ハードディスクドライブ内のシャットダウン中のパルス電力
【課題】ハードディスクドライブ内のシャットダウン中のパルス電力を提供する。
【解決手段】動作電圧範囲内で動作するように構成された書き込み構成要素と、充電キャパシタを備えた充電回路とを含むＨＤＤ。充電キャパシタは、充電時、動作電圧範囲よりも高い電圧を含む。ＨＤＤは、書き込み構成要素の被制御シャットダウン中に、残りのデータセクタビットが書き込まれるように、被制御シャットダウン中に動作電圧範囲内で電力を充電回路から書き込み構成要素にパルスするように構成されたパルス回路も含む。
【解決手段】動作電圧範囲内で動作するように構成された書き込み構成要素と、充電キャパシタを備えた充電回路とを含むＨＤＤ。充電キャパシタは、充電時、動作電圧範囲よりも高い電圧を含む。ＨＤＤは、書き込み構成要素の被制御シャットダウン中に、残りのデータセクタビットが書き込まれるように、被制御シャットダウン中に動作電圧範囲内で電力を充電回路から書き込み構成要素にパルスするように構成されたパルス回路も含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスクドライブ内のシャットダウン中のパルス電力に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）には、データが磁気ヘッドにより、回転する磁気ディスク上に書き込まれる。ユーザデータは、５１２バイトの個々のセクタの単位で磁気ディスク上に書き込まれる。通常、ＨＤＤは、ホスト装置からの５Ｖの電源電圧が供給されることにより動作する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
場合によっては、ＨＤＤへの電源電圧が遮断されることがある。電源電圧が遮断した場合、ユーザデータ（または残りのユーザデータ）を書き込むための時間は限られる。特に、ハードウェアがリセットする前に（不十分な電圧により）、ユーザデータ（または残りのユーザデータ）を個々のセクタに書き込むために十分な時間がない場合がある。したがって、ユーザデータが損失または破損する恐れがある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明のハードディスクドライブは、動作電圧範囲内で動作するように構成された書き込み構成要素と、充電キャパシタを備えた充電回路であって、前記充電キャパシタは、充電時、前記動作電圧範囲よりも高い電圧を備える、充電回路と、前記書き込み構成要素のシャットダウン制御（被制御シャットダウン）中に残りのデータセクタビットが書き込まれるように、前記シャットダウン制御中に前記動作電圧範囲内で電力を前記充電回路から前記書き込み構成要素にパルスするように構成されたパルス回路と、を備える。
【発明の効果】
【０００５】
上記本発明によると、ユーザデータの損失または破損を抑制することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】本発明の実施形態によるＨＤＤの一例を示す。
【図２Ａ】従来の技術を示す。
【図２Ｂ】従来の技術を示す。
【図３】本発明の実施形態による回路を示す。
【図４】本発明の実施形態による、シャットダウン中にパルス電力を提供するアルゴリズムの一例を示す。
【図５】本発明の実施形態によるＨＤＤの信号を示す。
【図６】本発明の実施形態による、シャットダウン中にパルス電力を提供する方法のフローチャートの一例を示す。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
本説明において参照される図面は、特記される場合を除き、一定の縮尺で描かれているものとして理解されるべきではない。
【０００８】
これより、例を添付図面に示して本技術の実施形態を詳細に述べる。本技術について様々な実施形態と併せて説明するが、本技術をこれら実施形態に限定することが意図されないことが理解されよう。逆に、本技術は、添付の特許請求の範囲により定義される様々な実施形態の主旨および範囲内に含まれ得る代替、変更、および均等物の包含が意図される。
【０００９】
さらに、以下の実施形態の説明において、本技術の完全な理解を提供するために、多くの特定の詳細が記される。しかし、本技術は、これら特定の詳細なしで実施してもよい。場合によっては、本実施形態の態様を不必要に曖昧にしないように、周知の方法、手順、構成要素、および回路については詳細に説明しなかった。
【００１０】
これより図１を参照して、コンピュータシステムの磁気ハードディスクファイルまたはＨＤＤ１００を含む情報記憶システムの一実施形態の概略図を示すが、１つのみのヘッドおよび１枚のみのディスク表面の組み合わせを示す。１つのヘッド−ディスク組み合わせに関してここで説明することは、複数のヘッド−ディスク組み合わせに対しても当てはまることである。換言すれば、本技術はヘッド−ディスク組み合わせの数とは無関係である。別の実施形態では、ＨＤＤ１００は２．５インチ小型磁気ドライブである。さらなる実施形態では、ＨＤＤ１００はシリアルＡＴＡ（ＳＡＴＡ：Ｓｅｒｉａｌ Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ａｔｔａｃｈｍｅｎｔ）ハードドライブである。
【００１１】
一般に、ＨＤＤ１００は、内部ベースプレート１１３と、内部カバー（図示せず）とを有する。一実施形態では、内部筐体１１３が、少なくとも１つの媒体または磁気ディスク１３８を有するディスクパックを含む。ディスクパック（ディスク１３８で表される）は、回転軸、およびディスクパックが回転可能な軸に対する半径方向を定義する。
【００１２】
中心駆動ハブ１３０を有するスピンドルモータ組立体が、軸として動作し、ディスクパックのうちのディスク１３８または複数のディスクを内部ベースプレート１１３に対して半径方向に回転させる。アクチュエータ組立体１１５は、１つまたは複数のアクチュエータアーム１１６を含む。いくつかのアクチュエータアーム１１６が存在する場合、それらアクチュエータアーム１１６は通常、櫛形状を呈し、ベース／筐体１１３に移動可能または旋回可能に取り付けられる。コントローラ１５０も内部ベースプレート１１３に取り付けられて、アクチュエータアーム１１６をディスク１３８に対して選択的に移動させる。アクチュエータ組立体１１５は、可撓性ケーブル等のコネクタ組立体に結合して、アーム電子回路と、ＨＤＤ１００が存在するコンピュータ等のホストシステムとの間でデータを伝送し得る。
【００１３】
一実施形態では、各アクチュエータアーム１１６は、各アクチュエータアーム１１６から延びるカンチレバー式の少なくとも１つの一体型リードサスペンション（ＩＬＳ：ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｌｅａｄ ｓｕｓｐｅｎｓｉｏｎ）１２０を有する。ＩＬＳ１２０は、データアクセス記憶装置内で使用できる任意の形態のリードサスペンションであり得る。スライダ１２１、ＩＬＳ１２０、および読み取り／書き込みヘッドを含むこのレベルの一体性は、ヘッドジンバル組立体（ＨＧＡ）と呼ばれる。
【００１４】
ＩＬＳ１２０は、スライダ１２１のエアベアリング面（ＡＢＳ）をディスク１３８に対して付勢または押して、スライダ１２１をディスク１３８から正確な距離上に浮上させる、バネのような性質を有する。ＩＬＳ１２０は、バネのような性質を提供するヒンジエリアと、トレースの読み書きおよびヒンジエリアを通しての電気接続をサポートする可撓性ケーブル型の相互接続とを有する。ボイスコイル１１２は、従来のボイスコイルモータ磁石組立体内を自由に移動でき、ヘッドジンバル組立体の逆側においてアクチュエータアーム１１６に取り付けられる。コントローラ１５０によるアクチュエータ組立体１１５の移動により、ヘッドジンバル組立体を半径方向弧に沿ってディスク１３８の表面上のトラックを横切って移動させる。
【００１５】
ディスク１３８は複数のセクタを含む。様々な実施形態では、各セクタは４キロバイト（Ｋバイト）である。換言すれば、セクタ毎のユーザデータは４Ｋバイトである。逆に、従来のシステムはセクタ毎に５１２バイトを含む。
【００１６】
ＨＤＤ１００により利用されるシステムデータ（ユーザデータとは異なり、サーボ情報等である）が、セクタ間に追加される。ユーザデータのセクタ数は、記録密度の増大に伴って増大する。その結果、セクタ間のシステムデータ量が大きくなる。セクタ間のシステムデータ量が、ＨＤＤ１００全体の記憶容量の増大に直接関連しないことを理解されたい。しかし、セクタ毎のデータ量を４Ｋバイトに増大させる（５１２バイトから）ことにより、システムデータの量は圧縮され、結果として得られる記録密度の改良を、記録容量の増大として効率的に利用することができる。
【００１７】
セクタ毎のデータ量は４Ｋバイトであるが、供給電圧が遮断した場合に必要とされる動作は通常、変わらない。例えば、図２Ａおよび図２Ｂに示されるように、電力の損失に応答して、５１２バイトセクタを備えた従来のシステムは、１セクタ分のユーザデータの書き込みに１４μ秒を必要とし得る。しかし、従来のシステムで必要とされる１４μ秒は、４Ｋバイトセクタを備えたシステムでは不十分である。
【００１８】
図２Ａでは、故障信号（ＦＡＵＬＴＺ）後、かつシステムリセット前に、１データブロックの書き込みが完了する。図２Ｂでは（簡潔かつ明確にするために、サーボパターンが図示されない）、システムリセットまでに、データをデータブロックに書き込むために適切な電力がある。したがって、システムリセット時に書き込まれるべき残りのいかなるデータも書き込むことができず、それらデータは続けて、失われるか、または破損する。
【００１９】
図３は、本発明の実施形態によるＨＤＤ１００の回路３００を示す。回路３００は、充電回路３１０およびパルス回路３２０を含む。充電回路３１０は、コンボ回路またはコンボドライバと呼ぶこともできる。パルス回路３２０は、緊急電力オフ（ＥＰＯ）回路と呼ぶこともできる。様々な実施形態において、回路３００は、ＨＤＤ１００を駆動するシステムオンチップ（ＳｏＣ）または集積チップを含む。一実施形態では、ＳｏＣは、集積読み書きチャネル、ハードディスクドライブコントローラ（ＨＤＣ）、およびモータドライブを含む。
【００２０】
充電回路３１０は、（１）スピンドルモータおよび（２）ボイスコイルモータの両方を駆動するように構成される。充電回路３１０は、電源電圧（Ｖｃｃ）３３０を常にまたは連続して監視し、電圧が第１の閾値（例えば、４．３Ｖ）まで降下した場合、故障信号を出力するようにさらに構成される。さらに、電圧が第２の閾値（例えば、４．１Ｖ）まで降下した場合、充電回路３１０はハードウェアリセット信号を出力し、ＨＤＤ１００の動作を停止させる。
【００２１】
さらに、充電回路３１０は、充電時、書き込み構成要素の動作電圧範囲よりも高い電圧を含む。例えば、充電回路の電圧は１１．２５Ｖであり、その一方で、書き込み構成要素の電圧範囲のうちの最大は４．４２Ｖである。様々な実施形態では、充電回路の電圧レベルは、１１Ｖ〜１２Ｖである（１１Ｖ、１２Ｖを含む）。一実施形態では、充電回路３１０の電圧は、書き込み構成要素の動作電圧範囲の最高レベル（例えば、４．４２Ｖ）の少なくとも２倍である。別の実施形態では、充電回路３１０の電圧は、書き込み構成要素の動作電圧範囲の最低レベル（例えば、４．２Ｖ）の少なくとも２倍である。
【００２２】
充電回路３１０は、充電キャパシタ３１２（例えば、キャパシタＣ２）および充電電源３１４（例えば、Ｖｓ２）を含む。
【００２３】
一実施形態では、充電キャパシタ３１２は、充電時、書き込み構成要素の動作電圧範囲よりも高い電圧で機能する。別の実施形態では、充電キャパシタ３１２は少なくとも８マイクロファラドである。
【００２４】
一実施形態では、充電電源３１４は、ＨＤＤ１００に給電する少なくとも２つの電圧線のうちの高いほうの電圧線である。例えば、１１．７５Ｖ Ｖｓ２電源は、１５ピンＳＡＴＡ電力コネクタ内のＳＡＴＡ Ｖ１２信号である。別の実施形態では、充電電源３１４は、コンボドライバからのブースト電圧である。
【００２５】
特に、何等かの理由により、磁気ディスク１３８へのユーザデータ書き込み中に電源電圧３３０が遮断した場合、第１の閾値（例えば、４．３Ｖ）が検出されたとき、充電回路３１０は故障信号（例えば、電力損失信号）を出力する。故障信号に応答して、ＨＤＤ１００は、ユーザデータセクタを磁気ディスクに書き込む。電源電圧３３０が降下し続け、第２の閾値に達した場合（例えば、電圧が４．１Ｖまで降下した場合）、コンボ回路３１０はシステムリセット信号（例えば、即時シャットダウン信号）を出力する。システムリセット信号に応答して、ＨＤＤ１００は、アクチュエータを磁気ディスク１３８から離れた場所に退避させ、アクチュエータをその位置に保持し、それにより、ＨＤＤ１００の動作を中断する。
【００２６】
充電回路３１０に関して（ゲート制御信号として利用される１１．７５Ｖは別にして）、３．３Ｖまたは２．５Ｖの電圧も生成され、他の集積チップの駆動に利用される。
【００２７】
パルス回路３２０は、緊急電源遮断に対処するように構成される。特に、パルス回路３２０は、書き込み構成要素の被制御シャットダウン中に残りのデータセクタビットが書き込まれるように、被制御シャットダウン中、電力を動作電圧範囲内で充電回路３１０から書き込み構成要素にパルスするように構成され、これについて詳細に後述する。さらに、パルス回路３２０は、被制御シャットダウン中、サーボコントローラに電力をパルスする。不必要な電子構成要素（例えば、サーボコントローラ、読み取りヘッド、ボイスコイルモータ、および／またはスピンドルモータ）を被制御シャットダウン中にシャットダウンできることを理解されたい。
【００２８】
パルス回路３２０は、受動構成要素（例えば、キャパシタ、トランジスタ、および抵抗器）を備える。パルス回路３２０は、パルスキャパシタ３２２（例えば、キャパシタＣ１）と、パルスキャパシタ３２２からの放電を制御するスイッチとして機能する２つの電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）（例えば、ＦＥＴ Ｑ１およびＱ２）とを備える。
【００２９】
パルスキャパシタ３２２は、充電キャパシタ３１２からエネルギーを蓄え、書き込み電子回路の動作電圧範囲を維持するように構成される。一実施形態では、動作電圧範囲は、０．２５Ｖ以下である。例えば、４．４２Ｖ〜４．３Ｖの動作電圧範囲は０．１２Ｖであり、これは０．２５Ｖ未満である。
【００３０】
パルスキャパシタ３２２は、ＨＤＤ１００の通常動作中に電荷で充電される。例えば、充電回路３１０内で生成された１１．７５Ｖの電圧がパルスキャパシタ３２２に利用される。一実施形態では、パルスキャパシタ３２２の静電容量は１０マイクロファラド（μＦ）である。別の実施形態では、パルスキャパシタ３２２の静電容量は、充電キャパシタ３１２の静電容量よりも大きい。さらなる実施形態では、パルスキャパシタ３２２の静電容量は、充電キャパシタ３１２の静電容量の少なくとも３倍である。
【００３１】
使用中、故障信号が、パルスキャパシタ３２２を放電するスイッチをアクティブ化する。換言すれば、故障信号線は、充電キャパシタ３１２からパルスキャパシタ３２２への電力のパルスを制御する。特に、電源電圧３３０が第１の閾値（例えば、４．３Ｖ）まで降下した場合、スイッチがオンになり、パルスキャパシタ３２２に蓄積されてきた電荷を放電させる。電源電圧３３０が回復した（例えば、４．４２Ｖ）場合、電圧が第１の閾値に再び降下するまで、スイッチはオフになり、パルスキャパシタ３２２が充電される。
【００３２】
電圧が再び第１の閾値まで降下した場合、スイッチはオンになり、パルスキャパシタ３２２に蓄積されてきた電荷を放電させる。しかし、電荷量は、時間の経過に伴って低減する。したがって、電圧回復は十分には実行されない。その結果、電圧は最終的には、第２の閾値（例えば、４．１Ｖ）まで降下し、ハードウェアリセット信号が出力される。その場合、ＨＤＤ１００の動作は停止する。
【００３３】
上述したように、従来のシステムと比較して、電圧が第１の閾値から第２の閾値まで降下するために必要な時間は、パルスキャパシタ３２２のこの繰り返しの充電および放電により、さらに延長することができる。したがって、４Ｋバイトのユーザデータを４Ｋバイトのデータブロックに書き込むことを安全にすることができ、緊急状況下でのデータ損失を回避することができる。
【００３４】
換言すれば、書き込みスプライス（ｗｒｉｔｅ ｓｐｌｉｃｉｎｇ）が回避される。一般に、書き込みスプライスは、データがメモリキャッシュから磁気ディスク１３８に書き込み中であり、電力が急になくなった場合に発生する。その結果、ユーザデータが損失または破損する。一実施形態では、データ書き込みに必要な時間は約８０μ秒である。別の実施形態では、電圧が４．３Ｖから４．１Ｖまで降下する時間は、電源遮断の場合、２１７μ秒である。
【００３５】
図４は、本発明の実施形態による、シャットダウン中にパルス電力を提供するアルゴリズム４００の一例を示す。
【００３６】
４１０において、電圧が監視される。例えば、電源が、緊急状態により遮断した場合、最初に５Ｖ降下する。
【００３７】
４２０において、Ｖｃｃが４．１Ｖ未満の場合、４２５において、ハードウェアリセット信号が生成される。Ｖｃｃが４．１Ｖよりも大きい場合、４３０において、Ｖｃｃが４．３Ｖ未満であるか否かが判断される。
【００３８】
４３０において、Ｖｃｃが４．３Ｖよりも大きい場合、アルゴリズム４００は４１０において再び開始する。Ｖｃｃが４．３Ｖ未満である場合、４４０において、故障信号が生成される。例えば、充電回路３１０は、電圧が４．３Ｖまで降下した場合、故障信号をハイにする。
【００３９】
４５０において、パルス回路３２０のスイッチがオンになる。その結果、４６０において、電荷が蓄積されたパルスキャパシタ３２２が放電して、供給電圧を補足する。電圧が４．４２Ｖに回復した場合、充電回路３１０は故障信号をローにする。故障信号がローになった場合、パルス回路３２０のスイッチがオフになる。その結果、パルスキャパシタ３２２は充電される。電圧Ｖｃｃは、パルスキャパシタ３２２の放電が停止したため、再び降下する。
【００４０】
４７０において、Ｖｃｃが４．４２Ｖよりも大きいか否かが判断される。Ｖｃｃが４．４２Ｖ未満に下がった場合（例えば、４．３Ｖ）、４４０において、故障信号が再びハイになり、上述したように、パルスキャパシタ３２２が再び放電する。様々な実施形態において、ステップ４４０〜４６０が複数回行われ得る。しかし、ある時間期間後では、充電キャパシタ３１２の充電が不十分な場合がある。電圧が４．４２Ｖ未満に降下し、続けて４．１Ｖに降下した場合、充電回路３１０は、４２５において、ハードウェアリセット信号を出力し、ＨＤＤ１００は動作を停止する。
【００４１】
図５は、ＨＤＤ１００がアルゴリズム４００に応答して動作中の信号を示す。例えば、上述したように、Ｖｃｃが４．３Ｖ未満の場合、故障信号（例えば、ＦＡＵＬＴＺ）が生成され、Ｖｃｃが４．１Ｖ未満の場合、リセット信号（例えば、ＲＳＴＺ）が生成される。
【００４２】
特に、書き込みゲートテストピンを介する書き込みゲート信号（例えば、ＷＧ）は、データビットが、故障信号の最初のインスタンスからリセット信号まで書き込まれていることを示す。その結果、故障信号の最初のインスタンスからリセット信号までの時間（例えば、２１７μ秒）にわたり、残りのデータセクタビットを４Ｋバイトのデータブロックに書き込むことができる。
【００４３】
図６は、本発明の実施形態による、ＨＤＤシャットダウン中に電力をパルスする方法６００を示す。一実施形態では、方法６００は、コンピュータ可読かつコンピュータ実行可能な命令の制御下にあるプロセッサおよび電気構成要素により実行される。コンピュータ可読かつコンピュータ実行可能な命令は、例えば、コンピュータが使用可能な揮発性または不揮発性メモリ等のデータ記憶媒体に存在する。しかし、コンピュータ可読かつコンピュータ実行可能な命令は、任意のタイプのコンピュータ可読記憶媒体に存在し得る。いくつかの実施形態では、方法６００は、少なくとも、図１において説明されるＨＤＤ１００により実行される。
【００４４】
６１０において、書き込み構成要素を動作電圧内で動作させる。一実施形態では、６１５において、書き込み構成要素は、０．２５Ｖ以下の動作電圧範囲内で動作する。
【００４５】
６２０において、充電キャパシタが充電される。充電キャパシタは、充電時、動作電圧範囲よりも高い電圧を含む。一実施形態では、６２５において、充電キャパシタは、ハードディスクドライブを給電する少なくとも２つの電圧線のうちの高いほうの電圧線を使用して充電される。
【００４６】
６３０において、書き込み構成要素の被制御シャットダウン中、電力が動作電圧範囲内で充電キャパシタから書き込み構成要素にパルスされる。
【００４７】
６４０において、被制御シャットダウン中、残りのデータセクタビットが書き込まれる。一実施形態では、６４５において、残りのデータセクタビットは４キロバイトのデータブロックに書き込まれる。
【００４８】
一実施形態では、６５０において、１つまたは複数の不必要な電子構成要素が、被制御シャットダウン中にシャットダウンされる。別の実施形態では、６６０において、故障信号が充電回路により生成される。さらなる実施形態では、６７０において、リセット信号が充電回路により生成される。さらに別の実施形態では、６８０において、エネルギーが充電キャパシタからパルスキャパシタに蓄えられる。
【００４９】
このようにして、本発明の様々な実施形態を説明した。本発明を特定の実施形態において説明したが、本発明をそのような実施形態により限定されるものと解釈すべきではなく、むしろ、以下の特許請求の範囲に従って解釈されるべきであることを理解されたい。
【符号の説明】
【００５０】
１００ ＨＤＤ
１１２ ボイスコイル
１１３ 内部ベースプレート
１１５ アクチュエータ組立体
１１６ アクチュエータアーム
１２０ 一体型リードサスペンション
１２１ スライダ
１３０ 中心駆動ハブ
１３８ 磁気ディスク
１５０ コントローラ
３００ 回路
３１０ 充電回路
３１２ 充電キャパシタ
３１４ 充電電源
３２０ パルス回路
３２２ パルスキャパシタ
３３０ 電源電圧
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスクドライブ内のシャットダウン中のパルス電力に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）には、データが磁気ヘッドにより、回転する磁気ディスク上に書き込まれる。ユーザデータは、５１２バイトの個々のセクタの単位で磁気ディスク上に書き込まれる。通常、ＨＤＤは、ホスト装置からの５Ｖの電源電圧が供給されることにより動作する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
場合によっては、ＨＤＤへの電源電圧が遮断されることがある。電源電圧が遮断した場合、ユーザデータ（または残りのユーザデータ）を書き込むための時間は限られる。特に、ハードウェアがリセットする前に（不十分な電圧により）、ユーザデータ（または残りのユーザデータ）を個々のセクタに書き込むために十分な時間がない場合がある。したがって、ユーザデータが損失または破損する恐れがある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明のハードディスクドライブは、動作電圧範囲内で動作するように構成された書き込み構成要素と、充電キャパシタを備えた充電回路であって、前記充電キャパシタは、充電時、前記動作電圧範囲よりも高い電圧を備える、充電回路と、前記書き込み構成要素のシャットダウン制御（被制御シャットダウン）中に残りのデータセクタビットが書き込まれるように、前記シャットダウン制御中に前記動作電圧範囲内で電力を前記充電回路から前記書き込み構成要素にパルスするように構成されたパルス回路と、を備える。
【発明の効果】
【０００５】
上記本発明によると、ユーザデータの損失または破損を抑制することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】本発明の実施形態によるＨＤＤの一例を示す。
【図２Ａ】従来の技術を示す。
【図２Ｂ】従来の技術を示す。
【図３】本発明の実施形態による回路を示す。
【図４】本発明の実施形態による、シャットダウン中にパルス電力を提供するアルゴリズムの一例を示す。
【図５】本発明の実施形態によるＨＤＤの信号を示す。
【図６】本発明の実施形態による、シャットダウン中にパルス電力を提供する方法のフローチャートの一例を示す。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
本説明において参照される図面は、特記される場合を除き、一定の縮尺で描かれているものとして理解されるべきではない。
【０００８】
これより、例を添付図面に示して本技術の実施形態を詳細に述べる。本技術について様々な実施形態と併せて説明するが、本技術をこれら実施形態に限定することが意図されないことが理解されよう。逆に、本技術は、添付の特許請求の範囲により定義される様々な実施形態の主旨および範囲内に含まれ得る代替、変更、および均等物の包含が意図される。
【０００９】
さらに、以下の実施形態の説明において、本技術の完全な理解を提供するために、多くの特定の詳細が記される。しかし、本技術は、これら特定の詳細なしで実施してもよい。場合によっては、本実施形態の態様を不必要に曖昧にしないように、周知の方法、手順、構成要素、および回路については詳細に説明しなかった。
【００１０】
これより図１を参照して、コンピュータシステムの磁気ハードディスクファイルまたはＨＤＤ１００を含む情報記憶システムの一実施形態の概略図を示すが、１つのみのヘッドおよび１枚のみのディスク表面の組み合わせを示す。１つのヘッド−ディスク組み合わせに関してここで説明することは、複数のヘッド−ディスク組み合わせに対しても当てはまることである。換言すれば、本技術はヘッド−ディスク組み合わせの数とは無関係である。別の実施形態では、ＨＤＤ１００は２．５インチ小型磁気ドライブである。さらなる実施形態では、ＨＤＤ１００はシリアルＡＴＡ（ＳＡＴＡ：Ｓｅｒｉａｌ Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ａｔｔａｃｈｍｅｎｔ）ハードドライブである。
【００１１】
一般に、ＨＤＤ１００は、内部ベースプレート１１３と、内部カバー（図示せず）とを有する。一実施形態では、内部筐体１１３が、少なくとも１つの媒体または磁気ディスク１３８を有するディスクパックを含む。ディスクパック（ディスク１３８で表される）は、回転軸、およびディスクパックが回転可能な軸に対する半径方向を定義する。
【００１２】
中心駆動ハブ１３０を有するスピンドルモータ組立体が、軸として動作し、ディスクパックのうちのディスク１３８または複数のディスクを内部ベースプレート１１３に対して半径方向に回転させる。アクチュエータ組立体１１５は、１つまたは複数のアクチュエータアーム１１６を含む。いくつかのアクチュエータアーム１１６が存在する場合、それらアクチュエータアーム１１６は通常、櫛形状を呈し、ベース／筐体１１３に移動可能または旋回可能に取り付けられる。コントローラ１５０も内部ベースプレート１１３に取り付けられて、アクチュエータアーム１１６をディスク１３８に対して選択的に移動させる。アクチュエータ組立体１１５は、可撓性ケーブル等のコネクタ組立体に結合して、アーム電子回路と、ＨＤＤ１００が存在するコンピュータ等のホストシステムとの間でデータを伝送し得る。
【００１３】
一実施形態では、各アクチュエータアーム１１６は、各アクチュエータアーム１１６から延びるカンチレバー式の少なくとも１つの一体型リードサスペンション（ＩＬＳ：ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｌｅａｄ ｓｕｓｐｅｎｓｉｏｎ）１２０を有する。ＩＬＳ１２０は、データアクセス記憶装置内で使用できる任意の形態のリードサスペンションであり得る。スライダ１２１、ＩＬＳ１２０、および読み取り／書き込みヘッドを含むこのレベルの一体性は、ヘッドジンバル組立体（ＨＧＡ）と呼ばれる。
【００１４】
ＩＬＳ１２０は、スライダ１２１のエアベアリング面（ＡＢＳ）をディスク１３８に対して付勢または押して、スライダ１２１をディスク１３８から正確な距離上に浮上させる、バネのような性質を有する。ＩＬＳ１２０は、バネのような性質を提供するヒンジエリアと、トレースの読み書きおよびヒンジエリアを通しての電気接続をサポートする可撓性ケーブル型の相互接続とを有する。ボイスコイル１１２は、従来のボイスコイルモータ磁石組立体内を自由に移動でき、ヘッドジンバル組立体の逆側においてアクチュエータアーム１１６に取り付けられる。コントローラ１５０によるアクチュエータ組立体１１５の移動により、ヘッドジンバル組立体を半径方向弧に沿ってディスク１３８の表面上のトラックを横切って移動させる。
【００１５】
ディスク１３８は複数のセクタを含む。様々な実施形態では、各セクタは４キロバイト（Ｋバイト）である。換言すれば、セクタ毎のユーザデータは４Ｋバイトである。逆に、従来のシステムはセクタ毎に５１２バイトを含む。
【００１６】
ＨＤＤ１００により利用されるシステムデータ（ユーザデータとは異なり、サーボ情報等である）が、セクタ間に追加される。ユーザデータのセクタ数は、記録密度の増大に伴って増大する。その結果、セクタ間のシステムデータ量が大きくなる。セクタ間のシステムデータ量が、ＨＤＤ１００全体の記憶容量の増大に直接関連しないことを理解されたい。しかし、セクタ毎のデータ量を４Ｋバイトに増大させる（５１２バイトから）ことにより、システムデータの量は圧縮され、結果として得られる記録密度の改良を、記録容量の増大として効率的に利用することができる。
【００１７】
セクタ毎のデータ量は４Ｋバイトであるが、供給電圧が遮断した場合に必要とされる動作は通常、変わらない。例えば、図２Ａおよび図２Ｂに示されるように、電力の損失に応答して、５１２バイトセクタを備えた従来のシステムは、１セクタ分のユーザデータの書き込みに１４μ秒を必要とし得る。しかし、従来のシステムで必要とされる１４μ秒は、４Ｋバイトセクタを備えたシステムでは不十分である。
【００１８】
図２Ａでは、故障信号（ＦＡＵＬＴＺ）後、かつシステムリセット前に、１データブロックの書き込みが完了する。図２Ｂでは（簡潔かつ明確にするために、サーボパターンが図示されない）、システムリセットまでに、データをデータブロックに書き込むために適切な電力がある。したがって、システムリセット時に書き込まれるべき残りのいかなるデータも書き込むことができず、それらデータは続けて、失われるか、または破損する。
【００１９】
図３は、本発明の実施形態によるＨＤＤ１００の回路３００を示す。回路３００は、充電回路３１０およびパルス回路３２０を含む。充電回路３１０は、コンボ回路またはコンボドライバと呼ぶこともできる。パルス回路３２０は、緊急電力オフ（ＥＰＯ）回路と呼ぶこともできる。様々な実施形態において、回路３００は、ＨＤＤ１００を駆動するシステムオンチップ（ＳｏＣ）または集積チップを含む。一実施形態では、ＳｏＣは、集積読み書きチャネル、ハードディスクドライブコントローラ（ＨＤＣ）、およびモータドライブを含む。
【００２０】
充電回路３１０は、（１）スピンドルモータおよび（２）ボイスコイルモータの両方を駆動するように構成される。充電回路３１０は、電源電圧（Ｖｃｃ）３３０を常にまたは連続して監視し、電圧が第１の閾値（例えば、４．３Ｖ）まで降下した場合、故障信号を出力するようにさらに構成される。さらに、電圧が第２の閾値（例えば、４．１Ｖ）まで降下した場合、充電回路３１０はハードウェアリセット信号を出力し、ＨＤＤ１００の動作を停止させる。
【００２１】
さらに、充電回路３１０は、充電時、書き込み構成要素の動作電圧範囲よりも高い電圧を含む。例えば、充電回路の電圧は１１．２５Ｖであり、その一方で、書き込み構成要素の電圧範囲のうちの最大は４．４２Ｖである。様々な実施形態では、充電回路の電圧レベルは、１１Ｖ〜１２Ｖである（１１Ｖ、１２Ｖを含む）。一実施形態では、充電回路３１０の電圧は、書き込み構成要素の動作電圧範囲の最高レベル（例えば、４．４２Ｖ）の少なくとも２倍である。別の実施形態では、充電回路３１０の電圧は、書き込み構成要素の動作電圧範囲の最低レベル（例えば、４．２Ｖ）の少なくとも２倍である。
【００２２】
充電回路３１０は、充電キャパシタ３１２（例えば、キャパシタＣ２）および充電電源３１４（例えば、Ｖｓ２）を含む。
【００２３】
一実施形態では、充電キャパシタ３１２は、充電時、書き込み構成要素の動作電圧範囲よりも高い電圧で機能する。別の実施形態では、充電キャパシタ３１２は少なくとも８マイクロファラドである。
【００２４】
一実施形態では、充電電源３１４は、ＨＤＤ１００に給電する少なくとも２つの電圧線のうちの高いほうの電圧線である。例えば、１１．７５Ｖ Ｖｓ２電源は、１５ピンＳＡＴＡ電力コネクタ内のＳＡＴＡ Ｖ１２信号である。別の実施形態では、充電電源３１４は、コンボドライバからのブースト電圧である。
【００２５】
特に、何等かの理由により、磁気ディスク１３８へのユーザデータ書き込み中に電源電圧３３０が遮断した場合、第１の閾値（例えば、４．３Ｖ）が検出されたとき、充電回路３１０は故障信号（例えば、電力損失信号）を出力する。故障信号に応答して、ＨＤＤ１００は、ユーザデータセクタを磁気ディスクに書き込む。電源電圧３３０が降下し続け、第２の閾値に達した場合（例えば、電圧が４．１Ｖまで降下した場合）、コンボ回路３１０はシステムリセット信号（例えば、即時シャットダウン信号）を出力する。システムリセット信号に応答して、ＨＤＤ１００は、アクチュエータを磁気ディスク１３８から離れた場所に退避させ、アクチュエータをその位置に保持し、それにより、ＨＤＤ１００の動作を中断する。
【００２６】
充電回路３１０に関して（ゲート制御信号として利用される１１．７５Ｖは別にして）、３．３Ｖまたは２．５Ｖの電圧も生成され、他の集積チップの駆動に利用される。
【００２７】
パルス回路３２０は、緊急電源遮断に対処するように構成される。特に、パルス回路３２０は、書き込み構成要素の被制御シャットダウン中に残りのデータセクタビットが書き込まれるように、被制御シャットダウン中、電力を動作電圧範囲内で充電回路３１０から書き込み構成要素にパルスするように構成され、これについて詳細に後述する。さらに、パルス回路３２０は、被制御シャットダウン中、サーボコントローラに電力をパルスする。不必要な電子構成要素（例えば、サーボコントローラ、読み取りヘッド、ボイスコイルモータ、および／またはスピンドルモータ）を被制御シャットダウン中にシャットダウンできることを理解されたい。
【００２８】
パルス回路３２０は、受動構成要素（例えば、キャパシタ、トランジスタ、および抵抗器）を備える。パルス回路３２０は、パルスキャパシタ３２２（例えば、キャパシタＣ１）と、パルスキャパシタ３２２からの放電を制御するスイッチとして機能する２つの電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）（例えば、ＦＥＴ Ｑ１およびＱ２）とを備える。
【００２９】
パルスキャパシタ３２２は、充電キャパシタ３１２からエネルギーを蓄え、書き込み電子回路の動作電圧範囲を維持するように構成される。一実施形態では、動作電圧範囲は、０．２５Ｖ以下である。例えば、４．４２Ｖ〜４．３Ｖの動作電圧範囲は０．１２Ｖであり、これは０．２５Ｖ未満である。
【００３０】
パルスキャパシタ３２２は、ＨＤＤ１００の通常動作中に電荷で充電される。例えば、充電回路３１０内で生成された１１．７５Ｖの電圧がパルスキャパシタ３２２に利用される。一実施形態では、パルスキャパシタ３２２の静電容量は１０マイクロファラド（μＦ）である。別の実施形態では、パルスキャパシタ３２２の静電容量は、充電キャパシタ３１２の静電容量よりも大きい。さらなる実施形態では、パルスキャパシタ３２２の静電容量は、充電キャパシタ３１２の静電容量の少なくとも３倍である。
【００３１】
使用中、故障信号が、パルスキャパシタ３２２を放電するスイッチをアクティブ化する。換言すれば、故障信号線は、充電キャパシタ３１２からパルスキャパシタ３２２への電力のパルスを制御する。特に、電源電圧３３０が第１の閾値（例えば、４．３Ｖ）まで降下した場合、スイッチがオンになり、パルスキャパシタ３２２に蓄積されてきた電荷を放電させる。電源電圧３３０が回復した（例えば、４．４２Ｖ）場合、電圧が第１の閾値に再び降下するまで、スイッチはオフになり、パルスキャパシタ３２２が充電される。
【００３２】
電圧が再び第１の閾値まで降下した場合、スイッチはオンになり、パルスキャパシタ３２２に蓄積されてきた電荷を放電させる。しかし、電荷量は、時間の経過に伴って低減する。したがって、電圧回復は十分には実行されない。その結果、電圧は最終的には、第２の閾値（例えば、４．１Ｖ）まで降下し、ハードウェアリセット信号が出力される。その場合、ＨＤＤ１００の動作は停止する。
【００３３】
上述したように、従来のシステムと比較して、電圧が第１の閾値から第２の閾値まで降下するために必要な時間は、パルスキャパシタ３２２のこの繰り返しの充電および放電により、さらに延長することができる。したがって、４Ｋバイトのユーザデータを４Ｋバイトのデータブロックに書き込むことを安全にすることができ、緊急状況下でのデータ損失を回避することができる。
【００３４】
換言すれば、書き込みスプライス（ｗｒｉｔｅ ｓｐｌｉｃｉｎｇ）が回避される。一般に、書き込みスプライスは、データがメモリキャッシュから磁気ディスク１３８に書き込み中であり、電力が急になくなった場合に発生する。その結果、ユーザデータが損失または破損する。一実施形態では、データ書き込みに必要な時間は約８０μ秒である。別の実施形態では、電圧が４．３Ｖから４．１Ｖまで降下する時間は、電源遮断の場合、２１７μ秒である。
【００３５】
図４は、本発明の実施形態による、シャットダウン中にパルス電力を提供するアルゴリズム４００の一例を示す。
【００３６】
４１０において、電圧が監視される。例えば、電源が、緊急状態により遮断した場合、最初に５Ｖ降下する。
【００３７】
４２０において、Ｖｃｃが４．１Ｖ未満の場合、４２５において、ハードウェアリセット信号が生成される。Ｖｃｃが４．１Ｖよりも大きい場合、４３０において、Ｖｃｃが４．３Ｖ未満であるか否かが判断される。
【００３８】
４３０において、Ｖｃｃが４．３Ｖよりも大きい場合、アルゴリズム４００は４１０において再び開始する。Ｖｃｃが４．３Ｖ未満である場合、４４０において、故障信号が生成される。例えば、充電回路３１０は、電圧が４．３Ｖまで降下した場合、故障信号をハイにする。
【００３９】
４５０において、パルス回路３２０のスイッチがオンになる。その結果、４６０において、電荷が蓄積されたパルスキャパシタ３２２が放電して、供給電圧を補足する。電圧が４．４２Ｖに回復した場合、充電回路３１０は故障信号をローにする。故障信号がローになった場合、パルス回路３２０のスイッチがオフになる。その結果、パルスキャパシタ３２２は充電される。電圧Ｖｃｃは、パルスキャパシタ３２２の放電が停止したため、再び降下する。
【００４０】
４７０において、Ｖｃｃが４．４２Ｖよりも大きいか否かが判断される。Ｖｃｃが４．４２Ｖ未満に下がった場合（例えば、４．３Ｖ）、４４０において、故障信号が再びハイになり、上述したように、パルスキャパシタ３２２が再び放電する。様々な実施形態において、ステップ４４０〜４６０が複数回行われ得る。しかし、ある時間期間後では、充電キャパシタ３１２の充電が不十分な場合がある。電圧が４．４２Ｖ未満に降下し、続けて４．１Ｖに降下した場合、充電回路３１０は、４２５において、ハードウェアリセット信号を出力し、ＨＤＤ１００は動作を停止する。
【００４１】
図５は、ＨＤＤ１００がアルゴリズム４００に応答して動作中の信号を示す。例えば、上述したように、Ｖｃｃが４．３Ｖ未満の場合、故障信号（例えば、ＦＡＵＬＴＺ）が生成され、Ｖｃｃが４．１Ｖ未満の場合、リセット信号（例えば、ＲＳＴＺ）が生成される。
【００４２】
特に、書き込みゲートテストピンを介する書き込みゲート信号（例えば、ＷＧ）は、データビットが、故障信号の最初のインスタンスからリセット信号まで書き込まれていることを示す。その結果、故障信号の最初のインスタンスからリセット信号までの時間（例えば、２１７μ秒）にわたり、残りのデータセクタビットを４Ｋバイトのデータブロックに書き込むことができる。
【００４３】
図６は、本発明の実施形態による、ＨＤＤシャットダウン中に電力をパルスする方法６００を示す。一実施形態では、方法６００は、コンピュータ可読かつコンピュータ実行可能な命令の制御下にあるプロセッサおよび電気構成要素により実行される。コンピュータ可読かつコンピュータ実行可能な命令は、例えば、コンピュータが使用可能な揮発性または不揮発性メモリ等のデータ記憶媒体に存在する。しかし、コンピュータ可読かつコンピュータ実行可能な命令は、任意のタイプのコンピュータ可読記憶媒体に存在し得る。いくつかの実施形態では、方法６００は、少なくとも、図１において説明されるＨＤＤ１００により実行される。
【００４４】
６１０において、書き込み構成要素を動作電圧内で動作させる。一実施形態では、６１５において、書き込み構成要素は、０．２５Ｖ以下の動作電圧範囲内で動作する。
【００４５】
６２０において、充電キャパシタが充電される。充電キャパシタは、充電時、動作電圧範囲よりも高い電圧を含む。一実施形態では、６２５において、充電キャパシタは、ハードディスクドライブを給電する少なくとも２つの電圧線のうちの高いほうの電圧線を使用して充電される。
【００４６】
６３０において、書き込み構成要素の被制御シャットダウン中、電力が動作電圧範囲内で充電キャパシタから書き込み構成要素にパルスされる。
【００４７】
６４０において、被制御シャットダウン中、残りのデータセクタビットが書き込まれる。一実施形態では、６４５において、残りのデータセクタビットは４キロバイトのデータブロックに書き込まれる。
【００４８】
一実施形態では、６５０において、１つまたは複数の不必要な電子構成要素が、被制御シャットダウン中にシャットダウンされる。別の実施形態では、６６０において、故障信号が充電回路により生成される。さらなる実施形態では、６７０において、リセット信号が充電回路により生成される。さらに別の実施形態では、６８０において、エネルギーが充電キャパシタからパルスキャパシタに蓄えられる。
【００４９】
このようにして、本発明の様々な実施形態を説明した。本発明を特定の実施形態において説明したが、本発明をそのような実施形態により限定されるものと解釈すべきではなく、むしろ、以下の特許請求の範囲に従って解釈されるべきであることを理解されたい。
【符号の説明】
【００５０】
１００ ＨＤＤ
１１２ ボイスコイル
１１３ 内部ベースプレート
１１５ アクチュエータ組立体
１１６ アクチュエータアーム
１２０ 一体型リードサスペンション
１２１ スライダ
１３０ 中心駆動ハブ
１３８ 磁気ディスク
１５０ コントローラ
３００ 回路
３１０ 充電回路
３１２ 充電キャパシタ
３１４ 充電電源
３２０ パルス回路
３２２ パルスキャパシタ
３３０ 電源電圧
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動作電圧範囲内で動作するように構成された書き込み構成要素と、
充電キャパシタを備えた充電回路であって、前記充電キャパシタは、充電時、前記動作電圧範囲よりも高い電圧を備える、充電回路と、
前記書き込み構成要素のシャットダウン制御中に残りのデータセクタビットが書き込まれるように、前記シャットダウン制御中に前記動作電圧範囲内で電力を前記充電回路から前記書き込み構成要素にパルスするように構成されたパルス回路と、
を備える、ハードディスクドライブ。
【請求項２】
前記充電回路は電源を備える、
請求項１に記載のハードディスクドライブ。
【請求項３】
前記電源は、前記ハードディスクドライブに給電する少なくとも２つの電圧線のうちの電圧が高いほうの電圧線である、
請求項２に記載のハードディスクドライブ。
【請求項４】
前記高いほうの電圧は、前記書き込み構成要素の前記動作電圧範囲の最高レベルの少なくとも２倍である、
請求項１に記載のハードディスクドライブ。
【請求項５】
前記パルス回路は、前記充電キャパシタからのエネルギーを蓄えるように構成されたパルスキャパシタを備える、
請求項１に記載のハードディスクドライブ。
【請求項６】
前記パルスキャパシタは、前記充電キャパシタよりも大きな静電容量である、
請求項５に記載のハードディスクドライブ。
【請求項７】
前記パルスキャパシタは、前記充電キャパシタの静電容量の少なくとも３倍である、
請求項５に記載のハードディスクドライブ。
【請求項８】
前記充電キャパシタから前記パルスキャパシタへの前記電力のパルスを制御する故障信号線を備える、
請求項５に記載のハードディスクドライブ。
【請求項９】
前記動作電圧範囲は０．２５Ｖ以下である、
請求項１に記載のハードディスクドライブ。
【請求項１０】
４キロバイトのデータブロックを備えたディスクを備える、
請求項１に記載のハードディスクドライブ。
【請求項１１】
１つまたは複数の不必要な電子構成要素が、前記シャットダウン制御中にシャットダウンされる、
請求項１に記載のハードディスクドライブ。
【請求項１２】
前記パルス回路は、前記シャットダウン制御中、サーボコントローラへの電力もパルスする、
請求項１に記載のハードディスクドライブ。
【請求項１３】
ハードディスクドライブ内のシャットダウン中に電力をパルスする方法であって、
書き込み構成要素を動作電圧範囲内で動作させること、
充電キャパシタを充電することであって、前記充電キャパシタは、充電時、前記動作電圧範囲よりも高い電圧を備えること、
前記書き込み構成要素のシャットダウン制御中、前記動作電圧範囲内で電力を前記充電キャパシタから前記書き込み構成要素にパルスすること、および
前記シャットダウン制御中に残りのデータセクタビットを書き込むこと
を含む、方法。
【請求項１４】
前記充電キャパシタを充電することは、前記ハードディスクドライブに給電する少なくとも２つの電圧線のうちの電圧が高いほうの電圧線を使用して、前記充電キャパシタを充電することを含む、
請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記シャットダウン制御中、不必要な構成夜素をシャットダウンすることを含む、
請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記書き込み構成要素を動作電圧範囲内で動作させることは、前記書き込み構成要素を０．２５Ｖ以下の動作電圧範囲内で動作させることを含む、
請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
充電回路により故障信号を生成することを含む、
請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】
前記故障信号は、前記充電キャパシタから前記パルスキャパシタへの前記電力のパルスを制御する、
請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
充電回路によりリセット信号を生成することを含む、
請求項１３に記載の方法。
【請求項２０】
前記充電キャパシタからのエネルギーをパルスキャパシタに蓄えることを含む、
請求項１３に記載の方法。
【請求項２１】
前記シャットダウン制御中、残りのデータセクタビットを書き込むことは、前記残りのデータセクタビットを４キロバイトのデータブロックに書き込むことを含む、
請求項１３に記載の方法。
【請求項２２】
前記シャットダウン制御中、１つまたは複数の不必要な電子構成要素をシャットダウンすることを含む、
請求項１３に記載の方法。
【請求項２３】
前記シャットダウン制御中、前記充電キャパシタから電力をサーボコントローラにパルスすることを含む、
請求項１３に記載の方法。
【請求項１】
動作電圧範囲内で動作するように構成された書き込み構成要素と、
充電キャパシタを備えた充電回路であって、前記充電キャパシタは、充電時、前記動作電圧範囲よりも高い電圧を備える、充電回路と、
前記書き込み構成要素のシャットダウン制御中に残りのデータセクタビットが書き込まれるように、前記シャットダウン制御中に前記動作電圧範囲内で電力を前記充電回路から前記書き込み構成要素にパルスするように構成されたパルス回路と、
を備える、ハードディスクドライブ。
【請求項２】
前記充電回路は電源を備える、
請求項１に記載のハードディスクドライブ。
【請求項３】
前記電源は、前記ハードディスクドライブに給電する少なくとも２つの電圧線のうちの電圧が高いほうの電圧線である、
請求項２に記載のハードディスクドライブ。
【請求項４】
前記高いほうの電圧は、前記書き込み構成要素の前記動作電圧範囲の最高レベルの少なくとも２倍である、
請求項１に記載のハードディスクドライブ。
【請求項５】
前記パルス回路は、前記充電キャパシタからのエネルギーを蓄えるように構成されたパルスキャパシタを備える、
請求項１に記載のハードディスクドライブ。
【請求項６】
前記パルスキャパシタは、前記充電キャパシタよりも大きな静電容量である、
請求項５に記載のハードディスクドライブ。
【請求項７】
前記パルスキャパシタは、前記充電キャパシタの静電容量の少なくとも３倍である、
請求項５に記載のハードディスクドライブ。
【請求項８】
前記充電キャパシタから前記パルスキャパシタへの前記電力のパルスを制御する故障信号線を備える、
請求項５に記載のハードディスクドライブ。
【請求項９】
前記動作電圧範囲は０．２５Ｖ以下である、
請求項１に記載のハードディスクドライブ。
【請求項１０】
４キロバイトのデータブロックを備えたディスクを備える、
請求項１に記載のハードディスクドライブ。
【請求項１１】
１つまたは複数の不必要な電子構成要素が、前記シャットダウン制御中にシャットダウンされる、
請求項１に記載のハードディスクドライブ。
【請求項１２】
前記パルス回路は、前記シャットダウン制御中、サーボコントローラへの電力もパルスする、
請求項１に記載のハードディスクドライブ。
【請求項１３】
ハードディスクドライブ内のシャットダウン中に電力をパルスする方法であって、
書き込み構成要素を動作電圧範囲内で動作させること、
充電キャパシタを充電することであって、前記充電キャパシタは、充電時、前記動作電圧範囲よりも高い電圧を備えること、
前記書き込み構成要素のシャットダウン制御中、前記動作電圧範囲内で電力を前記充電キャパシタから前記書き込み構成要素にパルスすること、および
前記シャットダウン制御中に残りのデータセクタビットを書き込むこと
を含む、方法。
【請求項１４】
前記充電キャパシタを充電することは、前記ハードディスクドライブに給電する少なくとも２つの電圧線のうちの電圧が高いほうの電圧線を使用して、前記充電キャパシタを充電することを含む、
請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記シャットダウン制御中、不必要な構成夜素をシャットダウンすることを含む、
請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記書き込み構成要素を動作電圧範囲内で動作させることは、前記書き込み構成要素を０．２５Ｖ以下の動作電圧範囲内で動作させることを含む、
請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
充電回路により故障信号を生成することを含む、
請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】
前記故障信号は、前記充電キャパシタから前記パルスキャパシタへの前記電力のパルスを制御する、
請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
充電回路によりリセット信号を生成することを含む、
請求項１３に記載の方法。
【請求項２０】
前記充電キャパシタからのエネルギーをパルスキャパシタに蓄えることを含む、
請求項１３に記載の方法。
【請求項２１】
前記シャットダウン制御中、残りのデータセクタビットを書き込むことは、前記残りのデータセクタビットを４キロバイトのデータブロックに書き込むことを含む、
請求項１３に記載の方法。
【請求項２２】
前記シャットダウン制御中、１つまたは複数の不必要な電子構成要素をシャットダウンすることを含む、
請求項１３に記載の方法。
【請求項２３】
前記シャットダウン制御中、前記充電キャパシタから電力をサーボコントローラにパルスすることを含む、
請求項１３に記載の方法。
【図１】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１２−８４２１７（Ｐ２０１２−８４２１７Ａ）
【公開日】平成２４年４月２６日（２０１２．４．２６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２００５６４（Ｐ２０１１−２００５６４）
【出願日】平成２３年９月１４日（２０１１．９．１４）
【出願人】（５０３１１６２８０）ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ (1,121)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年４月２６日（２０１２．４．２６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年９月１４日（２０１１．９．１４）
【出願人】（５０３１１６２８０）ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ (1,121)
【Ｆターム（参考）】
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