プラズマディスプレイパネルの製造方法
【課題】封着中の放電遅れの増大を抑制できるＰＤＰの製造方法を提供する。
【解決手段】
表面に走査電極２２と維持電極２３とが設けられた前面板２０と、表面に複数のリブ３４とアドレス電極３２とリング状の封着部材３９とが設けられた背面板３０とを、互いに対面させた状態で、真空槽内に配置する配置工程と、真空槽内を真空排気しながら、封着部材３９を加熱して軟化させた後、冷却して固化させ、前面板２０と背面板３０とを固定する封着工程とを有するＰＤＰの製造方法であって、配置工程の後、封着工程の前に、真空槽内に放電ガスとは異なる不活性ガスを導入して、前面板２０と背面板３０との間の放電空間５０の圧力を増大させる不活性ガス導入工程が設けられ、封着工程の後に、放電空間５０を真空排気して放電空間５０の圧力を減少させた後、放電空間５０に放電ガスを導入する封止工程が設けられている。
【解決手段】
表面に走査電極２２と維持電極２３とが設けられた前面板２０と、表面に複数のリブ３４とアドレス電極３２とリング状の封着部材３９とが設けられた背面板３０とを、互いに対面させた状態で、真空槽内に配置する配置工程と、真空槽内を真空排気しながら、封着部材３９を加熱して軟化させた後、冷却して固化させ、前面板２０と背面板３０とを固定する封着工程とを有するＰＤＰの製造方法であって、配置工程の後、封着工程の前に、真空槽内に放電ガスとは異なる不活性ガスを導入して、前面板２０と背面板３０との間の放電空間５０の圧力を増大させる不活性ガス導入工程が設けられ、封着工程の後に、放電空間５０を真空排気して放電空間５０の圧力を減少させた後、放電空間５０に放電ガスを導入する封止工程が設けられている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）は表示装置の分野で広く用いられており、近年では、大画面で高品質かつ低価格のＰＤＰが要求されている。
一般にＰＤＰはガラス基板上に維持電極と走査電極とが形成されたフロントパネル（前面板）と、ガラス基板上にアドレス電極が形成されたリアパネル（背面板）とが貼り合わされて構成された３電極面放電型が主流となっている。
【０００３】
前面板と背面板との間には放電ガスが封入されており、走査電極とアドレス電極との間に電圧を印加して放電を発生させ、走査電極と維持電極との間に維持電圧を印加して封入された放電ガスをプラズマ化させると、プラズマから紫外線が放射される。紫外線が蛍光体に照射されると、蛍光体は励起して可視光を放出する。
【０００４】
維持電極上と走査電極上には、誘電体膜が形成され、誘電体膜上には、保護膜が形成されている。従来、この保護膜にはＭｇＯが用いられている。
放電を維持するために、走査電極と維持電極に交流電圧を印加すると、放電ガスのプラズマ化により発生した陽イオンが走査電極側と維持電極側に入射するが、走査電極と維持電極とそれらの電極上の誘電体膜は保護膜によって陽イオンから保護されている。
【０００５】
ＰＤＰの放電時の電圧（放電電圧）は、保護膜の二次電子放出係数に依存することが知られており、保護膜の二次電子放出係数が大きいほど（仕事関数が小さく電子を放出しやすいほど）、放電電圧が低電圧化することが知られている。
【０００６】
特許文献１では、仕事関数がＭｇＯよりも小さいアルカリ土類金属の酸化物を保護膜に用いて、放電電圧を低電圧化することが提案されている。
しかし、アルカリ土類金属酸化物はＨ2Ｏ、ＣＯ、ＣＯ2等の不純物ガスに対して極めて活性であり、パネルを大気に曝すと、大気中に含まれるこれらの不純物ガスと容易に反応し、水酸化物、炭酸塩が形成されてしまう。
そのため、エージング工程が非常に長くなってしまい、もしくはエージングしても放電電圧が低下しないという問題が知られている（非特許文献１参照）。
【０００７】
特許文献２、３では、保護膜形成後にパネルを加熱して、保護膜から不純物ガスを脱離させる技術が開示されている。
特許文献４、５では、保護膜形成後封着前まで、パネルを大気に曝さずに不活性ガス雰囲気中に置き、放電ガス雰囲気中で封着する技術が開示されている。しかし、不活性ガス雰囲気の圧力が具体的に開示されておらず、不活性ガス雰囲気の圧力を高くすると、不活性ガス雰囲気に含まれる不純物ガスの分圧も高くなり、保護膜に不純物ガスが吸着してしまうという問題があった。また、封着工程ではパネルが収容された真空槽内に高価な放電ガスを充満させるため、コストが高いという問題があった。
【０００８】
特許文献６では、パネルを大気に曝さず、一貫して真空雰囲気中に置いて、ＰＤＰを製造する真空一貫装置が提案されている。この装置によってＰＤＰを製造すれば、保護膜を大気に曝す必要がないため、保護膜表面への不純物ガスの吸着を最小限に抑えることができ、活性化工程を行わなくても、エージング時間を非常に短くできることが報告されている（非特許文献２参照）。
【０００９】
また、真空一貫装置を用いて作成したＰＤＰの特性としては、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯといったアルカリ土類金属を保護膜として用いたものは、ＭｇＯを保護膜として用いたものよりも放電電圧が低下し、Ｘｅ分圧を高くすることで高発光効率を得られることが報告されている。
【００１０】
ところで、ＰＤＰの画像表示には、１フィールドの映像を複数のサブフィールド（Ｓ．Ｆ．）に分割する階調表現方式（例えばフィールド内時分割表示方式）が用いられている。
時分割表示方式の重要な研究課題には「放電遅れ」の防止・抑制が挙げられる。ここで「放電遅れ」とは、駆動パルスの幅を狭くして高速駆動を行う際に、パルスの立ち上がりから遅れて放電が行われる現象を指す。「放電遅れ」が顕著になると、印加されたパルス幅内で放電が終了する確率が低くなり、本来点灯すべきセルに書き込み等ができずに点灯不良が生じてしまう。高精細なセル構造において、放電遅れの問題は高速駆動を行う場合に特に顕在化するおそれがあり、早急な対策が望まれている。
【００１１】
放電遅れ特性に関しては、真空一貫装置を用いて１０-6Ｐａ〜１０-5Ｐａの真空雰囲気中で封着したＭｇＯ保護膜のＰＤＰは、従来の大気中で封着した、同じＭｇＯ保護膜のＰＤＰと比較して、放電遅れを約半分程度に短縮できることが報告されている（非特許文献３参照）。
しかしながら、真空雰囲気で封着したＰＤＰであっても、封着後に測定した放電遅れは、保護膜成膜直後封着前に測定した放電遅れよりも増大してしまうという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２００２−２３１１２９号公報
【特許文献２】特開２０００−１１８８８号公報
【特許文献３】特開２００６−２６１０４７号公報
【特許文献４】特開２００６−２７８１４８号公報
【特許文献５】特開２００７−３１７４８８号公報
【特許文献６】特開２０００−１５６１６０号公報
【非特許文献】
【００１３】
【非特許文献１】Ｔ．Ｓｈｉｎｏｄａ，Ｈ．Ｕｃｈｉｉｋｅ ａｎｄ Ｓ．Ａｎｄｏｈ、”Ｌｏｗ−ｖｏｌｔａｇｅ ｏｐｅｒａｔｅｄ ＡＣ ｐｌａｓｍａ−ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌｓ”、ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ、１９７９、ｖｏｌ．ＥＤ−２６、ｐ．１１６３
【非特許文献２】Ｋ．Ｕｃｈｉｄａ，Ｇ．Ｕｃｈｉｄａ，Ｈ．Ｋａｊｉｙａｍａ，Ｔ．Ｓｈｉｎｏｄａ、”ＰＤＰ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ ｕｎｄｅｒ Ｖａｃｕｕｍ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ”、１５ｔｈ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｗｏｒｋｓｈｏｐｓ予稿集、２００８、ＰＤＰ５−３
【非特許文献３】Ｔ．Ｙａｎｏ，Ｇ．Ｕｃｈｉｄａ，Ｋ．Ｕｃｈｉｄａ，Ｎ．Ａｗａｊｉ，Ｔ．Ｓｈｉｎｏｄａ ａｎｄ Ｈ．Ｋａｊｉｙａｍａ，９ｔｈ Ｉｎｔ．ｍｅｅｔｉｎｇ ｏｎ Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ予稿集、２００９、ｐｐ．２８−３０
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、封着中の放電遅れの増大を抑制できるＰＤＰの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明者は、放電遅れ増大の原因は保護膜表面の汚染であると考え、真空雰囲気中で封着すると、空気中のＨ2ＯやＣＯ2の吸着を低減でき、大気中で封着するよりは保護膜表面の汚染を低減できるものの、封着部材（低融点ガラス）からの放出ガスが多くなり、また圧力が低いために保護膜表面が放出ガスの影響を強く受けることになると推測し、封着時に不活性ガスを導入し、封着中の圧力を高くすることにより、上記目的を達成できることを見出した。
【００１６】
係る知見に基づいて成された本発明は、表面に走査電極と維持電極とが互いに平行に離間して設けられた前面板と、表面に複数のリブが設けられ、前記リブ間の凹部の底面にはアドレス電極が設けられ、複数の前記リブの周囲を取り囲んでリング状の封着部材が設けられた背面板とを、互いに対面させた状態で、真空槽内に配置する配置工程と、前記真空槽内を真空排気しながら、前記封着部材を加熱して軟化させた後、冷却して固化させ、前記前面板と前記背面板とを固定する封着工程とを有し、前記凹部のうち、所望の前記凹部を、前記アドレス電極と前記走査電極との間に印加するアドレス電圧によって放電領域として選択し、前記走査電極と前記維持電極との間に維持電圧を印加して前記放電領域に放電を発生させ、放電ガスをプラズマ化し、プラズマから放出された紫外線を、前記凹部に配置された蛍光体に入射させて、前記蛍光体を発光させるプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記配置工程の後、前記封着工程の前に、前記真空槽内に前記放電ガスとは異なる不活性ガスを導入して、前記前面板と前記背面板との間の放電空間の圧力を増大させる不活性ガス導入工程が設けられ、前記封着工程の後に、前記放電空間を真空排気して前記放電空間の圧力を減少させた後、前記放電空間に前記放電ガスを導入する封止工程が設けられたプラズマディスプレイパネルの製造方法である。
本発明はプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記封着工程では、前記真空槽内への前記不活性ガスの導入を継続して、前記真空槽内の圧力を１０-2Ｐａ以上１０2Ｐａ以下に維持するプラズマディスプレイパネルの製造方法である。
本発明はプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記配置工程の前に、前記前面板の前記走査電極上と前記維持電極上に、前記プラズマから前記走査電極と前記維持電極とを保護する保護膜を形成する保護膜形成工程が設けられ、
前記保護膜形成工程の後、前記配置工程の前までは、前記前面板を１００Ｐａ以下の不活性ガス雰囲気中に保持するプラズマディスプレイパネルの製造方法である。
本発明はプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記不活性ガス導入工程の前に、前記真空槽内の圧力を１０-3Ｐａ以下に真空排気する封着前排気工程が設けられたプラズマディスプレイパネルの製造方法である。
本発明はプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記封着工程では、前記真空槽内のＨ2Ｏ、ＣＯ2の分圧をそれぞれ０．１Ｐａ以下に維持するプラズマディスプレイパネルの製造方法である。
【発明の効果】
【００１７】
保護膜の成膜直後の放電遅れ特性を封着後も維持することができるので、保護膜材料の特性を最大限に発揮することができる。
また、保護膜材料によっては、従来、放電遅れを小さくするために、初期電子放出特性が高い微粒子を保護膜表面に散布する方法が用いられていたが、この方法を用いなくても、放電遅れの増大を抑制できるため、高精細なセル構造のＰＤＰを駆動できる可能性があり、ＰＤＰの製造コストを低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】ＰＤＰの内部構成図
【図２】ＰＤＰの製造装置の内部構成図
【図３】（ａ）蒸着室内に搬入される処理対象物の内部側面図 （ｂ）前面板の内部側面図
【図４】背面板の内部側面図
【図５】（ａ）、（ｂ）：前面板と背面板とが位置合わせされた状態を説明するための図
【図６】前面板と背面板とが封着された状態を説明するための図
【図７】放電遅れの測定に用いた波形を説明するための図
【図８】放電遅れの測定に用いたＰＤＰの製造装置の内部構成図
【図９】実施例１と比較例１の測定結果を示すグラフ
【図１０】比較例１と比較例２の測定結果を示すグラフ
【図１１】実施例２で測定した封着圧力と放電遅れとの関係を示すグラフ
【図１２】実施例２で測定した封着室内のＮ2、Ｈ2Ｏ、ＣＯ2の分圧の関係を示すグラフ
【発明を実施するための形態】
【００１９】
＜ＰＤＰの構造＞
まず、ＰＤＰの構造を説明する。図１はＰＤＰ１０の内部構成図である。
ＰＤＰ１０は、前面板２０と背面板３０とを有している。
【００２０】
前面板２０は、第一のガラス基板２１を有している。第一のガラス基板２１の表面には、帯状の走査電極２２と維持電極２３とが、互いに平行に向けられて、交互に離間して配置されている。
【００２１】
走査電極２２の表面と維持電極２３の表面は第一の誘電体膜２４によって覆われており、第一の誘電体膜２４の表面には保護膜２５が配置されている。
背面板３０は、第二のガラス基板３１を有している。第二のガラス基板３１上には、帯状のアドレス電極３２が互いに平行に離間して配置されており、隣り合う二つのアドレス電極３２の間は、第二の誘電体膜３７によって覆われている。
【００２２】
第二の誘電体膜３７の表面のうち隣り合う二つのアドレス電極３２の間の位置には、アドレス電極３２と平行に細長い絶縁性材料の凸状であるリブ３４が一本ずつ配置されており、隣り合う二つのリブ３４の間に形成された直線状の凹部３６には、蛍光体３５が配置されている。
【００２３】
前面板２０と背面板３０とは、走査電極２２と維持電極２３の延びる方向が、アドレス電極３２の延びる方向に対して直角に向けられた状態で、走査電極２２と維持電極２３とが形成された面と、アドレス電極３２が形成された面とが互いに平行に対面して配置されている。
【００２４】
前面板２０と背面板３０との間の放電空間５０には放電ガスが封入されており、アドレス電極３２と走査電極２２との間に初期電圧を印加し、アドレス電極３２と走査電極２２とで挟まれた部分に初期放電を発生させ、次いで、一本の走査電極２２に対して点灯すべき箇所を通るアドレス電極３２にアドレス電圧を印加し、リブ３４間の凹部３６の点灯すべき箇所にアドレス放電を発生させることで、凹部３６内のアドレス放電が発生した位置を、放電領域として選択する。
【００２５】
次に、走査電極２２と維持電極２３の間に維持電圧を印加すると、凹部３６内の放電領域、即ち、アドレス電極３２で選択された点灯すべき箇所で放電が発生してプラズマが形成される。プラズマから紫外線が放射され、蛍光体３５に入射すると、選択された場所の蛍光体３５が可視光で発光する。赤色、緑色、又は青色のうちの一色で発光する蛍光体３５を、別々の凹部３６に一色ずつ配置すると、カラー表示を行うことができる。
保護膜２５は走査電極２２上と維持電極２３上に配置され、プラズマによって惹起されるスパッタリング現象から走査電極２２と維持電極２３とを保護している。
【００２６】
＜ＰＤＰの製造方法＞
次に、本発明のＰＤＰの製造方法を説明する。
図２はＰＤＰの製造装置４０の内部構成図である。
【００２７】
ＰＤＰの製造装置４０は、蒸着室４２と、前面板冷却室４３と、プリベーク室４４と、背面板冷却室４５と、搬送室４６と、位置合わせ室４７と、封着室４８と、封止室４９とを有している。
蒸着室４２は前面板冷却室４３に接続され、プリベーク室４４は背面板冷却室４５に接続されている。
前面板冷却室４３と背面板冷却室４５と位置合わせ室４７と封着室４８は搬送室４６にそれぞれ接続されており、封止室４９は封着室４８に接続されている。
【００２８】
各室４２〜４９にはそれぞれ真空排気装置６２〜６９が接続されており、各室４２〜４９の間に設けられた真空バルブを閉じて真空排気装置６２〜６９を動作させると、各室４２〜４９内はそれぞれ独立に真空排気され、真空雰囲気が形成されるようになっている。
【００２９】
ここでは、各室４２〜４９内は真空雰囲気にされ、真空排気装置６２〜６９が動作して継続して真空排気されている。
なお、各室４２〜４９の間で、基板等を移動させる場合には、真空バルブは開けられ、移動後に閉じられる。
【００３０】
（保護膜形成工程）
図３（ａ）の符号１２は、蒸着室４２内に搬入される処理対象物を示している。走査電極２２と維持電極２３とは、第一のガラス基板２１上に設けられた帯状の透明導電膜からなる透明配線２７と、透明配線２７上の一部領域に、透明配線２７と平行に設けられた線状のバス電極２８とで構成されている。走査電極２２の表面と、維持電極２３の表面と、走査電極２２と維持電極２３との間には、第一の誘電体膜２４が形成されている。第一の誘電体膜２４は処理対象物１２の表面に露出している。
【００３１】
図２を参照し、蒸着室４２内の真空雰囲気を維持しながら、処理対象物１２を蒸着室４２内に搬入する。蒸着室４２内には、保護膜材料が充填されたハース（材料容器）が配置されている。ここでは保護膜材料にＭｇＯが用いられるが、保護膜材料はＭｇＯに限定されず、ＣａＯ又はＳｒＣａＯを用いることもできる。
【００３２】
ハース内の保護膜材料に電子銃から電子線を照射して加熱し、蒸気を発生させ、図３（ｂ）に示すように、第一の誘電体膜２４の表面に蒸気を到達させて保護膜２５（ここではＭｇＯ膜）を形成すると、前面板２０が得られる。
次いで、得られた前面板２０を前面板冷却室４３内に移動させ、前面板冷却室４３内で冷却する。
【００３３】
搬送室４６内には不図示の基板搬送ロボットが配置されている。基板搬送ロボットを動作させて、冷却された前面板２０を前面板冷却室４３内から搬送室４６内を通って、位置合わせ室４７内に移動させる。
【００３４】
（プリベーク工程）
図４は、プリベーク室４４内に搬入される背面板３０の内部側面図である。第二のガラス基板３１上には、リブ３４の周囲を取り囲んで、リング状の封着部材３９が配置されている。封着部材３９の材質は低融点ガラスであり、低融点ガラスの軟化する温度はここでは４７０℃である。
第二のガラス基板３１のうち、封着部材３９のリングの内側には貫通孔３８が設けられている。
【００３５】
図２を参照し、プリベーク室４４内の真空雰囲気を維持しながら、背面板３０をプリベーク室４４内に搬入する。プリベーク室４４には、背面板３０を加熱するプリベーク用加熱装置が設けられている。
プリベーク室４４内を真空排気しながら、プリベーク用加熱装置を動作させて、背面板３０を加熱し、封着部材３９の脱ガスを行う。
【００３６】
脱ガスをされた背面板３０を背面板冷却室４５内に移動させ、背面板冷却室４５内で冷却する。
次いで、基板搬送ロボットを動作させて、冷却された背面板３０を背面板冷却室４５内から搬送室４６内を通って、位置合わせ室４７内に移動させる。
【００３７】
（位置合わせ工程）
位置合わせ室４７には前面板２０と背面板３０とを位置合わせする位置合わせ装置が設けられている。図５（ａ）に示すように、前面板２０の保護膜２５が露出する表面と、背面板３０のリブ３４や封着部材３９が配置された面とを対面させた状態で、前面板２０と背面板３０との位置合わせを行った後、位置合わせされた状態を維持しながら、前面板２０と背面板３０とを互いに近接させ、封着部材３９の先端を前面板２０に密着させる（図５（ｂ）参照）。
【００３８】
ここでは、位置合わせされた状態では、保護膜２５は、封着部材３９のリングの内側に配置されており、封着部材３９の先端は、保護膜２５の周囲に露出する第一のガラス基板２１の表面に接触する。
【００３９】
（配置工程）
次いで、基板搬送ロボットを動作させて、密着された前面板２０と背面板３０とを、互いに位置合わせされた状態を維持しながら、位置合わせ室４７内から搬送室４６内を通って、封着室４８内に搬入する。
封着室４８には、内部に放電ガスとは異なる不活性ガスを導入する不活性ガス導入装置７１と、封着部材３９を加熱する不図示の封着用加熱装置とが設けられている。
【００４０】
（封着前排気工程）
封着室４８の真空排気装置６８は、内部に気体分子を吸着する気体溜め込み式ポンプ（ここではクライオポンプ）６８ａと、吸気口から気体分子を吸い込み、排気口から外部に押し出す気体輸送式ポンプ（ここではターボ分子ポンプ）６８ｂとを有している。
【００４１】
封着室（真空槽）４８内にはあらかじめ真空雰囲気が形成され、クライオポンプ６８ａとターボ分子ポンプ６８ｂとを動作させて、真空排気が継続されている。不活性ガス導入前の封着室４８内の圧力は１０-3Ｐａ以下の圧力が好ましい。封着室４８内の圧力が１０-3Ｐａより大きいと、不活性ガス導入後の不純物ガスの分圧制御が困難だからである。
なお、封着前排気工程は、後述する不活性ガス導入工程の前であれば、配置工程の前でもよいし、配置工程の後でもよい。
【００４２】
（不活性ガス導入工程）
クライオポンプ６８ａを停止させ、ターボ分子ポンプ６８ｂの動作を継続しながら、不活性ガス導入装置７１から、封着室４８内に不活性ガスを導入すると、導入された不活性ガスは封着室４８内に拡散し、封着室４８内の圧力が上昇する。
【００４３】
ここでは不活性ガスにＮ2ガスを用いるが、不活性ガスは保護膜２５と反応しないガスであればＮ2ガスに限定されず、Ｎ2ガスとＯ2ガスとの混合ガス（乾燥空気）やＡｒガスでもよい。不活性ガスに放電ガスよりも安価なガスを用いれば、放電ガスを用いるよりもコストを低減できるため好ましい。
以後、不活性ガスの導入を継続して、封着室４８内を１０-3Ｐａより大きい所定の圧力に維持する。
【００４４】
後述するように、封着室４８内の圧力を増加させると、封着部材３９からの不純物ガスの放出量を低減できる一方、不活性ガスに含まれるＨ2Ｏ、ＣＯ2等の分圧も増加するため、不活性ガス導入中の封着室４８内の圧力は１０-2Ｐａ以上１０2Ｐａ以下が好ましい。
また、封着室４８内のＨ2Ｏ、ＣＯ2の分圧は０．１Ｐａ以下に維持するのが好ましい。
【００４５】
クライオポンプ６８ａを停止させる理由は、クライオポンプ６８ａはターボ分子ポンプ６８ｂより排気コンダクタンスが大きく、封着室４８内を１０-2Ｐａ以上１０2Ｐａ以下の圧力に制御することが困難だからである。
【００４６】
図５（ｂ）を参照し、前面板２０と背面板３０との間の放電空間５０は、不活性ガス導入前は真空雰囲気にされており、封着室４８内に拡散した不活性ガスは、封着部材３９が溶けて前面板２０と背面板３０とが互いに接着するまでは、重ねられた前面板２０と背面板３０との間の隙間５５と、背面板３０の貫通孔３８を通って、放電空間５０に流入し、放電空間５０の圧力が増大する。
【００４７】
（封着工程）
次いで、図６を参照し、先端に環状のチップ管用接着部材５２が設けられたチップ管５１の先端を、第二のガラス基板３１の封着部材３９が配置された面とは逆側の面（以下裏面と呼ぶ）に向かって押しつけ、チップ管用接着部材５２を、第二のガラス基板３１の裏面に、貫通孔３８の開口の周囲を取り囲んで接触させる。
チップ管用接着部材５２の材質はここでは封着部材３９と同じ低融点ガラスである。
【００４８】
前面板２０と背面板３０とを密着させる方向に押圧し、チップ管５１を第二のガラス基板３１の裏面に向かって押圧しながら、第一、第二のガラス基板２１、３１を加熱する。ここでは４７０℃まで１時間で加熱後、４７０℃で２０分間保持する。
封着部材３９は第一、第二のガラス基板２１、３１からの熱伝導により加熱されて軟化する。またチップ管用接着部材５２は第二のガラス基板３１からの熱伝導により加熱されて軟化する。
【００４９】
前面板２０と背面板３０との間の放電空間５０は不活性ガスで満たされて、真空雰囲気中より圧力が高くされており、加熱された封着部材３９とチップ管用接着部材５２とから放電空間５０へは不純物ガスが放出されにくくなっている。また、封着部材３９とチップ管用接着部材５２から放電空間５０に不純物ガスが放出されても、保護膜２５の表面は不活性ガスで覆われており、保護膜２５表面に向かう不純物ガスの分子は不活性ガスの分子と衝突して跳ね返され、保護膜２５表面に到達しにくくなっている。
【００５０】
封着室４８内の真空排気と不活性ガスの導入とは継続されており、封着部材３９とチップ管用接着部材５２とから封着室４８内に放出された不純物ガスは、不活性ガスに押し流されて封着室４８の外側に真空排気される。そのため、封着室４８内の不純物ガスの分圧は増加しない。
【００５１】
封着部材３９とチップ管用接着部材５２とを軟化させたのち、加熱を停止すると、熱伝導又は熱輻射により熱が失われて、封着部材３９とチップ管用接着部材５２の温度は低下する。
【００５２】
（封止工程）
封着部材３９とチップ管用接着部材５２の温度がここでは３５０℃まで低下し、封着部材３９とチップ管用接着部材５２とが固化したら、図２を参照し、封着室４８内への不活性ガスの導入を停止し、クライオポンプ６８ａの動作を再開して、封着室４８内の不活性ガスを真空排気する。ここでは封着室４８内を１０-6Ｐａの圧力まで真空排気する。
【００５３】
図６を参照し、前面板２０と背面板３０との間の放電空間５０内の不活性ガスは、貫通孔３８とチップ管５１とを通って、封着室４８内に放出され、放電空間５０には真空雰囲気が形成される。封着室４８内に放出された不活性ガスは、真空排気装置６８により真空排気される。
【００５４】
封着部材３９とチップ管用接着部材５２とが固化した後は、封着部材３９とチップ管用接着部材５２とから不純物ガスは放出されない。そのため、真空排気された放電空間５０に不純物ガスが入ることはなく、保護膜２５が汚染されることはない。
【００５５】
固化した封着部材３９の接着力によって、前面板２０と背面板３０とが互いに固定される。また、固化したチップ管用接着部材５２の接着力によって、第二のガラス基板３１とチップ管５１とが互いに固定される。
【００５６】
互いに固定された前面板２０と背面板３０とチップ管５１とを封止室４９内に移動させる。封止室４９では、チップ管５１を通って放電空間５０に放電ガス（ここではＸｅガスのモル分率が２０％のＮｅとＸｅの混合ガス）を導入する。
【００５７】
放電ガスを所定の圧力まで導入した後、チップ管５１の途中を加熱して封じ切り、放電空間５０を外部空間から遮断すると、図１に示すようなＰＤＰ１０が得られる。
図２を参照し、封着室４８と封止室４９との間の真空バルブを閉じた状態で、封止室４９内を大気圧力にして、ＰＤＰ１０を大気中に取り出す。
【００５８】
（ＰＤＰの製造方法の別例）
上述のＰＤＰの製造方法では、蒸着室４２内で保護膜２５を形成して前面板２０を得てから、前面板２０と背面板３０とを位置合わせした状態で封着室４８内に搬入するまでの間、前面板２０を真空雰囲気中に保持したが、前面板２０を１００Ｐａ以下の不活性ガス雰囲気中に保持してもよい。
この場合には、前面板冷却室４３と、搬送室４６と、位置合わせ室４７とに、不活性ガス導入装置７１と同じ装置を設ければよい。
【００５９】
前面板２０を１００Ｐａ以下の不活性ガス中に保持すると、真空雰囲気中に保持する場合に比べて、封着部材３９や蛍光体３５からの不純物ガスの放出量を減少でき、また不純物ガスと保護膜２５との反応を防ぐことができる。
【実施例】
【００６０】
＜成膜直後の放電遅れと、封着後の放電遅れとの比較＞
（放電遅れの測定方法）
放電遅れの測定には、下記非特許文献４を参考にし、図７に示すような波形を用いた。
【００６１】
（非特許文献４）ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＨＹＳＩＣＳ、２００９、１０５、１１３３０４
測定を簡単に説明すると、まず走査電極２２と維持電極２３に矩形波形を２５０回印加して放電を繰り返し起こし、電極に電荷をためる。次いで、アドレス期間を想定して２ｍｓの休止期間を置いた後、維持パルスＶLを印加して放電を起こす。この放電のときに発生するＸｅの発光（赤外線）をフォトダイオードで検出した。ここまでの流れを１０００回繰り返し、１０００回の発光のバラつきから、放電遅れを測定した。図７の符号Ｌは、フォトダイオードの出力を示しており、維持パルスＶLを印加してから放電が起こるまでの時間は一定ではなく、バラつきが生じていることが分かる。
【００６２】
一般に電極間に放電開始電圧を超過する電位差を印加してから放電が形成されるまでには、ある一定の時間がかかり、この時間を放電遅れという。
遅れの機構から放電遅れは形成遅れと統計遅れの２成分に分類され、形成遅れは、初電子が発生してから放電が形成されるまでの時間と定義され、統計遅れは、電極間に放電開始電圧を超過する電位差を印加してから電子が発生するまでの時間と定義されている。
【００６３】
具体的には、維持パルスＶLを印加してから最も早く放電が起こったときの放電が起こるまでの時間が形成遅れ（ｔf）であり、最も早く放電が起こってから、もっとも遅く放電が起こるまでの時間が統計遅れ（ｔs）である。
以下、「放電遅れ」とは形成遅れ（ｔf）と統計遅れ（ｔs）の和（ｔf＋ｔs）を言う。
【００６４】
通常放電遅れは休止時間が長いほど大きくなることが知られている。実際のＰＤＰの駆動では、走査電極２２とアドレス電極３２の間で放電を起こすアドレス期間の間は、維持電極２３と走査電極２２では放電が起こらず、休止期間となる。走査電極２２とアドレス電極３２との間の放電は、走査電極２２ごとに順次行っていく。走査電極２２が７６８本ある場合（ＸＧＡ）には、ＰＤＰ全体では、１本の走査電極２２にかかる時間の７６８倍の時間がかかることになる。
【００６５】
１本の走査電極２２に電圧を印加する時間は、目的のセルがすべて点灯するまでの時間が必要であり、放電遅れ以上の時間、電圧を印加する必要がある。これまでのＸＧＡ規格のＰＤＰでは、走査電極２２の１本あたり２μｓ程度必要であり、ＰＤＰ全体では１．５ｍｓ（２μｓ×７６８）程度であったことが知られている。このことから、今回の測定では休止時間を少し長めに２ｍｓとした。
【００６６】
また、同様に１本の走査電極２２ごとに２μｓずつかけると、ＦＨＤシングルスキャンでは、１サブフィールドあたり２．２ｍｓ（２μｓ×１０８０）必要となる。アドレスに要する時間が長くなると、表示にかける時間が減ることになるため、十分な階調が取れなくなってしまう。このため、より高精細なパネルでは、短時間で確実にアドレス放電を起こす必要があり、すなわち放電遅れが小さくなければならない。
【００６７】
（ＰＤＰ製造装置の構造）
図８は放電遅れの測定に用いたＰＤＰの製造装置８０の内部構成図である。
このＰＤＰの製造装置８０は、蒸着室４２と、位置合わせ室４７と、封着室４８と、封止室４９と、第一、第二の搬送室８４、８５と、第一、第二の搬入出室８１、８２と、放電評価室８３とを有している。
蒸着室４２と、位置合わせ室４７と、封着室４８と、封止室４９の構造は、上述の符号４０のＰＤＰの製造装置と同じであり、同じ符号を付して示す。
【００６８】
第一の搬入出室８１と、蒸着室４２と、放電評価室８３とは、第一の搬送室８４に接続され、第二の搬入出室８２と、封着室４８と、封止室４９とは、第二の搬送室８５に接続されている。第一、第二の搬送室８４、８５は位置合わせ室４７に接続されている。
各室４２、４７〜４９、８１〜８５内は真空雰囲気にされ、継続して真空排気されている。
【００６９】
（実施例１）
図３（ａ）に示すような処理対象物１２を第一の搬入出室８１内に搬入し、第一の搬送室８４内を通って蒸着室４２内に搬入し、第一の誘電体膜２４の表面にＭｇＯ保護膜２５を形成して、前面板２０を得た後、前面板２０を第一の搬送室８４内を通って位置合わせ室４７内に移動させた。
また図４に示すような背面板３０を第二の搬入出室８２内に搬入し、第二の搬送室８５内を通って位置合わせ室４７内に移動させた。
【００７０】
位置合わせ室４７内で前面板２０と背面板３０とを重ねて、位置合わせした後、位置合わせした状態を維持しながら、前面板２０と背面板３０とを第二の搬送室８５内を通って封着室４８内に移動させた。
【００７１】
封着室４８内を真空排気しながら、封着室４８内にＮ2ガスを導入し、圧力を１０Ｐａにした。真空排気とＮ2ガスの導入を継続して、１０Ｐａの圧力を維持しながら、前面板２０と背面板３０とを４７０℃まで１時間で加熱した後、４７０℃で２０分保持した。次いで、加熱を停止して、３５０℃まで冷却した後、Ｎ2ガスの導入を停止し、封着室４８内を１０-6Ｐａの圧力まで真空排気した。
【００７２】
次いで、封着した前面板２０と背面板３０とを第二の搬送室８５内を通って封止室４９内に移動し、前面板２０と背面板３０との間の放電空間５０に放電ガスを導入して封止し、ＰＤＰ１０を完成させた。
【００７３】
完成したＰＤＰ１０を、第二の搬送室８５内と位置合わせ室４７内と第一の搬送室８４内を順に通って、放電評価室８３内に移動させ、上述の測定方法により、放電遅れを測定した。測定結果を図９の符号Ａ1に示す。
【００７４】
また、保護膜２５をＣａＯ膜又はＳｒＣａＯ膜に変更して、上述の工程を繰り返し、ＣａＯ保護膜、ＳｒＣａＯ保護膜のＰＤＰ１０の放電遅れを測定した。ＣａＯ保護膜、ＳｒＣａＯ保護膜の測定結果を図９の符号Ａ2、Ａ3にそれぞれ示す。
【００７５】
（比較例１）
実施例１と同じ工程で保護膜２５を形成して前面板２０を得た後、前面板２０を第一の搬送室８４を通って放電評価室８３内に移動させ、放電遅れを測定した。ＭｇＯ保護膜、ＣａＯ保護膜、ＳｒＣａＯ保護膜の測定結果を図９、図１０の符号Ｂ1、Ｂ2、Ｂ3にそれぞれ示す。
【００７６】
図９を参照し、実施例１の測定結果（Ａ1〜Ａ3）を比較例１の測定結果（Ｂ1〜Ｂ3）と比較すると、Ｎ2ガス雰囲気中で封着した場合には、封着後に、ＭｇＯ保護膜では放電遅れはほとんど増大しなかったことが分かる。またＣａＯ保護膜では放電遅れは０．２μｓ増大しただけであり、ＳｒＣａＯ保護膜では０．４μｓ増大しただけであることが分かる。
【００７７】
（比較例２）
封着室４８では、Ｎ2ガスを導入せずに、１０-6Ｐａ〜１０-5Ｐａの真空雰囲気を維持しながら前面板２０と背面板３０とを封着し、他の工程は実施例１と同じにして、ＰＤＰ１０を完成させ、放電遅れを測定した。ＭｇＯ保護膜、ＣａＯ保護膜、ＳｒＣａＯ保護膜の測定結果を図１０の符号Ｃ1、Ｃ2、Ｃ3にそれぞれ示す。
【００７８】
図１０を参照し、比較例２の測定結果（Ｃ1〜Ｃ3）を比較例１の測定結果（Ｂ1〜Ｂ3）と比較すると、真空雰囲気中で封着した場合には、付着後にＭｇＯ保護膜では放電遅れが０．４μｓ増大し、ＣａＯ、ＳｒＣａＯ保護膜では放電遅れが０．７μｓ増大したことが分かる。
図９、１０からは、真空雰囲気中で封着した場合（比較例２）の放電遅れの増加量に比べて、Ｎ2ガス雰囲気中で封着した場合（実施例１）の放電遅れの増加量は少ないことが分かる。
【００７９】
＜封着圧力と放電遅れとの関係＞
（実施例２）
実施例１と同じ工程で、ＳｒＣａＯ保護膜２５のＰＤＰ１０を完成させた後、放電遅れを測定することを、封着室４８内の封着中の圧力（以下、封着圧力という）を１０-6Ｐａ〜１０4Ｐａの範囲で変更して繰り返した。
なお、１０-6Ｐａは、封着室４８内にＮ2ガスを導入しなかったときの圧力であり、上述の比較例２に対応する。
【００８０】
図１１に測定結果を示す。Ｎ2ガスを導入せずに封着圧力を１０-6Ｐａにした場合、放電遅れは２．３μｓであったが、Ｎ2ガスを導入して封着圧力を高くするに従って、ＰＤＰ１０の放電遅れは徐々に低下した。封着圧力が１０-2Ｐａ〜１０2Ｐａで最小になり、その後圧力の上昇に伴って放電遅れは増大したことが分かる。
【００８１】
＜封着雰囲気中の不純物ガスの分圧＞
実施例２において、封着中の封着室４８内のＮ2、Ｈ2Ｏ、ＣＯ2の分圧を四重極質量分析装置（Ｑ−ｍａｓｓ）で測定した。
測定したＮ2、Ｈ2Ｏ、ＣＯ2のイオン電流値を図１２に示す。封着圧力が１０-2Ｐａ以上ではＱ−ｍａｓｓでは測定できないため、１０-2Ｐａ以下の測定結果を線形近似し、近似値として示した。
【００８２】
この測定結果から、Ｎ2ガスを導入し、封着圧力を上げていった場合、Ｈ2Ｏ、ＣＯ2の分圧はＮ2の分圧の１０００分の１であったことが分かる。
これにより、実施例２では、封着圧力が１０-2Ｐａ〜１０2Ｐａのとき、Ｈ2Ｏ、ＣＯ2の分圧はそれぞれ１０-2Ｐａ以下であったことが分かる。
【００８３】
また、封着圧力が１０2Ｐａより大きいときに、放電圧力の上昇に伴って放電遅れが増大した理由は、封着室４８内のＨ2Ｏ、ＣＯ2の分圧が１０-2Ｐａより大きくなり、Ｈ2Ｏ、ＣＯ2と保護膜２５との反応が生じたためであると考えられる。
【符号の説明】
【００８４】
１０……プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）
２０……前面板
２１……走査電極
２２……維持電極
３０……背面板
３２……アドレス電極
３４……リブ
３５……蛍光体
３６……凹部
３９……封着部材
５０……放電空間
４８……封着室（真空槽）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）は表示装置の分野で広く用いられており、近年では、大画面で高品質かつ低価格のＰＤＰが要求されている。
一般にＰＤＰはガラス基板上に維持電極と走査電極とが形成されたフロントパネル（前面板）と、ガラス基板上にアドレス電極が形成されたリアパネル（背面板）とが貼り合わされて構成された３電極面放電型が主流となっている。
【０００３】
前面板と背面板との間には放電ガスが封入されており、走査電極とアドレス電極との間に電圧を印加して放電を発生させ、走査電極と維持電極との間に維持電圧を印加して封入された放電ガスをプラズマ化させると、プラズマから紫外線が放射される。紫外線が蛍光体に照射されると、蛍光体は励起して可視光を放出する。
【０００４】
維持電極上と走査電極上には、誘電体膜が形成され、誘電体膜上には、保護膜が形成されている。従来、この保護膜にはＭｇＯが用いられている。
放電を維持するために、走査電極と維持電極に交流電圧を印加すると、放電ガスのプラズマ化により発生した陽イオンが走査電極側と維持電極側に入射するが、走査電極と維持電極とそれらの電極上の誘電体膜は保護膜によって陽イオンから保護されている。
【０００５】
ＰＤＰの放電時の電圧（放電電圧）は、保護膜の二次電子放出係数に依存することが知られており、保護膜の二次電子放出係数が大きいほど（仕事関数が小さく電子を放出しやすいほど）、放電電圧が低電圧化することが知られている。
【０００６】
特許文献１では、仕事関数がＭｇＯよりも小さいアルカリ土類金属の酸化物を保護膜に用いて、放電電圧を低電圧化することが提案されている。
しかし、アルカリ土類金属酸化物はＨ2Ｏ、ＣＯ、ＣＯ2等の不純物ガスに対して極めて活性であり、パネルを大気に曝すと、大気中に含まれるこれらの不純物ガスと容易に反応し、水酸化物、炭酸塩が形成されてしまう。
そのため、エージング工程が非常に長くなってしまい、もしくはエージングしても放電電圧が低下しないという問題が知られている（非特許文献１参照）。
【０００７】
特許文献２、３では、保護膜形成後にパネルを加熱して、保護膜から不純物ガスを脱離させる技術が開示されている。
特許文献４、５では、保護膜形成後封着前まで、パネルを大気に曝さずに不活性ガス雰囲気中に置き、放電ガス雰囲気中で封着する技術が開示されている。しかし、不活性ガス雰囲気の圧力が具体的に開示されておらず、不活性ガス雰囲気の圧力を高くすると、不活性ガス雰囲気に含まれる不純物ガスの分圧も高くなり、保護膜に不純物ガスが吸着してしまうという問題があった。また、封着工程ではパネルが収容された真空槽内に高価な放電ガスを充満させるため、コストが高いという問題があった。
【０００８】
特許文献６では、パネルを大気に曝さず、一貫して真空雰囲気中に置いて、ＰＤＰを製造する真空一貫装置が提案されている。この装置によってＰＤＰを製造すれば、保護膜を大気に曝す必要がないため、保護膜表面への不純物ガスの吸着を最小限に抑えることができ、活性化工程を行わなくても、エージング時間を非常に短くできることが報告されている（非特許文献２参照）。
【０００９】
また、真空一貫装置を用いて作成したＰＤＰの特性としては、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯといったアルカリ土類金属を保護膜として用いたものは、ＭｇＯを保護膜として用いたものよりも放電電圧が低下し、Ｘｅ分圧を高くすることで高発光効率を得られることが報告されている。
【００１０】
ところで、ＰＤＰの画像表示には、１フィールドの映像を複数のサブフィールド（Ｓ．Ｆ．）に分割する階調表現方式（例えばフィールド内時分割表示方式）が用いられている。
時分割表示方式の重要な研究課題には「放電遅れ」の防止・抑制が挙げられる。ここで「放電遅れ」とは、駆動パルスの幅を狭くして高速駆動を行う際に、パルスの立ち上がりから遅れて放電が行われる現象を指す。「放電遅れ」が顕著になると、印加されたパルス幅内で放電が終了する確率が低くなり、本来点灯すべきセルに書き込み等ができずに点灯不良が生じてしまう。高精細なセル構造において、放電遅れの問題は高速駆動を行う場合に特に顕在化するおそれがあり、早急な対策が望まれている。
【００１１】
放電遅れ特性に関しては、真空一貫装置を用いて１０-6Ｐａ〜１０-5Ｐａの真空雰囲気中で封着したＭｇＯ保護膜のＰＤＰは、従来の大気中で封着した、同じＭｇＯ保護膜のＰＤＰと比較して、放電遅れを約半分程度に短縮できることが報告されている（非特許文献３参照）。
しかしながら、真空雰囲気で封着したＰＤＰであっても、封着後に測定した放電遅れは、保護膜成膜直後封着前に測定した放電遅れよりも増大してしまうという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２００２−２３１１２９号公報
【特許文献２】特開２０００−１１８８８号公報
【特許文献３】特開２００６−２６１０４７号公報
【特許文献４】特開２００６−２７８１４８号公報
【特許文献５】特開２００７−３１７４８８号公報
【特許文献６】特開２０００−１５６１６０号公報
【非特許文献】
【００１３】
【非特許文献１】Ｔ．Ｓｈｉｎｏｄａ，Ｈ．Ｕｃｈｉｉｋｅ ａｎｄ Ｓ．Ａｎｄｏｈ、”Ｌｏｗ−ｖｏｌｔａｇｅ ｏｐｅｒａｔｅｄ ＡＣ ｐｌａｓｍａ−ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌｓ”、ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ、１９７９、ｖｏｌ．ＥＤ−２６、ｐ．１１６３
【非特許文献２】Ｋ．Ｕｃｈｉｄａ，Ｇ．Ｕｃｈｉｄａ，Ｈ．Ｋａｊｉｙａｍａ，Ｔ．Ｓｈｉｎｏｄａ、”ＰＤＰ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ ｕｎｄｅｒ Ｖａｃｕｕｍ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ”、１５ｔｈ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｗｏｒｋｓｈｏｐｓ予稿集、２００８、ＰＤＰ５−３
【非特許文献３】Ｔ．Ｙａｎｏ，Ｇ．Ｕｃｈｉｄａ，Ｋ．Ｕｃｈｉｄａ，Ｎ．Ａｗａｊｉ，Ｔ．Ｓｈｉｎｏｄａ ａｎｄ Ｈ．Ｋａｊｉｙａｍａ，９ｔｈ Ｉｎｔ．ｍｅｅｔｉｎｇ ｏｎ Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ予稿集、２００９、ｐｐ．２８−３０
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、封着中の放電遅れの増大を抑制できるＰＤＰの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明者は、放電遅れ増大の原因は保護膜表面の汚染であると考え、真空雰囲気中で封着すると、空気中のＨ2ＯやＣＯ2の吸着を低減でき、大気中で封着するよりは保護膜表面の汚染を低減できるものの、封着部材（低融点ガラス）からの放出ガスが多くなり、また圧力が低いために保護膜表面が放出ガスの影響を強く受けることになると推測し、封着時に不活性ガスを導入し、封着中の圧力を高くすることにより、上記目的を達成できることを見出した。
【００１６】
係る知見に基づいて成された本発明は、表面に走査電極と維持電極とが互いに平行に離間して設けられた前面板と、表面に複数のリブが設けられ、前記リブ間の凹部の底面にはアドレス電極が設けられ、複数の前記リブの周囲を取り囲んでリング状の封着部材が設けられた背面板とを、互いに対面させた状態で、真空槽内に配置する配置工程と、前記真空槽内を真空排気しながら、前記封着部材を加熱して軟化させた後、冷却して固化させ、前記前面板と前記背面板とを固定する封着工程とを有し、前記凹部のうち、所望の前記凹部を、前記アドレス電極と前記走査電極との間に印加するアドレス電圧によって放電領域として選択し、前記走査電極と前記維持電極との間に維持電圧を印加して前記放電領域に放電を発生させ、放電ガスをプラズマ化し、プラズマから放出された紫外線を、前記凹部に配置された蛍光体に入射させて、前記蛍光体を発光させるプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記配置工程の後、前記封着工程の前に、前記真空槽内に前記放電ガスとは異なる不活性ガスを導入して、前記前面板と前記背面板との間の放電空間の圧力を増大させる不活性ガス導入工程が設けられ、前記封着工程の後に、前記放電空間を真空排気して前記放電空間の圧力を減少させた後、前記放電空間に前記放電ガスを導入する封止工程が設けられたプラズマディスプレイパネルの製造方法である。
本発明はプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記封着工程では、前記真空槽内への前記不活性ガスの導入を継続して、前記真空槽内の圧力を１０-2Ｐａ以上１０2Ｐａ以下に維持するプラズマディスプレイパネルの製造方法である。
本発明はプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記配置工程の前に、前記前面板の前記走査電極上と前記維持電極上に、前記プラズマから前記走査電極と前記維持電極とを保護する保護膜を形成する保護膜形成工程が設けられ、
前記保護膜形成工程の後、前記配置工程の前までは、前記前面板を１００Ｐａ以下の不活性ガス雰囲気中に保持するプラズマディスプレイパネルの製造方法である。
本発明はプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記不活性ガス導入工程の前に、前記真空槽内の圧力を１０-3Ｐａ以下に真空排気する封着前排気工程が設けられたプラズマディスプレイパネルの製造方法である。
本発明はプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記封着工程では、前記真空槽内のＨ2Ｏ、ＣＯ2の分圧をそれぞれ０．１Ｐａ以下に維持するプラズマディスプレイパネルの製造方法である。
【発明の効果】
【００１７】
保護膜の成膜直後の放電遅れ特性を封着後も維持することができるので、保護膜材料の特性を最大限に発揮することができる。
また、保護膜材料によっては、従来、放電遅れを小さくするために、初期電子放出特性が高い微粒子を保護膜表面に散布する方法が用いられていたが、この方法を用いなくても、放電遅れの増大を抑制できるため、高精細なセル構造のＰＤＰを駆動できる可能性があり、ＰＤＰの製造コストを低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】ＰＤＰの内部構成図
【図２】ＰＤＰの製造装置の内部構成図
【図３】（ａ）蒸着室内に搬入される処理対象物の内部側面図 （ｂ）前面板の内部側面図
【図４】背面板の内部側面図
【図５】（ａ）、（ｂ）：前面板と背面板とが位置合わせされた状態を説明するための図
【図６】前面板と背面板とが封着された状態を説明するための図
【図７】放電遅れの測定に用いた波形を説明するための図
【図８】放電遅れの測定に用いたＰＤＰの製造装置の内部構成図
【図９】実施例１と比較例１の測定結果を示すグラフ
【図１０】比較例１と比較例２の測定結果を示すグラフ
【図１１】実施例２で測定した封着圧力と放電遅れとの関係を示すグラフ
【図１２】実施例２で測定した封着室内のＮ2、Ｈ2Ｏ、ＣＯ2の分圧の関係を示すグラフ
【発明を実施するための形態】
【００１９】
＜ＰＤＰの構造＞
まず、ＰＤＰの構造を説明する。図１はＰＤＰ１０の内部構成図である。
ＰＤＰ１０は、前面板２０と背面板３０とを有している。
【００２０】
前面板２０は、第一のガラス基板２１を有している。第一のガラス基板２１の表面には、帯状の走査電極２２と維持電極２３とが、互いに平行に向けられて、交互に離間して配置されている。
【００２１】
走査電極２２の表面と維持電極２３の表面は第一の誘電体膜２４によって覆われており、第一の誘電体膜２４の表面には保護膜２５が配置されている。
背面板３０は、第二のガラス基板３１を有している。第二のガラス基板３１上には、帯状のアドレス電極３２が互いに平行に離間して配置されており、隣り合う二つのアドレス電極３２の間は、第二の誘電体膜３７によって覆われている。
【００２２】
第二の誘電体膜３７の表面のうち隣り合う二つのアドレス電極３２の間の位置には、アドレス電極３２と平行に細長い絶縁性材料の凸状であるリブ３４が一本ずつ配置されており、隣り合う二つのリブ３４の間に形成された直線状の凹部３６には、蛍光体３５が配置されている。
【００２３】
前面板２０と背面板３０とは、走査電極２２と維持電極２３の延びる方向が、アドレス電極３２の延びる方向に対して直角に向けられた状態で、走査電極２２と維持電極２３とが形成された面と、アドレス電極３２が形成された面とが互いに平行に対面して配置されている。
【００２４】
前面板２０と背面板３０との間の放電空間５０には放電ガスが封入されており、アドレス電極３２と走査電極２２との間に初期電圧を印加し、アドレス電極３２と走査電極２２とで挟まれた部分に初期放電を発生させ、次いで、一本の走査電極２２に対して点灯すべき箇所を通るアドレス電極３２にアドレス電圧を印加し、リブ３４間の凹部３６の点灯すべき箇所にアドレス放電を発生させることで、凹部３６内のアドレス放電が発生した位置を、放電領域として選択する。
【００２５】
次に、走査電極２２と維持電極２３の間に維持電圧を印加すると、凹部３６内の放電領域、即ち、アドレス電極３２で選択された点灯すべき箇所で放電が発生してプラズマが形成される。プラズマから紫外線が放射され、蛍光体３５に入射すると、選択された場所の蛍光体３５が可視光で発光する。赤色、緑色、又は青色のうちの一色で発光する蛍光体３５を、別々の凹部３６に一色ずつ配置すると、カラー表示を行うことができる。
保護膜２５は走査電極２２上と維持電極２３上に配置され、プラズマによって惹起されるスパッタリング現象から走査電極２２と維持電極２３とを保護している。
【００２６】
＜ＰＤＰの製造方法＞
次に、本発明のＰＤＰの製造方法を説明する。
図２はＰＤＰの製造装置４０の内部構成図である。
【００２７】
ＰＤＰの製造装置４０は、蒸着室４２と、前面板冷却室４３と、プリベーク室４４と、背面板冷却室４５と、搬送室４６と、位置合わせ室４７と、封着室４８と、封止室４９とを有している。
蒸着室４２は前面板冷却室４３に接続され、プリベーク室４４は背面板冷却室４５に接続されている。
前面板冷却室４３と背面板冷却室４５と位置合わせ室４７と封着室４８は搬送室４６にそれぞれ接続されており、封止室４９は封着室４８に接続されている。
【００２８】
各室４２〜４９にはそれぞれ真空排気装置６２〜６９が接続されており、各室４２〜４９の間に設けられた真空バルブを閉じて真空排気装置６２〜６９を動作させると、各室４２〜４９内はそれぞれ独立に真空排気され、真空雰囲気が形成されるようになっている。
【００２９】
ここでは、各室４２〜４９内は真空雰囲気にされ、真空排気装置６２〜６９が動作して継続して真空排気されている。
なお、各室４２〜４９の間で、基板等を移動させる場合には、真空バルブは開けられ、移動後に閉じられる。
【００３０】
（保護膜形成工程）
図３（ａ）の符号１２は、蒸着室４２内に搬入される処理対象物を示している。走査電極２２と維持電極２３とは、第一のガラス基板２１上に設けられた帯状の透明導電膜からなる透明配線２７と、透明配線２７上の一部領域に、透明配線２７と平行に設けられた線状のバス電極２８とで構成されている。走査電極２２の表面と、維持電極２３の表面と、走査電極２２と維持電極２３との間には、第一の誘電体膜２４が形成されている。第一の誘電体膜２４は処理対象物１２の表面に露出している。
【００３１】
図２を参照し、蒸着室４２内の真空雰囲気を維持しながら、処理対象物１２を蒸着室４２内に搬入する。蒸着室４２内には、保護膜材料が充填されたハース（材料容器）が配置されている。ここでは保護膜材料にＭｇＯが用いられるが、保護膜材料はＭｇＯに限定されず、ＣａＯ又はＳｒＣａＯを用いることもできる。
【００３２】
ハース内の保護膜材料に電子銃から電子線を照射して加熱し、蒸気を発生させ、図３（ｂ）に示すように、第一の誘電体膜２４の表面に蒸気を到達させて保護膜２５（ここではＭｇＯ膜）を形成すると、前面板２０が得られる。
次いで、得られた前面板２０を前面板冷却室４３内に移動させ、前面板冷却室４３内で冷却する。
【００３３】
搬送室４６内には不図示の基板搬送ロボットが配置されている。基板搬送ロボットを動作させて、冷却された前面板２０を前面板冷却室４３内から搬送室４６内を通って、位置合わせ室４７内に移動させる。
【００３４】
（プリベーク工程）
図４は、プリベーク室４４内に搬入される背面板３０の内部側面図である。第二のガラス基板３１上には、リブ３４の周囲を取り囲んで、リング状の封着部材３９が配置されている。封着部材３９の材質は低融点ガラスであり、低融点ガラスの軟化する温度はここでは４７０℃である。
第二のガラス基板３１のうち、封着部材３９のリングの内側には貫通孔３８が設けられている。
【００３５】
図２を参照し、プリベーク室４４内の真空雰囲気を維持しながら、背面板３０をプリベーク室４４内に搬入する。プリベーク室４４には、背面板３０を加熱するプリベーク用加熱装置が設けられている。
プリベーク室４４内を真空排気しながら、プリベーク用加熱装置を動作させて、背面板３０を加熱し、封着部材３９の脱ガスを行う。
【００３６】
脱ガスをされた背面板３０を背面板冷却室４５内に移動させ、背面板冷却室４５内で冷却する。
次いで、基板搬送ロボットを動作させて、冷却された背面板３０を背面板冷却室４５内から搬送室４６内を通って、位置合わせ室４７内に移動させる。
【００３７】
（位置合わせ工程）
位置合わせ室４７には前面板２０と背面板３０とを位置合わせする位置合わせ装置が設けられている。図５（ａ）に示すように、前面板２０の保護膜２５が露出する表面と、背面板３０のリブ３４や封着部材３９が配置された面とを対面させた状態で、前面板２０と背面板３０との位置合わせを行った後、位置合わせされた状態を維持しながら、前面板２０と背面板３０とを互いに近接させ、封着部材３９の先端を前面板２０に密着させる（図５（ｂ）参照）。
【００３８】
ここでは、位置合わせされた状態では、保護膜２５は、封着部材３９のリングの内側に配置されており、封着部材３９の先端は、保護膜２５の周囲に露出する第一のガラス基板２１の表面に接触する。
【００３９】
（配置工程）
次いで、基板搬送ロボットを動作させて、密着された前面板２０と背面板３０とを、互いに位置合わせされた状態を維持しながら、位置合わせ室４７内から搬送室４６内を通って、封着室４８内に搬入する。
封着室４８には、内部に放電ガスとは異なる不活性ガスを導入する不活性ガス導入装置７１と、封着部材３９を加熱する不図示の封着用加熱装置とが設けられている。
【００４０】
（封着前排気工程）
封着室４８の真空排気装置６８は、内部に気体分子を吸着する気体溜め込み式ポンプ（ここではクライオポンプ）６８ａと、吸気口から気体分子を吸い込み、排気口から外部に押し出す気体輸送式ポンプ（ここではターボ分子ポンプ）６８ｂとを有している。
【００４１】
封着室（真空槽）４８内にはあらかじめ真空雰囲気が形成され、クライオポンプ６８ａとターボ分子ポンプ６８ｂとを動作させて、真空排気が継続されている。不活性ガス導入前の封着室４８内の圧力は１０-3Ｐａ以下の圧力が好ましい。封着室４８内の圧力が１０-3Ｐａより大きいと、不活性ガス導入後の不純物ガスの分圧制御が困難だからである。
なお、封着前排気工程は、後述する不活性ガス導入工程の前であれば、配置工程の前でもよいし、配置工程の後でもよい。
【００４２】
（不活性ガス導入工程）
クライオポンプ６８ａを停止させ、ターボ分子ポンプ６８ｂの動作を継続しながら、不活性ガス導入装置７１から、封着室４８内に不活性ガスを導入すると、導入された不活性ガスは封着室４８内に拡散し、封着室４８内の圧力が上昇する。
【００４３】
ここでは不活性ガスにＮ2ガスを用いるが、不活性ガスは保護膜２５と反応しないガスであればＮ2ガスに限定されず、Ｎ2ガスとＯ2ガスとの混合ガス（乾燥空気）やＡｒガスでもよい。不活性ガスに放電ガスよりも安価なガスを用いれば、放電ガスを用いるよりもコストを低減できるため好ましい。
以後、不活性ガスの導入を継続して、封着室４８内を１０-3Ｐａより大きい所定の圧力に維持する。
【００４４】
後述するように、封着室４８内の圧力を増加させると、封着部材３９からの不純物ガスの放出量を低減できる一方、不活性ガスに含まれるＨ2Ｏ、ＣＯ2等の分圧も増加するため、不活性ガス導入中の封着室４８内の圧力は１０-2Ｐａ以上１０2Ｐａ以下が好ましい。
また、封着室４８内のＨ2Ｏ、ＣＯ2の分圧は０．１Ｐａ以下に維持するのが好ましい。
【００４５】
クライオポンプ６８ａを停止させる理由は、クライオポンプ６８ａはターボ分子ポンプ６８ｂより排気コンダクタンスが大きく、封着室４８内を１０-2Ｐａ以上１０2Ｐａ以下の圧力に制御することが困難だからである。
【００４６】
図５（ｂ）を参照し、前面板２０と背面板３０との間の放電空間５０は、不活性ガス導入前は真空雰囲気にされており、封着室４８内に拡散した不活性ガスは、封着部材３９が溶けて前面板２０と背面板３０とが互いに接着するまでは、重ねられた前面板２０と背面板３０との間の隙間５５と、背面板３０の貫通孔３８を通って、放電空間５０に流入し、放電空間５０の圧力が増大する。
【００４７】
（封着工程）
次いで、図６を参照し、先端に環状のチップ管用接着部材５２が設けられたチップ管５１の先端を、第二のガラス基板３１の封着部材３９が配置された面とは逆側の面（以下裏面と呼ぶ）に向かって押しつけ、チップ管用接着部材５２を、第二のガラス基板３１の裏面に、貫通孔３８の開口の周囲を取り囲んで接触させる。
チップ管用接着部材５２の材質はここでは封着部材３９と同じ低融点ガラスである。
【００４８】
前面板２０と背面板３０とを密着させる方向に押圧し、チップ管５１を第二のガラス基板３１の裏面に向かって押圧しながら、第一、第二のガラス基板２１、３１を加熱する。ここでは４７０℃まで１時間で加熱後、４７０℃で２０分間保持する。
封着部材３９は第一、第二のガラス基板２１、３１からの熱伝導により加熱されて軟化する。またチップ管用接着部材５２は第二のガラス基板３１からの熱伝導により加熱されて軟化する。
【００４９】
前面板２０と背面板３０との間の放電空間５０は不活性ガスで満たされて、真空雰囲気中より圧力が高くされており、加熱された封着部材３９とチップ管用接着部材５２とから放電空間５０へは不純物ガスが放出されにくくなっている。また、封着部材３９とチップ管用接着部材５２から放電空間５０に不純物ガスが放出されても、保護膜２５の表面は不活性ガスで覆われており、保護膜２５表面に向かう不純物ガスの分子は不活性ガスの分子と衝突して跳ね返され、保護膜２５表面に到達しにくくなっている。
【００５０】
封着室４８内の真空排気と不活性ガスの導入とは継続されており、封着部材３９とチップ管用接着部材５２とから封着室４８内に放出された不純物ガスは、不活性ガスに押し流されて封着室４８の外側に真空排気される。そのため、封着室４８内の不純物ガスの分圧は増加しない。
【００５１】
封着部材３９とチップ管用接着部材５２とを軟化させたのち、加熱を停止すると、熱伝導又は熱輻射により熱が失われて、封着部材３９とチップ管用接着部材５２の温度は低下する。
【００５２】
（封止工程）
封着部材３９とチップ管用接着部材５２の温度がここでは３５０℃まで低下し、封着部材３９とチップ管用接着部材５２とが固化したら、図２を参照し、封着室４８内への不活性ガスの導入を停止し、クライオポンプ６８ａの動作を再開して、封着室４８内の不活性ガスを真空排気する。ここでは封着室４８内を１０-6Ｐａの圧力まで真空排気する。
【００５３】
図６を参照し、前面板２０と背面板３０との間の放電空間５０内の不活性ガスは、貫通孔３８とチップ管５１とを通って、封着室４８内に放出され、放電空間５０には真空雰囲気が形成される。封着室４８内に放出された不活性ガスは、真空排気装置６８により真空排気される。
【００５４】
封着部材３９とチップ管用接着部材５２とが固化した後は、封着部材３９とチップ管用接着部材５２とから不純物ガスは放出されない。そのため、真空排気された放電空間５０に不純物ガスが入ることはなく、保護膜２５が汚染されることはない。
【００５５】
固化した封着部材３９の接着力によって、前面板２０と背面板３０とが互いに固定される。また、固化したチップ管用接着部材５２の接着力によって、第二のガラス基板３１とチップ管５１とが互いに固定される。
【００５６】
互いに固定された前面板２０と背面板３０とチップ管５１とを封止室４９内に移動させる。封止室４９では、チップ管５１を通って放電空間５０に放電ガス（ここではＸｅガスのモル分率が２０％のＮｅとＸｅの混合ガス）を導入する。
【００５７】
放電ガスを所定の圧力まで導入した後、チップ管５１の途中を加熱して封じ切り、放電空間５０を外部空間から遮断すると、図１に示すようなＰＤＰ１０が得られる。
図２を参照し、封着室４８と封止室４９との間の真空バルブを閉じた状態で、封止室４９内を大気圧力にして、ＰＤＰ１０を大気中に取り出す。
【００５８】
（ＰＤＰの製造方法の別例）
上述のＰＤＰの製造方法では、蒸着室４２内で保護膜２５を形成して前面板２０を得てから、前面板２０と背面板３０とを位置合わせした状態で封着室４８内に搬入するまでの間、前面板２０を真空雰囲気中に保持したが、前面板２０を１００Ｐａ以下の不活性ガス雰囲気中に保持してもよい。
この場合には、前面板冷却室４３と、搬送室４６と、位置合わせ室４７とに、不活性ガス導入装置７１と同じ装置を設ければよい。
【００５９】
前面板２０を１００Ｐａ以下の不活性ガス中に保持すると、真空雰囲気中に保持する場合に比べて、封着部材３９や蛍光体３５からの不純物ガスの放出量を減少でき、また不純物ガスと保護膜２５との反応を防ぐことができる。
【実施例】
【００６０】
＜成膜直後の放電遅れと、封着後の放電遅れとの比較＞
（放電遅れの測定方法）
放電遅れの測定には、下記非特許文献４を参考にし、図７に示すような波形を用いた。
【００６１】
（非特許文献４）ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＨＹＳＩＣＳ、２００９、１０５、１１３３０４
測定を簡単に説明すると、まず走査電極２２と維持電極２３に矩形波形を２５０回印加して放電を繰り返し起こし、電極に電荷をためる。次いで、アドレス期間を想定して２ｍｓの休止期間を置いた後、維持パルスＶLを印加して放電を起こす。この放電のときに発生するＸｅの発光（赤外線）をフォトダイオードで検出した。ここまでの流れを１０００回繰り返し、１０００回の発光のバラつきから、放電遅れを測定した。図７の符号Ｌは、フォトダイオードの出力を示しており、維持パルスＶLを印加してから放電が起こるまでの時間は一定ではなく、バラつきが生じていることが分かる。
【００６２】
一般に電極間に放電開始電圧を超過する電位差を印加してから放電が形成されるまでには、ある一定の時間がかかり、この時間を放電遅れという。
遅れの機構から放電遅れは形成遅れと統計遅れの２成分に分類され、形成遅れは、初電子が発生してから放電が形成されるまでの時間と定義され、統計遅れは、電極間に放電開始電圧を超過する電位差を印加してから電子が発生するまでの時間と定義されている。
【００６３】
具体的には、維持パルスＶLを印加してから最も早く放電が起こったときの放電が起こるまでの時間が形成遅れ（ｔf）であり、最も早く放電が起こってから、もっとも遅く放電が起こるまでの時間が統計遅れ（ｔs）である。
以下、「放電遅れ」とは形成遅れ（ｔf）と統計遅れ（ｔs）の和（ｔf＋ｔs）を言う。
【００６４】
通常放電遅れは休止時間が長いほど大きくなることが知られている。実際のＰＤＰの駆動では、走査電極２２とアドレス電極３２の間で放電を起こすアドレス期間の間は、維持電極２３と走査電極２２では放電が起こらず、休止期間となる。走査電極２２とアドレス電極３２との間の放電は、走査電極２２ごとに順次行っていく。走査電極２２が７６８本ある場合（ＸＧＡ）には、ＰＤＰ全体では、１本の走査電極２２にかかる時間の７６８倍の時間がかかることになる。
【００６５】
１本の走査電極２２に電圧を印加する時間は、目的のセルがすべて点灯するまでの時間が必要であり、放電遅れ以上の時間、電圧を印加する必要がある。これまでのＸＧＡ規格のＰＤＰでは、走査電極２２の１本あたり２μｓ程度必要であり、ＰＤＰ全体では１．５ｍｓ（２μｓ×７６８）程度であったことが知られている。このことから、今回の測定では休止時間を少し長めに２ｍｓとした。
【００６６】
また、同様に１本の走査電極２２ごとに２μｓずつかけると、ＦＨＤシングルスキャンでは、１サブフィールドあたり２．２ｍｓ（２μｓ×１０８０）必要となる。アドレスに要する時間が長くなると、表示にかける時間が減ることになるため、十分な階調が取れなくなってしまう。このため、より高精細なパネルでは、短時間で確実にアドレス放電を起こす必要があり、すなわち放電遅れが小さくなければならない。
【００６７】
（ＰＤＰ製造装置の構造）
図８は放電遅れの測定に用いたＰＤＰの製造装置８０の内部構成図である。
このＰＤＰの製造装置８０は、蒸着室４２と、位置合わせ室４７と、封着室４８と、封止室４９と、第一、第二の搬送室８４、８５と、第一、第二の搬入出室８１、８２と、放電評価室８３とを有している。
蒸着室４２と、位置合わせ室４７と、封着室４８と、封止室４９の構造は、上述の符号４０のＰＤＰの製造装置と同じであり、同じ符号を付して示す。
【００６８】
第一の搬入出室８１と、蒸着室４２と、放電評価室８３とは、第一の搬送室８４に接続され、第二の搬入出室８２と、封着室４８と、封止室４９とは、第二の搬送室８５に接続されている。第一、第二の搬送室８４、８５は位置合わせ室４７に接続されている。
各室４２、４７〜４９、８１〜８５内は真空雰囲気にされ、継続して真空排気されている。
【００６９】
（実施例１）
図３（ａ）に示すような処理対象物１２を第一の搬入出室８１内に搬入し、第一の搬送室８４内を通って蒸着室４２内に搬入し、第一の誘電体膜２４の表面にＭｇＯ保護膜２５を形成して、前面板２０を得た後、前面板２０を第一の搬送室８４内を通って位置合わせ室４７内に移動させた。
また図４に示すような背面板３０を第二の搬入出室８２内に搬入し、第二の搬送室８５内を通って位置合わせ室４７内に移動させた。
【００７０】
位置合わせ室４７内で前面板２０と背面板３０とを重ねて、位置合わせした後、位置合わせした状態を維持しながら、前面板２０と背面板３０とを第二の搬送室８５内を通って封着室４８内に移動させた。
【００７１】
封着室４８内を真空排気しながら、封着室４８内にＮ2ガスを導入し、圧力を１０Ｐａにした。真空排気とＮ2ガスの導入を継続して、１０Ｐａの圧力を維持しながら、前面板２０と背面板３０とを４７０℃まで１時間で加熱した後、４７０℃で２０分保持した。次いで、加熱を停止して、３５０℃まで冷却した後、Ｎ2ガスの導入を停止し、封着室４８内を１０-6Ｐａの圧力まで真空排気した。
【００７２】
次いで、封着した前面板２０と背面板３０とを第二の搬送室８５内を通って封止室４９内に移動し、前面板２０と背面板３０との間の放電空間５０に放電ガスを導入して封止し、ＰＤＰ１０を完成させた。
【００７３】
完成したＰＤＰ１０を、第二の搬送室８５内と位置合わせ室４７内と第一の搬送室８４内を順に通って、放電評価室８３内に移動させ、上述の測定方法により、放電遅れを測定した。測定結果を図９の符号Ａ1に示す。
【００７４】
また、保護膜２５をＣａＯ膜又はＳｒＣａＯ膜に変更して、上述の工程を繰り返し、ＣａＯ保護膜、ＳｒＣａＯ保護膜のＰＤＰ１０の放電遅れを測定した。ＣａＯ保護膜、ＳｒＣａＯ保護膜の測定結果を図９の符号Ａ2、Ａ3にそれぞれ示す。
【００７５】
（比較例１）
実施例１と同じ工程で保護膜２５を形成して前面板２０を得た後、前面板２０を第一の搬送室８４を通って放電評価室８３内に移動させ、放電遅れを測定した。ＭｇＯ保護膜、ＣａＯ保護膜、ＳｒＣａＯ保護膜の測定結果を図９、図１０の符号Ｂ1、Ｂ2、Ｂ3にそれぞれ示す。
【００７６】
図９を参照し、実施例１の測定結果（Ａ1〜Ａ3）を比較例１の測定結果（Ｂ1〜Ｂ3）と比較すると、Ｎ2ガス雰囲気中で封着した場合には、封着後に、ＭｇＯ保護膜では放電遅れはほとんど増大しなかったことが分かる。またＣａＯ保護膜では放電遅れは０．２μｓ増大しただけであり、ＳｒＣａＯ保護膜では０．４μｓ増大しただけであることが分かる。
【００７７】
（比較例２）
封着室４８では、Ｎ2ガスを導入せずに、１０-6Ｐａ〜１０-5Ｐａの真空雰囲気を維持しながら前面板２０と背面板３０とを封着し、他の工程は実施例１と同じにして、ＰＤＰ１０を完成させ、放電遅れを測定した。ＭｇＯ保護膜、ＣａＯ保護膜、ＳｒＣａＯ保護膜の測定結果を図１０の符号Ｃ1、Ｃ2、Ｃ3にそれぞれ示す。
【００７８】
図１０を参照し、比較例２の測定結果（Ｃ1〜Ｃ3）を比較例１の測定結果（Ｂ1〜Ｂ3）と比較すると、真空雰囲気中で封着した場合には、付着後にＭｇＯ保護膜では放電遅れが０．４μｓ増大し、ＣａＯ、ＳｒＣａＯ保護膜では放電遅れが０．７μｓ増大したことが分かる。
図９、１０からは、真空雰囲気中で封着した場合（比較例２）の放電遅れの増加量に比べて、Ｎ2ガス雰囲気中で封着した場合（実施例１）の放電遅れの増加量は少ないことが分かる。
【００７９】
＜封着圧力と放電遅れとの関係＞
（実施例２）
実施例１と同じ工程で、ＳｒＣａＯ保護膜２５のＰＤＰ１０を完成させた後、放電遅れを測定することを、封着室４８内の封着中の圧力（以下、封着圧力という）を１０-6Ｐａ〜１０4Ｐａの範囲で変更して繰り返した。
なお、１０-6Ｐａは、封着室４８内にＮ2ガスを導入しなかったときの圧力であり、上述の比較例２に対応する。
【００８０】
図１１に測定結果を示す。Ｎ2ガスを導入せずに封着圧力を１０-6Ｐａにした場合、放電遅れは２．３μｓであったが、Ｎ2ガスを導入して封着圧力を高くするに従って、ＰＤＰ１０の放電遅れは徐々に低下した。封着圧力が１０-2Ｐａ〜１０2Ｐａで最小になり、その後圧力の上昇に伴って放電遅れは増大したことが分かる。
【００８１】
＜封着雰囲気中の不純物ガスの分圧＞
実施例２において、封着中の封着室４８内のＮ2、Ｈ2Ｏ、ＣＯ2の分圧を四重極質量分析装置（Ｑ−ｍａｓｓ）で測定した。
測定したＮ2、Ｈ2Ｏ、ＣＯ2のイオン電流値を図１２に示す。封着圧力が１０-2Ｐａ以上ではＱ−ｍａｓｓでは測定できないため、１０-2Ｐａ以下の測定結果を線形近似し、近似値として示した。
【００８２】
この測定結果から、Ｎ2ガスを導入し、封着圧力を上げていった場合、Ｈ2Ｏ、ＣＯ2の分圧はＮ2の分圧の１０００分の１であったことが分かる。
これにより、実施例２では、封着圧力が１０-2Ｐａ〜１０2Ｐａのとき、Ｈ2Ｏ、ＣＯ2の分圧はそれぞれ１０-2Ｐａ以下であったことが分かる。
【００８３】
また、封着圧力が１０2Ｐａより大きいときに、放電圧力の上昇に伴って放電遅れが増大した理由は、封着室４８内のＨ2Ｏ、ＣＯ2の分圧が１０-2Ｐａより大きくなり、Ｈ2Ｏ、ＣＯ2と保護膜２５との反応が生じたためであると考えられる。
【符号の説明】
【００８４】
１０……プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）
２０……前面板
２１……走査電極
２２……維持電極
３０……背面板
３２……アドレス電極
３４……リブ
３５……蛍光体
３６……凹部
３９……封着部材
５０……放電空間
４８……封着室（真空槽）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に走査電極と維持電極とが互いに平行に離間して設けられた前面板と、表面に複数のリブが設けられ、前記リブ間の凹部の底面にはアドレス電極が設けられ、複数の前記リブの周囲を取り囲んでリング状の封着部材が設けられた背面板とを、互いに対面させた状態で、真空槽内に配置する配置工程と、
前記真空槽内を真空排気しながら、前記封着部材を加熱して軟化させた後、冷却して固化させ、前記前面板と前記背面板とを固定する封着工程と
を有し、
前記凹部のうち、所望の前記凹部を、前記アドレス電極と前記走査電極との間に印加するアドレス電圧によって放電領域として選択し、前記走査電極と前記維持電極との間に維持電圧を印加して前記放電領域に放電を発生させ、放電ガスをプラズマ化し、プラズマから放出された紫外線を、前記凹部に配置された蛍光体に入射させて、前記蛍光体を発光させるプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記配置工程の後、前記封着工程の前に、前記真空槽内に前記放電ガスとは異なる不活性ガスを導入して、前記前面板と前記背面板との間の放電空間の圧力を増大させる不活性ガス導入工程が設けられ、
前記封着工程の後に、前記放電空間を真空排気して前記放電空間の圧力を減少させた後、前記放電空間に前記放電ガスを導入する封止工程が設けられたプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
前記封着工程では、前記真空槽内への前記不活性ガスの導入を継続して、前記真空槽内の圧力を１０-2Ｐａ以上１０2Ｐａ以下に維持する請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
前記配置工程の前に、前記前面板の前記走査電極上と前記維持電極上に、前記プラズマから前記走査電極と前記維持電極とを保護する保護膜を形成する保護膜形成工程が設けられ、
前記保護膜形成工程の後、前記配置工程の前までは、前記前面板を１００Ｐａ以下の不活性ガス雰囲気中に保持する請求項１又は請求項２のいずれか１項記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
前記不活性ガス導入工程の前に、前記真空槽内の圧力を１０-3Ｐａ以下に真空排気する封着前排気工程が設けられた請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
前記封着工程では、前記真空槽内のＨ2Ｏ、ＣＯ2の分圧をそれぞれ０．１Ｐａ以下に維持する請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１】
表面に走査電極と維持電極とが互いに平行に離間して設けられた前面板と、表面に複数のリブが設けられ、前記リブ間の凹部の底面にはアドレス電極が設けられ、複数の前記リブの周囲を取り囲んでリング状の封着部材が設けられた背面板とを、互いに対面させた状態で、真空槽内に配置する配置工程と、
前記真空槽内を真空排気しながら、前記封着部材を加熱して軟化させた後、冷却して固化させ、前記前面板と前記背面板とを固定する封着工程と
を有し、
前記凹部のうち、所望の前記凹部を、前記アドレス電極と前記走査電極との間に印加するアドレス電圧によって放電領域として選択し、前記走査電極と前記維持電極との間に維持電圧を印加して前記放電領域に放電を発生させ、放電ガスをプラズマ化し、プラズマから放出された紫外線を、前記凹部に配置された蛍光体に入射させて、前記蛍光体を発光させるプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記配置工程の後、前記封着工程の前に、前記真空槽内に前記放電ガスとは異なる不活性ガスを導入して、前記前面板と前記背面板との間の放電空間の圧力を増大させる不活性ガス導入工程が設けられ、
前記封着工程の後に、前記放電空間を真空排気して前記放電空間の圧力を減少させた後、前記放電空間に前記放電ガスを導入する封止工程が設けられたプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
前記封着工程では、前記真空槽内への前記不活性ガスの導入を継続して、前記真空槽内の圧力を１０-2Ｐａ以上１０2Ｐａ以下に維持する請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
前記配置工程の前に、前記前面板の前記走査電極上と前記維持電極上に、前記プラズマから前記走査電極と前記維持電極とを保護する保護膜を形成する保護膜形成工程が設けられ、
前記保護膜形成工程の後、前記配置工程の前までは、前記前面板を１００Ｐａ以下の不活性ガス雰囲気中に保持する請求項１又は請求項２のいずれか１項記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
前記不活性ガス導入工程の前に、前記真空槽内の圧力を１０-3Ｐａ以下に真空排気する封着前排気工程が設けられた請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
前記封着工程では、前記真空槽内のＨ2Ｏ、ＣＯ2の分圧をそれぞれ０．１Ｐａ以下に維持する請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
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【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２０１３−３０４４３（Ｐ２０１３−３０４４３Ａ）
【公開日】平成２５年２月７日（２０１３．２．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１６７６９９（Ｐ２０１１−１６７６９９）
【出願日】平成２３年７月２９日（２０１１．７．２９）
【出願人】（０００２３１４６４）株式会社アルバック (1,740)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年２月７日（２０１３．２．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年７月２９日（２０１１．７．２９）
【出願人】（０００２３１４６４）株式会社アルバック (1,740)
【Ｆターム（参考）】
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