【課題】不要輻射ノイズを低減して高速差動信号伝送を行うことを目的とする。
【解決手段】送信情報を送信するドライバ１２と受信情報を受信するレシーバ１４間を２本の伝送線路で接続し、当該伝送線路の間に高速差動信号伝送ノイズフィルタ１０を接続する。高速差動信号伝送ノイズフィルタ１０は、リングフィルタのリング部を信号伝送方向に沿った方向を長辺とした長方形に変形した変形リングフィルタ２０を伝送線路とし、スタブについても信号の伝送方向と直行する方向の長さより伝送方向の長さの方が長くなるように変形する。そして、変形リングフィルタ２０のスタブ２０Ａのない側が対向するように配置して、シングルエンド信号の伝送線路を差動信号の伝送線路とする。 （もっと読む）

【課題】線路途中のコーナーによって生じる線路外側と線路内側の信号の振幅偏差および位相偏差を改善する電力分配器を得る。
【解決手段】出力端子６ａ，６ｂに伝送される信号の振幅偏差および位相偏差が改善されるように、入力線路１におけるコーナー３の直後であり、且つコーナー３の内側方向より形成されたスリット７ａと、出力端子６ａ，６ｂに伝送される信号の振幅偏差および位相偏差が改善されるように、入力線路１における信号分岐部４の直前であり、且つコーナー３の外側方向よりスリット７ａに対向するように形成されたスリット７ｂとを備えた。
スリット７ａ，７ｂにより、入力線路１の途中に設けられたコーナー３によって生じる伝送される信号の振幅偏差および位相偏差を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】加工が容易であり、かつ、円形主導波管と管軸矩形副導波管の間で広帯域に良好なインピーダンス整合を得ながら、円形主導波管で不要な高次モードの伝播の防止や、低減を図ることができる偏分波器を得ることを目的とする。
【解決手段】管軸矩形副導波管３に対する円形主導波管１の結合部が、円形主導波管１と管軸矩形副導波管３を変成する変成部１ｃをなしており、その変成部１ｃにおいて、管軸矩形副導波管の幅広面に垂直な径方向の長さが、管軸矩形副導波管３に近づくにしたがって段階的に短くなっているように構成している。 （もっと読む）

【課題】 電気的特性を向上させた高周波回路装置を提供する。
【解決手段】 高周波回路装置は、一端同士１３３１，１３４１が互いに離間して対向した２つの伝送線路１３３，１３４と、２つの伝送線路の一方の一端に実装され、該実装面となる下面電極３０と、該実装時に下面電極の上方に位置する上面電極３２を備えるキャパシタＣと、２つの伝送線路の対向する一端同士の間の領域に配置され、一端同士を電気的に接続する抵抗素子Ｒと、キャパシタの上面電極と２つの伝送線路の他方との間を電気的に接続する接続導体１３５とを備える。 （もっと読む）

【課題】高圧容器内でもマイクロ波処理を行うことができるマイクロ波処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】中心導体２Ａおよびそれを外部から囲む外部導体２Ｂからなる同軸導波管２を用いて、同軸導波管２におけるマイクロ波の伝送の下流先端側に誘電体製の部材（石英加工物３）を高圧容器１内に取り付けた状態で、マイクロ波を伝送してマイクロ波処理を行う。同軸導波管２を用いることで導入口の径が従来の中空導波管の導入口の径よりも小さくなり、かつ、どのような周波数の電磁波でも遮断周波数の制限がかかることなく伝送できる。さらに、同軸導波管２におけるマイクロ波の伝送の下流先端側に誘電体製の部材（石英加工物３）を高圧容器１内に取り付ければ、高圧容器１の誘電体にかかる圧力が軽減される。その結果、高圧容器１内でもマイクロ波処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】回路の大規模化を抑制しつつ、品質の良いデータ伝送を行う。
【解決手段】半導体チップである、例えば、ミリ波伝送チップには、シングルエンド信号がやりとりされるパッドを有するシングルエンドI/Fが設けられている。一方、例えば、インターポーザやプリント基板等の半導体チップが実装される実装部には、差動信号を伝送する、例えば、コプレーナストリップ線路等の差動伝送路が形成されている。ミリ波伝送チップは、差動伝送路を構成する導体に、シングルエンドI/Fのパッドが、電気的に直接接続されるように、実装部に実装されている。本技術は、例えば、IC等の電子回路に適用できる。 （もっと読む）

【課題】インダクタンスの調整の自由度が高く、所望のインダクタンスを確実に得られるインダクタンス素子を実現する。
【解決手段】インダクタンス素子１００は、第１電極パターン１０および導電性ワイヤ３０を備える。第１電極パターン１０は線状電極からなる。第１電極パターン１０の第１端部１０１は接地されている。第１電極パターン１０の第２端部１０２には、他の回路素子等、なにも接続されていない。第１電極パターン１０は、主線路の電極パターン２０に対して、略平行に形成されている。第１電極パターン１０と主線路の電極パターン２０とは、所定の位置で導電性ワイヤ３０によって接続されている。この導電性ワイヤ３０のボンディング位置を調整することで、第１電極パターン１０のボンディング位置から第１端部１０１までの導体部と、導電性ワイヤ３０からなるインダクタンス素子１００のインダクタンスを調整できる。 （もっと読む）

【課題】線路を伝播する不要な高周波信号を抑制するとともに、スルーホールから不要な高周波信号が輻射されるのを低減するように構成された高周波モジュールを提供する。
【解決手段】バイアス線路１２３、１２４のそれぞれから分岐部１３１、１４１で分岐させ合流部１３２、１４２で合流させた分岐線路１３０、１４０を設けている。分岐線路１４０の電気長Ｌ２と分岐部１４１から合流部１４２までのバイアス線路１２４の電気長Ｌ１との差（Ｌ２−Ｌ１）が、不要な高周波信号の実効的な波長λｇの１／２またはその奇数倍に略等しくなるように電気長Ｌ１、Ｌ２を設定する。 （もっと読む）

【課題】異なる層の高周波伝送線路を接続する接続線路と高周波伝送線路とのインピーダンス不整合を効率的に改善し信号の反射損失を減らす。
【解決手段】多層配線基板１は積層した第１の誘電体基板２０ａの一方の面で延伸する信号線路１０と他方の面上の接地導体４０とで構成されるマイクロストリップ線路を備える。第１貫通導体３０は、基板面に垂直に基板を貫通し信号線路１０の先端と他の信号線路とを接続し、第２貫通導体ビア５０は、基板面に垂直に複数個、基板を貫通して第１貫通導体３０を円筒状に囲むように形成され、接地導体４０を他の接地導体に接続する。接地導体４０と第１貫通導体３０とは第１の誘電体基板２０ａで構成される誘電体領域６０で隔絶され、その信号線路１０側の領域は、基板面上で第１貫通導体３０の中心から所定の距離離れた領域確定線９０に基づき決定され、信号線路１０のない側の領域よりも面積が小さい。 （もっと読む）

【課題】回路が比較的大きく構成できて製造、調整が容易でありしかも、小型化が望ましい回路は小型に形成することが可能な高周波デバイスを提供すること。
【解決手段】裏面に第１の電極を有する第１の誘電体基板と、この第１の誘電体基板の上に設けられ、裏面に第２の電極を有すると共に表面に切欠部を有し、前記第１の誘電体基板よりも誘電率の低い材料により構成される第２の誘電体基板と、前記第１の誘電体基板の上に形成され、前記第１の電極及び前記第１の誘電体基板により分布定数回路による所定の第１の回路を構成する第１の導電体と、前記第２の誘電体基板の上に形成され、前記第２の電極と前記第２の誘電体基板により前記第１の回路よりも大きく形成可能な第２の回路を構成する第２の導電体と、この第２の導電体と前記第１の導電体を接続する導電部材と、を備えてなることを特徴とする高周波デバイス。 （もっと読む）