レーザ熱転写装置及びその装置を利用したレーザ熱転写法
【課題】電磁石が具備された基板ステージと、磁性体を含む密着フレームを具備することで、基板と転写層の密着特性を高めることができるレーザ熱転写装置及びその装置を利用したレーザ熱転写法を提供する。
【解決手段】レーザオシレータを利用してドナーフィルムの転写層を転写し、有機電界発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において、電磁石が含まれた基板ステージと、前記基板ステージ上部と所定間隔離隔されて磁性体を含む密着フレームと、が前記レーザ熱転写装置内に具備される。
【解決手段】レーザオシレータを利用してドナーフィルムの転写層を転写し、有機電界発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において、電磁石が含まれた基板ステージと、前記基板ステージ上部と所定間隔離隔されて磁性体を含む密着フレームと、が前記レーザ熱転写装置内に具備される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、レーザ熱転写装置及びその装置を利用したレーザ熱転写法に関し、より詳細には、電磁石が具備された基板ステージと、磁性体を含む密着フレームを具備することで、基板と転写層の密着特性を高めることができるレーザ熱転写装置及びその装置を利用したレーザ熱転写法に関する。
【背景技術】
【0002】
一般に、レーザ熱転写法(LITI:Laser Induced Thermal Imaging)を遂行するためには、少なくともレーザビーム、基板及びドナーフィルムを必要とする。ドナーフィルムは基材基板、光−熱変換層及び転写層を含む。
【0003】
レーザ熱転写工程においては、転写層を基板に対向されるようにしてドナーフィルムを基板上にラミネーションした後、基材基板上にレーザビームを照射する。基材基板上に照射されたレーザビームは、光−熱変換層に吸収されて熱エネルギーに変換され、熱エネルギーによって転写層は基板上に転写される。
【0004】
以下では図面を参照して従来の技術によるレーザ熱転写法を具体的に説明する。
図1は、従来の技術によるレーザ熱転写装置の断面図である。
【0005】
図1を参考すれば、前記チャンバ100内の下部にステージ110を用意する。前記ステージ110は、基板140とドナーフィルム160をそれぞれ整列されるようにするために第1整列ホーム170と第2整列ホーム180を形成する。前記第2整列ホーム180は、前記第1整列ホーム170と段差を成して形成される。前記ステージ110上に形成された第1整列ホーム170の形状に沿って前記基板140が位置され、前記ステージ110上に形成された第2整列ホーム180の形状に沿って前記ドナーフィルム160が位置される。
【0006】
前記基板140上に前記ドナーフィルム160がラミネーションされた後、レーザオシレータ190を利用して前記ドナーフィルム160の上部にレーザを照射し、前記ドナーフィルム160の転写層(図示せず)を前記基板140上に転写する。
【0007】
しかし、基板をドナーフィルムにラミネーションするために第1整列ホーム170及び第2整列ホーム180下部領域の一区間にホースを連結して真空ポンプを稼動するが、ドナーフィルム160の転写層と基板140の間に空隙または異物が含まれることがあり得る。
また、このような従来の技術は、有機発光素子を製作する他の工程が真空チャンバ内で進行されるのとは違って大気中で行われることにより、酸素及び水気などによって有機発光素子の信頼性、寿命及び素子特性の低下を惹起させる。
【0008】
このような問題点を解消しようと有機発光素子の転写工程を真空チャンバ内で遂行するようにする。
しかし、有機発光素子の転写工程を真空チャンバ内で遂行する場合、有機発光表示素子の信頼性、寿命及び素子特性が向上することはできるが、転写層と基板の間に微細な空隙(孔)または異物などが発生されても真空ポンプまたは真空を利用したラミネーティング法を利用する工程を遂行することができず、転写層と基板の間の密着特性はさらに低下されるという問題点を持つ。
【0009】
一方、前記従来のレーザ熱転写装置及びこれを利用した有機発光素子の製造方法に関する技術を記載した文献としては、下記特許文献1ないし3等がある。
【特許文献1】特開2004−355949号公報
【特許文献2】特開2004−296224号公報
【特許文献3】米国特開第4,377,339号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
したがって、本発明は、前記従来の問題点を解消するために導出された発明で、磁石が具備された基板ステージと磁性体を含む密着フレームとを真空チャンバ内に具備することで、基板とドナーフィルムの転写層の間の密着特性を高めることができるレーザ熱転写装置及びドナーフィルムを利用したレーザ熱転写法を提供するにその目的がある。
【0011】
また本発明の他の目的は、磁性体が具備された基板ステージと磁石を含む密着フレームとを真空チャンバ内に具備することで、基板とドナーフィルムの転写層の間の密着特性を高めることができるレーザ熱転写装置及びドナーフィルムを利用したレーザ熱転写法を提供するにその目的がある。
【課題を解決するための手段】
【0012】
前記目的を果たすための本発明の一側面によれば、本発明のレーザ熱転写装置は、レーザオシレータを利用してドナーフィルムの転写層を転写し、有機電界発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において、電磁石が含まれた基板ステージと、前記基板ステージ上部と所定間隔離隔されて磁性体を含む密着フレームと、が前記レーザ熱転写装置内に具備される。
【0013】
好ましくは、前記電磁石と前記磁性体の間には磁気力が作用し、前記電磁石は電圧を印加するための電気配線が含まれる。
【0014】
前記磁性体は、前記密着フレームの上下部または前記密着フレームの内部に形成されるか、前記密着フレーム自体が前記磁性体である。
【0015】
前記磁性体は、鉄、ニッケル、クロムまたは磁性を持つ有機物、無機物及び磁性ナノ粒子の中の少なくとも一つの物質で形成され、前記密着フレームは前記ドナーフィルムの転写される部分に対応するパターンの開口部が形成される。
【発明の効果】
【0016】
以上のように、本発明によれば、レーザ熱転写装置は真空状態で磁気力を利用して基板とドナーフィルムの転写層をラミネーティングできることにより、有機発光素子の寿命、歩留まり及び信頼性を維持することができる。また、レーザ熱転写装置は電磁石が具備された基板ステージと磁性体を含む密着フレームとが具備されることで、基板とドナーフィルムの転写層の密着特性をさらに高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0017】
以下、本発明による第1実施例を図示した図面を参照して本発明をより具体的に説明する。
【0018】
図2は、本発明によるレーザ熱転写装置の斜視図である。
図2を参照すれば、レーザ熱転写装置200はレーザオシレータ220を利用して電磁石が具備された基板ステージ260と、前記基板ステージ260上部に位置されるドナーフィルム241と前記ドナーフィルム241上部に位置される密着フレーム232とを含む。
【0019】
前記レーザ熱転写装置200の工程チャンバ210下部には、少なくとも一つの電磁石264が具備された基板ステージ260が形成される。前記基板ステージ260は、前記工程チャンバ210内に導入される前記基板250と前記ドナーフィルム241をそれぞれ順次位置させるためのステージであり、工程チャンバ210の底面に位置する。
【0020】
前記電磁石264は、前記基板ステージ260内部に形成されたホーム263内側面に形成される。前記ホーム263内側面の所定領域にコイルが巻かれた棒または同心円形状の電磁石264が形成され、前記電磁石264は電力を印加する電気配線(図示せず)が形成される。この時、前記電磁石264は、ラミネーティングをより有利に遂行するために横及び縦の複数列で形成する。
【0021】
前記基板250は、前記基板支持台265上に位置される。前記基板250は、前記基板ステージ260内部に形成された所定数の第1整列ホーム261を通じて上部方向に上昇された前記基板支持台265上に安着された後、前記基板250が安着された基板支持台265を下部方向に下降させて前記基板250を前記基板ステージ260上に安着させる。前記基板支持台265は、前記基板ステージ260内部に形成された第1整列ホーム261を通じて上部または下部に移動されうる。この時、前記基板250は、サブピクセル単位で形成された薄膜トランジスタ(図示せず)が所定数具備される。
【0022】
前記ドナーフィルム241が具備されたドナーフィルムトレイ240を前記基板250上部に位置させる。前記ドナーフィルム241が具備されたドナーフィルムトレイ240は、前記基板ステージ260内部に形成された所定数の第2整列ホーム262を通じて上部方向に上昇された前記ドナーフィルム支持台266上に安着された後、前記ドナーフィルム支持台266を下部方向に下降させて前記ドナーフィルム241が具備されたドナーフィルムトレイ240を前記基板ステージ260上に安着させる。
【0023】
前記ドナーフィルムトレイ240の中心には開口部が形成されており、前記開口部には前記ドナーフィルム241が介在されている。前記ドナーフィルム241は、少なくとも基材基板、光−熱変換層及び転写層を具備して、光−熱変換層と転写層の間に中問層がさらに具備されうる。前記ドナーフィルム241が前記基板250上に位置される時、前記ドナーフィルムの転写層が前記基板250と対向されるように位置させる。
【0024】
前記磁性体234を含む密着フレーム232は、前記基板ステージ260内部に形成された電磁石264と磁気力を形成して前記基板ステージ260と前記密着フレーム232間に位置する前記基板250と前記ドナーフィルム241を力強くラミネーティングする。
【0025】
前記磁性体234は、前記密着フレーム232の上下部、内部または前記磁性体234自体が前記密着フレーム232全体で形成されうる。また、前記密着フレーム232は、レーザが通過されうる開口ホーム233を具備し、これによって前記密着フレーム232は、レーザが前記ドナーフィルム241に照射される。前記開口ホーム233は、前記ドナーフィルム241の転写される部分に対応する大きさのホームが形成される。
【0026】
前記密着フレーム移動手段231は、前記密着フレーム232が介在された前記密着フレームトレイ230を前記基板ステージ260方向に往復移動させる手段である。
前記レーザオシレータ220は、前記工程チャンバ210上部に位置される。前記レーザオシレータ220は、前記工程チャンバ210の外部または内部に設置することができ、前記レーザオシレータ220から発生するレーザが前記ドナーフィルム241上部から転写されうるように設置されるのが好ましい。
【0027】
図3aは、本発明による基板ステージを拡大した斜視図、図3bは図3aの切断線I−I′に沿った断面図である。
図3a及び図3bを参照すれば、前記基板ステージ260内部にホーム263を形成する。前記ホーム263内側面の所定領域にコイルが巻かれた棒状の電磁石264が形成される。前記電磁石264が複数の列に配置される場合、レーザが照射される電磁石のみに電力を印加し、磁性層が具備された密着フレームと磁気力を発生するようにして、レーザが照射される部分上に連続的に局所的なラミネーティングが行われるようにする。また、図示されなかったが各電磁石264には電力を印加する電気配線が形成される。
前記実施例では、電磁石を複数の列に配置したが、同心円状に配置されうることは勿論である。
【0028】
図4は、本発明による密着フレームの斜視図である。
図4を参照すれば、前記密着フレーム232は前記磁性体234及び少なくとも一つの開口ホーム233を具備する。
ここで、前記磁性体234は、図2に示された基板ステージ260内部に形成された電磁石264と磁気力を形成する。前記磁性層234は磁石にくっつく一般的な物質からなり、例えば鉄(Fe)、ニッケル(Ni)、クロム(Cr)及びこれらの合金(Fe3O4、CoFeO4、MnFeO4)または磁石にくっつくすべての無機・有機物質の中で少なくとも一つの物質からなる。
【0029】
図5は、本発明によるレーザオシレータを示した構成図である。
前記レーザオシレータ220は、前記ドナーフィルム241上部に位置される。前記レーザオシレータ220は、チャンバの外部または内部に設置されうるし、前記レーザオシレータ220から発生するレーザがドナーフィルム上部から照らされうるように設置されるのが好ましい。
【0030】
また、前記レーザオシレータ220の概略的が構成図である図5によれば、本実施例でレーザオシレータはCWND:YAGレーザ(1604nm)を使って、2個のガルバノメートルスキャナ221、222を具備し、スキャンレンズ223及びシリンダレンズ224を具備するが、これに制限されるものではない。前記レーザオシレータ220によって発生されたレーザビームは、前記レンズを通過して前記基板250上にラミネーションされた前記ドナーフィルム241上部から照射される。
【0031】
図6aないし図6fは、本発明のレーザ熱転写装置を利用したレーザ熱転写法の段階別断面図であり、図7はレーザ熱転写法を示すブロック図である。
図6aを参照すれば、本レーザ熱転写法を説明するためには、まず、移送チャンバ400内にロボットアーム420とエンドエフェクタ410をローディングする。前記移送チャンバ400は、真空雰囲気を維持することが好ましい。前記移送チャンバ400内にローディングされた前記エンドエフェクタ410上に基板250を安着させる(S1参照)。
【0032】
図6bを参照すれば、前記エンドエフェクタ410上に安着された前記基板250を前記工程チャンバ210内に移送させるために、前記エンドエフェクタ410を前記工程チャンバ210内に移送させる。以後、前記エンドエフェクタ410上に安着された前記基板250は、前記基板ステージ260内部に形成された所定数の貫通ホールを通じて上部方向に上昇された前記基板支持台265上に安着される。前記基板支持台265は、前記基板ステージ260の貫通ホールを通じて上部または下部に移動することができる。
【0033】
以後、前記基板250を前記基板ステージ260上に安着させるために、前記基板支持台265を下部方向に下降させて前記基板250を前記基板ステージ260上に安着させる。前記基板ステージ260内には電磁石(図示せず)が具備される。この時、前記電磁石はラミネーティングをより有利に遂行するために横及び縦の複数列で形成する。また、前記工程チャンバ210は真空雰囲気を維持することが好ましい(S2参照)。
【0034】
図6cを参照すれば、前記エンドエフェクタ410上に安着された前記基板250を前記基板支持台265上に安着させた後、前記エンドエフェクタ410を前記移送チャンバ400内に移送させる。以後、前記エンドエフェクタ410上にドナーフィルム241が介在されたドナーフィルムトレイ240を位置させる。前記ドナーフィルム241は基材基板、光−熱変換層、中問層及び転写層が含まれる。
【0035】
図6dを参照すれば、前記エンドエフェクタ410上に安着された前記ドナーフィルム241が介在されたドナーフィルムトレイ240を前記工程チャンバ210内に移動させる。前記工程チャンバ210内に移動された前記ドナーフィルムトレイ240は、前記ドナーフィルム支持台266上に安着させる。また、前記ドナーフィルム241の転写層は前記基板250上部に対向されるように位置させる(S3参照)。
【0036】
図6eを参照すれば、前記ドナーフィルムトレイ240を前記ドナーフィルム支持台266上に安着させた後、前記エンドエフェクタ410を前記移送チャンバ400内に移送する。以後、前記ドナーフィルム支持台266上に安着された前記ドナーフィルムトレイ240のドナーフィルム241を前記基板250上にラミネーションするために、前記密着フレーム移送手段231を下部方向に下降させて前記ドナーフィルム241を前記基板250上にラミネーションさせる(S4参照)。
【0037】
図6fを参照すれば、前記ドナーフィルム241の転写層を前記基板250上に転写層の密着特性を高めるために、前記基板ステージ260内に形成された電磁石に電力を印加させる。これによって前記工程チャンバ210内に形成された電磁石と前記磁性体が具備された密着フレーム232の間に磁気力が作用することで前記基板250と前記ドナーフィルム241の転写層の間の密着特性はさらに向上する。
【0038】
前記ドナーフィルム241の転写層を前記基板250上に転写させるために前記移送チャンバ400と前記工程チャンバ210の間に形成されたゲートバルブ300を閉じる。この時、前記工程チャンバ210内部または外部に形成されたレーザオシレータ220が作動して前記ドナーフィルム241上にレーザを照射させる。前記レーザオシレータ220は、前記転写層が転写されるライン別に移送可能である。これによって、前記転写層は前記基板250上部に転写されて有機電界発光素子の発光層を形成する(S5参照)。
【0039】
一方、第1実施例とは違って、第2実施例として基板ステージには永久磁石が含まれ、密着フレームには磁性体が含まれることが可能である。すなわち、レーザ熱転写装置200は、レーザオシレータ220を利用して永久磁石が具備された基板ステージ260と、前記基板ステージ260上部に位置されるドナーフィルム241と前記ドナーフィルム241上部に位置される磁性体を具備した密着フレーム232を含んで構成されうる。
この時、磁性体は、鉄、ニッケル、クロムまたは磁性を持つ有機物、無機物及び磁性ナノ粒子の中の少なくとも一つの物質で形成されうるし、密着フレームの上下部または密着フレームの内部に含まれることが可能であり、密着フレーム自体が磁性体で形成されうる。
【0040】
密着フレームは、前記ドナーフィルムの転写される部分に対応するパターンの開口部が形成されることが好ましいがこれに制限されるのではない。
【0041】
一方、基板ステージは所定数の貫通ホールを通じて前記基板を上部または下部に移動させる基板支持台をさらに具備するのが好ましい。基板支持台は、第1実施例で説明したところと同様であるから詳しい説明を略する。
【0042】
また、第3実施例として基板ステージに磁性体を含ませ、密着板に電磁石を含ませることができる。
この時、電磁石は密着フレームの上下部または前記密着フレームの内部に形成されうるし、密着フレームはドナーフィルムの転写される部分に対応するパターンの開口部が形成されることが好ましい。また、電磁石には電圧を印加するための電気配線が含まれなければならない。
【0043】
磁性体は鉄、ニッケル、クロムまたは磁性を持つ有機物、無機物及び磁性ナノ粒子の中の少なくとも一つの物質で形成されうるし、磁性体は前記基板ステージの上下部または前記基板ステージの内部に形成されうるし、基板ステージ自体を構成することも可能である。
この時、基板ステージは所定数の貫通ホールを通じて前記アクセプタ基板を上部または下部に移動させる基板支持台をさらに具備することができる。
【0044】
また、第4実施例として基板ステージに磁性体を含ませ、密着板に永久磁石を含ませることができる。
この時、永久磁石は前記密着フレームの上下部または前記密着フレームの内部に形成されうるし、密着フレーム自体が永久磁石で構成されることも可能である。密着フレームはドナーフィルムの転写される部分に対応するパターンの開口部が形成されることが好ましい。また、永久磁石は少なくとも一つの棒または円筒形状またはナノパーティクルで形成されうるが、ここに制限されるのではない。
ナノパーティクルはスピンコーティング、電子線蒸着(electron−beam deposition)またはインクジェット工程を利用して密着フレームに含まれることが可能である。
【0045】
以上添付した図面を参照して本発明について詳細に説明したが、これは例示的なものに過ぎず、当該技術分野における通常の知識を有する者であれば、多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるということを理解することができる。
【図面の簡単な説明】
【0046】
【図1】従来の技術によるレーザ熱転写装置の断面図である。
【図2】本発明によるレーザ熱転写装置の斜視図である。
【図3a】本発明による基板ステージを拡大した斜視図である。
【図3b】図3aの切断線I−I′に沿った断面図である。
【図4】本発明による密着フレームの斜視図である。
【図5】本発明によるレーザオシレータを示した構成図である。
【図6a】本発明のレーザ熱転写装置を利用したレーザ熱転写法の段階別断面図である。
【図6b】本発明のレーザ熱転写装置を利用したレーザ熱転写法の段階別断面図である。
【図6c】本発明のレーザ熱転写装置を利用したレーザ熱転写法の段階別断面図である。
【図6d】本発明のレーザ熱転写装置を利用したレーザ熱転写法の段階別断面図である。
【図6e】本発明のレーザ熱転写装置を利用したレーザ熱転写法の段階別断面図である。
【図6f】本発明のレーザ熱転写装置を利用したレーザ熱転写法の段階別断面図である。
【図7】レーザ熱転写法を示すブロック図である。
【符号の説明】
【0047】
210 工程チャンバ
220 レーザオシレータ
230 密着フレームトレイ
240 ドナーフィルムトレイ
250 基板
260 基板ステージ
【技術分野】
【0001】
本発明は、レーザ熱転写装置及びその装置を利用したレーザ熱転写法に関し、より詳細には、電磁石が具備された基板ステージと、磁性体を含む密着フレームを具備することで、基板と転写層の密着特性を高めることができるレーザ熱転写装置及びその装置を利用したレーザ熱転写法に関する。
【背景技術】
【0002】
一般に、レーザ熱転写法(LITI:Laser Induced Thermal Imaging)を遂行するためには、少なくともレーザビーム、基板及びドナーフィルムを必要とする。ドナーフィルムは基材基板、光−熱変換層及び転写層を含む。
【0003】
レーザ熱転写工程においては、転写層を基板に対向されるようにしてドナーフィルムを基板上にラミネーションした後、基材基板上にレーザビームを照射する。基材基板上に照射されたレーザビームは、光−熱変換層に吸収されて熱エネルギーに変換され、熱エネルギーによって転写層は基板上に転写される。
【0004】
以下では図面を参照して従来の技術によるレーザ熱転写法を具体的に説明する。
図1は、従来の技術によるレーザ熱転写装置の断面図である。
【0005】
図1を参考すれば、前記チャンバ100内の下部にステージ110を用意する。前記ステージ110は、基板140とドナーフィルム160をそれぞれ整列されるようにするために第1整列ホーム170と第2整列ホーム180を形成する。前記第2整列ホーム180は、前記第1整列ホーム170と段差を成して形成される。前記ステージ110上に形成された第1整列ホーム170の形状に沿って前記基板140が位置され、前記ステージ110上に形成された第2整列ホーム180の形状に沿って前記ドナーフィルム160が位置される。
【0006】
前記基板140上に前記ドナーフィルム160がラミネーションされた後、レーザオシレータ190を利用して前記ドナーフィルム160の上部にレーザを照射し、前記ドナーフィルム160の転写層(図示せず)を前記基板140上に転写する。
【0007】
しかし、基板をドナーフィルムにラミネーションするために第1整列ホーム170及び第2整列ホーム180下部領域の一区間にホースを連結して真空ポンプを稼動するが、ドナーフィルム160の転写層と基板140の間に空隙または異物が含まれることがあり得る。
また、このような従来の技術は、有機発光素子を製作する他の工程が真空チャンバ内で進行されるのとは違って大気中で行われることにより、酸素及び水気などによって有機発光素子の信頼性、寿命及び素子特性の低下を惹起させる。
【0008】
このような問題点を解消しようと有機発光素子の転写工程を真空チャンバ内で遂行するようにする。
しかし、有機発光素子の転写工程を真空チャンバ内で遂行する場合、有機発光表示素子の信頼性、寿命及び素子特性が向上することはできるが、転写層と基板の間に微細な空隙(孔)または異物などが発生されても真空ポンプまたは真空を利用したラミネーティング法を利用する工程を遂行することができず、転写層と基板の間の密着特性はさらに低下されるという問題点を持つ。
【0009】
一方、前記従来のレーザ熱転写装置及びこれを利用した有機発光素子の製造方法に関する技術を記載した文献としては、下記特許文献1ないし3等がある。
【特許文献1】特開2004−355949号公報
【特許文献2】特開2004−296224号公報
【特許文献3】米国特開第4,377,339号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
したがって、本発明は、前記従来の問題点を解消するために導出された発明で、磁石が具備された基板ステージと磁性体を含む密着フレームとを真空チャンバ内に具備することで、基板とドナーフィルムの転写層の間の密着特性を高めることができるレーザ熱転写装置及びドナーフィルムを利用したレーザ熱転写法を提供するにその目的がある。
【0011】
また本発明の他の目的は、磁性体が具備された基板ステージと磁石を含む密着フレームとを真空チャンバ内に具備することで、基板とドナーフィルムの転写層の間の密着特性を高めることができるレーザ熱転写装置及びドナーフィルムを利用したレーザ熱転写法を提供するにその目的がある。
【課題を解決するための手段】
【0012】
前記目的を果たすための本発明の一側面によれば、本発明のレーザ熱転写装置は、レーザオシレータを利用してドナーフィルムの転写層を転写し、有機電界発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において、電磁石が含まれた基板ステージと、前記基板ステージ上部と所定間隔離隔されて磁性体を含む密着フレームと、が前記レーザ熱転写装置内に具備される。
【0013】
好ましくは、前記電磁石と前記磁性体の間には磁気力が作用し、前記電磁石は電圧を印加するための電気配線が含まれる。
【0014】
前記磁性体は、前記密着フレームの上下部または前記密着フレームの内部に形成されるか、前記密着フレーム自体が前記磁性体である。
【0015】
前記磁性体は、鉄、ニッケル、クロムまたは磁性を持つ有機物、無機物及び磁性ナノ粒子の中の少なくとも一つの物質で形成され、前記密着フレームは前記ドナーフィルムの転写される部分に対応するパターンの開口部が形成される。
【発明の効果】
【0016】
以上のように、本発明によれば、レーザ熱転写装置は真空状態で磁気力を利用して基板とドナーフィルムの転写層をラミネーティングできることにより、有機発光素子の寿命、歩留まり及び信頼性を維持することができる。また、レーザ熱転写装置は電磁石が具備された基板ステージと磁性体を含む密着フレームとが具備されることで、基板とドナーフィルムの転写層の密着特性をさらに高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0017】
以下、本発明による第1実施例を図示した図面を参照して本発明をより具体的に説明する。
【0018】
図2は、本発明によるレーザ熱転写装置の斜視図である。
図2を参照すれば、レーザ熱転写装置200はレーザオシレータ220を利用して電磁石が具備された基板ステージ260と、前記基板ステージ260上部に位置されるドナーフィルム241と前記ドナーフィルム241上部に位置される密着フレーム232とを含む。
【0019】
前記レーザ熱転写装置200の工程チャンバ210下部には、少なくとも一つの電磁石264が具備された基板ステージ260が形成される。前記基板ステージ260は、前記工程チャンバ210内に導入される前記基板250と前記ドナーフィルム241をそれぞれ順次位置させるためのステージであり、工程チャンバ210の底面に位置する。
【0020】
前記電磁石264は、前記基板ステージ260内部に形成されたホーム263内側面に形成される。前記ホーム263内側面の所定領域にコイルが巻かれた棒または同心円形状の電磁石264が形成され、前記電磁石264は電力を印加する電気配線(図示せず)が形成される。この時、前記電磁石264は、ラミネーティングをより有利に遂行するために横及び縦の複数列で形成する。
【0021】
前記基板250は、前記基板支持台265上に位置される。前記基板250は、前記基板ステージ260内部に形成された所定数の第1整列ホーム261を通じて上部方向に上昇された前記基板支持台265上に安着された後、前記基板250が安着された基板支持台265を下部方向に下降させて前記基板250を前記基板ステージ260上に安着させる。前記基板支持台265は、前記基板ステージ260内部に形成された第1整列ホーム261を通じて上部または下部に移動されうる。この時、前記基板250は、サブピクセル単位で形成された薄膜トランジスタ(図示せず)が所定数具備される。
【0022】
前記ドナーフィルム241が具備されたドナーフィルムトレイ240を前記基板250上部に位置させる。前記ドナーフィルム241が具備されたドナーフィルムトレイ240は、前記基板ステージ260内部に形成された所定数の第2整列ホーム262を通じて上部方向に上昇された前記ドナーフィルム支持台266上に安着された後、前記ドナーフィルム支持台266を下部方向に下降させて前記ドナーフィルム241が具備されたドナーフィルムトレイ240を前記基板ステージ260上に安着させる。
【0023】
前記ドナーフィルムトレイ240の中心には開口部が形成されており、前記開口部には前記ドナーフィルム241が介在されている。前記ドナーフィルム241は、少なくとも基材基板、光−熱変換層及び転写層を具備して、光−熱変換層と転写層の間に中問層がさらに具備されうる。前記ドナーフィルム241が前記基板250上に位置される時、前記ドナーフィルムの転写層が前記基板250と対向されるように位置させる。
【0024】
前記磁性体234を含む密着フレーム232は、前記基板ステージ260内部に形成された電磁石264と磁気力を形成して前記基板ステージ260と前記密着フレーム232間に位置する前記基板250と前記ドナーフィルム241を力強くラミネーティングする。
【0025】
前記磁性体234は、前記密着フレーム232の上下部、内部または前記磁性体234自体が前記密着フレーム232全体で形成されうる。また、前記密着フレーム232は、レーザが通過されうる開口ホーム233を具備し、これによって前記密着フレーム232は、レーザが前記ドナーフィルム241に照射される。前記開口ホーム233は、前記ドナーフィルム241の転写される部分に対応する大きさのホームが形成される。
【0026】
前記密着フレーム移動手段231は、前記密着フレーム232が介在された前記密着フレームトレイ230を前記基板ステージ260方向に往復移動させる手段である。
前記レーザオシレータ220は、前記工程チャンバ210上部に位置される。前記レーザオシレータ220は、前記工程チャンバ210の外部または内部に設置することができ、前記レーザオシレータ220から発生するレーザが前記ドナーフィルム241上部から転写されうるように設置されるのが好ましい。
【0027】
図3aは、本発明による基板ステージを拡大した斜視図、図3bは図3aの切断線I−I′に沿った断面図である。
図3a及び図3bを参照すれば、前記基板ステージ260内部にホーム263を形成する。前記ホーム263内側面の所定領域にコイルが巻かれた棒状の電磁石264が形成される。前記電磁石264が複数の列に配置される場合、レーザが照射される電磁石のみに電力を印加し、磁性層が具備された密着フレームと磁気力を発生するようにして、レーザが照射される部分上に連続的に局所的なラミネーティングが行われるようにする。また、図示されなかったが各電磁石264には電力を印加する電気配線が形成される。
前記実施例では、電磁石を複数の列に配置したが、同心円状に配置されうることは勿論である。
【0028】
図4は、本発明による密着フレームの斜視図である。
図4を参照すれば、前記密着フレーム232は前記磁性体234及び少なくとも一つの開口ホーム233を具備する。
ここで、前記磁性体234は、図2に示された基板ステージ260内部に形成された電磁石264と磁気力を形成する。前記磁性層234は磁石にくっつく一般的な物質からなり、例えば鉄(Fe)、ニッケル(Ni)、クロム(Cr)及びこれらの合金(Fe3O4、CoFeO4、MnFeO4)または磁石にくっつくすべての無機・有機物質の中で少なくとも一つの物質からなる。
【0029】
図5は、本発明によるレーザオシレータを示した構成図である。
前記レーザオシレータ220は、前記ドナーフィルム241上部に位置される。前記レーザオシレータ220は、チャンバの外部または内部に設置されうるし、前記レーザオシレータ220から発生するレーザがドナーフィルム上部から照らされうるように設置されるのが好ましい。
【0030】
また、前記レーザオシレータ220の概略的が構成図である図5によれば、本実施例でレーザオシレータはCWND:YAGレーザ(1604nm)を使って、2個のガルバノメートルスキャナ221、222を具備し、スキャンレンズ223及びシリンダレンズ224を具備するが、これに制限されるものではない。前記レーザオシレータ220によって発生されたレーザビームは、前記レンズを通過して前記基板250上にラミネーションされた前記ドナーフィルム241上部から照射される。
【0031】
図6aないし図6fは、本発明のレーザ熱転写装置を利用したレーザ熱転写法の段階別断面図であり、図7はレーザ熱転写法を示すブロック図である。
図6aを参照すれば、本レーザ熱転写法を説明するためには、まず、移送チャンバ400内にロボットアーム420とエンドエフェクタ410をローディングする。前記移送チャンバ400は、真空雰囲気を維持することが好ましい。前記移送チャンバ400内にローディングされた前記エンドエフェクタ410上に基板250を安着させる(S1参照)。
【0032】
図6bを参照すれば、前記エンドエフェクタ410上に安着された前記基板250を前記工程チャンバ210内に移送させるために、前記エンドエフェクタ410を前記工程チャンバ210内に移送させる。以後、前記エンドエフェクタ410上に安着された前記基板250は、前記基板ステージ260内部に形成された所定数の貫通ホールを通じて上部方向に上昇された前記基板支持台265上に安着される。前記基板支持台265は、前記基板ステージ260の貫通ホールを通じて上部または下部に移動することができる。
【0033】
以後、前記基板250を前記基板ステージ260上に安着させるために、前記基板支持台265を下部方向に下降させて前記基板250を前記基板ステージ260上に安着させる。前記基板ステージ260内には電磁石(図示せず)が具備される。この時、前記電磁石はラミネーティングをより有利に遂行するために横及び縦の複数列で形成する。また、前記工程チャンバ210は真空雰囲気を維持することが好ましい(S2参照)。
【0034】
図6cを参照すれば、前記エンドエフェクタ410上に安着された前記基板250を前記基板支持台265上に安着させた後、前記エンドエフェクタ410を前記移送チャンバ400内に移送させる。以後、前記エンドエフェクタ410上にドナーフィルム241が介在されたドナーフィルムトレイ240を位置させる。前記ドナーフィルム241は基材基板、光−熱変換層、中問層及び転写層が含まれる。
【0035】
図6dを参照すれば、前記エンドエフェクタ410上に安着された前記ドナーフィルム241が介在されたドナーフィルムトレイ240を前記工程チャンバ210内に移動させる。前記工程チャンバ210内に移動された前記ドナーフィルムトレイ240は、前記ドナーフィルム支持台266上に安着させる。また、前記ドナーフィルム241の転写層は前記基板250上部に対向されるように位置させる(S3参照)。
【0036】
図6eを参照すれば、前記ドナーフィルムトレイ240を前記ドナーフィルム支持台266上に安着させた後、前記エンドエフェクタ410を前記移送チャンバ400内に移送する。以後、前記ドナーフィルム支持台266上に安着された前記ドナーフィルムトレイ240のドナーフィルム241を前記基板250上にラミネーションするために、前記密着フレーム移送手段231を下部方向に下降させて前記ドナーフィルム241を前記基板250上にラミネーションさせる(S4参照)。
【0037】
図6fを参照すれば、前記ドナーフィルム241の転写層を前記基板250上に転写層の密着特性を高めるために、前記基板ステージ260内に形成された電磁石に電力を印加させる。これによって前記工程チャンバ210内に形成された電磁石と前記磁性体が具備された密着フレーム232の間に磁気力が作用することで前記基板250と前記ドナーフィルム241の転写層の間の密着特性はさらに向上する。
【0038】
前記ドナーフィルム241の転写層を前記基板250上に転写させるために前記移送チャンバ400と前記工程チャンバ210の間に形成されたゲートバルブ300を閉じる。この時、前記工程チャンバ210内部または外部に形成されたレーザオシレータ220が作動して前記ドナーフィルム241上にレーザを照射させる。前記レーザオシレータ220は、前記転写層が転写されるライン別に移送可能である。これによって、前記転写層は前記基板250上部に転写されて有機電界発光素子の発光層を形成する(S5参照)。
【0039】
一方、第1実施例とは違って、第2実施例として基板ステージには永久磁石が含まれ、密着フレームには磁性体が含まれることが可能である。すなわち、レーザ熱転写装置200は、レーザオシレータ220を利用して永久磁石が具備された基板ステージ260と、前記基板ステージ260上部に位置されるドナーフィルム241と前記ドナーフィルム241上部に位置される磁性体を具備した密着フレーム232を含んで構成されうる。
この時、磁性体は、鉄、ニッケル、クロムまたは磁性を持つ有機物、無機物及び磁性ナノ粒子の中の少なくとも一つの物質で形成されうるし、密着フレームの上下部または密着フレームの内部に含まれることが可能であり、密着フレーム自体が磁性体で形成されうる。
【0040】
密着フレームは、前記ドナーフィルムの転写される部分に対応するパターンの開口部が形成されることが好ましいがこれに制限されるのではない。
【0041】
一方、基板ステージは所定数の貫通ホールを通じて前記基板を上部または下部に移動させる基板支持台をさらに具備するのが好ましい。基板支持台は、第1実施例で説明したところと同様であるから詳しい説明を略する。
【0042】
また、第3実施例として基板ステージに磁性体を含ませ、密着板に電磁石を含ませることができる。
この時、電磁石は密着フレームの上下部または前記密着フレームの内部に形成されうるし、密着フレームはドナーフィルムの転写される部分に対応するパターンの開口部が形成されることが好ましい。また、電磁石には電圧を印加するための電気配線が含まれなければならない。
【0043】
磁性体は鉄、ニッケル、クロムまたは磁性を持つ有機物、無機物及び磁性ナノ粒子の中の少なくとも一つの物質で形成されうるし、磁性体は前記基板ステージの上下部または前記基板ステージの内部に形成されうるし、基板ステージ自体を構成することも可能である。
この時、基板ステージは所定数の貫通ホールを通じて前記アクセプタ基板を上部または下部に移動させる基板支持台をさらに具備することができる。
【0044】
また、第4実施例として基板ステージに磁性体を含ませ、密着板に永久磁石を含ませることができる。
この時、永久磁石は前記密着フレームの上下部または前記密着フレームの内部に形成されうるし、密着フレーム自体が永久磁石で構成されることも可能である。密着フレームはドナーフィルムの転写される部分に対応するパターンの開口部が形成されることが好ましい。また、永久磁石は少なくとも一つの棒または円筒形状またはナノパーティクルで形成されうるが、ここに制限されるのではない。
ナノパーティクルはスピンコーティング、電子線蒸着(electron−beam deposition)またはインクジェット工程を利用して密着フレームに含まれることが可能である。
【0045】
以上添付した図面を参照して本発明について詳細に説明したが、これは例示的なものに過ぎず、当該技術分野における通常の知識を有する者であれば、多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるということを理解することができる。
【図面の簡単な説明】
【0046】
【図1】従来の技術によるレーザ熱転写装置の断面図である。
【図2】本発明によるレーザ熱転写装置の斜視図である。
【図3a】本発明による基板ステージを拡大した斜視図である。
【図3b】図3aの切断線I−I′に沿った断面図である。
【図4】本発明による密着フレームの斜視図である。
【図5】本発明によるレーザオシレータを示した構成図である。
【図6a】本発明のレーザ熱転写装置を利用したレーザ熱転写法の段階別断面図である。
【図6b】本発明のレーザ熱転写装置を利用したレーザ熱転写法の段階別断面図である。
【図6c】本発明のレーザ熱転写装置を利用したレーザ熱転写法の段階別断面図である。
【図6d】本発明のレーザ熱転写装置を利用したレーザ熱転写法の段階別断面図である。
【図6e】本発明のレーザ熱転写装置を利用したレーザ熱転写法の段階別断面図である。
【図6f】本発明のレーザ熱転写装置を利用したレーザ熱転写法の段階別断面図である。
【図7】レーザ熱転写法を示すブロック図である。
【符号の説明】
【0047】
210 工程チャンバ
220 レーザオシレータ
230 密着フレームトレイ
240 ドナーフィルムトレイ
250 基板
260 基板ステージ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
レーザオシレータを利用してドナーフィルムの転写層を転写し、有機電界発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において、
電磁石が含まれた基板ステージと、前記基板ステージ上部と所定間隔離隔されて磁性体を含む密着フレームと、が前記レーザ熱転写装置内に具備されることを特徴とするレーザ熱転写装置。
【請求項2】
前記磁性体は、鉄、ニッケル、クロムまたは磁性を持つ有機物、無機物及び磁性ナノ粒子の中の少なくとも一つの物質で形成されることを特徴とする請求項1に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項3】
前記磁性体は、前記密着フレームの上下部または前記密着フレームの内部に形成されることを特徴とする請求項1に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項4】
前記磁性体は、密着フレーム自体であることを特徴とする請求項1に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項5】
前記密着フレームは、前記ドナーフィルムの転写される部分に対応するパターンの開口部が形成されることを特徴とする請求項1に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項6】
前記基板ステージは、所定数の貫通ホールを通じて前記基板を上部または下部に移動させる基板支持台をさらに具備することを特徴とする請求項1に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項7】
チャンバ内の電磁石が具備された基板ステージ上に基板を位置させる段階と、
前記基板の上部に少なくとも基材基板、光−熱変換層及び転写層が具備されたドナーフィルムを位置させる段階と、
前記ドナーフィルム上部に磁性体が具備された密着フレームを位置させる段階と、
前記ドナーフィルムを前記基板上にラミネーションする段階と、
前記ドナーフィルム上にレーザビームを照射して前記ドナーフィルムの転写層の一部を前記基板上に転写させる段階と、
を含むことを特徴とするレーザ熱転写装置を利用したレーザ熱転写法。
【請求項8】
前記チャンバは、真空チャンバであることを特徴とするレーザ熱転写装置を利用した請求項7に記載のレーザ熱転写法。
【請求項9】
レーザオシレータを利用してドナーフィルムの転写層を転写し、有機電界発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において、
永久磁石が含まれた基板ステージと、前記基板ステージ上部と所定間隔離隔されて磁性体を含む密着フレームと、が前記レーザ熱転写装置内に具備されることを特徴とするレーザ熱転写装置。
【請求項10】
前記磁性体は、鉄、ニッケル、クロムまたは磁性を持つ有機物、無機物及び磁性ナノ粒子の中の少なくとも一つの物質で形成されることを特徴とする請求項9に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項11】
前記磁性体は、前記密着フレームの上下部または前記密着フレームの内部に形成されることを特徴とする請求項9に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項12】
前記磁性体は、密着フレーム自体であることを特徴とする請求項9に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項13】
前記密着フレームは、前記ドナーフィルムの転写される部分に対応するパターンの開口部が形成されることを特徴とする請求項9に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項14】
前記基板ステージは、所定数の貫通ホールを通じて前記基板を上部または下部に移動させる基板支持台をさらに具備することを特徴とする請求項9に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項15】
チャンバ内に永久磁石が具備された基板ステージ上に基板を位置させる段階と、
前記基板の上部に少なくとも基材基板、光−熱変換層及び転写層が具備されたドナーフィルムを位置させる段階と、
前記ドナーフィルム上部に磁性体が具備された密着フレームを位置させる段階と、
前記ドナーフィルムを前記基板上にラミネーションする段階と、
前記ドナーフィルム上にレーザビームを照射して前記ドナーフィルムの転写層の一部を前記基板上に転写させる段階と、
を含むことを特徴とするレーザ熱転写装置を利用したレーザ熱転写法。
【請求項16】
前記チャンバは、真空チャンバであることを特徴とする請求項15に記載のレーザ熱転写装置を利用したレーザ熱転写法。
【請求項17】
レーザオシレータを利用してドナーフィルムの転写層を転写し、有機電界発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において、
磁性体を含む基板ステージと、前記基板ステージ上部と所定間隔離隔されて電磁石を含む密着フレームと、が前記レーザ熱転写装置内に具備されることを特徴とするレーザ熱転写装置。
【請求項18】
前記電磁石は、前記密着フレームの上下部または前記密着フレームの内部に形成されることを特徴とする請求項17に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項19】
前記密着フレームは、前記ドナーフィルムの転写される部分に対応するパターンの開口部が形成されることを特徴とする請求項17に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項20】
前記磁性体は、鉄、ニッケル、クロムまたは磁性を持つ有機物、無機物及び磁性ナノ粒子の中の少なくとも一つの物質で形成されることを特徴とする請求項17に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項21】
前記磁性体は、前記基板ステージの上下部または前記基板ステージの内部に形成されることを特徴とする請求項17に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項22】
前記磁性体は、前記基板ステージ自体であることを特徴とする請求項17に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項23】
前記基板ステージは、所定数の貫通ホールを通じて前記アクセプタ基板を上部または下部に移動させる基板支持台をさらに具備することを特徴とする請求項17に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項24】
チャンバ内に磁性体を含む基板ステージ上にアクセプタ基板を位置させる段階と、
前記アクセプタ基板上部に少なくとも基材基板、光−熱変換層及び転写層が具備されたドナーフィルムを位置させる段階と、
前記ドナーフィルム上部に電磁石が具備された密着フレームを位置させる段階と、
前記ドナーフィルムを前記アクセプタ基板上にラミネーションする段階と、
前記ドナーフィルム上にレーザビームを照射して前記ドナーフィルムの転写層の一部を前記アクセプタ基板上に転写させる段階と、
を含むことを特徴とするレーザ熱転写装置を利用したレーザ熱転写法。
【請求項25】
前記チャンバは、真空チャンバであることを特徴とする請求項24に記載のレーザ熱転写装置を利用したレーザ熱転写法。
【請求項26】
レーザオシレータを利用してドナーフィルムの転写層を転写し、有機電界発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において、
磁性体を含む基板ステージと、前記基板ステージ上部と所定間隔離隔されて永久磁石を含む密着フレームと、が前記レーザ熱転写装置内に具備されることを特徴とするレーザ熱転写装置。
【請求項27】
前記永久磁石は、前記密着フレームの上下部または前記密着フレームの内部に形成されることを特徴とする請求項26に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項28】
前記永久磁石は、密着フレーム自体であることを特徴とする請求項26に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項29】
前記密着フレームは、前記ドナーフィルムの転写される部分に対応するパターンの開口部が形成されることを特徴とする請求項26に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項30】
前記永久磁石は、磁性ナノパーティクルからなることを特徴とする請求項26に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項31】
前記磁性ナノパーティクルは、スピンコーティング、電子線蒸着またはインクジェット工程を利用することを特徴とする請求項30に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項32】
前記磁性体は、鉄、ニッケル、クロムまたは磁性を持つ有機物、無機物及び磁性ナノ粒子の中の少なくとも一つの物質で形成されることを特徴とする請求項26に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項33】
前記磁性体は、前記基板ステージの上下部または前記基板ステージの内部に形成されることを特徴とする請求項26に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項34】
前記磁性体は、前記基板ステージ自体であることを特徴とする請求項26に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項35】
前記基板ステージは、所定数の貫通ホールを通じて前記アクセプタ基板を上部または下部に移動させる基板支持台をさらに具備することを特徴とする請求項26に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項36】
チャンバ内に磁性体を含む基板ステージ上にアクセプタ基板を位置させる段階と、
前記アクセプタ基板上部に少なくとも基材基板、光−熱変換層及び転写層が具備されたドナーフィルムを位置させる段階と、
前記ドナーフィルム上部に永久磁石が具備された密着フレームを位置させる段階と、
前記ドナーフィルムを前記アクセプタ基板上にラミネーションする段階と、
前記ドナーフィルム上にレーザビームを照射して前記ドナーフィルムの転写層の一部を前記アクセプタ基板上に転写させる段階と、
を含むことを特徴とするレーザ熱転写装置を利用したレーザ熱転写法。
【請求項37】
前記チャンバは、真空チャンバであることを特徴とする請求項36に記載のレーザ熱転写装置を利用したレーザ熱転写法。
【請求項1】
レーザオシレータを利用してドナーフィルムの転写層を転写し、有機電界発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において、
電磁石が含まれた基板ステージと、前記基板ステージ上部と所定間隔離隔されて磁性体を含む密着フレームと、が前記レーザ熱転写装置内に具備されることを特徴とするレーザ熱転写装置。
【請求項2】
前記磁性体は、鉄、ニッケル、クロムまたは磁性を持つ有機物、無機物及び磁性ナノ粒子の中の少なくとも一つの物質で形成されることを特徴とする請求項1に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項3】
前記磁性体は、前記密着フレームの上下部または前記密着フレームの内部に形成されることを特徴とする請求項1に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項4】
前記磁性体は、密着フレーム自体であることを特徴とする請求項1に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項5】
前記密着フレームは、前記ドナーフィルムの転写される部分に対応するパターンの開口部が形成されることを特徴とする請求項1に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項6】
前記基板ステージは、所定数の貫通ホールを通じて前記基板を上部または下部に移動させる基板支持台をさらに具備することを特徴とする請求項1に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項7】
チャンバ内の電磁石が具備された基板ステージ上に基板を位置させる段階と、
前記基板の上部に少なくとも基材基板、光−熱変換層及び転写層が具備されたドナーフィルムを位置させる段階と、
前記ドナーフィルム上部に磁性体が具備された密着フレームを位置させる段階と、
前記ドナーフィルムを前記基板上にラミネーションする段階と、
前記ドナーフィルム上にレーザビームを照射して前記ドナーフィルムの転写層の一部を前記基板上に転写させる段階と、
を含むことを特徴とするレーザ熱転写装置を利用したレーザ熱転写法。
【請求項8】
前記チャンバは、真空チャンバであることを特徴とするレーザ熱転写装置を利用した請求項7に記載のレーザ熱転写法。
【請求項9】
レーザオシレータを利用してドナーフィルムの転写層を転写し、有機電界発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において、
永久磁石が含まれた基板ステージと、前記基板ステージ上部と所定間隔離隔されて磁性体を含む密着フレームと、が前記レーザ熱転写装置内に具備されることを特徴とするレーザ熱転写装置。
【請求項10】
前記磁性体は、鉄、ニッケル、クロムまたは磁性を持つ有機物、無機物及び磁性ナノ粒子の中の少なくとも一つの物質で形成されることを特徴とする請求項9に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項11】
前記磁性体は、前記密着フレームの上下部または前記密着フレームの内部に形成されることを特徴とする請求項9に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項12】
前記磁性体は、密着フレーム自体であることを特徴とする請求項9に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項13】
前記密着フレームは、前記ドナーフィルムの転写される部分に対応するパターンの開口部が形成されることを特徴とする請求項9に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項14】
前記基板ステージは、所定数の貫通ホールを通じて前記基板を上部または下部に移動させる基板支持台をさらに具備することを特徴とする請求項9に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項15】
チャンバ内に永久磁石が具備された基板ステージ上に基板を位置させる段階と、
前記基板の上部に少なくとも基材基板、光−熱変換層及び転写層が具備されたドナーフィルムを位置させる段階と、
前記ドナーフィルム上部に磁性体が具備された密着フレームを位置させる段階と、
前記ドナーフィルムを前記基板上にラミネーションする段階と、
前記ドナーフィルム上にレーザビームを照射して前記ドナーフィルムの転写層の一部を前記基板上に転写させる段階と、
を含むことを特徴とするレーザ熱転写装置を利用したレーザ熱転写法。
【請求項16】
前記チャンバは、真空チャンバであることを特徴とする請求項15に記載のレーザ熱転写装置を利用したレーザ熱転写法。
【請求項17】
レーザオシレータを利用してドナーフィルムの転写層を転写し、有機電界発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において、
磁性体を含む基板ステージと、前記基板ステージ上部と所定間隔離隔されて電磁石を含む密着フレームと、が前記レーザ熱転写装置内に具備されることを特徴とするレーザ熱転写装置。
【請求項18】
前記電磁石は、前記密着フレームの上下部または前記密着フレームの内部に形成されることを特徴とする請求項17に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項19】
前記密着フレームは、前記ドナーフィルムの転写される部分に対応するパターンの開口部が形成されることを特徴とする請求項17に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項20】
前記磁性体は、鉄、ニッケル、クロムまたは磁性を持つ有機物、無機物及び磁性ナノ粒子の中の少なくとも一つの物質で形成されることを特徴とする請求項17に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項21】
前記磁性体は、前記基板ステージの上下部または前記基板ステージの内部に形成されることを特徴とする請求項17に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項22】
前記磁性体は、前記基板ステージ自体であることを特徴とする請求項17に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項23】
前記基板ステージは、所定数の貫通ホールを通じて前記アクセプタ基板を上部または下部に移動させる基板支持台をさらに具備することを特徴とする請求項17に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項24】
チャンバ内に磁性体を含む基板ステージ上にアクセプタ基板を位置させる段階と、
前記アクセプタ基板上部に少なくとも基材基板、光−熱変換層及び転写層が具備されたドナーフィルムを位置させる段階と、
前記ドナーフィルム上部に電磁石が具備された密着フレームを位置させる段階と、
前記ドナーフィルムを前記アクセプタ基板上にラミネーションする段階と、
前記ドナーフィルム上にレーザビームを照射して前記ドナーフィルムの転写層の一部を前記アクセプタ基板上に転写させる段階と、
を含むことを特徴とするレーザ熱転写装置を利用したレーザ熱転写法。
【請求項25】
前記チャンバは、真空チャンバであることを特徴とする請求項24に記載のレーザ熱転写装置を利用したレーザ熱転写法。
【請求項26】
レーザオシレータを利用してドナーフィルムの転写層を転写し、有機電界発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において、
磁性体を含む基板ステージと、前記基板ステージ上部と所定間隔離隔されて永久磁石を含む密着フレームと、が前記レーザ熱転写装置内に具備されることを特徴とするレーザ熱転写装置。
【請求項27】
前記永久磁石は、前記密着フレームの上下部または前記密着フレームの内部に形成されることを特徴とする請求項26に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項28】
前記永久磁石は、密着フレーム自体であることを特徴とする請求項26に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項29】
前記密着フレームは、前記ドナーフィルムの転写される部分に対応するパターンの開口部が形成されることを特徴とする請求項26に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項30】
前記永久磁石は、磁性ナノパーティクルからなることを特徴とする請求項26に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項31】
前記磁性ナノパーティクルは、スピンコーティング、電子線蒸着またはインクジェット工程を利用することを特徴とする請求項30に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項32】
前記磁性体は、鉄、ニッケル、クロムまたは磁性を持つ有機物、無機物及び磁性ナノ粒子の中の少なくとも一つの物質で形成されることを特徴とする請求項26に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項33】
前記磁性体は、前記基板ステージの上下部または前記基板ステージの内部に形成されることを特徴とする請求項26に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項34】
前記磁性体は、前記基板ステージ自体であることを特徴とする請求項26に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項35】
前記基板ステージは、所定数の貫通ホールを通じて前記アクセプタ基板を上部または下部に移動させる基板支持台をさらに具備することを特徴とする請求項26に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項36】
チャンバ内に磁性体を含む基板ステージ上にアクセプタ基板を位置させる段階と、
前記アクセプタ基板上部に少なくとも基材基板、光−熱変換層及び転写層が具備されたドナーフィルムを位置させる段階と、
前記ドナーフィルム上部に永久磁石が具備された密着フレームを位置させる段階と、
前記ドナーフィルムを前記アクセプタ基板上にラミネーションする段階と、
前記ドナーフィルム上にレーザビームを照射して前記ドナーフィルムの転写層の一部を前記アクセプタ基板上に転写させる段階と、
を含むことを特徴とするレーザ熱転写装置を利用したレーザ熱転写法。
【請求項37】
前記チャンバは、真空チャンバであることを特徴とする請求項36に記載のレーザ熱転写装置を利用したレーザ熱転写法。
【図1】
【図2】
【図3a】
【図3b】
【図4】
【図5】
【図6a】
【図6b】
【図6c】
【図6d】
【図6e】
【図6f】
【図7】
【図2】
【図3a】
【図3b】
【図4】
【図5】
【図6a】
【図6b】
【図6c】
【図6d】
【図6e】
【図6f】
【図7】
【公開番号】特開2007−141806(P2007−141806A)
【公開日】平成19年6月7日(2007.6.7)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2006−81634(P2006−81634)
【出願日】平成18年3月23日(2006.3.23)
【出願人】(590002817)三星エスディアイ株式会社 (2,784)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成19年6月7日(2007.6.7)
【国際特許分類】
【出願日】平成18年3月23日(2006.3.23)
【出願人】(590002817)三星エスディアイ株式会社 (2,784)
【Fターム(参考)】
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