ディスクの外径計測方法、及びディスクの外径計測装置
【課題】 ディスク外径を高精度かつ廉価に計測することができる新規な方法及び装置を提供する。
【解決手段】 外径公知の参照ディスク１１と外径未知の計測ディスク１２とを準備し、参照ディスク１１の外周部と静電容量センサとで形成される基準空間の静電容量Ｃｒ及び計測ディスク１２の外周部と静電容量センサとで形成される計測空間の静電容量Ｃｍを比較し、それらの相対的な大きさ及び参照ディスク１１の外径Ｄｒに基づき、計測ディスク１２の外径Ｄｍを計測する。
【解決手段】 外径公知の参照ディスク１１と外径未知の計測ディスク１２とを準備し、参照ディスク１１の外周部と静電容量センサとで形成される基準空間の静電容量Ｃｒ及び計測ディスク１２の外周部と静電容量センサとで形成される計測空間の静電容量Ｃｍを比較し、それらの相対的な大きさ及び参照ディスク１１の外径Ｄｒに基づき、計測ディスク１２の外径Ｄｍを計測する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスクの外径計測方法、及びディスクの外径計測装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、高エネルギー電子陽電子衝突実験のため、電子／陽電子リニアコライダ（LC）の開発が進められている。前記電子／陽電子リニアコライダにはいわゆるＸバンド加速管という加速管が用いられている。この加速管には、ＨＤＤＳ（High Phase Advance Damped Detuned Structure）ディスクという加速管ディスクが用いられるが、この加速管ディスクにはサブマイクロメートルオーダの加工精度が要求されている。したがって、その検査のためには、精密旋盤で加工された約６０ｍｍのディスク外径をサブマイクロメートルオーダで計測する必要がある。
【０００３】
しかしながら、現在、ディスク外径をサブミクロンオーダで高精度に計測する方法及び装置は未だ確立されていない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、ディスク外径を高精度かつ廉価に計測することができる新規な方法及び装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成すべく、本発明は、計測ディスクの外径を非接触で計測することを特徴とする、ディスクの外径計測方法に関し、特に、
外径公知の参照ディスクと外径未知の計測ディスクとを準備する工程と、
前記参照ディスクの外周部と静電容量センサとで形成される基準空間の静電容量及び前記計測ディスクの外周部と静電容量センサとで形成される計測空間の静電容量を比較し、それらの相対的な大きさ及び前記参照ディスクの前記外径に基づき、前記計測ディスクの外径を計測する工程と、
を具えることを特徴とする、ディスクの外径計測方法に関する。
【０００６】
また、本発明は、外径未知の計測ディスクを載置するステージと、
前記計測ディスクの外径を非接触で計測するための非接触式測長器と、
を具えることを特徴とする、ディスクの外径計測方法に関し、特に、
外径公知の参照ディスクと外径未知の計測ディスクとを載置するステージと、
前記参照ディスクの外周部と静電容量センサとで形成される基準空間の静電容量及び前記計測ディスクの外周部と静電容量センサとで形成される計測空間の静電容量を計測するための静電容量センサと、
を具えることを特徴とする、ディスクの外径計測装置に関する。
【０００７】
本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意検討を実施した。その結果、特にディスクの外周部に静電容量センサを配置した場合、前記ディスクの外周部と前記静電容量センサとで形成される空間の静電容量が、その空間における前記外周部と前記静電容量センサとの距離に依存することを見出した。
【０００８】
例えば、参照ディスクの外周部と静電容量センサとで形成される基準空間の静電容量をＣｒとし、前記基準空間における前記ディスク外周部と前記静電容量センサとの距離をｄｒとし、計測ディスクの外周部と静電容量センサとで形成される計測空間の静電容量をＣｍとし、前記計測空間における前記ディスク外周部と前記静電容量センサとの距離をｄｍとすると、
ｄｒ＝Ｐ／Ｃｒ （１）
ｄｍ＝Ｐ／Ｃｍ （２）
なる関係式が成立する。
【０００９】
ここで、前記Ｐは、静電容量センサの面積Ｓ、絶縁物（本装置では大気）の比誘電率εｒ、真空の誘電率ε０から、
Ｐ＝εｒε０Ｓ （３）
として計算される値であり、測定対象の材質によらず常に一定の定数とみなせる。また、前記Ｐは、実測より既知とすることができる。これによって、上述した関係式より、静電容量から距離に一意に変換することができる。なお、以降「センサ出力値」とは、静電容量を距離に換算したｄｍ及びｄｒを示すものとする。
【００１０】
今、例えば、各ディスクの中心と静電容量センサとの距離Ｌを一定とし、参照ディスクの外径をＤｒとし、計測ディスクの外径をＤｍとすると、
Ｌ＝Ｄｒ／２＋ｄｒ （４）
Ｌ＝Ｄｍ／２＋ｄｍ （５）
なる関係が成立するので、目的とする計測ディスクの外径Ｄｍは、
Ｄｍ＝Ｄｒ＋２（ｄｒ−ｄｍ）＝Ｄｒ＋２Ｐ（１／Ｃｒ−／Ｃｍ） （６）
として求めることができる。
【００１１】
（６）式において、Ｃｒ及びＣｍは上述した計測を通じて既知であり、さらにＰ及びＤｒも既知であるから、これらの値を用いることによって目的とする計測ディスクの外径Ｄｍを導出することができる。なお、（４）及び（５）式において、Ｌはキャンセルされるため、未知でかまわない。
【００１２】
なお、上述した計測においては、前記参照ディスク中心−前記静電容量センサ間の距離と、前記計測ディスク中心−前記静電容量センサ間の距離とを同一に保持する必要がある。また、前記静電容量センサの測定方向に前記参照ディスク及び前記計測ディスクを配置する。
【００１３】
また、上記装置においては、少なくとも計測ディスクに対する参照ディスクと、これらディスクの静電容量を計測するための静電容量センサとを準備すれば足りるので、装置構成を簡易化することができるとともに、そのコストを低減することができる。
【００１４】
なお、前記参照ディスクの前記基準空間に関する静電容量及び前記計測ディスクの前記計測空間に関する静電容量は、駆動手段により、静電容量センサを前記参照ディスク及び前記計測ディスクに対し、これらディスクの側面に沿って相対的にスキャンさせることによって得ることができる。この場合、前記参照ディスク及び前記計測ディスクの大きさや前記静電容量センサの測定範囲などに依存することなく、前記基準空間及び前記計測空間の全体に亘って静電容量を計測することができ、これらの静電容量を正確に計測することができる。
【００１５】
また、少なくとも２つの静電容量センサを準備し、これら静電容量センサを前記参照ディスク及び前記計測ディスクの両側において配置し、前記参照ディスク及び前記計測ディスクに対して相対的にスキャンすることが好ましい。この場合、前記基準空間及び前記計測空間の静電容量を複数のセンサを用いて計測することができるので、前記静電容量、すなわち前記計測ディスクの外径の計測精度を向上させることができる。
【００１６】
少なくとも２つの静電容量センサを用いる際、前記少なくとも２つの静電容量センサは、前記参照ディスク及び前記計測ディスクの両側において、前記少なくとも２つの静電容量センサの中心軸同士が０．０５ｒａｄ以下の角度をなすように配置することが好ましい。
【００１７】
これによって、前記少なくとも２つの静電容量センサにより、前記参照ディスク及び前記計測ディスクの面内をほぼ直線的に分断するようにしてスキャンすることができるようになるので、前記参照ディスク及び前記計測ディスクの全面をほぼ均一にスキャンすることができ、前記基準空間及び前記計測空間の全体に亘る静電容量をより正確に計測することができるようになる。この結果、前記基準空間及び前記計測空間の静電容量をより正確に計測することができ、前記計測ディスクの外径計測精度をより向上させることができる。
【００１８】
また、前記少なくとも２つの静電容量センサそれぞれのピーク値の和を利用して、前記参照ディスクの前記基準空間における静電容量及び前記計測ディスクの前記計測空間における静電容量とすることが好ましい。
【００１９】
静電容量センサそれぞれのピーク値を用いた場合、このピーク値は、上述したようなディスクと静電容量センサとの相対的なスキャンの際に、このスキャンが蛇行したり、上下に変動したりして行われることにより変動してしまう。この結果、前記基準空間などの静電容量を正確に計測することができず、前記計測ディスクの外径を正確に計測することができなくなってしまう場合がある。これに対して、静電容量センサそれぞれのピーク値の和は、前記スキャンにおける蛇行や上下変動においても変化することがない。したがって、前記計測ディスクの外径を正確に計測することができるようになる。
【００２０】
また、前記参照ディスクの温度と前記計測ディスクの温度とを、所定の温度範囲、具体的には±０．２℃以内に設定することが好ましい。前記参照ディスク及び前記計測ディスクの外径は、その材料成分などに応じて温度依存性が比較的大きくなる場合がある。したがって、双方のディスクに関する前記基準空間及び計測空間の静電容量を異なる温度で計測した場合に、前記静電容量の値は温度差に起因した誤差を含むようになり、その結果、前記計測ディスクの外径も前記温度差に起因した誤差を含むようになる。この結果、本発明の方法及び装置に基づいた前記計測ディスクの外径計測を正確に行うことができない場合がある。
【００２１】
このような場合において、前記参照ディスクの温度と前記計測ディスクの温度とを、所定の温度範囲、具体的には±０．２℃以内に設定することにより、上述した双方のディスクの温度依存性などをほとんど無視することができ、上述したような問題を生じることがない。
【発明の効果】
【００２２】
以上説明したように、本発明によれば、ディスク外径を高精度かつ廉価に計測することができる新規な方法及び装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の詳細、その他の特徴及び利点について、最良の形態に基づいて説明する。
【００２４】
図１は、本発明におけるディスクの外径計測装置の一例を示す概略構成図である。図１に示す外径計測装置１０は、所定のステージ２１上において、参照ディスク１１及び計測ディスク１２が所定の距離を隔てて配置されているとともに、固定治具１５及び１６、並びに温度センサ１７及び１８によってステージ２１上に固定されている。また、ステージ２１は、互いに対向するとともに離隔して設けられた１対の固定板２２及び２３の、上方側２２に固定されている。
【００２５】
下側の固定板２３には静電容量センサ１３及び１４が距離Ｌを保持して固定されており、これらセンサのセンサ部１３Ａ及び１４Ａは、上側固定板２２に設けられた開口部２２Ａから上方に突出し、参照ディスク１１及び計測ディスク１２を介して互いに対向し、測定軸が一致するようにして位置している。また、固定板２２及び２３間にはアクチュエータ２４が設けられており、上側固定板２２を下側固定板２３に対して駆動するように構成されている。
【００２６】
この場合、静電容量センサ１３及び１４が下側固定板２３に固定されているとともに、参照ディスク１１及び計測ディスク１２はステージ２１を介して上側固定板２２に固定されているので、アクチュエータ２４による上記駆動によって、静電容量センサ１３及び１４は、参照ディスク１１及び計測ディスク１２の側面に沿ってスキャンすることになる。
【００２７】
なお、参照ディスク１１の外径は公知であり、計測ディスク１２の外径が、本装置及び以下に説明する方法に基づいて計測される。
【００２８】
次に、図１に示す装置を用いた好ましい外径計測方法について説明する。図２は、図１に示す装置を用いた外径計測方法を説明するための図であり、図３及び図４は、かかる計測によって得た静電容量センサの出力値を概念的に示す図である。
【００２９】
最初に、図１に示すようにして、ステージ２１上に参照ディスク１１及び計測ディスク１２を配置した後、温度センサ１７及び１８により参照ディスク１１及び計測ディスク１２の温度をモニタリングし、好ましくは参照ディスク１１及び計測ディスク１２の温度差が所定の範囲内、望ましくは±０．２℃以内になるまで待機する。この場合、双方のディスクの温度依存性に起因した計測ディスク１２の外径計測誤差をほとんど無視することができる。
【００３０】
なお、このような温度差が早期に達成されるべく、図１に示す装置は例えば恒温室などに配置し、かかる室内で計測を行うことが好ましい。また、参照ディスク１１及び計測ディスク１２についても、図１に示す装置に装着する以前において、それぞれ所定の恒温室内に保存しておくことが好ましい。
【００３１】
次いで、アクチュエータ２４を駆動させ、上側固定板２２を下側固定板２３に対して移動させる。このとき、上述したように、静電容量センサ１３及び１４は、参照ディスク１１及び計測ディスク１２の側面に沿ってスキャンすることになる（図２参照）。このとき、参照ディスク１１の外周部と静電容量センサ１３及び１４とで形成される基準空間Ｓ１の静電容量Ｃｒ及び計測ディスク１２の外周部と静電容量センサ１３及び１４とで形成される計測空間Ｓ２の静電容量Ｃｍは、図示しない計測手段などにより、静電容量センサ１３及び１４における各出力のピーク値の和として得る。
【００３２】
したがって、基準空間Ｓ１におけるディスク１１の外周部と静電容量センサ１３及び１４との距離をｄｒとし、計測空間Ｓ２におけるディスク１２の外周部と静電容量センサ１３及び１４との距離をｄｍとすると、上述した（１）式及び（２）式の関係を得ることができる。
【００３３】
一方、本例においては、静電容量センサ１３及び１４間の距離をＬとしているので、この場合、上述した（４）式及び（５）式に代えて、
Ｌ＝Ｄｒ＋２ｄｒ （７）
Ｌ＝Ｄｍ＋２ｄｍ （８）
なる関係が成立する。したがって、目的とする計測ディスクの外径Ｄｍは、上記（６）式同様に、
Ｄｍ＝Ｄｒ＋２（ｄｒ−ｄｍ）＝Ｄｒ＋２Ｐ（１／Ｃｒ−／Ｃｍ） （９）
として得ることができる。
【００３４】
（９）式において、Ｃｒ及びＣｍは上述した計測を通じて既知であり、さらにＰ及びＤｒも既知であるから、これらの値を用いることによって目的とする計測ディスクの外径Ｄｍを導出することができる。なお、（７）及び（８）式において、Ｌはキャンセルされるため、未知でかまわない。
【００３５】
なお、上述した計測においては、対向する静電容量センサ１３及び１４間の距離をＬとしているので、上述したような、前記参照ディスク中心−前記静電容量センサ間の距離と、前記計測ディスク中心−前記静電容量センサ間の距離とを同一に保持する必要がない。したがって、計測操作を簡易化することができる。
【００３６】
なお、本例においては、上述したように、基準空間Ｓ１及び計測空間Ｓ２の静電容量Ｃｒ及びＣｍを、静電容量センサ１３及び１４における出力のピーク値の和としている。したがって、例えば、図３に示すように、ステージ２１が横揺れし、静電容量センサ１３及び１４のスキャンが蛇行して行われたような場合においても、静電容量センサ１３及び１４それぞれのピーク出力値は異なるものの、それらの和はスキャンが直線的に行われた場合と同じになる。
【００３７】
また、図４に示すように、ステージ２１が傾いた状態でスキャンが行われた場合においても、静電容量センサ１３及び１４それぞれのピーク出力値は異なるものの、それらの和はステージ２１が平行の状態でスキャンが行われた場合と同じになる。したがって、参照ディスク１１及び計測ディスク１２の静電容量の計測精度が向上し、上述した導出方法に基づいた、計測ディスク１２の外径の計測精度が向上する。
【００３８】
但し、図３及び図４の上側に示すように、ステージ２１が平行であり、スキャンが直線的に行われるような場合、静電容量センサ１３及び１４のピーク出力値はそれぞれ等しくなるので、例えばこれらの値を平均化して用いることにより、基準空間Ｓ１及び計測空間Ｓ２それぞれの静電容量を高精度に計測することができ、計測ディスク１２の外径を高精度に計測することができる。
【００３９】
図５は、図１に示す装置において、静電容量センサ１３及び１４の好ましい配置状態を示す図である。図１においては、静電容量センサ１３及び１４をディスク１１及び１２を介して対向するようにして配置しているが、この際、図５に示すように、静電容量センサ１３の中心軸１３Ｃと静電容量センサ１４の中心軸１４Ｃとのなす角θが０．０５ｒａｄ以下となるようにすることが好ましい。
【００４０】
この場合、静電容量センサ１３及び１４により、参照ディスク１１及び計測ディスク１２の面内をほぼ直線的に分断するようにしてスキャンすることができるようになるので、参照ディスク１１及び計測ディスク１２の全面をほぼ均一にスキャンすることができ、基準空間Ｓ１及び計測空間Ｓ２の全体に亘る静電容量をより正確に計測することができるようになる。この結果、基準空間Ｓ１及び計測空間Ｓ２の静電容量をより正確に計測することができ、計測ディスク１２の外径計測精度をより向上させることができる。
【００４１】
以上、図１に示すような装置及びこれを利用した上記方法によれば、計測ディスク１２の外径計測誤差を、例えば±２μｍ以内にまで向上させることができる。この結果、前記装置及び前記方法は、加速管ディスクとして使用されるＨＤＤＳ（High Phase Advance Damped Detuned Structure）ディスクの外径計測に対して好適に使用することができる。
【００４２】
また、図１に示す装置１０は、計測ディスク１２に加えて、参照ディスク１１及び静電用容量センサ１２、１３、さらには温度センサ１７、１８やステージ２１などの安価な構成要素のみから構成されている。したがって、装置１０は安価に構成することができるとともに、上述した計測も安価に行うことができる。
【００４３】
以上、具体例を挙げながら発明の実施の形態に基づいて本発明を詳細に説明してきたが、本発明は上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。
【００４４】
例えば、上記具体例では、参照ディスク１１及び計測ディスク１２をステージ２１上に同時に配置し、これらの静電容量を同時に計測するようにしているが、参照ディスク１１の静電容量及び計測ディスク１２の静電容量をそれぞれ独立に計測するようにすることもできる。但し、この場合においても、温度依存性に基づく計測誤差を無視すべく、各計測時における温度は±０．２℃以内に設定することが好ましい。また、静電容量センサを用いる代わりにレーザ測長器などを用いても、非接触で計測ディスク１２の外径を計測することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明におけるディスクの外径計測装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】図１に示す装置を用いた外径計測方法を説明するための図である。
【図３】本発明の方法によって得た静電容量センサの出力値を概念的に示す図である。
【図４】同じく、本発明の方法によって得た静電容量センサの出力値を概念的に示す図である。
【図５】図１に示す装置において、静電容量センサの好ましい配置状態を示す図である。
【符号の説明】
【００４６】
１０ ディスクの外径計測装置
１１ 参照ディスク
１２ 計測ディスク
１３，１４ 静電容量センサ
１５，１６ 固定治具
１７，１８ 温度センサ
２１ ステージ
２２ 上側固定板
２３ 下側固定板
２４ アクチュエータ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスクの外径計測方法、及びディスクの外径計測装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、高エネルギー電子陽電子衝突実験のため、電子／陽電子リニアコライダ（LC）の開発が進められている。前記電子／陽電子リニアコライダにはいわゆるＸバンド加速管という加速管が用いられている。この加速管には、ＨＤＤＳ（High Phase Advance Damped Detuned Structure）ディスクという加速管ディスクが用いられるが、この加速管ディスクにはサブマイクロメートルオーダの加工精度が要求されている。したがって、その検査のためには、精密旋盤で加工された約６０ｍｍのディスク外径をサブマイクロメートルオーダで計測する必要がある。
【０００３】
しかしながら、現在、ディスク外径をサブミクロンオーダで高精度に計測する方法及び装置は未だ確立されていない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、ディスク外径を高精度かつ廉価に計測することができる新規な方法及び装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成すべく、本発明は、計測ディスクの外径を非接触で計測することを特徴とする、ディスクの外径計測方法に関し、特に、
外径公知の参照ディスクと外径未知の計測ディスクとを準備する工程と、
前記参照ディスクの外周部と静電容量センサとで形成される基準空間の静電容量及び前記計測ディスクの外周部と静電容量センサとで形成される計測空間の静電容量を比較し、それらの相対的な大きさ及び前記参照ディスクの前記外径に基づき、前記計測ディスクの外径を計測する工程と、
を具えることを特徴とする、ディスクの外径計測方法に関する。
【０００６】
また、本発明は、外径未知の計測ディスクを載置するステージと、
前記計測ディスクの外径を非接触で計測するための非接触式測長器と、
を具えることを特徴とする、ディスクの外径計測方法に関し、特に、
外径公知の参照ディスクと外径未知の計測ディスクとを載置するステージと、
前記参照ディスクの外周部と静電容量センサとで形成される基準空間の静電容量及び前記計測ディスクの外周部と静電容量センサとで形成される計測空間の静電容量を計測するための静電容量センサと、
を具えることを特徴とする、ディスクの外径計測装置に関する。
【０００７】
本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意検討を実施した。その結果、特にディスクの外周部に静電容量センサを配置した場合、前記ディスクの外周部と前記静電容量センサとで形成される空間の静電容量が、その空間における前記外周部と前記静電容量センサとの距離に依存することを見出した。
【０００８】
例えば、参照ディスクの外周部と静電容量センサとで形成される基準空間の静電容量をＣｒとし、前記基準空間における前記ディスク外周部と前記静電容量センサとの距離をｄｒとし、計測ディスクの外周部と静電容量センサとで形成される計測空間の静電容量をＣｍとし、前記計測空間における前記ディスク外周部と前記静電容量センサとの距離をｄｍとすると、
ｄｒ＝Ｐ／Ｃｒ （１）
ｄｍ＝Ｐ／Ｃｍ （２）
なる関係式が成立する。
【０００９】
ここで、前記Ｐは、静電容量センサの面積Ｓ、絶縁物（本装置では大気）の比誘電率εｒ、真空の誘電率ε０から、
Ｐ＝εｒε０Ｓ （３）
として計算される値であり、測定対象の材質によらず常に一定の定数とみなせる。また、前記Ｐは、実測より既知とすることができる。これによって、上述した関係式より、静電容量から距離に一意に変換することができる。なお、以降「センサ出力値」とは、静電容量を距離に換算したｄｍ及びｄｒを示すものとする。
【００１０】
今、例えば、各ディスクの中心と静電容量センサとの距離Ｌを一定とし、参照ディスクの外径をＤｒとし、計測ディスクの外径をＤｍとすると、
Ｌ＝Ｄｒ／２＋ｄｒ （４）
Ｌ＝Ｄｍ／２＋ｄｍ （５）
なる関係が成立するので、目的とする計測ディスクの外径Ｄｍは、
Ｄｍ＝Ｄｒ＋２（ｄｒ−ｄｍ）＝Ｄｒ＋２Ｐ（１／Ｃｒ−／Ｃｍ） （６）
として求めることができる。
【００１１】
（６）式において、Ｃｒ及びＣｍは上述した計測を通じて既知であり、さらにＰ及びＤｒも既知であるから、これらの値を用いることによって目的とする計測ディスクの外径Ｄｍを導出することができる。なお、（４）及び（５）式において、Ｌはキャンセルされるため、未知でかまわない。
【００１２】
なお、上述した計測においては、前記参照ディスク中心−前記静電容量センサ間の距離と、前記計測ディスク中心−前記静電容量センサ間の距離とを同一に保持する必要がある。また、前記静電容量センサの測定方向に前記参照ディスク及び前記計測ディスクを配置する。
【００１３】
また、上記装置においては、少なくとも計測ディスクに対する参照ディスクと、これらディスクの静電容量を計測するための静電容量センサとを準備すれば足りるので、装置構成を簡易化することができるとともに、そのコストを低減することができる。
【００１４】
なお、前記参照ディスクの前記基準空間に関する静電容量及び前記計測ディスクの前記計測空間に関する静電容量は、駆動手段により、静電容量センサを前記参照ディスク及び前記計測ディスクに対し、これらディスクの側面に沿って相対的にスキャンさせることによって得ることができる。この場合、前記参照ディスク及び前記計測ディスクの大きさや前記静電容量センサの測定範囲などに依存することなく、前記基準空間及び前記計測空間の全体に亘って静電容量を計測することができ、これらの静電容量を正確に計測することができる。
【００１５】
また、少なくとも２つの静電容量センサを準備し、これら静電容量センサを前記参照ディスク及び前記計測ディスクの両側において配置し、前記参照ディスク及び前記計測ディスクに対して相対的にスキャンすることが好ましい。この場合、前記基準空間及び前記計測空間の静電容量を複数のセンサを用いて計測することができるので、前記静電容量、すなわち前記計測ディスクの外径の計測精度を向上させることができる。
【００１６】
少なくとも２つの静電容量センサを用いる際、前記少なくとも２つの静電容量センサは、前記参照ディスク及び前記計測ディスクの両側において、前記少なくとも２つの静電容量センサの中心軸同士が０．０５ｒａｄ以下の角度をなすように配置することが好ましい。
【００１７】
これによって、前記少なくとも２つの静電容量センサにより、前記参照ディスク及び前記計測ディスクの面内をほぼ直線的に分断するようにしてスキャンすることができるようになるので、前記参照ディスク及び前記計測ディスクの全面をほぼ均一にスキャンすることができ、前記基準空間及び前記計測空間の全体に亘る静電容量をより正確に計測することができるようになる。この結果、前記基準空間及び前記計測空間の静電容量をより正確に計測することができ、前記計測ディスクの外径計測精度をより向上させることができる。
【００１８】
また、前記少なくとも２つの静電容量センサそれぞれのピーク値の和を利用して、前記参照ディスクの前記基準空間における静電容量及び前記計測ディスクの前記計測空間における静電容量とすることが好ましい。
【００１９】
静電容量センサそれぞれのピーク値を用いた場合、このピーク値は、上述したようなディスクと静電容量センサとの相対的なスキャンの際に、このスキャンが蛇行したり、上下に変動したりして行われることにより変動してしまう。この結果、前記基準空間などの静電容量を正確に計測することができず、前記計測ディスクの外径を正確に計測することができなくなってしまう場合がある。これに対して、静電容量センサそれぞれのピーク値の和は、前記スキャンにおける蛇行や上下変動においても変化することがない。したがって、前記計測ディスクの外径を正確に計測することができるようになる。
【００２０】
また、前記参照ディスクの温度と前記計測ディスクの温度とを、所定の温度範囲、具体的には±０．２℃以内に設定することが好ましい。前記参照ディスク及び前記計測ディスクの外径は、その材料成分などに応じて温度依存性が比較的大きくなる場合がある。したがって、双方のディスクに関する前記基準空間及び計測空間の静電容量を異なる温度で計測した場合に、前記静電容量の値は温度差に起因した誤差を含むようになり、その結果、前記計測ディスクの外径も前記温度差に起因した誤差を含むようになる。この結果、本発明の方法及び装置に基づいた前記計測ディスクの外径計測を正確に行うことができない場合がある。
【００２１】
このような場合において、前記参照ディスクの温度と前記計測ディスクの温度とを、所定の温度範囲、具体的には±０．２℃以内に設定することにより、上述した双方のディスクの温度依存性などをほとんど無視することができ、上述したような問題を生じることがない。
【発明の効果】
【００２２】
以上説明したように、本発明によれば、ディスク外径を高精度かつ廉価に計測することができる新規な方法及び装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の詳細、その他の特徴及び利点について、最良の形態に基づいて説明する。
【００２４】
図１は、本発明におけるディスクの外径計測装置の一例を示す概略構成図である。図１に示す外径計測装置１０は、所定のステージ２１上において、参照ディスク１１及び計測ディスク１２が所定の距離を隔てて配置されているとともに、固定治具１５及び１６、並びに温度センサ１７及び１８によってステージ２１上に固定されている。また、ステージ２１は、互いに対向するとともに離隔して設けられた１対の固定板２２及び２３の、上方側２２に固定されている。
【００２５】
下側の固定板２３には静電容量センサ１３及び１４が距離Ｌを保持して固定されており、これらセンサのセンサ部１３Ａ及び１４Ａは、上側固定板２２に設けられた開口部２２Ａから上方に突出し、参照ディスク１１及び計測ディスク１２を介して互いに対向し、測定軸が一致するようにして位置している。また、固定板２２及び２３間にはアクチュエータ２４が設けられており、上側固定板２２を下側固定板２３に対して駆動するように構成されている。
【００２６】
この場合、静電容量センサ１３及び１４が下側固定板２３に固定されているとともに、参照ディスク１１及び計測ディスク１２はステージ２１を介して上側固定板２２に固定されているので、アクチュエータ２４による上記駆動によって、静電容量センサ１３及び１４は、参照ディスク１１及び計測ディスク１２の側面に沿ってスキャンすることになる。
【００２７】
なお、参照ディスク１１の外径は公知であり、計測ディスク１２の外径が、本装置及び以下に説明する方法に基づいて計測される。
【００２８】
次に、図１に示す装置を用いた好ましい外径計測方法について説明する。図２は、図１に示す装置を用いた外径計測方法を説明するための図であり、図３及び図４は、かかる計測によって得た静電容量センサの出力値を概念的に示す図である。
【００２９】
最初に、図１に示すようにして、ステージ２１上に参照ディスク１１及び計測ディスク１２を配置した後、温度センサ１７及び１８により参照ディスク１１及び計測ディスク１２の温度をモニタリングし、好ましくは参照ディスク１１及び計測ディスク１２の温度差が所定の範囲内、望ましくは±０．２℃以内になるまで待機する。この場合、双方のディスクの温度依存性に起因した計測ディスク１２の外径計測誤差をほとんど無視することができる。
【００３０】
なお、このような温度差が早期に達成されるべく、図１に示す装置は例えば恒温室などに配置し、かかる室内で計測を行うことが好ましい。また、参照ディスク１１及び計測ディスク１２についても、図１に示す装置に装着する以前において、それぞれ所定の恒温室内に保存しておくことが好ましい。
【００３１】
次いで、アクチュエータ２４を駆動させ、上側固定板２２を下側固定板２３に対して移動させる。このとき、上述したように、静電容量センサ１３及び１４は、参照ディスク１１及び計測ディスク１２の側面に沿ってスキャンすることになる（図２参照）。このとき、参照ディスク１１の外周部と静電容量センサ１３及び１４とで形成される基準空間Ｓ１の静電容量Ｃｒ及び計測ディスク１２の外周部と静電容量センサ１３及び１４とで形成される計測空間Ｓ２の静電容量Ｃｍは、図示しない計測手段などにより、静電容量センサ１３及び１４における各出力のピーク値の和として得る。
【００３２】
したがって、基準空間Ｓ１におけるディスク１１の外周部と静電容量センサ１３及び１４との距離をｄｒとし、計測空間Ｓ２におけるディスク１２の外周部と静電容量センサ１３及び１４との距離をｄｍとすると、上述した（１）式及び（２）式の関係を得ることができる。
【００３３】
一方、本例においては、静電容量センサ１３及び１４間の距離をＬとしているので、この場合、上述した（４）式及び（５）式に代えて、
Ｌ＝Ｄｒ＋２ｄｒ （７）
Ｌ＝Ｄｍ＋２ｄｍ （８）
なる関係が成立する。したがって、目的とする計測ディスクの外径Ｄｍは、上記（６）式同様に、
Ｄｍ＝Ｄｒ＋２（ｄｒ−ｄｍ）＝Ｄｒ＋２Ｐ（１／Ｃｒ−／Ｃｍ） （９）
として得ることができる。
【００３４】
（９）式において、Ｃｒ及びＣｍは上述した計測を通じて既知であり、さらにＰ及びＤｒも既知であるから、これらの値を用いることによって目的とする計測ディスクの外径Ｄｍを導出することができる。なお、（７）及び（８）式において、Ｌはキャンセルされるため、未知でかまわない。
【００３５】
なお、上述した計測においては、対向する静電容量センサ１３及び１４間の距離をＬとしているので、上述したような、前記参照ディスク中心−前記静電容量センサ間の距離と、前記計測ディスク中心−前記静電容量センサ間の距離とを同一に保持する必要がない。したがって、計測操作を簡易化することができる。
【００３６】
なお、本例においては、上述したように、基準空間Ｓ１及び計測空間Ｓ２の静電容量Ｃｒ及びＣｍを、静電容量センサ１３及び１４における出力のピーク値の和としている。したがって、例えば、図３に示すように、ステージ２１が横揺れし、静電容量センサ１３及び１４のスキャンが蛇行して行われたような場合においても、静電容量センサ１３及び１４それぞれのピーク出力値は異なるものの、それらの和はスキャンが直線的に行われた場合と同じになる。
【００３７】
また、図４に示すように、ステージ２１が傾いた状態でスキャンが行われた場合においても、静電容量センサ１３及び１４それぞれのピーク出力値は異なるものの、それらの和はステージ２１が平行の状態でスキャンが行われた場合と同じになる。したがって、参照ディスク１１及び計測ディスク１２の静電容量の計測精度が向上し、上述した導出方法に基づいた、計測ディスク１２の外径の計測精度が向上する。
【００３８】
但し、図３及び図４の上側に示すように、ステージ２１が平行であり、スキャンが直線的に行われるような場合、静電容量センサ１３及び１４のピーク出力値はそれぞれ等しくなるので、例えばこれらの値を平均化して用いることにより、基準空間Ｓ１及び計測空間Ｓ２それぞれの静電容量を高精度に計測することができ、計測ディスク１２の外径を高精度に計測することができる。
【００３９】
図５は、図１に示す装置において、静電容量センサ１３及び１４の好ましい配置状態を示す図である。図１においては、静電容量センサ１３及び１４をディスク１１及び１２を介して対向するようにして配置しているが、この際、図５に示すように、静電容量センサ１３の中心軸１３Ｃと静電容量センサ１４の中心軸１４Ｃとのなす角θが０．０５ｒａｄ以下となるようにすることが好ましい。
【００４０】
この場合、静電容量センサ１３及び１４により、参照ディスク１１及び計測ディスク１２の面内をほぼ直線的に分断するようにしてスキャンすることができるようになるので、参照ディスク１１及び計測ディスク１２の全面をほぼ均一にスキャンすることができ、基準空間Ｓ１及び計測空間Ｓ２の全体に亘る静電容量をより正確に計測することができるようになる。この結果、基準空間Ｓ１及び計測空間Ｓ２の静電容量をより正確に計測することができ、計測ディスク１２の外径計測精度をより向上させることができる。
【００４１】
以上、図１に示すような装置及びこれを利用した上記方法によれば、計測ディスク１２の外径計測誤差を、例えば±２μｍ以内にまで向上させることができる。この結果、前記装置及び前記方法は、加速管ディスクとして使用されるＨＤＤＳ（High Phase Advance Damped Detuned Structure）ディスクの外径計測に対して好適に使用することができる。
【００４２】
また、図１に示す装置１０は、計測ディスク１２に加えて、参照ディスク１１及び静電用容量センサ１２、１３、さらには温度センサ１７、１８やステージ２１などの安価な構成要素のみから構成されている。したがって、装置１０は安価に構成することができるとともに、上述した計測も安価に行うことができる。
【００４３】
以上、具体例を挙げながら発明の実施の形態に基づいて本発明を詳細に説明してきたが、本発明は上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。
【００４４】
例えば、上記具体例では、参照ディスク１１及び計測ディスク１２をステージ２１上に同時に配置し、これらの静電容量を同時に計測するようにしているが、参照ディスク１１の静電容量及び計測ディスク１２の静電容量をそれぞれ独立に計測するようにすることもできる。但し、この場合においても、温度依存性に基づく計測誤差を無視すべく、各計測時における温度は±０．２℃以内に設定することが好ましい。また、静電容量センサを用いる代わりにレーザ測長器などを用いても、非接触で計測ディスク１２の外径を計測することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明におけるディスクの外径計測装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】図１に示す装置を用いた外径計測方法を説明するための図である。
【図３】本発明の方法によって得た静電容量センサの出力値を概念的に示す図である。
【図４】同じく、本発明の方法によって得た静電容量センサの出力値を概念的に示す図である。
【図５】図１に示す装置において、静電容量センサの好ましい配置状態を示す図である。
【符号の説明】
【００４６】
１０ ディスクの外径計測装置
１１ 参照ディスク
１２ 計測ディスク
１３，１４ 静電容量センサ
１５，１６ 固定治具
１７，１８ 温度センサ
２１ ステージ
２２ 上側固定板
２３ 下側固定板
２４ アクチュエータ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
計測ディスクの外径を非接触で計測することを特徴とする、ディスクの外径計測方法。
【請求項２】
外径公知の参照ディスクと外径未知の計測ディスクとを準備する工程と、
前記参照ディスクの外周部と静電容量センサとで形成される基準空間の静電容量及び前記計測ディスクの外周部と静電容量センサとで形成される計測空間の静電容量を比較し、それらの相対的な大きさ及び前記参照ディスクの前記外径に基づき、前記計測ディスクの外径を計測する工程と、
を具えることを特徴とする、請求項１に記載のディスクの外径計測方法。
【請求項３】
前記参照ディスクの前記基準空間における静電容量及び前記計測ディスクの前記計測空間における静電容量は、所定の静電容量センサを前記参照ディスク及び前記計測ディスクに対し、これらディスクの側面に沿って相対的にスキャンさせることによって、得ることを特徴とする、請求項２に記載のディスクの外径計測方法。
【請求項４】
少なくとも２つの静電容量センサを準備し、これら静電容量センサを前記参照ディスク及び前記計測ディスクの両側において配置し、前記参照ディスク及び前記計測ディスクに対し、これらディスクの側面に沿って相対的にスキャンすることを特徴とする、請求項３に記載のディスクの外径計測方法。
【請求項５】
前記少なくとも２つの静電容量センサは、前記参照ディスク及び前記計測ディスクの両側において、前記少なくとも２つの静電容量センサの中心軸同士が０．０５ｒａｄ以下の角度をなすように配置することを特徴とする、請求項４に記載のディスクの外径計測方法。
【請求項６】
前記少なくとも２つの静電容量センサそれぞれのピーク値を利用して、前記参照ディスクの前記基準空間における静電容量及び前記計測ディスクの前記計測空間における静電容量とすることを特徴とする、請求項４又は５に記載のディスクの外径計測方法。
【請求項７】
前記少なくとも２つの静電容量センサそれぞれのピーク値の和を利用して、前記参照ディスクの前記基準空間における静電容量及び前記計測ディスクの前記計測空間における静電容量とすることを特徴とする、請求項４又は５に記載のディスクの外径計測方法。
【請求項８】
前記参照ディスクの温度と前記計測ディスクの温度とを、所定の温度範囲に設定する工程を具えることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一に記載のディスクの外径計測方法。
【請求項９】
前記参照ディスクの前記温度と前記計測ディスクの前記温度との差を±０．２℃以内に設定することを特徴とする、請求項８に記載のディスクの外径計測方法。
【請求項１０】
前記計測ディスクの外径計測誤差が±２μｍ以内であることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか一に記載のディスクの外径計測方法。
【請求項１１】
前記計測ディスクは、加速管ディスクとして使用されるＨＤＤＳ（High Phase Advance Damped Detuned Structure）ディスクであることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか一に記載のディスクの外径計測方法。
【請求項１２】
外径未知の計測ディスクを載置するステージと、
前記計測ディスクの外径を非接触で計測するための非接触式測長器と、
を具えることを特徴とする、ディスクの外径計測方法。
【請求項１３】
外径公知の参照ディスクと外径未知の計測ディスクとを載置するステージと、
前記参照ディスクの外周部との間に形成された基準空間の静電容量及び前記計測ディスクの外周部との間に形成された計測空間の静電容量を計測するための静電容量センサと、
を具えることを特徴とする、請求項１２に記載のディスクの外径計測装置。
【請求項１４】
前記静電容量センサを、前記参照ディスク及び前記計測ディスクに対し、これらディスクの側面に沿って相対的にスキャンさせ、前記参照ディスクの前記基準空間における静電容量及び前記計測ディスクの前記計測空間における静電容量を計測するための駆動手段を具えることを特徴とする、請求項１３に記載のディスクの外径計測装置。
【請求項１５】
少なくとも２つの静電容量センサを準備し、これら静電容量センサを前記参照ディスク及び前記計測ディスクの両側において配置し、前記駆動手段によって、前記参照ディスク及び前記計測ディスクに対し、これらディスクの側面に沿って相対的にスキャンすることを特徴とする、請求項１４に記載のディスクの外径計測装置。
【請求項１６】
前記少なくとも２つの静電容量センサは、前記参照ディスク及び前記計測ディスクの両側において、前記少なくとも２つの静電容量センサの中心軸同士が０．０５ｒａｄ以下の角度をなすように配置したことを特徴とする、請求項１５に記載のディスクの外径計測方法。
【請求項１７】
前記少なくとも２つの静電容量センサそれぞれのピーク値を利用して、前記参照ディスクの前記基準空間における静電容量及び前記計測ディスクの前記計測空間における静電容量とすることを特徴とする、請求項１５又は１６に記載のディスクの外径計測装置。
【請求項１８】
前記少なくとも２つの静電容量センサそれぞれのピーク値の和を利用して、前記参照ディスクの前記基準空間における静電容量及び前記計測ディスクの前記計測空間における静電容量とすることを特徴とする、請求項１５又は１６に記載のディスクの外径計測装置。
【請求項１９】
前記参照ディスクの温度と前記計測ディスクの温度とを計測するための温度センサを具えることを特徴とする、請求項１２〜１８のいずれか一に記載のディスクの外径計測装置。
【請求項２０】
前記参照ディスクの前記温度と前記計測ディスクの前記温度との差が±０．２℃以内の範囲内で使用することを特徴とする、請求項１２〜１９のいずれか一に記載のディスクの外径計測装置。
【請求項２１】
前記計測ディスクの外径計測誤差が±２μｍ以内であることを特徴とする、請求項１２〜２０のいずれか一に記載のディスクの外径計測装置。
【請求項２２】
前記計測ディスクは、加速管ディスクとして使用されるＨＤＤＳ（High Phase Advance Damped Detuned Structure）ディスクであることを特徴とする、請求項１２〜２１のいずれか一に記載のディスクの外径計測装置。
【請求項１】
計測ディスクの外径を非接触で計測することを特徴とする、ディスクの外径計測方法。
【請求項２】
外径公知の参照ディスクと外径未知の計測ディスクとを準備する工程と、
前記参照ディスクの外周部と静電容量センサとで形成される基準空間の静電容量及び前記計測ディスクの外周部と静電容量センサとで形成される計測空間の静電容量を比較し、それらの相対的な大きさ及び前記参照ディスクの前記外径に基づき、前記計測ディスクの外径を計測する工程と、
を具えることを特徴とする、請求項１に記載のディスクの外径計測方法。
【請求項３】
前記参照ディスクの前記基準空間における静電容量及び前記計測ディスクの前記計測空間における静電容量は、所定の静電容量センサを前記参照ディスク及び前記計測ディスクに対し、これらディスクの側面に沿って相対的にスキャンさせることによって、得ることを特徴とする、請求項２に記載のディスクの外径計測方法。
【請求項４】
少なくとも２つの静電容量センサを準備し、これら静電容量センサを前記参照ディスク及び前記計測ディスクの両側において配置し、前記参照ディスク及び前記計測ディスクに対し、これらディスクの側面に沿って相対的にスキャンすることを特徴とする、請求項３に記載のディスクの外径計測方法。
【請求項５】
前記少なくとも２つの静電容量センサは、前記参照ディスク及び前記計測ディスクの両側において、前記少なくとも２つの静電容量センサの中心軸同士が０．０５ｒａｄ以下の角度をなすように配置することを特徴とする、請求項４に記載のディスクの外径計測方法。
【請求項６】
前記少なくとも２つの静電容量センサそれぞれのピーク値を利用して、前記参照ディスクの前記基準空間における静電容量及び前記計測ディスクの前記計測空間における静電容量とすることを特徴とする、請求項４又は５に記載のディスクの外径計測方法。
【請求項７】
前記少なくとも２つの静電容量センサそれぞれのピーク値の和を利用して、前記参照ディスクの前記基準空間における静電容量及び前記計測ディスクの前記計測空間における静電容量とすることを特徴とする、請求項４又は５に記載のディスクの外径計測方法。
【請求項８】
前記参照ディスクの温度と前記計測ディスクの温度とを、所定の温度範囲に設定する工程を具えることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一に記載のディスクの外径計測方法。
【請求項９】
前記参照ディスクの前記温度と前記計測ディスクの前記温度との差を±０．２℃以内に設定することを特徴とする、請求項８に記載のディスクの外径計測方法。
【請求項１０】
前記計測ディスクの外径計測誤差が±２μｍ以内であることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか一に記載のディスクの外径計測方法。
【請求項１１】
前記計測ディスクは、加速管ディスクとして使用されるＨＤＤＳ（High Phase Advance Damped Detuned Structure）ディスクであることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか一に記載のディスクの外径計測方法。
【請求項１２】
外径未知の計測ディスクを載置するステージと、
前記計測ディスクの外径を非接触で計測するための非接触式測長器と、
を具えることを特徴とする、ディスクの外径計測方法。
【請求項１３】
外径公知の参照ディスクと外径未知の計測ディスクとを載置するステージと、
前記参照ディスクの外周部との間に形成された基準空間の静電容量及び前記計測ディスクの外周部との間に形成された計測空間の静電容量を計測するための静電容量センサと、
を具えることを特徴とする、請求項１２に記載のディスクの外径計測装置。
【請求項１４】
前記静電容量センサを、前記参照ディスク及び前記計測ディスクに対し、これらディスクの側面に沿って相対的にスキャンさせ、前記参照ディスクの前記基準空間における静電容量及び前記計測ディスクの前記計測空間における静電容量を計測するための駆動手段を具えることを特徴とする、請求項１３に記載のディスクの外径計測装置。
【請求項１５】
少なくとも２つの静電容量センサを準備し、これら静電容量センサを前記参照ディスク及び前記計測ディスクの両側において配置し、前記駆動手段によって、前記参照ディスク及び前記計測ディスクに対し、これらディスクの側面に沿って相対的にスキャンすることを特徴とする、請求項１４に記載のディスクの外径計測装置。
【請求項１６】
前記少なくとも２つの静電容量センサは、前記参照ディスク及び前記計測ディスクの両側において、前記少なくとも２つの静電容量センサの中心軸同士が０．０５ｒａｄ以下の角度をなすように配置したことを特徴とする、請求項１５に記載のディスクの外径計測方法。
【請求項１７】
前記少なくとも２つの静電容量センサそれぞれのピーク値を利用して、前記参照ディスクの前記基準空間における静電容量及び前記計測ディスクの前記計測空間における静電容量とすることを特徴とする、請求項１５又は１６に記載のディスクの外径計測装置。
【請求項１８】
前記少なくとも２つの静電容量センサそれぞれのピーク値の和を利用して、前記参照ディスクの前記基準空間における静電容量及び前記計測ディスクの前記計測空間における静電容量とすることを特徴とする、請求項１５又は１６に記載のディスクの外径計測装置。
【請求項１９】
前記参照ディスクの温度と前記計測ディスクの温度とを計測するための温度センサを具えることを特徴とする、請求項１２〜１８のいずれか一に記載のディスクの外径計測装置。
【請求項２０】
前記参照ディスクの前記温度と前記計測ディスクの前記温度との差が±０．２℃以内の範囲内で使用することを特徴とする、請求項１２〜１９のいずれか一に記載のディスクの外径計測装置。
【請求項２１】
前記計測ディスクの外径計測誤差が±２μｍ以内であることを特徴とする、請求項１２〜２０のいずれか一に記載のディスクの外径計測装置。
【請求項２２】
前記計測ディスクは、加速管ディスクとして使用されるＨＤＤＳ（High Phase Advance Damped Detuned Structure）ディスクであることを特徴とする、請求項１２〜２１のいずれか一に記載のディスクの外径計測装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２００６−２４２５７５（Ｐ２００６−２４２５７５Ａ）
【公開日】平成１８年９月１４日（２００６．９．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−５４３００（Ｐ２００５−５４３００）
【出願日】平成１７年２月２８日（２００５．２．２８）
【新規性喪失の例外の表示】特許法第３０条第１項適用申請有り 平成１６年９月１日 社団法人精密工学会発行の「２００４年度 精密工学会秋季大会 学術講演会講演論文集」、「２００４年度 精密工学会秋季大会 プログラム＆アブストラクト集」に発表
【新規性喪失の例外の表示】特許法第３０条第１項適用申請有り ２００５年１月３１日 つくばサイエンスアカデミー発行の「第４回 つくばテクノロジー・ショーケース プログラム＆アブストラクト集」に発表
【出願人】（５０４１５１３６５）大学共同利用機関法人 高エネルギー加速器研究機構 (125)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年９月１４日（２００６．９．１４）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年２月２８日（２００５．２．２８）
【新規性喪失の例外の表示】特許法第３０条第１項適用申請有り 平成１６年９月１日 社団法人精密工学会発行の「２００４年度 精密工学会秋季大会 学術講演会講演論文集」、「２００４年度 精密工学会秋季大会 プログラム＆アブストラクト集」に発表
【新規性喪失の例外の表示】特許法第３０条第１項適用申請有り ２００５年１月３１日 つくばサイエンスアカデミー発行の「第４回 つくばテクノロジー・ショーケース プログラム＆アブストラクト集」に発表
【出願人】（５０４１５１３６５）大学共同利用機関法人 高エネルギー加速器研究機構 (125)
【Ｆターム（参考）】
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