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国際特許分類[H03K17/74]の内容

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【課題】 受信期間に他の無線装置などから大電力の高周波信号が受信機に入力される場合においても、高周波電力を抑制し、受信機に対する保護回路としての機能を果たす高周波スイッチ回路を得る。
【解決手段】 高周波入力端子と高周波出力端子とを有する高周波信号線路と接地間に接続されたPINダイオードと、このPINダイオードをオン状態/オフ状態に切り替えるバイアス電圧を供給ことにより、前記高周波入力端子と前記高周波出力端子との間をオフ状態/オン状態に切り替える制御部とを備え、前記PINダイオードがオフ状態である前記高周波入力端子と前記高周波出力端子との間がオン状態において、入力される高周波信号が所定の高周波電力以上のとき、前記PINダイオードがオン状態になることにより、出力される高周波電力の大きさを抑制する。 (もっと読む)


【課題】簡単な回路構成によってPINダイオードの電荷を急速に除去することにより、高周波信号の伝送系統を高速で切り替えることができる高周波切替回路を提供する。
【解決手段】第1のマイナス電源(マイナス電源)4はNPN型のトランジスタ(第1の半導体スイッチ)2を介してPINダイオード(ダイオード)6に逆バイアス電圧を印加し、第1のプラス電源(プラス電源)5はPNP型のトランジスタ(第2の半導体スイッチ)3を介してPINダイオード6に順方向電流を供給する。第2のマイナス電源(マイナス電源)13はNPN型のトランジスタ(第1の半導体スイッチ)11を介してPINダイオード(ダイオード)15に逆バイアス電圧を印加し、第2のプラス電源(プラス電源)14はPNP型のトランジスタ(第2の半導体スイッチ)12を介してPINダイオード15に順方向電流を供給する。これにより、高周波信号の系統を高速切替できる。 (もっと読む)


【課題】 従来と比べて高いアイソレーションを得ることができる高周波スイッチ回路を提供する。
【解決手段】 一端が信号入力端子TINに接続され、他端が信号出力端子TOUTに接続された第1のダイオード11の他端とグランドとの間に直列接続されたインダクタ12とキャパシタ13と第2のダイオード14からなる直列共振回路15を設け、制御回路19により、上記第1のダイオード11のオン・オフ動作に連動して上記第2のダイオード14をオン・オフ動作させることによって上記直列共振回路15を阻止帯域が切り替わる帯域阻止フィルタとして機能させ、上記第1のダイオード11がオン動作の時には、上記直列共振回路15の共振周波数を上記第1のダイオード11を介して信号出力端子TOUTから出力する主信号の周波数帯域よりも高く設定し、上記第1のダイオード11がオフ動作の時には、上記直列共振回路15の共振周波数を主信号の周波数帯域内に設定する。 (もっと読む)


非セキュリティ保護装置からセキュリティ保護装置への一方向のデータフローを可能にするデータダイオードシステムが開示される。データダイオードシステムは、少なくとも一つのデータダイオードを備える。データダイオードは、非セキュリティ保護装置から受信した情報を、セキュリティ保護装置に送信されるセキュリティ保護情報に変換する。データダイオードシステムは、電圧変換器を備える。電圧変換器は、セキュリティ保護装置のシリアルデータポート接続部から負電圧を受ける。電圧変換器は、負電圧を正電圧に変換してデータダイオードに電力を供給する。
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【課題】簡単な構成でセルフミキシング信号の発生を低減する高周波スイッチ及びこれを用いた受信回路を提供する。
【解決手段】ゲート端子が入力端子側に接続され、ドレイン端子が出力端子側に接続され、ソースが接地された電界効果トランジスタと、前記電界効果トランジスタのゲート端子側に接続されるゲートバイアス電圧調整手段とドレイン端子側に接続されるドレインバイアス電圧調整手段の少なくともいずれか一方を備え、前記ゲート端子と入力端子との間及び前記ドレイン端子と出力端子との間の少なくともいずれか一方に整合回路を備え、導通状態における反射特性と前記遮断状態における反射特性とが略等しくなるように、スイッチを構成している。 (もっと読む)


【課題】本発明は、入力端子に入力された信号を増幅して複数の出力端子に分配する状態と、入力端子に短絡した一の出力端子に出力する状態とを、一の出力端子から出力される信号が途切れないよう切替える分配装置及び当該分配装置を備えた録画装置を提供する。
【解決手段】MCU201は、分配回路から短絡回路に切替える場合、FET202をオン状態にして入力端子21を第3出力端子24に短絡する短絡回路を接続し、所定時間経過後にダイオードD1、D2をオフ状態にして増幅器AMP、分配器203及び減衰器ATT等からなる分配回路から入力端子21及び第3出力端子24を開放する。MCU201は、短絡回路から分配回路に切替える場合、ダイオードD1、D2をオン状態にして分配回路に入力端子21及び第3出力端子24を接続し、所定時間経過後にFET202をオフ状態にして短絡回路を開放する。 (もっと読む)


【課題】少なくとも送信信号の反射波を検出することができるアンテナスイッチを提供する。
【解決手段】送信端子16からの送信信号を伝送させる第1λ/4信号伝送路18aに対して、第1スイッチ回路22aが並列に接続され、受信信号を受信端子20に伝送させる第2λ/4信号伝送路18bに対して、第2スイッチ回路22bが並列に接続された第1アンテナスイッチ10Aにおいて、第1λ/4信号伝送路18aを構成要素の1つとし、送信信号の反射波を検出する方向性結合器36を有する。この方向性結合器36は、上述した第1λ/4信号伝送路18aと、該第1λ/4信号伝送路18aに対向して配置されたλ/4線路38と、該λ/4線路38の一端に接続された反射波出力端子40と、λ/4線路38の他端に接続された終端抵抗42とを有する。 (もっと読む)


【課題】損失を低減できるとともに故障を検出して適切な処置をとりうる一方向導通装置を得る。
【解決手段】一方向導通ユニット101a,101bは、陽極端子16及び陰極端子17間に接続されゲートにより駆動制御されるMOSFET9と、一方向導通ユニット101a,101bの動作開始時に整流動作を行うMOSFET9の寄生ダイオード9aと、2端子16,17間が導通時に2端子間に発生する導通電圧を所定の電圧に昇圧して出力する昇圧回路2と、昇圧回路2の出力を電源としてMOSFET9のゲートに駆動信号を出力するゲート制御回路1とを有するものであって、この一方向導通ユニット101a,101bを直列に接続するともに、一方向導通装置101a,101bの故障を検出する故障検出回路105を設けた。MOSFET9の導通抵抗が低いので、損失を低減できる。 (もっと読む)


【課題】雰囲気温度が高温の場合に大電力送信を行う際にあってもゲートリーク電流の増加に起因する昇圧された端子電圧の低下を抑圧し、高調波ひずみ特性の向上を図る。
【解決手段】送信の際、デコーダ回路22によって、第1のスイッチ素子31のゲートには、昇圧回路21により得られた昇圧電圧V1が印加される一方、第2のスイッチ素子32のゲートには、0Vが印加されることにより、第1のスイッチ素子31は導通状態となり、第2のスイッチ素子32は、非導通状態となり、さらに、第3のスイッチ素子33は、導通状態となり、ダイオード39が逆バイアス状態とされるため、第2のスイッチ素子32のゲートリーク電流が増加しても、それに起因する昇圧された端子電圧の低下が回避できるものとなっている。 (もっと読む)


【課題】低損失特性が可能な高周波スイッチを得る。
【解決手段】第1の入出力端子10aと第2の入出力端子10bとの間とグランドとの間に直列に接続された第1の高周波線路20a及び第2の高周波線路20bと、前記第1の高周波線路20aと前記第2の高周波線路20bとの間とグランドとの間に設けられたスイッチング素子30とを備えることで、従来のようにシリーズにスイッチング素子を用いていないため低損失特性を実現でき、また、オフ状態において、オフ容量と高周波線路の並列共振を用いるため、通過損失とアイソレーションの関係は、オン抵抗とオフ容量のトレードオフの関係ではなくなるため、低損失かつ高アイソレーション特性を実現できる。 (もっと読む)


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