【課題】特性を劣化させることなく、シリコン基板上に圧電振動片を実装した圧電振動子を提供する。
【解決手段】シリコン基板２と、シリコン基板２の表面に形成された金属膜３と、金属膜３上に形成された一対の振動片実装電極５，６と、一対の振動片実装電極５，６にバンプ接合されて保持されたＡＴカット型の圧電振動片７と、を備え、金属膜３の線膨張係数が１３×１０^-6／℃以上であり、且つ、金属膜３の線膨張係数とヤング率との積が１．９５ＭＰａ／℃以上である。 （もっと読む）

【課題】圧電薄膜と支持体とからなる複合圧電基板を、より簡素な工程で歩留まり良く、安価に形成する製造方法を提供する。
【解決手段】圧電単結晶基板の裏面１３からイオン注入を行い、イオン注入層を形成する。圧電単結晶基板１の裏面１３上に、下部電極２０と犠牲層３０とを順次形成する。圧電単結晶基板の裏面１３上及び犠牲層３０上に接合処理を用いることなく、スパッタ等を用いて直接的に支持体４０を形成する。支持体４０の形成は、まず、圧電単結晶基板の裏面１３上及び犠牲層３０上に第１支持層４０１を形成した後、第１支持層４０１の表面（圧電単結晶基板の反対の面）に第２支持層４０２を形成する。支持体４０が配設された圧電単結晶基板を加熱剥離することで、圧電薄膜１０と支持体４０とからなる複合圧電基板が形成される。 （もっと読む）

本発明は、高バルク音響共振器タイプの共振器に関し、この共振器は、強力な電気機械的結合によって２つの電極（４，８）の間に固定されると共に第１の切断角θ１に沿って切断された圧電変換器（６）と、少なくとも５．１０¹²に等しい動作周波数音響品質係数を有し、第２の切断角θ２に沿って切断されると共に少なくとも１つの剪断モードに対応する音響基板（１０）とを備える。圧電変換器の剪断モードの偏波方向と、音響基板の剪断モードの偏波方向とが整列するように、圧電変換器及び音響基板が配列され、第２の切断角θ２は、剪断モード及び第２の切断角θ２に対応する一次の周波数温度係数ＣＴＦＢ１が、両側の符号を反転した場合に０であるか、又はバイアスに等しくなるような角度である。
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【課題】圧電振動片とＩＣチップとを重ねて配置する構成の圧電デバイスの小型化。
【解決手段】水晶振動片３０と、ＩＣチップ２０と、水晶振動片３０及びＩＣチップ２０をベース部１１にマウントし、内部に収容するパッケージ１０とを備え、パッケージ１０は、ベース部１１にＩＣチップ２０の一主面２１側がマウントされ、ベース部１１の底面１１ａから水晶振動片３０のマウント面１５ａ１，１５ｂ１までの高さＬ１が、底面１１ａからＩＣチップ２０の他主面２２までの高さＬ２より低く形成され、水晶振動片３０が平面視においてＩＣチップ２０と重なるように配置され、水晶振動片３０のＩＣチップ２０と重なる部分が、水晶振動片３０の一端部３７側から他端部３８側に行くにつれてＩＣチップ２０の他主面２２から遠ざかるように傾斜して、水晶振動片３０の一端部３７がマウント面１５ａ１，１５ｂ１にマウントされている。 （もっと読む）

【課題】発振周波数の温度変化率が小さい高精度の周波数特性を有する圧電共振部品を提供することを目的とする。
【解決手段】容量基板１１上に導電性樹脂１２を介して搭載された圧電共振素子１３と、圧電共振素子１３を密閉するように容量基板１１上に封止樹脂１４を介して固定されたキャップ１５とを備え、容量基板１１の主面電極１９ａおよび２０ａはスリット状の非形成部２２により分離され、圧電共振素子１３は非形成部２２を含んで形成された導電性樹脂１２を介して主面電極１９ａおよび２０ａに接続された圧電共振部品であり、これにより、圧電共振素子搭載後の圧電共振素子と容量基板との接続部分の導電性接着剤の厚みや面積等の寸法精度を高めることができ、発振周波数の温度変化率が小さい高精度の周波数特性を有する優れた圧電共振部品となる。 （もっと読む）

【課題】圧電振動子に形成される外部接続用電極の形成寸法精度公差が比較的大きいため、圧電振動子の小型化が進むにつれ、圧電振動子内に搭載する圧電振動板に形成される外部接続用電極と、圧電振動子を構成する容器体に形成される電極パッドとの間に形成位置ズレが生じる場合がある。
【解決手段】電極パッドと外部接続用電極の間に、電極パッド及び外部接続用電極に対向する両主面上に両主面間で電気的に接続している導通用電極が形成された平板状の絶縁基板が配置されており、この導通用電極を介して電極パッドと外部接続用電極が電気的に接続且つ固着されている圧電振動子。 （もっと読む）

【課題】 消費電力が抑えられかつ周囲温度の変化に対して発振周波数が安定している水晶発振器を提供すること。
【解決手段】 パッケージ内にセラミックスなどの基板を当該基板の周縁部が支持されるように設け、この基板の一面及び他面の少なくとも一方に基板の周縁に沿って当該基板の内側領域を囲むように抵抗発熱層からなる帯状の加熱手段を設ける。そして加熱手段により囲まれた領域内にて水晶振動子、発振回路部及び感温素子を各々パッケージの内面に接しない状態で装着し、感温素子の温度検出値に基づいて温度制御回路部を介して加熱手段を制御する。 （もっと読む）