リードスイッチ
【課題】接点被膜層の亀裂を防止し、接点寿命の永い、安定したリードスイッチを提供する。
【解決手段】リード片の接点表面に、メッキにより厚さが０．２μｍ以上１．０μｍ以下（但し、０．５μｍ以上を除く）の遷移金属またはそれらの合金の少なくとも１種よりなる下地被膜層を設け、さらに、該下地被膜層表面側上層に、少なくともロジウム（Ｒｈ）を主成分とする単層、またはロジウム（Ｒｈ）を主成分とした層を含む複数の層からなる、応力緩和のための第２接点被膜層を配設し、さらにまた、該第２接点被膜層の表面側上層にイリジウム（Ｉｒ）を主成分とする厚さが０．５μｍ以上２．０μｍ以下（但し、１μｍ以上を除く）の第１接点被膜層を配設する。
【解決手段】リード片の接点表面に、メッキにより厚さが０．２μｍ以上１．０μｍ以下（但し、０．５μｍ以上を除く）の遷移金属またはそれらの合金の少なくとも１種よりなる下地被膜層を設け、さらに、該下地被膜層表面側上層に、少なくともロジウム（Ｒｈ）を主成分とする単層、またはロジウム（Ｒｈ）を主成分とした層を含む複数の層からなる、応力緩和のための第２接点被膜層を配設し、さらにまた、該第２接点被膜層の表面側上層にイリジウム（Ｉｒ）を主成分とする厚さが０．５μｍ以上２．０μｍ以下（但し、１μｍ以上を除く）の第１接点被膜層を配設する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はリード片を接点とするリードスイッチ、特にその接点の構成に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、リードスイッチは、図３に示すように、一対の細長いリード片１、２のそれぞれの一端を接点部として、この接点部１０、２０を真空状態、または不活性ガスを封じ込めた状態のガラス管よりなる容器３に、封入した構造になっている。上記リード片１、２は、例えば、鉄ニッケル合金のような金属磁性体で形成されており、それぞれの接点部１０、２０は互いに所定の重なりと間隔を保って配置されている。また、それぞれの接点部が対向する面である接点面には、金（Ａｕ）を下地被膜層１１、２１に配した後、イリジウム（Ｉｒ）を主成分とする接点被膜層１２、２２が形成されていた。（例えば、特許文献１参照）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平５−１８６９５３号公報（段落００７、図１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記のごとき従来のリードスイッチの接点構成では、接点部をガラスにより封止する際の熱によりリード片に熱膨張が発生し、リード片を構成する金属磁性体とイリジウム（Ｉｒ）を主成分とする接点被膜層間の熱膨張量の差による応力で、該イリジウム（Ｉｒ）を主成分とする接点被膜層に亀裂が生じ、これにより接点寿命が劣化するという問題点があった。従って、熱膨張差による接点被膜層の亀裂を防止し、接点寿命の永い、安定したリードスイッチの開発が望まれていた。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明のリードスイッチは、リード片を接点とするリードスイッチであって、該リード片の接点表面に、メッキにより厚さが０．２μｍ以上１．０μｍ以下（但し、０．５μｍ以上を除く）の遷移金属またはそれらの合金の少なくとも１種よりなる下地被膜層を設け、さらに、該下地被膜層表面側上層に、少なくともロジウム（Ｒｈ）を主成分とする単層、またはロジウム（Ｒｈ）を主成分とした層を含む複数の層からなる、応力緩和のための第２接点被膜層を配設し、さらにまた、該第２接点被膜層の表面側上層にイリジウム（Ｉｒ）を主成分とする厚さが０．５μｍ以上２．０μｍ以下（但し、１μｍ以上を除く）の第１接点被膜層を配設してなるものである。
【０００６】
また、本発明によるリードスイッチは、前記第２接点被膜層の厚さが０．５以上５．０μｍ以下（但し、２．５μｍ以上を除く）であるものである。
【発明の効果】
【０００７】
本発明は、リード片の接点表面に、メッキにより厚さが０．２μｍ以上１．０μｍ以下（但し、０．５μｍ以上を除く）の遷移金属またはそれらの合金の少なくとも１種よりなる下地被膜層を設け、さらに、該下地被膜層表面側上層に、少なくともロジウム（Ｒｈ）を主成分とする単層、またはロジウム（Ｒｈ）を主成分とした層を含む複数の層からなる、応力緩和のための第２接点被膜層を配設し、さらにまた、該第２接点被膜層の表面側上層にイリジウム（Ｉｒ）を主成分とする厚さが０．５μｍ以上２．０μｍ以下（但し、１μｍ以上を除く）の第１接点被膜層を配設したことにより、接点被膜層の亀裂発生を防止し、接点寿命の永い、安定したリードスイッチを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施の形態１における、構成を示す説明図である。
【図２】本発明の実施の形態２における、構成を示す説明図である。
【図３】従来のリードスイッチの構成を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
［実施の形態１］
図１は、本発明の実施の形態１における、構成を示す説明図である。
図において、１、２はリード片、１０、２０は接点部、１１、２１は下地被膜層、１３、２３は第２接点被膜層、１４、２４は第１接点被膜層である。
接点部１０と接点部２０とが対向する接点面には、リード片１、２を構成する金属磁性体の表面に、遷移金属、特に金、銀、銅、ニッケル等を用いた下地被膜層１１、１２を形成する。尚、下地被膜層１１、１２の厚さは、０．２〜１．０μｍ程度にする。
【００１０】
前記下地被膜層１１、１２の厚さは、第２接点被膜層１３、２３の金属磁性体への被膜の下地特性を有する範囲で成る可く薄い方が好ましい。ただ、０．２μｍ以下では下地特性が部分的にむら（主にメッキ法におけるピンホールなどによる）を生じることもあり、また、１．０μｍ以上であっても下地特性（密着性）に余り変化が無く、また負荷回路の開閉を行い接点損傷が進行した際に、損傷部の下地金属拡散濃度が上昇し、接点寿命を劣化させる粘着現象等の原因ともなる。従って、０．２〜１．０μｍ程度にするのが望ましい。
【００１１】
上記下地処理の後、リード片１、２の接点部１０、２０に、第２接点被膜層１３、２３をロジウム（Ｒｈ）を用いて形成する。第２接点被膜層１３、２３の厚さは、０．５〜５．０μｍ程度の膜厚にする。
次に、第２接点被膜層１３、２３上に、第１接点被膜層１４、２４をイリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）またはロジウム（Ｒｈ）の内の１種を用いて形成する。第１接点被膜層１４、２４の厚さは０．５〜２．０μｍ程度とする。
【００１２】
上記により接点構成されたリード片を用いてガラス封止を行う。この場合、封止熱によりリード片接点部１０、２０に熱膨張が発生する。
この際、熱膨張量の差により、金属磁性体−下地被膜層１１、１２間、下地被膜層１１、１２−第２接点被膜層１３、２３間、第２接点被膜層１３、２３−第１接点被膜層１４、２４間のそれぞれに膨張量に応じた応力が発生するが、第２接点被膜層１３、２３のロジウム（Ｒｈ）は、材料的に前記封止熱に充分耐えうる耐応力性を有しており、また、イリジウム（Ｉｒ）の膨張係数は約８×１０-6／℃であり、また、ルテニウム（Ｒｕ）の膨張係数も約６．７×１０-6／℃であり、これはロジウム（Ｒｈ）の膨張係数とほぼ同程度であることから、第１接点被膜層１４、２４にかかる応力を抑制することができ、延性の乏しいイリジウム（Ｉｒ）やルテニウム（Ｒｕ）を接点被膜に使用しても、熱による亀裂の発生を防ぐことができる。
【００１３】
上記から、第１接点被膜層１４、２４の厚さは、使用頻度、要求寿命により１義的に決めることができ、通常の使用状態では０．５〜２．０μｍの範囲で適宜選択することができる。
【００１４】
また、第２接点被膜層層１３、２３の厚さは、熱応力を弛緩するための厚さを必要とし、第１接点被膜層１４、２４の境界面における剪断応力が許容応力内になるように選ばれなければならない。封止温度、各被膜層間の膨張係数の差、および第１接点被膜層１４、２４の許容剪断応力等により決められる。通常条件では第１接点被膜層１４、２４の厚さより厚く、０．５〜５．０μｍ程度の厚さとして選択される。
【００１５】
以上のように、イリジウム（Ｉｒ）やルテニウム（Ｒｕ）のような延性の乏しい第１接点被膜層１４、２４の下層として、ロジウム等の熱応力を緩和するための予備接点被膜である第２接点被膜層１３、２３を形成することにより、封止熱などによる接点被膜の亀裂の発生が抑制される。このため、イリジウム（Ｉｒ）やルテニウム（Ｒｕ）の高融点・高硬度という物性を十分活かし、高負荷での用途や長寿命の用途に適したリードスイッチが得られる。
【００１６】
［実施の形態２］
図２は本発明の実施の形態２における、構成を示す説明図である。
図において、１５、２５は拡散層である。なお、図１と同一の構成部分については同じ符号を付し、説明を省略する。
【００１７】
本実施の形態は、上述の実施の形態１においては応力緩和のためにロジウム（Ｒｈ）を使用するため、高コストになってしまう恐れがあるのに対し、ロジウム（Ｒｈ）を使用せずに、安価に同目的を達成せんとするものである。
【００１８】
図２において、鉄ニッケル合金等の金属磁性体で形成されたリード片１、２の接点部１０、２０の表面に、遷移金属又はそれらの各合金、特には金、銀、銅、ニッケル等またはそれらの各合金、の少なくとも１種を使用して、１．０〜５．０μｍの被膜を形成し、その後、８００〜１０００℃程度の高温水素雰囲気中で前記金属磁性体の表面に熱拡散し、拡散層１５、２５を形成する。
【００１９】
次いで、後に施行される第１接点被膜層１２、２２の密着性を高めるために、前記被膜と同じ材質の遷移金属又はそれらの各合金、特には金、銀、銅、ニッケル等またはそれらの各合金、の少なくとも１種からなる、厚さ０．２〜０．５μｍ程度の下地被膜層１１、２１を形成する。該下地被膜層１１、２１の目的は、第１接点被膜層１２、２２の密着性を高めるところにあり、その厚さは厚い必要はなく、コスト的に均一に被覆される限界として０．２〜０．５μｍ程度が好ましい。
その後さらに、この下地被膜層１１、２１上に０．５〜２．０μｍ程度のイリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）またはロジウム（Ｒｈ）の内の１種を主成分とする第１接点被膜層１２、２２が形成される。
【００２０】
前記のごとく、リード片１、２を用いてガラス封止を行うと、封止熱によりリード片接点部１０、２０に熱膨張が発生する。ここで、接点部１０、２０の表面には、あらかじめ、遷移金属又はそれらの各合金、特には金、銀、銅、ニッケル等またはそれらの各合金、の少なくとも１種を使用した拡散層を形成し、それにより熱膨張量が変化することにより、金属磁性体−第１接点被膜間に発生する熱応力を緩和・吸収する。
【００２１】
以上のように、本実施の形態２によれば、イリジウム（Ｉｒ）やルテニウム（Ｒｕ）のような延性の乏しい第１接点被膜層１２、２２の下層に、遷移金属又はそれらの各合金、特には金、銀、銅、ニッケル等またはそれらの各合金、の少なくとも１種からなる下地被膜層１１、２１と、金属磁性体の拡散層を形成することにより、更に低コストで接点被膜の亀裂の発生を抑制することができる。
【００２２】
［実施の形態３］
上記実施の形態１、２において、その接点構成は、第１接点被膜層１２、２２にイリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）またはロジウム（Ｒｈ）の内の１種を主成分として適用した場合について詳述されているが、同一目的をもってこれらに代わり、同じ白金系金属に属する接点材料を用いた場合にも適用することが可能である。
【符号の説明】
【００２３】
１、２ リード片、１０、２０ 接点部、１１、２１ 下地被膜層、１３、２３ 第２接点被膜層、１４、２４ 第１接点被膜層、 １５、２５ 拡散層。
【技術分野】
【０００１】
本発明はリード片を接点とするリードスイッチ、特にその接点の構成に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、リードスイッチは、図３に示すように、一対の細長いリード片１、２のそれぞれの一端を接点部として、この接点部１０、２０を真空状態、または不活性ガスを封じ込めた状態のガラス管よりなる容器３に、封入した構造になっている。上記リード片１、２は、例えば、鉄ニッケル合金のような金属磁性体で形成されており、それぞれの接点部１０、２０は互いに所定の重なりと間隔を保って配置されている。また、それぞれの接点部が対向する面である接点面には、金（Ａｕ）を下地被膜層１１、２１に配した後、イリジウム（Ｉｒ）を主成分とする接点被膜層１２、２２が形成されていた。（例えば、特許文献１参照）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平５−１８６９５３号公報（段落００７、図１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記のごとき従来のリードスイッチの接点構成では、接点部をガラスにより封止する際の熱によりリード片に熱膨張が発生し、リード片を構成する金属磁性体とイリジウム（Ｉｒ）を主成分とする接点被膜層間の熱膨張量の差による応力で、該イリジウム（Ｉｒ）を主成分とする接点被膜層に亀裂が生じ、これにより接点寿命が劣化するという問題点があった。従って、熱膨張差による接点被膜層の亀裂を防止し、接点寿命の永い、安定したリードスイッチの開発が望まれていた。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明のリードスイッチは、リード片を接点とするリードスイッチであって、該リード片の接点表面に、メッキにより厚さが０．２μｍ以上１．０μｍ以下（但し、０．５μｍ以上を除く）の遷移金属またはそれらの合金の少なくとも１種よりなる下地被膜層を設け、さらに、該下地被膜層表面側上層に、少なくともロジウム（Ｒｈ）を主成分とする単層、またはロジウム（Ｒｈ）を主成分とした層を含む複数の層からなる、応力緩和のための第２接点被膜層を配設し、さらにまた、該第２接点被膜層の表面側上層にイリジウム（Ｉｒ）を主成分とする厚さが０．５μｍ以上２．０μｍ以下（但し、１μｍ以上を除く）の第１接点被膜層を配設してなるものである。
【０００６】
また、本発明によるリードスイッチは、前記第２接点被膜層の厚さが０．５以上５．０μｍ以下（但し、２．５μｍ以上を除く）であるものである。
【発明の効果】
【０００７】
本発明は、リード片の接点表面に、メッキにより厚さが０．２μｍ以上１．０μｍ以下（但し、０．５μｍ以上を除く）の遷移金属またはそれらの合金の少なくとも１種よりなる下地被膜層を設け、さらに、該下地被膜層表面側上層に、少なくともロジウム（Ｒｈ）を主成分とする単層、またはロジウム（Ｒｈ）を主成分とした層を含む複数の層からなる、応力緩和のための第２接点被膜層を配設し、さらにまた、該第２接点被膜層の表面側上層にイリジウム（Ｉｒ）を主成分とする厚さが０．５μｍ以上２．０μｍ以下（但し、１μｍ以上を除く）の第１接点被膜層を配設したことにより、接点被膜層の亀裂発生を防止し、接点寿命の永い、安定したリードスイッチを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施の形態１における、構成を示す説明図である。
【図２】本発明の実施の形態２における、構成を示す説明図である。
【図３】従来のリードスイッチの構成を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
［実施の形態１］
図１は、本発明の実施の形態１における、構成を示す説明図である。
図において、１、２はリード片、１０、２０は接点部、１１、２１は下地被膜層、１３、２３は第２接点被膜層、１４、２４は第１接点被膜層である。
接点部１０と接点部２０とが対向する接点面には、リード片１、２を構成する金属磁性体の表面に、遷移金属、特に金、銀、銅、ニッケル等を用いた下地被膜層１１、１２を形成する。尚、下地被膜層１１、１２の厚さは、０．２〜１．０μｍ程度にする。
【００１０】
前記下地被膜層１１、１２の厚さは、第２接点被膜層１３、２３の金属磁性体への被膜の下地特性を有する範囲で成る可く薄い方が好ましい。ただ、０．２μｍ以下では下地特性が部分的にむら（主にメッキ法におけるピンホールなどによる）を生じることもあり、また、１．０μｍ以上であっても下地特性（密着性）に余り変化が無く、また負荷回路の開閉を行い接点損傷が進行した際に、損傷部の下地金属拡散濃度が上昇し、接点寿命を劣化させる粘着現象等の原因ともなる。従って、０．２〜１．０μｍ程度にするのが望ましい。
【００１１】
上記下地処理の後、リード片１、２の接点部１０、２０に、第２接点被膜層１３、２３をロジウム（Ｒｈ）を用いて形成する。第２接点被膜層１３、２３の厚さは、０．５〜５．０μｍ程度の膜厚にする。
次に、第２接点被膜層１３、２３上に、第１接点被膜層１４、２４をイリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）またはロジウム（Ｒｈ）の内の１種を用いて形成する。第１接点被膜層１４、２４の厚さは０．５〜２．０μｍ程度とする。
【００１２】
上記により接点構成されたリード片を用いてガラス封止を行う。この場合、封止熱によりリード片接点部１０、２０に熱膨張が発生する。
この際、熱膨張量の差により、金属磁性体−下地被膜層１１、１２間、下地被膜層１１、１２−第２接点被膜層１３、２３間、第２接点被膜層１３、２３−第１接点被膜層１４、２４間のそれぞれに膨張量に応じた応力が発生するが、第２接点被膜層１３、２３のロジウム（Ｒｈ）は、材料的に前記封止熱に充分耐えうる耐応力性を有しており、また、イリジウム（Ｉｒ）の膨張係数は約８×１０-6／℃であり、また、ルテニウム（Ｒｕ）の膨張係数も約６．７×１０-6／℃であり、これはロジウム（Ｒｈ）の膨張係数とほぼ同程度であることから、第１接点被膜層１４、２４にかかる応力を抑制することができ、延性の乏しいイリジウム（Ｉｒ）やルテニウム（Ｒｕ）を接点被膜に使用しても、熱による亀裂の発生を防ぐことができる。
【００１３】
上記から、第１接点被膜層１４、２４の厚さは、使用頻度、要求寿命により１義的に決めることができ、通常の使用状態では０．５〜２．０μｍの範囲で適宜選択することができる。
【００１４】
また、第２接点被膜層層１３、２３の厚さは、熱応力を弛緩するための厚さを必要とし、第１接点被膜層１４、２４の境界面における剪断応力が許容応力内になるように選ばれなければならない。封止温度、各被膜層間の膨張係数の差、および第１接点被膜層１４、２４の許容剪断応力等により決められる。通常条件では第１接点被膜層１４、２４の厚さより厚く、０．５〜５．０μｍ程度の厚さとして選択される。
【００１５】
以上のように、イリジウム（Ｉｒ）やルテニウム（Ｒｕ）のような延性の乏しい第１接点被膜層１４、２４の下層として、ロジウム等の熱応力を緩和するための予備接点被膜である第２接点被膜層１３、２３を形成することにより、封止熱などによる接点被膜の亀裂の発生が抑制される。このため、イリジウム（Ｉｒ）やルテニウム（Ｒｕ）の高融点・高硬度という物性を十分活かし、高負荷での用途や長寿命の用途に適したリードスイッチが得られる。
【００１６】
［実施の形態２］
図２は本発明の実施の形態２における、構成を示す説明図である。
図において、１５、２５は拡散層である。なお、図１と同一の構成部分については同じ符号を付し、説明を省略する。
【００１７】
本実施の形態は、上述の実施の形態１においては応力緩和のためにロジウム（Ｒｈ）を使用するため、高コストになってしまう恐れがあるのに対し、ロジウム（Ｒｈ）を使用せずに、安価に同目的を達成せんとするものである。
【００１８】
図２において、鉄ニッケル合金等の金属磁性体で形成されたリード片１、２の接点部１０、２０の表面に、遷移金属又はそれらの各合金、特には金、銀、銅、ニッケル等またはそれらの各合金、の少なくとも１種を使用して、１．０〜５．０μｍの被膜を形成し、その後、８００〜１０００℃程度の高温水素雰囲気中で前記金属磁性体の表面に熱拡散し、拡散層１５、２５を形成する。
【００１９】
次いで、後に施行される第１接点被膜層１２、２２の密着性を高めるために、前記被膜と同じ材質の遷移金属又はそれらの各合金、特には金、銀、銅、ニッケル等またはそれらの各合金、の少なくとも１種からなる、厚さ０．２〜０．５μｍ程度の下地被膜層１１、２１を形成する。該下地被膜層１１、２１の目的は、第１接点被膜層１２、２２の密着性を高めるところにあり、その厚さは厚い必要はなく、コスト的に均一に被覆される限界として０．２〜０．５μｍ程度が好ましい。
その後さらに、この下地被膜層１１、２１上に０．５〜２．０μｍ程度のイリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）またはロジウム（Ｒｈ）の内の１種を主成分とする第１接点被膜層１２、２２が形成される。
【００２０】
前記のごとく、リード片１、２を用いてガラス封止を行うと、封止熱によりリード片接点部１０、２０に熱膨張が発生する。ここで、接点部１０、２０の表面には、あらかじめ、遷移金属又はそれらの各合金、特には金、銀、銅、ニッケル等またはそれらの各合金、の少なくとも１種を使用した拡散層を形成し、それにより熱膨張量が変化することにより、金属磁性体−第１接点被膜間に発生する熱応力を緩和・吸収する。
【００２１】
以上のように、本実施の形態２によれば、イリジウム（Ｉｒ）やルテニウム（Ｒｕ）のような延性の乏しい第１接点被膜層１２、２２の下層に、遷移金属又はそれらの各合金、特には金、銀、銅、ニッケル等またはそれらの各合金、の少なくとも１種からなる下地被膜層１１、２１と、金属磁性体の拡散層を形成することにより、更に低コストで接点被膜の亀裂の発生を抑制することができる。
【００２２】
［実施の形態３］
上記実施の形態１、２において、その接点構成は、第１接点被膜層１２、２２にイリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）またはロジウム（Ｒｈ）の内の１種を主成分として適用した場合について詳述されているが、同一目的をもってこれらに代わり、同じ白金系金属に属する接点材料を用いた場合にも適用することが可能である。
【符号の説明】
【００２３】
１、２ リード片、１０、２０ 接点部、１１、２１ 下地被膜層、１３、２３ 第２接点被膜層、１４、２４ 第１接点被膜層、 １５、２５ 拡散層。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リード片を接点とするリードスイッチであって、該リード片の接点表面に、
メッキにより厚さが０．２μｍ以上１．０μｍ以下（但し、０．５μｍ以上を除く）の遷移金属またはそれらの合金の少なくとも１種よりなる下地被膜層を設け、さらに、該下地被膜層表面側上層に、
少なくともロジウム（Ｒｈ）を主成分とする単層、またはロジウム（Ｒｈ）を主成分とした層を含む複数の層からなる、応力緩和のための第２接点被膜層を配設し、
さらにまた、該第２接点被膜層の表面側上層にイリジウム（Ｉｒ）を主成分とする厚さが０．５μｍ以上２．０μｍ以下（但し、１μｍ以上を除く）の第１接点被膜層を配設してなることを特徴とするリードスイッチ。
【請求項２】
前記第２接点被膜層の厚さが０．５以上５．０μｍ以下（但し、２．５μｍ以上を除く）であることを特徴とする請求項１に記載のリードスイッチ。
【請求項１】
リード片を接点とするリードスイッチであって、該リード片の接点表面に、
メッキにより厚さが０．２μｍ以上１．０μｍ以下（但し、０．５μｍ以上を除く）の遷移金属またはそれらの合金の少なくとも１種よりなる下地被膜層を設け、さらに、該下地被膜層表面側上層に、
少なくともロジウム（Ｒｈ）を主成分とする単層、またはロジウム（Ｒｈ）を主成分とした層を含む複数の層からなる、応力緩和のための第２接点被膜層を配設し、
さらにまた、該第２接点被膜層の表面側上層にイリジウム（Ｉｒ）を主成分とする厚さが０．５μｍ以上２．０μｍ以下（但し、１μｍ以上を除く）の第１接点被膜層を配設してなることを特徴とするリードスイッチ。
【請求項２】
前記第２接点被膜層の厚さが０．５以上５．０μｍ以下（但し、２．５μｍ以上を除く）であることを特徴とする請求項１に記載のリードスイッチ。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２０１０−９２８８０（Ｐ２０１０−９２８８０Ａ）
【公開日】平成２２年４月２２日（２０１０．４．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２８７９８１（Ｐ２００９−２８７９８１）
【出願日】平成２１年１２月１８日（２００９．１２．１８）
【分割の表示】特願２００３−８１７２７（Ｐ２００３−８１７２７）の分割
【原出願日】平成１５年３月２５日（２００３．３．２５）
【出願人】（５０１２５２２３８）株式会社沖センサデバイス (17)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年４月２２日（２０１０．４．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１２月１８日（２００９．１２．１８）
【分割の表示】特願２００３−８１７２７（Ｐ２００３−８１７２７）の分割
【原出願日】平成１５年３月２５日（２００３．３．２５）
【出願人】（５０１２５２２３８）株式会社沖センサデバイス (17)
【Ｆターム（参考）】
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