アントラセン誘導体とそれを用いた発光素子、発光装置
【課題】酸化反応の繰り返しに耐性のある発光物質を提供することを課題とする。また、還元反応の繰り返しにも耐性がある発光素子を提供することを課題とする。
【解決手段】一般式（１）で表されるアントラセン誘導体。一般式（１）において、Ｒ１は、水素または炭素数１〜４のアルキル基を表す。Ｒ２は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表す。Ｒ３は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表す。Ｐｈ１は、フェニル基を表す。Ｘ１は、炭素数６〜１５のアリーレン基を表す。
【解決手段】一般式（１）で表されるアントラセン誘導体。一般式（１）において、Ｒ１は、水素または炭素数１〜４のアルキル基を表す。Ｒ２は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表す。Ｒ３は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表す。Ｐｈ１は、フェニル基を表す。Ｘ１は、炭素数６〜１５のアリーレン基を表す。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アントラセン誘導体に関し、特に発光素子を作製するための材料として用いることのできるアントラセン誘導体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ディスプレイ等に利用されている発光素子の多くは、一対の電極間に発光物質を含む層が挟まれた構造を有する。このような発光素子では、一方の電極から注入された電子と他方の電極から注入された正孔とが再結合することによって形成された励起子が基底状態に戻るときに発光する。
【０００３】
発光素子の分野では、発光効率、色度がよく、若しくは消光等を防ぐことができる発光素子を得るために、発光素子を作製するための材料となる物質についての様々な研究が行われている。
【０００４】
例えば、特許文献１では、発光効率が高く、寿命が長い、有機ＥＬ素子用材料について開示されている。
【０００５】
ところで、発光素子においては、正孔若しくは電子の授受によって電極間を電流が流れる。このとき、正孔若しくは電子を受け取った発光物質等が、つまり酸化若しくは還元された発光物質等が、中性に戻らず、性質や構造が異なるものに変化することがある。そして、そのような発光物質の性質や構造の変化が蓄積されると、発光素子の特性も変化してしまう可能性がある。
【０００６】
そのため、酸化若しくは還元によっても性質が変化しにくい発光物質の開発が求められている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−１３１５４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、酸化反応の繰り返しに耐性があり、発光素子用の材料として用いることのできる物質を提供することを課題とする。また、本発明は、酸化反応の繰り返しによる物質の特性変化に起因した発光素子の動作特性の低下が低減された発光素子、及び発光装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一は、一般式（１）で表されるアントラセン誘導体である。
【００１０】
【化０１】
【００１１】
一般式（１）において、Ｒ１は、水素または炭素数１〜４のアルキル基を表す。また、Ｒ２は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表す。アリール基は、置換基を有していてもよいし、若しくは無置換であってもよい。Ｒ３は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表す。アリール基は、置換基を有していてもよいし、若しくは無置換であってもよい。Ｐｈ１は、フェニル基を表す。フェニル基は、置換基を有していてもよいし、若しくは無置換であってもよい。Ｘ１は、炭素数６〜１５のアリーレン基を表す。アリーレン基は、置換基を有していてもよいし、若しくは無置換であってもよい。
【００１２】
本発明の一は、一般式（２）で表されるアントラセン誘導体である。
【００１３】
【化０２】
【００１４】
一般式（２）において、Ｒ４は、水素または炭素数１〜４のアルキル基を表す。また、Ｒ５〜Ｒ８は、水素、または、Ｒ５とＲ６、Ｒ７とＲ８が、それぞれ、互いに結合した芳香環を表す。また、Ｒ９は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表す。アリール基は、置換基を有していてもよいし、若しくは無置換であってもよい。また、Ｒ１０は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表す。アリール基は、置換基を有していてもよいし、若しくは無置換であってもよい。Ｐｈ２は、フェニル基を表す。フェニル基は、置換基を有していてもよいし、若しくは無置換であってもよい。
【００１５】
本発明の一は、一般式（３）で表されるアントラセン誘導体である。
【００１６】
【化０３】
【００１７】
一般式（３）において、Ｒ１１は、水素または炭素数１〜４のアルキル基を表す。また、Ｒ１２は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表す。アリール基は、置換基を有していてもよいし、若しくは無置換であってもよい。また、Ｒ１３は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表す。アリール基は、置換基を有していてもよいし、若しくは無置換であってもよい。Ｐｈ３は、フェニル基を表す。フェニル基は、置換基を有していてもよいし、若しくは無置換であってもよい。
【００１８】
本発明の一は、一般式（４）で表されるアントラセン誘導体である。
【００１９】
【化０４】
【００２０】
一般式（４）において、Ｒ１４は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表す。アリール基は、置換基を有していてもよいし、若しくは無置換であってもよい。また、Ｒ１５は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表す。アリール基は、置換基を有していてもよいし、若しくは無置換であってもよい。Ｐｈ４は、フェニル基を表す。フェニル基は、置換基を有していてもよいし、若しくは無置換であってもよい。
【００２１】
本発明の一は、一般式（５）で表されるアントラセン誘導体である。
【００２２】
【化０５】
一般式（５）において、Ｒ１６は、水素または炭素数１〜４のアルキル基を表す。
【００２３】
本発明の一は、一般式（６）で表されるアントラセン誘導体である。
【００２４】
一般式（６）において、Ｘ２は、炭素数６〜１５のアリーレン基を表す。アリーレン基は、置換基を有していてもよいし、若しくは無置換であってもよい。
【００２５】
【化０６】
【００２６】
本発明の一は、一般式（７）で表されるアントラセン誘導体である。
【００２７】
【化０７】
【００２８】
一般式（７）において、Ｒ１７は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表す。アリール基は、置換基を有していてもよいし、若しくは無置換であってもよい。
【００２９】
本発明の一は、一般式（８）で表されるアントラセン誘導体である。
【００３０】
【化０８】
【００３１】
一般式（８）において、Ｒ１８は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表す。アリール基は、置換基を有していてもよいし、若しくは無置換であってもよい。
【００３２】
本発明の一は、一般式（１）〜（８）のいずれか一の一般式で表されるアントラセン誘導体を含む層を、電極間に有する発光素子である。
【００３３】
本発明の一は、一般式（１）〜（８）のいずれか一の一般式で表されるアントラセン誘導体を含む発光素子を用いた発光装置である。
【００３４】
本発明の一は、一般式（１）〜（８）のいずれか一の一般式で表されるアントラセン誘導体を含む発光素子を画素部に有する発光装置である。
【００３５】
本発明の一は、一般式（１）〜（８）のいずれか一の一般式で表されるアントラセン誘導体を含む発光素子を用いた発光装置を、実装した電子機器である。
【発明の効果】
【００３６】
本発明を実施することによって、酸化反応の繰り返しに対し優れた耐性を有し発光素子を作製するための材料として用いることのできる物質を得ることができる。また、本発明を実施することによって、酸化反応の繰り返しに優れた耐性を有すると共に、還元反応の繰り返しに対しても優れた耐性を有し、発光素子を作製するための材料として用いることのできる物質を得ることができる。
【００３７】
本発明を実施することによって、電極間に設けられた層の形成に用いられている物質が酸化反応を繰り返すことによって生じ得る素子特性の低下を低減できる発光素子を得ることができる。また、酸化反応の繰り返しによる発光物質の性質の変化に伴った発光素子の特性変化が少なく、長期間、安定な発光を呈することができる発光素子が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
以下、本発明の一態様について説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００３９】
（実施の形態１）
本発明のアントラセン誘導体の一態様について説明する。
【００４０】
本発明のアントラセン誘導体として、構造式（１）〜構造式（４０）で表されるアントラセン誘導体が挙げられる。
【００４１】
【化０９】
【化１０】
【化１１】
【化１２】
【化１３】
【化１４】
【化１５】
【化１６】
【化１７】
【化１８】
【化１９】
【化２０】
【化２１】
【化２２】
【化２３】
【化２４】
【化２５】
【化２６】
【化２７】
【化２８】
【化２９】
【化３０】
【化３１】
【化３２】
【化３３】
【化３４】
【化３５】
【化３６】
【化３７】
【化３８】
【化３９】
【化４０】
【化４１】
【化４２】
【化４３】
【化４４】
【化４５】
【化４６】
【化４７】
【化４８】
【００４２】
これらのアントラセン誘導体は、例えば、下記合成スキーム（ａ−１）で表されるように、９，１０−ジブロモアリールアントラセン等のアントラセンを骨格に含む化合物Ａと、アリールアミノカルバゾールを骨格に含む化合物Ｂとをカップリング反応させることによって得られる。なお、本発明のアントラセン誘導体の合成方法は、ここに記載した合成方法に限定されるものではなく、その他の合成方法によって合成されてもよい。
【００４３】
【化４９】
【００４４】
合成スキーム（ａ−１）において、Ｒ１９は、水素またはｔｅｒｔ−ブチルを表す。また、Ｒ２０は、水素、メチル、エチル、ｔｅｒｔ−ブチル等の炭素数１〜４のアルキル基、フェニル、ビフェニル、ナフチル等の炭素数１〜１２のアリール基の中から選ばれるいずれか一の基を表す。なお、アリール基は、置換基を有していてもよいし、若しくは無置換であってもよい。また、Ｐｈ５はフェニル基を表す。フェニル基は置換基を有していてもよいし、若しくは無置換であってもよい。また、Ｘ３は、フェニレン、ナフチレン、アントリレン、９，９−ジメチルフルオレン−２，７−ジイル等の炭素数６〜１５のアリーレン基を表す。
【００４５】
ここで、化合物Ａは、合成スキーム（ａ−２）で表されるように、ジブロモアレーン（化合物Ｃ）と、アントラキノンを骨格に含む化合物とを主原料として得ることができる。また、化合物Ｂは、合成スキーム（ａ−３）で表されるように、カルバゾールを骨格に含む化合物の３位の水素をブロモに置換した後、さらに、そのブロモがアミノ基と置換するように反応させることで得られる。
【００４６】
【化５０】
【００４７】
【化５１】
【００４８】
なお、本形態では、アントラセン骨格を含む化合物Ａとして９，１０−ビス（ブロモアリール）アントラセンを用いているが、この他に９，１０−ビス（ヨードアリール）アントラセン等を用いてもよい。９，１０−ビス（ヨードアリール）アントラセンは、合成スキーム（ａ−２）で表される合成において化合物Ｃに換えて１，５−ジヨードナフタレンや２，７−ジヨード−９，９−ジメチルフルオレン等のジヨードアレーンを用いることによって得られる。なお、１，５−ジヨードナフタレンや２，７−ジヨード−９，９−ジメチルフルオレン等は次のようにして合成することによって得られる。まず、１，５−ジヨードナフタレンは、１，５−ジアミノナフタレンに含まれるアミノ基を亜硝酸ナトリウム、濃硫酸を用いてジアゾニウム塩にし、ヨウ化カリウムを用いてヨウ素に置換させることによって得られる。また、２，７−ジヨード−９，９−ジメチルフルオレンは、フルオレンを、オルト過ヨウ素酸を用いて２位、７位をヨウ素化し、続いてジメチルスルホキシド（略称：ＤＭＳＯ）中水酸化ナトリウム水溶液、ベンジルトリメチルアンモニウムクロリド、ヨードメタンを用いて９位をジメチル化することで得られる。
【００４９】
以上に説明したような本発明のアントラセン誘導体は、酸化反応の繰り返しに対し耐性を有する。また、酸化反応の繰り返しに対する耐性を有すると共に還元反応の繰り返しに対しても耐性を有する場合がある。また、以上に説明した本発明のアントラセン誘導体は、青色系の発光を呈することができる。その為、青色系の発光素子を作製する為の発光物質として用いることができる。また、以上に説明した本発明のアントラセン誘導体は、ＨＯＭＯ準位とＬＵＭＯ準位との間のエネルギーギャップが大きい。その為、赤色系から青色系の発光色を呈する発光物質を分散状態にする為の物質、所謂ホストとして用いることができる。本発明のアントラセン誘導体を発光物質若しくはホストとして用いることによって、酸化反応の繰り返しに起因したホストの性質の変化が少なく、発光時間の蓄積に伴った駆動電圧の増加等が低減された発光素子を得ることができる。
【００５０】
（実施の形態２）
本発明のアントラセン誘導体を発光物質として用いた発光素子の態様について、図１を用いて説明する。
【００５１】
図１には、第１の電極１０１と第２の電極１０２との間に発光層１１３を有する発光素子が表されている。そして、発光層１１３には、一般式（１）〜（８）、構造式（１）〜（４０）のいずれかの式で表される本発明のアントラセン誘導体が含まれている。
【００５２】
このような発光素子において、第１の電極１０１側から注入された正孔と、第２の電極１０２側から注入された電子とは、発光層１１３において再結合し、本発明のアントラセン誘導体を励起状態にする。そして、励起状態の本発明のアントラセン誘導体は基底状態に戻るときに発光する。このように、本発明のアントラセン誘導体は発光物質として機能する。
【００５３】
ここで、発光層１１３は、一般式（１）〜（８）、構造式（１）〜（４０）のいずれかの式で表される本発明のアントラセン誘導体が、本発明のアントラセン誘導体の有するエネルギーギャップよりも大きいエネルギーギャップを有する物質からなる層中に、分散して含まれた層であることが好ましい。これによって、本発明のアントラセン誘導体からの発光が、濃度に起因して消光してしまうことを防ぐことができる。なお、エネルギーギャップとはＬＵＭＯ準位とＨＯＭＯ準位との間のエネルギーギャップを言う。
【００５４】
本発明のアントラセン誘導体を分散状態にするために用いる物質について特に限定はないが、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）などのアントラセン誘導体や、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）等のカルバゾール誘導体の他、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ピリジナト］亜鉛（略称：Ｚｎｐｐ２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）等の金属錯体等が好ましい。これらの物質の中から一または二以上の物質を選択して本発明のアントラセン誘導体が分散状態となるように混合すればよい。このような複数の化合物が混合された層は、共蒸着法を用いて形成することができる。ここで、共蒸着とは、一つの処理室内に設けられた複数の蒸着源からそれぞれ原料を気化させ、気化した原料を気相状態で混合し、被処理物上に堆積させる蒸着法をいう。
【００５５】
また、第１の電極１０１と第２の電極１０２とについて特に限定はなく、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、または酸化珪素を含むインジウム錫酸化物、２〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を含む酸化インジウムの他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）等を用いて形成することができる。また、アルミニウムの他、マグネシウムと銀との合金、アルミニウムとリチウムとの合金等も第１の電極１０１を形成するのに用いることができる。なお、第１の電極１０１及び第２の電極１０２の形成方法について特に限定はなく、例えばスパッタ法や蒸着法等を用いて形成することができる。なお、発光した光を外部に取り出すために、第１の電極１０１と第２の電極１０２のいずれか一または両方は、インジウム錫酸化物等を用いて、若しくは銀、アルミニウム等を数ｎｍ〜数十ｎｍの厚さとなるように成膜して、可視光が透過できるように、形成することが好ましい。
【００５６】
また、第１の電極１０１と発光層１１３との間には、図１に示すように、正孔輸送層１１２を設けてもよい。ここで、正孔輸送層とは、第１の電極１０１側から注入された正孔を発光層１１３へ輸送する機能を有する層である。このように、正孔輸送層１１２を設けることによって、第１の電極１０１と発光層１１３との距離を離すことができ、その結果、第１の電極１０１に含まれている金属に起因して発光が消光することを防ぐことができる。正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を用いて形成することが好ましく、特に１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質を用いて形成することが好ましい。なお、正孔輸送性の高い物質とは、電子よりも正孔の移動度が高く、電子の移動度に対する正孔の移動度の比の値（＝正孔移動度／電子移動度）が１００よりも大きい物質をいう。正孔輸送層１１２を形成するのに用いることができる物質の具体例としては、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス｛Ｎ−［４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｍ−トリルアミノ）フェニル］−Ｎ−フェニルアミノ｝ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ，Ｎ−ジ（ｍ−トリル）アミノ］ベンゼン（略称：ｍ−ＭＴＤＡＢ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）、銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）、バナジルフタロシアニン（略称：ＶＯＰｃ）等が挙げられる。また、正孔輸送層１１２は、以上に述べた物質から成る層を二以上組み合わせて形成した多層構造の層であってもよい。
【００５７】
また、第２の電極１０２と発光層１１３との間には、図１に示すように、電子輸送層１１４を有していてもよい。ここで、電子輸送層とは、第２の電極１０２から注入された電子を発光層１１３へ輸送する機能を有する層である。このように、電子輸送層１１４を設けることによって、第２の電極１０２と発光層１１３との距離を離すことができ、その結果、第２の電極１０２に含まれている金属に起因して発光が消光することを防ぐことができる。電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を用いて形成することが好ましく、特に１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質を用いて形成することが好ましい。なお、電子輸送性の高い物質とは、正孔よりも電子の移動度が高く、正孔の移動度に対する電子の移動度の比の値（＝電子移動度／正孔移動度）が１００よりも大きい物質をいう。電子輸送層１１４を形成するのに用いることができる物質の具体例としては、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］−キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）等の金属錯体の他、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４−ビス（５−メチルベンズオキサゾル−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）等が挙げられる。また、電子輸送層１１４は、以上に述べた物質から成る層を二以上組み合わせて形成した多層構造の層であってもよい。
【００５８】
なお、正孔輸送層１１２と電子輸送層１１４とは、それぞれ、先に記載した物質の他、バイポーラ性の物質を用いて形成してもよい。バイポーラ性の物質とは、電子または正孔のいずれか一方のキャリアの移動度と他方のキャリアの移動度とを比較したときに、一方のキャリアの移動度に対する他方のキャリアの移動度の比の値が１００以下、好ましくは１０以下である物質をいう。バイポーラ性の物質として、例えば、２，３−ビス（４−ジフェニルアミノフェニル）キノキサリン（略称：ＴＰＡＱｎ）等が挙げられる。バイポーラ性の物質の中でも特に、正孔及び電子の移動度が１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の物質を用いることが好ましい。また同一のバイポーラ性の物質を用いて、正孔輸送層１１２と電子輸送層１１４とを形成しても構わない。
【００５９】
さらに、第１の電極１０１と正孔輸送層１１２との間には、図１に示すように、正孔注入層１１１を有していてもよい。正孔注入層１１１は、第１の電極１０１から正孔輸送層１１２へ正孔の注入を補助する機能を有する層である。正孔注入層１１１を設けることによって、第１の電極１０１と正孔輸送層１１２との間のイオン化ポテンシャルの差が緩和され、正孔が注入され易くなる。正孔注入層１１１は、正孔輸送層１１２を形成している物質よりもイオン化ポテンシャルが小さく、第１の電極１０１を形成している物質よりもイオン化ポテンシャルが大きい物質、または正孔輸送層１１２と第１の電極１０１との間に１〜２ｎｍの薄膜として設けたときにエネルギーバンドが曲がるような物質を用いて形成することが好ましい。正孔注入層１１１を形成するのに用いることのできる物質の具体例として、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物、或いはポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）水溶液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等が挙げられる。つまり、正孔注入層１１１におけるイオン化ポテンシャルが正孔輸送層１１２におけるイオン化ポテンシャルよりも相対的に小さくなるような物質を正孔輸送性を有する物質の中から選択することによって、正孔注入層１１１を形成することができる。なお、正孔注入層１１１を設ける場合、第１の電極１０１は、インジウム錫酸化物等の仕事関数の高い物質を用いて形成することが好ましい。
【００６０】
また、第２の電極１０２と電子輸送層１１４との間には、図１に示すように、電子注入層１１５を有していてもよい。ここで、電子注入層１１５は、第２の電極１０２から電子輸送層１１４へ電子の注入を補助する機能を有する層である。電子注入層１１５を設けることによって、第２の電極１０２と電子輸送層１１４との間の電子親和力の差が緩和され、電子が注入され易くなる。電子注入層１１５は、電子輸送層１１４を形成している物質よりも電子親和力が大きく第２の電極１０２を形成している物質よりも電子親和力が小さい物質、または電子輸送層１１４と第２の電極１０２との間に１〜２ｎｍの薄膜として設けたときにエネルギーバンドが曲がるような物質を用いて形成することが好ましい。電子注入層１１５を形成するのに用いることのできる物質の具体例として、アルカリ金属またはアルカリ土類金属、アルカリ金属のフッ化物、アルカリ土類金属のフッ化物、アルカリ金属の酸化物、アルカリ土類金属の酸化物等の無機物が挙げられる。また、無機物の他、ＢＰｈｅｎ、ＢＣＰ、ｐ−ＥｔＴＡＺ、ＴＡＺ、ＢｚＯｓ等の電子輸送層１１４を形成するのに用いることのできる物質も、これらの物質の中から、電子輸送層１１４の形成に用いる物質よりも電子親和力が大きい物質を選択することによって、電子注入層１１５を形成する物質として用いることができる。つまり、電子注入層１１５における電子親和力が電子輸送層１１４における電子親和力よりも相対的に大きくなるような物質を電子輸送性を有する物質の中から選択することによって、電子注入層１１５を形成することができる。なお、電子注入層１１５を設ける場合、第１の電極１０１は、アルミニウム等の仕事関数の低い物質を用いて形成することが好ましい。
【００６１】
以上に述べた本発明の発光素子において、正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、電子輸送層１１４、電子注入層１１５は、それぞれ、蒸着法、またはインクジェット法、または塗布法等、いずれの方法で形成しても構わない。また、第１の電極１０１または第２の電極１０２についても、スパッタリング法または蒸着法等、いずれの方法を用いて形成しても構わない。
【００６２】
また、正孔注入層１１１に換えて正孔発生層を設けてもよいし、または電子注入層１１５に換えて電子発生層を設けてもよい。
【００６３】
ここで、正孔発生層とは、正孔を発生する層である。電子よりも正孔の移動度が高い物質と、当該電子よりも正孔の移動度が高い物質に対して電子受容性を示す物質とを混合することによって正孔発生層を形成することができる。また、バイポーラ性の物質の中から選ばれた少なくとも一の物質と、当該バイポーラ性の物質に対して電子受容性を示す物質とを混合することによっても正孔発生層を形成することができる。ここで、電子よりも正孔の移動度が高い物質としては、正孔輸送層１１２を形成するのに用いることのできる物質と同様の物質を用いることができる。また、バイポーラ性の物質についても、ＴＰＡＱｎ等のバイポーラ性の物質を用いることができる。また、電子よりも正孔の移動度が高い物質及びバイポーラ性の物質の中でも特にトリフェニルアミンを骨格に含む物質を用いることが好ましい。トリフェニルアミンを骨格に含む物質を用いることによって、正孔をより発生し易くなる。また、電子受容性を示す物質としては、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、レニウム酸化物等の金属酸化物を用いることが好ましい。
【００６４】
また、電子発生層とは、電子を発生する層である。正孔よりも電子の移動度が高い物質と、当該正孔よりも電子の移動度が高い物質に対して電子供与性を示す物質とを混合することによって電子発生層を形成することができる。また、バイポーラ性の物質の中から選ばれた少なくとも一の物質と、当該バイポーラ性の物質に対して電子供与性を示す物質とを混合することによっても電子発生層を形成することができる。ここで、正孔よりも電子の移動度が高い物質としては電子輸送層１１４を形成するのに用いることのできる物質と同様の物質を用いることができる。また、バイポーラ性の物質についても、ＴＰＡＱｎ等の先に記載したバイポーラ性の物質を用いることができる。また、電子供与性を示す物質としては、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の中から選ばれた物質、具体的にはリチウム酸化物（Ｌｉ２Ｏ）、カルシウム酸化物（ＣａＯ）、ナトリウム酸化物（Ｎａ２Ｏ）、カリウム酸化物（Ｋ２Ｏ）、マグネシウム酸化物（ＭｇＯ）等から選ばれる少なくとも一の物質も電子供与性を示す物質として用いることができる。また、アルカリ金属フッ化物、アルカリ土類金属フッ化物、具体的には、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）等から選ばれる少なくとも一の物質も電子供与性を示す物質として用いることができる。また、アルカリ金属窒化物、アルカリ土類金属窒化物等、具体的には、窒化カルシウム、窒化マグネシウム等から選ばれる少なくとも一の物質も電子供与性を示す物質として用いることができる。
【００６５】
以上のような構成を有する本発明の発光素子は、本発明のアントラセン誘導体を用いているため、酸化反応の繰り返しによる発光物質の性質の変化に伴った発光素子の特性変化が少なく、長期間、安定な発光を呈することができる。また、 以上のような構成を有する本発明の発光素子は、本発明のアントラセン誘導体を用いているため、効率よく発光することができる。
【００６６】
（実施の形態３）
本発明のアントラセン誘導体は、発光物質と共に発光層に含ませ、発光物質を分散状態にするための物質、所謂ホストとして用いることができる。本形態では、本発明のアントラセン誘導体をホストとして用いた発光素子の態様について図２を用いて説明する。
【００６７】
図２には、第１の電極２０１と第２の電極２０２との間に発光層２１３を有する発光素子が示されている。第１の電極２０１と発光層２１３との間には、正孔注入層２１１、正孔輸送層２１２が設けられ、第２の電極２０２と発光層２１３との間には電子輸送層２１４、電子注入層２１５が設けられている。なお、発光素子の積層構造について特に限定はなく、正孔注入層２１１、正孔輸送層２１２、電子輸送層２１４、電子注入層２１５、これら以外の層を設けるか否かについては発明の実施者が適宜選択すればよい。また正孔注入層２１１、正孔輸送層２１２、電子輸送層２１４、電子注入層２１５については、それぞれ実施の形態２に記載の正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、電子輸送層１１４、電子注入層１１５と同様でよい為、本形態ではこれらの層に関する説明を省略する。また、第１の電極２０１、第２の電極２０２についても、それぞれ実施の形態１に示した第１の電極１０１、第２の電極１０２と同様でよい為、説明を省略する。
【００６８】
本形態の発光素子において、発光層２１３には、本発明のアントラセン誘導体と、４５０ｎｍ〜７００ｎｍ、好ましくは４８０ｎｍ〜６００ｎｍの帯域に発光スペクトルのピークを有する発光物質とが含まれている。より具体的に述べると、発光物質は、本発明のアントラセン誘導体から成る層に分散するように含まれている。このように、これらの物質と本発明のアントラセン誘導体とを組み合わせて用いることによって、ホストからの発光が混ざり難く、発光物質に由来した発光を選択的に取り出すことのできる発光素子を得ることができる。
【００６９】
また、本発明のアントラセン誘導体は、酸化反応の繰り返しに対し耐性を有する。また、酸化反応の繰り返しに対する耐性を有すると共に還元反応の繰り返しに対しても耐性を有する場合がある。そのため、特に、ホストが励起され、生じた励起エネルギーが発光物質に移動することによって発光するような発光素子においては、酸化反応の繰り返しに起因したホストの性質の変化が少なく、発光時間の蓄積に伴った駆動電圧の増加等が低減された発光素子を得ることができる。
【００７０】
（実施の形態４）
実施の形態２、３において説明した本発明の発光素子は、酸化反応の繰り返しに耐性を有し（さらに、還元反応の繰り返しにも耐性を有する場合がある）、長期間、良好な状態で発光させることができる為、本発明の発光素子を用いることによって、長期間に渡り、良好な表示画像等を提供することができる発光装置を得ることができる。
【００７１】
本形態では、表示機能を有する発光装置の回路構成および駆動方法について図３〜６を用いて説明する。
【００７２】
図３は本発明を適用した発光装置を上面からみた模式図である。図３において、基板６５００上には、画素部６５１１と、ソース信号線駆動回路６５１２と、書込用ゲート信号線駆動回路６５１３と、消去用ゲート信号線駆動回路６５１４とが設けられている。ソース信号線駆動回路６５１２と、書込用ゲート信号線駆動回路６５１３と、消去用ゲート信号線駆動回路６５１４とは、それぞれ、配線群を介して、外部入力端子であるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）６５０３と接続している。そして、ソース信号線駆動回路６５１２と、書込用ゲート信号線駆動回路６５１３と、消去用ゲート信号線駆動回路６５１４とは、それぞれ、ＦＰＣ６５０３からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。またＦＰＣ６５０３にはプリント配線基盤（ＰＷＢ）６５０４が取り付けられている。なお、駆動回路部は、上記のように必ずしも画素部６５１１と同一基板上に設けられている必要はなく、例えば、配線パターンが形成されたＦＰＣ上にＩＣチップを実装したもの（ＴＣＰ）等を利用し、基板外部に設けられていてもよい。
【００７３】
画素部６５１１には、列方向に延びた複数のソース信号線が行方向に並んで配列している。また、電流供給線が行方向に並んで配列している。また、画素部６５１１には、行方向に延びた複数のゲート信号線が列方向に並んで配列している。また画素部６５１１には、発光素子を含む一組の回路が複数配列している。
【００７４】
図４は、一画素を動作するための回路を表した図である。図４に示す回路には、第１のトランジスタ９０１と第２のトランジスタ９０２と発光素子９０３とが含まれている。
【００７５】
第１のトランジスタ９０１と、第２のトランジスタ９０２とは、それぞれ、ゲート電極と、ドレイン領域と、ソース領域とを含む三端子の素子であり、ドレイン領域とソース領域の間にチャネル領域を有する。ここで、ソース領域とドレイン領域とは、トランジスタの構造や動作条件等によって変わるため、いずれがソース領域またはドレイン領域であるかを限定することが困難である。そこで、本形態においては、ソースまたはドレインとして機能する領域を、それぞれ第１電極、第２電極と表記する。
【００７６】
ゲート信号線９１１と、書込用ゲート信号線駆動回路９１３とはスイッチ９１８によって電気的に接続または非接続の状態になるように設けられている。また、ゲート信号線９１１と、消去用ゲート信号線駆動回路９１４とはスイッチ９１９によって電気的に接続または非接続の状態になるように設けられている。また、ソース信号線９１２は、スイッチ９２０によってソース信号線駆動回路９１５または電源９１６のいずれかに電気的に接続するように設けられている。そして、第１のトランジスタ９０１のゲートはゲート信号線９１１に電気的に接続している。また、第１のトランジスタの第１電極はソース信号線９１２に電気的に接続し、第２電極は第２のトランジスタ９０２のゲート電極と電気的に接続している。第２のトランジスタ９０２の第１電極は電流供給線９１７と電気的に接続し、第２電極は発光素子９０３に含まれる一の電極と電気的に接続している。なお、スイッチ９１８は、書込用ゲート信号線駆動回路９１３に含まれていてもよい。またスイッチ９１９についても消去用ゲート信号線駆動回路９１４の中に含まれていてもよい。また、スイッチ９２０についてもソース信号線駆動回路９１５の中に含まれていてもよい。
【００７７】
また画素部におけるトランジスタや発光素子等の配置について特に限定はないが、例えば図５の上面図に表すように配置することができる。図５において、第１のトランジスタ１００１の第１電極はソース信号線１００４に接続し、第２の電極は第２のトランジスタ１００２のゲート電極に接続している。また第２トランジスタの第１電極は電流供給線１００５に接続し、第２電極は発光素子の電極１００６に接続している。ゲート信号線１００３の一部は第１のトランジスタ１００１のゲート電極として機能する。
【００７８】
次に、駆動方法について説明する。図６は時間経過に伴ったフレームの動作について説明する図である。図６において、横方向は時間経過を表し、縦方向はゲート信号線の走査段数を表している。
【００７９】
本発明の発光装置を用いて画像表示を行うとき、表示期間においては、画面の書き換え動作が繰り返し行われる。この書き換え回数について特に限定はないが、画像をみる人がちらつき（フリッカ）を感じないように少なくとも１秒間に６０回程度とすることが好ましい。ここで、一画面（１フレーム）の書き換え動作を行う期間を１フレーム期間という。
【００８０】
１フレームは、図６に示すように、書き込み期間５０１ａ、５０２ａ、５０３ａ、５０４ａと保持期間５０１ｂ、５０２ｂ、５０３ｂ、５０４ｂとを含む４つのサブフレーム５０１、５０２、５０３、５０４に時分割されている。発光するための信号を与えられた発光素子は、保持期間において発光状態となっている。各々のサブフレームにおける保持期間の長さの比は、第１のサブフレーム５０１：第２のサブフレーム５０２：第３のサブフレーム５０３：第４のサブフレーム５０４＝２３：２２：２１：２０＝８：４：２：１となっている。これによって４ビット階調を表現することができる。但し、ビット数及び階調数はここに記すものに限定されず、例えば８つのサブフレームを設け８ビット階調を行えるようにしてもよい。
【００８１】
１フレームにおける動作について説明する。まず、サブフレーム５０１において、１行目から最終行まで順に書き込み動作が行われる。従って、行によって書き込み期間の開始時間が異なる。書き込み期間５０１ａが終了した行から順に保持期間５０１ｂへと移る。当該保持期間において、発光するための信号を与えられている発光素子は発光状態となっている。また、保持期間５０１ｂが終了した行から順に次のサブフレーム５０２へ移り、サブフレーム５０１の場合と同様に１行目から最終行まで順に書き込み動作が行われる。以上のような動作を繰り返し、サブフレーム５０４の保持期間５０４ｂ迄終了する。サブフレーム５０４における動作を終了したら次のフレームへ移る。このように、各サブフレームにおいて発光した時間の積算時間が、１フレームにおける各々の発光素子の発光時間となる。この発光時間を発光素子ごとに変えて一画素内で様々に組み合わせることによって、明度および色度の異なる様々な表示色を形成することができる。
【００８２】
サブフレーム５０４のように、最終行目までの書込が終了する前に、既に書込を終え、保持期間に移行した行における保持期間を強制的に終了させたいときは、保持期間５０４ｂの後に消去期間５０４ｃを設け、強制的に非発光の状態となるように制御することが好ましい。そして、強制的に非発光状態にした行については、一定期間、非発光の状態を保つ（この期間を非発光期間５０４ｄとする。）。そして、最終行目の書込期間が終了したら直ちに、一行目から順に次のサブフレーム（またはフレーム）の書込期間に移行する。これによって、サブフレーム５０４の書き込み期間と、その次のサブフレームの書き込み期間とが重畳することを防ぐことができる。
【００８３】
なお、本形態では、サブフレーム５０１乃至５０４は保持期間の長いものから順に並んでいるが、必ずしも本実施例のような並びにする必要はなく、例えば保持期間の短いものから順に並べられていてもよいし、または保持期間の長いものと短いものとがランダムに並んでいてもよい。また、サブフレームは、さらに複数のフレームに分割されていてもよい。つまり、同じ映像信号を与えている期間、ゲート信号線の走査を複数回行ってもよい。
【００８４】
ここで、書込期間および消去期間における、図４で示す回路の動作について説明する。
【００８５】
まず書込期間における動作について説明する。書込期間において、ｎ行目（ｎは自然数）のゲート信号線９１１は、スイッチ９１８を介して書込用ゲート信号線駆動回路９１３と電気的に接続し、消去用ゲート信号線駆動回路９１４とは非接続である。また、ソース信号線９１２はスイッチ９２０を介してソース信号線駆動回路と電気的に接続している。ここで、ｎ行目（ｎは自然数）のゲート信号線９１１に接続した第１のトランジスタ９０１のゲートに信号が入力され、第１のトランジスタ９０１はオンとなる。そして、この時、１列目から最終列目迄のソース信号線に同時に映像信号が入力される。なお、各列のソース信号線９１２から入力される映像信号は互いに独立したものである。ソース信号線９１２から入力された映像信号は、各々のソース信号線に接続した第１のトランジスタ９０１を介して第２のトランジスタ９０２のゲート電極に入力される。この時第２のトランジスタ９０２に入力された信号によって、電流供給線９１７から発光素子９０３へ供給される電流値が決まる。そして、その電流値に依存して発光素子９０３は発光または非発光が決まる。例えば、第２のトランジスタ９０２がＰチャネル型である場合は、第２のトランジスタ９０２のゲート電極にＬｏｗ Ｌｅｖｅｌの信号が入力されることによって発光素子９０３が発光する。一方、第２のトランジスタ９０２がＮチャネル型である場合は、第２のトランジスタ９０２のゲート電極にＨｉｇｈ Ｌｅｖｅｌの信号が入力されることによって発光素子９０３が発光する。
【００８６】
次に消去期間における動作について説明する。消去期間において、ｎ行目（ｎは自然数）のゲート信号線９１１は、スイッチ９１９を介して消去用ゲート信号線駆動回路９１４と電気的に接続し、書込用ゲート信号線駆動回路９１３とは非接続である。また、ソース信号線９１２はスイッチ９２０を介して電源９１６と電気的に接続している。ここで、ｎ行目のゲート信号線９１１に接続した第１のトランジスタ９０１のゲートに信号が入力され、第１のトランジスタ９０１はオンとなる。そして、この時、１列目から最終列目迄のソース信号線に同時に消去信号が入力される。ソース信号線９１２から入力された消去信号は、各々のソース信号線に接続した第１のトランジスタ９０１を介して第２のトランジスタ９０２のゲート電極に入力される。この時第２のトランジスタ９０２に入力された信号によって、電流供給線９１７から発光素子９０３への電流の供給が阻止される。そして、発光素子９０３は強制的に非発光となる。例えば、第２のトランジスタ９０２がＰチャネル型である場合は、第２のトランジスタ９０２のゲート電極にＨｉｇｈ Ｌｅｖｅｌの信号が入力されることによって発光素子９０３は非発光となる。一方、第２のトランジスタ９０２がＮチャネル型である場合は、第２のトランジスタ９０２のゲート電極にＬｏｗ Ｌｅｖｅｌの信号が入力されることによって発光素子９０３は非発光となる。
【００８７】
なお、消去期間では、ｎ行目（ｎは自然数）については、以上に説明したような動作によって消去する為の信号を入力する。しかし、前述のように、ｎ行目が消去期間であると共に、他の行（ｍ行目（ｍは自然数）とする。）については書込期間となる場合がある。このような場合、同じ列のソース信号線を利用してｎ行目には消去の為の信号を、ｍ行目には書込の為の信号を入力する必要があるため、以下に説明するような動作させることが好ましい。
【００８８】
先に説明した消去期間における動作によって、ｎ行目の発光素子９０３が非発光となった後、直ちに、ゲート信号線９１１と消去用ゲート信号線駆動回路９１４とを非接続の状態とすると共に、スイッチ９２０を切り替えてソース信号線９１２とソース信号線駆動回路９１５と接続させる。そして、ソース信号線とソース信号線駆動回路９１５とを接続させる共に、ゲート信号線９１１と書込用ゲート信号線駆動回路９１３とを接続させる。そして、書込用ゲート信号線駆動回路９１３からｍ行目の信号線に選択的に信号が入力され、第１のトランジスタがオンすると共に、ソース信号線駆動回路９１５からは、１列目から最終列目迄のソース信号線に書込の為の信号が入力される。この信号によって、ｍ行目の発光素子は、発光または非発光となる。
【００８９】
以上のようにしてｍ行目について書込期間を終えたら、直ちに、ｎ＋１行目の消去期間に移行する。その為に、ゲート信号線９１１と書込用ゲート信号線駆動回路９１３を非接続とすると共に、スイッチ９２０を切り替えてソース信号線を電源９１６と接続する。また、ゲート信号線９１１と書込用ゲート信号線駆動回路９１３を非接続とすると共に、ゲート信号線９１１については、消去用ゲート信号線駆動回路９１４と接続状態にする。そして、消去用ゲート信号線駆動回路９１４からｎ＋１行目のゲート信号線に選択的に信号を入力して第１のトランジスタに信号をオンする共に、電源９１６から消去信号が入力される。このようにして、ｎ＋１行目の消去期間を終えたら、直ちに、ｍ＋１行目の書込期間に移行する。以下、同様に、消去期間と書込期間とを繰り返し、最終行目の消去期間まで動作させればよい。
【００９０】
なお、本形態では、ｎ行目の消去期間とｎ＋１行目の消去期間との間にｍ行目の書込期間を設ける態様について説明したが、これに限らず、ｎ−１行目の消去期間とｎ行目の消去期間との間にｍ行目の書込期間を設けてもよい。
【００９１】
また、本形態では、サブフレーム５０４のように非発光期間５０４ｄを設けるときにおいて、消去用ゲート信号線駆動回路９１４と或る一のゲート信号線とを非接続状態にすると共に、書込用ゲート信号線駆動回路９１３と他のゲート信号線とを接続状態にする動作を繰り返している。このような動作は、特に非発光期間を設けないフレームにおいて行っても構わない。
【００９２】
（実施の形態５）
発光素子の発光、非発光を制御する機能を有する回路は、必ずしも図４で表したものに限定されない。例えば図７に示すような回路であってもよい。
【００９３】
図７において第１のトランジスタ２１０１、第２のトランジスタ２１０３、消去ダイオード２１１１、発光素子２１０４が配置されている。第１のトランジスタ２１０１のソースとドレインは各々、信号線２１０５と第２のトランジスタ２１０３のゲートに接続されている。第１のトランジスタ２１０１のゲートは、第１ゲート線２１０７に接続されている。第２のトランジスタ２１０３のソースとドレインは各々、電源線２１０６と発光素子２１０４に接続されている。消去ダイオード２１１１は、第２のトランジスタ２１０３のゲートと第２ゲート線２１１７に接続されている。
【００９４】
保持容量２１０２は、第２のトランジスタ２１０３のゲート電位を保持する機能を有している。よって、第２のトランジスタ２１０３のゲートと電源線２１０６の間に接続されているが、保持容量２１０２を設ける位置はこれに限定されない。第２のトランジスタ２１０３のゲート電位を保持できるように配置されていればよい。また、第２のトランジスタ２１０３のゲート容量などを用いて、第２のトランジスタ２１０３のゲート電位を保持できる場合は、保持容量２１０２を省いても良い。
【００９５】
動作方法としては、第１ゲート線２１０７を選択して、第１のトランジスタ２１０１をオン状態にして、信号線２１０５から信号を保持容量２１０２に入力する。すると、その信号に応じて、第２のトランジスタ２１０３の電流が制御され、第１電源線２１０６から、発光素子２１０４を通って、第２電源線２１０８に電流が流れる。
【００９６】
信号を消去したい場合は、第２ゲート線２１１７を選択（ここでは、高い電位にする）して、消去ダイオード２１１１がオンして、第２ゲート線２１１７から第２のトランジスタ２１０３のゲートへ電流が流れるようにする。その結果、第２のトランジスタ２１０３がオフ状態になる。すると、第１電源線２１０６から、発光素子２１０４を通って、第２電源線２１０８には、電流が流れないようになる。その結果、非点灯期間を作ることができ、点灯期間の長さを自由に制御できるようになる。
【００９７】
信号を保持しておきたい場合は、第２ゲート線２１１７を非選択（ここでは、低い電位にする）しておく。すると、消去ダイオード２１１１がオフするので、第２のトランジスタ２１０３のゲート電位は保持される。
【００９８】
なお、消去ダイオード２１１１は、整流性がある素子であれば、なんでもよい。ＰＮ型ダイオードでもよいし、ＰＩＮ型ダイオードでもよいし、ショットキー型ダイオードでもよいし、ツェナー型ダイオードでもよい。
【００９９】
また、トランジスタを用いて、ダイオード接続（ゲートとドレインを接続）して、用いても良い。Ｐチャネル型を用いても良い。
【０１００】
（実施の形態６）
本発明の発光素子を含む発光装置の断面図の一態様について、図８を用いて説明する。
【０１０１】
図８において、点線で囲まれているのは、本発明の発光素子１２を駆動するために設けられているトランジスタ１１である。発光素子１２は、第１の電極１３と第２の電極１４との間に発光層１５を有する本発明の発光素子である。トランジスタ１１のドレインと第１の電極１３とは、第１層間絶縁膜１６ａ、１６ｂ、１６ｃを貫通している配線１７によって電気的に接続されている。また、発光素子１２は、隔壁層１８によって、隣接して設けられている別の発光素子と分離されている。このような構成を有する本発明の発光装置は、本形態において、基板１０上に設けられている。
【０１０２】
なお、図８に示されたトランジスタ１１は、半導体層を中心として基板と逆側にゲート電極が設けられたトップゲート型のものである。但し、トランジスタ１１の構造については、特に限定はなく、例えばボトムゲート型のものでもよい。またボトムゲートの場合には、チャネルを形成する半導体層の上に保護膜が形成されたもの（チャネル保護型）でもよいし、或いはチャネルを形成する半導体層の一部が凹状になったもの（チャネルエッチ型）でもよい。
【０１０３】
また、トランジスタ１１を構成する半導体層は、結晶性、非結晶性のいずれのものでもよい。また、セミアモルファス等でもよい。
【０１０４】
なお、セミアモルファス半導体とは、次のようなものである。非晶質と結晶構造（単結晶、多結晶を含む）の中間的な構造を有し、自由エネルギー的に安定な第３の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する結晶質な領域を含んでいるものである。また少なくとも膜中の一部の領域には、０．５〜２０ｎｍの結晶粒を含んでいる。ラマンスペクトルが５２０ｃｍ−１よりも低波数側にシフトしている。Ｘ線回折ではＳｉ結晶格子に由来するとされる（１１１）、（２２０）の回折ピークが観測される。未結合手（ダングリングボンド）終端する為に水素またはハロゲンを少なくとも１原子％またはそれ以上含ませている。所謂微結晶半導体（マイクロクリスタル半導体）とも言われている。ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＣｌ４、またはＳｉＦ４等のガスをグロー放電分解（プラズマＣＶＤ）して形成する。これらのガスをＨ２、又は、Ｈ２とＨｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｎｅから選ばれた一種または複数種の希ガス元素で希釈しても良い。希釈率は２〜１０００倍の範囲。圧力は概略０．１Ｐａ〜１３３Ｐａの範囲、電源周波数は１ＭＨｚ〜１２０ＭＨｚ、好ましくは１３ＭＨｚ〜６０ＭＨｚ。基板加熱温度は３００℃以下でよく、好ましくは１００〜２５０℃、膜中の不純物元素として、酸素、窒素、炭素などの大気成分の不純物は１×１０２０／ｃｍ３以下とすることが望ましく、特に、酸素濃度は５×１０１９／ｃｍ３以下、好ましくは１×１０１９／ｃｍ３以下とする。
【０１０５】
また、半導体層が結晶性のものの具体例としては、単結晶または多結晶性の珪素、或いはシリコンゲルマニウム等から成るものが挙げられる。これらはレーザー結晶化によって形成されたものでもよいし、例えばニッケル等を用いた固相成長法による結晶化によって形成されたものでもよい。
【０１０６】
なお、半導体層が非晶質の物質、例えばアモルファスシリコンで形成される場合には、トランジスタ１１およびその他のトランジスタ（発光素子を駆動するための回路を構成するトランジスタ）は全てＮチャネル型トランジスタで構成された回路を有する発光装置であることが好ましい。それ以外については、Ｎチャネル型またはＰチャネル型のいずれか一のトランジスタで構成された回路を有する発光装置でもよいし、両方のトランジスタで構成された回路を有する発光装置でもよい。
【０１０７】
さらに、第１層間絶縁膜１６は、図８（Ａ）、（Ｃ）に示すように多層でもよいし、または単層でもよい。なお、第１層間絶縁膜１６ａは酸化珪素や窒化珪素のような無機物から成り、第１層間絶縁膜１６ｂはアクリルやシロキサン（シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、水素、またはアルキル基等の有機基を置換基として有する化合物）、塗布成膜可能な酸化珪素等の自己平坦性を有する物質から成る。さらに、第１層間絶縁膜１６ｃはアルゴン（Ａｒ）を含む窒化珪素膜から成る。なお、各層を構成する物質については、特に限定はなく、ここに述べたもの以外のものを用いてもよい。また、これら以外の物質から成る層をさらに組み合わせてもよい。このように、第１層間絶縁膜１６ａ、１６ｂ、１６ｃは、無機物または有機物の両方を用いて形成されたものでもよいし、または無機膜と有機膜のいずれか一で形成されたものでもよい。
【０１０８】
隔壁層１８は、エッジ部において、曲率半径が連続的に変化する形状であることが好ましい。また隔壁層１８は、アクリルやシロキサン、レジスト、酸化珪素等を用いて形成される。なお隔壁層１８は、無機膜と有機膜のいずれか一で形成されたものでもよいし、または両方を用いて形成されたものでもよい。
【０１０９】
なお、図８（Ａ）、（Ｃ）では、第１層間絶縁膜１６ａ、１６ｂ、１６ｃのみがトランジスタ１１と発光素子１２の間に設けられた構成であるが、図８（Ｂ）のように、第１層間絶縁膜１６（１６ａ、１６ｂ）の他、第２層間絶縁膜１９が設けられた構成のものであってもよい。図８（Ｂ）に示す発光装置においては、第１の電極１３は第２層間絶縁膜１９を貫通し、配線１７と接続している。
【０１１０】
第２層間絶縁膜１９ａ、１９ｂは、第１層間絶縁膜１６と同様に、多層でもよいし、または単層でもよい。第２層間絶縁膜１９ａはアクリルやシロキサン、塗布成膜可能な酸化珪素等の自己平坦性を有する物質から成る。さらに、第２層間絶縁膜１９ｂはアルゴン（Ａｒ）を含む窒化珪素膜から成る。なお、各層を構成する物質については、特に限定はなく、ここに述べたもの以外のものを用いてもよい。また、これら以外の物質から成る層をさらに組み合わせてもよい。このように、第２層間絶縁膜１９ａ、１９ｂは、無機物または有機物の両方を用いて形成されたものでもよいし、または無機膜と有機膜のいずれか一で形成されたものでもよい。
【０１１１】
発光素子１２において、第１の電極および第２の電極がいずれも透光性を有する物質で構成されている場合、図８（Ａ）の白抜きの矢印で表されるように、第１の電極１３側と第２の電極１４側の両方から発光を取り出すことができる。また、第２の電極１４のみが透光性を有する物質で構成されている場合、図８（Ｂ）の白抜きの矢印で表されるように、第２の電極１４側のみから発光を取り出すことができる。この場合、第１の電極１３は反射率の高い材料で構成されているか、または反射率の高い材料から成る膜（反射膜）が第１の電極１３の下方に設けられていることが好ましい。また、第１の電極１３のみが透光性を有する物質で構成されている場合、図８（Ｃ）の白抜きの矢印で表されるように、第１の電極１３側のみから発光を取り出すことができる。この場合、第２の電極１４は反射率の高い材料で構成されているか、または反射膜が第２の電極１４の上方に設けられていることが好ましい。
【０１１２】
また、発光素子１２は、第１の電極１３が陽極として機能し、第２の電極１４が陰極として機能する構成であってもよいし、或いは第１の電極１３が陰極として機能し、第２の電極１４が陽極として機能する構成であってもよい。但し、前者の場合、トランジスタ１１はＰチャネル型トランジスタであり、後者の場合、トランジスタ１１はＮチャネル型トランジスタである。
【０１１３】
（実施の形態７）
なお、本発明の発光素子は、実施の形態４〜６で説明したように、トランジスタと接続し、トランジスタからの信号を受けて発光または非発光するアクティブマトリクス型の発光装置の画素として用いてもよいし、或いは、図４６に表されるように、トランジスタ等の駆動用の素子を特に設けずに発光素子を駆動させるパッシブ型の発光装置であってもよい。
【０１１４】
図４６には本発明を適用して作製したパッシブ型の発光装置の斜視図を示す。図４６において、基板１９０１と基板１９０７との間には、電極１９０２と電極１９０６が設けられている。電極１９０２と電極１９０６とは交差するように設けられている。さらに、電極１９０２と電極１９０６との間には、発光層１９０５（１９０２、１９０４等の配置が分かるように破線で示している。）が設けられている。なお、発光層１９０５と電極１９０２との間、若しくは発光層１９０５と電極１９０６との間には正孔輸送層、電子輸送層等が設けられていてもよい。電極１９０２の端部は隔壁層１９０４が設けられている。このように、隔壁層１９０４で覆われている。また、パッシブ型の発光装置においても、低駆動電圧で動作する本発明の発光素子を含むことによって、低消費電力で駆動させることができる。
【０１１５】
（実施の形態８）
本発明の発光装置を実装することによって、長期間に渡って良好な表示を行うことができ、表示画像の乱れに起因した情報の誤認が少ない電子機器を得ることができる。
【０１１６】
本発明を適用した発光装置を実装した電子機器の一態様を図９に示す。
【０１１７】
図９（Ａ）は、本発明を適用して作製したノート型のパーソナルコンピュータであり、本体５５２１、筐体５５２２、表示部５５２３、キーボード５５２４などによって構成されている。本発明の発光素子を有する発光装置を表示部として組み込むことでパーソナルコンピュータを完成できる。
【０１１８】
図９（Ｂ）は、本発明を適用して作製した携帯電話であり、本体５５５２には表示部５５５１と、音声出力部５５５４、音声入力部５５５５、操作スイッチ５５５６、５５５７、アンテナ５５５３等によって構成されている。本発明の発光素子を有する発光装置を表示部として組み込むことで電話機を完成できる。
【０１１９】
図９（Ｃ）は、本発明を適用して作製したテレビ受像機であり、表示部５５３１、筐体５５３２、スピーカー５５３３などによって構成されている。本発明の発光素子を有する発光装置を表示部として組み込むことでテレビ受像機を完成できる。
【０１２０】
以上のように本発明の発光装置は、各種電子機器の表示部として用いるのに適している。
【０１２１】
なお、本形態では、ノート型のパーソナルコンピュータについて述べているが、この他に携帯電話、カーナビゲイション、カメラ、或いは照明機器等に本発明の発光素子を有する発光装置を実装しても構わない。
【実施例１】
【０１２２】
（合成例１）
本合成例では構造式（１）で表されるアントラセンの合成方法について説明する。
［ステップ１］
９，１０−ビス（４−ブロモフェニル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセンの合成方法について説明する。
【０１２３】
窒素気流下、５．０ｇの１，４−ジブロモベンゼンを含む乾燥エーテル溶液（２００ｍＬ）に−７８℃において１．５８ｍｏｌ／Ｌのブチルリチウムヘキサン溶液（１３．４ｍＬ）を滴下した。滴下終了後、同温度にて１時間攪拌した。−７８℃にて２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラキノン（２．８０ｇ）の乾燥エーテル溶液（４０ｍＬ）を滴下し、その後反応溶液をゆっくり室温まで昇温した。終夜室温で攪拌した後、水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥、濾過、濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒、ヘキサン−酢酸エチル）によって精製し、化合物を５．５ｇの重量で得た。
【０１２４】
得られた化合物を核磁気共鳴法（１Ｈ−ＮＭＲ）によって測定したところ、９，１０−ビス（４−ブロモフェニル）−２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジヒドロキシ−９，１０−ジヒドロアントラセンであることが確認できた。
【０１２５】
この化合物の１Ｈ−ＮＭＲを次に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δ＝１．３１（ｓ、９Ｈ）、２．８１（ｓ、１Ｈ）、２．８６（ｓ、１Ｈ）、６．８２−６．８６（ｍ、４Ｈ）、７．１３−７．１６（ｍ、４Ｈ）、７．３６−７．４３（ｍ、３Ｈ）、７．５３−７．７０（ｍ、４Ｈ）
【０１２６】
また、９，１０−ビス（４−ブロモフェニル）−２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジヒドロキシ−９，１０−ジヒドロアントラセンの合成スキーム（ｂ−１）を次に示す。
【０１２７】
【化５２】
【０１２８】
大気下、上記のようにして合成した９，１０−ビス（４−ブロモフェニル）−２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジヒドロキシ−９，１０−ジヒドロアントラセン９８７ｍｇ（１．５５ｍｍｏｌ）、ヨウ化カリウム６６４ｍｇ（４ｍｍｏｌ）、ホスフィン酸ナトリウム一水和物を１．４８ｇ（１４ｍｍｏｌ）を、氷酢酸１２ｍＬにて懸濁し、２時間還流加熱撹拌した。室温まで冷ましたのち、生じた析出物を濾過し、メタノール約５０ｍＬで洗浄し、ろ物を得た。そしてろ物を乾燥させてクリーム色粉末の化合物７００ｍｇを得た。収率は８２％だった。この化合物を核磁気共鳴法（１Ｈ−ＮＭＲ、１３Ｃ−ＮＭＲ）によって測定したところ、９，１０−ビス（４−ブロモフェニル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセンであることが確認できた。
【０１２９】
この化合物の１Ｈ−ＮＭＲと１３Ｃ−ＮＭＲとを次に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δ＝１．２８（ｓ、９Ｈ）、７．２５−７．３７（ｍ、６Ｈ）、７．４４−７．４８（ｍ、１Ｈ）７．５６−７．６５（ｍ、４Ｈ）、７．７１−７．７６（ｍ、４Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（７４ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δ＝３０．８、３５．０、１２０．８、１２１．７、１２１．７、１２４．９、１２５．０、１２５．２、１２６．４、１２６．６、１２６．６、１２８．３、１２９．４、１２９．７、１２９．９、１３１．６、１３１．６、１３３．０、１３３．０、１３５．５、１３５．７、１３８．０、１３８．１、１４７．８
【０１３０】
また、９，１０−ビス（４−ブロモフェニル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセンの合成スキーム（ｂ−２）を次に示す。
【０１３１】
【化５３】
【０１３２】
［ステップ２］
３−（Ｎ−フェニルアミノ）−９−フェニルカルバゾールの合成方法について説明する。
【０１３３】
先ず、Ｎ−フェニルカルバゾール２４．３ｇ（１００ｍｍｏｌ）を氷酢酸６００ｍＬに溶かし、Ｎ−ブロモコハク酸イミド１７．８ｇ（１００ｍｍｏｌ）をゆっくり加え、室温で一晩撹拌した。この氷酢酸溶液を氷水１Ｌに撹拌しながら滴下した。析出した白色固体を水で３回洗浄した。この固体をジエチルエーテル１５０ｍＬに溶解し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水で洗浄した。この有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを濾過し、得られたろ液を濃縮した。得られた残渣にメタノールを約５０ｍＬを加え、超音波を照射して均一に溶解させた。この溶液を静置することで白色固体を析出した。これを濾過し、ろ物を乾燥させる事で、白色粉末の３−ブロモ−９−フェニルカルバゾールを２８．４ｇ（収率８８％）を得た。
【０１３４】
また、３−ブロモ−９−フェニルカルバゾールの合成スキーム（ｃ−１）を次に示す。
【０１３５】
【化５４】
【０１３６】
次に、窒素下で、３−ブロモ−９−フェニルカルバゾール１９ｇ（６０ｍｍｏｌ）、ビスジベンジリデンアセトンパラジウム（０）（略称：Ｐｄ（ｄｂａ）２）３４０ｍｇ（０．６ｍｍｏｌ）、１，１−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（略称：ＤＰＰＦ）１．６ｇ（３．０ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド（略称：ｔＢｕＯＮａ）１３ｇ（１８０ｍｍｏｌ）の混合物に、脱水キシレン１１０ｍＬ、アニリン７．０ｇ（７５ｍｍｏｌ）を加えた。これを窒素雰囲気下にて９０℃、７．５時間加熱撹拌した。反応終了後、この懸濁液に５０℃に温めたトルエンを約５００ｍＬ加え、これをフロリジール、アルミナ、セライトを通して濾過した。得られたろ液を濃縮し、この残渣をヘキサン−酢酸エチルを加えて超音波を照射した。得られた懸濁液を濾過し、このろ物を乾燥し、クリーム色の粉末を１５ｇ得た（収率７５％）。核磁気共鳴法（１Ｈ−ＮＭＲ）によって、このクリーム色粉末が３−（Ｎ−フェニルアミノ）−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣＡ）であることを確認した。
【０１３７】
この化合物の１Ｈ−ＮＭＲを次に示す。また、１Ｈ−ＮＭＲチャートを図１３（Ａ）、（Ｂ）に示す。なお、図１３（Ｂ）は、図１３（Ａ）における５ｐｐｍ〜９ｐｐｍの範囲を拡大して表したチャートである。
１Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）；δ＝６．８４（ｔ、ｊ＝６．９、1Ｈ）、６．９７（ｄ、ｊ＝７．８、２Ｈ）、７．２０−７．６１（ｍ、１３Ｈ）、７．９０（ｓ、１Ｈ）、８．０４（ｄ、ｊ＝７．８、１Ｈ）
【０１３８】
また、３−（Ｎ−フェニルアミノ）−９−フェニルカルバゾールの合成スキーム（ｃ−２）を次に示す。
【０１３９】
【化５５】
【０１４０】
［ステップ３］
９，１０−ビス｛４−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］フェニル｝−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ＰＣＡＢＰＡ）の合成方法について説明する。
【０１４１】
窒素下で、９，１０−ビス（４−ブロモフェニル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン５４０ｍｇ（１．０ｍｍｏｌ）、３−（Ｎ−フェニルアミノ）−９−フェニルカルバゾール６７０ｍｇ（２．０ｍｍｏｌ）、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）１２ｍｇ（０．０２ｍｍｏｌ）、１，１−ビス（ジフェニルフォスフィノ）フェロセン１１０ｍｇ（０．２ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド６００ｍｇ（６．２ｍｍｏｌ）の混合物に脱水トルエン１０ｍＬを加えた。これを窒素雰囲気下で９０℃、５時間加熱撹拌した。反応終了後、この懸濁液にトルエン約１００ｍＬを加え、これをフロリジール、アルミナ、セライトを通して濾過した。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン：ヘキサン＝１：１）にて分取した。これを濃縮し、得られた残渣をジクロロメタン−ヘキサンで再結晶を行った。このようにして５００ｍｇの黄緑色粉末を得た（収率４８％）。核磁気共鳴法（１Ｈ−ＮＭＲ）によって、この黄緑色粉末が９，１０−ビス｛４−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］フェニル｝−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ＰＣＡＢＰＡ）であることを確認した。
【０１４２】
この化合物の１Ｈ−ＮＭＲを次に示す。また、１Ｈ−ＮＭＲチャートを図１４（Ａ）、（Ｂ）に示す。なお、図１４（Ｂ）は、図１４（Ａ）における６．５ｐｐｍ〜８．５ｐｐｍの範囲を拡大して表したチャートである。
１Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＤＭＳＯ−ｄ）：δ＝３．３３（ｓ、９Ｈ）、６．９８−７．７９（ｍ、４４Ｈ）、８．１６−８．２７（ｍ、４Ｈ）
【０１４３】
また、ＰＣＡＢＰＡの合成スキーム（ｄ−１）を次に示す。
【０１４４】
【化５６】
【０１４５】
また、ＰＣＡＢＰＡの吸収スペクトルを図１０に示す。図１０において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は吸収強度（任意単位）を表す。また、（ａ）は、単膜状態における吸収スペクトルであり、（ｂ）はトルエン溶液に溶解させた状態における吸収スペクトルである。また、ＰＣＡＢＰＡの発光スペクトルを図１１に示す。図１１において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度（任意単位）を表す。また、（ａ）は、単膜状態における発光スペクトル（励起波長３５２ｎｍ）であり、（ｂ）はトルエン溶液に溶解させた状態における発光スペクトル（励起波長３９０ｎｍ）である。図１１から、ＰＣＡＢＰＡからの発光は、単膜状態において４８８ｎｍにピークを有し、トルエン溶液中において４７２ｎｍにピークを有することが分かる。そしてこれらの発光は、青色系の発光色として視認された。
【０１４６】
また、得られたＰＣＡＢＰＡを蒸着法によって成膜し、薄膜状態における当該化合物のイオン化ポテンシャルを、光電子分光装置（理研計器社製、ＡＣ−２）を用いて測定したところ、５．３１ｅＶであった。また、薄膜状態における当該化合物の吸収スペクトルを、ＵＶ・可視光分光光度計（日本分光社製、Ｖ−５５０）を用いて測定し、吸収スペクトルの長波長側の吸収端の波長をエネルギーギャップ（２．７７ｅＶ）とし、ＬＵＭＯ準位を求めたところ、ＬＵＭＯ準位は−２．５４ｅＶであった。
【０１４７】
さらに、得られたＰＣＡＢＰＡの分解温度Ｔｄを示唆熱熱重量同時測定装置（セイコー電子株式会社製，ＴＧ／ＤＴＡ ３２０型）により測定したところ、Ｔｄ＝４８５℃であり、良好な耐熱性を示すことが分かった。
【０１４８】
また、サイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）測定により、ＰＣＡＢＰＡの酸化反応特性及び還元反応特性について調べた。なお測定には、電気化学アナライザー（ビー・エー・エス（株）製、型番：ＡＬＳモデル６００Ａ）を用いた。
【０１４９】
ＣＶ測定における溶液は、溶媒として脱水ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム（ｎ−Ｂｕ４ＮＣｌＯ４）を１００ｍｍｏｌ／Ｌの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象であるＰＣＡＢＰＡを１ｍｍｏｌ／Ｌの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＰＴＥ白金電極）を、補助電極としては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＶＣ−３用Ｐｔカウンター電極（５ｃｍ））を、基準電極としてはＡｇ／Ａｇ＋電極（ビー・エー・エス（株）製、ＲＥ５非水溶媒系参照電極）をそれぞれ用いた。
【０１５０】
酸化反応特性については次のようにして調べた。
基準電極に対する作用電極の電位を−０．０１から０．６Ｖまで変化させた後、０．６Ｖから−０．０１Ｖまで変化させる走査を１サイクルとし、１００サイクル測定した。なお、ＣＶ測定のスキャン速度は０．１Ｖ／ｓに設定した。
【０１５１】
還元反応特性については次のようにして調べた。
基準電極に対する作用電極の電位を−０．９から−２．７Ｖまで変化させた後、−２．７Ｖから−０．９Ｖまで変化させる走査を１サイクルとし、１００サイクル測定した。なお、ＣＶ測定のスキャン速度は０．１Ｖ／ｓに設定した。
【０１５２】
ＰＣＡＢＰＡの酸化反応特性について調べた結果を図１２（Ａ）に示す。また、ＰＣＡＢＰＡの還元反応特性について調べた結果を図１２（Ｂ）に示す。図１２（Ａ）、（Ｂ）において、横軸は基準電極に対する作用電極の電位（Ｖ）を表し、縦軸は作用電極と補助電極との間に流れた電流値（１×１０−５Ａ）を表す。
【０１５３】
図１２（Ａ）から酸化電位は０．４２Ｖ（ｖｓ．Ａｇ／Ａｇ＋電極）であることが分かった。また、図１２（Ｂ）から還元電位は−２．３９Ｖ（ｖｓ．Ａｇ／Ａｇ＋電極）であることが分かった。また、１００サイクルもの走査を繰り返しているにもかかわらず、酸化反応と還元反応のいずれについてもＣＶ曲線のピーク位置やピーク強度にほとんど変化が見られない。このことから、本発明の化合物のひとつであるＰＣＡＢＰＡは酸化反応の繰り返しに対し極めて安定であることが分かった。さらに、還元反応の繰り返しに対しても極めて安定であることが分かった。
【０１５４】
（合成例２）
本合成例では構造式（１３）で表されるアントラセン誘導体である９，１０−ビス｛４’−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル−４−イル｝−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ＰＣＡＢＢＡ）の合成方法について説明する。
［ステップ１］
まず、９，１０−ビス（４’−ブロモビフェニル−４−イル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセンの合成方法について説明する。
【０１５５】
４，４’−ジブロモビフェニル６．５５ｇ（２１．０ｍｍｏｌ）を５００ｍＬの三口フラスコへ入れて窒素置換し、テトラヒドロフラン２００ｍＬを加え、−８０℃にしてからｎ−ブチルリチウム（１．５４ｍｏｌ／Ｌのヘキサン溶液）１４．５ｍＬ（２２．３ｍｍｏｌ）を滴下し、−８０℃に保ったまま１時間攪拌した。−８０℃に保ったまま、アントラキノン２．０７ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（略称：ＴＨＦ）２０ｍＬに懸濁した混合溶液を反応溶液へ滴下し、滴下終了後、−８０℃から室温に戻しながらさらに２時間攪拌した。反応後、エタノールを１１０ｍＬ加えて攪拌してから、反応溶液を水、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。反応混合物を自然ろ過し、ろ液を濃縮したところ、淡黄色固体を得た（合成スキーム（ｅ−１））。
【０１５６】
得られた淡黄色固体と、ヨウ化カリウム６．６４ｇ（４０ｍｍｏｌ）、ホスフィン酸ナトリウム一水和物１２．７ｇ（１２０ｍｍｏｌ）、氷酢酸１２０ｍＬを５００ｍＬの容量のなすフラスコへ入れ、２時間還流した。反応後、室温にさましてから析出した固体を吸引濾過により回収し、ジクロロメタン・エタノールにより再結晶したところ目的物である９，１０−ビス（４’−ブロモビフェニル−４−イル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセンの淡黄色固体を３．４３ｇ、収率５１％で得た（合成スキーム（ｅ−２））。
【０１５７】
また、ステップ１の合成スキーム（ｅ−１）、（ｅ−２）を次に示す。
【０１５８】
【化５７】
【化５８】
【０１５９】
［ステップ２］
次に、構造式（１３）で表される９，１０−ビス｛４’−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル−４−イル｝−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセンの合成方法について説明する。
【０１６０】
三口フラスコに、本合成例のステップ１で得た９，１０−ビス（４’−ブロモビフェニル−４−イル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセンを７００ｍｇ（１．０ｍｍｏｌ）、合成例１のステップ２で得た３−（Ｎ−フェニルアミノ）−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣＡ）を６７０ｍｇ（２．０ｍｍｏｌ）、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）を６０ｍｇ（０．１０ｍｍｏｌ）、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（１０ｗｔ％ヘキサン溶液）を１．０ｍＬ（０．５０ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシドを０．４ｇ（４．０ｍｍｏｌ）入れ、脱水キシレン１０ｍＬを加え、窒素置換を行った。これを窒素雰囲気下で、１２０℃で６時間加熱撹拌した。反応終了後、この懸濁液にトルエン約２００ｍＬを加え、これをフロリジール、セライトを通して濾過した。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン：ヘキサン＝１：１）にて分取した。これを濃縮し、得られた残渣にヘキサンを加えて超音波を照射して再結晶を行い、目的物である９，１０−ビス｛４’−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル−４−イル｝−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ＰＣＡＢＢＡ）のベージュ色粉末を７０ｍｇ、収率６％で得た。
【０１６１】
また、ステップ２の合成スキーム（ｆ−１）を次に示す。
【０１６２】
【化５９】
以下に、１Ｈ−ＮＭＲの分析結果を下記に示す。また、１Ｈ−ＮＭＲチャートを図４７（Ａ）、（Ｂ）に示す。なお、図４７（Ｂ）は、図４７（Ａ）における９ｐｐｍ〜６ｐｐｍの範囲を拡大して表したチャートである。
【０１６３】
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＤＭＳＯ−ｄ）：δ＝１．２２（ｓ、９Ｈ）、７．０４（ｔ、Ｊ＝６．９Ｈｚ、２Ｈ）、７．１４−７．７９（ｍ、３９Ｈ）、７．８８−７．９４（ｍ、４Ｈ）、８．１２（ｄ、Ｊ＝１．５Ｈｚ、２Ｈ）、８．２０（ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、２Ｈ）
【０１６４】
また、ＰＣＡＢＢＡのトルエン溶液中の吸収スペクトルを図４８に示す。図４８において、横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は吸収強度（任意単位）を表す。また、ＰＣＡＢＢＡのトルエン溶液中の発光スペクトルを図４９に示す。図４９において、横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度（任意単位）を表す。図４９から、ＰＣＡＢＢＡからの発光は、トルエン溶液中において４４５ｎｍにピークを有することがわかり、青色の発光と視認された。したがって、ＰＣＡＢＢＡは、青色の発光を呈する発光物質として適する物質であることがわかった。
【実施例２】
【０１６５】
本実施例では、合成例１において合成されたＰＣＡＢＰＡを発光物質として用いた発光素子の作製方法およびその発光素子の動作特性について説明する。
【０１６６】
図１５に表すように、ガラス基板３０１上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法によって成膜し、第１の電極３０２を形成した。第１の電極３０２の厚さは１１０ｎｍとなるようにした。なお、電極は、２ｍｍ×２ｍｍの大きさを有する正方形の形状となるように形成した。
【０１６７】
次に、第１の電極３０２が形成されたガラス基板３０１を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。
【０１６８】
次に、真空装置内を排気し、１×１０−４Ｐａとなるように減圧した後、蒸着法によって第１の電極３０２上に、銅フタロシアニンからなる第１の層３０３を形成した。第１の層３０３の厚さは２０ｎｍとなるようにした。この第１の層３０３は、発光素子を動作させたときに正孔注入層として機能する層である。
【０１６９】
次に、第１の層３０３の上に、ＮＰＢから成る第２の層３０４を蒸着法によって形成した。第２の層３０４の厚さは４０ｎｍとなるようにした。この第２の層３０４は、発光素子を動作させたときに正孔輸送層として機能する層である。
【０１７０】
次に、第２の層３０４の上に、ｔ−ＢｕＤＮＡとＰＣＡＢＰＡとを含む第３の層３０５を共蒸着法によって形成した。第３の層３０５の厚さは４０ｎｍとなるようにし、ｔ−ＢｕＤＮＡとＰＣＡＢＰＡとの質量比は１：０．０５＝ｔ−ＢｕＤＮＡ：ＰＣＡＢＰＡとなるようにした。これによって、ＰＣＡＢＰＡはｔ−ＢｕＤＮＡから成る層に分散されたような状態となる。この第３の層３０５は、発光素子を動作させたときに発光層として機能する層である。なお、ＰＣＡＢＰＡは発光物質として機能する。
【０１７１】
次に、第３の層３０５上に、Ａｌｑ３から成る第４の層３０６を蒸着法によって形成した。第４の層３０６の厚さは２０ｎｍとなるようにした。この第４の層３０６は、発光素子を動作させたときに、電子輸送層として機能する層である。
【０１７２】
次に、第４の層３０６上に、フッ化カルシウムから成る第５の層３０７を蒸着法によって形成した。第５の層３０７の厚さは１ｎｍとなるようにした。この第５の層３０７は、発光素子を動作させたときに、電子注入層として機能する層である。
【０１７３】
次に、第５の層３０７の上に、アルミニウムから成る第２の電極３０８を形成した。第２の電極３０８の厚さは２００ｎｍとなるようにした。
【０１７４】
以上のようにして作製した発光素子は、第１の電極３０２の電位が第２の電極３０８の電位よりも高くなるように電圧を印加したときに電流が流れ、発光層として機能する第３の層３０５において電子と正孔とが再結合して励起エネルギーが生成され、励起されたＰＣＡＢＰＡが基底状態に戻るときに発光するものである。
【０１７５】
この発光素子を、グローブボックス内において、窒素雰囲気下で、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、発光素子の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
【０１７６】
測定結果を図１６、１７に示す。図１６は電圧−輝度特性について、図１７は、輝度−電流効率特性について、それぞれ調べた結果である。図１６において横軸は電圧（Ｖ）、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、図１７において横軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。
【０１７７】
また、本実施例で作製した発光素子の発光スペクトルを図１８に示す。図１８において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は強度（任意単位）を表す。図１８より、本実施例の発光素子は４７７ｎｍに発光スペクトルのピークを有し、青色の発光を呈することが分かった。さらに、ＣＩＥ表色系における色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．１６，０．２８）であり、本実施例の発光素子は色純度の良い青色を呈することが分かった。
【実施例３】
【０１７８】
本実施例では、合成例１に記載された方法によって合成されたＰＣＡＢＰＡを発光物質として用いた発光素子の作製方法およびその発光素子の動作特性について説明する。なお、本実施例の発光素子は、第１の電極と第２の電極との間に、層を構成する物質および層の厚さがそれぞれ異なる５層の層が積層した構造を有するという点で、実施例２の発光素子と同じである為、本実施例についても実施例２の説明に用いた図１５を参照して説明する。
【０１７９】
図１５に表すように、ガラス基板３０１上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法によって成膜し、第１の電極３０２を形成した。第１の電極３０２の厚さは１１０ｎｍとなるようにした。なお、電極は、２ｍｍ×２ｍｍの大きさを有する正方形の形状となるように形成した。
【０１８０】
次に、第１の電極３０２が形成されたガラス基板３０１を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。
【０１８１】
次に、真空装置内を排気し、１×１０−４Ｐａとなるように減圧した後、蒸着法によって第１の電極３０２上に、銅フタロシアニンからなる第１の層３０３を形成した。第１の層３０３の厚さは２０ｎｍとなるようにした。この第１の層３０３は、発光素子を動作させたときに正孔注入層として機能する層である。
【０１８２】
次に、第１の層３０３の上に、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ビフェニリル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＢＰＢ）から成る第２の層３０４を蒸着法によって形成した。第２の層３０４の厚さは４０ｎｍとなるようにした。この第２の層３０４は、発光素子を動作させたときに正孔輸送層として機能する層である。
【０１８３】
次に、第２の層３０４の上に、ｔ−ＢｕＤＮＡとＰＣＡＢＰＡとを含む第３の層３０５を共蒸着法によって形成した。第３の層３０５の厚さは４０ｎｍとなるようにし、ｔ−ＢｕＤＮＡとＰＣＡＢＰＡとの質量比は１：０．０５＝ｔ−ＢｕＤＮＡ：ＰＣＡＢＰＡとなるようにした。これによって、ＰＣＡＢＰＡはｔ−ＢｕＤＮＡから成る層に分散されたような状態となる。この第３の層３０５は、発光素子を動作させたときに発光層として機能する層である。なお、ＰＣＡＢＰＡは発光物質として機能する。
【０１８４】
次に、第３の層３０５上に、Ａｌｑ３から成る第４の層３０６を蒸着法によって形成した。第４の層３０６の厚さは２０ｎｍとなるようにした。この第４の層３０６は、発光素子を動作させたときに、電子輸送層として機能する層である。
【０１８５】
次に、第４の層３０６上に、フッ化カルシウムから成る第５の層３０７を蒸着法によって形成した。第５の層３０７の厚さは１ｎｍとなるようにした。この第５の層３０７は、発光素子を動作させたときに、電子注入層として機能する層である。
【０１８６】
次に、第５の層３０７の上に、アルミニウムから成る第２の電極３０８を形成した。第２の電極３０８の厚さは２００ｎｍとなるようにした。
【０１８７】
以上のようにして作製した発光素子は、第１の電極３０２の電位が第２の電極３０８の電位よりも高くなるように電圧を印加したときに電流が流れ、発光層として機能する第３の層３０５において電子と正孔とが再結合して励起エネルギーが生成され、励起されたＰＣＡＢＰＡが基底状態に戻るときに発光するものである。
【０１８８】
この発光素子を、グローブボックス内において、窒素雰囲気下で、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、発光素子の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
【０１８９】
測定結果を図１９、２０に示す。図１９は電圧−輝度特性について、図２０は、輝度−電流効率特性について、それぞれ調べた結果である。図１９において横軸は電圧（Ｖ）、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、図２０において横軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。
【０１９０】
また、本実施例で作製した発光素子の発光スペクトルを図２１に示す。図２１において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は強度（任意単位）を表す。図２１より、本実施例の発光素子は４７９ｎｍに発光スペクトルのピークを有し、青色の発光を呈することが分かった。さらに、ＣＩＥ表色系における色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．１６，０．２９）であり、本実施例の発光素子は色純度の良い青色を呈することが分かった。
【実施例４】
【０１９１】
本実施例では、合成例１に記載された方法によって合成されたＰＣＡＢＰＡを発光物質として用いた発光素子の作製方法およびその発光素子の動作特性について説明する。なお、本実施例の発光素子は、第１の電極と第２の電極との間に、層を構成する物質および層の厚さがそれぞれ異なる５層の層が積層した構造を有するという点で、実施例２の発光素子と同じである為、本実施例についても実施例２の説明に用いた図１５を参照して説明する。
【０１９２】
図１５に表すように、ガラス基板３０１上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法によって成膜し、第１の電極３０２を形成した。第１の電極３０２の厚さは１１０ｎｍとなるようにした。なお、電極は、２ｍｍ×２ｍｍの大きさを有する正方形の形状となるように形成した。
【０１９３】
次に、第１の電極３０２が形成されたガラス基板３０１を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。
【０１９４】
次に、真空装置内を排気し、１×１０−４Ｐａとなるように減圧した後、蒸着法によって第１の電極３０２上に、銅フタロシアニンからなる第１の層３０３を形成した。第１の層３０３の厚さは２０ｎｍとなるようにした。この第１の層３０３は、発光素子を動作させたときに正孔注入層として機能する層である。
【０１９５】
次に、第１の層３０３の上に、ＢＳＰＢから成る第２の層３０４を蒸着法によって形成した。第２の層３０４の厚さは４０ｎｍとなるようにした。この第２の層３０４は、発光素子を動作させたときに正孔輸送層として機能する層である。
【０１９６】
次に、第２の層３０４の上に、ｔ−ＢｕＤＮＡとＰＣＡＢＰＡとを含む第３の層３０５を共蒸着法によって形成した。第３の層３０５の厚さは４０ｎｍとなるようにし、ｔ−ＢｕＤＮＡとＰＣＡＢＰＡとの質量比は１：０．１＝ｔ−ＢｕＤＮＡ：ＰＣＡＢＰＡとなるようにした。これによって、ＰＣＡＢＰＡはｔ−ＢｕＤＮＡから成る層に分散されたような状態となる。この第３の層３０５は、発光素子を動作させたときに発光層として機能する層である。なお、ＰＣＡＢＰＡは発光物質として機能する。
【０１９７】
次に、第３の層３０５上に、Ａｌｑ３から成る第４の層３０６を蒸着法によって形成した。第４の層３０６の厚さは２０ｎｍとなるようにした。この第４の層３０６は、発光素子を動作させたときに、電子輸送層として機能する層である。
【０１９８】
次に、第４の層３０６上に、フッ化カルシウムから成る第５の層３０７を蒸着法によって形成した。第５の層３０７の厚さは１ｎｍとなるようにした。この第５の層３０７は、発光素子を動作させたときに、電子注入層として機能する層である。
【０１９９】
次に、第５の層３０７の上に、アルミニウムから成る第２の電極３０８を形成した。第２の電極３０８の厚さは２００ｎｍとなるようにした。
【０２００】
以上のようにして作製した発光素子は、第１の電極３０２の電位が第２の電極３０８の電位よりも高くなるように電圧を印加したときに電流が流れ、発光層として機能する第３の層３０５において電子と正孔とが再結合して励起エネルギーが生成され、励起されたＰＣＡＢＰＡが基底状態に戻るときに発光するものである。
【０２０１】
この発光素子を、グローブボックス内において、窒素雰囲気下で、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、発光素子の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
【０２０２】
測定結果を図２２、２３に示す。図２２は電圧−輝度特性について、図２３は、輝度−電流効率特性について、それぞれ調べた結果である。図２２において横軸は電圧（Ｖ）、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、図２３において横軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。
【０２０３】
また、本実施例で作製した発光素子の発光スペクトルを図２４に示す。図２４において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は強度（任意単位）を表す。図２４より、本実施例の発光素子は４７４ｎｍに発光スペクトルのピークを有し、青色の発光を呈することが分かった。さらに、ＣＩＥ表色系における色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．１６，０．２５）であり、本実施例の発光素子は色純度の良い青色を呈することが分かった。
【実施例５】
【０２０４】
本実施例では、合成例１に記載された方法によって合成されたＰＣＡＢＰＡを発光物質として用いた発光素子の作製方法およびその発光素子の動作特性について説明する。なお、本実施例の発光素子は、第１の電極と第２の電極との間に、層を構成する物質および層の厚さがそれぞれ異なる５層の層が積層した構造を有するという点で、実施例２の発光素子と同じである為、本実施例についても実施例２の説明に用いた図１５を参照して説明する。
【０２０５】
図１５に表すように、ガラス基板３０１上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法によって成膜し、第１の電極３０２を形成した。第１の電極３０２の厚さは１１０ｎｍとなるようにした。なお、電極は、２ｍｍ×２ｍｍの大きさを有する正方形の形状となるように形成した。
【０２０６】
次に、第１の電極３０２が形成されたガラス基板３０１を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。
【０２０７】
次に、真空装置内を排気し、１×１０−４Ｐａとなるように減圧した後、蒸着法によって第１の電極３０２上に、ＤＮＴＰＤからなる第１の層３０３を形成した。第１の層３０３の厚さは５０ｎｍとなるようにした。この第１の層３０３は、発光素子を動作させたときに正孔注入層として機能する層である。
【０２０８】
次に、第１の層３０３の上に、ＮＰＢから成る第２の層３０４を蒸着法によって形成した。第２の層３０４の厚さは１０ｎｍとなるようにした。この第２の層３０４は、発光素子を動作させたときに正孔輸送層として機能する層である。
【０２０９】
次に、第２の層３０４の上に、ＣｚＰＡとＰＣＡＢＰＡとを含む第３の層３０５を共蒸着法によって形成した。第３の層３０５の厚さは４０ｎｍとなるようにし、ＣｚＰＡとＰＣＡＢＰＡとの質量比は１：０．０５＝ＣｚＰＡ：ＰＣＡＢＰＡとなるようにした。これによって、ＰＣＡＢＰＡはＣｚＰＡから成る層に分散されたような状態となる。この第３の層３０５は、発光素子を動作させたときに発光層として機能する層である。なお、ＰＣＡＢＰＡは発光物質として機能する。
【０２１０】
次に、第３の層３０５上に、Ａｌｑ３から成る第４の層３０６を蒸着法によって形成した。第４の層３０６の厚さは２０ｎｍとなるようにした。この第４の層３０６は、発光素子を動作させたときに、電子輸送層として機能する層である。
【０２１１】
次に、第４の層３０６上に、フッ化カルシウムから成る第５の層３０７を蒸着法によって形成した。第５の層３０７の厚さは１ｎｍとなるようにした。この第５の層３０７は、発光素子を動作させたときに、電子注入層として機能する層である。
【０２１２】
次に、第５の層３０７の上に、アルミニウムから成る第２の電極３０８を形成した。第２の電極３０８の厚さは２００ｎｍとなるようにした。
【０２１３】
以上のようにして作製した発光素子は、第１の電極３０２の電位が第２の電極３０８の電位よりも高くなるように電圧を印加したときに電流が流れ、発光層として機能する第３の層３０５において電子と正孔とが再結合して励起エネルギーが生成され、励起されたＰＣＡＢＰＡが基底状態に戻るときに発光するものである。
【０２１４】
この発光素子を、グローブボックス内において、窒素雰囲気下で、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、発光素子の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
【０２１５】
測定結果を図２５、２６に示す。図２５は電圧−輝度特性について、図２６は、輝度−電流効率特性について、それぞれ調べた結果である。図２５において横軸は電圧（Ｖ）、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、図２６において横軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。
【０２１６】
また、本実施例で作製した発光素子の発光スペクトルを図２７に示す。図２７において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は強度（任意単位）を表す。図２７より、本実施例の発光素子は４７８ｎｍに発光スペクトルのピークを有し、青色の発光を呈することが分かった。さらに、ＣＩＥ表色系における色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．１６，０．２８）であり、本実施例の発光素子は色純度の良い青色を呈することが分かった。
【実施例６】
【０２１７】
本実施例では、合成例１に記載された方法によって合成されたＰＣＡＢＰＡを発光物質として用いた発光素子の作製方法およびその発光素子の動作特性について説明する。なお、本実施例の発光素子は、第１の電極と第２の電極との間に、層を構成する物質および層の厚さがそれぞれ異なる５層の層が積層した構造を有するという点で、実施例２の発光素子と同じである為、本実施例についても実施例２の説明に用いた図１５を参照して説明する。
【０２１８】
図１５に表すように、ガラス基板３０１上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法によって成膜し、第１の電極３０２を形成した。第１の電極３０２の厚さは１１０ｎｍとなるようにした。なお、電極は、２ｍｍ×２ｍｍの大きさを有する正方形の形状となるように形成した。
【０２１９】
次に、第１の電極３０２が形成されたガラス基板３０１を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。
【０２２０】
次に、真空装置内を排気し、１×１０−４Ｐａとなるように減圧した後、蒸着法によって第１の電極３０２上に、ＤＮＴＰＤからなる第１の層３０３を形成した。第１の層３０３の厚さは５０ｎｍとなるようにした。この第１の層３０３は、発光素子を動作させたときに正孔注入層として機能する層である。
【０２２１】
次に、第１の層３０３の上に、ＮＰＢから成る第２の層３０４を蒸着法によって形成した。第２の層３０４の厚さは１０ｎｍとなるようにした。この第２の層３０４は、発光素子を動作させたときに正孔輸送層として機能する層である。
【０２２２】
次に、第２の層３０４の上に、ＣｚＰＡとＰＣＡＢＰＡとを含む第３の層３０５を共蒸着法によって形成した。第３の層３０５の厚さは４０ｎｍとなるようにし、ＣｚＰＡとＰＣＡＢＰＡとの質量比は１：０．０４＝ＣｚＰＡ：ＰＣＡＢＰＡとなるようにした。これによって、ＰＣＡＢＰＡはＣｚＰＡから成る層に分散されたような状態となる。この第３の層３０５は、発光素子を動作させたときに発光層として機能する層である。なお、ＰＣＡＢＰＡは発光物質として機能する。
【０２２３】
次に、第３の層３０５上に、Ａｌｑ３から成る第４の層３０６を蒸着法によって形成した。第４の層３０６の厚さは１０ｎｍとなるようにした。この第４の層３０６は、発光素子を動作させたときに、電子輸送層として機能する層である。
【０２２４】
次に、第４の層３０６上に、Ａｌｑ３とＬｉとを含む第５の層３０７を共蒸着法によって形成した。第５の層３０７の厚さは１０ｎｍとなるようにした。また、Ａｌｑ３とＬｉとの質量比は１：０．０１＝Ａｌｑ３：Ｌｉとなるようにした。この第５の層３０７は、発光素子を動作させたときに、電子注入層として機能する層である。
【０２２５】
次に、第５の層３０７の上に、アルミニウムから成る第２の電極３０８を形成した。第２の電極３０８の厚さは２００ｎｍとなるようにした。
【０２２６】
以上のようにして作製した発光素子は、第１の電極３０２の電位が第２の電極３０８の電位よりも高くなるように電圧を印加したときに電流が流れ、発光層として機能する第３の層３０５において電子と正孔とが再結合して励起エネルギーが生成され、励起されたＰＣＡＢＰＡが基底状態に戻るときに発光するものである。
【０２２７】
この発光素子を、グローブボックス内において、窒素雰囲気下で、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、発光素子の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
【０２２８】
測定結果を図２８、２９に示す。図２８は電圧−輝度特性について、図２９は、輝度−電流効率特性について、それぞれ調べた結果である。図２８において横軸は電圧（Ｖ）、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、図２９において横軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。
【０２２９】
また、本実施例で作製した発光素子の発光スペクトルを図３０に示す。図３０において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は強度（任意単位）を表す。図３０より、本実施例の発光素子は４８７ｎｍに発光スペクトルのピークを有し、青色の発光を呈することが分かった。さらに、ＣＩＥ表色系における色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．１７，０．３２）であり、本実施例の発光素子は色純度の良い青色を呈することが分かった。
【実施例７】
【０２３０】
本実施例では、合成例１に記載された方法によって合成されたＰＣＡＢＰＡを発光物質として用いた発光素子の作製方法およびその発光素子の動作特性について説明する。なお、本実施例の発光素子は、第１の電極と第２の電極との間に、層を構成する物質および層の厚さがそれぞれ異なる５層の層が積層した構造を有するという点で、実施例２の発光素子と同じである為、本実施例についても実施例２の説明に用いた図１５を参照して説明する。
【０２３１】
図１５に表すように、ガラス基板３０１上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法によって成膜し、第１の電極３０２を形成した。第１の電極３０２の厚さは１１０ｎｍとなるようにした。なお、電極は、２ｍｍ×２ｍｍの大きさを有する正方形の形状となるように形成した。
【０２３２】
次に、第１の電極３０２が形成されたガラス基板３０１を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。
【０２３３】
次に、真空装置内を排気し、１×１０−４Ｐａとなるように減圧した後、蒸着法によって第１の電極３０２上に、ＤＮＴＰＤからなる第１の層３０３を形成した。第１の層３０３の厚さは５０ｎｍとなるようにした。この第１の層３０３は、発光素子を動作させたときに正孔注入層として機能する層である。
【０２３４】
次に、第１の層３０３の上に、ＮＰＢから成る第２の層３０４を蒸着法によって形成した。第２の層３０４の厚さは１０ｎｍとなるようにした。この第２の層３０４は、発光素子を動作させたときに正孔輸送層として機能する層である。
【０２３５】
次に、第２の層３０４の上に、ＤＰＣｚＰＡとＰＣＡＢＰＡとを含む第３の層３０５を共蒸着法によって形成した。第３の層３０５の厚さは４０ｎｍとなるようにし、ＤＰＣｚＰＡとＰＣＡＢＰＡとの質量比は１：０．０４＝ＤＰＣｚＰＡ：ＰＣＡＢＰＡとなるようにした。これによって、ＰＣＡＢＰＡはＤＰＣｚＰＡから成る層に分散されたような状態となる。この第３の層３０５は、発光素子を動作させたときに発光層として機能する層である。なお、ＰＣＡＢＰＡは発光物質として機能する。
【０２３６】
次に、第３の層３０５上に、Ａｌｑ３から成る第４の層３０６を蒸着法によって形成した。第４の層３０６の厚さは１０ｎｍとなるようにした。この第４の層３０６は、発光素子を動作させたときに、電子輸送層として機能する層である。
【０２３７】
次に、第４の層３０６上に、Ａｌｑ３とＬｉとを含む第５の層３０７を共蒸着法によって形成した。第５の層３０７の厚さは１０ｎｍとなるようにした。また、Ａｌｑ３とＬｉとの質量比は１：０．０１＝Ａｌｑ３：Ｌｉとなるようにした。この第５の層３０７は、発光素子を動作させたときに、電子注入層として機能する層である。
【０２３８】
次に、第５の層３０７の上に、アルミニウムから成る第２の電極３０８を形成した。第２の電極３０８の厚さは２００ｎｍとなるようにした。
【０２３９】
以上のようにして作製した発光素子は、第１の電極３０２の電位が第２の電極３０８の電位よりも高くなるように電圧を印加したときに電流が流れ、発光層として機能する第３の層３０５において電子と正孔とが再結合して励起エネルギーが生成され、励起されたＰＣＡＢＰＡが基底状態に戻るときに発光するものである。
【０２４０】
この発光素子を、グローブボックス内において、窒素雰囲気下で、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、発光素子の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
【０２４１】
測定結果を図３１、３２に示す。図３１は電圧−輝度特性について、図３２は、輝度−電流効率特性について、それぞれ調べた結果である。図３１において横軸は電圧（Ｖ）、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、図３２において横軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。
【０２４２】
また、本実施例で作製した発光素子の発光スペクトルを図３３に示す。図３３において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は強度（任意単位）を表す。図３３より、本実施例の発光素子は４８７ｎｍに発光スペクトルのピークを有し、青色の発光を呈することが分かった。さらに、ＣＩＥ表色系における色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．１７，０．３２）であり、本実施例の発光素子は色純度の良い青色を呈することが分かった。
【実施例８】
【０２４３】
本実施例では、合成例１に記載された方法によって合成されたＰＣＡＢＰＡを発光物質として用いた発光素子の作製方法およびその発光素子の動作特性について説明する。なお、本実施例の発光素子は、第１の電極と第２の電極との間に、層を構成する物質および層の厚さがそれぞれ異なる５層の層が積層した構造を有するという点で、実施例２の発光素子と同じである為、本実施例についても実施例２の説明に用いた図１５を参照して説明する。
【０２４４】
図１５に表すように、ガラス基板３０１上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法によって成膜し、第１の電極３０２を形成した。第１の電極３０２の厚さは１１０ｎｍとなるようにした。なお、電極は、２ｍｍ×２ｍｍの大きさを有する正方形の形状となるように形成した。
【０２４５】
次に、第１の電極３０２が形成されたガラス基板３０１を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。
【０２４６】
次に、真空装置内を排気し、１×１０−４Ｐａとなるように減圧した後、蒸着法によって第１の電極３０２上に、ＤＮＴＰＤからなる第１の層３０３を形成した。第１の層３０３の厚さは５０ｎｍとなるようにした。この第１の層３０３は、発光素子を動作させたときに正孔注入層として機能する層である。
【０２４７】
次に、第１の層３０３の上に、ＮＰＢから成る第２の層３０４を蒸着法によって形成した。第２の層３０４の厚さは１０ｎｍとなるようにした。この第２の層３０４は、発光素子を動作させたときに正孔輸送層として機能する層である。
【０２４８】
次に、第２の層３０４の上に、ｔ−ＢｕＤＮＡとＰＣＡＢＰＡとを含む第３の層３０５を共蒸着法によって形成した。第３の層３０５の厚さは４０ｎｍとなるようにし、ｔ−ＢｕＤＮＡとＰＣＡＢＰＡとの質量比は１：０．０４＝ｔ−ＢｕＤＮＡ：ＰＣＡＢＰＡとなるようにした。これによって、ＰＣＡＢＰＡはｔ−ＢｕＤＮＡから成る層に分散されたような状態となる。この第３の層３０５は、発光素子を動作させたときに発光層として機能する層である。なお、ＰＣＡＢＰＡは発光物質として機能する。
【０２４９】
次に、第３の層３０５上に、Ａｌｑ３から成る第４の層３０６を蒸着法によって形成した。第４の層３０６の厚さは１０ｎｍとなるようにした。この第４の層３０６は、発光素子を動作させたときに、電子輸送層として機能する層である。
【０２５０】
次に、第４の層３０６上に、Ａｌｑ３とＬｉとを含む第５の層３０７を共蒸着法によって形成した。第５の層３０７の厚さは１０ｎｍとなるようにした。また、Ａｌｑ３とＬｉとの質量比は１：０．０１＝Ａｌｑ３：Ｌｉとなるようにした。この第５の層３０７は、発光素子を動作させたときに、電子注入層として機能する層である。
【０２５１】
次に、第５の層３０７の上に、アルミニウムから成る第２の電極３０８を形成した。第２の電極３０８の厚さは２００ｎｍとなるようにした。
【０２５２】
以上のようにして作製した発光素子は、第１の電極３０２の電位が第２の電極３０８の電位よりも高くなるように電圧を印加したときに電流が流れ、発光層として機能する第３の層３０５において電子と正孔とが再結合して励起エネルギーが生成され、励起されたＰＣＡＢＰＡが基底状態に戻るときに発光するものである。
【０２５３】
この発光素子を、グローブボックス内において、窒素雰囲気下で、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、発光素子の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
【０２５４】
測定結果を図３４、３５に示す。図３４は電圧−輝度特性について、図３５は、輝度−電流効率特性について、それぞれ調べた結果である。図３４において横軸は電圧（Ｖ）、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、図３５において横軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。
【０２５５】
また、本実施例で作製した発光素子の発光スペクトルを図３６に示す。図３６において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は強度（任意単位）を表す。図３６より、本実施例の発光素子は４８２ｎｍに発光スペクトルのピークを有し、青色の発光を呈することが分かった。さらに、ＣＩＥ表色系における色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．１６，０．２９）であり、本実施例の発光素子は色純度の良い青色を呈することが分かった。
【実施例９】
【０２５６】
本実施例では、合成例１に記載された方法によって合成されたＰＣＡＢＰＡを発光物質として用いた発光素子の作製方法およびその発光素子の動作特性について説明する。なお、本実施例の発光素子は、第１の電極と第２の電極との間に、層を構成する物質および層の厚さがそれぞれ異なる５層の層が積層した構造を有するという点で、実施例２の発光素子と同じである為、本実施例についても実施例２の説明に用いた図１５を参照して説明する。
【０２５７】
図１５に表すように、ガラス基板３０１上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法によって成膜し、第１の電極３０２を形成した。第１の電極３０２の厚さは１１０ｎｍとなるようにした。なお、電極は、２ｍｍ×２ｍｍの大きさを有する正方形の形状となるように形成した。
【０２５８】
次に、第１の電極３０２が形成されたガラス基板３０１を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。
【０２５９】
次に、真空装置内を排気し、１×１０−４Ｐａとなるように減圧した後、蒸着法によって第１の電極３０２上に、ＣｕＰｃからなる第１の層３０３を形成した。第１の層３０３の厚さは２０ｎｍとなるようにした。この第１の層３０３は、発光素子を動作させたときに正孔注入層として機能する層である。
【０２６０】
次に、第１の層３０３の上に、ＮＰＢから成る第２の層３０４を蒸着法によって形成した。第２の層３０４の厚さは４０ｎｍとなるようにした。この第２の層３０４は、発光素子を動作させたときに正孔輸送層として機能する層である。
【０２６１】
次に、第２の層３０４の上に、ＣｚＰＡとＰＣＡＢＰＡとを含む第３の層３０５を共蒸着法によって形成した。第３の層３０５の厚さは４０ｎｍとなるようにし、ＣｚＰＡとＰＣＡＢＰＡとの質量比は１：０．０４＝ＣｚＰＡ：ＰＣＡＢＰＡとなるようにした。これによって、ＰＣＡＢＰＡはＣｚＰＡから成る層に分散されたような状態となる。この第３の層３０５は、発光素子を動作させたときに発光層として機能する層である。なお、ＰＣＡＢＰＡは発光物質として機能する。
【０２６２】
次に、第３の層３０５上に、Ａｌｑ３から成る第４の層３０６を蒸着法によって形成した。第４の層３０６の厚さは１０ｎｍとなるようにした。この第４の層３０６は、発光素子を動作させたときに、電子輸送層として機能する層である。
【０２６３】
次に、第４の層３０６上に、Ａｌｑ３とＬｉとを含む第５の層３０７を共蒸着法によって形成した。第５の層３０７の厚さは１０ｎｍとなるようにした。また、Ａｌｑ３とＬｉとの質量比は１：０．０１＝Ａｌｑ３：Ｌｉとなるようにした。この第５の層３０７は、発光素子を動作させたときに、電子注入層として機能する層である。
【０２６４】
次に、第５の層３０７の上に、アルミニウムから成る第２の電極３０８を形成した。第２の電極３０８の厚さは２００ｎｍとなるようにした。
【０２６５】
以上のようにして作製した発光素子は、第１の電極３０２の電位が第２の電極３０８の電位よりも高くなるように電圧を印加したときに電流が流れ、発光層として機能する第３の層３０５において電子と正孔とが再結合して励起エネルギーが生成され、励起されたＰＣＡＢＰＡが基底状態に戻るときに発光するものである。
【０２６６】
この発光素子を、グローブボックス内において、窒素雰囲気下で、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、発光素子の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
【０２６７】
測定結果を図３７、３８に示す。図３７は電圧−輝度特性について、図３８は、輝度−電流効率特性について、それぞれ調べた結果である。図３７において横軸は電圧（Ｖ）、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、図３８において横軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。
【０２６８】
また、本実施例で作製した発光素子の発光スペクトルを図３９に示す。図３９において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は強度（任意単位）を表す。図３９より、本実施例の発光素子は４８１ｎｍに発光スペクトルのピークを有し、青色の発光を呈することが分かった。さらに、ＣＩＥ表色系における色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．１７，０．３１）であり、本実施例の発光素子は色純度の良い青色を呈することが分かった。
【実施例１０】
【０２６９】
本実施例では、合成例１に記載された方法によって合成されたＰＣＡＢＰＡを発光物質として用いた発光素子の作製方法およびその発光素子の動作特性について説明する。なお、本実施例の発光素子は、第１の電極と第２の電極との間に、層を構成する物質および層の厚さがそれぞれ異なる５層の層が積層した構造を有するという点で、実施例２の発光素子と同じである為、本実施例についても実施例２の説明に用いた図１５を参照して説明する。
【０２７０】
図１５に表すように、ガラス基板３０１上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法によって成膜し、第１の電極３０２を形成した。第１の電極３０２の厚さは１１０ｎｍとなるようにした。なお、電極は、２ｍｍ×２ｍｍの大きさを有する正方形の形状となるように形成した。
【０２７１】
次に、第１の電極３０２が形成されたガラス基板３０１を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。
【０２７２】
次に、真空装置内を排気し、１×１０−４Ｐａとなるように減圧した後、蒸着法によって第１の電極３０２上に、ＣｕＰｃからなる第１の層３０３を形成した。第１の層３０３の厚さは２０ｎｍとなるようにした。この第１の層３０３は、発光素子を動作させたときに正孔注入層として機能する層である。
【０２７３】
次に、第１の層３０３の上に、ＮＰＢから成る第２の層３０４を蒸着法によって形成した。第２の層３０４の厚さは４０ｎｍとなるようにした。この第２の層３０４は、発光素子を動作させたときに正孔輸送層として機能する層である。
【０２７４】
次に、第２の層３０４の上に、ＤＰＣｚＰＡとＰＣＡＢＰＡとを含む第３の層３０５を共蒸着法によって形成した。第３の層３０５の厚さは４０ｎｍとなるようにし、ＤＰＣｚＰＡとＰＣＡＢＰＡとの質量比は１：０．０４＝ＤＰＣｚＰＡ：ＰＣＡＢＰＡとなるようにした。これによって、ＰＣＡＢＰＡはＤＰＣｚＰＡから成る層に分散されたような状態となる。この第３の層３０５は、発光素子を動作させたときに発光層として機能する層である。なお、ＰＣＡＢＰＡは発光物質として機能する。
【０２７５】
次に、第３の層３０５上に、Ａｌｑ３から成る第４の層３０６を蒸着法によって形成した。第４の層３０６の厚さは１０ｎｍとなるようにした。この第４の層３０６は、発光素子を動作させたときに、電子輸送層として機能する層である。
【０２７６】
次に、第４の層３０６上に、Ａｌｑ３とＬｉとを含む第５の層３０７を共蒸着法によって形成した。第５の層３０７の厚さは１０ｎｍとなるようにした。また、Ａｌｑ３とＬｉとの質量比は１：０．０１＝Ａｌｑ３：Ｌｉとなるようにした。この第５の層３０７は、発光素子を動作させたときに、電子注入層として機能する層である。
【０２７７】
次に、第５の層３０７の上に、アルミニウムから成る第２の電極３０８を形成した。第２の電極３０８の厚さは２００ｎｍとなるようにした。
【０２７８】
以上のようにして作製した発光素子は、第１の電極３０２の電位が第２の電極３０８の電位よりも高くなるように電圧を印加したときに電流が流れ、発光層として機能する第３の層３０５において電子と正孔とが再結合して励起エネルギーが生成され、励起されたＰＣＡＢＰＡが基底状態に戻るときに発光するものである。
【０２７９】
この発光素子を、グローブボックス内において、窒素雰囲気下で、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、発光素子の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
【０２８０】
測定結果を図４０、４１に示す。図４０は電圧−輝度特性について、図４１は、輝度−電流効率特性について、それぞれ調べた結果である。図４０において横軸は電圧（Ｖ）、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、図４１において横軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。
【０２８１】
また、本実施例で作製した発光素子の発光スペクトルを図４２に示す。図４２において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は強度（任意単位）を表す。図４２より、本実施例の発光素子は４８５ｎｍに発光スペクトルのピークを有し、青色の発光を呈することが分かった。さらに、ＣＩＥ表色系における色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．１７，０．３１）であり、本実施例の発光素子は色純度の良い青色を呈することが分かった。
【実施例１１】
【０２８２】
本実施例では、合成例１に記載された方法によって合成されたＰＣＡＢＰＡを発光物質として用いた発光素子の作製方法およびその発光素子の動作特性について説明する。なお、本実施例の発光素子は、第１の電極と第２の電極との間に、層を構成する物質および層の厚さがそれぞれ異なる５層の層が積層した構造を有するという点で、実施例２の発光素子と同じである為、本実施例についても実施例２の説明に用いた図１５を参照して説明する。
【０２８３】
図１５に表すように、ガラス基板３０１上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法によって成膜し、第１の電極３０２を形成した。第１の電極３０２の厚さは１１０ｎｍとなるようにした。なお、電極は、２ｍｍ×２ｍｍの大きさを有する正方形の形状となるように形成した。
【０２８４】
次に、第１の電極３０２が形成されたガラス基板３０１を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。
【０２８５】
次に、真空装置内を排気し、１×１０−４Ｐａとなるように減圧した後、蒸着法によって第１の電極３０２上に、ＣｕＰｃからなる第１の層３０３を形成した。第１の層３０３の厚さは２０ｎｍとなるようにした。この第１の層３０３は、発光素子を動作させたときに正孔注入層として機能する層である。
【０２８６】
次に、第１の層３０３の上に、ＮＰＢから成る第２の層３０４を蒸着法によって形成した。第２の層３０４の厚さは４０ｎｍとなるようにした。この第２の層３０４は、発光素子を動作させたときに正孔輸送層として機能する層である。
【０２８７】
次に、第２の層３０４の上に、ｔ−ＢｕＤＮＡとＰＣＡＢＰＡとを含む第３の層３０５を共蒸着法によって形成した。第３の層３０５の厚さは４０ｎｍとなるようにし、ｔ−ＢｕＤＮＡとＰＣＡＢＰＡとの質量比は１：０．０４＝ｔ−ＢｕＤＮＡ：ＰＣＡＢＰＡとなるようにした。これによって、ＰＣＡＢＰＡはｔ−ＢｕＤＮＡから成る層に分散されたような状態となる。この第３の層３０５は、発光素子を動作させたときに発光層として機能する層である。なお、ＰＣＡＢＰＡは発光物質として機能する。
【０２８８】
次に、第３の層３０５上に、Ａｌｑ３から成る第４の層３０６を蒸着法によって形成した。第４の層３０６の厚さは１０ｎｍとなるようにした。この第４の層３０６は、発光素子を動作させたときに、電子輸送層として機能する層である。
【０２８９】
次に、第４の層３０６上に、Ａｌｑ３とＬｉとを含む第５の層３０７を共蒸着法によって形成した。第５の層３０７の厚さは１０ｎｍとなるようにした。また、Ａｌｑ３とＬｉとの質量比は１：０．０１＝Ａｌｑ３：Ｌｉとなるようにした。この第５の層３０７は、発光素子を動作させたときに、電子注入層として機能する層である。
【０２９０】
次に、第５の層３０７の上に、アルミニウムから成る第２の電極３０８を形成した。第２の電極３０８の厚さは２００ｎｍとなるようにした。
【０２９１】
以上のようにして作製した発光素子は、第１の電極３０２の電位が第２の電極３０８の電位よりも高くなるように電圧を印加したときに電流が流れ、発光層として機能する第３の層３０５において電子と正孔とが再結合して励起エネルギーが生成され、励起されたＰＣＡＢＰＡが基底状態に戻るときに発光するものである。
【０２９２】
この発光素子を、グローブボックス内において、窒素雰囲気下で、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、発光素子の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
【０２９３】
測定結果を図４３、４４に示す。図４３は電圧−輝度特性について、図４４は、輝度−電流効率特性について、それぞれ調べた結果である。図４３において横軸は電圧（Ｖ）、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、図４４において横軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。
【０２９４】
また、本実施例で作製した発光素子の発光スペクトルを図４５に示す。図４５において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は強度（任意単位）を表す。図４５より、本実施例の発光素子は４７６ｎｍに発光スペクトルのピークを有し、青色の発光を呈することが分かった。さらに、ＣＩＥ表色系における色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．１６，０．２８）であり、本実施例の発光素子は色純度の良い青色を呈することが分かった。
【図面の簡単な説明】
【０２９５】
【図１】本発明の発光素子について説明する図。
【図２】本発明の発光素子について説明する図。
【図３】本発明を適用した発光装置について説明する図。
【図４】本発明を適用した発光装置に含まれる回路について説明する図。
【図５】本発明を適用した発光装置の上面図。
【図６】本発明を適用した発光装置のフレーム動作について説明する図。
【図７】本発明を適用した発光装置に含まれる回路について説明する図。
【図８】本発明を適用した発光装置の断面図。
【図９】本発明を適用した電子機器の図。
【図１０】本発明のアントラセン誘導体の吸収スペクトルを示す図。
【図１１】本発明のアントラセン誘導体の発光スペクトルを示す図。
【図１２】本発明のアントラセン誘導体についてのサイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）による測定結果を示す図。
【図１３】合成例１で合成したＰＣＡの１Ｈ−ＮＭＲチャート。
【図１４】合成例１で合成したＰＣＡＢＰＡの１Ｈ−ＮＭＲチャート。
【図１５】実施例で作製した発光素子について説明する図。
【図１６】実施例２で作製した発光素子の輝度−電圧特性。
【図１７】実施例２で作製した発光素子の輝度−電流効率特性。
【図１８】実施例２で作製した発光素子の発光スペクトル。
【図１９】実施例３で作製した発光素子の輝度−電圧特性。
【図２０】実施例３で作製した発光素子の輝度−電流効率特性。
【図２１】実施例３で作製した発光素子の発光スペクトル。
【図２２】実施例４で作製した発光素子の輝度−電圧特性。
【図２３】実施例４で作製した発光素子の輝度−電流効率特性。
【図２４】実施例４で作製した発光素子の発光スペクトル。
【図２５】実施例５で作製した発光素子の輝度−電圧特性。
【図２６】実施例５で作製した発光素子の輝度−電流効率特性。
【図２７】実施例５で作製した発光素子の発光スペクトル。
【図２８】実施例６で作製した発光素子の輝度−電圧特性。
【図２９】実施例６で作製した発光素子の輝度−電流効率特性。
【図３０】実施例６で作製した発光素子の発光スペクトル。
【図３１】実施例７で作製した発光素子の輝度−電圧特性。
【図３２】実施例７で作製した発光素子の輝度−電流効率特性。
【図３３】実施例７で作製した発光素子の発光スペクトル。
【図３４】実施例８で作製した発光素子の輝度−電圧特性。
【図３５】実施例８で作製した発光素子の輝度−電流効率特性。
【図３６】実施例８で作製した発光素子の発光スペクトル。
【図３７】実施例９で作製した発光素子の輝度−電圧特性。
【図３８】実施例９で作製した発光素子の輝度−電流効率特性。
【図３９】実施例９で作製した発光素子の発光スペクトル。
【図４０】実施例１０で作製した発光素子の輝度−電圧特性。
【図４１】実施例１０で作製した発光素子の輝度−電流効率特性。
【図４２】実施例１０で作製した発光素子の発光スペクトル。
【図４３】実施例１１で作製した発光素子の輝度−電圧特性。
【図４４】実施例１１で作製した発光素子の輝度−電流効率特性。
【図４５】実施例１１で作製した発光素子の発光スペクトル。
【図４６】本発明の発光装置の態様について説明する図。
【図４７】合成例２で合成したＰＣＡＢＢＡの１Ｈ−ＮＭＲチャート。
【図４８】本発明のアントラセン誘導体の吸収スペクトルを示す図。
【図４９】本発明のアントラセン誘導体の発光スペクトルを示す図。
【符号の説明】
【０２９６】
１０１ 第１の電極
１０２ 第２の電極
１１１ 正孔注入層
１１２ 正孔輸送層
１１３ 発光層
１１４ 電子輸送層
１１５ 電子注入層
２０１ 第１の電極
２０２ 第２の電極
２１１ 正孔注入層
２１２ 正孔輸送層
２１３ 発光層
２１４ 電子輸送層
２１５ 電子注入層
３０１ ガラス基板
３０２ 第１の電極
３０３ 第１の層
３０４ 第２の層
３０５ 第３の層
３０６ 第４の層
３０７ 第５の層
３０８ 第２の電極
６５００ 基板
６５０３ ＦＰＣ
６５０４ プリント配線基盤（ＰＷＢ）
６５１１ 画素部
６５１２ ソース信号線駆動回路
６５１３ 書込用ゲート信号線駆動回路
６５１４ 消去用ゲート信号線駆動回路
９０１ 第１のトランジスタ
９０２ 第２のトランジスタ
９０３ 発光素子
９１１ ゲート信号線
９１２ ソース信号線
９１３ 書込用ゲート信号線駆動回路
９１４ 消去用ゲート信号線駆動回路
９１５ ソース信号線駆動回路
９１６ 電源
９１７ 電流供給線
９１８ スイッチ
９１９ スイッチ
９２０ スイッチ
１００１ 第１のトランジスタ
１００２ 第２のトランジスタ
１００３ ゲート信号線
１００４ ソース信号線
１００５ 電流供給線
１００６ 電極
５０１ サブフレーム
５０２ サブフレーム
５０３ サブフレーム
５０４ サブフレーム
５０１ａ 書き込み期間
５０１ｂ 保持期間
５０２ａ 書き込み期間
５０２ｂ 保持期間
５０３ａ 書き込み期間
５０３ｂ 保持期間
５０４ａ 書き込み期間
５０４ｂ 保持期間
５０４ｃ 消去期間
５０４ｄ 非発光期間
２１０１ 第１のトランジスタ
２１０２ 保持容量
２１０３ 第２のトランジスタ
２１１１ 消去ダイオード
２１０４ 発光素子
２１０５ 信号線
２１０６ 電源線
２１０８ 第２電源線
２１０７ 第１ゲート線
２１１７ 第２ゲート線
１０ 基板
１１ トランジスタ
１２ 発光素子
１３ 第１の電極
１４ 第２の電極
１５ 発光層
１６ａ、１６ｂ、１６ｃ 第１層間絶縁膜
１７ 配線
１８ 隔壁層
１９ａ、１９ｂ 第２層間絶縁膜
５５２１ 本体
５５２２ 筐体
５５２３ 表示部
５５２４ キーボード
５５５１ 表示部
５５５２ 本体
５５５３ アンテナ
５５５４ 音声出力部
５５５５ 音声入力部
５５５６ 操作スイッチ
５５３１ 表示部
５５３２ 筐体
５５３３ スピーカー
１９０１ 基板
１９０２ 電極
１９０４ 隔壁層
１９０５ 発光層
１９０６ 電極
１９０７ 基板
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アントラセン誘導体に関し、特に発光素子を作製するための材料として用いることのできるアントラセン誘導体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ディスプレイ等に利用されている発光素子の多くは、一対の電極間に発光物質を含む層が挟まれた構造を有する。このような発光素子では、一方の電極から注入された電子と他方の電極から注入された正孔とが再結合することによって形成された励起子が基底状態に戻るときに発光する。
【０００３】
発光素子の分野では、発光効率、色度がよく、若しくは消光等を防ぐことができる発光素子を得るために、発光素子を作製するための材料となる物質についての様々な研究が行われている。
【０００４】
例えば、特許文献１では、発光効率が高く、寿命が長い、有機ＥＬ素子用材料について開示されている。
【０００５】
ところで、発光素子においては、正孔若しくは電子の授受によって電極間を電流が流れる。このとき、正孔若しくは電子を受け取った発光物質等が、つまり酸化若しくは還元された発光物質等が、中性に戻らず、性質や構造が異なるものに変化することがある。そして、そのような発光物質の性質や構造の変化が蓄積されると、発光素子の特性も変化してしまう可能性がある。
【０００６】
そのため、酸化若しくは還元によっても性質が変化しにくい発光物質の開発が求められている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−１３１５４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、酸化反応の繰り返しに耐性があり、発光素子用の材料として用いることのできる物質を提供することを課題とする。また、本発明は、酸化反応の繰り返しによる物質の特性変化に起因した発光素子の動作特性の低下が低減された発光素子、及び発光装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一は、一般式（１）で表されるアントラセン誘導体である。
【００１０】
【化０１】
【００１１】
一般式（１）において、Ｒ１は、水素または炭素数１〜４のアルキル基を表す。また、Ｒ２は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表す。アリール基は、置換基を有していてもよいし、若しくは無置換であってもよい。Ｒ３は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表す。アリール基は、置換基を有していてもよいし、若しくは無置換であってもよい。Ｐｈ１は、フェニル基を表す。フェニル基は、置換基を有していてもよいし、若しくは無置換であってもよい。Ｘ１は、炭素数６〜１５のアリーレン基を表す。アリーレン基は、置換基を有していてもよいし、若しくは無置換であってもよい。
【００１２】
本発明の一は、一般式（２）で表されるアントラセン誘導体である。
【００１３】
【化０２】
【００１４】
一般式（２）において、Ｒ４は、水素または炭素数１〜４のアルキル基を表す。また、Ｒ５〜Ｒ８は、水素、または、Ｒ５とＲ６、Ｒ７とＲ８が、それぞれ、互いに結合した芳香環を表す。また、Ｒ９は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表す。アリール基は、置換基を有していてもよいし、若しくは無置換であってもよい。また、Ｒ１０は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表す。アリール基は、置換基を有していてもよいし、若しくは無置換であってもよい。Ｐｈ２は、フェニル基を表す。フェニル基は、置換基を有していてもよいし、若しくは無置換であってもよい。
【００１５】
本発明の一は、一般式（３）で表されるアントラセン誘導体である。
【００１６】
【化０３】
【００１７】
一般式（３）において、Ｒ１１は、水素または炭素数１〜４のアルキル基を表す。また、Ｒ１２は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表す。アリール基は、置換基を有していてもよいし、若しくは無置換であってもよい。また、Ｒ１３は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表す。アリール基は、置換基を有していてもよいし、若しくは無置換であってもよい。Ｐｈ３は、フェニル基を表す。フェニル基は、置換基を有していてもよいし、若しくは無置換であってもよい。
【００１８】
本発明の一は、一般式（４）で表されるアントラセン誘導体である。
【００１９】
【化０４】
【００２０】
一般式（４）において、Ｒ１４は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表す。アリール基は、置換基を有していてもよいし、若しくは無置換であってもよい。また、Ｒ１５は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表す。アリール基は、置換基を有していてもよいし、若しくは無置換であってもよい。Ｐｈ４は、フェニル基を表す。フェニル基は、置換基を有していてもよいし、若しくは無置換であってもよい。
【００２１】
本発明の一は、一般式（５）で表されるアントラセン誘導体である。
【００２２】
【化０５】
一般式（５）において、Ｒ１６は、水素または炭素数１〜４のアルキル基を表す。
【００２３】
本発明の一は、一般式（６）で表されるアントラセン誘導体である。
【００２４】
一般式（６）において、Ｘ２は、炭素数６〜１５のアリーレン基を表す。アリーレン基は、置換基を有していてもよいし、若しくは無置換であってもよい。
【００２５】
【化０６】
【００２６】
本発明の一は、一般式（７）で表されるアントラセン誘導体である。
【００２７】
【化０７】
【００２８】
一般式（７）において、Ｒ１７は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表す。アリール基は、置換基を有していてもよいし、若しくは無置換であってもよい。
【００２９】
本発明の一は、一般式（８）で表されるアントラセン誘導体である。
【００３０】
【化０８】
【００３１】
一般式（８）において、Ｒ１８は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表す。アリール基は、置換基を有していてもよいし、若しくは無置換であってもよい。
【００３２】
本発明の一は、一般式（１）〜（８）のいずれか一の一般式で表されるアントラセン誘導体を含む層を、電極間に有する発光素子である。
【００３３】
本発明の一は、一般式（１）〜（８）のいずれか一の一般式で表されるアントラセン誘導体を含む発光素子を用いた発光装置である。
【００３４】
本発明の一は、一般式（１）〜（８）のいずれか一の一般式で表されるアントラセン誘導体を含む発光素子を画素部に有する発光装置である。
【００３５】
本発明の一は、一般式（１）〜（８）のいずれか一の一般式で表されるアントラセン誘導体を含む発光素子を用いた発光装置を、実装した電子機器である。
【発明の効果】
【００３６】
本発明を実施することによって、酸化反応の繰り返しに対し優れた耐性を有し発光素子を作製するための材料として用いることのできる物質を得ることができる。また、本発明を実施することによって、酸化反応の繰り返しに優れた耐性を有すると共に、還元反応の繰り返しに対しても優れた耐性を有し、発光素子を作製するための材料として用いることのできる物質を得ることができる。
【００３７】
本発明を実施することによって、電極間に設けられた層の形成に用いられている物質が酸化反応を繰り返すことによって生じ得る素子特性の低下を低減できる発光素子を得ることができる。また、酸化反応の繰り返しによる発光物質の性質の変化に伴った発光素子の特性変化が少なく、長期間、安定な発光を呈することができる発光素子が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
以下、本発明の一態様について説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００３９】
（実施の形態１）
本発明のアントラセン誘導体の一態様について説明する。
【００４０】
本発明のアントラセン誘導体として、構造式（１）〜構造式（４０）で表されるアントラセン誘導体が挙げられる。
【００４１】
【化０９】
【化１０】
【化１１】
【化１２】
【化１３】
【化１４】
【化１５】
【化１６】
【化１７】
【化１８】
【化１９】
【化２０】
【化２１】
【化２２】
【化２３】
【化２４】
【化２５】
【化２６】
【化２７】
【化２８】
【化２９】
【化３０】
【化３１】
【化３２】
【化３３】
【化３４】
【化３５】
【化３６】
【化３７】
【化３８】
【化３９】
【化４０】
【化４１】
【化４２】
【化４３】
【化４４】
【化４５】
【化４６】
【化４７】
【化４８】
【００４２】
これらのアントラセン誘導体は、例えば、下記合成スキーム（ａ−１）で表されるように、９，１０−ジブロモアリールアントラセン等のアントラセンを骨格に含む化合物Ａと、アリールアミノカルバゾールを骨格に含む化合物Ｂとをカップリング反応させることによって得られる。なお、本発明のアントラセン誘導体の合成方法は、ここに記載した合成方法に限定されるものではなく、その他の合成方法によって合成されてもよい。
【００４３】
【化４９】
【００４４】
合成スキーム（ａ−１）において、Ｒ１９は、水素またはｔｅｒｔ−ブチルを表す。また、Ｒ２０は、水素、メチル、エチル、ｔｅｒｔ−ブチル等の炭素数１〜４のアルキル基、フェニル、ビフェニル、ナフチル等の炭素数１〜１２のアリール基の中から選ばれるいずれか一の基を表す。なお、アリール基は、置換基を有していてもよいし、若しくは無置換であってもよい。また、Ｐｈ５はフェニル基を表す。フェニル基は置換基を有していてもよいし、若しくは無置換であってもよい。また、Ｘ３は、フェニレン、ナフチレン、アントリレン、９，９−ジメチルフルオレン−２，７−ジイル等の炭素数６〜１５のアリーレン基を表す。
【００４５】
ここで、化合物Ａは、合成スキーム（ａ−２）で表されるように、ジブロモアレーン（化合物Ｃ）と、アントラキノンを骨格に含む化合物とを主原料として得ることができる。また、化合物Ｂは、合成スキーム（ａ−３）で表されるように、カルバゾールを骨格に含む化合物の３位の水素をブロモに置換した後、さらに、そのブロモがアミノ基と置換するように反応させることで得られる。
【００４６】
【化５０】
【００４７】
【化５１】
【００４８】
なお、本形態では、アントラセン骨格を含む化合物Ａとして９，１０−ビス（ブロモアリール）アントラセンを用いているが、この他に９，１０−ビス（ヨードアリール）アントラセン等を用いてもよい。９，１０−ビス（ヨードアリール）アントラセンは、合成スキーム（ａ−２）で表される合成において化合物Ｃに換えて１，５−ジヨードナフタレンや２，７−ジヨード−９，９−ジメチルフルオレン等のジヨードアレーンを用いることによって得られる。なお、１，５−ジヨードナフタレンや２，７−ジヨード−９，９−ジメチルフルオレン等は次のようにして合成することによって得られる。まず、１，５−ジヨードナフタレンは、１，５−ジアミノナフタレンに含まれるアミノ基を亜硝酸ナトリウム、濃硫酸を用いてジアゾニウム塩にし、ヨウ化カリウムを用いてヨウ素に置換させることによって得られる。また、２，７−ジヨード−９，９−ジメチルフルオレンは、フルオレンを、オルト過ヨウ素酸を用いて２位、７位をヨウ素化し、続いてジメチルスルホキシド（略称：ＤＭＳＯ）中水酸化ナトリウム水溶液、ベンジルトリメチルアンモニウムクロリド、ヨードメタンを用いて９位をジメチル化することで得られる。
【００４９】
以上に説明したような本発明のアントラセン誘導体は、酸化反応の繰り返しに対し耐性を有する。また、酸化反応の繰り返しに対する耐性を有すると共に還元反応の繰り返しに対しても耐性を有する場合がある。また、以上に説明した本発明のアントラセン誘導体は、青色系の発光を呈することができる。その為、青色系の発光素子を作製する為の発光物質として用いることができる。また、以上に説明した本発明のアントラセン誘導体は、ＨＯＭＯ準位とＬＵＭＯ準位との間のエネルギーギャップが大きい。その為、赤色系から青色系の発光色を呈する発光物質を分散状態にする為の物質、所謂ホストとして用いることができる。本発明のアントラセン誘導体を発光物質若しくはホストとして用いることによって、酸化反応の繰り返しに起因したホストの性質の変化が少なく、発光時間の蓄積に伴った駆動電圧の増加等が低減された発光素子を得ることができる。
【００５０】
（実施の形態２）
本発明のアントラセン誘導体を発光物質として用いた発光素子の態様について、図１を用いて説明する。
【００５１】
図１には、第１の電極１０１と第２の電極１０２との間に発光層１１３を有する発光素子が表されている。そして、発光層１１３には、一般式（１）〜（８）、構造式（１）〜（４０）のいずれかの式で表される本発明のアントラセン誘導体が含まれている。
【００５２】
このような発光素子において、第１の電極１０１側から注入された正孔と、第２の電極１０２側から注入された電子とは、発光層１１３において再結合し、本発明のアントラセン誘導体を励起状態にする。そして、励起状態の本発明のアントラセン誘導体は基底状態に戻るときに発光する。このように、本発明のアントラセン誘導体は発光物質として機能する。
【００５３】
ここで、発光層１１３は、一般式（１）〜（８）、構造式（１）〜（４０）のいずれかの式で表される本発明のアントラセン誘導体が、本発明のアントラセン誘導体の有するエネルギーギャップよりも大きいエネルギーギャップを有する物質からなる層中に、分散して含まれた層であることが好ましい。これによって、本発明のアントラセン誘導体からの発光が、濃度に起因して消光してしまうことを防ぐことができる。なお、エネルギーギャップとはＬＵＭＯ準位とＨＯＭＯ準位との間のエネルギーギャップを言う。
【００５４】
本発明のアントラセン誘導体を分散状態にするために用いる物質について特に限定はないが、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）などのアントラセン誘導体や、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）等のカルバゾール誘導体の他、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ピリジナト］亜鉛（略称：Ｚｎｐｐ２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）等の金属錯体等が好ましい。これらの物質の中から一または二以上の物質を選択して本発明のアントラセン誘導体が分散状態となるように混合すればよい。このような複数の化合物が混合された層は、共蒸着法を用いて形成することができる。ここで、共蒸着とは、一つの処理室内に設けられた複数の蒸着源からそれぞれ原料を気化させ、気化した原料を気相状態で混合し、被処理物上に堆積させる蒸着法をいう。
【００５５】
また、第１の電極１０１と第２の電極１０２とについて特に限定はなく、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、または酸化珪素を含むインジウム錫酸化物、２〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を含む酸化インジウムの他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）等を用いて形成することができる。また、アルミニウムの他、マグネシウムと銀との合金、アルミニウムとリチウムとの合金等も第１の電極１０１を形成するのに用いることができる。なお、第１の電極１０１及び第２の電極１０２の形成方法について特に限定はなく、例えばスパッタ法や蒸着法等を用いて形成することができる。なお、発光した光を外部に取り出すために、第１の電極１０１と第２の電極１０２のいずれか一または両方は、インジウム錫酸化物等を用いて、若しくは銀、アルミニウム等を数ｎｍ〜数十ｎｍの厚さとなるように成膜して、可視光が透過できるように、形成することが好ましい。
【００５６】
また、第１の電極１０１と発光層１１３との間には、図１に示すように、正孔輸送層１１２を設けてもよい。ここで、正孔輸送層とは、第１の電極１０１側から注入された正孔を発光層１１３へ輸送する機能を有する層である。このように、正孔輸送層１１２を設けることによって、第１の電極１０１と発光層１１３との距離を離すことができ、その結果、第１の電極１０１に含まれている金属に起因して発光が消光することを防ぐことができる。正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を用いて形成することが好ましく、特に１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質を用いて形成することが好ましい。なお、正孔輸送性の高い物質とは、電子よりも正孔の移動度が高く、電子の移動度に対する正孔の移動度の比の値（＝正孔移動度／電子移動度）が１００よりも大きい物質をいう。正孔輸送層１１２を形成するのに用いることができる物質の具体例としては、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス｛Ｎ−［４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｍ−トリルアミノ）フェニル］−Ｎ−フェニルアミノ｝ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ，Ｎ−ジ（ｍ−トリル）アミノ］ベンゼン（略称：ｍ−ＭＴＤＡＢ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）、銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）、バナジルフタロシアニン（略称：ＶＯＰｃ）等が挙げられる。また、正孔輸送層１１２は、以上に述べた物質から成る層を二以上組み合わせて形成した多層構造の層であってもよい。
【００５７】
また、第２の電極１０２と発光層１１３との間には、図１に示すように、電子輸送層１１４を有していてもよい。ここで、電子輸送層とは、第２の電極１０２から注入された電子を発光層１１３へ輸送する機能を有する層である。このように、電子輸送層１１４を設けることによって、第２の電極１０２と発光層１１３との距離を離すことができ、その結果、第２の電極１０２に含まれている金属に起因して発光が消光することを防ぐことができる。電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を用いて形成することが好ましく、特に１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質を用いて形成することが好ましい。なお、電子輸送性の高い物質とは、正孔よりも電子の移動度が高く、正孔の移動度に対する電子の移動度の比の値（＝電子移動度／正孔移動度）が１００よりも大きい物質をいう。電子輸送層１１４を形成するのに用いることができる物質の具体例としては、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］−キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）等の金属錯体の他、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４−ビス（５−メチルベンズオキサゾル−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）等が挙げられる。また、電子輸送層１１４は、以上に述べた物質から成る層を二以上組み合わせて形成した多層構造の層であってもよい。
【００５８】
なお、正孔輸送層１１２と電子輸送層１１４とは、それぞれ、先に記載した物質の他、バイポーラ性の物質を用いて形成してもよい。バイポーラ性の物質とは、電子または正孔のいずれか一方のキャリアの移動度と他方のキャリアの移動度とを比較したときに、一方のキャリアの移動度に対する他方のキャリアの移動度の比の値が１００以下、好ましくは１０以下である物質をいう。バイポーラ性の物質として、例えば、２，３−ビス（４−ジフェニルアミノフェニル）キノキサリン（略称：ＴＰＡＱｎ）等が挙げられる。バイポーラ性の物質の中でも特に、正孔及び電子の移動度が１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の物質を用いることが好ましい。また同一のバイポーラ性の物質を用いて、正孔輸送層１１２と電子輸送層１１４とを形成しても構わない。
【００５９】
さらに、第１の電極１０１と正孔輸送層１１２との間には、図１に示すように、正孔注入層１１１を有していてもよい。正孔注入層１１１は、第１の電極１０１から正孔輸送層１１２へ正孔の注入を補助する機能を有する層である。正孔注入層１１１を設けることによって、第１の電極１０１と正孔輸送層１１２との間のイオン化ポテンシャルの差が緩和され、正孔が注入され易くなる。正孔注入層１１１は、正孔輸送層１１２を形成している物質よりもイオン化ポテンシャルが小さく、第１の電極１０１を形成している物質よりもイオン化ポテンシャルが大きい物質、または正孔輸送層１１２と第１の電極１０１との間に１〜２ｎｍの薄膜として設けたときにエネルギーバンドが曲がるような物質を用いて形成することが好ましい。正孔注入層１１１を形成するのに用いることのできる物質の具体例として、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物、或いはポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）水溶液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等が挙げられる。つまり、正孔注入層１１１におけるイオン化ポテンシャルが正孔輸送層１１２におけるイオン化ポテンシャルよりも相対的に小さくなるような物質を正孔輸送性を有する物質の中から選択することによって、正孔注入層１１１を形成することができる。なお、正孔注入層１１１を設ける場合、第１の電極１０１は、インジウム錫酸化物等の仕事関数の高い物質を用いて形成することが好ましい。
【００６０】
また、第２の電極１０２と電子輸送層１１４との間には、図１に示すように、電子注入層１１５を有していてもよい。ここで、電子注入層１１５は、第２の電極１０２から電子輸送層１１４へ電子の注入を補助する機能を有する層である。電子注入層１１５を設けることによって、第２の電極１０２と電子輸送層１１４との間の電子親和力の差が緩和され、電子が注入され易くなる。電子注入層１１５は、電子輸送層１１４を形成している物質よりも電子親和力が大きく第２の電極１０２を形成している物質よりも電子親和力が小さい物質、または電子輸送層１１４と第２の電極１０２との間に１〜２ｎｍの薄膜として設けたときにエネルギーバンドが曲がるような物質を用いて形成することが好ましい。電子注入層１１５を形成するのに用いることのできる物質の具体例として、アルカリ金属またはアルカリ土類金属、アルカリ金属のフッ化物、アルカリ土類金属のフッ化物、アルカリ金属の酸化物、アルカリ土類金属の酸化物等の無機物が挙げられる。また、無機物の他、ＢＰｈｅｎ、ＢＣＰ、ｐ−ＥｔＴＡＺ、ＴＡＺ、ＢｚＯｓ等の電子輸送層１１４を形成するのに用いることのできる物質も、これらの物質の中から、電子輸送層１１４の形成に用いる物質よりも電子親和力が大きい物質を選択することによって、電子注入層１１５を形成する物質として用いることができる。つまり、電子注入層１１５における電子親和力が電子輸送層１１４における電子親和力よりも相対的に大きくなるような物質を電子輸送性を有する物質の中から選択することによって、電子注入層１１５を形成することができる。なお、電子注入層１１５を設ける場合、第１の電極１０１は、アルミニウム等の仕事関数の低い物質を用いて形成することが好ましい。
【００６１】
以上に述べた本発明の発光素子において、正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、電子輸送層１１４、電子注入層１１５は、それぞれ、蒸着法、またはインクジェット法、または塗布法等、いずれの方法で形成しても構わない。また、第１の電極１０１または第２の電極１０２についても、スパッタリング法または蒸着法等、いずれの方法を用いて形成しても構わない。
【００６２】
また、正孔注入層１１１に換えて正孔発生層を設けてもよいし、または電子注入層１１５に換えて電子発生層を設けてもよい。
【００６３】
ここで、正孔発生層とは、正孔を発生する層である。電子よりも正孔の移動度が高い物質と、当該電子よりも正孔の移動度が高い物質に対して電子受容性を示す物質とを混合することによって正孔発生層を形成することができる。また、バイポーラ性の物質の中から選ばれた少なくとも一の物質と、当該バイポーラ性の物質に対して電子受容性を示す物質とを混合することによっても正孔発生層を形成することができる。ここで、電子よりも正孔の移動度が高い物質としては、正孔輸送層１１２を形成するのに用いることのできる物質と同様の物質を用いることができる。また、バイポーラ性の物質についても、ＴＰＡＱｎ等のバイポーラ性の物質を用いることができる。また、電子よりも正孔の移動度が高い物質及びバイポーラ性の物質の中でも特にトリフェニルアミンを骨格に含む物質を用いることが好ましい。トリフェニルアミンを骨格に含む物質を用いることによって、正孔をより発生し易くなる。また、電子受容性を示す物質としては、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、レニウム酸化物等の金属酸化物を用いることが好ましい。
【００６４】
また、電子発生層とは、電子を発生する層である。正孔よりも電子の移動度が高い物質と、当該正孔よりも電子の移動度が高い物質に対して電子供与性を示す物質とを混合することによって電子発生層を形成することができる。また、バイポーラ性の物質の中から選ばれた少なくとも一の物質と、当該バイポーラ性の物質に対して電子供与性を示す物質とを混合することによっても電子発生層を形成することができる。ここで、正孔よりも電子の移動度が高い物質としては電子輸送層１１４を形成するのに用いることのできる物質と同様の物質を用いることができる。また、バイポーラ性の物質についても、ＴＰＡＱｎ等の先に記載したバイポーラ性の物質を用いることができる。また、電子供与性を示す物質としては、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の中から選ばれた物質、具体的にはリチウム酸化物（Ｌｉ２Ｏ）、カルシウム酸化物（ＣａＯ）、ナトリウム酸化物（Ｎａ２Ｏ）、カリウム酸化物（Ｋ２Ｏ）、マグネシウム酸化物（ＭｇＯ）等から選ばれる少なくとも一の物質も電子供与性を示す物質として用いることができる。また、アルカリ金属フッ化物、アルカリ土類金属フッ化物、具体的には、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）等から選ばれる少なくとも一の物質も電子供与性を示す物質として用いることができる。また、アルカリ金属窒化物、アルカリ土類金属窒化物等、具体的には、窒化カルシウム、窒化マグネシウム等から選ばれる少なくとも一の物質も電子供与性を示す物質として用いることができる。
【００６５】
以上のような構成を有する本発明の発光素子は、本発明のアントラセン誘導体を用いているため、酸化反応の繰り返しによる発光物質の性質の変化に伴った発光素子の特性変化が少なく、長期間、安定な発光を呈することができる。また、 以上のような構成を有する本発明の発光素子は、本発明のアントラセン誘導体を用いているため、効率よく発光することができる。
【００６６】
（実施の形態３）
本発明のアントラセン誘導体は、発光物質と共に発光層に含ませ、発光物質を分散状態にするための物質、所謂ホストとして用いることができる。本形態では、本発明のアントラセン誘導体をホストとして用いた発光素子の態様について図２を用いて説明する。
【００６７】
図２には、第１の電極２０１と第２の電極２０２との間に発光層２１３を有する発光素子が示されている。第１の電極２０１と発光層２１３との間には、正孔注入層２１１、正孔輸送層２１２が設けられ、第２の電極２０２と発光層２１３との間には電子輸送層２１４、電子注入層２１５が設けられている。なお、発光素子の積層構造について特に限定はなく、正孔注入層２１１、正孔輸送層２１２、電子輸送層２１４、電子注入層２１５、これら以外の層を設けるか否かについては発明の実施者が適宜選択すればよい。また正孔注入層２１１、正孔輸送層２１２、電子輸送層２１４、電子注入層２１５については、それぞれ実施の形態２に記載の正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、電子輸送層１１４、電子注入層１１５と同様でよい為、本形態ではこれらの層に関する説明を省略する。また、第１の電極２０１、第２の電極２０２についても、それぞれ実施の形態１に示した第１の電極１０１、第２の電極１０２と同様でよい為、説明を省略する。
【００６８】
本形態の発光素子において、発光層２１３には、本発明のアントラセン誘導体と、４５０ｎｍ〜７００ｎｍ、好ましくは４８０ｎｍ〜６００ｎｍの帯域に発光スペクトルのピークを有する発光物質とが含まれている。より具体的に述べると、発光物質は、本発明のアントラセン誘導体から成る層に分散するように含まれている。このように、これらの物質と本発明のアントラセン誘導体とを組み合わせて用いることによって、ホストからの発光が混ざり難く、発光物質に由来した発光を選択的に取り出すことのできる発光素子を得ることができる。
【００６９】
また、本発明のアントラセン誘導体は、酸化反応の繰り返しに対し耐性を有する。また、酸化反応の繰り返しに対する耐性を有すると共に還元反応の繰り返しに対しても耐性を有する場合がある。そのため、特に、ホストが励起され、生じた励起エネルギーが発光物質に移動することによって発光するような発光素子においては、酸化反応の繰り返しに起因したホストの性質の変化が少なく、発光時間の蓄積に伴った駆動電圧の増加等が低減された発光素子を得ることができる。
【００７０】
（実施の形態４）
実施の形態２、３において説明した本発明の発光素子は、酸化反応の繰り返しに耐性を有し（さらに、還元反応の繰り返しにも耐性を有する場合がある）、長期間、良好な状態で発光させることができる為、本発明の発光素子を用いることによって、長期間に渡り、良好な表示画像等を提供することができる発光装置を得ることができる。
【００７１】
本形態では、表示機能を有する発光装置の回路構成および駆動方法について図３〜６を用いて説明する。
【００７２】
図３は本発明を適用した発光装置を上面からみた模式図である。図３において、基板６５００上には、画素部６５１１と、ソース信号線駆動回路６５１２と、書込用ゲート信号線駆動回路６５１３と、消去用ゲート信号線駆動回路６５１４とが設けられている。ソース信号線駆動回路６５１２と、書込用ゲート信号線駆動回路６５１３と、消去用ゲート信号線駆動回路６５１４とは、それぞれ、配線群を介して、外部入力端子であるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）６５０３と接続している。そして、ソース信号線駆動回路６５１２と、書込用ゲート信号線駆動回路６５１３と、消去用ゲート信号線駆動回路６５１４とは、それぞれ、ＦＰＣ６５０３からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。またＦＰＣ６５０３にはプリント配線基盤（ＰＷＢ）６５０４が取り付けられている。なお、駆動回路部は、上記のように必ずしも画素部６５１１と同一基板上に設けられている必要はなく、例えば、配線パターンが形成されたＦＰＣ上にＩＣチップを実装したもの（ＴＣＰ）等を利用し、基板外部に設けられていてもよい。
【００７３】
画素部６５１１には、列方向に延びた複数のソース信号線が行方向に並んで配列している。また、電流供給線が行方向に並んで配列している。また、画素部６５１１には、行方向に延びた複数のゲート信号線が列方向に並んで配列している。また画素部６５１１には、発光素子を含む一組の回路が複数配列している。
【００７４】
図４は、一画素を動作するための回路を表した図である。図４に示す回路には、第１のトランジスタ９０１と第２のトランジスタ９０２と発光素子９０３とが含まれている。
【００７５】
第１のトランジスタ９０１と、第２のトランジスタ９０２とは、それぞれ、ゲート電極と、ドレイン領域と、ソース領域とを含む三端子の素子であり、ドレイン領域とソース領域の間にチャネル領域を有する。ここで、ソース領域とドレイン領域とは、トランジスタの構造や動作条件等によって変わるため、いずれがソース領域またはドレイン領域であるかを限定することが困難である。そこで、本形態においては、ソースまたはドレインとして機能する領域を、それぞれ第１電極、第２電極と表記する。
【００７６】
ゲート信号線９１１と、書込用ゲート信号線駆動回路９１３とはスイッチ９１８によって電気的に接続または非接続の状態になるように設けられている。また、ゲート信号線９１１と、消去用ゲート信号線駆動回路９１４とはスイッチ９１９によって電気的に接続または非接続の状態になるように設けられている。また、ソース信号線９１２は、スイッチ９２０によってソース信号線駆動回路９１５または電源９１６のいずれかに電気的に接続するように設けられている。そして、第１のトランジスタ９０１のゲートはゲート信号線９１１に電気的に接続している。また、第１のトランジスタの第１電極はソース信号線９１２に電気的に接続し、第２電極は第２のトランジスタ９０２のゲート電極と電気的に接続している。第２のトランジスタ９０２の第１電極は電流供給線９１７と電気的に接続し、第２電極は発光素子９０３に含まれる一の電極と電気的に接続している。なお、スイッチ９１８は、書込用ゲート信号線駆動回路９１３に含まれていてもよい。またスイッチ９１９についても消去用ゲート信号線駆動回路９１４の中に含まれていてもよい。また、スイッチ９２０についてもソース信号線駆動回路９１５の中に含まれていてもよい。
【００７７】
また画素部におけるトランジスタや発光素子等の配置について特に限定はないが、例えば図５の上面図に表すように配置することができる。図５において、第１のトランジスタ１００１の第１電極はソース信号線１００４に接続し、第２の電極は第２のトランジスタ１００２のゲート電極に接続している。また第２トランジスタの第１電極は電流供給線１００５に接続し、第２電極は発光素子の電極１００６に接続している。ゲート信号線１００３の一部は第１のトランジスタ１００１のゲート電極として機能する。
【００７８】
次に、駆動方法について説明する。図６は時間経過に伴ったフレームの動作について説明する図である。図６において、横方向は時間経過を表し、縦方向はゲート信号線の走査段数を表している。
【００７９】
本発明の発光装置を用いて画像表示を行うとき、表示期間においては、画面の書き換え動作が繰り返し行われる。この書き換え回数について特に限定はないが、画像をみる人がちらつき（フリッカ）を感じないように少なくとも１秒間に６０回程度とすることが好ましい。ここで、一画面（１フレーム）の書き換え動作を行う期間を１フレーム期間という。
【００８０】
１フレームは、図６に示すように、書き込み期間５０１ａ、５０２ａ、５０３ａ、５０４ａと保持期間５０１ｂ、５０２ｂ、５０３ｂ、５０４ｂとを含む４つのサブフレーム５０１、５０２、５０３、５０４に時分割されている。発光するための信号を与えられた発光素子は、保持期間において発光状態となっている。各々のサブフレームにおける保持期間の長さの比は、第１のサブフレーム５０１：第２のサブフレーム５０２：第３のサブフレーム５０３：第４のサブフレーム５０４＝２３：２２：２１：２０＝８：４：２：１となっている。これによって４ビット階調を表現することができる。但し、ビット数及び階調数はここに記すものに限定されず、例えば８つのサブフレームを設け８ビット階調を行えるようにしてもよい。
【００８１】
１フレームにおける動作について説明する。まず、サブフレーム５０１において、１行目から最終行まで順に書き込み動作が行われる。従って、行によって書き込み期間の開始時間が異なる。書き込み期間５０１ａが終了した行から順に保持期間５０１ｂへと移る。当該保持期間において、発光するための信号を与えられている発光素子は発光状態となっている。また、保持期間５０１ｂが終了した行から順に次のサブフレーム５０２へ移り、サブフレーム５０１の場合と同様に１行目から最終行まで順に書き込み動作が行われる。以上のような動作を繰り返し、サブフレーム５０４の保持期間５０４ｂ迄終了する。サブフレーム５０４における動作を終了したら次のフレームへ移る。このように、各サブフレームにおいて発光した時間の積算時間が、１フレームにおける各々の発光素子の発光時間となる。この発光時間を発光素子ごとに変えて一画素内で様々に組み合わせることによって、明度および色度の異なる様々な表示色を形成することができる。
【００８２】
サブフレーム５０４のように、最終行目までの書込が終了する前に、既に書込を終え、保持期間に移行した行における保持期間を強制的に終了させたいときは、保持期間５０４ｂの後に消去期間５０４ｃを設け、強制的に非発光の状態となるように制御することが好ましい。そして、強制的に非発光状態にした行については、一定期間、非発光の状態を保つ（この期間を非発光期間５０４ｄとする。）。そして、最終行目の書込期間が終了したら直ちに、一行目から順に次のサブフレーム（またはフレーム）の書込期間に移行する。これによって、サブフレーム５０４の書き込み期間と、その次のサブフレームの書き込み期間とが重畳することを防ぐことができる。
【００８３】
なお、本形態では、サブフレーム５０１乃至５０４は保持期間の長いものから順に並んでいるが、必ずしも本実施例のような並びにする必要はなく、例えば保持期間の短いものから順に並べられていてもよいし、または保持期間の長いものと短いものとがランダムに並んでいてもよい。また、サブフレームは、さらに複数のフレームに分割されていてもよい。つまり、同じ映像信号を与えている期間、ゲート信号線の走査を複数回行ってもよい。
【００８４】
ここで、書込期間および消去期間における、図４で示す回路の動作について説明する。
【００８５】
まず書込期間における動作について説明する。書込期間において、ｎ行目（ｎは自然数）のゲート信号線９１１は、スイッチ９１８を介して書込用ゲート信号線駆動回路９１３と電気的に接続し、消去用ゲート信号線駆動回路９１４とは非接続である。また、ソース信号線９１２はスイッチ９２０を介してソース信号線駆動回路と電気的に接続している。ここで、ｎ行目（ｎは自然数）のゲート信号線９１１に接続した第１のトランジスタ９０１のゲートに信号が入力され、第１のトランジスタ９０１はオンとなる。そして、この時、１列目から最終列目迄のソース信号線に同時に映像信号が入力される。なお、各列のソース信号線９１２から入力される映像信号は互いに独立したものである。ソース信号線９１２から入力された映像信号は、各々のソース信号線に接続した第１のトランジスタ９０１を介して第２のトランジスタ９０２のゲート電極に入力される。この時第２のトランジスタ９０２に入力された信号によって、電流供給線９１７から発光素子９０３へ供給される電流値が決まる。そして、その電流値に依存して発光素子９０３は発光または非発光が決まる。例えば、第２のトランジスタ９０２がＰチャネル型である場合は、第２のトランジスタ９０２のゲート電極にＬｏｗ Ｌｅｖｅｌの信号が入力されることによって発光素子９０３が発光する。一方、第２のトランジスタ９０２がＮチャネル型である場合は、第２のトランジスタ９０２のゲート電極にＨｉｇｈ Ｌｅｖｅｌの信号が入力されることによって発光素子９０３が発光する。
【００８６】
次に消去期間における動作について説明する。消去期間において、ｎ行目（ｎは自然数）のゲート信号線９１１は、スイッチ９１９を介して消去用ゲート信号線駆動回路９１４と電気的に接続し、書込用ゲート信号線駆動回路９１３とは非接続である。また、ソース信号線９１２はスイッチ９２０を介して電源９１６と電気的に接続している。ここで、ｎ行目のゲート信号線９１１に接続した第１のトランジスタ９０１のゲートに信号が入力され、第１のトランジスタ９０１はオンとなる。そして、この時、１列目から最終列目迄のソース信号線に同時に消去信号が入力される。ソース信号線９１２から入力された消去信号は、各々のソース信号線に接続した第１のトランジスタ９０１を介して第２のトランジスタ９０２のゲート電極に入力される。この時第２のトランジスタ９０２に入力された信号によって、電流供給線９１７から発光素子９０３への電流の供給が阻止される。そして、発光素子９０３は強制的に非発光となる。例えば、第２のトランジスタ９０２がＰチャネル型である場合は、第２のトランジスタ９０２のゲート電極にＨｉｇｈ Ｌｅｖｅｌの信号が入力されることによって発光素子９０３は非発光となる。一方、第２のトランジスタ９０２がＮチャネル型である場合は、第２のトランジスタ９０２のゲート電極にＬｏｗ Ｌｅｖｅｌの信号が入力されることによって発光素子９０３は非発光となる。
【００８７】
なお、消去期間では、ｎ行目（ｎは自然数）については、以上に説明したような動作によって消去する為の信号を入力する。しかし、前述のように、ｎ行目が消去期間であると共に、他の行（ｍ行目（ｍは自然数）とする。）については書込期間となる場合がある。このような場合、同じ列のソース信号線を利用してｎ行目には消去の為の信号を、ｍ行目には書込の為の信号を入力する必要があるため、以下に説明するような動作させることが好ましい。
【００８８】
先に説明した消去期間における動作によって、ｎ行目の発光素子９０３が非発光となった後、直ちに、ゲート信号線９１１と消去用ゲート信号線駆動回路９１４とを非接続の状態とすると共に、スイッチ９２０を切り替えてソース信号線９１２とソース信号線駆動回路９１５と接続させる。そして、ソース信号線とソース信号線駆動回路９１５とを接続させる共に、ゲート信号線９１１と書込用ゲート信号線駆動回路９１３とを接続させる。そして、書込用ゲート信号線駆動回路９１３からｍ行目の信号線に選択的に信号が入力され、第１のトランジスタがオンすると共に、ソース信号線駆動回路９１５からは、１列目から最終列目迄のソース信号線に書込の為の信号が入力される。この信号によって、ｍ行目の発光素子は、発光または非発光となる。
【００８９】
以上のようにしてｍ行目について書込期間を終えたら、直ちに、ｎ＋１行目の消去期間に移行する。その為に、ゲート信号線９１１と書込用ゲート信号線駆動回路９１３を非接続とすると共に、スイッチ９２０を切り替えてソース信号線を電源９１６と接続する。また、ゲート信号線９１１と書込用ゲート信号線駆動回路９１３を非接続とすると共に、ゲート信号線９１１については、消去用ゲート信号線駆動回路９１４と接続状態にする。そして、消去用ゲート信号線駆動回路９１４からｎ＋１行目のゲート信号線に選択的に信号を入力して第１のトランジスタに信号をオンする共に、電源９１６から消去信号が入力される。このようにして、ｎ＋１行目の消去期間を終えたら、直ちに、ｍ＋１行目の書込期間に移行する。以下、同様に、消去期間と書込期間とを繰り返し、最終行目の消去期間まで動作させればよい。
【００９０】
なお、本形態では、ｎ行目の消去期間とｎ＋１行目の消去期間との間にｍ行目の書込期間を設ける態様について説明したが、これに限らず、ｎ−１行目の消去期間とｎ行目の消去期間との間にｍ行目の書込期間を設けてもよい。
【００９１】
また、本形態では、サブフレーム５０４のように非発光期間５０４ｄを設けるときにおいて、消去用ゲート信号線駆動回路９１４と或る一のゲート信号線とを非接続状態にすると共に、書込用ゲート信号線駆動回路９１３と他のゲート信号線とを接続状態にする動作を繰り返している。このような動作は、特に非発光期間を設けないフレームにおいて行っても構わない。
【００９２】
（実施の形態５）
発光素子の発光、非発光を制御する機能を有する回路は、必ずしも図４で表したものに限定されない。例えば図７に示すような回路であってもよい。
【００９３】
図７において第１のトランジスタ２１０１、第２のトランジスタ２１０３、消去ダイオード２１１１、発光素子２１０４が配置されている。第１のトランジスタ２１０１のソースとドレインは各々、信号線２１０５と第２のトランジスタ２１０３のゲートに接続されている。第１のトランジスタ２１０１のゲートは、第１ゲート線２１０７に接続されている。第２のトランジスタ２１０３のソースとドレインは各々、電源線２１０６と発光素子２１０４に接続されている。消去ダイオード２１１１は、第２のトランジスタ２１０３のゲートと第２ゲート線２１１７に接続されている。
【００９４】
保持容量２１０２は、第２のトランジスタ２１０３のゲート電位を保持する機能を有している。よって、第２のトランジスタ２１０３のゲートと電源線２１０６の間に接続されているが、保持容量２１０２を設ける位置はこれに限定されない。第２のトランジスタ２１０３のゲート電位を保持できるように配置されていればよい。また、第２のトランジスタ２１０３のゲート容量などを用いて、第２のトランジスタ２１０３のゲート電位を保持できる場合は、保持容量２１０２を省いても良い。
【００９５】
動作方法としては、第１ゲート線２１０７を選択して、第１のトランジスタ２１０１をオン状態にして、信号線２１０５から信号を保持容量２１０２に入力する。すると、その信号に応じて、第２のトランジスタ２１０３の電流が制御され、第１電源線２１０６から、発光素子２１０４を通って、第２電源線２１０８に電流が流れる。
【００９６】
信号を消去したい場合は、第２ゲート線２１１７を選択（ここでは、高い電位にする）して、消去ダイオード２１１１がオンして、第２ゲート線２１１７から第２のトランジスタ２１０３のゲートへ電流が流れるようにする。その結果、第２のトランジスタ２１０３がオフ状態になる。すると、第１電源線２１０６から、発光素子２１０４を通って、第２電源線２１０８には、電流が流れないようになる。その結果、非点灯期間を作ることができ、点灯期間の長さを自由に制御できるようになる。
【００９７】
信号を保持しておきたい場合は、第２ゲート線２１１７を非選択（ここでは、低い電位にする）しておく。すると、消去ダイオード２１１１がオフするので、第２のトランジスタ２１０３のゲート電位は保持される。
【００９８】
なお、消去ダイオード２１１１は、整流性がある素子であれば、なんでもよい。ＰＮ型ダイオードでもよいし、ＰＩＮ型ダイオードでもよいし、ショットキー型ダイオードでもよいし、ツェナー型ダイオードでもよい。
【００９９】
また、トランジスタを用いて、ダイオード接続（ゲートとドレインを接続）して、用いても良い。Ｐチャネル型を用いても良い。
【０１００】
（実施の形態６）
本発明の発光素子を含む発光装置の断面図の一態様について、図８を用いて説明する。
【０１０１】
図８において、点線で囲まれているのは、本発明の発光素子１２を駆動するために設けられているトランジスタ１１である。発光素子１２は、第１の電極１３と第２の電極１４との間に発光層１５を有する本発明の発光素子である。トランジスタ１１のドレインと第１の電極１３とは、第１層間絶縁膜１６ａ、１６ｂ、１６ｃを貫通している配線１７によって電気的に接続されている。また、発光素子１２は、隔壁層１８によって、隣接して設けられている別の発光素子と分離されている。このような構成を有する本発明の発光装置は、本形態において、基板１０上に設けられている。
【０１０２】
なお、図８に示されたトランジスタ１１は、半導体層を中心として基板と逆側にゲート電極が設けられたトップゲート型のものである。但し、トランジスタ１１の構造については、特に限定はなく、例えばボトムゲート型のものでもよい。またボトムゲートの場合には、チャネルを形成する半導体層の上に保護膜が形成されたもの（チャネル保護型）でもよいし、或いはチャネルを形成する半導体層の一部が凹状になったもの（チャネルエッチ型）でもよい。
【０１０３】
また、トランジスタ１１を構成する半導体層は、結晶性、非結晶性のいずれのものでもよい。また、セミアモルファス等でもよい。
【０１０４】
なお、セミアモルファス半導体とは、次のようなものである。非晶質と結晶構造（単結晶、多結晶を含む）の中間的な構造を有し、自由エネルギー的に安定な第３の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する結晶質な領域を含んでいるものである。また少なくとも膜中の一部の領域には、０．５〜２０ｎｍの結晶粒を含んでいる。ラマンスペクトルが５２０ｃｍ−１よりも低波数側にシフトしている。Ｘ線回折ではＳｉ結晶格子に由来するとされる（１１１）、（２２０）の回折ピークが観測される。未結合手（ダングリングボンド）終端する為に水素またはハロゲンを少なくとも１原子％またはそれ以上含ませている。所謂微結晶半導体（マイクロクリスタル半導体）とも言われている。ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＣｌ４、またはＳｉＦ４等のガスをグロー放電分解（プラズマＣＶＤ）して形成する。これらのガスをＨ２、又は、Ｈ２とＨｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｎｅから選ばれた一種または複数種の希ガス元素で希釈しても良い。希釈率は２〜１０００倍の範囲。圧力は概略０．１Ｐａ〜１３３Ｐａの範囲、電源周波数は１ＭＨｚ〜１２０ＭＨｚ、好ましくは１３ＭＨｚ〜６０ＭＨｚ。基板加熱温度は３００℃以下でよく、好ましくは１００〜２５０℃、膜中の不純物元素として、酸素、窒素、炭素などの大気成分の不純物は１×１０２０／ｃｍ３以下とすることが望ましく、特に、酸素濃度は５×１０１９／ｃｍ３以下、好ましくは１×１０１９／ｃｍ３以下とする。
【０１０５】
また、半導体層が結晶性のものの具体例としては、単結晶または多結晶性の珪素、或いはシリコンゲルマニウム等から成るものが挙げられる。これらはレーザー結晶化によって形成されたものでもよいし、例えばニッケル等を用いた固相成長法による結晶化によって形成されたものでもよい。
【０１０６】
なお、半導体層が非晶質の物質、例えばアモルファスシリコンで形成される場合には、トランジスタ１１およびその他のトランジスタ（発光素子を駆動するための回路を構成するトランジスタ）は全てＮチャネル型トランジスタで構成された回路を有する発光装置であることが好ましい。それ以外については、Ｎチャネル型またはＰチャネル型のいずれか一のトランジスタで構成された回路を有する発光装置でもよいし、両方のトランジスタで構成された回路を有する発光装置でもよい。
【０１０７】
さらに、第１層間絶縁膜１６は、図８（Ａ）、（Ｃ）に示すように多層でもよいし、または単層でもよい。なお、第１層間絶縁膜１６ａは酸化珪素や窒化珪素のような無機物から成り、第１層間絶縁膜１６ｂはアクリルやシロキサン（シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、水素、またはアルキル基等の有機基を置換基として有する化合物）、塗布成膜可能な酸化珪素等の自己平坦性を有する物質から成る。さらに、第１層間絶縁膜１６ｃはアルゴン（Ａｒ）を含む窒化珪素膜から成る。なお、各層を構成する物質については、特に限定はなく、ここに述べたもの以外のものを用いてもよい。また、これら以外の物質から成る層をさらに組み合わせてもよい。このように、第１層間絶縁膜１６ａ、１６ｂ、１６ｃは、無機物または有機物の両方を用いて形成されたものでもよいし、または無機膜と有機膜のいずれか一で形成されたものでもよい。
【０１０８】
隔壁層１８は、エッジ部において、曲率半径が連続的に変化する形状であることが好ましい。また隔壁層１８は、アクリルやシロキサン、レジスト、酸化珪素等を用いて形成される。なお隔壁層１８は、無機膜と有機膜のいずれか一で形成されたものでもよいし、または両方を用いて形成されたものでもよい。
【０１０９】
なお、図８（Ａ）、（Ｃ）では、第１層間絶縁膜１６ａ、１６ｂ、１６ｃのみがトランジスタ１１と発光素子１２の間に設けられた構成であるが、図８（Ｂ）のように、第１層間絶縁膜１６（１６ａ、１６ｂ）の他、第２層間絶縁膜１９が設けられた構成のものであってもよい。図８（Ｂ）に示す発光装置においては、第１の電極１３は第２層間絶縁膜１９を貫通し、配線１７と接続している。
【０１１０】
第２層間絶縁膜１９ａ、１９ｂは、第１層間絶縁膜１６と同様に、多層でもよいし、または単層でもよい。第２層間絶縁膜１９ａはアクリルやシロキサン、塗布成膜可能な酸化珪素等の自己平坦性を有する物質から成る。さらに、第２層間絶縁膜１９ｂはアルゴン（Ａｒ）を含む窒化珪素膜から成る。なお、各層を構成する物質については、特に限定はなく、ここに述べたもの以外のものを用いてもよい。また、これら以外の物質から成る層をさらに組み合わせてもよい。このように、第２層間絶縁膜１９ａ、１９ｂは、無機物または有機物の両方を用いて形成されたものでもよいし、または無機膜と有機膜のいずれか一で形成されたものでもよい。
【０１１１】
発光素子１２において、第１の電極および第２の電極がいずれも透光性を有する物質で構成されている場合、図８（Ａ）の白抜きの矢印で表されるように、第１の電極１３側と第２の電極１４側の両方から発光を取り出すことができる。また、第２の電極１４のみが透光性を有する物質で構成されている場合、図８（Ｂ）の白抜きの矢印で表されるように、第２の電極１４側のみから発光を取り出すことができる。この場合、第１の電極１３は反射率の高い材料で構成されているか、または反射率の高い材料から成る膜（反射膜）が第１の電極１３の下方に設けられていることが好ましい。また、第１の電極１３のみが透光性を有する物質で構成されている場合、図８（Ｃ）の白抜きの矢印で表されるように、第１の電極１３側のみから発光を取り出すことができる。この場合、第２の電極１４は反射率の高い材料で構成されているか、または反射膜が第２の電極１４の上方に設けられていることが好ましい。
【０１１２】
また、発光素子１２は、第１の電極１３が陽極として機能し、第２の電極１４が陰極として機能する構成であってもよいし、或いは第１の電極１３が陰極として機能し、第２の電極１４が陽極として機能する構成であってもよい。但し、前者の場合、トランジスタ１１はＰチャネル型トランジスタであり、後者の場合、トランジスタ１１はＮチャネル型トランジスタである。
【０１１３】
（実施の形態７）
なお、本発明の発光素子は、実施の形態４〜６で説明したように、トランジスタと接続し、トランジスタからの信号を受けて発光または非発光するアクティブマトリクス型の発光装置の画素として用いてもよいし、或いは、図４６に表されるように、トランジスタ等の駆動用の素子を特に設けずに発光素子を駆動させるパッシブ型の発光装置であってもよい。
【０１１４】
図４６には本発明を適用して作製したパッシブ型の発光装置の斜視図を示す。図４６において、基板１９０１と基板１９０７との間には、電極１９０２と電極１９０６が設けられている。電極１９０２と電極１９０６とは交差するように設けられている。さらに、電極１９０２と電極１９０６との間には、発光層１９０５（１９０２、１９０４等の配置が分かるように破線で示している。）が設けられている。なお、発光層１９０５と電極１９０２との間、若しくは発光層１９０５と電極１９０６との間には正孔輸送層、電子輸送層等が設けられていてもよい。電極１９０２の端部は隔壁層１９０４が設けられている。このように、隔壁層１９０４で覆われている。また、パッシブ型の発光装置においても、低駆動電圧で動作する本発明の発光素子を含むことによって、低消費電力で駆動させることができる。
【０１１５】
（実施の形態８）
本発明の発光装置を実装することによって、長期間に渡って良好な表示を行うことができ、表示画像の乱れに起因した情報の誤認が少ない電子機器を得ることができる。
【０１１６】
本発明を適用した発光装置を実装した電子機器の一態様を図９に示す。
【０１１７】
図９（Ａ）は、本発明を適用して作製したノート型のパーソナルコンピュータであり、本体５５２１、筐体５５２２、表示部５５２３、キーボード５５２４などによって構成されている。本発明の発光素子を有する発光装置を表示部として組み込むことでパーソナルコンピュータを完成できる。
【０１１８】
図９（Ｂ）は、本発明を適用して作製した携帯電話であり、本体５５５２には表示部５５５１と、音声出力部５５５４、音声入力部５５５５、操作スイッチ５５５６、５５５７、アンテナ５５５３等によって構成されている。本発明の発光素子を有する発光装置を表示部として組み込むことで電話機を完成できる。
【０１１９】
図９（Ｃ）は、本発明を適用して作製したテレビ受像機であり、表示部５５３１、筐体５５３２、スピーカー５５３３などによって構成されている。本発明の発光素子を有する発光装置を表示部として組み込むことでテレビ受像機を完成できる。
【０１２０】
以上のように本発明の発光装置は、各種電子機器の表示部として用いるのに適している。
【０１２１】
なお、本形態では、ノート型のパーソナルコンピュータについて述べているが、この他に携帯電話、カーナビゲイション、カメラ、或いは照明機器等に本発明の発光素子を有する発光装置を実装しても構わない。
【実施例１】
【０１２２】
（合成例１）
本合成例では構造式（１）で表されるアントラセンの合成方法について説明する。
［ステップ１］
９，１０−ビス（４−ブロモフェニル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセンの合成方法について説明する。
【０１２３】
窒素気流下、５．０ｇの１，４−ジブロモベンゼンを含む乾燥エーテル溶液（２００ｍＬ）に−７８℃において１．５８ｍｏｌ／Ｌのブチルリチウムヘキサン溶液（１３．４ｍＬ）を滴下した。滴下終了後、同温度にて１時間攪拌した。−７８℃にて２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラキノン（２．８０ｇ）の乾燥エーテル溶液（４０ｍＬ）を滴下し、その後反応溶液をゆっくり室温まで昇温した。終夜室温で攪拌した後、水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥、濾過、濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒、ヘキサン−酢酸エチル）によって精製し、化合物を５．５ｇの重量で得た。
【０１２４】
得られた化合物を核磁気共鳴法（１Ｈ−ＮＭＲ）によって測定したところ、９，１０−ビス（４−ブロモフェニル）−２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジヒドロキシ−９，１０−ジヒドロアントラセンであることが確認できた。
【０１２５】
この化合物の１Ｈ−ＮＭＲを次に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δ＝１．３１（ｓ、９Ｈ）、２．８１（ｓ、１Ｈ）、２．８６（ｓ、１Ｈ）、６．８２−６．８６（ｍ、４Ｈ）、７．１３−７．１６（ｍ、４Ｈ）、７．３６−７．４３（ｍ、３Ｈ）、７．５３−７．７０（ｍ、４Ｈ）
【０１２６】
また、９，１０−ビス（４−ブロモフェニル）−２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジヒドロキシ−９，１０−ジヒドロアントラセンの合成スキーム（ｂ−１）を次に示す。
【０１２７】
【化５２】
【０１２８】
大気下、上記のようにして合成した９，１０−ビス（４−ブロモフェニル）−２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジヒドロキシ−９，１０−ジヒドロアントラセン９８７ｍｇ（１．５５ｍｍｏｌ）、ヨウ化カリウム６６４ｍｇ（４ｍｍｏｌ）、ホスフィン酸ナトリウム一水和物を１．４８ｇ（１４ｍｍｏｌ）を、氷酢酸１２ｍＬにて懸濁し、２時間還流加熱撹拌した。室温まで冷ましたのち、生じた析出物を濾過し、メタノール約５０ｍＬで洗浄し、ろ物を得た。そしてろ物を乾燥させてクリーム色粉末の化合物７００ｍｇを得た。収率は８２％だった。この化合物を核磁気共鳴法（１Ｈ−ＮＭＲ、１３Ｃ−ＮＭＲ）によって測定したところ、９，１０−ビス（４−ブロモフェニル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセンであることが確認できた。
【０１２９】
この化合物の１Ｈ−ＮＭＲと１３Ｃ−ＮＭＲとを次に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δ＝１．２８（ｓ、９Ｈ）、７．２５−７．３７（ｍ、６Ｈ）、７．４４−７．４８（ｍ、１Ｈ）７．５６−７．６５（ｍ、４Ｈ）、７．７１−７．７６（ｍ、４Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（７４ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δ＝３０．８、３５．０、１２０．８、１２１．７、１２１．７、１２４．９、１２５．０、１２５．２、１２６．４、１２６．６、１２６．６、１２８．３、１２９．４、１２９．７、１２９．９、１３１．６、１３１．６、１３３．０、１３３．０、１３５．５、１３５．７、１３８．０、１３８．１、１４７．８
【０１３０】
また、９，１０−ビス（４−ブロモフェニル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセンの合成スキーム（ｂ−２）を次に示す。
【０１３１】
【化５３】
【０１３２】
［ステップ２］
３−（Ｎ−フェニルアミノ）−９−フェニルカルバゾールの合成方法について説明する。
【０１３３】
先ず、Ｎ−フェニルカルバゾール２４．３ｇ（１００ｍｍｏｌ）を氷酢酸６００ｍＬに溶かし、Ｎ−ブロモコハク酸イミド１７．８ｇ（１００ｍｍｏｌ）をゆっくり加え、室温で一晩撹拌した。この氷酢酸溶液を氷水１Ｌに撹拌しながら滴下した。析出した白色固体を水で３回洗浄した。この固体をジエチルエーテル１５０ｍＬに溶解し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水で洗浄した。この有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを濾過し、得られたろ液を濃縮した。得られた残渣にメタノールを約５０ｍＬを加え、超音波を照射して均一に溶解させた。この溶液を静置することで白色固体を析出した。これを濾過し、ろ物を乾燥させる事で、白色粉末の３−ブロモ−９−フェニルカルバゾールを２８．４ｇ（収率８８％）を得た。
【０１３４】
また、３−ブロモ−９−フェニルカルバゾールの合成スキーム（ｃ−１）を次に示す。
【０１３５】
【化５４】
【０１３６】
次に、窒素下で、３−ブロモ−９−フェニルカルバゾール１９ｇ（６０ｍｍｏｌ）、ビスジベンジリデンアセトンパラジウム（０）（略称：Ｐｄ（ｄｂａ）２）３４０ｍｇ（０．６ｍｍｏｌ）、１，１−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（略称：ＤＰＰＦ）１．６ｇ（３．０ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド（略称：ｔＢｕＯＮａ）１３ｇ（１８０ｍｍｏｌ）の混合物に、脱水キシレン１１０ｍＬ、アニリン７．０ｇ（７５ｍｍｏｌ）を加えた。これを窒素雰囲気下にて９０℃、７．５時間加熱撹拌した。反応終了後、この懸濁液に５０℃に温めたトルエンを約５００ｍＬ加え、これをフロリジール、アルミナ、セライトを通して濾過した。得られたろ液を濃縮し、この残渣をヘキサン−酢酸エチルを加えて超音波を照射した。得られた懸濁液を濾過し、このろ物を乾燥し、クリーム色の粉末を１５ｇ得た（収率７５％）。核磁気共鳴法（１Ｈ−ＮＭＲ）によって、このクリーム色粉末が３−（Ｎ−フェニルアミノ）−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣＡ）であることを確認した。
【０１３７】
この化合物の１Ｈ−ＮＭＲを次に示す。また、１Ｈ−ＮＭＲチャートを図１３（Ａ）、（Ｂ）に示す。なお、図１３（Ｂ）は、図１３（Ａ）における５ｐｐｍ〜９ｐｐｍの範囲を拡大して表したチャートである。
１Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）；δ＝６．８４（ｔ、ｊ＝６．９、1Ｈ）、６．９７（ｄ、ｊ＝７．８、２Ｈ）、７．２０−７．６１（ｍ、１３Ｈ）、７．９０（ｓ、１Ｈ）、８．０４（ｄ、ｊ＝７．８、１Ｈ）
【０１３８】
また、３−（Ｎ−フェニルアミノ）−９−フェニルカルバゾールの合成スキーム（ｃ−２）を次に示す。
【０１３９】
【化５５】
【０１４０】
［ステップ３］
９，１０−ビス｛４−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］フェニル｝−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ＰＣＡＢＰＡ）の合成方法について説明する。
【０１４１】
窒素下で、９，１０−ビス（４−ブロモフェニル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン５４０ｍｇ（１．０ｍｍｏｌ）、３−（Ｎ−フェニルアミノ）−９−フェニルカルバゾール６７０ｍｇ（２．０ｍｍｏｌ）、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）１２ｍｇ（０．０２ｍｍｏｌ）、１，１−ビス（ジフェニルフォスフィノ）フェロセン１１０ｍｇ（０．２ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド６００ｍｇ（６．２ｍｍｏｌ）の混合物に脱水トルエン１０ｍＬを加えた。これを窒素雰囲気下で９０℃、５時間加熱撹拌した。反応終了後、この懸濁液にトルエン約１００ｍＬを加え、これをフロリジール、アルミナ、セライトを通して濾過した。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン：ヘキサン＝１：１）にて分取した。これを濃縮し、得られた残渣をジクロロメタン−ヘキサンで再結晶を行った。このようにして５００ｍｇの黄緑色粉末を得た（収率４８％）。核磁気共鳴法（１Ｈ−ＮＭＲ）によって、この黄緑色粉末が９，１０−ビス｛４−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］フェニル｝−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ＰＣＡＢＰＡ）であることを確認した。
【０１４２】
この化合物の１Ｈ−ＮＭＲを次に示す。また、１Ｈ−ＮＭＲチャートを図１４（Ａ）、（Ｂ）に示す。なお、図１４（Ｂ）は、図１４（Ａ）における６．５ｐｐｍ〜８．５ｐｐｍの範囲を拡大して表したチャートである。
１Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＤＭＳＯ−ｄ）：δ＝３．３３（ｓ、９Ｈ）、６．９８−７．７９（ｍ、４４Ｈ）、８．１６−８．２７（ｍ、４Ｈ）
【０１４３】
また、ＰＣＡＢＰＡの合成スキーム（ｄ−１）を次に示す。
【０１４４】
【化５６】
【０１４５】
また、ＰＣＡＢＰＡの吸収スペクトルを図１０に示す。図１０において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は吸収強度（任意単位）を表す。また、（ａ）は、単膜状態における吸収スペクトルであり、（ｂ）はトルエン溶液に溶解させた状態における吸収スペクトルである。また、ＰＣＡＢＰＡの発光スペクトルを図１１に示す。図１１において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度（任意単位）を表す。また、（ａ）は、単膜状態における発光スペクトル（励起波長３５２ｎｍ）であり、（ｂ）はトルエン溶液に溶解させた状態における発光スペクトル（励起波長３９０ｎｍ）である。図１１から、ＰＣＡＢＰＡからの発光は、単膜状態において４８８ｎｍにピークを有し、トルエン溶液中において４７２ｎｍにピークを有することが分かる。そしてこれらの発光は、青色系の発光色として視認された。
【０１４６】
また、得られたＰＣＡＢＰＡを蒸着法によって成膜し、薄膜状態における当該化合物のイオン化ポテンシャルを、光電子分光装置（理研計器社製、ＡＣ−２）を用いて測定したところ、５．３１ｅＶであった。また、薄膜状態における当該化合物の吸収スペクトルを、ＵＶ・可視光分光光度計（日本分光社製、Ｖ−５５０）を用いて測定し、吸収スペクトルの長波長側の吸収端の波長をエネルギーギャップ（２．７７ｅＶ）とし、ＬＵＭＯ準位を求めたところ、ＬＵＭＯ準位は−２．５４ｅＶであった。
【０１４７】
さらに、得られたＰＣＡＢＰＡの分解温度Ｔｄを示唆熱熱重量同時測定装置（セイコー電子株式会社製，ＴＧ／ＤＴＡ ３２０型）により測定したところ、Ｔｄ＝４８５℃であり、良好な耐熱性を示すことが分かった。
【０１４８】
また、サイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）測定により、ＰＣＡＢＰＡの酸化反応特性及び還元反応特性について調べた。なお測定には、電気化学アナライザー（ビー・エー・エス（株）製、型番：ＡＬＳモデル６００Ａ）を用いた。
【０１４９】
ＣＶ測定における溶液は、溶媒として脱水ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム（ｎ−Ｂｕ４ＮＣｌＯ４）を１００ｍｍｏｌ／Ｌの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象であるＰＣＡＢＰＡを１ｍｍｏｌ／Ｌの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＰＴＥ白金電極）を、補助電極としては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＶＣ−３用Ｐｔカウンター電極（５ｃｍ））を、基準電極としてはＡｇ／Ａｇ＋電極（ビー・エー・エス（株）製、ＲＥ５非水溶媒系参照電極）をそれぞれ用いた。
【０１５０】
酸化反応特性については次のようにして調べた。
基準電極に対する作用電極の電位を−０．０１から０．６Ｖまで変化させた後、０．６Ｖから−０．０１Ｖまで変化させる走査を１サイクルとし、１００サイクル測定した。なお、ＣＶ測定のスキャン速度は０．１Ｖ／ｓに設定した。
【０１５１】
還元反応特性については次のようにして調べた。
基準電極に対する作用電極の電位を−０．９から−２．７Ｖまで変化させた後、−２．７Ｖから−０．９Ｖまで変化させる走査を１サイクルとし、１００サイクル測定した。なお、ＣＶ測定のスキャン速度は０．１Ｖ／ｓに設定した。
【０１５２】
ＰＣＡＢＰＡの酸化反応特性について調べた結果を図１２（Ａ）に示す。また、ＰＣＡＢＰＡの還元反応特性について調べた結果を図１２（Ｂ）に示す。図１２（Ａ）、（Ｂ）において、横軸は基準電極に対する作用電極の電位（Ｖ）を表し、縦軸は作用電極と補助電極との間に流れた電流値（１×１０−５Ａ）を表す。
【０１５３】
図１２（Ａ）から酸化電位は０．４２Ｖ（ｖｓ．Ａｇ／Ａｇ＋電極）であることが分かった。また、図１２（Ｂ）から還元電位は−２．３９Ｖ（ｖｓ．Ａｇ／Ａｇ＋電極）であることが分かった。また、１００サイクルもの走査を繰り返しているにもかかわらず、酸化反応と還元反応のいずれについてもＣＶ曲線のピーク位置やピーク強度にほとんど変化が見られない。このことから、本発明の化合物のひとつであるＰＣＡＢＰＡは酸化反応の繰り返しに対し極めて安定であることが分かった。さらに、還元反応の繰り返しに対しても極めて安定であることが分かった。
【０１５４】
（合成例２）
本合成例では構造式（１３）で表されるアントラセン誘導体である９，１０−ビス｛４’−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル−４−イル｝−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ＰＣＡＢＢＡ）の合成方法について説明する。
［ステップ１］
まず、９，１０−ビス（４’−ブロモビフェニル−４−イル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセンの合成方法について説明する。
【０１５５】
４，４’−ジブロモビフェニル６．５５ｇ（２１．０ｍｍｏｌ）を５００ｍＬの三口フラスコへ入れて窒素置換し、テトラヒドロフラン２００ｍＬを加え、−８０℃にしてからｎ−ブチルリチウム（１．５４ｍｏｌ／Ｌのヘキサン溶液）１４．５ｍＬ（２２．３ｍｍｏｌ）を滴下し、−８０℃に保ったまま１時間攪拌した。−８０℃に保ったまま、アントラキノン２．０７ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（略称：ＴＨＦ）２０ｍＬに懸濁した混合溶液を反応溶液へ滴下し、滴下終了後、−８０℃から室温に戻しながらさらに２時間攪拌した。反応後、エタノールを１１０ｍＬ加えて攪拌してから、反応溶液を水、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。反応混合物を自然ろ過し、ろ液を濃縮したところ、淡黄色固体を得た（合成スキーム（ｅ−１））。
【０１５６】
得られた淡黄色固体と、ヨウ化カリウム６．６４ｇ（４０ｍｍｏｌ）、ホスフィン酸ナトリウム一水和物１２．７ｇ（１２０ｍｍｏｌ）、氷酢酸１２０ｍＬを５００ｍＬの容量のなすフラスコへ入れ、２時間還流した。反応後、室温にさましてから析出した固体を吸引濾過により回収し、ジクロロメタン・エタノールにより再結晶したところ目的物である９，１０−ビス（４’−ブロモビフェニル−４−イル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセンの淡黄色固体を３．４３ｇ、収率５１％で得た（合成スキーム（ｅ−２））。
【０１５７】
また、ステップ１の合成スキーム（ｅ−１）、（ｅ−２）を次に示す。
【０１５８】
【化５７】
【化５８】
【０１５９】
［ステップ２］
次に、構造式（１３）で表される９，１０−ビス｛４’−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル−４−イル｝−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセンの合成方法について説明する。
【０１６０】
三口フラスコに、本合成例のステップ１で得た９，１０−ビス（４’−ブロモビフェニル−４−イル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセンを７００ｍｇ（１．０ｍｍｏｌ）、合成例１のステップ２で得た３−（Ｎ−フェニルアミノ）−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣＡ）を６７０ｍｇ（２．０ｍｍｏｌ）、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）を６０ｍｇ（０．１０ｍｍｏｌ）、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（１０ｗｔ％ヘキサン溶液）を１．０ｍＬ（０．５０ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシドを０．４ｇ（４．０ｍｍｏｌ）入れ、脱水キシレン１０ｍＬを加え、窒素置換を行った。これを窒素雰囲気下で、１２０℃で６時間加熱撹拌した。反応終了後、この懸濁液にトルエン約２００ｍＬを加え、これをフロリジール、セライトを通して濾過した。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン：ヘキサン＝１：１）にて分取した。これを濃縮し、得られた残渣にヘキサンを加えて超音波を照射して再結晶を行い、目的物である９，１０−ビス｛４’−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル−４−イル｝−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ＰＣＡＢＢＡ）のベージュ色粉末を７０ｍｇ、収率６％で得た。
【０１６１】
また、ステップ２の合成スキーム（ｆ−１）を次に示す。
【０１６２】
【化５９】
以下に、１Ｈ−ＮＭＲの分析結果を下記に示す。また、１Ｈ−ＮＭＲチャートを図４７（Ａ）、（Ｂ）に示す。なお、図４７（Ｂ）は、図４７（Ａ）における９ｐｐｍ〜６ｐｐｍの範囲を拡大して表したチャートである。
【０１６３】
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＤＭＳＯ−ｄ）：δ＝１．２２（ｓ、９Ｈ）、７．０４（ｔ、Ｊ＝６．９Ｈｚ、２Ｈ）、７．１４−７．７９（ｍ、３９Ｈ）、７．８８−７．９４（ｍ、４Ｈ）、８．１２（ｄ、Ｊ＝１．５Ｈｚ、２Ｈ）、８．２０（ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、２Ｈ）
【０１６４】
また、ＰＣＡＢＢＡのトルエン溶液中の吸収スペクトルを図４８に示す。図４８において、横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は吸収強度（任意単位）を表す。また、ＰＣＡＢＢＡのトルエン溶液中の発光スペクトルを図４９に示す。図４９において、横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度（任意単位）を表す。図４９から、ＰＣＡＢＢＡからの発光は、トルエン溶液中において４４５ｎｍにピークを有することがわかり、青色の発光と視認された。したがって、ＰＣＡＢＢＡは、青色の発光を呈する発光物質として適する物質であることがわかった。
【実施例２】
【０１６５】
本実施例では、合成例１において合成されたＰＣＡＢＰＡを発光物質として用いた発光素子の作製方法およびその発光素子の動作特性について説明する。
【０１６６】
図１５に表すように、ガラス基板３０１上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法によって成膜し、第１の電極３０２を形成した。第１の電極３０２の厚さは１１０ｎｍとなるようにした。なお、電極は、２ｍｍ×２ｍｍの大きさを有する正方形の形状となるように形成した。
【０１６７】
次に、第１の電極３０２が形成されたガラス基板３０１を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。
【０１６８】
次に、真空装置内を排気し、１×１０−４Ｐａとなるように減圧した後、蒸着法によって第１の電極３０２上に、銅フタロシアニンからなる第１の層３０３を形成した。第１の層３０３の厚さは２０ｎｍとなるようにした。この第１の層３０３は、発光素子を動作させたときに正孔注入層として機能する層である。
【０１６９】
次に、第１の層３０３の上に、ＮＰＢから成る第２の層３０４を蒸着法によって形成した。第２の層３０４の厚さは４０ｎｍとなるようにした。この第２の層３０４は、発光素子を動作させたときに正孔輸送層として機能する層である。
【０１７０】
次に、第２の層３０４の上に、ｔ−ＢｕＤＮＡとＰＣＡＢＰＡとを含む第３の層３０５を共蒸着法によって形成した。第３の層３０５の厚さは４０ｎｍとなるようにし、ｔ−ＢｕＤＮＡとＰＣＡＢＰＡとの質量比は１：０．０５＝ｔ−ＢｕＤＮＡ：ＰＣＡＢＰＡとなるようにした。これによって、ＰＣＡＢＰＡはｔ−ＢｕＤＮＡから成る層に分散されたような状態となる。この第３の層３０５は、発光素子を動作させたときに発光層として機能する層である。なお、ＰＣＡＢＰＡは発光物質として機能する。
【０１７１】
次に、第３の層３０５上に、Ａｌｑ３から成る第４の層３０６を蒸着法によって形成した。第４の層３０６の厚さは２０ｎｍとなるようにした。この第４の層３０６は、発光素子を動作させたときに、電子輸送層として機能する層である。
【０１７２】
次に、第４の層３０６上に、フッ化カルシウムから成る第５の層３０７を蒸着法によって形成した。第５の層３０７の厚さは１ｎｍとなるようにした。この第５の層３０７は、発光素子を動作させたときに、電子注入層として機能する層である。
【０１７３】
次に、第５の層３０７の上に、アルミニウムから成る第２の電極３０８を形成した。第２の電極３０８の厚さは２００ｎｍとなるようにした。
【０１７４】
以上のようにして作製した発光素子は、第１の電極３０２の電位が第２の電極３０８の電位よりも高くなるように電圧を印加したときに電流が流れ、発光層として機能する第３の層３０５において電子と正孔とが再結合して励起エネルギーが生成され、励起されたＰＣＡＢＰＡが基底状態に戻るときに発光するものである。
【０１７５】
この発光素子を、グローブボックス内において、窒素雰囲気下で、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、発光素子の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
【０１７６】
測定結果を図１６、１７に示す。図１６は電圧−輝度特性について、図１７は、輝度−電流効率特性について、それぞれ調べた結果である。図１６において横軸は電圧（Ｖ）、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、図１７において横軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。
【０１７７】
また、本実施例で作製した発光素子の発光スペクトルを図１８に示す。図１８において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は強度（任意単位）を表す。図１８より、本実施例の発光素子は４７７ｎｍに発光スペクトルのピークを有し、青色の発光を呈することが分かった。さらに、ＣＩＥ表色系における色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．１６，０．２８）であり、本実施例の発光素子は色純度の良い青色を呈することが分かった。
【実施例３】
【０１７８】
本実施例では、合成例１に記載された方法によって合成されたＰＣＡＢＰＡを発光物質として用いた発光素子の作製方法およびその発光素子の動作特性について説明する。なお、本実施例の発光素子は、第１の電極と第２の電極との間に、層を構成する物質および層の厚さがそれぞれ異なる５層の層が積層した構造を有するという点で、実施例２の発光素子と同じである為、本実施例についても実施例２の説明に用いた図１５を参照して説明する。
【０１７９】
図１５に表すように、ガラス基板３０１上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法によって成膜し、第１の電極３０２を形成した。第１の電極３０２の厚さは１１０ｎｍとなるようにした。なお、電極は、２ｍｍ×２ｍｍの大きさを有する正方形の形状となるように形成した。
【０１８０】
次に、第１の電極３０２が形成されたガラス基板３０１を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。
【０１８１】
次に、真空装置内を排気し、１×１０−４Ｐａとなるように減圧した後、蒸着法によって第１の電極３０２上に、銅フタロシアニンからなる第１の層３０３を形成した。第１の層３０３の厚さは２０ｎｍとなるようにした。この第１の層３０３は、発光素子を動作させたときに正孔注入層として機能する層である。
【０１８２】
次に、第１の層３０３の上に、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ビフェニリル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＢＰＢ）から成る第２の層３０４を蒸着法によって形成した。第２の層３０４の厚さは４０ｎｍとなるようにした。この第２の層３０４は、発光素子を動作させたときに正孔輸送層として機能する層である。
【０１８３】
次に、第２の層３０４の上に、ｔ−ＢｕＤＮＡとＰＣＡＢＰＡとを含む第３の層３０５を共蒸着法によって形成した。第３の層３０５の厚さは４０ｎｍとなるようにし、ｔ−ＢｕＤＮＡとＰＣＡＢＰＡとの質量比は１：０．０５＝ｔ−ＢｕＤＮＡ：ＰＣＡＢＰＡとなるようにした。これによって、ＰＣＡＢＰＡはｔ−ＢｕＤＮＡから成る層に分散されたような状態となる。この第３の層３０５は、発光素子を動作させたときに発光層として機能する層である。なお、ＰＣＡＢＰＡは発光物質として機能する。
【０１８４】
次に、第３の層３０５上に、Ａｌｑ３から成る第４の層３０６を蒸着法によって形成した。第４の層３０６の厚さは２０ｎｍとなるようにした。この第４の層３０６は、発光素子を動作させたときに、電子輸送層として機能する層である。
【０１８５】
次に、第４の層３０６上に、フッ化カルシウムから成る第５の層３０７を蒸着法によって形成した。第５の層３０７の厚さは１ｎｍとなるようにした。この第５の層３０７は、発光素子を動作させたときに、電子注入層として機能する層である。
【０１８６】
次に、第５の層３０７の上に、アルミニウムから成る第２の電極３０８を形成した。第２の電極３０８の厚さは２００ｎｍとなるようにした。
【０１８７】
以上のようにして作製した発光素子は、第１の電極３０２の電位が第２の電極３０８の電位よりも高くなるように電圧を印加したときに電流が流れ、発光層として機能する第３の層３０５において電子と正孔とが再結合して励起エネルギーが生成され、励起されたＰＣＡＢＰＡが基底状態に戻るときに発光するものである。
【０１８８】
この発光素子を、グローブボックス内において、窒素雰囲気下で、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、発光素子の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
【０１８９】
測定結果を図１９、２０に示す。図１９は電圧−輝度特性について、図２０は、輝度−電流効率特性について、それぞれ調べた結果である。図１９において横軸は電圧（Ｖ）、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、図２０において横軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。
【０１９０】
また、本実施例で作製した発光素子の発光スペクトルを図２１に示す。図２１において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は強度（任意単位）を表す。図２１より、本実施例の発光素子は４７９ｎｍに発光スペクトルのピークを有し、青色の発光を呈することが分かった。さらに、ＣＩＥ表色系における色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．１６，０．２９）であり、本実施例の発光素子は色純度の良い青色を呈することが分かった。
【実施例４】
【０１９１】
本実施例では、合成例１に記載された方法によって合成されたＰＣＡＢＰＡを発光物質として用いた発光素子の作製方法およびその発光素子の動作特性について説明する。なお、本実施例の発光素子は、第１の電極と第２の電極との間に、層を構成する物質および層の厚さがそれぞれ異なる５層の層が積層した構造を有するという点で、実施例２の発光素子と同じである為、本実施例についても実施例２の説明に用いた図１５を参照して説明する。
【０１９２】
図１５に表すように、ガラス基板３０１上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法によって成膜し、第１の電極３０２を形成した。第１の電極３０２の厚さは１１０ｎｍとなるようにした。なお、電極は、２ｍｍ×２ｍｍの大きさを有する正方形の形状となるように形成した。
【０１９３】
次に、第１の電極３０２が形成されたガラス基板３０１を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。
【０１９４】
次に、真空装置内を排気し、１×１０−４Ｐａとなるように減圧した後、蒸着法によって第１の電極３０２上に、銅フタロシアニンからなる第１の層３０３を形成した。第１の層３０３の厚さは２０ｎｍとなるようにした。この第１の層３０３は、発光素子を動作させたときに正孔注入層として機能する層である。
【０１９５】
次に、第１の層３０３の上に、ＢＳＰＢから成る第２の層３０４を蒸着法によって形成した。第２の層３０４の厚さは４０ｎｍとなるようにした。この第２の層３０４は、発光素子を動作させたときに正孔輸送層として機能する層である。
【０１９６】
次に、第２の層３０４の上に、ｔ−ＢｕＤＮＡとＰＣＡＢＰＡとを含む第３の層３０５を共蒸着法によって形成した。第３の層３０５の厚さは４０ｎｍとなるようにし、ｔ−ＢｕＤＮＡとＰＣＡＢＰＡとの質量比は１：０．１＝ｔ−ＢｕＤＮＡ：ＰＣＡＢＰＡとなるようにした。これによって、ＰＣＡＢＰＡはｔ−ＢｕＤＮＡから成る層に分散されたような状態となる。この第３の層３０５は、発光素子を動作させたときに発光層として機能する層である。なお、ＰＣＡＢＰＡは発光物質として機能する。
【０１９７】
次に、第３の層３０５上に、Ａｌｑ３から成る第４の層３０６を蒸着法によって形成した。第４の層３０６の厚さは２０ｎｍとなるようにした。この第４の層３０６は、発光素子を動作させたときに、電子輸送層として機能する層である。
【０１９８】
次に、第４の層３０６上に、フッ化カルシウムから成る第５の層３０７を蒸着法によって形成した。第５の層３０７の厚さは１ｎｍとなるようにした。この第５の層３０７は、発光素子を動作させたときに、電子注入層として機能する層である。
【０１９９】
次に、第５の層３０７の上に、アルミニウムから成る第２の電極３０８を形成した。第２の電極３０８の厚さは２００ｎｍとなるようにした。
【０２００】
以上のようにして作製した発光素子は、第１の電極３０２の電位が第２の電極３０８の電位よりも高くなるように電圧を印加したときに電流が流れ、発光層として機能する第３の層３０５において電子と正孔とが再結合して励起エネルギーが生成され、励起されたＰＣＡＢＰＡが基底状態に戻るときに発光するものである。
【０２０１】
この発光素子を、グローブボックス内において、窒素雰囲気下で、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、発光素子の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
【０２０２】
測定結果を図２２、２３に示す。図２２は電圧−輝度特性について、図２３は、輝度−電流効率特性について、それぞれ調べた結果である。図２２において横軸は電圧（Ｖ）、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、図２３において横軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。
【０２０３】
また、本実施例で作製した発光素子の発光スペクトルを図２４に示す。図２４において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は強度（任意単位）を表す。図２４より、本実施例の発光素子は４７４ｎｍに発光スペクトルのピークを有し、青色の発光を呈することが分かった。さらに、ＣＩＥ表色系における色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．１６，０．２５）であり、本実施例の発光素子は色純度の良い青色を呈することが分かった。
【実施例５】
【０２０４】
本実施例では、合成例１に記載された方法によって合成されたＰＣＡＢＰＡを発光物質として用いた発光素子の作製方法およびその発光素子の動作特性について説明する。なお、本実施例の発光素子は、第１の電極と第２の電極との間に、層を構成する物質および層の厚さがそれぞれ異なる５層の層が積層した構造を有するという点で、実施例２の発光素子と同じである為、本実施例についても実施例２の説明に用いた図１５を参照して説明する。
【０２０５】
図１５に表すように、ガラス基板３０１上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法によって成膜し、第１の電極３０２を形成した。第１の電極３０２の厚さは１１０ｎｍとなるようにした。なお、電極は、２ｍｍ×２ｍｍの大きさを有する正方形の形状となるように形成した。
【０２０６】
次に、第１の電極３０２が形成されたガラス基板３０１を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。
【０２０７】
次に、真空装置内を排気し、１×１０−４Ｐａとなるように減圧した後、蒸着法によって第１の電極３０２上に、ＤＮＴＰＤからなる第１の層３０３を形成した。第１の層３０３の厚さは５０ｎｍとなるようにした。この第１の層３０３は、発光素子を動作させたときに正孔注入層として機能する層である。
【０２０８】
次に、第１の層３０３の上に、ＮＰＢから成る第２の層３０４を蒸着法によって形成した。第２の層３０４の厚さは１０ｎｍとなるようにした。この第２の層３０４は、発光素子を動作させたときに正孔輸送層として機能する層である。
【０２０９】
次に、第２の層３０４の上に、ＣｚＰＡとＰＣＡＢＰＡとを含む第３の層３０５を共蒸着法によって形成した。第３の層３０５の厚さは４０ｎｍとなるようにし、ＣｚＰＡとＰＣＡＢＰＡとの質量比は１：０．０５＝ＣｚＰＡ：ＰＣＡＢＰＡとなるようにした。これによって、ＰＣＡＢＰＡはＣｚＰＡから成る層に分散されたような状態となる。この第３の層３０５は、発光素子を動作させたときに発光層として機能する層である。なお、ＰＣＡＢＰＡは発光物質として機能する。
【０２１０】
次に、第３の層３０５上に、Ａｌｑ３から成る第４の層３０６を蒸着法によって形成した。第４の層３０６の厚さは２０ｎｍとなるようにした。この第４の層３０６は、発光素子を動作させたときに、電子輸送層として機能する層である。
【０２１１】
次に、第４の層３０６上に、フッ化カルシウムから成る第５の層３０７を蒸着法によって形成した。第５の層３０７の厚さは１ｎｍとなるようにした。この第５の層３０７は、発光素子を動作させたときに、電子注入層として機能する層である。
【０２１２】
次に、第５の層３０７の上に、アルミニウムから成る第２の電極３０８を形成した。第２の電極３０８の厚さは２００ｎｍとなるようにした。
【０２１３】
以上のようにして作製した発光素子は、第１の電極３０２の電位が第２の電極３０８の電位よりも高くなるように電圧を印加したときに電流が流れ、発光層として機能する第３の層３０５において電子と正孔とが再結合して励起エネルギーが生成され、励起されたＰＣＡＢＰＡが基底状態に戻るときに発光するものである。
【０２１４】
この発光素子を、グローブボックス内において、窒素雰囲気下で、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、発光素子の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
【０２１５】
測定結果を図２５、２６に示す。図２５は電圧−輝度特性について、図２６は、輝度−電流効率特性について、それぞれ調べた結果である。図２５において横軸は電圧（Ｖ）、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、図２６において横軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。
【０２１６】
また、本実施例で作製した発光素子の発光スペクトルを図２７に示す。図２７において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は強度（任意単位）を表す。図２７より、本実施例の発光素子は４７８ｎｍに発光スペクトルのピークを有し、青色の発光を呈することが分かった。さらに、ＣＩＥ表色系における色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．１６，０．２８）であり、本実施例の発光素子は色純度の良い青色を呈することが分かった。
【実施例６】
【０２１７】
本実施例では、合成例１に記載された方法によって合成されたＰＣＡＢＰＡを発光物質として用いた発光素子の作製方法およびその発光素子の動作特性について説明する。なお、本実施例の発光素子は、第１の電極と第２の電極との間に、層を構成する物質および層の厚さがそれぞれ異なる５層の層が積層した構造を有するという点で、実施例２の発光素子と同じである為、本実施例についても実施例２の説明に用いた図１５を参照して説明する。
【０２１８】
図１５に表すように、ガラス基板３０１上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法によって成膜し、第１の電極３０２を形成した。第１の電極３０２の厚さは１１０ｎｍとなるようにした。なお、電極は、２ｍｍ×２ｍｍの大きさを有する正方形の形状となるように形成した。
【０２１９】
次に、第１の電極３０２が形成されたガラス基板３０１を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。
【０２２０】
次に、真空装置内を排気し、１×１０−４Ｐａとなるように減圧した後、蒸着法によって第１の電極３０２上に、ＤＮＴＰＤからなる第１の層３０３を形成した。第１の層３０３の厚さは５０ｎｍとなるようにした。この第１の層３０３は、発光素子を動作させたときに正孔注入層として機能する層である。
【０２２１】
次に、第１の層３０３の上に、ＮＰＢから成る第２の層３０４を蒸着法によって形成した。第２の層３０４の厚さは１０ｎｍとなるようにした。この第２の層３０４は、発光素子を動作させたときに正孔輸送層として機能する層である。
【０２２２】
次に、第２の層３０４の上に、ＣｚＰＡとＰＣＡＢＰＡとを含む第３の層３０５を共蒸着法によって形成した。第３の層３０５の厚さは４０ｎｍとなるようにし、ＣｚＰＡとＰＣＡＢＰＡとの質量比は１：０．０４＝ＣｚＰＡ：ＰＣＡＢＰＡとなるようにした。これによって、ＰＣＡＢＰＡはＣｚＰＡから成る層に分散されたような状態となる。この第３の層３０５は、発光素子を動作させたときに発光層として機能する層である。なお、ＰＣＡＢＰＡは発光物質として機能する。
【０２２３】
次に、第３の層３０５上に、Ａｌｑ３から成る第４の層３０６を蒸着法によって形成した。第４の層３０６の厚さは１０ｎｍとなるようにした。この第４の層３０６は、発光素子を動作させたときに、電子輸送層として機能する層である。
【０２２４】
次に、第４の層３０６上に、Ａｌｑ３とＬｉとを含む第５の層３０７を共蒸着法によって形成した。第５の層３０７の厚さは１０ｎｍとなるようにした。また、Ａｌｑ３とＬｉとの質量比は１：０．０１＝Ａｌｑ３：Ｌｉとなるようにした。この第５の層３０７は、発光素子を動作させたときに、電子注入層として機能する層である。
【０２２５】
次に、第５の層３０７の上に、アルミニウムから成る第２の電極３０８を形成した。第２の電極３０８の厚さは２００ｎｍとなるようにした。
【０２２６】
以上のようにして作製した発光素子は、第１の電極３０２の電位が第２の電極３０８の電位よりも高くなるように電圧を印加したときに電流が流れ、発光層として機能する第３の層３０５において電子と正孔とが再結合して励起エネルギーが生成され、励起されたＰＣＡＢＰＡが基底状態に戻るときに発光するものである。
【０２２７】
この発光素子を、グローブボックス内において、窒素雰囲気下で、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、発光素子の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
【０２２８】
測定結果を図２８、２９に示す。図２８は電圧−輝度特性について、図２９は、輝度−電流効率特性について、それぞれ調べた結果である。図２８において横軸は電圧（Ｖ）、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、図２９において横軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。
【０２２９】
また、本実施例で作製した発光素子の発光スペクトルを図３０に示す。図３０において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は強度（任意単位）を表す。図３０より、本実施例の発光素子は４８７ｎｍに発光スペクトルのピークを有し、青色の発光を呈することが分かった。さらに、ＣＩＥ表色系における色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．１７，０．３２）であり、本実施例の発光素子は色純度の良い青色を呈することが分かった。
【実施例７】
【０２３０】
本実施例では、合成例１に記載された方法によって合成されたＰＣＡＢＰＡを発光物質として用いた発光素子の作製方法およびその発光素子の動作特性について説明する。なお、本実施例の発光素子は、第１の電極と第２の電極との間に、層を構成する物質および層の厚さがそれぞれ異なる５層の層が積層した構造を有するという点で、実施例２の発光素子と同じである為、本実施例についても実施例２の説明に用いた図１５を参照して説明する。
【０２３１】
図１５に表すように、ガラス基板３０１上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法によって成膜し、第１の電極３０２を形成した。第１の電極３０２の厚さは１１０ｎｍとなるようにした。なお、電極は、２ｍｍ×２ｍｍの大きさを有する正方形の形状となるように形成した。
【０２３２】
次に、第１の電極３０２が形成されたガラス基板３０１を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。
【０２３３】
次に、真空装置内を排気し、１×１０−４Ｐａとなるように減圧した後、蒸着法によって第１の電極３０２上に、ＤＮＴＰＤからなる第１の層３０３を形成した。第１の層３０３の厚さは５０ｎｍとなるようにした。この第１の層３０３は、発光素子を動作させたときに正孔注入層として機能する層である。
【０２３４】
次に、第１の層３０３の上に、ＮＰＢから成る第２の層３０４を蒸着法によって形成した。第２の層３０４の厚さは１０ｎｍとなるようにした。この第２の層３０４は、発光素子を動作させたときに正孔輸送層として機能する層である。
【０２３５】
次に、第２の層３０４の上に、ＤＰＣｚＰＡとＰＣＡＢＰＡとを含む第３の層３０５を共蒸着法によって形成した。第３の層３０５の厚さは４０ｎｍとなるようにし、ＤＰＣｚＰＡとＰＣＡＢＰＡとの質量比は１：０．０４＝ＤＰＣｚＰＡ：ＰＣＡＢＰＡとなるようにした。これによって、ＰＣＡＢＰＡはＤＰＣｚＰＡから成る層に分散されたような状態となる。この第３の層３０５は、発光素子を動作させたときに発光層として機能する層である。なお、ＰＣＡＢＰＡは発光物質として機能する。
【０２３６】
次に、第３の層３０５上に、Ａｌｑ３から成る第４の層３０６を蒸着法によって形成した。第４の層３０６の厚さは１０ｎｍとなるようにした。この第４の層３０６は、発光素子を動作させたときに、電子輸送層として機能する層である。
【０２３７】
次に、第４の層３０６上に、Ａｌｑ３とＬｉとを含む第５の層３０７を共蒸着法によって形成した。第５の層３０７の厚さは１０ｎｍとなるようにした。また、Ａｌｑ３とＬｉとの質量比は１：０．０１＝Ａｌｑ３：Ｌｉとなるようにした。この第５の層３０７は、発光素子を動作させたときに、電子注入層として機能する層である。
【０２３８】
次に、第５の層３０７の上に、アルミニウムから成る第２の電極３０８を形成した。第２の電極３０８の厚さは２００ｎｍとなるようにした。
【０２３９】
以上のようにして作製した発光素子は、第１の電極３０２の電位が第２の電極３０８の電位よりも高くなるように電圧を印加したときに電流が流れ、発光層として機能する第３の層３０５において電子と正孔とが再結合して励起エネルギーが生成され、励起されたＰＣＡＢＰＡが基底状態に戻るときに発光するものである。
【０２４０】
この発光素子を、グローブボックス内において、窒素雰囲気下で、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、発光素子の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
【０２４１】
測定結果を図３１、３２に示す。図３１は電圧−輝度特性について、図３２は、輝度−電流効率特性について、それぞれ調べた結果である。図３１において横軸は電圧（Ｖ）、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、図３２において横軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。
【０２４２】
また、本実施例で作製した発光素子の発光スペクトルを図３３に示す。図３３において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は強度（任意単位）を表す。図３３より、本実施例の発光素子は４８７ｎｍに発光スペクトルのピークを有し、青色の発光を呈することが分かった。さらに、ＣＩＥ表色系における色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．１７，０．３２）であり、本実施例の発光素子は色純度の良い青色を呈することが分かった。
【実施例８】
【０２４３】
本実施例では、合成例１に記載された方法によって合成されたＰＣＡＢＰＡを発光物質として用いた発光素子の作製方法およびその発光素子の動作特性について説明する。なお、本実施例の発光素子は、第１の電極と第２の電極との間に、層を構成する物質および層の厚さがそれぞれ異なる５層の層が積層した構造を有するという点で、実施例２の発光素子と同じである為、本実施例についても実施例２の説明に用いた図１５を参照して説明する。
【０２４４】
図１５に表すように、ガラス基板３０１上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法によって成膜し、第１の電極３０２を形成した。第１の電極３０２の厚さは１１０ｎｍとなるようにした。なお、電極は、２ｍｍ×２ｍｍの大きさを有する正方形の形状となるように形成した。
【０２４５】
次に、第１の電極３０２が形成されたガラス基板３０１を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。
【０２４６】
次に、真空装置内を排気し、１×１０−４Ｐａとなるように減圧した後、蒸着法によって第１の電極３０２上に、ＤＮＴＰＤからなる第１の層３０３を形成した。第１の層３０３の厚さは５０ｎｍとなるようにした。この第１の層３０３は、発光素子を動作させたときに正孔注入層として機能する層である。
【０２４７】
次に、第１の層３０３の上に、ＮＰＢから成る第２の層３０４を蒸着法によって形成した。第２の層３０４の厚さは１０ｎｍとなるようにした。この第２の層３０４は、発光素子を動作させたときに正孔輸送層として機能する層である。
【０２４８】
次に、第２の層３０４の上に、ｔ−ＢｕＤＮＡとＰＣＡＢＰＡとを含む第３の層３０５を共蒸着法によって形成した。第３の層３０５の厚さは４０ｎｍとなるようにし、ｔ−ＢｕＤＮＡとＰＣＡＢＰＡとの質量比は１：０．０４＝ｔ−ＢｕＤＮＡ：ＰＣＡＢＰＡとなるようにした。これによって、ＰＣＡＢＰＡはｔ−ＢｕＤＮＡから成る層に分散されたような状態となる。この第３の層３０５は、発光素子を動作させたときに発光層として機能する層である。なお、ＰＣＡＢＰＡは発光物質として機能する。
【０２４９】
次に、第３の層３０５上に、Ａｌｑ３から成る第４の層３０６を蒸着法によって形成した。第４の層３０６の厚さは１０ｎｍとなるようにした。この第４の層３０６は、発光素子を動作させたときに、電子輸送層として機能する層である。
【０２５０】
次に、第４の層３０６上に、Ａｌｑ３とＬｉとを含む第５の層３０７を共蒸着法によって形成した。第５の層３０７の厚さは１０ｎｍとなるようにした。また、Ａｌｑ３とＬｉとの質量比は１：０．０１＝Ａｌｑ３：Ｌｉとなるようにした。この第５の層３０７は、発光素子を動作させたときに、電子注入層として機能する層である。
【０２５１】
次に、第５の層３０７の上に、アルミニウムから成る第２の電極３０８を形成した。第２の電極３０８の厚さは２００ｎｍとなるようにした。
【０２５２】
以上のようにして作製した発光素子は、第１の電極３０２の電位が第２の電極３０８の電位よりも高くなるように電圧を印加したときに電流が流れ、発光層として機能する第３の層３０５において電子と正孔とが再結合して励起エネルギーが生成され、励起されたＰＣＡＢＰＡが基底状態に戻るときに発光するものである。
【０２５３】
この発光素子を、グローブボックス内において、窒素雰囲気下で、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、発光素子の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
【０２５４】
測定結果を図３４、３５に示す。図３４は電圧−輝度特性について、図３５は、輝度−電流効率特性について、それぞれ調べた結果である。図３４において横軸は電圧（Ｖ）、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、図３５において横軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。
【０２５５】
また、本実施例で作製した発光素子の発光スペクトルを図３６に示す。図３６において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は強度（任意単位）を表す。図３６より、本実施例の発光素子は４８２ｎｍに発光スペクトルのピークを有し、青色の発光を呈することが分かった。さらに、ＣＩＥ表色系における色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．１６，０．２９）であり、本実施例の発光素子は色純度の良い青色を呈することが分かった。
【実施例９】
【０２５６】
本実施例では、合成例１に記載された方法によって合成されたＰＣＡＢＰＡを発光物質として用いた発光素子の作製方法およびその発光素子の動作特性について説明する。なお、本実施例の発光素子は、第１の電極と第２の電極との間に、層を構成する物質および層の厚さがそれぞれ異なる５層の層が積層した構造を有するという点で、実施例２の発光素子と同じである為、本実施例についても実施例２の説明に用いた図１５を参照して説明する。
【０２５７】
図１５に表すように、ガラス基板３０１上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法によって成膜し、第１の電極３０２を形成した。第１の電極３０２の厚さは１１０ｎｍとなるようにした。なお、電極は、２ｍｍ×２ｍｍの大きさを有する正方形の形状となるように形成した。
【０２５８】
次に、第１の電極３０２が形成されたガラス基板３０１を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。
【０２５９】
次に、真空装置内を排気し、１×１０−４Ｐａとなるように減圧した後、蒸着法によって第１の電極３０２上に、ＣｕＰｃからなる第１の層３０３を形成した。第１の層３０３の厚さは２０ｎｍとなるようにした。この第１の層３０３は、発光素子を動作させたときに正孔注入層として機能する層である。
【０２６０】
次に、第１の層３０３の上に、ＮＰＢから成る第２の層３０４を蒸着法によって形成した。第２の層３０４の厚さは４０ｎｍとなるようにした。この第２の層３０４は、発光素子を動作させたときに正孔輸送層として機能する層である。
【０２６１】
次に、第２の層３０４の上に、ＣｚＰＡとＰＣＡＢＰＡとを含む第３の層３０５を共蒸着法によって形成した。第３の層３０５の厚さは４０ｎｍとなるようにし、ＣｚＰＡとＰＣＡＢＰＡとの質量比は１：０．０４＝ＣｚＰＡ：ＰＣＡＢＰＡとなるようにした。これによって、ＰＣＡＢＰＡはＣｚＰＡから成る層に分散されたような状態となる。この第３の層３０５は、発光素子を動作させたときに発光層として機能する層である。なお、ＰＣＡＢＰＡは発光物質として機能する。
【０２６２】
次に、第３の層３０５上に、Ａｌｑ３から成る第４の層３０６を蒸着法によって形成した。第４の層３０６の厚さは１０ｎｍとなるようにした。この第４の層３０６は、発光素子を動作させたときに、電子輸送層として機能する層である。
【０２６３】
次に、第４の層３０６上に、Ａｌｑ３とＬｉとを含む第５の層３０７を共蒸着法によって形成した。第５の層３０７の厚さは１０ｎｍとなるようにした。また、Ａｌｑ３とＬｉとの質量比は１：０．０１＝Ａｌｑ３：Ｌｉとなるようにした。この第５の層３０７は、発光素子を動作させたときに、電子注入層として機能する層である。
【０２６４】
次に、第５の層３０７の上に、アルミニウムから成る第２の電極３０８を形成した。第２の電極３０８の厚さは２００ｎｍとなるようにした。
【０２６５】
以上のようにして作製した発光素子は、第１の電極３０２の電位が第２の電極３０８の電位よりも高くなるように電圧を印加したときに電流が流れ、発光層として機能する第３の層３０５において電子と正孔とが再結合して励起エネルギーが生成され、励起されたＰＣＡＢＰＡが基底状態に戻るときに発光するものである。
【０２６６】
この発光素子を、グローブボックス内において、窒素雰囲気下で、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、発光素子の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
【０２６７】
測定結果を図３７、３８に示す。図３７は電圧−輝度特性について、図３８は、輝度−電流効率特性について、それぞれ調べた結果である。図３７において横軸は電圧（Ｖ）、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、図３８において横軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。
【０２６８】
また、本実施例で作製した発光素子の発光スペクトルを図３９に示す。図３９において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は強度（任意単位）を表す。図３９より、本実施例の発光素子は４８１ｎｍに発光スペクトルのピークを有し、青色の発光を呈することが分かった。さらに、ＣＩＥ表色系における色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．１７，０．３１）であり、本実施例の発光素子は色純度の良い青色を呈することが分かった。
【実施例１０】
【０２６９】
本実施例では、合成例１に記載された方法によって合成されたＰＣＡＢＰＡを発光物質として用いた発光素子の作製方法およびその発光素子の動作特性について説明する。なお、本実施例の発光素子は、第１の電極と第２の電極との間に、層を構成する物質および層の厚さがそれぞれ異なる５層の層が積層した構造を有するという点で、実施例２の発光素子と同じである為、本実施例についても実施例２の説明に用いた図１５を参照して説明する。
【０２７０】
図１５に表すように、ガラス基板３０１上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法によって成膜し、第１の電極３０２を形成した。第１の電極３０２の厚さは１１０ｎｍとなるようにした。なお、電極は、２ｍｍ×２ｍｍの大きさを有する正方形の形状となるように形成した。
【０２７１】
次に、第１の電極３０２が形成されたガラス基板３０１を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。
【０２７２】
次に、真空装置内を排気し、１×１０−４Ｐａとなるように減圧した後、蒸着法によって第１の電極３０２上に、ＣｕＰｃからなる第１の層３０３を形成した。第１の層３０３の厚さは２０ｎｍとなるようにした。この第１の層３０３は、発光素子を動作させたときに正孔注入層として機能する層である。
【０２７３】
次に、第１の層３０３の上に、ＮＰＢから成る第２の層３０４を蒸着法によって形成した。第２の層３０４の厚さは４０ｎｍとなるようにした。この第２の層３０４は、発光素子を動作させたときに正孔輸送層として機能する層である。
【０２７４】
次に、第２の層３０４の上に、ＤＰＣｚＰＡとＰＣＡＢＰＡとを含む第３の層３０５を共蒸着法によって形成した。第３の層３０５の厚さは４０ｎｍとなるようにし、ＤＰＣｚＰＡとＰＣＡＢＰＡとの質量比は１：０．０４＝ＤＰＣｚＰＡ：ＰＣＡＢＰＡとなるようにした。これによって、ＰＣＡＢＰＡはＤＰＣｚＰＡから成る層に分散されたような状態となる。この第３の層３０５は、発光素子を動作させたときに発光層として機能する層である。なお、ＰＣＡＢＰＡは発光物質として機能する。
【０２７５】
次に、第３の層３０５上に、Ａｌｑ３から成る第４の層３０６を蒸着法によって形成した。第４の層３０６の厚さは１０ｎｍとなるようにした。この第４の層３０６は、発光素子を動作させたときに、電子輸送層として機能する層である。
【０２７６】
次に、第４の層３０６上に、Ａｌｑ３とＬｉとを含む第５の層３０７を共蒸着法によって形成した。第５の層３０７の厚さは１０ｎｍとなるようにした。また、Ａｌｑ３とＬｉとの質量比は１：０．０１＝Ａｌｑ３：Ｌｉとなるようにした。この第５の層３０７は、発光素子を動作させたときに、電子注入層として機能する層である。
【０２７７】
次に、第５の層３０７の上に、アルミニウムから成る第２の電極３０８を形成した。第２の電極３０８の厚さは２００ｎｍとなるようにした。
【０２７８】
以上のようにして作製した発光素子は、第１の電極３０２の電位が第２の電極３０８の電位よりも高くなるように電圧を印加したときに電流が流れ、発光層として機能する第３の層３０５において電子と正孔とが再結合して励起エネルギーが生成され、励起されたＰＣＡＢＰＡが基底状態に戻るときに発光するものである。
【０２７９】
この発光素子を、グローブボックス内において、窒素雰囲気下で、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、発光素子の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
【０２８０】
測定結果を図４０、４１に示す。図４０は電圧−輝度特性について、図４１は、輝度−電流効率特性について、それぞれ調べた結果である。図４０において横軸は電圧（Ｖ）、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、図４１において横軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。
【０２８１】
また、本実施例で作製した発光素子の発光スペクトルを図４２に示す。図４２において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は強度（任意単位）を表す。図４２より、本実施例の発光素子は４８５ｎｍに発光スペクトルのピークを有し、青色の発光を呈することが分かった。さらに、ＣＩＥ表色系における色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．１７，０．３１）であり、本実施例の発光素子は色純度の良い青色を呈することが分かった。
【実施例１１】
【０２８２】
本実施例では、合成例１に記載された方法によって合成されたＰＣＡＢＰＡを発光物質として用いた発光素子の作製方法およびその発光素子の動作特性について説明する。なお、本実施例の発光素子は、第１の電極と第２の電極との間に、層を構成する物質および層の厚さがそれぞれ異なる５層の層が積層した構造を有するという点で、実施例２の発光素子と同じである為、本実施例についても実施例２の説明に用いた図１５を参照して説明する。
【０２８３】
図１５に表すように、ガラス基板３０１上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法によって成膜し、第１の電極３０２を形成した。第１の電極３０２の厚さは１１０ｎｍとなるようにした。なお、電極は、２ｍｍ×２ｍｍの大きさを有する正方形の形状となるように形成した。
【０２８４】
次に、第１の電極３０２が形成されたガラス基板３０１を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。
【０２８５】
次に、真空装置内を排気し、１×１０−４Ｐａとなるように減圧した後、蒸着法によって第１の電極３０２上に、ＣｕＰｃからなる第１の層３０３を形成した。第１の層３０３の厚さは２０ｎｍとなるようにした。この第１の層３０３は、発光素子を動作させたときに正孔注入層として機能する層である。
【０２８６】
次に、第１の層３０３の上に、ＮＰＢから成る第２の層３０４を蒸着法によって形成した。第２の層３０４の厚さは４０ｎｍとなるようにした。この第２の層３０４は、発光素子を動作させたときに正孔輸送層として機能する層である。
【０２８７】
次に、第２の層３０４の上に、ｔ−ＢｕＤＮＡとＰＣＡＢＰＡとを含む第３の層３０５を共蒸着法によって形成した。第３の層３０５の厚さは４０ｎｍとなるようにし、ｔ−ＢｕＤＮＡとＰＣＡＢＰＡとの質量比は１：０．０４＝ｔ−ＢｕＤＮＡ：ＰＣＡＢＰＡとなるようにした。これによって、ＰＣＡＢＰＡはｔ−ＢｕＤＮＡから成る層に分散されたような状態となる。この第３の層３０５は、発光素子を動作させたときに発光層として機能する層である。なお、ＰＣＡＢＰＡは発光物質として機能する。
【０２８８】
次に、第３の層３０５上に、Ａｌｑ３から成る第４の層３０６を蒸着法によって形成した。第４の層３０６の厚さは１０ｎｍとなるようにした。この第４の層３０６は、発光素子を動作させたときに、電子輸送層として機能する層である。
【０２８９】
次に、第４の層３０６上に、Ａｌｑ３とＬｉとを含む第５の層３０７を共蒸着法によって形成した。第５の層３０７の厚さは１０ｎｍとなるようにした。また、Ａｌｑ３とＬｉとの質量比は１：０．０１＝Ａｌｑ３：Ｌｉとなるようにした。この第５の層３０７は、発光素子を動作させたときに、電子注入層として機能する層である。
【０２９０】
次に、第５の層３０７の上に、アルミニウムから成る第２の電極３０８を形成した。第２の電極３０８の厚さは２００ｎｍとなるようにした。
【０２９１】
以上のようにして作製した発光素子は、第１の電極３０２の電位が第２の電極３０８の電位よりも高くなるように電圧を印加したときに電流が流れ、発光層として機能する第３の層３０５において電子と正孔とが再結合して励起エネルギーが生成され、励起されたＰＣＡＢＰＡが基底状態に戻るときに発光するものである。
【０２９２】
この発光素子を、グローブボックス内において、窒素雰囲気下で、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、発光素子の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
【０２９３】
測定結果を図４３、４４に示す。図４３は電圧−輝度特性について、図４４は、輝度−電流効率特性について、それぞれ調べた結果である。図４３において横軸は電圧（Ｖ）、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、図４４において横軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。
【０２９４】
また、本実施例で作製した発光素子の発光スペクトルを図４５に示す。図４５において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は強度（任意単位）を表す。図４５より、本実施例の発光素子は４７６ｎｍに発光スペクトルのピークを有し、青色の発光を呈することが分かった。さらに、ＣＩＥ表色系における色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．１６，０．２８）であり、本実施例の発光素子は色純度の良い青色を呈することが分かった。
【図面の簡単な説明】
【０２９５】
【図１】本発明の発光素子について説明する図。
【図２】本発明の発光素子について説明する図。
【図３】本発明を適用した発光装置について説明する図。
【図４】本発明を適用した発光装置に含まれる回路について説明する図。
【図５】本発明を適用した発光装置の上面図。
【図６】本発明を適用した発光装置のフレーム動作について説明する図。
【図７】本発明を適用した発光装置に含まれる回路について説明する図。
【図８】本発明を適用した発光装置の断面図。
【図９】本発明を適用した電子機器の図。
【図１０】本発明のアントラセン誘導体の吸収スペクトルを示す図。
【図１１】本発明のアントラセン誘導体の発光スペクトルを示す図。
【図１２】本発明のアントラセン誘導体についてのサイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）による測定結果を示す図。
【図１３】合成例１で合成したＰＣＡの１Ｈ−ＮＭＲチャート。
【図１４】合成例１で合成したＰＣＡＢＰＡの１Ｈ−ＮＭＲチャート。
【図１５】実施例で作製した発光素子について説明する図。
【図１６】実施例２で作製した発光素子の輝度−電圧特性。
【図１７】実施例２で作製した発光素子の輝度−電流効率特性。
【図１８】実施例２で作製した発光素子の発光スペクトル。
【図１９】実施例３で作製した発光素子の輝度−電圧特性。
【図２０】実施例３で作製した発光素子の輝度−電流効率特性。
【図２１】実施例３で作製した発光素子の発光スペクトル。
【図２２】実施例４で作製した発光素子の輝度−電圧特性。
【図２３】実施例４で作製した発光素子の輝度−電流効率特性。
【図２４】実施例４で作製した発光素子の発光スペクトル。
【図２５】実施例５で作製した発光素子の輝度−電圧特性。
【図２６】実施例５で作製した発光素子の輝度−電流効率特性。
【図２７】実施例５で作製した発光素子の発光スペクトル。
【図２８】実施例６で作製した発光素子の輝度−電圧特性。
【図２９】実施例６で作製した発光素子の輝度−電流効率特性。
【図３０】実施例６で作製した発光素子の発光スペクトル。
【図３１】実施例７で作製した発光素子の輝度−電圧特性。
【図３２】実施例７で作製した発光素子の輝度−電流効率特性。
【図３３】実施例７で作製した発光素子の発光スペクトル。
【図３４】実施例８で作製した発光素子の輝度−電圧特性。
【図３５】実施例８で作製した発光素子の輝度−電流効率特性。
【図３６】実施例８で作製した発光素子の発光スペクトル。
【図３７】実施例９で作製した発光素子の輝度−電圧特性。
【図３８】実施例９で作製した発光素子の輝度−電流効率特性。
【図３９】実施例９で作製した発光素子の発光スペクトル。
【図４０】実施例１０で作製した発光素子の輝度−電圧特性。
【図４１】実施例１０で作製した発光素子の輝度−電流効率特性。
【図４２】実施例１０で作製した発光素子の発光スペクトル。
【図４３】実施例１１で作製した発光素子の輝度−電圧特性。
【図４４】実施例１１で作製した発光素子の輝度−電流効率特性。
【図４５】実施例１１で作製した発光素子の発光スペクトル。
【図４６】本発明の発光装置の態様について説明する図。
【図４７】合成例２で合成したＰＣＡＢＢＡの１Ｈ−ＮＭＲチャート。
【図４８】本発明のアントラセン誘導体の吸収スペクトルを示す図。
【図４９】本発明のアントラセン誘導体の発光スペクトルを示す図。
【符号の説明】
【０２９６】
１０１ 第１の電極
１０２ 第２の電極
１１１ 正孔注入層
１１２ 正孔輸送層
１１３ 発光層
１１４ 電子輸送層
１１５ 電子注入層
２０１ 第１の電極
２０２ 第２の電極
２１１ 正孔注入層
２１２ 正孔輸送層
２１３ 発光層
２１４ 電子輸送層
２１５ 電子注入層
３０１ ガラス基板
３０２ 第１の電極
３０３ 第１の層
３０４ 第２の層
３０５ 第３の層
３０６ 第４の層
３０７ 第５の層
３０８ 第２の電極
６５００ 基板
６５０３ ＦＰＣ
６５０４ プリント配線基盤（ＰＷＢ）
６５１１ 画素部
６５１２ ソース信号線駆動回路
６５１３ 書込用ゲート信号線駆動回路
６５１４ 消去用ゲート信号線駆動回路
９０１ 第１のトランジスタ
９０２ 第２のトランジスタ
９０３ 発光素子
９１１ ゲート信号線
９１２ ソース信号線
９１３ 書込用ゲート信号線駆動回路
９１４ 消去用ゲート信号線駆動回路
９１５ ソース信号線駆動回路
９１６ 電源
９１７ 電流供給線
９１８ スイッチ
９１９ スイッチ
９２０ スイッチ
１００１ 第１のトランジスタ
１００２ 第２のトランジスタ
１００３ ゲート信号線
１００４ ソース信号線
１００５ 電流供給線
１００６ 電極
５０１ サブフレーム
５０２ サブフレーム
５０３ サブフレーム
５０４ サブフレーム
５０１ａ 書き込み期間
５０１ｂ 保持期間
５０２ａ 書き込み期間
５０２ｂ 保持期間
５０３ａ 書き込み期間
５０３ｂ 保持期間
５０４ａ 書き込み期間
５０４ｂ 保持期間
５０４ｃ 消去期間
５０４ｄ 非発光期間
２１０１ 第１のトランジスタ
２１０２ 保持容量
２１０３ 第２のトランジスタ
２１１１ 消去ダイオード
２１０４ 発光素子
２１０５ 信号線
２１０６ 電源線
２１０８ 第２電源線
２１０７ 第１ゲート線
２１１７ 第２ゲート線
１０ 基板
１１ トランジスタ
１２ 発光素子
１３ 第１の電極
１４ 第２の電極
１５ 発光層
１６ａ、１６ｂ、１６ｃ 第１層間絶縁膜
１７ 配線
１８ 隔壁層
１９ａ、１９ｂ 第２層間絶縁膜
５５２１ 本体
５５２２ 筐体
５５２３ 表示部
５５２４ キーボード
５５５１ 表示部
５５５２ 本体
５５５３ アンテナ
５５５４ 音声出力部
５５５５ 音声入力部
５５５６ 操作スイッチ
５５３１ 表示部
５５３２ 筐体
５５３３ スピーカー
１９０１ 基板
１９０２ 電極
１９０４ 隔壁層
１９０５ 発光層
１９０６ 電極
１９０７ 基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）で表されるアントラセン誘導体。
【化０１】
（式中、Ｒ１は、水素または炭素数１〜４のアルキル基を表す。Ｒ２は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表す。Ｒ３は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表す。Ｐｈ１は、フェニル基を表す。Ｘ１は、炭素数６〜１５のアリーレン基を表す。）
【請求項２】
一般式（２）で表されるアントラセン誘導体。
【化０２】
（式中、Ｒ４は、水素または炭素数１〜４のアルキル基を表す。Ｒ５〜Ｒ８は、水素、または、Ｒ５とＲ６、Ｒ７とＲ８が、それぞれ、互いに結合した芳香環を表す。Ｒ９は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表す。Ｒ１０は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表す。Ｐｈ２は、フェニル基を表す。）
【請求項３】
一般式（３）で表されるアントラセン誘導体。
【化０３】
（式中、Ｒ１１は、水素または炭素数１〜４のアルキル基を表す。Ｒ１２は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表す。Ｒ１３は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表す。Ｐｈ３は、フェニル基を表す。）
【請求項４】
一般式（４）で表されるアントラセン誘導体。
【化０４】
（式中、Ｒ１４は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表す。Ｒ１５は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表す。Ｐｈ４は、フェニル基を表す。）
【請求項５】
一般式（５）で表されるアントラセン誘導体。
【化０５】
（式中、Ｒ１６は、水素または炭素数１〜４のアルキル基を表す。）
【請求項６】
一般式（６）で表されるアントラセン誘導体。
（式中、Ｘ２は、炭素数６〜１５のアリーレン基を表す。）
【化０６】
【請求項７】
一般式（７）で表されるアントラセン誘導体。
【化０７】
（式中、Ｒ１７は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表す。）
【請求項８】
一般式（８）で表されるアントラセン誘導体。
【化０８】
（式中、Ｒ１８は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表す。）
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載のアントラセン誘導体を含む層を、電極間に有する発光素子。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載のアントラセン誘導体を発光物質として含む発光素子を用いた発光装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載のアントラセン誘導体をホストとして含む発光素子を用いた発光装置。
【請求項１２】
請求項９乃至請求項１１のいずれか一項に記載の発光素子を画素部に有する発光装置。
【請求項１３】
請求項１１に記載の発光装置を表示部に用いた電子機器。
【請求項１】
一般式（１）で表されるアントラセン誘導体。
【化０１】
（式中、Ｒ１は、水素または炭素数１〜４のアルキル基を表す。Ｒ２は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表す。Ｒ３は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表す。Ｐｈ１は、フェニル基を表す。Ｘ１は、炭素数６〜１５のアリーレン基を表す。）
【請求項２】
一般式（２）で表されるアントラセン誘導体。
【化０２】
（式中、Ｒ４は、水素または炭素数１〜４のアルキル基を表す。Ｒ５〜Ｒ８は、水素、または、Ｒ５とＲ６、Ｒ７とＲ８が、それぞれ、互いに結合した芳香環を表す。Ｒ９は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表す。Ｒ１０は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表す。Ｐｈ２は、フェニル基を表す。）
【請求項３】
一般式（３）で表されるアントラセン誘導体。
【化０３】
（式中、Ｒ１１は、水素または炭素数１〜４のアルキル基を表す。Ｒ１２は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表す。Ｒ１３は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表す。Ｐｈ３は、フェニル基を表す。）
【請求項４】
一般式（４）で表されるアントラセン誘導体。
【化０４】
（式中、Ｒ１４は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表す。Ｒ１５は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表す。Ｐｈ４は、フェニル基を表す。）
【請求項５】
一般式（５）で表されるアントラセン誘導体。
【化０５】
（式中、Ｒ１６は、水素または炭素数１〜４のアルキル基を表す。）
【請求項６】
一般式（６）で表されるアントラセン誘導体。
（式中、Ｘ２は、炭素数６〜１５のアリーレン基を表す。）
【化０６】
【請求項７】
一般式（７）で表されるアントラセン誘導体。
【化０７】
（式中、Ｒ１７は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表す。）
【請求項８】
一般式（８）で表されるアントラセン誘導体。
【化０８】
（式中、Ｒ１８は、水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基のいずれかを表す。）
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載のアントラセン誘導体を含む層を、電極間に有する発光素子。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載のアントラセン誘導体を発光物質として含む発光素子を用いた発光装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載のアントラセン誘導体をホストとして含む発光素子を用いた発光装置。
【請求項１２】
請求項９乃至請求項１１のいずれか一項に記載の発光素子を画素部に有する発光装置。
【請求項１３】
請求項１１に記載の発光装置を表示部に用いた電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図４１】
【図４２】
【図４３】
【図４４】
【図４５】
【図４６】
【図４７】
【図４８】
【図４９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図４１】
【図４２】
【図４３】
【図４４】
【図４５】
【図４６】
【図４７】
【図４８】
【図４９】
【公開番号】特開２００７−５５９９６（Ｐ２００７−５５９９６Ａ）
【公開日】平成１９年３月８日（２００７．３．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−３７６４２７（Ｐ２００５−３７６４２７）
【出願日】平成１７年１２月２７日（２００５．１２．２７）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年３月８日（２００７．３．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年１２月２７日（２００５．１２．２７）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
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