説明

光受信モジュール、光受信機及び電子回路

【課題】サイズが大きくなることをおさえつつ、受け付ける光信号の信号断を検出する機能を光受信モジュールの内部に実装することができる光受信モジュール、光送信機及び電子回路を提供する。
【解決手段】光受信モジュール2は、受け付ける光信号を電気信号に変換するフォトダイオード20と、その電気信号に基づいて、光信号の信号断を検出するLOS検出回路23と、その電気信号に対応する第1の信号と、LOS検出回路23による信号断の検出結果に対応する第2の信号と、を合成して出力する一対の差動出力端子26−4(差動出力端子26−4−1及び差動出力端子26−4−2)を含んで構成されている。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、光受信モジュール、光受信機及び電子回路に関する。
【背景技術】
【0002】
接続された光ファイバを経由して光信号を受け付けて、その光信号に応じた電気信号を出力する光受信モジュール(例えば、ROSA(Receiver Optical Sub−Assembly))が存在する。特許文献1には、ROSAを含んで構成される光送受信モジュールが開示されている。
【0003】
そして、光受信モジュールには、電源端子、受信信号強度インジケータ端子(RSSI端子)、接地端子、一対の差動出力端子の5つの端子を含むものや、電源端子、逆バイアス電圧端子(Vpd端子)、接地端子、一対の差動出力端子の5つの端子を含むものが存在する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開2009−094390号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
従来の光受信モジュールでは、受け付ける光信号の信号断を、光受信モジュールの外部に設けた回路により検出していた。このことは、光受信モジュールを含んで構成される光受信機の部品点数の増加や、実装面積の増大を招いていた。
【0006】
ここで、光信号の信号断を検出する回路についての設定を示す信号を受け付ける端子や、信号断の検出結果を示す信号を出力する端子を、光受信モジュールに新たに設けて、光受信モジュールの内部で受け付ける光信号の信号断を検出することが考えられるが、こうすると、光受信モジュールのサイズが大きくなってしまい、光受信モジュールの小型化が困難となる。
【0007】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、サイズが大きくなることをおさえつつ、受け付ける光信号の信号断を検出する機能を光受信モジュールの内部に実装することができる光受信モジュール、光送信機及び電子回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上記課題を解決するために、本発明に係る光受信モジュールは、受け付ける光信号を電気信号に変換する受光素子と、前記電気信号に基づいて、前記光信号の信号断を検出する検出部と、前記電気信号に対応する第1の信号と、前記検出部による信号断の検出結果に対応する第2の信号と、を合成して出力する端子と、を含むことを特徴とする。
【0009】
また、本発明に係る光受信機は、受け付ける光信号を電気信号に変換する受光素子と、前記電気信号に基づいて、前記光信号の信号断を検出する検出部と、前記電気信号に対応する第1の信号と、前記検出部による信号断の検出結果に対応する第2の信号と、を合成して出力する端子と、を含む光受信モジュールと、前記光受信モジュールから出力される信号を受け付けて、前記第1の信号を出力する回路と、を含むことを特徴とする。
【0010】
また、本発明に係る電子回路は、閾値を示す閾値データを記憶する記憶部と、電気信号を受け付ける入力端子と、前記入力端子が受け付ける電気信号と、前記閾値と前記入力端子が受け付ける電気信号の強度に対応する値との比較結果に対応する電気信号と、を合成して出力する出力端子と、を含むことを特徴とする。
【0011】
本発明によれば、閾値を設定する信号を受け付ける端子や、信号断の検出結果を示す信号を出力する端子を新たに設けることなく、光信号の信号断を検出する機能を光受信モジュールの内部に実装できる。このようにして、本発明によれば、サイズが大きくなることをおさえつつ、受け付ける光信号の信号断を検出する機能を光受信モジュールの内部に実装することができる。
【0012】
本発明の一態様では、前記端子が、交流信号である前記第1の信号と、直流信号である前記第2の信号と、を合成して出力することを特徴とする。この態様によれば、第1の信号及び第2の信号のそれぞれを容易に取り出すことができる。
【0013】
また、本発明の一態様では、閾値を示す閾値データを記憶する記憶部、をさらに含み、前記検出部が、前記閾値データが示す閾値と、前記光信号の強度に対応する値との比較結果に基づいて、前記信号断を検出することを特徴とする。この態様によれば、閾値データが示す閾値と光信号の強度に対応する値との比較結果に基づく、光信号の信号断の検出が可能となる。
【0014】
この態様では、外部から受け付ける信号に応じて、前記閾値データが示す閾値を変更する閾値変更部、をさらに含んでもよい。こうすれば、光信号の信号断を検出する際の閾値を利用者が設定することができる。
【0015】
この態様では、外部から受け付ける信号に応じて、前記端子から前記第1の信号と前記第2の信号とを合成して出力させるか、前記閾値を変更するかが切り替わってもよい。こうすれば、第1の信号と第2の信号とを合成して出力させるか、閾値を変更するかを利用者が切り替えることができる。
【0016】
この態様では、電源端子から受け付ける電源電圧に応じて、前記端子から前記第1の信号と前記第2の信号とを合成して出力させるか、前記閾値を変更するかが切り替わってもよい。こうすれば、電源電圧を変化させることで、第1の信号と第2の信号とを合成して出力させるか、閾値を変更するかを切り替えることができる。
【図面の簡単な説明】
【0017】
【図1】本発明の一実施形態における光受信機の構成の一例を示す図である。
【図2】本発明の一実施形態における光受信機に含まれる光受信モジュールの主要回路の一例を示す図である。
【図3】本発明の別の実施形態における光受信機に含まれる光受信モジュールの主要回路の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0018】
以下、本発明の一実施形態について図面に基づき詳細に説明する。
【0019】
図1は、本実施形態における光受信機1の構成の一例を示す図である。図1に例示するように、本実施形態に係る光受信機1は、光受信モジュール2と、一対のコンデンサ3(3−1及び3−2)と、集積回路4(例えば、リミットアンプ)と、コンパレータ5と、を備えている。そして、光受信機1は、光ファイバ(図示せず)と光学的に接続されている。
【0020】
図2は、本実施形態における光受信モジュール2の主要回路の一例を示す図である。本実施形態における光受信モジュール2は、受光素子(例えば、フォトダイオード20)、抵抗21、増幅器22、LOS検出回路23、差動出力回路24、カレントミラー回路25、5つの端子26(電源端子26−1(電源電圧Vccと接続される)、受信信号強度インジケータ(RSSI)端子26−2、接地端子26−3(GNDと接続される)、一対の差動出力端子26−4(26−4−1及び26−4−2)、を含んで構成されている。
【0021】
フォトダイオード20は、接続される光ファイバなどを経由して受け付ける光信号を電気信号に変換する。すなわち、フォトダイオード20は、受け付ける光信号に応じた電気信号を出力する。フォトダイオード20は、例えば、受け付ける光信号に応じた光電流を発生させる。そして、この光電流は、抵抗21、カレントミラー回路25を経由して、RSSI端子26−2に出力される。RSSI端子26−2から出力される電流や、この電流を変換した電圧を測定することにより、光電流の検出が可能となっている。また、フォトダイオード20が発生させる光電流に応じた電圧が増幅器22により増幅されて、LOS検出回路23に電気信号として入力される。
【0022】
LOS検出回路23は、例えば、コンパレータ回路などを含んで構成されており、光受信モジュール2が受け付ける光信号の信号断(LOS(Loss Of Signal))を検出する。本実施形態では、LOS検出回路23は、電源端子26−1を介して電源電圧Vccと接続されている。本実施形態では、LOS検出回路23は、記憶部23a(本実施形態では、例えば、不揮発性RAM(NVRAM))を備えている。なお、記憶部23aがLOS検出回路23の外部に設けられていてもよい。また、記憶部23aは、NVRAMには限定されない。そして、記憶部23aは、閾値となる閾値データを記憶する。
【0023】
また、LOS検出回路23は、外部から受け付ける信号に応じて、記憶部23aに記憶されている閾値データが示す閾値を変更する閾値変更部(例えば、閾値変更回路23b)を含んでいる。なお、閾値変更回路23bがLOS検出回路23の外部に設けられていてもよい。
【0024】
そして、LOS検出回路23は、外部から受け付ける信号に応じて、動作モードと調整モードとが切り替わるようになっている。LOS検出回路23は、具体的には、例えば、電源電圧Vccに応じて、動作モードと調整モードとが切り替わる。LOS検出回路23は、具体的には、例えば、電源電圧Vccが所与の電源電圧以上である場合には、調整モードで動作し、電源電圧Vccが所与の電源電圧より低い場合には、動作モードで動作する。
【0025】
LOS検出回路23が調整モードで動作する際には、閾値変更回路23bが記憶部23aに記憶されている閾値データを書き換える。本実施形態では、図2に例示するように、RSSI端子26−2と、LOS検出回路23と、が電気的に接続されている。そして、LOS検出回路23は、本実施形態では、例えば、RSSI端子26−2に対して供給される電圧に対応する電圧を受け付ける。そして、閾値変更回路23bが、受け付ける電圧に応じた閾値を示すよう閾値データを書き換える。このように、本実施形態における光受信モジュール2では、LOS検出回路23が調整モードとして動作する際に、RSSI端子26−2を入力端子として用いている。
【0026】
なお、閾値データを書き換える方法は、上述の方法には限定されない。例えば、閾値変更回路23bがフォトダイオード20に与える光信号の強度に応じた値を示すよう閾値データが示す閾値を書き換えてもよい。例えば、RSSI端子26−2に所与の大きさの電圧を供給した上で、フォトダイオード20に与える光信号の強度を変化させることで、LOS検出回路23が受け付ける信号電圧を変化させてもよい。また、閾値データがヒステリシス設定についての閾値を示していてもよい。
【0027】
LOS検出回路23が動作モードで動作する際には、LOS検出回路23が、フォトダイオード20が受け付ける光信号の信号断を検出する。そして、フォトダイオード20が受け付ける光信号に対応する信号と、この光信号の信号断の検出結果に対応する信号、とを合成して出力する。そして、この信号が、差動出力回路24を経由して、一対の差動出力端子26−4から差動信号(Vout+及びVout−)として差動出力される。
【0028】
LOS検出回路23は、具体的には、例えば、フォトダイオード20が受け付ける光信号に応じた、増幅器22により増幅された電気信号(例えば、信号電圧)を受け付ける。そして、LOS検出回路23は、この電気信号の振幅に対応する値と、閾値データが示す閾値と、の比較結果に基づいて、光信号の信号断が発生しているか否かを示す信号を出力する。LOS検出回路23は、例えば、電気信号の振幅に対応する値が、閾値データが示す閾値よりも小さい場合に、光信号の信号断が発生していることを示す信号を出力する。
【0029】
LOS検出回路23は、平滑回路などを介して取得される受け付ける電気信号の平均的な強度に対応する値と、閾値データが示す閾値と、の比較結果に基づいて、光信号の信号断が発生しているか否かを示す信号を出力してもよい。LOS検出回路23は、例えば、電気信号の平均的な強度に対応する値が、閾値データが示す閾値よりも小さい場合に、光信号の信号断が発生していることを示す信号を出力してもよい。
【0030】
LOS検出回路23は、具体的には、例えば、フォトダイオード20が受け付ける光信号に応じた交流信号に、光信号の信号断が発生しているか否かを示す直流信号(例えば、信号断が発生していない際には+V[V]の直流電圧、信号断が発生している際には−V[V]の直流電圧)を合成して、出力する。
【0031】
図3は、別の実施形態における光受信モジュール2の主要回路の一例を示す図である。本実施形態における光受信モジュール2は、受光素子(例えば、フォトダイオード20)、増幅器22、LOS検出回路23、差動出力回路24、5つの端子26(電源端子26−1(電源電圧Vccと接続される)、逆バイアス電圧(Vpd)端子26−5、接地端子26−3(GNDと接続される)、一対の差動出力端子26−4(26−4−1及び26−4−2)、を含んで構成されている。
【0032】
図3に例示する光受信モジュール2に含まれるフォトダイオード20は、図2に例示する光受信モジュール2に含まれるフォトダイオード20と同様、例えば、受け付ける光信号に応じた光電流を発生させる。ここで、フォトダイオード20に対するバイアス電圧は、Vpd端子26−5に供給される。そして、この光電流の強度は、Vpd端子26−5に接続されている抵抗6の両端の電位差に対応する。この電位差を測定することにより、光電流の検出が可能となっている。また、フォトダイオード20が発生させる光電流に応じた電圧が増幅器22により増幅されて、LOS検出回路23に電気信号として入力される。
【0033】
図3に例示する光受信モジュール2に含まれるLOS検出回路23は、図2に例示する光受信モジュール2に含まれるLOS検出回路23と同様の回路である。図3に例示する光受信モジュール2では、閾値変更回路23bは、Vpd端子26−5に対して供給される電圧に応じた閾値を示すよう、記憶部23aに記憶されている閾値データを書き換える。なお、例えば、閾値変更回路23bがフォトダイオード20に与える光信号の強度に応じた値を示すよう閾値データが示す閾値を書き換えてもよい。例えば、Vpd端子26−5に所与の大きさの電圧を供給した上で、フォトダイオード20に与える光信号の強度を変化させることで、LOS検出回路23が受け付ける信号電圧を変化させてもよい。また、閾値データがヒステリシス設定についての閾値を示していてもよい。
【0034】
図3に例示する光受信モジュール2に含まれるLOS検出回路23の動作モードでの動作は、図2に例示する光受信モジュール2に含まれるLOS検出回路23の動作モードでの動作と同様である。
【0035】
なお、上述の光受信モジュール2の回路構成は、あくまでも一例であり、例えば、光受信モジュール2は、例えば、等価回路により構成されていてもよい。また、LOS検出回路23は、アナログ回路、デジタル回路、ICなどの集積回路、CPU等のプログラム制御デバイス、ROMやRAMなどの記憶素子、などにより構成されてもよい。
【0036】
上述のように、光受信モジュール2は交流信号と直流信号とを含む電気信号を差動出力する。そして、この電気信号は、コンデンサ3を経由して集積回路4に入力される。また、この電気信号は、コンパレータ5にも入力される。そして、コンデンサ3によって、光受信モジュール2から出力される直流信号がカットされる。そのため、集積回路4は、光受信モジュール2から出力される交流信号を受け付ける。コンパレータ5は、例えば、光受信モジュール2から差動出力される信号電圧の差分が所定の大きさよりも小さい場合には、信号断が発生していることを示す信号を出力し、そうではない場合には、信号断が発生していないことを示す信号を出力する。このとき、コンパレータ5が、光受信モジュール2から出力される交流信号がカットされた信号を受け付けてもよい。
【0037】
上述の各実施形態における光受信モジュール2は、受け付ける光信号に応じた信号とともに、光信号の信号断の検出信号を、一対の差動出力端子26−4から差動出力する。そのため、差動出力端子から、光信号に応じた信号も、光信号の信号断の検出信号も取り出すことができる。また、光信号の信号断の検出に用いる閾値をRSSI端子26−2やVpd端子26−5に供給する電圧の大きさや、フォトダイオード20への光入力の強度により設定することができる。このようにして、上述の各実施形態に係る光受信モジュール2では、閾値を設定する信号を受け付ける端子や、信号断の検出結果を示す信号を出力する端子を新たに設けることなく、光信号の信号断を検出する機能を光受信モジュール2の内部に実装できる。このようにして、上述の核実施形態に係る光受信モジュール2では、サイズが大きくなることをおさえつつ、受け付ける光信号の信号断を検出する機能を光受信モジュール2の内部に実装することができる。
【符号の説明】
【0038】
1 光受信機、2 光受信モジュール、3 コンデンサ、4 集積回路、5 コンパレータ、6 抵抗、20 フォトダイオード、21 抵抗、22 増幅器、23 LOS検出回路、23a 記憶部、23b 閾値変更回路、24 差動出力回路、25 カレントミラー回路、26 端子、26−1 電源端子、26−2 受信信号強度インジケータ(RSSI)端子、26−3 接地端子、26−4 差動出力端子、26−5 逆バイアス電圧(Vpd)端子。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
受け付ける光信号を電気信号に変換する受光素子と、
前記電気信号に基づいて、前記光信号の信号断を検出する検出部と、
前記電気信号に対応する第1の信号と、前記検出部による信号断の検出結果に対応する第2の信号と、を合成して出力する端子と、
を含むことを特徴とする光受信モジュール。
【請求項2】
前記端子が、交流信号である前記第1の信号と、直流信号である前記第2の信号と、を合成して出力する、
ことを特徴とする請求項1に記載の光受信モジュール。
【請求項3】
閾値を示す閾値データを記憶する記憶部、をさらに含み、
前記検出部が、前記閾値データが示す閾値と、前記光信号の強度に対応する値との比較結果に基づいて、前記信号断を検出する、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の光受信モジュール。
【請求項4】
外部から受け付ける信号に応じて、前記閾値データが示す閾値を変更する閾値変更部、をさらに含む、
ことを特徴とする請求項3に記載の光受信モジュール。
【請求項5】
外部から受け付ける信号に応じて、前記端子から前記第1の信号と前記第2の信号とを合成して出力させるか、前記閾値を変更するかが切り替わる、
ことを特徴とする請求項4に記載の光受信モジュール。
【請求項6】
電源端子から受け付ける電源電圧に応じて、前記端子から前記第1の信号と前記第2の信号とを合成して出力させるか、前記閾値を変更するかが切り替わる、
ことを特徴とする請求項5に記載の光受信モジュール。
【請求項7】
受け付ける光信号を電気信号に変換する受光素子と、前記電気信号に基づいて、前記光信号の信号断を検出する検出部と、前記電気信号に対応する第1の信号と、前記検出部による信号断の検出結果に対応する第2の信号と、を合成して出力する端子と、を含む光受信モジュールと、
前記光受信モジュールから出力される信号を受け付けて、前記第1の信号を出力する回路と、
を含むことを特徴とする光受信機。
【請求項8】
閾値を示す閾値データを記憶する記憶部と、
電気信号を受け付ける入力端子と、
前記入力端子が受け付ける電気信号と、前記閾値と前記入力端子が受け付ける電気信号の強度に対応する値との比較結果に対応する電気信号と、を合成して出力する出力端子と、
を含むことを特徴とする電子回路。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【公開番号】特開2011−4269(P2011−4269A)
【公開日】平成23年1月6日(2011.1.6)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2009−146824(P2009−146824)
【出願日】平成21年6月19日(2009.6.19)
【出願人】(301005371)日本オプネクスト株式会社 (311)
【Fターム(参考)】