【課題】状態切替時の通過位相差を抑えつつ、回路サイズを小さくすることができる可変減衰器を提供する。
【解決手段】可変減衰器は、第１の入出力端子１ａと、第２の入出力端子１ｂと、第１のスイッチング素子としての第１のＦＥＴ２ａと、第２のスイッチング素子としての第２のＦＥＴ２ｂと、第１の抵抗３ａと、第２の抵抗３ｂと、第３の抵抗３ｃと、第１のインダクタ４ａと、第２のインダクタ４ｂとを有している。第１のインダクタ４ａのインダクタンスは、動作周波数において第１のＦＥＴ２ａのオフ容量と共振するような値に予め設定されている。第２のインダクタ４ｂのインダクタンスは、動作周波数において第２のＦＥＴ２ｂのオフ容量６ｂと共振するような値に予め設定されている。 （もっと読む）

【課題】減衰量の周波数依存性を改善することができる減衰器を提供すること。
【解決手段】減衰器１０は、ＦＥＴ１１〜１３、インダクタ１４及び１５、抵抗１６、入力端子１７、出力端子１８を備え、入力端子１７には、ＦＥＴ１１のドレイン電極と、ＦＥＴ１２のドレイン電極と、インダクタ１４の一方端とが接続され、出力端子１８には、ＦＥＴ１１のソース電極と、ＦＥＴ１３のドレイン電極と、インダクタ１５の一方端とが接続され、ＦＥＴ１１のドレイン電極とソース電極との間にインダクタ１４と、抵抗１６と、インダクタ１５とが直列に接続された構成を有する。 （もっと読む）

【課題】特性劣化を引き起こす容量結合をしないで次段増幅器と接続でき、非常に広い周波数範囲に渡って同様の特性で、入力される高周波信号の利得を適切に減衰させて次段増幅器に伝達できる可変利得減衰器を提供すること。
【解決手段】高周波信号を入力するための入力ポート１８と、高周波信号を出力するための出力ポート１９と、外部からバイアス電圧を印加するためのバイアスポート２０と、入力ポートと出力ポートとの間に直列に接続され、それぞれ同等の制御電圧により利得が制御されるＭＯＳトランジスタ１０，１１と、ＭＯＳトランジスタ１０，１１の直列接続端とグランドとの間に接続され、ＭＯＳトランジスタ１０，１１に適用する制御電圧とは逆特性の制御電圧によって利得が制御されるＭＯＳトランジスタ１２とを備え、３つのＭＯＳトランジスタの各バックゲート端子は共通にバイアスポートに接続されている。 （もっと読む）

【課題】 従来の可変減衰器では、高周波信号を損失少なく通過させる基準状態と、所望の減衰量を得る減衰状態との間で、通過位相差を生じてしまうという課題があった。
【解決手段】 入出力間ＦＥＴ３と並列、定位相可変減衰器４と直列に位相補正用ＦＥＴ５を設置することで、入出力間ＦＥＴ３がオン状態のときは位相補正用ＦＥＴ５をオフ状態とし、入出力間ＦＥＴ３がオフ状態のときは位相補正用ＦＥＴ５をオン状態とすることによって、基準状態と減衰状態との間で通過位相を等しくすることができる。 （もっと読む）

【課題】抵抗を広い範囲で変化させることができる可変抵抗制御回路及び可変抵抗器を提供すること
【解決手段】本発明にかかる可変抵抗制御回路は、電源１０と、電源１０よりも低い電位を有する電源１１との間に設けられ、電源１０と接続される抵抗２１と、電源１０と、電源１１との間に設けられ、前記抵抗２１と直列に接続されるＭＯＳトランジスタ３１と、電源１０と、電源１１との間に設けられ、前記ＭＯＳトランジスタ３１と直列に接続されるＭＯＳトランジスタ３２と、抵抗２１とＭＯＳトランジスタ３１との節点における電圧と、制御電圧とに基づいて、ＭＯＳトランジスタ３２にゲート電圧を出力するオペアンプ４１とを備え、オペアンプ４１は、ゲート電圧に基づいて抵抗値が制御される外部の可変抵抗に対してゲート電圧を出力するものである。 （もっと読む）

【課題】温度信号の製造バラツキが小さく、高精度の温度信号を生成可能な電子回路を提供すること。
【解決手段】本発明は、ピンチオフ状態にせしめられる第１ＦＥＴ（ＦＥＴ１）と、第１ＦＥＴのソース端子Ｓ１に接続されてなる温度信号Ｖｔｅｍｐを出力する温度信号出力端子と、を具備する電子回路である。本発明によれば、ピンチオフ状態のＦＥＴのソース端子から出力される温度信号を用いることにより。製造ばらつきの小さい温度信号を得ることができる。
である。 （もっと読む）

【課題】高精度に設定された受端抵抗を備えた半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】第１回路の第１端子は、所望の抵抗値を有する抵抗素子が接続され、電圧比較部は、第１端子の電圧と第１中間電圧との比較出力信号を形成し、制御論理部は、スイッチ部を制御して第２中間電圧を第２抵抗回路のＭＯＳＦＥＴのゲートに供給し、第１抵抗回路の複数のＭＯＳＦＥＴのオン／オフ制御により合成抵抗値を一方から他方に向けて変化させ、電圧比較出力が反転した時点のオン／オフ制御検知して記憶する。スイッチ部を制御して電圧比較出力を第２抵抗回路のＭＯＳＦＥＴのゲートに供給する。第２回路の第３抵抗回路は、第１抵抗回路と同様な複数のＭＯＳＦＥＴがオン／オフ制御され、第４抵抗回路のＭＯＳＦＥＴのゲートは、第２抵抗回路のＭＯＳＦＥＴのゲートと同じ電圧比較出力が供給される。 （もっと読む）

【課題】アッテネータの減衰特性を電圧の値によって調整していたため、降圧回路などの電圧供給用回路が新たに必要となるアッテネータの回路規模が増大するとともに、熱雑音やショットノイズがアッテネータの出力信号に混入する。
【解決手段】直列接続された第１および第２回路と、これら第１および第２回路との間にシャント状に接続された第３回とを含むＴ型の二端子対網回路と、からなるアッテネータに対し、第１および第２回路の間に第３回路とは別にシャント容量を接続する。 （もっと読む）

【課題】信号経路切替機能を有するアッテネータ回路において、信号伝搬における損失を抑制することが可能な可変アッテネータ回路を提供する
【解決手段】信号が入力される信号経路に並列に設けられ抵抗値制御端子に制御電圧が入力される可変抵抗ＶＲ１、信号経路と出力端子Ｓｏｕｔ１、Ｓｏｕｔ２との間に直列に接続された可変抵抗ＶＲ２ａ、ＶＲ２ｂを有するアッテネータ回路ＡＴＴＮ、制御電圧Ｖｃｔｒｌが入力され制御電圧Ｖｃｔｒｌ２を出力するバイアス電圧発生部ＢＶＧ、一端に制御電圧Ｖｃｔｒｌが入力され、他端が可変抵抗ＶＲ２ａの抵抗値制御端子に接続され出力経路切替信号ＰＳａが与えられてオン／オフが制御される経路切替部ＰＳａ、一端に制御電圧Ｖｃｔｒｌが入力され、他端が可変抵抗ＶＲ２ｂの抵抗値制御端子に接続され出力経路切替信号ＰＳｂが与えられてオン／オフが制御される経路切替部ＰＳｂを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高周波で使用する１段当たりの可変減衰量が大きい可変減衰器を提供する。
【解決手段】可変減衰器は、ゲート、ドレイン、ソース、ボディを有するＭＯＳＦＥＴ１２と、減衰量制御回路１４と、温度補償回路２１とを備える。減衰量制御回路１４は、ゲート、及びドレイン、ソースに制御電圧を与える。温度補償回路２１は、ボディに温度補償電圧を与える。入力端子、出力端子は、それぞれＭＯＳＦＥＴ１２のドレイン、ソースに接続する構成をとる。温度補償回路２１は、ＭＯＳＦＥＴ１２の動作温度に応じて、ボディに供給する電圧を制御して、ホディ電圧とゲート電圧との関係で入力端子及び出力端子間に流れる電流の抵抗値を調整する。 （もっと読む）