ｎ型ドーピングされる閉じ込め層（１４）と、ｐ型ドーピングされる閉じ込め層（２２）と、これらのｎ型ドーピングされる閉じ込め層（１４）とｐ型ドーピングされる閉じ込め層（２２）との間に配置され光子を放出する活性層（１８）とを含む層構造を備えた発光半導体素子において、本発明によれば、高い活性ドーピングとシャープなドーピングプロファイルを形成するため、ｎ型ドーピングされる閉じ込め層（１４）は第１のｎ型ドーパント（または互いに異なる２つのｎ型ドーパント）によりドーピングされ、活性層（１８）の層品質を改善させるため活性層（１８）は第１のドーパントとは異なる第２のドーパントによりドーピングされる。
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ドープ化材料から活性領域内へのドーパントの移動を抑制すべく組成されたドープ化材料、活性領域、およびバリア材料を含むＩＩＩ族窒化物電子素子構造において、当該バリア材料は高Ａｌ含量Ａｌ_ＸＧａ_ｙＮを含み、ここで、ｘ＋ｙ＝１かつｘ≧０．５０である。特定の態様において、ＡｌＮを厚さ約５〜約２００オングストロームの移動／拡散バリア層として用いて、例えばＵＶ−ＬＥＤ光電子素子等のＩＩＩ族窒化物電子素子の活性領域内へのマグネシウムおよび／またはシリコン・ドーパント材料の流入を抑制する。

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【課題】アンドープの活性層を有する窒化物半導体発光素子において、発振閾値を引き下げ、動作寿命が向上した窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】アンドープの障壁層とアンドープの井戸層とからなる活性層と、第１導電型のクラッド層との間に設けられた第２導電型の不純物添加層が、前記第２導電型の不純物添加層に最近接する障壁層から５０ｍｅＶ以上のバンドギャップを有し、かつ前記第２導電型の不純物添加層と前記第１導電型のクラッド層との間に設けられた第１導電型の不純物添加層以下のバンドギャップを有する窒化物半導体発光素子とする。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体を用いたレーザ素子を実現する。
【解決手段】 少なくともｎ型コンタクト層を介して形成されたインジウムとガリウムとを含むｎ型窒化物半導体からなる層と、その上にインジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなる活性層と、その上にｐ型窒化物半導体よりなるｐ型クラッド層とが順に積層された構造を有し、インジウムとガリウムとを含むｎ型窒化物半導体からなる層と、ｎ型コンタクト層との間に、互いに組成の異なる２種類の窒化物半導体が積層されてなるｎ型の多層膜を光反射膜として備え、ｎ型の多層膜の少なくとも一方の窒化物半導体層はインジウムとガリウムとを含む窒化物半導体またはＧａＮからなる。 （もっと読む）

【課題】 クラッド層のメサ部上にキャップ層の突出部が無くて、高出力領域で安定した特性を有する半導体レーザ素子とその製造方法を提供すること。
【解決手段】 ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、ｎ−ＧａＡｓバッファー層４と、ｎ−Ａｌ_０．５Ｇａ_０．５Ａｓ第１クラッド層５と、ＡｌＧａＡｓ量子井戸活性層６と、ｐ−Ａｌ_０．５Ｇａ_０．５Ａｓ第２下側クラッド層７と、ｐ−ＧａＡｓエッチングストップ層１０と、ｐ−Ａｌ_０．５Ｇａ_０．５Ａｓ第２上側クラッド層１１と、ｐ−ＧａＡｓキャップ層１２を、順次結晶成長する。キャップ層１２の活性層７に近い側の面にレジスト膜を配置して、キャップ層１２の活性層７から遠い側の面にエッチング液を接触させて、第２上側クラッド層１１の頂部よりも幅方向両端に突出するキャップ層の突出部をエッチング除去する。電流阻止層１８ａに空洞が生じないから、良好な特性の半導体レーザ素子が得られる。 （もっと読む）

【課題】 電力効率のよい窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】 基板上に、ｎ側コンタクト層、ｎ側クラッド層及びｎ側光ガイド層が積層されたｎ型窒化物半導体層領域と、ｎ側光ガイド層上に形成された窒化物半導体からなる活性層と、その活性層上に形成された、ｐ側光ガイド層、ｐ側クラッド層及びｐ側コンタクト層が積層されたｐ型窒化物半導体層領域とを有し、ｐ側クラッド層を、１０オングストローム以上で１００オングストローム以下の膜厚を有し、Ａｌを含まない窒化物半導体からなる第１の層と、該第１の層と組成が異なりかつ１０オングストローム以上で１００オングストローム以下の膜厚を有し、Ａｌを含む窒化物半導体からなる第２の層とが積層された超格子層とした。 （もっと読む）