【課題】焦点深度幅（ＤＯＦ）特性及びマスクエラーファクタ（ＭＥＦ）のいずれも優れたレジスト組成物、並びにレジストパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、第四級窒素原子を有するカチオン部と式（ｄ１−ａｎ１）又は式（ｄ１−ａｎ２）で表されるアニオン部とからなる化合物（Ｄ１）とを含有するレジスト組成物。式中、Ｘは置換基を有していてもよい炭素数３〜３０の環状の脂肪族炭化水素基である。Ｙ^１は置換基を有していてもよい炭素数１〜４のフッ素化アルキレン基である。
［化１］

【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）と、
露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、
第四級窒素原子を有するカチオン部と下記の式（ｄ１−ａｎ１）又は式（ｄ１−ａｎ２）で表されるアニオン部とからなる化合物（Ｄ１）とを含有するレジスト組成物。
【化１】

［式中、Ｘは置換基を有していてもよい炭素数３〜３０の環状の脂肪族炭化水素基である。Ｙ^１は置換基を有していてもよい炭素数１〜４のフッ素化アルキレン基である。］
【請求項２】
前記基材成分（Ａ）が、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位（ａ１）を有する高分子化合物（Ａ１）を含む、請求項１記載のレジスト組成物。
【請求項３】
支持体上に、請求項１又は２記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。

【公開番号】特開２０１３−６８９２７（Ｐ２０１３−６８９２７Ａ）
【公開日】平成２５年４月１８日（２０１３．４．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−１０５９５３（Ｐ２０１２−１０５９５３）
【出願日】平成２４年５月７日（２０１２．５．７）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】