フルオロホスファゼン誘導体の製造方法
【課題】フルオロホスファゼンの安価で効率的な製造方法を提供する。
【解決手段】メチルモノグライム、エチルモノグライム、プロピルモノグライム、ブチルモノグライム、メチルジグライム、エチルジグライム、プロピルジグライム、ブチルジグライム、メチルトリグライム、エチルトリグライム、メチルテトラグライムからなる群から選ばれる少なくとも１つのグライム類及び塩化合物の共存下、ヒドロキシル基を少なくとも１つ有する化合物と下記一般式［１］で表されるペルフルオロシクロポリホスファゼンとを反応させ、下記一般式［２］で表されるフルオロホスファゼン誘導体を得ることを特徴とするフルオロホスファゼン誘導体の製造方法。
（ＰＮＦ２）ｎ ［１］
（式中、ｎは３〜１４を表す。）
（ＰＮＲ２）ｎ ［２］
（式中、Ｒはそれぞれ互いに独立して、フッ素原子又はアルコキシ基であって、全Ｒの内少なくとも１つはアルコキシ基であり、ｎは３〜１４である。）
【解決手段】メチルモノグライム、エチルモノグライム、プロピルモノグライム、ブチルモノグライム、メチルジグライム、エチルジグライム、プロピルジグライム、ブチルジグライム、メチルトリグライム、エチルトリグライム、メチルテトラグライムからなる群から選ばれる少なくとも１つのグライム類及び塩化合物の共存下、ヒドロキシル基を少なくとも１つ有する化合物と下記一般式［１］で表されるペルフルオロシクロポリホスファゼンとを反応させ、下記一般式［２］で表されるフルオロホスファゼン誘導体を得ることを特徴とするフルオロホスファゼン誘導体の製造方法。
（ＰＮＦ２）ｎ ［１］
（式中、ｎは３〜１４を表す。）
（ＰＮＲ２）ｎ ［２］
（式中、Ｒはそれぞれ互いに独立して、フッ素原子又はアルコキシ基であって、全Ｒの内少なくとも１つはアルコキシ基であり、ｎは３〜１４である。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フルオロホスファゼン誘導体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
Ｎ−Ｐ結合を有する化合物の中で、ホスファゼンと呼ばれる化合物は、難燃剤、耐熱材、触媒、分離剤や安定剤などに利用されている。中でも難燃剤や耐熱材に多く利用されており、近年では非水電解液にフルオロホスファゼン誘導体を添加し、非水電解液に難燃性を付与して、短絡等の非常時に電池が発火・引火する危険性を大幅に低減した非水電解液二次電池にも利用されている（特許文献１参照）。この特許文献によると、ペルフルオロシクロポリホスファゼンにアルコキシ基などを導入することで、フルオロホスファゼン誘導体を製造し、非水電解液に添加することで効果的な難燃剤になることを示している。上記特許文献１に開示のフルオロホスファゼンの製造方法は、ペルフルオロシクロポリホスファゼンにアルカリ金属アルコキシドを反応させるか、アルカリ金属塩化合物存在下でヒドロキシル基を有する化合物を反応させるものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第０３／００５４７９号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記特許文献１に開示のフルオロホスファゼン誘導体の製造方法においては、アルカリ金属アルコキシドを反応剤に用いた場合、反応の制御が難しく、複数箇所にアルコキシ基が導入され、目的物以外のフルオロホスファゼン誘導体も多数生成し、収率が低下するという問題があり、アルカリ金属塩化合物存在下でヒドロキシル基を有する化合物を反応剤に用いる場合も、得られるフルオロホスファゼン誘導体の沸点が反応溶媒に接近しているものも存在するため、その場合収率の低下が懸念される。また、導入するアルコキシ基の原料であるヒドロキシル基を有する化合物が常温で液体の場合は、それ自身が溶媒として使用できる可能性はあるが、反応の制御が困難になることが懸念される。そこで、本発明の目的は、フルオロホスファゼンの安価で効率的な製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは、かかる問題に鑑み鋭意検討の結果、ペルフルオロシクロポリホスファゼンから、フルオロホスファゼン誘導体を安価で効率的に製造する方法を見出し、本発明に至った。
【０００６】
すなわち本発明は、メチルモノグライム、エチルモノグライム、プロピルモノグライム、ブチルモノグライム、メチルジグライム、エチルジグライム、プロピルジグライム、ブチルジグライム、メチルトリグライム、エチルトリグライム、メチルテトラグライムからなる群から選ばれる少なくとも１つのグライム類、及び、塩化合物の共存下、分子構造中にヒドロキシル基を少なくとも１つ有する化合物と下記一般式［１］で表されるペルフルオロシクロポリホスファゼンとを反応させ、下記一般式［２］で表されるフルオロホスファゼン誘導体を得ることを特徴とするフルオロホスファゼン誘導体の製造方法である。
（ＰＮＦ２）ｎ ［１］
（式中、ｎは３〜１４を表す。）
（ＰＮＲ２）ｎ ［２］
（式中、Ｒはそれぞれ互いに独立して、フッ素原子、または、アルコキシ基であって、全Ｒのうち少なくとも１つはアルコキシ基であり、ｎは３〜１４である。）
【０００７】
また、前記アルコキシ基が、１級、２級、及び、３級のアルコキシ基から選ばれる少なくとも一種類であるフルオロホスファゼン誘導体の製造方法である。
【０００８】
また、前記塩化合物が、アルカリ金属の炭酸塩、炭酸水素塩、硫酸塩、及び、硝酸塩からなる群から選ばれる少なくとも一種類であるフルオロホスファゼン誘導体の製造方法である。
【０００９】
また、前記グライム類の添加量が、前記分子構造中にヒドロキシル基を少なくとも１つ有する化合物の０．０００５〜０．１倍モルであるフルオロホスファゼン誘導体の製造方法である。
【００１０】
また、前記反応が、２０〜８０℃の温度条件において、１〜７２時間行われるフルオロホスファゼン誘導体の製造方法である。
【００１１】
また、分子構造中にヒドロキシル基を少なくとも１つ有する化合物が、１級、２級または３級のアルコール類から選択される少なくとも一種類であるフルオロホスファゼン誘導体の製造方法である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明により、難燃剤として利用されているフルオロホスファゼン誘導体を迅速且つ効率的に製造する方法を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明について詳細に説明する。
【００１４】
本発明のフルオロホスファゼン誘導体の製造方法は、メチルモノグライム、エチルモノグライム、プロピルモノグライム、ブチルモノグライム、メチルジグライム、エチルジグライム、プロピルジグライム、ブチルジグライム、メチルトリグライム、エチルトリグライム、メチルテトラグライムからなる群から選ばれる少なくとも１つのグライム類、及び、塩化合物の共存下、分子構造中にヒドロキシル基を少なくとも１つ有する化合物と下記一般式［１］で表されるペルフルオロシクロポリホスファゼンとを反応させ、下記一般式［２］で表されるフルオロホスファゼン誘導体を得るものである。
（ＰＮＦ２）ｎ ［１］
（式中、ｎは３〜１４を表す。）
（ＰＮＲ２）ｎ ［２］
（式中、Ｒはそれぞれ互いに独立して、フッ素原子、または、アルコキシ基であって、全Ｒのうち少なくとも１つはアルコキシ基であり、ｎは３〜１４である。）
【００１５】
前記一般式［１］で表されるペルフルオロシクロポリホスファゼンとしては、例えば、ヘキサフルオロシクロトリホスファゼン、オクタフルオロシクロテトラホスファゼン等を挙げることができる。
【００１６】
前記一般式［２］で表されるフルオロホスファゼン誘導体のＲで表される有機基は、アルコキシ基であることが好ましい。前記有機基が、アルコキシ基であると、前記一般式［２］で表されるフルオロホスファゼン誘導体が液体として存在する温度範囲が広くなるため好ましい。
【００１７】
また、前記アルコキシ基は、１級、２級、及び、３級のアルコキシ基から選ばれる少なくとも一種類であることが好ましい。前記アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、トリフルオロエトキシ基、ヘキサフルオロプロポキシ基等を挙げることができる。中でも、トルフルオロエトキシ基、ヘキサフルオロプロポキシ基が特に好ましい。
【００１８】
前記反応は、塩化合物存在下、メチルモノグライム、エチルモノグライム、プロピルモノグライム、ブチルモノグライム、メチルジグライム、エチルジグライム、プロピルジグライム、ブチルジグライム、メチルトリグライム、エチルトリグライム、メチルテトラグライムからなる群から選ばれる少なくとも１つのグライム類を触媒量添加することにより行われることが好ましい。前記塩化合物が存在することによりエーテル化反応が進行するため好ましく、また、グライム類を添加することにより反応速度が増すため好ましい。
【００１９】
前記塩化合物は、アルカリ金属の炭酸塩、炭酸水素塩、硫酸塩、及び、硝酸塩からなる群から選ばれる少なくとも一種類であることが好ましい。例えば、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、炭酸水素リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素セシウム、硫酸リチウム、硫酸ナトリウム、硫酸カリウム、硫酸セシウム、硝酸リチウム、硝酸ナトリウム、硝酸カリウム、硝酸セシウム等を挙げることができる。これらの中で特に、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウムが好ましい。また、上記の塩化合物は、一種類を単独で用いても良く、二種類以上を組合せて任意の割合で混合して用いても良い。
【００２０】
前記塩化合物の使用量は、特に限定するものではないが、本発明における反応により発生するフッ化水素をフッ化物塩として除去できるので、ペルフルオロシクロポリホスファゼン一分子が有するフッ素原子のうち、反応で除去したいリン原子上のフッ素原子の数をｍ、アルカリ金属塩化合物一分子が有するアルカリ金属原子の数をｎとすると、前記塩化合物の使用量は、ペルフルオロシクロポリホスファゼンに対し、ｍ／ｎ倍モル〜５ｍ／ｎ倍モル、好ましくは１．５ｍ／ｎ倍モル〜３ｍ／ｎ倍モルの範囲である。ｍ／ｎ倍モルより少ない場合は、反応が最後まで進行しないため好ましくない。一方５ｍ／ｎ倍モルより多い場合は、経済的でなく、固形廃棄物も多くなるという問題がある。
【００２１】
前記グライム類は、メチルモノグライム（エチレングリコールジメチルエーテル）、エチルモノグライム（エチレングリコールジエチルエーテル）、プロピルモノグライム（エチレングリコールジプロピルエーテル）、ブチルモノグライム（エチレングリコールジブチルエーテル）、メチルジグライム（ジエチレングリコールジメチルエーテル）、エチルジグライム（ジエチレングリコールジエチルエーテル）、プロピルジグライム（ジエチレングリコールジプロピルエーテル）、ブチルジグライム（ジエチレングリコールジブチルエーテル）、メチルトリグライム（トリエチレングリコールジメチルエーテル）、エチルトリグライム（トリエチレングリコールジエチルエーテル）、メチルテトラグライム（テトラエチレングリコールジメチルエーテル）からなる群から選ばれる少なくとも１つの化合物であることが好ましい。
【００２２】
上記の鎖状グリコールエーテル類の中でも、エチレングリコールジメチルエーテル（メチルモノグライム）トリエチレングリコールジメチルエーテル（メチルトリグライム）、テトラエチレングリコールジメチルエーテル（メチルテトラグライム）を用いると、フルオロホスファゼン誘導体を短時間かつ高収率で得ることができるため特に好ましい。
【００２３】
また、前記グライム類の他に、触媒量の、環状カーボネート、鎖状カーボネート、環状エステル、鎖状エステル、または、環状エーテルを付加的に添加してもよい。上記の具体例として、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネート、ブチレンカーボネート等の環状カーボネート、ジエチルカーボネート、ジメチルカーボネート、エチルメチルカーボネート等の鎖状カーボネート、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン等の環状エステル、酢酸メチル、酢酸エチル、プロピオン酸メチル等の鎖状エステル、１２−クラウン−４、１５−クラウン−５、１８−クラウン−６等の環状エーテル等を挙げることができる。
【００２４】
前記グライム類の使用量は、ヒドロキシル基を有する化合物の０．０００５〜０．１倍モルの触媒量で良く、好ましくは０．０１〜０．０５倍モルである。０．０００５倍モルより少ない場合は、反応の進行が非常に遅くなり、効率的でないため好ましくない。０．１倍モルより多い場合は、想定以上にアルコキシ基が導入され、収率が低下するため好ましくない。
【００２５】
前記反応は、２０〜８０℃の温度条件において、１〜７２時間行われることが好ましい。２０℃未満の場合、ペルフルオロシクロポリホスファゼンが固体となりやすく反応が困難になる傾向があるため好ましくなく、８０℃超の場合、反応の制御が困難になる傾向があるため好ましくない。製造効率の点から２０〜８０℃が好ましく、２５〜５０℃がより好ましい。前記反応時間としては生産性の観点から１〜７２時間が好ましく、１〜６０時間がより好ましい。また、本発明のフルオロホスファゼン誘導体の収率は、生産性の観点から、５０％以上が好ましく、６０％以上が特に好ましい。
【００２６】
また、前記反応は、密閉系で行われ、圧力は特に限定されないが、常圧が好ましい。また、原料のペルフルオロシクロポリホスファゼンや、生成したフルオロホスファゼン誘導体が、塩化合物と水の作用によって加水分解されることを避けるために、前記反応は、窒素などの不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。
【００２７】
分子構造中にヒドロキシル基を少なくとも１つ有する化合物は、１級、２級または３級のアルコール類であることが好ましい。
【００２８】
前記ヒドロキシル基を少なくとも１つ有する化合物としては、特に制限はないが、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール（ｎ−プロパノール、２−プロパノール等）、アリルアルコール、プロパルギルアルコール、ブタノール（ｎ−ブタノール、２−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール等）、２，２，２−トリフルオロエタノール、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロパノール、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロパノール、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−メチル−２−プロパノール、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−ビニル−２−プロパノール、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−フェニル−２−プロパノールのようなアルコール類を挙げることができる。また、上記のヒドロキシル基を有する化合物は、一種類を単独で用いても良く、二種類以上を組合せて任意の割合で混合して用いても良い。
【００２９】
前記ヒドロキシル基を少なくとも１つ有する化合物の量は、特に限定するものではないが、ペルフルオロシクロポリホスファゼンのフッ素原子１つと反応させたい場合は、ペルフルオロシクロポリホスファゼンに対し１／６〜１／２倍モルが好ましく、等モル以上になると二置換以上のものの生成量が多くなるため好ましくない。この際、過剰のペルフルオロシクロポリホスファゼンは蒸留により回収され、再利用することができる。
【００３０】
また、前記の１級、２級または３級のアルコール類の他に、下記一般式［４］で表されるフェノール類を付加的に添加してもよい。
（式［４］中Ａはそれぞれ独立して、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲンで置換された低級アルキル基、及び、ハロゲンで置換された低級アルコキシ基からなる群から選ばれる少なくとも１つの基を示し、ｍは０または１〜５の正の整数である）
【００３１】
前記フェノール類としては、特に制限はないが、例えば、フェノール、アセチルフェノール（４−アセチルフェノール等）、メトキシフェノール（４−メトキシフェノール等）、ニトロフェノール（４−ニトロフェノール等）、ヒドロキシ安息香酸（サリチル酸等）、フルオロフェノール（４−フルオロフェノール等）、クロロフェノール（４−クロロフェノール等）、ブロモフェノール（４−ブロモフェノール等）、ヨードフェノール（４−ヨードフェノール等）、クレゾール（ｐ−クレゾール等）、エチルフェノール（４−エチルフェノール等）、プロピルフェノール（４−プロピルフェノール等）、トリフルオロメチルフェノール（４−トリフルオロメチルフェノール等）を挙げることができる。
【００３２】
本発明のフルオロホスファゼン誘導体の製造方法では、得られるフルオロホスファゼン誘導体の目的を阻害しない範囲で、例えば、溶媒、触媒、難燃剤の成分を原料に添加してもよい。ただし、溶媒が存在すると、原料、反応生成物、溶媒と３成分となり、分離の効率が低下する傾向があるため、前記溶媒成分は少ないほど好ましく、無溶媒でフルオロホスファゼン誘導体の製造が行われることがより好ましい。
【００３３】
また、前記反応の後に反応液を蒸留精製することによりフルオロホスファゼン誘導体を得ることができる。該蒸留精製は蒸留精製用の釜にヴィグリューカラムまたは充填塔などの蒸留塔、ならびに分留塔を備え付け、常圧で行われることが好ましい。
【実施例】
【００３４】
以下に、実施例と比較例を挙げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明は下記の実施例に何ら限定されるものではない。
【００３５】
（実施例１）
［フルオロホスファゼン誘導体の合成］
１Ｌ三つ口ガラスフラスコに三方コックを備え付け、フラスコに（ＰＮＦ２）３（７５０ｍｍｏｌ）、２，２，２−トリフルオロエタノール（２５０ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（塩化合物：Ｎａ２ＣＯ３、３７５ｍｍｏｌ）、メチルトリグライム（２．５ｍｍｏｌ）の順に添加し、窒素雰囲気下、常圧、２５℃で２４時間反応させ、蒸留精製にて初留の（ＰＮＦ２）３を分離除去し、主留の下記構造式で表されるフルオロホスファゼン誘導体１を収率８１％で得た。なお、不純物は未反応原料であり、目的物以外の多置換体の生成はＮＭＲスペクトルで確認されなかったことから、優れた反応制御性を示すことが確認できた。結果を表１に示す。
【００３６】
【表１】
【００３７】
（実施例２）
実施例１の「フルオロホスファゼン誘導体の合成」において、２，２，２−トリフルオロエタノールを１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロパノールに代えたほかは、実施例１と同様にして、下記構造式で表されるフルオロホスファゼン誘導体２を収率７７％で得た。なお、不純物は未反応原料であり、目的物以外の多置換体の生成は確認されなかったことから、優れた反応制御性を示すことが確認できた。結果を表１に示す。
【００３８】
（実施例３）
実施例１の「フルオロホスファゼン誘導体の合成」において、２，２，２−トリフルオロエタノールを１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−メチル−２−プロパノールに代えたほかは、実施例１と同様にして、下記構造式で表されるフルオロホスファゼン誘導体３を収率７６％で得た。なお、不純物は未反応原料であり、目的物以外の多置換体の生成は確認されなかったことから、優れた反応制御性を示すことが確認できた。結果を表１に示す。
【００３９】
（実施例４）
実施例１の「フルオロホスファゼン誘導体の合成」において、２，２，２−トリフルオロエタノールを１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−ビニル−２−プロパノールに代えたほかは、実施例１と同様にして、下記構造式で表されるフルオロホスファゼン誘導体４を収率７３％で得た。なお、不純物は未反応原料であり、目的物以外の多置換体の生成は確認されなかったことから、優れた反応制御性を示すことが確認できた。結果を表１に示す。
【００４０】
（実施例５）
実施例１の「フルオロホスファゼン誘導体の合成」において、メチルトリグライムをメチルテトラグライムに代えたほかは、実施例１と同様にして、フルオロホスファゼン誘導体１を収率８２％で得た。なお、不純物は未反応原料であり、目的物以外の多置換体の生成は確認されなかったことから、優れた反応制御性を示すことが確認できた。結果を表１に示す。
【００４１】
（実施例６）
実施例２の「フルオロホスファゼン誘導体の合成」において、メチルトリグライムをメチルテトラグライムに代えたほかは、実施例２と同様にして、フルオロホスファゼン誘導体２を収率７９％で得た。なお、不純物は未反応原料であり、目的物以外の多置換体の生成は確認されなかったことから、優れた反応制御性を示すことが確認できた。結果を表１に示す。
【００４２】
（実施例７）
実施例１の「フルオロホスファゼン誘導体の合成」において、２，２，２−トリフルオロエタノールを１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−フェニル−２−プロパノールに、メチルトリグライムをメチルモノグライムに代えたほかは、実施例１と同様にして、下記構造式で表されるフルオロホスファゼン誘導体５を収率８０％で得た。なお、不純物は未反応原料であり、目的物以外の多置換体の生成は確認されなかったことから、優れた反応制御性を示すことが確認できた。結果を表１に示す。
【００４３】
（実施例８）
実施例２の「フルオロホスファゼン誘導体の合成」において、反応時間２４時間を１２時間に、炭酸ナトリウムを炭酸カリウム（塩化合物：Ｋ２ＣＯ３）に代えたほかは、実施例２と同様にして、フルオロホスファゼン誘導体２を収率６８％で得た。なお、不純物は未反応原料であり、目的物以外の多置換体の生成は確認されなかったことから、優れた反応制御性を示すことが確認できた。結果を表１に示す。
【００４４】
（実施例９）
実施例２の「フルオロホスファゼン誘導体の合成」において、反応時間２４時間を４８時間に、炭酸ナトリウムを炭酸リチウム（塩化合物：Ｌｉ２ＣＯ３）に代えたほかは、実施例２と同様にして、フルオロホスファゼン誘導体２を収率７１％で得た。なお、不純物は未反応原料であり、目的物以外の多置換体の生成は確認されなかったことから、優れた反応制御性を示すことが確認できた。結果を表１に示す。
【００４５】
（実施例１０）
実施例２の「フルオロホスファゼン誘導体の合成」において、反応温度２５℃を４０℃に、反応時間２４時間を２時間に代えたほかは、実施例２と同様にして、フルオロホスファゼン誘導体２を収率６６％で得た。なお、不純物は未反応原料であり、目的物以外の多置換体の生成は確認されなかったことから、優れた反応制御性を示すことが確認できた。結果を表１に示す。
【００４６】
（実施例１１）
実施例２の「フルオロホスファゼン誘導体の合成」において、メチルトリグライム０．０１倍モルを０．００１倍モルに、反応時間２４時間を４８時間に代えたほかは、実施例２と同様にして、フルオロホスファゼン誘導体２を収率７５％で得た。なお、不純物は未反応原料であり、目的物以外の多置換体の生成は確認されなかったことから、優れた反応制御性を示すことが確認できた。結果を表１に示す。
【００４７】
（実施例１２）
実施例２の「フルオロホスファゼン誘導体の合成」において、メチルトリグライム０．０１倍モルを０．０５倍モルに、反応時間２４時間を６時間に代えたほかは、実施例２と同様にして、フルオロホスファゼン誘導体２を収率７０％で得た。なお、不純物は未反応原料であり、目的物以外の多置換体の生成は確認されなかったことから、優れた反応制御性を示すことが確認できた。結果を表１に示す。
【００４８】
（実施例１３）
実施例２の「フルオロホスファゼン誘導体の合成」において、メチルトリグライム０．０１倍モルを０．０００１倍モルに、反応時間２４時間を７２時間に代えたほかは、実施例２と同様にして、フルオロホスファゼン誘導体２を収率５２％で得た。なお、不純物は未反応原料であり、目的物以外の多置換体の生成は確認されなかったことから、優れた反応制御性を示すことが確認できたが、反応に長時間を要した。
【００４９】
（実施例１４）
実施例２の「フルオロホスファゼン誘導体の合成」において、メチルトリグライム０．０１倍モルを１倍モルに、反応時間２４時間を１時間に代えたほかは、実施例２と同様にして、フルオロホスファゼン誘導体２を収率５０％で得た。なお、不純物は未反応原料、及び、目的物以外の多置換体であった。
【００５０】
（比較例１）
実施例２の「フルオロホスファゼン誘導体の合成」において、反応温度２５℃を８０℃に、反応時間２４時間を５時間に変更し、メチルトリグライムを添加せず、ヘキサンを溶媒として用いたほかは、実施例２と同様にして、フルオロホスファゼン誘導体２を収率４０％で得た。なお、不純物は未反応原料、及び、目的物以外の多置換体であったことから、反応制御性が悪かった。結果を表１に示す。
【００５１】
（比較例２）
実施例２の「フルオロホスファゼン誘導体の合成」において、反応温度２５℃を４０℃に、反応時間２４時間を１４日間に変更し、メチルトリグライムを添加しなかったほかは、実施例２と同様にして、フルオロホスファゼン誘導体２を収率７６％で得た。なお、不純物は未反応原料であり、目的物以外の多置換体の生成は確認されなかったことから、優れた反応制御性を示すことが確認できたが、反応に長時間を要し、生産性が悪かった。結果を表１に示す。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フルオロホスファゼン誘導体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
Ｎ−Ｐ結合を有する化合物の中で、ホスファゼンと呼ばれる化合物は、難燃剤、耐熱材、触媒、分離剤や安定剤などに利用されている。中でも難燃剤や耐熱材に多く利用されており、近年では非水電解液にフルオロホスファゼン誘導体を添加し、非水電解液に難燃性を付与して、短絡等の非常時に電池が発火・引火する危険性を大幅に低減した非水電解液二次電池にも利用されている（特許文献１参照）。この特許文献によると、ペルフルオロシクロポリホスファゼンにアルコキシ基などを導入することで、フルオロホスファゼン誘導体を製造し、非水電解液に添加することで効果的な難燃剤になることを示している。上記特許文献１に開示のフルオロホスファゼンの製造方法は、ペルフルオロシクロポリホスファゼンにアルカリ金属アルコキシドを反応させるか、アルカリ金属塩化合物存在下でヒドロキシル基を有する化合物を反応させるものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第０３／００５４７９号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記特許文献１に開示のフルオロホスファゼン誘導体の製造方法においては、アルカリ金属アルコキシドを反応剤に用いた場合、反応の制御が難しく、複数箇所にアルコキシ基が導入され、目的物以外のフルオロホスファゼン誘導体も多数生成し、収率が低下するという問題があり、アルカリ金属塩化合物存在下でヒドロキシル基を有する化合物を反応剤に用いる場合も、得られるフルオロホスファゼン誘導体の沸点が反応溶媒に接近しているものも存在するため、その場合収率の低下が懸念される。また、導入するアルコキシ基の原料であるヒドロキシル基を有する化合物が常温で液体の場合は、それ自身が溶媒として使用できる可能性はあるが、反応の制御が困難になることが懸念される。そこで、本発明の目的は、フルオロホスファゼンの安価で効率的な製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは、かかる問題に鑑み鋭意検討の結果、ペルフルオロシクロポリホスファゼンから、フルオロホスファゼン誘導体を安価で効率的に製造する方法を見出し、本発明に至った。
【０００６】
すなわち本発明は、メチルモノグライム、エチルモノグライム、プロピルモノグライム、ブチルモノグライム、メチルジグライム、エチルジグライム、プロピルジグライム、ブチルジグライム、メチルトリグライム、エチルトリグライム、メチルテトラグライムからなる群から選ばれる少なくとも１つのグライム類、及び、塩化合物の共存下、分子構造中にヒドロキシル基を少なくとも１つ有する化合物と下記一般式［１］で表されるペルフルオロシクロポリホスファゼンとを反応させ、下記一般式［２］で表されるフルオロホスファゼン誘導体を得ることを特徴とするフルオロホスファゼン誘導体の製造方法である。
（ＰＮＦ２）ｎ ［１］
（式中、ｎは３〜１４を表す。）
（ＰＮＲ２）ｎ ［２］
（式中、Ｒはそれぞれ互いに独立して、フッ素原子、または、アルコキシ基であって、全Ｒのうち少なくとも１つはアルコキシ基であり、ｎは３〜１４である。）
【０００７】
また、前記アルコキシ基が、１級、２級、及び、３級のアルコキシ基から選ばれる少なくとも一種類であるフルオロホスファゼン誘導体の製造方法である。
【０００８】
また、前記塩化合物が、アルカリ金属の炭酸塩、炭酸水素塩、硫酸塩、及び、硝酸塩からなる群から選ばれる少なくとも一種類であるフルオロホスファゼン誘導体の製造方法である。
【０００９】
また、前記グライム類の添加量が、前記分子構造中にヒドロキシル基を少なくとも１つ有する化合物の０．０００５〜０．１倍モルであるフルオロホスファゼン誘導体の製造方法である。
【００１０】
また、前記反応が、２０〜８０℃の温度条件において、１〜７２時間行われるフルオロホスファゼン誘導体の製造方法である。
【００１１】
また、分子構造中にヒドロキシル基を少なくとも１つ有する化合物が、１級、２級または３級のアルコール類から選択される少なくとも一種類であるフルオロホスファゼン誘導体の製造方法である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明により、難燃剤として利用されているフルオロホスファゼン誘導体を迅速且つ効率的に製造する方法を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明について詳細に説明する。
【００１４】
本発明のフルオロホスファゼン誘導体の製造方法は、メチルモノグライム、エチルモノグライム、プロピルモノグライム、ブチルモノグライム、メチルジグライム、エチルジグライム、プロピルジグライム、ブチルジグライム、メチルトリグライム、エチルトリグライム、メチルテトラグライムからなる群から選ばれる少なくとも１つのグライム類、及び、塩化合物の共存下、分子構造中にヒドロキシル基を少なくとも１つ有する化合物と下記一般式［１］で表されるペルフルオロシクロポリホスファゼンとを反応させ、下記一般式［２］で表されるフルオロホスファゼン誘導体を得るものである。
（ＰＮＦ２）ｎ ［１］
（式中、ｎは３〜１４を表す。）
（ＰＮＲ２）ｎ ［２］
（式中、Ｒはそれぞれ互いに独立して、フッ素原子、または、アルコキシ基であって、全Ｒのうち少なくとも１つはアルコキシ基であり、ｎは３〜１４である。）
【００１５】
前記一般式［１］で表されるペルフルオロシクロポリホスファゼンとしては、例えば、ヘキサフルオロシクロトリホスファゼン、オクタフルオロシクロテトラホスファゼン等を挙げることができる。
【００１６】
前記一般式［２］で表されるフルオロホスファゼン誘導体のＲで表される有機基は、アルコキシ基であることが好ましい。前記有機基が、アルコキシ基であると、前記一般式［２］で表されるフルオロホスファゼン誘導体が液体として存在する温度範囲が広くなるため好ましい。
【００１７】
また、前記アルコキシ基は、１級、２級、及び、３級のアルコキシ基から選ばれる少なくとも一種類であることが好ましい。前記アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、トリフルオロエトキシ基、ヘキサフルオロプロポキシ基等を挙げることができる。中でも、トルフルオロエトキシ基、ヘキサフルオロプロポキシ基が特に好ましい。
【００１８】
前記反応は、塩化合物存在下、メチルモノグライム、エチルモノグライム、プロピルモノグライム、ブチルモノグライム、メチルジグライム、エチルジグライム、プロピルジグライム、ブチルジグライム、メチルトリグライム、エチルトリグライム、メチルテトラグライムからなる群から選ばれる少なくとも１つのグライム類を触媒量添加することにより行われることが好ましい。前記塩化合物が存在することによりエーテル化反応が進行するため好ましく、また、グライム類を添加することにより反応速度が増すため好ましい。
【００１９】
前記塩化合物は、アルカリ金属の炭酸塩、炭酸水素塩、硫酸塩、及び、硝酸塩からなる群から選ばれる少なくとも一種類であることが好ましい。例えば、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、炭酸水素リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素セシウム、硫酸リチウム、硫酸ナトリウム、硫酸カリウム、硫酸セシウム、硝酸リチウム、硝酸ナトリウム、硝酸カリウム、硝酸セシウム等を挙げることができる。これらの中で特に、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウムが好ましい。また、上記の塩化合物は、一種類を単独で用いても良く、二種類以上を組合せて任意の割合で混合して用いても良い。
【００２０】
前記塩化合物の使用量は、特に限定するものではないが、本発明における反応により発生するフッ化水素をフッ化物塩として除去できるので、ペルフルオロシクロポリホスファゼン一分子が有するフッ素原子のうち、反応で除去したいリン原子上のフッ素原子の数をｍ、アルカリ金属塩化合物一分子が有するアルカリ金属原子の数をｎとすると、前記塩化合物の使用量は、ペルフルオロシクロポリホスファゼンに対し、ｍ／ｎ倍モル〜５ｍ／ｎ倍モル、好ましくは１．５ｍ／ｎ倍モル〜３ｍ／ｎ倍モルの範囲である。ｍ／ｎ倍モルより少ない場合は、反応が最後まで進行しないため好ましくない。一方５ｍ／ｎ倍モルより多い場合は、経済的でなく、固形廃棄物も多くなるという問題がある。
【００２１】
前記グライム類は、メチルモノグライム（エチレングリコールジメチルエーテル）、エチルモノグライム（エチレングリコールジエチルエーテル）、プロピルモノグライム（エチレングリコールジプロピルエーテル）、ブチルモノグライム（エチレングリコールジブチルエーテル）、メチルジグライム（ジエチレングリコールジメチルエーテル）、エチルジグライム（ジエチレングリコールジエチルエーテル）、プロピルジグライム（ジエチレングリコールジプロピルエーテル）、ブチルジグライム（ジエチレングリコールジブチルエーテル）、メチルトリグライム（トリエチレングリコールジメチルエーテル）、エチルトリグライム（トリエチレングリコールジエチルエーテル）、メチルテトラグライム（テトラエチレングリコールジメチルエーテル）からなる群から選ばれる少なくとも１つの化合物であることが好ましい。
【００２２】
上記の鎖状グリコールエーテル類の中でも、エチレングリコールジメチルエーテル（メチルモノグライム）トリエチレングリコールジメチルエーテル（メチルトリグライム）、テトラエチレングリコールジメチルエーテル（メチルテトラグライム）を用いると、フルオロホスファゼン誘導体を短時間かつ高収率で得ることができるため特に好ましい。
【００２３】
また、前記グライム類の他に、触媒量の、環状カーボネート、鎖状カーボネート、環状エステル、鎖状エステル、または、環状エーテルを付加的に添加してもよい。上記の具体例として、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネート、ブチレンカーボネート等の環状カーボネート、ジエチルカーボネート、ジメチルカーボネート、エチルメチルカーボネート等の鎖状カーボネート、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン等の環状エステル、酢酸メチル、酢酸エチル、プロピオン酸メチル等の鎖状エステル、１２−クラウン−４、１５−クラウン−５、１８−クラウン−６等の環状エーテル等を挙げることができる。
【００２４】
前記グライム類の使用量は、ヒドロキシル基を有する化合物の０．０００５〜０．１倍モルの触媒量で良く、好ましくは０．０１〜０．０５倍モルである。０．０００５倍モルより少ない場合は、反応の進行が非常に遅くなり、効率的でないため好ましくない。０．１倍モルより多い場合は、想定以上にアルコキシ基が導入され、収率が低下するため好ましくない。
【００２５】
前記反応は、２０〜８０℃の温度条件において、１〜７２時間行われることが好ましい。２０℃未満の場合、ペルフルオロシクロポリホスファゼンが固体となりやすく反応が困難になる傾向があるため好ましくなく、８０℃超の場合、反応の制御が困難になる傾向があるため好ましくない。製造効率の点から２０〜８０℃が好ましく、２５〜５０℃がより好ましい。前記反応時間としては生産性の観点から１〜７２時間が好ましく、１〜６０時間がより好ましい。また、本発明のフルオロホスファゼン誘導体の収率は、生産性の観点から、５０％以上が好ましく、６０％以上が特に好ましい。
【００２６】
また、前記反応は、密閉系で行われ、圧力は特に限定されないが、常圧が好ましい。また、原料のペルフルオロシクロポリホスファゼンや、生成したフルオロホスファゼン誘導体が、塩化合物と水の作用によって加水分解されることを避けるために、前記反応は、窒素などの不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。
【００２７】
分子構造中にヒドロキシル基を少なくとも１つ有する化合物は、１級、２級または３級のアルコール類であることが好ましい。
【００２８】
前記ヒドロキシル基を少なくとも１つ有する化合物としては、特に制限はないが、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール（ｎ−プロパノール、２−プロパノール等）、アリルアルコール、プロパルギルアルコール、ブタノール（ｎ−ブタノール、２−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール等）、２，２，２−トリフルオロエタノール、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロパノール、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロパノール、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−メチル−２−プロパノール、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−ビニル−２−プロパノール、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−フェニル−２−プロパノールのようなアルコール類を挙げることができる。また、上記のヒドロキシル基を有する化合物は、一種類を単独で用いても良く、二種類以上を組合せて任意の割合で混合して用いても良い。
【００２９】
前記ヒドロキシル基を少なくとも１つ有する化合物の量は、特に限定するものではないが、ペルフルオロシクロポリホスファゼンのフッ素原子１つと反応させたい場合は、ペルフルオロシクロポリホスファゼンに対し１／６〜１／２倍モルが好ましく、等モル以上になると二置換以上のものの生成量が多くなるため好ましくない。この際、過剰のペルフルオロシクロポリホスファゼンは蒸留により回収され、再利用することができる。
【００３０】
また、前記の１級、２級または３級のアルコール類の他に、下記一般式［４］で表されるフェノール類を付加的に添加してもよい。
（式［４］中Ａはそれぞれ独立して、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲンで置換された低級アルキル基、及び、ハロゲンで置換された低級アルコキシ基からなる群から選ばれる少なくとも１つの基を示し、ｍは０または１〜５の正の整数である）
【００３１】
前記フェノール類としては、特に制限はないが、例えば、フェノール、アセチルフェノール（４−アセチルフェノール等）、メトキシフェノール（４−メトキシフェノール等）、ニトロフェノール（４−ニトロフェノール等）、ヒドロキシ安息香酸（サリチル酸等）、フルオロフェノール（４−フルオロフェノール等）、クロロフェノール（４−クロロフェノール等）、ブロモフェノール（４−ブロモフェノール等）、ヨードフェノール（４−ヨードフェノール等）、クレゾール（ｐ−クレゾール等）、エチルフェノール（４−エチルフェノール等）、プロピルフェノール（４−プロピルフェノール等）、トリフルオロメチルフェノール（４−トリフルオロメチルフェノール等）を挙げることができる。
【００３２】
本発明のフルオロホスファゼン誘導体の製造方法では、得られるフルオロホスファゼン誘導体の目的を阻害しない範囲で、例えば、溶媒、触媒、難燃剤の成分を原料に添加してもよい。ただし、溶媒が存在すると、原料、反応生成物、溶媒と３成分となり、分離の効率が低下する傾向があるため、前記溶媒成分は少ないほど好ましく、無溶媒でフルオロホスファゼン誘導体の製造が行われることがより好ましい。
【００３３】
また、前記反応の後に反応液を蒸留精製することによりフルオロホスファゼン誘導体を得ることができる。該蒸留精製は蒸留精製用の釜にヴィグリューカラムまたは充填塔などの蒸留塔、ならびに分留塔を備え付け、常圧で行われることが好ましい。
【実施例】
【００３４】
以下に、実施例と比較例を挙げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明は下記の実施例に何ら限定されるものではない。
【００３５】
（実施例１）
［フルオロホスファゼン誘導体の合成］
１Ｌ三つ口ガラスフラスコに三方コックを備え付け、フラスコに（ＰＮＦ２）３（７５０ｍｍｏｌ）、２，２，２−トリフルオロエタノール（２５０ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（塩化合物：Ｎａ２ＣＯ３、３７５ｍｍｏｌ）、メチルトリグライム（２．５ｍｍｏｌ）の順に添加し、窒素雰囲気下、常圧、２５℃で２４時間反応させ、蒸留精製にて初留の（ＰＮＦ２）３を分離除去し、主留の下記構造式で表されるフルオロホスファゼン誘導体１を収率８１％で得た。なお、不純物は未反応原料であり、目的物以外の多置換体の生成はＮＭＲスペクトルで確認されなかったことから、優れた反応制御性を示すことが確認できた。結果を表１に示す。
【００３６】
【表１】
【００３７】
（実施例２）
実施例１の「フルオロホスファゼン誘導体の合成」において、２，２，２−トリフルオロエタノールを１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロパノールに代えたほかは、実施例１と同様にして、下記構造式で表されるフルオロホスファゼン誘導体２を収率７７％で得た。なお、不純物は未反応原料であり、目的物以外の多置換体の生成は確認されなかったことから、優れた反応制御性を示すことが確認できた。結果を表１に示す。
【００３８】
（実施例３）
実施例１の「フルオロホスファゼン誘導体の合成」において、２，２，２−トリフルオロエタノールを１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−メチル−２−プロパノールに代えたほかは、実施例１と同様にして、下記構造式で表されるフルオロホスファゼン誘導体３を収率７６％で得た。なお、不純物は未反応原料であり、目的物以外の多置換体の生成は確認されなかったことから、優れた反応制御性を示すことが確認できた。結果を表１に示す。
【００３９】
（実施例４）
実施例１の「フルオロホスファゼン誘導体の合成」において、２，２，２−トリフルオロエタノールを１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−ビニル−２−プロパノールに代えたほかは、実施例１と同様にして、下記構造式で表されるフルオロホスファゼン誘導体４を収率７３％で得た。なお、不純物は未反応原料であり、目的物以外の多置換体の生成は確認されなかったことから、優れた反応制御性を示すことが確認できた。結果を表１に示す。
【００４０】
（実施例５）
実施例１の「フルオロホスファゼン誘導体の合成」において、メチルトリグライムをメチルテトラグライムに代えたほかは、実施例１と同様にして、フルオロホスファゼン誘導体１を収率８２％で得た。なお、不純物は未反応原料であり、目的物以外の多置換体の生成は確認されなかったことから、優れた反応制御性を示すことが確認できた。結果を表１に示す。
【００４１】
（実施例６）
実施例２の「フルオロホスファゼン誘導体の合成」において、メチルトリグライムをメチルテトラグライムに代えたほかは、実施例２と同様にして、フルオロホスファゼン誘導体２を収率７９％で得た。なお、不純物は未反応原料であり、目的物以外の多置換体の生成は確認されなかったことから、優れた反応制御性を示すことが確認できた。結果を表１に示す。
【００４２】
（実施例７）
実施例１の「フルオロホスファゼン誘導体の合成」において、２，２，２−トリフルオロエタノールを１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−フェニル−２−プロパノールに、メチルトリグライムをメチルモノグライムに代えたほかは、実施例１と同様にして、下記構造式で表されるフルオロホスファゼン誘導体５を収率８０％で得た。なお、不純物は未反応原料であり、目的物以外の多置換体の生成は確認されなかったことから、優れた反応制御性を示すことが確認できた。結果を表１に示す。
【００４３】
（実施例８）
実施例２の「フルオロホスファゼン誘導体の合成」において、反応時間２４時間を１２時間に、炭酸ナトリウムを炭酸カリウム（塩化合物：Ｋ２ＣＯ３）に代えたほかは、実施例２と同様にして、フルオロホスファゼン誘導体２を収率６８％で得た。なお、不純物は未反応原料であり、目的物以外の多置換体の生成は確認されなかったことから、優れた反応制御性を示すことが確認できた。結果を表１に示す。
【００４４】
（実施例９）
実施例２の「フルオロホスファゼン誘導体の合成」において、反応時間２４時間を４８時間に、炭酸ナトリウムを炭酸リチウム（塩化合物：Ｌｉ２ＣＯ３）に代えたほかは、実施例２と同様にして、フルオロホスファゼン誘導体２を収率７１％で得た。なお、不純物は未反応原料であり、目的物以外の多置換体の生成は確認されなかったことから、優れた反応制御性を示すことが確認できた。結果を表１に示す。
【００４５】
（実施例１０）
実施例２の「フルオロホスファゼン誘導体の合成」において、反応温度２５℃を４０℃に、反応時間２４時間を２時間に代えたほかは、実施例２と同様にして、フルオロホスファゼン誘導体２を収率６６％で得た。なお、不純物は未反応原料であり、目的物以外の多置換体の生成は確認されなかったことから、優れた反応制御性を示すことが確認できた。結果を表１に示す。
【００４６】
（実施例１１）
実施例２の「フルオロホスファゼン誘導体の合成」において、メチルトリグライム０．０１倍モルを０．００１倍モルに、反応時間２４時間を４８時間に代えたほかは、実施例２と同様にして、フルオロホスファゼン誘導体２を収率７５％で得た。なお、不純物は未反応原料であり、目的物以外の多置換体の生成は確認されなかったことから、優れた反応制御性を示すことが確認できた。結果を表１に示す。
【００４７】
（実施例１２）
実施例２の「フルオロホスファゼン誘導体の合成」において、メチルトリグライム０．０１倍モルを０．０５倍モルに、反応時間２４時間を６時間に代えたほかは、実施例２と同様にして、フルオロホスファゼン誘導体２を収率７０％で得た。なお、不純物は未反応原料であり、目的物以外の多置換体の生成は確認されなかったことから、優れた反応制御性を示すことが確認できた。結果を表１に示す。
【００４８】
（実施例１３）
実施例２の「フルオロホスファゼン誘導体の合成」において、メチルトリグライム０．０１倍モルを０．０００１倍モルに、反応時間２４時間を７２時間に代えたほかは、実施例２と同様にして、フルオロホスファゼン誘導体２を収率５２％で得た。なお、不純物は未反応原料であり、目的物以外の多置換体の生成は確認されなかったことから、優れた反応制御性を示すことが確認できたが、反応に長時間を要した。
【００４９】
（実施例１４）
実施例２の「フルオロホスファゼン誘導体の合成」において、メチルトリグライム０．０１倍モルを１倍モルに、反応時間２４時間を１時間に代えたほかは、実施例２と同様にして、フルオロホスファゼン誘導体２を収率５０％で得た。なお、不純物は未反応原料、及び、目的物以外の多置換体であった。
【００５０】
（比較例１）
実施例２の「フルオロホスファゼン誘導体の合成」において、反応温度２５℃を８０℃に、反応時間２４時間を５時間に変更し、メチルトリグライムを添加せず、ヘキサンを溶媒として用いたほかは、実施例２と同様にして、フルオロホスファゼン誘導体２を収率４０％で得た。なお、不純物は未反応原料、及び、目的物以外の多置換体であったことから、反応制御性が悪かった。結果を表１に示す。
【００５１】
（比較例２）
実施例２の「フルオロホスファゼン誘導体の合成」において、反応温度２５℃を４０℃に、反応時間２４時間を１４日間に変更し、メチルトリグライムを添加しなかったほかは、実施例２と同様にして、フルオロホスファゼン誘導体２を収率７６％で得た。なお、不純物は未反応原料であり、目的物以外の多置換体の生成は確認されなかったことから、優れた反応制御性を示すことが確認できたが、反応に長時間を要し、生産性が悪かった。結果を表１に示す。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メチルモノグライム、エチルモノグライム、プロピルモノグライム、ブチルモノグライム、メチルジグライム、エチルジグライム、プロピルジグライム、ブチルジグライム、メチルトリグライム、エチルトリグライム、メチルテトラグライムからなる群から選ばれる少なくとも１つのグライム類、及び、塩化合物の共存下、分子構造中にヒドロキシル基を少なくとも１つ有する化合物と下記一般式［１］で表されるペルフルオロシクロポリホスファゼンとを反応させ、下記一般式［２］で表されるフルオロホスファゼン誘導体を得ることを特徴とするフルオロホスファゼン誘導体の製造方法。
（ＰＮＦ２）ｎ ［１］
（式中、ｎは３〜１４を表す。）
（ＰＮＲ２）ｎ ［２］
（式中、Ｒはそれぞれ互いに独立して、フッ素原子、または、アルコキシ基であって、全Ｒのうち少なくとも１つはアルコキシ基であり、ｎは３〜１４である。）
【請求項２】
前記アルコキシ基が、１級、２級、及び、３級のアルコキシ基から選ばれる少なくとも一種類であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のフルオロホスファゼン誘導体の製造方法。
【請求項３】
前記塩化合物が、アルカリ金属の炭酸塩、炭酸水素塩、硫酸塩、及び、硝酸塩からなる群から選ばれる少なくとも一種類であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のフルオロホスファゼン誘導体の製造方法。
【請求項４】
前記グライム類の添加量が、前記分子構造中にヒドロキシル基を少なくとも１つ有する化合物の０．０００５〜０．１倍モルであることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のフルオロホスファゼン誘導体の製造方法。
【請求項５】
前記反応が、２０〜８０℃の温度条件において、１〜７２時間行われる請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のフルオロホスファゼン誘導体の製造方法。
【請求項６】
分子構造中にヒドロキシル基を少なくとも１つ有する化合物が、１級、２級または３級のアルコール類から選択される少なくとも一種類であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のフルオロホスファゼン誘導体の製造方法。
【請求項１】
メチルモノグライム、エチルモノグライム、プロピルモノグライム、ブチルモノグライム、メチルジグライム、エチルジグライム、プロピルジグライム、ブチルジグライム、メチルトリグライム、エチルトリグライム、メチルテトラグライムからなる群から選ばれる少なくとも１つのグライム類、及び、塩化合物の共存下、分子構造中にヒドロキシル基を少なくとも１つ有する化合物と下記一般式［１］で表されるペルフルオロシクロポリホスファゼンとを反応させ、下記一般式［２］で表されるフルオロホスファゼン誘導体を得ることを特徴とするフルオロホスファゼン誘導体の製造方法。
（ＰＮＦ２）ｎ ［１］
（式中、ｎは３〜１４を表す。）
（ＰＮＲ２）ｎ ［２］
（式中、Ｒはそれぞれ互いに独立して、フッ素原子、または、アルコキシ基であって、全Ｒのうち少なくとも１つはアルコキシ基であり、ｎは３〜１４である。）
【請求項２】
前記アルコキシ基が、１級、２級、及び、３級のアルコキシ基から選ばれる少なくとも一種類であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のフルオロホスファゼン誘導体の製造方法。
【請求項３】
前記塩化合物が、アルカリ金属の炭酸塩、炭酸水素塩、硫酸塩、及び、硝酸塩からなる群から選ばれる少なくとも一種類であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のフルオロホスファゼン誘導体の製造方法。
【請求項４】
前記グライム類の添加量が、前記分子構造中にヒドロキシル基を少なくとも１つ有する化合物の０．０００５〜０．１倍モルであることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のフルオロホスファゼン誘導体の製造方法。
【請求項５】
前記反応が、２０〜８０℃の温度条件において、１〜７２時間行われる請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のフルオロホスファゼン誘導体の製造方法。
【請求項６】
分子構造中にヒドロキシル基を少なくとも１つ有する化合物が、１級、２級または３級のアルコール類から選択される少なくとも一種類であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のフルオロホスファゼン誘導体の製造方法。
【公開番号】特開２０１２−１２６６５０（Ｐ２０１２−１２６６５０Ａ）
【公開日】平成２４年７月５日（２０１２．７．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２７６６３３（Ｐ２０１０−２７６６３３）
【出願日】平成２２年１２月１３日（２０１０．１２．１３）
【出願人】（０００００２２００）セントラル硝子株式会社 (1,198)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年７月５日（２０１２．７．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１２月１３日（２０１０．１２．１３）
【出願人】（０００００２２００）セントラル硝子株式会社 (1,198)
【Ｆターム（参考）】
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