説明

リン系エポキシ樹脂半固化物およびその製造方法

【課題】従来のエポキシ樹脂半固化物は耐アルカリ性に対する安定性が不足していた。
【解決手段】化学式(I)のリン系ビスフェノール、化学式(II)のエポキシ樹脂と触媒とを含み鎖延長反応を行うことで、化学式(I)のリン系エポキシ樹脂半固化物を生成するリン系エポキシ樹脂半固化物の製造方法である。式中、nは1〜9の整数であり、Rはメチル基またはフェニル基である。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明はリン系化合物およびその製造方法であって、しかもリン系ビスフェノール化合物を含むエポキシ樹脂およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来のプリント基板の製造においては、主に、ハロゲン、三酸化アンチモンを含む難燃剤をエポキシ樹脂中に添加して、さらにエポキシ樹脂が硬化した後に難燃性のプリント基板が製造される。しかしながら、ハロゲン難燃剤を含むエポキシ樹脂固化物が燃焼したときには、腐食性のガスが発生するだけでなく、ダイオキシン(dioxin)およびベンゾフラン(benzofuran)などの発癌性の有害ガスが発生してしまう。
【0003】
近年では、有機リン化合物が高分子重合体に対して優れた難燃性を備えていることが発見されている。しかも、ハロゲンを含む難燃剤に比べても、有機リン化合物は煙および有毒ガスを発生することはない。また、研究によって、高分子に有機リン反応基を導入した構造では、重合体により優れた難燃効果を持たせることができるということがわかっている。
【0004】
現在リン含有ビスフェノール単量体(構造式は以下で表される)が、エポキシ樹脂半固化物(プレポリマー)を形成するためにエポキシ樹脂に導入される。エポキシ樹脂半固化物を硬化することによって生産された固化物は優れた難燃性を備える。
【化1】

【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
後続するプリント基板の複数の製造工程においては、いずれにおいてもアルカリ性液体で処理する必要がある。例えば、フォトレジストへの露光後にはアルカリ性液体(水酸化ナトリウム、水酸化カリウムまたはテトラメチルアンモニウムヒドロキシド)を用いてフォトリソグラフィを行わなければならず、膜の剥離時にもアルカリ性液体を用いて膜を剥離する、またはマスクを塗布した後に、再度工程を行う必要があるときにも10%の水酸化ナトリウムを70〜80℃で1〜2時間処理してマスクを除去しなければならない。よって硬化後のエポキシ樹脂固化物もまた耐アルカリ性を具備することが必須となる。しかしながら、上記したリン含有ビスフェノール単量体構造におけるC−Hの水素は活性水素に属するので、形成されたエポキシ樹脂半固化物の耐アルカリ性が劣ってしまい、アルカリ性液体に対する安定性が不足してしまう。
【課題を解決するための手段】
【0006】
したがって、本発明の一態様では、化学式(I)で表される構造を備えたリン系エポキシ樹脂半固化物を提供するものである。
【0007】
【化2】

式中、nは1〜9の整数であり、Rはメチル基またはフェニル基であり、Yは下記の基からなる群から選ばれるものである。
【化3】

XおよびZは水素、C1−C6アルキル基、C1−C6アルコキシ基、CF3、フェニル基、ハロゲン、フェノキシ基およびC3−C7ナフテン基からなる群からそれぞれ選ばれる。
【0008】
本発明の他の態様では、リン系エポキシ樹脂半固化物の製造方法を提供する。このリン系エポキシ樹脂半固化物は、リン系ビスフェノール単量体およびエポキシ樹脂を、鎖延長することにより形成されている。使用されるリン系ビスフェノール単量体は従来のリン系ビスフェノールの活性水素をメチル基またはフェニル基に変更することで、合成されたエポキシ樹脂半固化物の耐アルカリ性を高めている。しかもこのリン系エポキシ樹脂半固化物はさらに固化された後に優れた熱特性、難燃性および耐アルカリ性を備える。
【0009】
本発明の一実施例によれば、リン系エポキシ樹脂半固化物の製造方法は、化学式(I)のリン系ビスフェノール、化学式(II)のエポキシ樹脂と触媒とを含む系で鎖延長反応を行うことで、化学式(I)のリン系エポキシ樹脂半固化物を生成する。
【0010】
【化4】

【化5】

【0011】
式中、Rはメチル基またはフェニル基であり、Yは下記の基からなる群から選ばれるものである。
【化6】

XおよびZは水素、C1−C6アルキル基、C1−C6アルコキシ基、CF3、フェニル基、ハロゲン、フェノキシ基およびC3−C7ナフテン基からなる群からそれぞれ選ばれる。
【0012】
本発明の上記およびその他の目的、特徴、長所および実施例がより理解しやすくするため、添付の図面の詳細な説明を下記のとおり行う。
【図面の簡単な説明】
【0013】
【図1A】実施例1におけるアルカリ性液体へのジニトロ誘導体の溶解前におけるH NMRスペクトル図である。
【図1B】実施例1におけるアルカリ性液体へのジニトロ誘導体の溶解後におけるH NMRスペクトル図である。
【図2A】比較例1におけるアルカリ性液体へのジニトロ誘導体の溶解前におけるH NMRスペクトル図である。
【図2B】比較例1におけるアルカリ性液体へのジニトロ誘導体の溶解後におけるH NMRスペクトル図である。
【図3A】実施例1のH NMRスペクトル図である。
【図3B】実施例1のエポキシ誘導体のH NMRスペクトル図である。
【図4A】比較例1のH NMRスペクトル図である。
【図4B】比較例1のエポキシ誘導体のH NMRスペクトル図である。
【発明を実施するための形態】
【0014】
(1)リン系ビスフェノールの製造方法
本発明の実施例においては、リン系ビスフェノールの製造方法を開示するものであって、化学式(a)で表される有機環状リン化合物、化学式(b)で表される化合物、化学式(c)で表される、フェノールおよび酸触媒で反応を行い、リン系ビスフェノールを生成することを含む。
【0015】
【化7】

上記化学式(b)で表される化合物におけるRはメチル基またはフェニル基である。
【0016】
有機環状リン化合物、化学式(b)の化合物およびフェノールのモル比は1:5:1である。本発明の一実施例によれば、有機環状リン化合物は9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン10−オキシド、略称DOPOである。また、化学式(b)の化合物中におけるRがメチル基であるとき、化学式(b)の化合物は4’−ヒドロキシアセトフェノン(4’−Hydroxyacetophenone)となる。そして化学式(b)の化合物中におけるRがフェニル基であるとき、化学式(b)の化合物は4−ヒドロキシベンゾフェノン(4−Hydroxybenzophenone)となる。
【0017】
前記酸触媒は有機環状リン化合物に対し0.1wt%〜5.0wt%である。酸触媒はプロトン酸またはルイス酸とすることができる。前記プロトン酸はp−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、硫酸、シュウ酸、塩酸、臭化水素またはヨウ化水素とすることができる。
【0018】
具体的には、リン系ビスフェノールの製造方法では、有機環状リン化合物、化学式(b)の化合物、フェノールおよび酸触媒を250mlの三口フラスコに投入した。続いて、反応温度を130℃にまで上昇させて、24時間反応を維持した後に撹拌を止めた。フラスコを室温にまで冷却して、自然に析出した部分をエタノールで洗浄した後、濾過・乾燥させて、白色粉末であるリン系ビスフェノールを得た。
【0019】
上記方法で製造されたリン系ビスフェノールは、化学式(I)で表される構造を備えている。式中、Rはメチル基またはフェニル基である。
【0020】
【化8】

【0021】
実施例1
有機環状リン化合物DOPO(9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン10−オキシド)を10.81g(0.05モル)、フェノールを23.5g(0.25モル)、4’−ヒドロキシアセトフェノンを6.81g(0.05モル)、p−トルエンスルホン酸を0.432g(DOPO使用量の4wt%)計量して、250mlの三口フラスコに投入した。続いて、反応温度を130℃にまで上昇させて、24時間反応を維持した後、撹拌を止めた。フラスコを室温にまで冷却した。このとき、自然に析出した部分をエタノールで洗浄した後、濾過・乾燥させて、白色粉末であるリン系ビスフェノールを得た。その構造は下記化学式に表されるとおりである。
【化9】

【0022】
収率は85%、融点は306℃である。高速原子衝撃質量分析装置(FAB+)でこのリン系ビスフェノールのm/z値を分析すると、分析値は429.1266となり、化学式はC2622P(理論値は428.1177、化学式はC2621P)となる。元素分析の分析値はC:72.48%;H:4.65%;O:14.90%(理論値はC:72.89%;H:4.94%;O:14.94%)となる。
【0023】
実施例2
有機環状リン化合物DOPO(9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン10−オキシド)を10.81g(0.05モル)、フェノールを23.5g(0.25モル)、4−ヒドロキシベンゾフェノンを9.91g(0.05モル)、p−トルエンスルホン酸を0.216g(DOPO使用量の2wt%)計量して、250mlの三口フラスコに投入した。続いて、反応温度を130°Cにまで上昇させて、24時間反応を維持した後、撹拌を止めた。フラスコを室温にまで冷却して、エタノールで溶解させた後、熱水中に投入して析出を行った。析出物を濾過・乾燥して、融点が288°Cである下記式で表されるリン系ビスフェノールを収率87%で得た。
【化10】

【0024】
(2)リン系エポキシ樹脂半固化物の製造方法
次に、リン系エポキシ樹脂半固化物の製造方法では、化学式(I)で表されるリン系ビスフェノール、化学式(II)で表されるエポキシ化物および触媒を含む系で鎖延長反応を行い、化学式(I)で表されるリン系エポキシ樹脂半固化物を生成した。
【0025】
【化11】

化学式(I)中のnは1〜9の整数である。化学式(I)および化学式(I)中のRはメチル基またはフェニル基を表す。化学式(II)および化学式(I)中のYは下記の基からなる群から選ばれるものである。
【化12】

XおよびZはそれぞれ水素、C1−C6アルキル基、C1−C6アルコキシ基、CF3、フェニル基、ハロゲン、フェノキシ基またはC3−C7ナフテン基である。
【0026】
前記鎖延長反応は100℃〜200℃で行われる。化学式(II)のエポキシ樹脂のエポキシ基の当量数と化学式(I)のリン系ビスフェノールのフェノール基の当量数との比は1:1〜10:1である。
【0027】
前記使用される触媒はイミダゾール化合物、第3級ホスフィン、第3級アミン、第4級ホスホニウム塩、三フッ化ホウ素錯塩、リチウム化合物または第4級アンモニウム塩である。イミダゾール化合物は2−フェニルイミダゾール(2−phenylimidazole)または2−メチルイミダゾール(2−methylimidazole)とすることができる。第3級ホスフィンはトリフェニルホスフィン (triphenylphosphine)とすることができる。第4級アンモニウム塩は塩化ベンジルトリメチルアンモニウム(benzyltrimethyl ammonium chloride)、塩化ベンジルトリエチルアンモニウム(benzyltriethyl ammonium chloride)または塩化テトラブチルアンモニウム(tetrabutyl ammonium chloride)とすることができる。第4級ホスホニウム塩はエチルトリフェニルホスホニウムアセテート(ethyltriphenyl phosphonium acetate)またはエチルトリフェニルホスホニウムハロゲン化合物(ethyltriphenyl phosphonium halides)とすることができる。
【0028】
具体的には、化学式(II)のエポキシ樹脂を100mlのフラスコ内に投入するとともに、150°Cにまで上昇させた後に、1時間撹拌した。続いて、化学式(I)のリン系ビスフェノールおよび触媒を加えた後、温度を150°Cに維持して引き続き2時間反応させた後、生成物であるリン系エポキシ樹脂半固化物を取り出した。
【0029】
使用される成分比率はかなり多くなることから、表1には一部の代表的な実施例を示している。各実施例では、種類および重量の異なるリン系ビスフェノール、化学式(II)のエポキシ樹脂および触媒で、リン含有量の異なるリン系エポキシ樹脂半固化物を合成している。
【0030】
使用されるリン系ビスフェノールは前記実施例1または実施例2のものである。化学式(II)のエポキシ樹脂はビスフェノールAエポキシ樹脂(Diglycidyl ether of bisphenol A、DGEBA、エポキシ当量188g/当量、化学式(II)のYがY1である)、ビスフェノールFエポキシ樹脂(Diglycidyl ether of bisphenol F、DGEBF、エポキシ当量175g/当量、化学式(II)のYがY2である)またはジシクロペンタジエンエポキシ樹脂(Dicyclopentadiene epoxy、DCPDE、エポキシ当量250g/当量、化学式(II)のYがY3である)とすることができる。
【化13】

【0031】
触媒はトリフェニルホスファンまたは2−メチルイミダゾールである。表1には、各実施例における各種成分の添加グラム数、および各実施例によって形成されるリン系エポキシ樹脂半固化物の理論リン含有量およびエポキシ当量を示している。
【0032】
【表1】

【0033】
前記エポキシ樹脂半固化物を硬化剤と反応させた後、リン含有エポキシ樹脂固化物が形成される。このリン含有エポキシ樹脂固化物は優れた熱特性、接着性および難燃性を備え、プリント基板および半導体封止材に応用することができる。前記硬化剤は4,4’−ジアミノジフェニルスルホン(4,4’−diaminodiphenylsulfone、DDS)とすることができる。
【0034】
具体的には、固化反応では、リン含有エポキシ樹脂半固化物と硬化剤とを同等当量で均一に混合した後、さらに混合物を高温架橋硬化することにより、リン含有エポキシ樹脂固化物が生成した。架橋硬化反応は180℃で2時間反応させた後、さらに220℃で2時間反応させた。
【0035】
(3)特性試験
前記実施例1のリン含有ビスフェノール単量体および比較例1に対して耐アルカリ性試験を行った。比較例1の構造は前記化学式(I)であり、Rは水素である(構造を以下に示す)。
【化14】

【0036】
耐アルカリ性試験の方法を以下に記載する。まず、実施例1および比較例1でジニトロ誘導体を合成するとともに、H NMRで構造を分析する。実施例1のジニトロ誘導体の構造は化学式(III)で表されるものであり、比較例1のジニトロ誘導体の構造は化学式(Iv)で表される。
【0037】
【化15】

【化16】

【0038】
次にジニトロ誘導体を1g計量し、19mlのジメチルホルムアミド(DMF)および1mlの水中に溶解させて、水酸化ナトリウムを0.3g加えて、12時間撹拌した後、H NMRで溶液中の化合物の構造を分析した。
【0039】
図1Aおよび図1Bは実施例1のアルカリ性液体へのジニトロ誘導体の溶解前後におけるH NMRスペクトル図であり、図2Aおよび図2Bは比較例1におけるアルカリ性液体へのジニトロ誘導体の溶解前後におけるH NMRスペクトル図である。図1Aおよび図1Bから理解できるように、アルカリ性液体への溶解前後における実施例1のジニトロ誘導体の構造には顕著な変化は見られない。ところが図2Aおよび図2Bにおいては、比較例1におけるジニトロ誘導体をアルカリ性液体に溶解させるとともに撹拌した後、図2B中の約4.1 ppmの位置には、biphenyl phosphinate結合分裂により生成されたCH(図2B中の円で囲んだ部分)が現れていることがはっきりと観察できる。
【0040】
また別の耐アルカリ性試験の方法では、水酸化ナトリウムでの触媒により、実施例1および比較例1にそれぞれエポキシ化反応を行い、エポキシ誘導体を生成するとともに、H NMRでエポキシ化反応前後の構造を分析した。実施例1のエポキシ誘導体の構造は化学式(v)で表され、比較例1のエポキシ誘導体の構造は化学式(vI)で表されるものである。
【0041】
【化17】

【化18】

【0042】
図3Aおよび図3Bはそれぞれ実施例1およびそのエポキシ誘導体のH NMRスペクトル図である。図4Aおよび図4Bはそれぞれ比較例1およびそのエポキシ誘導体のH NMRスペクトル図である。図3Aおよび図3Bから理解できるように、実施例1およびそのエポキシ誘導体の構造において、フェニル環上の水素には何ら変化は見られず、実施例1の構造におけるbiphenylene phosphinate基はアルカリ性環境で安定していることを意味している。一方、図4Aおよび図4Bからは、比較例1のエポキシ誘導体では、フェニル環上の水素の信号には顕著な変化が観察される。例えば、図4Aと図4Bとを比較するに、図4B中の約8.0 ppm位置の水素の信号は明らかに減少しており、(図4B中の円aで囲んだ部分)、そして6.9 ppm位置には新たな信号が生成されている。同様に、元々の4.5 ppm位置でのCH信号は明らかに減少しており(図4B中の円bで囲んだ部分)、そして4.0 ppm位置には新たな信号Ph−CH−Phが生成されている。比較例1の構造におけるbiphenylene phosphinate基はアルカリ性環境で分裂している状態を表している。つまり、比較例1の構造におけるbiphenylene phosphinate基はアルカリ性環境で不安定であると言える。
【0043】
上記した結果では、比較例1に比べて、実施例1のリン系ビスフェノール単量体は優れた耐アルカリ性を備えていることを示している。したがって、実施例1で合成されたリン含有エポキシ樹脂半固化物も優れた耐アルカリ性を備えていることになる。
【0044】
比較例2〜4では、実施例1の代わりに比較例1を用いてリン系エポキシ樹脂半固化物の製造方法で合成されたリン含有量の異なるリン系エポキシ樹脂半固化物を用いている。比較例2〜4のリン含有量はそれぞれ1.5wt%、2.0wt%、2.5wt%である。続いて、実施例3〜7および比較例2〜4とをそれぞれ硬化剤と反応させて、リン含有エポキシ樹脂固化物を形成して、熱特性、熱安定性および難燃性の試験を行うとともに、固化物中における実際のリン含有量を計算した。
【0045】
熱特性については、動的粘弾性測定法(Dynamic Mechanical Analysis、DMA)を用いて、実施例における固化物のガラス転移温度(glass transition temperature、Tg)を測定した。熱安定性の試験は熱重量測定装置(Thermogravimetric Analyzer、TGA)を用いて、実施例における固化物の熱分解温度および残り率を測定した。熱分解温度は各実施例および比較例の重量損失が5%の時の温度とした。残り量は800℃にまで加熱したとき、燃え残った分の重量%である。
【0046】
難燃性試験はUL94燃焼試験である。UL94燃焼試験は国際的に公認されている標準的な燃焼試験手順である。UL94燃焼試験でサンプルの難燃特性の等級を判断する方法は、標準的な試験片への垂直または水平燃焼の後に、試験炎を離した後に素早く炎が消えるか否か(一回目の燃焼時間と二回目の燃焼時間)、そして一定時間の間に燃焼していない燃焼滴下物の落下(滴下)の有無に基づいて判断するものである。表2は表1中における実施例3〜7の固化の後の熱特性、熱安定性および難燃性試験の結果である。
【0047】
【表2】

【0048】
表2の結果によれば、上記実施例における固化物のガラス転移温度は177 〜202℃であって、リン含有量の増加がガラス転移温度を低下させている。また、リン含有量の増加に伴って、実施例の熱分解温度が下がった場合でも、残り率が付随して増加している(19wt%から31wt%にまで上昇)。同様に、比較例のリン含有量が増加したときにも、ガラス転移温度が大幅に低下する。したがって、各比較例と比べても、本発明のリン含有エポキシ樹脂半固化物は固化した後に、優れた熱特性および熱安定性を備えている。
【0049】
難燃性の面では、本発明のリン含有エポキシ樹脂半固化物は固化した後、そのUL94試験等級はいずれもV−1等級以上となり、難燃効果を備えている。しかも実際のリン含有量が1.73wt%以上のとき、UL94試験のV0等級に達する。V0等級とは試験炎を離した後、燃焼滴下物が、試験片から305mm離れた脱脂綿に落ちても着火せず、しかも試験片は10秒以内に火が消え、残り燃焼が30秒を超えないというものを指す。V1等級では同様に試験炎を離した後に燃焼滴下物はないものの、試験片の火が消えるまでの時間が30秒以内で、残り燃焼が60秒を超えないというところまで延長されている。
【0050】
表3は表1に示す実施例8〜12が固化した後に形成される固化物のガラス転移温度とUL94試験の等級を示している。実施例8〜12におけるリン含有量の理論値はいずれも1.75wt%であるが、各実施例では異なるリン系ビスフェノール、エポキシ樹脂と触媒とを反応させて形成しているところが異なっている。
【0051】
【表3】

【0052】
前記リン含有量が実施例における固化物のガラス転移温度に影響を及ぼす以外にも、表3の結果から分かるように、エポキシ樹脂の種類もまた実施例における固化物のガラス転移温度に影響を及ぼす。難燃性の面においては、上記実施例では固化した後、UL94試験の等級でいずれもUL94試験のV0等級にまで達している。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
化学式(I)で表される構造を備えたことを特徴とするリン系エポキシ樹脂半固化物。
【化1】

(式中、nは1〜9の整数であり、当該Rはメチル基またはフェニル基であり、Yは下記の基からなる群から選ばれ、
【化2】

XおよびZは水素、C1−C6アルキル基、C1−C6アルコキシ基、CF3、フェニル基、ハロゲン、フェノキシ基およびC3−C7ナフテン基からなる群からそれぞれ選ばれる。)
【請求項2】
化学式(I)のリン系ビスフェノールと、
【化3】

化学式(II)のエポキシ樹脂と、
【化4】

触媒とを含む系で、鎖延長反応を行うことで、化学式(I)のリン系エポキシ樹脂半固化物を生成することを特徴とするリン系エポキシ樹脂半固化物の製造方法。
(式中、当該Rはメチル基またはフェニル基であり、Yは下記の基からなる群から選ばれ、
【化5】

XおよびZは水素、C1−C6アルキル基、C1−C6アルコキシ基、CF3、フェニル基、ハロゲン、フェノキシ基およびC3−C7ナフテン基からなる群からそれぞれ選ばれる。)
【請求項3】
前記鎖延長反応が100℃〜200℃で行われることを特徴とする請求項2に記載の製造方法。
【請求項4】
化学式(II)のエポキシ樹脂のエポキシ基の当量数と化学式(I)のリン系ビスフェノールのフェノール基の当量数との比が1:1〜10:1であることを特徴とする請求項2に記載の製造方法。
【請求項5】
前記触媒の使用量が、化学式(II)のエポキシ樹脂の使用量に対し0.1wt%〜5wt%であることを特徴とする請求項2に記載の製造方法。
【請求項6】
前記触媒がイミダゾール化合物、第3級ホスフィン、第3級アミン、第4級ホスホニウム塩、三フッ化ホウ素錯塩、リチウム化合物または第4級アンモニウム塩を含むことを特徴とする請求項2に記載の製造方法。
【請求項7】
前記イミダゾール化合物が2−フェニルイミダゾールまたは2−メチルイミダゾールであることを特徴とする請求項6に記載の製造方法。
【請求項8】
前記第3級ホスフィンがトリフェニルホスファンであることを特徴とする請求項6に記載の製造方法。
【請求項9】
前記第4級アンモニウム塩が塩化ベンジルトリメチルアンモニウム、塩化ベンジルトリエチルアンモニウムまたは塩化テトラブチルアンモニウムであることを特徴とする請求項6に記載の製造方法。
【請求項10】
前記第4級ホスホニウム塩がエチルトリフェニルホスホニウムアセテートまたはエチルトリフェニルホスホニウムハロゲン化合物であることを特徴とする請求項6に記載の製造方法。

【図1A】
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【図1B】
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【図2A】
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【図2B】
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【図3A】
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【図3B】
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【図4A】
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【図4B】
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【公開番号】特開2011−144345(P2011−144345A)
【公開日】平成23年7月28日(2011.7.28)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2010−103369(P2010−103369)
【出願日】平成22年4月28日(2010.4.28)
【出願人】(595009383)長春人造樹脂廠股▲分▼有限公司 (23)
【Fターム(参考)】