【課題】半導体製造装置等に併設しあるいは組み込むことが可能な、小型の低速陽電子ビーム発生装置を得る。
【解決手段】真空チャンバー内に、陽電子源（２）で生成されモデレータによって低速化された陽電子ビームのうち所望のエネルギーを有する陽電子ビームを取り出すためのエネルギー弁別器（３）と、被測定試料（１１）を保持する試料保持部（９）と、エネルギー弁別器（３）を出射した陽電子ビームを加速して被測定試料（１１）に照射するための加速部（５）と、を備える低速陽電子ビーム発生装置（１）において、真空チャンバー内の被測定試料（１１）の周辺に、陽電子ビームを被測定試料（１１）上に輸送するための磁場を発生する第１の永久磁石（１２、１３）を配置する。 （もっと読む）

本発明は、アルミニウム合金製の部品（５）へのイオン注入装置に関するものであって、該装置は、抽出圧力によって加速されたイオンを放出するイオン源（６）と、前記源（６）によって発信された初期イオンビーム（ｆ１’）の、注入ビーム（ｆ１）への第一の調整手段（７−１１）とを有する。前記源（６）は、部品（５）内に１２０℃を下回る温度で注入されるマルチエネルギーイオンの初期ビーム（ｆ１’）を生産する、電子サイクロトロン共鳴源である。前記調整手段（７−１１）を介して調整された注入ビーム（ｆ１）の、これらのマルチエネルギーイオンの注入は、源の抽出圧力によってコントロールされた深さに同時に実施される。
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