ホスホール化合物の製造方法
【課題】様々な置換基を有する３−オキソ−λ5−ホスホール化合物の製造方法の提供。
【解決手段】下記式で表されるホスホール化合物（１）の製造方法。
［Ｒ1、Ｒ2およびＲ5は、Ｃ6-12アリール基等を、Ｒ3およびＲ4は、アリール基等、Ｒ6はＣ1-6アルキル基を、Ｈａｌはハロゲン原子基を示す。］或いは、式（１５）と（１６）で表される化合物の付加環化反応からホスホール化合物（１）が製造される。
［Ｒ11、Ｒ12およびＲ15は、Ｈ、Ｃ6-12アリール基等を、Ｒ13およびＲ14は、アリール基等を、Ｘは脱離基を示す。］
【解決手段】下記式で表されるホスホール化合物（１）の製造方法。
［Ｒ1、Ｒ2およびＲ5は、Ｃ6-12アリール基等を、Ｒ3およびＲ4は、アリール基等、Ｒ6はＣ1-6アルキル基を、Ｈａｌはハロゲン原子基を示す。］或いは、式（１５）と（１６）で表される化合物の付加環化反応からホスホール化合物（１）が製造される。
［Ｒ11、Ｒ12およびＲ15は、Ｈ、Ｃ6-12アリール基等を、Ｒ13およびＲ14は、アリール基等を、Ｘは脱離基を示す。］
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ホスホール化合物を製造するための方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ホスホールはピロールの窒素原子がリンに置き換わった構造を有する複素環化合物であるが、芳香族性を有さないなど、その化学的性質はピロールとは異なる特異なものである。
【０００３】
例えば、ホスホールとしては２Ｈ−ピロールや３Ｈ−ピロールと同様に２Ｈ−ホスホールや３Ｈ−ホスホールが存在する上に、ホスフィンオキシドやスルフィドなどのようにリン原子が５価状態にある場合がある。このようにホスホールには多様な構造の異性体が存在するためにその研究は十分に為されているとはいい難い。
【０００４】
これらホスホール化合物の合成や反応性についての初期の研究は、非特許文献１にまとめられている。また、リン原子を含むπ共役系化合物の用途や合成方法が種々検討されており、非特許文献２〜３中に例示されている。さらに特許文献１ではホスホール化合物の、光学材料や金属配位子としての特性が実証されており、その製造方法も提案されている。また、特許文献２には、ポリマー原料としての用途とその製法が開示されている。その他、非特許文献４〜５にはπ共役系が拡大したホスホール化合物の合成と物性が記載されており、また、非特許文献６ではホスホール化合物をコアとするデンドリマーの合成と蛍光特性が報告されている。
【０００５】
上記文献に記載されているホスホール化合物は、主に３価リン原子を含むλ3−１Ｈ−ホスホールと、オキシドやスルフィドなどその酸化体である。一部に２Ｈ−ホスホールの合成と反応について報告があるものの、その物性などについては未知である。
【０００６】
本発明者らは、これまでホスホール化合物につき研究してきた。例えば非特許文献７〜８の通り、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルジフェニルホスフィンまたはジフェニルホスフィンとアセチレンジカルボン酸ジメチルとを反応させることによって、５価リン原子を含み且つ３位にカルボニル基を有する３−オキソ−λ5−ホスホールが２個直結したホスファインジゴ誘導体が得られることを報告している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−２３８５７０号公報
【特許文献２】特開２００３−２６１５８５号公報
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】F．Mathey，アカウンツ・オブ・ケミカル・リサーチ（Acc．Chem．Res．），第３７巻，第９５４頁（２００４年）
【非特許文献２】F．Mathey，アンゲヴァンデ・ケミー・インターナショナル・エディション（Angew．Chem．Int．Ed．），第４２巻，第１５７８頁（２００３年）
【非特許文献３】T．Baumgartner，R．Reau，ケミカル・レビューズ（Chem．Rev．），第１０６巻，第４６８１頁（２００６年）
【非特許文献４】T．Baumgartnerら，ケミストリー−ア・ヨーロピアン・ジャーナル（Chem．Eur．J．），第１１巻，第４６８７頁（２００５年）
【非特許文献５】H．-C．Su，R．Reau，ら，ジャーナル・オブ・ザ・アメリカン・ケミカル・ソサイエティ（J．Am．Chem．Soc．），第１２８巻，第９８３頁（２００６年）
【非特許文献６】T．Sanjiら，オーガニック・レターズ（Org．Lett．），第９巻，第３６１１頁（２００７年）
【非特許文献７】林実，西村康伸，森田絵美，松浦豊，渡辺裕，日本化学会第８６春季年会講演要旨集，１Ｊ３０７（２００６年）
【非特許文献８】林実，西村康伸，森田絵美，岡坂未穂，河口桂子，渡辺裕，日本化学会第８７春季年会講演要旨集，４Ｅ４２７（２００７年）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述した様に、これまでにも様々なホスホール化合物が製造されている。しかし、十分に簡便で且つ効率的な製法はなかった。
【００１０】
例えば、特許文献１〜２に開示されているホスホール化合物の製造方法はいずれも遷移金属錯体を経由するものであるが、遷移金属化合物は比較的高価であり、また、環境汚染の原因になるためにそれを含む廃液の処理の問題もあることから、これら方法は大量合成に適するものではない。
【００１１】
また、本発明者らは、非特許文献７〜８のとおり、アセチレンジカルボン酸ジエステルとホスフィン類から３−オキソ−λ5−ホスホール化合物を合成した。しかしこの方法によると、ホスホール環上には原料であるアセチレンジカルボン酸ジエステル由来のアルコキシカルボニル基を持つホスホールのみしか合成することができない。それにもかかわらず、３−オキソ−λ5−ホスホール化合物に関しては他に報告例がなく、従って他の合成法も知られていない。
【００１２】
そこで本発明が解決すべき課題は、様々な置換基を有する３−オキソ−λ5−ホスホール化合物を簡便かつ効率的に製造できる方法と、新規なホスホール化合物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研究を重ねた。その結果、特定の構造を有するλ3−ホスフィン化合物とハロゲン化合物からホスホール環を構築すれば、遷移金属錯体を経由することなく、様々な置換基を有する３−オキソ−λ5−ホスホール化合物を簡便且つ効率的に製造できることを見出すことによって上記課題を解決し、本発明を完成した。
【００１４】
本発明に係る式（１）で表されるホスホール化合物の製造方法は、
【００１５】
【化１】
【００１６】
［式中、
Ｒ1、Ｒ2およびＲ5は、独立に水素原子基、置換基を有していてもよいＣ1-6アルキル基、置換基を有していてもよいＣ2-6アルケニル基、置換基を有していてもよいＣ2-6アルキニル基、Ｃ3-10シクロアルキル基、置換基を有していてもよいＣ6-10アリール基、置換基を有していてもよいヘテロアリール基、置換基を有していてもよいＣ1-6アルコキシ基、アミノ基、シアノ基、カルボキシ基、Ｃ1-7アシル基もしくはＣ2-7アルコキシカルボニル基を示すか、またはＲ1とＲ2は、夫々が結合する炭素原子と共に置換基を有していてもよいＣ6-10アリール基もしくは置換基を有していてもよいヘテロアリール基を形成してもよく、
Ｒ3およびＲ4は、独立に置換基を有していてもよいＣ1-6アルキル基、置換基を有していてもよいＣ2-6アルケニル基、置換基を有していてもよいＣ2-6アルキニル基、Ｃ3-10シクロアルキル基、置換基を有していてもよいＣ6-10アリール基または置換基を有していてもよいヘテロアリール基を示す］
式（２）で表される化合物と式（３）で表される化合物から、
【００１７】
【化２】
［式中、Ｒ1〜Ｒ5は上記と同義を示し、Ｒ6はＣ1-6アルキル基を示し、Ｈａｌはハロゲン原子基を示す］
式（４）で表される化合物を得、
【００１８】
【化３】
［式中、Ｒ1〜Ｒ6およびＨａｌは上記と同義を示す］
上記化合物（４）を環化反応に付すことを特徴とする。
【００１９】
上記本発明方法においては、上記環化反応を塩基性条件下で行う態様、加熱により行う態様、および減圧加熱により行う態様がある。
【００２０】
また、本発明者らは、特定の構造を有するλ3−ホスフィン化合物とアセチレン化合物からホスホール環を構築すれば、遷移金属錯体を経由することなく、様々な置換基を有する３−オキソ−λ5−ホスホール化合物を簡便且つ効率的に製造できることを見出すことによって上記課題を解決し、本発明を完成した。
【００２１】
本発明に係る式（１１）で表されるホスホール化合物の製造方法は、
【００２２】
【化４】
【００２３】
［式中、
Ｒ11、Ｒ12およびＲ15は、独立に水素原子基、置換基を有していてもよいＣ1-6アルキル基、置換基を有していてもよいＣ2-6アルケニル基、置換基を有していてもよいＣ2-6アルキニル基、Ｃ3-10シクロアルキル基、置換基を有していてもよいＣ6-10アリール基、置換基を有していてもよいヘテロアリール基、置換基を有していてもよいＣ1-6アルコキシ基、アミノ基、シアノ基、カルボキシ基、Ｃ1-7アシル基もしくはＣ2-7アルコキシカルボニル基を示し、
Ｒ13およびＲ14は、独立に置換基を有していてもよいＣ1-6アルキル基、置換基を有していてもよいＣ2-6アルケニル基、置換基を有していてもよいＣ2-6アルキニル基、Ｃ3-10シクロアルキル基、置換基を有していてもよいＣ6-10アリール基または置換基を有していてもよいヘテロアリール基を示す］
式（１５）で表される化合物と式（１６）で表される化合物を付加環化反応に付すことを特徴とする。
【００２４】
【化５】
［式中、Ｒ11〜Ｒ15は上記と同義を示し、Ｘは脱離基を示す］
【００２５】
本発明において「脱離基」とは、上記付加環化反応において容易に脱離することができる基をいう。例えば、ハロゲン原子基、Ｃ1-6アルコキシ基、−ＯＣＯ−Ｃ1-6アルキル基を挙げることができる。
【００２６】
上記方法において、Ｃ1-6アルキル基、Ｃ2-6アルケニル基、Ｃ2-6アルキニル基またはＣ1-6アルコキシ基の置換基としては、Ｃ6-10アリール基、ヘテロアリール基、Ｃ1-6アルコキシ基、アミノ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基およびハロゲン原子基からなる群より選択される１または２以上を挙げることができ、Ｃ6-10アリール基またはヘテロアリール基の置換基としては、Ｃ1-6アルキル基、Ｃ2-6アルケニル基、Ｃ2-6アルキニル基、Ｃ6-10アリール基、ヘテロアリール基、Ｃ1-6アルコキシ基、アミノ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基、ハロゲン原子基、Ｃ1-7アシル基およびＣ2-7アルコキシカルボニル基からなる群より選択される１または２以上を挙げることができる。
【００２７】
本発明において、「Ｃ1-6アルキル基」とは、炭素数１〜６の直鎖状または分枝鎖状の脂肪族炭化水素基をいう。例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル等を挙げることができる。これらのうち、Ｃ1-4アルキルが好ましく、Ｃ1-2アルキルがより好ましい。
【００２８】
「Ｃ2-6アルケニル基」とは、炭素原子間の二重結合を１以上有し且つ炭素数が２〜６である直鎖状または分枝鎖状の脂肪族炭化水素基をいう。例えば、ビニル、１−メチルビニル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−メチル−１−プロペニル、２−ブテニル、３−ブテニル、３−メチル−２−ブテニル、ペンテニル、ヘキセニル等である。好ましくはＣ2-5アルケニル、より好ましくはＣ2-4アルケニルであり、最も好ましくは２−プロペニル（アリル）である。
【００２９】
「Ｃ2-6アルキニル基」とは、炭素原子間の三重結合を１以上有し且つ炭素数が２〜６である直鎖状または分枝鎖状の脂肪族炭化水素基をいう。例えば、エチニル、１−メチルエチニル、１−プロピニル、２−プロピニル、１−メチル−１−プロピニル、２−ブチニル、３−ブチニル、３−メチル−２−ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル等である。好ましくはＣ2-5アルキニル、より好ましくはＣ2-4アルキニルである。
【００３０】
「Ｃ3-10シクロアルキル基」とは、炭素数３〜１０の環状脂肪族炭化水素基をいう。例えば、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、アダマンチル等を挙げることができる。これらのうち、Ｃ3-6シクロアルキルが好ましい。
【００３１】
「Ｃ6-10アリール基」とは、炭素数が６〜１０の芳香族炭化水素基をいう。例えば、フェニル、ナフチル、インデニル等であり、好ましくはフェニルである。
【００３２】
「ヘテロアリール基」とは、窒素原子、酸素原子または硫黄原子等のヘテロ原子を少なくとも１個有する５員環芳香族ヘテロシクリル基、６員環芳香族ヘテロシクリル基または縮合環芳香族ヘテロシクリル基をいう。例えば、ピロリル、イミダゾリル、ピラゾリル、チエニル、フリル、オキサゾリル、イソキサゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、チアジアゾール等の５員環ヘテロアリール基；ピリジニル、ピラジニル、ピリミジニル、ピリダジニル等の６員環ヘテロアリール基；インドリル、イソインドリル、キノリニル、イソキノリニル、ベンゾフラニル、イソベンゾフラニル、クロメニル等の縮合環芳香族ヘテロシクリル基を挙げることができる。好ましくは窒素原子を含むヘテロアリールであり、より好ましくはピリジニルである。
【００３３】
「Ｃ1-6アルコキシ基」とは、炭素数１〜６の直鎖状または分枝鎖状の脂肪族炭化水素オキシ基をいう。例えば、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｎ−ブトキシ、イソブトキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−ペントキシ、ｎ−ヘキソキシ等であり、好ましくはＣ1-4アルコキシであり、より好ましくはＣ1-2アルコキシである。
【００３４】
「アミノ基」には、無置換のアミノ基のほか、１個の上記Ｃ1-6アルキル基に置換されたモノＣ1-6アルキルアミノ基と２個の上記Ｃ1-6アルキル基に置換されたジＣ1-6アルキルアミノ基が含まれるものとする。かかるアミノ基としては、アミノ；メチルアミノ、エチルアミノ、ｎ−プロピルアミノ、イソプロピルアミノ、ｎ−ブチルアミノ、イソブチルアミノ、ｔ−ブチルアミノ、ｎ−ペンチルアミノ、ｎ−ヘキシルアミノ等のモノＣ1-6アルキルアミノ；ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジ（ｎ−プロピル）アミノ、ジイソプロピルアミノ、ジ（ｎ−ブチル）アミノ、ジイソブチルアミノ、ジ（ｎ−ペンチル）アミノ、ジ（ｎ−ヘキシル）アミノ、エチルメチルアミノ、メチル（ｎ−プロピル）アミノ、ｎ−ブチルメチルアミノ、エチル（ｎ−プロピル）アミノ、ｎ−ブチルエチルアミノ等のジＣ1-6アルキルアミノを挙げることができる。好ましくは、無置換のアミノ基である。
【００３５】
「ハロゲン原子基」としては、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、およびヨード基を例示することができ、クロロ基またはブロモ基が好ましく、クロロ基がより好ましい。
【００３６】
「Ｃ1-7アシル基」とは、炭素数１〜７の脂肪族カルボン酸からＯＨを除いた残りの原子団をいう。例えば、ホルミル、アセチル、エチルカルボニル、ｎ−プロピルカルボニル、イソプロピルカルボニル、ｎ−ブチルカルボニル、イソブチルカルボニル、ｔ−ブチルカルボニル、ｎ−ペンチルカルボニル、ｎ−ヘキシルカルボニル等であり、好ましくはＣ1-4アシル基であり、より好ましくはアセチルである。
【００３７】
「Ｃ2-7アルコキシカルボニル基」は、上記Ｃ1-6アルコキシ基がカルボニル基に結合した基をいう。例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｎ−プロポキシカルボニル、イソプロポキシカルボニル、ｎ−ブトキシカルボニル、イソブトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｎ−ペントキシカルボニル、ｎ−ヘキソキシカルボニル等である。当該基としては、好ましくは（Ｃ2-6アルコキシ）カルボニル基であり、（Ｃ3-5アルコキシ）カルボニル基がより好ましい。
【００３８】
アリール基やヘテロアリール基等が置換基を有する場合、置換基の数は、置換可能であれば２以上であってもよい。置換基数が複数である場合、それらは互いに同一であっても異なっていてもよい。
【００３９】
化合物（１）および化合物（１１）は、水和物の様な溶媒和物の形態であってもよく、それらは本発明範囲に含まれる。
【００４０】
化合物（１）および化合物（１１）は塩であってもよく、それらは本発明範囲に含まれる。化合物（１）および化合物（１１）の好適な塩としては、例えば、酢酸塩、マレイン酸塩、酒石酸塩、メタンスルホン酸塩、ベンゼンスルホン酸塩、ギ酸塩、トルエンスルホン酸塩、トリフルオロ酢酸塩などの有機酸塩；塩酸塩、臭化水素酸塩、硫酸塩、リン酸塩などの無機酸塩；アスパラギン酸塩、グルタミン酸塩などのアミノ酸塩；ナトリウム塩、カリウム塩などのアルカリ金属塩；カルシウム塩、マグネシウム塩などのアルカリ土類金属塩などを挙げることができる。
【発明の効果】
【００４１】
本発明方法によれば、遷移金属錯体を経由することなく、様々な置換基を有する３−オキソ−λ5−ホスホール化合物を簡便かつ効率的に製造することができる。
【発明を実施するための形態】
【００４２】
本発明のホスホール化合物（１）は、下記スキームにより製造される。
【００４３】
【化６】
【００４４】
以下、実施の順番に従って、本発明に係るホスホール化合物の第一の製造方法を説明する。
【００４５】
工程Ａ
工程Ａは、ホスフィン化合物（２）とハロゲン化合物（３）からホスホニウム塩（４）を合成する工程である。
【００４６】
ホスフィン化合物（２）は、公知の方法により合成することができる。例えば、R．K．Dieterら，J．Org．Chem．，67，p.847-（2002）やS．Maら，J．Org．Chem．，57，p.709（1992）に記載の方法に従って置換プロピオル酸エステルにＨＩを付加した後、S．E．Tunney，J．Org．Chem．，52，p.748（1987）に記載の方法によりシリルホスフィンとパラジウム触媒を用いたヨウ素−リン交換反応を行うことで製造することができる。また、Ｒ1とＲ2がそれぞれ隣接する炭素原子と共にアリール基などを形成しているホスフィン化合物（２）については、市販または既知の合成法により製造したオルトヨウ化安息香酸エステル化合物を原料として、S．E．Tunney，J．Org．Chem．，52，p.748（1987）の方法に従ってヨウ素−リン交換反応を行うことで製造することができる。また、A．Krasovskiy，Chem．Int．Ed．，43，p.3333（2004）に記載のハロゲン−金属交換反応によりオルトハロゲン化安息香酸化合物と有機リチウムや有機マグネシウムから得た有機金属化合物を用い、リン−炭素結合生成反応により製造することができる。
【００４７】
ハロゲン化合物（３）は市販のものがあれば購入すればよいが、比較的シンプルな構造をしていることから一般的方法により市販化合物から製造してもよい。
【００４８】
なお、Ｒ1、Ｒ2またはＲ5が置換基を有さないアミノ基である場合や、アリール基上にカルボキシ基などの活性置換基が存在している場合などでは、これら活性基をいったん保護した上で反応を進め、保護基を適時除去してもよい。
【００４９】
上記工程Ａの反応条件は特に制限されないが、例えば、ホスフィン化合物（２）の溶液にハロゲン化合物（３）を添加した上で攪拌すればよい。また、反応は窒素気流下で行うことが好ましい。また、ハロゲン化合物（３）を溶媒としても用いるなど、さらに溶媒を添加することなく反応を行うことも可能である。
【００５０】
工程Ａで用いる溶媒は、化合物（２）と化合物（３）を適度に溶解することができ且つ反応を阻害しないものであれば特に制限されないが、例えば、ベンゼンやトルエンなどの芳香族炭化水素；アセトニトリルやクロロアセトニトリルなどのニトリル；ジクロロメタンやクロロホルムなどのハロゲン化炭化水素；ジメチルホルムアミドやジメチルアセトアミドなどのアミドなどから選択することができる。
【００５１】
本反応時の温度は、出発原料や溶媒などに依存するが、室温〜１１０℃程度とすることができる。なお、当該温度を高めることにより、工程Ａと工程Ｂを連続的に行うこともできる。この点については後述する。
【００５２】
添加後の反応時間も出発原料や溶媒などに依存するが、通常は１〜２４時間程度とする。反応の終了は、ＴＬＣなどで確認すればよい。
【００５３】
工程Ａの反応は非常に容易に進行し且つ副生物もほとんど生成しないことから、反応後は溶媒を留去するのみでホスホニウム塩（４）がほぼ定量的に得られる。或いは、溶媒を留去することなく、溶液状態のまま工程Ｂを実施することもできる。即ち、本発明の範囲には、ホスホニウム塩を単離することなく次の工程を行う態様も含まれる。
【００５４】
工程Ｂ
工程Ｂは、ホスホニウム塩（４）を環化反応に付して本発明に係るホスホール化合物（１）を合成する工程である。かかる環化反応としては、塩基性条件下で行うもの、加熱により行うもの、および減圧加熱により行うものがある。以下、これら反応条件により説明する。
【００５５】
・塩基条件下での環化反応
ホスホニウム塩（４）は、Ｒ5がシアノ基などの電子吸引基であり安定なリンイリドが生成する場合には、その溶液の液性を塩基性とすることで容易に環化する。具体的には、ホスホニウム塩（４）を水に溶解した上で塩基性化合物を少しずつ添加していけばよい。
【００５６】
ホスホニウム塩（４）の水溶液へは、溶解性を高めるために、メタノールやエタノールなどの水混和性有機溶媒を添加してもよい。
【００５７】
塩基性化合物は、用いた溶媒に対する溶解性を示すものであれば特に制限されないが、例えば、水酸化ナトリウムや水酸化カリウムなどアルカリ金属の水酸化物などを用いることができる。これら塩基性化合物は、反応の急激な進行を抑制するために、１〜４Ｎ程度の水溶液として添加することが好ましい。
【００５８】
反応混合液が塩基性となった時点の確認は、ｐＨメーターなどによっても行うことができるが、反応混合液へフェノールフタレインなどのｐＨ指示薬を加えておき、その呈色により行うのが簡便である。具体的には、ホスホニウム塩（４）の水溶液へ少量のフェノールフタレインを添加しておき、さらに塩基性化合物の水溶液を少しずつ加えてはよく攪拌する操作を繰り返し、反応混合液が赤色となった時点で反応を終了させることができる。
【００５９】
反応終了後は、一般的な方法で目的化合物であるホスホール化合物（１）を精製することができる。例えば、反応混合液を酢酸エチルやクロロホルムなど水と混和しない有機溶媒で抽出し、有機溶媒層を無水硫酸ナトリウムや無水硫酸マグネシウムなどで乾燥した後に減圧濃縮する。さらに必要に応じて、カラムクロマトグラフィや再結晶などの方法で精製してもよい。
【００６０】
以上の方法の他、Ｗｉｔｔｉｇ反応の条件と同様に、ＴＨＦなど適切な溶媒中、ホスホニウム塩（４）に、ブチルリチウム、リチウムジイソプロピルアミド（ＬＤＡ）、カリウムヘキサメチルジシラジド（ＫＨＭＤＳ）などの強塩基；水素化リチウム、水素化ナトリウム、水素化カリウムなどアルカリ金属の水素化物などを作用させてリンイリドを調製することにより分子内環化を行うことも可能である。通常、リンイリドの調製と環化反応は低温で行われるが、環化反応が遅い場合には加熱により環化を促進することもできる。
【００６１】
・加熱による環化反応
ホスホニウム塩（４）は、単に加熱するのみでも容易に環化してホスホール化合物（１）となる。
【００６２】
例えば、工程Ａにおける反応温度を８０〜１５０℃程度で行い、ホスホニウム塩（４）の合成とその環化反応を連続的に実施することも可能である。この場合の反応時間は、予備実験や原料化合物の消費の確認などにより決定すればよいが、通常は６〜４８時間程度とすることができる。
【００６３】
反応終了後は、通常の方法により精製すればよい。例えば、反応混合液を減圧濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィや再結晶などにより精製することにより、ホスホール化合物（１）が得られる。
【００６４】
・減圧加熱による環化反応
ホスホニウム塩（４）は、単に加熱するのみでなく減圧下で加熱することによって、より効率的に環化させることができる。
【００６５】
例えば、工程Ａで得られたホスホニウム塩（４）をよく乾燥した上で、減圧したまま１００〜２００℃程度で加熱することによって、ホスホール化合物（１）が得られる。この場合の反応時間は、予備実験や原料化合物の消費の確認などにより決定すればよいが、通常は１〜１２時間程度とすることができる。この際、原料化合物の構造によっては１５０℃程度以下での反応ではホスホール構造を持たない副生成物を生じることがあるが、その場合にはより高い温度で反応を行うことで副反応を抑制することができる。
【００６６】
反応終了後は、通常の方法により精製すればよい。例えば、反応物を室温まで冷却した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィや再結晶などにより精製することにより、ホスホール化合物（１）が得られる。
【００６７】
本発明のホスホール化合物（１１）は、下記スキームによって製造することができる。
【００６８】
【化７】
【００６９】
以下、本発明に係るホスホール化合物の第二の製造方法を説明する。
【００７０】
上記工程Ｃは、ホスフィン化合物（１５）とアセチレン化合物（１６）とを反応させてホスホール化合物（１１）を合成する工程である。
【００７１】
ホスフィン化合物（１５）は、公知の方法により容易に合成することができる。例えば、ＸがＣ1-6アルコキシ基であるホスフィン化合物（１５）が必要である場合、当業者公知のα位置換反応によりホスフィノ酢酸エステル化合物のα位へＲ15を導入すればよい。また、ＸがＣ1-6アルコキシ基であるホスフィン化合物（１５）は、Ｒ15が置換しているメチル基を有するホスフィン化合物またはそのボラン錯体に対して、当業者公知のα位置換反応により当該メチル基へアルコキシカルボニル基を導入することによっても合成できる。さらにホスフィン化合物（１５）は、α位にハロゲン基が導入されているホスフィノ酢酸エステル化合物の当該ハロゲン基を、当業者公知の求核置換反応により所望のＲ15に置換することによっても合成することができる。
【００７２】
原料であるホスフィン化合物（１５）は、空気中で酸化分解され易い場合がある。その場合には、ホスフィン化合物（１５）を式（１７）で表されるボラン錯体へ誘導しておき、ホスホール化合物（１１）を合成する際に分解してホスフィン化合物（１５）へ戻してもよい。
【００７３】
【化８】
【００７４】
ボラン錯体（１７）を分解する場合には、溶媒中、求核性の高いアミンを作用させればよい。
【００７５】
ボラン錯体（１７）の分解反応で用いる溶媒としては、ボラン錯体（１７）を適度に溶解することができ且つ反応を阻害しないものであれば特に制限されないが、例えば、ジメチルホルムアミドやジメチルアセトアミドなどのアミド；アセトニトリル、プロピオニトリル、ベンゾニトリルなどのニトリル；ベンゼンやトルエンなどの芳香族炭化水素などから選択することができる。
【００７６】
求核性の高いアミンとしては、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（ＤＡＢＣＯ）、モルホリン、キヌクリジンなどの環状アミンの他、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，−テトラメチルエチレンジアミン（ＴＭＥＤＡ）などを用いることができる。
【００７７】
ボラン錯体（１７）の分解反応におけるボラン錯体（１７）の濃度は適宜調整すればよいが、通常、０．１ｍｇ／ｍＬ以上、１ｍｇ／ｍＬ以下程度とすればよい。また、使用するアミンの量は、ボラン錯体（１７）と同モルまたは略同モルとすればよい。反応時においては、生成したホスフィン化合物（１５）の酸化分解を抑制するために、アルゴンガスや窒素ガスなどの不活性ガスにより系内を置換することが好ましい。
【００７８】
ボラン錯体（１７）の分解反応の温度と時間は適宜調整すればよいが、通常、室温で１時間以上、１０時間以下程度とすることができる。
【００７９】
反応終了後、生成したホスフィン化合物（１５）は単離精製してもよいが、ボラン錯体（１７）の分解反応は定量的に進行するのが一般的であり、また、ホスフィン化合物（１５）を空気に接触させると酸化分解するおそれがあるので、そのまま次の工程に進むのが好ましい。
【００８０】
上記工程Ｃは、ホスフィン化合物（１５）の溶液へアセチレン化合物（１６）を添加し、加熱攪拌することにより行えばよい。ボラン錯体（１７）を分解してホスフィン化合物（１５）とした場合には、当該反応溶液へアセチレン化合物（１６）を加えればよい。
【００８１】
アセチレン化合物（１６）は比較的シンプルな構造をしていることから、市販のものがあれば購入すればよいし、市販のものが無い場合には当業者公知の方法により市販化合物から製造することができる。
【００８２】
アセチレン化合物（１６）の使用量は適宜調整すればよいが、ホスフィン化合物（１５）と同モル量または略同モル量とすればよい。一般的には、安価に入手できる方か容易に製造できる方を過剰に用いる。
【００８３】
工程Ｃで用いる溶媒は特に制限されないが、ボラン錯体（１７）の分解反応で使用できるものとして挙げた溶媒を使用することができる。即ち、ジメチルホルムアミドやジメチルアセトアミドなどのアミド；アセトニトリル、プロピオニトリル、ベンゾニトリルなどのニトリル；ベンゼンやトルエンなどの芳香族炭化水素などを使用することができる。
【００８４】
工程Ｃの反応温度は適宜調整すればよいが、通常、室温程度から１２０度程度とすることができる。反応時間も適宜調整すればよいが、通常は５時間以上、２０時間以下程度とすることができる。反応の終了は、ＴＬＣなどで確認すればよい。
【００８５】
反応終了後は、通常の方法により精製すればよい。例えば、目的化合物であるホスホール化合物（１１）は比較的脂溶性が高いといえるので、反応液をクロロホルムや酢酸エチルなどで抽出した後に洗浄と乾燥を行い、シリカゲルカラムクロマトグラフィや再結晶などにより精製すればよい。
【００８６】
工程Ｃの反応温度や原料化合物によっては、式（１８）で表されるホスホール還元体が得られる場合がある。その場合には、ホスホール還元体（１８）を酸化剤で酸化することにより容易にホスホール化合物（１１）が得られる。
【００８７】
【化９】
【００８８】
本反応で用いられる溶媒としては、ホスホール還元体（１８）を適度に溶解することができ且つ反応を阻害しないものであれば特に制限されないが、例えば、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素などのハロゲン化炭化水素などを使用することができる。
【００８９】
本反応で使用できる酸化剤としては、２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノ−ｐ−ベンゾキノン（ＤＤＱ）やクロラニルなどを用いることができる。並行して置換基を酸化したい場合には強い酸化剤を用いても良いが、一般的にはＤＤＱなどを用いることが好ましい。
【００９０】
本反応におけるホスホール還元体（１８）の濃度は適宜調整すればよいが、通常、１０ｍｇ／ｍＬ以上、３０ｍｇ／ｍＬ以下程度とすることができる。酸化剤の量は、使用する酸化剤の種類などに応じて適宜調整すればよいが、通常、ホスホール還元体（１８）に対して１．０モル倍以上、５．０モル倍以下程度とすることができる。
【００９１】
本反応の温度は、酸化剤の種類などに応じて適宜調整すればよいが、通常、室温とすることができる。反応時間も適宜調整すればよいが、通常は３０分間以上、１０時間以下程度とすることができる。反応の終了は、ＴＬＣなどで確認すればよい。
【００９２】
反応終了後は、通常の方法により精製すればよい。例えば、溶媒を減圧留去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィや再結晶などにより精製すればよい。必要に応じて、酸化剤の分解処理を行ってもよい。
【００９３】
さらに必要であれば、置換基において官能基変換反応を行なってもよい。かかる反応は、当業者公知の方法により実施することができる。
【００９４】
本発明方法により製造されるホスホール化合物は、少なくともリン−炭素間の二重結合およびオキソ基が共役している。その他の位置の置換基によっては、共役はさらに高度なものとなる。よって本発明のホスホール化合物は、優れた電子輸送材料や発光材料として利用できると考えられる。例えば、真空蒸着法などにより本発明のホスホール化合物からなる薄膜を形成し、これを有機ＥＬの発光層とすることができる可能性がある。また、本発明に係るホスホール化合物は優れた蛍光性を示すことから、色素として用いることもできる。
【実施例】
【００９５】
以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はもとより下記実施例により制限を受けるものではなく、前・後記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に含まれる。
【００９６】
実施例１ 新規ホスホール化合物の合成法Ａ−塩基性条件下でのホスホニウム塩の環化
【００９７】
【化１０】
【００９８】
ｏ−ジフェニルホスフィノ安息香酸メチル（２００ｍｇ，０．６３ｍｍｏｌ）をベンゼン（０．５ｍＬ）に溶解した。窒素気流下、ブロモ酢酸エチル（１０８ｍｇ，０．６４ｍｍｏｌ）を当該溶液へ加え、５５℃で１時間攪拌した。次いで、溶媒を留去することによりホスホニウム塩を定量的に得た。ＮＭＲによるホスホニウム塩の分析結果を以下に示す。
1H-NMR（400MHz，CDCl3）δ1.06（t，3H，J=7.2Hz，CH3），3.74（s，3H，OCH3），4.00（q，2H，J=7.2Hz，O-CH2），5.28（d，2H，J=16Hz，P-CH2），7.54-8.42（m，14H，aromatic H）；
31P-NMR（162MHz，CDCl3）δ27.4
【００９９】
上記ホスホニウム塩を水（５０ｍＬ）に溶解した。当該溶液へフェノールフタレインの２％メタノール溶液を２滴加え、激しく攪拌しながら、僅かな赤色が残るまで２Ｎ水酸化ナトリウム水溶液を１滴ずつ加えた。当該混合液を酢酸エチルで抽出し、有機相を無水硫酸ナトリウムで乾燥した。乾燥剤を濾別し、濾液を濃縮することによって、白色固体である２−エトキシカルボニル−Ｐ，Ｐ−ジフェニルベンゾ−３−オキソ−λ5−ホスホールを得た。収量は１５２ｍｇ、収率は６６％であった。当該化合物の分析結果と蛍光特性を以下に示す。
1H-NMR（400MHz，CDCl3）δ1.18（t，3H，J=7.2Hz，CH3），4.16（q，2H，J=7.2Hz，CH2），7.45-8.12（m，14H，aromatic H）；
31P-NMR（162MHz，CDCl3）δ20.4；
FABMAS 375[M+H]+；
R=0.20（CHCl3／AcOEt＝3／1）
λｅｍ＝４５０．５ｎｍ
【０１００】
実施例２ 新規ホスホール化合物の合成法Ｂ−加熱によるホスホニウム塩の環化
【０１０１】
【化１１】
【０１０２】
ｏ−ジフェニルホスフィノ安息香酸メチル（１０４ｍｇ，０．３３ｍｍｏｌ）をクロロアセトニトリル（０．４ｍＬ）に溶解し、窒素気流下、１２０℃で２時間攪拌した。次いで溶媒を留去し、クロロホルム／酢酸エチル＝３／１の混合溶媒を溶出液とするシリカゲルカラムクロマトグラフィで残渣を精製することによって、白色固体である２−シアノ−Ｐ，Ｐ−ジフェニルベンゾ−３−オキソ−λ5−ホスホールを得た。収量は１０６ｍｇ、収率は１００％であった。当該化合物の分析結果と蛍光特性を以下に示す。
1H-NMR（400MHz，CDCl3）δ7.50-8.15（m，14H，aromatic H）；
31P-NMR（162MHz，CDCl3）δ18.5；
FABMAS 328[M+H]+；
R=0.70（AcOEt）
λｅｍ＝４６４．５ｎｍ
【０１０３】
実施例３ 新規ホスホール化合物の合成法Ｃ−減圧加熱によるホスホニウム塩の環化
【０１０４】
【化１２】
【０１０５】
ｏ−ジフェニルホスフィノ安息香酸メチル（１２１ｍｇ，０．３８ｍｍｏｌ）をトルエン（２．０ｍＬ）に溶解した。臭化ベンジル（０．１ｍＬ，０．８４ｍｍｏｌ）を当該溶液へ加え、室温で２日間攪拌した。次いで、溶媒を留去することによりホスホニウム塩を定量的に得た。ＮＭＲによるホスホニウム塩の分析結果を以下に示す。
1H-NMR（400MHz，CDCl3）δ3.67（s，3H，OCH3），5.28（d，2H，P-CH2），6.90-8.40（m，19H，aromatic H）；
31P-NMR（162MHz，CDCl3）δ27.2
【０１０６】
上記ホスホニウム塩を５０℃で１時間減圧乾燥した後、減圧したまま昇温して１５０℃で５時間加熱した。次に冷却した後、酢酸エチルを溶出液とするシリカゲルカラムクロマトグラフィで反応混合物を精製することによって、アモルファス状固体である２−フェニル−Ｐ，Ｐ−ジフェニルベンゾ−３−オキソ−λ5−ホスホールを得た。収量は３．３ｍｇ、収率は１５％であった。当該化合物の分析結果を以下に示す。
1H-NMR（400MHz，CDCl3）δ6.83-8.18（m，19H，aromatic H）；
13C-NMR（100MHz，CDCl3）δ73.7（d，J=115Hz），122.4（s），122.9（d，J=85Hz），123.6（d，J=12Hz），124.4（d，J=9Hz），125.7（d，J=89Hz），126.9（d，J=7Hz），128.1（s），129.5（d，J=13Hz），129.8（d，J=11Hz），133.2（d，J=11Hz），133.3（d，J=3Hz），133.6（d，J=2Hz），136.9（d，J=13Hz），147.0（d，J=14Hz），178.3（d，J=33Hz）；
31P-NMR（162MHz，CDCl3）δ17.6；
R=0.65（AcOEt）
【０１０７】
実施例４ 新規ホスホール化合物の合成法Ｃ−減圧加熱によるホスホニウム塩の環化
上記実施例３において、ホスホニウム塩の減圧加熱の条件を１９０℃で４．５時間とすること以外は同様にして、目的化合物を約８０％の収率で得た。但し、目的化合物には少量の不純物が混入していたため、さらに精製条件を検討中である。
【０１０８】
実施例５ 新規ホスホール化合物の合成法Ｂ−加熱によるホスホニウム塩の環化
【０１０９】
【化１３】
【０１１０】
（Ｚ）−３−ジフェニルホスフィノケイ皮酸メチル（１１２ｍｇ，０．３１ｍｍｏｌ）をクロロアセトニトリル（０．４ｍＬ）に溶解し、窒素気流下、１２０℃で１８時間攪拌した。次いで溶媒を留去し，クロロホルム／酢酸エチル＝３／１の混合溶媒を溶出液とするシリカゲルカラムクロマトグラフィで残渣を精製することによって，黄色のアモルファス状固体である２−シアノ−５−フェニル−Ｐ，Ｐ−ジフェニル−３−オキソ−λ5−ホスホールを得た。収量は８１ｍｇ，収率は７４％であった。当該化合物の分析結果を以下に示す。
1H-NMR（400MHz，CDCl3）δ7.17-7.79（m，16H）；
13C-NMR（100MHz，CDCl3）δ46.8（d，J=137.5Hz），117.2（d，J=17.5Hz），120.2（d，J=87.6Hz），127.1（d，J=5.9Hz），129.5（s），130.1（d，J=13.1Hz），130.6（s），130.8（d，J=8.5Hz），133.0（d，J=11.1Hz），134.5（d，J=3.1Hz），136.6（d，J=73Hz），145.4（d，J=9.2Hz），183.7（d，J=34.5Hz）；
R=0.25（CHCl3／AcOEt＝3／1）
【０１１１】
実施例６ 新規ホスホール化合物の合成法Ａ−塩基性条件下でのホスホニウム塩の環化
【０１１２】
【化１４】
【０１１３】
窒素で満たした反応器に、ｏ−ジフェニルホスフィノ安息香酸メチル（５０ｍｇ，０．１６ｍｍｏｌ）のトルエン溶液（０．５ｍＬ）を入れ、さらに臭化ベンジル（３０ｍｇ，０．１７ｍｍｏｌ）を加え、１１０℃で３時間撹拌した。次いで、溶媒を留去した。残渣を減圧下５０℃で乾燥した後、ＴＨＦ（２．０ｍＬ）を加えて懸濁液とした。当該懸濁液に水素化リチウム（３．７ｍｇ，０．４６ｍｍｏｌ）を加え、５０℃で１９時間撹拌した。その後、水を加えて反応を停止させた。反応混合物を酢酸エチルで２回抽出し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。乾燥剤を濾別し、濾液を濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ（溶出液：酢酸エチル）で精製することによって、目的化合物を得た（収率：７４％）。
【０１１４】
実施例７ 新規ホスホール化合物の合成法Ａ−塩基性条件下でのホスホニウム塩の環化
【０１１５】
【化１５】
【０１１６】
窒素で満たした反応器に，ｏ−ジフェニルホスフィノ安息香酸メチル（５０ｍｇ，０．１６ｍｍｏｌ）の臭化プレニル溶液（０．２ｍＬ）を入れ、室温で７時間撹拌した。次いで、溶媒を留去した。残渣を減圧下５０℃で乾燥した後、ＴＨＦ（２．０ｍＬ）を加えて懸濁液とした。当該懸濁液に水素化リチウム（３．７ｍｇ，０．４６ｍｍｏｌ）を加え、室温で８時間撹拌した。その後、水を加えて反応を停止させた。反応混合物を酢酸エチルで２回抽出し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。乾燥剤を濾別し、濾液を濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ（溶出液：クロロホルム／酢酸エチル＝１／１）で精製することによって、黄色のアモルファス状物質である目的化合物を得た（収量：３０ｍｇ，収率：５４％）。
【０１１７】
参考例１ 新規ホスホール化合物の官能基変換
【０１１８】
【化１６】
【０１１９】
上記実施例２と同様の方法により、ブロモ体を合成した。アルゴンで満たした反応器にブロモ体（１００ｍｇ，０．２５ｍｏｌ）を入れた。別途、バイアル瓶中、酢酸パラジウム（２７ｍｇ）とトリフェニルホスフィン（１２ｍｇ）を乾燥ＤＭＦ（１ｍＬ）に溶解し、触媒溶液とした。上記反応器へ当該触媒溶液を加えた後、スチレン（３５μＬ，０．３０ｍｍｏｌ）と酢酸ナトリウム（３２ｍｇ，０．３７ｍｍｏｌ）を加えて１４０℃で５．５時間加熱した。減圧下溶媒を留去し、残渣をクロロホルムに溶解した後、水と飽和食塩水で洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、乾燥剤を濾別し、濾液を濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ（溶出液：クロロホルム／酢酸エチル＝８／１）で精製することによって、淡黄色の目的化合物を得た（収率：６２％）。
【０１２０】
参考例２ 新規ホスホール化合物の官能基変換
【０１２１】
【化１７】
【０１２２】
上記実施例２と同様の方法により、ブロモ体を合成した。アルゴンで満たした反応器に、ブロモ体（１００ｍｇ，０．２５ｍｏｌ）、フェニルボロン酸（４５ｍｇ，０．３６ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（７８ｍｇ，３．０ｅｑ．）、酢酸パラジウム（５．３７ｍｇ，１０ｍｏｌ％）、トリフェニルホフフィン（１３ｍｇ，２０ｍｏｌ％）および乾燥ＤＭＦ（１ｍＬ）を加え，１００℃で３．５時間加熱した。減圧下溶媒を留去し、残渣にクロロホルムを加え、有機相を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄した。有機相を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、乾燥剤を濾別し、濾液を濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ（溶出液：クロロホルム／酢酸エチル＝８／１）で精製することによって、淡黄色の目的化合物を得た（収率：９２％）。
【０１２３】
実施例８ 本発明に係る第二製法による新規ホスホール化合物の製造
【０１２４】
【化１８】
【０１２５】
アルゴンで満たした反応器にジフェニルホスフィノフェニル酢酸メチル−ボラン錯体（４９．５ｍｇ，０．１４ｍｍｏｌ）のＤＭＦ溶液（１ｍＬ）を入れ、さらにＤＡＢＣＯ（１５．９ｍｇ，０．１４ｍｍｏｌ）を加えて室温で２．５時間撹拌した。次いで、４−フェニル−３−ブチン−２−オン（２６．５ｍｇ，０．１８ｍｍｏｌ）を加えて１００℃で１２時間加熱撹拌した。反応混合物に水を加え、クロロホルムで２回抽出し、１Ｎ塩酸、水および飽和食塩水で各１回洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、乾燥剤を濾別し、濾液を濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ（溶出液：クロロホルム／酢酸エチル＝９／１）で精製することによって、赤色のアモルファス状物質である目的化合物を得た（収量：４５．６ｍｇ，収率：７２％）。
【０１２６】
実施例９ 本発明に係る第二製法による新規ホスホール化合物の製造
【０１２７】
【化１９】
【０１２８】
アルゴンで満たした反応器にジフェニルホスフィノフェニル酢酸メチル−ボラン錯体（５０．０ｍｇ，０．１４ｍｍｏｌ）のアセトニトリル溶液（１ｍＬ）を入れ、さらにＤＡＢＣＯ（１６．１ｍｇ，０．１４ｍｍｏｌ）を加えて室温で２．５時間撹拌した。次いで、４−（２−チエニル）−３−ブチン−２−オン（２３．７ｍｇ，０．１６ｍｍｏｌ）を加えて８０℃で１２時間加熱撹拌した。反応混合物に水を加え、クロロホルムで２回抽出し、１Ｎ塩酸、水および飽和食塩水で各１回洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、乾燥剤を濾別し、濾液を濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ（溶出液：ｎ−ヘキサン／酢酸エチル＝１／２）で精製することによって、赤色のアモルファス状物質である目的化合物を得た（収量：５１．９ｍｇ，収率：８０％）。
【０１２９】
実施例１０ 本発明に係る第二製法による新規ホスホール化合物の製造
（１） ホスホール還元体の製造
【０１３０】
【化２０】
【０１３１】
アルゴンで満たした反応器にジフェニルホスフィノフェニル酢酸メチル−ボラン錯体（９９．３ｍｇ，０．２９ｍｍｏｌ）のトルエン溶液（２ｍＬ）を入れ、さらにＤＡＢＣＯ（３２．０ｍｇ，０．２９ｍｍｏｌ）を加えて室温で２．５時間撹拌した。次いで、アセチレンジカルボン酸ジメチル（４４．６ｍｇ，０．３１ｍｍｏｌ）を加えて室温で１２時間撹拌した。反応混合物に水を加え、クロロホルムで２回抽出し、１Ｎ塩酸、水および飽和食塩水で各１回洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、乾燥剤を濾別し、濾液を濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ（溶出液：クロロホルム／酢酸エチル＝８／１）で精製することによって、黄色のアモルファス状物質であるホスホール還元体を得た（収量：６４ｍｇ，収率：５０％）。
【０１３２】
（２） ホスホール化合物の製造
【０１３３】
【化２１】
【０１３４】
上記反応で得られたホスホール還元体（３０．０ｍｇ，０．０６７ｍｍｏｌ）のジクロロメタン溶液（１．５ｍｌ）に、ＤＤＱ（１．７ｍｇ，０．０７４ｍｍｏｌ）を加えて室温で１時間攪拌した。当該反応溶液を1Ｈ−ＮＭＲと31Ｐ−ＮＭＲにより分析したところ、充分純粋なホスホール化合物が定量的に得られていることが明らかにされた。
【０１３５】
以下、上記実施例または参考例と同様にしてホスホール化合物を製造した結果を表１〜５にまとめる。表中、実施例１と同様に水酸化ナトリウムによる塩基性条件下で環化反応を行なう本発明に係る第一方法をＡ１；上記実施例６と同様に水素化リチウムによる塩基性条件下で環化反応を行なう本発明に係る第一方法をＡ２；上記実施例２と同様に加熱により環化反応を行なう本発明に係る第一方法をＢ；上記実施例３と同様に減圧加熱により環化反応を行なう本発明に係る第一方法をＣとする。但し、実施例３５においては、塩基として水素化リチウムの代わりにＫＨＭＤＳを用いた。
【０１３６】
【表１】
【０１３７】
【表２】
【０１３８】
【表３】
【０１３９】
【表４】
【０１４０】
【表５】
【０１４１】
以上のとおり、本発明方法によれば、様々な置換基を有する３−オキソ−λ5−ホスホール化合物を、非常に簡便かつ効率的に製造することが可能である。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ホスホール化合物を製造するための方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ホスホールはピロールの窒素原子がリンに置き換わった構造を有する複素環化合物であるが、芳香族性を有さないなど、その化学的性質はピロールとは異なる特異なものである。
【０００３】
例えば、ホスホールとしては２Ｈ−ピロールや３Ｈ−ピロールと同様に２Ｈ−ホスホールや３Ｈ−ホスホールが存在する上に、ホスフィンオキシドやスルフィドなどのようにリン原子が５価状態にある場合がある。このようにホスホールには多様な構造の異性体が存在するためにその研究は十分に為されているとはいい難い。
【０００４】
これらホスホール化合物の合成や反応性についての初期の研究は、非特許文献１にまとめられている。また、リン原子を含むπ共役系化合物の用途や合成方法が種々検討されており、非特許文献２〜３中に例示されている。さらに特許文献１ではホスホール化合物の、光学材料や金属配位子としての特性が実証されており、その製造方法も提案されている。また、特許文献２には、ポリマー原料としての用途とその製法が開示されている。その他、非特許文献４〜５にはπ共役系が拡大したホスホール化合物の合成と物性が記載されており、また、非特許文献６ではホスホール化合物をコアとするデンドリマーの合成と蛍光特性が報告されている。
【０００５】
上記文献に記載されているホスホール化合物は、主に３価リン原子を含むλ3−１Ｈ−ホスホールと、オキシドやスルフィドなどその酸化体である。一部に２Ｈ−ホスホールの合成と反応について報告があるものの、その物性などについては未知である。
【０００６】
本発明者らは、これまでホスホール化合物につき研究してきた。例えば非特許文献７〜８の通り、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルジフェニルホスフィンまたはジフェニルホスフィンとアセチレンジカルボン酸ジメチルとを反応させることによって、５価リン原子を含み且つ３位にカルボニル基を有する３−オキソ−λ5−ホスホールが２個直結したホスファインジゴ誘導体が得られることを報告している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−２３８５７０号公報
【特許文献２】特開２００３−２６１５８５号公報
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】F．Mathey，アカウンツ・オブ・ケミカル・リサーチ（Acc．Chem．Res．），第３７巻，第９５４頁（２００４年）
【非特許文献２】F．Mathey，アンゲヴァンデ・ケミー・インターナショナル・エディション（Angew．Chem．Int．Ed．），第４２巻，第１５７８頁（２００３年）
【非特許文献３】T．Baumgartner，R．Reau，ケミカル・レビューズ（Chem．Rev．），第１０６巻，第４６８１頁（２００６年）
【非特許文献４】T．Baumgartnerら，ケミストリー−ア・ヨーロピアン・ジャーナル（Chem．Eur．J．），第１１巻，第４６８７頁（２００５年）
【非特許文献５】H．-C．Su，R．Reau，ら，ジャーナル・オブ・ザ・アメリカン・ケミカル・ソサイエティ（J．Am．Chem．Soc．），第１２８巻，第９８３頁（２００６年）
【非特許文献６】T．Sanjiら，オーガニック・レターズ（Org．Lett．），第９巻，第３６１１頁（２００７年）
【非特許文献７】林実，西村康伸，森田絵美，松浦豊，渡辺裕，日本化学会第８６春季年会講演要旨集，１Ｊ３０７（２００６年）
【非特許文献８】林実，西村康伸，森田絵美，岡坂未穂，河口桂子，渡辺裕，日本化学会第８７春季年会講演要旨集，４Ｅ４２７（２００７年）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述した様に、これまでにも様々なホスホール化合物が製造されている。しかし、十分に簡便で且つ効率的な製法はなかった。
【００１０】
例えば、特許文献１〜２に開示されているホスホール化合物の製造方法はいずれも遷移金属錯体を経由するものであるが、遷移金属化合物は比較的高価であり、また、環境汚染の原因になるためにそれを含む廃液の処理の問題もあることから、これら方法は大量合成に適するものではない。
【００１１】
また、本発明者らは、非特許文献７〜８のとおり、アセチレンジカルボン酸ジエステルとホスフィン類から３−オキソ−λ5−ホスホール化合物を合成した。しかしこの方法によると、ホスホール環上には原料であるアセチレンジカルボン酸ジエステル由来のアルコキシカルボニル基を持つホスホールのみしか合成することができない。それにもかかわらず、３−オキソ−λ5−ホスホール化合物に関しては他に報告例がなく、従って他の合成法も知られていない。
【００１２】
そこで本発明が解決すべき課題は、様々な置換基を有する３−オキソ−λ5−ホスホール化合物を簡便かつ効率的に製造できる方法と、新規なホスホール化合物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研究を重ねた。その結果、特定の構造を有するλ3−ホスフィン化合物とハロゲン化合物からホスホール環を構築すれば、遷移金属錯体を経由することなく、様々な置換基を有する３−オキソ−λ5−ホスホール化合物を簡便且つ効率的に製造できることを見出すことによって上記課題を解決し、本発明を完成した。
【００１４】
本発明に係る式（１）で表されるホスホール化合物の製造方法は、
【００１５】
【化１】
【００１６】
［式中、
Ｒ1、Ｒ2およびＲ5は、独立に水素原子基、置換基を有していてもよいＣ1-6アルキル基、置換基を有していてもよいＣ2-6アルケニル基、置換基を有していてもよいＣ2-6アルキニル基、Ｃ3-10シクロアルキル基、置換基を有していてもよいＣ6-10アリール基、置換基を有していてもよいヘテロアリール基、置換基を有していてもよいＣ1-6アルコキシ基、アミノ基、シアノ基、カルボキシ基、Ｃ1-7アシル基もしくはＣ2-7アルコキシカルボニル基を示すか、またはＲ1とＲ2は、夫々が結合する炭素原子と共に置換基を有していてもよいＣ6-10アリール基もしくは置換基を有していてもよいヘテロアリール基を形成してもよく、
Ｒ3およびＲ4は、独立に置換基を有していてもよいＣ1-6アルキル基、置換基を有していてもよいＣ2-6アルケニル基、置換基を有していてもよいＣ2-6アルキニル基、Ｃ3-10シクロアルキル基、置換基を有していてもよいＣ6-10アリール基または置換基を有していてもよいヘテロアリール基を示す］
式（２）で表される化合物と式（３）で表される化合物から、
【００１７】
【化２】
［式中、Ｒ1〜Ｒ5は上記と同義を示し、Ｒ6はＣ1-6アルキル基を示し、Ｈａｌはハロゲン原子基を示す］
式（４）で表される化合物を得、
【００１８】
【化３】
［式中、Ｒ1〜Ｒ6およびＨａｌは上記と同義を示す］
上記化合物（４）を環化反応に付すことを特徴とする。
【００１９】
上記本発明方法においては、上記環化反応を塩基性条件下で行う態様、加熱により行う態様、および減圧加熱により行う態様がある。
【００２０】
また、本発明者らは、特定の構造を有するλ3−ホスフィン化合物とアセチレン化合物からホスホール環を構築すれば、遷移金属錯体を経由することなく、様々な置換基を有する３−オキソ−λ5−ホスホール化合物を簡便且つ効率的に製造できることを見出すことによって上記課題を解決し、本発明を完成した。
【００２１】
本発明に係る式（１１）で表されるホスホール化合物の製造方法は、
【００２２】
【化４】
【００２３】
［式中、
Ｒ11、Ｒ12およびＲ15は、独立に水素原子基、置換基を有していてもよいＣ1-6アルキル基、置換基を有していてもよいＣ2-6アルケニル基、置換基を有していてもよいＣ2-6アルキニル基、Ｃ3-10シクロアルキル基、置換基を有していてもよいＣ6-10アリール基、置換基を有していてもよいヘテロアリール基、置換基を有していてもよいＣ1-6アルコキシ基、アミノ基、シアノ基、カルボキシ基、Ｃ1-7アシル基もしくはＣ2-7アルコキシカルボニル基を示し、
Ｒ13およびＲ14は、独立に置換基を有していてもよいＣ1-6アルキル基、置換基を有していてもよいＣ2-6アルケニル基、置換基を有していてもよいＣ2-6アルキニル基、Ｃ3-10シクロアルキル基、置換基を有していてもよいＣ6-10アリール基または置換基を有していてもよいヘテロアリール基を示す］
式（１５）で表される化合物と式（１６）で表される化合物を付加環化反応に付すことを特徴とする。
【００２４】
【化５】
［式中、Ｒ11〜Ｒ15は上記と同義を示し、Ｘは脱離基を示す］
【００２５】
本発明において「脱離基」とは、上記付加環化反応において容易に脱離することができる基をいう。例えば、ハロゲン原子基、Ｃ1-6アルコキシ基、−ＯＣＯ−Ｃ1-6アルキル基を挙げることができる。
【００２６】
上記方法において、Ｃ1-6アルキル基、Ｃ2-6アルケニル基、Ｃ2-6アルキニル基またはＣ1-6アルコキシ基の置換基としては、Ｃ6-10アリール基、ヘテロアリール基、Ｃ1-6アルコキシ基、アミノ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基およびハロゲン原子基からなる群より選択される１または２以上を挙げることができ、Ｃ6-10アリール基またはヘテロアリール基の置換基としては、Ｃ1-6アルキル基、Ｃ2-6アルケニル基、Ｃ2-6アルキニル基、Ｃ6-10アリール基、ヘテロアリール基、Ｃ1-6アルコキシ基、アミノ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基、ハロゲン原子基、Ｃ1-7アシル基およびＣ2-7アルコキシカルボニル基からなる群より選択される１または２以上を挙げることができる。
【００２７】
本発明において、「Ｃ1-6アルキル基」とは、炭素数１〜６の直鎖状または分枝鎖状の脂肪族炭化水素基をいう。例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル等を挙げることができる。これらのうち、Ｃ1-4アルキルが好ましく、Ｃ1-2アルキルがより好ましい。
【００２８】
「Ｃ2-6アルケニル基」とは、炭素原子間の二重結合を１以上有し且つ炭素数が２〜６である直鎖状または分枝鎖状の脂肪族炭化水素基をいう。例えば、ビニル、１−メチルビニル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−メチル−１−プロペニル、２−ブテニル、３−ブテニル、３−メチル−２−ブテニル、ペンテニル、ヘキセニル等である。好ましくはＣ2-5アルケニル、より好ましくはＣ2-4アルケニルであり、最も好ましくは２−プロペニル（アリル）である。
【００２９】
「Ｃ2-6アルキニル基」とは、炭素原子間の三重結合を１以上有し且つ炭素数が２〜６である直鎖状または分枝鎖状の脂肪族炭化水素基をいう。例えば、エチニル、１−メチルエチニル、１−プロピニル、２−プロピニル、１−メチル−１−プロピニル、２−ブチニル、３−ブチニル、３−メチル−２−ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル等である。好ましくはＣ2-5アルキニル、より好ましくはＣ2-4アルキニルである。
【００３０】
「Ｃ3-10シクロアルキル基」とは、炭素数３〜１０の環状脂肪族炭化水素基をいう。例えば、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、アダマンチル等を挙げることができる。これらのうち、Ｃ3-6シクロアルキルが好ましい。
【００３１】
「Ｃ6-10アリール基」とは、炭素数が６〜１０の芳香族炭化水素基をいう。例えば、フェニル、ナフチル、インデニル等であり、好ましくはフェニルである。
【００３２】
「ヘテロアリール基」とは、窒素原子、酸素原子または硫黄原子等のヘテロ原子を少なくとも１個有する５員環芳香族ヘテロシクリル基、６員環芳香族ヘテロシクリル基または縮合環芳香族ヘテロシクリル基をいう。例えば、ピロリル、イミダゾリル、ピラゾリル、チエニル、フリル、オキサゾリル、イソキサゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、チアジアゾール等の５員環ヘテロアリール基；ピリジニル、ピラジニル、ピリミジニル、ピリダジニル等の６員環ヘテロアリール基；インドリル、イソインドリル、キノリニル、イソキノリニル、ベンゾフラニル、イソベンゾフラニル、クロメニル等の縮合環芳香族ヘテロシクリル基を挙げることができる。好ましくは窒素原子を含むヘテロアリールであり、より好ましくはピリジニルである。
【００３３】
「Ｃ1-6アルコキシ基」とは、炭素数１〜６の直鎖状または分枝鎖状の脂肪族炭化水素オキシ基をいう。例えば、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｎ−ブトキシ、イソブトキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−ペントキシ、ｎ−ヘキソキシ等であり、好ましくはＣ1-4アルコキシであり、より好ましくはＣ1-2アルコキシである。
【００３４】
「アミノ基」には、無置換のアミノ基のほか、１個の上記Ｃ1-6アルキル基に置換されたモノＣ1-6アルキルアミノ基と２個の上記Ｃ1-6アルキル基に置換されたジＣ1-6アルキルアミノ基が含まれるものとする。かかるアミノ基としては、アミノ；メチルアミノ、エチルアミノ、ｎ−プロピルアミノ、イソプロピルアミノ、ｎ−ブチルアミノ、イソブチルアミノ、ｔ−ブチルアミノ、ｎ−ペンチルアミノ、ｎ−ヘキシルアミノ等のモノＣ1-6アルキルアミノ；ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジ（ｎ−プロピル）アミノ、ジイソプロピルアミノ、ジ（ｎ−ブチル）アミノ、ジイソブチルアミノ、ジ（ｎ−ペンチル）アミノ、ジ（ｎ−ヘキシル）アミノ、エチルメチルアミノ、メチル（ｎ−プロピル）アミノ、ｎ−ブチルメチルアミノ、エチル（ｎ−プロピル）アミノ、ｎ−ブチルエチルアミノ等のジＣ1-6アルキルアミノを挙げることができる。好ましくは、無置換のアミノ基である。
【００３５】
「ハロゲン原子基」としては、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、およびヨード基を例示することができ、クロロ基またはブロモ基が好ましく、クロロ基がより好ましい。
【００３６】
「Ｃ1-7アシル基」とは、炭素数１〜７の脂肪族カルボン酸からＯＨを除いた残りの原子団をいう。例えば、ホルミル、アセチル、エチルカルボニル、ｎ−プロピルカルボニル、イソプロピルカルボニル、ｎ−ブチルカルボニル、イソブチルカルボニル、ｔ−ブチルカルボニル、ｎ−ペンチルカルボニル、ｎ−ヘキシルカルボニル等であり、好ましくはＣ1-4アシル基であり、より好ましくはアセチルである。
【００３７】
「Ｃ2-7アルコキシカルボニル基」は、上記Ｃ1-6アルコキシ基がカルボニル基に結合した基をいう。例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｎ−プロポキシカルボニル、イソプロポキシカルボニル、ｎ−ブトキシカルボニル、イソブトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｎ−ペントキシカルボニル、ｎ−ヘキソキシカルボニル等である。当該基としては、好ましくは（Ｃ2-6アルコキシ）カルボニル基であり、（Ｃ3-5アルコキシ）カルボニル基がより好ましい。
【００３８】
アリール基やヘテロアリール基等が置換基を有する場合、置換基の数は、置換可能であれば２以上であってもよい。置換基数が複数である場合、それらは互いに同一であっても異なっていてもよい。
【００３９】
化合物（１）および化合物（１１）は、水和物の様な溶媒和物の形態であってもよく、それらは本発明範囲に含まれる。
【００４０】
化合物（１）および化合物（１１）は塩であってもよく、それらは本発明範囲に含まれる。化合物（１）および化合物（１１）の好適な塩としては、例えば、酢酸塩、マレイン酸塩、酒石酸塩、メタンスルホン酸塩、ベンゼンスルホン酸塩、ギ酸塩、トルエンスルホン酸塩、トリフルオロ酢酸塩などの有機酸塩；塩酸塩、臭化水素酸塩、硫酸塩、リン酸塩などの無機酸塩；アスパラギン酸塩、グルタミン酸塩などのアミノ酸塩；ナトリウム塩、カリウム塩などのアルカリ金属塩；カルシウム塩、マグネシウム塩などのアルカリ土類金属塩などを挙げることができる。
【発明の効果】
【００４１】
本発明方法によれば、遷移金属錯体を経由することなく、様々な置換基を有する３−オキソ−λ5−ホスホール化合物を簡便かつ効率的に製造することができる。
【発明を実施するための形態】
【００４２】
本発明のホスホール化合物（１）は、下記スキームにより製造される。
【００４３】
【化６】
【００４４】
以下、実施の順番に従って、本発明に係るホスホール化合物の第一の製造方法を説明する。
【００４５】
工程Ａ
工程Ａは、ホスフィン化合物（２）とハロゲン化合物（３）からホスホニウム塩（４）を合成する工程である。
【００４６】
ホスフィン化合物（２）は、公知の方法により合成することができる。例えば、R．K．Dieterら，J．Org．Chem．，67，p.847-（2002）やS．Maら，J．Org．Chem．，57，p.709（1992）に記載の方法に従って置換プロピオル酸エステルにＨＩを付加した後、S．E．Tunney，J．Org．Chem．，52，p.748（1987）に記載の方法によりシリルホスフィンとパラジウム触媒を用いたヨウ素−リン交換反応を行うことで製造することができる。また、Ｒ1とＲ2がそれぞれ隣接する炭素原子と共にアリール基などを形成しているホスフィン化合物（２）については、市販または既知の合成法により製造したオルトヨウ化安息香酸エステル化合物を原料として、S．E．Tunney，J．Org．Chem．，52，p.748（1987）の方法に従ってヨウ素−リン交換反応を行うことで製造することができる。また、A．Krasovskiy，Chem．Int．Ed．，43，p.3333（2004）に記載のハロゲン−金属交換反応によりオルトハロゲン化安息香酸化合物と有機リチウムや有機マグネシウムから得た有機金属化合物を用い、リン−炭素結合生成反応により製造することができる。
【００４７】
ハロゲン化合物（３）は市販のものがあれば購入すればよいが、比較的シンプルな構造をしていることから一般的方法により市販化合物から製造してもよい。
【００４８】
なお、Ｒ1、Ｒ2またはＲ5が置換基を有さないアミノ基である場合や、アリール基上にカルボキシ基などの活性置換基が存在している場合などでは、これら活性基をいったん保護した上で反応を進め、保護基を適時除去してもよい。
【００４９】
上記工程Ａの反応条件は特に制限されないが、例えば、ホスフィン化合物（２）の溶液にハロゲン化合物（３）を添加した上で攪拌すればよい。また、反応は窒素気流下で行うことが好ましい。また、ハロゲン化合物（３）を溶媒としても用いるなど、さらに溶媒を添加することなく反応を行うことも可能である。
【００５０】
工程Ａで用いる溶媒は、化合物（２）と化合物（３）を適度に溶解することができ且つ反応を阻害しないものであれば特に制限されないが、例えば、ベンゼンやトルエンなどの芳香族炭化水素；アセトニトリルやクロロアセトニトリルなどのニトリル；ジクロロメタンやクロロホルムなどのハロゲン化炭化水素；ジメチルホルムアミドやジメチルアセトアミドなどのアミドなどから選択することができる。
【００５１】
本反応時の温度は、出発原料や溶媒などに依存するが、室温〜１１０℃程度とすることができる。なお、当該温度を高めることにより、工程Ａと工程Ｂを連続的に行うこともできる。この点については後述する。
【００５２】
添加後の反応時間も出発原料や溶媒などに依存するが、通常は１〜２４時間程度とする。反応の終了は、ＴＬＣなどで確認すればよい。
【００５３】
工程Ａの反応は非常に容易に進行し且つ副生物もほとんど生成しないことから、反応後は溶媒を留去するのみでホスホニウム塩（４）がほぼ定量的に得られる。或いは、溶媒を留去することなく、溶液状態のまま工程Ｂを実施することもできる。即ち、本発明の範囲には、ホスホニウム塩を単離することなく次の工程を行う態様も含まれる。
【００５４】
工程Ｂ
工程Ｂは、ホスホニウム塩（４）を環化反応に付して本発明に係るホスホール化合物（１）を合成する工程である。かかる環化反応としては、塩基性条件下で行うもの、加熱により行うもの、および減圧加熱により行うものがある。以下、これら反応条件により説明する。
【００５５】
・塩基条件下での環化反応
ホスホニウム塩（４）は、Ｒ5がシアノ基などの電子吸引基であり安定なリンイリドが生成する場合には、その溶液の液性を塩基性とすることで容易に環化する。具体的には、ホスホニウム塩（４）を水に溶解した上で塩基性化合物を少しずつ添加していけばよい。
【００５６】
ホスホニウム塩（４）の水溶液へは、溶解性を高めるために、メタノールやエタノールなどの水混和性有機溶媒を添加してもよい。
【００５７】
塩基性化合物は、用いた溶媒に対する溶解性を示すものであれば特に制限されないが、例えば、水酸化ナトリウムや水酸化カリウムなどアルカリ金属の水酸化物などを用いることができる。これら塩基性化合物は、反応の急激な進行を抑制するために、１〜４Ｎ程度の水溶液として添加することが好ましい。
【００５８】
反応混合液が塩基性となった時点の確認は、ｐＨメーターなどによっても行うことができるが、反応混合液へフェノールフタレインなどのｐＨ指示薬を加えておき、その呈色により行うのが簡便である。具体的には、ホスホニウム塩（４）の水溶液へ少量のフェノールフタレインを添加しておき、さらに塩基性化合物の水溶液を少しずつ加えてはよく攪拌する操作を繰り返し、反応混合液が赤色となった時点で反応を終了させることができる。
【００５９】
反応終了後は、一般的な方法で目的化合物であるホスホール化合物（１）を精製することができる。例えば、反応混合液を酢酸エチルやクロロホルムなど水と混和しない有機溶媒で抽出し、有機溶媒層を無水硫酸ナトリウムや無水硫酸マグネシウムなどで乾燥した後に減圧濃縮する。さらに必要に応じて、カラムクロマトグラフィや再結晶などの方法で精製してもよい。
【００６０】
以上の方法の他、Ｗｉｔｔｉｇ反応の条件と同様に、ＴＨＦなど適切な溶媒中、ホスホニウム塩（４）に、ブチルリチウム、リチウムジイソプロピルアミド（ＬＤＡ）、カリウムヘキサメチルジシラジド（ＫＨＭＤＳ）などの強塩基；水素化リチウム、水素化ナトリウム、水素化カリウムなどアルカリ金属の水素化物などを作用させてリンイリドを調製することにより分子内環化を行うことも可能である。通常、リンイリドの調製と環化反応は低温で行われるが、環化反応が遅い場合には加熱により環化を促進することもできる。
【００６１】
・加熱による環化反応
ホスホニウム塩（４）は、単に加熱するのみでも容易に環化してホスホール化合物（１）となる。
【００６２】
例えば、工程Ａにおける反応温度を８０〜１５０℃程度で行い、ホスホニウム塩（４）の合成とその環化反応を連続的に実施することも可能である。この場合の反応時間は、予備実験や原料化合物の消費の確認などにより決定すればよいが、通常は６〜４８時間程度とすることができる。
【００６３】
反応終了後は、通常の方法により精製すればよい。例えば、反応混合液を減圧濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィや再結晶などにより精製することにより、ホスホール化合物（１）が得られる。
【００６４】
・減圧加熱による環化反応
ホスホニウム塩（４）は、単に加熱するのみでなく減圧下で加熱することによって、より効率的に環化させることができる。
【００６５】
例えば、工程Ａで得られたホスホニウム塩（４）をよく乾燥した上で、減圧したまま１００〜２００℃程度で加熱することによって、ホスホール化合物（１）が得られる。この場合の反応時間は、予備実験や原料化合物の消費の確認などにより決定すればよいが、通常は１〜１２時間程度とすることができる。この際、原料化合物の構造によっては１５０℃程度以下での反応ではホスホール構造を持たない副生成物を生じることがあるが、その場合にはより高い温度で反応を行うことで副反応を抑制することができる。
【００６６】
反応終了後は、通常の方法により精製すればよい。例えば、反応物を室温まで冷却した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィや再結晶などにより精製することにより、ホスホール化合物（１）が得られる。
【００６７】
本発明のホスホール化合物（１１）は、下記スキームによって製造することができる。
【００６８】
【化７】
【００６９】
以下、本発明に係るホスホール化合物の第二の製造方法を説明する。
【００７０】
上記工程Ｃは、ホスフィン化合物（１５）とアセチレン化合物（１６）とを反応させてホスホール化合物（１１）を合成する工程である。
【００７１】
ホスフィン化合物（１５）は、公知の方法により容易に合成することができる。例えば、ＸがＣ1-6アルコキシ基であるホスフィン化合物（１５）が必要である場合、当業者公知のα位置換反応によりホスフィノ酢酸エステル化合物のα位へＲ15を導入すればよい。また、ＸがＣ1-6アルコキシ基であるホスフィン化合物（１５）は、Ｒ15が置換しているメチル基を有するホスフィン化合物またはそのボラン錯体に対して、当業者公知のα位置換反応により当該メチル基へアルコキシカルボニル基を導入することによっても合成できる。さらにホスフィン化合物（１５）は、α位にハロゲン基が導入されているホスフィノ酢酸エステル化合物の当該ハロゲン基を、当業者公知の求核置換反応により所望のＲ15に置換することによっても合成することができる。
【００７２】
原料であるホスフィン化合物（１５）は、空気中で酸化分解され易い場合がある。その場合には、ホスフィン化合物（１５）を式（１７）で表されるボラン錯体へ誘導しておき、ホスホール化合物（１１）を合成する際に分解してホスフィン化合物（１５）へ戻してもよい。
【００７３】
【化８】
【００７４】
ボラン錯体（１７）を分解する場合には、溶媒中、求核性の高いアミンを作用させればよい。
【００７５】
ボラン錯体（１７）の分解反応で用いる溶媒としては、ボラン錯体（１７）を適度に溶解することができ且つ反応を阻害しないものであれば特に制限されないが、例えば、ジメチルホルムアミドやジメチルアセトアミドなどのアミド；アセトニトリル、プロピオニトリル、ベンゾニトリルなどのニトリル；ベンゼンやトルエンなどの芳香族炭化水素などから選択することができる。
【００７６】
求核性の高いアミンとしては、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（ＤＡＢＣＯ）、モルホリン、キヌクリジンなどの環状アミンの他、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，−テトラメチルエチレンジアミン（ＴＭＥＤＡ）などを用いることができる。
【００７７】
ボラン錯体（１７）の分解反応におけるボラン錯体（１７）の濃度は適宜調整すればよいが、通常、０．１ｍｇ／ｍＬ以上、１ｍｇ／ｍＬ以下程度とすればよい。また、使用するアミンの量は、ボラン錯体（１７）と同モルまたは略同モルとすればよい。反応時においては、生成したホスフィン化合物（１５）の酸化分解を抑制するために、アルゴンガスや窒素ガスなどの不活性ガスにより系内を置換することが好ましい。
【００７８】
ボラン錯体（１７）の分解反応の温度と時間は適宜調整すればよいが、通常、室温で１時間以上、１０時間以下程度とすることができる。
【００７９】
反応終了後、生成したホスフィン化合物（１５）は単離精製してもよいが、ボラン錯体（１７）の分解反応は定量的に進行するのが一般的であり、また、ホスフィン化合物（１５）を空気に接触させると酸化分解するおそれがあるので、そのまま次の工程に進むのが好ましい。
【００８０】
上記工程Ｃは、ホスフィン化合物（１５）の溶液へアセチレン化合物（１６）を添加し、加熱攪拌することにより行えばよい。ボラン錯体（１７）を分解してホスフィン化合物（１５）とした場合には、当該反応溶液へアセチレン化合物（１６）を加えればよい。
【００８１】
アセチレン化合物（１６）は比較的シンプルな構造をしていることから、市販のものがあれば購入すればよいし、市販のものが無い場合には当業者公知の方法により市販化合物から製造することができる。
【００８２】
アセチレン化合物（１６）の使用量は適宜調整すればよいが、ホスフィン化合物（１５）と同モル量または略同モル量とすればよい。一般的には、安価に入手できる方か容易に製造できる方を過剰に用いる。
【００８３】
工程Ｃで用いる溶媒は特に制限されないが、ボラン錯体（１７）の分解反応で使用できるものとして挙げた溶媒を使用することができる。即ち、ジメチルホルムアミドやジメチルアセトアミドなどのアミド；アセトニトリル、プロピオニトリル、ベンゾニトリルなどのニトリル；ベンゼンやトルエンなどの芳香族炭化水素などを使用することができる。
【００８４】
工程Ｃの反応温度は適宜調整すればよいが、通常、室温程度から１２０度程度とすることができる。反応時間も適宜調整すればよいが、通常は５時間以上、２０時間以下程度とすることができる。反応の終了は、ＴＬＣなどで確認すればよい。
【００８５】
反応終了後は、通常の方法により精製すればよい。例えば、目的化合物であるホスホール化合物（１１）は比較的脂溶性が高いといえるので、反応液をクロロホルムや酢酸エチルなどで抽出した後に洗浄と乾燥を行い、シリカゲルカラムクロマトグラフィや再結晶などにより精製すればよい。
【００８６】
工程Ｃの反応温度や原料化合物によっては、式（１８）で表されるホスホール還元体が得られる場合がある。その場合には、ホスホール還元体（１８）を酸化剤で酸化することにより容易にホスホール化合物（１１）が得られる。
【００８７】
【化９】
【００８８】
本反応で用いられる溶媒としては、ホスホール還元体（１８）を適度に溶解することができ且つ反応を阻害しないものであれば特に制限されないが、例えば、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素などのハロゲン化炭化水素などを使用することができる。
【００８９】
本反応で使用できる酸化剤としては、２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノ−ｐ−ベンゾキノン（ＤＤＱ）やクロラニルなどを用いることができる。並行して置換基を酸化したい場合には強い酸化剤を用いても良いが、一般的にはＤＤＱなどを用いることが好ましい。
【００９０】
本反応におけるホスホール還元体（１８）の濃度は適宜調整すればよいが、通常、１０ｍｇ／ｍＬ以上、３０ｍｇ／ｍＬ以下程度とすることができる。酸化剤の量は、使用する酸化剤の種類などに応じて適宜調整すればよいが、通常、ホスホール還元体（１８）に対して１．０モル倍以上、５．０モル倍以下程度とすることができる。
【００９１】
本反応の温度は、酸化剤の種類などに応じて適宜調整すればよいが、通常、室温とすることができる。反応時間も適宜調整すればよいが、通常は３０分間以上、１０時間以下程度とすることができる。反応の終了は、ＴＬＣなどで確認すればよい。
【００９２】
反応終了後は、通常の方法により精製すればよい。例えば、溶媒を減圧留去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィや再結晶などにより精製すればよい。必要に応じて、酸化剤の分解処理を行ってもよい。
【００９３】
さらに必要であれば、置換基において官能基変換反応を行なってもよい。かかる反応は、当業者公知の方法により実施することができる。
【００９４】
本発明方法により製造されるホスホール化合物は、少なくともリン−炭素間の二重結合およびオキソ基が共役している。その他の位置の置換基によっては、共役はさらに高度なものとなる。よって本発明のホスホール化合物は、優れた電子輸送材料や発光材料として利用できると考えられる。例えば、真空蒸着法などにより本発明のホスホール化合物からなる薄膜を形成し、これを有機ＥＬの発光層とすることができる可能性がある。また、本発明に係るホスホール化合物は優れた蛍光性を示すことから、色素として用いることもできる。
【実施例】
【００９５】
以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はもとより下記実施例により制限を受けるものではなく、前・後記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に含まれる。
【００９６】
実施例１ 新規ホスホール化合物の合成法Ａ−塩基性条件下でのホスホニウム塩の環化
【００９７】
【化１０】
【００９８】
ｏ−ジフェニルホスフィノ安息香酸メチル（２００ｍｇ，０．６３ｍｍｏｌ）をベンゼン（０．５ｍＬ）に溶解した。窒素気流下、ブロモ酢酸エチル（１０８ｍｇ，０．６４ｍｍｏｌ）を当該溶液へ加え、５５℃で１時間攪拌した。次いで、溶媒を留去することによりホスホニウム塩を定量的に得た。ＮＭＲによるホスホニウム塩の分析結果を以下に示す。
1H-NMR（400MHz，CDCl3）δ1.06（t，3H，J=7.2Hz，CH3），3.74（s，3H，OCH3），4.00（q，2H，J=7.2Hz，O-CH2），5.28（d，2H，J=16Hz，P-CH2），7.54-8.42（m，14H，aromatic H）；
31P-NMR（162MHz，CDCl3）δ27.4
【００９９】
上記ホスホニウム塩を水（５０ｍＬ）に溶解した。当該溶液へフェノールフタレインの２％メタノール溶液を２滴加え、激しく攪拌しながら、僅かな赤色が残るまで２Ｎ水酸化ナトリウム水溶液を１滴ずつ加えた。当該混合液を酢酸エチルで抽出し、有機相を無水硫酸ナトリウムで乾燥した。乾燥剤を濾別し、濾液を濃縮することによって、白色固体である２−エトキシカルボニル−Ｐ，Ｐ−ジフェニルベンゾ−３−オキソ−λ5−ホスホールを得た。収量は１５２ｍｇ、収率は６６％であった。当該化合物の分析結果と蛍光特性を以下に示す。
1H-NMR（400MHz，CDCl3）δ1.18（t，3H，J=7.2Hz，CH3），4.16（q，2H，J=7.2Hz，CH2），7.45-8.12（m，14H，aromatic H）；
31P-NMR（162MHz，CDCl3）δ20.4；
FABMAS 375[M+H]+；
R=0.20（CHCl3／AcOEt＝3／1）
λｅｍ＝４５０．５ｎｍ
【０１００】
実施例２ 新規ホスホール化合物の合成法Ｂ−加熱によるホスホニウム塩の環化
【０１０１】
【化１１】
【０１０２】
ｏ−ジフェニルホスフィノ安息香酸メチル（１０４ｍｇ，０．３３ｍｍｏｌ）をクロロアセトニトリル（０．４ｍＬ）に溶解し、窒素気流下、１２０℃で２時間攪拌した。次いで溶媒を留去し、クロロホルム／酢酸エチル＝３／１の混合溶媒を溶出液とするシリカゲルカラムクロマトグラフィで残渣を精製することによって、白色固体である２−シアノ−Ｐ，Ｐ−ジフェニルベンゾ−３−オキソ−λ5−ホスホールを得た。収量は１０６ｍｇ、収率は１００％であった。当該化合物の分析結果と蛍光特性を以下に示す。
1H-NMR（400MHz，CDCl3）δ7.50-8.15（m，14H，aromatic H）；
31P-NMR（162MHz，CDCl3）δ18.5；
FABMAS 328[M+H]+；
R=0.70（AcOEt）
λｅｍ＝４６４．５ｎｍ
【０１０３】
実施例３ 新規ホスホール化合物の合成法Ｃ−減圧加熱によるホスホニウム塩の環化
【０１０４】
【化１２】
【０１０５】
ｏ−ジフェニルホスフィノ安息香酸メチル（１２１ｍｇ，０．３８ｍｍｏｌ）をトルエン（２．０ｍＬ）に溶解した。臭化ベンジル（０．１ｍＬ，０．８４ｍｍｏｌ）を当該溶液へ加え、室温で２日間攪拌した。次いで、溶媒を留去することによりホスホニウム塩を定量的に得た。ＮＭＲによるホスホニウム塩の分析結果を以下に示す。
1H-NMR（400MHz，CDCl3）δ3.67（s，3H，OCH3），5.28（d，2H，P-CH2），6.90-8.40（m，19H，aromatic H）；
31P-NMR（162MHz，CDCl3）δ27.2
【０１０６】
上記ホスホニウム塩を５０℃で１時間減圧乾燥した後、減圧したまま昇温して１５０℃で５時間加熱した。次に冷却した後、酢酸エチルを溶出液とするシリカゲルカラムクロマトグラフィで反応混合物を精製することによって、アモルファス状固体である２−フェニル−Ｐ，Ｐ−ジフェニルベンゾ−３−オキソ−λ5−ホスホールを得た。収量は３．３ｍｇ、収率は１５％であった。当該化合物の分析結果を以下に示す。
1H-NMR（400MHz，CDCl3）δ6.83-8.18（m，19H，aromatic H）；
13C-NMR（100MHz，CDCl3）δ73.7（d，J=115Hz），122.4（s），122.9（d，J=85Hz），123.6（d，J=12Hz），124.4（d，J=9Hz），125.7（d，J=89Hz），126.9（d，J=7Hz），128.1（s），129.5（d，J=13Hz），129.8（d，J=11Hz），133.2（d，J=11Hz），133.3（d，J=3Hz），133.6（d，J=2Hz），136.9（d，J=13Hz），147.0（d，J=14Hz），178.3（d，J=33Hz）；
31P-NMR（162MHz，CDCl3）δ17.6；
R=0.65（AcOEt）
【０１０７】
実施例４ 新規ホスホール化合物の合成法Ｃ−減圧加熱によるホスホニウム塩の環化
上記実施例３において、ホスホニウム塩の減圧加熱の条件を１９０℃で４．５時間とすること以外は同様にして、目的化合物を約８０％の収率で得た。但し、目的化合物には少量の不純物が混入していたため、さらに精製条件を検討中である。
【０１０８】
実施例５ 新規ホスホール化合物の合成法Ｂ−加熱によるホスホニウム塩の環化
【０１０９】
【化１３】
【０１１０】
（Ｚ）−３−ジフェニルホスフィノケイ皮酸メチル（１１２ｍｇ，０．３１ｍｍｏｌ）をクロロアセトニトリル（０．４ｍＬ）に溶解し、窒素気流下、１２０℃で１８時間攪拌した。次いで溶媒を留去し，クロロホルム／酢酸エチル＝３／１の混合溶媒を溶出液とするシリカゲルカラムクロマトグラフィで残渣を精製することによって，黄色のアモルファス状固体である２−シアノ−５−フェニル−Ｐ，Ｐ−ジフェニル−３−オキソ−λ5−ホスホールを得た。収量は８１ｍｇ，収率は７４％であった。当該化合物の分析結果を以下に示す。
1H-NMR（400MHz，CDCl3）δ7.17-7.79（m，16H）；
13C-NMR（100MHz，CDCl3）δ46.8（d，J=137.5Hz），117.2（d，J=17.5Hz），120.2（d，J=87.6Hz），127.1（d，J=5.9Hz），129.5（s），130.1（d，J=13.1Hz），130.6（s），130.8（d，J=8.5Hz），133.0（d，J=11.1Hz），134.5（d，J=3.1Hz），136.6（d，J=73Hz），145.4（d，J=9.2Hz），183.7（d，J=34.5Hz）；
R=0.25（CHCl3／AcOEt＝3／1）
【０１１１】
実施例６ 新規ホスホール化合物の合成法Ａ−塩基性条件下でのホスホニウム塩の環化
【０１１２】
【化１４】
【０１１３】
窒素で満たした反応器に、ｏ−ジフェニルホスフィノ安息香酸メチル（５０ｍｇ，０．１６ｍｍｏｌ）のトルエン溶液（０．５ｍＬ）を入れ、さらに臭化ベンジル（３０ｍｇ，０．１７ｍｍｏｌ）を加え、１１０℃で３時間撹拌した。次いで、溶媒を留去した。残渣を減圧下５０℃で乾燥した後、ＴＨＦ（２．０ｍＬ）を加えて懸濁液とした。当該懸濁液に水素化リチウム（３．７ｍｇ，０．４６ｍｍｏｌ）を加え、５０℃で１９時間撹拌した。その後、水を加えて反応を停止させた。反応混合物を酢酸エチルで２回抽出し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。乾燥剤を濾別し、濾液を濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ（溶出液：酢酸エチル）で精製することによって、目的化合物を得た（収率：７４％）。
【０１１４】
実施例７ 新規ホスホール化合物の合成法Ａ−塩基性条件下でのホスホニウム塩の環化
【０１１５】
【化１５】
【０１１６】
窒素で満たした反応器に，ｏ−ジフェニルホスフィノ安息香酸メチル（５０ｍｇ，０．１６ｍｍｏｌ）の臭化プレニル溶液（０．２ｍＬ）を入れ、室温で７時間撹拌した。次いで、溶媒を留去した。残渣を減圧下５０℃で乾燥した後、ＴＨＦ（２．０ｍＬ）を加えて懸濁液とした。当該懸濁液に水素化リチウム（３．７ｍｇ，０．４６ｍｍｏｌ）を加え、室温で８時間撹拌した。その後、水を加えて反応を停止させた。反応混合物を酢酸エチルで２回抽出し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。乾燥剤を濾別し、濾液を濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ（溶出液：クロロホルム／酢酸エチル＝１／１）で精製することによって、黄色のアモルファス状物質である目的化合物を得た（収量：３０ｍｇ，収率：５４％）。
【０１１７】
参考例１ 新規ホスホール化合物の官能基変換
【０１１８】
【化１６】
【０１１９】
上記実施例２と同様の方法により、ブロモ体を合成した。アルゴンで満たした反応器にブロモ体（１００ｍｇ，０．２５ｍｏｌ）を入れた。別途、バイアル瓶中、酢酸パラジウム（２７ｍｇ）とトリフェニルホスフィン（１２ｍｇ）を乾燥ＤＭＦ（１ｍＬ）に溶解し、触媒溶液とした。上記反応器へ当該触媒溶液を加えた後、スチレン（３５μＬ，０．３０ｍｍｏｌ）と酢酸ナトリウム（３２ｍｇ，０．３７ｍｍｏｌ）を加えて１４０℃で５．５時間加熱した。減圧下溶媒を留去し、残渣をクロロホルムに溶解した後、水と飽和食塩水で洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、乾燥剤を濾別し、濾液を濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ（溶出液：クロロホルム／酢酸エチル＝８／１）で精製することによって、淡黄色の目的化合物を得た（収率：６２％）。
【０１２０】
参考例２ 新規ホスホール化合物の官能基変換
【０１２１】
【化１７】
【０１２２】
上記実施例２と同様の方法により、ブロモ体を合成した。アルゴンで満たした反応器に、ブロモ体（１００ｍｇ，０．２５ｍｏｌ）、フェニルボロン酸（４５ｍｇ，０．３６ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（７８ｍｇ，３．０ｅｑ．）、酢酸パラジウム（５．３７ｍｇ，１０ｍｏｌ％）、トリフェニルホフフィン（１３ｍｇ，２０ｍｏｌ％）および乾燥ＤＭＦ（１ｍＬ）を加え，１００℃で３．５時間加熱した。減圧下溶媒を留去し、残渣にクロロホルムを加え、有機相を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄した。有機相を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、乾燥剤を濾別し、濾液を濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ（溶出液：クロロホルム／酢酸エチル＝８／１）で精製することによって、淡黄色の目的化合物を得た（収率：９２％）。
【０１２３】
実施例８ 本発明に係る第二製法による新規ホスホール化合物の製造
【０１２４】
【化１８】
【０１２５】
アルゴンで満たした反応器にジフェニルホスフィノフェニル酢酸メチル−ボラン錯体（４９．５ｍｇ，０．１４ｍｍｏｌ）のＤＭＦ溶液（１ｍＬ）を入れ、さらにＤＡＢＣＯ（１５．９ｍｇ，０．１４ｍｍｏｌ）を加えて室温で２．５時間撹拌した。次いで、４−フェニル−３−ブチン−２−オン（２６．５ｍｇ，０．１８ｍｍｏｌ）を加えて１００℃で１２時間加熱撹拌した。反応混合物に水を加え、クロロホルムで２回抽出し、１Ｎ塩酸、水および飽和食塩水で各１回洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、乾燥剤を濾別し、濾液を濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ（溶出液：クロロホルム／酢酸エチル＝９／１）で精製することによって、赤色のアモルファス状物質である目的化合物を得た（収量：４５．６ｍｇ，収率：７２％）。
【０１２６】
実施例９ 本発明に係る第二製法による新規ホスホール化合物の製造
【０１２７】
【化１９】
【０１２８】
アルゴンで満たした反応器にジフェニルホスフィノフェニル酢酸メチル−ボラン錯体（５０．０ｍｇ，０．１４ｍｍｏｌ）のアセトニトリル溶液（１ｍＬ）を入れ、さらにＤＡＢＣＯ（１６．１ｍｇ，０．１４ｍｍｏｌ）を加えて室温で２．５時間撹拌した。次いで、４−（２−チエニル）−３−ブチン−２−オン（２３．７ｍｇ，０．１６ｍｍｏｌ）を加えて８０℃で１２時間加熱撹拌した。反応混合物に水を加え、クロロホルムで２回抽出し、１Ｎ塩酸、水および飽和食塩水で各１回洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、乾燥剤を濾別し、濾液を濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ（溶出液：ｎ−ヘキサン／酢酸エチル＝１／２）で精製することによって、赤色のアモルファス状物質である目的化合物を得た（収量：５１．９ｍｇ，収率：８０％）。
【０１２９】
実施例１０ 本発明に係る第二製法による新規ホスホール化合物の製造
（１） ホスホール還元体の製造
【０１３０】
【化２０】
【０１３１】
アルゴンで満たした反応器にジフェニルホスフィノフェニル酢酸メチル−ボラン錯体（９９．３ｍｇ，０．２９ｍｍｏｌ）のトルエン溶液（２ｍＬ）を入れ、さらにＤＡＢＣＯ（３２．０ｍｇ，０．２９ｍｍｏｌ）を加えて室温で２．５時間撹拌した。次いで、アセチレンジカルボン酸ジメチル（４４．６ｍｇ，０．３１ｍｍｏｌ）を加えて室温で１２時間撹拌した。反応混合物に水を加え、クロロホルムで２回抽出し、１Ｎ塩酸、水および飽和食塩水で各１回洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、乾燥剤を濾別し、濾液を濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ（溶出液：クロロホルム／酢酸エチル＝８／１）で精製することによって、黄色のアモルファス状物質であるホスホール還元体を得た（収量：６４ｍｇ，収率：５０％）。
【０１３２】
（２） ホスホール化合物の製造
【０１３３】
【化２１】
【０１３４】
上記反応で得られたホスホール還元体（３０．０ｍｇ，０．０６７ｍｍｏｌ）のジクロロメタン溶液（１．５ｍｌ）に、ＤＤＱ（１．７ｍｇ，０．０７４ｍｍｏｌ）を加えて室温で１時間攪拌した。当該反応溶液を1Ｈ−ＮＭＲと31Ｐ−ＮＭＲにより分析したところ、充分純粋なホスホール化合物が定量的に得られていることが明らかにされた。
【０１３５】
以下、上記実施例または参考例と同様にしてホスホール化合物を製造した結果を表１〜５にまとめる。表中、実施例１と同様に水酸化ナトリウムによる塩基性条件下で環化反応を行なう本発明に係る第一方法をＡ１；上記実施例６と同様に水素化リチウムによる塩基性条件下で環化反応を行なう本発明に係る第一方法をＡ２；上記実施例２と同様に加熱により環化反応を行なう本発明に係る第一方法をＢ；上記実施例３と同様に減圧加熱により環化反応を行なう本発明に係る第一方法をＣとする。但し、実施例３５においては、塩基として水素化リチウムの代わりにＫＨＭＤＳを用いた。
【０１３６】
【表１】
【０１３７】
【表２】
【０１３８】
【表３】
【０１３９】
【表４】
【０１４０】
【表５】
【０１４１】
以上のとおり、本発明方法によれば、様々な置換基を有する３−オキソ−λ5−ホスホール化合物を、非常に簡便かつ効率的に製造することが可能である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）で表されるホスホール化合物を製造するための方法であって、
【化１】
［式中、
Ｒ1、Ｒ2およびＲ5は、独立に水素原子基、置換基を有していてもよいＣ1-6アルキル基、置換基を有していてもよいＣ2-6アルケニル基、置換基を有していてもよいＣ2-6アルキニル基、Ｃ3-10シクロアルキル基、置換基を有していてもよいＣ6-10アリール基、置換基を有していてもよいヘテロアリール基、置換基を有していてもよいＣ1-6アルコキシ基、アミノ基、シアノ基、カルボキシ基、Ｃ1-7アシル基もしくはＣ2-7アルコキシカルボニル基を示すか、またはＲ1とＲ2は、夫々が結合する炭素原子と共に置換基を有していてもよいＣ6-10アリール基もしくは置換基を有していてもよいヘテロアリール基を形成してもよく、
Ｒ3およびＲ4は、独立に置換基を有していてもよいＣ1-6アルキル基、置換基を有していてもよいＣ2-6アルケニル基、置換基を有していてもよいＣ2-6アルキニル基、Ｃ3-10シクロアルキル基、置換基を有していてもよいＣ6-10アリール基または置換基を有していてもよいヘテロアリール基を示す］
式（２）で表される化合物と式（３）で表される化合物から、
【化２】
［式中、Ｒ1〜Ｒ5は上記と同義を示し、Ｒ6はＣ1-6アルキル基を示し、Ｈａｌはハロゲン原子基を示す］
式（４）で表される化合物を得、
【化３】
［式中、Ｒ1〜Ｒ6およびＨａｌは上記と同義を示す］
上記化合物（４）を環化反応に付すことを特徴とする方法。
【請求項２】
上記環化反応を塩基性条件下で行う請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記環化反応を加熱により行う請求項１に記載の方法。
【請求項４】
上記環化反応を減圧加熱により行う請求項１に記載の方法。
【請求項５】
Ｃ1-6アルキル基、Ｃ2-6アルケニル基、Ｃ2-6アルキニル基またはＣ1-6アルコキシ基の置換基を、Ｃ6-10アリール基、ヘテロアリール基、Ｃ1-6アルコキシ基、アミノ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基およびハロゲン原子基からなる群より選択される１または２以上とする請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
Ｃ6-10アリール基またはヘテロアリール基の置換基を、Ｃ1-6アルキル基、Ｃ2-6アルケニル基、Ｃ2-6アルキニル基、Ｃ6-10アリール基、ヘテロアリール基、Ｃ1-6アルコキシ基、アミノ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基、ハロゲン原子基、Ｃ1-7アシル基およびＣ2-7アルコキシカルボニル基からなる群より選択される１または２以上とする請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
式（１１）で表されるホスホール化合物を製造するための方法であって、
【化４】
［式中、
Ｒ11、Ｒ12およびＲ15は、独立に水素原子基、置換基を有していてもよいＣ1-6アルキル基、置換基を有していてもよいＣ2-6アルケニル基、置換基を有していてもよいＣ2-6アルキニル基、Ｃ3-10シクロアルキル基、置換基を有していてもよいＣ6-10アリール基、置換基を有していてもよいヘテロアリール基、置換基を有していてもよいＣ1-6アルコキシ基、アミノ基、シアノ基、カルボキシ基、Ｃ1-7アシル基もしくはＣ2-7アルコキシカルボニル基を示し、
Ｒ13およびＲ14は、独立に置換基を有していてもよいＣ1-6アルキル基、置換基を有していてもよいＣ2-6アルケニル基、置換基を有していてもよいＣ2-6アルキニル基、Ｃ3-10シクロアルキル基、置換基を有していてもよいＣ6-10アリール基または置換基を有していてもよいヘテロアリール基を示す］
式（１５）で表される化合物と式（１６）で表される化合物を付加環化反応に付すことを特徴とする方法。
【化５】
［式中、Ｒ11〜Ｒ15は上記と同義を示し、Ｘは脱離基を示す］
【請求項８】
Ｃ1-6アルキル基、Ｃ2-6アルケニル基、Ｃ2-6アルキニル基またはＣ1-6アルコキシ基の置換基を、Ｃ6-10アリール基、ヘテロアリール基、Ｃ1-6アルコキシ基、アミノ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基およびハロゲン原子基からなる群より選択される１または２以上とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
Ｃ6-10アリール基またはヘテロアリール基の置換基を、Ｃ1-6アルキル基、Ｃ2-6アルケニル基、Ｃ2-6アルキニル基、Ｃ6-10アリール基、ヘテロアリール基、Ｃ1-6アルコキシ基、アミノ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基、ハロゲン原子基、Ｃ1-7アシル基およびＣ2-7アルコキシカルボニル基からなる群より選択される１または２以上とする請求項７または８に記載の方法。
【請求項１】
式（１）で表されるホスホール化合物を製造するための方法であって、
【化１】
［式中、
Ｒ1、Ｒ2およびＲ5は、独立に水素原子基、置換基を有していてもよいＣ1-6アルキル基、置換基を有していてもよいＣ2-6アルケニル基、置換基を有していてもよいＣ2-6アルキニル基、Ｃ3-10シクロアルキル基、置換基を有していてもよいＣ6-10アリール基、置換基を有していてもよいヘテロアリール基、置換基を有していてもよいＣ1-6アルコキシ基、アミノ基、シアノ基、カルボキシ基、Ｃ1-7アシル基もしくはＣ2-7アルコキシカルボニル基を示すか、またはＲ1とＲ2は、夫々が結合する炭素原子と共に置換基を有していてもよいＣ6-10アリール基もしくは置換基を有していてもよいヘテロアリール基を形成してもよく、
Ｒ3およびＲ4は、独立に置換基を有していてもよいＣ1-6アルキル基、置換基を有していてもよいＣ2-6アルケニル基、置換基を有していてもよいＣ2-6アルキニル基、Ｃ3-10シクロアルキル基、置換基を有していてもよいＣ6-10アリール基または置換基を有していてもよいヘテロアリール基を示す］
式（２）で表される化合物と式（３）で表される化合物から、
【化２】
［式中、Ｒ1〜Ｒ5は上記と同義を示し、Ｒ6はＣ1-6アルキル基を示し、Ｈａｌはハロゲン原子基を示す］
式（４）で表される化合物を得、
【化３】
［式中、Ｒ1〜Ｒ6およびＨａｌは上記と同義を示す］
上記化合物（４）を環化反応に付すことを特徴とする方法。
【請求項２】
上記環化反応を塩基性条件下で行う請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記環化反応を加熱により行う請求項１に記載の方法。
【請求項４】
上記環化反応を減圧加熱により行う請求項１に記載の方法。
【請求項５】
Ｃ1-6アルキル基、Ｃ2-6アルケニル基、Ｃ2-6アルキニル基またはＣ1-6アルコキシ基の置換基を、Ｃ6-10アリール基、ヘテロアリール基、Ｃ1-6アルコキシ基、アミノ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基およびハロゲン原子基からなる群より選択される１または２以上とする請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
Ｃ6-10アリール基またはヘテロアリール基の置換基を、Ｃ1-6アルキル基、Ｃ2-6アルケニル基、Ｃ2-6アルキニル基、Ｃ6-10アリール基、ヘテロアリール基、Ｃ1-6アルコキシ基、アミノ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基、ハロゲン原子基、Ｃ1-7アシル基およびＣ2-7アルコキシカルボニル基からなる群より選択される１または２以上とする請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
式（１１）で表されるホスホール化合物を製造するための方法であって、
【化４】
［式中、
Ｒ11、Ｒ12およびＲ15は、独立に水素原子基、置換基を有していてもよいＣ1-6アルキル基、置換基を有していてもよいＣ2-6アルケニル基、置換基を有していてもよいＣ2-6アルキニル基、Ｃ3-10シクロアルキル基、置換基を有していてもよいＣ6-10アリール基、置換基を有していてもよいヘテロアリール基、置換基を有していてもよいＣ1-6アルコキシ基、アミノ基、シアノ基、カルボキシ基、Ｃ1-7アシル基もしくはＣ2-7アルコキシカルボニル基を示し、
Ｒ13およびＲ14は、独立に置換基を有していてもよいＣ1-6アルキル基、置換基を有していてもよいＣ2-6アルケニル基、置換基を有していてもよいＣ2-6アルキニル基、Ｃ3-10シクロアルキル基、置換基を有していてもよいＣ6-10アリール基または置換基を有していてもよいヘテロアリール基を示す］
式（１５）で表される化合物と式（１６）で表される化合物を付加環化反応に付すことを特徴とする方法。
【化５】
［式中、Ｒ11〜Ｒ15は上記と同義を示し、Ｘは脱離基を示す］
【請求項８】
Ｃ1-6アルキル基、Ｃ2-6アルケニル基、Ｃ2-6アルキニル基またはＣ1-6アルコキシ基の置換基を、Ｃ6-10アリール基、ヘテロアリール基、Ｃ1-6アルコキシ基、アミノ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基およびハロゲン原子基からなる群より選択される１または２以上とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
Ｃ6-10アリール基またはヘテロアリール基の置換基を、Ｃ1-6アルキル基、Ｃ2-6アルケニル基、Ｃ2-6アルキニル基、Ｃ6-10アリール基、ヘテロアリール基、Ｃ1-6アルコキシ基、アミノ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基、ハロゲン原子基、Ｃ1-7アシル基およびＣ2-7アルコキシカルボニル基からなる群より選択される１または２以上とする請求項７または８に記載の方法。
【公開番号】特開２００９−２０９１３０（Ｐ２００９−２０９１３０Ａ）
【公開日】平成２１年９月１７日（２００９．９．１７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１４６８４（Ｐ２００９−１４６８４）
【出願日】平成２１年１月２６日（２００９．１．２６）
【出願人】（５０４１４７２５４）国立大学法人愛媛大学 (214)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年９月１７日（２００９．９．１７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１月２６日（２００９．１．２６）
【出願人】（５０４１４７２５４）国立大学法人愛媛大学 (214)
【Ｆターム（参考）】
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