【課題】リソグラフィー特性に優れ、形状が良好でディフェクトの少ないレジストパターンを形成できるレジスト組成物、該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】主鎖の少なくとも一方の末端に露光により酸を発生するアニオン部位を有する重合体と、γ−ブチロラクトンと、を含有するレジスト組成物。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
主鎖の少なくとも一方の末端に露光により酸を発生するアニオン部位を有する重合体と、γ−ブチロラクトンと、を含有するレジスト組成物。
【請求項２】
露光により酸を発生し、かつ酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）と、有機溶剤（Ｓ）と、を含有するレジスト組成物であって、
前記基材成分（Ａ）が、主鎖の少なくとも一方の末端に露光により酸を発生するアニオン部位を有する重合体を含有し、
前記有機溶剤（Ｓ）として、γ−ブチロラクトンを含有するレジスト組成物。
【請求項３】
前記重合体が、主鎖の少なくとも一方の末端に下記一般式（Ｉ−１）で表される基を有する、請求項１または２記載のレジスト組成物。
【化１】

［式中、Ｒ^１は炭素数１〜１０の炭化水素基であり、Ｚは炭素数１〜１０の炭化水素基又はシアノ基であり、Ｒ^１とＺとは相互に結合して環を形成していてもよい。Ｘは２価の連結基であって、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−、及び−ＮＨ−Ｃ（＝ＮＨ）−のいずれかを、少なくとも式中のＱと接する末端に有する。ｐは１〜３の整数である。Ｑは（ｐ＋１）価の炭化水素基であり、ｐが１の場合のみ、Ｑは単結合であってもよい。Ｒ^２は単結合、置換基を有していてもよいアルキレン基、又は置換基を有していてもよい芳香族基であり、ｑは０又は１であり、ｒは０〜８の整数であり、Ｍ^＋は有機カチオンである。］
【請求項４】
前記重合体が、下記一般式（Ｉ）で表される化合物からなるラジカル重合開始剤を用いたラジカル重合により得られるラジカル重合体である、請求項３記載のレジスト組成物。
【化２】

［式中、Ｒ^１は炭素数１〜１０の炭化水素基であり、Ｚは炭素数１〜１０の炭化水素基又はシアノ基であり、Ｒ^１とＺとは相互に結合して環を形成していてもよい。Ｘは２価の連結基であって、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−、及び−ＮＨ−Ｃ（＝ＮＨ）−のいずれかを、少なくとも式中のＱと接する末端に有する。ｐは１〜３の整数である。Ｑは（ｐ＋１）価の炭化水素基であり、ｐが１の場合のみ、Ｑは単結合であってもよい。Ｒ^２は単結合、置換基を有していてもよいアルキレン基、又は置換基を有していてもよい芳香族基であり、ｑは０又は１であり、ｒは０〜８の整数であり、Ｍ^＋は有機カチオンである。式中の複数のＲ^１、Ｚ、Ｘ、ｐ、Ｑ、Ｒ^２、ｑ、ｒ、Ｍ^＋はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。］
【請求項５】
前記重合体が、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位（ａ１）を有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載のレジスト組成物。
【請求項６】
支持体上に、請求項１〜５のいずれか一項に記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。

【公開番号】特開２０１３−４７７３３（Ｐ２０１３−４７７３３Ａ）
【公開日】平成２５年３月７日（２０１３．３．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１８６０３９（Ｐ２０１１−１８６０３９）
【出願日】平成２３年８月２９日（２０１１．８．２９）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】