ジアミン系化合物の精製方法
【課題】 電荷輸送能をより一層向上させて、感度を高められたジアミン系化合物を得ることのできる、ジアミン系化合物の精製方法を提供すること。
【解決手段】 本発明のジアミン系化合物の精製方法は、ジアミン系化合物（１）と、ジアミン系化合物（１）の良溶媒とを配合して、加熱することにより、ジアミン系化合物（１）を溶解させる溶解工程と、溶解工程で得られた溶液を冷却して、ジアミン系化合物（１）の結晶を析出させる析出工程と、を含む。
【化１】
【解決手段】 本発明のジアミン系化合物の精製方法は、ジアミン系化合物（１）と、ジアミン系化合物（１）の良溶媒とを配合して、加熱することにより、ジアミン系化合物（１）を溶解させる溶解工程と、溶解工程で得られた溶液を冷却して、ジアミン系化合物（１）の結晶を析出させる析出工程と、を含む。
【化１】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ジアミン系化合物の精製方法に関し、詳しくは、電子写真感光体の電荷輸送剤に用いられるジアミン系化合物の精製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、静電式複写機、ファクシミリ、レーザビームプリンタなどの画像形成装置には、その画像形成装置に用いられる露光光源の波長領域に感度を有する電子写真感光体が使用されている。このような電子写真感光体は、一般に、電荷輸送剤を含有する感光層が導電性基体上に設けられている。
また、上記の電子写真感光体は、感度に優れていることが望まれており、電子写真感光体の感度の向上を図ることのできる電荷輸送剤として、特許文献１には、下記一般式（９１）で表されるジアミン誘導体が提案されている。
【０００３】
【化１】
（式（９１）中、Ｒ91、Ｒ92、Ｒ93およびＲ94の少なくとも２つは、下記式（９２）で表される基を示し、残りは、水素を示す。Ｒ95およびＲ96は、独立して、水素、アルキル基などを示す。）
【０００４】
【化２】
（式（９２）中、Ｒ97は、水素原子、アルキル基などを示す。Ｒ98およびＲ99のいずれか一方は、アリール基を示し、他方は、水素原子、アリール基などを示す。）
さらに、近年、画像形成装置に要求される画質の高品質化により、電子写真感光体の感度を向上させるために、電荷輸送剤の電荷輸送能をより一層向上させることが求められている。
【０００５】
ところで、一般に、化合物の精製方法としては、化合物を良溶媒に溶解後、貧溶媒を加えて再沈殿させる方法（再沈殿法）が知られており、特許文献２には、下記一般式（９３）で表されるＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（２−ナフチル）−４，４’−ジアミノビフェニルを、再沈殿法により精製することが記載されている。
【０００６】
【化３】
【特許文献１】特開平７−３６２０３号公報
【特許文献２】特開２００５−１７９２５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、特許文献２に記載の再沈殿法によって、ジアミン誘導体（９１）を精製すると、得られたジアミン誘導体（９１）を電荷輸送剤として用いた電子写真感光体では、感度を高めることができないという不具合がある。
本発明の目的は、電荷輸送能をより一層向上させて、感度を高められたジアミン系化合物を得ることのできる、ジアミン系化合物の精製方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明のジアミン系化合物の精製方法は、下記一般式（１）または（２）で表されるジアミン系化合物と、前記ジアミン系化合物の良溶媒とを配合して、加熱することにより、前記ジアミン系化合物（１）または（２）を溶解させる溶解工程、および、前記溶解工程で得られた溶液を冷却して、前記ジアミン系化合物（１）または（２）の結晶を析出させる析出工程を含むことを特徴としている。
【０００９】
【化４】
（一般式（１）中、Ｒ1〜Ｒ12は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基または炭素数６〜２０のアリール基を示す。前記炭素数６〜２０のアリール基は、さらに、ハロゲン原子または炭素数１〜４のアルコキシ基を有していてもよい。Ｒ13〜Ｒ14は、それぞれ独立して、水素原子または下記式（Ａ）で表される基を示す。）
【００１０】
【化５】
（式（Ａ）中、ｍは０または１の整数を示す。Ｒ15、Ｒ16は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基を示す。但し、Ｒ15およびＲ16のいずれか一方は、水素原子以外の基を示す。）
【００１１】
【化６】
（一般式（２）中、Ｒ21〜Ｒ32は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基または炭素数６〜２０のアリール基を示す。前記炭素数６〜２０のアリール基は、さらに、ハロゲン原子または炭素数１〜４のアルコキシ基を有していてもよい。Ｒ33およびＲ34は、それぞれ独立して、水素原子または下記式（Ｂ）で表される基を示す。）
【００１２】
【化７】
（式（Ｂ）中、ｐは０または１の整数を示す。Ｒ35、Ｒ36は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基を示す。但し、Ｒ35およびＲ36のいずれか一方は、水素原子以外の基を示す。）
また、本発明のジアミン系化合物の精製方法は、好ましくは、さらに、前記析出工程で析出された前記ジアミン系化合物（１）または（２）の結晶と、前記ジアミン系化合物の良溶媒とを配合することにより、前記ジアミン系化合物（１）または（２）を再度溶解する再溶解工程、および、前記再溶解工程で得られた溶液に、前記ジアミン系化合物の貧溶媒を添加することにより、前記ジアミン系化合物の結晶を再度析出させる再析出工程を含むことを特徴としている。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のジアミン系化合物の精製方法によれば、上記一般式（１）および（２）で表されるジアミン系化合物について、従来の精製品よりも電荷輸送能を高めることができ、電子写真感光体の電気特性を向上させるのにより一層好適なものとすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明に係るジアミン系化合物の精製方法は、上記一般式（１）または（２）で表されるジアミン系化合物と、前記ジアミン系化合物の良溶媒とを配合して、加熱、溶解させる溶解工程、および、上記溶解工程で得られた溶液を冷却して、結晶を析出させる析出工程とを含んでいる。
一般式（１）で表されるジアミン系化合物のうち、Ｒ1〜Ｒ12は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、または、炭素数６〜２０のアリール基を示す。
【００１５】
ハロゲン原子としては、例えば、フルオロ、クロロ、ブロモまたはヨードなどが挙げられ、好ましくは、クロロが挙げられる。
炭素数１〜２０のアルキル基としては、直鎖状および分岐鎖状のいずれであってもよく、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ネオペンチル、イソペンチル、ｎ−ヘキシル、へプチル、オクチル、２−エチルへキシル、イソオクチル、ｎ−ノニル、イソノニル、ｎ−デシル、イソデシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル、デカデシルなどが挙げられる。アルキル基の炭素数は、好ましくは、１〜６、より好ましくは、１〜４、最も好ましくは、１または２である。
【００１６】
炭素数１〜２０のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｎ−ブトキシ、ｎ−ヘキシルオキシ、２−メチルペンチルオキシ、ｎ−オクチルオキシ、ｎ−デシルなどが挙げられる。
炭素数６〜２０のアリール基としては、例えば、フェニル、ナフチル、ビフェニル、ｏ、ｍ、ｐ−トリル、２，３−、２，４−、２，５−、３，４−キシリル、メシチル、ｏ、ｍ、ｐ−クメニル、２−エチル−６−メチルフェニルなどが挙げられる。上記アリール基の炭素数は、好ましくは、６〜１２、より好ましくは、６〜８であり、具体的には、フェニル、ｐ−トリルなどが挙げられる。
【００１７】
上記炭素数６〜２０のアリール基は、さらに、ハロゲン、または、炭素数１〜４のアルコキシ基を有していてもよい。炭素数６〜２０のアリール基に置換するハロゲンとしては、上記例示したのと同様のものが挙げられる。また、炭素数６〜２０のアリール基に置換する、炭素数１〜４のアルコキシ基としては、上記例示の炭素数１〜２０のアルコキシ基のうち、炭素数が１〜４であるものが挙げられる。
【００１８】
Ｒ3〜Ｒ8については、例えば、Ｒ3〜Ｒ5のいずれか１つおよびＲ6〜Ｒ8のいずれか１つは、水素原子およびハロゲン原子以外の基であり、かつ、Ｎ−置換フェニルの４位（パラ位）に置換していることが好ましく、Ｒ3〜Ｒ5のいずれか２つおよびＲ6〜Ｒ8のいずれか２つは、Ｎ−置換フェニルの２位および６位（オルト位）に置換していることが好ましい。
【００１９】
一般式（１）で表されるジアミン系化合物のうち、Ｒ13およびＲ14は、それぞれ独立して、水素原子または上記式（Ａ）で表される基を示す。
式（Ａ）で表される基のうち、Ｒ15およびＲ16は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基を示す。但し、Ｒ15およびＲ16のいずれか一方は、水素原子以外の基（すなわち、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基）を示す。
【００２０】
炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基としては、上記したのと同様のものが挙げられる。なかでも、好ましくは、炭素数６〜２０のアリール基が挙げられ、より好ましくは、フェニル、ｐ−トリルが挙げられる。
なお、Ｒ13およびＲ14が、ともに上記式（Ａ）で表される基である場合において、Ｒ13とＲ14は同一の基であってもよく、また、Ｒ15、Ｒ16に相当する基やｍの数が互いに異なっていてもよい。
【００２１】
式（Ａ）中、ｍは、ビニレン基の繰り返し数を示し、０または１の整数である。
一般式（１）中のＲ1〜Ｒ14およびｍの具体例としては、特に限定されないが、例えば、表１に示すものが挙げられる。
【００２２】
【表１】
表１中、「Ｍｅ」はメチル、「ｉＰｒ」はイソプロピル、「Ｐｈ」はフェニル、「ＣＨ3Ｃ6Ｈ5」はトリルを示す。「２−」、「４−」、「６−」および「ｐ−」は、それぞれ、ベンゼン環上での置換位置を示す。なお、「２，４，６−ｔｒｉＭｅ」は、２、４および６位の３箇所に、それぞれメチルが置換していることを示し、「２，４−ｄｉＭｅ」は、２および４位の２箇所に、それぞれメチルが置換していることを示す。また、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ9，Ｒ10、Ｒ11，Ｒ12、Ｒ14およびＲ16欄の「−」は、該当する基を有するＮ置換フェニルが、水素以外の基を有していないことを示す。ベンゼン環上での置換位置は、下記式に示すとおりである。
【００２３】
【化８】
上記一般式（１）で表されるジアミン系化合物は、例えば、特許文献１（特開平７−３６２０３号公報）に記載の方法に準じて合成することができる。また、特に、Ｒ13および／またはＲ14が上記式（Ａ）で表される基である場合には、下記合成法１または合成法２により合成することができる。
【００２４】
合成法１
下記式（３）で表されるジアミン誘導体に、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）および塩化ホスホリルを過剰量添加して、これを加熱し、いわゆるフィルスマイヤー−ハーク（Ｖｉｌｓｍｅｉｅｒ−Ｈａａｃｋ）反応によって、下記式（４）で表されるジホルミルジアミン誘導体を得る。
【００２５】
なお、ホルミル基を、４つのＮ−置換フェニルのうち、特定の２つのＮ−置換フェニル（Ｒ1やＲ2を有するＮ−置換フェニル）にのみ導入するためには、Ｒ3〜Ｒ5またはＲ6〜Ｒ8を有するＮ−置換フェニルが、水素原子およびハロゲン原子以外の基（すなわち、炭素数１〜２０のアルキル基など。）を、４位（パラ位）に、または、２位および６位（オルト位）に有していることが好ましい。
【００２６】
【化９】
（式中、Ｒ1〜Ｒ12は、前記と同じである。）
次いで、ジホルミルジアミン誘導体（４）と、アラルキルホスホン酸ジアルキルエステル（５）とを、例えば、乾燥テトラヒドラフラン（ＴＨＦ）中、ナトリウムメトキシド存在下で反応させることにより、一般式（１’）で表されるジアミン系化合物を得る。
【００２７】
【化１０】
合成法２
一般式（８）で表される４，４’−ジブロモビフェニル系化合物と、一般式（９−１）および（９−２）で表されるフェニルアミン誘導体とを、例えば、キシレン中、パラジウム触媒の存在下で、反応させることにより、一般式（１”）で表されるジアミン系化合物を得る。
【００２８】
【化１１】
上記式（１）で表されるジアミン系化合物の良溶媒（以下、単に「良溶媒」ということがある。）は、室温におけるジアミン系化合物（１）の溶解度が０．１重量％以上をいう。具体的には、例えば、トルエン、キシレン、テトラリンなどの芳香族系溶媒、例えば、シクロヘキサンなどの脂環式系溶媒、例えば、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジエチルエーテル、ジオキサン、エチレングリコールジエチルエーテルなどの酸素含有脂環式系溶媒、例えば、クロロホルム、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンなどのハロゲン含有脂肪族系溶媒、例えば、アセトン、２−ブタノン、酢酸エチル、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）などのカルボニル系溶媒などが挙げられる。これら良溶媒は、単独で、または、２種以上を混合して使用することができる。なかでも好ましくは、トルエン、キシレン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、クロロベンゼン、２−ブタノン、酢酸エチルなどが挙げられる。
【００２９】
なお、例えば、トルエンは、室温（２５℃）における、下記式（ＨＴＭ−１）で表されるジアミン系化合物の溶解度が０．３重量％であり、下記式（ＨＴＭ−２）で表されるジアミン系化合物の溶解度が０．３７重量％であり、下記式（ＨＴＭ−３）で表されるジアミン系化合物の溶解度が０．２７重量％であり、下記式（ＨＴＭ−４）で表されるジアミン系化合物の溶解度が０．３重量％である。
【００３０】
【化１２】
【００３１】
【化１３】
【００３２】
【化１４】
【００３３】
【化１５】
一般式（２）で表されるジアミン系化合物のうち、Ｒ21〜Ｒ32は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、または、炭素数６〜２０のアリール基を示す。
【００３４】
ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基および炭素数６〜２０のアリール基としては、上記したのと同様のものが挙げられる。なかでも、炭素数１〜２０アルキル基としては、好ましくは、メチル、エチルなどが挙げられる。
一般式（２）中、上記炭素数６〜２０のアリール基は、さらに、ハロゲン、または、炭素数１〜４のアルコキシ基を有していてもよい。炭素数６〜２０のアリール基に置換するハロゲンとしては、上記例示したのと同様のものが挙げられる。また、炭素数６〜２０のアリール基に置換する、炭素数１〜４のアルコキシ基としては、上記例示の炭素数１〜２０のアルコキシ基のうち、炭素数が１〜４であるものが挙げられる。
【００３５】
Ｒ23〜Ｒ28については、例えば、Ｒ23〜Ｒ25のいずれか１つおよびＲ26〜Ｒ28のいずれか１つは、水素原子およびハロゲン原子以外の基であり、かつ、Ｎ−置換フェニルの４位（パラ位）に置換していることが好ましく、または、Ｒ23〜Ｒ25のいずれか２つおよびＲ26〜Ｒ28のいずれか２つは、Ｎ−置換フェニルの２位および６位（オルト位）に置換していることが好ましい。
【００３６】
一般式（２）で表されるジアミン系化合物のうち、Ｒ33およびＲ34は、それぞれ独立して、水素原子または上記式（Ｂ）で表される基を示す。
式（Ｂ）で表される基のうち、Ｒ35およびＲ36は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基を示す。但し、Ｒ35およびＲ36のいずれか一方は、水素原子以外の基（すなわち、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基）を示す。
【００３７】
炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基としては、上記したのと同様のものが挙げられる。なかでも、好ましくは、炭素数６〜２０のアリール基が挙げられ、より好ましくは、フェニル、ｐ−トリルが挙げられる。
なお、Ｒ33およびＲ34が、ともに上記式（Ｂ）で表される基である場合において、Ｒ33とＲ34は同一の基であってもよく、また、Ｒ35、Ｒ36に相当する基やｐの数が互いに異なっていてもよい。
【００３８】
式（Ｂ）中、ｐは、ビニレン基の繰り返し数を示し、０または１の整数、好ましくは、０である。
一般式（２）中のＲ21〜Ｒ36およびｐの具体例としては、特に限定されないが、例えば、表２に示すものが挙げられる。
【００３９】
【表２】
表２中、「Ｅｔ」はエチルを示し、他の符号は、表１と同様である。なお、「２−Ｍｅ−６−Ｅｔ」は、２位にメチルが、６位にエチルが置換していることを示す。また、ｑ欄中、「１，３−」および「１，４−」は、ジアミン系化合物（２）の２個のビニレンが置換するジアミン系化合物の中心ベンゼン環上での、ビニレン基が置換する位置を示す。ベンゼン環上での置換位置は、下記式に示すとおりである。
【００４０】
【化１６】
上記一般式（２）で表されるジアミン系化合物は、例えば、特許文献１（特開平７−３６２０３号公報）に記載の方法に準じて合成することができる。また、特に、Ｒ33および／またはＲ34が上記式（Ｂ）で表される基である場合には、下記合成法３により合成することができる。
【００４１】
合成法３
下記式（１０−１）で表されるアミン誘導体に、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）および塩化ホスホリルを過剰量添加して、これを加熱することにより、いわゆるフィルスマイヤー−ハーク反応によって、下記式（１１−１）で表されるホルミルアミン誘導体を得る。
【００４２】
なお、ホルミル基を、３つのＮ−置換フェニルのうち、特定のＮ−置換フェニル（Ｒ29，Ｒ30を有するＮ−置換フェニル）にのみ導入するためには、他の２つのＮ−置換フェニル（Ｒ21やＲ23〜Ｒ25を有するＮ−置換フェニル）が、水素原子およびハロゲン原子以外の基（すなわち、炭素数１〜２０のアルキル基など。）を、４位（パラ位）に、または、２位および６位（オルト位）に有していることが好ましい。
【００４３】
また、下記式（１０−２）で表されるアミン誘導体についても、同様にして反応させることにより、下記式（１１−２）で表されるホルミルアミン誘導体を得る。
【００４４】
【化１７】
（式中、Ｒ21〜Ｒ32は、前記と同じである。）
次いで、ホルミルアミン誘導体（１１−１）および（１１−２）と、アリーレンジホスホン酸ジアルキルエステル（１２）とを、例えば、乾燥テトラヒドラフラン（ＴＨＦ）中、ナトリウムメトキシド存在下で反応させることにより、一般式（１３）で表されるジアミン系化合物を得る。
【００４５】
【化１８】
さらに、ジアミン系化合物（１３）に、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）および塩化ホスホリルを過剰量添加して、これを加熱することにより（フィルスマイヤー−ハーク反応）、下記式（１４）で表されるホルミル体を得、このホルミル体（１４）と、アラルキルホスホン酸ジアルキルエステル（１５）とを、例えば、乾燥テトラヒドラフラン（ＴＨＦ）中、ナトリウムメトキシド存在下で反応させることにより、一般式（２’）で表されるジアミン系化合物を得る。
【００４６】
【化１９】
上記一般式（２）で表されるジアミン系化合物の良溶媒（以下、単に「良溶媒」ということがある。）は、室温におけるジアミン系化合物（２）の溶解度が０．１重量％以上のものをいう。具体的には、ジアミン系化合物（１）についての良溶媒と同様のものが挙げられる。これら良溶媒は、単独で、または、２種以上を混合して使用することができる。なかでも好ましくは、トルエン、キシレン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、クロロベンゼン、２−ブタノン、酢酸エチルなどが挙げられる。
【００４７】
なお、例えば、トルエンでは、室温（２５℃）における、下記式（ＨＴＭ−５）で表されるジアミン系化合物の溶解度が０．２５重量％であり、下記式（ＨＴＭ−６）で表されるジアミン系化合物の溶解度が０．２２重量％であり、下記式（ＨＴＭ−７）で表されるジアミン系化合物の溶解度が０．２重量％である。
【００４８】
【化２０】
【００４９】
【化２１】
【００５０】
【化２２】
上記の精製方法の溶解工程において、ジアミン系化合物（１）を溶解させるには、ジアミン系化合物（１）と、ジアミン系化合物（１）の良溶媒とを配合して、加熱する。加熱時には、溶液を撹拌してもよい。
【００５１】
良溶媒の配合割合は、良溶媒の種類によって適宜設定されることから、特に限定されないが、ジアミン系化合物（１）１００重量部に対して、例えば、５０〜１０００重量部、好ましくは、５０〜７００重量部、さらに好ましくは、１００〜５００重量部である。
加熱温度は、ジアミン系化合物（１）やその良溶媒の種類に応じて、すなわち、ジアミン系化合物（１）についての良溶媒中の溶解度に応じて適宜設定すればよい。なお、例えば、良溶媒がトルエンまたはエチレングリコールモノエチルエーテルである場合は、６０℃程度まで加熱すればよい。
【００５２】
上記精製方法の析出工程において、ジアミン系化合物（１）の結晶を析出させるには、上記した溶解工程で得られた溶液を冷却する。
冷却温度は、上記したジアミン系化合物（１）や良溶媒の種類に応じて適宜設定すればよい。なお、例えば、良溶媒がトルエンまたはエチレングリコールモノエチルエーテルである場合は、室温まで冷却すればよい。上記冷却時または冷却後には、溶液を撹拌してもよい。冷却後に溶液を撹拌する場合には、撹拌時間は特に制限されず、例えば、１〜１００時間である。
【００５３】
上記析出工程で得られたジアミン系化合物（１）の結晶は、良溶媒から濾別した後、減圧乾燥または真空乾燥される。これにより、ジアミン系化合物（１）に含まれていた不純物が良溶媒中に移行されて、ジアミン系化合物（１）が精製される。
また、上記精製方法の溶解工程において、ジアミン系化合物（２）を溶解させるには、ジアミン系化合物（２）と、ジアミン系化合物（２）の良溶媒とを配合して、加熱する。加熱時には、溶液を撹拌してもよい。
【００５４】
良溶媒の配合割合は、良溶媒の種類によって適宜設定されることから、特に限定されないが、ジアミン系化合物（２）１００重量部に対して、例えば、５０〜１０００重量部、好ましくは、５０〜７００重量部、さらに好ましくは、１００〜５００重量部である。
加熱温度は、ジアミン系化合物（２）やその良溶媒の種類に応じて、すなわち、ジアミン系化合物（２）についての良溶媒中の溶解度に応じて適宜設定すればよい。なお、例えば、良溶媒がトルエンまたはエチレングリコールモノエチルエーテルである場合は、６０℃程度まで加熱すればよい。
【００５５】
上記精製方法の析出工程において、ジアミン系化合物（２）の結晶を析出させるには、上記した溶解工程で得られた溶液を冷却する。
冷却温度は、上記したジアミン系化合物（２）や良溶媒の種類に応じて、適宜設定すればよい。なお、例えば、良溶媒がトルエンまたはエチレングリコールモノエチルエーテルである場合は、室温まで冷却すればよい。上記冷却時または冷却後には、溶液を撹拌してもよい。冷却後に溶液を撹拌する場合には、撹拌時間は特に制限されず、例えば、１〜１００時間である。
【００５６】
上記析出工程で得られたジアミン系化合物（２）の結晶は、良溶媒から濾別した後、減圧乾燥または真空乾燥される。これにより、ジアミン系化合物に含まれていた不純物が良溶媒中へと移行されて、ジアミン系化合物（２）が精製される。
上記精製方法によれば、ジアミン系化合物（１）または（２）の貧溶媒（後述）を使用せず、良溶媒のみを使用して、ジアミン系化合物（１）または（２）の良溶媒の温度操作により、不純物を可及的に除去されたジアミン系化合物（１）または（２）を得ることができる。それゆえ、ジアミン系化合物（１）または（２）の電荷輸送能をより一層向上させることができる。
【００５７】
上記精製方法により精製されたジアミン系化合物（１）または（２）を、電子写真感光体の感光層に含有させたときは、感度が向上し、かつ、露光後の残留電位が低減された高品質の電子写真感光体を得ることができる。
以上の説明では、ジアミン系化合物の貧溶媒を使用せずに、良溶媒のみを使用して、ジアミン系化合物（１）または（２）を精製したが、溶解工程と析出工程との後、貧溶媒を使用した処理を得ることによっても、ジアミン系化合物（１）または（２）を精製することもできる。
【００５８】
すなわち、上記精製方法の溶解工程と析出工程との後、さらに、上記析出工程で得られたジアミン系化合物（１）または（２）の結晶と、良溶媒とを配合して、加熱することにより、ジアミン系化合物（１）または（２）を再度溶解させ（再溶解工程）、次いで、再溶解工程で得られた溶液に、ジアミン系化合物（１）または（２）の貧溶媒（以下、単に「貧溶媒」ということがある。）を添加して、その溶液を冷却することにより、ジアミン系化合物（１）または（２）の結晶が再度析出される（再析出工程）。
【００５９】
上記再溶解工程において、ジアミン系化合物（１）を再度溶解するには、上記析出工程で析出されたジアミン系化合物（１）の結晶と、良溶媒とを配合して、必要に応じて、加熱する。良溶媒の配合割合や加熱温度は、上記溶解工程と同様に、設定すればよい。加熱時には、溶液を撹拌してもよい。
上記再析出工程において、ジアミン系化合物（１）の結晶を再度析出させるには、上記再溶解工程で得られた溶液に、貧溶媒を添加して、必要に応じて（例えば、上記再溶解工程において、加熱した場合には）、その溶液を冷却する。
【００６０】
上記ジアミン系化合物（１）について、貧溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール系溶媒、例えば、ヘキサンなどの長鎖脂肪族系溶媒などが挙げられる。
貧溶媒の配合割合は、ジアミン系化合物（１）１００重量部に対して、好ましくは、５０〜１０００重量部、さらに好ましくは、１００〜５００重量部である。
【００６１】
冷却温度は、ジアミン系化合物（１）の種類や、ジアミン系化合物（１）の良溶媒および貧溶媒に対する溶解度、および、上記両溶媒間の溶解度の差などに応じて、適宜設定すればよい。冷却時または冷却後には、溶液を撹拌してもよい。冷却後に溶液を撹拌する場合には、撹拌時間は特に制限されず、例えば、１〜１００時間である。
上記再溶解工程において、ジアミン系化合物（２）を再度溶解するには、上記析出工程で得られたジアミン系化合物（２）の結晶と、良溶媒とを配合して、必要に応じて、加熱する。良溶媒の配合割合や加熱温度は、上記溶解工程と同様に、設定すればよい。また加熱時には、溶液を撹拌してもよい。
【００６２】
また、上記再析出工程において、ジアミン系化合物（２）の結晶を再度析出させるには、上記再溶解工程で得られた溶液に、貧溶媒を添加して、必要に応じて（例えば、上記再溶解工程において、加熱した場合には）、その溶液を冷却する。
上記ジアミン系化合物（２）について、貧溶媒としては、ジアミン系化合物（１）についての貧溶媒と同様のものが挙げられる。これら貧溶媒は、単独で、または、２種以上を混合して使用することができる。なかでも好ましくは、メタノールなどが挙げられる。
【００６３】
貧溶媒の配合割合は、ジアミン系化合物（２）１００重量部に対して、好ましくは、５０〜１０００重量部、さらに好ましくは、１００〜５００重量部である。
冷却温度は、ジアミン系化合物（２）の種類や、ジアミン系化合物（２）の良溶媒および貧溶媒に対する溶解度、および、上記両溶媒間の溶解度の差などに応じて、適宜設定すればよい。冷却時または冷却後には、溶液を撹拌してもよい。冷却後に溶液を撹拌する場合には、撹拌時間は特に制限されず、例えば、１〜１００時間である。
【００６４】
上記再析出工程で得られたジアミン系化合物（１）または（２）の結晶は、良溶媒および貧溶媒から、濾別した後、減圧乾燥または真空乾燥される。これにより、ジアミン系化合物（１）または（２）に含まれていた不純物が良溶媒および貧溶媒中へと移行されて、ジアミン系化合物（１）または（２）をより高度に精製することができる。
上記再溶解工程と再析出工程とを経て得られたジアミン系化合物（１）または（２）は、その電荷輸送能がより一層向上している。それゆえ、これらジアミン系化合物（１）または（２）を電子写真感光体の感光層に含有させたときは、電子写真感光体の電気特性をより一層優れたものとすることができる。
【００６５】
上記精製方法により精製されたジアミン系化合物（１）および（２）は、いずれも電子写真感光体の電荷輸送剤、より詳しくは、正孔輸送剤として好適である。
電子写真感光体は、特に限定されるものではなく、例えば、導電性基体上に、電荷発生剤、電荷輸送剤およびバインダ樹脂を含む感光層を備える、公知の種々の電子写真感光体が挙げられる。
【００６６】
上記電子写真感光体に用いられる電荷輸送剤としては、上記の精製方法により精製されたジアミン系化合物（１）およびジアミン系化合物（２）のいずれかが用いられる。また、上記ジアミン系化合物（１）および（２）以外の正孔輸送剤を併用してもよい。さらに、電荷輸送剤として、電子輸送剤を併用してもよく、この電子輸送剤は、電荷移動錯体の形成が防止される限りにおいて、ジアミン系化合物（１）および／または（２）と同一の感光層中に併存させてもよい。
【００６７】
上記電子写真感光体に用いられる導電性基体、電荷発生剤、電荷輸送剤（正孔輸送剤、電子輸送剤）、バインダ樹脂などは、特に限定されるものではなく、従来公知の種々の材料の中から適宜選択して用いることができる。
上記電子写真感光体の感光層は、電荷発生剤、電荷輸送剤およびバインダ樹脂を単一の感光層中に含有する、いわゆる単層型感光層や、電荷発生剤およびバインダ樹脂を含む電荷発生層と、電荷輸送剤およびバインダ樹脂を含む電荷輸送層とを積層してなる、いわゆる積層型感光層のいずれであってもよい。
【実施例】
【００６８】
（ジアミン系化合物の合成）
合成例１
Ｎ，Ｎ’−ジメシチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン２０ｇに、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）３００ｇおよび塩化ホスホリル３０ｇを添加して、これを１２０℃に加熱し、フィルスマイヤー−ハーク反応によって、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ホルミルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジメシチルベンジジン１７ｇを得た。
【００６９】
次いで、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ホルミルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジメシチルベンジジン１７ｇと、ベンジルホスホン酸ジエチルエステル１５ｇとを、乾燥テトラヒドラフラン（ＴＨＦ）中、ナトリウムメトキシドの存在下で反応させることにより、上記式（ＨＴＭ−１）で表されるジアミン系化合物（表１のＮｏ．１に相当）の粗生成物を得た（理論収量１９ｇ）。
【００７０】
なお、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）の粗生成物は、その良溶媒であるＴＨＦの溶液として、後述する精製処理（比較例１）に供した。
合成例２
Ｎ，Ｎ’−ジメシチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジンに代えて、Ｎ，Ｎ’−ビス（ｐ−クメニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン２０ｇを用いたこと以外は、合成例１と同様にして反応させることにより、Ｎ，Ｎ’−ビス（ｐ−クメニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ホルミルフェニル）ベンジジン１７ｇを得た。
【００７１】
次いで、Ｎ，Ｎ’−ビス（ｐ−クメニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ホルミルフェニル）ベンジジン１７ｇと、ベンズヒドリルホスホン酸ジエチルエステル１５ｇとを、乾燥ＴＨＦ中、ナトリウムメトキシドの存在下で反応させることにより、上記式（ＨＴＭ−２）で表されるジアミン系化合物（表１のＮｏ．２に相当）の粗生成物を得た（理論収量１９ｇ）。
【００７２】
なお、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−２）の粗生成物は、その良溶媒であるＴＨＦの溶液として、後述する精製処理（比較例２）に供した。
合成例３
Ｎ，Ｎ’−ジメシチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジンに代えて、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（２，４−キシリル）−３，３’−ジメチルベンジジン２０ｇを用いたこと以外は、合成例１と同様にして反応させることにより、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ホルミルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（２，４−キシリル）−３，３’−ジメチルベンジジン１７ｇを得た。
【００７３】
次いで、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ホルミルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（２，４−キシリル）−３，３’−ジメチルベンジジン１７ｇと、シンナミルホスホン酸ジエチルエステル１５ｇとを、乾燥ＴＨＦ中、ナトリウムメトキシドの存在下で反応させることにより、上記式（ＨＴＭ−３）で表されるジアミン系化合物（表１のＮｏ．３に相当）の粗生成物を得た（理論収量１９ｇ）。
【００７４】
なお、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−３）の粗生成物は、その良溶媒であるＴＨＦの溶液として、後述する精製処理（比較例３）に供した。
合成例４
Ｎ，Ｎ’−ジメシチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジンに代えて、Ｎ，Ｎ’−ジメシチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−３，３’−ジメチルベンジジン２０ｇを用いたこと以外は、合成例１と同様にして反応させることにより、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ホルミルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジメシチル−３，３’−ジメチルベンジジン１８．５ｇを得た。
【００７５】
次いで、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ホルミルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジメシチル−３，３’−ジメチルベンジジン１８．５ｇと、ｐ−トリルメチルホスホン酸ジエチルエステル１６．４ｇとを、乾燥ＴＨＦ中、ナトリウムメトキシドの存在下で反応させることにより、上記式（ＨＴＭ−４）で表されるジアミン系化合物（表１のＮｏ．４に相当）の粗生成物を得た（理論収量２０ｇ）。
【００７６】
なお、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−４）の粗生成物は、その良溶媒であるＴＨＦの溶液として、後述する精製処理（比較例４）に供した。
合成例５
Ｎ−（２−エチル−６−メチルフェニル）ジフェニルアミン２０ｇに、ＤＭＦ１５０ｇおよび塩化ホスホリル１８ｇを添加して、これを１２０℃に加熱し、フィルスマイヤー−ハーク反応によって、Ｎ−（２−エチル−６−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−４−アミノベンズアルデヒド１８．７ｇを得た。
【００７７】
次いで、Ｎ−（２−エチル−６−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−４−アミノベンズアルデヒド１８．７ｇと、上記式（１２）で表されるアリーレンジホスホン酸ジエチルエステル１１ｇとを、乾燥ＴＨＦ中、ナトリウムメトキシドの存在下で反応させることにより、上記式（ＨＴＭ−５）で表されるジアミン系化合物（表２のＮｏ．５に相当）の粗生成物を得た（理論収量２０ｇ）。
【００７８】
なお、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）の粗生成物は、その良溶媒であるＴＨＦの溶液として、後述する精製処理（比較例５）に供した。
合成例６
Ｎ−（２−エチル−６−メチルフェニル）−Ｎ−（ｐ−（β−フェニルスチリル）フェニル）アニリン２０ｇに、ＤＭＦ１５０ｇおよび塩化ホスホリル１２ｇを添加して、これを１２０℃に加熱し、フィルスマイヤー−ハーク反応によって、Ｎ−（２−エチル−６−メチルフェニル）−Ｎ−（ｐ−（β−フェニルスチリル）フェニル）−４−アミノベンズアルデヒド１８ｇを得た。
【００７９】
次いで、Ｎ−（２−エチル−６−メチルフェニル）−Ｎ−（ｐ−（β−フェニルスチリル）フェニル）−４−アミノベンズアルデヒド１８ｇと、アリーレンジホスホン酸ジエチルエステル（１２）７．５ｇとを、乾燥ＴＨＦ中、ナトリウムメトキシドの存在下で反応させることにより、上記式（ＨＴＭ−６）で表されるジアミン系化合物（表２のＮｏ．６に相当）の粗生成物を得た（理論収量１６．４ｇ）。
【００８０】
なお、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−６）の粗生成物は、その良溶媒であるＴＨＦの溶液として、後述する精製処理（比較例６）に供した。
合成例７
合成例６で得られたＮ−（２−エチル−６−メチルフェニル）−Ｎ−（ｐ−（β−フェニルスチリル）フェニル）−４−アミノベンズアルデヒド１８ｇと、上記式（１２）で表されるアリーレンジホスホン酸ジエチルエステル７．５ｇとを、乾燥ＴＨＦ中、ナトリウムメトキシドの存在下で反応させることにより、上記式（ＨＴＭ−７）で表されるジアミン系化合物（表２のＮｏ．７に相当）の粗生成物を得た（理論収量１３．５ｇ）。
【００８１】
なお、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−７）の粗生成物は、その良溶媒であるＴＨＦの溶液として、後述する精製処理（比較例７）に供した。
（ジアミン系化合物の精製）
比較例１
合成例１により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）のＴＨＦ溶液（ＨＴＭ−１の理論収量１９ｇ）に対して、シリカと白土とを、それぞれ、ＨＴＭ−１の理論収量に対して０．１当量配合した。次いで、上記ＴＨＦ溶液を濾別して得られるろ液に対して、上記ろ液の２倍量のメタノール（貧溶媒）を加えることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）を析出させた（第１回目の析出）。
【００８２】
さらに、得られた析出物（結晶）を用いて、晶析（トルエン／メタノール）を２回施し（第２および第３回目の析出）、濾過、真空乾燥することにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）の結晶１７．８ｇを得た。
比較例２
合成例１により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）のＴＨＦ溶液に代えて、合成例２により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−２）のＴＨＦ溶液（ＨＴＭ−２の理論収量１９ｇ）を用いたこと以外は、比較例１と同様にして、第１〜第３回目の析出操作をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−２）の結晶１７．５ｇを得た。
【００８３】
比較例３
合成例１により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）のＴＨＦ溶液に代えて、合成例３により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−３）のＴＨＦ溶液（ＨＴＭ−３の理論収量１９ｇ）を用いたこと以外は、比較例１と同様にして、第１〜第３回目の析出操作をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−３）の結晶１７．２ｇを得た。
【００８４】
比較例４
合成例１により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）のＴＨＦ溶液に代えて、合成例４により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−４）のＴＨＦ溶液（ＨＴＭ−４の理論収量２０ｇ）を用いたこと以外は、比較例１と同様にして、第１〜第３回目の析出操作をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−４）の結晶１６．８ｇを得た。
【００８５】
比較例５
合成例１により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）のＴＨＦ溶液に代えて、合成例５により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）のＴＨＦ溶液（ＨＴＭ−５の理論収量２０ｇ）を用いたこと以外は、比較例１と同様に処理して、第１〜第３回目の析出操作をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）の結晶１７．５ｇを得た。
【００８６】
比較例６
合成例１により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）のＴＨＦ溶液に代えて、合成例６により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−６）のＴＨＦ溶液（ＨＴＭ−６の理論収量１６．４ｇ）を用いたこと以外は、比較例１と同様に処理して、第１〜第３回目の析出操作をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−６）の結晶１４．８ｇを得た。
【００８７】
比較例７
合成例１により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）のＴＨＦ溶液に代えて、合成例７により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−７）のＴＨＦ溶液（ＨＴＭ−７の理論収量１３．５ｇ）を用いたこと以外は、比較例１と同様に処理して、第１〜第３回目の析出操作をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−７）の結晶１０．３ｇを得た。
【００８８】
実施例１
比較例１における第１回目の析出により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）１０ｇを、トルエン（良溶媒）２５ｇ中に添加して、６０℃に加熱して、３０分間撹拌することにより、溶解させた（溶解工程）。次いで、得られたトルエン溶液を撹拌しながら、室温まで冷却して、さらに、１２時間撹拌することにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）の結晶を析出させた。その後、析出した結晶を濾別して、真空乾燥することにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）の精製物８．４ｇを得た。
【００８９】
実施例２
ジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、比較例２における第１回目の析出により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−２）１０ｇを用いたこと以外は、実施例１と同様の処理をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−２）の精製物８．０ｇを得た。
実施例３
ジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、比較例３における第１回目の析出により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−３）１０ｇを用いたこと以外は、実施例１と同様の処理をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−３）の精製物８．５ｇを得た。
【００９０】
実施例４
ジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、比較例４における第１回目の析出により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−４）１０ｇを用いたこと以外は、実施例１と同様の処理をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−４）の精製物８．０ｇを得た。
実施例５
比較例１における第１回目の析出により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）１０ｇを、エチレングリコールモノエチルエーテル（良溶媒）４０ｇ中に添加して、６０℃に加熱して、３０分間撹拌することにより、溶解させた（溶解工程）。次いで、得られたエチレングリコールモノエチルエーテル溶液を撹拌しながら、室温まで冷却して、さらに、１２時間撹拌することにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）の結晶を析出させた（析出工程）。
【００９１】
その後、析出した結晶を濾別して、クロロホルム（良溶媒）１０ｇに溶解させた（再溶解工程）。次いで、得られたクロロホルム溶液に、メタノール（良溶媒）３０ｇを添加することにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）の結晶を析出させた（再析出工程）。こうして得られた結晶を濾別し、真空乾燥することにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）の精製物７．８ｇを得た。
【００９２】
実施例６
ジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、比較例２における第１回目の析出により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−２）１０ｇを用いたこと以外は、実施例５と同様の処理をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−２）の精製物７．８ｇを得た。
実施例７
ジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、比較例３における第１回目の析出により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−３）１０ｇを用いたこと以外は、実施例５と同様の処理をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−３）の精製物７．５ｇを得た。
【００９３】
実施例８
ジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、比較例４における第１回目の析出により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−４）１０ｇを用いたこと以外は、実施例５と同様の処理をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−４）の精製物７．８ｇを得た。
実施例９
比較例５における１回目の析出により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）１０ｇを、トルエン（良溶媒）２５ｇ中に添加して、６０℃に加熱して、３０分間撹拌することにより、溶解させた（溶解工程）。次いで、得られたトルエン溶液を撹拌しながら、室温まで冷却して、さらに、１２時間撹拌することにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）の結晶を析出させた（析出工程）。その後、析出した結晶を濾別して、真空乾燥することにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）の精製物８．４ｇを得た。
【００９４】
実施例１０
ジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）に代えて、比較例６における第１回目の析出により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−６）１０ｇを用いたこと以外は、実施例９と同様の処理をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−６）の精製物８．０ｇを得た。
実施例１１
ジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）に代えて、比較例７における第１回目の析出により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−７）１０ｇを用いたこと以外は、実施例９と同様の処理をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−７）の精製物８．４ｇを得た。
【００９５】
実施例１２
比較例５における第１回目の析出により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）１０ｇを、エチレングリコールモノエチルエーテル（良溶媒）４０ｇ中に添加して、６０℃に加熱して、３０分間撹拌することにより、溶解させた（溶解工程）。次いで、得られたエチレングリコールモノエチルエーテル溶液を撹拌しながら、室温まで冷却して、さらに、１２時間撹拌することにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）の結晶を析出させた（析出工程）。
【００９６】
その後、析出した結晶を濾別して、クロロホルム（良溶媒）１０ｇに溶解させた（再溶解工程）。次いで、得られたクロロホルム溶液に、メタノール（貧溶媒）３０ｇを添加することにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）の結晶を析出させた（再析出工程）。こうして得られた結晶を濾別し、真空乾燥することにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）の精製物８．４ｇを得た。
【００９７】
実施例１３
ジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）に代えて、比較例６における第１回目の析出により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−６）１０ｇを用いたこと以外は、実施例１２と同様の処理をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−６）の精製物８．３ｇを得た。
実施例１４
ジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）に代えて、比較例７における第１回目の析出により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−７）１０ｇを用いたこと以外は、実施例１２と同様の処理をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−７）の精製物７．９ｇを得た。
【００９８】
実施例１５
トルエン２５ｇに代えて、キシレン（良溶媒）２５ｇを用いたこと以外は、実施例１と同様の処理をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）の精製物８．２ｇを得た。
実施例１６
トルエン２５ｇに代えて、２−ブタノン（良溶媒）２５ｇを用いたこと以外は、実施例１と同様の処理をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）の精製物８．４ｇを得た。
【００９９】
実施例１７
溶解工程でエチレングリコールモノエチルエーテル４０ｇに代えて、トルエン（良溶媒）４０ｇを用い、再溶解工程でクロロホルム１０ｇに代えて、トルエン１０ｇを用いたこと以外は、実施例５と同様の処理をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）の精製物８．０ｇを得た。
【０１００】
実施例１８
溶解工程でエチレングリコールモノエチルエーテル４０ｇに代えて、２−ブタノン（良溶媒）４０ｇを用い、再溶解工程でクロロホルム１０ｇに代えて、トルエン１０ｇを用いたこと以外は、実施例５と同様の処理をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）の精製物８．０ｇを得た。
【０１０１】
実施例１９
溶解工程でエチレングリコールモノエチルエーテル４０ｇに代えて、クロロベンゼン（良溶媒）４０ｇを用いたこと以外は、実施例５と同様の処理をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）の精製物８．４ｇを得た。
実施例２０
トルエン２５ｇに代えて、酢酸エチル（良溶媒）２５ｇを用いたこと以外は、実施例１と同様の処理をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）の精製物８．３ｇを得た。
【０１０２】
実施例２１
トルエン２５ｇに代えて、キシレン（良溶媒）２５ｇ用いたこと以外は、実施例９と同様の処理をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）の精製物８．４ｇを得た。 実施例２２
トルエン２５ｇに代えて、２−ブタノン（良溶媒）２５ｇを用いたこと以外は、実施例９と同様の処理をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）の精製物８．０ｇを得た。
【０１０３】
実施例２３
溶解工程でエチレングリコールモノエチルエーテル４０ｇに代えて、トルエン（良溶媒）４０ｇ用い、再溶解工程でクロロホルム１０ｇに代えて、トルエン１０ｇを用いたこと以外は、実施例１２と同様の処理をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）の精製物８．０ｇを得た。
【０１０４】
実施例２４
溶解工程でエチレングリコールモノエチルエーテル４０ｇに代えて、２−ブタノン（良溶媒）４０ｇを用い、再溶解工程でクロロホルム１０ｇに代えて、トルエン（良溶媒）１０ｇを用いたこと以外は、実施例１２と同様の処理をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）の精製物８．０ｇを得た。
【０１０５】
実施例２５
溶解工程でエチレングリコールモノエチルエーテル４０ｇに代えて、クロロベンゼン（良溶媒）４０ｇ用いたこと以外は、実施例１２と同様にして、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）の精製物８．４ｇを得た。
実施例２６
トルエン２５ｇに代えて、酢酸エチル（良溶媒）２５ｇ用いたこと以外は、実施例９と同様の処理をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）の精製物８．０ｇを得た。
【０１０６】
（単層型電子写真感光体の作製）
製造例１
電荷発生剤として、下記式（ＣＧＭ１）で表されるＸ型無金属フタロシアニン５重量部と、正孔輸送剤として、実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）６０重量部と、電子輸送剤として、下記一般式（ＥＴＭ−１）で表されるジフェノキノン誘導体４０重量部と、バインダ樹脂として、ポリカーボネート１００重量部とを、ＴＨＦ８００重量部に、ボールミルにより、５０時間分散させて、感光層形成用塗布液を調製した。次いで、この感光層形成用塗布液を、導電性基体として、アルミニウム素管上にディップコート法により塗布し、次いで、１００℃で３０分間熱風乾燥して、膜厚２５μｍの感光層を備えた単層型電子写真感光体を作製した。
【０１０７】
【化２３】
【０１０８】
【化２４】
製造例２
ジフェノキノン誘導体（ＥＴＭ−１）に代えて、下記式（ＥＴＭ−２）で表されるジフェノキノン誘導体を用いたこと以外は、製造例１と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
【０１０９】
【化２５】
製造例３
ジフェノキノン誘導体（ＥＴＭ−１）に代えて、下記式（ＥＴＭ−３）で表されるスチルベンキノン誘導体を用いたこと以外は、製造例１と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
【０１１０】
【化２６】
製造例４〜６
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例２で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−２）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
【０１１１】
製造例７〜９
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例３で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−３）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
製造例１０〜１２
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例４で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−４）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
【０１１２】
製造例１３〜１５
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例５で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
製造例１６〜１８
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例６で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−２）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
【０１１３】
製造例１９〜２１
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例７で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−３）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
製造例２２〜２４
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例８で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−４）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
【０１１４】
製造例２５〜２７
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例９で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
製造例２８〜３０
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例１０で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−６）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
【０１１５】
製造例３１〜３３
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例１１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−７）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
製造例３４〜３６
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例１２で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
【０１１６】
製造例３７〜３９
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例１３で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−６）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
製造例４０〜４２
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例１４で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−７）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
【０１１７】
製造例４３〜４５
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例１５で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
製造例４６〜４８
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例１６で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
【０１１８】
製造例４９〜５１
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例１７で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
製造例５２〜５４
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例１８で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
【０１１９】
製造例５５〜５７
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例１９で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
製造例５８〜６０
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例２０で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
【０１２０】
製造例６１〜６３
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例２１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
製造例６４〜６６
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例２２で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）を用いたこと以外は、造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
【０１２１】
製造例６７〜６９
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例２３で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
製造例７０〜７２
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例２４で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
【０１２２】
製造例７３〜７５
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例２５で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
製造例７６〜７８
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例２６で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
【０１２３】
比較製造例１〜３
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、比較例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
比較製造例４〜６
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、比較例２で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−２）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
【０１２４】
比較製造例７〜９
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、比較例３で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−３）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
比較製造例１０〜１２
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、比較例４で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−４）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
【０１２５】
比較製造例１６〜１８
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、比較例５で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
比較製造例１９〜２１
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、比較例６で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−６）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
【０１２６】
比較製造例２２〜２４
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、比較例７で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−７）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
（電気特性試験）
ＧＥＮＴＥＣ社製のドラム感度試験機を用いて、作製した単層型電子写真感光体の表面電位を＋７００（Ｖ）に帯電させ、これを初期電位（Ｖ0（Ｖ））として測定した。次いで、ハロゲンランプの白色光からバンドパスフィルターを用いて取り出した波長７８０ｎｍの単色光（半値幅２０ｎｍ、光強度１．５μＪ／ｍ2）を単層型電子写真感光体の表面に露光（露光時間１．５秒）して、単層型電子写真感光体の表面電位が１／２（３５０（Ｖ））になるのに要した時間を測定し、半減露光量Ｅ1/2（秒）を算出した。
【０１２７】
また、露光開始から０．５秒経過した時点における、単層型電子写真感光体の表面電位を残留電位Ｖr（Ｖ）として測定した。その結果を、表３〜表６に示す。
【０１２８】
【表３】
【０１２９】
【表４】
【０１３０】
【表５】
【０１３１】
【表６】
表３〜６に示した結果より明らかなように、電荷輸送剤として、溶解工程および析出工程を得た実施例１〜２６のジアミン系化合物を用いた製造例１〜７８によれば、単に再沈殿法により精製した比較例１〜７のジアミン系化合物を用いた比較製造例１〜２１に比べて、感度が高いことが分かる。
【０１３２】
また、再溶解工程および再析出工程を経た実施例５〜８、１２〜１４および１７〜１９のジアミン系化合物を用いた製造例１３〜１５、３４〜４２および４９〜５７によれば、単に再沈殿法により精製した比較例１〜７のジアミン系化合物を用いた比較製造例１〜２１に比べて、さらに感度が高いことが分かる。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ジアミン系化合物の精製方法に関し、詳しくは、電子写真感光体の電荷輸送剤に用いられるジアミン系化合物の精製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、静電式複写機、ファクシミリ、レーザビームプリンタなどの画像形成装置には、その画像形成装置に用いられる露光光源の波長領域に感度を有する電子写真感光体が使用されている。このような電子写真感光体は、一般に、電荷輸送剤を含有する感光層が導電性基体上に設けられている。
また、上記の電子写真感光体は、感度に優れていることが望まれており、電子写真感光体の感度の向上を図ることのできる電荷輸送剤として、特許文献１には、下記一般式（９１）で表されるジアミン誘導体が提案されている。
【０００３】
【化１】
（式（９１）中、Ｒ91、Ｒ92、Ｒ93およびＲ94の少なくとも２つは、下記式（９２）で表される基を示し、残りは、水素を示す。Ｒ95およびＲ96は、独立して、水素、アルキル基などを示す。）
【０００４】
【化２】
（式（９２）中、Ｒ97は、水素原子、アルキル基などを示す。Ｒ98およびＲ99のいずれか一方は、アリール基を示し、他方は、水素原子、アリール基などを示す。）
さらに、近年、画像形成装置に要求される画質の高品質化により、電子写真感光体の感度を向上させるために、電荷輸送剤の電荷輸送能をより一層向上させることが求められている。
【０００５】
ところで、一般に、化合物の精製方法としては、化合物を良溶媒に溶解後、貧溶媒を加えて再沈殿させる方法（再沈殿法）が知られており、特許文献２には、下記一般式（９３）で表されるＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（２−ナフチル）−４，４’−ジアミノビフェニルを、再沈殿法により精製することが記載されている。
【０００６】
【化３】
【特許文献１】特開平７−３６２０３号公報
【特許文献２】特開２００５−１７９２５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、特許文献２に記載の再沈殿法によって、ジアミン誘導体（９１）を精製すると、得られたジアミン誘導体（９１）を電荷輸送剤として用いた電子写真感光体では、感度を高めることができないという不具合がある。
本発明の目的は、電荷輸送能をより一層向上させて、感度を高められたジアミン系化合物を得ることのできる、ジアミン系化合物の精製方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明のジアミン系化合物の精製方法は、下記一般式（１）または（２）で表されるジアミン系化合物と、前記ジアミン系化合物の良溶媒とを配合して、加熱することにより、前記ジアミン系化合物（１）または（２）を溶解させる溶解工程、および、前記溶解工程で得られた溶液を冷却して、前記ジアミン系化合物（１）または（２）の結晶を析出させる析出工程を含むことを特徴としている。
【０００９】
【化４】
（一般式（１）中、Ｒ1〜Ｒ12は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基または炭素数６〜２０のアリール基を示す。前記炭素数６〜２０のアリール基は、さらに、ハロゲン原子または炭素数１〜４のアルコキシ基を有していてもよい。Ｒ13〜Ｒ14は、それぞれ独立して、水素原子または下記式（Ａ）で表される基を示す。）
【００１０】
【化５】
（式（Ａ）中、ｍは０または１の整数を示す。Ｒ15、Ｒ16は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基を示す。但し、Ｒ15およびＲ16のいずれか一方は、水素原子以外の基を示す。）
【００１１】
【化６】
（一般式（２）中、Ｒ21〜Ｒ32は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基または炭素数６〜２０のアリール基を示す。前記炭素数６〜２０のアリール基は、さらに、ハロゲン原子または炭素数１〜４のアルコキシ基を有していてもよい。Ｒ33およびＲ34は、それぞれ独立して、水素原子または下記式（Ｂ）で表される基を示す。）
【００１２】
【化７】
（式（Ｂ）中、ｐは０または１の整数を示す。Ｒ35、Ｒ36は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基を示す。但し、Ｒ35およびＲ36のいずれか一方は、水素原子以外の基を示す。）
また、本発明のジアミン系化合物の精製方法は、好ましくは、さらに、前記析出工程で析出された前記ジアミン系化合物（１）または（２）の結晶と、前記ジアミン系化合物の良溶媒とを配合することにより、前記ジアミン系化合物（１）または（２）を再度溶解する再溶解工程、および、前記再溶解工程で得られた溶液に、前記ジアミン系化合物の貧溶媒を添加することにより、前記ジアミン系化合物の結晶を再度析出させる再析出工程を含むことを特徴としている。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のジアミン系化合物の精製方法によれば、上記一般式（１）および（２）で表されるジアミン系化合物について、従来の精製品よりも電荷輸送能を高めることができ、電子写真感光体の電気特性を向上させるのにより一層好適なものとすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明に係るジアミン系化合物の精製方法は、上記一般式（１）または（２）で表されるジアミン系化合物と、前記ジアミン系化合物の良溶媒とを配合して、加熱、溶解させる溶解工程、および、上記溶解工程で得られた溶液を冷却して、結晶を析出させる析出工程とを含んでいる。
一般式（１）で表されるジアミン系化合物のうち、Ｒ1〜Ｒ12は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、または、炭素数６〜２０のアリール基を示す。
【００１５】
ハロゲン原子としては、例えば、フルオロ、クロロ、ブロモまたはヨードなどが挙げられ、好ましくは、クロロが挙げられる。
炭素数１〜２０のアルキル基としては、直鎖状および分岐鎖状のいずれであってもよく、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ネオペンチル、イソペンチル、ｎ−ヘキシル、へプチル、オクチル、２−エチルへキシル、イソオクチル、ｎ−ノニル、イソノニル、ｎ−デシル、イソデシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル、デカデシルなどが挙げられる。アルキル基の炭素数は、好ましくは、１〜６、より好ましくは、１〜４、最も好ましくは、１または２である。
【００１６】
炭素数１〜２０のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｎ−ブトキシ、ｎ−ヘキシルオキシ、２−メチルペンチルオキシ、ｎ−オクチルオキシ、ｎ−デシルなどが挙げられる。
炭素数６〜２０のアリール基としては、例えば、フェニル、ナフチル、ビフェニル、ｏ、ｍ、ｐ−トリル、２，３−、２，４−、２，５−、３，４−キシリル、メシチル、ｏ、ｍ、ｐ−クメニル、２−エチル−６−メチルフェニルなどが挙げられる。上記アリール基の炭素数は、好ましくは、６〜１２、より好ましくは、６〜８であり、具体的には、フェニル、ｐ−トリルなどが挙げられる。
【００１７】
上記炭素数６〜２０のアリール基は、さらに、ハロゲン、または、炭素数１〜４のアルコキシ基を有していてもよい。炭素数６〜２０のアリール基に置換するハロゲンとしては、上記例示したのと同様のものが挙げられる。また、炭素数６〜２０のアリール基に置換する、炭素数１〜４のアルコキシ基としては、上記例示の炭素数１〜２０のアルコキシ基のうち、炭素数が１〜４であるものが挙げられる。
【００１８】
Ｒ3〜Ｒ8については、例えば、Ｒ3〜Ｒ5のいずれか１つおよびＲ6〜Ｒ8のいずれか１つは、水素原子およびハロゲン原子以外の基であり、かつ、Ｎ−置換フェニルの４位（パラ位）に置換していることが好ましく、Ｒ3〜Ｒ5のいずれか２つおよびＲ6〜Ｒ8のいずれか２つは、Ｎ−置換フェニルの２位および６位（オルト位）に置換していることが好ましい。
【００１９】
一般式（１）で表されるジアミン系化合物のうち、Ｒ13およびＲ14は、それぞれ独立して、水素原子または上記式（Ａ）で表される基を示す。
式（Ａ）で表される基のうち、Ｒ15およびＲ16は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基を示す。但し、Ｒ15およびＲ16のいずれか一方は、水素原子以外の基（すなわち、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基）を示す。
【００２０】
炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基としては、上記したのと同様のものが挙げられる。なかでも、好ましくは、炭素数６〜２０のアリール基が挙げられ、より好ましくは、フェニル、ｐ−トリルが挙げられる。
なお、Ｒ13およびＲ14が、ともに上記式（Ａ）で表される基である場合において、Ｒ13とＲ14は同一の基であってもよく、また、Ｒ15、Ｒ16に相当する基やｍの数が互いに異なっていてもよい。
【００２１】
式（Ａ）中、ｍは、ビニレン基の繰り返し数を示し、０または１の整数である。
一般式（１）中のＲ1〜Ｒ14およびｍの具体例としては、特に限定されないが、例えば、表１に示すものが挙げられる。
【００２２】
【表１】
表１中、「Ｍｅ」はメチル、「ｉＰｒ」はイソプロピル、「Ｐｈ」はフェニル、「ＣＨ3Ｃ6Ｈ5」はトリルを示す。「２−」、「４−」、「６−」および「ｐ−」は、それぞれ、ベンゼン環上での置換位置を示す。なお、「２，４，６−ｔｒｉＭｅ」は、２、４および６位の３箇所に、それぞれメチルが置換していることを示し、「２，４−ｄｉＭｅ」は、２および４位の２箇所に、それぞれメチルが置換していることを示す。また、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ9，Ｒ10、Ｒ11，Ｒ12、Ｒ14およびＲ16欄の「−」は、該当する基を有するＮ置換フェニルが、水素以外の基を有していないことを示す。ベンゼン環上での置換位置は、下記式に示すとおりである。
【００２３】
【化８】
上記一般式（１）で表されるジアミン系化合物は、例えば、特許文献１（特開平７−３６２０３号公報）に記載の方法に準じて合成することができる。また、特に、Ｒ13および／またはＲ14が上記式（Ａ）で表される基である場合には、下記合成法１または合成法２により合成することができる。
【００２４】
合成法１
下記式（３）で表されるジアミン誘導体に、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）および塩化ホスホリルを過剰量添加して、これを加熱し、いわゆるフィルスマイヤー−ハーク（Ｖｉｌｓｍｅｉｅｒ−Ｈａａｃｋ）反応によって、下記式（４）で表されるジホルミルジアミン誘導体を得る。
【００２５】
なお、ホルミル基を、４つのＮ−置換フェニルのうち、特定の２つのＮ−置換フェニル（Ｒ1やＲ2を有するＮ−置換フェニル）にのみ導入するためには、Ｒ3〜Ｒ5またはＲ6〜Ｒ8を有するＮ−置換フェニルが、水素原子およびハロゲン原子以外の基（すなわち、炭素数１〜２０のアルキル基など。）を、４位（パラ位）に、または、２位および６位（オルト位）に有していることが好ましい。
【００２６】
【化９】
（式中、Ｒ1〜Ｒ12は、前記と同じである。）
次いで、ジホルミルジアミン誘導体（４）と、アラルキルホスホン酸ジアルキルエステル（５）とを、例えば、乾燥テトラヒドラフラン（ＴＨＦ）中、ナトリウムメトキシド存在下で反応させることにより、一般式（１’）で表されるジアミン系化合物を得る。
【００２７】
【化１０】
合成法２
一般式（８）で表される４，４’−ジブロモビフェニル系化合物と、一般式（９−１）および（９−２）で表されるフェニルアミン誘導体とを、例えば、キシレン中、パラジウム触媒の存在下で、反応させることにより、一般式（１”）で表されるジアミン系化合物を得る。
【００２８】
【化１１】
上記式（１）で表されるジアミン系化合物の良溶媒（以下、単に「良溶媒」ということがある。）は、室温におけるジアミン系化合物（１）の溶解度が０．１重量％以上をいう。具体的には、例えば、トルエン、キシレン、テトラリンなどの芳香族系溶媒、例えば、シクロヘキサンなどの脂環式系溶媒、例えば、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジエチルエーテル、ジオキサン、エチレングリコールジエチルエーテルなどの酸素含有脂環式系溶媒、例えば、クロロホルム、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンなどのハロゲン含有脂肪族系溶媒、例えば、アセトン、２−ブタノン、酢酸エチル、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）などのカルボニル系溶媒などが挙げられる。これら良溶媒は、単独で、または、２種以上を混合して使用することができる。なかでも好ましくは、トルエン、キシレン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、クロロベンゼン、２−ブタノン、酢酸エチルなどが挙げられる。
【００２９】
なお、例えば、トルエンは、室温（２５℃）における、下記式（ＨＴＭ−１）で表されるジアミン系化合物の溶解度が０．３重量％であり、下記式（ＨＴＭ−２）で表されるジアミン系化合物の溶解度が０．３７重量％であり、下記式（ＨＴＭ−３）で表されるジアミン系化合物の溶解度が０．２７重量％であり、下記式（ＨＴＭ−４）で表されるジアミン系化合物の溶解度が０．３重量％である。
【００３０】
【化１２】
【００３１】
【化１３】
【００３２】
【化１４】
【００３３】
【化１５】
一般式（２）で表されるジアミン系化合物のうち、Ｒ21〜Ｒ32は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、または、炭素数６〜２０のアリール基を示す。
【００３４】
ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基および炭素数６〜２０のアリール基としては、上記したのと同様のものが挙げられる。なかでも、炭素数１〜２０アルキル基としては、好ましくは、メチル、エチルなどが挙げられる。
一般式（２）中、上記炭素数６〜２０のアリール基は、さらに、ハロゲン、または、炭素数１〜４のアルコキシ基を有していてもよい。炭素数６〜２０のアリール基に置換するハロゲンとしては、上記例示したのと同様のものが挙げられる。また、炭素数６〜２０のアリール基に置換する、炭素数１〜４のアルコキシ基としては、上記例示の炭素数１〜２０のアルコキシ基のうち、炭素数が１〜４であるものが挙げられる。
【００３５】
Ｒ23〜Ｒ28については、例えば、Ｒ23〜Ｒ25のいずれか１つおよびＲ26〜Ｒ28のいずれか１つは、水素原子およびハロゲン原子以外の基であり、かつ、Ｎ−置換フェニルの４位（パラ位）に置換していることが好ましく、または、Ｒ23〜Ｒ25のいずれか２つおよびＲ26〜Ｒ28のいずれか２つは、Ｎ−置換フェニルの２位および６位（オルト位）に置換していることが好ましい。
【００３６】
一般式（２）で表されるジアミン系化合物のうち、Ｒ33およびＲ34は、それぞれ独立して、水素原子または上記式（Ｂ）で表される基を示す。
式（Ｂ）で表される基のうち、Ｒ35およびＲ36は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基を示す。但し、Ｒ35およびＲ36のいずれか一方は、水素原子以外の基（すなわち、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基）を示す。
【００３７】
炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基としては、上記したのと同様のものが挙げられる。なかでも、好ましくは、炭素数６〜２０のアリール基が挙げられ、より好ましくは、フェニル、ｐ−トリルが挙げられる。
なお、Ｒ33およびＲ34が、ともに上記式（Ｂ）で表される基である場合において、Ｒ33とＲ34は同一の基であってもよく、また、Ｒ35、Ｒ36に相当する基やｐの数が互いに異なっていてもよい。
【００３８】
式（Ｂ）中、ｐは、ビニレン基の繰り返し数を示し、０または１の整数、好ましくは、０である。
一般式（２）中のＲ21〜Ｒ36およびｐの具体例としては、特に限定されないが、例えば、表２に示すものが挙げられる。
【００３９】
【表２】
表２中、「Ｅｔ」はエチルを示し、他の符号は、表１と同様である。なお、「２−Ｍｅ−６−Ｅｔ」は、２位にメチルが、６位にエチルが置換していることを示す。また、ｑ欄中、「１，３−」および「１，４−」は、ジアミン系化合物（２）の２個のビニレンが置換するジアミン系化合物の中心ベンゼン環上での、ビニレン基が置換する位置を示す。ベンゼン環上での置換位置は、下記式に示すとおりである。
【００４０】
【化１６】
上記一般式（２）で表されるジアミン系化合物は、例えば、特許文献１（特開平７−３６２０３号公報）に記載の方法に準じて合成することができる。また、特に、Ｒ33および／またはＲ34が上記式（Ｂ）で表される基である場合には、下記合成法３により合成することができる。
【００４１】
合成法３
下記式（１０−１）で表されるアミン誘導体に、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）および塩化ホスホリルを過剰量添加して、これを加熱することにより、いわゆるフィルスマイヤー−ハーク反応によって、下記式（１１−１）で表されるホルミルアミン誘導体を得る。
【００４２】
なお、ホルミル基を、３つのＮ−置換フェニルのうち、特定のＮ−置換フェニル（Ｒ29，Ｒ30を有するＮ−置換フェニル）にのみ導入するためには、他の２つのＮ−置換フェニル（Ｒ21やＲ23〜Ｒ25を有するＮ−置換フェニル）が、水素原子およびハロゲン原子以外の基（すなわち、炭素数１〜２０のアルキル基など。）を、４位（パラ位）に、または、２位および６位（オルト位）に有していることが好ましい。
【００４３】
また、下記式（１０−２）で表されるアミン誘導体についても、同様にして反応させることにより、下記式（１１−２）で表されるホルミルアミン誘導体を得る。
【００４４】
【化１７】
（式中、Ｒ21〜Ｒ32は、前記と同じである。）
次いで、ホルミルアミン誘導体（１１−１）および（１１−２）と、アリーレンジホスホン酸ジアルキルエステル（１２）とを、例えば、乾燥テトラヒドラフラン（ＴＨＦ）中、ナトリウムメトキシド存在下で反応させることにより、一般式（１３）で表されるジアミン系化合物を得る。
【００４５】
【化１８】
さらに、ジアミン系化合物（１３）に、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）および塩化ホスホリルを過剰量添加して、これを加熱することにより（フィルスマイヤー−ハーク反応）、下記式（１４）で表されるホルミル体を得、このホルミル体（１４）と、アラルキルホスホン酸ジアルキルエステル（１５）とを、例えば、乾燥テトラヒドラフラン（ＴＨＦ）中、ナトリウムメトキシド存在下で反応させることにより、一般式（２’）で表されるジアミン系化合物を得る。
【００４６】
【化１９】
上記一般式（２）で表されるジアミン系化合物の良溶媒（以下、単に「良溶媒」ということがある。）は、室温におけるジアミン系化合物（２）の溶解度が０．１重量％以上のものをいう。具体的には、ジアミン系化合物（１）についての良溶媒と同様のものが挙げられる。これら良溶媒は、単独で、または、２種以上を混合して使用することができる。なかでも好ましくは、トルエン、キシレン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、クロロベンゼン、２−ブタノン、酢酸エチルなどが挙げられる。
【００４７】
なお、例えば、トルエンでは、室温（２５℃）における、下記式（ＨＴＭ−５）で表されるジアミン系化合物の溶解度が０．２５重量％であり、下記式（ＨＴＭ−６）で表されるジアミン系化合物の溶解度が０．２２重量％であり、下記式（ＨＴＭ−７）で表されるジアミン系化合物の溶解度が０．２重量％である。
【００４８】
【化２０】
【００４９】
【化２１】
【００５０】
【化２２】
上記の精製方法の溶解工程において、ジアミン系化合物（１）を溶解させるには、ジアミン系化合物（１）と、ジアミン系化合物（１）の良溶媒とを配合して、加熱する。加熱時には、溶液を撹拌してもよい。
【００５１】
良溶媒の配合割合は、良溶媒の種類によって適宜設定されることから、特に限定されないが、ジアミン系化合物（１）１００重量部に対して、例えば、５０〜１０００重量部、好ましくは、５０〜７００重量部、さらに好ましくは、１００〜５００重量部である。
加熱温度は、ジアミン系化合物（１）やその良溶媒の種類に応じて、すなわち、ジアミン系化合物（１）についての良溶媒中の溶解度に応じて適宜設定すればよい。なお、例えば、良溶媒がトルエンまたはエチレングリコールモノエチルエーテルである場合は、６０℃程度まで加熱すればよい。
【００５２】
上記精製方法の析出工程において、ジアミン系化合物（１）の結晶を析出させるには、上記した溶解工程で得られた溶液を冷却する。
冷却温度は、上記したジアミン系化合物（１）や良溶媒の種類に応じて適宜設定すればよい。なお、例えば、良溶媒がトルエンまたはエチレングリコールモノエチルエーテルである場合は、室温まで冷却すればよい。上記冷却時または冷却後には、溶液を撹拌してもよい。冷却後に溶液を撹拌する場合には、撹拌時間は特に制限されず、例えば、１〜１００時間である。
【００５３】
上記析出工程で得られたジアミン系化合物（１）の結晶は、良溶媒から濾別した後、減圧乾燥または真空乾燥される。これにより、ジアミン系化合物（１）に含まれていた不純物が良溶媒中に移行されて、ジアミン系化合物（１）が精製される。
また、上記精製方法の溶解工程において、ジアミン系化合物（２）を溶解させるには、ジアミン系化合物（２）と、ジアミン系化合物（２）の良溶媒とを配合して、加熱する。加熱時には、溶液を撹拌してもよい。
【００５４】
良溶媒の配合割合は、良溶媒の種類によって適宜設定されることから、特に限定されないが、ジアミン系化合物（２）１００重量部に対して、例えば、５０〜１０００重量部、好ましくは、５０〜７００重量部、さらに好ましくは、１００〜５００重量部である。
加熱温度は、ジアミン系化合物（２）やその良溶媒の種類に応じて、すなわち、ジアミン系化合物（２）についての良溶媒中の溶解度に応じて適宜設定すればよい。なお、例えば、良溶媒がトルエンまたはエチレングリコールモノエチルエーテルである場合は、６０℃程度まで加熱すればよい。
【００５５】
上記精製方法の析出工程において、ジアミン系化合物（２）の結晶を析出させるには、上記した溶解工程で得られた溶液を冷却する。
冷却温度は、上記したジアミン系化合物（２）や良溶媒の種類に応じて、適宜設定すればよい。なお、例えば、良溶媒がトルエンまたはエチレングリコールモノエチルエーテルである場合は、室温まで冷却すればよい。上記冷却時または冷却後には、溶液を撹拌してもよい。冷却後に溶液を撹拌する場合には、撹拌時間は特に制限されず、例えば、１〜１００時間である。
【００５６】
上記析出工程で得られたジアミン系化合物（２）の結晶は、良溶媒から濾別した後、減圧乾燥または真空乾燥される。これにより、ジアミン系化合物に含まれていた不純物が良溶媒中へと移行されて、ジアミン系化合物（２）が精製される。
上記精製方法によれば、ジアミン系化合物（１）または（２）の貧溶媒（後述）を使用せず、良溶媒のみを使用して、ジアミン系化合物（１）または（２）の良溶媒の温度操作により、不純物を可及的に除去されたジアミン系化合物（１）または（２）を得ることができる。それゆえ、ジアミン系化合物（１）または（２）の電荷輸送能をより一層向上させることができる。
【００５７】
上記精製方法により精製されたジアミン系化合物（１）または（２）を、電子写真感光体の感光層に含有させたときは、感度が向上し、かつ、露光後の残留電位が低減された高品質の電子写真感光体を得ることができる。
以上の説明では、ジアミン系化合物の貧溶媒を使用せずに、良溶媒のみを使用して、ジアミン系化合物（１）または（２）を精製したが、溶解工程と析出工程との後、貧溶媒を使用した処理を得ることによっても、ジアミン系化合物（１）または（２）を精製することもできる。
【００５８】
すなわち、上記精製方法の溶解工程と析出工程との後、さらに、上記析出工程で得られたジアミン系化合物（１）または（２）の結晶と、良溶媒とを配合して、加熱することにより、ジアミン系化合物（１）または（２）を再度溶解させ（再溶解工程）、次いで、再溶解工程で得られた溶液に、ジアミン系化合物（１）または（２）の貧溶媒（以下、単に「貧溶媒」ということがある。）を添加して、その溶液を冷却することにより、ジアミン系化合物（１）または（２）の結晶が再度析出される（再析出工程）。
【００５９】
上記再溶解工程において、ジアミン系化合物（１）を再度溶解するには、上記析出工程で析出されたジアミン系化合物（１）の結晶と、良溶媒とを配合して、必要に応じて、加熱する。良溶媒の配合割合や加熱温度は、上記溶解工程と同様に、設定すればよい。加熱時には、溶液を撹拌してもよい。
上記再析出工程において、ジアミン系化合物（１）の結晶を再度析出させるには、上記再溶解工程で得られた溶液に、貧溶媒を添加して、必要に応じて（例えば、上記再溶解工程において、加熱した場合には）、その溶液を冷却する。
【００６０】
上記ジアミン系化合物（１）について、貧溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール系溶媒、例えば、ヘキサンなどの長鎖脂肪族系溶媒などが挙げられる。
貧溶媒の配合割合は、ジアミン系化合物（１）１００重量部に対して、好ましくは、５０〜１０００重量部、さらに好ましくは、１００〜５００重量部である。
【００６１】
冷却温度は、ジアミン系化合物（１）の種類や、ジアミン系化合物（１）の良溶媒および貧溶媒に対する溶解度、および、上記両溶媒間の溶解度の差などに応じて、適宜設定すればよい。冷却時または冷却後には、溶液を撹拌してもよい。冷却後に溶液を撹拌する場合には、撹拌時間は特に制限されず、例えば、１〜１００時間である。
上記再溶解工程において、ジアミン系化合物（２）を再度溶解するには、上記析出工程で得られたジアミン系化合物（２）の結晶と、良溶媒とを配合して、必要に応じて、加熱する。良溶媒の配合割合や加熱温度は、上記溶解工程と同様に、設定すればよい。また加熱時には、溶液を撹拌してもよい。
【００６２】
また、上記再析出工程において、ジアミン系化合物（２）の結晶を再度析出させるには、上記再溶解工程で得られた溶液に、貧溶媒を添加して、必要に応じて（例えば、上記再溶解工程において、加熱した場合には）、その溶液を冷却する。
上記ジアミン系化合物（２）について、貧溶媒としては、ジアミン系化合物（１）についての貧溶媒と同様のものが挙げられる。これら貧溶媒は、単独で、または、２種以上を混合して使用することができる。なかでも好ましくは、メタノールなどが挙げられる。
【００６３】
貧溶媒の配合割合は、ジアミン系化合物（２）１００重量部に対して、好ましくは、５０〜１０００重量部、さらに好ましくは、１００〜５００重量部である。
冷却温度は、ジアミン系化合物（２）の種類や、ジアミン系化合物（２）の良溶媒および貧溶媒に対する溶解度、および、上記両溶媒間の溶解度の差などに応じて、適宜設定すればよい。冷却時または冷却後には、溶液を撹拌してもよい。冷却後に溶液を撹拌する場合には、撹拌時間は特に制限されず、例えば、１〜１００時間である。
【００６４】
上記再析出工程で得られたジアミン系化合物（１）または（２）の結晶は、良溶媒および貧溶媒から、濾別した後、減圧乾燥または真空乾燥される。これにより、ジアミン系化合物（１）または（２）に含まれていた不純物が良溶媒および貧溶媒中へと移行されて、ジアミン系化合物（１）または（２）をより高度に精製することができる。
上記再溶解工程と再析出工程とを経て得られたジアミン系化合物（１）または（２）は、その電荷輸送能がより一層向上している。それゆえ、これらジアミン系化合物（１）または（２）を電子写真感光体の感光層に含有させたときは、電子写真感光体の電気特性をより一層優れたものとすることができる。
【００６５】
上記精製方法により精製されたジアミン系化合物（１）および（２）は、いずれも電子写真感光体の電荷輸送剤、より詳しくは、正孔輸送剤として好適である。
電子写真感光体は、特に限定されるものではなく、例えば、導電性基体上に、電荷発生剤、電荷輸送剤およびバインダ樹脂を含む感光層を備える、公知の種々の電子写真感光体が挙げられる。
【００６６】
上記電子写真感光体に用いられる電荷輸送剤としては、上記の精製方法により精製されたジアミン系化合物（１）およびジアミン系化合物（２）のいずれかが用いられる。また、上記ジアミン系化合物（１）および（２）以外の正孔輸送剤を併用してもよい。さらに、電荷輸送剤として、電子輸送剤を併用してもよく、この電子輸送剤は、電荷移動錯体の形成が防止される限りにおいて、ジアミン系化合物（１）および／または（２）と同一の感光層中に併存させてもよい。
【００６７】
上記電子写真感光体に用いられる導電性基体、電荷発生剤、電荷輸送剤（正孔輸送剤、電子輸送剤）、バインダ樹脂などは、特に限定されるものではなく、従来公知の種々の材料の中から適宜選択して用いることができる。
上記電子写真感光体の感光層は、電荷発生剤、電荷輸送剤およびバインダ樹脂を単一の感光層中に含有する、いわゆる単層型感光層や、電荷発生剤およびバインダ樹脂を含む電荷発生層と、電荷輸送剤およびバインダ樹脂を含む電荷輸送層とを積層してなる、いわゆる積層型感光層のいずれであってもよい。
【実施例】
【００６８】
（ジアミン系化合物の合成）
合成例１
Ｎ，Ｎ’−ジメシチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン２０ｇに、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）３００ｇおよび塩化ホスホリル３０ｇを添加して、これを１２０℃に加熱し、フィルスマイヤー−ハーク反応によって、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ホルミルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジメシチルベンジジン１７ｇを得た。
【００６９】
次いで、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ホルミルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジメシチルベンジジン１７ｇと、ベンジルホスホン酸ジエチルエステル１５ｇとを、乾燥テトラヒドラフラン（ＴＨＦ）中、ナトリウムメトキシドの存在下で反応させることにより、上記式（ＨＴＭ−１）で表されるジアミン系化合物（表１のＮｏ．１に相当）の粗生成物を得た（理論収量１９ｇ）。
【００７０】
なお、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）の粗生成物は、その良溶媒であるＴＨＦの溶液として、後述する精製処理（比較例１）に供した。
合成例２
Ｎ，Ｎ’−ジメシチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジンに代えて、Ｎ，Ｎ’−ビス（ｐ−クメニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン２０ｇを用いたこと以外は、合成例１と同様にして反応させることにより、Ｎ，Ｎ’−ビス（ｐ−クメニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ホルミルフェニル）ベンジジン１７ｇを得た。
【００７１】
次いで、Ｎ，Ｎ’−ビス（ｐ−クメニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ホルミルフェニル）ベンジジン１７ｇと、ベンズヒドリルホスホン酸ジエチルエステル１５ｇとを、乾燥ＴＨＦ中、ナトリウムメトキシドの存在下で反応させることにより、上記式（ＨＴＭ−２）で表されるジアミン系化合物（表１のＮｏ．２に相当）の粗生成物を得た（理論収量１９ｇ）。
【００７２】
なお、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−２）の粗生成物は、その良溶媒であるＴＨＦの溶液として、後述する精製処理（比較例２）に供した。
合成例３
Ｎ，Ｎ’−ジメシチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジンに代えて、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（２，４−キシリル）−３，３’−ジメチルベンジジン２０ｇを用いたこと以外は、合成例１と同様にして反応させることにより、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ホルミルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（２，４−キシリル）−３，３’−ジメチルベンジジン１７ｇを得た。
【００７３】
次いで、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ホルミルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（２，４−キシリル）−３，３’−ジメチルベンジジン１７ｇと、シンナミルホスホン酸ジエチルエステル１５ｇとを、乾燥ＴＨＦ中、ナトリウムメトキシドの存在下で反応させることにより、上記式（ＨＴＭ−３）で表されるジアミン系化合物（表１のＮｏ．３に相当）の粗生成物を得た（理論収量１９ｇ）。
【００７４】
なお、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−３）の粗生成物は、その良溶媒であるＴＨＦの溶液として、後述する精製処理（比較例３）に供した。
合成例４
Ｎ，Ｎ’−ジメシチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジンに代えて、Ｎ，Ｎ’−ジメシチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−３，３’−ジメチルベンジジン２０ｇを用いたこと以外は、合成例１と同様にして反応させることにより、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ホルミルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジメシチル−３，３’−ジメチルベンジジン１８．５ｇを得た。
【００７５】
次いで、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ホルミルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジメシチル−３，３’−ジメチルベンジジン１８．５ｇと、ｐ−トリルメチルホスホン酸ジエチルエステル１６．４ｇとを、乾燥ＴＨＦ中、ナトリウムメトキシドの存在下で反応させることにより、上記式（ＨＴＭ−４）で表されるジアミン系化合物（表１のＮｏ．４に相当）の粗生成物を得た（理論収量２０ｇ）。
【００７６】
なお、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−４）の粗生成物は、その良溶媒であるＴＨＦの溶液として、後述する精製処理（比較例４）に供した。
合成例５
Ｎ−（２−エチル−６−メチルフェニル）ジフェニルアミン２０ｇに、ＤＭＦ１５０ｇおよび塩化ホスホリル１８ｇを添加して、これを１２０℃に加熱し、フィルスマイヤー−ハーク反応によって、Ｎ−（２−エチル−６−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−４−アミノベンズアルデヒド１８．７ｇを得た。
【００７７】
次いで、Ｎ−（２−エチル−６−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−４−アミノベンズアルデヒド１８．７ｇと、上記式（１２）で表されるアリーレンジホスホン酸ジエチルエステル１１ｇとを、乾燥ＴＨＦ中、ナトリウムメトキシドの存在下で反応させることにより、上記式（ＨＴＭ−５）で表されるジアミン系化合物（表２のＮｏ．５に相当）の粗生成物を得た（理論収量２０ｇ）。
【００７８】
なお、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）の粗生成物は、その良溶媒であるＴＨＦの溶液として、後述する精製処理（比較例５）に供した。
合成例６
Ｎ−（２−エチル−６−メチルフェニル）−Ｎ−（ｐ−（β−フェニルスチリル）フェニル）アニリン２０ｇに、ＤＭＦ１５０ｇおよび塩化ホスホリル１２ｇを添加して、これを１２０℃に加熱し、フィルスマイヤー−ハーク反応によって、Ｎ−（２−エチル−６−メチルフェニル）−Ｎ−（ｐ−（β−フェニルスチリル）フェニル）−４−アミノベンズアルデヒド１８ｇを得た。
【００７９】
次いで、Ｎ−（２−エチル−６−メチルフェニル）−Ｎ−（ｐ−（β−フェニルスチリル）フェニル）−４−アミノベンズアルデヒド１８ｇと、アリーレンジホスホン酸ジエチルエステル（１２）７．５ｇとを、乾燥ＴＨＦ中、ナトリウムメトキシドの存在下で反応させることにより、上記式（ＨＴＭ−６）で表されるジアミン系化合物（表２のＮｏ．６に相当）の粗生成物を得た（理論収量１６．４ｇ）。
【００８０】
なお、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−６）の粗生成物は、その良溶媒であるＴＨＦの溶液として、後述する精製処理（比較例６）に供した。
合成例７
合成例６で得られたＮ−（２−エチル−６−メチルフェニル）−Ｎ−（ｐ−（β−フェニルスチリル）フェニル）−４−アミノベンズアルデヒド１８ｇと、上記式（１２）で表されるアリーレンジホスホン酸ジエチルエステル７．５ｇとを、乾燥ＴＨＦ中、ナトリウムメトキシドの存在下で反応させることにより、上記式（ＨＴＭ−７）で表されるジアミン系化合物（表２のＮｏ．７に相当）の粗生成物を得た（理論収量１３．５ｇ）。
【００８１】
なお、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−７）の粗生成物は、その良溶媒であるＴＨＦの溶液として、後述する精製処理（比較例７）に供した。
（ジアミン系化合物の精製）
比較例１
合成例１により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）のＴＨＦ溶液（ＨＴＭ−１の理論収量１９ｇ）に対して、シリカと白土とを、それぞれ、ＨＴＭ−１の理論収量に対して０．１当量配合した。次いで、上記ＴＨＦ溶液を濾別して得られるろ液に対して、上記ろ液の２倍量のメタノール（貧溶媒）を加えることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）を析出させた（第１回目の析出）。
【００８２】
さらに、得られた析出物（結晶）を用いて、晶析（トルエン／メタノール）を２回施し（第２および第３回目の析出）、濾過、真空乾燥することにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）の結晶１７．８ｇを得た。
比較例２
合成例１により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）のＴＨＦ溶液に代えて、合成例２により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−２）のＴＨＦ溶液（ＨＴＭ−２の理論収量１９ｇ）を用いたこと以外は、比較例１と同様にして、第１〜第３回目の析出操作をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−２）の結晶１７．５ｇを得た。
【００８３】
比較例３
合成例１により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）のＴＨＦ溶液に代えて、合成例３により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−３）のＴＨＦ溶液（ＨＴＭ−３の理論収量１９ｇ）を用いたこと以外は、比較例１と同様にして、第１〜第３回目の析出操作をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−３）の結晶１７．２ｇを得た。
【００８４】
比較例４
合成例１により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）のＴＨＦ溶液に代えて、合成例４により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−４）のＴＨＦ溶液（ＨＴＭ−４の理論収量２０ｇ）を用いたこと以外は、比較例１と同様にして、第１〜第３回目の析出操作をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−４）の結晶１６．８ｇを得た。
【００８５】
比較例５
合成例１により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）のＴＨＦ溶液に代えて、合成例５により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）のＴＨＦ溶液（ＨＴＭ−５の理論収量２０ｇ）を用いたこと以外は、比較例１と同様に処理して、第１〜第３回目の析出操作をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）の結晶１７．５ｇを得た。
【００８６】
比較例６
合成例１により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）のＴＨＦ溶液に代えて、合成例６により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−６）のＴＨＦ溶液（ＨＴＭ−６の理論収量１６．４ｇ）を用いたこと以外は、比較例１と同様に処理して、第１〜第３回目の析出操作をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−６）の結晶１４．８ｇを得た。
【００８７】
比較例７
合成例１により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）のＴＨＦ溶液に代えて、合成例７により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−７）のＴＨＦ溶液（ＨＴＭ−７の理論収量１３．５ｇ）を用いたこと以外は、比較例１と同様に処理して、第１〜第３回目の析出操作をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−７）の結晶１０．３ｇを得た。
【００８８】
実施例１
比較例１における第１回目の析出により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）１０ｇを、トルエン（良溶媒）２５ｇ中に添加して、６０℃に加熱して、３０分間撹拌することにより、溶解させた（溶解工程）。次いで、得られたトルエン溶液を撹拌しながら、室温まで冷却して、さらに、１２時間撹拌することにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）の結晶を析出させた。その後、析出した結晶を濾別して、真空乾燥することにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）の精製物８．４ｇを得た。
【００８９】
実施例２
ジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、比較例２における第１回目の析出により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−２）１０ｇを用いたこと以外は、実施例１と同様の処理をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−２）の精製物８．０ｇを得た。
実施例３
ジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、比較例３における第１回目の析出により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−３）１０ｇを用いたこと以外は、実施例１と同様の処理をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−３）の精製物８．５ｇを得た。
【００９０】
実施例４
ジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、比較例４における第１回目の析出により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−４）１０ｇを用いたこと以外は、実施例１と同様の処理をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−４）の精製物８．０ｇを得た。
実施例５
比較例１における第１回目の析出により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）１０ｇを、エチレングリコールモノエチルエーテル（良溶媒）４０ｇ中に添加して、６０℃に加熱して、３０分間撹拌することにより、溶解させた（溶解工程）。次いで、得られたエチレングリコールモノエチルエーテル溶液を撹拌しながら、室温まで冷却して、さらに、１２時間撹拌することにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）の結晶を析出させた（析出工程）。
【００９１】
その後、析出した結晶を濾別して、クロロホルム（良溶媒）１０ｇに溶解させた（再溶解工程）。次いで、得られたクロロホルム溶液に、メタノール（良溶媒）３０ｇを添加することにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）の結晶を析出させた（再析出工程）。こうして得られた結晶を濾別し、真空乾燥することにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）の精製物７．８ｇを得た。
【００９２】
実施例６
ジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、比較例２における第１回目の析出により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−２）１０ｇを用いたこと以外は、実施例５と同様の処理をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−２）の精製物７．８ｇを得た。
実施例７
ジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、比較例３における第１回目の析出により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−３）１０ｇを用いたこと以外は、実施例５と同様の処理をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−３）の精製物７．５ｇを得た。
【００９３】
実施例８
ジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、比較例４における第１回目の析出により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−４）１０ｇを用いたこと以外は、実施例５と同様の処理をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−４）の精製物７．８ｇを得た。
実施例９
比較例５における１回目の析出により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）１０ｇを、トルエン（良溶媒）２５ｇ中に添加して、６０℃に加熱して、３０分間撹拌することにより、溶解させた（溶解工程）。次いで、得られたトルエン溶液を撹拌しながら、室温まで冷却して、さらに、１２時間撹拌することにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）の結晶を析出させた（析出工程）。その後、析出した結晶を濾別して、真空乾燥することにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）の精製物８．４ｇを得た。
【００９４】
実施例１０
ジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）に代えて、比較例６における第１回目の析出により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−６）１０ｇを用いたこと以外は、実施例９と同様の処理をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−６）の精製物８．０ｇを得た。
実施例１１
ジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）に代えて、比較例７における第１回目の析出により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−７）１０ｇを用いたこと以外は、実施例９と同様の処理をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−７）の精製物８．４ｇを得た。
【００９５】
実施例１２
比較例５における第１回目の析出により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）１０ｇを、エチレングリコールモノエチルエーテル（良溶媒）４０ｇ中に添加して、６０℃に加熱して、３０分間撹拌することにより、溶解させた（溶解工程）。次いで、得られたエチレングリコールモノエチルエーテル溶液を撹拌しながら、室温まで冷却して、さらに、１２時間撹拌することにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）の結晶を析出させた（析出工程）。
【００９６】
その後、析出した結晶を濾別して、クロロホルム（良溶媒）１０ｇに溶解させた（再溶解工程）。次いで、得られたクロロホルム溶液に、メタノール（貧溶媒）３０ｇを添加することにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）の結晶を析出させた（再析出工程）。こうして得られた結晶を濾別し、真空乾燥することにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）の精製物８．４ｇを得た。
【００９７】
実施例１３
ジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）に代えて、比較例６における第１回目の析出により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−６）１０ｇを用いたこと以外は、実施例１２と同様の処理をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−６）の精製物８．３ｇを得た。
実施例１４
ジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）に代えて、比較例７における第１回目の析出により得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−７）１０ｇを用いたこと以外は、実施例１２と同様の処理をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−７）の精製物７．９ｇを得た。
【００９８】
実施例１５
トルエン２５ｇに代えて、キシレン（良溶媒）２５ｇを用いたこと以外は、実施例１と同様の処理をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）の精製物８．２ｇを得た。
実施例１６
トルエン２５ｇに代えて、２−ブタノン（良溶媒）２５ｇを用いたこと以外は、実施例１と同様の処理をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）の精製物８．４ｇを得た。
【００９９】
実施例１７
溶解工程でエチレングリコールモノエチルエーテル４０ｇに代えて、トルエン（良溶媒）４０ｇを用い、再溶解工程でクロロホルム１０ｇに代えて、トルエン１０ｇを用いたこと以外は、実施例５と同様の処理をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）の精製物８．０ｇを得た。
【０１００】
実施例１８
溶解工程でエチレングリコールモノエチルエーテル４０ｇに代えて、２−ブタノン（良溶媒）４０ｇを用い、再溶解工程でクロロホルム１０ｇに代えて、トルエン１０ｇを用いたこと以外は、実施例５と同様の処理をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）の精製物８．０ｇを得た。
【０１０１】
実施例１９
溶解工程でエチレングリコールモノエチルエーテル４０ｇに代えて、クロロベンゼン（良溶媒）４０ｇを用いたこと以外は、実施例５と同様の処理をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）の精製物８．４ｇを得た。
実施例２０
トルエン２５ｇに代えて、酢酸エチル（良溶媒）２５ｇを用いたこと以外は、実施例１と同様の処理をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）の精製物８．３ｇを得た。
【０１０２】
実施例２１
トルエン２５ｇに代えて、キシレン（良溶媒）２５ｇ用いたこと以外は、実施例９と同様の処理をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）の精製物８．４ｇを得た。 実施例２２
トルエン２５ｇに代えて、２−ブタノン（良溶媒）２５ｇを用いたこと以外は、実施例９と同様の処理をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）の精製物８．０ｇを得た。
【０１０３】
実施例２３
溶解工程でエチレングリコールモノエチルエーテル４０ｇに代えて、トルエン（良溶媒）４０ｇ用い、再溶解工程でクロロホルム１０ｇに代えて、トルエン１０ｇを用いたこと以外は、実施例１２と同様の処理をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）の精製物８．０ｇを得た。
【０１０４】
実施例２４
溶解工程でエチレングリコールモノエチルエーテル４０ｇに代えて、２−ブタノン（良溶媒）４０ｇを用い、再溶解工程でクロロホルム１０ｇに代えて、トルエン（良溶媒）１０ｇを用いたこと以外は、実施例１２と同様の処理をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）の精製物８．０ｇを得た。
【０１０５】
実施例２５
溶解工程でエチレングリコールモノエチルエーテル４０ｇに代えて、クロロベンゼン（良溶媒）４０ｇ用いたこと以外は、実施例１２と同様にして、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）の精製物８．４ｇを得た。
実施例２６
トルエン２５ｇに代えて、酢酸エチル（良溶媒）２５ｇ用いたこと以外は、実施例９と同様の処理をすることにより、ジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）の精製物８．０ｇを得た。
【０１０６】
（単層型電子写真感光体の作製）
製造例１
電荷発生剤として、下記式（ＣＧＭ１）で表されるＸ型無金属フタロシアニン５重量部と、正孔輸送剤として、実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）６０重量部と、電子輸送剤として、下記一般式（ＥＴＭ−１）で表されるジフェノキノン誘導体４０重量部と、バインダ樹脂として、ポリカーボネート１００重量部とを、ＴＨＦ８００重量部に、ボールミルにより、５０時間分散させて、感光層形成用塗布液を調製した。次いで、この感光層形成用塗布液を、導電性基体として、アルミニウム素管上にディップコート法により塗布し、次いで、１００℃で３０分間熱風乾燥して、膜厚２５μｍの感光層を備えた単層型電子写真感光体を作製した。
【０１０７】
【化２３】
【０１０８】
【化２４】
製造例２
ジフェノキノン誘導体（ＥＴＭ−１）に代えて、下記式（ＥＴＭ−２）で表されるジフェノキノン誘導体を用いたこと以外は、製造例１と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
【０１０９】
【化２５】
製造例３
ジフェノキノン誘導体（ＥＴＭ−１）に代えて、下記式（ＥＴＭ−３）で表されるスチルベンキノン誘導体を用いたこと以外は、製造例１と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
【０１１０】
【化２６】
製造例４〜６
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例２で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−２）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
【０１１１】
製造例７〜９
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例３で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−３）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
製造例１０〜１２
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例４で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−４）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
【０１１２】
製造例１３〜１５
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例５で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
製造例１６〜１８
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例６で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−２）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
【０１１３】
製造例１９〜２１
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例７で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−３）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
製造例２２〜２４
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例８で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−４）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
【０１１４】
製造例２５〜２７
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例９で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
製造例２８〜３０
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例１０で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−６）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
【０１１５】
製造例３１〜３３
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例１１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−７）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
製造例３４〜３６
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例１２で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
【０１１６】
製造例３７〜３９
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例１３で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−６）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
製造例４０〜４２
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例１４で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−７）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
【０１１７】
製造例４３〜４５
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例１５で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
製造例４６〜４８
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例１６で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
【０１１８】
製造例４９〜５１
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例１７で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
製造例５２〜５４
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例１８で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
【０１１９】
製造例５５〜５７
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例１９で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
製造例５８〜６０
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例２０で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
【０１２０】
製造例６１〜６３
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例２１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
製造例６４〜６６
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例２２で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）を用いたこと以外は、造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
【０１２１】
製造例６７〜６９
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例２３で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
製造例７０〜７２
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例２４で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
【０１２２】
製造例７３〜７５
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例２５で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
製造例７６〜７８
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、実施例２６で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
【０１２３】
比較製造例１〜３
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、比較例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
比較製造例４〜６
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、比較例２で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−２）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
【０１２４】
比較製造例７〜９
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、比較例３で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−３）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
比較製造例１０〜１２
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、比較例４で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−４）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
【０１２５】
比較製造例１６〜１８
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、比較例５で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−５）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
比較製造例１９〜２１
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、比較例６で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−６）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
【０１２６】
比較製造例２２〜２４
実施例１で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−１）に代えて、比較例７で得られたジアミン系化合物（ＨＴＭ−７）を用いたこと以外は、それぞれ、製造例１〜３と同様にして、単層型電子写真感光体を作成した。
（電気特性試験）
ＧＥＮＴＥＣ社製のドラム感度試験機を用いて、作製した単層型電子写真感光体の表面電位を＋７００（Ｖ）に帯電させ、これを初期電位（Ｖ0（Ｖ））として測定した。次いで、ハロゲンランプの白色光からバンドパスフィルターを用いて取り出した波長７８０ｎｍの単色光（半値幅２０ｎｍ、光強度１．５μＪ／ｍ2）を単層型電子写真感光体の表面に露光（露光時間１．５秒）して、単層型電子写真感光体の表面電位が１／２（３５０（Ｖ））になるのに要した時間を測定し、半減露光量Ｅ1/2（秒）を算出した。
【０１２７】
また、露光開始から０．５秒経過した時点における、単層型電子写真感光体の表面電位を残留電位Ｖr（Ｖ）として測定した。その結果を、表３〜表６に示す。
【０１２８】
【表３】
【０１２９】
【表４】
【０１３０】
【表５】
【０１３１】
【表６】
表３〜６に示した結果より明らかなように、電荷輸送剤として、溶解工程および析出工程を得た実施例１〜２６のジアミン系化合物を用いた製造例１〜７８によれば、単に再沈殿法により精製した比較例１〜７のジアミン系化合物を用いた比較製造例１〜２１に比べて、感度が高いことが分かる。
【０１３２】
また、再溶解工程および再析出工程を経た実施例５〜８、１２〜１４および１７〜１９のジアミン系化合物を用いた製造例１３〜１５、３４〜４２および４９〜５７によれば、単に再沈殿法により精製した比較例１〜７のジアミン系化合物を用いた比較製造例１〜２１に比べて、さらに感度が高いことが分かる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）または（２）で表されるジアミン系化合物と、前記ジアミン系化合物の良溶媒とを配合して、加熱することにより、前記ジアミン系化合物（１）または（２）を溶解させる溶解工程、および、
前記溶解工程で得られた溶液を冷却して、前記ジアミン系化合物（１）または（２）の結晶を析出させる析出工程
を含むことを特徴とする、ジアミン系化合物の精製方法。
【化１】
（一般式（１）中、Ｒ1〜Ｒ12は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基または炭素数６〜２０のアリール基を示す。前記炭素数６〜２０のアリール基は、さらに、ハロゲン原子または炭素数１〜４のアルコキシ基を有していてもよい。Ｒ13〜Ｒ14は、それぞれ独立して、水素原子または下記式（Ａ）で表される基を示す。）
【化２】
（式（Ａ）中、ｍは０または１の整数を示す。Ｒ15、Ｒ16は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基を示す。但し、Ｒ15およびＲ16のいずれか一方は、水素原子以外の基を示す。）
【化３】
（一般式（２）中、Ｒ21〜Ｒ32は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基または炭素数６〜２０のアリール基を示す。前記炭素数６〜２０のアリール基は、さらに、ハロゲン原子または炭素数１〜４のアルコキシ基を有していてもよい。Ｒ33およびＲ34は、それぞれ独立して、水素原子または下記式（Ｂ）で表される基を示す。）
【化４】
（式（Ｂ）中、ｐは０または１の整数を示す。Ｒ35、Ｒ36は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基を示す。但し、Ｒ35およびＲ36のいずれか一方は、水素原子以外の基を示す。）
【請求項２】
さらに、前記析出工程で析出された前記ジアミン系化合物（１）または（２）の結晶と、前記ジアミン系化合物の良溶媒とを配合することにより、前記ジアミン系化合物（１）または（２）を再度溶解する再溶解工程、および、
前記再溶解工程で得られた溶液に、前記ジアミン系化合物の貧溶媒を添加することにより、前記ジアミン系化合物の結晶を再度析出させる再析出工程
を含むことを特徴とする、請求項１に記載のジアミン系化合物の精製方法。
【請求項１】
下記一般式（１）または（２）で表されるジアミン系化合物と、前記ジアミン系化合物の良溶媒とを配合して、加熱することにより、前記ジアミン系化合物（１）または（２）を溶解させる溶解工程、および、
前記溶解工程で得られた溶液を冷却して、前記ジアミン系化合物（１）または（２）の結晶を析出させる析出工程
を含むことを特徴とする、ジアミン系化合物の精製方法。
【化１】
（一般式（１）中、Ｒ1〜Ｒ12は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基または炭素数６〜２０のアリール基を示す。前記炭素数６〜２０のアリール基は、さらに、ハロゲン原子または炭素数１〜４のアルコキシ基を有していてもよい。Ｒ13〜Ｒ14は、それぞれ独立して、水素原子または下記式（Ａ）で表される基を示す。）
【化２】
（式（Ａ）中、ｍは０または１の整数を示す。Ｒ15、Ｒ16は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基を示す。但し、Ｒ15およびＲ16のいずれか一方は、水素原子以外の基を示す。）
【化３】
（一般式（２）中、Ｒ21〜Ｒ32は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基または炭素数６〜２０のアリール基を示す。前記炭素数６〜２０のアリール基は、さらに、ハロゲン原子または炭素数１〜４のアルコキシ基を有していてもよい。Ｒ33およびＲ34は、それぞれ独立して、水素原子または下記式（Ｂ）で表される基を示す。）
【化４】
（式（Ｂ）中、ｐは０または１の整数を示す。Ｒ35、Ｒ36は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基を示す。但し、Ｒ35およびＲ36のいずれか一方は、水素原子以外の基を示す。）
【請求項２】
さらに、前記析出工程で析出された前記ジアミン系化合物（１）または（２）の結晶と、前記ジアミン系化合物の良溶媒とを配合することにより、前記ジアミン系化合物（１）または（２）を再度溶解する再溶解工程、および、
前記再溶解工程で得られた溶液に、前記ジアミン系化合物の貧溶媒を添加することにより、前記ジアミン系化合物の結晶を再度析出させる再析出工程
を含むことを特徴とする、請求項１に記載のジアミン系化合物の精製方法。
【公開番号】特開２００７−４５７５８（Ｐ２００７−４５７５８Ａ）
【公開日】平成１９年２月２２日（２００７．２．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−２３２５０６（Ｐ２００５−２３２５０６）
【出願日】平成１７年８月１０日（２００５．８．１０）
【出願人】（０００００６１５０）京セラミタ株式会社 (13,173)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年２月２２日（２００７．２．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年８月１０日（２００５．８．１０）
【出願人】（０００００６１５０）京セラミタ株式会社 (13,173)
【Ｆターム（参考）】
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