【課題】 試料の表面に低エネルギーの中性粒子ビームを照射し、試料が電気的に中性を保つように不純物を導入することができるドーピング装置を提供する。
【解決手段】 ドーピング装置１０は、試料１８に中性粒子を照射して不純物をドープする。ドーピング装置１０は、試料１８を保持する保持台４４と、荷電粒子をプラズマとして発生させるプラズマ室１４と、荷電粒子を試料に向けて加速する電極３２と、加速された荷電粒子を中性化して中性粒子を生成する中性室１６とを備えている。また、このドーピング装置１０は、中性化室１６と試料１８との間に設けられ、中性化室１６で中性化されなかった荷電粒子５４を除去する偏向電極６０と、偏向電極６０により除去された荷電粒子５４を計測することにより試料１８へのドープ量を計測する計測手段６４，６６，６８，７０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】被処理物に均一な密度の中性粒子ビームを照射することができる中性粒子ビーム処理装置を提供する。
【解決手段】中性粒子ビーム処理装置は、複数の孔４０が形成された構造体４２と複数の中性粒子ビーム生成機構５０とを有する中性粒子ビーム源を備えている。各中性粒子ビーム生成機構５０は、孔４０の内部のプラズマ領域Ｐにマイクロプラズマを発生させるマイクロプラズマ生成部５１と、マイクロプラズマ中のイオン１０２を中性化領域Ｎに引き出すイオン引出部５２と、引き出されたイオン１０２を中性化して中性粒子ビーム１０４を生成する中性化部５３とを有している。マイクロプラズマ生成部５１とイオン引出部５２と中性化部５３とは構造体４２に一体に形成されている。 （もっと読む）

【課題】加工形状を厳密に調整するためには粒子ビームを中性化することが必要である。この中性化を、イオンビームの生成条件や加工条件とは独立に制御可能とし、品質の高い中性粒子ビームを得る。
【解決手段】プラズマを生成しイオンビームを射出するプラズマチャンバ１と、イオンビームを中性化するキャピラリ部２と、キャピラリ部を通過したビームを被加工物に照射する加工チャンバ３とを有する中性粒子線ビーム装置であって、キャピラリ部は、キャピラリ中に中性ガスを供給し排気する手段と、それらを制御しキャピラリ中の中性ガス圧を所定値に設定する制御手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】 セラミック部材に強固にネジ止めしてもセラミック部材を破損させることがなく、セラミック部材にネジにより強固に締結できるセラミック複合体を提供すること。
【解決手段】 本発明のセラミック複合体は、セラミック基体１の表面に凹部４を形成するとともに、凹部４内に、厚み方向に貫通するネジ穴を有した金属製のネジ受け部材３を嵌挿して、ネジ受け部材３と凹部４内面との当接部をロウ付けし、ネジ穴の下端側開口部に切り欠き３ａを設けて成る。 （もっと読む）

ガスクラスタイオンビーム処理のためのシステム（３５０）と方法は改良ビームと対象物中和機器（１２２）を利用することで達成される。大きなＧＣＩＢ電流運搬はＧＣＩＢの空間荷電の低エネルギー電子中和によって提供される。電流が大きくなるほどＧＣＩＢのガス量は増大する。高ガス運搬量にも拘わらず通気型ファラデーカップビーム測定システム（３０２）はビーム量測定精度を維持する。
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【課題】 プラズマを閉じ込めることができ、且つ、イオン引出分布を均一にすることができるプラズマイオン源装置を提供する。
【解決手段】 プラズマイオン源装置１に備えたリング状のカスプ磁石３−１〜３−１３のうち、イオン引出方向の下流端部に位置するカスプ磁石３−１３を補整磁石とし、この補整磁石の内径を他のカスプ磁石よりも大きくすることにより、放電容器２に対して補整磁石を他のカスプ磁石よりもイオン引出方向と垂直な方向へ遠ざけるようにして、補整磁石の前記垂直方向における位置を調整し、更には補整磁石のイオン引出方向における位置も調整することにより、イオン引出面における前記垂直方向の磁束密度分布がゼロ近傍の略均一な分布となるように調整した構成とする。 （もっと読む）