【課題】 簡易な構成で、既設のワイヤロープの伸び検査に適用できるようにすると共に、経年使用による劣化に伴う伸びを正確に測定する。
【解決手段】 本発明のワイヤロープの伸び検査装置１は、着磁手段１０、磁気検出手段２０を備え、伸びを検査する前に着磁手段２０により着磁部位を所定距離毎に形成する。従って、予め所定のマーキングが施されていない既設のエレベータ等に用いられているワイヤロープ１３０の伸びを検査することができる。磁気検出手段２０が、磁気検出手段用支持レール３０に支持されてワイヤロープ１３０の長手方向に移動可能で、ワイヤロープ１３０を静止させた状態で着磁部位間の距離を測定する構成であるため、極めて正確にワイヤロープ１３０の伸びを測ることができる。 （もっと読む）

【課題】温度変化に起因する基板の板厚変化を抑え，回転体の角度変化の検出精度を安定させ得るインダクタンス式回転角度センサを提供する。
【解決手段】ステータ２５を，環状に形成される励磁導体２７と，この励磁導体２７に隣接配置される受信導体２８とをガラスエポキシ樹脂製の基板２６にプリントして構成する一方，ロータ２３に励磁導体２７に対向する励起導体２４を付設したインダクタンス式回転角度センサにおいて，基板２６の表裏両面に，この基板２６の周辺部及び，この基板２６が有する貫通孔３４を通して互いに連結する熱硬化性樹脂製の被覆層３２をモールド形成すると共に，この被覆層３２のうち，励磁導体２７及び受信導体２８を被覆する部分を，肉厚が他の部分より薄い薄肉部３２ａに形成し，この薄肉部３２ａを露出状態にして，ステータ２５を熱可塑性樹脂製の制御ハウジング１ｂに埋設した。 （もっと読む）

【課題】 半導体歪ゲージを用いた半導体歪センサーにおいて、特性が長期間安定し、歪
センサーチップと熱膨張率が異なる測定対象物に取り付けた場合でも、熱膨張差に起因す
る熱歪の影響を小さくして、高精度の歪測定を可能にする。
【解決手段】 歪センサーチップをベース板に接合し、ベース板の歪センサーチップを挟
んだ両側２箇所の接続エリアでベース板を測定対象物に接続する。歪センサーチップの歪
検出部はｐ型シリコンの＜１１０＞方向、およびそれに垂直な方向を電流方向とするピエ
ゾ抵抗素子でブリッジ回路を構成し、＜１１０＞方向を、前記２箇所の接続エリアを結ぶ
方向（Ｘ方向）と一致させる。歪センサーチップとベース板の熱膨張差による熱歪をブリ
ッジ回路でキャンセルでき、ベース板に選択的に伝えられるＸ方向の歪に対して高い感度
で検出できる。 （もっと読む）

【課題】レゾルバの異常を高精度に検出し得るレゾルバの異常検出装置および電気式動力舵取装置を提供する。
【解決手段】判定ブロックＢ１において順次演算される２乗和Ｓ１のうち最大値である最大２乗和Ｓ１ｍａｘと最小値である最小２乗和Ｓ１ｍｉｎとがメモリに記憶される。そして、全判定ブロックＢ１〜Ｂ５における各最大２乗和Ｓ１ｍａｘ〜Ｓ５ｍａｘのうちの最大値である異常判定用最大２乗和Ｓｍａｘと各最小２乗和Ｓ１ｍｉｎ〜Ｓ５ｍｉｎのうちの最小値である異常判定用最小２乗和Ｓｍｉｎとの差が、異常判定用閾値Ｓｋを超える場合に、モータレゾルバが異常であると判定される。このとき、各判定ブロックＢ１〜Ｂ５の検出単位時間ｔｓの合計が判定時間ｔａよりも短くなるように各判定ブロックＢ１〜Ｂ５が設定されている。 （もっと読む）

【課題】熱の影響、及び検出器やその取付部分と被検出部との線膨張係数の違いに起因する検出器と被検出部との間隔の変化を抑制すること。
【解決手段】この回転軸の回転角度検出装置１００は、センサプレート５と、ポジションセンサ１０と、第１及び第２潤滑油噴射ノズル９ａ、９ｂとを含む。センサプレート５はクランク軸４に取り付けられており、外周部に複数の歯５Ｇが設けられている。ポジションセンサ１０は、磁気センサであり、センサプレート５の外周部に形成される歯５Ｇの数を非接触で計数する。第１潤滑油噴射ノズル９ａからは、ポジションセンサ１０やその取付部分に向かって潤滑油Ｌが噴射され、また、第２潤滑油噴射ノズル９ｂからは、センサプレート５に向かって潤滑油Ｌが噴射される。 （もっと読む）

【課題】長寿命且つ信頼性が高く、目的とする特定方向のひずみ成分を精度良く測定することができる力学量測定装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の上にひずみ検出部を形成する。また、半導体単結晶基板において結晶方位を考慮に入れた不純物拡散層を用いたホイートストンブリッジを形成する。半導体単結晶が有するピエゾ抵抗効果の異方性により同一基板上でホイートストンブリッジ回路の動作が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 ディスク外径を高精度かつ廉価に計測することができる新規な方法及び装置を提供する。
【解決手段】 外径公知の参照ディスク１１と外径未知の計測ディスク１２とを準備し、参照ディスク１１の外周部と静電容量センサとで形成される基準空間の静電容量Ｃｒ及び計測ディスク１２の外周部と静電容量センサとで形成される計測空間の静電容量Ｃｍを比較し、それらの相対的な大きさ及び参照ディスク１１の外径Ｄｒに基づき、計測ディスク１２の外径Ｄｍを計測する。 （もっと読む）