パターン修正方法およびパターン修正装置

【課題】１０μｍ前後の細線で電極断線部などを修正することができ、かつ、欠陥部周辺のダメージや汚染が小さなパターン修正方法を提供する。
【解決手段】このパターン修正方法では、レーザ光が欠陥部１３ａに照射されない状態で低粘着フィルム４１にレーザ光を照射して孔４０ａの開いたマスク４０を形成し、マスク４０を基板１４に密着させ、マスク４０を基板１４に押圧した後、孔４０ａを介して欠陥部１３ａに修正液２０を塗布する。したがって、レーザ光によって欠陥部１３ａ周辺がダメージを受けるのを防止することができ、修正液２０がマスク４０と基板１４の隙間に侵入するのを防止することができる。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明はパターン修正方法およびパターン修正装置に関し、特に、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正方法およびパターン修正装置に関する。より特定的には、この発明は、フラットパネルディスプレイの製造工程において発生する電極のオープン欠陥を修正するパターン修正方法およびパターン修正装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、プラズマディスプレイ、液晶ディスプレイ、ＥＬディスプレイなどのフラットパネルディスプレイの大型化、高精細化に伴い、ガラス基板上に形成された電極や液晶カラーフィルタなどに欠陥が存在する確率が高くなっており、歩留まりの向上を図るため欠陥を修正する方法が提案されている。
【０００３】
たとえば、液晶ディスプレイのガラス基板の表面には電極が形成されている。この電極が断線している場合、塗布針先端に付着させた導電性の修正ペースト（修正液）を断線部に塗布し、電極の長さ方向に塗布位置をずらしながら複数回塗布して電極を修正する（たとえば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、欠陥部を覆うようにフィルムを設け、欠陥部とフィルムとをレーザ光を用いて略同時に除去し、除去した部分にフィルムをマスクとしてインク（修正液）を塗布し、その後、フィルムを剥離除去する方法がある（たとえば、特許文献２，３参照）。
【特許文献１】特開平８−２９２４４２号公報
【特許文献２】特開平１１−１２５８９５号公報
【特許文献３】特開２００５−９５９７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、電極を修正する方法では、塗布針先端に導電性の修正ペーストを付着させ、断線部に修正ペーストを転写するため、その塗布径は塗布針先端の平坦面の寸法で決まり、１０μｍ前後の塗布径を実現するのは困難であり、これを用いた細線形成も同様に難しかった。
【０００６】
一方、フィルムをマスクとして使用する方法では、１０μｍ前後の細線で電極断線部などを修正することが可能であるが、フィルムと欠陥部をレーザ光で略同時に除去するので、大きなレーザパワーが必要となり、欠陥部の周辺にダメージを与えるという問題がある。また、欠陥部に密着したフィルム上部にレーザアブレーションにより孔を形成するため、そのときに発生する異物（ごみ）がフィルムと基板の隙間に侵入し、欠陥部近傍を汚染することも想定される。
【０００７】
さらに、フィルムに開けた孔の周りと欠陥部との密着性を良くしないと、修正ペーストを孔に塗布した時点で、フィルムと基板との隙間に毛細管現象で修正ペースト、あるいは、その溶媒が吸い込まれ、基板を汚染することも考えられる。
【０００８】
それゆえに、この発明の主たる目的は、１０μｍ前後の細線で電極断線部などを修正することができ、かつ、欠陥部周辺のダメージや汚染が小さなパターン修正方法およびパターン修正装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明に係るパターン修正方法は、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正方法であって、レーザ光が欠陥部に照射されない状態で、基材と該基材の表面に形成された低粘着層とを含むフィルムにレーザ光を照射して欠陥部に応じた形状の孔をフィルムに開ける第１のステップと、フィルムの孔を欠陥部に位置合わせしてフィルムの低粘着層を基板の表面に密着させる第２のステップと、フィルムの孔を含み、該孔よりも広い範囲でフィルムを基板に押圧する第３のステップと、フィルムの孔を介して欠陥部に修正液を充填する第４のステップと、欠陥部に充填された修正液を硬化させる第５のステップと、フィルムを基板から剥離する第６のステップとを含む。
【００１０】
好ましくは、フィルムは、さらに、低粘着層を保護する保護材を含み、第１のステップでは、孔は基材および低粘着層を貫通し、保護材を貫通しないように形成され、第２のステップでは、保護材を低粘着層から剥離して除去した後に、フィルムの孔を欠陥部に位置合わせする。
【００１１】
また、この発明に係るパターン修正装置は、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正装置であって、レーザ光が欠陥部に照射されない状態で、基材と該基材の表面に形成された低粘着層とを含むフィルムにレーザ光を照射して欠陥部に応じた形状の孔を開けるレーザ光照射手段と、フィルムの孔を欠陥部に位置合わせしてフィルムの低粘着層を基板の表面に密着させるフィルム配置手段と、フィルムの孔を含み、該孔よりも広い範囲でフィルムを基板に押圧する押圧手段と、フィルムの孔を介して欠陥部に修正液を充填する修正液充填手段と、欠陥部に塗布した修正液を硬化させる修正液硬化手段と、フィルムを基板から剥離するフィルム剥離手段とを備える。
【００１２】
好ましくは、フィルムは、さらに、低粘着層を保護する保護材を含み、レーザ光照射手段は、孔が基材および低粘着層を貫通し、保護材を貫通しないようにして孔を形成し、フィルム配置手段は、保護材が除去されたフィルムの低粘着層を基板の表面に密着させる。
【００１３】
また好ましくは、押圧手段は、押圧力を所定値以下に制限する制限手段を含む。
また好ましくは、押圧手段は、押圧面が球面の押圧部材を含む。
【００１４】
また好ましくは、押圧手段は、回転自在に支持されたローラでフィルムの表面を擦ることにより、フィルムを基板に押圧する。
【発明の効果】
【００１５】
この発明に係るパターン修正方法およびパターン修正装置では、孔を開けたフィルムをマスクとして用いるので、１０μｍ前後の細線で電極断線部などを修正することができる。また、基材とその表面に形成された低粘着層とを含むフィルムを使用し、低粘着層を基板に密着させ、さらにフィルムを基板に押圧するので、修正液がフィルムと基板の隙間に侵入することによって基板が汚染されるのを防止することができる。また、レーザ光が欠陥部に照射されない状態で、フィルムにレーザ光を照射して孔を開けるので、レーザ光によって欠陥部周辺がダメージを受けたり、発生した異物によって基板が汚染されるのを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
[実施の形態１]
図１は、この発明の実施の形態１によるパターン修正装置１の全体構成を示す図である。図１において、パターン修正装置１は、基板の表面を観察する観察光学系２と、観察された画像を映し出すモニタ３と、観察光学系２を介してレーザ光を照射し不要部をカットするカット用レーザ部４と、欠陥修正用の修正材料を数μｍ以下の微粒子にして溶媒中に分散させた修正液を霧状にして欠陥部に噴出し、微粒子を欠陥部に堆積させる微粒子堆積装置５と、欠陥部を加熱して霧状の修正液中の溶媒を気化させる基板加熱部６と、欠陥部を認識する画像処理部７と、装置全体を制御するホストコンピュータ８と、装置機構部の動作を制御する制御用コンピュータ９とを備える。さらに、その他に欠陥部を持つ基板をＸＹ方向（水平方向）に移動させるＸＹステージ１０と、ＸＹステージ１０上で基板を保持するチャック部１１と、観察光学系２や微粒子堆積装置５をＺ方向（垂直方向）に移動させるＺステージ１２などが設けられている。
【００１７】
図２は、図１に示したパターン修正装置の要部を示す断面図である。修正する欠陥は、基板上に形成された微細パターンの欠陥部、たとえば基板１４上に形成された電極１３のオープン欠陥部１３ａである。図２において、基板１４の表面に、低粘着フィルムで形成されたマスク４０が貼り付けられている。マスク４０の孔４０ａは、電極１３のオープン欠陥部１３ａに位置合わせされている。基板１４はチャック部１１に固定され、そのチャック部１１はＸＹステージ１０によりＸＹ方向に移動される。
【００１８】
なお、基板１４全体を加熱するヒータをチャック部１１に内蔵して、基板１４の上側から欠陥部１３ａを含む範囲を部分加熱可能な基板加熱部６と併用することも可能である。基板１４が大型になる場合には、チャック部１１内にヒータを内蔵して基板１４全体を加熱することは大掛かりになるため、このような場合には基板加熱部６のみの構成にする方が好ましい。基板加熱部６としては、ＬＤ光源やＣＯ_２レーザなどを用いることが可能である。基板加熱部６のパワーは、熱によってマスク４０（フィルム）にダメージを与えない範囲内に設定される。また、上記以外の加熱源を用いてもよい。
【００１９】
微粒子堆積装置５は、修正に用いる修正材料を数μｍ以下の微粒子にし、それを溶媒中に均一に分散して液状化した修正液を霧状にする噴霧部１５と、霧状にされた修正液の流れの圧力を減じる減圧部１６と、減圧された霧状の修正液を加熱する加熱部１７と、加熱された霧状の修正液を収束して欠陥部１３ａに噴出し、欠陥部１３ａに微粒子を堆積するヘッド部１８とを含む。
【００２０】
噴霧部１５の容器１９内には修正液２０が注入されている。電極１３のオープン欠陥部１３ａを修正する場合には、修正液２０として、金、銀などの金属ナノ粒子を用いた金ペースト、銀ペーストなどの金属ナノペースト、あるいは透明電極材料の微粒子を溶媒中に分散したものが使用される。また、修正液２０として、金属錯体溶液や金属コロイド溶液を用いてもよい。
【００２１】
容器１９の中央には噴霧ノズル２１が設けられている。噴霧ノズル２１の下部は修正液２０に浸けられている。容器１９の外部から噴霧ノズル２１にアトマイズガス（たとえば窒素ガス）を供給すると、噴霧ノズル２１上部の噴出口２１ａにおけるアトマイズガスの流速が速くなって周囲よりも気圧が下がるため、噴霧ノズル２１下端の吸入口２１ｂから修正液２０が吸い上げられ、アトマイズガスが噴出口２１ａから噴出するときに修正液２０も噴出口２1ａの周囲に飛び散り霧化される。この原理は普通の霧吹きの原理と同じでありベルヌーイの原理を応用したものである。大きな霧粒子は容器１９内に落下、あるいは、容器１９の内壁面に衝突して容器１９内に留まり、微細な霧粒子だけが減圧部１６に送られる。
【００２２】
なお、アトマイズガスとしては、修正液２０が酸化しないように窒素ガスのような不活性ガスを用いることが好ましいが、酸化しない修正液２０であれば空気でも構わない。また、修正液２０を霧状するためにアトマイズガスを用いたが、修正液２０中の修正材料がサブミクロンのような超微粒子であれば、超音波による噴霧装置を用いても構わない。
【００２３】
また、修正液２０中の修正材料の微粒子が時間の経過により沈殿し易い場合には、撹拌子を容器１９内に入れ、容器１９の底にマグネチックスターラを設置して修正液２０を常時撹拌してもよい。
【００２４】
減圧部１６は、一般的に知られているバーチャルインパクタと同じものであり、修正液２０の霧粒子を分級するものである。小さな霧粒子はここで除去され、霧粒子の流れの圧力が減じられる。減圧部１６は、ノズル部２２と集気部２３と排気管２４と外管２５から構成される。ノズル部２２と集気部２３とは一定の隙間２６を保って対峙している。ノズル部２２から噴出された霧粒子のうちの流速が速い霧粒子や重い霧粒子は集気部２３を介して次段に供給されるが、流速が遅い霧粒子や軽い霧粒子などは排気管２４を介して排気ポンプ（図示せず）により排出される。
【００２５】
加熱部１７は、集気部２３と次段を結ぶパイプ２７を含む。パイプ２７の外周部にはヒータ２８と温度センサ２９が取り付けられ、パイプ２７が設定温度になるように制御され、霧粒子を加熱する機能を持つ。霧粒子を加熱することで、欠陥部１３ａに霧粒子が付着した時の流れや飛散を抑制する。なお、ヒータ２８の周りは断熱部材（図示せず）で覆われている。また、修正液２０によっては、加熱部１７を省略することも可能である。
【００２６】
ヘッド部１８は、霧粒子の周りをシースガス（たとえば窒素ガス）で覆いこみ、霧粒子の流れを収束させてヘッド部１８下端の塗布ノズル３０から欠陥部１３ａに向けて霧粒子を噴出する。塗布ノズル３０の噴出口の内径は１００〜２００μｍ程度であり、シースガスによって噴出口の内径の１／１０程度まで霧粒子の流れを収束させることが可能である。
【００２７】
シャッタ３１は、欠陥修正を行なう前に基板１４などの上に霧粒子が噴出されないように塗布ノズル３０から噴出される霧粒子を受けるものである。修正開始時にシャッタ３１を開放して欠陥修正を行ない、修正完了と同時にシャッタ３１を塗布ノズル３０の先端と基板１４の間に移動させ、シャッタ３１で霧粒子を受ける。また、Ｚステージ１２には、微粒子堆積装置５と基板加熱部６を搭載したステージ３２も搭載されている。ステージ３２は、修正時に微粒子堆積装置５と基板加熱部６を欠陥部１３ａに沿って水平方向に微少量移動させる。なお、ＸＹステージ１０の移動によって欠陥修正を行なう場合は、ステージ３２を省略して、微粒子堆積装置５と基板加熱部６をＺステージ１２に搭載する。
【００２８】
図３は、マスク４０を作成するための低粘着フィルム４１の構成を示す断面図である。図３において、低粘着フィルム４１は、基材４１ａと、基材４１ａの一方面に形成された低粘着層４１ｂと、低粘着層４１ｂを保護する保護フィルム４１ｃの３層構造を成す。基材４１ａは、たとえば、薄膜のポリイミドフィルムである。また、粘着層４１ｂは、たとえば、シリコン系粘着剤である。低粘着フィルム４１は、マスク４０として使用するのに十分な幅があればよく、たとえば、５ｍｍ〜１０ｍｍ程度にスリットしたロール状フィルムを使用する。
【００２９】
図４は、マスク４０の作成方法を示す断面図である。図４において、レーザ部４は、観察光学系２の下端に固定した対物レンズ２ａを介して基材４１ａ側から低粘着フィルム４１にレーザ光を照射し、低粘着フィルム４１に穴４１ｄを形成する。この穴４１ｄは、マスク４０の孔４０ａとなる。穴４１ｄの大きさは、たとえばレーザ部４に内蔵される可変スリット（図示せず）により決定され、穴４１ｄの形状は対物レンズ２ａによって集光されたレーザ光のスポット形状になる。レーザ部４としては、ＹＡＧ第３高調波レーザやＹＡＧ第４高調波レーザ、あるいはエキシマレーザなどのパルスレーザを用いる。
【００３０】
図４では、保護フィルム４１ｃが付いた状態でレーザ部４による穴４１ｄの加工を行なっており、穴４１ｄの底が粘着層４１ｂを貫通して保護フィルム４１ｃに到達するまでレーザ光が照射される。保護フィルム４１ｃが付いた状態で保護フィルム４１ｃを貫通する手前までレーザ加工を行なうので、レーザ加工時に発生する加工ごみが下方に落下することはない。下方に加工ごみが落下しても構わない場合には、穴４１ｄが保護フィルム４１ｃを貫通しても構わない。
【００３１】
低粘着フィルム４１に穴４１ｄを開ける場合、欠陥部１３ａにレーザ光が照射されないように、欠陥部１３ａの位置から離れた位置で開けてもよいし、あるいは、たとえば低粘着フィルム４１と基板１４の間にレーザ光を遮蔽する遮蔽板４２を挿入してよい。このように、本実施の形態１では、欠陥部１３ａにフィルム４１を密着させた状態でレーザ加工を行わないので、レーザ光によって欠陥部１３ａやその近傍の電極、絶縁膜などを損傷することはない。
【００３２】
さらに、レーザ光を用いて低粘着フィルム４１に穴４１ｄを開ける場合、穴４１ｄの長さは、欠陥部１３ａの両端に位置する正常な電極１３にも修正液２０を塗布できるように、欠陥部１３ａよりも長く加工する。これにより、欠陥部１３ａに塗布された修正液２０からなる修正層の抵抗値を低減化することができるとともに、修正層の密着性を高めることができる。
【００３３】
穴４１ｄの形成が終了した時点では、穴４１ｄ周りの基材４１ａ上面には、基材４１ａが除去（レーザアブレーション）された際に発生したごみが飛散しており、ごみの除去のため、穴４１ｄを中心としたその周りの広い範囲を弱いパワーでレーザ照射する工程を設けてもよい。このとき、ＹＡＧ第２高調波レーザに切り替えて、弱いレーザパワーで穴４１ｄを中心とする広い範囲を照射すれば、加工ごみのみを除去することも可能であり、新たにごみが発生することを防止することができる。
【００３４】
穴４１ｄの加工が終了した時点で、保護フィルム４１ｃは粘着層４１ｂから剥離され、図５に示すように、基材４１ａと低粘着層４１ｂと孔４０ａからなるマスク４０が形成される。次に、画像処理結果に基づいて基板１４とマスク４０とを相対移動させ、マスク４０の孔４０ａを欠陥部１３ａの上方に位置決めする。次に、マスク４０を下降させて、マスク４０の低粘着層４１ｂを基板１４の表面に密着させる。
【００３５】
図６（ａ）は基板１４の表面にマスク４０が密着された状態を示す平面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）のＶＩＢ−ＶＩＢ線断面図である。マスク４０の孔４０ａは、電極１３と略同じ幅で欠陥部１３ａよりも長い長方形に形成されており、欠陥部１３ａとその両側の電極１３の正常部１３ｂが孔４０ａから露出している。マスク４０は、長方形の孔４０ａの中心が電極１３の欠陥部１３ａの中心に位置し、孔４０ａの長さ方向が電極１３の延在方向に一致するようにして基板１４上に配置される。
【００３６】
このとき、基板１４上には電極１３などによる凹凸があるので、マスク４０を下降させて基板１４に付着させただけでは、マスク４０と基板１の間に隙間が発生する可能性もある。そこで、図７に示すように、マスク４０の孔４０ａを含み、孔４０ａよりも広い範囲を押圧部材４３で押圧して、マスク４０と基板１４の密着性を高める。押圧部材４３は、たとえば、図２のステージ３２に搭載されたシリンダ４４の駆動軸４４ａの下端に固定される。シリンダ４４は、駆動軸４４ａを伸縮させて押圧部材４３をマスク４０に押圧する。シリンダ４４が駆動軸４４ａを伸ばす力は所定値以下に制限されている。したがって、過大な力で押圧部材４３がマスク４０に押圧されてマスク４０や基板１４が破壊されることはない。なお、基板１４の凹凸に合わせてマスク４０が密着し易いように、押圧部材４３のマスク４０と接する面に弾性材料（たとえば、シリコンゴムなど）の層を形成してもよい。
【００３７】
その後、図８に示すように、塗布ノズル３０の先端を修正対象の電極１３の延在方向に移動させながら塗布ノズル３０の先端から霧状の修正液２０を噴射し、マスク４０の孔４０ａの一方側の縁から他方側の縁にかけて修正液２０を堆積させる。この場合、欠陥部１３ａに付着した修正液２０の膜厚が薄ければ、塗布動作を複数回実施すればよい。
【００３８】
このとき、低粘着層４１ｂによってマスク４０と基板１４は隙間なく密着しているので、修正液２０やその溶媒がマスク４０と基板１４の隙間に侵入するのを防止することができ、欠陥部１３ａの周辺部が修正液２０やその溶媒で汚染されるのを防止することができる。
【００３９】
次に、欠陥部１３ａに塗布された修正液２０には、修正液２０の仕様に合わせて紫外線硬化処理、あるいは基板加熱部６による加熱硬化処理（または乾燥処理）を施し、その後でマスク４０を基板１から剥離すれば、修正作業が終了する。なお、低粘着フィルム４１の低粘着層４１ｂは一般に知られる粘着フィルムよりも粘着力が小さく（たとえば、１／１０以下）、剥離も容易である。また、低粘着フィルム４１の基材４１ａや低粘着層４１ｂが薄いものの方が穴４１ｄを開ける際に加工し易く、修正液２０を塗布する場合でも修正液２０が孔４０ａに入り易い。たとえば、基材４１ａの膜厚は１０〜２５μｍであり、低粘着層４１ｂの膜厚は５〜１０μｍである。
【００４０】
図９（ａ）は修正された電極１３を示す平面図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）のＩＸＢ−ＩＸＢ線断面図である。図９（ａ）（ｂ）において、電極１３の欠陥部１３ａを覆うようにして導電性の修正層４５が形成され、図中において左右に分断されていた電極１３が修正層４５で接続される。なお、必要があれば、マスク４０を剥離した状態で、修正層４５を局所加熱してもよいし、あるいは、基板１４全体を炉に入れて本焼成を行なってもよい。
【００４１】
この実施の形態１では、低粘着フィルム４１に穴４１ｄを開けてマスク４０を形成し、そのマスク４０を用いて電極１３のオープン欠陥部１３ａを修正するので、非常に細い電極１３の欠陥部１３ａを修正することができる。たとえば、液晶ディスプレイのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）パネルの電極のように１０μｍ以下の電極の欠陥部も修正することができる。また、電極以外では、液晶カラーフィルタのブラックマトリックスは高精細化に伴い線幅が２０μｍを切っており、この修正にも適用可能である。
【００４２】
なお、この実施の形態１では、修正液２０を霧状にして欠陥部１３ａに噴出することにより修正液２０を欠陥部１３ａに塗布したが、これに限るものではなく、図１０（ａ）に示すように、塗布針４６の先端に修正液２０を付着させ、その塗布針４６の先端をマスク４０の孔４０ａおよびその縁に接触させることにより、修正液２０を欠陥部１３ａに塗布してもよいし、図１０（ｂ）に示すように、マイクロディスペンサ４７を用いて修正液２０を孔４０ａに充填することにより修正液２０を欠陥部１３ａに塗布してもよいし、図示しないが、インクジェットのようにノズルから修正液２０の液滴を孔４０ａに飛ばすことにより修正液２０を欠陥部１３ａに塗布してもよい。
【００４３】
また、図１１に示すように、球面の押圧面４８ａを有する押圧部材４８でマスク４０を基板１４に押圧してもよい。この場合は、押圧面４８ａが調心性を持つので、押圧部材４８の中心と孔４０ａの中心を一致させることができる。また、図１２に示すように、回転自在に支持されたローラ４９でマスク４０の表面を擦るようにして、マスク４０を基板１４に押圧してもよい。また、基板１４の凹凸に合わせてマスク４０が密着し易いように、押圧面４８ａやローラ４９の外周面のマスク４０と接する面に弾性材料（たとえば、シリコンゴムなど）の層を形成してもよい。また、図１０（ａ）で示した塗布針４６を押圧部材として用いてもよい。この場合、先端面が孔４０ａよりも十分大きな塗布針４６を使用し、修正液２０を付着させずに先端面を孔４０ａを含む範囲に押圧する。また、図１１で示したように、塗布針４６の先端を球面に加工してもよい。
【００４４】
[実施の形態２]
図１３は、この発明の実施の形態２によるパターン修正装置の構成を示す図である。図１３において、このパターン修正装置では、ＸＹステージは、Ｘステージ５０とＹステージ５１とが分離して独立して移動するガントリー構造であり、基板１４はチャック部１１に固定される。また、Ｙステージ５１と平行に移動可能な副Ｙステージ５２がＹステージ５１に固定され、副Ｙステージ５２上には上下方向に進退可能な副Ｚステージ５３が搭載される。
【００４５】
副Ｚステージ５３には、低粘着フィルム５４が巻回されたフィルム供給リール５５と、低粘着フィルム５４を巻き取る巻き取りリール５６とが基板１４を挟んで左右に配置される。低粘着フィルム５４は、基材と、基材の表面に形成された低粘着層とからなり、低粘着層側を基板１４に向けて配置される。低粘着フィルム５４は、欠陥部１３ａ近傍を覆う程度の幅があれば良く、たとえば１０ｍｍ前後のものを使用する。
【００４６】
副Ｙステージ５２は、観察光学系２の直下に低粘着フィルム５４を移動させたり、観察光学系２から低粘着フィルム５４を遠ざける役目を持つ。副Ｚステージ５３は、低粘着フィルム５４を下降させて基板１４の表面に密着させたり、低粘着フィルム５４を上昇させて基板１４の表面から剥離させる。また、ステージ５２，５３は、基板１４の出し入れ時に低粘着フィルム５４が干渉しないように、低粘着フィルム５４を退避させる。
【００４７】
低粘着フィルム５４に孔５４ａを開ける場合は、リール５５，５６を制御して基板１４の上方にフィルム５４を張った状態でフィルム５４の表面にレーザ光を焦点を合わせ、レーザ光を照射して孔５４ａを開ける。このとき、図４で示したようにフィルム５４と基板１４の間に遮蔽板４２が挿入され、欠陥部１３ａにレーザ光が照射されることが防止される。また、欠陥部１３ａにレーザ光が照射されないように、基板１４から離れた位置で孔５４ａを開けてもよい。
【００４８】
低粘着フィルム５４を基板１４の表面に密着させる場合、まずフィルム５４の孔５４ａの直下に欠陥部１３ａを位置決めする。次に、リール５５，５６を制御して、フィルム５４が基板１４に触れない程度にフィルム５４をＵ字形状に垂らす。その状態で、副Ｚステージ５３を下降させると、フィルム５４が薄くて基板１４にならう性質があるので、図１４に示すように、フィルム５４は欠陥部１３ａを含む範囲で基板１４の表面に接触して付着する。フィルム５４が基板１４に接触して付着すれば、図７、図８および図９に示したように欠陥部１３ａの修正を行なうことができる。フィルム５４を欠陥部１３ａから剥がす場合は、副Ｚステージ５３を上昇させればよい。
【００４９】
この実施の形態２でも、実施の形態１と同じ効果が得られる。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】この発明の実施の形態１によるパターン修正装置の構成を示す図である。
【図２】図１に示したパターン修正装置の要部を示す断面図である。
【図３】図２に示したマスクを作成するための低粘着フィルムの構成を示す断面図である。
【図４】図３に示した低粘着フィルムに穴を開ける方法を示す図である。
【図５】図２に示したマスクの構成を示す断面図である。
【図６】図５に示したマスクが基板上に貼り付けられた状態を示す図である。
【図７】図６に示したマスクを基板に押圧する方法を示す図である。
【図８】図６に示したマスクを介して欠陥部に修正液を塗布する方法を示す図である。
【図９】欠陥部の修正が終了した状態を示す図である。
【図１０】修正液の他の塗布方法を示す断面図である。
【図１１】マスクを基板に押圧する他の方法を示す図である。
【図１２】マスクを基板に押圧するさらに他の方法を示す図である。
【図１３】この発明の実施の形態２によるパターン修正装置の構成を示す図である。
【図１４】図１３に示したパターン修正装置の使用方法を示す図である。
【符号の説明】
【００５１】
１パターン修正装置、２観察光学系、３モニタ、４カット用レーザ部、５微粒子堆積装置、６基板加熱部、７画像処理部、８ホストコンピュータ、９制御用コンピュータ、１０ＸＹステージ、１１チャック部、１２Ｚステージ、１３電極、１３ａオープン欠陥部、１３ｂ正常部、１４基板、１５噴霧部、１６減圧部、１７加熱部、１８ヘッド部、１９容器、２０修正液、２１噴霧ノズル、２１ａ噴出口、２１ｂ吸入口、２２ノズル部、２３集気部、２４排気管、２５外管、２６隙間、２７パイプ、２８ヒータ、２９温度センサ、３０塗布ノズル、３１シャッタ、３２ステージ、４０マスク、４０ａ孔、４１，５４低粘着フィルム、４１ａ基材、４１ｂ低粘着層、４１ｃ保護フィルム、４１ｄ穴、４２遮蔽板、４３，４８押圧部材、４４シリンダ、４４ａ駆動軸、４５修正層、４６塗布針、４７マイクロディスペンサ、４９ローラ、５０Ｘステージ、５１Ｙステージ、５２副Ｙステージ、５３副Ｚステージ、５５フィルム供給リール、５６巻き取りリール。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正方法であって、
レーザ光が前記欠陥部に照射されない状態で、基材と該基材の表面に形成された低粘着層とを含むフィルムに前記レーザ光を照射して前記欠陥部に応じた形状の孔を前記フィルムに開ける第１のステップと、
前記フィルムの孔を前記欠陥部に位置合わせして前記フィルムの低粘着層を前記基板の表面に密着させる第２のステップと、
前記フィルムの孔を含み、該孔よりも広い範囲で前記フィルムを前記基板に押圧する第３のステップと、
前記フィルムの孔を介して前記欠陥部に修正液を充填する第４のステップと、
前記欠陥部に充填された修正液を硬化させる第５のステップと、
前記フィルムを前記基板から剥離する第６のステップとを含む、パターン修正方法。
【請求項２】
前記フィルムは、さらに、前記低粘着層を保護する保護材を含み、
前記第１のステップでは、前記孔は前記基材および前記低粘着層を貫通し、前記保護材を貫通しないように形成され、
前記第２のステップでは、前記保護材を前記低粘着層から剥離して除去した後に、前記フィルムの孔を前記欠陥部に位置合わせする、請求項１に記載のパターン修正方法。
【請求項３】
基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正装置であって、
レーザ光が前記欠陥部に照射されない状態で、基材と該基材の表面に形成された低粘着層とを含むフィルムに前記レーザ光を照射して前記欠陥部に応じた形状の孔を開けるレーザ光照射手段と、
前記フィルムの孔を前記欠陥部に位置合わせして前記フィルムの低粘着層を前記基板の表面に密着させるフィルム配置手段と、
前記フィルムの孔を含み、該孔よりも広い範囲で前記フィルムを前記基板に押圧する押圧手段と、
前記フィルムの孔を介して前記欠陥部に修正液を充填する修正液充填手段と、
前記欠陥部に塗布した修正液を硬化させる修正液硬化手段と、
前記フィルムを前記基板から剥離するフィルム剥離手段とを備える、パターン修正装置。
【請求項４】
前記フィルムは、さらに、前記低粘着層を保護する保護材を含み、
前記レーザ光照射手段は、前記孔が前記基材および前記低粘着層を貫通し、前記保護材を貫通しないようにして前記孔を形成し、
前記フィルム配置手段は、前記保護材が除去された前記フィルムの低粘着層を前記基板の表面に密着させる、請求項３に記載のパターン修正装置。
【請求項５】
前記押圧手段は、押圧力を所定値以下に制限する制限手段を含む、請求項３または請求項４に記載のパターン修正装置。
【請求項６】
前記押圧手段は、押圧面が球面の押圧部材を含む、請求項３から請求項５までのいずれかに記載のパターン修正装置。
【請求項７】
前記押圧手段は、回転自在に支持されたローラで前記フィルムの表面を擦ることにより、前記フィルムを前記基板に押圧する、請求項３から請求項５までのいずれかに記載のパターン修正装置。

【図１】