ジオキサン誘導体、これを含有する液晶組成物、およびこれを用いた液晶表示素子
【課題】低電圧駆動ＴＦＴ型液晶表示素子用の液晶材料として電圧保持率が高く、Δε値が著しく大きく、電気的、化学的に安定であり、かつ既存の液晶性化合物との相溶性も良好な液晶性化合物、これを含む液晶組成物、およびこれを用いて構成した液晶表示素子を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表される特定のジオキサン誘導体。該誘導体を少なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組成物。該液晶組成物を用いて構成した液晶表示素子。
Ｒはアルキル基等、Ｑ１，Ｑ２はＨ、Ｆ等と示す。Ａはジオキサン環を有する基、Ａ０、Ａ１はフェニレン基、あるいはシクロヘキシレン基を示す。Ｚａ、Ｚｂは単結合等で例示される連結基、n1、n2は０あるいは１の整数を示す。
【解決手段】一般式（１）で表される特定のジオキサン誘導体。該誘導体を少なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組成物。該液晶組成物を用いて構成した液晶表示素子。
Ｒはアルキル基等、Ｑ１，Ｑ２はＨ、Ｆ等と示す。Ａはジオキサン環を有する基、Ａ０、Ａ１はフェニレン基、あるいはシクロヘキシレン基を示す。Ｚａ、Ｚｂは単結合等で例示される連結基、n1、n2は０あるいは１の整数を示す。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶組成物の成分として有効な液晶性化合物、特にＴＦＴ用液晶組成物の成分として用いるのに好適なジオキサン誘導体、これを含有する液晶組成物、およびこの液晶組成物を用いて構成した液晶表示素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示素子は液晶物質がもつ光学異方性および誘電率異方性を利用したものであるが、その表示方式によってＴＮ型（ねじれネマチック型）、ＤＳ型（動的散乱型）、Ｇ．Ｈ型（ゲスト・ホスト型）、ＤＡＰ型（配向相変型）、ＳＴＮ型（超ねじれネマチック型）など各種の方式に分けられ、それぞれの使用に適する液晶物質の性質は異なる。最近は特に液晶表示素子の表示品位のより高いものが要求されており、その要求に応えるために薄膜トランジスタ型（ＴＦＴ型）に代表されるアクティブマトリックス方式の表示素子に対する需要が高まっている。
【０００３】
いずれの表示素子に用いられる液晶物質も水分、空気、熱、光等に安定であることが必要である上、室温を中心としてできるだけ広い温度範囲で液晶相を示し、低粘性であり、他の液晶化合物および液晶性化合物との相溶性がよく、大きな誘電率異方性値（Δε）を持ち、最適な屈折率異方性値（Δｎ）を有し、化学的、電気的に安定でなければならない。特にＴＦＴ型に代表されるアクティブマトリックス方式の表示素子には高い電圧保持率が要求されている。しかし現在のところ単一化合物ではこのような条件をすべて満たす物質はなく、数種の液晶化合物や液晶性化合物を混合して得られる液晶組成物を使用しているのが現状である。
【０００４】
最近はＴＦＴ型液晶表示素子に低電圧駆動が求められており、この要求に応えるため、従来ＴＦＴ型液晶表示素子に用いられていた液晶材料よりも大きなΔεを持つ液晶性化合物、液晶組成物が必要となってきた。このため高い電圧保持率を示しながらも大きなΔεを有する液晶材料の開発が活発に行われている。従来フッ素系の液晶材料が高い電圧保持率を示すことが一般的に知られており、公告特許公報平０１−０４４９６号には次式の化合物（１０）が開示されている。
【０００５】
【化８】
【０００６】
上記化合物（１０）はシアノ基を有する液晶性化合物に比べ高い電圧保持率を有するため主としてＴＦＴ用液晶組成物の成分として使用されている。しかしながら化合物（１０）の外挿Δε（外挿Δεとは、ネマチック相を有する母液晶に化合物（１０）を溶解し、その組成物のΔεの値、母液晶のΔεの値および混合比から算出した化合物（１０）のΔεであり、以下のΔεはこの外挿Δεを指す。）は８．５と小さく、現在要求されている２．５Ｖ駆動に代表される低電圧駆動用液晶材料としては使用できない。
【０００７】
また化合物（１０）より大きなΔεを有する化合物として公開特許公報平０２−２３３６２６号に次式のトリフルオロフェニル誘導体（１１）が開示されている。
【０００８】
【化９】
【０００９】
化合物（１１）のΔεは１１．０と化合物（１０）より大きいが、いまだ不十分な大きさで前述と同様に市場の低電圧化への要求に応えられる材料ではない。
公開特許公報平０４−５０６３６１号にトリフルオロメチルフェニル誘導体（１２）、トリフルオロメトキシフェニル誘導体（１３）が開示されている。
【００１０】
【化１０】
【００１１】
しかしながらこれらの化合物のΔεもまだ化合物（１０）、（１１）と同様に市場の低電圧化への要求には応えることができない。（例えば化合物（１３）のΔεは約５である（ＩＤＹ（テレビ学技報）９５）。
さらに、Δεの大きな化合物として、公開特許公報平０２−２３３６２６中に次式（１４）で表されるジオキサン誘導体が開示されている。
【００１２】
【化１１】
【００１３】
この化合物のΔεは１５．７と大きいが、この大きさでは駆動電圧を要求されているレベルに十分下げることは不可能であり、さらに従来のジオキサン環を含まないフッ素系液晶性化合物に比し、電圧保持率が低くなっており高い電圧保持率が要求される液晶表示素子用の材料中に多くの割合を含めることができない。その１例を示すと化合物（１１）の電圧保持率は２５℃で９８％、１００℃で９６％であるのに対し、化合物（１４）のは２５℃で９８％、１００℃で９２％である。
【００１４】
このため大きなΔεを有しながらも高い電圧保持率を有する液晶化合物および液晶性化合物が嘱望されていた。
【特許文献１】公開特許公報平０２−２３３６２６
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明の目的は、低電圧駆動ＴＦＴ型液晶表示素子用の液晶材料としてΔε値が著しく大きく、高い電圧保持率を有し、かつ既存の液晶性化合物との相溶性も良好な液晶性化合物、これを含む液晶組成物、およびこれを用いて構成した液晶表示素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
かかる目的を達成するために鋭意検討した結果、本発明者等は１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基の２位にＳｐ３炭素が結合し、かつ分子末端にフッ素系あるいは塩素系の電子吸引基を有する液晶性化合物が特異的に大きなΔεを有すると共に、高い電圧保持率を有し、２．５Ｖ駆動に代表されるＴＦＴ低電圧駆動用液晶材料として最適であることを見いだし、発明を完成させるに至った。すなわち本発明は以下の通りである。
（１）一般式（１）
【００１７】
【化１２】
【００１８】
（式中、Ｒは炭素数１〜２０のアルキル基あるいは水素原子を示し、
ｎ１およびｎ２はそれぞれ独立して０〜２の整数であり、
ｎ１＋ｎ２≦２であり
Ｑ１およびＱ２はそれぞれに独立して水素原子、フッ素原子あるいは塩素原子を示し、
Ａは（ａ），（ｂ）あるいは（ｃ）を示し、
【００１９】
【化１３】
【００２０】
環Ａ0およびＡ1は１，４−シクロヘキシレン基、あるいは環上の１個以上の水素原子がフッ素原子あるいは塩素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン基を示すが、Ａ、環Ａ0および環Ａ1中の１，４−シクロヘキシレン基中の１個あるいは２個の炭素原子はケイ素原子で置換されていてもよく、
ＺａおよびＺｂはそれぞれに独立して単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＯＯ−あるいは−ＣＦ２Ｏ−を示し、
Ｙは水素原子、ハロゲン原子、あるいは炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基を示すが、該基中の隣接しない１つ以上のメチレン基は、酸素原子あるいは硫黄原子で置換されていてもよく、
ただしｎ１＝０かつｎ２＝１かつＡが（ｂ）かつ環Ａ１が１，４−フェニレンかつＺａおよびＺｂが単結合である場合、およびｎ１＝ｎ２＝０かつＡが（ａ）かつＺｂが単結合である場合は、Ｑ１とＱ２の少なくとも一方はフッ素原子あるいは塩素原子を示すが、Ｙがフッ素原子あるいは塩素原子の場合はＱ１およびＱ２がそれぞれに独立してフッ素原子あるいは塩素原子である。
なお、この化合物を構成する各原子はその同位体で置換されていてもよい。）で表されるるジオキサン誘導体。
【００２１】
（２）ｎ１＝ｎ２＝０であり、Ｚａが単結合であり、かつＡ＝（ｂ）である（１）項に記載のジオキサン誘導体。
（３）ｎ１＝ｎ２＝０であり、Ｚａが単結合であり、かつＡ＝（ａ）である（１）項に記載のジオキサン誘導体。
（４）ｎ１＋ｎ２＝１であり、かつＡ＝（ｂ）である（１）項に記載のジオキサン誘導体。
（５）ｎ１＋ｎ２＝１であり、かつＡ＝（ａ）である（１）項に記載のジオキサン誘導体。
（６）ｎ１＋ｎ２＝２であり、かつＡ＝（ｂ）である（１）項に記載のジオキサン誘導体。
（７）Ａ＝（ｃ）、あるいはＺｂが−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、あるいはｎ１が０でない場合のＺａが−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−である（１）項に記載のジオキサン誘導体。
（８）Ｑ１およびＱ２が共にフッ素原子である（１）項に記載のジオキサン誘導体。
（９）（１）項から（８）項のいずれか１項に記載の液晶化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組成物。
（１０）第一成分として、（１）項から（８）項のいずれか１項に記載のジオキサン誘導体を少なくとも１種類含有し、第二成分として、一般式（２）、（３）および（４）
【００２２】
【化１４】
【００２３】
（各式中、Ｒ３は炭素数１〜１０のアルキル基であり、このアルキル基中の相隣合わない一つ以上のメチレン基は酸素原子または−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されていてもよく、また任意の水素原子はフッ素原子で置換されてもよく、Ｙ１はフッ素原子、塩素原子、ＯＣＦ３、ＯＣＦ２Ｈ、ＣＦ３、ＣＦ２Ｈ、ＣＦＨ２、ＯＣＦ２ＣＦ２ＨまたはＯＣＦ２ＣＦＨＣＦ３を示し、Ｌ１およびＬ２は各々独立して水素原子またはフッ素原子を示し、Ｚ１およびＺ２は各々独立して−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−または単結合を示し、環Ｂはトランスー１，４−シクロヘキシレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、または水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレンを示し、環Ｃはトランスー１，４−シクロヘキシレンまたは水素原子がフッ素原子で置換されてもよい１，４−フェニレンを示し、各式の化合物において、それらを構成する各原子はそれらの同位体で置換されていてもよい。）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組成物。
（１１）第一成分として、（１）項から（８）項のいずれか１項に記載のジオキサン誘導体を少なくとも１種類含有し、第二成分として、一般式（５）および（６）
【００２４】
【化１５】
【００２５】
（各式中、Ｒ４およびＲ５は各々独立して炭素数１〜１０のアルキル基を示すが、このアルキル基中の相隣合わない一つ以上のメチレン基は酸素原子または−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されていてもよく、また任意の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、Ｙ２は−ＣＮまたは−Ｃ≡Ｃ−ＣＮを示し、環Ｅはトランスー１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイルまたはピリミジン−２，５−ジイルを示し、環Ｇはトランスー１，４−シクロヘキシレン、ピリミジン−２，５−ジイル、または水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレンを示し、環Ｈはトランスー１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンを示し、Ｚ３は−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＯＯ−または単結合を示し、Ｌ３、Ｌ４およびＬ５は各々独立して水素原子またはフッ素原子を示し、ｂ、ｃおよびｄは各々独立して０または１であり、各式の化合物において、それらを構成する各原子はそれらの同位体で置換されていてもよい。）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組成物。
（１２）第一成分として、（１）項から（８）項のいずれか１項に記載のジオキサン誘導体を少なくとも１種類含有し、第二成分として、前記一般式（２）、（３）および（４）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有し、第三成分として、一般式（７）、（８）および（９）
【００２６】
【化１６】
【００２７】
（各式中、Ｒ６およびＲ７は各々独立して炭素数１〜１０のアルキル基であって、該アルキル基中、相隣合わない一つ以上のメチレン基は酸素原子または−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されていてもよく、また任意の水素原子はフッ素原子で置換されてもよく、Ｉ、ＪおよびＫは各々独立して、トランスー１，４−シクロヘキシレン、ピリミジン−２，５−ジイルまたは水素原子がフッ素原子で置換されてもよい１，４−フェニレンを示し、Ｚ４およびＺ５は各々独立して、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−または共有結合を示す。各式の化合物において、それらを構成する各原子はそれらの同位体原子で置換されていてもよい。）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組成物。
【００２８】
（１３）第一成分として、（１）項から（８）項のいずれか１項に記載のジオキサン誘導体を少なくとも１種類含有し、第二成分として、前記一般式（５）および（６）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有し、第三成分として、前記一般式（７）、（８）および（９）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組成物。
（１４）第一成分として、（１）項から（８）項のいずれか１項に記載のジオキサン誘導体を少なくとも１種類含有し、第二成分の一部分として、前記一般式（２）、（３）および（４）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有し、第二成分の他の部分として、前記一般式（５）および（６）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有し、第三成分として、前記一般式（７）、（８）および（９）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組成物。
（１５）光学活性化合物をさらに含有することを特徴とする（９）項から（１４）項のいずれか１項に記載の液晶組成物。
（１６）（９）項から（１４）項のいずれか１項に記載の液晶組成物を用いて構成した液晶表示素子。
（１７）（１５）項に記載の液晶組成物を用いて構成した液晶表示素子。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
本発明の一般式（１）で示される化合物はジオキサン環を含めて３環から５環のコアを有し、かつこのジオキサン環の２位はＳｐ３炭素と結合し、かつ分子末端にフッ素系あるいは塩素系電子吸引基を有する液晶性化合物である。このような構造とすることにより、高い電圧保持率と特異的に大きなΔεを有するものとなる。
【００３０】
例えば本発明化合物（Ｎｏ．２１）は化合物（１４）とアルキル鎖、末端のベンゼン環の置換基を同じくするが以下のように特異的に大きなΔεと高い電圧保持率を有する。化合物（１４）のΔεは１５．７であるのに対し、本発明化合物（Ｎｏ．２１）のΔεは２３．７である。また電圧保持率に関しては化合物（１４）が２５℃で９８％、１００℃で９２％であるのに対し、本発明化合物（Ｎｏ．２１）は２５℃で９８％、１００℃で９４％である。
【００３１】
分子の各部分構造の双極子、および双極子と慣性主軸とのなす角を考慮した場合、化合物（１４）と本発明化合物（Ｎｏ．２１）は同程度のΔεを有することが当業者にとっては常識的に考えられるが、本発明の化合物（Ｎｏ．２１）のΔεは（１４）のそれに比し５０％も大きい。これは予見し得ない驚くべき特性である。
【００３２】
さらに、本発明の化合物が特異的に大きなΔεを有するもう１例を次に示す。
例えば化合物（１１）のΔεは１１．０であるのに対し、結合基としてエチレンを導入した化合物（１５）および（１６）のΔεはどちらも９．７であるようにΔεが小さくなるのが通常である。
【００３３】
【化１７】
【００３４】
ところが化合物（１７）のジオキサン環の２位に結合基としてエチレン基を導入すると本発明化合物（Ｎｏ．９８）となるが、化合物（１７）のΔεは２５．７であるのに対し、化合物（Ｎｏ．９８）のそれは驚くべきことに２８．３と化合物（１７）のそれより大きい。
【００３５】
【化１８】
【００３６】
このような効果はジオキサン環の２位にＳｐ３炭素が結合し、かつ分子末端にフッ素系あるいは塩素系電子吸引基を有する液晶性化合物にのみ発現するものである。これまでジオキサン環を含む液晶性化合物は以下に示すように公表特許公報平４−５０３６７８号および公表特許公報平４−５０１２７２号に開示されている。
【００３７】
【化１９】
【００３８】
本発明の化合物は形式上上記２つの先行技術のクレームに一部包含されるが、それらの明細書中に本願の化合物の記述を具体的に見いだすことはできない。さらに、上述の優れた特性すなわち、特異的に大きなΔε有しかつ高い電圧保持率を有することを予見させる記述は一切なく、かつ上記化合物の特性値は示されていない。
【００３９】
またアルキル基の末端にハロゲン原子が置換したジオキサン誘導体についてＵＳ００５４９４６０６Ａに記載があるが、この記述からも本発明化合物の優れた特性を予見することはできない。
一般式（１）に示す化合物のようにジオキサン環の２位にＳｐ３炭素が結合しかつ分子末端にフッ素系あるいは塩素系電子吸引基を有するものは、高い電圧保持率を有し、特異的に大きなΔεを有する。本発明の一般式（１）に示す化合物を用いて調製される液晶組成物は大きなΔεと高い電圧保持率を有しＴＦＴ型液晶表示素子の低電圧化に非常に有用なものとなる。
【００４０】
本発明の一般式（１）に示す化合物はいずれも高い電圧保持率を示すと共に特異的に大きなΔεを有することは既に述べたが、ここでさらに詳しく本発明の化合物を説明する。ただし化合物を構成する元素がその同位体元素で置換されたものは以下では言及しないが、同位体元素で置換された化合物も以下の説明で示す特性と何ら変わらない。
【００４１】
Ｒは炭素数が１〜２０のアルキル基または水素原子であるが、このアルキル基は炭素数１〜７が粘性と液晶相温度範囲のバランスという観点からみて好ましく、２〜５がさらに好ましい。
連結基ＺａおよびＺｂはそれぞれに独立して単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＯＯ−または−ＣＦ２Ｏ−でるが、それぞれの特徴を示すと次のようになる。
【００４２】
連結基ＺａおよびＺｂがともに単結合である化合物は比較的高い透明点を有し、低粘性であり、なおかつ他の液晶化合物あるいは液晶組成物との相溶性に優れ、化学的、電気的に安定である。連結基Ｚａ、Ｚｂの一方が単結合で他方が−ＣＨ２ＣＨ２−である化合物は共に単結合であるものに比し、粘性ではやや劣るが相溶性ではより優れ、連結基Ｚａ，Ｚｂの少なくとも一方が−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−である化合物は、連結基Ｚａ、Ｚｂの一方が単結合で他方が−ＣＨ２ＣＨ２−であるものに比し粘性ではやや劣るが相溶性ではさらに優れ、連結基Ｚａ、Ｚｂの少なくとも一方が−ＣＯＯ−である化合物は前記の他の５種の結合基であるものに比し、化学的、電気的安定性でやや劣るがより大きなΔεを有する。連結基Ｚａ、Ｚｂの少なくとも一方が−ＣＦ２Ｏ−である化合物は低粘性で、化学的、電気的にも安定である。
【００４３】
末端置換基Ｙについて、好ましい構造と、その置換基を有する化合物の特徴を次に示す。Ｙがフッ素である化合物は比較的大きなΔε有し、低粘性であり、他の液晶性化合物あるいは液晶組成物との相溶性に優れる。ＹがＣＦ３である化合物は非常に大きなΔεを有する。ＹがＯＣＦ３、またはＯＣＦ２Ｈである化合物は低粘性である。ＹがＣｌ、−ＯＣＦ２ＣＦ２Ｈ、または−ＯＣＦ２ＣＦＨＣＦ３である化合物は大きなΔｎと、高い透明点を有する。Ｙが−ＯＣＨ２ＣＦ２Ｈ、−ＯＣＨ２ＣＦ３、または−ＯＣＦＨＣＦ３である化合物は高い透明点を有し、比較的低粘性である。これらの置換基はそれぞれ上記の特長を有し、非常に有用である。さらに上記に示した基の他、−ＣＦ２Ｈ、−ＣＦ２Ｃｌ、−ＣＨ２ＣＦ３、−ＣＨ２ＣＨ２Ｆ、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｆ、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｆ、−ＯＣＦＨ２、−ＯＣＦ２Ｃｌ、−ＯＣＦ２ＣＦ３、および−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ３も好ましい。
【００４４】
本発明の化合物はフッ素あるいは塩素置換フェニレン基を有してもよいが、フェニレン基のラテラル位にフッ素原子あるいは塩素原子が数多く置換している化合物ほど大きなΔεを有し、逆にその数が少ない化合物は高い透明点と低粘性を有する。
本発明の化合物の中には１−シラ−１，４−シクロヘキシレン基および４−シラ−１，４−シクロヘキシレン基を有するものもあるが、本発明中のこれらの基を有する化合物は該基が１，４−シクロヘキシレン基であるものに比し、低温において他の液晶性化合物および液晶組成物との相溶性に優れる。
【００４５】
本発明の化合物は高い電圧保持率を有すると共に、その部分構造によって上記のような特長を有するが、一般式（１−Ａ）〜（１−Ｓ）で表される化合物がより好ましい特性を有する。
【００４６】
【化２０】
【００４７】
【化２１】
【００４８】
式（１−Ａ）で表される化合物は、一般式（１）において、
ｎ１とｎ２がともに０、ＺａとＺｂがともに単結合、Ａが（ｂ）である化合物である。
式（１−Ｂ）で表される化合物は、一般式（１）において、
ｎ１とｎ２がともに０、ＺａとＺｂがともに単結合、Ａが（ａ）である化合物である。
【００４９】
式（１−Ｃ）で表される化合物は、一般式（１）において、
ｎ１が０、ｎ２が１、環Ａ１が１，４−シクロヘキシレン、ＺａとＺｂがともに単結合、Ａが（ｂ）である化合物である。
式（１−Ｄ）で表される化合物は、一般式（１）において、
ｎ１とｎ２がともに０、Ｚａが単結合、Ｚｂが−ＣＨ２ＣＨ２−、Ａが（ａ）である化合物である。
【００５０】
式（１−Ｅ）で表される化合物は、一般式（１）において、
ｎ１が０、ｎ２が１、環Ａ１が置換あるいは無置換の１，４−フェニレン、ＺａとＺｂがともに単結合、Ａが（ｂ）である化合物である。
式（１−Ｆ）においてＺｃ２が単結合である化合物は、一般式（１）において、 ｎ１が０、ｎ２が１、環Ａ１が１，４−シクロヘキシレン、Ｚａが単結合、Ａが（ａ）である化合物である。
【００５１】
式（１−Ｆ）においてＺｃ２が−ＣＨ２ＣＨ２−である化合物は、一般式（１）において、
ｎ１が０、ｎ２が２、環Ａ１が１，４−シクロヘキシレン、Ｚａが単結合、Ａが（ｂ）である化合物である。
式（１−Ｇ）においてＺｃ２が単結合である化合物は、一般式（１）において、
ｎ１が１、ｎ２が０、環Ａ０が１，４−シクロヘキシレン、Ａが（ａ）である化合物である。
【００５２】
式（１−Ｇ）においてＺｃ２が−ＣＨ２ＣＨ２−である化合物は、一般式（１）において、
ｎ１とｎ２がともに１、環Ａ０と環Ａ１がともに１，４−シクロヘキシレン、Ａが（ｂ）である化合物である。
式（１−Ｈ）で表される化合物は、一般式（１）において、
ｎ１が２、ｎ２が０、環Ａ０が１，４−シクロヘキシレン、ＺａとＺｂがともに単結合、Ａが（ｂ）である化合物である。
【００５３】
式（１−Ｉ）で表される化合物は、一般式（１）において、
ｎ１が０、ｎ２が１、環Ａ１が置換あるいは無置換の１，４−フェニレン、Ｚａ、Ｚｂがともに単結合、Ａが（ａ）である化合物である。
式（１−Ｊ）で表される化合物は、一般式（１）において、
ｎ１とｎ２がともに１、環Ａ０が１，４−シクロヘキシレン、環Ａ１が置換あるいは無置換の１，４−フェニレン、Ｚａ、Ｚｂがともに単結合、Ａが（ｂ）である化合物である。
【００５４】
式（１−Ｋ）で表される化合物は、一般式（１）において、
ｎ１が０、ｎ２が２、環Ａ１が置換あるいは無置換の１，４−フェニレン、Ｚａ、Ｚｂがともに単結合、Ａが（ｂ）である化合物である。
式（１−Ｌ）で表される化合物は、一般式（１）において、
ｎ１とｎ２がともに０、ＺａとＺｂがともに単結合、Ａが（ｃ）である化合物である。
【００５５】
式（１−Ｍ）で表される化合物は、一般式（１）において、
ｎ１が０、ｎ２が１、環Ａ１が１，４−シクロヘキシレン、ＺａとＺｂがともに単結合、Ａが（ｃ）である化合物である。
式（１−Ｎ）で表される化合物は、一般式（１）において、
ｎ１とｎ２がともに０、Ｚａが単結合、Ｚｂが−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、Ａが（ａ）である化合物である。
【００５６】
式（１−Ｏ）で表される化合物は、一般式（１）において、
ｎ１が０、ｎ２が１、環Ａ１が置換あるいは無置換の１，４−フェニレン、ＺａとＺｂがともに単結合、Ａが（ｃ）である化合物である。
式（１−Ｐ）で表される化合物は、一般式（１）において、
ｎ１が０、ｎ２が１、環Ａ１が置換あるいは無置換の１，４−フェニレン、Ｚａが単結合、Ｚｂが−ＣＯＯ−あるいは−ＣＦ２Ｏ−、Ａが（ｂ）である化合物である。
【００５７】
式（１−Ｑ）で表される化合物は、一般式（１）において、
ｎ１が０、ｎ２が１、環Ａ１が置換あるいは無置換の１，４−フェニレン、Ｚａが単結合、Ｚｂが−ＣＯＯ−あるいは−ＣＦ２Ｏ−、Ａが（ａ）である化合物である。
式（１−Ｒ）で表される化合物は、一般式（１）において、
ｎ１が１、ｎ２が０、環Ａ０が置換あるいは無置換の１，４−フェニレン、ＺａとＺｂがともに単結合、Ａが（ａ）である化合物である。
式（１−Ｓ）で表される化合物は、一般式（１）において、
ｎ１とｎ２がともに０、Ｚａが単結合、Ｚｂが−ＣＯＯ−または−ＣＦ２Ｏ−、Ａが（ａ）である化合物である。
【００５８】
ただしＲ、Ｑ１、Ｑ２およびＹは前述と同様の意味を示し、Ｑ３およびＱ４はそれぞれに独立して水素原子またはフッ素原子を示し、Ｚｃ１〜Ｚｃ３はそれぞれ単結合または−ＣＨ２ＣＨ２−を示し、Ｚｄは−ＣＦ２Ｏ−または−ＣＯＯ−を示す。
ここで好ましい化合物の一般式（１−Ａ）〜（１−Ｓ）について、その特性を説明する。まずこれらすべてを総括すると、電圧保持率に関しては、一般式（１−Ｏ）、（１−Ｐ）および（１−Ｓ）においてＺｄが−ＣＯＯ−である化合物が他の本発明の化合物に比し若干劣るが、これでも従来のジオキサン環の２位にベンゼン環が結合し、かつ−ＣＯＯ−を有する化合物に比して電圧保持率は高い。またその他の化合物はすべて同様に高い電圧保持率を有する。また本発明の化合物はいずれも特異的に大きなΔεを有するので低電圧駆動を可能にする。
【００５９】
以下、電圧保持率およびΔε以外の特性について説明する。
一般式（１−Ａ）で表される化合物は極めて低粘性であり、相溶性は極めて良好である。本化合物は高速応答用液晶材料および低温でも表示可能な液晶材料の構成成分として有用である。
一般式（１−Ｂ）で表される化合物は透明点が高く、低粘性である。
【００６０】
一般式（１−Ｃ）、（１−Ｄ）で表される化合物は比較的透明点が高く、相溶性に優れる。
一般式（１−Ｂ）〜（１−Ｄ）で表される化合物は、透明点の高さ、粘性および相溶性のバランスに優れる化合物群である。
一般式（１−Ｅ）で表される化合物は比較的低粘性で、大きなΔｎを有する。この化合物を用いることにより、液晶組成物のΔｎの値を容易に要求値に調整でき、かつ低電圧駆動も可能となる。
【００６１】
一般式（１−Ｆ）〜（１−Ｈ）で表される化合物は非常に高い透明点を有するので、高温での表示が可能な液晶材料の構成成分として有用である。
一般式（１−Ｉ）〜（１−Ｋ）および（１−Ｒ）で表される化合物は高い透明点と大きなΔｎを有する。特に（１−Ｋ）のΔｎは非常に大きい。これらの化合物群も、高温での表示が可能な液晶材料の構成成分として有用である。
【００６２】
一般式（１−Ｌ）〜（１−Ｏ）で表される化合物はいずれも連結基−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−を有するが、この化合物群は相溶性に優れる。
一般式（１−Ｐ）、（１−Ｑ）、および（１−Ｓ）で表される化合物で、Ｚｄが−ＣＯＯ−であるものは高い透明点を有し、−ＣＦ２Ｏ−であるものは低粘性を有する。
本発明の化合物ほど電圧保持率が高くかつΔεが大きい化合物はこれまでに例がない。
【００６３】
本発明の化合物は、上記の特長を有するので特に高い電圧保持率が必要な液晶表示素子においての低電圧駆動をより容易にするものである。
本発明の化合物は特にＴＦＴ用液晶組成物に好適な液晶性化合物であるが、他の用途にも好適に活用できる。例えばＴＮ用液晶組成物、ゲストホストモ−ド用の液晶組成物、ポリマ−分散型液晶表示素子用の液晶組成物、動的散乱モ−ド用の液晶組成物、ＳＴＮ用の液晶組成物、強誘電性液晶組成物、反強誘電性液晶組成物、インプレーンスイッチング用の液晶組成物、ＯＣＢモード用の液晶組成物、Ｒ−ＯＣＢモード用の液晶組成物である。
【００６４】
本発明において液晶性化合物とは液晶相を有する化合物または、他の液晶と混合しても液晶相を損なわない化合物の総称である。
本発明の液晶組成物は一般式（１）で表される化合物の１種類以上を０．１〜９９．９重量％、好ましくは１〜５０重量％、より好ましくは３〜２０重量％含有することが、優良な特性を発現するために好ましい。
【００６５】
本発明で提供される液晶組成物は、一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種類含有する第一成分に加え、液晶組成物の目的に応じて一般式（２）〜（９）で表される化合物群から任意に選択される化合物を混合し完成する。
一般式（２）〜（４）で表される化合物として、好ましくは以下の化合物を挙げることができる。
（Ｒ3、Ｙ1は前記と同一の意味を示す。）
【００６６】
【化２２】
【００６７】
【化２３】
【００６８】
【化２４】
【００６９】
【化２５】
【００７０】
【化２６】
【００７１】
【化２７】
【００７２】
【化２８】
【００７３】
【化２９】
【００７４】
【化３０】
【００７５】
一般式（２）〜（４）で表される化合物は誘電率異方性値が正でありまた、熱的安定性や化学的安定性に優れており、電圧保持率が高い（あるいは比抵抗値が大きい）といった高信頼性が要求されるＴＦＴ用の液晶組成物を調製する場合には有用な化合物である。
一般式（２）〜（４）で表される化合物の使用量は、ＴＦＴ用の液晶組成物を調製する場合、液晶組成物の全重量に対して１〜９９重量％の範囲で任意に使用できるが、好ましくは１０〜９７重量％、より好ましくは４０〜９５重量％である。また、その際には一般式（７）〜（９）で表される化合物を含有してもよい。ＳＴＮ表示方式用あるいはＴＮ表示方式用の液晶組成物を調製する場合にも一般式（２）〜（４）で表される化合物を使用できる。
【００７６】
一般式（５）、（６）で表される化合物として、好ましくは以下の化合物を挙げることができる。（Ｒ4、Ｒ5、Ｙ2は前記と同一の意味を示す。）
【００７７】
【化３０】
【００７８】
【化３１】
【００７９】
【化３２】
【００８０】
【化３３】
【００８１】
【化３４】
【００８２】
一般式（５）、（６）で表される化合物は誘電率異方性値が正でその値が大きく、特にしきい値電圧を小さくする目的で使用される。また、屈折率異方性値の調整、透明点を高くする等のネマチックレンジを広げる目的にも使用される。さらに、ＳＴＮ表示方式用およびＴＮ表示方式用の液晶組成物の「透過率−電圧曲線」の急峻性を改良する目的にも使用される。
【００８３】
一般式（５）、（６）で表される化合物は、特にＳＴＮ表示方式およびＴＮ表示方式用の液晶組成物を調製する場合には有用な化合物である。
一般式（５）、（６）で表される化合物の使用量を増加させると、液晶組成物のしきい値電圧が小さくなり、粘度が上昇する。したがって、液晶組成物の粘度が要求特性を満足する限り多量に使用した方が低電圧駆動できるので有利である。一般式（５）、（６）で表される化合物の使用量は、ＳＴＮ表示方式用またはＴＮ表示方式用の液晶組成物を調製する場合には０．１〜９９．９重量％の範囲で任意に使用できるが、１０〜９７重量％、より好ましくは４０〜９５重量％である。
【００８４】
一般式（７）〜（９）で表される化合物として、好ましくは以下の化合物を挙げることができる。（Ｒ6、Ｒ7は前記と同一の意味を示す。）
【００８５】
【化３５】
【００８６】
【化３６】
【００８７】
【化３７】
【００８８】
一般式（７）〜（９）で表される化合物は、誘電率異方性の絶対値が小さく、ゼロに近い化合物である。一般式（７）で表される化合物は主として粘度調整または屈折率異方性値の調整の目的で使用される。また、一般式（８）および（９）で表される化合物は透明点を高くする等のネマチックレンジを広げる目的または屈折率異方性値の調整の目的で使用される。
【００８９】
一般式（７）〜（９）で表される化合物の使用量を増加させると液晶組成物のしきい値電圧が大きくなるが、粘度が小さくなる。したがって、液晶組成物のしきい値電圧が要求値を満足している限り、多量に使用することが望ましい。一般式（７）〜（９）で表される化合物の使用量は、ＴＦＴ表示方式用の液晶組成物を調製する場合には４０重量％以下、より好ましくは３５重量％以下が好適である。また、ＳＴＮ表示方用式またはＴＮ表示方式用の液晶組成物を調製する場合には７０重量％以下、より好ましくは６０重量％以下である。
【００９０】
また、本発明では、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード用液晶組成物等の特別な場合を除き、通常、液晶組成物のらせん構造を誘起して必要なねじれ角を調整し、逆ねじれ（ｒｅｖｅｒｓｅ ｔｗｉｓｔ）を防ぐ目的で、光学活性化合物を添加する。本発明の液晶組成物には、このような目的で使用される公知化のいずれの光学活性化合物も使用することができるが、好ましくは以下の光学活性化合物（Ｏｐ−１）〜（Ｏｐ−８）を挙げることができる。
【００９１】
【化３８】
【００９２】
本発明の液晶組成物は、通常、これらの光学活性化合物を添加して、ねじれのピッチ（ｐｉｔｃｈ）を調整する。ねじれのピッチは、ＴＦＴ用およびＴＮ用の液晶組成物であれば４０〜２００μｍの範囲に調整するのが好ましい。ＳＴＮ用の液晶組成物であれば６〜２０μｍの範囲に調整するのが好ましい。また、双安定ＴＮ（Ｂｉｓｔａｂｌｅ ＴＮ）モード用の場合は、１．５〜４μｍの範囲に調整するのが好ましい。また、ピッチの温度依存性を調整する目的で、２種以上の光学活性化合物を添加しても良い。
【００９３】
本発明に従い調製される液晶組成物は、慣用な方法で調製される。一般には、種々の成分を高い温度で互いに溶解させる方法がとられている。
【００９４】
また、本発明の液晶組成物は、メロシアニン系、スチリル系、アゾ系、アゾメチン系、アゾキシ系、キノフタロン系、アントラキノン系、およびテトラジン系等の二色性色素を添加してゲストホスト（ＧＨ）モード用の液晶組成物としても使用できる。あるいは、ネマチック液晶をマイクロカプセル化して作製したＮＣＡＰや液晶中に三次元網目状高分子を作製したポリマーネットワーク液晶表示素子（ＰＮＬＣＤ）に代表されるポリマー分散型液晶表示素子（ＰＤＬＣＤ）用の液晶組成物としても使用できる。その他、複屈折制御（ＥＣＢ）モードや動的散乱（ＤＳ）モード用の液晶組成物としても使用できる。
【００９５】
一般式（１）で表される化合物は、いずれも公知の文献、例えば第４版実験化学講座（丸善）、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，４２，１８２１（１９７７）、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｐｅｒｋｉｎ Ｔｒａｎｓ．２，２０４１（１９８９）に記載されているような公知の方法によって製造することができる。
ここに代表的化合物の好ましい合成手順を示す。
一般式（１−Ａ）で表される化合物の合成法。
【００９６】
【化３９】
【００９７】
ジエチルホスホノ酢酸エチルに水素化ナトリウムを作用させた溶液にベンズアルデヒド誘導体（２３）を作用させて化合物（２４）を得る。化合物（２４）を０価のパラジウムなどを触媒として水素添加し、得られたエステル誘導体（２５）をジイソブチルアルミニウムヒドリド（以下ＤＩＢＡＬと略す）を用いて還元しアルデヒド誘導体（２６）を得る。このアルデヒド誘導体（２６）と２−アルキル−１、３−プロパンジオ−ルとをパラ−トルエンスルホン酸（以下ＰＴＳと略す）あるいは酸性イオン交換樹脂（アンバーリストＲ）などの酸性触媒存在下、生成する水を除去しながら加熱還流して一般式（１−Ａ）で表される化合物を得ることができる。
一般式（１−Ｂ）で表される化合物の合成法。
【００９８】
【化４０】
【００９９】
グリニヤール試薬（２７）にシクロヘキサンジオンモノエチレンケタール（２８）を作用させて３級アルコール（２９）を得る。これを脱水、水素添加し次いで酸性条件下で、脱保護するとシクロヘキサノン誘導体（３１）を得る。これにメトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロリドを作用させ、次いで酸性条件下で脱保護して、アルデヒド誘導体（３２）を得る。これに酸性条件下で２−アルキル−１、３−プロパンジオ−ルを作用させて一般式（１−Ｂ）で表される化合物を得ることができる。
一般式（１−Ｃ）で表される化合物の合成法。
【０１００】
【化４１】
【０１０１】
アルデヒド誘導体（２３）を（３２）に代える以外は一般式（１−Ａ）で表される化合物を合成するのと同様にして一般式（１−Ｃ）で表される化合物を得ることができる。
一般式（１−Ｄ）で表される化合物の合成法。
【０１０２】
【化４２】
【０１０３】
グリニヤール試薬（２７）を（３４）に代える以外は一般式（１−Ｂ）で表される化合物を合成するのと同様にして一般式（１−Ｄ）で表される化合物を得ることができる。
一般式（１−Ｅ）で表される化合物の合成法。
【０１０４】
【化４３】
【０１０５】
一般式（１−Ａ）においてＹが水素原子である化合物（３５）を合成する。化合物（３５）にブチルリチウムを作用させてリチオ化し、このリチオ化物に塩化亜鉛、Ｐｄ（０）および化合物（３６）をこの順に作用させて一般式（１−Ｅ）で表される化合物を得ることができる。この方法はＪ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，４２，１８２１（１９７７）に記載されている方法を適用したものである。またＪ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｐｅｒｋｉｎ Ｔｒａｎｓ．２，２０４１（１９８９）に記載の方法も適用できる。
一般式（１−Ｌ）で表される化合物の合成法。
【０１０６】
【化４４】
【０１０７】
アルデヒド誘導体（２３）を（２６）に代える以外は一般式（１−Ａ）で表される化合物を合成するのと同様にして一般式（１−Ｌ）で表される化合物を得ることができる。
一般式（１−Ｍ）で表される化合物の合成法。
【０１０８】
【化４５】
【０１０９】
アルデヒド誘導体（２３）を（３３）に代える以外は一般式（１−Ａ）で表される化合物を合成するのと同様にして一般式（１−Ｍ）で表される化合物を得ることができる。
一般式（１−Ｎ）で表される化合物の合成法。
【０１１０】
【化４６】
【０１１１】
１，３−ジオキサン−２−イルエチルトリフェニルホスホニウムブロミドとカリウム−ｔ−ブトキシドなどの塩基から調製したイリドにアルデヒド誘導体（２３）を作用させ、得られた生成物を水素添加した後、酸により脱保護してアルデヒド誘導体（４０）を得る。これに水素化ホウ素ナトリウムなどの還元剤を作用させ、得られたアルコール誘導体を臭化水素酸などにより臭素化し化合物（４１）を得、次いでマグネシウムを作用させてグリニヤール試薬（４２）を調製する。グリニヤール試薬（２７）を（４２）に代える以外は一般式（１−Ｂ）で表される化合物を合成するのと同様にして一般式（１−Ｎ）で表される化合物を得ることができる。
一般式（１−Ｏ）で表される化合物の合成法。
【０１１２】
【化４７】
【０１１３】
一般式（１−Ｌ）においてＹが水素原子である化合物（４３）を合成する。化合物（３５）を（４３）に代える以外は一般式（１−Ｅ）で表される化合物を合成するのと同様にして一般式（１−Ｏ）で表される化合物を得ることができる。
一般式（１−Ｐ）で表される化合物の合成法。
【０１１４】
【化４８】
【０１１５】
化合物（３５）にブチルリチウムを作用させてリチオ化し、このリチオ化物に、第４版実験化学講座（丸善）２２巻の１６頁に記載されているように、二酸化炭素を作用させることで、カルボン酸誘導体（４４）を得ることができる。このカルボン酸誘導体（４４）に、同実験化学講座２２巻の４６頁に記載されている方法を用いて、４−ジメチルアミノピリジンと１、３−ジシクロヘキシルカルボジイミド（以下ＤＣＣと略す）の共存下に、フェノール誘導体（４５）を作用させてエステル体（４６）を得ることができる。これは一般式（１−Ｐ）おいてＺｄが−ＣＯＯ−である化合物である。
【０１１６】
【化４９】
【０１１７】
Ｂｕｌｌ．Ｓｏｃ．Ｃｈｉｍ．Ｂｅｌｇ．，８７，２９３（１９７８）に記載されているようにエステル体（４６）にローソン試薬を作用させ、得られたチオンエステル（４７）に塩化メチレンあるいはグライム溶媒中、ジエチルアミノサルファートリフルオリド（以下ＤＡＳＴと略す）を作用させるか、特開平６−２６３６７９号に記載されているように塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン中で二水素三フッ化テトラブチルアンモニウム（以下ＴＢＡＨ２Ｆ３と略す）とＮ−ヨウ化こはく酸イミド（以下ＮＩＳと略す）とを作用させてジフルオロメチルエーテル（４８）を得ることができる。これは一般式（１−Ｐ）おいてＺｄが−ＣＦ２Ｏ−である化合物である。
【０１１８】
【化５０】
【０１１９】
Ｈｅｌｖ．Ｃｈｉｍ．Ａｃｔａ．，２７，７９３（１９４４）に記載されている方法を用いてペンタン−１，３，３，５−テトラカルボン酸テトラエチルエステル（４９）からシクロヘキサノン−４−カルボン酸エチルエステル（５０）を合成することができる。あるいはシクロヘキサンジオンモノエチレンケタールにメトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロリドを作用させ、次いで酸性条件下で脱保護して、アルデヒド誘導体（５１）を得る。これを第４版実験化学講座（丸善）２２巻の３〜４頁に記載されている方法を用いて酸化し、カルボン酸誘導体（５２）とし、次いでこれを第４版実験化学講座（丸善）２２巻の４４〜４７頁に記載されている方法を用いてエステル化し、化合物（５０）を合成することもできる。これにメトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロリドを作用させ、次いで酸性条件下で脱保護して、アルデヒド誘導体（５３）を得る。化合物（２６）を化合物（５３）に代える以外は一般式（１−Ａ）で表される化合物を合成するのと同様にして化合物（５４）を得ることができる。これを第４版実験化学講座（丸善）２２巻の８〜１１頁に記載されているアルカリ性条件下あるいは中性条件下での加水分解の方法を用いて化合物（５５）を合成し、次いで第４版実験化学講座（丸善）２２巻の４５〜４７頁に記載されている方法を用いてエステル化して化合物（５６）を合成するができる。これは一般式（１−Ｓ）おいてＺｄが−ＣＯＯ−である化合物である。
化合物（４６）を化合物（５６）に代える以外は化合物（４８）を得る方法と同様にして一般式（１−Ｓ）おいてＺｄが−ＣＦ２Ｏ−である化合物を得ることができる。
【０１２０】
４環化合物である一般式（１−Ｆ）〜（１−Ｋ）および（１−Ｑ）、（１−Ｒ）で表される化合物は上記３環化合物の合成法を活用し容易に製造できる。
本発明中の１−シラ−１，４−シクロヘキシレン基および４−シラ−１、４−シクロヘキシレン基を有する化合物は公開特許公報平７−７０１４８に記載の方法を適用することにより製造できる。
さらに本発明化合物を含有する液晶組成物の例として以下の組成物例（組成物例１〜４９）を示すことができる。なお、各組成物例中において、化合物の表示は下記表１に示す取り決めに従い、左末端基、結合基、環構造および右末端基の各欄に示された基を記号の欄に示されたそれに対応させることにより行った。また、例えば、下記の部分構造式において、トランスー１，４−シクロヘキシレンおよびトランス，トランス−ビシクロヘキサン−４，４’−ジイルの水素原子が、Ｊ１、Ｊ２，Ｊ３の位置で置換された場合には、記号Ｈ［１Ｄ，２Ｄ，３Ｄ］とし、またＪ５、Ｊ６、Ｊ７の位置で重水素原子によって置換された場合は、記号Ｈ［５Ｄ，６Ｄ，７Ｄ］として［ ］内の番号で重水素置換位置を示した。
【０１２１】
【化５１】
【０１２２】
本発明化合物に付した化合物Ｎｏ．は後述の実施例中に示されるそれと同一であり、化合物の含有量は特に規定のない限り重量％を意味する。
また、使用例の特性デ−タは、ＴＮＩ（ネマチック−等方性液体転移温度または透明点）、η（粘度：測定温度２０．０℃）、Δｎ（屈折率異方性：測定温度２５．０℃）、Δε１（誘電率異方性値：測定温度２５．０℃）およびＶｔｈ（しきい値電圧：測定温度２５．０℃）により示した。
【０１２３】
【表１】
【０１２４】
組成物例１
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（化合物Ｎｏ．２１） ３．０％
３−Ｄ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．９８） ３．０％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ
５．０％
３−ＨＢ−Ｃ ２５．０％
１−ＢＴＢ−３ ５．０％
２−ＢＴＢ−１
１０．０％
３−ＨＨ−４
１１．０％
３−ＨＨＢ−１
５．０％
３−ＨＨＢ−３
９．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２
４．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３
４．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４
４．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２
６．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３
６．０％
Ｏｐ−４
０．８部
ＴＮＩ＝８３．５（℃）
η＝１７．５（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１５９
Δε１＝８．１
Ｖｔｈ＝１．９８（Ｖ）
Ｐ＝１１μｍ
【０１２５】
組成物例２
３−Ｄ２Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．１１） ２．０％
３−Ｄ４Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．２６１） ２．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＣＬ
（化合物Ｎｏ．１７５） ４．０％
Ｖ２−ＨＢ−Ｃ １０．０％
１Ｖ２−ＨＢ−Ｃ １０．０％
３−ＨＢ−Ｃ
１１．０％
３−Ｈ［１Ｄ，２Ｄ，３Ｄ］Ｂ−Ｃ
９．０％
３−ＨＢ（Ｆ）−Ｃ
５．０％
２−ＢＴＢ−１ ２．０％
３−ＨＨ−４ ８．０％
３−ＨＨ−ＶＦＦ
６．０％
２−Ｈ［１Ｄ，２Ｄ，３Ｄ］ＨＢ−Ｃ
３．０％
３−ＨＨＢ−Ｃ
６．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２
８．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２
５．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３
５．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４
４．０％
ＴＮＩ＝８９．２（℃）
η＝１９．０（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１５１
Δε１＝８．８
Ｖｔｈ＝１．９８（Ｖ）
【０１２６】
組成物例３
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３（化合物Ｎｏ．２２） ５．０％
２Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ５．０％
３Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ １５．０％
４Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ １３．０％
５Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ １０．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｃ
１５．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｃ
１５．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２
４．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３
４．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−４
４．０％
３−ＨＨＢ−１
６．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１
４．０％
ＴＮＩ＝９２．６（℃）
η＝８６．５（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１４８
Δε１＝３１．２
Ｖｔｈ＝０．８６（Ｖ）
【０１２７】
組成物例４
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （化合物Ｎｏ．２１） ３．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３（化合物Ｎｏ．２２） ３．０％
５−ＰｙＢ−Ｆ
４．０％
３−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ
４．０％
２−ＢＢ−Ｃ
５．０％
４−ＢＢ−Ｃ
４．０％
５−ＢＢ−Ｃ
５．０％
２−ＰｙＢ−２
２．０％
３−ＰｙＢ−２
２．０％
４−ＰｙＢ−２
２．０％
６−ＰｙＢ−Ｏ５
３．０％
６−ＰｙＢ−Ｏ６
３．０％
６−ＰｙＢ−Ｏ７
３．０％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ
６．０％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ
６．０％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ
３．０％
３−ＨＨＢ−１
６．０％
３−ＨＨＢ−３
８．０％
２−Ｈ２ＢＴＢ−２
４．０％
２−Ｈ２ＢＴＢ−３
４．０％
２−Ｈ２ＢＴＢ−４
５．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２
５．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３
５．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４
５．０％
ＴＮＩ＝９１．７（℃）
η＝３５．１（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１９５
Δε１＝７．６
Ｖｔｈ＝２．１９（Ｖ）
【０１２８】
組成物例５
３−Ｄ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．９８） ５．０％
３−Ｄ２Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．１１） ３．０％
３−Ｄ４Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．２６１） ２．０％
３−ＤＢ−Ｃ
８．０％
４−ＤＢ−Ｃ
５．０％
２−ＢＥＢ−Ｃ
１２．０％
３−ＢＥＢ−Ｃ
４．０％
３−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ
３．０％
３−ＨＥＢ−Ｏ４
８．０％
４−ＨＥＢ−Ｏ２
６．０％
５−ＨＥＢ−Ｏ１
６．０％
３−ＨＥＢ−Ｏ２
５．０％
５−ＨＥＢ−Ｏ２
４．０％
５−ＨＥＢ−５
５．０％
４−ＨＥＢ−５
５．０％
１Ｏ−ＢＥＢ−２
４．０％
３−ＨＨＢ−１
６．０％
３−ＨＨＥＢＢ−Ｃ
３．０％
３−ＨＢＥＢＢ−Ｃ
３．０％
５−ＨＢＥＢＢ−Ｃ
３．０％
ＴＮＩ＝６７．４（℃）
η＝３９．９（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１１９
Δε１＝１１．１
Ｖｔｈ＝１．３７（Ｖ）
【０１２９】
組成物例６
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（化合物Ｎｏ．２１） ３．０％
３−Ｄ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．９８） ３．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２２） ３．０％
３−ＨＢ−Ｃ
１３．０％
７−ＨＢ−Ｃ
３．０％
１Ｏ１−ＨＢ−Ｃ
６．０％
３−ＨＢ（Ｆ）−Ｃ
１０．０％
２−ＰｙＢ−２
２．０％
３−ＰｙＢ−２
２．０％
４−ＰｙＢ−２
２．０％
１Ｏ１−ＨＨ−３
７．０％
２−ＢＴＢ−Ｏ１
７．０％
３−ＨＨＢ−１
７．０％
３−ＨＨＢ−Ｆ
４．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１
４．０％
３−ＨＨＢ−３
８．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２
３．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３
３．０％
２−ＰｙＢＨ−３
４．０％
３−ＰｙＢＨ−３
３．０％
３−ＰｙＢＢ−２
３．０％
ＴＮＩ＝７９．６（℃）
η＝２１．１（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１３７
Δε１＝８．５
Ｖｔｈ＝１．６８（Ｖ）
【０１３０】
組成物例７
３−Ｄ２Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．１１） ４．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２２） ５．０％
２Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ
５．０％
３Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ
１０．０％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ
１０．０％
３−ＨＨ−ＥＭｅ
１０．０％
３−ＨＢ−Ｏ２
１８．０％
７−ＨＥＢ−Ｆ
２．０％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ
２．０％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ
２．０％
３−ＨＢＥＢ−Ｆ
４．０％
２Ｏ１−ＨＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ
２．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＥＢ（Ｆ）−Ｃ
２．０％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ
２．０％
３−ＨＨＢ−Ｆ
４．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１
４．０％
３−ＨＨＢ−３
１０．０％
３−ＨＥＢＥＢ−Ｆ
２．０％
３−ＨＥＢＥＢ−１
２．０％
ＴＮＩ＝７４．５（℃）
η＝３３．７（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１１０
Δε１＝２２．９
Ｖｔｈ＝１．０１（Ｖ）
【０１３１】
組成物例８
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（化合物Ｎｏ．２１） ３．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＣＬ
（化合物Ｎｏ．１７５） ３．０％
５−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ
５．０％
Ｖ−ＨＢ−Ｃ
１１．０％
５−ＰｙＢ−Ｃ
６．０％
４−ＢＢ−３
１１．０％
３−ＨＨ−２Ｖ
１０．０％
５−ＨＨ−Ｖ
８．０％
Ｖ−ＨＨＢ−１
７．０％
Ｖ２−ＨＨＢ−１
１５．０％
３−ＨＨＢ−１
９．０％
１Ｖ２−ＨＢＢ−２
７．０％
３−ＨＨＥＢＨ−３
５．０％
ＴＮＩ＝９１．０（℃）
η＝１９．２（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１１６
Δε１＝６．１
Ｖｔｈ＝２．１９（Ｖ）
【０１３２】
組成物例９
３−Ｄ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．９８） ５．０％
３−Ｄ２Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．１１） ２．０％
３−Ｄ４Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．２６１） ３．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＣＬ
（化合物Ｎｏ．１７５） ５．０％
２Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ
５．０％
３Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ
８．０％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ
１６．０％
３−ＨＢ−Ｏ２
１０．０％
３−ＨＨ−４
３．０％
３−ＨＨＢ−Ｆ
３．０％
３−ＨＨＢ−１
５．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１
４．０％
３−ＨＢＥＢ−Ｆ
４．０％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ
７．０％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ
７．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３
４．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４
４．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２
５．０％
ＴＮＩ＝８７．５（℃）
η＝４１．７（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１３３
Δε１＝２８．２
Ｖｔｈ＝１．０２（Ｖ）
【０１３３】
組成物例１０
３−Ｄ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．９８） ５．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２２） ５．０％
２−ＢＥＢ−Ｃ
１２．０％
４−ＢＥＢ−Ｃ
６．０％
３−ＨＢ−Ｃ
２２．０％
３−ＨＥＢ−Ｏ４
１２．０％
４−ＨＥＢ−Ｏ２
８．０％
５−ＨＥＢ−Ｏ１
８．０％
３−ＨＥＢ−Ｏ２
６．０％
５−ＨＥＢ−Ｏ２
５．０％
３−ＨＨＢ−１
７．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１
４．０％
ＴＮＩ＝６１．５（℃）
η＝２９．０（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１０７
Δε１＝１０．３
Ｖｔｈ＝１．３２（Ｖ）
【０１３４】
組成物例１１
３−Ｄ４Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．２６１） ４．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＣＬ
（化合物Ｎｏ．１７５） ４．０％
２−ＢＥＢ−Ｃ
１０．０％
５−ＢＢ−Ｃ
８．０％
７−ＢＢ−Ｃ
７．０％
１−ＢＴＢ−３
７．０％
２−ＢＴＢ−１
１０．０％
１Ｏ−ＢＥＢ−２
１０．０％
１Ｏ−ＢＥＢ−５
１２．０％
２−ＨＨＢ−１
４．０％
３−ＨＨＢ−Ｆ
４．０％
３−ＨＨＢ−１
７．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１
４．０％
３−ＨＨＢ−３
９．０％
ＴＮＩ＝６４．９（℃）
η＝２０．８（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１５５
Δε１＝６．９
Ｖｔｈ＝１．７２（Ｖ）
【０１３５】
組成物例１２
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（化合物Ｎｏ．２１） ５．０％
３−Ｄ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．９８） ５．０％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ
６．０％
３−ＨＢ−Ｃ １０．０％
Ｖ２Ｖ−ＨＢ−Ｃ
１４．０％
Ｖ２Ｖ−ＨＨ−３
１９．０％
３−ＨＢ−Ｏ２
４．０％
３−ＨＨＢ−１
７．０％
３−ＨＨＢ−３
１０．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２
４．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３
４．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２
４．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３
４．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４
４．０％
ＴＮＩ＝９２．６（℃）
η＝２１．４（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１２６
Δε１＝８．９
Ｖｔｈ＝１．９７（Ｖ）
【０１３６】
組成物例１３
３−Ｄ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．９８） ５．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２２） ５．０％
５−ＢＴＢ（Ｆ）ＴＢ−３
１０．０％
Ｖ２−ＨＢ−ＴＣ
１０．０％
３−ＨＢ−ＴＣ
１０．０％
３−ＨＢ−Ｃ １０．０％
５−ＨＢ−Ｃ
７．０％
５−ＢＢ−Ｃ
３．０％
２−ＢＴＢ−１
１０．０％
２−ＢＴＢ−Ｏ１
５．０％
３−ＨＨ−４
５．０％
３−ＨＨＢ−３
１１．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２
３．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３
３．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２
３．０％
ＴＮＩ＝８９．４（℃）
η＝１８．６（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．２０１
Δε１＝８．７
Ｖｔｈ＝１．８１（Ｖ）
【０１３７】
組成物例１４
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（化合物Ｎｏ．２１） ３．０％
３−Ｄ４Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．２６１） ３．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＣＬ
（化合物Ｎｏ．１７５） ３．０％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ
６．０％
３−ＨＢ−Ｃ １８．０％
２−ＢＴＢ−１
１０．０％
５−ＨＨ−ＶＦＦ
２５．０％
１−ＢＨＨ−ＶＦＦ
８．０％
１−ＢＨＨ−２ＶＦＦ
１１．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２
５．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３
４．０％
３−ＨＨＢ−１
４．０％
ＴＮＩ＝７７．６（℃）
η＝１５．６（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１２５
Δε１＝７．９
Ｖｔｈ＝１．９０（Ｖ）
【０１３８】
組成物例１５
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（化合物Ｎｏ．２１） ４．０％
３−Ｄ２Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．１１） ４．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２２） ４．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＣＬ
（化合物Ｎｏ．１７５） ４．０％
２−ＨＢ−Ｃ ５．０％
３−ＨＢ−Ｃ ７．０％
３−ＨＢ−Ｏ２
１５．０％
２−ＢＴＢ−１
３．０％
３−ＨＨＢ−１
８．０％
３−ＨＨＢ−Ｆ
４．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１ ５．０％
３−ＨＨＢ−３
１４．０％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ
４．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
７．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
７．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５．０％
ＴＮＩ＝８６．６（℃）
η＝２３．９（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．０９２
Δε１＝６．９
Ｖｔｈ＝２．１２（Ｖ）
【０１３９】
組成物例１６
３−Ｄ２Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．１１） ５．０％
３−Ｄ４Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．２６１） ５．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（化合物Ｎｏ．２１） １０．０％
３−Ｄ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．９８） １０．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２２） １０．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＣＬ
（化合物Ｎｏ．１７５） ５．０％
２Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ５．０％
３Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ
１２．０％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ
７．０％
３−ＨＢ−Ｏ２
１０．０％
３−ＨＨＢ−Ｆ
３．０％
３−ＨＢＥＢ−Ｆ
４．０％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ
７．０％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ
７．０％
ＴＮＩ＝５７．８（℃）
η＝５０．４（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．０９５
Δε１＝２８．９
Ｖｔｈ＝０．９８（Ｖ）
【０１４０】
組成物例１７
３−Ｄ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．９８） ５．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２２） ５．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
１７．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
１７．０％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
１６．０％
２−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ
６．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ
５．０％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ
１０．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
６．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
１３．０％
Ｏｐ−８
０．３部
ＴＮＩ＝９８．６（℃）
η＝２８．３（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．０９４
Δε１＝６．８
Ｖｔｈ＝１．９９（Ｖ）
Ｐ＝７９μｍ
【０１４１】
組成物例１８
３−Ｄ２Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．１１） ４．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２２） ４．０％
７−ＨＢ（Ｆ）−Ｆ
３．０％
５−Ｈ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ
３．０％
３−ＨＢ−Ｏ２
１０．０％
３−ＨＨ−４
２．０％
３−ＨＨ［５Ｄ，６Ｄ，７Ｄ］−４
３．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
６．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
１０．０％
５−ＨＨ［５Ｄ，６Ｄ，７Ｄ］Ｂ（Ｆ）−Ｆ １０．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ
５．０％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
３．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
３．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
６．０％
２−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ
５．０％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ
６．０％
３−ＨＨＢ−１
８．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１
５．０％
３−ＨＨＢ−３
４．０％
ＴＮＩ＝８８．４（℃）
η＝１９．３（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．０９４
Δε１＝４．０
Ｖｔｈ＝２．５０（Ｖ）
【０１４２】
組成物例１９
３−Ｄ２Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．１１） ５．０％
３−Ｄ４Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．２６１） ５．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＣＬ
（化合物Ｎｏ．１７５） ４．０％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
３．０％
３−ＨＢ−Ｏ２
７．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
１０．０％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
１０．０％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
９．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
９．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
１６．０％
２−ＨＢＢ−Ｆ
４．０％
３−ＨＢＢ−Ｆ
４．０％
５−ＨＢＢ−Ｆ
３．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
５．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
６．０％
ＴＮＩ＝７８．８（℃）
η＝２４．３（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１１１
Δε１＝６．６
Ｖｔｈ＝１．９０（Ｖ）
【０１４３】
組成物例２０
３−Ｄ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．９８） ５．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＣＬ
（化合物Ｎｏ．１７５） ３．０％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
３．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１２．０％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
５．０％
４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
５．０％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
７．０％
５−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１２．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１２．０％
３−ＨＢＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
６．０％
ＴＮＩ＝７１．８（℃）
η＝２８．９（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．０８９
Δε１＝１０．０
Ｖｔｈ＝１．４６（Ｖ）
【０１４４】
組成物例２１
３−Ｄ４Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．２６１） ５．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２２） ５．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＣＬ
（化合物Ｎｏ．１７５） ５．０％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
５．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１２．０％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
３．０％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
３．０％
２−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
３．０％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
５．０％
５−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３．０％
３−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
５．０％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
６．０％
ＴＮＩ＝７６．６（℃）
η＝３６．０（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．０８８
Δε１＝１３．７
Ｖｔｈ＝１．２６（Ｖ）
【０１４５】
組成物例２２
３−Ｄ２Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．１１） ５．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＣＬ
（化合物Ｎｏ．１７５） ５．０％
３−ＨＢ−ＣＬ
１０．０％
５−ＨＢ−ＣＬ
４．０％
７−ＨＢ−ＣＬ
４．０％
１Ｏ１−ＨＨ−５
５．０％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
３．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
８．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
１４．０％
４−ＨＨＢ−ＣＬ
８．０％
５−ＨＨＢ−ＣＬ
３．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−ＣＬ
４．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
５−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
９．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＶＢ−２
４．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＶＢ−３
４．０％
ＴＮＩ＝８７．４（℃）
η＝２１．３（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１２６
Δε１＝５．９
Ｖｔｈ＝２．１８（Ｖ）
【０１４６】
組成物例２３
３−Ｄ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．９８） ７．０％
３−Ｄ２Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．１１） ５．０％
３−Ｄ４Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．２６１） ５．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２２） ８．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＣＬ
（化合物Ｎｏ．１７５） ５．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
９．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
８．０％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
８．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１３．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
３．０％
５−ＨＨＥＢＢ−Ｆ
２．０％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
３．０％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−４
４．０％
ＴＮＩ＝８２．４（℃）
η＝３７．５（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１０５
Δε１＝１２．２
Ｖｔｈ＝１．４４（Ｖ）
【０１４７】
組成物例２４
３−Ｄ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．９８） ５．０％
５−ＨＢ−Ｆ
１２．０％
６−ＨＢ−Ｆ
９．０％
７−ＨＢ−Ｆ
７．０％
２−ＨＨＢ−ＯＣＦ３
７．０％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３
７．０％
４−ＨＨＢ−ＯＣＦ３
７．０％
５−ＨＨＢ−ＯＣＦ３
５．０％
３−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３
４．０％
５−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３
４．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３
５．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
５．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
１０．０％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ
３．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＢＨ−３ ３．０％
５−ＨＢＢＨ−３
３．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ
４．０％
ＴＮＩ＝８４．２（℃）
η＝１６．５（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．０９０
Δε１＝５．５
Ｖｔｈ＝２．２５（Ｖ）
【０１４８】
組成物例２５
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２２） ５．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＣＬ
（化合物Ｎｏ．１７５） ３．０％
５−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
７．０％
５−Ｈ４ＨＢ−ＯＣＦ３
７．０％
３−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３
８．０％
５−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３
１０．０％
３−ＨＢ−ＣＬ
６．０％
５−ＨＢ−ＣＬ
４．０％
２−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ
５．０％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ
１０．０％
５−ＨＶＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
５．０％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３
５．０％
３−Ｈ２ＨＢ−ＯＣＦ３
５．０％
Ｖ−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
５．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
５．０％
５−ＨＨＥＢ−ＯＣＦ３
２．０％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
５．０％
５−ＨＨ−Ｖ２Ｆ
３．０％
ＴＮＩ＝７０．８（℃）
η＝２８．１（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．０９６
Δε１＝９．５
Ｖｔｈ＝１．６０（Ｖ）
【０１４９】
組成物例２６
３−Ｄ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．９８） ４．０％
３−Ｄ４Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．２６１） ４．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＣＬ
（化合物Ｎｏ．１７５） ４．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
２．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
２．０％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
２．０％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
６．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
６．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
４．０％
２−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ
９．０％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ
３．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
２５．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１９．０％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−４
５．０％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５
５．０％
ＴＮＩ＝９１．６（℃）
η＝３６．５（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１２９
Δε１＝９．０
Ｖｔｈ＝１．６７（Ｖ）
【０１５０】
組成物例２７
３−Ｄ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．９８） ３．０％
３−Ｄ２Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．１１） ３．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２２） ３．０％
５−ＨＢ−ＣＬ
８．０％
３−ＨＨ−４
７．０％
３−ＨＢ−Ｏ２
２０．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
８．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
８．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
６．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
５．０％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
５．０％
２−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ
２．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ
１．０％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ
２．０％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
４．０％
３−ＨＢＣＦ２ＯＢ−ＯＣＦ３
４．０％
５−ＨＢＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３
４．０％
３−ＨＨＢ−１
３．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１
４．０％
ＴＮＩ＝６９．５（℃）
η＝１８．０（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．０８４
Δε１＝５．４
Ｖｔｈ＝２．０３（Ｖ）
【０１５１】
組成物例２８
３−Ｄ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．９８） ５．０％
３−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ
８．０％
３−ＨＢ−Ｃ
８．０％
Ｖ−ＨＢ−Ｃ
８．０％
１Ｖ−ＨＢ−Ｃ
８．０％
３−ＨＢ−Ｏ２
３．０％
３−ＨＨ−２Ｖ
１４．０％
３−ＨＨ−２Ｖ１
７．０％
Ｖ２−ＨＨＢ−１
１５．０％
３−ＨＨＢ−１
５．０％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ
７．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２
６．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３
６．０％
ＴＮＩ＝９１．９（℃）
η＝１８．７（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１２６
Δε１＝９．６
Ｖｔｈ＝１．９８（Ｖ）
【０１５２】
組成物例２９
３−Ｄ４Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．２６１） ４．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２２） ５．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＣＬ
（化合物Ｎｏ．１７５） ３．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
７．０％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
８．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
９．０％
５−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
９．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１５．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
４−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
２．０％
５−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
２．０％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０．０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
３．０％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
３．０％
ＴＮＩ＝７９．３（℃）
η＝３３．４（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．０９０
Δε１＝１２．０
Ｖｔｈ＝１．６５（Ｖ）
【０１５３】
組成物例３０
２−ＤＨ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ（化合物Ｎｏ．５１） ５．０％
２−Ｄ２ＢＥＢ−ＣＬ （化合物Ｎｏ．３１１） ５．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
１７．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
１７．０％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
１６．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ
５．０％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ
１０．０％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
６．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
６．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
１３．０％
【０１５４】
組成物例３１
２−ＨＤ２Ｂ（Ｆ）−ＣＦ３
（化合物Ｎｏ．４６） ５．０％
３−Ｄ２Ｂ（Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ）−ＣＦ３
（化合物Ｎｏ．３１７） ５．０％
７−ＨＢ（Ｆ）−Ｆ
５．０％
５−Ｈ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ
５．０％
３−ＨＢ−Ｏ２
１０．０％
３−ＨＨ−４
２．０％
３−ＨＨ［５Ｄ，６Ｄ，７Ｄ］−４
３．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
１０．０％
５−ＨＨ［５Ｄ，６Ｄ，７Ｄ］Ｂ（Ｆ）−Ｆ １０．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ
５．０％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
３．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
３．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
６．０％
２−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ
５．０％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ
６．０％
３−ＨＨＢ−１
８．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１
５．０％
３−ＨＨＢ−３
４．０％
【０１５５】
組成物例３２
２−ＤＨ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ （化合物Ｎｏ．５１） ５．０％
３−Ｄ２ＨＢ（ＣＬ）−ＯＣＦ２Ｈ
（化合物Ｎｏ．４０） ５．０％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
３．０％
３−ＨＢ−Ｏ２
７．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
１０．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
１０．０％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
１０．０％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
９．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
９．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
１６．０％
２−ＨＢＢ−Ｆ
４．０％
３−ＨＢＢ−Ｆ
４．０％
５−ＨＢＢ−Ｆ
３．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
５．０％
【０１５６】
組成物例３３
２−ＨＤ２Ｂ（Ｆ）−ＣＦ３
（化合物Ｎｏ．４６） ５．０％
２−Ｄ２ＢＥＢ−ＣＬ
（化合物Ｎｏ．３１１） ５．０％
３−Ｄ２ＨＢ（ＣＬ）−ＯＣＦ２Ｈ
（化合物Ｎｏ．４０） ５．０％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
３．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１２．０％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
５．０％
４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
５．０％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１５．０％
５−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１２．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
７．０％
３−ＨＢＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
６．０％
【０１５７】
組成物例３４
３−Ｄ２Ｂ（Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ）−ＣＦ３
（化合物Ｎｏ．３１７） ５．０％
１−ＨＤ２Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２ＣＦＨＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２３６） ３．０％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
５．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１２．０％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
５．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
３．０％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
３．０％
２−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
３．０％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
５．０％
５−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
３．０％
３−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
３．０％
【０１５８】
組成物例３５
２−ＤＨ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ 化合物Ｎｏ．５１） ５．０％
３−ＨＢ−ＣＬ
１０．０％
５−ＨＢ−ＣＬ
４．０％
７−ＨＢ−ＣＬ
４．０％
１Ｏ１−ＨＨ−５
５．０％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
８．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
８．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
９．０％
４−ＨＨＢ−ＣＬ
８．０％
５−ＨＨＢ−ＣＬ
８．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−ＣＬ
４．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
５−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ９．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＶＢ−２
４．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＶＢ−３
４．０％
【０１５９】
組成物例３６
２−ＨＤ２Ｂ（Ｆ）−ＣＦ３
（化合物Ｎｏ．４６） ４．０％
１−ＨＤ２Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２ＣＦＨＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２３６） ３．０％
３−Ｄ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ
（化合物Ｎｏ．２２８） ３．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
９．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
８．０％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
８．０％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
４．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１９．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
２０．０％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
３．０％
５−ＨＨＥＢＢ−Ｆ
２．０％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
３．０％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５
４．０％
【０１６０】
組成物例３７
３−Ｄ２Ｂ（Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ）−ＣＦ３
（化合物Ｎｏ．３１７） ５．０％
３−Ｄ２ＨＢ（ＣＬ）−ＯＣＦ２Ｈ
（化合物Ｎｏ．４０） ５．０％
５−ＨＢ−Ｆ
１２．０％
６−ＨＢ−Ｆ
９．０％
７−ＨＢ−Ｆ
７．０％
２−ＨＨＢ−ＯＣＦ３
７．０％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３
７．０％
４−ＨＨＢ−ＯＣＦ３
７．０％
５−ＨＨＢ−ＯＣＦ３
５．０％
３−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３
４．０％
５−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３
４．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３
５．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
１０．０％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ
３．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＢＨ−３
３．０％
５−ＨＢＢＨ−３
３．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ
４．０％
【０１６１】
組成物例３８
２−ＤＨ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ （化合物Ｎｏ．５１） ５．０％
２−ＨＤ２Ｂ（Ｆ）−ＣＦ３（化合物Ｎｏ．４６） ５．０％
２−Ｄ２ＢＥＢ−ＣＬ （化合物Ｎｏ．３１１）５．０％
３−Ｄ２Ｂ（Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ）−ＣＦ３
（化合物Ｎｏ．３１７）５．０％
３−Ｄ２ＨＢ（ＣＬ）−ＯＣＦ２Ｈ
（化合物Ｎｏ．４０） ５．０％
１−ＨＤ２Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２ＣＦＨＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２３６）３．０％
３−Ｄ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ
（化合物Ｎｏ．２２８）３．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
２．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
２．０％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
２．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
６．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
１０．０％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ
９．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
２０．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１４．０％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５
４．０％
【０１６２】
組成物例３９
３−Ｄ２Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．１１） ５．０％
３−Ｄ４Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．２６１） ５．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２２） ８．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ １１．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ １１．０％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ １０．０％
２−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ １０．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ ５．０％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ １０．０％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ ６．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ ６．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ １３．０％
ＴＮＩ＝ ７７．３ （℃）
η ＝ ２７．８ （ｍＰａ・s）
Δｎ＝ ０．０８５
Δε１＝ ６．６
Ｖｔｈ＝ １．８６ （Ｖ）
【０１６３】
組成物例４０
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２２） ６．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｃｌ
（化合物Ｎｏ．１７５） １０．０％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３．０％
３−ＨＢ−Ｏ２ ７．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
８．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
８．０％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
８．０％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
８．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
８．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
８．０％
２−ＨＢＢ−Ｆ
４．０％
３−ＨＢＢ−Ｆ
４．０％
５−ＨＢＢ−Ｆ
３．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
５．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
ＴＮＩ＝ ８９．２ （℃）
η ＝ ３５．８ （ｍＰａ・s）
Δｎ＝ ０．１１９
Δε１＝ ９．０
Ｖｔｈ＝ １．７９ （Ｖ）
【０１６４】
組成物例４１
３−Ｄ２Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．１１） ３．０％
３−Ｄ４Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．２６１） ３．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｃｌ
（化合物Ｎｏ．１７５） ９．０％
３−ＨＢ−ＣＬ ６．０％
５−ＨＢ−ＣＬ ４．０％
７−ＨＢ−ＣＬ ４．０％
１Ｏ１−ＨＨ−５ ５．０％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
７．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
７．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
７．０％
４−ＨＨＢ−ＣＬ ８．０％
５−ＨＨＢ−ＣＬ ８．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−ＣＬ
４．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
８．０％
５−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ９．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＶＢ−２
４．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＶＢ−３ ４．０％
ＴＮＩ＝ ９０．３ （℃）
η ＝ ３３．１ （ｍＰａ・s）
Δｎ＝ ０．１２７
Δε１＝ ６．９
Ｖｔｈ＝ ２．１２ （Ｖ）
【０１６５】
組成物例４２
３−Ｄ２Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．１１） ５．０％
３−Ｄ４Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．２６１） ５．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２２） １０．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｃｌ
（化合物Ｎｏ．１７５） １０．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ９．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６．０％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６．０％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １１．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８．０％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８．０％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３．０％
５−ＨＨＥＢＢ−Ｆ ２．０％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３．０％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−４ ４．０％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５ ４．０％
ＴＮＩ＝ ９３．６ （℃）
η ＝ ４４．１ （ｍＰａ・s）
Δｎ＝ ０．１１２
Δε１＝ １２．３
Ｖｔｈ＝ １．５７ （Ｖ）
【０１６６】
組成物例４３
３−Ｄ２Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．１１） ５．０％
３−Ｄ４Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．２６１） ５．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２２） １２．０％
５−ＨＢ−Ｆ ７．０％
６−ＨＢ−Ｆ ４．０％
７−ＨＢ−Ｆ ７．０％
２−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ ７．０％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ ７．０％
３−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３
４．０％
５−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３
４．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３
５．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ １０．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ １０．０％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ
３．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＢＨ−３
３．０％
５−ＨＢＢＨ−３ ３．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ ４．０％
ＴＮＩ＝ ６５．０ （℃）
η ＝ ２１．５ （ｍＰａ・s）
Δｎ＝ ０．０８９
Δε１＝ ７．２
Ｖｔｈ＝ １．６７ （Ｖ）
【０１６７】
組成物例４４
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２２） １０．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｃｌ
（化合物Ｎｏ．１７５） ５．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ２．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ２．０％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ２．０％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
６．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
６．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
１０．０％
２−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ
９．０％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ
９．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１５．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１９．０％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−４
５．０％
ＴＮＩ＝ ９１．１ （℃）
η ＝ ３９．８ （ｍＰａ・s）
Δｎ＝ ０．１３０
Δε１＝ ９．４
Ｖｔｈ＝ １．７５ （Ｖ）
【０１６８】
組成物例４５
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２２） １５．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ７．０％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
８．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
５．０％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
９．０％
５−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
９．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１５．０％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
２．０％
４−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
２．０％
５−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
２．０％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
３．０％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
３．０％
ＴＮＩ＝ ８１．０ （℃）
η ＝ ３３．４ （ｍＰａ・s）
Δｎ＝ ０．０８６
Δε１＝ １２．４
Ｖｔｈ＝ １．６９ （Ｖ）
【０１６９】
組成物例４６
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２２） １０．０％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５．０％
３−ＨＢ−Ｃ １５．０％
１−ＢＴＢ−３
５．０％
２−ＢＴＢ−１ １０．０％
３−ＨＨ−４
１１．０％
３−ＨＨＢ−１
１１．０％
３−ＨＨＢ−３ ９．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２ ４．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３ ４．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４
４．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２
６．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３
６．０％
ＴＮＩ＝ ９０．７ （℃）
η ＝ ２３．１ （ｍＰａ・s）
Δｎ＝ ０．１６１
Δε１＝ ９．４
Ｖｔｈ＝ １．８３ （Ｖ）
【０１７０】
組成物例４７
３−Ｄ２Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．１１） ５．０％
３−Ｄ４Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．２６１） ５．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２２） ４．０％
３Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ
１２．０％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ
１６．０％
３−ＨＢ−Ｏ２ ５．０％
３−ＨＨ−４
３．０％
３−ＨＨＢ−Ｆ
３．０％
３−ＨＨＢ−１ ８．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１
４．０％
３−ＨＢＥＢ−Ｆ
４．０％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ
７．０％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ
７．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２
４．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３
４．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４
４．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２
５．０％
ＴＮＩ＝ ８０．６ （℃）
η ＝ ３９．６ （ｍＰａ・s）
Δｎ＝ ０．１３１
Δε１＝ ２６．８
Ｖｔｈ＝ １．０３ （Ｖ）
【０１７１】
組成物例４８
３−Ｄ２Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．１１） ５．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｃｌ
（化合物Ｎｏ．１７５） ７．０％
２−ＨＢ−Ｃ ５．０％
３−ＨＢ−Ｃ １２．０％
３−ＨＢ−Ｏ２ １０．０％
２−ＢＴＢ−１ ３．０％
３−ＨＨＢ−１ ８．０％
３−ＨＨＢ−Ｆ ４．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１ ５．０％
３−ＨＨＢ−３ １４．０％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ ４．０％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ ４．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ７．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ７．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５．０％
ＴＮＩ＝ ９６．８ （℃）
η ＝ ２５．７ （ｍＰａ・s）
Δｎ＝ ０．０９７
Δε１＝ ７．０
Ｖｔｈ＝ １．９８ （Ｖ）
【０１７２】
組成物例４９
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２２） ４．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｃｌ
（化合物Ｎｏ．１７５） ５．０％
３−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ８．０％
３−ＨＢ−Ｃ ４．０％
Ｖ−ＨＢ−Ｃ ８．０％
１Ｖ−ＨＢ−Ｃ ８．０％
３−ＨＢ−Ｏ２ ３．０％
３−ＨＨ−２Ｖ １４．０％
３−ＨＨ−２Ｖ１ ７．０％
Ｖ２−ＨＨＢ−１
１５．０％
３−ＨＨＢ−１ ５．０％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ ７．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２ ６．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３
６．０％
ＴＮＩ＝ ９８．７ （℃）
η ＝ ２２．０ （ｍＰａ・s）
Δｎ＝ ０．１２８
Δε１＝ １０．０
Ｖｔｈ＝ ２．０６ （Ｖ）
以下実施例により本発明をさらに詳しく説明する。なお各実施例中において、Ｃは結晶、Ｓｘ１およびＳｘ２はそれぞれ互いに異なるスメクチック相、ＳＡはスメクチックＡ相、Ｎはネマチック相、Ｉは等方性液体相を示す。
【実施例１】
【０１７３】
５−プロピル−２−（４−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−シクロヘキシル）−１，３−ジオキサン（一般式（１）において、Ｒ＝ｎ−プロピル基、ｎ１＝ｎ２＝０、Ａ＝（ａ）、Ｚａ＝Ｚｂ＝単結合、Ｑ１＝Ｑ２＝フッ素原子、Ｙ＝フッ素原子である化合物（Ｎｏ．２１））の製造。
【０１７４】
（第一段）
乾燥したテトラヒドロフラン（以下ＴＨＦと略す）３６０ｍｌ中で３，４，５−トリフルオロブロモベンゼン１００ｇ（４７４ｍｍｏｌ）とマグネシウムとから室温で調製したグリニヤール試薬に、室温でシクロヘキサンジオンモノエチレンケタール７４．０ｇ（４７４ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（５００ｍｌ）溶液を滴下し、室温で５時間攪拌した。反応液を６Ｎ−塩酸１ｌに加え、生成物をジエチルエーテルで抽出した。抽出液を水、飽和重曹水、水でこの順に洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を減圧にて留去した。残分にパラトルエンスルホン酸（以下ＰＴＳと略す）５ｇおよびトルエン６００ｍｌを添加し、生成する水をジーンスタークを用いて除去しながら、３時間加熱還流した。反応液を水、飽和重曹水、水でこの順に洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を減圧にて留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン／酢酸エチル＝４／１）により精製した。かくして得られた精製物を５％パラジウムカーボン５ｇを触媒として用いてエタノール３００ｍｌ中で水素添加した。触媒をろ別した後、溶媒を減圧にて留去し、残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン／酢酸エチル＝３／１）により精製し、４−（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘキサノン５２ｇ（２２８ｍｍｏｌ）を得た。このものの３，４，５−トリフルオロブロモベンゼンからの収率は４８．１％であった。
【０１７５】
（第二段）
乾燥したメトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロリド（以下ＭＴＰと略す）２５ｇ（７２．９ｍｍｏｌ）に、ＴＨＦ３００ｍｌを加え、次いで室温でカリウム−ｔ−ブトキシド８．２ｇ（７３．１ｍｍｏｌ）を加え、約１時間攪拌した。この反応液に室温で上記の４−（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘキサノン１４．８ｇ（６４．９ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（１５０ｍｌ）溶液を滴下し、２時間攪拌した後、反応液に水３００ｍｌを加え、生成物をトルエンで抽出した。抽出液を食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、次いで溶媒を留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）により精製した。得られた精製物を室温で３Ｎ−塩酸２００ｍｌとＴＨＦ２００ｍｌとの混合溶媒中で５時間攪拌した後、生成物をトルエンで抽出した。抽出液を飽和重曹水と水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、トルエンを留去して、４−（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘキサンカルボアルデヒド１０．５ｇ（４３．３ｍｍｏｌ）を得た。このものの４−（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘキサノンからの収率は６６．７％であった。
【０１７６】
（第三段）
２−プロピル−１，３−プロパンジオール５．２ｇ（４４．０ｍｏｌ）と４−（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘキサンカルボアルデヒド１０．５ｇ（４３．３ｍｍｏｌ）をトルエン１００ｍｌに溶解し、ＰＴＳ１ｇを加え、生成する水をジーンスタークを用いて除去しながら、３時間加熱還流した。反応液を飽和重曹水、飽和食塩水でこの順に洗浄し、次いで無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去した。残分をヘプタンを用いて２回再結晶して、５−プロピル−２−（４−（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘキシル−１，３−ジオキサン２．０ｇ（５．８ｍｍｏｌ）を得た。このものの４−（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘキサンカルボアルデヒドからの収率は１３％であった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ）：６．８８〜６．７１（ｍ，２Ｈ）、４．２３〜４．００（ｍ，３Ｈ）、３．４２〜３．１７（ｍ，２Ｈ）、２．４８〜０．８２（ｍ、１８Ｈ） Ｃ−Ｉ点 ９２．８℃
【０１７７】
実施例２
５−プロピル−２−（２−（４−（３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）−３，５−ジフルオロフェニル）エチル）−１，３−ジオキサン（一般式（１）において、Ｒ＝ｎ−プロピル基、ｎ１＝０、ｎ２＝１、Ａ＝（ｂ）、Ｚａ＝Ｚｂ＝単結合、環Ａ１＝３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、Ｑ１＝フッ素原子、Ｑ２＝水素原子、Ｙ＝トリフルオロメトキシ基である化合物（Ｎｏ．９８））の製造。
【０１７８】
（第一段）
６０％水素化ナトリウム１４．４ｇ（３６０ｍｍｏｌ）にジメトキシエタン３５０ｍｌを加え、これを室温で攪拌しながらジエチルホスホノ酢酸エチル８０．７ｇ（３６０ｍｍｏｌ）のジメトキエタン（５０ｍｌ）溶液を滴下した。水素ガスの発生終了後、溶液を１５℃まで冷却し、３，５−ジフルオロベンズアルデヒド５０．０ｇ（３５２ｍｍｏｌ）のジメトキシエタン（５０ｍｌ）溶液を液温が２５℃を越えないように滴下した。滴下終了後室温で３０分攪拌し、反応液を水３００ｍｌに加え、生成物をジエチルエーテルで抽出した。抽出液を食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧にて留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン／酢酸エチル＝３／１）により精製した。かくして得られた精製物を、５％パラジウムカーボンを触媒として用いてエタノール３００ｍｌ中で水素添加した。水素添加終了後触媒を濾別し、溶媒を減圧にて留去して、３−（３，５−ジフルオロフェニル）プロピオン酸 エチルエステル５３．０ｇ（２４７ｍｍｏｌ）を得た。このものの３，５−ジフルオロベンズアルデヒドからの収率は７０．２％であった。
【０１７９】
（第二段）
上記の３−（３，５−ジフルオロフェニル）プロピオン酸エチルエステル５３．０ｇ（２４７ｍｍｏｌ）をトルエン５００ｍｌ中で攪拌しながら、−５８℃まで冷却し、これにＤＩＢＡＬの１．０１Ｍトルエン溶液２５５ｍｌ（２５８ｍｍｏｌ）を滴下した後、−５５℃で１５分間攪拌した。そのままの温度で反応液に飽和塩化アンモニウム水２００ｍｌを滴下し、室温まで加温し３０分間攪拌した。反応液にジエチルエーテル１００ｍｌを加え室温で１時間攪拌した後、硫酸マグネシウムを加え、この懸濁液をセライトを用いて濾過した。濾液を水洗し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧にて留去して、３−（３，５−ジフルオロフェニル）プロパナール４１．５ｇを得た。このものの３−（３，５−ジフルオロフェニル）プロピオン酸 エチルエステルからの収率は９８．８％であった。
【０１８０】
（第三段）
２−プロピル−１，３−プロパンジオール２２．０ｇ（１８６ｍｍｏｌ）と上記の３−（３，５−ジフルオロフェニル）プロパナール３０．０ｇ（１７６ｍｍｏｌ）をトルエン３００ｍｌに溶解し、ＰＴＳ１ｇを加え、生成する水をジーンスタークを用いて除去しながら、３時間加熱還流した。反応液を飽和重曹水、飽和食塩水でこの順に洗浄し、次いで無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去した。残分をヘプタンを用いて２回再結晶して、５−プロピル−２−（４−（３，５−ジフルオロフェニル）エチル）−１，３−ジオキサン７．５０ｇ（２７．７ｍｍｏｌ）を得た。このものの３−（３，５−ジフルオロフェニル）プロパナールからの収率は１５．７％であった。
【０１８１】
（第四段）
上記の５−プロピル−２−（４−（３，５−ジフルオロフェニル）エチル）−１，３−ジオキサン７．５０ｇ（２７．７ｍｍｏｌ）をＴＨＦ７０ｍｌに溶解し、窒素雰囲気下−６０℃に冷却した。この溶液にｎ−ブチルリチウムの１．６０Ｍヘキサン溶液２１．０ｍｌ（３３．６ｍｍｏｌ）を液温が−５０℃を越えないように保って滴下し、そのままの温度で１時間攪拌した。次いでこの反応液に塩化亜鉛の０．５Ｍ ＴＨＦ溶液６７．２ｍｌ（３３．６ｍｍｏｌ）を液温が−５０℃を越えないように保って滴下した後、室温まで加温し３０分攪拌した。この溶液にテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム０．５ｇと３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシブロモベンゼン８．７０ｇ（３３．６ｍｍｏｌ）を加え、３時間加熱還流した。得られた反応液に水１００ｍｌを加え、生成物をトルエンで抽出した。抽出液を３Ｎ−塩酸、飽和重曹水および飽和食塩水で順次洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）により精製し、さらにヘプタン／酢酸エチル＝１／１の混合溶媒を用いて２回再結晶して５−プロピル−２−（２−（４−（３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）−３，５−ジフルオロフェニル）エチル）−１，３−ジオキサン１．６０ｇ（３．５７ｍｍｏｌ）を得た。このものの５−プロピル−２−（４−（３，５−ジフルオロフェニル）エチル）−１，３−ジオキサンからの収率は１２．９％であった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ）：
７．４５〜７．２４（ｍ，３Ｈ）、６．９０〜６．８０（ｍ，２Ｈ）、４．４６（ｔ，１Ｈ）、４．１９〜４．０１（ｍ，２Ｈ）、３．４４〜３．１９（ｍ、２Ｈ）、２．８５〜２．１６（ｍ，２Ｈ）、１．２８〜０．８２（ｍ、９Ｈ）。 Ｃ−Ｉ点 ５７．８℃
【０１８２】
実施例３
５−プロピル−２−（４−（３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキシル）−１，３−ジオキサン（一般式（１）において、Ｒ＝ｎ−プロピル基、ｎ１＝ｎ２＝０、Ａ＝（ａ）、Ｚａ＝Ｚｂ＝単結合、Ｑ１＝フッ素原子、Ｑ２＝水素原子、Ｙ＝トリフルオロメトキシ基である化合物（Ｎｏ．２２））の製造。
【０１８３】
（第一段）
乾燥したＴＨＦ３００ｍｌ中で３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシブロモベンゼン７０．０ｇ（２７０ｍｍｏｌ）とマグネシウムとから室温で調製したグリニヤール試薬に、室温でシクロヘキサンジオンモノエチレンケタール４２．１ｇ（２７０ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（２００ｍｌ）溶液を滴下し、室温で３時間攪拌した。反応液を６Ｎ−塩酸１ｌに加え、生成物をジエチルエーテルで抽出した。抽出液を水、飽和重曹水、水でこの順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を減圧にて留去した。残分をパラトルエンスルホン酸５ｇ存在下、生成する水をジーンスタークを用いて除去しながら、トルエン５００ｍｌ中で３時間加熱還流した。反応液を水、飽和重曹水、水でこの順に洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を減圧にて留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン／酢酸エチル＝４／１）により精製した。かくして得られた精製物を、５％パラジウムカーボン５ｇを触媒として用いてエタノール３００ｍｌ中で水素添加した。触媒をろ別した後、溶媒を減圧にて留去し、これに蟻酸２０ｇとトルエン２００ｍｌを加え３時間還流した。冷却後、反応液に水３００ｍｌを加え、有機層を分取し、水、飽和重曹水、水でこの順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン／酢酸エチル＝３／１）により精製し、４−（３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキサノン２２．０ｇ（８４．５ｍｍｏｌ）を得た。このものの３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシブロモベンゼンからの収率は３１．３％であった。
【０１８４】
（第二段）
乾燥したＭＴＰ１０．０ｇ（２９．２ｍｍｏｌ）に、ＴＨＦ１００ｍｌを加え、次いで室温でカリウム−ｔ−ブトキシド３．３０ｇ（２９．４ｍｍｏｌ）を加え、約１時間攪拌した。この反応液に室温で上記の４−（３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキサノン６．０ｇ（２３．１ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（５０ｍｌ）溶液を滴下し、２時間攪拌した。反応液に水１５０ｍｌを加え、生成物をジエチルエーテル抽出した。抽出液を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）により精製した。かくして得られた精製物を室温で３Ｎ−塩酸２００ｍｌとアセトン２００ｍｌの混合溶媒中で５時間攪拌した後、生成物をトルエンで抽出した。抽出液を飽和重曹水と水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、トルエンを留去して、４−（３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキサンカルボアルデヒド３．６ｇ（１３．３ｍｍｏｌ）を得た。このものの４−（３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキサノンからの収率は５７．６％であった。
【０１８５】
（第三段）
２−プロピル−１，３−プロパンジオール２．２ｇ（１８．５ｍｏｌ）と４−（３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキサンカルボアルデヒド３．６ｇ（１３．３ｍｍｏｌ）をトルエン５０ｍｌに溶解し、ＰＴＳ０．５ｇを加え、生成する水をジーンスタークを用いて除去しながら、３時間加熱還流した。反応液を飽和重曹水、飽和食塩水でこの順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去した。残分をヘプタンを用いて２回再結晶して、５−プロピル−２−（４−（３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキシル−１，３−ジオキサン１．２２ｇ（３．１２ｍｍｏｌ）を得た。このものの４−（３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキサンカルボアルデヒドからの収率は２３．５％であった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ）：７．１８〜６．８２（ｍ，３Ｈ）、４．１４〜３．９０（ｍ，３Ｈ）、３．２３〜３．０７（ｍ，２Ｈ）、２．３８（ｍ、１Ｈ）、１．９２〜０．７２（ｍ、１６Ｈ） Ｃ−Ｓｘ１点 ５２．０℃、 Ｓｘ１−Ｓｘ２点 ８３．２℃、Ｓｘ２−Ｉ点 １１７．５℃。
【０１８６】
実施例４
５−プロピル−２−（２−（４−トリフルオロメチルフェニル）エチル−１，３−ジオキサン（一般式（１）において、Ｒ＝ｎ−プロピル基、ｎ１＝ｎ２＝０、Ａ＝（ｂ）、Ｚａ＝Ｚｂ＝単結合、Ｑ１＝Ｑ２＝水素原子、Ｙ＝トリフルオロメチル基である化合物（Ｎｏ．１１））の製造。
【０１８７】
（第一段）
６０％水素化ナトリウム２４．８ｇ（６２０ｍｍｏｌ）にジメトキシエタン７００ｍｌを加え、これを室温で攪拌しながらジエチルホスホノ酢酸エチル１３９ｇ（６２０ｍｍｏｌ）のジメトキエタン（１００ｍｌ）溶液を滴下した。水素ガスの発生終了後、溶液を１０℃まで冷却し、４−トリフルオロメチルベンズアルデヒド１００ｇ（５７４ｍｍｏｌ）のジメトキシエタン（１００ｍｌ）溶液を液温が２５℃を越えないように滴下した。滴下終了後室温で３０分間攪拌した後、反応液を水１ｌに加え、生成物をジエチルエーテルで抽出した。抽出液を食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を減圧にて留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン／酢酸エチル＝３／１）により精製した。かくして得られた精製物を、５％パラジウムカーボンを触媒として用いてエタノール３００ｍｌ中で水素添加した。触媒を濾別し、溶媒を減圧にて留去して、３−（４−トリフルオロメチルフェニル）プロピオン酸エチルエステル８１．０ｇ（３２９ｍｍｏｌ）を得た。このものの４−トリフルオロメチルベンズアルデヒドからの収率は５７．３％であった。
【０１８８】
（第二段）
上記の３−（４−トリフルオロメチルフェニル）プロピオン酸エチルエステル８１．０ｇ（３２９ｍｍｏｌ）のトルエン（５００ｍｌ）溶液を攪拌しながら−６０℃まで冷却し、これにＤＩＢＡＬの１．０１Ｍトルエン溶液３２９ｍｌ（３３２ｍｍｏｌ）を滴下した後、−５５℃で１５分間攪拌した。そのままの温度で反応液に飽和塩化アンモニウム水２００ｍｌを滴下した後、室温まで加温し３０分間攪拌した。反応液にエーテル１００ｍｌを加え室温で１時間攪拌した後、硫酸マグネシウムを加え、この懸濁液をセライトを用いて濾過した。濾液を水洗し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧にて留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）により精製して、３−（４−トリフルオロメチルフェニル）プロパナール６２．５ｇ（３０９ｍｍｏｌ）を得た。このものの３−（４−トリフルオロフェニル）プロピオン酸エチルエステルからの収率は９３．９％であった。
【０１８９】
（第三段）
２−プロピル−１，３−プロパンジオール１７．４ｇ（１４７ｍｍｏｌ）と上記の３−（４−トリフルオロメチルフェニル）プロパナール２０．０ｇ（９８．９ｍｍｏｌ）をトルエン２００ｍｌに溶解し、ＰＴＳ１ｇを加え、生成する水をジーンスタークを用いて脱水しながら、３時間加熱還流した。反応を飽和重曹水、飽和食塩水でこの順に洗浄し、次いで無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）により精製し、さらにエタノールを用いて２回再結晶して、５−プロピル−２−（２−（４−トリフルオロメチルフェニル）エチル−１，３−ジオキサン１０．８ｇ（３５．７ｍｍｏｌ）を得た。このものの３−（４−トリフルオロメチルフェニル）プロパナールからの収率は３６．１％であった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ）：７．４１（ｄｄ，４Ｈ）、４．４１（ｔ，１Ｈ）、４．１８〜４．００（ｍ，２Ｈ）、３．４１〜３．１６（ｍ，２Ｈ）、２．８８〜２．７０（ｍ，２Ｈ）、２．１４〜１．８０（ｍ，３Ｈ）、１．３５〜０．８１（ｍ，７Ｈ）
Ｃ−Ｉ点 ７２．６℃
【０１９０】
実施例５
５−プロピル−４−（２−（４−トリフルオロメチルフェニル）ブチル−１，３−ジオキサン（一般式（１）において、Ｒ＝ｎ−プロピル基、ｎ１＝ｎ２＝０、Ａ＝（ｃ）、Ｚａ＝Ｚｂ＝単結合、Ｑ１＝Ｑ２＝水素原子、Ｙ＝トリフルオロメチル基である化合物（Ｎｏ．２６１））の製造。
【０１９１】
（第一段）
６０％水素化ナトリウム６．５２ｇ（１６３ｍｍｏｌ）にジメトキシエタン１８０ｍｌを加え、これを室温で攪拌しながらジエチルホスホノ酢酸エチル３６．５ｇ（１６３ｍｍｏｌ）のジメトキエタン（５０ｍｌ）溶液を滴下した。水素ガスの発生終了後、溶液を５℃まで冷却し、実施例４の第３段で得られた３−（４−トリフルオロメチルフェニル）プロパナール３０．０ｇ（１４８ｍｍｏｌ）のジメトキシエタン（５０ｍｌ）溶液を液温が２５℃を越えないように滴下した。滴下終了後室温で３０分間攪拌し、反応液を水２００ｍｌに加え、生成物をジエチルエーテルで抽出した。抽出液を食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧にて留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン／酢酸エチル＝３／１）により精製した。かくして得られた精製物を、５％パラジウムカーボンを触媒として用いてエタノール３００ｍｌ中で水素添加した。水素添加終了後、触媒を濾別し、溶媒を減圧にて留去して、５−（４−トリフルオロメチルフェニル）ペンタン酸エチルエステル１３．３ｇ（４８．５ｍｍｏｌ）を得た。このものの３−（４−トリフルオロメチルフェニル）プロパナールからの収率は３２．８％であった。
【０１９２】
（第二段）
上記の５−（４−トリフルオロメチルフェニル）ペンタン酸エチルエステル１２．２ｇ（４４．５ｍｍｏｌ）のトルエン（７０ｍｌ）溶液を攪拌しながら−６０℃まで冷却し、これにＤＩＢＡＬの１．０１Ｍトルエン溶液４６．０ｍｌ（４６．５ｍｍｏｌ）を滴下した後、−６０℃で１５分間攪拌した。そのままの温度で反応液に飽和塩化アンモニウム水４０ｍｌを滴下した後、室温まで加温し３０分間攪拌した。反応液にジエチルエーテル１００ｍｌを加え室温で１時間攪拌した後、硫酸マグネシウムを加え、この懸濁液をセライトを用いて濾過した。濾液を水洗し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を減圧にて留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）により精製し、５−（４−トリフルオロメチルフェニル）ペンタパナール７．５０ｇ（３２．６ｍｍｏｌ）を得た。このものの５−（４−トリフルオロフェニル）ペンタン酸エチルエステルからの収率は７３．３％であった。
【０１９３】
（第三段）
２−プロピル−１，３−プロパンジオール５．９０ｇ（４９．９ｍｍｏｌ）と上記の５−（４−トリフルオロメチルフェニル）ペンタナール７．５０ｇ（３２．６ｍｍｏｌ）をトルエン７０ｍｌに溶解し、ＰＴＳ１ｇを加え、生成する水をジーンスタークを用いて除去しながら、３時間加熱還流した。反応液を飽和重曹水、飽和食塩水でこの順に洗浄し、次いで無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）により精製し、さらにエタノールを用いて２回再結晶して、５−プロピル−２−（４−（４−トリフルオロメチルフェニル）ブチル−１，３−ジオキサン５．５５ｇ（１６．７ｍｍｏｌ）を得た。このものの５−（４−トリフルオロメチルフェニル）ペンタナールからの収率は５１．２％であった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ）：７．４０（ｄｄ，４Ｈ）、４．４２（ｔ，１Ｈ）、４．１６〜３．９８（ｍ，２Ｈ）、３．４１〜３．１６（ｍ，２Ｈ）、２．７６〜２．５９（ｍ，２Ｈ）、２．１０〜０．８１（ｍ，１４Ｈ）
Ｃ−Ｉ点 ５０．９℃
【０１９４】
実施例６
５−プロピル−２−（４−（４−（３−フルオロ−４−クロロフェニル）−３，５−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル）−１，３−ジオキサン（一般式（１）において、Ｒ＝ｎ−プロピル基、ｎ１＝０、ｎ２＝１、Ａ＝（ａ）、環Ａ１＝３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、Ｚａ＝Ｚｂ＝単結合、Ｑ１＝フッ素原子、Ｑ２＝水素原子、Ｙ＝塩素原子である化合物（Ｎｏ．１７５））の製造。
【０１９５】
（第一段）
乾燥したＴＨＦ３００ｍｌ中で３，５−ジフルオロブロモベンゼン１００ｇ（５１８ｍｍｏｌ）とマグネシウムとから調製したグリニヤール試薬に、室温でシクロヘキサンジオンモノエチレンケタール７４．６ｇ（５１７ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（３００ｍｌ）溶液を滴下し、３時間攪拌した。反応液を２Ｎ−塩酸１ｌに加え、生成物をジエチルエーテルで抽出した。抽出液を水、飽和重曹水、水でこの順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を減圧にて留去した。残分をパラトルエンスルホン酸５ｇ存在下、生成する水をジーンスタークを用いて除去しながら、トルエン８００ｍｌ中で加熱還流した。反応液を水、飽和重曹水、水でこの順に洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を減圧にて留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン／酢酸エチル＝３／１）により精製した。かくして得られた精製物を５％パラジウムカーボン５ｇを触媒として用いてエタノール５００ｍｌ中で水素添加した。触媒をろ別した後、溶媒を減圧にて留去し、これに蟻酸４０ｇとトルエン３００ｍｌを加え３時間加熱還流した。反応液を冷却後、これに水５００ｍｌを加えた。分取した有機層を水、飽和重曹水、水でこの順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン／酢酸エチル＝３／１）により精製して、４−（３，５−ジフルオロフェニル）シクロヘキサノン２９．４ｇ（１４０ｍｍｏｌ）を得た。このものの３，５−ジフルオロブロモベンゼンからの収率は２７．０％であった。
【０１９６】
（第二段）
乾燥したＭＴＰ１０．０ｇ（２９．２ｍｍｏｌ）にＴＨＦ１００ｍｌを加え、次いで室温でカリウム−ｔ−ブトキシド３．３０ｇ（２９．４ｍｍｏｌ）を加え、約１時間攪拌した。この反応液に室温で上記の４−（３，５−ジフルオロフェニル）シクロヘキサノン５．０ｇ（２３．８ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（５０ｍｌ）溶液を滴下し、２時間攪拌した後、反応液に水１５０ｍｌを加え、生成物をジエチルエーテルで抽出した。抽出液を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）により精製した。かくして得られた精製物を３Ｎ−塩酸２００ｍｌとアセトン２００ｍｌの混合溶媒中、室温でで５時間攪拌した後、生成物をトルエンで抽出した。抽出液を飽和重曹水と水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、トルエンを留去して、４−（３，５−ジフルオロフェニル）シクロヘキサンカルボアルデヒド５．０ｇ（２２．３ｍｍｏｌ）を得た。このものの４−（３，５−ジフルオロフェニル）シクロヘキサノンからの収率は９３．７％であった。
【０１９７】
（第三段）
２−プロピル−１，３−プロパンジオール３．５ｇ（２９．６ｍｏｌ）と４−（３，５−ジフルオロフェニル）シクロヘキサンカルボアルデヒド５．０ｇ（２２．３ｍｍｏｌ）をトルエン５０ｍｌに溶解し、ＰＴＳ０．５ｇを加え、生成する水をジーンスタークを用いて除去しながら、３時間加熱還流した。反応液を飽和重曹水、飽和食塩水でこの順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去した。残分をヘプタンを用いて２回再結晶して、５−プロピル−２−（４−（３，５−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル−１，３−ジオキサン２．３ｇ（７．１ｍｍｏｌ）を得た。このものの４−（３，５−ジフルオロフェニル）シクロヘキサンカルボアルデヒドからの収率は２４．０％であった。
【０１９８】
（第四段）
上記の５−プロピル−２−（４−（３，５−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル−１，３−ジオキサン１．３ｇ（４．０ｍｍｏｌ）をＴＨＦ１０ｍｌに溶解し、窒素雰囲気下−６５℃に冷却した。この溶液にｎ−ブチルリチウムの１．６８Ｍヘキサン溶液３．０ｍｌ（５．０ｍｍｏｌ）を液温が−５５℃を越えないように保って滴下し、そのままの温度で１時間攪拌した。次いでこの反応液に塩化亜鉛の０．５Ｍ ＴＨＦ溶液１０ｍｌ（５．０ｍｍｏｌ）を液温が−５０℃を越えないように保って滴下した後、室温まで加温し３０分間攪拌した。この溶液にテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム０．５ｇと３−フルオロ−４−クロロブロモベンゼン１．１ｇ（５．３ｍｍｏｌ）を加え、３時間加熱還流した。得られた反応液に水３０ｍｌを加え、生成物をトルエンで抽出した。抽出液を３Ｎ−塩酸、飽和重曹水および飽和食塩水で順次洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）により精製し、さらにヘプタン／酢酸エチル＝１／１混合溶媒を用いて２回再結晶して５−プロピル−２−（４−（４−（３−フルオロ−４−クロロフェニル）−３，５−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル）−１，３−ジオキサン１．７ｇ（３．８ｍｍｏｌ）を得た。このものの５−プロピル−２−（４−（３，５−ジフルオロフェニル）エチル）−１，３−ジオキサンからの収率は９５．０％であった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ）：７．５４〜７．１４（ｍ，３Ｈ）、６．９５〜６．７２（ｍ，２Ｈ）、４．２５〜４．０１（ｍ，３Ｈ）、３．４３〜３．１８（ｍ，２Ｈ）、２．６３〜２．３７（ｍ，１Ｈ）、２．０４〜０．８２（ｍ，１７Ｈ）
Ｃ−Ｎ点 １１０．１℃、Ｎ−Ｉ点 ２２７．９℃
【０１９９】
実施例７
４−（５−ペンチル−１，３−ジオキサン−２−イル）シクロヘキサンカルボン酸 ３，４，５−トリフルオロフェニルエステル（一般式（１）において、Ｒ＝ｎ−ペンチル基、ｎ１＝ｎ２＝０、Ａ＝（ａ）、Ｚａ＝単結合、Ｚｂ＝−ＣＯＯ−、Ｑ１＝Ｑ２＝フッ素原子、Ｙ＝フッ素原子である化合物（Ｎｏ．３６２））の製造。
【０２００】
（第一段）
乾燥したＭＴＰ５０．０ｇ（１４６ｍｍｏｌ）に、ＴＨＦ５００ｍｌを加え、次いで室温でカリウム−ｔ−ブトキシド１８．０ｇ（１６０ｍｍｏｌ）を加え、１時間攪拌した。この反応液に室温で４−オキソシクロヘキサンカルボン酸メチルエステル２１．９ｇ（１４０ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（１００ｍｌ）溶液を滴下し、２時間攪拌した後、反応液に水５００ｍｌを加え、生成物をジエチルエーテルで抽出した。抽出液を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）により精製した。かくして得られた精製物を室温で２Ｎ−塩酸５００ｍｌとアセトン５００ｍｌの混合溶媒中で５時間攪拌した後、生成物をトルエンで抽出した。抽出液を飽和重曹水と水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、トルエンを留去して、４−ホルミルシクロヘキサンカルボン酸メチルエステル１８．８ｇ（１１１ｍｍｏｌ）を得た。このものの４−オキソシクロヘキサンカルボン酸メチルエステルからの収率は７９．２％であった。
【０２０１】
（第二段）
２−ペンチル−１，３−プロパンジオール１７．０ｇ（１１６ｍｏｌ）と４−ホルミルシクロヘキサンカルボン酸メチルエステル１８．８ｇ（１１１ｍｍｏｌ）をトルエン１２０ｍｌに溶解し、ＰＴＳ１．０ｇを加え、生成する水をジーンスタークを用いて除去しながら、３時間加熱還流した。反応液を飽和重曹水、飽和食塩水でこの順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン／酢酸エチル＝４／１）により精製して、４−（５−ペンチル−１，３−ジオキサン−２−イル）シクロヘキサンカルボン酸メチルエステル２８．２ｇ（９４．５ｍｍｏｌ）を得た。このものの４−ホルミルシクロヘキサンカルボン酸メチルエステルからの収率は８５．１％であった。
【０２０２】
（第三段）
エタノール１００ｍｌ中に４−（５−ペンチル−１，３−ジオキサン−２−イル）シクロヘキサンカルボン酸メチルエステル２８．２ｇ（９４．５ｍｍｏｌ）を加え、７℃まで冷却した後、２Ｎ−水酸化ナトリウムを７０ｍｌ滴下した。室温まで加温し、１時間攪拌した後、２Ｎ−水酸化ナトリウムを７０ｍｌ滴下した。さらに室温で１時間攪拌した後、２Ｎ−水酸化ナトリウムを５０ｍｌ滴下し、さらに１時間室温で攪拌した。反応液に６Ｎ−塩酸６５ｍｌを滴下し、生成物をジエチルエーテルで抽出した。抽出液を水、飽和重曹水、水でこの順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去した。残分２７．３ｇをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン／酢酸エチル＝１／１）により精製し、さらにヘプタン／エタノール＝２０／１の混合溶媒を用いて再結晶して、４−（５−ペンチル−１，３−ジオキサン−２−イルシクロヘキサン）カルボン酸２．３ｇ（８．１ｍｍｏｌ）を得た。このものの４−（５−ペンチル−１，３−ジオキサン−２−イル）シクロヘキサンカルボン酸メチルエステルからの収率は８．６％であった。
【０２０３】
（第四段）
塩化カルシウム管を装着した２００ｍｌ三ツ口フラスコに塩化メチレン１０ｍｌ、上記の４−（５−ペンチル−１，３−ジオキサン−２−イル）シクロヘキサンカルボン酸１．５ｇ（５．３ｍｍｏｌ）、３，４，５−トリフルオロフェノール１．０ｇ（６．９ｍｍｏｌ）、および４−ジメチルアミノピリジン０．２ｇ（１．６ｍｍｏｌ）を加え、攪拌しながら０℃に冷却した後、ジシクロヘキシルカルボジイミド１．６ｇ（７．９ｍｍｏｌ）の塩化メチレン（８ｍｌ）溶液を２分間かけて滴下した。このものを室温まで加温し、そのままの温度で３時間攪拌した。反応液を濾過し、濾液を０．５Ｎ−塩酸２０ｍｌで洗浄し、再び濾過した。濾液を飽和重曹水、水でこの順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を減圧にて留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン／酢酸エチル＝４／１）により精製し、さらにエタノールを用いて再結晶し、次いでエタノール／ヘプタン＝９／１の混合溶媒を用いて再結晶処理して４−（５−ペンチル−（１，３−ジオキサン）−２−イル）−シクロヘキサンカルボン酸３，４，５−トリフルオロフェニルエステル１．３０ｇ（３．１ｍｍｏｌ）を得た。このものの４−（５−ペンチル−（１，３−ジオキサン）−２−イル）シクロヘキサンカルボン酸からの収率は５８％であった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ）：６．８９〜６．６９（ｍ，２Ｈ）、４．２２〜３．９９（ｍ，３Ｈ）、３．４１〜３．１５（ｍ，２Ｈ）、２．６１〜０．８１（ｍ，２２Ｈ）
Ｃ−Ｎ点 ６２．１℃、Ｎ−Ｉ点 ７４．６℃、（Ｎ−ＳＡ点 ４９．３℃）
【０２０４】
実施例８
１−（２−（１，３−ジオキサン−２−イル）エチル）シクロヘキシル−３，４，５−トリフルオロベンゼン（一般式（１）において、Ｒ＝水素原子、ｎ１＝０、ｎ２＝１、Ａ＝（ｂ）、環Ａ１＝１，４−シクロヘキシレン、Ｚａ＝Ｚｂ＝単結合、Ｑ１＝Ｑ２＝フッ素原子、Ｙ＝フッ素原子である化合物（Ｎｏ．３５２））の製造。
【０２０５】
（第一段）
乾燥した１，３−ジオキサン−２−イルエチルトリフェニルホスホニウムブロミド４８．０ｇ（１０５ｍｍｏｌ）に、ＴＨＦ５００ｍｌを加え、次いで室温でカリウム−ｔ−ブトキシド１１．８ｇ（１０５ｍｍｏｌ）を加え、１時間攪拌した。この反応液に前記の実施例６第一段で得られた４−（３，５−ジフルオロフェニル）シクロヘキサノン２０．０ｇ（８７．６ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（２００ｍｌ）溶液を室温で滴下し、約２時間攪拌した後、反応液に水５００ｍｌを加え、生成物をトルエンで抽出した。抽出液を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）により精製した。かくして得られた精製物を、５％パラジウムカーボンを触媒として用いてエタノール１００ｍｌ中で水素添加した。触媒を濾別し、濾液を濃縮して得られた残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）により精製し、さらにエタノールを用いて再結晶して、１−（２−（１，３−ジオキサン−２−イル）エチル）シクロヘキシル−３，４，５−トリフルオロベンゼン１５．２ｇ（４６．３ｍｍｏｌ）を得た。このものの４−（３，５−ジフルオロフェニル）シクロヘキサノンからの収率は５２．９％であった。
Ｃ−Ｉ点 ６９．８℃
【０２０６】
実施例９
１−（２−（５−プロピル−１，３−ジオキサン−２−イル）エチル）シクロヘキシル−３，４，５−トリフルオロベンゼン（一般式（１）において、Ｒ＝ｎ−プロピル基、ｎ１＝０、ｎ２＝１、Ａ＝（ｂ）、環Ａ１＝１，４−シクロヘキシレン、Ｚａ＝Ｚｂ＝単結合、Ｑ１＝Ｑ２＝フッ素原子、Ｙ＝フッ素原子である化合物（Ｎｏ．３３））の製造。
【０２０７】
（第一段）
実施例８で得られた１−（２−（１，３−ジオキサン−２−イル）エチル）シクロヘキシル−３，４，５−トリフルオロベンゼン３．７ｇ（１１ｍｍｏｌ）と蟻酸２５．０ｇ（５４０ｍｍｏｌ）をトルエン２０ｍｌ中に加え、３時間加熱還流した。反応液を室温まで冷却し、これに水１００ｍｌを加え、生成物をトルエンで抽出した。抽出液を水、飽和重曹水、水でこの順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去して、３−（４−（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘキシル）プロパナールの粗精製物３．５ｇを得た。このものと２−プロピル−１，３−プロパンジオール２．３ｇ（２０ｍｍｏｌ）をトルエン２０ｍｌに溶解し、ＰＴＳ０．５ｇを加え、生成する水をジーンスタークを用いて除去しながら、３時間加熱還流した。反応液を飽和重曹水、飽和食塩水でこの順に洗浄し、次いで無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）により精製し、さらにエタノールを用いて２回再結晶して、１−（２−（５−プロピル−１，３−ジオキサン−２−イル）エチル）シクロヘキシル−３，４，５−トリフルオロベンゼン１．４ｇ（３．８ｍｍｏｌ）を得た。このものの１−（２−（１，３−ジオキサン−２−イル）エチル）シクロヘキシル−３，４，５−トリフルオロベンゼンからの収率は３４．５％であった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ）：６．８７〜６．７０（ｍ，２Ｈ）、４．４２（ｔ，１Ｈ）、４．１７〜３．９９（ｍ，２Ｈ）、３．４３〜３．１８（ｍ，２Ｈ）、２．５４〜２．２５（ｍ，１Ｈ）、１．９３〜０．８１（ｍ，２１Ｈ）
Ｃ−Ｉ点 ８８．６℃
【０２０８】
実施例１〜９および発明の詳細な説明の欄における記述を基に、下記の化合物Ｎｏ．１〜Ｎｏ．３７０を製造することができる。なお実施例１〜９の化合物も再掲した。
【０２０９】
【化５２】
【０２１０】
【化５３】
【０２１１】
【化５４】
【０２１２】
【化５５】
【０２１３】
【化５６】
【０２１４】
【化５７】
【０２１５】
【化５８】
【０２１６】
【化５９】
【０２１７】
【化６０】
【０２１８】
【化６１】
【０２１９】
【化６２】
【０２２０】
【化６３】
【０２２１】
【化６４】
【０２２２】
【化６５】
【０２２３】
【化６６】
【０２２４】
【化６７】
【０２２５】
【化６８】
【０２２６】
【化６９】
【０２２７】
【化７０】
【０２２８】
【化７１】
【０２２９】
【化７２】
【０２３０】
【化７３】
【０２３１】
【化７４】
【０２３２】
【化７５】
【０２３３】
【化７６】
【０２３４】
【化７７】
【０２３５】
【化７８】
【０２３６】
【化７９】
【０２３７】
【化８０】
【０２３８】
【化８１】
【０２３９】
【化８２】
【０２４０】
【化８３】
【０２４１】
【化８４】
【０２４２】
【化８５】
【０２４３】
【化８６】
【０２４４】
【化８７】
【０２４５】
【化８８】
【０２４６】
実施例１０（使用例１）
４−（４−プロピルシクロヘキシル）ベンゾニトリル ２４％
４−（４−ペンチルシクロヘキシル）ベンゾニトリル ３６％
４−（４−ヘプチルシクロヘキシル）ベンゾニトリル ２５％
４−（４−（４−ペンチルシクロヘキシル）フェニルベンゾニトリル １５％
からなる液晶組成物（Ａ１）を調製した（以下％は全て重量％である）。このネマチック液晶組成物の透明点は７１．７℃、セル厚９．２μｍでのしきい値電圧は１．７９Ｖ、Δε１は１１．０、Δｎは０．１３７、２０℃における粘度は２６．６ｍＰａ・ｓであった。
この液晶組成物８５％と実施例１で得た５−プロピル−２−（４−（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘキシル）−１，３−ジオキサン（化合物Ｎｏ．２１）１５％とからなる液晶組成物（Ｂ１）を調製した。このものの透明点は６５．３℃、セル厚９．２μｍでのしきい値電圧は１．４６Ｖ、Δε１は１２．９、Δｎは０．１２６、２０℃における粘度は３２．３ｍＰａ・ｓであった。上記液晶組成物の混合比から外挿法で算出した化合物Ｎｏ．２１の物性値はそれぞれ、透明点は２９．０℃、Δεは２３．７、Δｎは０．０６４、２０℃における粘度は６４．６ｍＰａ・ｓであった。
【０２４７】
実施例１１（比較例１）
上記液晶組成物（Ａ１）８５％と５−（４−プロピルシクロヘキシル）−２−（３,４,５−トリフルオロシフェニル）−１，３−ジオキサン（式（１４）の化合物）１５％とからなる液晶組成物（Ｂ１−Ｒ）を調製した。このものの透明点は６９．６℃、セル厚９．２μｍでのしきい値電圧は１．６０Ｖ、Δε１は１１．７、Δｎは０．１２７、２０℃における粘度は２９．２ｍＰａ・ｓであった。上記液晶組成物の混合比から外挿法で算出した式（１４）の化合物の物性値はそれぞれ、透明点は５７．７℃、Δεは１５．７、Δｎは０．０７０、２０℃における粘度は４３．９ｍＰａ・ｓであった。
この結果から、式（１４）の化合物のジオキサン環とシクロヘキサン環の位置が逆転している本発明の化合物（Ｎｏ．２１）は、式（１４）の化合物に比べて、透明点が約２９℃低いにも関わらず、Δεは約１．５倍に増大していることがわかる。
【０２４８】
実施例１２（使用例２）
上記液晶組成物（Ａ１）８５％と実施例２で得た５−プロピル−２−（２−（４−（３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）−３，５−ジフルオロフェニル）エチル）−１，３−ジオキサン（化合物Ｎｏ．９８）１５％とからなる液晶組成物（Ｂ２）を調製した。このものの透明点は６２．８℃、セル厚９．３μｍでのしきい値電圧は１．４０Ｖ、Δε１は１３．６、Δｎは０．１３２、２０℃における粘度は３３．８ｍＰａ・ｓであった。上記液晶組成物の混合比から外挿法で算出した（化合物Ｎｏ．９８）の物性値はそれぞれ、透明点は１２．０℃、Δεは２８．３、Δｎは０．１０４、２０℃における粘度は７４．６ｍＰａ・ｓであった。
【０２４９】
実施例１３（比較例２）
上記液晶組成物（Ａ１）８５％と５−プロピル−２−（４−（３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）−３，５−ジフルオロフェニル）−１，３−ジオキサン（式（１７）の化合物）１５％とからなる液晶組成物（Ｂ２−Ｒ）を調製した。このものの透明点は６５．１℃、セル厚９．１μｍでのしきい値電圧は１．４０Ｖ、Δε１は１３．２、Δｎは０．１３３、２０℃における粘度は３０．８ｍＰａ・ｓであった。上記液晶組成物の混合比から外挿法で算出した化合物（１７）の化合物の物性値はそれぞれ、透明点は２７．７℃、Δεは２５．７、Δｎは０．１１０、２０℃における粘度は５４．６ｍＰａ・ｓであった。
この結果から、式（１７）の化合物のジオキサン環の２位にエチレン基を導入した本発明の化合物Ｎｏ．９８は、式（１７）の化合物よりΔεが３．３増大していることがわかる。
【０２５０】
実施例１４（使用例３）
上記液晶組成物（Ａ１）８５％と実施例３で得られた５−プロピル−２−（４−（３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキシル−１，３−ジオキサン（化合物Ｎｏ．２２）１５％とからなる液晶組成物（Ｂ３）を調製した。このものの透明点は６９．２℃、セル厚９．３μｍでのしきい値電圧は１．５６Ｖ、Δε１は１２．２、Δｎは０．１２８、２０℃における粘度は３０．０ｍＰａ・ｓであった。上記液晶組成物の混合比から外挿法で算出した（化合物Ｎｏ．２２）の物性値はそれぞれ、透明点は５５．０℃、Δεは１９．０、Δｎは０．０７７、２０℃における粘度は４９．３ｍＰａ・ｓであった。
【０２５１】
実施例１５（使用例４）
上記液晶組成物（Ａ１）８５％と実施例４で得られた５−プロピル−２−（２−（４−トリフルオロメチルフェニル）エチル−１，３−ジオキサン（化合物Ｎｏ．１１）１５％とからなる液晶組成物（Ｂ４）を調製した。このものの透明点は４５．８℃、セル厚９．１μｍでのしきい値電圧は１．３９Ｖ、Δε１は１１．４、Δｎは０．１１５、２０℃における粘度は２６．９ｍＰａ・ｓであった。上記液晶組成物の混合比から外挿法で算出した（化合物Ｎｏ．１１）の物性値はそれぞれ、透明点は−１０１．０℃、Δεは１３．７℃における粘度は２８．５ｍＰａ・ｓであった。
【０２５２】
実施例１６（使用例５）
上記液晶組成物（Ａ１）８５％と実施例５で得られた５−プロピル−４−（２−（４−トリフルオロメチルフェニル）ブチル−１，３−ジオキサン（化合物Ｎｏ．２６１）１５％とからなる液晶組成物（Ｂ５）を調製した。このものの透明点は４５．２℃、セル厚９．０μｍでのしきい値電圧は１．４３Ｖ、Δε１は１１．２、Δｎは０．１１６、２０℃における粘度は２７．９ｍＰａ・ｓであった。上記液晶組成物の混合比から外挿法で算出した（化合物Ｎｏ．２６１）の物性値はそれぞれ、透明点は−１０５．０℃、Δεは１２．３、２０℃における粘度は３５．３ｍＰａ・ｓであった。
【０２５３】
実施例１７（使用例６）
上記液晶組成物（Ａ１）８５％と実施例６で得られた５−プロピル−２−（４−（４−（３−フルオロ−４−クロロシフェニル）−３，５−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル）−１，３−ジオキサン（化合物Ｎｏ．１７５）１５％とからなる液晶組成物（Ｂ６）を調製した。このものの透明点は８３．０℃、セル厚８．９μｍでのしきい値電圧は１．７０Ｖ、Δε１は１４．０、Δｎは０．１４２、２０℃における粘度は４０．５ｍＰａ・ｓであった。上記液晶組成物の混合比から外挿法で算出した（化合物Ｎｏ．１７５）の物性値はそれぞれ、透明点は１４７．０℃、Δεは３１．０、Δｎは０．１７０、２０℃における粘度は１１９．１ｍＰａ・ｓであった。
【０２５４】
実施例１８（使用例７）
上記液晶組成物（Ａ１）８５％と実施例７で得られた４−（５−ペンチル−１，３−ジオキサン−２−イル）シクロヘキサンカルボン酸３，４，５−トリフルオロフェニルエステル（化合物Ｎｏ．３６２）１５％とからなる液晶組成物（Ｂ７）を調製した。このものの透明点は７０．３℃、セル厚８．９μｍでのしきい値電圧は１．４９Ｖ、Δε１は１２．２、Δｎは０．１２６、２０℃における粘度は３２．３ｍＰａ・ｓであった。上記液晶組成物の混合比から外挿法で算出した（化合物Ｎｏ．３６２）の物性値はそれぞれ、透明点は６２．４℃、Δεは１９．０、Δｎは０．０６４、２０℃における粘度は６４．９ｍＰａ・ｓであった。
【０２５５】
実施例１９（使用例８）
上記液晶組成物（Ａ１）８５％と実施例８で得られた１−（２−（１，３−ジオキサン−２−イル）エチル）シクロヘキシル−３，４，５−トリフルオロベンゼン（化合物Ｎｏ．３５２）１５％とからなる液晶組成物（Ｂ８）を調製した。このものの透明点は５０．０℃、セル厚８．９μｍでのしきい値電圧は１．４０Ｖ、Δε１は１２．８、Δｎは０．１１４、２０℃における粘度は３７．６ｍＰａ・ｓであった。上記液晶組成物の混合比から外挿法で算出した（化合物Ｎｏ．３５２）の物性値はそれぞれ、透明点は−７３．０℃、Δεは２３．０、２０℃における粘度は１００．２ｍＰａ・ｓであった。
【０２５６】
実施例２０（使用例９）
上記液晶組成物（Ａ１）８５％と実施例９で得られた１−（２−（５−プロピル−１，３−ジオキサン−２−イル）エチル）シクロヘキシル−３，４，５−トリフルオロベンゼン（化合物Ｎｏ．３３）１５％とからなる液晶組成物（Ｂ９）を調製した。このものの透明点は６５．７℃、セル厚９．０μｍでのしきい値電圧は１．５７Ｖ、Δε１は１２．２、Δｎは０．１２４、２０℃における粘度は３４．２ｍＰａ・ｓであった。上記液晶組成物の混合比から外挿法で算出した（化合物Ｎｏ．３３）の物性値はそれぞれ、透明点は３１．７℃、Δεは１９．０、Δｎは０．０５０、２０℃における粘度は７７．０ｍＰａ・ｓであった。
【０２５７】
本発明の化合物は、いずれも高い電圧保持率と特異的に大きなΔεを有することを特長とする。本発明の化合物を液晶組成物の構成成分として用いることにより、これまで不可能であった低電圧駆動をＴＦＴ型液晶表示素子で実現できる。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶組成物の成分として有効な液晶性化合物、特にＴＦＴ用液晶組成物の成分として用いるのに好適なジオキサン誘導体、これを含有する液晶組成物、およびこの液晶組成物を用いて構成した液晶表示素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示素子は液晶物質がもつ光学異方性および誘電率異方性を利用したものであるが、その表示方式によってＴＮ型（ねじれネマチック型）、ＤＳ型（動的散乱型）、Ｇ．Ｈ型（ゲスト・ホスト型）、ＤＡＰ型（配向相変型）、ＳＴＮ型（超ねじれネマチック型）など各種の方式に分けられ、それぞれの使用に適する液晶物質の性質は異なる。最近は特に液晶表示素子の表示品位のより高いものが要求されており、その要求に応えるために薄膜トランジスタ型（ＴＦＴ型）に代表されるアクティブマトリックス方式の表示素子に対する需要が高まっている。
【０００３】
いずれの表示素子に用いられる液晶物質も水分、空気、熱、光等に安定であることが必要である上、室温を中心としてできるだけ広い温度範囲で液晶相を示し、低粘性であり、他の液晶化合物および液晶性化合物との相溶性がよく、大きな誘電率異方性値（Δε）を持ち、最適な屈折率異方性値（Δｎ）を有し、化学的、電気的に安定でなければならない。特にＴＦＴ型に代表されるアクティブマトリックス方式の表示素子には高い電圧保持率が要求されている。しかし現在のところ単一化合物ではこのような条件をすべて満たす物質はなく、数種の液晶化合物や液晶性化合物を混合して得られる液晶組成物を使用しているのが現状である。
【０００４】
最近はＴＦＴ型液晶表示素子に低電圧駆動が求められており、この要求に応えるため、従来ＴＦＴ型液晶表示素子に用いられていた液晶材料よりも大きなΔεを持つ液晶性化合物、液晶組成物が必要となってきた。このため高い電圧保持率を示しながらも大きなΔεを有する液晶材料の開発が活発に行われている。従来フッ素系の液晶材料が高い電圧保持率を示すことが一般的に知られており、公告特許公報平０１−０４４９６号には次式の化合物（１０）が開示されている。
【０００５】
【化８】
【０００６】
上記化合物（１０）はシアノ基を有する液晶性化合物に比べ高い電圧保持率を有するため主としてＴＦＴ用液晶組成物の成分として使用されている。しかしながら化合物（１０）の外挿Δε（外挿Δεとは、ネマチック相を有する母液晶に化合物（１０）を溶解し、その組成物のΔεの値、母液晶のΔεの値および混合比から算出した化合物（１０）のΔεであり、以下のΔεはこの外挿Δεを指す。）は８．５と小さく、現在要求されている２．５Ｖ駆動に代表される低電圧駆動用液晶材料としては使用できない。
【０００７】
また化合物（１０）より大きなΔεを有する化合物として公開特許公報平０２−２３３６２６号に次式のトリフルオロフェニル誘導体（１１）が開示されている。
【０００８】
【化９】
【０００９】
化合物（１１）のΔεは１１．０と化合物（１０）より大きいが、いまだ不十分な大きさで前述と同様に市場の低電圧化への要求に応えられる材料ではない。
公開特許公報平０４−５０６３６１号にトリフルオロメチルフェニル誘導体（１２）、トリフルオロメトキシフェニル誘導体（１３）が開示されている。
【００１０】
【化１０】
【００１１】
しかしながらこれらの化合物のΔεもまだ化合物（１０）、（１１）と同様に市場の低電圧化への要求には応えることができない。（例えば化合物（１３）のΔεは約５である（ＩＤＹ（テレビ学技報）９５）。
さらに、Δεの大きな化合物として、公開特許公報平０２−２３３６２６中に次式（１４）で表されるジオキサン誘導体が開示されている。
【００１２】
【化１１】
【００１３】
この化合物のΔεは１５．７と大きいが、この大きさでは駆動電圧を要求されているレベルに十分下げることは不可能であり、さらに従来のジオキサン環を含まないフッ素系液晶性化合物に比し、電圧保持率が低くなっており高い電圧保持率が要求される液晶表示素子用の材料中に多くの割合を含めることができない。その１例を示すと化合物（１１）の電圧保持率は２５℃で９８％、１００℃で９６％であるのに対し、化合物（１４）のは２５℃で９８％、１００℃で９２％である。
【００１４】
このため大きなΔεを有しながらも高い電圧保持率を有する液晶化合物および液晶性化合物が嘱望されていた。
【特許文献１】公開特許公報平０２−２３３６２６
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明の目的は、低電圧駆動ＴＦＴ型液晶表示素子用の液晶材料としてΔε値が著しく大きく、高い電圧保持率を有し、かつ既存の液晶性化合物との相溶性も良好な液晶性化合物、これを含む液晶組成物、およびこれを用いて構成した液晶表示素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
かかる目的を達成するために鋭意検討した結果、本発明者等は１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基の２位にＳｐ３炭素が結合し、かつ分子末端にフッ素系あるいは塩素系の電子吸引基を有する液晶性化合物が特異的に大きなΔεを有すると共に、高い電圧保持率を有し、２．５Ｖ駆動に代表されるＴＦＴ低電圧駆動用液晶材料として最適であることを見いだし、発明を完成させるに至った。すなわち本発明は以下の通りである。
（１）一般式（１）
【００１７】
【化１２】
【００１８】
（式中、Ｒは炭素数１〜２０のアルキル基あるいは水素原子を示し、
ｎ１およびｎ２はそれぞれ独立して０〜２の整数であり、
ｎ１＋ｎ２≦２であり
Ｑ１およびＱ２はそれぞれに独立して水素原子、フッ素原子あるいは塩素原子を示し、
Ａは（ａ），（ｂ）あるいは（ｃ）を示し、
【００１９】
【化１３】
【００２０】
環Ａ0およびＡ1は１，４−シクロヘキシレン基、あるいは環上の１個以上の水素原子がフッ素原子あるいは塩素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン基を示すが、Ａ、環Ａ0および環Ａ1中の１，４−シクロヘキシレン基中の１個あるいは２個の炭素原子はケイ素原子で置換されていてもよく、
ＺａおよびＺｂはそれぞれに独立して単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＯＯ−あるいは−ＣＦ２Ｏ−を示し、
Ｙは水素原子、ハロゲン原子、あるいは炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基を示すが、該基中の隣接しない１つ以上のメチレン基は、酸素原子あるいは硫黄原子で置換されていてもよく、
ただしｎ１＝０かつｎ２＝１かつＡが（ｂ）かつ環Ａ１が１，４−フェニレンかつＺａおよびＺｂが単結合である場合、およびｎ１＝ｎ２＝０かつＡが（ａ）かつＺｂが単結合である場合は、Ｑ１とＱ２の少なくとも一方はフッ素原子あるいは塩素原子を示すが、Ｙがフッ素原子あるいは塩素原子の場合はＱ１およびＱ２がそれぞれに独立してフッ素原子あるいは塩素原子である。
なお、この化合物を構成する各原子はその同位体で置換されていてもよい。）で表されるるジオキサン誘導体。
【００２１】
（２）ｎ１＝ｎ２＝０であり、Ｚａが単結合であり、かつＡ＝（ｂ）である（１）項に記載のジオキサン誘導体。
（３）ｎ１＝ｎ２＝０であり、Ｚａが単結合であり、かつＡ＝（ａ）である（１）項に記載のジオキサン誘導体。
（４）ｎ１＋ｎ２＝１であり、かつＡ＝（ｂ）である（１）項に記載のジオキサン誘導体。
（５）ｎ１＋ｎ２＝１であり、かつＡ＝（ａ）である（１）項に記載のジオキサン誘導体。
（６）ｎ１＋ｎ２＝２であり、かつＡ＝（ｂ）である（１）項に記載のジオキサン誘導体。
（７）Ａ＝（ｃ）、あるいはＺｂが−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、あるいはｎ１が０でない場合のＺａが−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−である（１）項に記載のジオキサン誘導体。
（８）Ｑ１およびＱ２が共にフッ素原子である（１）項に記載のジオキサン誘導体。
（９）（１）項から（８）項のいずれか１項に記載の液晶化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組成物。
（１０）第一成分として、（１）項から（８）項のいずれか１項に記載のジオキサン誘導体を少なくとも１種類含有し、第二成分として、一般式（２）、（３）および（４）
【００２２】
【化１４】
【００２３】
（各式中、Ｒ３は炭素数１〜１０のアルキル基であり、このアルキル基中の相隣合わない一つ以上のメチレン基は酸素原子または−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されていてもよく、また任意の水素原子はフッ素原子で置換されてもよく、Ｙ１はフッ素原子、塩素原子、ＯＣＦ３、ＯＣＦ２Ｈ、ＣＦ３、ＣＦ２Ｈ、ＣＦＨ２、ＯＣＦ２ＣＦ２ＨまたはＯＣＦ２ＣＦＨＣＦ３を示し、Ｌ１およびＬ２は各々独立して水素原子またはフッ素原子を示し、Ｚ１およびＺ２は各々独立して−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−または単結合を示し、環Ｂはトランスー１，４−シクロヘキシレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、または水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレンを示し、環Ｃはトランスー１，４−シクロヘキシレンまたは水素原子がフッ素原子で置換されてもよい１，４−フェニレンを示し、各式の化合物において、それらを構成する各原子はそれらの同位体で置換されていてもよい。）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組成物。
（１１）第一成分として、（１）項から（８）項のいずれか１項に記載のジオキサン誘導体を少なくとも１種類含有し、第二成分として、一般式（５）および（６）
【００２４】
【化１５】
【００２５】
（各式中、Ｒ４およびＲ５は各々独立して炭素数１〜１０のアルキル基を示すが、このアルキル基中の相隣合わない一つ以上のメチレン基は酸素原子または−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されていてもよく、また任意の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、Ｙ２は−ＣＮまたは−Ｃ≡Ｃ−ＣＮを示し、環Ｅはトランスー１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイルまたはピリミジン−２，５−ジイルを示し、環Ｇはトランスー１，４−シクロヘキシレン、ピリミジン−２，５−ジイル、または水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレンを示し、環Ｈはトランスー１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンを示し、Ｚ３は−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＯＯ−または単結合を示し、Ｌ３、Ｌ４およびＬ５は各々独立して水素原子またはフッ素原子を示し、ｂ、ｃおよびｄは各々独立して０または１であり、各式の化合物において、それらを構成する各原子はそれらの同位体で置換されていてもよい。）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組成物。
（１２）第一成分として、（１）項から（８）項のいずれか１項に記載のジオキサン誘導体を少なくとも１種類含有し、第二成分として、前記一般式（２）、（３）および（４）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有し、第三成分として、一般式（７）、（８）および（９）
【００２６】
【化１６】
【００２７】
（各式中、Ｒ６およびＲ７は各々独立して炭素数１〜１０のアルキル基であって、該アルキル基中、相隣合わない一つ以上のメチレン基は酸素原子または−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されていてもよく、また任意の水素原子はフッ素原子で置換されてもよく、Ｉ、ＪおよびＫは各々独立して、トランスー１，４−シクロヘキシレン、ピリミジン−２，５−ジイルまたは水素原子がフッ素原子で置換されてもよい１，４−フェニレンを示し、Ｚ４およびＺ５は各々独立して、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−または共有結合を示す。各式の化合物において、それらを構成する各原子はそれらの同位体原子で置換されていてもよい。）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組成物。
【００２８】
（１３）第一成分として、（１）項から（８）項のいずれか１項に記載のジオキサン誘導体を少なくとも１種類含有し、第二成分として、前記一般式（５）および（６）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有し、第三成分として、前記一般式（７）、（８）および（９）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組成物。
（１４）第一成分として、（１）項から（８）項のいずれか１項に記載のジオキサン誘導体を少なくとも１種類含有し、第二成分の一部分として、前記一般式（２）、（３）および（４）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有し、第二成分の他の部分として、前記一般式（５）および（６）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有し、第三成分として、前記一般式（７）、（８）および（９）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組成物。
（１５）光学活性化合物をさらに含有することを特徴とする（９）項から（１４）項のいずれか１項に記載の液晶組成物。
（１６）（９）項から（１４）項のいずれか１項に記載の液晶組成物を用いて構成した液晶表示素子。
（１７）（１５）項に記載の液晶組成物を用いて構成した液晶表示素子。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
本発明の一般式（１）で示される化合物はジオキサン環を含めて３環から５環のコアを有し、かつこのジオキサン環の２位はＳｐ３炭素と結合し、かつ分子末端にフッ素系あるいは塩素系電子吸引基を有する液晶性化合物である。このような構造とすることにより、高い電圧保持率と特異的に大きなΔεを有するものとなる。
【００３０】
例えば本発明化合物（Ｎｏ．２１）は化合物（１４）とアルキル鎖、末端のベンゼン環の置換基を同じくするが以下のように特異的に大きなΔεと高い電圧保持率を有する。化合物（１４）のΔεは１５．７であるのに対し、本発明化合物（Ｎｏ．２１）のΔεは２３．７である。また電圧保持率に関しては化合物（１４）が２５℃で９８％、１００℃で９２％であるのに対し、本発明化合物（Ｎｏ．２１）は２５℃で９８％、１００℃で９４％である。
【００３１】
分子の各部分構造の双極子、および双極子と慣性主軸とのなす角を考慮した場合、化合物（１４）と本発明化合物（Ｎｏ．２１）は同程度のΔεを有することが当業者にとっては常識的に考えられるが、本発明の化合物（Ｎｏ．２１）のΔεは（１４）のそれに比し５０％も大きい。これは予見し得ない驚くべき特性である。
【００３２】
さらに、本発明の化合物が特異的に大きなΔεを有するもう１例を次に示す。
例えば化合物（１１）のΔεは１１．０であるのに対し、結合基としてエチレンを導入した化合物（１５）および（１６）のΔεはどちらも９．７であるようにΔεが小さくなるのが通常である。
【００３３】
【化１７】
【００３４】
ところが化合物（１７）のジオキサン環の２位に結合基としてエチレン基を導入すると本発明化合物（Ｎｏ．９８）となるが、化合物（１７）のΔεは２５．７であるのに対し、化合物（Ｎｏ．９８）のそれは驚くべきことに２８．３と化合物（１７）のそれより大きい。
【００３５】
【化１８】
【００３６】
このような効果はジオキサン環の２位にＳｐ３炭素が結合し、かつ分子末端にフッ素系あるいは塩素系電子吸引基を有する液晶性化合物にのみ発現するものである。これまでジオキサン環を含む液晶性化合物は以下に示すように公表特許公報平４−５０３６７８号および公表特許公報平４−５０１２７２号に開示されている。
【００３７】
【化１９】
【００３８】
本発明の化合物は形式上上記２つの先行技術のクレームに一部包含されるが、それらの明細書中に本願の化合物の記述を具体的に見いだすことはできない。さらに、上述の優れた特性すなわち、特異的に大きなΔε有しかつ高い電圧保持率を有することを予見させる記述は一切なく、かつ上記化合物の特性値は示されていない。
【００３９】
またアルキル基の末端にハロゲン原子が置換したジオキサン誘導体についてＵＳ００５４９４６０６Ａに記載があるが、この記述からも本発明化合物の優れた特性を予見することはできない。
一般式（１）に示す化合物のようにジオキサン環の２位にＳｐ３炭素が結合しかつ分子末端にフッ素系あるいは塩素系電子吸引基を有するものは、高い電圧保持率を有し、特異的に大きなΔεを有する。本発明の一般式（１）に示す化合物を用いて調製される液晶組成物は大きなΔεと高い電圧保持率を有しＴＦＴ型液晶表示素子の低電圧化に非常に有用なものとなる。
【００４０】
本発明の一般式（１）に示す化合物はいずれも高い電圧保持率を示すと共に特異的に大きなΔεを有することは既に述べたが、ここでさらに詳しく本発明の化合物を説明する。ただし化合物を構成する元素がその同位体元素で置換されたものは以下では言及しないが、同位体元素で置換された化合物も以下の説明で示す特性と何ら変わらない。
【００４１】
Ｒは炭素数が１〜２０のアルキル基または水素原子であるが、このアルキル基は炭素数１〜７が粘性と液晶相温度範囲のバランスという観点からみて好ましく、２〜５がさらに好ましい。
連結基ＺａおよびＺｂはそれぞれに独立して単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＯＯ−または−ＣＦ２Ｏ−でるが、それぞれの特徴を示すと次のようになる。
【００４２】
連結基ＺａおよびＺｂがともに単結合である化合物は比較的高い透明点を有し、低粘性であり、なおかつ他の液晶化合物あるいは液晶組成物との相溶性に優れ、化学的、電気的に安定である。連結基Ｚａ、Ｚｂの一方が単結合で他方が−ＣＨ２ＣＨ２−である化合物は共に単結合であるものに比し、粘性ではやや劣るが相溶性ではより優れ、連結基Ｚａ，Ｚｂの少なくとも一方が−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−である化合物は、連結基Ｚａ、Ｚｂの一方が単結合で他方が−ＣＨ２ＣＨ２−であるものに比し粘性ではやや劣るが相溶性ではさらに優れ、連結基Ｚａ、Ｚｂの少なくとも一方が−ＣＯＯ−である化合物は前記の他の５種の結合基であるものに比し、化学的、電気的安定性でやや劣るがより大きなΔεを有する。連結基Ｚａ、Ｚｂの少なくとも一方が−ＣＦ２Ｏ−である化合物は低粘性で、化学的、電気的にも安定である。
【００４３】
末端置換基Ｙについて、好ましい構造と、その置換基を有する化合物の特徴を次に示す。Ｙがフッ素である化合物は比較的大きなΔε有し、低粘性であり、他の液晶性化合物あるいは液晶組成物との相溶性に優れる。ＹがＣＦ３である化合物は非常に大きなΔεを有する。ＹがＯＣＦ３、またはＯＣＦ２Ｈである化合物は低粘性である。ＹがＣｌ、−ＯＣＦ２ＣＦ２Ｈ、または−ＯＣＦ２ＣＦＨＣＦ３である化合物は大きなΔｎと、高い透明点を有する。Ｙが−ＯＣＨ２ＣＦ２Ｈ、−ＯＣＨ２ＣＦ３、または−ＯＣＦＨＣＦ３である化合物は高い透明点を有し、比較的低粘性である。これらの置換基はそれぞれ上記の特長を有し、非常に有用である。さらに上記に示した基の他、−ＣＦ２Ｈ、−ＣＦ２Ｃｌ、−ＣＨ２ＣＦ３、−ＣＨ２ＣＨ２Ｆ、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｆ、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｆ、−ＯＣＦＨ２、−ＯＣＦ２Ｃｌ、−ＯＣＦ２ＣＦ３、および−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ３も好ましい。
【００４４】
本発明の化合物はフッ素あるいは塩素置換フェニレン基を有してもよいが、フェニレン基のラテラル位にフッ素原子あるいは塩素原子が数多く置換している化合物ほど大きなΔεを有し、逆にその数が少ない化合物は高い透明点と低粘性を有する。
本発明の化合物の中には１−シラ−１，４−シクロヘキシレン基および４−シラ−１，４−シクロヘキシレン基を有するものもあるが、本発明中のこれらの基を有する化合物は該基が１，４−シクロヘキシレン基であるものに比し、低温において他の液晶性化合物および液晶組成物との相溶性に優れる。
【００４５】
本発明の化合物は高い電圧保持率を有すると共に、その部分構造によって上記のような特長を有するが、一般式（１−Ａ）〜（１−Ｓ）で表される化合物がより好ましい特性を有する。
【００４６】
【化２０】
【００４７】
【化２１】
【００４８】
式（１−Ａ）で表される化合物は、一般式（１）において、
ｎ１とｎ２がともに０、ＺａとＺｂがともに単結合、Ａが（ｂ）である化合物である。
式（１−Ｂ）で表される化合物は、一般式（１）において、
ｎ１とｎ２がともに０、ＺａとＺｂがともに単結合、Ａが（ａ）である化合物である。
【００４９】
式（１−Ｃ）で表される化合物は、一般式（１）において、
ｎ１が０、ｎ２が１、環Ａ１が１，４−シクロヘキシレン、ＺａとＺｂがともに単結合、Ａが（ｂ）である化合物である。
式（１−Ｄ）で表される化合物は、一般式（１）において、
ｎ１とｎ２がともに０、Ｚａが単結合、Ｚｂが−ＣＨ２ＣＨ２−、Ａが（ａ）である化合物である。
【００５０】
式（１−Ｅ）で表される化合物は、一般式（１）において、
ｎ１が０、ｎ２が１、環Ａ１が置換あるいは無置換の１，４−フェニレン、ＺａとＺｂがともに単結合、Ａが（ｂ）である化合物である。
式（１−Ｆ）においてＺｃ２が単結合である化合物は、一般式（１）において、 ｎ１が０、ｎ２が１、環Ａ１が１，４−シクロヘキシレン、Ｚａが単結合、Ａが（ａ）である化合物である。
【００５１】
式（１−Ｆ）においてＺｃ２が−ＣＨ２ＣＨ２−である化合物は、一般式（１）において、
ｎ１が０、ｎ２が２、環Ａ１が１，４−シクロヘキシレン、Ｚａが単結合、Ａが（ｂ）である化合物である。
式（１−Ｇ）においてＺｃ２が単結合である化合物は、一般式（１）において、
ｎ１が１、ｎ２が０、環Ａ０が１，４−シクロヘキシレン、Ａが（ａ）である化合物である。
【００５２】
式（１−Ｇ）においてＺｃ２が−ＣＨ２ＣＨ２−である化合物は、一般式（１）において、
ｎ１とｎ２がともに１、環Ａ０と環Ａ１がともに１，４−シクロヘキシレン、Ａが（ｂ）である化合物である。
式（１−Ｈ）で表される化合物は、一般式（１）において、
ｎ１が２、ｎ２が０、環Ａ０が１，４−シクロヘキシレン、ＺａとＺｂがともに単結合、Ａが（ｂ）である化合物である。
【００５３】
式（１−Ｉ）で表される化合物は、一般式（１）において、
ｎ１が０、ｎ２が１、環Ａ１が置換あるいは無置換の１，４−フェニレン、Ｚａ、Ｚｂがともに単結合、Ａが（ａ）である化合物である。
式（１−Ｊ）で表される化合物は、一般式（１）において、
ｎ１とｎ２がともに１、環Ａ０が１，４−シクロヘキシレン、環Ａ１が置換あるいは無置換の１，４−フェニレン、Ｚａ、Ｚｂがともに単結合、Ａが（ｂ）である化合物である。
【００５４】
式（１−Ｋ）で表される化合物は、一般式（１）において、
ｎ１が０、ｎ２が２、環Ａ１が置換あるいは無置換の１，４−フェニレン、Ｚａ、Ｚｂがともに単結合、Ａが（ｂ）である化合物である。
式（１−Ｌ）で表される化合物は、一般式（１）において、
ｎ１とｎ２がともに０、ＺａとＺｂがともに単結合、Ａが（ｃ）である化合物である。
【００５５】
式（１−Ｍ）で表される化合物は、一般式（１）において、
ｎ１が０、ｎ２が１、環Ａ１が１，４−シクロヘキシレン、ＺａとＺｂがともに単結合、Ａが（ｃ）である化合物である。
式（１−Ｎ）で表される化合物は、一般式（１）において、
ｎ１とｎ２がともに０、Ｚａが単結合、Ｚｂが−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、Ａが（ａ）である化合物である。
【００５６】
式（１−Ｏ）で表される化合物は、一般式（１）において、
ｎ１が０、ｎ２が１、環Ａ１が置換あるいは無置換の１，４−フェニレン、ＺａとＺｂがともに単結合、Ａが（ｃ）である化合物である。
式（１−Ｐ）で表される化合物は、一般式（１）において、
ｎ１が０、ｎ２が１、環Ａ１が置換あるいは無置換の１，４−フェニレン、Ｚａが単結合、Ｚｂが−ＣＯＯ−あるいは−ＣＦ２Ｏ−、Ａが（ｂ）である化合物である。
【００５７】
式（１−Ｑ）で表される化合物は、一般式（１）において、
ｎ１が０、ｎ２が１、環Ａ１が置換あるいは無置換の１，４−フェニレン、Ｚａが単結合、Ｚｂが−ＣＯＯ−あるいは−ＣＦ２Ｏ−、Ａが（ａ）である化合物である。
式（１−Ｒ）で表される化合物は、一般式（１）において、
ｎ１が１、ｎ２が０、環Ａ０が置換あるいは無置換の１，４−フェニレン、ＺａとＺｂがともに単結合、Ａが（ａ）である化合物である。
式（１−Ｓ）で表される化合物は、一般式（１）において、
ｎ１とｎ２がともに０、Ｚａが単結合、Ｚｂが−ＣＯＯ−または−ＣＦ２Ｏ−、Ａが（ａ）である化合物である。
【００５８】
ただしＲ、Ｑ１、Ｑ２およびＹは前述と同様の意味を示し、Ｑ３およびＱ４はそれぞれに独立して水素原子またはフッ素原子を示し、Ｚｃ１〜Ｚｃ３はそれぞれ単結合または−ＣＨ２ＣＨ２−を示し、Ｚｄは−ＣＦ２Ｏ−または−ＣＯＯ−を示す。
ここで好ましい化合物の一般式（１−Ａ）〜（１−Ｓ）について、その特性を説明する。まずこれらすべてを総括すると、電圧保持率に関しては、一般式（１−Ｏ）、（１−Ｐ）および（１−Ｓ）においてＺｄが−ＣＯＯ−である化合物が他の本発明の化合物に比し若干劣るが、これでも従来のジオキサン環の２位にベンゼン環が結合し、かつ−ＣＯＯ−を有する化合物に比して電圧保持率は高い。またその他の化合物はすべて同様に高い電圧保持率を有する。また本発明の化合物はいずれも特異的に大きなΔεを有するので低電圧駆動を可能にする。
【００５９】
以下、電圧保持率およびΔε以外の特性について説明する。
一般式（１−Ａ）で表される化合物は極めて低粘性であり、相溶性は極めて良好である。本化合物は高速応答用液晶材料および低温でも表示可能な液晶材料の構成成分として有用である。
一般式（１−Ｂ）で表される化合物は透明点が高く、低粘性である。
【００６０】
一般式（１−Ｃ）、（１−Ｄ）で表される化合物は比較的透明点が高く、相溶性に優れる。
一般式（１−Ｂ）〜（１−Ｄ）で表される化合物は、透明点の高さ、粘性および相溶性のバランスに優れる化合物群である。
一般式（１−Ｅ）で表される化合物は比較的低粘性で、大きなΔｎを有する。この化合物を用いることにより、液晶組成物のΔｎの値を容易に要求値に調整でき、かつ低電圧駆動も可能となる。
【００６１】
一般式（１−Ｆ）〜（１−Ｈ）で表される化合物は非常に高い透明点を有するので、高温での表示が可能な液晶材料の構成成分として有用である。
一般式（１−Ｉ）〜（１−Ｋ）および（１−Ｒ）で表される化合物は高い透明点と大きなΔｎを有する。特に（１−Ｋ）のΔｎは非常に大きい。これらの化合物群も、高温での表示が可能な液晶材料の構成成分として有用である。
【００６２】
一般式（１−Ｌ）〜（１−Ｏ）で表される化合物はいずれも連結基−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−を有するが、この化合物群は相溶性に優れる。
一般式（１−Ｐ）、（１−Ｑ）、および（１−Ｓ）で表される化合物で、Ｚｄが−ＣＯＯ−であるものは高い透明点を有し、−ＣＦ２Ｏ−であるものは低粘性を有する。
本発明の化合物ほど電圧保持率が高くかつΔεが大きい化合物はこれまでに例がない。
【００６３】
本発明の化合物は、上記の特長を有するので特に高い電圧保持率が必要な液晶表示素子においての低電圧駆動をより容易にするものである。
本発明の化合物は特にＴＦＴ用液晶組成物に好適な液晶性化合物であるが、他の用途にも好適に活用できる。例えばＴＮ用液晶組成物、ゲストホストモ−ド用の液晶組成物、ポリマ−分散型液晶表示素子用の液晶組成物、動的散乱モ−ド用の液晶組成物、ＳＴＮ用の液晶組成物、強誘電性液晶組成物、反強誘電性液晶組成物、インプレーンスイッチング用の液晶組成物、ＯＣＢモード用の液晶組成物、Ｒ−ＯＣＢモード用の液晶組成物である。
【００６４】
本発明において液晶性化合物とは液晶相を有する化合物または、他の液晶と混合しても液晶相を損なわない化合物の総称である。
本発明の液晶組成物は一般式（１）で表される化合物の１種類以上を０．１〜９９．９重量％、好ましくは１〜５０重量％、より好ましくは３〜２０重量％含有することが、優良な特性を発現するために好ましい。
【００６５】
本発明で提供される液晶組成物は、一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種類含有する第一成分に加え、液晶組成物の目的に応じて一般式（２）〜（９）で表される化合物群から任意に選択される化合物を混合し完成する。
一般式（２）〜（４）で表される化合物として、好ましくは以下の化合物を挙げることができる。
（Ｒ3、Ｙ1は前記と同一の意味を示す。）
【００６６】
【化２２】
【００６７】
【化２３】
【００６８】
【化２４】
【００６９】
【化２５】
【００７０】
【化２６】
【００７１】
【化２７】
【００７２】
【化２８】
【００７３】
【化２９】
【００７４】
【化３０】
【００７５】
一般式（２）〜（４）で表される化合物は誘電率異方性値が正でありまた、熱的安定性や化学的安定性に優れており、電圧保持率が高い（あるいは比抵抗値が大きい）といった高信頼性が要求されるＴＦＴ用の液晶組成物を調製する場合には有用な化合物である。
一般式（２）〜（４）で表される化合物の使用量は、ＴＦＴ用の液晶組成物を調製する場合、液晶組成物の全重量に対して１〜９９重量％の範囲で任意に使用できるが、好ましくは１０〜９７重量％、より好ましくは４０〜９５重量％である。また、その際には一般式（７）〜（９）で表される化合物を含有してもよい。ＳＴＮ表示方式用あるいはＴＮ表示方式用の液晶組成物を調製する場合にも一般式（２）〜（４）で表される化合物を使用できる。
【００７６】
一般式（５）、（６）で表される化合物として、好ましくは以下の化合物を挙げることができる。（Ｒ4、Ｒ5、Ｙ2は前記と同一の意味を示す。）
【００７７】
【化３０】
【００７８】
【化３１】
【００７９】
【化３２】
【００８０】
【化３３】
【００８１】
【化３４】
【００８２】
一般式（５）、（６）で表される化合物は誘電率異方性値が正でその値が大きく、特にしきい値電圧を小さくする目的で使用される。また、屈折率異方性値の調整、透明点を高くする等のネマチックレンジを広げる目的にも使用される。さらに、ＳＴＮ表示方式用およびＴＮ表示方式用の液晶組成物の「透過率−電圧曲線」の急峻性を改良する目的にも使用される。
【００８３】
一般式（５）、（６）で表される化合物は、特にＳＴＮ表示方式およびＴＮ表示方式用の液晶組成物を調製する場合には有用な化合物である。
一般式（５）、（６）で表される化合物の使用量を増加させると、液晶組成物のしきい値電圧が小さくなり、粘度が上昇する。したがって、液晶組成物の粘度が要求特性を満足する限り多量に使用した方が低電圧駆動できるので有利である。一般式（５）、（６）で表される化合物の使用量は、ＳＴＮ表示方式用またはＴＮ表示方式用の液晶組成物を調製する場合には０．１〜９９．９重量％の範囲で任意に使用できるが、１０〜９７重量％、より好ましくは４０〜９５重量％である。
【００８４】
一般式（７）〜（９）で表される化合物として、好ましくは以下の化合物を挙げることができる。（Ｒ6、Ｒ7は前記と同一の意味を示す。）
【００８５】
【化３５】
【００８６】
【化３６】
【００８７】
【化３７】
【００８８】
一般式（７）〜（９）で表される化合物は、誘電率異方性の絶対値が小さく、ゼロに近い化合物である。一般式（７）で表される化合物は主として粘度調整または屈折率異方性値の調整の目的で使用される。また、一般式（８）および（９）で表される化合物は透明点を高くする等のネマチックレンジを広げる目的または屈折率異方性値の調整の目的で使用される。
【００８９】
一般式（７）〜（９）で表される化合物の使用量を増加させると液晶組成物のしきい値電圧が大きくなるが、粘度が小さくなる。したがって、液晶組成物のしきい値電圧が要求値を満足している限り、多量に使用することが望ましい。一般式（７）〜（９）で表される化合物の使用量は、ＴＦＴ表示方式用の液晶組成物を調製する場合には４０重量％以下、より好ましくは３５重量％以下が好適である。また、ＳＴＮ表示方用式またはＴＮ表示方式用の液晶組成物を調製する場合には７０重量％以下、より好ましくは６０重量％以下である。
【００９０】
また、本発明では、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード用液晶組成物等の特別な場合を除き、通常、液晶組成物のらせん構造を誘起して必要なねじれ角を調整し、逆ねじれ（ｒｅｖｅｒｓｅ ｔｗｉｓｔ）を防ぐ目的で、光学活性化合物を添加する。本発明の液晶組成物には、このような目的で使用される公知化のいずれの光学活性化合物も使用することができるが、好ましくは以下の光学活性化合物（Ｏｐ−１）〜（Ｏｐ−８）を挙げることができる。
【００９１】
【化３８】
【００９２】
本発明の液晶組成物は、通常、これらの光学活性化合物を添加して、ねじれのピッチ（ｐｉｔｃｈ）を調整する。ねじれのピッチは、ＴＦＴ用およびＴＮ用の液晶組成物であれば４０〜２００μｍの範囲に調整するのが好ましい。ＳＴＮ用の液晶組成物であれば６〜２０μｍの範囲に調整するのが好ましい。また、双安定ＴＮ（Ｂｉｓｔａｂｌｅ ＴＮ）モード用の場合は、１．５〜４μｍの範囲に調整するのが好ましい。また、ピッチの温度依存性を調整する目的で、２種以上の光学活性化合物を添加しても良い。
【００９３】
本発明に従い調製される液晶組成物は、慣用な方法で調製される。一般には、種々の成分を高い温度で互いに溶解させる方法がとられている。
【００９４】
また、本発明の液晶組成物は、メロシアニン系、スチリル系、アゾ系、アゾメチン系、アゾキシ系、キノフタロン系、アントラキノン系、およびテトラジン系等の二色性色素を添加してゲストホスト（ＧＨ）モード用の液晶組成物としても使用できる。あるいは、ネマチック液晶をマイクロカプセル化して作製したＮＣＡＰや液晶中に三次元網目状高分子を作製したポリマーネットワーク液晶表示素子（ＰＮＬＣＤ）に代表されるポリマー分散型液晶表示素子（ＰＤＬＣＤ）用の液晶組成物としても使用できる。その他、複屈折制御（ＥＣＢ）モードや動的散乱（ＤＳ）モード用の液晶組成物としても使用できる。
【００９５】
一般式（１）で表される化合物は、いずれも公知の文献、例えば第４版実験化学講座（丸善）、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，４２，１８２１（１９７７）、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｐｅｒｋｉｎ Ｔｒａｎｓ．２，２０４１（１９８９）に記載されているような公知の方法によって製造することができる。
ここに代表的化合物の好ましい合成手順を示す。
一般式（１−Ａ）で表される化合物の合成法。
【００９６】
【化３９】
【００９７】
ジエチルホスホノ酢酸エチルに水素化ナトリウムを作用させた溶液にベンズアルデヒド誘導体（２３）を作用させて化合物（２４）を得る。化合物（２４）を０価のパラジウムなどを触媒として水素添加し、得られたエステル誘導体（２５）をジイソブチルアルミニウムヒドリド（以下ＤＩＢＡＬと略す）を用いて還元しアルデヒド誘導体（２６）を得る。このアルデヒド誘導体（２６）と２−アルキル−１、３−プロパンジオ−ルとをパラ−トルエンスルホン酸（以下ＰＴＳと略す）あるいは酸性イオン交換樹脂（アンバーリストＲ）などの酸性触媒存在下、生成する水を除去しながら加熱還流して一般式（１−Ａ）で表される化合物を得ることができる。
一般式（１−Ｂ）で表される化合物の合成法。
【００９８】
【化４０】
【００９９】
グリニヤール試薬（２７）にシクロヘキサンジオンモノエチレンケタール（２８）を作用させて３級アルコール（２９）を得る。これを脱水、水素添加し次いで酸性条件下で、脱保護するとシクロヘキサノン誘導体（３１）を得る。これにメトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロリドを作用させ、次いで酸性条件下で脱保護して、アルデヒド誘導体（３２）を得る。これに酸性条件下で２−アルキル−１、３−プロパンジオ−ルを作用させて一般式（１−Ｂ）で表される化合物を得ることができる。
一般式（１−Ｃ）で表される化合物の合成法。
【０１００】
【化４１】
【０１０１】
アルデヒド誘導体（２３）を（３２）に代える以外は一般式（１−Ａ）で表される化合物を合成するのと同様にして一般式（１−Ｃ）で表される化合物を得ることができる。
一般式（１−Ｄ）で表される化合物の合成法。
【０１０２】
【化４２】
【０１０３】
グリニヤール試薬（２７）を（３４）に代える以外は一般式（１−Ｂ）で表される化合物を合成するのと同様にして一般式（１−Ｄ）で表される化合物を得ることができる。
一般式（１−Ｅ）で表される化合物の合成法。
【０１０４】
【化４３】
【０１０５】
一般式（１−Ａ）においてＹが水素原子である化合物（３５）を合成する。化合物（３５）にブチルリチウムを作用させてリチオ化し、このリチオ化物に塩化亜鉛、Ｐｄ（０）および化合物（３６）をこの順に作用させて一般式（１−Ｅ）で表される化合物を得ることができる。この方法はＪ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，４２，１８２１（１９７７）に記載されている方法を適用したものである。またＪ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｐｅｒｋｉｎ Ｔｒａｎｓ．２，２０４１（１９８９）に記載の方法も適用できる。
一般式（１−Ｌ）で表される化合物の合成法。
【０１０６】
【化４４】
【０１０７】
アルデヒド誘導体（２３）を（２６）に代える以外は一般式（１−Ａ）で表される化合物を合成するのと同様にして一般式（１−Ｌ）で表される化合物を得ることができる。
一般式（１−Ｍ）で表される化合物の合成法。
【０１０８】
【化４５】
【０１０９】
アルデヒド誘導体（２３）を（３３）に代える以外は一般式（１−Ａ）で表される化合物を合成するのと同様にして一般式（１−Ｍ）で表される化合物を得ることができる。
一般式（１−Ｎ）で表される化合物の合成法。
【０１１０】
【化４６】
【０１１１】
１，３−ジオキサン−２−イルエチルトリフェニルホスホニウムブロミドとカリウム−ｔ−ブトキシドなどの塩基から調製したイリドにアルデヒド誘導体（２３）を作用させ、得られた生成物を水素添加した後、酸により脱保護してアルデヒド誘導体（４０）を得る。これに水素化ホウ素ナトリウムなどの還元剤を作用させ、得られたアルコール誘導体を臭化水素酸などにより臭素化し化合物（４１）を得、次いでマグネシウムを作用させてグリニヤール試薬（４２）を調製する。グリニヤール試薬（２７）を（４２）に代える以外は一般式（１−Ｂ）で表される化合物を合成するのと同様にして一般式（１−Ｎ）で表される化合物を得ることができる。
一般式（１−Ｏ）で表される化合物の合成法。
【０１１２】
【化４７】
【０１１３】
一般式（１−Ｌ）においてＹが水素原子である化合物（４３）を合成する。化合物（３５）を（４３）に代える以外は一般式（１−Ｅ）で表される化合物を合成するのと同様にして一般式（１−Ｏ）で表される化合物を得ることができる。
一般式（１−Ｐ）で表される化合物の合成法。
【０１１４】
【化４８】
【０１１５】
化合物（３５）にブチルリチウムを作用させてリチオ化し、このリチオ化物に、第４版実験化学講座（丸善）２２巻の１６頁に記載されているように、二酸化炭素を作用させることで、カルボン酸誘導体（４４）を得ることができる。このカルボン酸誘導体（４４）に、同実験化学講座２２巻の４６頁に記載されている方法を用いて、４−ジメチルアミノピリジンと１、３−ジシクロヘキシルカルボジイミド（以下ＤＣＣと略す）の共存下に、フェノール誘導体（４５）を作用させてエステル体（４６）を得ることができる。これは一般式（１−Ｐ）おいてＺｄが−ＣＯＯ−である化合物である。
【０１１６】
【化４９】
【０１１７】
Ｂｕｌｌ．Ｓｏｃ．Ｃｈｉｍ．Ｂｅｌｇ．，８７，２９３（１９７８）に記載されているようにエステル体（４６）にローソン試薬を作用させ、得られたチオンエステル（４７）に塩化メチレンあるいはグライム溶媒中、ジエチルアミノサルファートリフルオリド（以下ＤＡＳＴと略す）を作用させるか、特開平６−２６３６７９号に記載されているように塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン中で二水素三フッ化テトラブチルアンモニウム（以下ＴＢＡＨ２Ｆ３と略す）とＮ−ヨウ化こはく酸イミド（以下ＮＩＳと略す）とを作用させてジフルオロメチルエーテル（４８）を得ることができる。これは一般式（１−Ｐ）おいてＺｄが−ＣＦ２Ｏ−である化合物である。
【０１１８】
【化５０】
【０１１９】
Ｈｅｌｖ．Ｃｈｉｍ．Ａｃｔａ．，２７，７９３（１９４４）に記載されている方法を用いてペンタン−１，３，３，５−テトラカルボン酸テトラエチルエステル（４９）からシクロヘキサノン−４−カルボン酸エチルエステル（５０）を合成することができる。あるいはシクロヘキサンジオンモノエチレンケタールにメトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロリドを作用させ、次いで酸性条件下で脱保護して、アルデヒド誘導体（５１）を得る。これを第４版実験化学講座（丸善）２２巻の３〜４頁に記載されている方法を用いて酸化し、カルボン酸誘導体（５２）とし、次いでこれを第４版実験化学講座（丸善）２２巻の４４〜４７頁に記載されている方法を用いてエステル化し、化合物（５０）を合成することもできる。これにメトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロリドを作用させ、次いで酸性条件下で脱保護して、アルデヒド誘導体（５３）を得る。化合物（２６）を化合物（５３）に代える以外は一般式（１−Ａ）で表される化合物を合成するのと同様にして化合物（５４）を得ることができる。これを第４版実験化学講座（丸善）２２巻の８〜１１頁に記載されているアルカリ性条件下あるいは中性条件下での加水分解の方法を用いて化合物（５５）を合成し、次いで第４版実験化学講座（丸善）２２巻の４５〜４７頁に記載されている方法を用いてエステル化して化合物（５６）を合成するができる。これは一般式（１−Ｓ）おいてＺｄが−ＣＯＯ−である化合物である。
化合物（４６）を化合物（５６）に代える以外は化合物（４８）を得る方法と同様にして一般式（１−Ｓ）おいてＺｄが−ＣＦ２Ｏ−である化合物を得ることができる。
【０１２０】
４環化合物である一般式（１−Ｆ）〜（１−Ｋ）および（１−Ｑ）、（１−Ｒ）で表される化合物は上記３環化合物の合成法を活用し容易に製造できる。
本発明中の１−シラ−１，４−シクロヘキシレン基および４−シラ−１、４−シクロヘキシレン基を有する化合物は公開特許公報平７−７０１４８に記載の方法を適用することにより製造できる。
さらに本発明化合物を含有する液晶組成物の例として以下の組成物例（組成物例１〜４９）を示すことができる。なお、各組成物例中において、化合物の表示は下記表１に示す取り決めに従い、左末端基、結合基、環構造および右末端基の各欄に示された基を記号の欄に示されたそれに対応させることにより行った。また、例えば、下記の部分構造式において、トランスー１，４−シクロヘキシレンおよびトランス，トランス−ビシクロヘキサン−４，４’−ジイルの水素原子が、Ｊ１、Ｊ２，Ｊ３の位置で置換された場合には、記号Ｈ［１Ｄ，２Ｄ，３Ｄ］とし、またＪ５、Ｊ６、Ｊ７の位置で重水素原子によって置換された場合は、記号Ｈ［５Ｄ，６Ｄ，７Ｄ］として［ ］内の番号で重水素置換位置を示した。
【０１２１】
【化５１】
【０１２２】
本発明化合物に付した化合物Ｎｏ．は後述の実施例中に示されるそれと同一であり、化合物の含有量は特に規定のない限り重量％を意味する。
また、使用例の特性デ−タは、ＴＮＩ（ネマチック−等方性液体転移温度または透明点）、η（粘度：測定温度２０．０℃）、Δｎ（屈折率異方性：測定温度２５．０℃）、Δε１（誘電率異方性値：測定温度２５．０℃）およびＶｔｈ（しきい値電圧：測定温度２５．０℃）により示した。
【０１２３】
【表１】
【０１２４】
組成物例１
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（化合物Ｎｏ．２１） ３．０％
３−Ｄ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．９８） ３．０％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ
５．０％
３−ＨＢ−Ｃ ２５．０％
１−ＢＴＢ−３ ５．０％
２−ＢＴＢ−１
１０．０％
３−ＨＨ−４
１１．０％
３−ＨＨＢ−１
５．０％
３−ＨＨＢ−３
９．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２
４．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３
４．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４
４．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２
６．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３
６．０％
Ｏｐ−４
０．８部
ＴＮＩ＝８３．５（℃）
η＝１７．５（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１５９
Δε１＝８．１
Ｖｔｈ＝１．９８（Ｖ）
Ｐ＝１１μｍ
【０１２５】
組成物例２
３−Ｄ２Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．１１） ２．０％
３−Ｄ４Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．２６１） ２．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＣＬ
（化合物Ｎｏ．１７５） ４．０％
Ｖ２−ＨＢ−Ｃ １０．０％
１Ｖ２−ＨＢ−Ｃ １０．０％
３−ＨＢ−Ｃ
１１．０％
３−Ｈ［１Ｄ，２Ｄ，３Ｄ］Ｂ−Ｃ
９．０％
３−ＨＢ（Ｆ）−Ｃ
５．０％
２−ＢＴＢ−１ ２．０％
３−ＨＨ−４ ８．０％
３−ＨＨ−ＶＦＦ
６．０％
２−Ｈ［１Ｄ，２Ｄ，３Ｄ］ＨＢ−Ｃ
３．０％
３−ＨＨＢ−Ｃ
６．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２
８．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２
５．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３
５．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４
４．０％
ＴＮＩ＝８９．２（℃）
η＝１９．０（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１５１
Δε１＝８．８
Ｖｔｈ＝１．９８（Ｖ）
【０１２６】
組成物例３
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３（化合物Ｎｏ．２２） ５．０％
２Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ５．０％
３Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ １５．０％
４Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ １３．０％
５Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ １０．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｃ
１５．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｃ
１５．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２
４．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３
４．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−４
４．０％
３−ＨＨＢ−１
６．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１
４．０％
ＴＮＩ＝９２．６（℃）
η＝８６．５（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１４８
Δε１＝３１．２
Ｖｔｈ＝０．８６（Ｖ）
【０１２７】
組成物例４
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （化合物Ｎｏ．２１） ３．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３（化合物Ｎｏ．２２） ３．０％
５−ＰｙＢ−Ｆ
４．０％
３−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ
４．０％
２−ＢＢ−Ｃ
５．０％
４−ＢＢ−Ｃ
４．０％
５−ＢＢ−Ｃ
５．０％
２−ＰｙＢ−２
２．０％
３−ＰｙＢ−２
２．０％
４−ＰｙＢ−２
２．０％
６−ＰｙＢ−Ｏ５
３．０％
６−ＰｙＢ−Ｏ６
３．０％
６−ＰｙＢ−Ｏ７
３．０％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ
６．０％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ
６．０％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ
３．０％
３−ＨＨＢ−１
６．０％
３−ＨＨＢ−３
８．０％
２−Ｈ２ＢＴＢ−２
４．０％
２−Ｈ２ＢＴＢ−３
４．０％
２−Ｈ２ＢＴＢ−４
５．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２
５．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３
５．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４
５．０％
ＴＮＩ＝９１．７（℃）
η＝３５．１（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１９５
Δε１＝７．６
Ｖｔｈ＝２．１９（Ｖ）
【０１２８】
組成物例５
３−Ｄ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．９８） ５．０％
３−Ｄ２Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．１１） ３．０％
３−Ｄ４Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．２６１） ２．０％
３−ＤＢ−Ｃ
８．０％
４−ＤＢ−Ｃ
５．０％
２−ＢＥＢ−Ｃ
１２．０％
３−ＢＥＢ−Ｃ
４．０％
３−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ
３．０％
３−ＨＥＢ−Ｏ４
８．０％
４−ＨＥＢ−Ｏ２
６．０％
５−ＨＥＢ−Ｏ１
６．０％
３−ＨＥＢ−Ｏ２
５．０％
５−ＨＥＢ−Ｏ２
４．０％
５−ＨＥＢ−５
５．０％
４−ＨＥＢ−５
５．０％
１Ｏ−ＢＥＢ−２
４．０％
３−ＨＨＢ−１
６．０％
３−ＨＨＥＢＢ−Ｃ
３．０％
３−ＨＢＥＢＢ−Ｃ
３．０％
５−ＨＢＥＢＢ−Ｃ
３．０％
ＴＮＩ＝６７．４（℃）
η＝３９．９（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１１９
Δε１＝１１．１
Ｖｔｈ＝１．３７（Ｖ）
【０１２９】
組成物例６
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（化合物Ｎｏ．２１） ３．０％
３−Ｄ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．９８） ３．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２２） ３．０％
３−ＨＢ−Ｃ
１３．０％
７−ＨＢ−Ｃ
３．０％
１Ｏ１−ＨＢ−Ｃ
６．０％
３−ＨＢ（Ｆ）−Ｃ
１０．０％
２−ＰｙＢ−２
２．０％
３−ＰｙＢ−２
２．０％
４−ＰｙＢ−２
２．０％
１Ｏ１−ＨＨ−３
７．０％
２−ＢＴＢ−Ｏ１
７．０％
３−ＨＨＢ−１
７．０％
３−ＨＨＢ−Ｆ
４．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１
４．０％
３−ＨＨＢ−３
８．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２
３．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３
３．０％
２−ＰｙＢＨ−３
４．０％
３−ＰｙＢＨ−３
３．０％
３−ＰｙＢＢ−２
３．０％
ＴＮＩ＝７９．６（℃）
η＝２１．１（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１３７
Δε１＝８．５
Ｖｔｈ＝１．６８（Ｖ）
【０１３０】
組成物例７
３−Ｄ２Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．１１） ４．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２２） ５．０％
２Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ
５．０％
３Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ
１０．０％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ
１０．０％
３−ＨＨ−ＥＭｅ
１０．０％
３−ＨＢ−Ｏ２
１８．０％
７−ＨＥＢ−Ｆ
２．０％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ
２．０％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ
２．０％
３−ＨＢＥＢ−Ｆ
４．０％
２Ｏ１−ＨＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ
２．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＥＢ（Ｆ）−Ｃ
２．０％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ
２．０％
３−ＨＨＢ−Ｆ
４．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１
４．０％
３−ＨＨＢ−３
１０．０％
３−ＨＥＢＥＢ−Ｆ
２．０％
３−ＨＥＢＥＢ−１
２．０％
ＴＮＩ＝７４．５（℃）
η＝３３．７（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１１０
Δε１＝２２．９
Ｖｔｈ＝１．０１（Ｖ）
【０１３１】
組成物例８
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（化合物Ｎｏ．２１） ３．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＣＬ
（化合物Ｎｏ．１７５） ３．０％
５−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ
５．０％
Ｖ−ＨＢ−Ｃ
１１．０％
５−ＰｙＢ−Ｃ
６．０％
４−ＢＢ−３
１１．０％
３−ＨＨ−２Ｖ
１０．０％
５−ＨＨ−Ｖ
８．０％
Ｖ−ＨＨＢ−１
７．０％
Ｖ２−ＨＨＢ−１
１５．０％
３−ＨＨＢ−１
９．０％
１Ｖ２−ＨＢＢ−２
７．０％
３−ＨＨＥＢＨ−３
５．０％
ＴＮＩ＝９１．０（℃）
η＝１９．２（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１１６
Δε１＝６．１
Ｖｔｈ＝２．１９（Ｖ）
【０１３２】
組成物例９
３−Ｄ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．９８） ５．０％
３−Ｄ２Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．１１） ２．０％
３−Ｄ４Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．２６１） ３．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＣＬ
（化合物Ｎｏ．１７５） ５．０％
２Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ
５．０％
３Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ
８．０％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ
１６．０％
３−ＨＢ−Ｏ２
１０．０％
３−ＨＨ−４
３．０％
３−ＨＨＢ−Ｆ
３．０％
３−ＨＨＢ−１
５．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１
４．０％
３−ＨＢＥＢ−Ｆ
４．０％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ
７．０％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ
７．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３
４．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４
４．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２
５．０％
ＴＮＩ＝８７．５（℃）
η＝４１．７（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１３３
Δε１＝２８．２
Ｖｔｈ＝１．０２（Ｖ）
【０１３３】
組成物例１０
３−Ｄ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．９８） ５．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２２） ５．０％
２−ＢＥＢ−Ｃ
１２．０％
４−ＢＥＢ−Ｃ
６．０％
３−ＨＢ−Ｃ
２２．０％
３−ＨＥＢ−Ｏ４
１２．０％
４−ＨＥＢ−Ｏ２
８．０％
５−ＨＥＢ−Ｏ１
８．０％
３−ＨＥＢ−Ｏ２
６．０％
５−ＨＥＢ−Ｏ２
５．０％
３−ＨＨＢ−１
７．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１
４．０％
ＴＮＩ＝６１．５（℃）
η＝２９．０（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１０７
Δε１＝１０．３
Ｖｔｈ＝１．３２（Ｖ）
【０１３４】
組成物例１１
３−Ｄ４Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．２６１） ４．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＣＬ
（化合物Ｎｏ．１７５） ４．０％
２−ＢＥＢ−Ｃ
１０．０％
５−ＢＢ−Ｃ
８．０％
７−ＢＢ−Ｃ
７．０％
１−ＢＴＢ−３
７．０％
２−ＢＴＢ−１
１０．０％
１Ｏ−ＢＥＢ−２
１０．０％
１Ｏ−ＢＥＢ−５
１２．０％
２−ＨＨＢ−１
４．０％
３−ＨＨＢ−Ｆ
４．０％
３−ＨＨＢ−１
７．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１
４．０％
３−ＨＨＢ−３
９．０％
ＴＮＩ＝６４．９（℃）
η＝２０．８（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１５５
Δε１＝６．９
Ｖｔｈ＝１．７２（Ｖ）
【０１３５】
組成物例１２
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（化合物Ｎｏ．２１） ５．０％
３−Ｄ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．９８） ５．０％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ
６．０％
３−ＨＢ−Ｃ １０．０％
Ｖ２Ｖ−ＨＢ−Ｃ
１４．０％
Ｖ２Ｖ−ＨＨ−３
１９．０％
３−ＨＢ−Ｏ２
４．０％
３−ＨＨＢ−１
７．０％
３−ＨＨＢ−３
１０．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２
４．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３
４．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２
４．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３
４．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４
４．０％
ＴＮＩ＝９２．６（℃）
η＝２１．４（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１２６
Δε１＝８．９
Ｖｔｈ＝１．９７（Ｖ）
【０１３６】
組成物例１３
３−Ｄ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．９８） ５．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２２） ５．０％
５−ＢＴＢ（Ｆ）ＴＢ−３
１０．０％
Ｖ２−ＨＢ−ＴＣ
１０．０％
３−ＨＢ−ＴＣ
１０．０％
３−ＨＢ−Ｃ １０．０％
５−ＨＢ−Ｃ
７．０％
５−ＢＢ−Ｃ
３．０％
２−ＢＴＢ−１
１０．０％
２−ＢＴＢ−Ｏ１
５．０％
３−ＨＨ−４
５．０％
３−ＨＨＢ−３
１１．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２
３．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３
３．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２
３．０％
ＴＮＩ＝８９．４（℃）
η＝１８．６（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．２０１
Δε１＝８．７
Ｖｔｈ＝１．８１（Ｖ）
【０１３７】
組成物例１４
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（化合物Ｎｏ．２１） ３．０％
３−Ｄ４Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．２６１） ３．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＣＬ
（化合物Ｎｏ．１７５） ３．０％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ
６．０％
３−ＨＢ−Ｃ １８．０％
２−ＢＴＢ−１
１０．０％
５−ＨＨ−ＶＦＦ
２５．０％
１−ＢＨＨ−ＶＦＦ
８．０％
１−ＢＨＨ−２ＶＦＦ
１１．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２
５．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３
４．０％
３−ＨＨＢ−１
４．０％
ＴＮＩ＝７７．６（℃）
η＝１５．６（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１２５
Δε１＝７．９
Ｖｔｈ＝１．９０（Ｖ）
【０１３８】
組成物例１５
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（化合物Ｎｏ．２１） ４．０％
３−Ｄ２Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．１１） ４．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２２） ４．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＣＬ
（化合物Ｎｏ．１７５） ４．０％
２−ＨＢ−Ｃ ５．０％
３−ＨＢ−Ｃ ７．０％
３−ＨＢ−Ｏ２
１５．０％
２−ＢＴＢ−１
３．０％
３−ＨＨＢ−１
８．０％
３−ＨＨＢ−Ｆ
４．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１ ５．０％
３−ＨＨＢ−３
１４．０％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ
４．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
７．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
７．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５．０％
ＴＮＩ＝８６．６（℃）
η＝２３．９（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．０９２
Δε１＝６．９
Ｖｔｈ＝２．１２（Ｖ）
【０１３９】
組成物例１６
３−Ｄ２Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．１１） ５．０％
３−Ｄ４Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．２６１） ５．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（化合物Ｎｏ．２１） １０．０％
３−Ｄ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．９８） １０．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２２） １０．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＣＬ
（化合物Ｎｏ．１７５） ５．０％
２Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ５．０％
３Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ
１２．０％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ
７．０％
３−ＨＢ−Ｏ２
１０．０％
３−ＨＨＢ−Ｆ
３．０％
３−ＨＢＥＢ−Ｆ
４．０％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ
７．０％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ
７．０％
ＴＮＩ＝５７．８（℃）
η＝５０．４（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．０９５
Δε１＝２８．９
Ｖｔｈ＝０．９８（Ｖ）
【０１４０】
組成物例１７
３−Ｄ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．９８） ５．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２２） ５．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
１７．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
１７．０％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
１６．０％
２−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ
６．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ
５．０％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ
１０．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
６．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
１３．０％
Ｏｐ−８
０．３部
ＴＮＩ＝９８．６（℃）
η＝２８．３（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．０９４
Δε１＝６．８
Ｖｔｈ＝１．９９（Ｖ）
Ｐ＝７９μｍ
【０１４１】
組成物例１８
３−Ｄ２Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．１１） ４．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２２） ４．０％
７−ＨＢ（Ｆ）−Ｆ
３．０％
５−Ｈ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ
３．０％
３−ＨＢ−Ｏ２
１０．０％
３−ＨＨ−４
２．０％
３−ＨＨ［５Ｄ，６Ｄ，７Ｄ］−４
３．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
６．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
１０．０％
５−ＨＨ［５Ｄ，６Ｄ，７Ｄ］Ｂ（Ｆ）−Ｆ １０．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ
５．０％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
３．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
３．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
６．０％
２−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ
５．０％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ
６．０％
３−ＨＨＢ−１
８．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１
５．０％
３−ＨＨＢ−３
４．０％
ＴＮＩ＝８８．４（℃）
η＝１９．３（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．０９４
Δε１＝４．０
Ｖｔｈ＝２．５０（Ｖ）
【０１４２】
組成物例１９
３−Ｄ２Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．１１） ５．０％
３−Ｄ４Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．２６１） ５．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＣＬ
（化合物Ｎｏ．１７５） ４．０％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
３．０％
３−ＨＢ−Ｏ２
７．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
１０．０％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
１０．０％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
９．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
９．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
１６．０％
２−ＨＢＢ−Ｆ
４．０％
３−ＨＢＢ−Ｆ
４．０％
５−ＨＢＢ−Ｆ
３．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
５．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
６．０％
ＴＮＩ＝７８．８（℃）
η＝２４．３（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１１１
Δε１＝６．６
Ｖｔｈ＝１．９０（Ｖ）
【０１４３】
組成物例２０
３−Ｄ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．９８） ５．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＣＬ
（化合物Ｎｏ．１７５） ３．０％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
３．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１２．０％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
５．０％
４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
５．０％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
７．０％
５−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１２．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１２．０％
３−ＨＢＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
６．０％
ＴＮＩ＝７１．８（℃）
η＝２８．９（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．０８９
Δε１＝１０．０
Ｖｔｈ＝１．４６（Ｖ）
【０１４４】
組成物例２１
３−Ｄ４Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．２６１） ５．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２２） ５．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＣＬ
（化合物Ｎｏ．１７５） ５．０％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
５．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１２．０％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
３．０％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
３．０％
２−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
３．０％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
５．０％
５−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３．０％
３−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
５．０％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
６．０％
ＴＮＩ＝７６．６（℃）
η＝３６．０（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．０８８
Δε１＝１３．７
Ｖｔｈ＝１．２６（Ｖ）
【０１４５】
組成物例２２
３−Ｄ２Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．１１） ５．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＣＬ
（化合物Ｎｏ．１７５） ５．０％
３−ＨＢ−ＣＬ
１０．０％
５−ＨＢ−ＣＬ
４．０％
７−ＨＢ−ＣＬ
４．０％
１Ｏ１−ＨＨ−５
５．０％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
３．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
８．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
１４．０％
４−ＨＨＢ−ＣＬ
８．０％
５−ＨＨＢ−ＣＬ
３．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−ＣＬ
４．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
５−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
９．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＶＢ−２
４．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＶＢ−３
４．０％
ＴＮＩ＝８７．４（℃）
η＝２１．３（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１２６
Δε１＝５．９
Ｖｔｈ＝２．１８（Ｖ）
【０１４６】
組成物例２３
３−Ｄ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．９８） ７．０％
３−Ｄ２Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．１１） ５．０％
３−Ｄ４Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．２６１） ５．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２２） ８．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＣＬ
（化合物Ｎｏ．１７５） ５．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
９．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
８．０％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
８．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１３．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
３．０％
５−ＨＨＥＢＢ−Ｆ
２．０％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
３．０％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−４
４．０％
ＴＮＩ＝８２．４（℃）
η＝３７．５（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１０５
Δε１＝１２．２
Ｖｔｈ＝１．４４（Ｖ）
【０１４７】
組成物例２４
３−Ｄ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．９８） ５．０％
５−ＨＢ−Ｆ
１２．０％
６−ＨＢ−Ｆ
９．０％
７−ＨＢ−Ｆ
７．０％
２−ＨＨＢ−ＯＣＦ３
７．０％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３
７．０％
４−ＨＨＢ−ＯＣＦ３
７．０％
５−ＨＨＢ−ＯＣＦ３
５．０％
３−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３
４．０％
５−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３
４．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３
５．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
５．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
１０．０％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ
３．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＢＨ−３ ３．０％
５−ＨＢＢＨ−３
３．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ
４．０％
ＴＮＩ＝８４．２（℃）
η＝１６．５（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．０９０
Δε１＝５．５
Ｖｔｈ＝２．２５（Ｖ）
【０１４８】
組成物例２５
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２２） ５．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＣＬ
（化合物Ｎｏ．１７５） ３．０％
５−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
７．０％
５−Ｈ４ＨＢ−ＯＣＦ３
７．０％
３−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３
８．０％
５−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３
１０．０％
３−ＨＢ−ＣＬ
６．０％
５−ＨＢ−ＣＬ
４．０％
２−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ
５．０％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ
１０．０％
５−ＨＶＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
５．０％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３
５．０％
３−Ｈ２ＨＢ−ＯＣＦ３
５．０％
Ｖ−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
５．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
５．０％
５−ＨＨＥＢ−ＯＣＦ３
２．０％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
５．０％
５−ＨＨ−Ｖ２Ｆ
３．０％
ＴＮＩ＝７０．８（℃）
η＝２８．１（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．０９６
Δε１＝９．５
Ｖｔｈ＝１．６０（Ｖ）
【０１４９】
組成物例２６
３−Ｄ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．９８） ４．０％
３−Ｄ４Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．２６１） ４．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＣＬ
（化合物Ｎｏ．１７５） ４．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
２．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
２．０％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
２．０％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
６．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
６．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
４．０％
２−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ
９．０％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ
３．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
２５．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１９．０％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−４
５．０％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５
５．０％
ＴＮＩ＝９１．６（℃）
η＝３６．５（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１２９
Δε１＝９．０
Ｖｔｈ＝１．６７（Ｖ）
【０１５０】
組成物例２７
３−Ｄ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．９８） ３．０％
３−Ｄ２Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．１１） ３．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２２） ３．０％
５−ＨＢ−ＣＬ
８．０％
３−ＨＨ−４
７．０％
３−ＨＢ−Ｏ２
２０．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
８．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
８．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
６．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
５．０％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
５．０％
２−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ
２．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ
１．０％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ
２．０％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
４．０％
３−ＨＢＣＦ２ＯＢ−ＯＣＦ３
４．０％
５−ＨＢＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３
４．０％
３−ＨＨＢ−１
３．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１
４．０％
ＴＮＩ＝６９．５（℃）
η＝１８．０（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．０８４
Δε１＝５．４
Ｖｔｈ＝２．０３（Ｖ）
【０１５１】
組成物例２８
３−Ｄ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．９８） ５．０％
３−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ
８．０％
３−ＨＢ−Ｃ
８．０％
Ｖ−ＨＢ−Ｃ
８．０％
１Ｖ−ＨＢ−Ｃ
８．０％
３−ＨＢ−Ｏ２
３．０％
３−ＨＨ−２Ｖ
１４．０％
３−ＨＨ−２Ｖ１
７．０％
Ｖ２−ＨＨＢ−１
１５．０％
３−ＨＨＢ−１
５．０％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ
７．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２
６．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３
６．０％
ＴＮＩ＝９１．９（℃）
η＝１８．７（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１２６
Δε１＝９．６
Ｖｔｈ＝１．９８（Ｖ）
【０１５２】
組成物例２９
３−Ｄ４Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．２６１） ４．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２２） ５．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＣＬ
（化合物Ｎｏ．１７５） ３．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
７．０％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
８．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
９．０％
５−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
９．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１５．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
４−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
２．０％
５−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
２．０％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０．０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
３．０％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
３．０％
ＴＮＩ＝７９．３（℃）
η＝３３．４（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．０９０
Δε１＝１２．０
Ｖｔｈ＝１．６５（Ｖ）
【０１５３】
組成物例３０
２−ＤＨ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ（化合物Ｎｏ．５１） ５．０％
２−Ｄ２ＢＥＢ−ＣＬ （化合物Ｎｏ．３１１） ５．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
１７．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
１７．０％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
１６．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ
５．０％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ
１０．０％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
６．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
６．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
１３．０％
【０１５４】
組成物例３１
２−ＨＤ２Ｂ（Ｆ）−ＣＦ３
（化合物Ｎｏ．４６） ５．０％
３−Ｄ２Ｂ（Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ）−ＣＦ３
（化合物Ｎｏ．３１７） ５．０％
７−ＨＢ（Ｆ）−Ｆ
５．０％
５−Ｈ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ
５．０％
３−ＨＢ−Ｏ２
１０．０％
３−ＨＨ−４
２．０％
３−ＨＨ［５Ｄ，６Ｄ，７Ｄ］−４
３．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
１０．０％
５−ＨＨ［５Ｄ，６Ｄ，７Ｄ］Ｂ（Ｆ）−Ｆ １０．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ
５．０％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
３．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
３．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
６．０％
２−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ
５．０％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ
６．０％
３−ＨＨＢ−１
８．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１
５．０％
３−ＨＨＢ−３
４．０％
【０１５５】
組成物例３２
２−ＤＨ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ （化合物Ｎｏ．５１） ５．０％
３−Ｄ２ＨＢ（ＣＬ）−ＯＣＦ２Ｈ
（化合物Ｎｏ．４０） ５．０％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
３．０％
３−ＨＢ−Ｏ２
７．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
１０．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
１０．０％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
１０．０％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
９．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
９．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
１６．０％
２−ＨＢＢ−Ｆ
４．０％
３−ＨＢＢ−Ｆ
４．０％
５−ＨＢＢ−Ｆ
３．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
５．０％
【０１５６】
組成物例３３
２−ＨＤ２Ｂ（Ｆ）−ＣＦ３
（化合物Ｎｏ．４６） ５．０％
２−Ｄ２ＢＥＢ−ＣＬ
（化合物Ｎｏ．３１１） ５．０％
３−Ｄ２ＨＢ（ＣＬ）−ＯＣＦ２Ｈ
（化合物Ｎｏ．４０） ５．０％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
３．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１２．０％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
５．０％
４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
５．０％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１５．０％
５−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１２．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
７．０％
３−ＨＢＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
６．０％
【０１５７】
組成物例３４
３−Ｄ２Ｂ（Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ）−ＣＦ３
（化合物Ｎｏ．３１７） ５．０％
１−ＨＤ２Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２ＣＦＨＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２３６） ３．０％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
５．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１２．０％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
５．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
３．０％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
３．０％
２−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
３．０％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
５．０％
５−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
３．０％
３−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
３．０％
【０１５８】
組成物例３５
２−ＤＨ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ 化合物Ｎｏ．５１） ５．０％
３−ＨＢ−ＣＬ
１０．０％
５−ＨＢ−ＣＬ
４．０％
７−ＨＢ−ＣＬ
４．０％
１Ｏ１−ＨＨ−５
５．０％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
８．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
８．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
９．０％
４−ＨＨＢ−ＣＬ
８．０％
５−ＨＨＢ−ＣＬ
８．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−ＣＬ
４．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
５−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ９．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＶＢ−２
４．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＶＢ−３
４．０％
【０１５９】
組成物例３６
２−ＨＤ２Ｂ（Ｆ）−ＣＦ３
（化合物Ｎｏ．４６） ４．０％
１−ＨＤ２Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２ＣＦＨＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２３６） ３．０％
３−Ｄ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ
（化合物Ｎｏ．２２８） ３．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
９．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
８．０％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
８．０％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
４．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１９．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
２０．０％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
３．０％
５−ＨＨＥＢＢ−Ｆ
２．０％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
３．０％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５
４．０％
【０１６０】
組成物例３７
３−Ｄ２Ｂ（Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ）−ＣＦ３
（化合物Ｎｏ．３１７） ５．０％
３−Ｄ２ＨＢ（ＣＬ）−ＯＣＦ２Ｈ
（化合物Ｎｏ．４０） ５．０％
５−ＨＢ−Ｆ
１２．０％
６−ＨＢ−Ｆ
９．０％
７−ＨＢ−Ｆ
７．０％
２−ＨＨＢ−ＯＣＦ３
７．０％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３
７．０％
４−ＨＨＢ−ＯＣＦ３
７．０％
５−ＨＨＢ−ＯＣＦ３
５．０％
３−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３
４．０％
５−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３
４．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３
５．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
１０．０％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ
３．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＢＨ−３
３．０％
５−ＨＢＢＨ−３
３．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ
４．０％
【０１６１】
組成物例３８
２−ＤＨ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ （化合物Ｎｏ．５１） ５．０％
２−ＨＤ２Ｂ（Ｆ）−ＣＦ３（化合物Ｎｏ．４６） ５．０％
２−Ｄ２ＢＥＢ−ＣＬ （化合物Ｎｏ．３１１）５．０％
３−Ｄ２Ｂ（Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ）−ＣＦ３
（化合物Ｎｏ．３１７）５．０％
３−Ｄ２ＨＢ（ＣＬ）−ＯＣＦ２Ｈ
（化合物Ｎｏ．４０） ５．０％
１−ＨＤ２Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２ＣＦＨＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２３６）３．０％
３−Ｄ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ
（化合物Ｎｏ．２２８）３．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
２．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
２．０％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
２．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
６．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
１０．０％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ
９．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
２０．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１４．０％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５
４．０％
【０１６２】
組成物例３９
３−Ｄ２Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．１１） ５．０％
３−Ｄ４Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．２６１） ５．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２２） ８．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ １１．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ １１．０％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ １０．０％
２−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ １０．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ ５．０％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ １０．０％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ ６．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ ６．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ １３．０％
ＴＮＩ＝ ７７．３ （℃）
η ＝ ２７．８ （ｍＰａ・s）
Δｎ＝ ０．０８５
Δε１＝ ６．６
Ｖｔｈ＝ １．８６ （Ｖ）
【０１６３】
組成物例４０
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２２） ６．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｃｌ
（化合物Ｎｏ．１７５） １０．０％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３．０％
３−ＨＢ−Ｏ２ ７．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
８．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
８．０％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ
８．０％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
８．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
８．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
８．０％
２−ＨＢＢ−Ｆ
４．０％
３−ＨＢＢ−Ｆ
４．０％
５−ＨＢＢ−Ｆ
３．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
５．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
ＴＮＩ＝ ８９．２ （℃）
η ＝ ３５．８ （ｍＰａ・s）
Δｎ＝ ０．１１９
Δε１＝ ９．０
Ｖｔｈ＝ １．７９ （Ｖ）
【０１６４】
組成物例４１
３−Ｄ２Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．１１） ３．０％
３−Ｄ４Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．２６１） ３．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｃｌ
（化合物Ｎｏ．１７５） ９．０％
３−ＨＢ−ＣＬ ６．０％
５−ＨＢ−ＣＬ ４．０％
７−ＨＢ−ＣＬ ４．０％
１Ｏ１−ＨＨ−５ ５．０％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
７．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
７．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
７．０％
４−ＨＨＢ−ＣＬ ８．０％
５−ＨＨＢ−ＣＬ ８．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−ＣＬ
４．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
８．０％
５−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ９．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＶＢ−２
４．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＶＢ−３ ４．０％
ＴＮＩ＝ ９０．３ （℃）
η ＝ ３３．１ （ｍＰａ・s）
Δｎ＝ ０．１２７
Δε１＝ ６．９
Ｖｔｈ＝ ２．１２ （Ｖ）
【０１６５】
組成物例４２
３−Ｄ２Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．１１） ５．０％
３−Ｄ４Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．２６１） ５．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２２） １０．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｃｌ
（化合物Ｎｏ．１７５） １０．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ９．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６．０％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６．０％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １１．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８．０％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８．０％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３．０％
５−ＨＨＥＢＢ−Ｆ ２．０％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３．０％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−４ ４．０％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５ ４．０％
ＴＮＩ＝ ９３．６ （℃）
η ＝ ４４．１ （ｍＰａ・s）
Δｎ＝ ０．１１２
Δε１＝ １２．３
Ｖｔｈ＝ １．５７ （Ｖ）
【０１６６】
組成物例４３
３−Ｄ２Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．１１） ５．０％
３−Ｄ４Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．２６１） ５．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２２） １２．０％
５−ＨＢ−Ｆ ７．０％
６−ＨＢ−Ｆ ４．０％
７−ＨＢ−Ｆ ７．０％
２−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ ７．０％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ ７．０％
３−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３
４．０％
５−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３
４．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３
５．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ １０．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ １０．０％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ
３．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＢＨ−３
３．０％
５−ＨＢＢＨ−３ ３．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ ４．０％
ＴＮＩ＝ ６５．０ （℃）
η ＝ ２１．５ （ｍＰａ・s）
Δｎ＝ ０．０８９
Δε１＝ ７．２
Ｖｔｈ＝ １．６７ （Ｖ）
【０１６７】
組成物例４４
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２２） １０．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｃｌ
（化合物Ｎｏ．１７５） ５．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ２．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ２．０％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ２．０％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
６．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
６．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ
１０．０％
２−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ
９．０％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ
９．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１５．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１９．０％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−４
５．０％
ＴＮＩ＝ ９１．１ （℃）
η ＝ ３９．８ （ｍＰａ・s）
Δｎ＝ ０．１３０
Δε１＝ ９．４
Ｖｔｈ＝ １．７５ （Ｖ）
【０１６８】
組成物例４５
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２２） １５．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ７．０％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
８．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
５．０％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
９．０％
５−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
９．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１５．０％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
２．０％
４−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
２．０％
５−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
２．０％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
１０．０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
３．０％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
３．０％
ＴＮＩ＝ ８１．０ （℃）
η ＝ ３３．４ （ｍＰａ・s）
Δｎ＝ ０．０８６
Δε１＝ １２．４
Ｖｔｈ＝ １．６９ （Ｖ）
【０１６９】
組成物例４６
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２２） １０．０％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５．０％
３−ＨＢ−Ｃ １５．０％
１−ＢＴＢ−３
５．０％
２−ＢＴＢ−１ １０．０％
３−ＨＨ−４
１１．０％
３−ＨＨＢ−１
１１．０％
３−ＨＨＢ−３ ９．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２ ４．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３ ４．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４
４．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２
６．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３
６．０％
ＴＮＩ＝ ９０．７ （℃）
η ＝ ２３．１ （ｍＰａ・s）
Δｎ＝ ０．１６１
Δε１＝ ９．４
Ｖｔｈ＝ １．８３ （Ｖ）
【０１７０】
組成物例４７
３−Ｄ２Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．１１） ５．０％
３−Ｄ４Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．２６１） ５．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２２） ４．０％
３Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ
１２．０％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ
１６．０％
３−ＨＢ−Ｏ２ ５．０％
３−ＨＨ−４
３．０％
３−ＨＨＢ−Ｆ
３．０％
３−ＨＨＢ−１ ８．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１
４．０％
３−ＨＢＥＢ−Ｆ
４．０％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ
７．０％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ
７．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２
４．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３
４．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４
４．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２
５．０％
ＴＮＩ＝ ８０．６ （℃）
η ＝ ３９．６ （ｍＰａ・s）
Δｎ＝ ０．１３１
Δε１＝ ２６．８
Ｖｔｈ＝ １．０３ （Ｖ）
【０１７１】
組成物例４８
３−Ｄ２Ｂ−ＣＦ３ （化合物Ｎｏ．１１） ５．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｃｌ
（化合物Ｎｏ．１７５） ７．０％
２−ＨＢ−Ｃ ５．０％
３−ＨＢ−Ｃ １２．０％
３−ＨＢ−Ｏ２ １０．０％
２−ＢＴＢ−１ ３．０％
３−ＨＨＢ−１ ８．０％
３−ＨＨＢ−Ｆ ４．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１ ５．０％
３−ＨＨＢ−３ １４．０％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ ４．０％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ ４．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ７．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ７．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５．０％
ＴＮＩ＝ ９６．８ （℃）
η ＝ ２５．７ （ｍＰａ・s）
Δｎ＝ ０．０９７
Δε１＝ ７．０
Ｖｔｈ＝ １．９８ （Ｖ）
【０１７２】
組成物例４９
３−ＤＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３
（化合物Ｎｏ．２２） ４．０％
３−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｃｌ
（化合物Ｎｏ．１７５） ５．０％
３−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ８．０％
３−ＨＢ−Ｃ ４．０％
Ｖ−ＨＢ−Ｃ ８．０％
１Ｖ−ＨＢ−Ｃ ８．０％
３−ＨＢ−Ｏ２ ３．０％
３−ＨＨ−２Ｖ １４．０％
３−ＨＨ−２Ｖ１ ７．０％
Ｖ２−ＨＨＢ−１
１５．０％
３−ＨＨＢ−１ ５．０％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ ７．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２ ６．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３
６．０％
ＴＮＩ＝ ９８．７ （℃）
η ＝ ２２．０ （ｍＰａ・s）
Δｎ＝ ０．１２８
Δε１＝ １０．０
Ｖｔｈ＝ ２．０６ （Ｖ）
以下実施例により本発明をさらに詳しく説明する。なお各実施例中において、Ｃは結晶、Ｓｘ１およびＳｘ２はそれぞれ互いに異なるスメクチック相、ＳＡはスメクチックＡ相、Ｎはネマチック相、Ｉは等方性液体相を示す。
【実施例１】
【０１７３】
５−プロピル−２−（４−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−シクロヘキシル）−１，３−ジオキサン（一般式（１）において、Ｒ＝ｎ−プロピル基、ｎ１＝ｎ２＝０、Ａ＝（ａ）、Ｚａ＝Ｚｂ＝単結合、Ｑ１＝Ｑ２＝フッ素原子、Ｙ＝フッ素原子である化合物（Ｎｏ．２１））の製造。
【０１７４】
（第一段）
乾燥したテトラヒドロフラン（以下ＴＨＦと略す）３６０ｍｌ中で３，４，５−トリフルオロブロモベンゼン１００ｇ（４７４ｍｍｏｌ）とマグネシウムとから室温で調製したグリニヤール試薬に、室温でシクロヘキサンジオンモノエチレンケタール７４．０ｇ（４７４ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（５００ｍｌ）溶液を滴下し、室温で５時間攪拌した。反応液を６Ｎ−塩酸１ｌに加え、生成物をジエチルエーテルで抽出した。抽出液を水、飽和重曹水、水でこの順に洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を減圧にて留去した。残分にパラトルエンスルホン酸（以下ＰＴＳと略す）５ｇおよびトルエン６００ｍｌを添加し、生成する水をジーンスタークを用いて除去しながら、３時間加熱還流した。反応液を水、飽和重曹水、水でこの順に洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を減圧にて留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン／酢酸エチル＝４／１）により精製した。かくして得られた精製物を５％パラジウムカーボン５ｇを触媒として用いてエタノール３００ｍｌ中で水素添加した。触媒をろ別した後、溶媒を減圧にて留去し、残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン／酢酸エチル＝３／１）により精製し、４−（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘキサノン５２ｇ（２２８ｍｍｏｌ）を得た。このものの３，４，５−トリフルオロブロモベンゼンからの収率は４８．１％であった。
【０１７５】
（第二段）
乾燥したメトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロリド（以下ＭＴＰと略す）２５ｇ（７２．９ｍｍｏｌ）に、ＴＨＦ３００ｍｌを加え、次いで室温でカリウム−ｔ−ブトキシド８．２ｇ（７３．１ｍｍｏｌ）を加え、約１時間攪拌した。この反応液に室温で上記の４−（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘキサノン１４．８ｇ（６４．９ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（１５０ｍｌ）溶液を滴下し、２時間攪拌した後、反応液に水３００ｍｌを加え、生成物をトルエンで抽出した。抽出液を食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、次いで溶媒を留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）により精製した。得られた精製物を室温で３Ｎ−塩酸２００ｍｌとＴＨＦ２００ｍｌとの混合溶媒中で５時間攪拌した後、生成物をトルエンで抽出した。抽出液を飽和重曹水と水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、トルエンを留去して、４−（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘキサンカルボアルデヒド１０．５ｇ（４３．３ｍｍｏｌ）を得た。このものの４−（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘキサノンからの収率は６６．７％であった。
【０１７６】
（第三段）
２−プロピル−１，３−プロパンジオール５．２ｇ（４４．０ｍｏｌ）と４−（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘキサンカルボアルデヒド１０．５ｇ（４３．３ｍｍｏｌ）をトルエン１００ｍｌに溶解し、ＰＴＳ１ｇを加え、生成する水をジーンスタークを用いて除去しながら、３時間加熱還流した。反応液を飽和重曹水、飽和食塩水でこの順に洗浄し、次いで無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去した。残分をヘプタンを用いて２回再結晶して、５−プロピル−２−（４−（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘキシル−１，３−ジオキサン２．０ｇ（５．８ｍｍｏｌ）を得た。このものの４−（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘキサンカルボアルデヒドからの収率は１３％であった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ）：６．８８〜６．７１（ｍ，２Ｈ）、４．２３〜４．００（ｍ，３Ｈ）、３．４２〜３．１７（ｍ，２Ｈ）、２．４８〜０．８２（ｍ、１８Ｈ） Ｃ−Ｉ点 ９２．８℃
【０１７７】
実施例２
５−プロピル−２−（２−（４−（３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）−３，５−ジフルオロフェニル）エチル）−１，３−ジオキサン（一般式（１）において、Ｒ＝ｎ−プロピル基、ｎ１＝０、ｎ２＝１、Ａ＝（ｂ）、Ｚａ＝Ｚｂ＝単結合、環Ａ１＝３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、Ｑ１＝フッ素原子、Ｑ２＝水素原子、Ｙ＝トリフルオロメトキシ基である化合物（Ｎｏ．９８））の製造。
【０１７８】
（第一段）
６０％水素化ナトリウム１４．４ｇ（３６０ｍｍｏｌ）にジメトキシエタン３５０ｍｌを加え、これを室温で攪拌しながらジエチルホスホノ酢酸エチル８０．７ｇ（３６０ｍｍｏｌ）のジメトキエタン（５０ｍｌ）溶液を滴下した。水素ガスの発生終了後、溶液を１５℃まで冷却し、３，５−ジフルオロベンズアルデヒド５０．０ｇ（３５２ｍｍｏｌ）のジメトキシエタン（５０ｍｌ）溶液を液温が２５℃を越えないように滴下した。滴下終了後室温で３０分攪拌し、反応液を水３００ｍｌに加え、生成物をジエチルエーテルで抽出した。抽出液を食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧にて留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン／酢酸エチル＝３／１）により精製した。かくして得られた精製物を、５％パラジウムカーボンを触媒として用いてエタノール３００ｍｌ中で水素添加した。水素添加終了後触媒を濾別し、溶媒を減圧にて留去して、３−（３，５−ジフルオロフェニル）プロピオン酸 エチルエステル５３．０ｇ（２４７ｍｍｏｌ）を得た。このものの３，５−ジフルオロベンズアルデヒドからの収率は７０．２％であった。
【０１７９】
（第二段）
上記の３−（３，５−ジフルオロフェニル）プロピオン酸エチルエステル５３．０ｇ（２４７ｍｍｏｌ）をトルエン５００ｍｌ中で攪拌しながら、−５８℃まで冷却し、これにＤＩＢＡＬの１．０１Ｍトルエン溶液２５５ｍｌ（２５８ｍｍｏｌ）を滴下した後、−５５℃で１５分間攪拌した。そのままの温度で反応液に飽和塩化アンモニウム水２００ｍｌを滴下し、室温まで加温し３０分間攪拌した。反応液にジエチルエーテル１００ｍｌを加え室温で１時間攪拌した後、硫酸マグネシウムを加え、この懸濁液をセライトを用いて濾過した。濾液を水洗し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧にて留去して、３−（３，５−ジフルオロフェニル）プロパナール４１．５ｇを得た。このものの３−（３，５−ジフルオロフェニル）プロピオン酸 エチルエステルからの収率は９８．８％であった。
【０１８０】
（第三段）
２−プロピル−１，３−プロパンジオール２２．０ｇ（１８６ｍｍｏｌ）と上記の３−（３，５−ジフルオロフェニル）プロパナール３０．０ｇ（１７６ｍｍｏｌ）をトルエン３００ｍｌに溶解し、ＰＴＳ１ｇを加え、生成する水をジーンスタークを用いて除去しながら、３時間加熱還流した。反応液を飽和重曹水、飽和食塩水でこの順に洗浄し、次いで無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去した。残分をヘプタンを用いて２回再結晶して、５−プロピル−２−（４−（３，５−ジフルオロフェニル）エチル）−１，３−ジオキサン７．５０ｇ（２７．７ｍｍｏｌ）を得た。このものの３−（３，５−ジフルオロフェニル）プロパナールからの収率は１５．７％であった。
【０１８１】
（第四段）
上記の５−プロピル−２−（４−（３，５−ジフルオロフェニル）エチル）−１，３−ジオキサン７．５０ｇ（２７．７ｍｍｏｌ）をＴＨＦ７０ｍｌに溶解し、窒素雰囲気下−６０℃に冷却した。この溶液にｎ−ブチルリチウムの１．６０Ｍヘキサン溶液２１．０ｍｌ（３３．６ｍｍｏｌ）を液温が−５０℃を越えないように保って滴下し、そのままの温度で１時間攪拌した。次いでこの反応液に塩化亜鉛の０．５Ｍ ＴＨＦ溶液６７．２ｍｌ（３３．６ｍｍｏｌ）を液温が−５０℃を越えないように保って滴下した後、室温まで加温し３０分攪拌した。この溶液にテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム０．５ｇと３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシブロモベンゼン８．７０ｇ（３３．６ｍｍｏｌ）を加え、３時間加熱還流した。得られた反応液に水１００ｍｌを加え、生成物をトルエンで抽出した。抽出液を３Ｎ−塩酸、飽和重曹水および飽和食塩水で順次洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）により精製し、さらにヘプタン／酢酸エチル＝１／１の混合溶媒を用いて２回再結晶して５−プロピル−２−（２−（４−（３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）−３，５−ジフルオロフェニル）エチル）−１，３−ジオキサン１．６０ｇ（３．５７ｍｍｏｌ）を得た。このものの５−プロピル−２−（４−（３，５−ジフルオロフェニル）エチル）−１，３−ジオキサンからの収率は１２．９％であった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ）：
７．４５〜７．２４（ｍ，３Ｈ）、６．９０〜６．８０（ｍ，２Ｈ）、４．４６（ｔ，１Ｈ）、４．１９〜４．０１（ｍ，２Ｈ）、３．４４〜３．１９（ｍ、２Ｈ）、２．８５〜２．１６（ｍ，２Ｈ）、１．２８〜０．８２（ｍ、９Ｈ）。 Ｃ−Ｉ点 ５７．８℃
【０１８２】
実施例３
５−プロピル−２−（４−（３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキシル）−１，３−ジオキサン（一般式（１）において、Ｒ＝ｎ−プロピル基、ｎ１＝ｎ２＝０、Ａ＝（ａ）、Ｚａ＝Ｚｂ＝単結合、Ｑ１＝フッ素原子、Ｑ２＝水素原子、Ｙ＝トリフルオロメトキシ基である化合物（Ｎｏ．２２））の製造。
【０１８３】
（第一段）
乾燥したＴＨＦ３００ｍｌ中で３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシブロモベンゼン７０．０ｇ（２７０ｍｍｏｌ）とマグネシウムとから室温で調製したグリニヤール試薬に、室温でシクロヘキサンジオンモノエチレンケタール４２．１ｇ（２７０ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（２００ｍｌ）溶液を滴下し、室温で３時間攪拌した。反応液を６Ｎ−塩酸１ｌに加え、生成物をジエチルエーテルで抽出した。抽出液を水、飽和重曹水、水でこの順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を減圧にて留去した。残分をパラトルエンスルホン酸５ｇ存在下、生成する水をジーンスタークを用いて除去しながら、トルエン５００ｍｌ中で３時間加熱還流した。反応液を水、飽和重曹水、水でこの順に洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を減圧にて留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン／酢酸エチル＝４／１）により精製した。かくして得られた精製物を、５％パラジウムカーボン５ｇを触媒として用いてエタノール３００ｍｌ中で水素添加した。触媒をろ別した後、溶媒を減圧にて留去し、これに蟻酸２０ｇとトルエン２００ｍｌを加え３時間還流した。冷却後、反応液に水３００ｍｌを加え、有機層を分取し、水、飽和重曹水、水でこの順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン／酢酸エチル＝３／１）により精製し、４−（３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキサノン２２．０ｇ（８４．５ｍｍｏｌ）を得た。このものの３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシブロモベンゼンからの収率は３１．３％であった。
【０１８４】
（第二段）
乾燥したＭＴＰ１０．０ｇ（２９．２ｍｍｏｌ）に、ＴＨＦ１００ｍｌを加え、次いで室温でカリウム−ｔ−ブトキシド３．３０ｇ（２９．４ｍｍｏｌ）を加え、約１時間攪拌した。この反応液に室温で上記の４−（３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキサノン６．０ｇ（２３．１ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（５０ｍｌ）溶液を滴下し、２時間攪拌した。反応液に水１５０ｍｌを加え、生成物をジエチルエーテル抽出した。抽出液を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）により精製した。かくして得られた精製物を室温で３Ｎ−塩酸２００ｍｌとアセトン２００ｍｌの混合溶媒中で５時間攪拌した後、生成物をトルエンで抽出した。抽出液を飽和重曹水と水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、トルエンを留去して、４−（３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキサンカルボアルデヒド３．６ｇ（１３．３ｍｍｏｌ）を得た。このものの４−（３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキサノンからの収率は５７．６％であった。
【０１８５】
（第三段）
２−プロピル−１，３−プロパンジオール２．２ｇ（１８．５ｍｏｌ）と４−（３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキサンカルボアルデヒド３．６ｇ（１３．３ｍｍｏｌ）をトルエン５０ｍｌに溶解し、ＰＴＳ０．５ｇを加え、生成する水をジーンスタークを用いて除去しながら、３時間加熱還流した。反応液を飽和重曹水、飽和食塩水でこの順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去した。残分をヘプタンを用いて２回再結晶して、５−プロピル−２−（４−（３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキシル−１，３−ジオキサン１．２２ｇ（３．１２ｍｍｏｌ）を得た。このものの４−（３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキサンカルボアルデヒドからの収率は２３．５％であった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ）：７．１８〜６．８２（ｍ，３Ｈ）、４．１４〜３．９０（ｍ，３Ｈ）、３．２３〜３．０７（ｍ，２Ｈ）、２．３８（ｍ、１Ｈ）、１．９２〜０．７２（ｍ、１６Ｈ） Ｃ−Ｓｘ１点 ５２．０℃、 Ｓｘ１−Ｓｘ２点 ８３．２℃、Ｓｘ２−Ｉ点 １１７．５℃。
【０１８６】
実施例４
５−プロピル−２−（２−（４−トリフルオロメチルフェニル）エチル−１，３−ジオキサン（一般式（１）において、Ｒ＝ｎ−プロピル基、ｎ１＝ｎ２＝０、Ａ＝（ｂ）、Ｚａ＝Ｚｂ＝単結合、Ｑ１＝Ｑ２＝水素原子、Ｙ＝トリフルオロメチル基である化合物（Ｎｏ．１１））の製造。
【０１８７】
（第一段）
６０％水素化ナトリウム２４．８ｇ（６２０ｍｍｏｌ）にジメトキシエタン７００ｍｌを加え、これを室温で攪拌しながらジエチルホスホノ酢酸エチル１３９ｇ（６２０ｍｍｏｌ）のジメトキエタン（１００ｍｌ）溶液を滴下した。水素ガスの発生終了後、溶液を１０℃まで冷却し、４−トリフルオロメチルベンズアルデヒド１００ｇ（５７４ｍｍｏｌ）のジメトキシエタン（１００ｍｌ）溶液を液温が２５℃を越えないように滴下した。滴下終了後室温で３０分間攪拌した後、反応液を水１ｌに加え、生成物をジエチルエーテルで抽出した。抽出液を食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を減圧にて留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン／酢酸エチル＝３／１）により精製した。かくして得られた精製物を、５％パラジウムカーボンを触媒として用いてエタノール３００ｍｌ中で水素添加した。触媒を濾別し、溶媒を減圧にて留去して、３−（４−トリフルオロメチルフェニル）プロピオン酸エチルエステル８１．０ｇ（３２９ｍｍｏｌ）を得た。このものの４−トリフルオロメチルベンズアルデヒドからの収率は５７．３％であった。
【０１８８】
（第二段）
上記の３−（４−トリフルオロメチルフェニル）プロピオン酸エチルエステル８１．０ｇ（３２９ｍｍｏｌ）のトルエン（５００ｍｌ）溶液を攪拌しながら−６０℃まで冷却し、これにＤＩＢＡＬの１．０１Ｍトルエン溶液３２９ｍｌ（３３２ｍｍｏｌ）を滴下した後、−５５℃で１５分間攪拌した。そのままの温度で反応液に飽和塩化アンモニウム水２００ｍｌを滴下した後、室温まで加温し３０分間攪拌した。反応液にエーテル１００ｍｌを加え室温で１時間攪拌した後、硫酸マグネシウムを加え、この懸濁液をセライトを用いて濾過した。濾液を水洗し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧にて留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）により精製して、３−（４−トリフルオロメチルフェニル）プロパナール６２．５ｇ（３０９ｍｍｏｌ）を得た。このものの３−（４−トリフルオロフェニル）プロピオン酸エチルエステルからの収率は９３．９％であった。
【０１８９】
（第三段）
２−プロピル−１，３−プロパンジオール１７．４ｇ（１４７ｍｍｏｌ）と上記の３−（４−トリフルオロメチルフェニル）プロパナール２０．０ｇ（９８．９ｍｍｏｌ）をトルエン２００ｍｌに溶解し、ＰＴＳ１ｇを加え、生成する水をジーンスタークを用いて脱水しながら、３時間加熱還流した。反応を飽和重曹水、飽和食塩水でこの順に洗浄し、次いで無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）により精製し、さらにエタノールを用いて２回再結晶して、５−プロピル−２−（２−（４−トリフルオロメチルフェニル）エチル−１，３−ジオキサン１０．８ｇ（３５．７ｍｍｏｌ）を得た。このものの３−（４−トリフルオロメチルフェニル）プロパナールからの収率は３６．１％であった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ）：７．４１（ｄｄ，４Ｈ）、４．４１（ｔ，１Ｈ）、４．１８〜４．００（ｍ，２Ｈ）、３．４１〜３．１６（ｍ，２Ｈ）、２．８８〜２．７０（ｍ，２Ｈ）、２．１４〜１．８０（ｍ，３Ｈ）、１．３５〜０．８１（ｍ，７Ｈ）
Ｃ−Ｉ点 ７２．６℃
【０１９０】
実施例５
５−プロピル−４−（２−（４−トリフルオロメチルフェニル）ブチル−１，３−ジオキサン（一般式（１）において、Ｒ＝ｎ−プロピル基、ｎ１＝ｎ２＝０、Ａ＝（ｃ）、Ｚａ＝Ｚｂ＝単結合、Ｑ１＝Ｑ２＝水素原子、Ｙ＝トリフルオロメチル基である化合物（Ｎｏ．２６１））の製造。
【０１９１】
（第一段）
６０％水素化ナトリウム６．５２ｇ（１６３ｍｍｏｌ）にジメトキシエタン１８０ｍｌを加え、これを室温で攪拌しながらジエチルホスホノ酢酸エチル３６．５ｇ（１６３ｍｍｏｌ）のジメトキエタン（５０ｍｌ）溶液を滴下した。水素ガスの発生終了後、溶液を５℃まで冷却し、実施例４の第３段で得られた３−（４−トリフルオロメチルフェニル）プロパナール３０．０ｇ（１４８ｍｍｏｌ）のジメトキシエタン（５０ｍｌ）溶液を液温が２５℃を越えないように滴下した。滴下終了後室温で３０分間攪拌し、反応液を水２００ｍｌに加え、生成物をジエチルエーテルで抽出した。抽出液を食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧にて留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン／酢酸エチル＝３／１）により精製した。かくして得られた精製物を、５％パラジウムカーボンを触媒として用いてエタノール３００ｍｌ中で水素添加した。水素添加終了後、触媒を濾別し、溶媒を減圧にて留去して、５−（４−トリフルオロメチルフェニル）ペンタン酸エチルエステル１３．３ｇ（４８．５ｍｍｏｌ）を得た。このものの３−（４−トリフルオロメチルフェニル）プロパナールからの収率は３２．８％であった。
【０１９２】
（第二段）
上記の５−（４−トリフルオロメチルフェニル）ペンタン酸エチルエステル１２．２ｇ（４４．５ｍｍｏｌ）のトルエン（７０ｍｌ）溶液を攪拌しながら−６０℃まで冷却し、これにＤＩＢＡＬの１．０１Ｍトルエン溶液４６．０ｍｌ（４６．５ｍｍｏｌ）を滴下した後、−６０℃で１５分間攪拌した。そのままの温度で反応液に飽和塩化アンモニウム水４０ｍｌを滴下した後、室温まで加温し３０分間攪拌した。反応液にジエチルエーテル１００ｍｌを加え室温で１時間攪拌した後、硫酸マグネシウムを加え、この懸濁液をセライトを用いて濾過した。濾液を水洗し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を減圧にて留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）により精製し、５−（４−トリフルオロメチルフェニル）ペンタパナール７．５０ｇ（３２．６ｍｍｏｌ）を得た。このものの５−（４−トリフルオロフェニル）ペンタン酸エチルエステルからの収率は７３．３％であった。
【０１９３】
（第三段）
２−プロピル−１，３−プロパンジオール５．９０ｇ（４９．９ｍｍｏｌ）と上記の５−（４−トリフルオロメチルフェニル）ペンタナール７．５０ｇ（３２．６ｍｍｏｌ）をトルエン７０ｍｌに溶解し、ＰＴＳ１ｇを加え、生成する水をジーンスタークを用いて除去しながら、３時間加熱還流した。反応液を飽和重曹水、飽和食塩水でこの順に洗浄し、次いで無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）により精製し、さらにエタノールを用いて２回再結晶して、５−プロピル−２−（４−（４−トリフルオロメチルフェニル）ブチル−１，３−ジオキサン５．５５ｇ（１６．７ｍｍｏｌ）を得た。このものの５−（４−トリフルオロメチルフェニル）ペンタナールからの収率は５１．２％であった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ）：７．４０（ｄｄ，４Ｈ）、４．４２（ｔ，１Ｈ）、４．１６〜３．９８（ｍ，２Ｈ）、３．４１〜３．１６（ｍ，２Ｈ）、２．７６〜２．５９（ｍ，２Ｈ）、２．１０〜０．８１（ｍ，１４Ｈ）
Ｃ−Ｉ点 ５０．９℃
【０１９４】
実施例６
５−プロピル−２−（４−（４−（３−フルオロ−４−クロロフェニル）−３，５−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル）−１，３−ジオキサン（一般式（１）において、Ｒ＝ｎ−プロピル基、ｎ１＝０、ｎ２＝１、Ａ＝（ａ）、環Ａ１＝３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、Ｚａ＝Ｚｂ＝単結合、Ｑ１＝フッ素原子、Ｑ２＝水素原子、Ｙ＝塩素原子である化合物（Ｎｏ．１７５））の製造。
【０１９５】
（第一段）
乾燥したＴＨＦ３００ｍｌ中で３，５−ジフルオロブロモベンゼン１００ｇ（５１８ｍｍｏｌ）とマグネシウムとから調製したグリニヤール試薬に、室温でシクロヘキサンジオンモノエチレンケタール７４．６ｇ（５１７ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（３００ｍｌ）溶液を滴下し、３時間攪拌した。反応液を２Ｎ−塩酸１ｌに加え、生成物をジエチルエーテルで抽出した。抽出液を水、飽和重曹水、水でこの順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を減圧にて留去した。残分をパラトルエンスルホン酸５ｇ存在下、生成する水をジーンスタークを用いて除去しながら、トルエン８００ｍｌ中で加熱還流した。反応液を水、飽和重曹水、水でこの順に洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を減圧にて留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン／酢酸エチル＝３／１）により精製した。かくして得られた精製物を５％パラジウムカーボン５ｇを触媒として用いてエタノール５００ｍｌ中で水素添加した。触媒をろ別した後、溶媒を減圧にて留去し、これに蟻酸４０ｇとトルエン３００ｍｌを加え３時間加熱還流した。反応液を冷却後、これに水５００ｍｌを加えた。分取した有機層を水、飽和重曹水、水でこの順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン／酢酸エチル＝３／１）により精製して、４−（３，５−ジフルオロフェニル）シクロヘキサノン２９．４ｇ（１４０ｍｍｏｌ）を得た。このものの３，５−ジフルオロブロモベンゼンからの収率は２７．０％であった。
【０１９６】
（第二段）
乾燥したＭＴＰ１０．０ｇ（２９．２ｍｍｏｌ）にＴＨＦ１００ｍｌを加え、次いで室温でカリウム−ｔ−ブトキシド３．３０ｇ（２９．４ｍｍｏｌ）を加え、約１時間攪拌した。この反応液に室温で上記の４−（３，５−ジフルオロフェニル）シクロヘキサノン５．０ｇ（２３．８ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（５０ｍｌ）溶液を滴下し、２時間攪拌した後、反応液に水１５０ｍｌを加え、生成物をジエチルエーテルで抽出した。抽出液を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）により精製した。かくして得られた精製物を３Ｎ−塩酸２００ｍｌとアセトン２００ｍｌの混合溶媒中、室温でで５時間攪拌した後、生成物をトルエンで抽出した。抽出液を飽和重曹水と水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、トルエンを留去して、４−（３，５−ジフルオロフェニル）シクロヘキサンカルボアルデヒド５．０ｇ（２２．３ｍｍｏｌ）を得た。このものの４−（３，５−ジフルオロフェニル）シクロヘキサノンからの収率は９３．７％であった。
【０１９７】
（第三段）
２−プロピル−１，３−プロパンジオール３．５ｇ（２９．６ｍｏｌ）と４−（３，５−ジフルオロフェニル）シクロヘキサンカルボアルデヒド５．０ｇ（２２．３ｍｍｏｌ）をトルエン５０ｍｌに溶解し、ＰＴＳ０．５ｇを加え、生成する水をジーンスタークを用いて除去しながら、３時間加熱還流した。反応液を飽和重曹水、飽和食塩水でこの順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去した。残分をヘプタンを用いて２回再結晶して、５−プロピル−２−（４−（３，５−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル−１，３−ジオキサン２．３ｇ（７．１ｍｍｏｌ）を得た。このものの４−（３，５−ジフルオロフェニル）シクロヘキサンカルボアルデヒドからの収率は２４．０％であった。
【０１９８】
（第四段）
上記の５−プロピル−２−（４−（３，５−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル−１，３−ジオキサン１．３ｇ（４．０ｍｍｏｌ）をＴＨＦ１０ｍｌに溶解し、窒素雰囲気下−６５℃に冷却した。この溶液にｎ−ブチルリチウムの１．６８Ｍヘキサン溶液３．０ｍｌ（５．０ｍｍｏｌ）を液温が−５５℃を越えないように保って滴下し、そのままの温度で１時間攪拌した。次いでこの反応液に塩化亜鉛の０．５Ｍ ＴＨＦ溶液１０ｍｌ（５．０ｍｍｏｌ）を液温が−５０℃を越えないように保って滴下した後、室温まで加温し３０分間攪拌した。この溶液にテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム０．５ｇと３−フルオロ−４−クロロブロモベンゼン１．１ｇ（５．３ｍｍｏｌ）を加え、３時間加熱還流した。得られた反応液に水３０ｍｌを加え、生成物をトルエンで抽出した。抽出液を３Ｎ−塩酸、飽和重曹水および飽和食塩水で順次洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）により精製し、さらにヘプタン／酢酸エチル＝１／１混合溶媒を用いて２回再結晶して５−プロピル−２−（４−（４−（３−フルオロ−４−クロロフェニル）−３，５−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル）−１，３−ジオキサン１．７ｇ（３．８ｍｍｏｌ）を得た。このものの５−プロピル−２−（４−（３，５−ジフルオロフェニル）エチル）−１，３−ジオキサンからの収率は９５．０％であった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ）：７．５４〜７．１４（ｍ，３Ｈ）、６．９５〜６．７２（ｍ，２Ｈ）、４．２５〜４．０１（ｍ，３Ｈ）、３．４３〜３．１８（ｍ，２Ｈ）、２．６３〜２．３７（ｍ，１Ｈ）、２．０４〜０．８２（ｍ，１７Ｈ）
Ｃ−Ｎ点 １１０．１℃、Ｎ−Ｉ点 ２２７．９℃
【０１９９】
実施例７
４−（５−ペンチル−１，３−ジオキサン−２−イル）シクロヘキサンカルボン酸 ３，４，５−トリフルオロフェニルエステル（一般式（１）において、Ｒ＝ｎ−ペンチル基、ｎ１＝ｎ２＝０、Ａ＝（ａ）、Ｚａ＝単結合、Ｚｂ＝−ＣＯＯ−、Ｑ１＝Ｑ２＝フッ素原子、Ｙ＝フッ素原子である化合物（Ｎｏ．３６２））の製造。
【０２００】
（第一段）
乾燥したＭＴＰ５０．０ｇ（１４６ｍｍｏｌ）に、ＴＨＦ５００ｍｌを加え、次いで室温でカリウム−ｔ−ブトキシド１８．０ｇ（１６０ｍｍｏｌ）を加え、１時間攪拌した。この反応液に室温で４−オキソシクロヘキサンカルボン酸メチルエステル２１．９ｇ（１４０ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（１００ｍｌ）溶液を滴下し、２時間攪拌した後、反応液に水５００ｍｌを加え、生成物をジエチルエーテルで抽出した。抽出液を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）により精製した。かくして得られた精製物を室温で２Ｎ−塩酸５００ｍｌとアセトン５００ｍｌの混合溶媒中で５時間攪拌した後、生成物をトルエンで抽出した。抽出液を飽和重曹水と水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、トルエンを留去して、４−ホルミルシクロヘキサンカルボン酸メチルエステル１８．８ｇ（１１１ｍｍｏｌ）を得た。このものの４−オキソシクロヘキサンカルボン酸メチルエステルからの収率は７９．２％であった。
【０２０１】
（第二段）
２−ペンチル−１，３−プロパンジオール１７．０ｇ（１１６ｍｏｌ）と４−ホルミルシクロヘキサンカルボン酸メチルエステル１８．８ｇ（１１１ｍｍｏｌ）をトルエン１２０ｍｌに溶解し、ＰＴＳ１．０ｇを加え、生成する水をジーンスタークを用いて除去しながら、３時間加熱還流した。反応液を飽和重曹水、飽和食塩水でこの順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン／酢酸エチル＝４／１）により精製して、４−（５−ペンチル−１，３−ジオキサン−２−イル）シクロヘキサンカルボン酸メチルエステル２８．２ｇ（９４．５ｍｍｏｌ）を得た。このものの４−ホルミルシクロヘキサンカルボン酸メチルエステルからの収率は８５．１％であった。
【０２０２】
（第三段）
エタノール１００ｍｌ中に４−（５−ペンチル−１，３−ジオキサン−２−イル）シクロヘキサンカルボン酸メチルエステル２８．２ｇ（９４．５ｍｍｏｌ）を加え、７℃まで冷却した後、２Ｎ−水酸化ナトリウムを７０ｍｌ滴下した。室温まで加温し、１時間攪拌した後、２Ｎ−水酸化ナトリウムを７０ｍｌ滴下した。さらに室温で１時間攪拌した後、２Ｎ−水酸化ナトリウムを５０ｍｌ滴下し、さらに１時間室温で攪拌した。反応液に６Ｎ−塩酸６５ｍｌを滴下し、生成物をジエチルエーテルで抽出した。抽出液を水、飽和重曹水、水でこの順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去した。残分２７．３ｇをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン／酢酸エチル＝１／１）により精製し、さらにヘプタン／エタノール＝２０／１の混合溶媒を用いて再結晶して、４−（５−ペンチル−１，３−ジオキサン−２−イルシクロヘキサン）カルボン酸２．３ｇ（８．１ｍｍｏｌ）を得た。このものの４−（５−ペンチル−１，３−ジオキサン−２−イル）シクロヘキサンカルボン酸メチルエステルからの収率は８．６％であった。
【０２０３】
（第四段）
塩化カルシウム管を装着した２００ｍｌ三ツ口フラスコに塩化メチレン１０ｍｌ、上記の４−（５−ペンチル−１，３−ジオキサン−２−イル）シクロヘキサンカルボン酸１．５ｇ（５．３ｍｍｏｌ）、３，４，５−トリフルオロフェノール１．０ｇ（６．９ｍｍｏｌ）、および４−ジメチルアミノピリジン０．２ｇ（１．６ｍｍｏｌ）を加え、攪拌しながら０℃に冷却した後、ジシクロヘキシルカルボジイミド１．６ｇ（７．９ｍｍｏｌ）の塩化メチレン（８ｍｌ）溶液を２分間かけて滴下した。このものを室温まで加温し、そのままの温度で３時間攪拌した。反応液を濾過し、濾液を０．５Ｎ−塩酸２０ｍｌで洗浄し、再び濾過した。濾液を飽和重曹水、水でこの順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を減圧にて留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン／酢酸エチル＝４／１）により精製し、さらにエタノールを用いて再結晶し、次いでエタノール／ヘプタン＝９／１の混合溶媒を用いて再結晶処理して４−（５−ペンチル−（１，３−ジオキサン）−２−イル）−シクロヘキサンカルボン酸３，４，５−トリフルオロフェニルエステル１．３０ｇ（３．１ｍｍｏｌ）を得た。このものの４−（５−ペンチル−（１，３−ジオキサン）−２−イル）シクロヘキサンカルボン酸からの収率は５８％であった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ）：６．８９〜６．６９（ｍ，２Ｈ）、４．２２〜３．９９（ｍ，３Ｈ）、３．４１〜３．１５（ｍ，２Ｈ）、２．６１〜０．８１（ｍ，２２Ｈ）
Ｃ−Ｎ点 ６２．１℃、Ｎ−Ｉ点 ７４．６℃、（Ｎ−ＳＡ点 ４９．３℃）
【０２０４】
実施例８
１−（２−（１，３−ジオキサン−２−イル）エチル）シクロヘキシル−３，４，５−トリフルオロベンゼン（一般式（１）において、Ｒ＝水素原子、ｎ１＝０、ｎ２＝１、Ａ＝（ｂ）、環Ａ１＝１，４−シクロヘキシレン、Ｚａ＝Ｚｂ＝単結合、Ｑ１＝Ｑ２＝フッ素原子、Ｙ＝フッ素原子である化合物（Ｎｏ．３５２））の製造。
【０２０５】
（第一段）
乾燥した１，３−ジオキサン−２−イルエチルトリフェニルホスホニウムブロミド４８．０ｇ（１０５ｍｍｏｌ）に、ＴＨＦ５００ｍｌを加え、次いで室温でカリウム−ｔ−ブトキシド１１．８ｇ（１０５ｍｍｏｌ）を加え、１時間攪拌した。この反応液に前記の実施例６第一段で得られた４−（３，５−ジフルオロフェニル）シクロヘキサノン２０．０ｇ（８７．６ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（２００ｍｌ）溶液を室温で滴下し、約２時間攪拌した後、反応液に水５００ｍｌを加え、生成物をトルエンで抽出した。抽出液を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）により精製した。かくして得られた精製物を、５％パラジウムカーボンを触媒として用いてエタノール１００ｍｌ中で水素添加した。触媒を濾別し、濾液を濃縮して得られた残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）により精製し、さらにエタノールを用いて再結晶して、１−（２−（１，３−ジオキサン−２−イル）エチル）シクロヘキシル−３，４，５−トリフルオロベンゼン１５．２ｇ（４６．３ｍｍｏｌ）を得た。このものの４−（３，５−ジフルオロフェニル）シクロヘキサノンからの収率は５２．９％であった。
Ｃ−Ｉ点 ６９．８℃
【０２０６】
実施例９
１−（２−（５−プロピル−１，３−ジオキサン−２−イル）エチル）シクロヘキシル−３，４，５−トリフルオロベンゼン（一般式（１）において、Ｒ＝ｎ−プロピル基、ｎ１＝０、ｎ２＝１、Ａ＝（ｂ）、環Ａ１＝１，４−シクロヘキシレン、Ｚａ＝Ｚｂ＝単結合、Ｑ１＝Ｑ２＝フッ素原子、Ｙ＝フッ素原子である化合物（Ｎｏ．３３））の製造。
【０２０７】
（第一段）
実施例８で得られた１−（２−（１，３−ジオキサン−２−イル）エチル）シクロヘキシル−３，４，５−トリフルオロベンゼン３．７ｇ（１１ｍｍｏｌ）と蟻酸２５．０ｇ（５４０ｍｍｏｌ）をトルエン２０ｍｌ中に加え、３時間加熱還流した。反応液を室温まで冷却し、これに水１００ｍｌを加え、生成物をトルエンで抽出した。抽出液を水、飽和重曹水、水でこの順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去して、３−（４−（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘキシル）プロパナールの粗精製物３．５ｇを得た。このものと２−プロピル−１，３−プロパンジオール２．３ｇ（２０ｍｍｏｌ）をトルエン２０ｍｌに溶解し、ＰＴＳ０．５ｇを加え、生成する水をジーンスタークを用いて除去しながら、３時間加熱還流した。反応液を飽和重曹水、飽和食塩水でこの順に洗浄し、次いで無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）により精製し、さらにエタノールを用いて２回再結晶して、１−（２−（５−プロピル−１，３−ジオキサン−２−イル）エチル）シクロヘキシル−３，４，５−トリフルオロベンゼン１．４ｇ（３．８ｍｍｏｌ）を得た。このものの１−（２−（１，３−ジオキサン−２−イル）エチル）シクロヘキシル−３，４，５−トリフルオロベンゼンからの収率は３４．５％であった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ）：６．８７〜６．７０（ｍ，２Ｈ）、４．４２（ｔ，１Ｈ）、４．１７〜３．９９（ｍ，２Ｈ）、３．４３〜３．１８（ｍ，２Ｈ）、２．５４〜２．２５（ｍ，１Ｈ）、１．９３〜０．８１（ｍ，２１Ｈ）
Ｃ−Ｉ点 ８８．６℃
【０２０８】
実施例１〜９および発明の詳細な説明の欄における記述を基に、下記の化合物Ｎｏ．１〜Ｎｏ．３７０を製造することができる。なお実施例１〜９の化合物も再掲した。
【０２０９】
【化５２】
【０２１０】
【化５３】
【０２１１】
【化５４】
【０２１２】
【化５５】
【０２１３】
【化５６】
【０２１４】
【化５７】
【０２１５】
【化５８】
【０２１６】
【化５９】
【０２１７】
【化６０】
【０２１８】
【化６１】
【０２１９】
【化６２】
【０２２０】
【化６３】
【０２２１】
【化６４】
【０２２２】
【化６５】
【０２２３】
【化６６】
【０２２４】
【化６７】
【０２２５】
【化６８】
【０２２６】
【化６９】
【０２２７】
【化７０】
【０２２８】
【化７１】
【０２２９】
【化７２】
【０２３０】
【化７３】
【０２３１】
【化７４】
【０２３２】
【化７５】
【０２３３】
【化７６】
【０２３４】
【化７７】
【０２３５】
【化７８】
【０２３６】
【化７９】
【０２３７】
【化８０】
【０２３８】
【化８１】
【０２３９】
【化８２】
【０２４０】
【化８３】
【０２４１】
【化８４】
【０２４２】
【化８５】
【０２４３】
【化８６】
【０２４４】
【化８７】
【０２４５】
【化８８】
【０２４６】
実施例１０（使用例１）
４−（４−プロピルシクロヘキシル）ベンゾニトリル ２４％
４−（４−ペンチルシクロヘキシル）ベンゾニトリル ３６％
４−（４−ヘプチルシクロヘキシル）ベンゾニトリル ２５％
４−（４−（４−ペンチルシクロヘキシル）フェニルベンゾニトリル １５％
からなる液晶組成物（Ａ１）を調製した（以下％は全て重量％である）。このネマチック液晶組成物の透明点は７１．７℃、セル厚９．２μｍでのしきい値電圧は１．７９Ｖ、Δε１は１１．０、Δｎは０．１３７、２０℃における粘度は２６．６ｍＰａ・ｓであった。
この液晶組成物８５％と実施例１で得た５−プロピル−２−（４−（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘキシル）−１，３−ジオキサン（化合物Ｎｏ．２１）１５％とからなる液晶組成物（Ｂ１）を調製した。このものの透明点は６５．３℃、セル厚９．２μｍでのしきい値電圧は１．４６Ｖ、Δε１は１２．９、Δｎは０．１２６、２０℃における粘度は３２．３ｍＰａ・ｓであった。上記液晶組成物の混合比から外挿法で算出した化合物Ｎｏ．２１の物性値はそれぞれ、透明点は２９．０℃、Δεは２３．７、Δｎは０．０６４、２０℃における粘度は６４．６ｍＰａ・ｓであった。
【０２４７】
実施例１１（比較例１）
上記液晶組成物（Ａ１）８５％と５−（４−プロピルシクロヘキシル）−２−（３,４,５−トリフルオロシフェニル）−１，３−ジオキサン（式（１４）の化合物）１５％とからなる液晶組成物（Ｂ１−Ｒ）を調製した。このものの透明点は６９．６℃、セル厚９．２μｍでのしきい値電圧は１．６０Ｖ、Δε１は１１．７、Δｎは０．１２７、２０℃における粘度は２９．２ｍＰａ・ｓであった。上記液晶組成物の混合比から外挿法で算出した式（１４）の化合物の物性値はそれぞれ、透明点は５７．７℃、Δεは１５．７、Δｎは０．０７０、２０℃における粘度は４３．９ｍＰａ・ｓであった。
この結果から、式（１４）の化合物のジオキサン環とシクロヘキサン環の位置が逆転している本発明の化合物（Ｎｏ．２１）は、式（１４）の化合物に比べて、透明点が約２９℃低いにも関わらず、Δεは約１．５倍に増大していることがわかる。
【０２４８】
実施例１２（使用例２）
上記液晶組成物（Ａ１）８５％と実施例２で得た５−プロピル−２−（２−（４−（３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）−３，５−ジフルオロフェニル）エチル）−１，３−ジオキサン（化合物Ｎｏ．９８）１５％とからなる液晶組成物（Ｂ２）を調製した。このものの透明点は６２．８℃、セル厚９．３μｍでのしきい値電圧は１．４０Ｖ、Δε１は１３．６、Δｎは０．１３２、２０℃における粘度は３３．８ｍＰａ・ｓであった。上記液晶組成物の混合比から外挿法で算出した（化合物Ｎｏ．９８）の物性値はそれぞれ、透明点は１２．０℃、Δεは２８．３、Δｎは０．１０４、２０℃における粘度は７４．６ｍＰａ・ｓであった。
【０２４９】
実施例１３（比較例２）
上記液晶組成物（Ａ１）８５％と５−プロピル−２−（４−（３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）−３，５−ジフルオロフェニル）−１，３−ジオキサン（式（１７）の化合物）１５％とからなる液晶組成物（Ｂ２−Ｒ）を調製した。このものの透明点は６５．１℃、セル厚９．１μｍでのしきい値電圧は１．４０Ｖ、Δε１は１３．２、Δｎは０．１３３、２０℃における粘度は３０．８ｍＰａ・ｓであった。上記液晶組成物の混合比から外挿法で算出した化合物（１７）の化合物の物性値はそれぞれ、透明点は２７．７℃、Δεは２５．７、Δｎは０．１１０、２０℃における粘度は５４．６ｍＰａ・ｓであった。
この結果から、式（１７）の化合物のジオキサン環の２位にエチレン基を導入した本発明の化合物Ｎｏ．９８は、式（１７）の化合物よりΔεが３．３増大していることがわかる。
【０２５０】
実施例１４（使用例３）
上記液晶組成物（Ａ１）８５％と実施例３で得られた５−プロピル−２−（４−（３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキシル−１，３−ジオキサン（化合物Ｎｏ．２２）１５％とからなる液晶組成物（Ｂ３）を調製した。このものの透明点は６９．２℃、セル厚９．３μｍでのしきい値電圧は１．５６Ｖ、Δε１は１２．２、Δｎは０．１２８、２０℃における粘度は３０．０ｍＰａ・ｓであった。上記液晶組成物の混合比から外挿法で算出した（化合物Ｎｏ．２２）の物性値はそれぞれ、透明点は５５．０℃、Δεは１９．０、Δｎは０．０７７、２０℃における粘度は４９．３ｍＰａ・ｓであった。
【０２５１】
実施例１５（使用例４）
上記液晶組成物（Ａ１）８５％と実施例４で得られた５−プロピル−２−（２−（４−トリフルオロメチルフェニル）エチル−１，３−ジオキサン（化合物Ｎｏ．１１）１５％とからなる液晶組成物（Ｂ４）を調製した。このものの透明点は４５．８℃、セル厚９．１μｍでのしきい値電圧は１．３９Ｖ、Δε１は１１．４、Δｎは０．１１５、２０℃における粘度は２６．９ｍＰａ・ｓであった。上記液晶組成物の混合比から外挿法で算出した（化合物Ｎｏ．１１）の物性値はそれぞれ、透明点は−１０１．０℃、Δεは１３．７℃における粘度は２８．５ｍＰａ・ｓであった。
【０２５２】
実施例１６（使用例５）
上記液晶組成物（Ａ１）８５％と実施例５で得られた５−プロピル−４−（２−（４−トリフルオロメチルフェニル）ブチル−１，３−ジオキサン（化合物Ｎｏ．２６１）１５％とからなる液晶組成物（Ｂ５）を調製した。このものの透明点は４５．２℃、セル厚９．０μｍでのしきい値電圧は１．４３Ｖ、Δε１は１１．２、Δｎは０．１１６、２０℃における粘度は２７．９ｍＰａ・ｓであった。上記液晶組成物の混合比から外挿法で算出した（化合物Ｎｏ．２６１）の物性値はそれぞれ、透明点は−１０５．０℃、Δεは１２．３、２０℃における粘度は３５．３ｍＰａ・ｓであった。
【０２５３】
実施例１７（使用例６）
上記液晶組成物（Ａ１）８５％と実施例６で得られた５−プロピル−２−（４−（４−（３−フルオロ−４−クロロシフェニル）−３，５−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル）−１，３−ジオキサン（化合物Ｎｏ．１７５）１５％とからなる液晶組成物（Ｂ６）を調製した。このものの透明点は８３．０℃、セル厚８．９μｍでのしきい値電圧は１．７０Ｖ、Δε１は１４．０、Δｎは０．１４２、２０℃における粘度は４０．５ｍＰａ・ｓであった。上記液晶組成物の混合比から外挿法で算出した（化合物Ｎｏ．１７５）の物性値はそれぞれ、透明点は１４７．０℃、Δεは３１．０、Δｎは０．１７０、２０℃における粘度は１１９．１ｍＰａ・ｓであった。
【０２５４】
実施例１８（使用例７）
上記液晶組成物（Ａ１）８５％と実施例７で得られた４−（５−ペンチル−１，３−ジオキサン−２−イル）シクロヘキサンカルボン酸３，４，５−トリフルオロフェニルエステル（化合物Ｎｏ．３６２）１５％とからなる液晶組成物（Ｂ７）を調製した。このものの透明点は７０．３℃、セル厚８．９μｍでのしきい値電圧は１．４９Ｖ、Δε１は１２．２、Δｎは０．１２６、２０℃における粘度は３２．３ｍＰａ・ｓであった。上記液晶組成物の混合比から外挿法で算出した（化合物Ｎｏ．３６２）の物性値はそれぞれ、透明点は６２．４℃、Δεは１９．０、Δｎは０．０６４、２０℃における粘度は６４．９ｍＰａ・ｓであった。
【０２５５】
実施例１９（使用例８）
上記液晶組成物（Ａ１）８５％と実施例８で得られた１−（２−（１，３−ジオキサン−２−イル）エチル）シクロヘキシル−３，４，５−トリフルオロベンゼン（化合物Ｎｏ．３５２）１５％とからなる液晶組成物（Ｂ８）を調製した。このものの透明点は５０．０℃、セル厚８．９μｍでのしきい値電圧は１．４０Ｖ、Δε１は１２．８、Δｎは０．１１４、２０℃における粘度は３７．６ｍＰａ・ｓであった。上記液晶組成物の混合比から外挿法で算出した（化合物Ｎｏ．３５２）の物性値はそれぞれ、透明点は−７３．０℃、Δεは２３．０、２０℃における粘度は１００．２ｍＰａ・ｓであった。
【０２５６】
実施例２０（使用例９）
上記液晶組成物（Ａ１）８５％と実施例９で得られた１−（２−（５−プロピル−１，３−ジオキサン−２−イル）エチル）シクロヘキシル−３，４，５−トリフルオロベンゼン（化合物Ｎｏ．３３）１５％とからなる液晶組成物（Ｂ９）を調製した。このものの透明点は６５．７℃、セル厚９．０μｍでのしきい値電圧は１．５７Ｖ、Δε１は１２．２、Δｎは０．１２４、２０℃における粘度は３４．２ｍＰａ・ｓであった。上記液晶組成物の混合比から外挿法で算出した（化合物Ｎｏ．３３）の物性値はそれぞれ、透明点は３１．７℃、Δεは１９．０、Δｎは０．０５０、２０℃における粘度は７７．０ｍＰａ・ｓであった。
【０２５７】
本発明の化合物は、いずれも高い電圧保持率と特異的に大きなΔεを有することを特長とする。本発明の化合物を液晶組成物の構成成分として用いることにより、これまで不可能であった低電圧駆動をＴＦＴ型液晶表示素子で実現できる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一成分として、一般式（１）
【化１】
（式中、Ｒは炭素数１〜２０のアルキル基を示し、
ｎ１およびｎ２はそれぞれに独立して０〜２の整数であり、
ｎ１＋ｎ２≦２であり
Ｑ１およびＱ２はそれぞれに独立して水素原子、フッ素原子あるいは塩素原子を示し、
Ａは（ａ），（ｂ）あるいは（ｃ）を示し、
【化２】
環Ａ0およびＡ1は１，４−シクロヘキシレン基、あるいは環上の１個以上の水素原子がフッ素原子あるいは塩素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン基を示し、ＺａおよびＺｂはそれぞれに独立して単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＨ２−、あるいは−ＣＦ２Ｏ−を示し、
Ｙはハロゲン原子、−ＣＦ３、またはーＯＣＦ３を示し、
ただしｎ１＝０、ｎ２＝１、Ａ＝（ｂ）であり、かつ環Ａ１が１，４−フェニレンであり、かつＺａおよびＺｂが単結合である場合、およびｎ１＝ｎ２＝０、Ａ＝（ａ）である、かつＺｂが単結合である場合は、Ｑ１とＱ２の少なくとも一方はフッ素原子あるいは塩素原子を示すが、Ｙがフッ素原子あるいは塩素原子の場合はＱ１およびＱ２がそれぞれに独立してフッ素原子あるいは塩素原子である。なお、この化合物を構成する各原子はその同位体で置換されていてもよい。）
で表されるジオキサン誘導体を少なくとも一種含有し、
第二成分として、一般式（７）、（８）および（９）からなる化合物群から選択される化合物
【化３】
（各式中、Ｒ６およびＲ７は各々独立して炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、またはーＣＨ＝ＣＦＦを示し、Ｉ、ＪおよびＫは各々独立して、トランスー１，４−シクロヘキシレン、ピリミジン−２，５−ジイル、または水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレンを示し、Ｚ４およびＺ５は各々独立して、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−または単結合を示し、各式の化合物において、それらを構成する各原子はそれらの同位体で置換されていてもよい。）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とするアクティブマトリクス方式の表示液晶材料に使用する液晶組成物。
【請求項２】
第一成分として、ｎ１＝ｎ２＝０であり、Ｚａが単結合であり、かつＡ＝（ｂ）である請求項１に記載のジオキサン誘導体を少なくとも１種含有し、第二成分として、請求項１に記載の一般式（７）、（８）および（９）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とするアクティブマトリクス方式の表示液晶材料に使用する液晶組成物。
【請求項３】
第一成分として、ｎ１＝ｎ２＝０であり、Ｚａが単結合であり、かつＡ＝（ａ）である請求項１に記載のジオキサン誘導体を少なくとも１種含有し、第二成分として、請求項１に記載の一般式（７）、（８）および（９）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とするアクティブマトリクス方式の表示液晶材料に使用する液晶組成物。。
【請求項４】
第一成分として、ｎ１＋ｎ２＝１であり、かつＡ＝（ｂ）である請求項１に記載のジオキサン誘導体を少なくとも１種含有し、第二成分として、請求項１に記載の一般式（７）、（８）および（９）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とするアクティブマトリクス方式の表示液晶材料に使用する液晶組成物。
【請求項５】
第一成分として、ｎ１＋ｎ２＝１であり、かつＡ＝（ａ）である請求項１に記載のジオキサン誘導体を少なくとも１種含有し、第二成分として、請求項１に記載の一般式（７）、（８）および（９）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とするアクティブマトリクス方式の表示液晶材料に使用する液晶組成物。
【請求項６】
第一成分として、ｎ１＋ｎ２＝２であり、かつＡ＝（ｂ）である請求項１に記載のジオキサン誘導体を少なくとも１種含有し、第二成分として、請求項１に記載の一般式（７）、（８）および（９）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とするアクティブマトリクス方式の表示液晶材料に使用する液晶組成物。
【請求項７】
第一成分として、Ａ＝（ｃ）、あるいはＺｂが−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、あるいはｎ１が０でない場合のＺａが−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−である請求項１に記載のジオキサン誘導体を少なくとも１種含有し、第二成分として、請求項１に記載の一般式（７）、（８）および（９）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とするアクティブマトリクス方式の表示液晶材料に使用する液晶組成物。
【請求項８】
第一成分として、Ｑ１およびＱ２が共にフッ素原子である請求項１に記載のジオキサン誘導体を少なくとも１種含有し、第二成分として、請求項１に記載の一般式（７）、（８）および（９）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とするアクティブマトリクス方式の表示液晶材料に使用する液晶組成物。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載のジオキサン誘導体を含有する組成物に、さらに第三成分として、一般式（２）、（３）および（４）
【化４】
（各式中、Ｒ３は炭素数１〜１０のアルキル基であって、該アルキル基中、相隣合わない一つ以上のメチレン基は酸素原子または−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されていてもよく、また任意の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、Ｙ１はフッ素原子、塩素原子、ＯＣＦ３、ＯＣＦ２Ｈ、ＣＦ３、ＣＦ２Ｈ、ＣＦＨ２、ＯＣＦ２ＣＦ２ＨまたはＯＣＦ２ＣＦＨＣＦ３を示し、Ｌ１およびＬ２は各々独立して水素原子またはフッ素原子を示し、Ｚ１およびＺ２は各々独立して−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−または単結合を示し、環Ｂはトランスー１，４−シクロヘキシレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、または水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレンを示し、環Ｃはトランスー１，４−シクロヘキシレン、または水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレンを示し、各式の化合物において、それらを構成する各原子はそれらの同位体で置換されていてもよいが、環Ｂが１，３−ジオキサンー２，５−ジイルである場合には、Ｚ２は単結合である。）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とするアクティブマトリクス方式の表示液晶液晶材料に使用する液晶組成物。
【請求項１０】
請求項１から８のいずれか１項に記載のジオキサン誘導体を含有する組成物に、さらに第三成分として、一般式（５）および（６）
【化５】
（各式中、Ｒ４およびＲ５は各々独立して炭素数１〜１０のアルキル基を示すが、該アルキル基中、相隣合わない一つ以上のメチレン基は酸素原子または−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されていてもよく、また任意の水素原子はフッ素原子で置換されていてももよく、Ｙ２は−ＣＮ基または−Ｃ≡Ｃ−ＣＮを示し、環Ｅはトランスー１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイルまたはピリミジン−２，５−ジイルを示し、環Ｇはトランスー１，４−シクロヘキシレン、水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン、またはピリミジン−２，５−ジイルを示し、環Ｈはトランスー１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンを示し、Ｚ３は−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＯＯ−または単結合を示し、Ｌ３、Ｌ４およびＬ５は各々独立して水素原子またはフッ素原子を示し、ｂ、ｃおよびｄは各々独立して０または１であり、各式の化合物において、それらを構成する各原子はそれらの同位体で置換されていてもよいが、環Ｅが１，３−ジオキサンー２，５−ジイルである場合には、環Ｇはトランスー１，４−シクロへキシレンではない。）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とするアクティブマトリクス方式の表示液晶液晶材料に使用する液晶組成物。
【請求項１１】
一般式（１）
【化６】
（式中、Ｒは炭素数１〜２０のアルキル基を示し、
ｎ１およびｎ２はそれぞれに独立して０〜２の整数であり、
ｎ１＋ｎ２≦２であり
Ｑ１およびＱ２はそれぞれに独立して水素原子、フッ素原子あるいは塩素原子を示し、
Ａは（ａ），（ｂ）あるいは（ｃ）を示し、
【化７】
環Ａ0およびＡ1は１，４−シクロヘキシレン基、あるいは環上の１個以上の水素原子がフッ素原子あるいは塩素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン基を示し、ＺａおよびＺｂはそれぞれに独立して単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＨ２−、あるいは−ＣＦ２Ｏ−を示し、
Ｙはフッ素原子、塩素原子、−ＣＦ３、またはーＯＣＦ３を示すが、Ｙがフッ素原子または塩素原子のときは、Ｑ１およびＱ２がともにフッ素原子あるいは塩素原子である。なお、この化合物を構成する各原子はその同位体で置換されていてもよい。）
で表される化合物。
【請求項１２】
ｎ１＝ｎ２＝０であり、Ｚａが単結合である請求項１１記載の化合物。
【請求項１３】
ｎ１＝ｎ２＝１であり、Ｚａが単結合またはーＣＨ２ＣＨ２−である請求項１１記載の化合物。
【請求項１４】
Ｑ１およびＱ２がともにフッ素原子であり、Ｚａが単結合であり、Ｙがフッ素原子である請求項１１記載の化合物。
【請求項１５】
Ｑ１がフッ素原子であり、Ｚａが単結合であり、ＹがーＯＣＦ３またはＣＦ３である請求項１１記載の化合物。
【請求項１６】
光学活性物をさらに含有することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項記載のアクティブマトリクス方式の表示液晶液晶材料に使用する液晶組成物。
【請求項１７】
請求項１〜１０のいずれか１項記載の液晶組成物を用いて構成した液晶表示組成物。
【請求項１８】
請求項１５に記載の液晶組成物を用いて構成した液晶表示素子。
【請求項１】
第一成分として、一般式（１）
【化１】
（式中、Ｒは炭素数１〜２０のアルキル基を示し、
ｎ１およびｎ２はそれぞれに独立して０〜２の整数であり、
ｎ１＋ｎ２≦２であり
Ｑ１およびＱ２はそれぞれに独立して水素原子、フッ素原子あるいは塩素原子を示し、
Ａは（ａ），（ｂ）あるいは（ｃ）を示し、
【化２】
環Ａ0およびＡ1は１，４−シクロヘキシレン基、あるいは環上の１個以上の水素原子がフッ素原子あるいは塩素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン基を示し、ＺａおよびＺｂはそれぞれに独立して単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＨ２−、あるいは−ＣＦ２Ｏ−を示し、
Ｙはハロゲン原子、−ＣＦ３、またはーＯＣＦ３を示し、
ただしｎ１＝０、ｎ２＝１、Ａ＝（ｂ）であり、かつ環Ａ１が１，４−フェニレンであり、かつＺａおよびＺｂが単結合である場合、およびｎ１＝ｎ２＝０、Ａ＝（ａ）である、かつＺｂが単結合である場合は、Ｑ１とＱ２の少なくとも一方はフッ素原子あるいは塩素原子を示すが、Ｙがフッ素原子あるいは塩素原子の場合はＱ１およびＱ２がそれぞれに独立してフッ素原子あるいは塩素原子である。なお、この化合物を構成する各原子はその同位体で置換されていてもよい。）
で表されるジオキサン誘導体を少なくとも一種含有し、
第二成分として、一般式（７）、（８）および（９）からなる化合物群から選択される化合物
【化３】
（各式中、Ｒ６およびＲ７は各々独立して炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、またはーＣＨ＝ＣＦＦを示し、Ｉ、ＪおよびＫは各々独立して、トランスー１，４−シクロヘキシレン、ピリミジン−２，５−ジイル、または水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレンを示し、Ｚ４およびＺ５は各々独立して、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−または単結合を示し、各式の化合物において、それらを構成する各原子はそれらの同位体で置換されていてもよい。）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とするアクティブマトリクス方式の表示液晶材料に使用する液晶組成物。
【請求項２】
第一成分として、ｎ１＝ｎ２＝０であり、Ｚａが単結合であり、かつＡ＝（ｂ）である請求項１に記載のジオキサン誘導体を少なくとも１種含有し、第二成分として、請求項１に記載の一般式（７）、（８）および（９）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とするアクティブマトリクス方式の表示液晶材料に使用する液晶組成物。
【請求項３】
第一成分として、ｎ１＝ｎ２＝０であり、Ｚａが単結合であり、かつＡ＝（ａ）である請求項１に記載のジオキサン誘導体を少なくとも１種含有し、第二成分として、請求項１に記載の一般式（７）、（８）および（９）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とするアクティブマトリクス方式の表示液晶材料に使用する液晶組成物。。
【請求項４】
第一成分として、ｎ１＋ｎ２＝１であり、かつＡ＝（ｂ）である請求項１に記載のジオキサン誘導体を少なくとも１種含有し、第二成分として、請求項１に記載の一般式（７）、（８）および（９）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とするアクティブマトリクス方式の表示液晶材料に使用する液晶組成物。
【請求項５】
第一成分として、ｎ１＋ｎ２＝１であり、かつＡ＝（ａ）である請求項１に記載のジオキサン誘導体を少なくとも１種含有し、第二成分として、請求項１に記載の一般式（７）、（８）および（９）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とするアクティブマトリクス方式の表示液晶材料に使用する液晶組成物。
【請求項６】
第一成分として、ｎ１＋ｎ２＝２であり、かつＡ＝（ｂ）である請求項１に記載のジオキサン誘導体を少なくとも１種含有し、第二成分として、請求項１に記載の一般式（７）、（８）および（９）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とするアクティブマトリクス方式の表示液晶材料に使用する液晶組成物。
【請求項７】
第一成分として、Ａ＝（ｃ）、あるいはＺｂが−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、あるいはｎ１が０でない場合のＺａが−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−である請求項１に記載のジオキサン誘導体を少なくとも１種含有し、第二成分として、請求項１に記載の一般式（７）、（８）および（９）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とするアクティブマトリクス方式の表示液晶材料に使用する液晶組成物。
【請求項８】
第一成分として、Ｑ１およびＱ２が共にフッ素原子である請求項１に記載のジオキサン誘導体を少なくとも１種含有し、第二成分として、請求項１に記載の一般式（７）、（８）および（９）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とするアクティブマトリクス方式の表示液晶材料に使用する液晶組成物。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載のジオキサン誘導体を含有する組成物に、さらに第三成分として、一般式（２）、（３）および（４）
【化４】
（各式中、Ｒ３は炭素数１〜１０のアルキル基であって、該アルキル基中、相隣合わない一つ以上のメチレン基は酸素原子または−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されていてもよく、また任意の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、Ｙ１はフッ素原子、塩素原子、ＯＣＦ３、ＯＣＦ２Ｈ、ＣＦ３、ＣＦ２Ｈ、ＣＦＨ２、ＯＣＦ２ＣＦ２ＨまたはＯＣＦ２ＣＦＨＣＦ３を示し、Ｌ１およびＬ２は各々独立して水素原子またはフッ素原子を示し、Ｚ１およびＺ２は各々独立して−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−または単結合を示し、環Ｂはトランスー１，４−シクロヘキシレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、または水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレンを示し、環Ｃはトランスー１，４−シクロヘキシレン、または水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレンを示し、各式の化合物において、それらを構成する各原子はそれらの同位体で置換されていてもよいが、環Ｂが１，３−ジオキサンー２，５−ジイルである場合には、Ｚ２は単結合である。）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とするアクティブマトリクス方式の表示液晶液晶材料に使用する液晶組成物。
【請求項１０】
請求項１から８のいずれか１項に記載のジオキサン誘導体を含有する組成物に、さらに第三成分として、一般式（５）および（６）
【化５】
（各式中、Ｒ４およびＲ５は各々独立して炭素数１〜１０のアルキル基を示すが、該アルキル基中、相隣合わない一つ以上のメチレン基は酸素原子または−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されていてもよく、また任意の水素原子はフッ素原子で置換されていてももよく、Ｙ２は−ＣＮ基または−Ｃ≡Ｃ−ＣＮを示し、環Ｅはトランスー１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイルまたはピリミジン−２，５−ジイルを示し、環Ｇはトランスー１，４−シクロヘキシレン、水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン、またはピリミジン−２，５−ジイルを示し、環Ｈはトランスー１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンを示し、Ｚ３は−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＯＯ−または単結合を示し、Ｌ３、Ｌ４およびＬ５は各々独立して水素原子またはフッ素原子を示し、ｂ、ｃおよびｄは各々独立して０または１であり、各式の化合物において、それらを構成する各原子はそれらの同位体で置換されていてもよいが、環Ｅが１，３−ジオキサンー２，５−ジイルである場合には、環Ｇはトランスー１，４−シクロへキシレンではない。）からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とするアクティブマトリクス方式の表示液晶液晶材料に使用する液晶組成物。
【請求項１１】
一般式（１）
【化６】
（式中、Ｒは炭素数１〜２０のアルキル基を示し、
ｎ１およびｎ２はそれぞれに独立して０〜２の整数であり、
ｎ１＋ｎ２≦２であり
Ｑ１およびＱ２はそれぞれに独立して水素原子、フッ素原子あるいは塩素原子を示し、
Ａは（ａ），（ｂ）あるいは（ｃ）を示し、
【化７】
環Ａ0およびＡ1は１，４−シクロヘキシレン基、あるいは環上の１個以上の水素原子がフッ素原子あるいは塩素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン基を示し、ＺａおよびＺｂはそれぞれに独立して単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＨ２−、あるいは−ＣＦ２Ｏ−を示し、
Ｙはフッ素原子、塩素原子、−ＣＦ３、またはーＯＣＦ３を示すが、Ｙがフッ素原子または塩素原子のときは、Ｑ１およびＱ２がともにフッ素原子あるいは塩素原子である。なお、この化合物を構成する各原子はその同位体で置換されていてもよい。）
で表される化合物。
【請求項１２】
ｎ１＝ｎ２＝０であり、Ｚａが単結合である請求項１１記載の化合物。
【請求項１３】
ｎ１＝ｎ２＝１であり、Ｚａが単結合またはーＣＨ２ＣＨ２−である請求項１１記載の化合物。
【請求項１４】
Ｑ１およびＱ２がともにフッ素原子であり、Ｚａが単結合であり、Ｙがフッ素原子である請求項１１記載の化合物。
【請求項１５】
Ｑ１がフッ素原子であり、Ｚａが単結合であり、ＹがーＯＣＦ３またはＣＦ３である請求項１１記載の化合物。
【請求項１６】
光学活性物をさらに含有することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項記載のアクティブマトリクス方式の表示液晶液晶材料に使用する液晶組成物。
【請求項１７】
請求項１〜１０のいずれか１項記載の液晶組成物を用いて構成した液晶表示組成物。
【請求項１８】
請求項１５に記載の液晶組成物を用いて構成した液晶表示素子。
【公開番号】特開２００９−１３２９２７（Ｐ２００９−１３２９２７Ａ）
【公開日】平成２１年６月１８日（２００９．６．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−３０６９１８（Ｐ２００８−３０６９１８）
【出願日】平成２０年１２月１日（２００８．１２．１）
【分割の表示】特願平１０−５１９１９６の分割
【原出願日】平成９年６月３０日（１９９７．６．３０）
【出願人】（０００００２０７１）チッソ株式会社 (658)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年６月１８日（２００９．６．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１２月１日（２００８．１２．１）
【分割の表示】特願平１０−５１９１９６の分割
【原出願日】平成９年６月３０日（１９９７．６．３０）
【出願人】（０００００２０７１）チッソ株式会社 (658)
【Ｆターム（参考）】
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