９０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】電気的スイッチング・オンがスイッチング素子（１００）内に確立される導電路（１０１）により行われる電気的スイッチング・デバイスを提供すること。
【解決手段】スイッチング素子（１００）は、第１の電極ユニット（２０１）と、第２の電極ユニット（２０２）と、第１および第２の電極ユニット（２０１，２０２）の間に配置されてこれらの電極ユニットに接触接続している電解質層（２０３）とを有する。導電路（１０１）は、第１の電極ユニット（２０１）から電解質層（２０３）内に拡散している導電素子（１０２）により、電解質層（２０３）を介して、第１の電極ユニット（２０１）と第２の電極ユニット（２０２）との間に形成される。加熱装置（４００）は、スイッチング動作中、スイッチング素子（１００）を加熱する。 （もっと読む）