【課題】広範囲の波長帯において、窒化物半導体層の組成分布、例えば、活性層の結晶性
やＩｎ含有量を均一にして、寿命特性及び素子特性が一層優れた素子を提供することを目
的とする。
【解決手段】 窒化物半導体基板の主面上に第１導電型の窒化物半導体層と、多重又は単一量子井戸構
造をしており、少なくとも井戸層にＩｎを含む活性層と、第１導電型とは異なる導電型をした第２導電型の窒化物半導体層と、前記第２導電型の窒化物半導体層にストライプ状のリッジ部とを備えてなる窒化物半導体レーザ素子であって、前記窒化物半導体基板の主面には、Ｃ面（０００１）から、前記ストライプ状のリッジ部に対して略平行方向かつＭ面（１−１００）に対して略垂直方向にオフ角ａ（θ_aと、リッジ部に対して略垂直方向かつＭ面（１−１００）に対して略平行方向にオフ角ｂ（｜θ_b｜）を有しており、｜θ_a｜＞｜θ_b｜＞及び０．２°≦｜θ_a｜≦０．３°を満たす窒化物半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】ホールバーニングによる利得の局所的な低下を少なくして発光効率を向上させることができる半導体光素子、及び、その製造方法を得る。
【解決手段】本発明に係る半導体光素子は、量子ドット６ａを含む活性層６を備えた半導体光素子である。そして、活性層６内の共振器方向において、光子の密度が相対的に大きい部分の量子ドット６ａの密度が、光子の密度が相対的に小さい部分の量子ドット６ａの密度よりも、相対的に大きい。 （もっと読む）

【課題】高密度欠陥領域を周期的に有するという半導体基板の特質を利用した窒化物系化合物半導体素子及びその作製方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ系半導体レーザ素子５０は、低密度欠陥領域と基板面内に周期的に配列された高密度欠陥領域とからなるｎ型ＧａＮ基板１２上に、ｎ型ＧａＮ層１４、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１６、活性層２０、ｐ型ＧａＮ光導波層２２、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層２４及びｐ型ＧａＮコンタクト層２６の積層構造を備えている。高密度欠陥領域のコア部１２ａに貫通孔３２を設ける。貫通孔３２の延長方向線上の前記積層構造の少なくとも上部に結晶が変質し電気抵抗が高くなったイオン注入領域５２を形成する。ＧａＮ系半導体レーザ素子５０の注入電流領域はイオン注入領域５２により狭窄する。ｎ側電極３０は貫通孔３２の間に設け、ｐ側電極２８はｎ側電極３０の真上に設ける。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、発光構造体からの発光を低損失で光ファイバーに結合可能な集光装置および単一光子発生装置を提供する。
【解決手段】単一光子発生素子１１の照明光を兼ねる励起光を出射する励起用光源２０と、光ファイバーの入出力部２６から出射された励起光を単一光子発生素子１１に集光し、その反射光を光ファイバーに集光する集光光学系２７と、反射光強度を検出する光検出器２９と、励起光により単一光子発生素子１１で生成された単一光子を取り出すＷＤＭカプラー２４と、励起光の集光位置を走査する３軸ステージ４１と、３軸ステージ４１および光検出器２９等を制御する制御演算部４３等から構成される。さらに、反射光強度データおよび３軸ステージの位置情報に基づいて単一光子発生素子１１の形状情報を取得する形状情報取得手段、その形状情報に基づいて集光位置を最適化する集光位置最適化手段等を有する。 （もっと読む）

【課題】集積化された二種類の半導体レーザについて共に、窓領域形成のための無秩序化の強化に起因する、窓部を流れる無効電流の発生を好適に抑制する。
【解決手段】基板１上に積層されたバッファ層１１、２１、クラッド層１２、２２、量子井戸活性層１３、２３、およびクラッド層１４、２４を備え、ストライプ構造を有する第一および第二半導体レーザ１０、２０が同一基板上に集積化され、共振器端面近傍における量子井戸活性層は不純物拡散により無秩序化されている。第一および第二半導体レーザの活性層の発振波長をそれぞれλ１、λ２、第一および第二半導体レーザのバッファ層の禁制帯幅のエネルギーをそれぞれＥ１、Ｅ２、第一および第二半導体レーザのバッファ層の禁制帯幅のエネルギーに相当する波長をそれぞれλｂ１、λｂ２とすると、λ１＞λｂ１、λ２＞λｂ２、λ１＞λ２、およびＥ１≦Ｅ２の関係を満足する。 （もっと読む）

【課題】量子ドット光半導体素子の製造方法において、プロセスが簡便で、かつ、結晶品質が低下しないようにする。
【解決手段】量子ドット光半導体素子の製造方法を、Ｖ族元素を含む量子ドット３を自己形成する第１の工程と、量子ドット３の組成とは異なり、かつ、Ｖ族元素を含むバリア層４で量子ドット３を埋め込む第２の工程と、少なくとも気相エッチング終了時に量子ドット３を構成するＶ族元素を含む雰囲気になるようにして、バリア層４の一部及び量子ドット３の一部を気相エッチングする第３の工程とを含むものとし、第１の工程から第３の工程までを複数回繰り返して、複数の量子ドットを積層させてなる複合量子ドット５を形成する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体層の駆動（主発光）領域への転位の伝播、引っ張り歪の発生を抑制した窒化物半導体レーザ素子とその製造方法を提供すること。
【解決手段】窒化物半導体基板１００と、その上に積層された窒化物半導体層とを備えた窒化物半導体レーザ素子であって、基板１００は、高転位密度領域と低転位密度領域とを有する基板であって、少なくとも高転位密度領域には凹部が形成され、窒化物半導体層は、基板の凹部側面から横方向への成長膜厚が凹部以外の領域から縦方向への成長膜厚よりも大きい第１の窒化物半導体層１１０と、第１の窒化物半導体層１１０上に、Ｉｎを含有する第２の窒化物半導体層１２０とを有し、基板１００の凹部上に、第１及び第２の窒化物半導体層１１０、１２０は凹部を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ素子に発生する応力(ストレス)を低減することができ長寿命化を図れる半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ装置によれば、半田層１１４は発光領域１５０の中心線Ｊ１から直交方向Ｘの両側に向かって所定の寸法Ｌ１だけ離れたところまでの第１の領域Ｒ１に存在しない。つまり、発光領域１５０が存在する第１の領域Ｒ１は半導体レーザ素子１００の半田層１１４とヒートシンク２００との非完全な接着領域となる。よって、動作時において半導体レーザ素子１００,半田層１１４,およびヒートシンク２００の熱膨張係数の相違によって、発光領域１５０に与えられる応力を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】平坦でかつ結晶欠陥が極端に少ない（好ましくは無転位の）窒化ガリウム半導体層をｃ面以外の主面を持つ窒化ガリウム基板上に形成することができる窒化物半導体製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ単結晶基板１は、ｃ面以外の主面（たとえばｍ面）を持つ。このＧａＮ単結晶基板１上に、有機金属化学気相成長法によって、ＧａＮ半導体層２が形成される。この際に、ガリウム原料に対する窒素原料の割合（モル比）であるＶ／III比が１０００以上の条件を用い、前記Ｖ／III比が１０００未満の条件を用いることなく、また、ＧａＮ単結晶基板１の表面に、バッファ層を介在させることなく、ＧａＮ半導体層２を成長させる。 （もっと読む）

【課題】光学的にポンピングされるレーザと、レーザを光学的にポンピングする半導体レーザとから成る改善されたレーザ装置を提供すること。この装置は殊に、光学的ポンピングの改善された効率を特徴とし、このレーザ装置の構造サイズは比較的小さく、製造コストは比較的低い。さらに、レーザを光学的にポンピングするための有利な半導体レーザを提供すること。
【解決手段】半導体レーザは、モノリシックに集積された、重なり合って配置された複数の活性領域を含んでおり、少なくとも２つまたは２つより多い活性領域は異なる波長のポンピングビームを放出するレーザ装置、および半導体レーザは、モノリシックに集積された、重なり合って配置された複数の活性領域を有しており、少なくとも２つまたは２つより多い活性領域は異なる波長のポンピングビームを放出する、レーザを光学的にポンピングするための半導体レーザ。 （もっと読む）