セラミック基板と、そのセラミック基板を用いた電子部品モジュール
【課題】その製造歩留まりを向上させることができるセラミック基板を提供する。
【解決手段】その製造歩留まりを向上させることができるセラミック基板を提供するために、本発明のセラミック基板は、セラミック基板部２と、セラミック基板部２上に、シリコーンシート３を接着剤４にて接着することによって形成された第１の樹脂層５と、第１の樹脂層５に設けられ、セラミック基板部２の表面まで貫通した凹部６と、を備えたセラミック基板１とした。このような構成にすることによって、セラミック基板１の製造歩留まりを向上させることができる。
【解決手段】その製造歩留まりを向上させることができるセラミック基板を提供するために、本発明のセラミック基板は、セラミック基板部２と、セラミック基板部２上に、シリコーンシート３を接着剤４にて接着することによって形成された第１の樹脂層５と、第１の樹脂層５に設けられ、セラミック基板部２の表面まで貫通した凹部６と、を備えたセラミック基板１とした。このような構成にすることによって、セラミック基板１の製造歩留まりを向上させることができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック基板と、そのセラミック基板を用いた電子部品モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子部品を搭載した電子部品モジュールの開発は進んでおり、特に、電子部品として発光ダイオード（ＬＥＤ、Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）を搭載した発光ダイオードモジュールは、液晶のバックライト向けの発光ダイオードモジュールとして開発が進められている。
【０００３】
一方、セラミックを主材料とするセラミック基板は、耐熱性・耐湿性に優れ、また、素材自体が良好な反射率を有することから、それら電子部品モジュールへの採用が検討されている。
【０００４】
ここで、従来の電子部品モジュールは、金属で形成された基板部と、前記基板部上にトランスファ・モールドにより形成された第１の樹脂層と、前記凹部内部の前記セラミック基板部上に接続された第２の電子部品と、前記凹部内部に充填された第２の樹脂層と、
を備えたものと、なっていた（例えば、これに類似する技術は下記特許文献１に記載されている）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１５６７０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前述の電子部品モジュールにおいては、基板部が金属で形成されていたため、その基板部上にトランスファ・モールドにより第１の樹脂層を形成することができる。しかしながら、基板部がセラミックである場合、その第１の樹脂層を形成する工法として、トランスファ・モールドを用いると、その基板部（セラミック基板部）割れてしまう問題が生じていた。
【０００７】
すなわち、前記従来の電子部品モジュールに用いられるセラミック基板においては、セラミック基板の製造歩留まりが悪い、という課題を有していた。
【０００８】
本発明は、このように、電子部品モジュールにセラミック基板を単に用いた場合は、セラミック基板の製造歩留まりの低下してしまうという事に着目し、セラミック基板の製造歩留まりを向上させることを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
そして、この目的を達成するために本発明は、セラミック基板部と、前記セラミック基板部上に、シリコーンシートを接着剤にて接着することによって形成された第１の樹脂層と、前記第１の樹脂層に設けられ、前記セラミック基板部の表面まで貫通した凹部と、
を備えたセラミック基板とした。
【００１０】
これにより所期の目的を達成するものである。
【発明の効果】
【００１１】
以上のように本発明は、セラミック基板部と、前記セラミック基板部上に、シリコーンシートを接着剤にて接着することによって形成された第１の樹脂層と、前記第１の樹脂層に設けられ、前記セラミック基板部の表面まで貫通した凹部と、を備えたセラミック基板としたので、セラミック基板の製造歩留まりを向上させることができる。
【００１２】
すなわち、本発明においては、第１の樹脂層を形成する際に、シリコーンシートを用い、かつ、そのシリコーンシートを接着剤にて接着することによって形成したので、トランスファ・モールドのように高圧でセラミック基板に加圧することなく第１の樹脂層を形成することができるので、セラミック基板のセラミック基板部の割れを防止することができ、その結果として、セラミック基板の製造歩留まりを向上させることができるのである。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施の形態１におけるセラミック基板の断面図と上面図を示すものであり、図１（ａ）は断面図、図１（ｂ）は上面図
【図２】実施の形態１における電子回路モジュールの断面図と上面図を示すものであり、図２（ａ）は断面図、図２（ｂ）は上面図
【図３】実施の形態１におけるセラミック基板を用いた電子部品モジュールの製造方法を示すフローチャート
【図４】実施の形態１におけるセラミック基板の製造方法におけるセラミック基板部準備工程後のセラミック基板（すなわち、セラミック基板部）の断面図
【図５】実施の形態１におけるシリコーンシート準備工程の概略図
【図６】実施の形態１におけるシリコーンシート上に凹部を形成する際の断面図
【図７】実施の形態１における接着剤塗布工程後のセラミック基板の断面図
【図８】実施の形態１におけるシート接着工程を説明するためのセラミック基板の断面図
【図９】実施の形態１における切断工程を説明するためのセラミック基板の断面図
【図１０】実施の形態１における第１の電子部品実装工程後のセラミック基板の断面図
【図１１】実施の形態２におけるセラミック基板を用いた電子部品モジュールの製造方法のフローチャート
【図１２】実施の形態３におけるセラミック基板の断面図
【図１３】実施の形態３におけるセラミック基板を用いた電子部品モジュールの断面図
【図１４】実施の形態３におけるセラミック基板を用いた電子部品モジュールの製造方法を示すフローチャート
【図１５】実施の形態３における第２の電子部品実装子工程のセラミック基板の断面図
【図１６】実施の形態３における射出形成によって形成されたシリコーンシート３の断面図
【図１７】実施の形態３における接着剤塗布工程後のシリコーンシートの断面図
【図１８】実施の形態３におけるシート接着工程を説明するためのセラミック基板の断面図
【図１９】実施の形態３における切断工程を説明するためのセラミック基板の断面図
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下に、本発明の電子部品モジュールの実施の形態を図面とともに詳細に説明する。
【００１５】
（実施の形態１）
［１］本実施形態におけるセラミック基板を用いた電子部品モジュールの構成
まず、はじめに、本発明の実施の形態１におけるセラミック基板、およびそのセラミック基板を用いた電子部品モジュールの構成に関して説明する。
【００１６】
図１は、実施の形態１におけるセラミック基板の断面図と上面図を示すものであり、図１（ａ）は断面図、図１（ｂ）は上面図である。また、図２は、実施の形態１における電子回路モジュールの断面図と上面図を示すものであり、図２（ａ）は断面図、図２（ｂ）は上面図である。
【００１７】
図１（ａ）、図１（ｂ）に示すように、本実施形態におけるセラミック基板１は、セラミック基板部２と、そのセラミック基板部２上に、シリコーンシート３（図１、図２には図示なし。後述の図６に図示）を接着剤４にて接着することによって形成された第１の樹脂層５と、第１の樹脂層５に設けられ、セラミック基板部２の表面まで貫通した凹部６とを備えている。
【００１８】
また、図２（ａ）、図２（ｂ）に示すように、本実施形態における電子部品モジュール９は、前述のセラミック基板１と、凹部６内部のセラミック基板部２上に接続された第１の第１の電子部品７と、凹部６内部に充填された第２の樹脂層８とを備えている。本実施形態においては、第１の電子部品７として、発光ダイオード（ＬＥＤ）を用いた。
【００１９】
ここで、本実施形態において、セラミック基板部２は、一般にＨＴＣＣ（Ｈｉｇｈ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ、高温同時焼成型セラミック）と呼ばれる焼成されたアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を焼成することによって形成してある。
【００２０】
また、本実施形態において、シリコーンシート３は、後述にて詳しく説明するが、予め、シリコーン樹脂をシート状に形成したものを用いている。本実施形態において、シリコーンシートは、後述のようにドクターブレード法によってシート状に形成した。後述で詳しく説明するが、このシリコーンシート３は、ドクターブレード法によってプラスチックフィルム１０（図１、図２には図示なし。後述の図６に図示）上に形成するのであるが、シリコーンシート３が、プラスチックフィルム１０が形成されている形状であるため、非常に扱いやすいため、その後の、シリコーンシート３への凹部６の形成する際や、セラミック基板部２上へシリコーンシート３を接着剤４によって接着する際の作業性を高めることができる。なお、本願出願時現在、シリコーン樹脂を用いたシリコーンシート３は存在しておらず、我々が初めて、シート状に形成し、本実施形態のようなセラミック基板１や電子部品モジュール９に適応したのである。
【００２１】
更に、本実施形態においては、シリコーンシート３には、シリコーン樹脂をシート状に形成する際に、フィラーを含有させている。本実施形態においては、フィラーとして、酸化チタン（ＴｉＯ２）を含有させている。シリコーンシート３にフィラーとして酸化チタンを含有させることによって、第１の樹脂層５の反射率を向上することができ、その結果として、第１の電子部品７として発光ダイオード（ＬＥＤ）を用いた場合の電子部品モジュール９全体の発光効率を向上することができる。更に、第１の樹脂層５にシリコーン材料を用いることによって、第１の樹脂層５の耐熱性を向上することができ、特に、第１の電子部品７として発光ダイオード（ＬＥＤ）を用いた場合の電子部品モジュール９全体の高寿命化や長期使用時の信頼性を高めることができる。
【００２２】
更に、本実施形態においては、第２の樹脂層８として、ユウロピウム（Ｅｕ）を含有するランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体を含有する蛍光塗料を、シリコーン樹脂に拡散させたものを塗布することによって形成した。
【００２３】
更に、本実施形態においては、接着剤４には、樹脂製接着剤、より具体的には、シリコーンシート３に含有される物質であるシリコーン樹脂を含むシリコーン樹脂系接着剤を用いている。
【００２４】
なお、本実施形態においては、セラミック基板部２として、ＨＴＣＣと呼ばれる焼成されたアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を焼成することによって形成したが、その他、同じＨＴＣＣに分類される焼成された窒化アルミ（Ａｌ−Ｎ）や、ＬＴＣＣ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ、高温同時焼成型セラミック）と呼ばれるアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）とガラス（ＳｉＯ２）とを混合し、焼成して形成することもできる。
【００２５】
また、本実施形態においては、シリコーンシート３に、フィラーとして、酸化チタン（ＴｉＯ２）を含有させたが、その他、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、シリカ（ＳｉＯ２）等を含有させることもできる。
【００２６】
また、本実施形態においては、接着剤４にはシリコーン樹脂系接着剤を用いたが、その他、エポキシ系樹脂接着剤、アクリル系樹脂接着剤を用いることもできる。
また、本実施形態においては、シリコーンシート３を形成する方法として、ドクターブレード法を用いたが、その他、射出形成によって形成することもできる。
【００２７】
また、本実施形態において、第１の電子部品７として、発光ダイオード（ＬＥＤ）を用いたが、その他、例えば、ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）回路をはじめとする半導体ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）チップを用いることもできる。
【００２８】
また、本実施形態においては、第２の樹脂層８として、ユウロピウム（Ｅｕ）を含有するランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体を含有する蛍光塗料を、シリコーン樹脂に拡散させたものを用いたが、その他、ランタノイド系元素を含む酸窒化物系蛍光体やサイアロン系蛍光体、マンガン（Ｍｎ） 等の遷移金属を含むアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体等を用いることもできる。
【００２９】
[２]本実施形態におけるセラミック基板１、およびそれを用いた電子部品モジュール９の製造方法
次に、本実施形態におけるセラミック基板１を用いた電子部品モジュール９の製造方法に関して説明する。
【００３０】
図３は、実施の形態１におけるセラミック基板を用いた電子部品モジュールの製造方法を示すフローチャートである。
【００３１】
図３に示すように、本実施形態におけるセラミック基板を用いた電子部品モジュールの製造方法は、
Ｓ１：セラミック基板部準備工程
Ｓ２：シリコーンシート準備工程
Ｓ３：接着剤塗布工程
Ｓ４：シート接着工程
Ｓ５：切断工程
Ｓ６：第１の電子部品実装工程
Ｓ７：第２の樹脂層塗布工程
という７つの工程から構成されるものである。
【００３２】
なお、Ｓ１〜Ｓ５が、本実施形態におけるセラミック基板１の製造方法に相当するものである。
【００３３】
それでは、以下に、Ｓ１〜Ｓ７の詳細を説明する。
【００３４】
［２］−（１）セラミック基板部準備工程Ｓ１
まずはじめに、セラミック基板部準備工程Ｓ１にて、セラミック基板部２を形成する。
本実施形態においては、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）粉末の固体成分と、有機溶剤等からなる有機バインダーを、固体成分と有機バインダーとの割合が、固体成分８４：有機バインダー１６の重量比の割合で混合された組成物をシート状に形成したグリーンシートと呼ばれるものを、所望の厚さになるように複数枚積層し、その後、加圧しながら焼成することによって形成する。図４は、実施の形態１におけるセラミック基板の製造方法におけるセラミック基板部準備工程後のセラミック基板１（すなわち、セラミック基板部２）の断面図を示すものである。
【００３５】
図４に示すように、セラミック基板部準備工程Ｓ１を行うことによって、セラミック基板部２を形成することができる。
【００３６】
［２］−（２）シリコーンシート準備工程Ｓ２
次に、シリコーンシート準備工程にて、シリコーンシート３を形成する。
【００３７】
図５は、実施の形態１におけるシリコーンシート準備工程の概略図を示すものである。
【００３８】
本実施形態においては、シリコーンシート３の形成には、ドクターブレード法を用いた。また、本実施形態においては、一般にＲｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ方式と呼ばれる工法を用いた。すなわち、図５に示すように、ロール状に巻かれたプラスチックフィルム１０を、巻き取りローラ１１で巻き取る方式の工法を用いた。
【００３９】
また、図５にしめすように、このロール状に巻かれたプラスチックフィルム１０と、巻き取りローラ１１の間に、スラリーダム１４、ドクターブレード１５、加熱部１６を設けている。また、スラリーダム１４には、シリコーンシート３の原料となる液体のシリコーン樹脂と、フィラーとして酸化チタン（ＴｉＯ２）粉末とを混合した組成物であるスラリー１７が貯蔵されている。
【００４０】
更に、プラスチックフィルム１０は、巻き取りローラ１１によって、図５において、右から左へ移動しながら、プラスチックフィルム１０上に、スラリー１７を塗布する。その後、ドクターブレード１５により、このスラリーをプラスチックフィルム１０上に均一に塗布する。その後、加熱部１６にて、プラスチックフィルム１０上に塗布されたスラリーを乾燥することによって、シリコーンシート３（図６（ａ）参照）が形成されるのである。
【００４１】
このように、プラスチックフィルム１０上にシリコーンシート３の成分に相当するスラリーを均一に塗布し、その後、そのスラリーを乾燥させることによって、プラスチックフィルム１０とグリーンシートの間の界面Ｃから空気成分が除去され（いわゆる真空状態に相当）、プラスチックフィルム１０とシリコーンシート３の間が密着されるのである。
【００４２】
次に、プラスチックフィルム１０上にシリコーンシート３が形成されたものをもちいて、シリコーンシート３の所望の位置に凹部６を形成する。
【００４３】
図６は、実施の形態１におけるシリコーンシート上に凹部を形成する際の断面図を示すものである。
【００４４】
図６にしめすように、本実施形態において、プラスチックフィルム１０上に形成されているシリコーンシート３に凹部６を、ドリル（図示なし）等によって機械的に形成する。その後、プラスチックフィルム１０をシリコーンシート３から除去する。
【００４５】
以上のようにして、シリコーンシート３が形成されるのである。
【００４６】
［２］−（３）接着剤塗布工程Ｓ３
次に、接着剤塗布工程Ｓ３にて、セラミック基板部２上に、接着剤４を塗布する。
【００４７】
図７は、実施の形態１における接着剤塗布工程後のセラミック基板の断面図を示すものである。
【００４８】
図７に示すように、セラミック基板部２上の所望の位置に接着剤４を塗布するのである。本実施形態において、接着剤４は、前述のように、シリコーン樹脂系接着剤を用いた。
【００４９】
以上のようにして、セラミック基板部２上に接着剤４が塗布されるのである。
【００５０】
［２］−（４）シート接着工程Ｓ４
次に、シート接着工程Ｓ４にて、セラミック基板部２上に、凹部６が形成されたシリコーンシート３を接着する。
【００５１】
図８は、実施の形態１におけるシート接着工程を説明するためのセラミック基板の断面図を示すものである。
【００５２】
図８に示すように、セラミック基板部２と、凹部６が形成されたシリコーンシート３との位置あわせを行い、その後、シリコーンシート３とセラミック基板部２とを接触させ、その後、加熱を行う。
【００５３】
以上のようにして、セラミック基板部２上に接着剤４によって、凹部６が形成されたシリコーンシート３を接着するのである。
【００５４】
［２］−（５）切断工程Ｓ５
次に、切断工程Ｓ５にて、凹部６が形成されたシリコーンシート３が、接着剤４によって接着されたセラミック基板部２を切断する。
【００５５】
図９は、実施の形態１における切断工程Ｓ５を説明するためのセラミック基板の断面図を示すものである。
【００５６】
図９に示すように、図９中のＡ、Ｂ、Ｃのそれぞれの位置にブレード等を用いて、個々の電子部品モジュール９に用いられるセラミック基板１となるように切断するのである。
以上のようにして、凹部６が形成されたシリコーンシート３が、接着剤４によって接着されたセラミック基板部２は、個々の電子部品モジュール９に用いられるセラミック基板１となるように切断されるのである。
【００５７】
［２］−（６）第１の電子部品実装工程Ｓ６
次に、第１の電子部品実装工程Ｓ６にて、個々の電子部品モジュール９に用いられるセラミック基板１の凹部６内に、第１の電子部品７を実装する。
図１０は、実施の形態１における第１の電子部品実装工程後のセラミック基板の断面図を示すものである。
【００５８】
本実施形態においては、第１の電子部品７として、前述のように、発光ダイオード（ＬＥＤ）を用いた。
【００５９】
以上のようにして、図１０にしめすように、第１の電子部品実装工程Ｓ６において、個々の電子部品モジュール９に用いられるセラミック基板１の凹部６内に、第１の電子部品７を実装されるのである。
【００６０】
［２］−（７）第２の樹脂層塗布工程Ｓ７
最後に、第２の樹脂層塗布工程Ｓ７にて、第１の電子部品７が実装されたセラミック基板１の凹部６内に、第２の樹脂層８を塗布する。
本実施形態においては、前述のように、第２の樹脂層８として、ユウロピウム（Ｅｕ）を含有するランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体を含有する蛍光塗料を、シリコーン樹脂に拡散させたものを塗布することによって形成した。
【００６１】
以上のようにして、第１の電子部品７が実装されたセラミック基板１の凹部６内に、第２の樹脂層８を塗布するのである。この工程後、図２に示すように、本実施形態におけるセラミック基板１を用いた電子部品モジュール９になるのである。
【００６２】
以上が、本実施形態におけるセラミック基板１を用いた電子部品モジュール９の製造方法に関する説明である。
【００６３】
［３］本実施形態におけるセラミック基板１の効果
以上のように本実施形態のセラミック基板１は、セラミック基板部２と、セラミック基板部２上に、シリコーンシート３を接着剤４にて接着することによって形成された第１の樹脂層５と、第１の樹脂層５に設けられ、セラミック基板部２の表面まで貫通した凹部６と、を備えたセラミック基板１としたので、セラミック基板１の製造歩留まりを向上させることができる。
【００６４】
すなわち、本実施形態のセラミック基板１は、第１の樹脂層５を形成する際に、シリコーンシート３を用い、かつ、そのシリコーンシート３を接着剤４にて接着することによって形成したので、トランスファ・モールドのように高圧でセラミック基板１に加圧することなく第１の樹脂層５を形成することができるので、セラミック基板１のセラミック基板部２の割れを防止することができ、その結果として、セラミック基板１の製造歩留まりを向上させることができるのである。
【００６５】
（実施の形態２）
［４］本実施形態におけるセラミック基板１を用いた電子部品モジュール９の製造方法とその効果
それでは、次に、本発明の実施の形態２におけるセラミック基板１を用いた電子部品モジュール９の製造方法に関して説明する。
【００６６】
図１１は、実施の形態２におけるセラミック基板１を用いた電子部品モジュール９の製造方法のフローチャートを示すものである。
【００６７】
本実施形態におけるセラミック基板１を用いた電子部品モジュール９の製造方法において、前述の実施の形態１と異なるのは、図１１に示すように、
Ｓ１：セラミック基板部準備工程
Ｓ２：シリコーンシート準備工程
Ｓ３：接着剤塗布工程
Ｓ４：シート接着工程
Ｓ６：第１の電子部品実装工程
Ｓ７：第２の樹脂層塗布工程
Ｓ５：切断工程
という順序で構成される点である。すなわち、前述の実施の形態１においては、セラミック基板部２上に凹部６が形成されたシリコーンシート３を接着した後に、個々の電子部品モジュール９に相当するセラミック基板１へ分割し、その後、第１の電子部品７の実装、第２の樹脂層８の塗布を行ったが、本実施形態においては、先に、第１の電子部品７の実装と第２の樹脂層８の塗布を行い、その後、個々の電子部品モジュール９に相当するセラミック基板１へ分割している点である。
【００６８】
すなわち、本実施形態においては、Ｓ６：第１の電子部品実装工程、Ｓ７：第２の樹脂層塗布工程を、Ｓ５：切断工程の前で実施することによって、より効率的に、第１の電子部品７の実装や第２の樹脂層８の塗布を行うことができ、その結果として、電子部品モジュール９の製造コストを低減し、より安価な電子部品モジュール９を提供することができる。
【００６９】
（実施の形態３）
［５］本実施形態におけるセラミック基板１８、およぶそれを用いた電子部品モジュール１９の構成
それでは、次に、本発明の実施の形態３におけるセラミック基板１８、およぶそれを用いた電子部品モジュール１９の構成に関して説明する。
【００７０】
図１２は、実施の形態３におけるセラミック基板の断面図を示すものである。また、図１３は、実施の形態３におけるセラミック基板を用いた電子部品モジュールの断面図を示すものである。
【００７１】
本実施形態におけるセラミック基板１８、およびそれを用いた電子部品モジュール１９
が、前述の実施の形態１のセラミック基板１と異なる点は、図１２、図１３に示すように第１の樹脂層５の内部に配置され、セラミック基板部２に接続された第２の電子部品２０を備える点である。ここで、本実施形態における第２の電子部品２０は、バリスタを用いた。
【００７２】
その他の点は、前述の実施の形態１におけるセラミック基板１、およびそれを用いた電子部品モジュール９と同じであるので、説明を省略する。
【００７３】
［６］本実施形態におけるセラミック基板１８、およびそれを用いた電子部品モジュール１９の製造方法
次に、本実施形態におけるセラミック基板１８を用いた電子部品モジュール１９の製造方法に関して説明する。
【００７４】
図１４は、実施の形態３におけるセラミック基板を用いた電子部品モジュールの製造方法を示すフローチャートである。
【００７５】
図１４に示すように、本実施形態におけるセラミック基板１８、およびそのセラミック基板１８を用いた電子部品モジュール１９の製造方法は、
Ｓ１：セラミック基板部準備工程
Ｓ８：第２の電子部品実装子工程
Ｓ２：シリコーンシート準備工程
Ｓ３：接着剤塗布工程
Ｓ４：シート接着工程
Ｓ５：切断工程
Ｓ６：第１の電子部品実装工程
Ｓ７：第２の樹脂層塗布工程
という８つの工程から構成されるものである。
【００７６】
なお、Ｓ１、Ｓ８、Ｓ２〜Ｓ５が、本実施形態におけるセラミック基板１８の製造方法に相当するものである。
【００７７】
それでは、以下に、Ｓ１、Ｓ８、Ｓ２〜Ｓ５の詳細を説明するが、前述の実施の形態１おける製造方法における同工程と、同じようなことを行う工程に関しては、その説明を省略する。
【００７８】
［６］−（１）セラミック基板部準備工程Ｓ１
まずはじめに、セラミック基板部準備工程Ｓ１にて、セラミック基板部２を形成する。
【００７９】
本工程においては、前述の実施の形態１おける製造方法における同工程と同じことを行うため、説明を省略する（［２］−（１）を参照の事）。
［６］−（２）第２の電子部品実装子工程Ｓ８
次に、第２の電子部品実装子工程Ｓ８にて、セラミック基板部２上の所望の位置に、第２の電子部品を実装する。
【００８０】
図１５は、実施の形態３における第２の電子部品実装子工程のセラミック基板の断面図を示すものである。
【００８１】
図１５に示すように、本実施形態における電子部品実装子工程Ｓ８後、セラミック基板部２上に、第２の電子部品２０が接続される。
【００８２】
［６］−（３）シリコーンシート準備工程Ｓ２
次に、シリコーンシート準備工程にて、シリコーンシート３を形成する。
【００８３】
図１６は、実施の形態３における射出形成によって形成されたシリコーンシート３の断面図を示すものである。
【００８４】
本実施形態においては、図１６にしめすように、凹部６のみならず、凹部２１を形成する必要があるため、所望の形状に設計された金型を用いて、シリコーンシート３の原料となる液体のシリコーン樹脂と、フィラーとして酸化チタン（ＴｉＯ２）粉末とを混合した液体の組成物を、所望の形状に形成された金型に流し込み、射出形成を行った。
【００８５】
以上のようにして、凹部６、凹部２１が、シリコーンシート３が形成されるのである。
【００８６】
［６］−（４）接着剤塗布工程Ｓ３
次に、接着剤塗布工程Ｓ３にて、シリコーンシート３上に、接着剤４を塗布する。
【００８７】
図１７は、実施の形態３における接着剤塗布工程後のシリコーンシートの断面図を示すものである。
【００８８】
図１７に示すように、シリコーンシート３上の所望の位置に接着剤４を塗布するのである。
【００８９】
以上のようにして、シリコーンシート３上に接着剤４が塗布されるのである。
【００９０】
［６］−（５）シート接着工程Ｓ４
次に、シート接着工程Ｓ４にて、セラミック基板部２上に、凹部６が形成されたシリコーンシート３を接着する。
【００９１】
図１８は、実施の形態３におけるシート接着工程を説明するためのセラミック基板の断面図を示すものである。
【００９２】
図１８に示すように、セラミック基板１８と、凹部６、凹部２１が形成されたシリコーンシート３との位置あわせ（特に、第２の電子部品２０が、凹部２１に挿入（内装）されるように）を行い、その後、シリコーンシート３とセラミック基板部２とを接触させ、その後、加熱を行う。
【００９３】
特に、以上のようにして、セラミック基板１８上に接着剤４によって、凹部６、凹部２１が形成されたシリコーンシート３を接着するのである。
【００９４】
［６］−（６）切断工程Ｓ５
次に、切断工程Ｓ５にて、凹部６が形成されたシリコーンシート３が、接着剤４によって接着されたセラミック基板部２を切断する。
【００９５】
図１９は、実施の形態３における切断工程を説明するためのセラミック基板の断面図を示すものである。
【００９６】
図１９に示すように、図１９中のＡ、Ｂ、Ｃのそれぞれの位置にブレード等を用いて、個々の電子部品モジュール１９に用いられるセラミック基板１８となるように切断するのである。
【００９７】
以上のようにして、凹部６、凹部２１が形成されたシリコーンシート３が、接着剤４によって接着されたセラミック基板１８は、個々の電子部品モジュール１９に用いられるセラミック基板１となるように切断されるのである。
【００９８】
［６］−（７）第１の電子部品実装工程Ｓ６
次に、第１の電子部品実装工程Ｓ６にて、個々の電子部品モジュール１９に用いられるセラミック基板１８の凹部６内に、第１の電子部品７を実装する。
【００９９】
本工程においては、前述の実施の形態１おける製造方法における同工程と同じことを行うため、説明を省略する（［２］−（６）を参照の事）
［６］−（８）第２の樹脂層塗布工程Ｓ７
最後に、第２の樹脂層塗布工程Ｓ７にて、第１の電子部品７が実装されたセラミック基板１の凹部６内に、第２の樹脂層８を塗布する。
本実施形態においては、実施の形態１と同じように、第２の樹脂層８として、ユウロピウム（Ｅｕ）を含有するランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体を含有する蛍光塗料を、シリコーン樹脂に拡散させたものを塗布することによって形成した。
【０１００】
以上のようにして、第１の電子部品７が実装されたセラミック基板１の凹部６内に、第２の樹脂層８を塗布するのである。この工程後、図１３に示すように、本実施形態におけるセラミック基板１８を用いた電子部品モジュール１９になるのである。
【０１０１】
以上が、本実施形態におけるセラミック基板１８を用いた電子部品モジュール１９の製造方法に関する説明である。
【０１０２】
［７］本実施形態におけるセラミック基板１８の効果
以上のように本実施形態のセラミック基板１８は、第１の樹脂層５の内部に配置され、セラミック基板部２に接続された第２の電子部品２０を備えるように構成したので、電子部品モジュール１９に用いられる第１の電子部品７以外の電子部品（第２の電子部品２０に相当）を第１の樹脂層５に内蔵することができるので、その結果として、セラミック基板１８を用いた電子部品モジュール１９の更なる小型化を図ることができるのである。
【産業上の利用可能性】
【０１０３】
本発明にかかるセラミック基板と、そのセラミック基板を用いた電子部品モジュールは、セラミック基板の製造歩留まりを向上させることができるので、特に、最近普及の進んでいる液晶テレビや携帯電話の液晶画面用のバックライト向けの電子部品として発光ダイオードを搭載したような電子部品モジュール用の基板として有用である。
【符号の説明】
【０１０４】
１、１８ セラミック基板
２ セラミック基板部
３ シリコーンシート
４ 接着剤
５ 第１の樹脂層
６、２１ 凹部
７ 第１の電子部品
８ 第２の樹脂層
９、１９ 電子部品モジュール
１０ プラスチックフィルム
１１ 巻き取りローラ
１４ スラリーダム
１５ ドクターブレード
１６ 加熱部
１７ スラリー
２０ 第２の電子部品
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック基板と、そのセラミック基板を用いた電子部品モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子部品を搭載した電子部品モジュールの開発は進んでおり、特に、電子部品として発光ダイオード（ＬＥＤ、Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）を搭載した発光ダイオードモジュールは、液晶のバックライト向けの発光ダイオードモジュールとして開発が進められている。
【０００３】
一方、セラミックを主材料とするセラミック基板は、耐熱性・耐湿性に優れ、また、素材自体が良好な反射率を有することから、それら電子部品モジュールへの採用が検討されている。
【０００４】
ここで、従来の電子部品モジュールは、金属で形成された基板部と、前記基板部上にトランスファ・モールドにより形成された第１の樹脂層と、前記凹部内部の前記セラミック基板部上に接続された第２の電子部品と、前記凹部内部に充填された第２の樹脂層と、
を備えたものと、なっていた（例えば、これに類似する技術は下記特許文献１に記載されている）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１５６７０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前述の電子部品モジュールにおいては、基板部が金属で形成されていたため、その基板部上にトランスファ・モールドにより第１の樹脂層を形成することができる。しかしながら、基板部がセラミックである場合、その第１の樹脂層を形成する工法として、トランスファ・モールドを用いると、その基板部（セラミック基板部）割れてしまう問題が生じていた。
【０００７】
すなわち、前記従来の電子部品モジュールに用いられるセラミック基板においては、セラミック基板の製造歩留まりが悪い、という課題を有していた。
【０００８】
本発明は、このように、電子部品モジュールにセラミック基板を単に用いた場合は、セラミック基板の製造歩留まりの低下してしまうという事に着目し、セラミック基板の製造歩留まりを向上させることを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
そして、この目的を達成するために本発明は、セラミック基板部と、前記セラミック基板部上に、シリコーンシートを接着剤にて接着することによって形成された第１の樹脂層と、前記第１の樹脂層に設けられ、前記セラミック基板部の表面まで貫通した凹部と、
を備えたセラミック基板とした。
【００１０】
これにより所期の目的を達成するものである。
【発明の効果】
【００１１】
以上のように本発明は、セラミック基板部と、前記セラミック基板部上に、シリコーンシートを接着剤にて接着することによって形成された第１の樹脂層と、前記第１の樹脂層に設けられ、前記セラミック基板部の表面まで貫通した凹部と、を備えたセラミック基板としたので、セラミック基板の製造歩留まりを向上させることができる。
【００１２】
すなわち、本発明においては、第１の樹脂層を形成する際に、シリコーンシートを用い、かつ、そのシリコーンシートを接着剤にて接着することによって形成したので、トランスファ・モールドのように高圧でセラミック基板に加圧することなく第１の樹脂層を形成することができるので、セラミック基板のセラミック基板部の割れを防止することができ、その結果として、セラミック基板の製造歩留まりを向上させることができるのである。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施の形態１におけるセラミック基板の断面図と上面図を示すものであり、図１（ａ）は断面図、図１（ｂ）は上面図
【図２】実施の形態１における電子回路モジュールの断面図と上面図を示すものであり、図２（ａ）は断面図、図２（ｂ）は上面図
【図３】実施の形態１におけるセラミック基板を用いた電子部品モジュールの製造方法を示すフローチャート
【図４】実施の形態１におけるセラミック基板の製造方法におけるセラミック基板部準備工程後のセラミック基板（すなわち、セラミック基板部）の断面図
【図５】実施の形態１におけるシリコーンシート準備工程の概略図
【図６】実施の形態１におけるシリコーンシート上に凹部を形成する際の断面図
【図７】実施の形態１における接着剤塗布工程後のセラミック基板の断面図
【図８】実施の形態１におけるシート接着工程を説明するためのセラミック基板の断面図
【図９】実施の形態１における切断工程を説明するためのセラミック基板の断面図
【図１０】実施の形態１における第１の電子部品実装工程後のセラミック基板の断面図
【図１１】実施の形態２におけるセラミック基板を用いた電子部品モジュールの製造方法のフローチャート
【図１２】実施の形態３におけるセラミック基板の断面図
【図１３】実施の形態３におけるセラミック基板を用いた電子部品モジュールの断面図
【図１４】実施の形態３におけるセラミック基板を用いた電子部品モジュールの製造方法を示すフローチャート
【図１５】実施の形態３における第２の電子部品実装子工程のセラミック基板の断面図
【図１６】実施の形態３における射出形成によって形成されたシリコーンシート３の断面図
【図１７】実施の形態３における接着剤塗布工程後のシリコーンシートの断面図
【図１８】実施の形態３におけるシート接着工程を説明するためのセラミック基板の断面図
【図１９】実施の形態３における切断工程を説明するためのセラミック基板の断面図
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下に、本発明の電子部品モジュールの実施の形態を図面とともに詳細に説明する。
【００１５】
（実施の形態１）
［１］本実施形態におけるセラミック基板を用いた電子部品モジュールの構成
まず、はじめに、本発明の実施の形態１におけるセラミック基板、およびそのセラミック基板を用いた電子部品モジュールの構成に関して説明する。
【００１６】
図１は、実施の形態１におけるセラミック基板の断面図と上面図を示すものであり、図１（ａ）は断面図、図１（ｂ）は上面図である。また、図２は、実施の形態１における電子回路モジュールの断面図と上面図を示すものであり、図２（ａ）は断面図、図２（ｂ）は上面図である。
【００１７】
図１（ａ）、図１（ｂ）に示すように、本実施形態におけるセラミック基板１は、セラミック基板部２と、そのセラミック基板部２上に、シリコーンシート３（図１、図２には図示なし。後述の図６に図示）を接着剤４にて接着することによって形成された第１の樹脂層５と、第１の樹脂層５に設けられ、セラミック基板部２の表面まで貫通した凹部６とを備えている。
【００１８】
また、図２（ａ）、図２（ｂ）に示すように、本実施形態における電子部品モジュール９は、前述のセラミック基板１と、凹部６内部のセラミック基板部２上に接続された第１の第１の電子部品７と、凹部６内部に充填された第２の樹脂層８とを備えている。本実施形態においては、第１の電子部品７として、発光ダイオード（ＬＥＤ）を用いた。
【００１９】
ここで、本実施形態において、セラミック基板部２は、一般にＨＴＣＣ（Ｈｉｇｈ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ、高温同時焼成型セラミック）と呼ばれる焼成されたアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を焼成することによって形成してある。
【００２０】
また、本実施形態において、シリコーンシート３は、後述にて詳しく説明するが、予め、シリコーン樹脂をシート状に形成したものを用いている。本実施形態において、シリコーンシートは、後述のようにドクターブレード法によってシート状に形成した。後述で詳しく説明するが、このシリコーンシート３は、ドクターブレード法によってプラスチックフィルム１０（図１、図２には図示なし。後述の図６に図示）上に形成するのであるが、シリコーンシート３が、プラスチックフィルム１０が形成されている形状であるため、非常に扱いやすいため、その後の、シリコーンシート３への凹部６の形成する際や、セラミック基板部２上へシリコーンシート３を接着剤４によって接着する際の作業性を高めることができる。なお、本願出願時現在、シリコーン樹脂を用いたシリコーンシート３は存在しておらず、我々が初めて、シート状に形成し、本実施形態のようなセラミック基板１や電子部品モジュール９に適応したのである。
【００２１】
更に、本実施形態においては、シリコーンシート３には、シリコーン樹脂をシート状に形成する際に、フィラーを含有させている。本実施形態においては、フィラーとして、酸化チタン（ＴｉＯ２）を含有させている。シリコーンシート３にフィラーとして酸化チタンを含有させることによって、第１の樹脂層５の反射率を向上することができ、その結果として、第１の電子部品７として発光ダイオード（ＬＥＤ）を用いた場合の電子部品モジュール９全体の発光効率を向上することができる。更に、第１の樹脂層５にシリコーン材料を用いることによって、第１の樹脂層５の耐熱性を向上することができ、特に、第１の電子部品７として発光ダイオード（ＬＥＤ）を用いた場合の電子部品モジュール９全体の高寿命化や長期使用時の信頼性を高めることができる。
【００２２】
更に、本実施形態においては、第２の樹脂層８として、ユウロピウム（Ｅｕ）を含有するランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体を含有する蛍光塗料を、シリコーン樹脂に拡散させたものを塗布することによって形成した。
【００２３】
更に、本実施形態においては、接着剤４には、樹脂製接着剤、より具体的には、シリコーンシート３に含有される物質であるシリコーン樹脂を含むシリコーン樹脂系接着剤を用いている。
【００２４】
なお、本実施形態においては、セラミック基板部２として、ＨＴＣＣと呼ばれる焼成されたアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を焼成することによって形成したが、その他、同じＨＴＣＣに分類される焼成された窒化アルミ（Ａｌ−Ｎ）や、ＬＴＣＣ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ、高温同時焼成型セラミック）と呼ばれるアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）とガラス（ＳｉＯ２）とを混合し、焼成して形成することもできる。
【００２５】
また、本実施形態においては、シリコーンシート３に、フィラーとして、酸化チタン（ＴｉＯ２）を含有させたが、その他、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、シリカ（ＳｉＯ２）等を含有させることもできる。
【００２６】
また、本実施形態においては、接着剤４にはシリコーン樹脂系接着剤を用いたが、その他、エポキシ系樹脂接着剤、アクリル系樹脂接着剤を用いることもできる。
また、本実施形態においては、シリコーンシート３を形成する方法として、ドクターブレード法を用いたが、その他、射出形成によって形成することもできる。
【００２７】
また、本実施形態において、第１の電子部品７として、発光ダイオード（ＬＥＤ）を用いたが、その他、例えば、ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）回路をはじめとする半導体ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）チップを用いることもできる。
【００２８】
また、本実施形態においては、第２の樹脂層８として、ユウロピウム（Ｅｕ）を含有するランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体を含有する蛍光塗料を、シリコーン樹脂に拡散させたものを用いたが、その他、ランタノイド系元素を含む酸窒化物系蛍光体やサイアロン系蛍光体、マンガン（Ｍｎ） 等の遷移金属を含むアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体等を用いることもできる。
【００２９】
[２]本実施形態におけるセラミック基板１、およびそれを用いた電子部品モジュール９の製造方法
次に、本実施形態におけるセラミック基板１を用いた電子部品モジュール９の製造方法に関して説明する。
【００３０】
図３は、実施の形態１におけるセラミック基板を用いた電子部品モジュールの製造方法を示すフローチャートである。
【００３１】
図３に示すように、本実施形態におけるセラミック基板を用いた電子部品モジュールの製造方法は、
Ｓ１：セラミック基板部準備工程
Ｓ２：シリコーンシート準備工程
Ｓ３：接着剤塗布工程
Ｓ４：シート接着工程
Ｓ５：切断工程
Ｓ６：第１の電子部品実装工程
Ｓ７：第２の樹脂層塗布工程
という７つの工程から構成されるものである。
【００３２】
なお、Ｓ１〜Ｓ５が、本実施形態におけるセラミック基板１の製造方法に相当するものである。
【００３３】
それでは、以下に、Ｓ１〜Ｓ７の詳細を説明する。
【００３４】
［２］−（１）セラミック基板部準備工程Ｓ１
まずはじめに、セラミック基板部準備工程Ｓ１にて、セラミック基板部２を形成する。
本実施形態においては、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）粉末の固体成分と、有機溶剤等からなる有機バインダーを、固体成分と有機バインダーとの割合が、固体成分８４：有機バインダー１６の重量比の割合で混合された組成物をシート状に形成したグリーンシートと呼ばれるものを、所望の厚さになるように複数枚積層し、その後、加圧しながら焼成することによって形成する。図４は、実施の形態１におけるセラミック基板の製造方法におけるセラミック基板部準備工程後のセラミック基板１（すなわち、セラミック基板部２）の断面図を示すものである。
【００３５】
図４に示すように、セラミック基板部準備工程Ｓ１を行うことによって、セラミック基板部２を形成することができる。
【００３６】
［２］−（２）シリコーンシート準備工程Ｓ２
次に、シリコーンシート準備工程にて、シリコーンシート３を形成する。
【００３７】
図５は、実施の形態１におけるシリコーンシート準備工程の概略図を示すものである。
【００３８】
本実施形態においては、シリコーンシート３の形成には、ドクターブレード法を用いた。また、本実施形態においては、一般にＲｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ方式と呼ばれる工法を用いた。すなわち、図５に示すように、ロール状に巻かれたプラスチックフィルム１０を、巻き取りローラ１１で巻き取る方式の工法を用いた。
【００３９】
また、図５にしめすように、このロール状に巻かれたプラスチックフィルム１０と、巻き取りローラ１１の間に、スラリーダム１４、ドクターブレード１５、加熱部１６を設けている。また、スラリーダム１４には、シリコーンシート３の原料となる液体のシリコーン樹脂と、フィラーとして酸化チタン（ＴｉＯ２）粉末とを混合した組成物であるスラリー１７が貯蔵されている。
【００４０】
更に、プラスチックフィルム１０は、巻き取りローラ１１によって、図５において、右から左へ移動しながら、プラスチックフィルム１０上に、スラリー１７を塗布する。その後、ドクターブレード１５により、このスラリーをプラスチックフィルム１０上に均一に塗布する。その後、加熱部１６にて、プラスチックフィルム１０上に塗布されたスラリーを乾燥することによって、シリコーンシート３（図６（ａ）参照）が形成されるのである。
【００４１】
このように、プラスチックフィルム１０上にシリコーンシート３の成分に相当するスラリーを均一に塗布し、その後、そのスラリーを乾燥させることによって、プラスチックフィルム１０とグリーンシートの間の界面Ｃから空気成分が除去され（いわゆる真空状態に相当）、プラスチックフィルム１０とシリコーンシート３の間が密着されるのである。
【００４２】
次に、プラスチックフィルム１０上にシリコーンシート３が形成されたものをもちいて、シリコーンシート３の所望の位置に凹部６を形成する。
【００４３】
図６は、実施の形態１におけるシリコーンシート上に凹部を形成する際の断面図を示すものである。
【００４４】
図６にしめすように、本実施形態において、プラスチックフィルム１０上に形成されているシリコーンシート３に凹部６を、ドリル（図示なし）等によって機械的に形成する。その後、プラスチックフィルム１０をシリコーンシート３から除去する。
【００４５】
以上のようにして、シリコーンシート３が形成されるのである。
【００４６】
［２］−（３）接着剤塗布工程Ｓ３
次に、接着剤塗布工程Ｓ３にて、セラミック基板部２上に、接着剤４を塗布する。
【００４７】
図７は、実施の形態１における接着剤塗布工程後のセラミック基板の断面図を示すものである。
【００４８】
図７に示すように、セラミック基板部２上の所望の位置に接着剤４を塗布するのである。本実施形態において、接着剤４は、前述のように、シリコーン樹脂系接着剤を用いた。
【００４９】
以上のようにして、セラミック基板部２上に接着剤４が塗布されるのである。
【００５０】
［２］−（４）シート接着工程Ｓ４
次に、シート接着工程Ｓ４にて、セラミック基板部２上に、凹部６が形成されたシリコーンシート３を接着する。
【００５１】
図８は、実施の形態１におけるシート接着工程を説明するためのセラミック基板の断面図を示すものである。
【００５２】
図８に示すように、セラミック基板部２と、凹部６が形成されたシリコーンシート３との位置あわせを行い、その後、シリコーンシート３とセラミック基板部２とを接触させ、その後、加熱を行う。
【００５３】
以上のようにして、セラミック基板部２上に接着剤４によって、凹部６が形成されたシリコーンシート３を接着するのである。
【００５４】
［２］−（５）切断工程Ｓ５
次に、切断工程Ｓ５にて、凹部６が形成されたシリコーンシート３が、接着剤４によって接着されたセラミック基板部２を切断する。
【００５５】
図９は、実施の形態１における切断工程Ｓ５を説明するためのセラミック基板の断面図を示すものである。
【００５６】
図９に示すように、図９中のＡ、Ｂ、Ｃのそれぞれの位置にブレード等を用いて、個々の電子部品モジュール９に用いられるセラミック基板１となるように切断するのである。
以上のようにして、凹部６が形成されたシリコーンシート３が、接着剤４によって接着されたセラミック基板部２は、個々の電子部品モジュール９に用いられるセラミック基板１となるように切断されるのである。
【００５７】
［２］−（６）第１の電子部品実装工程Ｓ６
次に、第１の電子部品実装工程Ｓ６にて、個々の電子部品モジュール９に用いられるセラミック基板１の凹部６内に、第１の電子部品７を実装する。
図１０は、実施の形態１における第１の電子部品実装工程後のセラミック基板の断面図を示すものである。
【００５８】
本実施形態においては、第１の電子部品７として、前述のように、発光ダイオード（ＬＥＤ）を用いた。
【００５９】
以上のようにして、図１０にしめすように、第１の電子部品実装工程Ｓ６において、個々の電子部品モジュール９に用いられるセラミック基板１の凹部６内に、第１の電子部品７を実装されるのである。
【００６０】
［２］−（７）第２の樹脂層塗布工程Ｓ７
最後に、第２の樹脂層塗布工程Ｓ７にて、第１の電子部品７が実装されたセラミック基板１の凹部６内に、第２の樹脂層８を塗布する。
本実施形態においては、前述のように、第２の樹脂層８として、ユウロピウム（Ｅｕ）を含有するランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体を含有する蛍光塗料を、シリコーン樹脂に拡散させたものを塗布することによって形成した。
【００６１】
以上のようにして、第１の電子部品７が実装されたセラミック基板１の凹部６内に、第２の樹脂層８を塗布するのである。この工程後、図２に示すように、本実施形態におけるセラミック基板１を用いた電子部品モジュール９になるのである。
【００６２】
以上が、本実施形態におけるセラミック基板１を用いた電子部品モジュール９の製造方法に関する説明である。
【００６３】
［３］本実施形態におけるセラミック基板１の効果
以上のように本実施形態のセラミック基板１は、セラミック基板部２と、セラミック基板部２上に、シリコーンシート３を接着剤４にて接着することによって形成された第１の樹脂層５と、第１の樹脂層５に設けられ、セラミック基板部２の表面まで貫通した凹部６と、を備えたセラミック基板１としたので、セラミック基板１の製造歩留まりを向上させることができる。
【００６４】
すなわち、本実施形態のセラミック基板１は、第１の樹脂層５を形成する際に、シリコーンシート３を用い、かつ、そのシリコーンシート３を接着剤４にて接着することによって形成したので、トランスファ・モールドのように高圧でセラミック基板１に加圧することなく第１の樹脂層５を形成することができるので、セラミック基板１のセラミック基板部２の割れを防止することができ、その結果として、セラミック基板１の製造歩留まりを向上させることができるのである。
【００６５】
（実施の形態２）
［４］本実施形態におけるセラミック基板１を用いた電子部品モジュール９の製造方法とその効果
それでは、次に、本発明の実施の形態２におけるセラミック基板１を用いた電子部品モジュール９の製造方法に関して説明する。
【００６６】
図１１は、実施の形態２におけるセラミック基板１を用いた電子部品モジュール９の製造方法のフローチャートを示すものである。
【００６７】
本実施形態におけるセラミック基板１を用いた電子部品モジュール９の製造方法において、前述の実施の形態１と異なるのは、図１１に示すように、
Ｓ１：セラミック基板部準備工程
Ｓ２：シリコーンシート準備工程
Ｓ３：接着剤塗布工程
Ｓ４：シート接着工程
Ｓ６：第１の電子部品実装工程
Ｓ７：第２の樹脂層塗布工程
Ｓ５：切断工程
という順序で構成される点である。すなわち、前述の実施の形態１においては、セラミック基板部２上に凹部６が形成されたシリコーンシート３を接着した後に、個々の電子部品モジュール９に相当するセラミック基板１へ分割し、その後、第１の電子部品７の実装、第２の樹脂層８の塗布を行ったが、本実施形態においては、先に、第１の電子部品７の実装と第２の樹脂層８の塗布を行い、その後、個々の電子部品モジュール９に相当するセラミック基板１へ分割している点である。
【００６８】
すなわち、本実施形態においては、Ｓ６：第１の電子部品実装工程、Ｓ７：第２の樹脂層塗布工程を、Ｓ５：切断工程の前で実施することによって、より効率的に、第１の電子部品７の実装や第２の樹脂層８の塗布を行うことができ、その結果として、電子部品モジュール９の製造コストを低減し、より安価な電子部品モジュール９を提供することができる。
【００６９】
（実施の形態３）
［５］本実施形態におけるセラミック基板１８、およぶそれを用いた電子部品モジュール１９の構成
それでは、次に、本発明の実施の形態３におけるセラミック基板１８、およぶそれを用いた電子部品モジュール１９の構成に関して説明する。
【００７０】
図１２は、実施の形態３におけるセラミック基板の断面図を示すものである。また、図１３は、実施の形態３におけるセラミック基板を用いた電子部品モジュールの断面図を示すものである。
【００７１】
本実施形態におけるセラミック基板１８、およびそれを用いた電子部品モジュール１９
が、前述の実施の形態１のセラミック基板１と異なる点は、図１２、図１３に示すように第１の樹脂層５の内部に配置され、セラミック基板部２に接続された第２の電子部品２０を備える点である。ここで、本実施形態における第２の電子部品２０は、バリスタを用いた。
【００７２】
その他の点は、前述の実施の形態１におけるセラミック基板１、およびそれを用いた電子部品モジュール９と同じであるので、説明を省略する。
【００７３】
［６］本実施形態におけるセラミック基板１８、およびそれを用いた電子部品モジュール１９の製造方法
次に、本実施形態におけるセラミック基板１８を用いた電子部品モジュール１９の製造方法に関して説明する。
【００７４】
図１４は、実施の形態３におけるセラミック基板を用いた電子部品モジュールの製造方法を示すフローチャートである。
【００７５】
図１４に示すように、本実施形態におけるセラミック基板１８、およびそのセラミック基板１８を用いた電子部品モジュール１９の製造方法は、
Ｓ１：セラミック基板部準備工程
Ｓ８：第２の電子部品実装子工程
Ｓ２：シリコーンシート準備工程
Ｓ３：接着剤塗布工程
Ｓ４：シート接着工程
Ｓ５：切断工程
Ｓ６：第１の電子部品実装工程
Ｓ７：第２の樹脂層塗布工程
という８つの工程から構成されるものである。
【００７６】
なお、Ｓ１、Ｓ８、Ｓ２〜Ｓ５が、本実施形態におけるセラミック基板１８の製造方法に相当するものである。
【００７７】
それでは、以下に、Ｓ１、Ｓ８、Ｓ２〜Ｓ５の詳細を説明するが、前述の実施の形態１おける製造方法における同工程と、同じようなことを行う工程に関しては、その説明を省略する。
【００７８】
［６］−（１）セラミック基板部準備工程Ｓ１
まずはじめに、セラミック基板部準備工程Ｓ１にて、セラミック基板部２を形成する。
【００７９】
本工程においては、前述の実施の形態１おける製造方法における同工程と同じことを行うため、説明を省略する（［２］−（１）を参照の事）。
［６］−（２）第２の電子部品実装子工程Ｓ８
次に、第２の電子部品実装子工程Ｓ８にて、セラミック基板部２上の所望の位置に、第２の電子部品を実装する。
【００８０】
図１５は、実施の形態３における第２の電子部品実装子工程のセラミック基板の断面図を示すものである。
【００８１】
図１５に示すように、本実施形態における電子部品実装子工程Ｓ８後、セラミック基板部２上に、第２の電子部品２０が接続される。
【００８２】
［６］−（３）シリコーンシート準備工程Ｓ２
次に、シリコーンシート準備工程にて、シリコーンシート３を形成する。
【００８３】
図１６は、実施の形態３における射出形成によって形成されたシリコーンシート３の断面図を示すものである。
【００８４】
本実施形態においては、図１６にしめすように、凹部６のみならず、凹部２１を形成する必要があるため、所望の形状に設計された金型を用いて、シリコーンシート３の原料となる液体のシリコーン樹脂と、フィラーとして酸化チタン（ＴｉＯ２）粉末とを混合した液体の組成物を、所望の形状に形成された金型に流し込み、射出形成を行った。
【００８５】
以上のようにして、凹部６、凹部２１が、シリコーンシート３が形成されるのである。
【００８６】
［６］−（４）接着剤塗布工程Ｓ３
次に、接着剤塗布工程Ｓ３にて、シリコーンシート３上に、接着剤４を塗布する。
【００８７】
図１７は、実施の形態３における接着剤塗布工程後のシリコーンシートの断面図を示すものである。
【００８８】
図１７に示すように、シリコーンシート３上の所望の位置に接着剤４を塗布するのである。
【００８９】
以上のようにして、シリコーンシート３上に接着剤４が塗布されるのである。
【００９０】
［６］−（５）シート接着工程Ｓ４
次に、シート接着工程Ｓ４にて、セラミック基板部２上に、凹部６が形成されたシリコーンシート３を接着する。
【００９１】
図１８は、実施の形態３におけるシート接着工程を説明するためのセラミック基板の断面図を示すものである。
【００９２】
図１８に示すように、セラミック基板１８と、凹部６、凹部２１が形成されたシリコーンシート３との位置あわせ（特に、第２の電子部品２０が、凹部２１に挿入（内装）されるように）を行い、その後、シリコーンシート３とセラミック基板部２とを接触させ、その後、加熱を行う。
【００９３】
特に、以上のようにして、セラミック基板１８上に接着剤４によって、凹部６、凹部２１が形成されたシリコーンシート３を接着するのである。
【００９４】
［６］−（６）切断工程Ｓ５
次に、切断工程Ｓ５にて、凹部６が形成されたシリコーンシート３が、接着剤４によって接着されたセラミック基板部２を切断する。
【００９５】
図１９は、実施の形態３における切断工程を説明するためのセラミック基板の断面図を示すものである。
【００９６】
図１９に示すように、図１９中のＡ、Ｂ、Ｃのそれぞれの位置にブレード等を用いて、個々の電子部品モジュール１９に用いられるセラミック基板１８となるように切断するのである。
【００９７】
以上のようにして、凹部６、凹部２１が形成されたシリコーンシート３が、接着剤４によって接着されたセラミック基板１８は、個々の電子部品モジュール１９に用いられるセラミック基板１となるように切断されるのである。
【００９８】
［６］−（７）第１の電子部品実装工程Ｓ６
次に、第１の電子部品実装工程Ｓ６にて、個々の電子部品モジュール１９に用いられるセラミック基板１８の凹部６内に、第１の電子部品７を実装する。
【００９９】
本工程においては、前述の実施の形態１おける製造方法における同工程と同じことを行うため、説明を省略する（［２］−（６）を参照の事）
［６］−（８）第２の樹脂層塗布工程Ｓ７
最後に、第２の樹脂層塗布工程Ｓ７にて、第１の電子部品７が実装されたセラミック基板１の凹部６内に、第２の樹脂層８を塗布する。
本実施形態においては、実施の形態１と同じように、第２の樹脂層８として、ユウロピウム（Ｅｕ）を含有するランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体を含有する蛍光塗料を、シリコーン樹脂に拡散させたものを塗布することによって形成した。
【０１００】
以上のようにして、第１の電子部品７が実装されたセラミック基板１の凹部６内に、第２の樹脂層８を塗布するのである。この工程後、図１３に示すように、本実施形態におけるセラミック基板１８を用いた電子部品モジュール１９になるのである。
【０１０１】
以上が、本実施形態におけるセラミック基板１８を用いた電子部品モジュール１９の製造方法に関する説明である。
【０１０２】
［７］本実施形態におけるセラミック基板１８の効果
以上のように本実施形態のセラミック基板１８は、第１の樹脂層５の内部に配置され、セラミック基板部２に接続された第２の電子部品２０を備えるように構成したので、電子部品モジュール１９に用いられる第１の電子部品７以外の電子部品（第２の電子部品２０に相当）を第１の樹脂層５に内蔵することができるので、その結果として、セラミック基板１８を用いた電子部品モジュール１９の更なる小型化を図ることができるのである。
【産業上の利用可能性】
【０１０３】
本発明にかかるセラミック基板と、そのセラミック基板を用いた電子部品モジュールは、セラミック基板の製造歩留まりを向上させることができるので、特に、最近普及の進んでいる液晶テレビや携帯電話の液晶画面用のバックライト向けの電子部品として発光ダイオードを搭載したような電子部品モジュール用の基板として有用である。
【符号の説明】
【０１０４】
１、１８ セラミック基板
２ セラミック基板部
３ シリコーンシート
４ 接着剤
５ 第１の樹脂層
６、２１ 凹部
７ 第１の電子部品
８ 第２の樹脂層
９、１９ 電子部品モジュール
１０ プラスチックフィルム
１１ 巻き取りローラ
１４ スラリーダム
１５ ドクターブレード
１６ 加熱部
１７ スラリー
２０ 第２の電子部品
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック基板部と、
前記セラミック基板部上に、シリコーンシートを接着剤にて接着することによって形成された第１の樹脂層と、
前記第１の樹脂層に設けられ、前記セラミック基板部の表面まで貫通した凹部と、
を備えたセラミック基板。
【請求項２】
前記シリコーンシートは、フィラーが混合されている事を特徴とする請求項１に記載のセラミック基板。
【請求項３】
前記フィラーは、酸化チタン（ＴｉＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、シリカ（ＳｉＯ２）の少なくとも１つが含有される請求項２に記載のセラミック基板。
【請求項４】
前記接着剤は樹脂接着剤である請求項１に記載のセラミック基板。
【請求項５】
前記樹脂接着剤は、シリコーン系樹脂接着剤、エポキシ系樹脂接着剤、アクリル系樹脂接着剤のいずれか１つである請求項４に記載にセラミック基板。
【請求項６】
前記シリコーンシートは、ドクターブレード法、もしくは射出形成によって形成される請求項１に記載のセラミック基板。
【請求項７】
前記第１の樹脂層の内部に配置され、前記セラミック基板部に接続された第２の電子部品を備える請求項１に記載のセラミック基板。
【請求項８】
前記第２の電子部品がバリスタである請求項７に記載のセラミック基板。
【請求項９】
前記請求項１から８に記載のセラミック基板と、
前記凹部内部の前記セラミック基板部上に接続された第１の電子部品と、
前記凹部内部に充填された第２の樹脂層と、
を備えた電子部品モジュール。
【請求項１０】
前記第１の電子部品が発光ダイオードである電子部品モジュール。
【請求項１】
セラミック基板部と、
前記セラミック基板部上に、シリコーンシートを接着剤にて接着することによって形成された第１の樹脂層と、
前記第１の樹脂層に設けられ、前記セラミック基板部の表面まで貫通した凹部と、
を備えたセラミック基板。
【請求項２】
前記シリコーンシートは、フィラーが混合されている事を特徴とする請求項１に記載のセラミック基板。
【請求項３】
前記フィラーは、酸化チタン（ＴｉＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、シリカ（ＳｉＯ２）の少なくとも１つが含有される請求項２に記載のセラミック基板。
【請求項４】
前記接着剤は樹脂接着剤である請求項１に記載のセラミック基板。
【請求項５】
前記樹脂接着剤は、シリコーン系樹脂接着剤、エポキシ系樹脂接着剤、アクリル系樹脂接着剤のいずれか１つである請求項４に記載にセラミック基板。
【請求項６】
前記シリコーンシートは、ドクターブレード法、もしくは射出形成によって形成される請求項１に記載のセラミック基板。
【請求項７】
前記第１の樹脂層の内部に配置され、前記セラミック基板部に接続された第２の電子部品を備える請求項１に記載のセラミック基板。
【請求項８】
前記第２の電子部品がバリスタである請求項７に記載のセラミック基板。
【請求項９】
前記請求項１から８に記載のセラミック基板と、
前記凹部内部の前記セラミック基板部上に接続された第１の電子部品と、
前記凹部内部に充填された第２の樹脂層と、
を備えた電子部品モジュール。
【請求項１０】
前記第１の電子部品が発光ダイオードである電子部品モジュール。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【公開番号】特開２０１３−８４７００（Ｐ２０１３−８４７００Ａ）
【公開日】平成２５年５月９日（２０１３．５．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２２２４９１（Ｐ２０１１−２２２４９１）
【出願日】平成２３年１０月７日（２０１１．１０．７）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月９日（２０１３．５．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１０月７日（２０１１．１０．７）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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