コンデンサ素子の乾燥方法、コンデンサの製造方法、及びコンデンサ素子乾燥装置
【課題】フィルム本体部を有するコンデンサ素子の乾燥時間を短くしつつコンデンサ素子の絶縁性を確保する。
【解決手段】フィルム（61）が巻回又は積層されて形成されたフィルム本体部（53）を有するコンデンサ素子（51）の乾燥を開始する乾燥開始工程と、乾燥中のコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗を計測する計測工程と、コンデンサ素子（51）の乾燥を停止させる乾燥停止条件が成立するか否かを、計測工程で計測されたコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘ，Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３に基づいて判定する判定工程と、判定工程において乾燥停止条件が成立したと判定された場合、上記コンデンサ素子（51）の乾燥を停止する乾燥停止工程とを備える乾燥方法によって、コンデンサ素子（51）を乾燥する。
【解決手段】フィルム（61）が巻回又は積層されて形成されたフィルム本体部（53）を有するコンデンサ素子（51）の乾燥を開始する乾燥開始工程と、乾燥中のコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗を計測する計測工程と、コンデンサ素子（51）の乾燥を停止させる乾燥停止条件が成立するか否かを、計測工程で計測されたコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘ，Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３に基づいて判定する判定工程と、判定工程において乾燥停止条件が成立したと判定された場合、上記コンデンサ素子（51）の乾燥を停止する乾燥停止工程とを備える乾燥方法によって、コンデンサ素子（51）を乾燥する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フィルムが巻回又は積層されて形成されたフィルム本体部を有するコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、フィルムコンデンサのフィルムに含まれる水分の影響による絶縁抵抗不良を低減するために、例えば特許文献１に開示されるように、コンデンサの製造工程において、フィルムあるいはコンデンサ素子（フィルム本体部）を乾燥することが知られている。これにより、フィルムに含まれる水分が外部へ放出されるため、該フィルム本体部を用いて形成されるフィルムコンデンサの絶縁抵抗の低下を抑制できる。
【０００３】
更に、上述のように乾燥されたフィルム本体部は、例えば上記特許文献１に開示されるように、耐湿性を有する樹脂材料等によって封止される。これにより、フィルム本体部と外気とが遮断され、フィルムコンデンサの高い絶縁性が維持される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開昭５５−１０２２１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、フィルム本体部に含まれる水分の量は、該フィルム本体部が製造される湿度の違い（季節によって湿度は大きく異なる）や、フィルム本体部の個体差による特性のばらつき等によってばらつく。これに対して、従来は、全てのフィルム本体部を確実に乾燥できるような十分に余裕をもった長い時間、該フィルム本体部を乾燥していた。しかし、こうすると、含有される水分量が比較的少ないフィルム本体部については、必要以上に長い時間乾燥されることになる。その結果、無駄なエネルギーが消費されてしまう。
【０００６】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、フィルム本体部を有するコンデンサ素子の乾燥時間を短くしつつコンデンサ素子の絶縁性を確保することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第１の発明は、コンデンサ素子の乾燥方法を対象とし、フィルム（61）が巻回又は積層されて形成されたフィルム本体部（53）を有するコンデンサ素子（51）の乾燥を開始する乾燥開始工程と、乾燥中の上記コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗を計測する計測工程と、上記コンデンサ素子（51）の乾燥を停止させる乾燥停止条件が成立するか否かを、上記計測工程で計測されたコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘ，Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３に基づいて判定する判定工程と、該判定工程において上記乾燥停止条件が成立したと判定された場合、上記コンデンサ素子（51）の乾燥を停止する乾燥停止工程とを備えることを特徴とする。
【０００８】
第１の発明では、コンデンサ素子（51）が乾燥されるため、該コンデンサ素子（51）に含まれる水分が蒸発する。その結果、コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗が高くなる。
【０００９】
第１の発明では、乾燥開始工程によって乾燥が開始されたコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗が計測され、この絶縁抵抗Ｒｘ，Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３に基づいて、コンデンサ素子（51）の乾燥を停止させる乾燥停止条件が成立するか否かが判定される。乾燥停止条件が成立していないと判定された場合には、コンデンサ素子（51）の乾燥は継続され、乾燥停止条件が成立したと判定された場合には、コンデンサ素子（51）の乾燥は停止される。
【００１０】
第２の発明は、第１の発明において、上記計測工程では、乾燥中の上記コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗が随時計測され、上記判定工程では、上記計測工程で計測されたコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘが所定値Ｒａを上回った場合、上記乾燥停止条件が成立したと判定されることを特徴とする。
【００１１】
第２の発明では、計測工程において、乾燥中のコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗が、随時計測される。この計測工程で計測されたコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘが所定値Ｒａを上回った場合、乾燥停止条件が成立したと判定され、コンデンサ素子（51）の乾燥が停止される。
【００１２】
第３の発明は、第１の発明において、上記判定工程では、上記計測工程で計測されたコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３に基づいて上記コンデンサ素子（51）の残りの乾燥時間Ｔｘが算出され、該残りの乾燥時間Ｔｘが経過した場合、上記乾燥停止条件が成立したと判定されることを特徴とする。
【００１３】
第３の発明では、計測工程で計測されたコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３に基づいて、該コンデンサ素子（51）の残りの乾燥時間Ｔｘが算出される。そして、この残りの乾燥時間Ｔｘが経過した場合、乾燥停止条件が成立したと判定され、コンデンサ素子（51）の乾燥が停止される。
【００１４】
第４の発明は、第３の発明において、上記判定工程では、上記計測工程で計測されたコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘ１，Ｒｘ２の所定時間における変化量ΔＲが算出され、該変化量ΔＲに基づいて上記コンデンサ素子（51）の残りの乾燥時間Ｔｘが算出されることを特徴とする。
【００１５】
第４の発明では、計測工程において、コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗が、時間をおいて少なくとも２回計測される。このように計測されたコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘ１，Ｒｘ２に基づいて、該コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘ１，Ｒｘ２の所定時間における変化量ΔＲが算出される。そして、該ΔＲに基づいて、コンデンサ素子（51）の残りの乾燥時間Ｔｘが算出される。この残りの乾燥時間Ｔｘが経過した場合、乾燥停止条件が成立したと判定され、コンデンサ素子（51）の乾燥が停止される。
【００１６】
第５の発明は、コンデンサの製造方法を対象とし、上記第１から第４の発明によって乾燥されたコンデンサ素子（51）を封止する工程を備えることを特徴とする。
【００１７】
第５の発明では、第１から第４の発明によって乾燥されたコンデンサ素子（51）が封止されてコンデンサが形成される。これにより、コンデンサ素子（51）は、外気に含まれる水分に触れないように密閉される。
【００１８】
第６の発明は、コンデンサ素子乾燥装置を対象とし、フィルム（61）が巻回又は積層されて形成されたフィルム本体部（53）を有するコンデンサ素子（51）を乾燥する乾燥機構（20）と、該乾燥機構（20）で乾燥中のコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗を計測する絶縁抵抗計測器（40）と、該絶縁抵抗計測器（40）によって計測されたコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘ，Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３に基づいて上記乾燥機構（20）を制御する制御部（30）とを備えることを特徴とする。
【００１９】
第６の発明では、乾燥機構（20）で乾燥中のコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗が、絶縁抵抗計測器（40）によって計測され、該絶縁抵抗計測器（40）によって計測されたコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘ，Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３に基づいて、制御部（30）が乾燥機構（20）を制御する。
【発明の効果】
【００２０】
第１の発明によれば、乾燥中のコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘ，Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３に基づいて乾燥停止条件を判定することで、乾燥中のコンデンサ素子（51）に含まれる水分量を直接的に把握しながら、乾燥停止条件を判定している。こうすると、乾燥時間が過剰とならないため乾燥エネルギーを低減できる。しかも、乾燥時間が不足しないためコンデンサ素子（51）を十分に乾燥できる。
【００２１】
また、第２の発明によれば、乾燥中のコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘが所定値Ｒａを上回った場合、コンデンサ素子（51）の乾燥が停止される。この所定値Ｒａを適切な値に設定することで、コンデンサ素子（51）の絶縁性を確実に確保できる。
【００２２】
また、第３の発明によれば、算出されたコンデンサ素子（51）の残りの乾燥時間Ｔｘの経過後、コンデンサ素子（51）の乾燥が停止される。こうすると、残りの乾燥時間Ｔｘを算出した後、コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘを計測する必要がなくなる。従って、コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘを計測する時間を短くできる。
【００２３】
また、第４の発明によれば、乾燥中のコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘ１，Ｒｘ２が、時間をおいて少なくとも２回計測され、これらの絶縁抵抗Ｒｘ１，Ｒｘ２を用いて残りの乾燥時間Ｔｘを算出している。
【００２４】
例えば、乾燥中のコンデンサ素子の絶縁抵抗が１回だけ計測され、該計測値のみを用いて残りの乾燥時間を算出する場合、コンデンサ素子の特性（具体的には、乾燥中のコンデンサ素子の絶縁抵抗の所定時間における変化量）を予測し、その予測された特性に基づいて残りの乾燥時間を算出する必要がある。しかし、こうすると、実際に絶縁抵抗が計測されるコンデンサ素子（51）の特性が、予測されるコンデンサ素子の特性と異なる場合、算出された残りの乾燥時間と、本来必要な残りの乾燥時間との間に大きなずれが生じる虞がある。
【００２５】
これに対して、第４の発明では、コンデンサ素子の特性（乾燥中のコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗の所定時間における変化量ΔＲ）を実際に計測し、その値に基づいて残りの乾燥時間Ｔｘを算出している。こうすると、算出される残りの乾燥時間Ｔｘと、本来必要な残りの乾燥時間との間のずれを少なくできる。従って、コンデンサ素子（51）の乾燥不足や、乾燥に用いられるエネルギーの無駄を回避できる。
【００２６】
また、第５の発明によれば、第１から第４の発明によって十分に乾燥されたコンデンサ素子（51）を封止することによりコンデンサが形成されるため、コンデンサの絶縁性を十分に確保できる。しかも、上記第１から第４の発明によるコンデンサ素子（51）を乾燥するためのエネルギーは従来よりも低いため、コンデンサの製造時に使用されるエネルギーを低減できる。
【００２７】
また、第６の発明によれば、コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘ，Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３に基づいて乾燥機構（20）が制御されるため、コンデンサ素子（51）の絶縁性を十分に確保しつつ、コンデンサ素子（51）の乾燥に必要なエネルギーを低減できる。しかも、コンデンサ素子（51）の乾燥は、制御部（30）によって自動で制御されるため、作業者の作業工数を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】図１は、実施形態１に係るコンデンサ素子乾燥装置の概略構成図である。
【図２】図２は、乾燥器本体の概略構成を示す斜視図である。
【図３】図３は、絶縁抵抗計測器の概略構成図である。
【図４】図４は、コンデンサ素子の絶縁抵抗を算出するための等価回路図である。
【図５】図５は、制御部の構成を示すブロック図である。
【図６】図６は、フィルムコンデンサの概略構成を示す縦断面図である。
【図７】図７は、２枚の金属化フィルムを重ね合わせた状態を示す断面図である。
【図８】図８は、フィルムコンデンサの製造方法を示すフローチャートである。
【図９】図９は、コンデンサ素子の乾燥方法を示すフローチャートである。
【図１０】図１０は、コンデンサ素子を乾燥中の乾燥器本体内の様子を示す図である。
【図１１】図１１は、実施形態１から３の変形例に係るコンデンサ素子乾燥装置の概略構成図である。
【図１２】図１２は、実施形態２の制御部の構成を示すブロック図である。
【図１３】図１３は、実施形態２におけるコンデンサ素子の乾燥方法を示すフローチャートである。
【図１４】図１４は、実施形態３の制御部の構成を示すブロック図である。
【図１５】図１５は、乾燥中のコンデンサ素子の絶縁抵抗と残りの乾燥時間との関係を表すグラフである。
【図１６】図１６は、実施形態３におけるコンデンサ素子の乾燥方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態は、本質的に好ましい例示であって、本発明、その適用物、あるいはその用途の範囲を制限することを意図するものではない。
【００３０】
《発明の実施形態１》
−全体構成−
実施形態１に係るコンデンサ素子乾燥装置（1）は、図１に示すように、真空乾燥器（10）と、絶縁抵抗計測器（40）とを備えている。真空乾燥器（10）は、フィルムコンデンサ（50）のコンデンサ素子（51）を乾燥させるためのものであり、絶縁抵抗計測器（40）は、真空乾燥器（10）によって乾燥されるコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗を計測するためのものである。
【００３１】
真空乾燥器（10）は、図２に示すように、開口を有する箱状の乾燥器本体（11）と、該乾燥器本体（11）の開口を開閉可能な扉部（12）とを備えている。扉部（12）は、ヒンジ部（13）を介して乾燥器本体（11）に取り付けられている。扉部（12）の中央部には、耐熱性を有するガラス等で構成された観測窓（14）が設けられていて、乾燥器本体（11）の内部を観測することができるようになっている。また、乾燥器本体（11）には、該乾燥器本体（11）の内部に収容されたコンデンサ素子（51）に電圧を印加するための電圧印加用端子（15）が取り付けられている。
【００３２】
乾燥器本体（11）の内側には、内槽部（16）が収容されている。内槽部（16）は、開口を有する箱状に形成されている。内槽部（16）の開口は、乾燥器本体（11）の開口と同じ向きに開いている。内槽部（16）は、ステンレスの鋼板等で構成される。内槽部（16）によって囲まれた空間は、コンデンサ素子（51）を収容可能な乾燥室（S）を構成している。
【００３３】
真空乾燥器（10）は、図１に示すように、乾燥機構（20）と、制御部（30）とを備えている。
【００３４】
乾燥機構（20）は、ヒーター（21）と、真空ポンプ（25）とを備えている。
【００３５】
ヒーター（21）は、乾燥室（S）内を加熱するための加熱機構を構成している。ヒーター（21）は、内槽部（16）の外側に取り付けられている。ヒーター（21）によって内槽部（16）が加熱されると、内槽部（16）内の乾燥室（S）が昇温する。真空ポンプ（25）は、乾燥室（S）内を減圧するための減圧機構を構成している。真空ポンプ（25）は、配管（26）によって乾燥室（S）と繋がっている。真空ポンプ（25）が駆動すると、乾燥室（S）内の空気が配管（26）を通じて外部へ排出される。これにより、乾燥室（S）内が減圧される。
【００３６】
制御部（30）は、絶縁抵抗計測器（40）で計測されたコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗に基づいて、乾燥機構（20）を制御するように構成されている。制御部（30）の構成については、詳しくは後述する。
【００３７】
絶縁抵抗計測器（40）は、真空乾燥器（10）によって乾燥されるコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗を計測するためのものである。絶縁抵抗計測器（40）は、図３に示すように、絶縁抵抗計（41）と、素子設置台（45）とを備えている。
【００３８】
絶縁抵抗計（41）は、乾燥器本体（11）の外側に配置されている。絶縁抵抗計（41）は、図４に示すように、直流電源部（42）と、固定抵抗（43）とが直列に接続された計測回路（41a）を備えている。この計測回路（41a）の両端は、ケーブル等によって、乾燥器本体（11）に取り付けられた電圧印加用端子（15）に接続される。
【００３９】
なお、本実施形態１では、絶縁抵抗計（41）を、乾燥器本体（11）の外側に配置しているが、この限りでなく、例えば、乾燥器本体（11）に内蔵されていてもよい。また、絶縁抵抗計（41）の構成は上述のものに限らず、絶縁抵抗を計測可能であれば、どのような構成であってもよい。
【００４０】
素子設置台（45）は、図３に示すように、乾燥室（S）内に配置されている。素子設置台（45）には、乾燥室（S）内で乾燥されるコンデンサ素子（51）が設置される。具体的には、素子設置台（45）は、一対の端子部（46,46）を備えていて、該一対の端子部（46,46）のそれぞれにコンデンサ素子（51）の外部端子（55,55）のそれぞれが接続される。これにより、コンデンサ素子（51）が素子設置台（45）に設置される。また、一対の端子部（46,46）は、それぞれ、ケーブル等によって、電圧印加用端子（15）に接続される。
【００４１】
上記絶縁抵抗計測器（40）では、素子設置台（45）にコンデンサ素子（51）が設置された状態において直流電源部（42）がＯＮされると、次の式（1）に基づいて、コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗が計測される。
【００４２】
Ｒｘ＝Ｒ０×（Ｅ／Ｖ０−１）…（1）
式（1）において、Ｒｘはコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗、Ｒ０は固定抵抗（43）の抵抗、Ｅは直流電源部（42）の電圧、Ｖ０は固定抵抗（43）の電圧である。
【００４３】
なお、式（1）において、Ｅ≫Ｖ０の場合（例えば、Ｖ０がＥの１／１００以下の場合）、式（1）は次の式（2）のように表すことができる。
【００４４】
Ｒｘ＝Ｒ０×Ｅ／Ｖ０…（2）
絶縁抵抗計（41）では、固定抵抗（43）の電圧Ｖ０が計測され、該電圧Ｖ０を式（1）又は式（2）に代入することによって、コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘが算出される。絶縁抵抗計（41）では、コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗が、随時計測される。
【００４５】
また、絶縁抵抗計（41）は、計測値送信部（44）を備えている。絶縁抵抗計（41）で随時計測されるコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘは、計測値送信部（44）から制御部（30）へ送信される。
【００４６】
−制御部の構成−
制御部（30）は、上記絶縁抵抗計測器（40）で随時計測されるコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘが所定値Ｒａを上回った場合、乾燥機構（20）（ヒーター（21）及び真空ポンプ（25））の駆動を停止するように構成されている。
【００４７】
制御部（30）は、図５に示すように、記憶部（31）と、判定部（32）と、指令部（33）とを備えている。
【００４８】
記憶部（31）には、絶縁抵抗の所定値Ｒａが記憶されている。本実施形態１では、所定値Ｒａは、フィルムコンデンサ（50）の絶縁抵抗の規格値（例えば１００ＭΩ）よりも高い値に設定される。
【００４９】
判定部（32）は、絶縁抵抗の所定値Ｒａと、絶縁抵抗計（41）の計測値送信部（44）から随時送信されるコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘとを比較する。判定部（32）は、絶縁抵抗Ｒｘが所定値Ｒａを上回った場合、乾燥機構（20）を停止させるための乾燥停止条件が成立したと判定する。
【００５０】
指令部（33）は、判定部（32）で乾燥停止条件が成立したと判定された場合（すなわち、コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘが所定値Ｒａを上回った場合）、ヒーター（21）へヒーター停止信号Ｓｈを送信するとともに、真空ポンプ（25）へポンプ停止信号Ｓｐを送信する。ヒーター停止信号Ｓｈを受信したヒーター（21）は乾燥室（S）の加熱を停止し、ポンプ停止信号Ｓｐを受信した真空ポンプ（25）は乾燥室（S）の減圧を停止する。
【００５１】
−フィルムコンデンサ−
フィルムコンデンサ（50）は、電源供給回路の平滑コンデンサ等に用いられる。図６に示すように、フィルムコンデンサ（50）は、コンデンサ素子（51）と、絶縁カバー（57）と、封止樹脂（58）とを備えている。
【００５２】
コンデンサ素子（51）は、巻芯（52）と、該巻芯（52）に巻回されたフィルム本体部としての巻回部（53）と、該巻回部（53）の軸方向両端部にそれぞれ設けられるメタリコン電極（54）と、各メタリコン電極（54）にそれぞれ電気的に接続される外部端子（55）とを備えている。
【００５３】
巻芯（52）は、円筒状の樹脂部材で構成されている。なお、この円筒状の巻芯（52）の内部に金属製の芯部を設けてもよい。
【００５４】
巻回部（53）は、フィルムコンデンサ用フィルムを構成する２枚の金属化フィルム（61,61）が厚さ方向に重ね合わされたものが、巻芯（52）に所定の回数巻回されて形成される。各金属化フィルム（61）は、図７に示すように、フィルム体（62）と、該フィルム体（62）の一方の面に形成される第１金属膜（63）と、フィルム体（62）の他方の面に形成される第２金属膜（64）とを有する。フィルム体（62）は、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）等の絶縁性の樹脂材料で構成される。つまり、フィルム体（62）は、帯状の誘電体フィルムで構成される。
【００５５】
メタリコン電極（54）は、コンデンサ素子（51）の軸方向端部に露出する２つの金属化フィルム（61,61）と電気的に導通する。外部端子（55）は、その基端部が巻芯（52）に対応する位置で、メタリコン電極（54）と電気的に接続している。これらの外部端子（55）は、メタリコン電極（54）の径方向外方に向かって延び、その先端部が封止樹脂（58）から外方に突出している。
【００５６】
絶縁カバー（57）は、樹脂材料からなるシート状の部材を、円筒状の巻回部（53）の外周面に沿うように丸めて円筒状にしたものである。この絶縁カバー（57）は、巻回部（53）全体を覆うように設けられている。
【００５７】
封止樹脂（58）は、絶縁カバー（57）、巻回部（53）、巻芯（52）、メタリコン電極（54）、及び外部端子（55）の基端部を封止している。すなわち、封止樹脂（58）は、コンデンサ素子（51）における、外部端子（55）の先端部を除く部分を封止している。なお、巻回部（53）の外周側を覆うように絶縁カバー（57）を配設しているが、この限りではなく、絶縁カバー（57）がなく、該巻回部（53）を封止樹脂（58）で直接、封止するような構成であってもよい。
【００５８】
−フィルムコンデンサの製造方法−
フィルムコンデンサ（50）の製造方法について、図８を用いて説明する。
【００５９】
まず、ステップＳ１０で、巻芯（52）に２枚の金属化フィルム（61,61）を所定の回数巻回することにより、巻回部（53）を形成する。金属化フィルム（61,61）は、フィルム体（62）の両面にアルミニウム等が蒸着されることによって形成される。
【００６０】
次に、巻回部（53）の両端面に金属を溶射してメタリコン電極（54）を形成し（ステップＳ２０）、このメタリコン電極（54）に外部端子（55,55）を半田付け等によって取り付ける（ステップＳ３０）。
【００６１】
以上のステップＳ１０、Ｓ２０及びＳ３０の工程により、巻芯（52）、巻回部（53）、メタリコン電極（54）及び外部端子（55）を備えたコンデンサ素子（51）が形成される。
【００６２】
次に、ステップＳ４０で、コンデンサ素子（51）をコンデンサ素子乾燥装置（1）によって乾燥する。ステップＳ４０では、例えば作業者が、コンデンサ素子（51）を乾燥室（S）内に収容し、扉部（12）を閉じた後、ヒーター（21）及び真空ポンプ（25）を起動する。ヒーター（21）の起動によりコンデンサ素子（51）が加熱されるため、コンデンサ素子（51）に含まれる水分が蒸発し、コンデンサ素子（51）が乾燥される。しかも、真空ポンプ（25）の起動により、乾燥室（S）内が減圧されるため、コンデンサ素子（51）に含まれる水分が蒸発しやすくなる。従って、コンデンサ素子（51）が比較的短時間で乾燥される。
【００６３】
従来は、コンデンサ素子の乾燥は、コンデンサ素子に含まれる水分の量に関係なく十分に長い時間行われていた。具体的には、コンデンサ素子の乾燥時間は、湿度の高い時期に形成される含水量の多いコンデンサ素子を基準として決定されていた。そして、この乾燥時間は、湿度の低い時期に形成される含水量の少ないコンデンサ素子にも適用されていた。
【００６４】
しかし、上述のように乾燥時間を決定すると、全てのコンデンサ素子において含水量を十分に低減でき絶縁抵抗を所望の値以上にできる反面、含水量の少ないコンデンサ素子については、必要以上に長い時間乾燥されることになる。その結果、無駄なエネルギーが消費されることになったり、フィルムコンデンサの製造時間が長くなったりしてしまう。
【００６５】
これに対して、本実施形態１では、コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗に応じて、コンデンサ素子（51）の乾燥時間を決定している。具体的には、本実施形態１では、コンデンサ素子（51）の乾燥は、該コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗が所定値Ｒａを上回ると停止される。コンデンサ素子（51）の乾燥方法については、詳しくは後述する。
【００６６】
次に、乾燥されたコンデンサ素子（51）の外周面に絶縁カバー（57）を巻きつける（ステップＳ５０）。そして、該絶縁カバー（57）、巻回部（53）、巻芯（52）、メタリコン電極（54）、及び外部端子（55）の基端部を溶融した封止樹脂で覆い、該封止樹脂を硬化する（ステップＳ６０）。これにより、コンデンサ素子（51）における外部端子（55）の先端部を除く部分が封止され、フィルムコンデンサが形成される。このステップＳ６０により、コンデンサ素子（51）を封止する工程が行われる。
【００６７】
このように、十分に乾燥されたコンデンサ素子（51）を樹脂で封止することにより、コンデンサ素子（51）に水分が侵入するのが抑制されるため、フィルムコンデンサの絶縁抵抗を維持できる。
【００６８】
−コンデンサ素子の乾燥方法−
本実施形態では、ステップＳ１０、Ｓ２０及びＳ３０で形成された多数のコンデンサ素子（51,51,…）を同時に乾燥する。ここで同時に乾燥される多数のコンデンサ素子（51,51,…）は、同一ロットのもの（同じ日に生産された素子）であり、概ね同じ湿度（例えば、±１０％の範囲内）の下で形成されたものである。従って、これら同時に乾燥される多数のコンデンサ素子（51,51,…）については、含まれる水分量が概ね同じになるため、乾燥前における絶縁抵抗や、乾燥中における絶縁抵抗も、概ね同じになる。なお、上記多数のコンデンサ素子（51,51,…）は、同一ロットのものに限らず、概ね同じ湿度の下で形成されたものであればよい。
【００６９】
コンデンサ素子（51,51,…）の乾燥方法を、図９を用いて説明する。
【００７０】
まず最初に、図１０に示すように、乾燥対象となる多数のコンデンサ素子（51,51,…）のうちの１つを、素子設置台（45）にセットする（ステップＳ４１ａ）。具体的には、コンデンサ素子（51）の各外部端子（55,55）を、素子設置台（45）の各端子部（46,46）に接続する。また、素子設置台（45）にセットされたコンデンサ素子（51）を除く残りのコンデンサ素子（51,51,…）をバスケット（70）に入れ、真空乾燥器（10）の乾燥室（S）内に収容する（ステップＳ４１ｂ）。なお、以下において、素子設置台（45）にセットされたコンデンサ素子（51）を、計測用コンデンサ素子（51）と呼ぶ場合もある。
【００７１】
次に、ステップＳ４２で、乾燥機構（20）（ヒーター（21）及び真空ポンプ（25））を起動する。これにより、乾燥室（S）内の昇温及び減圧が開始され、コンデンサ素子（51,51…）の乾燥が開始される。コンデンサ素子（51,51,…）に含まれる水分は、時間の経過とともに該コンデンサ素子（51,51,…）の外部へ徐々に放出される。なお、ステップＳ４１ａ、Ｓ４１ｂ及びＳ４２は、乾燥開始工程に相当する。
【００７２】
次に、ステップＳ４３では、絶縁抵抗計（41）が、計測用コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗を計測する計測工程を行う。本実施形態では、計測用コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗は、絶縁抵抗計（41）によって所定のタイミング毎に計測される。このように計測された絶縁抵抗Ｒｘは、絶縁抵抗計（41）の計測値送信部（44）から制御部（30）の判定部（32）へ送信される。
【００７３】
次に、ステップＳ４４では、制御部（30）の判定部（32）が、計測値送信部（44）から送信された絶縁抵抗Ｒｘと、記憶部（31）に記憶されている所定値Ｒａとを比較し、乾燥停止条件が成立しているか否かを判定する判定工程を行う。具体的には、ＲｘがＲａ以下の場合、判定部（32）は乾燥停止条件が成立していないと判定し、再びステップＳ４３が行われる。ＲｘがＲａを上回った場合、判定部（32）は乾燥停止条件が成立したと判定し、ステップＳ４５が行われる。
【００７４】
通常、コンデンサ素子（51,51,…）の乾燥が開始された直後は、コンデンサ素子（51,51,…）に含まれる水分は十分に除去されておらず、絶縁抵抗は十分に高くなっていない。よって、該コンデンサ素子（51,51,…）の絶縁抵抗Ｒｘは所定値Ｒａよりも低くなっている。従って、コンデンサ素子（51,51,…）の乾燥が開始されてから暫くは、ステップＳ４３とステップＳ４４とが繰り返される。その間、コンデンサ素子（51,51,…）の絶縁抵抗は徐々に高くなる。そして、コンデンサ素子（51,51,…）の乾燥が開始されてからある程度時間が経過し、ＲｘがＲａよりも大きくなると、ステップＳ４５が行われる。
【００７５】
ステップＳ４５では、制御部（30）の指令部（33）が乾燥停止工程を行う。具体的には、制御部（30）の指令部（33）が、ヒーター（21）へヒーター停止信号Ｓｈを送信するとともに、真空ポンプ（25）へポンプ停止信号Ｓｐを送信する。ヒーター停止信号Ｓｈを受信したヒーター（21）、及びポンプ停止信号Ｓｐを受信した真空ポンプ（25）は、ともに停止する。その後、作業者によって、計測用コンデンサ素子（51）とバスケット（70）に収容されたコンデンサ素子（51,51,…）とが、乾燥器本体（11）から取り出される（ステップＳ４６）。
【００７６】
−実施形態１の効果−
以上のように、実施形態１では、乾燥中の計測用コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗が所定値Ｒａを上回った場合、乾燥機構（20）が停止される。所定値Ｒａは、コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗の規格値よりも高い値に設定されているため、計測用コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗を確実に所望の値以上にできる。
【００７７】
また、本実施形態１で同時に乾燥される多数のコンデンサ素子（51,51,…）は、含水量が概ね同じであるため、乾燥中における絶縁抵抗の値もほぼ同じである。よって、同時に乾燥される多数のコンデンサ素子（51,51,…）のうちの１つ（計測用コンデンサ素子）の絶縁抵抗を計測すれば、残りのコンデンサ素子（51,51,…）の絶縁抵抗を計測する必要がなくなる。従って、計測用コンデンサ素子（51）以外のコンデンサ素子（51,51,…）については、素子設置台（45）への設置や、絶縁抵抗の計測に必要な電圧の印加を行わなくても、絶縁抵抗を十分に確保できる。
【００７８】
また、従来の場合、コンデンサ素子（51,51,…）の乾燥が必要以上長い時間行われていたのに対して、本実施形態１では、コンデンサ素子（51,51,…）の絶縁抵抗が所望の値を上回った場合に乾燥が停止される。従って、従来と比べてコンデンサ素子（51,51,…）を乾燥するのに必要なエネルギーを低減できる。
【００７９】
しかも、本実施形態１では、乾燥停止条件の算出や、乾燥機構（20）の停止が、制御部（30）によって自動で行われるため、作業者の作業工数を低減できる。
【００８０】
−実施形態１の変形例−
実施形態１の変形例におけるコンデンサ素子乾燥装置（1）は、図１１に示すように、上記実施形態１の場合と比べて制御部（30）が省略された構成となっている。そして、本変形例のコンデンサ素子（51）の乾燥方法では、上記実施形態１において制御部（30）によって行われていた工程が、作業者によって行われる。具体的には、本変形例では、図９におけるステップＳ４４及びＳ４５の工程が、作業者によって行われる。
【００８１】
ステップＳ４４では、作業者は、絶縁抵抗計（41）で随時計測される絶縁抵抗Ｒｘを目視し、該Ｒｘが所定値Ｒａを上回った場合、作業者は、ヒーター（21）及び真空ポンプ（25）の電源を切る（ステップＳ４５）。
【００８２】
このように、コンデンサ素子乾燥装置（1）において、制御部（30）を省略した構成であっても、作業者がステップＳ４４及びＳ４５を行うことで、コンデンサ素子（51）の絶縁性を確保しつつ、従来と比べて、コンデンサ素子（51）を乾燥するためのエネルギーを低減できる。
【００８３】
《発明の実施形態２》
実施形態２では、ヒーター（21）及び真空ポンプ（25）を停止させるための乾燥停止条件が、上記実施形態１とは異なる。本実施形態２は、上記実施形態１の場合と比べて、絶縁抵抗計（41）の動作、制御部（30）の構成、及びコンデンサ素子（51）の乾燥方法が異なる。以下では、上記実施形態１と異なる点について説明する。
【００８４】
−絶縁抵抗計の動作−
絶縁抵抗計（41）では、コンデンサ素子（51）の乾燥が開始された後、該コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗が２回、計測される。具体的には、絶縁抵抗計（41）では、コンデンサ素子（51）の乾燥が開始されてから所定時間経過後にコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘ１が計測され、該Ｒｘ１が計測されてから所定時間経過後、再び該コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘ２が計測される。これらの絶縁抵抗Ｒｘ１及びＲｘ２は、計測値送信部（44）によって制御部（30）へ送信される。
【００８５】
−制御部の構成−
制御部（30）は、図１２に示すように、記憶部（31）と、算出部（34）と、判定部（32）と、指令部（33）とを備えている。
【００８６】
記憶部（31）には、実施形態１の場合と同様、絶縁抵抗の所定値Ｒａが記憶されている。本実施形態２では、所定値Ｒａは、フィルムコンデンサ（50）の絶縁抵抗の規格値（例えば１００ＭΩ）よりも高い値に設定される。
【００８７】
算出部（34）は、変化量算出部（34a）と、残り乾燥時間算出部（34b）とを備えている。
【００８８】
変化量算出部（34a）は、絶縁抵抗計（41）の計測値送信部（44）から送信される２つの絶縁抵抗Ｒｘ１及びＲｘ２に基づいて、乾燥中のコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗の所定時間における変化量ΔＲを算出する。所定時間における変化量ΔＲは、次の式（3）に基づいて算出される。
【００８９】
ΔＲ＝（Ｒｘ２−Ｒｘ１）／ΔＴ…（3）
式（3）において、ΔＴは、Ｒｘ１を計測してからＲｘ２を計測するまでの時間である。
【００９０】
変化量算出部（34a）は、このように算出されたコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗の所定時間における変化量ΔＲを、残り乾燥時間算出部（34b）へ送信する。
【００９１】
残り乾燥時間算出部（34b）は、記憶部（31）に記憶されている絶縁抵抗の所定値Ｒａと、変化量算出部（34a）から送信される上記ΔＲに基づいて、コンデンサ素子（51）の残りの乾燥時間Ｔｘを算出する。本実施形態２では、残りの乾燥時間Ｔｘは、コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗がＴｘ経過後にＲａとなるように設定される。具体的には、残りの乾燥時間Ｔｘは、次の式（4）の基づいて算出される。
【００９２】
Ｔｘ＝（Ｒａ−Ｒｘ２）／ΔＲ…（4）
残り乾燥時間算出部（34b）は、このように算出された残りの乾燥時間Ｔｘを、判定部（32）へ送信する。
【００９３】
判定部（32）は、タイマー部（32a）を備えている。タイマー部（32a）は、絶縁抵抗計（41）によってコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘ２が計測されたときに起動する。タイマー部（32a）では、該タイマー部（32a）が起動してからの時間Ｔが計測される。
【００９４】
判定部（32）は、残りの乾燥時間Ｔｘと、タイマー部（32a）が起動してからの時間Ｔとを比較する。判定部（32）は、上記タイマー部（32a）が起動してからの時間Ｔが残りの乾燥時間Ｔｘを上回った場合、乾燥機構（20）を停止させるための乾燥停止条件が成立したと判定する。
【００９５】
指令部（33）は、判定部（32）で乾燥停止条件が成立したと判定された場合（すなわち、ＴがＴｘを上回った場合）、ヒーター（21）へヒーター停止信号Ｓｈを送信するとともに、真空ポンプ（25）へポンプ停止信号Ｓｐを送信する。ヒーター停止信号Ｓｈを受信したヒーター（21）は乾燥室（S）の加熱を停止し、ポンプ停止信号Ｓｐを受信した真空ポンプ（25）は乾燥室（S）の減圧を停止する。
【００９６】
−コンデンサ素子の乾燥方法−
本実施形態２では、上記実施形態１と同様、ステップＳ１０、Ｓ２０及びＳ３０で形成された多数のコンデンサ素子（51,51,…）を同時に乾燥する。
【００９７】
実施形態２におけるコンデンサ素子（51,51,…）の乾燥方法を、図１３を用いて説明する。
【００９８】
まず最初に、実施形態１の場合と同様、乾燥対象となる多数のコンデンサ素子（51,51,…）のうちの１つを計測用コンデンサ素子（51）として素子設置台（45）にセットし（ステップＳ４１ａ）、残りのコンデンサ素子（51,51,…）をバスケット（70）に入れ、真空乾燥器（10）の乾燥室（S）内に収容する（ステップＳ４１ｂ）。その後、ヒーター（21）及び真空ポンプ（25）を起動する（ステップＳ４２）。ステップＳ４１ａ、Ｓ４１ｂ及びＳ４２により、乾燥開始工程が行われる。
【００９９】
次に、ステップＳ４３では、絶縁抵抗計（41）が、計測用コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗を計測する計測工程を行う。本実施形態２では、コンデンサ素子（51,51,…）の乾燥が開始されてから所定時間経過後にＲｘ１が計測され、該Ｒｘ１が計測されてから所定時間経過後にＲｘ２が計測される。
【０１００】
次に、ステップＳ４４ａでは、変化量算出部（34a）が、計測用コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗の所定時間における変化量ΔＲを算出する。
【０１０１】
次に、ステップＳ４４ｂでは、残り乾燥時間算出部（34b）が、記憶部（31）に記憶されている所定値Ｒａと、ステップＳ４４ａで算出されたΔＲとに基づいて、残りの乾燥時間Ｔｘを算出する。
【０１０２】
次に、ステップＳ４４ｃでは、判定部（32）が、タイマー部（32a）が起動してからの時間Ｔと、ステップＳ４４ｂで算出された残りの乾燥時間Ｔｘとを比較し、乾燥停止条件が成立しているか否かを判定する。具体的には、ＴがＴｘ以下の場合、判定部（32）は乾燥停止条件が成立していないと判定し、再びステップＳ４４ｃを行う。ＴがＴｘを上回った場合、判定部（32）は乾燥停止条件が成立したと判定し、ステップＳ４５が行われる。なお、ステップＳ４４ａ、Ｓ４４ｂ及びＳ４４ｃが、判定工程に相当する。
【０１０３】
ステップＳ４６では、実施形態１の場合と同様、制御部（30）の指令部（33）が乾燥停止工程を行う。具体的には、制御部（30）の指令部（33）が、ヒーター（21）へヒーター停止信号Ｓｈを送信するとともに、真空ポンプ（25）へポンプ停止信号Ｓｐを送信する。ヒーター停止信号Ｓｈを受信したヒーター（21）、及びポンプ停止信号Ｓｐを受信した真空ポンプ（25）は、ともに停止する。その後、作業者によって、計測用コンデンサ素子（51）とバスケット（70）に収容されたコンデンサ素子（51,51,…）とが、乾燥器本体（11）から取り出される（ステップＳ４６）。
【０１０４】
−実施形態２の効果−
以上のように、実施形態２では、乾燥中の計測用コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗に基づいて、コンデンサ素子（51）を十分に乾燥するために必要な残りの乾燥時間Ｔｘを算出している。そして、残りの乾燥時間Ｔｘ経過後に乾燥機構（20）が停止される。従って、コンデンサ素子（51,51,…）の絶縁性を確保しつつ、コンデンサ素子（51,51,…）の乾燥に必要なエネルギーを低減できる。
【０１０５】
また、実施形態２では、計測されるコンデンサ素子（51）の特性、具体的には、乾燥中のコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗の所定時間における変化量ΔＲを、直接、計測している。
【０１０６】
例えば、乾燥中のコンデンサ素子の絶縁抵抗が１回だけ計測され、該計測値のみを用いて残りの乾燥時間を算出する場合、コンデンサ素子における上記ΔＲを予測し、該ΔＲに基づいて残りの乾燥時間を算出する必要がある。しかし、こうすると、実際に絶縁抵抗が計測されるコンデンサ素子（51）の特性が、予測されるコンデンサ素子の特性と異なる場合、算出された残りの乾燥時間と、本来必要な残りの乾燥時間との間に大きなずれが生じる虞がある。
【０１０７】
これに対して、実施形態２では、上記ΔＲを実際に計測し、該ΔＲに基づいて残りの乾燥時間Ｔｘを算出している。こうすると、算出される残りの乾燥時間Ｔｘと、本来必要な残りの乾燥時間との間のずれが少なくなる。従って、コンデンサ素子（51）の乾燥不足や、乾燥に用いられるエネルギーの無駄を回避できる。
【０１０８】
また、本実施形態２によれば、残りの乾燥時間Ｔｘを算出するために必要な計測用コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘ２が計測された後は、計測用コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗を計測する必要がない。従って、計測用コンデンサ素子（51）に電圧が印加される時間を短くしたり、絶縁抵抗計（41）に必要な電力を低減できる。
【０１０９】
−実施形態２の変形例−
実施形態２の変形例におけるコンデンサ素子乾燥装置（1）は、実施形態１の変形例と同様、図１１に示すように、制御部（30）が省略された構成となっている。そして、本変形例のコンデンサ素子（51）の乾燥方法では、上記実施形態２では制御部（30）によって行われていた工程が、作業者によって行われる。具体的には、本変形例では、図１２におけるステップＳ４３、Ｓ４４ａ、Ｓ４４ｂ、Ｓ４４ｃ及びＳ４５の工程が、作業者によって行われる。
【０１１０】
ステップＳ４３では、作業者は、コンデンサ素子（51）の乾燥が開始されてから所定時間経過後、絶縁抵抗計（41）で計測される絶縁抵抗Ｒｘ１を読み取る。そして、Ｒｘ１が計測されてから所定時間経過後、絶縁抵抗計（41）で計測される絶縁抵抗Ｒｘ２を読み取る。また、作業者は、Ｒｘ１を計測してからＲｘ２を計測するまでの時間を、タイマー等によって計測する。
【０１１１】
ステップＳ４４ａでは、作業者は、ステップＳ４３で計測した絶縁抵抗Ｒｘ１、絶縁抵抗Ｒｘ２、及びＲｘ１とＲｘ２とが計測される間の時間ΔＴを、式（3）に代入することにより、所定時間における変化量ΔＲを算出する。
【０１１２】
次に、ステップＳ４４ｂでは、作業者は、予め設定された絶縁抵抗の所定値Ｒａと、上記Ｒｘ２及びΔＲとを、式（4）に代入することにより、残りの乾燥時間Ｔｘを算出する。
【０１１３】
そして、作業者は、Ｒｘ２が計測されてから上記残りの乾燥時間Ｔｘが経過した後（ステップＳ４４ｃにおいてＹｅｓの場合）、ヒーター（21）及び真空ポンプ（25）の電源を切る（ステップＳ４５）。
【０１１４】
このように、コンデンサ素子乾燥装置（1）において、制御部（30）を省略した構成であっても、作業者がステップＳ４３、Ｓ４４ａ、Ｓ４４ｂ、Ｓ４４ｃ及びＳ４５を行うことで、コンデンサ素子（51）の絶縁性を確保しつつ、コンデンサ素子（51）を乾燥するためのエネルギーを低減できる。
【０１１５】
《発明の実施形態３》
実施形態３では、上記実施形態２の場合と比べて、残りの乾燥時間Ｔｘの算出方法が異なる。具体的には、本実施形態３では、上記実施形態２の場合と比べて、絶縁抵抗計（41）の動作、制御部（30）の構成、及びコンデンサ素子（51）の乾燥方法が異なっている。以下では、上記実施形態２と異なる点について説明する。
【０１１６】
−絶縁抵抗計の動作−
絶縁抵抗計（41）では、コンデンサ素子（51）の乾燥が開始されてから所定時間経過後、該コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗が１回、計測される（この絶縁抵抗をＲｘ３とする）。このＲｘ３は、計測値送信部（44）によって制御部（30）へ送信される。
【０１１７】
−制御部の構成−
制御部（30）は、図１４に示すように、記憶部（31）と、算出部（34）と、判定部（32）と、指令部（33）とを備えている。
【０１１８】
記憶部（31）には、テーブルＡが記憶されている。このテーブルＡをプロットしたグラフを図１５に示す。テーブルＡは、乾燥中のコンデンサ素子の絶縁抵抗と残りの乾燥時間との関係を表すものであって、実験等によって予め作成されたものである。このテーブルＡによれば、コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗の測定値Ｒｘ３に基づいて、残りの乾燥時間Ｔｘを算出することができる。
【０１１９】
算出部（34）は、絶縁抵抗計（41）の計測値送信部（44）から送信される絶縁抵抗Ｒｘ３を、記憶部（31）に記憶されているテーブルＡに照らし合わせて、残りの乾燥時間Ｔｘを算出する。例えば、Ｒｘ３が１０ＭΩであった場合、この値をテーブルＡに照らし合わせると、残りの乾燥時間Ｔｘが１０時間であると算出される。算出部（34）は、このように算出された残りの乾燥時間Ｔｘを、判定部（32）へ送信する。
【０１２０】
判定部（32）は、上記実施形態２の場合と同様、タイマー部（32a）を備えている。タイマー部（32a）は、絶縁抵抗計（41）によってコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘ３が計測されたときに起動する。タイマー部（32a）では、該タイマー部（32a）が起動してからの時間Ｔが計測される。そして、判定部（32）では、ＴがＴｘを上回った場合、乾燥機構（20）を停止させるための乾燥停止条件が成立したと判定し、ヒーター（21）及び真空ポンプ（25）のそれぞれにヒータ停止信号Ｓｈ及びポンプ停止信号Ｓｐを送信して、ヒーター（21）及び真空ポンプ（25）を停止する。
【０１２１】
−コンデンサ素子の乾燥方法−
本実施形態３では、上記実施形態１及び２の場合と同様、図１６に示すように、１つのコンデンサ素子を計測用コンデンサ素子（51）として素子設置台（45）にセットし（ステップＳ４１ａ）、残りのコンデンサ素子（51,51,…）をバスケット（70）に入れて真空乾燥器（10）の乾燥室（S）内に収容する（ステップＳ４１ｂ）。その後、ヒーター（21）及び真空ポンプ（25）を起動する（ステップＳ４２）。
【０１２２】
次に、ステップＳ４３では、絶縁抵抗計（41）が、計測用コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗を計測する計測工程を行う。本実施形態３では、コンデンサ素子（51）の乾燥が開始されてから所定時間経過後にＲｘ３が計測される。
【０１２３】
次に、ステップＳ４４ｂでは、算出部（34）が、ステップＳ４３で計測された絶縁抵抗Ｒｘ３を、記憶部（31）に記憶されているテーブルＡと照らし合わせることにより、残りの乾燥時間Ｔｘを算出する。
【０１２４】
以下、ステップＳ４４ｃ以降の工程は、上記実施形態２と同じであるため、説明を省略する。
【０１２５】
−実施形態３の効果−
以上のように、実施形態３では、乾燥中の計測用コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗と、予め準備されるテーブルＡとに基づいて、コンデンサ素子（51,51,…）を十分に乾燥するために必要な残りの乾燥時間Ｔｘを算出している。そして、残りの乾燥時間Ｔｘ経過後に乾燥機構（20）が停止される。従って、コンデンサ素子（51,51,…）の絶縁性を確保しつつ、コンデンサ素子（51,51,…）の乾燥に必要なエネルギーを低減できる。
【０１２６】
また、本実施形態２によれば、残りの乾燥時間Ｔｘを算出するために必要な計測用コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘ３が計測された後は、計測用コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗を計測する必要がない。従って、計測用コンデンサ素子（51）に電圧が印加される時間を短くしたり、絶縁抵抗計（41）に必要な電力を低減できる。
【０１２７】
−実施形態３の変形例−
実施形態３の変形例におけるコンデンサ素子乾燥装置（1）は、実施形態１の変形例及び実施形態２の変形例の場合と同様、図１１に示すように、制御部（30）が省略された構成となっている。そして、本変形例のコンデンサ素子（51）の乾燥方法では、上記実施形態３では制御部（30）によって行われていた工程が、作業者によって行われる。具体的には、本変形例では、図１６におけるステップＳ４３、Ｓ４４ｂ、Ｓ４４ｃ及びＳ４５の工程が、作業者によって行われる。
【０１２８】
ステップＳ４３では、作業者は、コンデンサ素子（51）の乾燥が開始されてから所定時間経過後、絶縁抵抗計（41）で計測される絶縁抵抗Ｒｘ３を読み取る。
【０１２９】
ステップＳ４４ｂでは、作業者は、ステップＳ４３で計測された絶縁抵抗Ｒｘ３を、予め準備されたテーブルＡに照らし合わせて、残りの乾燥時間Ｔｘを算出する。
【０１３０】
そして、作業者は、Ｒｘ３が計測されてから上記残りの乾燥時間Ｔｘが経過した後（ステップＳ４４ｃにおいてＹｅｓの場合）、ヒーター（21）及び真空ポンプ（25）の電源を切る（ステップＳ４５）。
【０１３１】
このように、コンデンサ素子乾燥装置（1）において、制御部（30）を省略した構成であっても、作業者がステップＳ４３、Ｓ４４ｂ、Ｓ４４ｃ及びＳ４５を行うことで、コンデンサ素子（51）の絶縁性を確保しつつ、コンデンサ素子（51）を乾燥するためのエネルギーを低減できる。
【０１３２】
−その他の実施形態−
上記実施形態については、以下のような構成にしてもよい。
【０１３３】
上記各実施形態では、金属化フィルム（61）を巻回した巻回部（53）を有するコンデンサ素子（51）の乾燥方法について記載しているが、この限りでなく、金属電極と誘電体とを交互に重ねることによって形成される、いわゆる積層コンデンサを対象とすることもできる。
【０１３４】
また、上記各実施形態では、乾燥機構（20）は、ヒーター（21）及び真空ポンプ（25）を備えているが、この限りでなく、ヒーター（21）のみを備えた構成であってもよい。
【０１３５】
また、上記各実施形態では、絶縁抵抗計測器（40）を、１つのコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗を計測可能なように構成しているが、この限りでなく、複数のコンデンサ素子（51,51,…）の絶縁抵抗を計測可能なように構成してもよい。こうすると、コンデンサ素子（51）毎の絶縁抵抗のばらつきを加味して乾燥停止条件を決定することができるため、コンデンサ素子（51,51,…）をより確実に乾燥することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１３６】
以上説明したように、本発明は、フィルムコンデンサに有用である。
【符号の説明】
【０１３７】
１ コンデンサ素子乾燥装置
２０ 乾燥機構
３０ 制御部
４０ 絶縁抵抗計測器
５０ フィルムコンデンサ（コンデンサ）
５１ コンデンサ素子
５３ 巻回部（フィルム本体部）
６１ 金属化フィルム（フィルム）
Ｒｘ，Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３ 絶縁抵抗
Ｒａ 所定値
Ｔｘ 残りの乾燥時間
ΔＲ 所定時間における変化量
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フィルムが巻回又は積層されて形成されたフィルム本体部を有するコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、フィルムコンデンサのフィルムに含まれる水分の影響による絶縁抵抗不良を低減するために、例えば特許文献１に開示されるように、コンデンサの製造工程において、フィルムあるいはコンデンサ素子（フィルム本体部）を乾燥することが知られている。これにより、フィルムに含まれる水分が外部へ放出されるため、該フィルム本体部を用いて形成されるフィルムコンデンサの絶縁抵抗の低下を抑制できる。
【０００３】
更に、上述のように乾燥されたフィルム本体部は、例えば上記特許文献１に開示されるように、耐湿性を有する樹脂材料等によって封止される。これにより、フィルム本体部と外気とが遮断され、フィルムコンデンサの高い絶縁性が維持される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開昭５５−１０２２１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、フィルム本体部に含まれる水分の量は、該フィルム本体部が製造される湿度の違い（季節によって湿度は大きく異なる）や、フィルム本体部の個体差による特性のばらつき等によってばらつく。これに対して、従来は、全てのフィルム本体部を確実に乾燥できるような十分に余裕をもった長い時間、該フィルム本体部を乾燥していた。しかし、こうすると、含有される水分量が比較的少ないフィルム本体部については、必要以上に長い時間乾燥されることになる。その結果、無駄なエネルギーが消費されてしまう。
【０００６】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、フィルム本体部を有するコンデンサ素子の乾燥時間を短くしつつコンデンサ素子の絶縁性を確保することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第１の発明は、コンデンサ素子の乾燥方法を対象とし、フィルム（61）が巻回又は積層されて形成されたフィルム本体部（53）を有するコンデンサ素子（51）の乾燥を開始する乾燥開始工程と、乾燥中の上記コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗を計測する計測工程と、上記コンデンサ素子（51）の乾燥を停止させる乾燥停止条件が成立するか否かを、上記計測工程で計測されたコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘ，Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３に基づいて判定する判定工程と、該判定工程において上記乾燥停止条件が成立したと判定された場合、上記コンデンサ素子（51）の乾燥を停止する乾燥停止工程とを備えることを特徴とする。
【０００８】
第１の発明では、コンデンサ素子（51）が乾燥されるため、該コンデンサ素子（51）に含まれる水分が蒸発する。その結果、コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗が高くなる。
【０００９】
第１の発明では、乾燥開始工程によって乾燥が開始されたコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗が計測され、この絶縁抵抗Ｒｘ，Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３に基づいて、コンデンサ素子（51）の乾燥を停止させる乾燥停止条件が成立するか否かが判定される。乾燥停止条件が成立していないと判定された場合には、コンデンサ素子（51）の乾燥は継続され、乾燥停止条件が成立したと判定された場合には、コンデンサ素子（51）の乾燥は停止される。
【００１０】
第２の発明は、第１の発明において、上記計測工程では、乾燥中の上記コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗が随時計測され、上記判定工程では、上記計測工程で計測されたコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘが所定値Ｒａを上回った場合、上記乾燥停止条件が成立したと判定されることを特徴とする。
【００１１】
第２の発明では、計測工程において、乾燥中のコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗が、随時計測される。この計測工程で計測されたコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘが所定値Ｒａを上回った場合、乾燥停止条件が成立したと判定され、コンデンサ素子（51）の乾燥が停止される。
【００１２】
第３の発明は、第１の発明において、上記判定工程では、上記計測工程で計測されたコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３に基づいて上記コンデンサ素子（51）の残りの乾燥時間Ｔｘが算出され、該残りの乾燥時間Ｔｘが経過した場合、上記乾燥停止条件が成立したと判定されることを特徴とする。
【００１３】
第３の発明では、計測工程で計測されたコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３に基づいて、該コンデンサ素子（51）の残りの乾燥時間Ｔｘが算出される。そして、この残りの乾燥時間Ｔｘが経過した場合、乾燥停止条件が成立したと判定され、コンデンサ素子（51）の乾燥が停止される。
【００１４】
第４の発明は、第３の発明において、上記判定工程では、上記計測工程で計測されたコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘ１，Ｒｘ２の所定時間における変化量ΔＲが算出され、該変化量ΔＲに基づいて上記コンデンサ素子（51）の残りの乾燥時間Ｔｘが算出されることを特徴とする。
【００１５】
第４の発明では、計測工程において、コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗が、時間をおいて少なくとも２回計測される。このように計測されたコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘ１，Ｒｘ２に基づいて、該コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘ１，Ｒｘ２の所定時間における変化量ΔＲが算出される。そして、該ΔＲに基づいて、コンデンサ素子（51）の残りの乾燥時間Ｔｘが算出される。この残りの乾燥時間Ｔｘが経過した場合、乾燥停止条件が成立したと判定され、コンデンサ素子（51）の乾燥が停止される。
【００１６】
第５の発明は、コンデンサの製造方法を対象とし、上記第１から第４の発明によって乾燥されたコンデンサ素子（51）を封止する工程を備えることを特徴とする。
【００１７】
第５の発明では、第１から第４の発明によって乾燥されたコンデンサ素子（51）が封止されてコンデンサが形成される。これにより、コンデンサ素子（51）は、外気に含まれる水分に触れないように密閉される。
【００１８】
第６の発明は、コンデンサ素子乾燥装置を対象とし、フィルム（61）が巻回又は積層されて形成されたフィルム本体部（53）を有するコンデンサ素子（51）を乾燥する乾燥機構（20）と、該乾燥機構（20）で乾燥中のコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗を計測する絶縁抵抗計測器（40）と、該絶縁抵抗計測器（40）によって計測されたコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘ，Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３に基づいて上記乾燥機構（20）を制御する制御部（30）とを備えることを特徴とする。
【００１９】
第６の発明では、乾燥機構（20）で乾燥中のコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗が、絶縁抵抗計測器（40）によって計測され、該絶縁抵抗計測器（40）によって計測されたコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘ，Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３に基づいて、制御部（30）が乾燥機構（20）を制御する。
【発明の効果】
【００２０】
第１の発明によれば、乾燥中のコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘ，Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３に基づいて乾燥停止条件を判定することで、乾燥中のコンデンサ素子（51）に含まれる水分量を直接的に把握しながら、乾燥停止条件を判定している。こうすると、乾燥時間が過剰とならないため乾燥エネルギーを低減できる。しかも、乾燥時間が不足しないためコンデンサ素子（51）を十分に乾燥できる。
【００２１】
また、第２の発明によれば、乾燥中のコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘが所定値Ｒａを上回った場合、コンデンサ素子（51）の乾燥が停止される。この所定値Ｒａを適切な値に設定することで、コンデンサ素子（51）の絶縁性を確実に確保できる。
【００２２】
また、第３の発明によれば、算出されたコンデンサ素子（51）の残りの乾燥時間Ｔｘの経過後、コンデンサ素子（51）の乾燥が停止される。こうすると、残りの乾燥時間Ｔｘを算出した後、コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘを計測する必要がなくなる。従って、コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘを計測する時間を短くできる。
【００２３】
また、第４の発明によれば、乾燥中のコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘ１，Ｒｘ２が、時間をおいて少なくとも２回計測され、これらの絶縁抵抗Ｒｘ１，Ｒｘ２を用いて残りの乾燥時間Ｔｘを算出している。
【００２４】
例えば、乾燥中のコンデンサ素子の絶縁抵抗が１回だけ計測され、該計測値のみを用いて残りの乾燥時間を算出する場合、コンデンサ素子の特性（具体的には、乾燥中のコンデンサ素子の絶縁抵抗の所定時間における変化量）を予測し、その予測された特性に基づいて残りの乾燥時間を算出する必要がある。しかし、こうすると、実際に絶縁抵抗が計測されるコンデンサ素子（51）の特性が、予測されるコンデンサ素子の特性と異なる場合、算出された残りの乾燥時間と、本来必要な残りの乾燥時間との間に大きなずれが生じる虞がある。
【００２５】
これに対して、第４の発明では、コンデンサ素子の特性（乾燥中のコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗の所定時間における変化量ΔＲ）を実際に計測し、その値に基づいて残りの乾燥時間Ｔｘを算出している。こうすると、算出される残りの乾燥時間Ｔｘと、本来必要な残りの乾燥時間との間のずれを少なくできる。従って、コンデンサ素子（51）の乾燥不足や、乾燥に用いられるエネルギーの無駄を回避できる。
【００２６】
また、第５の発明によれば、第１から第４の発明によって十分に乾燥されたコンデンサ素子（51）を封止することによりコンデンサが形成されるため、コンデンサの絶縁性を十分に確保できる。しかも、上記第１から第４の発明によるコンデンサ素子（51）を乾燥するためのエネルギーは従来よりも低いため、コンデンサの製造時に使用されるエネルギーを低減できる。
【００２７】
また、第６の発明によれば、コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘ，Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３に基づいて乾燥機構（20）が制御されるため、コンデンサ素子（51）の絶縁性を十分に確保しつつ、コンデンサ素子（51）の乾燥に必要なエネルギーを低減できる。しかも、コンデンサ素子（51）の乾燥は、制御部（30）によって自動で制御されるため、作業者の作業工数を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】図１は、実施形態１に係るコンデンサ素子乾燥装置の概略構成図である。
【図２】図２は、乾燥器本体の概略構成を示す斜視図である。
【図３】図３は、絶縁抵抗計測器の概略構成図である。
【図４】図４は、コンデンサ素子の絶縁抵抗を算出するための等価回路図である。
【図５】図５は、制御部の構成を示すブロック図である。
【図６】図６は、フィルムコンデンサの概略構成を示す縦断面図である。
【図７】図７は、２枚の金属化フィルムを重ね合わせた状態を示す断面図である。
【図８】図８は、フィルムコンデンサの製造方法を示すフローチャートである。
【図９】図９は、コンデンサ素子の乾燥方法を示すフローチャートである。
【図１０】図１０は、コンデンサ素子を乾燥中の乾燥器本体内の様子を示す図である。
【図１１】図１１は、実施形態１から３の変形例に係るコンデンサ素子乾燥装置の概略構成図である。
【図１２】図１２は、実施形態２の制御部の構成を示すブロック図である。
【図１３】図１３は、実施形態２におけるコンデンサ素子の乾燥方法を示すフローチャートである。
【図１４】図１４は、実施形態３の制御部の構成を示すブロック図である。
【図１５】図１５は、乾燥中のコンデンサ素子の絶縁抵抗と残りの乾燥時間との関係を表すグラフである。
【図１６】図１６は、実施形態３におけるコンデンサ素子の乾燥方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態は、本質的に好ましい例示であって、本発明、その適用物、あるいはその用途の範囲を制限することを意図するものではない。
【００３０】
《発明の実施形態１》
−全体構成−
実施形態１に係るコンデンサ素子乾燥装置（1）は、図１に示すように、真空乾燥器（10）と、絶縁抵抗計測器（40）とを備えている。真空乾燥器（10）は、フィルムコンデンサ（50）のコンデンサ素子（51）を乾燥させるためのものであり、絶縁抵抗計測器（40）は、真空乾燥器（10）によって乾燥されるコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗を計測するためのものである。
【００３１】
真空乾燥器（10）は、図２に示すように、開口を有する箱状の乾燥器本体（11）と、該乾燥器本体（11）の開口を開閉可能な扉部（12）とを備えている。扉部（12）は、ヒンジ部（13）を介して乾燥器本体（11）に取り付けられている。扉部（12）の中央部には、耐熱性を有するガラス等で構成された観測窓（14）が設けられていて、乾燥器本体（11）の内部を観測することができるようになっている。また、乾燥器本体（11）には、該乾燥器本体（11）の内部に収容されたコンデンサ素子（51）に電圧を印加するための電圧印加用端子（15）が取り付けられている。
【００３２】
乾燥器本体（11）の内側には、内槽部（16）が収容されている。内槽部（16）は、開口を有する箱状に形成されている。内槽部（16）の開口は、乾燥器本体（11）の開口と同じ向きに開いている。内槽部（16）は、ステンレスの鋼板等で構成される。内槽部（16）によって囲まれた空間は、コンデンサ素子（51）を収容可能な乾燥室（S）を構成している。
【００３３】
真空乾燥器（10）は、図１に示すように、乾燥機構（20）と、制御部（30）とを備えている。
【００３４】
乾燥機構（20）は、ヒーター（21）と、真空ポンプ（25）とを備えている。
【００３５】
ヒーター（21）は、乾燥室（S）内を加熱するための加熱機構を構成している。ヒーター（21）は、内槽部（16）の外側に取り付けられている。ヒーター（21）によって内槽部（16）が加熱されると、内槽部（16）内の乾燥室（S）が昇温する。真空ポンプ（25）は、乾燥室（S）内を減圧するための減圧機構を構成している。真空ポンプ（25）は、配管（26）によって乾燥室（S）と繋がっている。真空ポンプ（25）が駆動すると、乾燥室（S）内の空気が配管（26）を通じて外部へ排出される。これにより、乾燥室（S）内が減圧される。
【００３６】
制御部（30）は、絶縁抵抗計測器（40）で計測されたコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗に基づいて、乾燥機構（20）を制御するように構成されている。制御部（30）の構成については、詳しくは後述する。
【００３７】
絶縁抵抗計測器（40）は、真空乾燥器（10）によって乾燥されるコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗を計測するためのものである。絶縁抵抗計測器（40）は、図３に示すように、絶縁抵抗計（41）と、素子設置台（45）とを備えている。
【００３８】
絶縁抵抗計（41）は、乾燥器本体（11）の外側に配置されている。絶縁抵抗計（41）は、図４に示すように、直流電源部（42）と、固定抵抗（43）とが直列に接続された計測回路（41a）を備えている。この計測回路（41a）の両端は、ケーブル等によって、乾燥器本体（11）に取り付けられた電圧印加用端子（15）に接続される。
【００３９】
なお、本実施形態１では、絶縁抵抗計（41）を、乾燥器本体（11）の外側に配置しているが、この限りでなく、例えば、乾燥器本体（11）に内蔵されていてもよい。また、絶縁抵抗計（41）の構成は上述のものに限らず、絶縁抵抗を計測可能であれば、どのような構成であってもよい。
【００４０】
素子設置台（45）は、図３に示すように、乾燥室（S）内に配置されている。素子設置台（45）には、乾燥室（S）内で乾燥されるコンデンサ素子（51）が設置される。具体的には、素子設置台（45）は、一対の端子部（46,46）を備えていて、該一対の端子部（46,46）のそれぞれにコンデンサ素子（51）の外部端子（55,55）のそれぞれが接続される。これにより、コンデンサ素子（51）が素子設置台（45）に設置される。また、一対の端子部（46,46）は、それぞれ、ケーブル等によって、電圧印加用端子（15）に接続される。
【００４１】
上記絶縁抵抗計測器（40）では、素子設置台（45）にコンデンサ素子（51）が設置された状態において直流電源部（42）がＯＮされると、次の式（1）に基づいて、コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗が計測される。
【００４２】
Ｒｘ＝Ｒ０×（Ｅ／Ｖ０−１）…（1）
式（1）において、Ｒｘはコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗、Ｒ０は固定抵抗（43）の抵抗、Ｅは直流電源部（42）の電圧、Ｖ０は固定抵抗（43）の電圧である。
【００４３】
なお、式（1）において、Ｅ≫Ｖ０の場合（例えば、Ｖ０がＥの１／１００以下の場合）、式（1）は次の式（2）のように表すことができる。
【００４４】
Ｒｘ＝Ｒ０×Ｅ／Ｖ０…（2）
絶縁抵抗計（41）では、固定抵抗（43）の電圧Ｖ０が計測され、該電圧Ｖ０を式（1）又は式（2）に代入することによって、コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘが算出される。絶縁抵抗計（41）では、コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗が、随時計測される。
【００４５】
また、絶縁抵抗計（41）は、計測値送信部（44）を備えている。絶縁抵抗計（41）で随時計測されるコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘは、計測値送信部（44）から制御部（30）へ送信される。
【００４６】
−制御部の構成−
制御部（30）は、上記絶縁抵抗計測器（40）で随時計測されるコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘが所定値Ｒａを上回った場合、乾燥機構（20）（ヒーター（21）及び真空ポンプ（25））の駆動を停止するように構成されている。
【００４７】
制御部（30）は、図５に示すように、記憶部（31）と、判定部（32）と、指令部（33）とを備えている。
【００４８】
記憶部（31）には、絶縁抵抗の所定値Ｒａが記憶されている。本実施形態１では、所定値Ｒａは、フィルムコンデンサ（50）の絶縁抵抗の規格値（例えば１００ＭΩ）よりも高い値に設定される。
【００４９】
判定部（32）は、絶縁抵抗の所定値Ｒａと、絶縁抵抗計（41）の計測値送信部（44）から随時送信されるコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘとを比較する。判定部（32）は、絶縁抵抗Ｒｘが所定値Ｒａを上回った場合、乾燥機構（20）を停止させるための乾燥停止条件が成立したと判定する。
【００５０】
指令部（33）は、判定部（32）で乾燥停止条件が成立したと判定された場合（すなわち、コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘが所定値Ｒａを上回った場合）、ヒーター（21）へヒーター停止信号Ｓｈを送信するとともに、真空ポンプ（25）へポンプ停止信号Ｓｐを送信する。ヒーター停止信号Ｓｈを受信したヒーター（21）は乾燥室（S）の加熱を停止し、ポンプ停止信号Ｓｐを受信した真空ポンプ（25）は乾燥室（S）の減圧を停止する。
【００５１】
−フィルムコンデンサ−
フィルムコンデンサ（50）は、電源供給回路の平滑コンデンサ等に用いられる。図６に示すように、フィルムコンデンサ（50）は、コンデンサ素子（51）と、絶縁カバー（57）と、封止樹脂（58）とを備えている。
【００５２】
コンデンサ素子（51）は、巻芯（52）と、該巻芯（52）に巻回されたフィルム本体部としての巻回部（53）と、該巻回部（53）の軸方向両端部にそれぞれ設けられるメタリコン電極（54）と、各メタリコン電極（54）にそれぞれ電気的に接続される外部端子（55）とを備えている。
【００５３】
巻芯（52）は、円筒状の樹脂部材で構成されている。なお、この円筒状の巻芯（52）の内部に金属製の芯部を設けてもよい。
【００５４】
巻回部（53）は、フィルムコンデンサ用フィルムを構成する２枚の金属化フィルム（61,61）が厚さ方向に重ね合わされたものが、巻芯（52）に所定の回数巻回されて形成される。各金属化フィルム（61）は、図７に示すように、フィルム体（62）と、該フィルム体（62）の一方の面に形成される第１金属膜（63）と、フィルム体（62）の他方の面に形成される第２金属膜（64）とを有する。フィルム体（62）は、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）等の絶縁性の樹脂材料で構成される。つまり、フィルム体（62）は、帯状の誘電体フィルムで構成される。
【００５５】
メタリコン電極（54）は、コンデンサ素子（51）の軸方向端部に露出する２つの金属化フィルム（61,61）と電気的に導通する。外部端子（55）は、その基端部が巻芯（52）に対応する位置で、メタリコン電極（54）と電気的に接続している。これらの外部端子（55）は、メタリコン電極（54）の径方向外方に向かって延び、その先端部が封止樹脂（58）から外方に突出している。
【００５６】
絶縁カバー（57）は、樹脂材料からなるシート状の部材を、円筒状の巻回部（53）の外周面に沿うように丸めて円筒状にしたものである。この絶縁カバー（57）は、巻回部（53）全体を覆うように設けられている。
【００５７】
封止樹脂（58）は、絶縁カバー（57）、巻回部（53）、巻芯（52）、メタリコン電極（54）、及び外部端子（55）の基端部を封止している。すなわち、封止樹脂（58）は、コンデンサ素子（51）における、外部端子（55）の先端部を除く部分を封止している。なお、巻回部（53）の外周側を覆うように絶縁カバー（57）を配設しているが、この限りではなく、絶縁カバー（57）がなく、該巻回部（53）を封止樹脂（58）で直接、封止するような構成であってもよい。
【００５８】
−フィルムコンデンサの製造方法−
フィルムコンデンサ（50）の製造方法について、図８を用いて説明する。
【００５９】
まず、ステップＳ１０で、巻芯（52）に２枚の金属化フィルム（61,61）を所定の回数巻回することにより、巻回部（53）を形成する。金属化フィルム（61,61）は、フィルム体（62）の両面にアルミニウム等が蒸着されることによって形成される。
【００６０】
次に、巻回部（53）の両端面に金属を溶射してメタリコン電極（54）を形成し（ステップＳ２０）、このメタリコン電極（54）に外部端子（55,55）を半田付け等によって取り付ける（ステップＳ３０）。
【００６１】
以上のステップＳ１０、Ｓ２０及びＳ３０の工程により、巻芯（52）、巻回部（53）、メタリコン電極（54）及び外部端子（55）を備えたコンデンサ素子（51）が形成される。
【００６２】
次に、ステップＳ４０で、コンデンサ素子（51）をコンデンサ素子乾燥装置（1）によって乾燥する。ステップＳ４０では、例えば作業者が、コンデンサ素子（51）を乾燥室（S）内に収容し、扉部（12）を閉じた後、ヒーター（21）及び真空ポンプ（25）を起動する。ヒーター（21）の起動によりコンデンサ素子（51）が加熱されるため、コンデンサ素子（51）に含まれる水分が蒸発し、コンデンサ素子（51）が乾燥される。しかも、真空ポンプ（25）の起動により、乾燥室（S）内が減圧されるため、コンデンサ素子（51）に含まれる水分が蒸発しやすくなる。従って、コンデンサ素子（51）が比較的短時間で乾燥される。
【００６３】
従来は、コンデンサ素子の乾燥は、コンデンサ素子に含まれる水分の量に関係なく十分に長い時間行われていた。具体的には、コンデンサ素子の乾燥時間は、湿度の高い時期に形成される含水量の多いコンデンサ素子を基準として決定されていた。そして、この乾燥時間は、湿度の低い時期に形成される含水量の少ないコンデンサ素子にも適用されていた。
【００６４】
しかし、上述のように乾燥時間を決定すると、全てのコンデンサ素子において含水量を十分に低減でき絶縁抵抗を所望の値以上にできる反面、含水量の少ないコンデンサ素子については、必要以上に長い時間乾燥されることになる。その結果、無駄なエネルギーが消費されることになったり、フィルムコンデンサの製造時間が長くなったりしてしまう。
【００６５】
これに対して、本実施形態１では、コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗に応じて、コンデンサ素子（51）の乾燥時間を決定している。具体的には、本実施形態１では、コンデンサ素子（51）の乾燥は、該コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗が所定値Ｒａを上回ると停止される。コンデンサ素子（51）の乾燥方法については、詳しくは後述する。
【００６６】
次に、乾燥されたコンデンサ素子（51）の外周面に絶縁カバー（57）を巻きつける（ステップＳ５０）。そして、該絶縁カバー（57）、巻回部（53）、巻芯（52）、メタリコン電極（54）、及び外部端子（55）の基端部を溶融した封止樹脂で覆い、該封止樹脂を硬化する（ステップＳ６０）。これにより、コンデンサ素子（51）における外部端子（55）の先端部を除く部分が封止され、フィルムコンデンサが形成される。このステップＳ６０により、コンデンサ素子（51）を封止する工程が行われる。
【００６７】
このように、十分に乾燥されたコンデンサ素子（51）を樹脂で封止することにより、コンデンサ素子（51）に水分が侵入するのが抑制されるため、フィルムコンデンサの絶縁抵抗を維持できる。
【００６８】
−コンデンサ素子の乾燥方法−
本実施形態では、ステップＳ１０、Ｓ２０及びＳ３０で形成された多数のコンデンサ素子（51,51,…）を同時に乾燥する。ここで同時に乾燥される多数のコンデンサ素子（51,51,…）は、同一ロットのもの（同じ日に生産された素子）であり、概ね同じ湿度（例えば、±１０％の範囲内）の下で形成されたものである。従って、これら同時に乾燥される多数のコンデンサ素子（51,51,…）については、含まれる水分量が概ね同じになるため、乾燥前における絶縁抵抗や、乾燥中における絶縁抵抗も、概ね同じになる。なお、上記多数のコンデンサ素子（51,51,…）は、同一ロットのものに限らず、概ね同じ湿度の下で形成されたものであればよい。
【００６９】
コンデンサ素子（51,51,…）の乾燥方法を、図９を用いて説明する。
【００７０】
まず最初に、図１０に示すように、乾燥対象となる多数のコンデンサ素子（51,51,…）のうちの１つを、素子設置台（45）にセットする（ステップＳ４１ａ）。具体的には、コンデンサ素子（51）の各外部端子（55,55）を、素子設置台（45）の各端子部（46,46）に接続する。また、素子設置台（45）にセットされたコンデンサ素子（51）を除く残りのコンデンサ素子（51,51,…）をバスケット（70）に入れ、真空乾燥器（10）の乾燥室（S）内に収容する（ステップＳ４１ｂ）。なお、以下において、素子設置台（45）にセットされたコンデンサ素子（51）を、計測用コンデンサ素子（51）と呼ぶ場合もある。
【００７１】
次に、ステップＳ４２で、乾燥機構（20）（ヒーター（21）及び真空ポンプ（25））を起動する。これにより、乾燥室（S）内の昇温及び減圧が開始され、コンデンサ素子（51,51…）の乾燥が開始される。コンデンサ素子（51,51,…）に含まれる水分は、時間の経過とともに該コンデンサ素子（51,51,…）の外部へ徐々に放出される。なお、ステップＳ４１ａ、Ｓ４１ｂ及びＳ４２は、乾燥開始工程に相当する。
【００７２】
次に、ステップＳ４３では、絶縁抵抗計（41）が、計測用コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗を計測する計測工程を行う。本実施形態では、計測用コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗は、絶縁抵抗計（41）によって所定のタイミング毎に計測される。このように計測された絶縁抵抗Ｒｘは、絶縁抵抗計（41）の計測値送信部（44）から制御部（30）の判定部（32）へ送信される。
【００７３】
次に、ステップＳ４４では、制御部（30）の判定部（32）が、計測値送信部（44）から送信された絶縁抵抗Ｒｘと、記憶部（31）に記憶されている所定値Ｒａとを比較し、乾燥停止条件が成立しているか否かを判定する判定工程を行う。具体的には、ＲｘがＲａ以下の場合、判定部（32）は乾燥停止条件が成立していないと判定し、再びステップＳ４３が行われる。ＲｘがＲａを上回った場合、判定部（32）は乾燥停止条件が成立したと判定し、ステップＳ４５が行われる。
【００７４】
通常、コンデンサ素子（51,51,…）の乾燥が開始された直後は、コンデンサ素子（51,51,…）に含まれる水分は十分に除去されておらず、絶縁抵抗は十分に高くなっていない。よって、該コンデンサ素子（51,51,…）の絶縁抵抗Ｒｘは所定値Ｒａよりも低くなっている。従って、コンデンサ素子（51,51,…）の乾燥が開始されてから暫くは、ステップＳ４３とステップＳ４４とが繰り返される。その間、コンデンサ素子（51,51,…）の絶縁抵抗は徐々に高くなる。そして、コンデンサ素子（51,51,…）の乾燥が開始されてからある程度時間が経過し、ＲｘがＲａよりも大きくなると、ステップＳ４５が行われる。
【００７５】
ステップＳ４５では、制御部（30）の指令部（33）が乾燥停止工程を行う。具体的には、制御部（30）の指令部（33）が、ヒーター（21）へヒーター停止信号Ｓｈを送信するとともに、真空ポンプ（25）へポンプ停止信号Ｓｐを送信する。ヒーター停止信号Ｓｈを受信したヒーター（21）、及びポンプ停止信号Ｓｐを受信した真空ポンプ（25）は、ともに停止する。その後、作業者によって、計測用コンデンサ素子（51）とバスケット（70）に収容されたコンデンサ素子（51,51,…）とが、乾燥器本体（11）から取り出される（ステップＳ４６）。
【００７６】
−実施形態１の効果−
以上のように、実施形態１では、乾燥中の計測用コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗が所定値Ｒａを上回った場合、乾燥機構（20）が停止される。所定値Ｒａは、コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗の規格値よりも高い値に設定されているため、計測用コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗を確実に所望の値以上にできる。
【００７７】
また、本実施形態１で同時に乾燥される多数のコンデンサ素子（51,51,…）は、含水量が概ね同じであるため、乾燥中における絶縁抵抗の値もほぼ同じである。よって、同時に乾燥される多数のコンデンサ素子（51,51,…）のうちの１つ（計測用コンデンサ素子）の絶縁抵抗を計測すれば、残りのコンデンサ素子（51,51,…）の絶縁抵抗を計測する必要がなくなる。従って、計測用コンデンサ素子（51）以外のコンデンサ素子（51,51,…）については、素子設置台（45）への設置や、絶縁抵抗の計測に必要な電圧の印加を行わなくても、絶縁抵抗を十分に確保できる。
【００７８】
また、従来の場合、コンデンサ素子（51,51,…）の乾燥が必要以上長い時間行われていたのに対して、本実施形態１では、コンデンサ素子（51,51,…）の絶縁抵抗が所望の値を上回った場合に乾燥が停止される。従って、従来と比べてコンデンサ素子（51,51,…）を乾燥するのに必要なエネルギーを低減できる。
【００７９】
しかも、本実施形態１では、乾燥停止条件の算出や、乾燥機構（20）の停止が、制御部（30）によって自動で行われるため、作業者の作業工数を低減できる。
【００８０】
−実施形態１の変形例−
実施形態１の変形例におけるコンデンサ素子乾燥装置（1）は、図１１に示すように、上記実施形態１の場合と比べて制御部（30）が省略された構成となっている。そして、本変形例のコンデンサ素子（51）の乾燥方法では、上記実施形態１において制御部（30）によって行われていた工程が、作業者によって行われる。具体的には、本変形例では、図９におけるステップＳ４４及びＳ４５の工程が、作業者によって行われる。
【００８１】
ステップＳ４４では、作業者は、絶縁抵抗計（41）で随時計測される絶縁抵抗Ｒｘを目視し、該Ｒｘが所定値Ｒａを上回った場合、作業者は、ヒーター（21）及び真空ポンプ（25）の電源を切る（ステップＳ４５）。
【００８２】
このように、コンデンサ素子乾燥装置（1）において、制御部（30）を省略した構成であっても、作業者がステップＳ４４及びＳ４５を行うことで、コンデンサ素子（51）の絶縁性を確保しつつ、従来と比べて、コンデンサ素子（51）を乾燥するためのエネルギーを低減できる。
【００８３】
《発明の実施形態２》
実施形態２では、ヒーター（21）及び真空ポンプ（25）を停止させるための乾燥停止条件が、上記実施形態１とは異なる。本実施形態２は、上記実施形態１の場合と比べて、絶縁抵抗計（41）の動作、制御部（30）の構成、及びコンデンサ素子（51）の乾燥方法が異なる。以下では、上記実施形態１と異なる点について説明する。
【００８４】
−絶縁抵抗計の動作−
絶縁抵抗計（41）では、コンデンサ素子（51）の乾燥が開始された後、該コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗が２回、計測される。具体的には、絶縁抵抗計（41）では、コンデンサ素子（51）の乾燥が開始されてから所定時間経過後にコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘ１が計測され、該Ｒｘ１が計測されてから所定時間経過後、再び該コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘ２が計測される。これらの絶縁抵抗Ｒｘ１及びＲｘ２は、計測値送信部（44）によって制御部（30）へ送信される。
【００８５】
−制御部の構成−
制御部（30）は、図１２に示すように、記憶部（31）と、算出部（34）と、判定部（32）と、指令部（33）とを備えている。
【００８６】
記憶部（31）には、実施形態１の場合と同様、絶縁抵抗の所定値Ｒａが記憶されている。本実施形態２では、所定値Ｒａは、フィルムコンデンサ（50）の絶縁抵抗の規格値（例えば１００ＭΩ）よりも高い値に設定される。
【００８７】
算出部（34）は、変化量算出部（34a）と、残り乾燥時間算出部（34b）とを備えている。
【００８８】
変化量算出部（34a）は、絶縁抵抗計（41）の計測値送信部（44）から送信される２つの絶縁抵抗Ｒｘ１及びＲｘ２に基づいて、乾燥中のコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗の所定時間における変化量ΔＲを算出する。所定時間における変化量ΔＲは、次の式（3）に基づいて算出される。
【００８９】
ΔＲ＝（Ｒｘ２−Ｒｘ１）／ΔＴ…（3）
式（3）において、ΔＴは、Ｒｘ１を計測してからＲｘ２を計測するまでの時間である。
【００９０】
変化量算出部（34a）は、このように算出されたコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗の所定時間における変化量ΔＲを、残り乾燥時間算出部（34b）へ送信する。
【００９１】
残り乾燥時間算出部（34b）は、記憶部（31）に記憶されている絶縁抵抗の所定値Ｒａと、変化量算出部（34a）から送信される上記ΔＲに基づいて、コンデンサ素子（51）の残りの乾燥時間Ｔｘを算出する。本実施形態２では、残りの乾燥時間Ｔｘは、コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗がＴｘ経過後にＲａとなるように設定される。具体的には、残りの乾燥時間Ｔｘは、次の式（4）の基づいて算出される。
【００９２】
Ｔｘ＝（Ｒａ−Ｒｘ２）／ΔＲ…（4）
残り乾燥時間算出部（34b）は、このように算出された残りの乾燥時間Ｔｘを、判定部（32）へ送信する。
【００９３】
判定部（32）は、タイマー部（32a）を備えている。タイマー部（32a）は、絶縁抵抗計（41）によってコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘ２が計測されたときに起動する。タイマー部（32a）では、該タイマー部（32a）が起動してからの時間Ｔが計測される。
【００９４】
判定部（32）は、残りの乾燥時間Ｔｘと、タイマー部（32a）が起動してからの時間Ｔとを比較する。判定部（32）は、上記タイマー部（32a）が起動してからの時間Ｔが残りの乾燥時間Ｔｘを上回った場合、乾燥機構（20）を停止させるための乾燥停止条件が成立したと判定する。
【００９５】
指令部（33）は、判定部（32）で乾燥停止条件が成立したと判定された場合（すなわち、ＴがＴｘを上回った場合）、ヒーター（21）へヒーター停止信号Ｓｈを送信するとともに、真空ポンプ（25）へポンプ停止信号Ｓｐを送信する。ヒーター停止信号Ｓｈを受信したヒーター（21）は乾燥室（S）の加熱を停止し、ポンプ停止信号Ｓｐを受信した真空ポンプ（25）は乾燥室（S）の減圧を停止する。
【００９６】
−コンデンサ素子の乾燥方法−
本実施形態２では、上記実施形態１と同様、ステップＳ１０、Ｓ２０及びＳ３０で形成された多数のコンデンサ素子（51,51,…）を同時に乾燥する。
【００９７】
実施形態２におけるコンデンサ素子（51,51,…）の乾燥方法を、図１３を用いて説明する。
【００９８】
まず最初に、実施形態１の場合と同様、乾燥対象となる多数のコンデンサ素子（51,51,…）のうちの１つを計測用コンデンサ素子（51）として素子設置台（45）にセットし（ステップＳ４１ａ）、残りのコンデンサ素子（51,51,…）をバスケット（70）に入れ、真空乾燥器（10）の乾燥室（S）内に収容する（ステップＳ４１ｂ）。その後、ヒーター（21）及び真空ポンプ（25）を起動する（ステップＳ４２）。ステップＳ４１ａ、Ｓ４１ｂ及びＳ４２により、乾燥開始工程が行われる。
【００９９】
次に、ステップＳ４３では、絶縁抵抗計（41）が、計測用コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗を計測する計測工程を行う。本実施形態２では、コンデンサ素子（51,51,…）の乾燥が開始されてから所定時間経過後にＲｘ１が計測され、該Ｒｘ１が計測されてから所定時間経過後にＲｘ２が計測される。
【０１００】
次に、ステップＳ４４ａでは、変化量算出部（34a）が、計測用コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗の所定時間における変化量ΔＲを算出する。
【０１０１】
次に、ステップＳ４４ｂでは、残り乾燥時間算出部（34b）が、記憶部（31）に記憶されている所定値Ｒａと、ステップＳ４４ａで算出されたΔＲとに基づいて、残りの乾燥時間Ｔｘを算出する。
【０１０２】
次に、ステップＳ４４ｃでは、判定部（32）が、タイマー部（32a）が起動してからの時間Ｔと、ステップＳ４４ｂで算出された残りの乾燥時間Ｔｘとを比較し、乾燥停止条件が成立しているか否かを判定する。具体的には、ＴがＴｘ以下の場合、判定部（32）は乾燥停止条件が成立していないと判定し、再びステップＳ４４ｃを行う。ＴがＴｘを上回った場合、判定部（32）は乾燥停止条件が成立したと判定し、ステップＳ４５が行われる。なお、ステップＳ４４ａ、Ｓ４４ｂ及びＳ４４ｃが、判定工程に相当する。
【０１０３】
ステップＳ４６では、実施形態１の場合と同様、制御部（30）の指令部（33）が乾燥停止工程を行う。具体的には、制御部（30）の指令部（33）が、ヒーター（21）へヒーター停止信号Ｓｈを送信するとともに、真空ポンプ（25）へポンプ停止信号Ｓｐを送信する。ヒーター停止信号Ｓｈを受信したヒーター（21）、及びポンプ停止信号Ｓｐを受信した真空ポンプ（25）は、ともに停止する。その後、作業者によって、計測用コンデンサ素子（51）とバスケット（70）に収容されたコンデンサ素子（51,51,…）とが、乾燥器本体（11）から取り出される（ステップＳ４６）。
【０１０４】
−実施形態２の効果−
以上のように、実施形態２では、乾燥中の計測用コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗に基づいて、コンデンサ素子（51）を十分に乾燥するために必要な残りの乾燥時間Ｔｘを算出している。そして、残りの乾燥時間Ｔｘ経過後に乾燥機構（20）が停止される。従って、コンデンサ素子（51,51,…）の絶縁性を確保しつつ、コンデンサ素子（51,51,…）の乾燥に必要なエネルギーを低減できる。
【０１０５】
また、実施形態２では、計測されるコンデンサ素子（51）の特性、具体的には、乾燥中のコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗の所定時間における変化量ΔＲを、直接、計測している。
【０１０６】
例えば、乾燥中のコンデンサ素子の絶縁抵抗が１回だけ計測され、該計測値のみを用いて残りの乾燥時間を算出する場合、コンデンサ素子における上記ΔＲを予測し、該ΔＲに基づいて残りの乾燥時間を算出する必要がある。しかし、こうすると、実際に絶縁抵抗が計測されるコンデンサ素子（51）の特性が、予測されるコンデンサ素子の特性と異なる場合、算出された残りの乾燥時間と、本来必要な残りの乾燥時間との間に大きなずれが生じる虞がある。
【０１０７】
これに対して、実施形態２では、上記ΔＲを実際に計測し、該ΔＲに基づいて残りの乾燥時間Ｔｘを算出している。こうすると、算出される残りの乾燥時間Ｔｘと、本来必要な残りの乾燥時間との間のずれが少なくなる。従って、コンデンサ素子（51）の乾燥不足や、乾燥に用いられるエネルギーの無駄を回避できる。
【０１０８】
また、本実施形態２によれば、残りの乾燥時間Ｔｘを算出するために必要な計測用コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘ２が計測された後は、計測用コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗を計測する必要がない。従って、計測用コンデンサ素子（51）に電圧が印加される時間を短くしたり、絶縁抵抗計（41）に必要な電力を低減できる。
【０１０９】
−実施形態２の変形例−
実施形態２の変形例におけるコンデンサ素子乾燥装置（1）は、実施形態１の変形例と同様、図１１に示すように、制御部（30）が省略された構成となっている。そして、本変形例のコンデンサ素子（51）の乾燥方法では、上記実施形態２では制御部（30）によって行われていた工程が、作業者によって行われる。具体的には、本変形例では、図１２におけるステップＳ４３、Ｓ４４ａ、Ｓ４４ｂ、Ｓ４４ｃ及びＳ４５の工程が、作業者によって行われる。
【０１１０】
ステップＳ４３では、作業者は、コンデンサ素子（51）の乾燥が開始されてから所定時間経過後、絶縁抵抗計（41）で計測される絶縁抵抗Ｒｘ１を読み取る。そして、Ｒｘ１が計測されてから所定時間経過後、絶縁抵抗計（41）で計測される絶縁抵抗Ｒｘ２を読み取る。また、作業者は、Ｒｘ１を計測してからＲｘ２を計測するまでの時間を、タイマー等によって計測する。
【０１１１】
ステップＳ４４ａでは、作業者は、ステップＳ４３で計測した絶縁抵抗Ｒｘ１、絶縁抵抗Ｒｘ２、及びＲｘ１とＲｘ２とが計測される間の時間ΔＴを、式（3）に代入することにより、所定時間における変化量ΔＲを算出する。
【０１１２】
次に、ステップＳ４４ｂでは、作業者は、予め設定された絶縁抵抗の所定値Ｒａと、上記Ｒｘ２及びΔＲとを、式（4）に代入することにより、残りの乾燥時間Ｔｘを算出する。
【０１１３】
そして、作業者は、Ｒｘ２が計測されてから上記残りの乾燥時間Ｔｘが経過した後（ステップＳ４４ｃにおいてＹｅｓの場合）、ヒーター（21）及び真空ポンプ（25）の電源を切る（ステップＳ４５）。
【０１１４】
このように、コンデンサ素子乾燥装置（1）において、制御部（30）を省略した構成であっても、作業者がステップＳ４３、Ｓ４４ａ、Ｓ４４ｂ、Ｓ４４ｃ及びＳ４５を行うことで、コンデンサ素子（51）の絶縁性を確保しつつ、コンデンサ素子（51）を乾燥するためのエネルギーを低減できる。
【０１１５】
《発明の実施形態３》
実施形態３では、上記実施形態２の場合と比べて、残りの乾燥時間Ｔｘの算出方法が異なる。具体的には、本実施形態３では、上記実施形態２の場合と比べて、絶縁抵抗計（41）の動作、制御部（30）の構成、及びコンデンサ素子（51）の乾燥方法が異なっている。以下では、上記実施形態２と異なる点について説明する。
【０１１６】
−絶縁抵抗計の動作−
絶縁抵抗計（41）では、コンデンサ素子（51）の乾燥が開始されてから所定時間経過後、該コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗が１回、計測される（この絶縁抵抗をＲｘ３とする）。このＲｘ３は、計測値送信部（44）によって制御部（30）へ送信される。
【０１１７】
−制御部の構成−
制御部（30）は、図１４に示すように、記憶部（31）と、算出部（34）と、判定部（32）と、指令部（33）とを備えている。
【０１１８】
記憶部（31）には、テーブルＡが記憶されている。このテーブルＡをプロットしたグラフを図１５に示す。テーブルＡは、乾燥中のコンデンサ素子の絶縁抵抗と残りの乾燥時間との関係を表すものであって、実験等によって予め作成されたものである。このテーブルＡによれば、コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗の測定値Ｒｘ３に基づいて、残りの乾燥時間Ｔｘを算出することができる。
【０１１９】
算出部（34）は、絶縁抵抗計（41）の計測値送信部（44）から送信される絶縁抵抗Ｒｘ３を、記憶部（31）に記憶されているテーブルＡに照らし合わせて、残りの乾燥時間Ｔｘを算出する。例えば、Ｒｘ３が１０ＭΩであった場合、この値をテーブルＡに照らし合わせると、残りの乾燥時間Ｔｘが１０時間であると算出される。算出部（34）は、このように算出された残りの乾燥時間Ｔｘを、判定部（32）へ送信する。
【０１２０】
判定部（32）は、上記実施形態２の場合と同様、タイマー部（32a）を備えている。タイマー部（32a）は、絶縁抵抗計（41）によってコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘ３が計測されたときに起動する。タイマー部（32a）では、該タイマー部（32a）が起動してからの時間Ｔが計測される。そして、判定部（32）では、ＴがＴｘを上回った場合、乾燥機構（20）を停止させるための乾燥停止条件が成立したと判定し、ヒーター（21）及び真空ポンプ（25）のそれぞれにヒータ停止信号Ｓｈ及びポンプ停止信号Ｓｐを送信して、ヒーター（21）及び真空ポンプ（25）を停止する。
【０１２１】
−コンデンサ素子の乾燥方法−
本実施形態３では、上記実施形態１及び２の場合と同様、図１６に示すように、１つのコンデンサ素子を計測用コンデンサ素子（51）として素子設置台（45）にセットし（ステップＳ４１ａ）、残りのコンデンサ素子（51,51,…）をバスケット（70）に入れて真空乾燥器（10）の乾燥室（S）内に収容する（ステップＳ４１ｂ）。その後、ヒーター（21）及び真空ポンプ（25）を起動する（ステップＳ４２）。
【０１２２】
次に、ステップＳ４３では、絶縁抵抗計（41）が、計測用コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗を計測する計測工程を行う。本実施形態３では、コンデンサ素子（51）の乾燥が開始されてから所定時間経過後にＲｘ３が計測される。
【０１２３】
次に、ステップＳ４４ｂでは、算出部（34）が、ステップＳ４３で計測された絶縁抵抗Ｒｘ３を、記憶部（31）に記憶されているテーブルＡと照らし合わせることにより、残りの乾燥時間Ｔｘを算出する。
【０１２４】
以下、ステップＳ４４ｃ以降の工程は、上記実施形態２と同じであるため、説明を省略する。
【０１２５】
−実施形態３の効果−
以上のように、実施形態３では、乾燥中の計測用コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗と、予め準備されるテーブルＡとに基づいて、コンデンサ素子（51,51,…）を十分に乾燥するために必要な残りの乾燥時間Ｔｘを算出している。そして、残りの乾燥時間Ｔｘ経過後に乾燥機構（20）が停止される。従って、コンデンサ素子（51,51,…）の絶縁性を確保しつつ、コンデンサ素子（51,51,…）の乾燥に必要なエネルギーを低減できる。
【０１２６】
また、本実施形態２によれば、残りの乾燥時間Ｔｘを算出するために必要な計測用コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘ３が計測された後は、計測用コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗を計測する必要がない。従って、計測用コンデンサ素子（51）に電圧が印加される時間を短くしたり、絶縁抵抗計（41）に必要な電力を低減できる。
【０１２７】
−実施形態３の変形例−
実施形態３の変形例におけるコンデンサ素子乾燥装置（1）は、実施形態１の変形例及び実施形態２の変形例の場合と同様、図１１に示すように、制御部（30）が省略された構成となっている。そして、本変形例のコンデンサ素子（51）の乾燥方法では、上記実施形態３では制御部（30）によって行われていた工程が、作業者によって行われる。具体的には、本変形例では、図１６におけるステップＳ４３、Ｓ４４ｂ、Ｓ４４ｃ及びＳ４５の工程が、作業者によって行われる。
【０１２８】
ステップＳ４３では、作業者は、コンデンサ素子（51）の乾燥が開始されてから所定時間経過後、絶縁抵抗計（41）で計測される絶縁抵抗Ｒｘ３を読み取る。
【０１２９】
ステップＳ４４ｂでは、作業者は、ステップＳ４３で計測された絶縁抵抗Ｒｘ３を、予め準備されたテーブルＡに照らし合わせて、残りの乾燥時間Ｔｘを算出する。
【０１３０】
そして、作業者は、Ｒｘ３が計測されてから上記残りの乾燥時間Ｔｘが経過した後（ステップＳ４４ｃにおいてＹｅｓの場合）、ヒーター（21）及び真空ポンプ（25）の電源を切る（ステップＳ４５）。
【０１３１】
このように、コンデンサ素子乾燥装置（1）において、制御部（30）を省略した構成であっても、作業者がステップＳ４３、Ｓ４４ｂ、Ｓ４４ｃ及びＳ４５を行うことで、コンデンサ素子（51）の絶縁性を確保しつつ、コンデンサ素子（51）を乾燥するためのエネルギーを低減できる。
【０１３２】
−その他の実施形態−
上記実施形態については、以下のような構成にしてもよい。
【０１３３】
上記各実施形態では、金属化フィルム（61）を巻回した巻回部（53）を有するコンデンサ素子（51）の乾燥方法について記載しているが、この限りでなく、金属電極と誘電体とを交互に重ねることによって形成される、いわゆる積層コンデンサを対象とすることもできる。
【０１３４】
また、上記各実施形態では、乾燥機構（20）は、ヒーター（21）及び真空ポンプ（25）を備えているが、この限りでなく、ヒーター（21）のみを備えた構成であってもよい。
【０１３５】
また、上記各実施形態では、絶縁抵抗計測器（40）を、１つのコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗を計測可能なように構成しているが、この限りでなく、複数のコンデンサ素子（51,51,…）の絶縁抵抗を計測可能なように構成してもよい。こうすると、コンデンサ素子（51）毎の絶縁抵抗のばらつきを加味して乾燥停止条件を決定することができるため、コンデンサ素子（51,51,…）をより確実に乾燥することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１３６】
以上説明したように、本発明は、フィルムコンデンサに有用である。
【符号の説明】
【０１３７】
１ コンデンサ素子乾燥装置
２０ 乾燥機構
３０ 制御部
４０ 絶縁抵抗計測器
５０ フィルムコンデンサ（コンデンサ）
５１ コンデンサ素子
５３ 巻回部（フィルム本体部）
６１ 金属化フィルム（フィルム）
Ｒｘ，Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３ 絶縁抵抗
Ｒａ 所定値
Ｔｘ 残りの乾燥時間
ΔＲ 所定時間における変化量
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルム（61）が巻回又は積層されて形成されたフィルム本体部（53）を有するコンデンサ素子（51）の乾燥を開始する乾燥開始工程と、
乾燥中の上記コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗を計測する計測工程と、
上記コンデンサ素子（51）の乾燥を停止させる乾燥停止条件が成立するか否かを、上記計測工程で計測されたコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘ，Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３に基づいて判定する判定工程と、
上記判定工程において上記乾燥停止条件が成立したと判定された場合、上記コンデンサ素子（51）の乾燥を停止する乾燥停止工程と
を備えることを特徴とするコンデンサ素子の乾燥方法。
【請求項２】
請求項１において、
上記計測工程では、乾燥中の上記コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗が随時計測され、
上記判定工程では、上記計測工程で計測されたコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘが所定値Ｒａを上回った場合、上記乾燥停止条件が成立したと判定されることを特徴とするコンデンサ素子の乾燥方法。
【請求項３】
請求項１において、
上記判定工程では、上記計測工程で計測されたコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３に基づいて上記コンデンサ素子（51）の残りの乾燥時間Ｔｘが算出され、該残りの乾燥時間Ｔｘが経過した場合、上記乾燥停止条件が成立したと判定されることを特徴とするコンデンサ素子の乾燥方法。
【請求項４】
請求項３において、
上記判定工程では、上記計測工程で計測されたコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘ１，Ｒｘ２の所定時間における変化量ΔＲが算出され、該変化量ΔＲに基づいて上記コンデンサ素子（51）の残りの乾燥時間Ｔｘが算出されることを特徴とするコンデンサ素子の乾燥方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１つに記載の乾燥方法によって乾燥されたコンデンサ素子（51）を封止する工程を備えることを特徴とするコンデンサの製造方法。
【請求項６】
フィルム（61）が巻回又は積層されて形成されたフィルム本体部（53）を有するコンデンサ素子（51）を乾燥する乾燥機構（20）と、
上記乾燥機構（20）で乾燥中のコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗を計測する絶縁抵抗計測器（40）と、
上記絶縁抵抗計測器（40）によって計測されたコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘ，Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３に基づいて上記乾燥機構（20）を制御する制御部（30）と
を備えることを特徴とするコンデンサ素子乾燥装置。
【請求項１】
フィルム（61）が巻回又は積層されて形成されたフィルム本体部（53）を有するコンデンサ素子（51）の乾燥を開始する乾燥開始工程と、
乾燥中の上記コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗を計測する計測工程と、
上記コンデンサ素子（51）の乾燥を停止させる乾燥停止条件が成立するか否かを、上記計測工程で計測されたコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘ，Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３に基づいて判定する判定工程と、
上記判定工程において上記乾燥停止条件が成立したと判定された場合、上記コンデンサ素子（51）の乾燥を停止する乾燥停止工程と
を備えることを特徴とするコンデンサ素子の乾燥方法。
【請求項２】
請求項１において、
上記計測工程では、乾燥中の上記コンデンサ素子（51）の絶縁抵抗が随時計測され、
上記判定工程では、上記計測工程で計測されたコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘが所定値Ｒａを上回った場合、上記乾燥停止条件が成立したと判定されることを特徴とするコンデンサ素子の乾燥方法。
【請求項３】
請求項１において、
上記判定工程では、上記計測工程で計測されたコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３に基づいて上記コンデンサ素子（51）の残りの乾燥時間Ｔｘが算出され、該残りの乾燥時間Ｔｘが経過した場合、上記乾燥停止条件が成立したと判定されることを特徴とするコンデンサ素子の乾燥方法。
【請求項４】
請求項３において、
上記判定工程では、上記計測工程で計測されたコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘ１，Ｒｘ２の所定時間における変化量ΔＲが算出され、該変化量ΔＲに基づいて上記コンデンサ素子（51）の残りの乾燥時間Ｔｘが算出されることを特徴とするコンデンサ素子の乾燥方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１つに記載の乾燥方法によって乾燥されたコンデンサ素子（51）を封止する工程を備えることを特徴とするコンデンサの製造方法。
【請求項６】
フィルム（61）が巻回又は積層されて形成されたフィルム本体部（53）を有するコンデンサ素子（51）を乾燥する乾燥機構（20）と、
上記乾燥機構（20）で乾燥中のコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗を計測する絶縁抵抗計測器（40）と、
上記絶縁抵抗計測器（40）によって計測されたコンデンサ素子（51）の絶縁抵抗Ｒｘ，Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３に基づいて上記乾燥機構（20）を制御する制御部（30）と
を備えることを特徴とするコンデンサ素子乾燥装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２０１３−２６３７６（Ｐ２０１３−２６３７６Ａ）
【公開日】平成２５年２月４日（２０１３．２．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１５８８１４（Ｐ２０１１−１５８８１４）
【出願日】平成２３年７月２０日（２０１１．７．２０）
【出願人】（０００００２８５３）ダイキン工業株式会社 (7,604)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年２月４日（２０１３．２．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年７月２０日（２０１１．７．２０）
【出願人】（０００００２８５３）ダイキン工業株式会社 (7,604)
【Ｆターム（参考）】
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