【課題】利得領域の活性層の温度変化を抑えることができる半導体光集積素子を提供する。
【解決手段】半導体光集積素子１Ａは、所定の光導波方向に並ぶ第１及び第２の領域１０ｃ、１０ｄを含む主面１０ａを有する半絶縁性基板１０と、第１の領域１０ｃ上に設けられ、ｎ型クラッド層２１、活性層２２、及びｐ型クラッド層２３を有する利得領域２０と、第２の領域１０ｄ上に設けられ、下部クラッド層４１、光導波層４２、上部クラッド層４３、及び抵抗体５０（加熱部材）を有する波長制御領域４０とを備える。半絶縁性基板１０は、裏面１０ｂから厚さ方向に延びて主面１０ａの第１の領域１０ｃに至る貫通孔１１を有しており、該貫通孔１１の内部には、半絶縁性基板１０の裏面１０ｂからｎ型クラッド層２１に達する金属部材１２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】高温時に半導体レーザ等の発光素子に供給するバイアス電流の増加を抑制することができる光モジュールを提供する。
【解決手段】光モジュールは複数のレーザダイオードと導波路型合波器を備える。レーザダイオードは、素子温度が変化するとバイアス電流の閾値とスロープ効率が変化する特性を有している（Ａ）。導波路型合波器は、制御温度範囲内において高温時の発振波長λ_１’に透過中心波長を合わせた分光特性を有している（Ｂ）。このため、外部への光出力を一定水準とすると、高温時に導波路型合波器の分光特性により光損失が最小化される分を考慮すると、高温時のバイアス電流を通常より低く設定（ΔＩｈ低減）することができる（Ｃ）。 （もっと読む）

【課題】光出力がオフ状態からオン状態に遷移する際に、安定した波長の光を出力すること。
【解決手段】光送信機１は、駆動電流Ｉ_ＬＤに応じて光信号Ｐ_Ｏを出力するＬＤ２１と、ＬＤ２１の温度Ｔ_ＬＤを制御するＴＥＣ２２と、ＬＤ２１に駆動電流Ｉ_ＬＤを供給するＬＤドライバ３と、ＴＥＣ２２の温度Ｔ_ＴＥＣを制御するＴＥＣドライバ４と、電流設定信号Ｓ_ＩをＬＤドライバ３に送出し、温度設定信号Ｓ_ＴをＴＥＣドライバ４に送出するコントローラ５と、を備え、コントローラ５は、光出力イネーブル信号ＥＮがイネーブルに遷移したことを検出したとき、電流設定信号Ｓ_ＩによってＬＤドライバ３を制御して駆動電流Ｉ_ＬＤを段階的に増加させるとともに、温度設定信号Ｓ_ＴによってＴＥＣドライバ４を制御してＴＥＣ２２の温度Ｔ_ＴＥＣを段階的に減少させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】起動時のレーザダイオードの温度制御における電源の電力供給能力が十分でない場合であっても、レーザダイオードを含む装置の起動を可能とする。
【解決手段】
レーザダイオード制御回路３は、電源の電圧値が所定の下限閾値に達したときの、ＴＥＣドライバ３２における消費電流値を取得し、その消費電流値に基づきＴＥＣドライバ３２の電流上限値を設定するコントローラ３３を有するので、電源の電圧値における所定の下限閾値を超えて電圧降下が発生することが防止される。これにより、光トランシーバ１が、電源において電圧降下が発生した場合にリセットをかけて起動を中断させる電源電圧監視／リセット回路３８を有していても、起動時におけるリセット回路の作動が防止される。従って、光トランシーバ１の起動が可能となる。 （もっと読む）

【課題】通信品質を向上させること。
【解決手段】光送信器は、半導体レーザチップから出射された光を通過させる光アイソレータ。光送信器は、半導体レーザチップと、光アイソレータと、光ファイバスタブと、を備えている。半導体レーザチップは、低温になるほど光の出射パワーが増加する。光アイソレータは、半導体レーザチップから出射された光を通過させる光アイソレータであって、低温になるほど挿入損失が増加する。光ファイバスタブは、光アイソレータを通過した光を出力する。 （もっと読む）

【課題】波形歪みを抑制する。
【解決手段】光増幅装置は、入力光を増幅する前段半導体光増幅部と、前段半導体光増幅部からの増幅光を増幅する後段側半導体光増幅部を有し、前段半導体光増幅部は、内部の光増幅素子の発光閾値電圧より高い値の印加電圧に応じて流れる駆動電流の可変制御によって、出力光パワー一定制御を行い、後段側半導体光増幅部は、駆動電流のスイッチング制御により、透過光のゲートスイッチングを行う。これにより波形歪みを抑制して光通信品質の向上を図ることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】良好な光出力特性の光送信装置、光送受信装置、制御方法および制御プログラムを提供。
【解決手段】ＬＤ２２で発したレーザ光をＥＡ変調器２２が変調する光送信器１６に対し制御回路１４は、ケース温度(TC)が予め設定した低温側基準温度（T_cool）および高温側基準温度（T_heat）の範囲内にある場合、ＥＡ変調器２２への加熱・冷却を停止し、ＥＡ変調器２２へのバイアス電圧をメモリ回路４４に記録したテーブル情報に基づいて変調器温度に対応するバイアス電圧に設定し、ケース温度が低温側基準温度以下の場合、ＥＡ変調器２２を加熱するとともに低温側基準温度に対応するバイアス電圧を設定し、ケース温度が高温側基準温度以上の場合、ＥＡ変調器２２を冷却するとともに高温側基準温度に対応するバイアス電圧を設定する構成。 （もっと読む）

【課題】 一様な光出力レベルの高速光パルス列を生成し得るレーザダイオード駆動回路、並びに、レーザダイオードの温度依存性による光出力レベルのバラツキを抑制して高精度測定を可能とした光時間領域反射測定器を提供する。
【解決手段】 レーザダイオード１８の駆動電流をオンオフ制御するスイッチング素子（ＦＥＴ１７）と、増幅器１２で増幅されたパルス信号を積分してスイッチング素子の制御電極（ＦＥＴ１７のゲート電極）に供給する積分回路１０と、を備え、レーザダイオード１８の温度依存性による光出力レベルの低下分を積分回路１０の積分動作によって相殺する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光源の立ち上がりおよび立ち下がりの遅れに起因する画質の劣化を未然に防止することができる画像形成装置を提供する。
【解決手段】スイッチング素子１０６がオン動作すると、時定数回路１０５の放電回路を介した放電により、発光部１０７には、目標電流に対してオーバーシュートした後に時定数Ａで目標電流に収束する駆動電流Ｉｄが供給される。スイッチング素子１０６がオフ動作すると、時定数回路１０５の充電回路を介した充電により、発光部１０７には、消灯電流（零電流）に対してアンダーシュートした後に時定数Ｂで消灯電流（零電流）に収束する駆動電流Ｉｄが供給される。 （もっと読む）

【課題】出力光強度が一定の光周波数変調光を出力する光源。
【解決手段】周波数制御信号に応じた光周波数の光信号を出力する光源装置であって、周波数制御信号に応じた光周波数のレーザ光を出力するレーザ光源と、レーザ光の強度変化を補償して、光周波数の変化に伴う強度変化を抑えたレーザ光を出力する光強度調整部と、を備える光源装置を提供する。光強度調整部は、レーザ光源部からのレーザ光の増幅率を周波数制御信号に基づき調整して、周波数制御信号に応じたレーザ光の強度の変化を抑えて出力する光増幅部を有する。 （もっと読む）