光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類の製造方法
【課題】本発明は、短工程で収率及び光学純度よく医薬中間体として有用な所望の光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】一般式（１）
【化１】
（式中、Ｒ１は保護基を示し、Ｒ５〜Ｒ８は夫々独立して水素原子又は置換基を示す。）で表されるベンズアルデヒド類と一般式（２）
【化２】
（式中、Ｒ２はアルキル基を示し、Ｒ３は炭化水素基を示す。）で表されるグリコール酸誘導体とを反応させた後、加水分解して一般式（４）
【化３】
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表されるけい皮酸類又はその塩を製造し、得られたけい皮酸類（４）又はその塩を不斉水素化反応に付して一般式（５）
【化４】
（式中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表される光学活性フェニルプロピオン酸類又はその塩を製造し、次いで脱保護することを特徴とする、一般式（６）
【化５】
（式中、Ｒ２、Ｒ５〜Ｒ８及び＊は前記と同意義を有する。）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩の製造方法。
【解決手段】一般式（１）
【化１】
（式中、Ｒ１は保護基を示し、Ｒ５〜Ｒ８は夫々独立して水素原子又は置換基を示す。）で表されるベンズアルデヒド類と一般式（２）
【化２】
（式中、Ｒ２はアルキル基を示し、Ｒ３は炭化水素基を示す。）で表されるグリコール酸誘導体とを反応させた後、加水分解して一般式（４）
【化３】
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表されるけい皮酸類又はその塩を製造し、得られたけい皮酸類（４）又はその塩を不斉水素化反応に付して一般式（５）
【化４】
（式中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表される光学活性フェニルプロピオン酸類又はその塩を製造し、次いで脱保護することを特徴とする、一般式（６）
【化５】
（式中、Ｒ２、Ｒ５〜Ｒ８及び＊は前記と同意義を有する。）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、医薬、農薬等の中間体として有用な光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類は、医薬等の中間体として有用であり、その製造法について種々検討が行われている。
例えば、特許文献１には、Ｌ−チロシンを塩化ベンジルと反応させてＯ−ベンジル−Ｌ−チロシンとし、このベンジル化したチロシンのアミノ基をジアゾ化してヒドロキシ基とした後、カルボキシ基及びヒドロキシ基をそれぞれエステル化及びアルキル化した後、加水分解して、得られる（Ｓ）−２−アルコキシ−３−（４−ベンジルオキシフェニル）プロピオン酸をキラル塩基で塩に変換し、得られたその塩をエステル化し、エステル化した生成物を脱保護する、（Ｓ）−２−アルコキシ−３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸エステルの製造方法が記載されている。
しかしながら、特許文献１に記載の方法では、原料としてＬ−チロシンを用いているため、原料のＬ−チロシン中のアミノ基をジアゾ化しなければならない。したがって、このような方法は工業的な製造法ではない。
【０００３】
非特許文献１及び２には、トリエチル ２−エトキシホスホノアセテートを４−ベンジルオキシベンズアルデヒドと反応させ、こうして得られる３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−エトキシアクリル酸エチルをパラジウム触媒の存在下で水素化反応させ、こうして得られるラセミ体の２−エトキシ−３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸エチルを酵素で（Ｓ）−体のみを加水分解して光学分割する（Ｓ）−２−エトキシ−３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸の製造方法が記載されている。
しかしながら、これらの文献に記載の方法では、一旦ラセミ体を製造した後、酵素で加水分解及び光学分割をしなければならないのみならず、また、基質によって酵素を選択しなければならず、しかも（Ｓ）−体のみを加水分解する酵素を使用しなければならない、という問題点を有していた。
【０００４】
特許文献２及び非特許文献３には、α位の炭素原子のヒドロキシ基がアセチル基又はベンゾイル基で保護されたα，β−不飽和カルボン酸エステル類をロジウム触媒とビスホスホラン配位子とを用いて不斉水素化反応させる方法が記載されている。
しかしながら、上記の方法では、金属と配位子とが限定されてしまうという問題点を有している。また、前記ヒドロキシ基は、アセチル基又はベンゾイル基で保護されており、このヒドロキシ基にメチル基等のアルキル基を導入するためには、これらアセチル基又はベンゾイル基を脱保護してからメチル基等のアルキル基を導入しなければならない、という問題点を有している。
【特許文献１】ＷＯ０２／２４６２５号
【特許文献２】ＵＳ５５５９２６７号
【非特許文献１】Ｊ．Ｍｅｄ．Ｃｈｅｍ．Ｖｏｌ．４６，Ｎｏ．８，１３０６（２００３）．
【非特許文献２】Ｏｒｇａｎｉｃ Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｒｅｓｅａｒｃｈ ＆ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ，７（１）８２（２００３）．
【非特許文献３】Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．， Ｖｏｌ．１２０，Ｎｏ．１８，４３４５（１９９８）．
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は上記問題に鑑みなされたものであり、本発明の目的は、短工程で高収率及び高光学純度で医薬中間体として有用な所望の光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類の製造方法について鋭意検討を行った結果、中間体としてけい皮酸類を経由することにより、目的化合物を短工程かつ高収率及び高光学純度で製造できることを見出した。本発明は、こうした知見に基づき達成された。
【０００７】
即ち、本発明は以下の通りである。
１）一般式（１）
【化１】
（式中、Ｒ１は保護基を示し、Ｒ５〜Ｒ８は夫々独立して水素原子又は置換基を示す。）で表されるベンズアルデヒド類と一般式（２）
【化２】
（式中、Ｒ２はアルキル基を示し、Ｒ３は炭化水素基を示す。）で表されるグリコール酸誘導体とを反応させた後、得られた生成物を加水分解して一般式（４）
【化３】
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表されるけい皮酸類又はその塩を製造し、そしてその得られたけい皮酸類（４）又はその塩を不斉水素化反応に付して一般式（５）
【化４】
（式中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表される光学活性フェニルプロピオン酸類又はその塩を製造し、次いで脱保護することを特徴とする、一般式（６）
【化５】
（式中、Ｒ２、Ｒ５〜Ｒ８及び＊は前記と同意義を有する。）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩の製造方法、
２）一般式（１）
【化６】
（式中、Ｒ１は保護基を示し、Ｒ５〜Ｒ８は夫々独立して水素原子又は置換基を示す。）で表されるベンズアルデヒド類と一般式（２）
【化７】
（式中、Ｒ２はアルキル基を示し、Ｒ３は炭化水素基を示す。）で表されるグリコール酸誘導体とを反応させた後、加水分解して一般式（４）
【化８】
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表されるけい皮酸類又はその塩を製造し、そしてそのけい皮酸類（４）又はその塩を不斉水素化反応に付すことを特徴とする、一般式（６）
【化９】
（式中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩の製造方法、
３）一般式（７）
【化１０】
（式中、Ｒ５〜Ｒ８は夫々独立して水素原子又は置換基を示す。）で表される４−ヒドロキシベンズアルデヒド類と一般式（２）
【化１１】
（式中、Ｒ２はアルキル基を示し、Ｒ３は炭化水素基を示す。）で表されるグリコール酸誘導体とを反応させた後、加水分解して一般式（９）
【化１２】
（式中、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表されるけい皮酸類又はその塩を製造し、そしてその４−ヒドロキシけい皮酸類（９）又はその塩を不斉水素化反応に付すことを特徴とする、一般式（６）
【化１３】
（式中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩の製造方法、
４）不斉水素化反応が、不斉触媒の存在下で行われることを特徴とする上記１）〜３）のいずれかに記載の製造方法、
５）不斉触媒が、遷移金属錯体であることを特徴とする上記１）〜４）のいずれかに記載の製造方法、
６）遷移金属錯体が、周期表の第８〜１０族の金属の錯体であることを特徴とする上記５）に記載の製造方法、
７）一般式（１１）
【化１４】
（式中、Ｒ１１及びＲ１２は夫々独立して水素原子又は置換基を示し、Ｒ１３は水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基又は金属原子を示し、Ｒ１４は水素原子又は保護基を示す。）で表されるα，β−不飽和カルボン酸類又はその塩を遷移金属錯体の存在下で不斉水素化反応に付すことを特徴とする、一般式（１２）
【化１５】
（式中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ１１〜Ｒ１４は前記と同意義を有する。）で表される光学活性カルボン酸類又はその塩の製造方法、但し、遷移金属錯体がロジウムのものであるとき、前記一般式（１１）中のＲ１４で示される保護基はアシル基以外の基である、
８）遷移金属錯体が、周期表の第８〜１０族の金属の錯体であることを特徴とする上記７）に記載の製造方法、
９）不斉触媒が、不斉配位子と遷移金属化合物の混合物であることを特徴とする上記１）又は３）に記載の製造方法、
１０）上記１）〜３）のいずれかに記載の方法で得られる一般式（５）で表される光学活性フェニルプロピオン酸類又はその塩を、溶媒から結晶化させることを特徴とする上記１）〜３）のいずれかに記載の製造方法、
１１）結晶化に使用する溶媒が、炭化水素類、アルコール類、ケトン類、水及びそれらの混合物からなる群から選ばれる１種であることを特徴とする上記１０）に記載の製造方法、
１２）上記１）〜３）のいずれかに記載の製造方法で得られる一般式（６）で表される光学活性な３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩を、溶媒から結晶化させることを特徴とする上記１）〜３）に記載の製造方法、
１３）結晶化に使用する溶媒が、芳香族炭化水素類、脂肪族炭化水素類、アルコール類、水及びそれらの混合物からなる群から選ばれる１種であることを特徴とする上記１２）に記載の製造方法、
１４）一般式（４）
【化１６】
（式中、Ｒ１は保護基を示し、Ｒ２はアルキル基を示し、Ｒ５〜Ｒ８は夫々独立して水素原子又は置換基を示す。）で表されるけい皮酸類又はその塩を、不斉水素化反応に付すことを特徴とする、一般式（５）
【化１７】
（式中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表される光学活性フェニルプロピオン酸類又はその塩の製造方法、
１５）一般式（４）
【化１８】
（式中、Ｒ２はアルキル基を示し、Ｒ５〜Ｒ８は夫々独立して水素原子又は置換基を示す。）で表されるけい皮酸類又はその塩を、不斉水素化反応に付すことを特徴とする、一般式（６）
【化１９】
（式中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。)で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩の製造方法、
１６）一般式（９）
【化２０】
（式中、Ｒ２はアルキル基を示し、Ｒ５〜Ｒ８は夫々独立して水素原子又は置換基を示す。）で表される４−ヒドロキシけい皮酸類又はその塩を、不斉水素化反応に付すことを特徴とする、一般式（６）
【化２１】
（式中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩の製造方法、
１７）一般式（４）
【化２２】
（式中、Ｒ１は保護基を示し、Ｒ２はアルキル基を示し、Ｒ５〜Ｒ８は夫々独立して水素原子又は置換基を示す。）で表されるけい皮酸類又はその塩を不斉水素化反応に付すことを特徴とする、一般式（６）
【化２３】
（式中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩、及び一般式（５）
【化２４】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５〜Ｒ８及び＊は前記と同意義を有する。）で表される光学活性フェニルプロピオン酸類又はその塩の製造方法、及び
１８）一般式（１）
【化２５】
（式中、Ｒ１は保護基を示し、Ｒ５〜Ｒ８は夫々独立して水素原子又は置換基を示す。）で表されるベンズアルデヒド類と、一般式（２）
【化２６】
（式中、Ｒ２はアルキル基を示し、Ｒ３は炭化水素基を示す。）で表されるグリコール酸誘導体とを反応させ、得られた生成物を加水分解して一般式（４）
【化２７】
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表されるけい皮酸類又はその塩を製造し、そしてそのけい皮酸類（４）又はその塩を不斉水素化反応に付して、一般式（５）
【化２８】
（式中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表される光学活性フェニルプロピオン酸類又はその塩、及び一般式（６）
【化２９】
（式中、Ｒ２、Ｒ５〜Ｒ８及び＊は前記と同意義を有する。）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩を製造し、ついで脱保護することを特徴とする、一般式（６）
【化３０】
（式中、Ｒ２、Ｒ５〜Ｒ８は及び＊は前記と同意義を有する。）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩の製造方法。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類を短工程で高収率及び高光学純度で製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
Ｒ１で示される保護基としては、例えば「ＰＲＯＴＥＣＴＩＶＥ ＧＲＯＵＰＳ ＩＮ ＯＲＧＡＮＩＣ ＳＹＮＴＨＥＳＩＳ ＴＨＩＲＤ ＥＤＩＴＩＯＮ（ＪＯＨＮ ＷＩＬＥＹ ＆ ＳＯＮＳ、ＩＮＣ．（１９９９）」にヒドロキシ保護基として記載されている基等が挙げられる。そのようなヒドロキシ保護基の具体例としては、アルキル基、置換アルキル基、アリール基、置換アリール基、アラルキル基、置換アラルキル基、アシル基、置換アシル基、アルコキシカルボニル基、置換アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、置換アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、置換アラルキルオキシカルボニル基、複素環基、置換複素環基、置換シリル基、スルホニル基等が挙げられる。
【００１０】
アルキル基としては、直鎖状でも、分岐状でも或いは環状でもよい、例えば炭素数１〜２０、好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基が挙げられ、そのようなアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、２−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、２−ペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル基、２，２−ジメチルプロピル基、ｎ−ヘキシル基、２−ヘキシル基、３−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、２−メチルペンタン−３−イル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
アリール基としては、例えば炭素数６〜２０のアリール基が挙げられ、そのようなアリール基の具体例としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ビフェニル基等が挙げられる。
アラルキル基としては、例えば、前記アルキル基の少なくとも１個の水素原子が前記アリール基で置換された基が挙げられ、そのようなアラルキル基としては、炭素数７〜２０のアラルキル基が好ましく、具体的にはベンジル基、２−フェニルエチル基、１−フェニルプロピル基、３−ナフチルプロピル基等が挙げられる。
アシル基としては、直鎖状でも分岐状でも或いは環状でもよい。例えば、脂肪族カルボン酸類、芳香族カルボン酸類等のカルボン酸由来の炭素数１〜２０のアシル基が挙げられる。そのようなアシル基の具体例としては、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ピバロイル基、ペンタノイル基、ヘキサノイル基、ラウロイル基、ステアロイル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【００１１】
アルコキシカルボニル基としては、直鎖状でも分岐状でも或いは環状でもよい。例えば炭素数２〜２０のアルコキシカルボニル基が挙げられる。そのようなアルコキシカルボニル基の具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、２−プロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシルオキシカルボニル基、ラウリルオキシカルボニル基、ステアリルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基等が挙げられる。
アリールオキシカルボニル基としては、例えば炭素数７〜２０のアリールオキシカルボニル基が挙げられ、フェノキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等が挙げられる。
アラルキルオキシカルボニル基としては、例えば炭素数８〜１５のアラルキルオキシカルボニル基が挙げられ、そのようなアラルキルオキシカルボニル基の具体例としては、ベンジルオキシカルボニル基、フェニルエトキシカルボニル基、９−フルオレニルメチルオキシカルボニル基等が挙げられる。
【００１２】
複素環基としては、脂肪族複素環基及び芳香族複素環基が挙げられる。
脂肪族複素環基としては、例えば、炭素数２〜１４で、ヘテロ原子として少なくとも１個、好ましくは１〜３個の例えば窒素原子、酸素原子及び／又は硫黄原子等のヘテロ原子を含んでいる、５〜８員、好ましくは５又は６員の単環の脂肪族複素環基、多環又は縮合環の脂肪族複素環基が挙げられる。そのような脂肪族複素環基の具体例としては、例えば、２−オキソ−ピロリジニル基、ピペリジノ基、ピペラジニル基、モルホリノ基、モルホリニル基、テトラヒドロフリル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基等が挙げられる。
芳香族複素環基としては、例えば、炭素数２〜１５で、異種原子として少なくとも１個、好ましくは１〜３個の窒素原子、酸素原子及び／又は硫黄原子等のヘテロ原子を含んでいる、５〜８員、好ましくは５又は６員の単環式ヘテロアリール基、多環式又は縮合環式のヘテロアリール基が挙げられる。そのような芳香族複素環基の具体例としては、例えばフリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、ピリダジル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、ベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリル基、フタラジル基、キナゾリル基、ナフチリジル基、シンノリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、アクリジル基、アクリジニル基等が挙げられる。
【００１３】
スルホニル基としては、例えばＲａ−ＳＯ２−（Ｒａは炭化水素基、置換炭化水素基又は置換アミノ基を示す。）で表される置換スルホニル基が挙げられる。上記炭化水素基、置換炭化水素基及び置換アミノ基については後述する各基と同じであってよい。そのようなスルホニル基の具体例としては、メタンスルホニル基、トリフルオロメタンスルホニル基、フェニルスルホニル基、ｐ−トルエンスルホニル基、−ＳＯ２Ｎ（ＣＨ３）２等が挙げられる。
【００１４】
置換シリル基としては、シリル基の３個の水素原子がアルキル基、置換アルキル基、アリール基、置換アリール基、アラルキル基、置換アラルキル基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、置換シリル基等の炭化水素基等の置換基で置換されたトリ置換シリル基が挙げられる。当該アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、置換シリル基は、上記で説明した各基と同じである。置換アルキル基、置換アリール基、置換アラルキル基、置換アルコキシ基については後述する。そのような置換シリル基の具体例としては、トリメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基、トリフェニルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルメトキシフェニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシジフェニルシリル基等が挙げられる。
【００１５】
置換アルキル基、置換アリール基、置換アラルキル基、置換アシル基、置換アルコキシカルボニル基、置換アリールオキシカルボニル基、置換アラルキルオキシカルボニル基及び置換複素環基は、前記各基における少なくとも１個の水素原子が置換基で置換された基が挙げられる。
置換基としては、炭化水素基、置換炭化水素基、ハロゲン原子、ハロゲン化炭化水素基、複素環基、置換複素環基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、アラルキルオキシ基、置換アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、置換アリールオキシ基、アシル基、置換アシル基、アルコキシ基、置換アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、置換アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、置換アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、置換アラルキルオキシカルボニル基、アルキレンジオキシ基、ニトロ基、置換アミノ基、シアノ基、スルホニル基、置換シリル基等が挙げられる。
炭化水素基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基等が挙げられ、アルキル基、アリール基、アラルキル基等が好ましい。アルキル基、アリール基、アラルキル基は上記で説明した各基と同じである。
【００１６】
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
ハロゲン化炭化水素基は、上記炭化水素基の少なくとも１個の水素原子がハロゲン化（例えばフッ素化、塩素化、臭素化、ヨウ素化等）された基が挙げられる。そのようなハロゲン化炭化水素基の具体例としては、例えば、炭素数１〜１０のハロゲン化アルキル基が挙げられ、その具体例としては、クロロメチル基、ブロモメチル基、２−クロロエチル基、３−ブロモプロピル基、フルオロメチル基、フルオロエチル基、フルオロプロピル基、フルオロブチル基、フルオロペンチル基、フルオロヘキシル基、フルオロヘプチル基、フルオロオクチル基、フルオロノニル基、フルオロデシル基、ジフルオロメチル基、ジフルオロエチル基、フルオロシクロヘキシル基、トリフルオロメチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基、ペンタフルオロエチル基、３，３，４，４，４−ペンタフルオロブチル基、ペルフルオロ−ｎ−プロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロ−ｎ−ブチル基、ペルフルオロイソブチル基、ペルフルオロ−ｔｅｒｔ−ブチル基、ペルフルオロ−ｓｅｃ−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロイソペンチル基、ペルフルオロ−ｔｅｒｔ−ペンチル基、ペルフルオロ−ｎ−ヘキシル基、ペルフルオロイソヘキシル基、ペルフルオロヘプチル基、ペルフルオロオクチル基、ペルフルオロノニル基、ペルフルオロデシル基、２−ペルフルオロオクチルエチル基、ペルフルオロシクロプロピル基、ペルフルオロシクロペンチル基、ペルフルオロシクロヘキシル基等が挙げられる。
【００１７】
アルコキシ基としては、直鎖状でも分岐状でも或いは環状でもよい。例えば炭素数１〜２０、好ましくは炭素数１〜６のアルコキシ基が挙げられる。そのようなアルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、２−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、２−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、２−メチルブトキシ基、３−メチルブトキシ基、２，２−ジメチルプロピルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、２−メチルペンチルオキシ基、３−メチルペンチルオキシ基、４−メチルペンチルオキシ基、５−メチルペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。置換アルコキシ基としては、前記アルコキシ基の少なくとも１個の水素原子が上記置換基で置換されたアルコキシ基が挙げられる。
アリールオキシ基としては、炭素数６〜２０のアリールオキシ基が挙げられ、そのようなアリールオキシ基の具体例としては、例えば、フェニルオキシ基、ナフチルオキシ基、アントリルオキシ基等が挙げられる。置換アリールオキシ基としては、前記アリールオキシ基の少なくとも１個の水素原子が上記置換基で置換されたアリールオキシ基が挙げられる。
アラルキルオキシ基としては、例えば炭素数７〜２０のアラルキルオキシ基が挙げられる。そのようなアラルキルオキシ基の具体例としては、ベンジルオキシ基、２−フェニルエトキシ基、１−フェニルプロポキシ基、２−フェニルプロポキシ基、３−フェニルプロポキシ基、１−フェニルブトキシ基、２−フェニルブトキシ基、３−フェニルブトキシ基、４−フェニルブトキシ基、１−フェニルペンチルオキシ基、２−フェニルペンチルオキシ基、３−フェニルペンチルオキシ基、４−フェニルペンチルオキシ基、５−フェニルペンチルオキシ基、１−フェニルヘキシルオキシ基、２−フェニルヘキシルオキシ基、３−フェニルヘキシルオキシ基、４−フェニルヘキシルオキシ基、５−フェニルヘキシルオキシ基、６−フェニルヘキシルオキシ基等が挙げられる。置換アラルキルオキシ基としては、前記アラルキルオキシ基の少なくとも１個の水素原子が上記置換基で置換されたアラルキルオキシ基が挙げられる。
【００１８】
複素環基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、スルホニル基、置換シリル基は上記で説明した各基と同じである。
アシルオキシ基としては、脂肪族カルボン酸類、芳香族カルボン酸類等のカルボン酸由来の例えば炭素数２〜２０のアシルオキシ基が挙げられる。そのようなアシルオキシ基の具体例としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ペンタノイルオキシ基、ヘキサノイルオキシ基、ラウロイルオキシ基、ステアロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基等が挙げられる。
【００１９】
置換アミノ基としては、アミノ基の１個又は２個の水素原子が保護基等の置換基で置換されたアミノ基が挙げられる。保護基としては、アミノ保護基として用いられるものであれば何れも使用可能であり、例えば「ＰＲＯＴＥＣＴＩＶＥ ＧＲＯＵＰＳ ＩＮ ＯＲＧＡＮＩＣ ＳＹＮＴＨＥＳＩＳ ＴＨＩＲＤ ＥＤＩＴＩＯＮ（ＪＯＨＮ ＷＩＬＥＹ ＆ ＳＯＮＳ、ＩＮＣ．（１９９９）」にアミノ保護基として記載されているものが挙げられる。そのようなアミノ保護基の具体例としては、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、スルホニル基等が挙げられる。
上記アミノ保護基におけるアルキル基、アリール基及びアラルキル基は上記炭化水素基で説明した各基と同じである。また、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基及びアラルキルオキシカルボニル基も上記で説明した各基と同じである。
上記アミノ保護基としてのスルホニル基としては、上記置換基におけるスルホニル基と同意義であってよい。
【００２０】
アルキル基で置換されたアミノ基、即ちアルキル基置換アミノ基の具体例としては、Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルアミノ基、Ｎ−シクロヘキシルアミノ基等のモノ又はジアルキルアミノ基が挙げられる。アリール基で置換されたアミノ基、即ちアリール基置換アミノ基の具体例としては、Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ基、Ｎ−ナフチルアミノ基、Ｎ−ナフチル−Ｎ−フェニルアミノ基等のモノ又はジアリールアミノ基が挙げられる。アラルキル基で置換されたアミノ基、即ちアラルキル基置換アミノ基の具体例としては、例えばＮ−ベンジルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等のモノ又はジアラルキルアミノ基が挙げられる。アシル基で置換されたアミノ基、即ちアシルアミノ基の具体例としては、例えばホルミルアミノ基、アセチルアミノ基、プロピオニルアミノ基、ピバロイルアミノ基、ペンタノイルアミノ基、ヘキサノイルアミノ基、ベンゾイルアミノ基等が挙げられる。アルコキシカルボニル基で置換されたアミノ基、即ちアルコキシカルボニルアミノ基の具体例としては、例えばメトキシカルボニルアミノ基、エトキシカルボニルアミノ基、ｎ−プロポキシカルボニルアミノ基、ｎ−ブトキシカルボニルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ基、ペンチルオキシカルボニルアミノ基、ヘキシルオキシカルボニルアミノ基等が挙げられる。
【００２１】
アリールオキシカルボニル基で置換されたアミノ基、即ちアリールオキシカルボニルアミノ基の具体例としては、例えばアミノ基の１個の水素原子が前記したアリールオキシカルボニル基で置換されたアミノ基が挙げられ、その具体例としてフェノキシカルボニルアミノ基、ナフチルオキシカルボニルアミノ基等が挙げられる。
アラルキルオキシカルボニル基で置換されたアミノ基、即ちアラルキルオキシカルボニルアミノ基の具体例としては、例えばベンジルオキシカルボニルアミノ基等が挙げられる。
スルホニル基置換アミノ基の具体例としては、−ＮＨＳＯ２ＣＨ３、−ＮＨＳＯ２Ｃ６Ｈ５、−ＮＨＳＯ２Ｃ６Ｈ４ＣＨ３、−ＮＨＳＯ２ＣＦ３、−ＮＨＳＯ２Ｎ（ＣＨ３）２等が挙げられる。
【００２２】
置換基がアルキレンジオキシ基である場合は、例えば上記アリール基やアラルキル基中の芳香環の隣接した２個の水素原子がアルキレンジオキシ基で置換されて形成される。アルキレンジオキシ基としては、例えば炭素数１〜３のアルキレンジオキシ基が挙げられ、そのようなアルキレンジオキシ基の具体例としては、メチレンジオキシ基、エチレンジオキシ基、トリメチレンジオキシ基、プロピレンジオキシ基等が挙げられる。
置換炭化水素基、置換複素環基、置換アルコキシ基、置換アラルキルオキシ基、置換アリールオキシ基、置換アシル基、置換アシルオキシ基、置換アルコキシカルボニル基、置換アリールオキシカルボニル基及び置換アラルキルオキシカルボニル基は、上記炭化水素基、複素環基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基及びアラルキルオキシカルボニル基の夫々の少なくとも１個の水素原子が上記置換基で置換された各基が挙げられる。
【００２３】
Ｒ２で示されるアルキル基としては、直鎖状でも、分岐状でもよい、例えば炭素数１〜４のアルキル基が挙げられる。そのようなアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、２−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等が挙げられる。
Ｒ３で示される炭化水素基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基等が挙げられ、アルキル基、アリール基、アラルキル基等が好ましい。アルキル基、アリール基、アラルキル基は上記で説明した各基と同じである。
Ｒ５〜Ｒ８で示される置換基としては、炭化水素基、置換炭化水素基、複素環基、置換複素環基等が挙げられる。炭化水素基、置換炭化水素基、複素環基、置換複素環基は、上記Ｒ１における保護基で説明した各基と同意義であってよい。
【００２４】
本発明で用いられる上記一般式（１）で表されるベンズアルデヒド類（以下、必要に応じて、ベンズアルデヒド（１）、と云う。）の具体例としては、４−ベンジルオキシベンズアルデヒド、４−ｔｅｒｔ−ブトキシベンズアルデヒド、４−ベンジルオキシ−３−メチルベンズアルデヒド、４−ベンジルオキシ−３−メトキシベンズアルデヒド、４−［２−（９Ｈ−アクリジン−１０−イル）エトキシ］ベンズアルデヒド、４−［３−（４−フェノキシフェノキシ）プロポキシ］ベンズアルデヒド、４−（２−ブロモエトキシ）ベンズアルデヒド、４−（２−クロロエトキシ）ベンズアルデヒド、４−（２−クロロプロポキシ）ベンズアルデヒド、４−（２−ヨードエトキシ）ベンズアルデヒド、４−（２−ヨードプロポキシ）ベンズアルデヒド、４−（２−ヒドロキシエトキシ）ベンズアルデヒド、４−（２−ヒドロキシプロポキシ）ベンズアルデヒド等が挙げられる。
【００２５】
本発明で用いられる上記一般式（２）で表されるグリコール酸誘導体（以下、必要に応じて、グリコール酸誘導体（２）、と云う。）の具体例としては、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸プロピル、メトキシ酢酸イソプロピル、メトキシ酢酸ブチル、メトキシ酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸プロピル、エトキシ酢酸イソプロピル、エトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、プロポキシ酢酸メチル、プロポキシ酢酸エチル、プロポキシ酢酸プロピル、プロポキシ酢酸イソプロピル、プロポキシ酢酸ブチル、プロポキシ酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、ブトキシ酢酸メチル、ブトキシ酢酸エチル、ブトキシ酢酸プロピル、ブトキシ酢酸イソプロピル、ブトキシ酢酸ブチル、ブトキシ酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブトキシ酢酸メチル、ｔｅｒｔ−ブトキシ酢酸エチル、ｔｅｒｔ−ブトキシ酢酸プロピル、ｔｅｒｔ−ブトキシ酢酸イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブトキシ酢酸ブチル、ｔｅｒｔ−ブトキシ酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、イソプロポキシ酢酸メチル、イソプロポキシ酢酸エチル、イソプロポキシ酢酸プロピル、イソプロポキシ酢酸イソプロピル、イソプロポキシ酢酸ブチル、イソプロポキシ酢酸ｔｅｒｔ−ブチル等が挙げられる。
【００２６】
本発明で用いられる上記一般式（４）で表されるけい皮酸類又はその塩（以下、必要に応じて、けい皮酸類（４）、と云う。）における、上記一般式（４）で表されるけい皮酸類の具体例としては、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−エトキシアクリル酸、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−プロポキシアクリル酸、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−イソプロポキシアクリル酸、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−ブトキシアクリル酸、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−ｔｅｒｔ−ブトキシアクリル酸、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−ｔｅｒｔ−ブトキシアクリル酸、３−（４−ベンジルオキシ−３−メトキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸、３−（４−ベンジルオキシ−３−メチルフェニル）−２−メトキシアクリル酸、２−メトキシ−３−｛４−［３−（４−フェノキシフェノキシ）−プロポキシフェニル］アクリル酸、３−｛４−［２−（９Ｈ−アクリジン−１０−イル）エトキシ］フェニル｝−２−メトキシアクリル酸、３−［４−（２−ブロモエトキシ）フェニル］−２−メトキシアクリル酸、３−［４−（２−ブロモプロポキシ）フェニル］−２−メトキシアクリル酸、３−［４−（２−クロロエトキシ）フェニル］−２−メトキシアクリル酸、３−［４−（２−クロロプロポキシ）フェニル］−２−メトキシアクリル酸、３−［４−（２−ヨードエトキシ）フェニル］−２−メトキシアクリル酸、３−［４−（２−ヨードプロポキシ）フェニル］−２−メトキシアクリル酸、３−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル］−２−メトキシアクリル酸、３−［４−（２−ヒドロキシプロポキシ）フェニル］−２−メトキシアクリル酸等が挙げられる。
【００２７】
一般式（４）で表されるけい皮酸類の塩は、アルカリ金属又はアルカリ土類金属塩等の金属塩やアンモニウム塩等が挙げられる。これらの塩を構造式で表すと、例えば、一般式（４−１）
【化３１】
（式中、Ｒ４はアルカリ金属又はアルカリ土類金属等の金属原子を示し、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表されるけい皮酸類のアルカリ金属塩又はアルカリ土類金属塩等の金属塩、一般式（４−２）
【化３２】
（式中、Ｘａはアミンを示し、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表されるけい皮酸類のアミン塩等で示される。
【００２８】
Ｒ４で示されるアルカリ金属としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム等が挙げられる。
アルカリ土類金属としては、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、ベリリウム等が挙げられる。
Ｘａで示されるアミンとしては、アンモニア、例えば、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、シクロヘキシルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジイソプロピルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ジ（２−エチルヘキシル）アミン、ヘキサデシルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、Ｎ−メチルモルホリン等の脂肪族アミン類、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ピリジン、４−ジメチルアミノピリジン等の芳香族アミン類、例えばピペリジン等の飽和複素環アミン類等が挙げられる。
【００２９】
一般式（４−１）で表されるけい皮酸類のアルカリ金属塩及びアルカリ土類金属塩等の金属塩の具体例としては、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸ナトリウム、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸リチウム、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸カリウム、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸ルビジウム、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸セシウム、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸ベリリウム、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸マグネシウム、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸カリウム、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸ストロンチウム、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸バリウム等が挙げられる。
【００３０】
一般式（４−２）で表されるけい皮酸類のアミン塩の具体例としては、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のアンモニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のメチルアンモニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のエチルアンモニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のプロピルアンモニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のブチルアンモニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のシクロヘキシルアンモニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のジエチルアンモニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のジイソプロピルアンモニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のトリメチルアンモニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のトリエチルアンモニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のトリブチルアンモニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のピリジニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のジメチルアミノピリジニウム塩等が挙げられる。
【００３１】
本発明で用いられる一般式（５）で表される光学活性フェニルプロピオン酸類又はその塩（以下、必要に応じて、光学活性フェニルプロピオン酸類（５）、と云う。）における、上記一般式（５）で表される光学活性フェニルプロピオン酸類の具体例としては、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−エトキシプロピオン酸、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−プロポキシプロピオン酸、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−イソプロポキシプロピオン酸、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−ブトキシプロピオン酸、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−ｔｅｒｔ−ブトキシプロピオン酸、３−（４−ベンジルオキシフェニル−３−メトキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸、３−（４−ベンジルオキシ−３−メチルフェニル）−２−メトキシプロピオン酸、２−メトキシ−３−｛４−［３−（４−フェノキシフェノキシ）プロポキシフェニル］プロピオン酸、３−｛４−［２−（９Ｈ−アクリジン−１０−イル）エトキシ］フェニル｝−２−メトキシプロピオン酸等が挙げられる。
【００３２】
一般式（５）で表される光学活性フェニルプロピオン酸類の塩は、アルカリ金属塩又はアルカリ土類金属塩等の金属塩やアンモニウム塩等が挙げられる。これらの塩を構造式で表すと、一般式（５−１）
【化３３】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５〜Ｒ８及び＊は前記と同意義を有する。）で表される光学活性フェニルプロピオン酸類のアルカリ金属塩又はアルカリ土類金属塩等の金属塩、及び一般式（５−２）
【化３４】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５〜Ｒ８、Ｘａ及び＊は前記と同意義を有する。）で表される光学活性フェニルプロピオン酸類のアミン塩等で示される。
【００３３】
一般式（５−１）で表される光学活性フェニルプロピオン酸類のアルカリ金属及びアルカリ土類金属塩等の金属塩の具体例としては、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸ナトリウム、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸リチウム、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸カリウム、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸ルビジウム、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸セシウム、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸ベリリウム、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸マグネシウム、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸カリウム、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸ストロンチウム、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸バリウム等が挙げられる。
【００３４】
一般式（５−２）で表される光学活性フェニルプロピオン酸類のアミン塩の具体例としては、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸のアンモニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸のメチルアンモニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸のエチルアンモニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸のプロピルアンモニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸のブチルアンモニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸のシクロヘキシルアンモニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸のジメチルアンモニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸のジエチルアンモニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸のジイソプロピルアンモニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸のトリメチルアンモニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸のトリエチルアンモニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸のトリブチルアンモニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸のピリジニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸のジメチルアミノピリジニウム塩等が挙げられる。
【００３５】
本発明で用いられる上記一般式（７）で表される４−ヒドロキシベンズアルデヒド類（以下、必要に応じて、４−ヒドロキシベンズアルデヒド類（７）、と云う。）の具体例としては、４−ヒドロキシベンズアルデヒド、２−メチル−４−ヒドロキシベンズアルデヒド、３−メチル−４−ヒドロキシベンズアルデヒド、２−エチル−４−ヒドロキシベンズアルデヒド、３−エチル−４−ヒドロキシベンズアルデヒド、２−メトキシ−４−ヒドロキシベンズアルデヒド、３−メトキシ−４−ヒドロキシベンズアルデヒド、２−ニトロ−４−ヒドロキシベンズアルデヒド、３−ニトロ−４−ヒドロキシベンズアルデヒド、３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンズアルデヒド、２−ニトロ−４−ヒドロキシベンズアルデヒド、３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンズアルデヒド等が挙げられる。
【００３６】
上記一般式（９）で表される４−ヒドロキシけい皮酸類又はその塩（以下、必要に応じて、４−ヒドロキシけい皮酸類（９）、と云う。）における上記一般式（９）で表される４−ヒドロキシけい皮酸類の具体例としては、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−エトキシプロピオン酸、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−プロポキシプロピオン酸、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−イソプロポキシプロピオン酸、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−ブトキシプロピオン酸、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−ｔｅｒｔ−ブトキシプロピオン酸等が挙げられる。
【００３７】
一般式（９）で表される４−ヒドロキシけい皮酸類の塩は、アルカリ金属塩又はアルカリ土類金属塩等の金属塩、アンモニウム塩等が挙げられる。これらの塩を構造式で表すと、一般式（９−１）
【化３５】
（式中、Ｒ２、Ｒ４及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表される４−ヒドロキシけい皮酸類のアルカリ金属塩やアルカリ土類金属塩等の金属塩、一般式（９−２）
【化３６】
（式中、Ｒ２、Ｒ５〜Ｒ８及びＸａは前記と同意義を有する。）で表される４−ヒドロキシけい皮酸類のアミン塩等で示される。
【００３８】
一般式（９−１）で表される４−ヒドロキシけい皮酸類のアルカリ金属塩及びアルカリ土類金属塩等の金属塩の具体例としては、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸ナトリウム、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸リチウム、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸カリウム、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸ルビジウム、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸セシウム、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸ベリリウム、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸マグネシウム、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸カルシウム、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸ストロンチウム、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸バリウム等が挙げられる。
【００３９】
一般式（９−２）で表される４−ヒドロキシけい皮酸類のアミン塩の具体例としては、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のアンモニウム塩、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のメチルアンモニウム塩、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のエチルアンモニウム塩、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のプロピルアンモニウム塩、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のブチルアンモニウム塩、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のシクロヘキシルアンモニウム塩、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のジメチルアンモニウム塩、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のジエチルアンモニウム塩、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のジイソプロピルアンモニウム塩、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のトリメチルアンモニウム塩、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のトリエチルアンモニウム塩、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のトリブチルアンモニウム塩、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のピリジニウム塩、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のジメチルアミノピリジニウム塩等が挙げられる。
【００４０】
本発明の製造方法で得られる上記一般式（６）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩（以下、必要に応じて、３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類（６）、と云う。）における、一般式（６）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類の具体例としては、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−エトキシプロピオン酸、３−（４−ヒドロオキシフェニル）−２−プロポキシプロピオン酸、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−イソプロポキシキシプロピオン酸、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−ブトキシプロピオン酸、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−ｔｅｒｔ−ブトキシプロピオン酸等が挙げられる。
【００４１】
一般式（６）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類の塩は、アルカリ金属塩又はアルカリ土類金属塩等の金属塩及びアンモニウム塩等が挙げられる。これらの塩を構造式で表すと、一般式（６−１）
【化３７】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５〜Ｒ８及び＊は前記と同意義を有する。）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類のアルカリ金属塩及びアルカリ土類金属塩等の金属塩、一般式（６−２）
【化３８】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５〜Ｒ８、Ｘａ及び＊は前記と同意義を有する。）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類のアミン塩等で示される。
【００４２】
一般式（６−１）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類のアルカリ金属塩及びアルカリ土類金属塩等の金属塩の具体例としては、３−(４−ヒドロキシフェニル)−２−メトキシプロピオン酸ナトリウム、３−(４−ヒドロキシフェニル)−２−メトキシプロピオン酸リチウム、３−(４−ヒドロキシフェニル)−２−メトキシプロピオン酸カリウム、３−(４−ヒドロキシフェニル)−２−メトキシプロピオン酸ルビジウム、３−(４−ヒドロキシフェニル)−２−メトキシプロピオン酸セシウム、３−(４−ヒドロキシフェニル)−２−メトキシプロピオン酸ベリリウム、３−(４−ヒドロキシフェニル)−２−メトキシプロピオン酸マグネシウム、３−(４−ヒドロキシフェニル)−２−メトキシプロピオン酸カルシウム、３−(４−ヒドロキシフェニル)−２−メトキシプロピオン酸ストロンチウム、３−(４−ヒドロキシ−フェニル)−２−メトキシプロピオン酸バリウム等が挙げられる。
【００４３】
一般式（６−２）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類のアミン塩の具体例としては、３−(４−ヒドロキシフェニル)−２−メトキシプロピオン酸のアンモニウム塩、３−(４−ヒドロキシフェニル)−２−メトキシプロピオン酸のメチルアンモニウム塩、３−(４−ヒドロキシフェニル)−２−メトキシプロピオン酸のエチルアンモニウム塩、３−(４−ヒドロキシフェニル)−２−メトキシプロピオン酸のプロピルアンモニウム塩、３−(４−ヒドロキシフェニル)−２−メトキシプロピオン酸のブチルアンモニウム塩、３−(４−ヒドロキシフェニル)−２−メトキシプロピオン酸のシクロヘキシルアンモニウム塩、３−(４−ヒドロキシフェニル)−２−メトキシプロピオン酸のジメチルアンモニウム塩、３−(４−ヒドロキシフェニル)−２−メトキシプロピオン酸のジエチルアンモニウム塩、３−(４−ヒドロキシフェニル)−２−メトキシプロピオン酸のジイソプロピルアンモニウム塩、３−(４−ヒドロキシフェニル)−２−メトキシプロピオン酸のトリメチルアンモニウム塩、３−(４−ヒドロキシフェニル)−２−メトキシプロピオン酸のトリエチルアンモニウム塩、３−(４−ヒドロキシフェニル)−２−メトキシプロピオン酸のトリブチルアンモニウム塩、３−(４−ヒドロキシフェニル)−２−メトキシプロピオン酸のピリジニウム塩、３−(４−ヒドロキシフェニル)−２−メトキシプロピオン酸のジメチルアミノピリジニウム塩等が挙げられる。
【００４４】
本発明の製造方法を下記スキームを用いて説明する。
スキーム１
【化３９】
【００４５】
一般式（４）で表されるけい皮酸類又はその塩は、一般式（１）で表されるベンズアルデヒド類とグリコール酸誘導体（２）とを適当な溶媒中、塩基の存在下で反応させた後、加水分解することにより製造することができる。
グリコール酸誘導体（２）の使用量は、一般式（１）で表されるベンズアルデヒド類に対して、通常１〜１０当量、好ましくは１〜５当量の範囲から適宜選択される。
【００４６】
溶媒としては、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、ｏ−ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、ジメトキシエタン、エチレングリコールジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン等のエーテル類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；メタノール、エタノール、２−プロパノール、ｎ−ブタノール、２−エトキシエタノール等のアルコール類；エチレングリコール、プロピレングリコール、１，２−プロパンジオール、グリセリン等の多価アルコール類；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類；アセトニトリル等の含シアノ有機化合物類等が挙げられる。これら溶媒は、夫々単独で用いても二種以上適宜組み合わせて用いてもよい。
溶媒の使用量は、ベンズアルデヒド類（１）に対して、通常０．１〜１００倍量、好ましくは１〜２０倍量の範囲から適宜選択される。
【００４７】
塩基としては、無機塩基、有機塩基等が挙げられる。無機塩基としては、炭酸カリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム等が挙げられる。有機塩基としては、カリウムメトキシド、ナトリウムメトキシド、リチウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムイソプロポキシド、カリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、カリウムナフタレニド、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、酢酸マグネシウム、酢酸カルシウム等のアルカリ／アルカリ土類金属の塩、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ピペリジン、ピリジン、４−ジメチルアミノピリジン、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン、トリ−ｎ−ブチルアミン、Ｎ−メチルモルホリン等の有機アミン類；水素化ナトリウム、水素化ホウ素ナトリウム、水素化リチウムアルミニウム等の金属水素化物類；臭化メチルマグネシウム、臭化エチルマグネシウム、臭化プロピルマグネシウム、メチルリチウム、エチルリチウム、プロピルリチウム、ｎ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム等の有機金属化合物類、４級アンモニウム塩等が挙げられる。
塩基の使用量は、グリコール酸誘導体（２）に対して、通常０．０１〜１０当量、好ましくは１〜５当量の範囲から適宜選択される。
【００４８】
反応温度は、通常０℃〜使用する溶媒の沸点、好ましくは２０〜８０℃の範囲から適宜選択される。
反応時間は、通常０．１〜４８時間、好ましくは１〜１０時間の範囲から適宜選択される。
【００４９】
ベンズアルデヒド類（１）とグリコール酸誘導体（２）との反応は、任意の後処理及び精製をした後に、あるいは後処理及び精製を経ることなく、一般式（３）
【化４０】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表されるけい皮酸エステル類（以下、必要に応じて、けい皮酸エステル類（３）、と云う。）を単離した後、加水分解することによりけい皮酸類（４）を製造してもよい。あるいは、けい皮酸エステル類（３）を単離せずに、水、アルコール及び／又は上記塩基を加えて加水分解してもよい。
加水分解は、当該分野で通常用いられている方法によって実施することができる。
【００５０】
加水分解は、例えば、けい皮酸エステル類（３）をアルコール中で水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の上記塩基のアルカリ水溶液の存在下、あるいは、アルコールと水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の上記塩基との混合物中でも加水分解を実施することができる。
【００５１】
アルコールの具体例としては、例えば、メタノール、エタノール、２−プロパノール、ｎ−ブタノール、２−エトキシエタノール等が挙げられる。
塩基の使用量は、けい皮酸エステル類（３）に対して、通常０．１〜１０倍量、好ましくは１〜５倍量の範囲から適宜選択される。
水の使用量は、けい皮酸エステル類（３）に対して、通常０．１〜１００倍量、好ましくは１〜２０倍量の範囲から適宜選択される。
アルコールの使用量は、けい皮酸エステル類（３）に対して、通常０．１〜１００倍量、好ましくは１〜２０倍量の範囲から適宜選択される。
加水分解の温度は、通常０℃〜使用する溶媒の沸点、好ましくは２０〜６０℃の範囲から適宜選択される。
加水分解の時間は、通常０．５〜１０時間、好ましくは１〜５時間の範囲から適宜選択される。
【００５２】
けい皮酸エステル類（３）の具体例としては、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸メチル、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸エチル、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸プロピル、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸ブチル、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸ｔｅｒｔ−ブチル、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−エトキシアクリル酸メチル、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−エトキシアクリル酸エチル、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−エトキシアクリル酸プロピル、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−エトキシアクリル酸ブチル、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−エトキシアクリル酸ｔｅｒｔ−ブチル、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−プロポキシアクリル酸メチル、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−プロポキシアクリル酸エチル、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−プロポキシアクリル酸プロピル、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−プロポキシアクリル酸ブチル、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−プロポキシアクリル酸ｔｅｒｔ−ブチル、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−ブトキシアクリル酸メチル、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−ブトキシアクリル酸エチル、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−ブトキシアクリル酸プロピル、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−ブトキシアクリル酸ブチル、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−ブトキシアクリル酸ｔｅｒｔ−ブチル等が挙げられる。
【００５３】
得られた一般式（４）で表されるけい皮酸類又はその塩は、カルボキシ基フリーの一般式（４）で表されるけい皮酸類、及び一般式（４−１）で表されるけい皮酸類の金属塩及び／又は一般式（４−２）で表されるけい皮酸類のアミン塩との混合物であってもよい。
また、得られた一般式（４）で表されるけい皮酸類は、必要に応じて、上記塩基の水溶液を用いて、前記一般式（４）で表されるけい皮酸類を上記一般式（４−１）で表されるけい皮酸類の金属塩又は一般式（４−２）で表されるけい皮酸類のアミン塩としても、あるいは一般式（４）で表されるけい皮酸類の塩とは異なる塩を形成させてもよい。
尚、けい皮酸類（４）は、必要に応じて後処理を行ってもよく、あるいは何らの後処理、単離をすることなく次の反応に付してもよい。
【００５４】
光学活性フェニルプロピオン酸類（５）は、けい皮酸類（４）を不斉水素化反応させることにより製造することができる。
不斉水素化反応は、不斉触媒の存在下で行うことにより、光学活性フェニルプロピオン酸類（５）を効率よくかつ不斉収率よく得ることができる。不斉触媒は、不斉水素化触媒が好ましい。
不斉水素化触媒は、不斉遷移金属錯体が好ましく用いられる。前記不斉遷移金属錯体は、遷移金属と不斉配位子とを含有する錯体が好ましく用いられ、また、該不斉遷移金属錯体はｉｎ ｓｉｔｕで水素化反応に用いてもよい。
前記遷移金属錯体における遷移金属は、元素周期表の第８〜１０族の金属が好ましい。
【００５５】
遷移金属錯体としては、例えば下記一般式（１３）又は（１４）で表される化合物が挙げられる。
ＭｍＬｎＸｐＹｑ （１３）
［ＭｍＬｎＸｐＹｑ］Ｚｓ （１４）
上記式中、Ｍは元素周期表の第８〜１０族の遷移金属を示し、Ｌは不斉配位子を示し、Ｘはハロゲン原子、カルボキシラート基、アリル基、１，５−シクロオクタジエン基又はノルボルナジエン基を示し、Ｙは配位子を示し、Ｚはアニオン又はカチオンを示し、ｍ、ｎ、ｐ、ｑ及びｓは０〜５の整数を示す。
【００５６】
一般式（１３）及び（１４）において、Ｍで示される元素周期表の第８〜１０族の遷移金属としては、同一又は異なって、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）等が挙げられる。
Ｌで示される不斉配位子は、同一又は異なって、単座配位子、二座配位子等が挙げられる。好ましい不斉配位子は、光学活性ホスフィン配位子等が挙げられ、より好ましい不斉配位子は光学活性二座ホスフィン配位子等が挙げられる。
【００５７】
光学活性二座ホスフィン配位子としては、例えば下記一般式（１５）で表されるホスフィン化合物が挙げられる。
Ｒ２１Ｒ２２Ｐ−Ｑ−ＰＲ２３Ｒ２４ （１５）
（式中、Ｒ２１〜Ｒ２４は夫々独立して、炭化水素基、置換炭化水素基、複素環基又は置換複素環基を示し、Ｑはスペーサーを示す。）
【００５８】
Ｒ２１〜Ｒ２４で示される炭化水素基、置換炭化水素基、複素環基又は置換複素環基としては、上記一般式（１）におけるＲ１及びＲ５〜Ｒ８で説明した各基と同意義であってよい。
Ｑで示されるスペーサーとしては、アルキレン基、アリーレン基等の置換基を有していてもよい２価の有機基等が挙げられる。
アルキレン基としては、例えば、炭素数１〜６のアルキレン基が挙げられ、そのような基の具体例としてはメチレン基、エチレン基、トリメチレン基、プロピレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基等が挙げられる。アリーレン基としては、例えば、炭素数６〜２０のアリーレン基が挙げられ、そのようなアリーレン基の具体例としては、フェニレン基、ビフェニルジイル基、ビナフタレンジイル基等が挙げられる。これら２価の有機基は上記したような置換基で置換されていてもよい。また、前記２価の有機基は、該有機基の末端又は鎖中の任意の位置に酸素原子、カルボニル基等の基を少なくとも１個有していてもよい。
【００５９】
そのような不斉配位子の具体例としては、シクロヘキシルアニシルメチルホスフィン（ＣＡＭＰ）、１，２−ビス（アニシルフェニルホスフィノ）エタン（ＤＩＰＡＭＰ）、１，２−ビス（アルキルメチルホスフィノ）エタン（ＢｉｓＰ＊）、２，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン（ＣＨＩＲＡＰＨＯＳ）、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン（ＰＲＯＰＨＯＳ）、２，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）−５−ノルボルネン（ＮＯＲＰＨＯＳ）、２，３−Ｏ−イソプロピリデン−２，３−ジヒドロキシ−１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン（ＤＩＯＰ）、１−シクロヘキシル−１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン（ＣＹＣＰＨＯＳ）、１−置換−３，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ピロリジン（ＤＥＧＰＨＯＳ）、２，４−ビス−（ジフェニルホスフィノ）ペンタン（ＳＫＥＷＰＨＯＳ）、１，２−ビス（置換ホスホラノ）ベンゼン（ＤｕＰＨＯＳ）、１，２−ビス（置換ホスホラノ）エタン（ＢＰＥ）、１−（置換ホスホラノ）−２−（ジフェニルホスフィノ）ベンゼン（ＵＣＡＰ−Ｐｈ）、１−（ビス（３，５−ジメチルフェニル）ホスフィノ）−２−（置換ホスホラノ）ベンゼン（ＵＣＡＰ−ＤＭ）、１−（置換ホスホラノ）−２−（ビス（３，５−ジ（ｔ−ブチル）−４−メトキシフェニル）ホスフィノ）ベンゼン（ＵＣＡＰ−ＤＴＢＭ）、１−（置換ホスホラノ）−２−（ジ−ナフタレン−１−イル−ホスフィノ）ベンゼン（ＵＣＡＰ−（１−Ｎａｐ））、１−［１’，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルアミン（ＢＰＰＦＡ）、１−［１’，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルアルコール（ＢＰＰＦＯＨ）、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ジシクロペンタン（ＢＩＣＰ）、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（ＢＩＮＡＰ）、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−（５，５’，６，６’，７，７’，８，８’，−オクタヒドロビナフチル）（Ｈ８−ＢＩＮＡＰ）、２，２’−ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（ＴＯＬ−ＢＩＮＡＰ）、２，２’−ビス（ジ（３，５−ジメチルフェニル）ホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−６，６’−ジメチル−１，１’−ビフェニル（ＢＩＣＨＥＰ）、［４，４’−ビ−１，３−ベンゾジオキソール］−５，５’−ジイルビス［ジフェニルホスフィン］（ＳＥＧＰＨＯＳ）、［４，４’−ビ−１，３−ベンゾジオキソール］−５，５’−ジイルビス［ビス（３，５−ジメチルフェニル）ホスフィン］ （ＤＭ−ＳＥＧＰＨＯＳ）、［（４Ｓ）−［４，４’−ビ−１，３−ベンゾジオキソール］−５，５’−ジイル］ビス［ビス［３，５−ビス（１，１−ジメチルエチル）−４−メトキシフェニル］ホスフィン］（ＤＴＢＭ−ＳＥＧＰＨＯＳ）等が挙げられる。
上記光学活性二座ホスフィン配位子の他に、ビス複素環化合物も不斉配位子として使用可能である。
【００６０】
Ｙで示される配位子としては、同一又は異なって、芳香族化合物、オレフィン化合物等の中性配位子、アミン類等が挙げられる。芳香族化合物の例としては、ベンゼン、ｐ−シメン、１，３，５−トリメチルベンゼン（メシチレン）、ヘキサメチルベンゼン等が挙げられ；オレフィン化合物の例としては、エチレン、１，５−シクロオクタジエン、シクロペンタジエン、ノルボルナジエン等が挙げられ；及びその他の中性配位子としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、アセトニトリル、ベンゾニトリル、アセトン、クロロホルム等が挙げられる。
アミン類としては１，２−ジフェニルエチレンジアミン（ＤＰＥＮ）、１，２−シクロヘキシルエチレンジアミン、１，２−ジアミノシクロヘキサン、エチレンジアミン、１，１−ビス（４−メトキシフェニル）−２−イソプロピルエチレンジアミン（ＤＡＩＰＥＮ）等のジアミン類、トリエチルアミン等の脂肪族アミン類、ピリジン等の芳香族アミン類等が挙げられる。
Ｘで示されるハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
【００６１】
一般式（１４）において、Ｚはアニオン又はカチオンを示す。Ｚで示されるアニオンの具体例としては、ＢＦ４、ＣｌＯ４、ＯＴｆ、ＰＦ６、ＳｂＦ６、ＢＰｈ４、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｉ３、スルホネート等が挙げられる。ここで、Ｔｆは、トリフラート基（ＳＯ２ＣＦ３）を示す。
カチオンは、例えば、下式
［（Ｒ）２ＮＨ２］＋
（式中、２個のＲは同一又は異なって、水素原子又は置換基を有していてもよい炭化水素基を示す。）で表すことができる。
上記式中、Ｒで示される置換基を有していてもよい炭化水素基は、前記した置換基を有していてもよい炭化水素基と同じである。Ｒで示される置換基を有していてもよい炭化水素基としては、好ましくは、炭素数１〜５のアルキル基、シクロアルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基又は置換基を有していてもよいベンジル基等が挙げられる。
上記式で表されるカチオンの具体例としては、例えば、［Ｍｅ２ＮＨ２］＋、［Ｅｔ２ＮＨ２］＋、［Ｐｒ２ＮＨ２］＋等が挙げられる。
【００６２】
以下に、上記遷移金属錯体の好ましい態様を詳細に説明する。
［１］一般式（１３）
ＭｍＬｎＸｐＹｑ （１３）
１）ＭがＩｒあるいはＲｈのとき、ＸはＣｌ、Ｂｒ又はＩであり、Ｌが単座配位子の場合にはｍ＝ｐ＝２、ｎ＝４、ｑ＝０であり、Ｌが二座配位子の場合にはｍ＝ｎ＝ｐ＝２、ｑ＝０である。
２）ＭがＲｕのとき、（ｉ）ＸはＣｌ、Ｂｒ又はＩであり、Ｙはトリアルキルアミノ基を示し、Ｌが単座配位子の場合にはｍ＝２、ｎ＝ｐ＝４、ｑ＝１であり、Ｌが二座配位子の場合にはｍ＝ｎ＝２、ｐ＝４、ｑ＝１であり、
（ｉｉ）ＸはＣｌ、Ｂｒ又はＩを示し、Ｙはピリジル基あるいは環置換ピリジル基を示し、Ｌが単座配位子の場合にはｍ＝１、ｎ＝ｐ＝２、ｑ＝２であり、Ｌが二座配位子の場合にはｍ＝ｎ＝１、ｐ＝２、ｑ＝２であり、
（ｉｉｉ）Ｘはカルボキシラート基であり、Ｌが単座配位子の場合にはｍ＝１、ｎ＝ｐ＝２、ｑ＝０であり、Ｌが二座配位子の場合にはｍ＝ｎ＝１、ｐ＝２、ｑ＝０であり、及び
（ｉｖ）ＸはＣｌ、Ｂｒ又はＩであり、Ｌが単座配位子の場合にはｍ＝ｐ＝２、ｎ＝４、ｑ＝０であり、Ｌが二座配位子の場合にはｍ＝ｎ＝ｐ＝２、ｑ＝０である。
３）ＭがＰｄのとき、（ｉ）ＸはＣｌ、Ｂｒ又はＩであり、Ｌが単座配位子の場合にはｍ＝１、ｎ＝２、ｐ＝２、ｑ＝０であり、Ｌが二座配位子の場合にはｍ＝ｎ＝１、ｐ＝２、ｑ＝０であり、及び
（ｉｉ）Ｘはアリル基であり、Ｌが単座配位子の場合にはｍ＝ｐ＝２、ｎ＝４、ｑ＝０であり、Ｌが二座配位子の場合にはｍ＝ｎ＝ｐ＝２、ｑ＝０である。
４）ＭがＮｉのとき、ＸはＣｌ、Ｂｒ又はＩであり、Ｌが単座配位子の場合にはｍ＝１、ｎ＝２、ｐ＝２、ｑ＝０であり、Ｌが二座配位子の場合にはｍ＝ｎ＝１、ｐ＝２、ｑ＝０である。
【００６３】
［２］一般式（１４）
［ＭｍＬｎＸｐＹｑ］Ｚｓ （１４）
１）ＭがＩｒあるいはＲｈのとき、Ｘは１，５−シクロオクタジエン又はノルボルナジエンであり、ＺはＢＦ４、ＣｌＯ４、ＯＴｆ、ＰＦ６、ＳｂＦ６又はＢＰｈ４であり、ｍ＝ｎ＝ｐ＝ｓ＝１、ｑ＝０又はｍ＝ｓ＝１、ｎ＝２、ｐ＝ｑ＝０である。
２）ＭがＲｕのとき、（ｉ）ＸはＣｌ、Ｂｒ又はＩであり、Ｙは芳香族化合物、オレフィン化合物等の中性配位子を示し、ＺはＣｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｉ３又はスルホネートであり、Ｌが単座配位子の場合にはｍ＝ｐ＝ｓ＝ｑ＝１、ｎ＝２であり、Ｌが二座配位子の場合にはｍ＝ｎ＝ｐ＝ｓ＝ｑ＝１であり、
（ｉｉ）ＺはＢＦ４、ＣｌＯ４、ＯＴｆ、ＰＦ６、ＳｂＦ６又はＢＰｈ４であり、Ｌが単座配位子の場合にはｍ＝１、ｎ＝２、ｐ＝ｑ＝０、ｓ＝２であり、Ｌが二座配位子の場合にはｍ＝ｎ＝１、ｐ＝ｑ＝０、ｓ＝２であり、及び
（ｉｉｉ）Ｚがアンモニウムイオンであり、Ｌが二座配位子の場合には、ｍ＝２、ｎ＝２、ｐ＝５、ｑ＝０である。
３）ＭがＰｄあるいはＮｉのとき、（ｉ）ＺはＢＦ４、ＣｌＯ４、ＯＴｆ、ＰＦ６、ＳｂＦ６又はＢＰｈ４であり、Ｌが単座配位子の場合にはｍ＝１、ｎ＝２、ｐ＝ｑ＝０、ｓ＝２であり、Ｌが二座配位子の場合にはｍ＝ｎ＝１、ｐ＝ｑ＝０、ｓ＝２である。
【００６４】
これらの遷移金属錯体は、公知の方法を用いて製造することができる。
尚、以下に示す遷移金属錯体の式中で使用されている記号は、それぞれ、Ｌは不斉配位子を、ｃｏｄは１，５−シクロオクタジエンを、ｎｂｄはノルボルナジエンを、Ｔｆはトリフラート基（ＳＯ２ＣＦ３）を、Ｐｈはフェニル基を、Ａｃはアセチル基を夫々示す。そのような遷移金属錯体の具体例としては、煩雑さを避けるために、不斉配位子として二座配位子を用いた遷移金属錯体のみを例示する。
【００６５】
ロジウム錯体：
ロジウム錯体は、日本化学会編「第４版 実験化学講座」、第１８巻、有機金属錯体、３３９−３４４頁、１９９１年（丸善）等に記載の方法に従って製造することができる。具体的には、ロジウム錯体はビス（シクロオクタ−１，５−ジエン）ロジウム（Ｉ）テトラフルオロホウ酸塩と不斉配位子とを反応させることにより得ることができる。
ロジウム錯体の具体例としては、例えば、以下のものを挙げることができる。
［Ｒｈ（Ｌ）Ｃｌ］２、［Ｒｈ（Ｌ）Ｂｒ］２、［Ｒｈ（Ｌ）Ｉ］２、［Ｒｈ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＢＦ４、［Ｒｈ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＣｌＯ４、［Ｒｈ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＰＦ６、［Ｒｈ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＢＰｈ４、［Ｒｈ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＯＴｆ、［Ｒｈ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＢＦ４、［Ｒｈ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＣｌＯ４、［Ｒｈ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＰＦ６、［Ｒｈ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＢＰｈ４、［Ｒｈ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＯＴｆ、［Ｒｈ（Ｌ）２］ＣｌＯ４、［Ｒｈ（Ｌ）２］ＰＦ６、［Ｒｈ（Ｌ）２］ＯＴｆ及び［Ｒｈ（Ｌ）２］ＢＦ４。
【００６６】
ルテニウム錯体：
ルテニウム錯体は、文献（Ｔ．Ｉｋａｒｉｙａら，Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，１９８５，９２２）及びその他の文献等に記載の方法に従って得ることができる。具体的には、ルテニウム錯体は［Ｒｕ（ｃｏｄ）Ｃｌ２］ｎと不斉配位子とをトリエチルアミンの存在下、トルエン溶媒中で加熱還流することにより製造することができる。
また、文献（Ｋ．Ｍａｓｈｉｍａら，Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，１９８９，１２０８）に記載の方法によっても得ることができる。具体的には、ルテニウム錯体は［Ｒｕ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）Ｉ２］２と不斉配位子とを塩化メチレン及びエタノール中で加熱撹拌することにより得ることができる。そのようなルテニウム錯体の具体例としては、例えば、以下のものを挙げることができる。
Ｒｕ（ＯＡｃ）２（Ｌ）、Ｒｕ２Ｃｌ４（Ｌ）２ＮＥｔ３、［ＲｕＣｌ（ｂｅｎｚｅｎｅ）（Ｌ）］Ｃｌ、［ＲｕＢｒ（ｂｅｎｚｅｎｅ）（Ｌ）］Ｂｒ、［ＲｕＩ（ｂｅｎｚｅｎｅ）（Ｌ）］Ｉ、［ＲｕＣｌ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（Ｌ）］Ｃｌ、［ＲｕＢｒ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（Ｌ）］Ｂｒ、［ＲｕＩ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（Ｌ）］Ｉ、［Ｒｕ（Ｌ）］（ＢＦ４）２、［Ｒｕ（Ｌ）］（ＣｌＯ４）２、［Ｒｕ（Ｌ）］（ＰＦ６）２、［Ｒｕ（Ｌ）］（ＢＰｈ４）２、［Ｒｕ（Ｌ）］（ＯＴｆ）２、Ｒｕ（ＯＣＯＣＦ３）２（Ｌ）、［｛ＲｕＣｌ（Ｌ）２｝（μ−Ｃｌ）３］［Ｍｅ２ＮＨ２］、［｛ＲｕＣｌ（Ｌ）｝２（μ−Ｃｌ）３］［Ｅｔ２ＮＨ２］、Ｒｕ（ＯＣＯＣＦ３）２（Ｌ）、［｛ＲｕＣｌ（Ｌ）２｝（μ−Ｃｌ）３］［Ｍｅ２ＮＨ２］、｛ＲｕＢｒ（Ｌ）２｝（μ−Ｃｌ）３］［Ｍｅ２ＮＨ２］、｛ＲｕＢｒ（Ｌ）２｝（μ−Ｃｌ）３］［Ｅｔ２ＮＨ２］、ＲｕＣｌ２（Ｌ）、ＲｕＢｒ２（Ｌ）、ＲｕＩ２（Ｌ）、ＲｕＣｌ２（Ｌ）（ｄｉａｍｉｎｅ）、ＲｕＢｒ２（Ｌ）（ｄｉａｍｉｉｎｅ）、ＲｕＩ２（Ｌ）（ｄｉａｍｉｎｅ）、［｛ＲｕＩ（Ｌ）｝２（μ−Ｉ）３］［Ｍｅ２ＮＨ２］、［｛ＲｕＩ（Ｌ）｝２（μ−Ｉ）３］［Ｅｔ２ＮＨ２］、ＲｕＣｌ２（Ｌ）（ｐｙｒｉｄｉｎｅ）、ＲｕＢｒ２（Ｌ）（ｐｙｒｉｄｉｎｅ）及びＲｕＩ２（Ｌ）（ｐｙｒｉｄｉｎｅ）。
【００６７】
イリジウム錯体：
イリジウム錯体は、文献（Ｋ．Ｍａｓｈｉｍａら，Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．，１９９２，４２８，２１３）及びその他の文献等に記載の方法に従って得ることができる。具体的には、イリジウム錯体は不斉配位子と［Ｉｒ（ｃｏｄ）（ＣＨ３ＣＮ）２］ＢＦ４とを、テトラヒドロフラン中で撹拌反応させることにより得ることができる。
イリジウム錯体の具体例としては、例えば、以下のものを挙げることができる。
［Ｉｒ（Ｌ）Ｃｌ］２、［Ｉｒ（Ｌ）Ｂｒ］２、［Ｉｒ（Ｌ）Ｉ］２、［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＢＦ４、［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＣｌＯ４、［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＰＦ６、［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＢＰｈ４、［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＯＴｆ、［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＢＦ４、［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＣｌＯ４、［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＰＦ６、［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＢＰｈ４及び［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＯＴｆ。
【００６８】
パラジウム錯体：
パラジウム錯体は、文献（Ｙ．Ｕｏｚｕｍｉら，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１９９１，９８８７）等に記載の方法に従って得ることができる。具体的には、パラジウム錯体は不斉配位子とπ−アリルパラジウムクロリドとを反応させることにより得ることができる。
パラジウム錯体の具体例としては、例えば、以下のものを挙げることができる。
ＰｄＣｌ２（Ｌ）、（π−ａｌｌｙｌ）Ｐｄ（Ｌ）、［Ｐｄ（Ｌ）］ＢＦ４、［Ｐｄ（Ｌ）］ＣｌＯ４、［Ｐｄ（Ｌ）］ＰＦ６、［Ｐｄ（Ｌ）］ＢＰｈ４及び［Ｐｄ（Ｌ）］ＯＴｆ。
【００６９】
ニッケル錯体：
ニッケル錯体は、日本化学会編「第４版 実験化学講座」第１８巻、有機金属錯体、３７６頁、１９９１年（丸善）及びその他の文献等に記載の方法により得ることができる。ニッケル錯体は、また、文献（Ｙ．Ｕｏｚｕｍｉら，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．， １９９１，１１３，９８８７）に記載の方法に従って、不斉配位子と塩化ニッケルとを、２−プロパノールとメタノールの混合溶媒に溶解し、加熱撹拌することにより得ることができる。
ニッケル錯体の具体例としては、例えば、以下のものを挙げることができる。
ＮｉＣｌ２（Ｌ）、ＮｉＢｒ２（Ｌ）及びＮｉＩ２（Ｌ）。
【００７０】
上記遷移金属錯体は、市販品を用いても、自製品を用いてもよい。
これらの遷移金属錯体は、不斉配位子を遷移金属化合物と反応させることにより製造することができる。触媒として錯体を使用する場合には、遷移金属錯体は純度を高めた後に、あるいは精製することなく、すなわちｉｎ ｓｉｔｕで使用することができる。
【００７１】
遷移金属化合物は、次式
［ＭＸｍＬｎ］ｐ
（式中、Ｍ、Ｘ、Ｌ、ｍ、ｎ及びｐは、前記と同意義を有する。）で表すことができる。上記式における、Ｒｕ、Ｒｈ及びＩｒの具体例を例示する。上記式の具体例としては、例えば、［ＲｕＣｌ２（ｂｅｎｚｅｎｅ）］２、［ＲｕＢｒ２（ｂｅｎｚｅｎｅ）］２、［ＲｕＩ２（ｂｅｎｚｅｎｅ）］２、［ＲｕＣｌ２（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）］２、［ＲｕＢｒ２（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）］２、［ＲｕＩ２（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）］２、ＲｕＣｌ２（ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｂｅｎｚｅｎｅ）］２、［ＲｕＢｒ２（ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｂｅｎｚｅｎｅ）］２、［ＲｕＩ２（ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｂｅｎｚｅｎｅ）］２、［ＲｕＣｌ２（ｍｅｓｉｔｙｌｅｎｅ）］２、［ＲｕＢｒ２（ｍｅｓｉｔｙｌｅｎｅ）］２、［ＲｕＩ２（ｍｅｓｉｔｙｌｅｎｅ）］２、［ＲｕＣｌ２（ｐｅｎｔａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）］２、［ＲｕＢｒ２（ｐｅｎｔａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）］２、［ＲｕＩ２（ｐｅｎｔａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）］２、［ＲｕＣｌ２（ｃｏｄ）］２、［ＲｕＢｒ２（ｃｏｄ）］２、［ＲｕＩ２（ｃｏｄ）］２、［ＲｕＣｌ２（ｎｂｄ）］２、［ＲｕＢｒ２（ｎｂｄ）］２、［ＲｕＩ２（ｎｂｄ）］２、ＲｕＣｌ３水和物、ＲｕＢｒ３水和物、ＲｕＩ３水和物、［ＲｈＣｌ２（ｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）］２、［ＲｈＢｒ２（ｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）］２、［ＲｈＩ２（ｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）］２、［ＲｈＣｌ２（ｐｅｎｔａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）］２、［ＲｈＢｒ２（ｐｅｎｔａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）］２、［ＲｈＩ２（ｐｅｎｔａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）］２、［ＲｈＣｌ（ｃｏｄ）］２、［ＲｈＢｒ（ｃｏｄ）］２、［ＲｈＩ（ｃｏｄ）］２、［ＲｈＣｌ（ｎｂｄ）］２、［ＲｈＢｒ（ｎｂｄ）］２、［ＲｈＩ（ｎｂｄ）］２、ＲｈＣｌ３水和物、ＲｈＢｒ３水和物、ＲｈＩ３水和物、［ＩｒＣｌ２（ｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）］２、［ＩｒＢｒ２（ｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）］２、［ＩｒＩ２（ｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）］２、［ＩｒＣｌ２（ｐｅｎｔａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）］２、［ＩｒＢｒ２（ｐｅｎｔａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）］２、［ＩｒＩ２（ｐｅｎｔａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）］２、［ＩｒＣｌ（ｃｏｄ）］２、［ＩｒＢｒ（ｃｏｄ）］２、［ＩｒＩ（ｃｏｄ）］２、［ＩｒＣｌ（ｎｂｄ）］２、［ＩｒＢｒ（ｎｂｄ）］２、［ＩｒＩ（ｎｂｄ）］２、ＩｒＣｌ３水和物、ＩｒＢｒ３水和物及びＩｒＩ３水和物。
【００７２】
本発明で用いられる遷移金属錯体は、中でも不斉配位子を有する錯体がより好ましく用いられ、該不斉配位子が、上記した不斉ホスフィン配位子である遷移金属錯体が更に好ましく用いられる。
【００７３】
不斉触媒の使用量は、用いる上記一般式（４）で表されるけい皮酸類、使用する反応容器や反応の形式あるいは経済性などによって異なるが、けい皮酸類（４）に対して、モル比で通常１／１０〜１／１００，０００、好ましくは１／５０〜１／１０，０００の範囲から適宜選択される。
【００７４】
水素ガスの圧力は、水素雰囲気下であればよく、０．１ＭＰａでも十分であるが、経済性等を考慮すると通常０．１〜２０ＭＰａ、好ましくは０．２〜１０ＭＰａの範囲から適宜選択される。また、経済性を考慮して１ＭＰａ以下でも高い活性を維持することが可能である。
【００７５】
不斉水素化反応は、必要に応じて溶媒中で行うことができる。溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪族炭化水素類；ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素類；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジオキソラン等のエーテル類；メタノール、エタノール、２−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、ベンジルアルコール等のアルコール類；エチレングリコール、プロピレングリコール、１，２−プロパンジオール、グリセリン等の多価アルコール類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類；アセトニトリル；Ｎ−メチルピロリドン；ジメチルスルホキシド；水等が挙げられる。これら溶媒は、夫々単独で用いても、２種以上適宜組み合わせて用いてもよい。
溶媒の使用量は、用いる反応基質であるけい皮酸類（４）の溶解度や経済性により判断される。例えば溶媒としてアルコール類を用いた場合には、用いるけい皮酸類（４）によっては１％以下の低濃度から無溶媒あるいは無溶媒に近い状態で行うことができる。けい皮酸類（４）の濃度は、通常５〜５０質量％、好ましくは１０〜４０質量％の範囲となるように適宜選択される。
【００７６】
反応温度は、経済性等を考慮して、通常１５〜１００℃、好ましくは２０〜８０℃の範囲から適宜選択される。また、反応温度は、−３０〜０℃の低温でも、あるいは１００〜２５０℃の高温でも反応を実施することができる。
反応時間は、用いる不斉水素化触媒の種類や使用量、けい皮酸類（４）の種類や濃度、反応温度、水素の圧力等の反応条件等により異なるが、数分から数時間の間で反応は完結するが、通常１分〜４８時間、好ましくは１０分〜２４時間の範囲から適宜選択される。
本発明の不斉水素化反応は、反応形式がバッチ式においても連続式においても実施することができる。
【００７７】
上記方法により得られた光学活性フェニルプロピオン酸類（５）は、必要に応じて、種々の方法により、より高い光学純度及び／又はより高い化学純度の光学活性フェニルプロピオン酸類又はその塩に変換することができる。
そのような種々の方法としては、例えば、結晶化、カラムクロマトグラフィー等が挙げられる。
結晶化は当該分野で用いられている常法により実施することができる。
結晶化で使用される溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪族炭化水素類等の炭化水素類；ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素類；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジオキソラン等のエーテル類；メタノール、エタノール、２−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、ベンジルアルコール等のアルコール類；エチレングリコール、プロピレングリコール、１，２−プロパンジオール、グリセリン等の多価アルコール類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；アセトニトリル；Ｎ−メチルピロリドン；ジメチルスルホキシド；水等が挙げられる。これら溶媒は、夫々単独で用いても、２種以上適宜組み合わせて用いてもよい。芳香族炭化水素及び脂肪族炭化水素等の炭化水素系溶媒、アルコール類、ケトン類、水及びこれらの混合物が好ましい。
【００７８】
ここで使用する「より高い光学純度」とは、上記方法により得られる光学活性フェニルプロピオン酸類（５）あるいは光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類（６）の光学純度よりも高い純度、すなわち実質的に１００％ｅｅを意味する。ここで、「実質的に１００％ｅｅ」とは、他の鏡像体に対する一方の鏡像体が殆ど検出されない光学純度を意味する。本発明ではそのような「実質的に１００％ｅｅ」とは、具体的には、９５％ｅｅ以上、好ましくは９７％ｅｅ以上、より好ましくは９８％ｅｅ以上、更に好ましくは９９％ｅｅ以上の光学純度を意味する。
また、「より高い化学純度」とは、上記方法により得られる光学活性フェニルプロピオン酸類（５）あるいは光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類（６）の化学純度よりも高い純度、すなわち実質的に１００％の化学純度を意味する。ここで、「実質的に１００％の化学純度」とは、他の如何なる化合物も殆ど検出されない化学純度を意味する。本発明ではそのような「実質的に１００％の化学純度」とは、具体的には、９５％以上、好ましくは９７％以上、より好ましくは９８％以上、更に好ましくは９９％以上の化学純度を意味する。
【００７９】
上記不斉水素化反応により得られた光学活性フェニルプロピオン酸類（５）は、脱保護させることにより、所望の光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類（６）を得ることができる。
脱保護は、常法により行うことができる。例えば、そのような脱保護は、上記「ＰＲＯＴＥＣＴＩＶＥ ＧＲＯＵＰＳ ＩＮ ＯＲＧＡＮＩＣ ＳＹＮＴＨＥＳＩＳ ＴＨＩＲＤ ＥＤＩＴＩＯＮ（ＪＯＨＮ ＷＩＬＥＹ ＆ ＳＯＮＳ，ＩＮＣ．（１９９９）」や「ペプチド合成の基礎と実験（丸善（株）、１９８５年）」、「第４版 実験化学講座１８ 有機金属錯体 ３３９−３４４頁 １９９１年 丸善（株）」等に記載の方法で行うことができる。具体的には、保護基がベンジル基の場合、そのような保護基はパラジウム炭素を用いた接触水添反応により除去される。
反応温度は、通常０℃〜使用する溶媒の沸点、好ましくは２０〜８０℃の範囲から適宜選択される。
反応時間は、通常０．１〜４８時間、好ましくは１〜１０時間の範囲から適宜選択される。
【００８０】
２）スキーム２
【化４１】
【００８１】
光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類（６）は、上記スキーム１で説明したようにしてけい皮酸類（４）を製造し、得られたけい皮酸類（４）を不斉水素化反応させることにより製造することができる。
スキーム２のこの方法では、不斉水素化反応と脱保護反応とを同時に行うことができる。
本発明で用いられる不斉水素化反応用触媒の種類や使用量、反応条件等は、上記スキーム１で説明したそれらと同様である。
【００８２】
３）スキーム３
【化４２】
【００８３】
４−ヒドロキシけい皮酸類（９）は、４−ヒドロキシベンズアルデヒド類（７）とグリコール酸誘導体（２）とを適当な溶媒中、塩基の存在下で反応させた後、加水分解することにより製造することができる。
溶媒、塩基及び反応温度、反応時間等の反応条件等は、上記スキーム１で説明したそれらと同様である。
溶媒の使用量は、４−ヒドロキシベンズアルデヒド類（７）に対して、通常０．１〜１００倍量、好ましくは１〜２０倍量の範囲から適宜選択される。
塩基の使用量は、グリコール酸誘導体（２）に対して、通常０．０１〜１０倍、好ましくは１〜５倍の範囲から適宜選択される。
【００８４】
４−ヒドロキシけい皮酸類（９）は、４−ヒドロキシベンズアルデヒド類（７）とグリコール酸誘導体（２）とを反応させ、生成物を必要に応じて後処理及び精製等を行い、一般式（８）
【化４３】
（式中、Ｒ２、Ｒ３及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表される４−ヒドロキシけい皮酸エステル類（以下、必要に応じて、４−ヒドロキシけい皮酸エステル類（８）、と云う。）を単離した後、加水分解して製造することができる。あるいは、４−ヒドロキシけい皮酸エステル類（８）を単離せずに、水、アルコール及び／又は上記塩基を加えて加水分解を行ってもよい。
【００８５】
４−ヒドロキシけい皮酸エステル類（８）の具体例としては、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸メチル、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸エチル、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸プロピル、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸ブチル、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸ｔｅｒｔ−ブチル、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−エトキシアクリル酸メチル、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−エトキシアクリル酸エチル、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−エトキシアクリル酸プロピル、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−エトキシアクリル酸ブチル、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−エトキシアクリル酸ｔｅｒｔ−ブチル、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−プロポキシアクリル酸メチル、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−プロポキシアクリル酸エチル、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−プロポキシアクリル酸プロピル、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−プロポキシアクリル酸ブチル、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−プロポキシアクリル酸ｔｅｒｔ−ブチル、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−ブトキシアクリル酸メチル、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−ブトキシアクリル酸エチル、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−ブトキシアクリル酸プロピル、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−ブトキシアクリル酸ブチル、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−ブトキシアクリル酸ｔｅｒｔ−ブチル等が挙げられる。
【００８６】
得られた４−ヒドロキシけい皮酸類（９）は、カルボキシ基フリーの一般式（９）で表される４−ヒドロキシけい皮酸類、及び一般式（９−１）で表される４−ヒドロキシけい皮酸類の金属塩及び／又は一般式（９−２）で表される４−ヒドロキシけい皮酸類のアミン塩との混合物であってもよい。
また、得られた４−ヒドロキシけい皮酸類（９）は、必要に応じて、上記塩基を用いて、前記一般式（９）で表される４−ヒドロキシけい皮酸類を上記一般式（９−１）で表される４−ヒドロキシけい皮酸類の金属塩又は一般式（９−２）で表される４−ヒドロキシけい皮酸類のアミン塩としても、あるいは一般式（９）で表される４−ヒドロキシけい皮酸類の塩とは異なる塩を形成させてもよい。
所望の光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類（６）は、得られた４−ヒドロキシけい皮酸類（９）を不斉水素化反応に付すことにより製造することができる。
不斉水素化反応は、上記スキーム１に示した方法に従って行うことができる。
不斉触媒の使用量は、使用する反応容器や反応の形式あるいは経済性などによって異なるが、４−ヒドロキシけい皮酸類（９）に対して、モル比で通常１／１０〜１／１００，０００、好ましくは１／５０〜１／１０，０００の範囲から適宜選択される。
【００８７】
【化４４】
スキーム４は、スキーム１で示したようにして得られたけい皮酸類（４）を不斉水素化反応に付して、光学活性フェニルプロピオン酸類（５）及び光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類（６）の混合物を製造する反応を示したものである。この反応において、（ｉ）得られた混合物をｉｎ ｓｉｔｕで脱保護して所望の光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類（６）を製造することができる、あるいは（ｉｉ）光学活性フェニルプロピオン酸類（５）及び光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類（６）をそれぞれ分離し、分離した光学活性フェニルプロピオン酸類を脱保護して所望の光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類（６）を製造することができる。
【００８８】
このようにして得られた光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類（６）は、必要に応じて後処理等を行ってもよい。
さらに、上記方法で得られた光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類（６）は、必要に応じて、種々の方法により、より高い光学純度及び／又はより高い化学純度の光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類（６）に変換してもよい。
そのような種々の方法としては、結晶化、カラムクロマトグラフィー等を挙げることができる。
結晶化については、上記スキーム１で説明されている。
【００８９】
ここで使用する「より高い光学純度」とは、上記方法により得られた光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類（６）の光学純度よりも高い純度、すなわち実質的に１００％ｅｅを意味する。ここで、「実質的に１００％ｅｅ」とは、他の鏡像体に対する一方の鏡像体が殆ど検出されない光学純度を意味する。本発明ではそのような「実質的１００％ｅｅ」とは、具体的には、９５％ｅｅ以上、好ましくは９７％ｅｅ以上、より好ましくは９８％ｅｅ以上、更に好ましくは９９％ｅｅ以上の光学純度を意味する。
また、「より高い化学純度」とは、上記方法により得られた光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類（６）の化学純度よりも高い純度、すなわち実質的に１００％の化学純度を意味する。ここで、「実質的に１００％の化学純度」とは、如何なる他の化合物も検出されない化学純度を意味する。本発明ではそのような「実質的に１００％の化学純度」とは、具体的には、９５％以上、好ましくは９７％以上、より好ましくは９８％以上、更に好ましくは９９％以上の化学純度を意味する。
【００９０】
得られた一般式（６）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩は、カルボキシ基フリーのその一般式（６）で表されるプロピオン酸類、及び一般式（６−１）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類の金属塩及び／又は一般式（６−２）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類のアミン塩との混合物であってもよい。
また、得られた一般式（６）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類は、必要に応じて、上記塩基を用いて、上記一般式（６−１）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類の金属塩又は一般式（６−２）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類のアミン塩に、あるいは一般式（６−１）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類の塩とは異なる塩に変換してもよい。
【００９１】
かくして得られた光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類（６）は、医薬等の中間体として有用な化合物である。
【００９２】
一般式（１２）
【化４５】
（式中、Ｒ１１〜Ｒ１２は夫々独立して、水素原子又は置換基を示し、Ｒ１３は水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基又は金属塩を示し、Ｒ１４は水素原子又は保護基を示し、＊は不斉炭素を示す。）で表される光学活性α，β−不飽和カルボン酸類又はその塩の製造は、一般式（１１）
【化４６】
（式中、Ｒ１１〜Ｒ１４は前記と同意義を有する。）で表されるα，β−不飽和カルボン酸類又はその塩を不斉水素化反応させることにより製造することができる。
【００９３】
一般式（１２）において、Ｒ１１及びＲ１２で示される置換基としては、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよい複素環基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアルコキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアリールオキシカルボニル基又は置換基を有していてもよいアラルキルオキシカルボニル基等が挙げられる。
【００９４】
置換基を有していてもよい炭化水素基としては、炭化水素基及び置換炭化水素基が挙げられる。炭化水素基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基等が挙げられる。
アルキル基、アリール基、アラルキル基は、上記一般式（６）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩の製造方法において、Ｒ１で示される保護基として説明した各基と同意義であってよい。
アルケニル基としては、直鎖状でも分岐状でもよい、炭素数２〜２０、好ましくは炭素数２〜１０、より好ましくは炭素数２〜６のアルケニル基が挙げられる。そのようなアルケニル基の具体例としては、エテニル基、プロペニル基、１−ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等が挙げられる。
アルキニル基としては、直鎖状でも分岐状でもよい、例えば炭素数２〜２０、好ましくは炭素数２〜１０、より好ましくは炭素数２〜６のアルキニル基が挙げられ、そのようなアルキニル基の具体例としては、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、１−ブチニル基、３−ブチニル基、ペンチニル基、ヘキシニル基等が挙げられる。
【００９５】
置換炭化水素基（置換基を有する炭化水素基）としては、上記炭化水素基の１個の水素原子が置換基で置換された炭化水素基が挙げられる。置換炭化水素基としては、置換アルキル基、置換アルケニル基、置換アルキニル基、置換アリール基、置換アラルキル基等が挙げられる。置換基については、後述する。
置換基を有していてもよい複素環基としては、複素環基及び置換複素環基が挙げられる。複素環基としては、脂肪族複素環基及び芳香族複素環基が挙げられる。複素環基及び複素環基も光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩の製造方法において、Ｒ１で示される保護基として説明した各基と同意義であってよい。
置換複素環基（置換基を有する複素環基）としては、上記複素環基の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換された複素環基が挙げられる。置換複素環基（置換基を有する複素環基）としては、置換脂肪族複素環基及び置換芳香族複素環基が挙げられる。置換基については、後述する。
【００９６】
置換基を有していてもよいアルコキシ基としては、アルコキシ基及び置換アルコキシ基が挙げられる。
置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基としては、アラルキルオキシ基及び置換アラルキルオキシ基が挙げられる。
置換基を有していてもよいアリールオキシ基としては、アリールオキシ基及び置換アリールオキシ基が挙げられる。
置換基を有していてもよいアルコキシカルボニル基としては、アルコキシカルボニル基及び置換アルコキシカルボニル基が挙げられる。
置換基を有していてもよいアリールオキシカルボニル基としては、アリールオキシカルボニル基及び置換アリールオキシカルボニル基が挙げられる。
アラルキルオキシカルボニル基としては、アラルキルオキシカルボニル基及び置換アラルキルオキシカルボニル基が挙げられる。
これらアルコキシ基、置換アルコキシ基、アラルキルオキシ基、置換アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、置換アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、置換アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、置換アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、置換アラルキルオキシカルボニル基は、上記一般式（６）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩の製造方法において、Ｒ１で示される保護基として説明した各基と同意義であってよい。
【００９７】
置換基としては、炭化水素基、置換炭化水素基、ハロゲン原子、ハロゲン化炭化水素基、複素環基、置換複素環基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、アラルキルオキシ基、置換アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、置換アリールオキシ基、アルキルチオ基、置換アルキルチオ基、アリールチオ基、置換アリールチオ基、アラルキルチオ基、置換アラルキルチオ基、アシル基、置換アシル基、アシルオキシ基、置換アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、置換アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、置換アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、置換アラルキルオキシカルボニル基、アルキレンジオキシ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アミノ基、置換アミノ基、シアノ基、カルボキシ基、スルホ基、スルホニル基又は置換シリル基等が挙げられる。
これらの置換基は、光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類（６）の製造方法において、説明した置換基と同意義であってよい。
【００９８】
Ｒ１３で示される置換基を有していてもよい炭化水素基は、上記Ｒ１１及びＲ１２における置換基として説明した炭化水素基と同意義であってよい。
金属原子としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属塩等が挙げられる。
アルカリ金属及びアルカリ土類金属としては、上記一般式（４−１）で説明したアルカリ金属及びアルカリ土類金属と同意義であってよい。
Ｒ１４で示される保護基としては、光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類（６）の製造方法において、Ｒ１で示される保護基として説明した保護基と同意義であってよい。
尚、一般式（１２）において、Ｒ１１及び／又はＲ１２が水素原子の場合は、Ｒ１１及びＲ１２が結合している炭素原子は、不斉炭素とはならない。また、Ｒ１１及びＲ１２が同様の基である場合は、Ｒ１１及びＲ１２が結合している炭素原子は、不斉炭素とはならない。
【００９９】
そのα，β−不飽和カルボン酸類の塩としては、該一般式（１１）中のＲ１３がアルカリ金属又はアルカリ土類金属等の金属原子であるα，β−不飽和カルボン酸塩、及び一般式（１１−１）
【化４７】
（式中、Ｘｂはアミンを示し、Ｒ１１、Ｒ１２及びＲ１４は前記と同意義を有する。）で表されるα，β−不飽和カルボン酸類のアミン塩等が挙げられる。
Ｘｂで示されるアミンとしては、上記一般式（４−２）におけるＸａで説明したアミンと同意義であってよい。
【０１００】
一般式（１１）で表されるα，β−不飽和カルボン酸類の具体例及び一般式（１１−１）で表されるα，β−不飽和カルボン酸類の塩の具体例は、上記一般式（４）で表されるけい皮酸類の具体例、上記一般式（４−１）及び（４−２）で表されるけい皮酸類の塩の具体例、上記一般式（９）で表される４−ヒドロキシけい皮酸類の具体例、上記一般式（９−１）及び（９−２）で表される４−ヒドロキシけい皮酸類の塩の具体例で例示した化合物、及び下記化合物等が挙げられる。
【化４８】
【化４９】
【０１０１】
また、光学活性カルボン酸類の塩は、一般式（１２）中のＲ１３がアルカリ金属又はアルカリ土類金属等の金属原子である光学活性カルボン酸塩、及び一般式（１２−１）
【化５０】
（式中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１４、Ｘｂ及び＊は前記と同じ。）で表される光学活性カルボン酸類のアミン塩等が挙げられる。
【０１０２】
本発明の製造方法により得られる一般式（１２）で表される光学活性カルボン酸類及び一般式（１２−１）で表される光学活性カルボン酸類の塩の具体例としては、上記一般式（６）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類、上記一般式（６−１）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類の塩、上記一般式（６−２）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類の塩、及び下記化合物等が挙げられる。
【化５１】
【化５２】
【０１０３】
不斉水素化反応は、不斉触媒の存在下で行う。不斉触媒及び反応条件等は、光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類（６）の製造方法において、説明した通りである。尚、遷移金属がロジウムのときは、上記一般式（１１）において、該一般式（１１）中のＲ１４で示される保護基はアシル基を除いた基が挙げられる。
不斉触媒の使用量は、用いる上記一般式（１１）で表されるα，β−不飽和カルボン酸類又はその塩、使用する反応容器や反応の形式あるいは経済性などによって異なるが、α，β−不飽和カルボン酸類又はその塩に対して、モル比で通常１／１０〜１／１００，０００、好ましくは１／５０〜１／１０，０００の範囲から適宜選択される。
【０１０４】
このようにして得られた一般式（１２）で表される光学活性カルボン酸類又はその塩は、カルボキシ基フリー（Ｒ１３が水素原子）である光学活性カルボン酸類、上記一般式（１２）におけるＲ１３が金属原子である光学活性カルボン酸塩、及び上記一般式（１２−１）で表される光学活性カルボン酸類のアミン塩との混合物であってもよい。
また、得られた一般式（１２）で表される光学活性カルボン酸類は、必要に応じて、上記塩基を用いて、一般式（１２）で表される光学活性カルボン酸類の金属塩又は一般式（１２−１）で表される光学活性カルボン酸類のアミン塩としても、あるいは一般式（１２）で表される光学活性カルボン酸類の塩とは異なる塩に変換してもよい。
かくして得られた一般式（１２）で表される光学活性カルボン酸類又はその塩は、医薬等の中間体として有用な化合物である。
【実施例】
【０１０５】
以下に、実施例及び参考例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらによって何ら限定されるものではない。
化学純度、鏡像体過剰率は高速液体クロマトグラフィーにより決定した。
１Ｈ−ＮＭＲはＶａｒｉａｎ ＧＥＭＩＮＩ−２０００（２００ＭＨｚ）を使用した。
【０１０６】
実施例１
３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸メチルの合成
窒素気流下、ベンジルオキシベンズアルデヒド２１．２４ｇ（１００ｍｍｏｌ）、ナトリウムメトキシド１８．７７ｇ（３３０ｍｍｏｌ）及びメタノール２００ｍＬの混合物にメトキシアクリル酸メチル３０．００ｇ（２９７ｍｍｏｌ）を加え、その混合物を５時間加熱還流した。反応液を濃縮後、酢酸ブチルで希釈した。有機層を水洗後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、標題化合物２３．８ｇを収率８０％で得た。
１Ｈ−ＮＭＲ δ（ＣＤＣｌ３）：３．７６（３Ｈ，ｓ），３．８５（３Ｈ，ｓ），５．１０（２Ｈ，ｓ），６．９７（１Ｈ，ｓ），６．９８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ），７．３０−７．５０（５Ｈ，ｍ），７．７２（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ）
【０１０７】
実施例２
３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸ナトリウムの合成
３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸メチル２０ｇ（６７．０ｍｍｏｌ）及びメタノール２００ｍＬの混合物に１Ｎ水酸化ナトリウム水溶液７４ｍＬを加え、その混合物を２時間加熱還流した。その反応混合物を室温まで冷却し、析出物を濾取して標題化合物１７．４４ｇを収率８５％で得た。
１Ｈ−ＮＭＲ δ（ＣＤ３ＯＤ）：３．６９（３Ｈ，ｓ），５．０８（２Ｈ，ｓ），６．６３（１Ｈ，ｓ），６．９３（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝９．０Ｈｚ），７．２５−７．５０（５Ｈ，ｍ），７．６４（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝９．０Ｈｚ）
【０１０８】
実施例３
３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸ナトリウムの合成
窒素気流下、ベンジルオキシベンズアルデヒド２１．２４ｇ（１００ｍｍｏｌ）、ナトリウムメトキシド１８．７７ｇ（３３０ｍｍｏｌ）及びメタノール２００ｍＬの混合物にメトキシ酢酸メチル３０．００ｇ（２９７ｍｍｏｌ）を加え、その混合物を５時間加熱還流した。水４０ｍＬを加えた後、反応液を１．５時間加熱還流し、室温まで冷却した。析出物を濾取して標題化合物２０．０２ｇを収率６５％で得た。
【０１０９】
実施例４
３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸ナトリウムの合成
３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸ナトリウム１９．６５ｇ（６４．１５ｍｍｏｌ）、Ｒｕ２Ｃｌ４［（Ｓ）−Ｈ８−ｂｉｎａｐ］２ＮＥｔ３５７．５ｍｇ及びメタノール２００ｍＬを２００ｍｌオートクレーブにとり、水素ガスを５ＭＰａの所定圧に供給した。その混合物を６０℃にて６．５時間撹拌し、溶媒を減圧留去して、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸ナトリウム１９．７ｇを得た（９０％ｅｅ）。
１Ｈ−ＮＭＲ δ（ＣＤ３ＯＤ）：２．７８（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１４．４，８．８Ｈｚ），２．９４（１Ｈ，ｄｄ，１４．４，４．０Ｈｚ），３．２３（３Ｈ，ｓ），３．６９（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝８．８，４．０Ｈｚ），５．０３（２Ｈ，ｓ），６．８６（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ），７．１７６４（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ），７．２５−７．４６（５Ｈ，ｍ）
【０１１０】
実施例５
３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸ナトリウムの合成
３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸ナトリウム２５０ｍｇ（０．８１６ｍｍｏｌ）及び［Ｒｕ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（（Ｓ）−ｄｍ−ｓｅｇｐｈｏｓ）］Ｃｌ ４．２ｍｇ（０．００４１ｍｍｏｌ）を１００ｍＬオートクレーブに入れ、系内を窒素で置換した。メタノール２．５ｍＬを加えた後、水素ガス（５．０ＭＰａ）をそこに導入して、６０℃にて１６時間撹拌した。反応終了後、反応生成物は３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸ナトリウムと３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸ナトリウムとの混合物であった。３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸ナトリウム／３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸ナトリウムの割合は、１Ｈ−ＮＭＲ測定から１６／８４であった。反応生成物は精製し、単離して標題化合物３６ｍｇを収率２０％で得た（９２．９％ｅｅ）。
【０１１１】
実施例６
３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸の合成
４−ヒドロキシベンズアルデヒド２０．５ｇ（１６８ｍｍｏｌ）及びナトリウムメトキシド３６．３ｇ（６７２ｍｍｏｌ）の混合物にメタノール２００ｍＬを加えた。次に、メトキシ酢酸メチル５０ｍＬ（５０４ｍｍｏｌ）を５０〜６０℃にて前記混合物に滴下した。得られた混合物を１２時間加熱還流した後、水４０ｍＬを加えた。その混合物をさらに２時間還流し、室温まで冷却後、溶媒を減圧留去して除去した。残渣に１Ｎ塩酸及びジクロロメタンを加え、析出した固体を濾取した。その固体を水で洗浄し、乾燥して標題化合物２０．３ｇを収率６２％で得た。
融点１６３〜１６５℃
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ３ＯＤ） δ ７．６５（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），６．９９（ｓ，１Ｈ），６．８１（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），３．７４（ｓ，３Ｈ）
【０１１２】
実施例７
３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸メチルの合成
窒素雰囲気下、４−ヒドロキシベンズアルデヒド１．０ｇ（８．１９ｍｍｏｌ）及びナトリウムメトキシド１．７７ｇ（３２．８ｍｍｏｌ）の混合物に、トルエン５ｍＬ及びメタノール１０ｍＬを加えた。メトキシ酢酸メチル２．４４ｍＬ（２４．６ｍｍｏｌ）を加えた後、その混合物を室温で１時間撹拌し、次いで、８時間加熱還流した。反応液を室温まで冷却し、飽和塩化アンモニウム水溶液４０ｍＬを加えた。反応液を酢酸エチル４０ｍＬで２回抽出し、有機層を飽和食塩水４０ｍＬで洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥して、溶媒を減圧留去して除去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して、収率８９％で、純度７４％の標題化合物１．５１ｇを得た。
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３） δ ７．６７（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，２Ｈ），６．９７（ｓ，１Ｈ），６．８５（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，２Ｈ），５．６８（ｓ，１Ｈ），３．８５（ｓ，３Ｈ），３．７５（ｓ，３Ｈ）
【０１１３】
実施例８
３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸の合成
実施例７で合成した３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸メチル１．５１ｇをメタノール１０ｍＬに溶解し、そこに１Ｎ水酸化ナトリウム水溶液７．８ｍＬを加えた。この溶液を２時間加熱還流し、室温まで冷却して、溶媒を減圧留去して除去した。残渣に１Ｎ塩酸及びジクロロメタンを加えた後、析出した固体を濾取し、水で洗浄後、乾燥することにより、標題化合物８５７ｍｇを得た。１Ｈ ＮＭＲスペクトルは、実施例６で得られた精製物のそれと一致した。
【０１１４】
実施例９
３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸の合成
３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸２００ｍｇ（１．０２ｍｍｏｌ）、Ｒｕ２Ｃｌ４｛（Ｓ）−ｈ８−ｂｉｎａｐ｝２ＮＥｔ３ ４．４ｍｇ（０．００５１ｍｍｏｌ）及びナトリウムメトキシド５５．１ｍｇ（１．０２ｍｍｏｌ）を１００ｍｌオートクレーブに入れ、窒素ガスで置換した。メタノール２．０ｍＬを加えた後、系内に５．０ＭＰａで水素ガスを供給し、６０℃にて６時間撹拌して、転化率＞９９％で５８．０％ｅｅの標題化合物を粗ナトリウム塩として得た。
その粗ナトリウム塩を水１０ｍＬに溶解し、その溶液をトルエン１０ｍＬで２回洗浄した。水層に１Ｎ塩酸２０ｍＬを加え、その混合物を酢酸エチル２０ｍＬで３回抽出した。合わせた有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し、乾燥して、標題化合物１１７ｍｇを収率５９％で得た。
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ３ＯＤ） δ ７．０７（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，２Ｈ），６．７１（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，２Ｈ），３．９３（ｄｄ，Ｊ＝４．８，７．６Ｈｚ，１Ｈ），３．３３（ｓ，３Ｈ），２．９９（ｄｄ，Ｊ＝４．８，１４．０Ｈｚ，１Ｈ），２．８５（ｄｄ，Ｊ＝７．６，１４．０Ｈｚ，１Ｈ）
【０１１５】
実施例１０
３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸ナトリウムの合成
実施例９で得られた３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸をメタノール２ｍＬに溶解し、この溶液に１Ｎ水酸化ナトリウム水溶液０．６ｍＬを加えた。混合物を室温で０．５時間撹拌し、減圧留去して標題化合物１３８ｍｇを得た。
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ３ＯＤ） δ ７．０７（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，２Ｈ），６．６７（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，２Ｈ），３．６９（ｄｄ，Ｊ＝３．８，８．６Ｈｚ），３．２４（ｓ，３Ｈ），２．９４（ｄｄ，Ｊ＝３．８，１４．０Ｈｚ，１Ｈ），２．７５（ｄｄ，Ｊ＝８．６，１４．０Ｈｚ，１Ｈ）
【０１１６】
実施例１１
３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸シクロヘキシルアミン塩の結晶化
３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸２０ｇ（０．１０３ｍｏｌ）及び［ＲｕＣｌ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（（Ｓ）−ｄｍ−ｓｅｇｐｈｏｓ）］Ｃｌ ０．１０６ｇを１Ｌ−オートクレーブに入れ、オートクレーブ中の空気を窒素ガスで置換した。メタノール２００ｍＬ及びシクロヘキシルアミン１２ｍＬ（０．１０５ｍｏｌ））をそれに加えた後、４．０ＭＰａの水素ガスを密閉反応系に導入し、混合液を８０℃で１６時間攪拌した。反応液を冷却し、メタノールをロータリエバポレーターで減圧留去して除去し、転化率＞９９％、光学純度＞８８．６％ｅｅの反応混合物３０．２ｇを得た。
得られた反応混合物にメタノール３０ｍＬ及びエタノール３０ｍＬを加え、その混合物を９５℃で加熱還流し、次いで氷浴中で冷却した。生成した結晶を濾取し、光学純度＞９８％ｅｅの３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸シクロヘキシルアミン塩を得た。
【０１１７】
実施例１２
３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸ナトリウムの結晶化
３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸２０ｇ（０．１０３ｍｏｌ）、ナトリウムメトキシド５．８６ｇ及び［｛ＲｕＣｌ（（Ｓ）−ｄｍ−ｓｅｇｐｈｏｓ）｝２（μ−Ｃｌ）３］Ｃｌ ９６．３ｍｇを１Ｌ−オートクレーブに入れ、オートクレーブ中の空気を窒素ガスで置換した。メタノール２００ｍＬをそれに加えた後、５．０ＭＰａの水素ガスを密閉反応系に導入し、混合液を７０℃で８時間攪拌して３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸ナトリウムを９２．３％ｅｅ（転化率＞９９％）で得た。反応混合液を冷却し、反応生成物をメタノール／メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）から２回再結晶して、光学純度＞９９％ｅｅの３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸ナトリウムを得た。
【産業上の利用可能性】
【０１１８】
本発明の方法は、医薬、農薬等の中間体として有用な光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類を提供することができる。そのような光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類は、けい皮酸類を中間体として経る短工程で、高収率及び高光学純度で製造することができる。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、医薬、農薬等の中間体として有用な光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類は、医薬等の中間体として有用であり、その製造法について種々検討が行われている。
例えば、特許文献１には、Ｌ−チロシンを塩化ベンジルと反応させてＯ−ベンジル−Ｌ−チロシンとし、このベンジル化したチロシンのアミノ基をジアゾ化してヒドロキシ基とした後、カルボキシ基及びヒドロキシ基をそれぞれエステル化及びアルキル化した後、加水分解して、得られる（Ｓ）−２−アルコキシ−３−（４−ベンジルオキシフェニル）プロピオン酸をキラル塩基で塩に変換し、得られたその塩をエステル化し、エステル化した生成物を脱保護する、（Ｓ）−２−アルコキシ−３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸エステルの製造方法が記載されている。
しかしながら、特許文献１に記載の方法では、原料としてＬ−チロシンを用いているため、原料のＬ−チロシン中のアミノ基をジアゾ化しなければならない。したがって、このような方法は工業的な製造法ではない。
【０００３】
非特許文献１及び２には、トリエチル ２−エトキシホスホノアセテートを４−ベンジルオキシベンズアルデヒドと反応させ、こうして得られる３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−エトキシアクリル酸エチルをパラジウム触媒の存在下で水素化反応させ、こうして得られるラセミ体の２−エトキシ−３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸エチルを酵素で（Ｓ）−体のみを加水分解して光学分割する（Ｓ）−２−エトキシ−３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸の製造方法が記載されている。
しかしながら、これらの文献に記載の方法では、一旦ラセミ体を製造した後、酵素で加水分解及び光学分割をしなければならないのみならず、また、基質によって酵素を選択しなければならず、しかも（Ｓ）−体のみを加水分解する酵素を使用しなければならない、という問題点を有していた。
【０００４】
特許文献２及び非特許文献３には、α位の炭素原子のヒドロキシ基がアセチル基又はベンゾイル基で保護されたα，β−不飽和カルボン酸エステル類をロジウム触媒とビスホスホラン配位子とを用いて不斉水素化反応させる方法が記載されている。
しかしながら、上記の方法では、金属と配位子とが限定されてしまうという問題点を有している。また、前記ヒドロキシ基は、アセチル基又はベンゾイル基で保護されており、このヒドロキシ基にメチル基等のアルキル基を導入するためには、これらアセチル基又はベンゾイル基を脱保護してからメチル基等のアルキル基を導入しなければならない、という問題点を有している。
【特許文献１】ＷＯ０２／２４６２５号
【特許文献２】ＵＳ５５５９２６７号
【非特許文献１】Ｊ．Ｍｅｄ．Ｃｈｅｍ．Ｖｏｌ．４６，Ｎｏ．８，１３０６（２００３）．
【非特許文献２】Ｏｒｇａｎｉｃ Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｒｅｓｅａｒｃｈ ＆ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ，７（１）８２（２００３）．
【非特許文献３】Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．， Ｖｏｌ．１２０，Ｎｏ．１８，４３４５（１９９８）．
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は上記問題に鑑みなされたものであり、本発明の目的は、短工程で高収率及び高光学純度で医薬中間体として有用な所望の光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類の製造方法について鋭意検討を行った結果、中間体としてけい皮酸類を経由することにより、目的化合物を短工程かつ高収率及び高光学純度で製造できることを見出した。本発明は、こうした知見に基づき達成された。
【０００７】
即ち、本発明は以下の通りである。
１）一般式（１）
【化１】
（式中、Ｒ１は保護基を示し、Ｒ５〜Ｒ８は夫々独立して水素原子又は置換基を示す。）で表されるベンズアルデヒド類と一般式（２）
【化２】
（式中、Ｒ２はアルキル基を示し、Ｒ３は炭化水素基を示す。）で表されるグリコール酸誘導体とを反応させた後、得られた生成物を加水分解して一般式（４）
【化３】
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表されるけい皮酸類又はその塩を製造し、そしてその得られたけい皮酸類（４）又はその塩を不斉水素化反応に付して一般式（５）
【化４】
（式中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表される光学活性フェニルプロピオン酸類又はその塩を製造し、次いで脱保護することを特徴とする、一般式（６）
【化５】
（式中、Ｒ２、Ｒ５〜Ｒ８及び＊は前記と同意義を有する。）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩の製造方法、
２）一般式（１）
【化６】
（式中、Ｒ１は保護基を示し、Ｒ５〜Ｒ８は夫々独立して水素原子又は置換基を示す。）で表されるベンズアルデヒド類と一般式（２）
【化７】
（式中、Ｒ２はアルキル基を示し、Ｒ３は炭化水素基を示す。）で表されるグリコール酸誘導体とを反応させた後、加水分解して一般式（４）
【化８】
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表されるけい皮酸類又はその塩を製造し、そしてそのけい皮酸類（４）又はその塩を不斉水素化反応に付すことを特徴とする、一般式（６）
【化９】
（式中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩の製造方法、
３）一般式（７）
【化１０】
（式中、Ｒ５〜Ｒ８は夫々独立して水素原子又は置換基を示す。）で表される４−ヒドロキシベンズアルデヒド類と一般式（２）
【化１１】
（式中、Ｒ２はアルキル基を示し、Ｒ３は炭化水素基を示す。）で表されるグリコール酸誘導体とを反応させた後、加水分解して一般式（９）
【化１２】
（式中、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表されるけい皮酸類又はその塩を製造し、そしてその４−ヒドロキシけい皮酸類（９）又はその塩を不斉水素化反応に付すことを特徴とする、一般式（６）
【化１３】
（式中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩の製造方法、
４）不斉水素化反応が、不斉触媒の存在下で行われることを特徴とする上記１）〜３）のいずれかに記載の製造方法、
５）不斉触媒が、遷移金属錯体であることを特徴とする上記１）〜４）のいずれかに記載の製造方法、
６）遷移金属錯体が、周期表の第８〜１０族の金属の錯体であることを特徴とする上記５）に記載の製造方法、
７）一般式（１１）
【化１４】
（式中、Ｒ１１及びＲ１２は夫々独立して水素原子又は置換基を示し、Ｒ１３は水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基又は金属原子を示し、Ｒ１４は水素原子又は保護基を示す。）で表されるα，β−不飽和カルボン酸類又はその塩を遷移金属錯体の存在下で不斉水素化反応に付すことを特徴とする、一般式（１２）
【化１５】
（式中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ１１〜Ｒ１４は前記と同意義を有する。）で表される光学活性カルボン酸類又はその塩の製造方法、但し、遷移金属錯体がロジウムのものであるとき、前記一般式（１１）中のＲ１４で示される保護基はアシル基以外の基である、
８）遷移金属錯体が、周期表の第８〜１０族の金属の錯体であることを特徴とする上記７）に記載の製造方法、
９）不斉触媒が、不斉配位子と遷移金属化合物の混合物であることを特徴とする上記１）又は３）に記載の製造方法、
１０）上記１）〜３）のいずれかに記載の方法で得られる一般式（５）で表される光学活性フェニルプロピオン酸類又はその塩を、溶媒から結晶化させることを特徴とする上記１）〜３）のいずれかに記載の製造方法、
１１）結晶化に使用する溶媒が、炭化水素類、アルコール類、ケトン類、水及びそれらの混合物からなる群から選ばれる１種であることを特徴とする上記１０）に記載の製造方法、
１２）上記１）〜３）のいずれかに記載の製造方法で得られる一般式（６）で表される光学活性な３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩を、溶媒から結晶化させることを特徴とする上記１）〜３）に記載の製造方法、
１３）結晶化に使用する溶媒が、芳香族炭化水素類、脂肪族炭化水素類、アルコール類、水及びそれらの混合物からなる群から選ばれる１種であることを特徴とする上記１２）に記載の製造方法、
１４）一般式（４）
【化１６】
（式中、Ｒ１は保護基を示し、Ｒ２はアルキル基を示し、Ｒ５〜Ｒ８は夫々独立して水素原子又は置換基を示す。）で表されるけい皮酸類又はその塩を、不斉水素化反応に付すことを特徴とする、一般式（５）
【化１７】
（式中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表される光学活性フェニルプロピオン酸類又はその塩の製造方法、
１５）一般式（４）
【化１８】
（式中、Ｒ２はアルキル基を示し、Ｒ５〜Ｒ８は夫々独立して水素原子又は置換基を示す。）で表されるけい皮酸類又はその塩を、不斉水素化反応に付すことを特徴とする、一般式（６）
【化１９】
（式中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。)で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩の製造方法、
１６）一般式（９）
【化２０】
（式中、Ｒ２はアルキル基を示し、Ｒ５〜Ｒ８は夫々独立して水素原子又は置換基を示す。）で表される４−ヒドロキシけい皮酸類又はその塩を、不斉水素化反応に付すことを特徴とする、一般式（６）
【化２１】
（式中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩の製造方法、
１７）一般式（４）
【化２２】
（式中、Ｒ１は保護基を示し、Ｒ２はアルキル基を示し、Ｒ５〜Ｒ８は夫々独立して水素原子又は置換基を示す。）で表されるけい皮酸類又はその塩を不斉水素化反応に付すことを特徴とする、一般式（６）
【化２３】
（式中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩、及び一般式（５）
【化２４】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５〜Ｒ８及び＊は前記と同意義を有する。）で表される光学活性フェニルプロピオン酸類又はその塩の製造方法、及び
１８）一般式（１）
【化２５】
（式中、Ｒ１は保護基を示し、Ｒ５〜Ｒ８は夫々独立して水素原子又は置換基を示す。）で表されるベンズアルデヒド類と、一般式（２）
【化２６】
（式中、Ｒ２はアルキル基を示し、Ｒ３は炭化水素基を示す。）で表されるグリコール酸誘導体とを反応させ、得られた生成物を加水分解して一般式（４）
【化２７】
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表されるけい皮酸類又はその塩を製造し、そしてそのけい皮酸類（４）又はその塩を不斉水素化反応に付して、一般式（５）
【化２８】
（式中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表される光学活性フェニルプロピオン酸類又はその塩、及び一般式（６）
【化２９】
（式中、Ｒ２、Ｒ５〜Ｒ８及び＊は前記と同意義を有する。）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩を製造し、ついで脱保護することを特徴とする、一般式（６）
【化３０】
（式中、Ｒ２、Ｒ５〜Ｒ８は及び＊は前記と同意義を有する。）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩の製造方法。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類を短工程で高収率及び高光学純度で製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
Ｒ１で示される保護基としては、例えば「ＰＲＯＴＥＣＴＩＶＥ ＧＲＯＵＰＳ ＩＮ ＯＲＧＡＮＩＣ ＳＹＮＴＨＥＳＩＳ ＴＨＩＲＤ ＥＤＩＴＩＯＮ（ＪＯＨＮ ＷＩＬＥＹ ＆ ＳＯＮＳ、ＩＮＣ．（１９９９）」にヒドロキシ保護基として記載されている基等が挙げられる。そのようなヒドロキシ保護基の具体例としては、アルキル基、置換アルキル基、アリール基、置換アリール基、アラルキル基、置換アラルキル基、アシル基、置換アシル基、アルコキシカルボニル基、置換アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、置換アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、置換アラルキルオキシカルボニル基、複素環基、置換複素環基、置換シリル基、スルホニル基等が挙げられる。
【００１０】
アルキル基としては、直鎖状でも、分岐状でも或いは環状でもよい、例えば炭素数１〜２０、好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基が挙げられ、そのようなアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、２−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、２−ペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル基、２，２−ジメチルプロピル基、ｎ−ヘキシル基、２−ヘキシル基、３−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、２−メチルペンタン−３−イル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
アリール基としては、例えば炭素数６〜２０のアリール基が挙げられ、そのようなアリール基の具体例としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ビフェニル基等が挙げられる。
アラルキル基としては、例えば、前記アルキル基の少なくとも１個の水素原子が前記アリール基で置換された基が挙げられ、そのようなアラルキル基としては、炭素数７〜２０のアラルキル基が好ましく、具体的にはベンジル基、２−フェニルエチル基、１−フェニルプロピル基、３−ナフチルプロピル基等が挙げられる。
アシル基としては、直鎖状でも分岐状でも或いは環状でもよい。例えば、脂肪族カルボン酸類、芳香族カルボン酸類等のカルボン酸由来の炭素数１〜２０のアシル基が挙げられる。そのようなアシル基の具体例としては、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ピバロイル基、ペンタノイル基、ヘキサノイル基、ラウロイル基、ステアロイル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
【００１１】
アルコキシカルボニル基としては、直鎖状でも分岐状でも或いは環状でもよい。例えば炭素数２〜２０のアルコキシカルボニル基が挙げられる。そのようなアルコキシカルボニル基の具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、２−プロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシルオキシカルボニル基、ラウリルオキシカルボニル基、ステアリルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基等が挙げられる。
アリールオキシカルボニル基としては、例えば炭素数７〜２０のアリールオキシカルボニル基が挙げられ、フェノキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等が挙げられる。
アラルキルオキシカルボニル基としては、例えば炭素数８〜１５のアラルキルオキシカルボニル基が挙げられ、そのようなアラルキルオキシカルボニル基の具体例としては、ベンジルオキシカルボニル基、フェニルエトキシカルボニル基、９−フルオレニルメチルオキシカルボニル基等が挙げられる。
【００１２】
複素環基としては、脂肪族複素環基及び芳香族複素環基が挙げられる。
脂肪族複素環基としては、例えば、炭素数２〜１４で、ヘテロ原子として少なくとも１個、好ましくは１〜３個の例えば窒素原子、酸素原子及び／又は硫黄原子等のヘテロ原子を含んでいる、５〜８員、好ましくは５又は６員の単環の脂肪族複素環基、多環又は縮合環の脂肪族複素環基が挙げられる。そのような脂肪族複素環基の具体例としては、例えば、２−オキソ−ピロリジニル基、ピペリジノ基、ピペラジニル基、モルホリノ基、モルホリニル基、テトラヒドロフリル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基等が挙げられる。
芳香族複素環基としては、例えば、炭素数２〜１５で、異種原子として少なくとも１個、好ましくは１〜３個の窒素原子、酸素原子及び／又は硫黄原子等のヘテロ原子を含んでいる、５〜８員、好ましくは５又は６員の単環式ヘテロアリール基、多環式又は縮合環式のヘテロアリール基が挙げられる。そのような芳香族複素環基の具体例としては、例えばフリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、ピリダジル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、ベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリル基、フタラジル基、キナゾリル基、ナフチリジル基、シンノリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、アクリジル基、アクリジニル基等が挙げられる。
【００１３】
スルホニル基としては、例えばＲａ−ＳＯ２−（Ｒａは炭化水素基、置換炭化水素基又は置換アミノ基を示す。）で表される置換スルホニル基が挙げられる。上記炭化水素基、置換炭化水素基及び置換アミノ基については後述する各基と同じであってよい。そのようなスルホニル基の具体例としては、メタンスルホニル基、トリフルオロメタンスルホニル基、フェニルスルホニル基、ｐ−トルエンスルホニル基、−ＳＯ２Ｎ（ＣＨ３）２等が挙げられる。
【００１４】
置換シリル基としては、シリル基の３個の水素原子がアルキル基、置換アルキル基、アリール基、置換アリール基、アラルキル基、置換アラルキル基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、置換シリル基等の炭化水素基等の置換基で置換されたトリ置換シリル基が挙げられる。当該アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、置換シリル基は、上記で説明した各基と同じである。置換アルキル基、置換アリール基、置換アラルキル基、置換アルコキシ基については後述する。そのような置換シリル基の具体例としては、トリメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基、トリフェニルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルメトキシフェニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシジフェニルシリル基等が挙げられる。
【００１５】
置換アルキル基、置換アリール基、置換アラルキル基、置換アシル基、置換アルコキシカルボニル基、置換アリールオキシカルボニル基、置換アラルキルオキシカルボニル基及び置換複素環基は、前記各基における少なくとも１個の水素原子が置換基で置換された基が挙げられる。
置換基としては、炭化水素基、置換炭化水素基、ハロゲン原子、ハロゲン化炭化水素基、複素環基、置換複素環基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、アラルキルオキシ基、置換アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、置換アリールオキシ基、アシル基、置換アシル基、アルコキシ基、置換アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、置換アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、置換アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、置換アラルキルオキシカルボニル基、アルキレンジオキシ基、ニトロ基、置換アミノ基、シアノ基、スルホニル基、置換シリル基等が挙げられる。
炭化水素基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基等が挙げられ、アルキル基、アリール基、アラルキル基等が好ましい。アルキル基、アリール基、アラルキル基は上記で説明した各基と同じである。
【００１６】
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
ハロゲン化炭化水素基は、上記炭化水素基の少なくとも１個の水素原子がハロゲン化（例えばフッ素化、塩素化、臭素化、ヨウ素化等）された基が挙げられる。そのようなハロゲン化炭化水素基の具体例としては、例えば、炭素数１〜１０のハロゲン化アルキル基が挙げられ、その具体例としては、クロロメチル基、ブロモメチル基、２−クロロエチル基、３−ブロモプロピル基、フルオロメチル基、フルオロエチル基、フルオロプロピル基、フルオロブチル基、フルオロペンチル基、フルオロヘキシル基、フルオロヘプチル基、フルオロオクチル基、フルオロノニル基、フルオロデシル基、ジフルオロメチル基、ジフルオロエチル基、フルオロシクロヘキシル基、トリフルオロメチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基、ペンタフルオロエチル基、３，３，４，４，４−ペンタフルオロブチル基、ペルフルオロ−ｎ−プロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロ−ｎ−ブチル基、ペルフルオロイソブチル基、ペルフルオロ−ｔｅｒｔ−ブチル基、ペルフルオロ−ｓｅｃ−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロイソペンチル基、ペルフルオロ−ｔｅｒｔ−ペンチル基、ペルフルオロ−ｎ−ヘキシル基、ペルフルオロイソヘキシル基、ペルフルオロヘプチル基、ペルフルオロオクチル基、ペルフルオロノニル基、ペルフルオロデシル基、２−ペルフルオロオクチルエチル基、ペルフルオロシクロプロピル基、ペルフルオロシクロペンチル基、ペルフルオロシクロヘキシル基等が挙げられる。
【００１７】
アルコキシ基としては、直鎖状でも分岐状でも或いは環状でもよい。例えば炭素数１〜２０、好ましくは炭素数１〜６のアルコキシ基が挙げられる。そのようなアルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、２−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、２−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、２−メチルブトキシ基、３−メチルブトキシ基、２，２−ジメチルプロピルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、２−メチルペンチルオキシ基、３−メチルペンチルオキシ基、４−メチルペンチルオキシ基、５−メチルペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。置換アルコキシ基としては、前記アルコキシ基の少なくとも１個の水素原子が上記置換基で置換されたアルコキシ基が挙げられる。
アリールオキシ基としては、炭素数６〜２０のアリールオキシ基が挙げられ、そのようなアリールオキシ基の具体例としては、例えば、フェニルオキシ基、ナフチルオキシ基、アントリルオキシ基等が挙げられる。置換アリールオキシ基としては、前記アリールオキシ基の少なくとも１個の水素原子が上記置換基で置換されたアリールオキシ基が挙げられる。
アラルキルオキシ基としては、例えば炭素数７〜２０のアラルキルオキシ基が挙げられる。そのようなアラルキルオキシ基の具体例としては、ベンジルオキシ基、２−フェニルエトキシ基、１−フェニルプロポキシ基、２−フェニルプロポキシ基、３−フェニルプロポキシ基、１−フェニルブトキシ基、２−フェニルブトキシ基、３−フェニルブトキシ基、４−フェニルブトキシ基、１−フェニルペンチルオキシ基、２−フェニルペンチルオキシ基、３−フェニルペンチルオキシ基、４−フェニルペンチルオキシ基、５−フェニルペンチルオキシ基、１−フェニルヘキシルオキシ基、２−フェニルヘキシルオキシ基、３−フェニルヘキシルオキシ基、４−フェニルヘキシルオキシ基、５−フェニルヘキシルオキシ基、６−フェニルヘキシルオキシ基等が挙げられる。置換アラルキルオキシ基としては、前記アラルキルオキシ基の少なくとも１個の水素原子が上記置換基で置換されたアラルキルオキシ基が挙げられる。
【００１８】
複素環基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、スルホニル基、置換シリル基は上記で説明した各基と同じである。
アシルオキシ基としては、脂肪族カルボン酸類、芳香族カルボン酸類等のカルボン酸由来の例えば炭素数２〜２０のアシルオキシ基が挙げられる。そのようなアシルオキシ基の具体例としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ペンタノイルオキシ基、ヘキサノイルオキシ基、ラウロイルオキシ基、ステアロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基等が挙げられる。
【００１９】
置換アミノ基としては、アミノ基の１個又は２個の水素原子が保護基等の置換基で置換されたアミノ基が挙げられる。保護基としては、アミノ保護基として用いられるものであれば何れも使用可能であり、例えば「ＰＲＯＴＥＣＴＩＶＥ ＧＲＯＵＰＳ ＩＮ ＯＲＧＡＮＩＣ ＳＹＮＴＨＥＳＩＳ ＴＨＩＲＤ ＥＤＩＴＩＯＮ（ＪＯＨＮ ＷＩＬＥＹ ＆ ＳＯＮＳ、ＩＮＣ．（１９９９）」にアミノ保護基として記載されているものが挙げられる。そのようなアミノ保護基の具体例としては、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、スルホニル基等が挙げられる。
上記アミノ保護基におけるアルキル基、アリール基及びアラルキル基は上記炭化水素基で説明した各基と同じである。また、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基及びアラルキルオキシカルボニル基も上記で説明した各基と同じである。
上記アミノ保護基としてのスルホニル基としては、上記置換基におけるスルホニル基と同意義であってよい。
【００２０】
アルキル基で置換されたアミノ基、即ちアルキル基置換アミノ基の具体例としては、Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルアミノ基、Ｎ−シクロヘキシルアミノ基等のモノ又はジアルキルアミノ基が挙げられる。アリール基で置換されたアミノ基、即ちアリール基置換アミノ基の具体例としては、Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ基、Ｎ−ナフチルアミノ基、Ｎ−ナフチル−Ｎ−フェニルアミノ基等のモノ又はジアリールアミノ基が挙げられる。アラルキル基で置換されたアミノ基、即ちアラルキル基置換アミノ基の具体例としては、例えばＮ−ベンジルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基等のモノ又はジアラルキルアミノ基が挙げられる。アシル基で置換されたアミノ基、即ちアシルアミノ基の具体例としては、例えばホルミルアミノ基、アセチルアミノ基、プロピオニルアミノ基、ピバロイルアミノ基、ペンタノイルアミノ基、ヘキサノイルアミノ基、ベンゾイルアミノ基等が挙げられる。アルコキシカルボニル基で置換されたアミノ基、即ちアルコキシカルボニルアミノ基の具体例としては、例えばメトキシカルボニルアミノ基、エトキシカルボニルアミノ基、ｎ−プロポキシカルボニルアミノ基、ｎ−ブトキシカルボニルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ基、ペンチルオキシカルボニルアミノ基、ヘキシルオキシカルボニルアミノ基等が挙げられる。
【００２１】
アリールオキシカルボニル基で置換されたアミノ基、即ちアリールオキシカルボニルアミノ基の具体例としては、例えばアミノ基の１個の水素原子が前記したアリールオキシカルボニル基で置換されたアミノ基が挙げられ、その具体例としてフェノキシカルボニルアミノ基、ナフチルオキシカルボニルアミノ基等が挙げられる。
アラルキルオキシカルボニル基で置換されたアミノ基、即ちアラルキルオキシカルボニルアミノ基の具体例としては、例えばベンジルオキシカルボニルアミノ基等が挙げられる。
スルホニル基置換アミノ基の具体例としては、−ＮＨＳＯ２ＣＨ３、−ＮＨＳＯ２Ｃ６Ｈ５、−ＮＨＳＯ２Ｃ６Ｈ４ＣＨ３、−ＮＨＳＯ２ＣＦ３、−ＮＨＳＯ２Ｎ（ＣＨ３）２等が挙げられる。
【００２２】
置換基がアルキレンジオキシ基である場合は、例えば上記アリール基やアラルキル基中の芳香環の隣接した２個の水素原子がアルキレンジオキシ基で置換されて形成される。アルキレンジオキシ基としては、例えば炭素数１〜３のアルキレンジオキシ基が挙げられ、そのようなアルキレンジオキシ基の具体例としては、メチレンジオキシ基、エチレンジオキシ基、トリメチレンジオキシ基、プロピレンジオキシ基等が挙げられる。
置換炭化水素基、置換複素環基、置換アルコキシ基、置換アラルキルオキシ基、置換アリールオキシ基、置換アシル基、置換アシルオキシ基、置換アルコキシカルボニル基、置換アリールオキシカルボニル基及び置換アラルキルオキシカルボニル基は、上記炭化水素基、複素環基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基及びアラルキルオキシカルボニル基の夫々の少なくとも１個の水素原子が上記置換基で置換された各基が挙げられる。
【００２３】
Ｒ２で示されるアルキル基としては、直鎖状でも、分岐状でもよい、例えば炭素数１〜４のアルキル基が挙げられる。そのようなアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、２−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等が挙げられる。
Ｒ３で示される炭化水素基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基等が挙げられ、アルキル基、アリール基、アラルキル基等が好ましい。アルキル基、アリール基、アラルキル基は上記で説明した各基と同じである。
Ｒ５〜Ｒ８で示される置換基としては、炭化水素基、置換炭化水素基、複素環基、置換複素環基等が挙げられる。炭化水素基、置換炭化水素基、複素環基、置換複素環基は、上記Ｒ１における保護基で説明した各基と同意義であってよい。
【００２４】
本発明で用いられる上記一般式（１）で表されるベンズアルデヒド類（以下、必要に応じて、ベンズアルデヒド（１）、と云う。）の具体例としては、４−ベンジルオキシベンズアルデヒド、４−ｔｅｒｔ−ブトキシベンズアルデヒド、４−ベンジルオキシ−３−メチルベンズアルデヒド、４−ベンジルオキシ−３−メトキシベンズアルデヒド、４−［２−（９Ｈ−アクリジン−１０−イル）エトキシ］ベンズアルデヒド、４−［３−（４−フェノキシフェノキシ）プロポキシ］ベンズアルデヒド、４−（２−ブロモエトキシ）ベンズアルデヒド、４−（２−クロロエトキシ）ベンズアルデヒド、４−（２−クロロプロポキシ）ベンズアルデヒド、４−（２−ヨードエトキシ）ベンズアルデヒド、４−（２−ヨードプロポキシ）ベンズアルデヒド、４−（２−ヒドロキシエトキシ）ベンズアルデヒド、４−（２−ヒドロキシプロポキシ）ベンズアルデヒド等が挙げられる。
【００２５】
本発明で用いられる上記一般式（２）で表されるグリコール酸誘導体（以下、必要に応じて、グリコール酸誘導体（２）、と云う。）の具体例としては、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸プロピル、メトキシ酢酸イソプロピル、メトキシ酢酸ブチル、メトキシ酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸プロピル、エトキシ酢酸イソプロピル、エトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、プロポキシ酢酸メチル、プロポキシ酢酸エチル、プロポキシ酢酸プロピル、プロポキシ酢酸イソプロピル、プロポキシ酢酸ブチル、プロポキシ酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、ブトキシ酢酸メチル、ブトキシ酢酸エチル、ブトキシ酢酸プロピル、ブトキシ酢酸イソプロピル、ブトキシ酢酸ブチル、ブトキシ酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブトキシ酢酸メチル、ｔｅｒｔ−ブトキシ酢酸エチル、ｔｅｒｔ−ブトキシ酢酸プロピル、ｔｅｒｔ−ブトキシ酢酸イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブトキシ酢酸ブチル、ｔｅｒｔ−ブトキシ酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、イソプロポキシ酢酸メチル、イソプロポキシ酢酸エチル、イソプロポキシ酢酸プロピル、イソプロポキシ酢酸イソプロピル、イソプロポキシ酢酸ブチル、イソプロポキシ酢酸ｔｅｒｔ−ブチル等が挙げられる。
【００２６】
本発明で用いられる上記一般式（４）で表されるけい皮酸類又はその塩（以下、必要に応じて、けい皮酸類（４）、と云う。）における、上記一般式（４）で表されるけい皮酸類の具体例としては、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−エトキシアクリル酸、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−プロポキシアクリル酸、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−イソプロポキシアクリル酸、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−ブトキシアクリル酸、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−ｔｅｒｔ−ブトキシアクリル酸、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−ｔｅｒｔ−ブトキシアクリル酸、３−（４−ベンジルオキシ−３−メトキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸、３−（４−ベンジルオキシ−３−メチルフェニル）−２−メトキシアクリル酸、２−メトキシ−３−｛４−［３−（４−フェノキシフェノキシ）−プロポキシフェニル］アクリル酸、３−｛４−［２−（９Ｈ−アクリジン−１０−イル）エトキシ］フェニル｝−２−メトキシアクリル酸、３−［４−（２−ブロモエトキシ）フェニル］−２−メトキシアクリル酸、３−［４−（２−ブロモプロポキシ）フェニル］−２−メトキシアクリル酸、３−［４−（２−クロロエトキシ）フェニル］−２−メトキシアクリル酸、３−［４−（２−クロロプロポキシ）フェニル］−２−メトキシアクリル酸、３−［４−（２−ヨードエトキシ）フェニル］−２−メトキシアクリル酸、３−［４−（２−ヨードプロポキシ）フェニル］−２−メトキシアクリル酸、３−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル］−２−メトキシアクリル酸、３−［４−（２−ヒドロキシプロポキシ）フェニル］−２−メトキシアクリル酸等が挙げられる。
【００２７】
一般式（４）で表されるけい皮酸類の塩は、アルカリ金属又はアルカリ土類金属塩等の金属塩やアンモニウム塩等が挙げられる。これらの塩を構造式で表すと、例えば、一般式（４−１）
【化３１】
（式中、Ｒ４はアルカリ金属又はアルカリ土類金属等の金属原子を示し、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表されるけい皮酸類のアルカリ金属塩又はアルカリ土類金属塩等の金属塩、一般式（４−２）
【化３２】
（式中、Ｘａはアミンを示し、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表されるけい皮酸類のアミン塩等で示される。
【００２８】
Ｒ４で示されるアルカリ金属としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム等が挙げられる。
アルカリ土類金属としては、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、ベリリウム等が挙げられる。
Ｘａで示されるアミンとしては、アンモニア、例えば、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、シクロヘキシルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジイソプロピルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ジ（２−エチルヘキシル）アミン、ヘキサデシルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、Ｎ−メチルモルホリン等の脂肪族アミン類、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ピリジン、４−ジメチルアミノピリジン等の芳香族アミン類、例えばピペリジン等の飽和複素環アミン類等が挙げられる。
【００２９】
一般式（４−１）で表されるけい皮酸類のアルカリ金属塩及びアルカリ土類金属塩等の金属塩の具体例としては、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸ナトリウム、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸リチウム、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸カリウム、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸ルビジウム、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸セシウム、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸ベリリウム、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸マグネシウム、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸カリウム、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸ストロンチウム、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸バリウム等が挙げられる。
【００３０】
一般式（４−２）で表されるけい皮酸類のアミン塩の具体例としては、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のアンモニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のメチルアンモニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のエチルアンモニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のプロピルアンモニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のブチルアンモニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のシクロヘキシルアンモニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のジエチルアンモニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のジイソプロピルアンモニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のトリメチルアンモニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のトリエチルアンモニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のトリブチルアンモニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のピリジニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のジメチルアミノピリジニウム塩等が挙げられる。
【００３１】
本発明で用いられる一般式（５）で表される光学活性フェニルプロピオン酸類又はその塩（以下、必要に応じて、光学活性フェニルプロピオン酸類（５）、と云う。）における、上記一般式（５）で表される光学活性フェニルプロピオン酸類の具体例としては、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−エトキシプロピオン酸、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−プロポキシプロピオン酸、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−イソプロポキシプロピオン酸、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−ブトキシプロピオン酸、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−ｔｅｒｔ−ブトキシプロピオン酸、３−（４−ベンジルオキシフェニル−３−メトキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸、３−（４−ベンジルオキシ−３−メチルフェニル）−２−メトキシプロピオン酸、２−メトキシ−３−｛４−［３−（４−フェノキシフェノキシ）プロポキシフェニル］プロピオン酸、３−｛４−［２−（９Ｈ−アクリジン−１０−イル）エトキシ］フェニル｝−２−メトキシプロピオン酸等が挙げられる。
【００３２】
一般式（５）で表される光学活性フェニルプロピオン酸類の塩は、アルカリ金属塩又はアルカリ土類金属塩等の金属塩やアンモニウム塩等が挙げられる。これらの塩を構造式で表すと、一般式（５−１）
【化３３】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５〜Ｒ８及び＊は前記と同意義を有する。）で表される光学活性フェニルプロピオン酸類のアルカリ金属塩又はアルカリ土類金属塩等の金属塩、及び一般式（５−２）
【化３４】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５〜Ｒ８、Ｘａ及び＊は前記と同意義を有する。）で表される光学活性フェニルプロピオン酸類のアミン塩等で示される。
【００３３】
一般式（５−１）で表される光学活性フェニルプロピオン酸類のアルカリ金属及びアルカリ土類金属塩等の金属塩の具体例としては、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸ナトリウム、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸リチウム、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸カリウム、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸ルビジウム、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸セシウム、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸ベリリウム、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸マグネシウム、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸カリウム、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸ストロンチウム、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸バリウム等が挙げられる。
【００３４】
一般式（５−２）で表される光学活性フェニルプロピオン酸類のアミン塩の具体例としては、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸のアンモニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸のメチルアンモニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸のエチルアンモニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸のプロピルアンモニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸のブチルアンモニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸のシクロヘキシルアンモニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸のジメチルアンモニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸のジエチルアンモニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸のジイソプロピルアンモニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸のトリメチルアンモニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸のトリエチルアンモニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸のトリブチルアンモニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸のピリジニウム塩、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸のジメチルアミノピリジニウム塩等が挙げられる。
【００３５】
本発明で用いられる上記一般式（７）で表される４−ヒドロキシベンズアルデヒド類（以下、必要に応じて、４−ヒドロキシベンズアルデヒド類（７）、と云う。）の具体例としては、４−ヒドロキシベンズアルデヒド、２−メチル−４−ヒドロキシベンズアルデヒド、３−メチル−４−ヒドロキシベンズアルデヒド、２−エチル−４−ヒドロキシベンズアルデヒド、３−エチル−４−ヒドロキシベンズアルデヒド、２−メトキシ−４−ヒドロキシベンズアルデヒド、３−メトキシ−４−ヒドロキシベンズアルデヒド、２−ニトロ−４−ヒドロキシベンズアルデヒド、３−ニトロ−４−ヒドロキシベンズアルデヒド、３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンズアルデヒド、２−ニトロ−４−ヒドロキシベンズアルデヒド、３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンズアルデヒド等が挙げられる。
【００３６】
上記一般式（９）で表される４−ヒドロキシけい皮酸類又はその塩（以下、必要に応じて、４−ヒドロキシけい皮酸類（９）、と云う。）における上記一般式（９）で表される４−ヒドロキシけい皮酸類の具体例としては、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−エトキシプロピオン酸、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−プロポキシプロピオン酸、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−イソプロポキシプロピオン酸、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−ブトキシプロピオン酸、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−ｔｅｒｔ−ブトキシプロピオン酸等が挙げられる。
【００３７】
一般式（９）で表される４−ヒドロキシけい皮酸類の塩は、アルカリ金属塩又はアルカリ土類金属塩等の金属塩、アンモニウム塩等が挙げられる。これらの塩を構造式で表すと、一般式（９−１）
【化３５】
（式中、Ｒ２、Ｒ４及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表される４−ヒドロキシけい皮酸類のアルカリ金属塩やアルカリ土類金属塩等の金属塩、一般式（９−２）
【化３６】
（式中、Ｒ２、Ｒ５〜Ｒ８及びＸａは前記と同意義を有する。）で表される４−ヒドロキシけい皮酸類のアミン塩等で示される。
【００３８】
一般式（９−１）で表される４−ヒドロキシけい皮酸類のアルカリ金属塩及びアルカリ土類金属塩等の金属塩の具体例としては、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸ナトリウム、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸リチウム、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸カリウム、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸ルビジウム、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸セシウム、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸ベリリウム、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸マグネシウム、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸カルシウム、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸ストロンチウム、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸バリウム等が挙げられる。
【００３９】
一般式（９−２）で表される４−ヒドロキシけい皮酸類のアミン塩の具体例としては、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のアンモニウム塩、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のメチルアンモニウム塩、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のエチルアンモニウム塩、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のプロピルアンモニウム塩、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のブチルアンモニウム塩、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のシクロヘキシルアンモニウム塩、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のジメチルアンモニウム塩、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のジエチルアンモニウム塩、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のジイソプロピルアンモニウム塩、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のトリメチルアンモニウム塩、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のトリエチルアンモニウム塩、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のトリブチルアンモニウム塩、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のピリジニウム塩、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸のジメチルアミノピリジニウム塩等が挙げられる。
【００４０】
本発明の製造方法で得られる上記一般式（６）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩（以下、必要に応じて、３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類（６）、と云う。）における、一般式（６）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類の具体例としては、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−エトキシプロピオン酸、３−（４−ヒドロオキシフェニル）−２−プロポキシプロピオン酸、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−イソプロポキシキシプロピオン酸、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−ブトキシプロピオン酸、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−ｔｅｒｔ−ブトキシプロピオン酸等が挙げられる。
【００４１】
一般式（６）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類の塩は、アルカリ金属塩又はアルカリ土類金属塩等の金属塩及びアンモニウム塩等が挙げられる。これらの塩を構造式で表すと、一般式（６−１）
【化３７】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５〜Ｒ８及び＊は前記と同意義を有する。）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類のアルカリ金属塩及びアルカリ土類金属塩等の金属塩、一般式（６−２）
【化３８】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５〜Ｒ８、Ｘａ及び＊は前記と同意義を有する。）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類のアミン塩等で示される。
【００４２】
一般式（６−１）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類のアルカリ金属塩及びアルカリ土類金属塩等の金属塩の具体例としては、３−(４−ヒドロキシフェニル)−２−メトキシプロピオン酸ナトリウム、３−(４−ヒドロキシフェニル)−２−メトキシプロピオン酸リチウム、３−(４−ヒドロキシフェニル)−２−メトキシプロピオン酸カリウム、３−(４−ヒドロキシフェニル)−２−メトキシプロピオン酸ルビジウム、３−(４−ヒドロキシフェニル)−２−メトキシプロピオン酸セシウム、３−(４−ヒドロキシフェニル)−２−メトキシプロピオン酸ベリリウム、３−(４−ヒドロキシフェニル)−２−メトキシプロピオン酸マグネシウム、３−(４−ヒドロキシフェニル)−２−メトキシプロピオン酸カルシウム、３−(４−ヒドロキシフェニル)−２−メトキシプロピオン酸ストロンチウム、３−(４−ヒドロキシ−フェニル)−２−メトキシプロピオン酸バリウム等が挙げられる。
【００４３】
一般式（６−２）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類のアミン塩の具体例としては、３−(４−ヒドロキシフェニル)−２−メトキシプロピオン酸のアンモニウム塩、３−(４−ヒドロキシフェニル)−２−メトキシプロピオン酸のメチルアンモニウム塩、３−(４−ヒドロキシフェニル)−２−メトキシプロピオン酸のエチルアンモニウム塩、３−(４−ヒドロキシフェニル)−２−メトキシプロピオン酸のプロピルアンモニウム塩、３−(４−ヒドロキシフェニル)−２−メトキシプロピオン酸のブチルアンモニウム塩、３−(４−ヒドロキシフェニル)−２−メトキシプロピオン酸のシクロヘキシルアンモニウム塩、３−(４−ヒドロキシフェニル)−２−メトキシプロピオン酸のジメチルアンモニウム塩、３−(４−ヒドロキシフェニル)−２−メトキシプロピオン酸のジエチルアンモニウム塩、３−(４−ヒドロキシフェニル)−２−メトキシプロピオン酸のジイソプロピルアンモニウム塩、３−(４−ヒドロキシフェニル)−２−メトキシプロピオン酸のトリメチルアンモニウム塩、３−(４−ヒドロキシフェニル)−２−メトキシプロピオン酸のトリエチルアンモニウム塩、３−(４−ヒドロキシフェニル)−２−メトキシプロピオン酸のトリブチルアンモニウム塩、３−(４−ヒドロキシフェニル)−２−メトキシプロピオン酸のピリジニウム塩、３−(４−ヒドロキシフェニル)−２−メトキシプロピオン酸のジメチルアミノピリジニウム塩等が挙げられる。
【００４４】
本発明の製造方法を下記スキームを用いて説明する。
スキーム１
【化３９】
【００４５】
一般式（４）で表されるけい皮酸類又はその塩は、一般式（１）で表されるベンズアルデヒド類とグリコール酸誘導体（２）とを適当な溶媒中、塩基の存在下で反応させた後、加水分解することにより製造することができる。
グリコール酸誘導体（２）の使用量は、一般式（１）で表されるベンズアルデヒド類に対して、通常１〜１０当量、好ましくは１〜５当量の範囲から適宜選択される。
【００４６】
溶媒としては、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、ｏ−ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、ジメトキシエタン、エチレングリコールジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン等のエーテル類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；メタノール、エタノール、２−プロパノール、ｎ−ブタノール、２−エトキシエタノール等のアルコール類；エチレングリコール、プロピレングリコール、１，２−プロパンジオール、グリセリン等の多価アルコール類；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類；アセトニトリル等の含シアノ有機化合物類等が挙げられる。これら溶媒は、夫々単独で用いても二種以上適宜組み合わせて用いてもよい。
溶媒の使用量は、ベンズアルデヒド類（１）に対して、通常０．１〜１００倍量、好ましくは１〜２０倍量の範囲から適宜選択される。
【００４７】
塩基としては、無機塩基、有機塩基等が挙げられる。無機塩基としては、炭酸カリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム等が挙げられる。有機塩基としては、カリウムメトキシド、ナトリウムメトキシド、リチウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムイソプロポキシド、カリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、カリウムナフタレニド、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、酢酸マグネシウム、酢酸カルシウム等のアルカリ／アルカリ土類金属の塩、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ピペリジン、ピリジン、４−ジメチルアミノピリジン、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン、トリ−ｎ−ブチルアミン、Ｎ−メチルモルホリン等の有機アミン類；水素化ナトリウム、水素化ホウ素ナトリウム、水素化リチウムアルミニウム等の金属水素化物類；臭化メチルマグネシウム、臭化エチルマグネシウム、臭化プロピルマグネシウム、メチルリチウム、エチルリチウム、プロピルリチウム、ｎ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム等の有機金属化合物類、４級アンモニウム塩等が挙げられる。
塩基の使用量は、グリコール酸誘導体（２）に対して、通常０．０１〜１０当量、好ましくは１〜５当量の範囲から適宜選択される。
【００４８】
反応温度は、通常０℃〜使用する溶媒の沸点、好ましくは２０〜８０℃の範囲から適宜選択される。
反応時間は、通常０．１〜４８時間、好ましくは１〜１０時間の範囲から適宜選択される。
【００４９】
ベンズアルデヒド類（１）とグリコール酸誘導体（２）との反応は、任意の後処理及び精製をした後に、あるいは後処理及び精製を経ることなく、一般式（３）
【化４０】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表されるけい皮酸エステル類（以下、必要に応じて、けい皮酸エステル類（３）、と云う。）を単離した後、加水分解することによりけい皮酸類（４）を製造してもよい。あるいは、けい皮酸エステル類（３）を単離せずに、水、アルコール及び／又は上記塩基を加えて加水分解してもよい。
加水分解は、当該分野で通常用いられている方法によって実施することができる。
【００５０】
加水分解は、例えば、けい皮酸エステル類（３）をアルコール中で水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の上記塩基のアルカリ水溶液の存在下、あるいは、アルコールと水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の上記塩基との混合物中でも加水分解を実施することができる。
【００５１】
アルコールの具体例としては、例えば、メタノール、エタノール、２−プロパノール、ｎ−ブタノール、２−エトキシエタノール等が挙げられる。
塩基の使用量は、けい皮酸エステル類（３）に対して、通常０．１〜１０倍量、好ましくは１〜５倍量の範囲から適宜選択される。
水の使用量は、けい皮酸エステル類（３）に対して、通常０．１〜１００倍量、好ましくは１〜２０倍量の範囲から適宜選択される。
アルコールの使用量は、けい皮酸エステル類（３）に対して、通常０．１〜１００倍量、好ましくは１〜２０倍量の範囲から適宜選択される。
加水分解の温度は、通常０℃〜使用する溶媒の沸点、好ましくは２０〜６０℃の範囲から適宜選択される。
加水分解の時間は、通常０．５〜１０時間、好ましくは１〜５時間の範囲から適宜選択される。
【００５２】
けい皮酸エステル類（３）の具体例としては、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸メチル、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸エチル、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸プロピル、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸ブチル、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸ｔｅｒｔ−ブチル、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−エトキシアクリル酸メチル、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−エトキシアクリル酸エチル、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−エトキシアクリル酸プロピル、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−エトキシアクリル酸ブチル、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−エトキシアクリル酸ｔｅｒｔ−ブチル、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−プロポキシアクリル酸メチル、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−プロポキシアクリル酸エチル、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−プロポキシアクリル酸プロピル、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−プロポキシアクリル酸ブチル、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−プロポキシアクリル酸ｔｅｒｔ−ブチル、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−ブトキシアクリル酸メチル、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−ブトキシアクリル酸エチル、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−ブトキシアクリル酸プロピル、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−ブトキシアクリル酸ブチル、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−ブトキシアクリル酸ｔｅｒｔ−ブチル等が挙げられる。
【００５３】
得られた一般式（４）で表されるけい皮酸類又はその塩は、カルボキシ基フリーの一般式（４）で表されるけい皮酸類、及び一般式（４−１）で表されるけい皮酸類の金属塩及び／又は一般式（４−２）で表されるけい皮酸類のアミン塩との混合物であってもよい。
また、得られた一般式（４）で表されるけい皮酸類は、必要に応じて、上記塩基の水溶液を用いて、前記一般式（４）で表されるけい皮酸類を上記一般式（４−１）で表されるけい皮酸類の金属塩又は一般式（４−２）で表されるけい皮酸類のアミン塩としても、あるいは一般式（４）で表されるけい皮酸類の塩とは異なる塩を形成させてもよい。
尚、けい皮酸類（４）は、必要に応じて後処理を行ってもよく、あるいは何らの後処理、単離をすることなく次の反応に付してもよい。
【００５４】
光学活性フェニルプロピオン酸類（５）は、けい皮酸類（４）を不斉水素化反応させることにより製造することができる。
不斉水素化反応は、不斉触媒の存在下で行うことにより、光学活性フェニルプロピオン酸類（５）を効率よくかつ不斉収率よく得ることができる。不斉触媒は、不斉水素化触媒が好ましい。
不斉水素化触媒は、不斉遷移金属錯体が好ましく用いられる。前記不斉遷移金属錯体は、遷移金属と不斉配位子とを含有する錯体が好ましく用いられ、また、該不斉遷移金属錯体はｉｎ ｓｉｔｕで水素化反応に用いてもよい。
前記遷移金属錯体における遷移金属は、元素周期表の第８〜１０族の金属が好ましい。
【００５５】
遷移金属錯体としては、例えば下記一般式（１３）又は（１４）で表される化合物が挙げられる。
ＭｍＬｎＸｐＹｑ （１３）
［ＭｍＬｎＸｐＹｑ］Ｚｓ （１４）
上記式中、Ｍは元素周期表の第８〜１０族の遷移金属を示し、Ｌは不斉配位子を示し、Ｘはハロゲン原子、カルボキシラート基、アリル基、１，５−シクロオクタジエン基又はノルボルナジエン基を示し、Ｙは配位子を示し、Ｚはアニオン又はカチオンを示し、ｍ、ｎ、ｐ、ｑ及びｓは０〜５の整数を示す。
【００５６】
一般式（１３）及び（１４）において、Ｍで示される元素周期表の第８〜１０族の遷移金属としては、同一又は異なって、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）等が挙げられる。
Ｌで示される不斉配位子は、同一又は異なって、単座配位子、二座配位子等が挙げられる。好ましい不斉配位子は、光学活性ホスフィン配位子等が挙げられ、より好ましい不斉配位子は光学活性二座ホスフィン配位子等が挙げられる。
【００５７】
光学活性二座ホスフィン配位子としては、例えば下記一般式（１５）で表されるホスフィン化合物が挙げられる。
Ｒ２１Ｒ２２Ｐ−Ｑ−ＰＲ２３Ｒ２４ （１５）
（式中、Ｒ２１〜Ｒ２４は夫々独立して、炭化水素基、置換炭化水素基、複素環基又は置換複素環基を示し、Ｑはスペーサーを示す。）
【００５８】
Ｒ２１〜Ｒ２４で示される炭化水素基、置換炭化水素基、複素環基又は置換複素環基としては、上記一般式（１）におけるＲ１及びＲ５〜Ｒ８で説明した各基と同意義であってよい。
Ｑで示されるスペーサーとしては、アルキレン基、アリーレン基等の置換基を有していてもよい２価の有機基等が挙げられる。
アルキレン基としては、例えば、炭素数１〜６のアルキレン基が挙げられ、そのような基の具体例としてはメチレン基、エチレン基、トリメチレン基、プロピレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基等が挙げられる。アリーレン基としては、例えば、炭素数６〜２０のアリーレン基が挙げられ、そのようなアリーレン基の具体例としては、フェニレン基、ビフェニルジイル基、ビナフタレンジイル基等が挙げられる。これら２価の有機基は上記したような置換基で置換されていてもよい。また、前記２価の有機基は、該有機基の末端又は鎖中の任意の位置に酸素原子、カルボニル基等の基を少なくとも１個有していてもよい。
【００５９】
そのような不斉配位子の具体例としては、シクロヘキシルアニシルメチルホスフィン（ＣＡＭＰ）、１，２−ビス（アニシルフェニルホスフィノ）エタン（ＤＩＰＡＭＰ）、１，２−ビス（アルキルメチルホスフィノ）エタン（ＢｉｓＰ＊）、２，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン（ＣＨＩＲＡＰＨＯＳ）、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン（ＰＲＯＰＨＯＳ）、２，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）−５−ノルボルネン（ＮＯＲＰＨＯＳ）、２，３−Ｏ−イソプロピリデン−２，３−ジヒドロキシ−１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン（ＤＩＯＰ）、１−シクロヘキシル−１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン（ＣＹＣＰＨＯＳ）、１−置換−３，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ピロリジン（ＤＥＧＰＨＯＳ）、２，４−ビス−（ジフェニルホスフィノ）ペンタン（ＳＫＥＷＰＨＯＳ）、１，２−ビス（置換ホスホラノ）ベンゼン（ＤｕＰＨＯＳ）、１，２−ビス（置換ホスホラノ）エタン（ＢＰＥ）、１−（置換ホスホラノ）−２−（ジフェニルホスフィノ）ベンゼン（ＵＣＡＰ−Ｐｈ）、１−（ビス（３，５−ジメチルフェニル）ホスフィノ）−２−（置換ホスホラノ）ベンゼン（ＵＣＡＰ−ＤＭ）、１−（置換ホスホラノ）−２−（ビス（３，５−ジ（ｔ−ブチル）−４−メトキシフェニル）ホスフィノ）ベンゼン（ＵＣＡＰ−ＤＴＢＭ）、１−（置換ホスホラノ）−２−（ジ−ナフタレン−１−イル−ホスフィノ）ベンゼン（ＵＣＡＰ−（１−Ｎａｐ））、１−［１’，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルアミン（ＢＰＰＦＡ）、１−［１’，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルアルコール（ＢＰＰＦＯＨ）、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ジシクロペンタン（ＢＩＣＰ）、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（ＢＩＮＡＰ）、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−（５，５’，６，６’，７，７’，８，８’，−オクタヒドロビナフチル）（Ｈ８−ＢＩＮＡＰ）、２，２’−ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（ＴＯＬ−ＢＩＮＡＰ）、２，２’−ビス（ジ（３，５−ジメチルフェニル）ホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−６，６’−ジメチル−１，１’−ビフェニル（ＢＩＣＨＥＰ）、［４，４’−ビ−１，３−ベンゾジオキソール］−５，５’−ジイルビス［ジフェニルホスフィン］（ＳＥＧＰＨＯＳ）、［４，４’−ビ−１，３−ベンゾジオキソール］−５，５’−ジイルビス［ビス（３，５−ジメチルフェニル）ホスフィン］ （ＤＭ−ＳＥＧＰＨＯＳ）、［（４Ｓ）−［４，４’−ビ−１，３−ベンゾジオキソール］−５，５’−ジイル］ビス［ビス［３，５−ビス（１，１−ジメチルエチル）−４−メトキシフェニル］ホスフィン］（ＤＴＢＭ−ＳＥＧＰＨＯＳ）等が挙げられる。
上記光学活性二座ホスフィン配位子の他に、ビス複素環化合物も不斉配位子として使用可能である。
【００６０】
Ｙで示される配位子としては、同一又は異なって、芳香族化合物、オレフィン化合物等の中性配位子、アミン類等が挙げられる。芳香族化合物の例としては、ベンゼン、ｐ−シメン、１，３，５−トリメチルベンゼン（メシチレン）、ヘキサメチルベンゼン等が挙げられ；オレフィン化合物の例としては、エチレン、１，５−シクロオクタジエン、シクロペンタジエン、ノルボルナジエン等が挙げられ；及びその他の中性配位子としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、アセトニトリル、ベンゾニトリル、アセトン、クロロホルム等が挙げられる。
アミン類としては１，２−ジフェニルエチレンジアミン（ＤＰＥＮ）、１，２−シクロヘキシルエチレンジアミン、１，２−ジアミノシクロヘキサン、エチレンジアミン、１，１−ビス（４−メトキシフェニル）−２−イソプロピルエチレンジアミン（ＤＡＩＰＥＮ）等のジアミン類、トリエチルアミン等の脂肪族アミン類、ピリジン等の芳香族アミン類等が挙げられる。
Ｘで示されるハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
【００６１】
一般式（１４）において、Ｚはアニオン又はカチオンを示す。Ｚで示されるアニオンの具体例としては、ＢＦ４、ＣｌＯ４、ＯＴｆ、ＰＦ６、ＳｂＦ６、ＢＰｈ４、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｉ３、スルホネート等が挙げられる。ここで、Ｔｆは、トリフラート基（ＳＯ２ＣＦ３）を示す。
カチオンは、例えば、下式
［（Ｒ）２ＮＨ２］＋
（式中、２個のＲは同一又は異なって、水素原子又は置換基を有していてもよい炭化水素基を示す。）で表すことができる。
上記式中、Ｒで示される置換基を有していてもよい炭化水素基は、前記した置換基を有していてもよい炭化水素基と同じである。Ｒで示される置換基を有していてもよい炭化水素基としては、好ましくは、炭素数１〜５のアルキル基、シクロアルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基又は置換基を有していてもよいベンジル基等が挙げられる。
上記式で表されるカチオンの具体例としては、例えば、［Ｍｅ２ＮＨ２］＋、［Ｅｔ２ＮＨ２］＋、［Ｐｒ２ＮＨ２］＋等が挙げられる。
【００６２】
以下に、上記遷移金属錯体の好ましい態様を詳細に説明する。
［１］一般式（１３）
ＭｍＬｎＸｐＹｑ （１３）
１）ＭがＩｒあるいはＲｈのとき、ＸはＣｌ、Ｂｒ又はＩであり、Ｌが単座配位子の場合にはｍ＝ｐ＝２、ｎ＝４、ｑ＝０であり、Ｌが二座配位子の場合にはｍ＝ｎ＝ｐ＝２、ｑ＝０である。
２）ＭがＲｕのとき、（ｉ）ＸはＣｌ、Ｂｒ又はＩであり、Ｙはトリアルキルアミノ基を示し、Ｌが単座配位子の場合にはｍ＝２、ｎ＝ｐ＝４、ｑ＝１であり、Ｌが二座配位子の場合にはｍ＝ｎ＝２、ｐ＝４、ｑ＝１であり、
（ｉｉ）ＸはＣｌ、Ｂｒ又はＩを示し、Ｙはピリジル基あるいは環置換ピリジル基を示し、Ｌが単座配位子の場合にはｍ＝１、ｎ＝ｐ＝２、ｑ＝２であり、Ｌが二座配位子の場合にはｍ＝ｎ＝１、ｐ＝２、ｑ＝２であり、
（ｉｉｉ）Ｘはカルボキシラート基であり、Ｌが単座配位子の場合にはｍ＝１、ｎ＝ｐ＝２、ｑ＝０であり、Ｌが二座配位子の場合にはｍ＝ｎ＝１、ｐ＝２、ｑ＝０であり、及び
（ｉｖ）ＸはＣｌ、Ｂｒ又はＩであり、Ｌが単座配位子の場合にはｍ＝ｐ＝２、ｎ＝４、ｑ＝０であり、Ｌが二座配位子の場合にはｍ＝ｎ＝ｐ＝２、ｑ＝０である。
３）ＭがＰｄのとき、（ｉ）ＸはＣｌ、Ｂｒ又はＩであり、Ｌが単座配位子の場合にはｍ＝１、ｎ＝２、ｐ＝２、ｑ＝０であり、Ｌが二座配位子の場合にはｍ＝ｎ＝１、ｐ＝２、ｑ＝０であり、及び
（ｉｉ）Ｘはアリル基であり、Ｌが単座配位子の場合にはｍ＝ｐ＝２、ｎ＝４、ｑ＝０であり、Ｌが二座配位子の場合にはｍ＝ｎ＝ｐ＝２、ｑ＝０である。
４）ＭがＮｉのとき、ＸはＣｌ、Ｂｒ又はＩであり、Ｌが単座配位子の場合にはｍ＝１、ｎ＝２、ｐ＝２、ｑ＝０であり、Ｌが二座配位子の場合にはｍ＝ｎ＝１、ｐ＝２、ｑ＝０である。
【００６３】
［２］一般式（１４）
［ＭｍＬｎＸｐＹｑ］Ｚｓ （１４）
１）ＭがＩｒあるいはＲｈのとき、Ｘは１，５−シクロオクタジエン又はノルボルナジエンであり、ＺはＢＦ４、ＣｌＯ４、ＯＴｆ、ＰＦ６、ＳｂＦ６又はＢＰｈ４であり、ｍ＝ｎ＝ｐ＝ｓ＝１、ｑ＝０又はｍ＝ｓ＝１、ｎ＝２、ｐ＝ｑ＝０である。
２）ＭがＲｕのとき、（ｉ）ＸはＣｌ、Ｂｒ又はＩであり、Ｙは芳香族化合物、オレフィン化合物等の中性配位子を示し、ＺはＣｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｉ３又はスルホネートであり、Ｌが単座配位子の場合にはｍ＝ｐ＝ｓ＝ｑ＝１、ｎ＝２であり、Ｌが二座配位子の場合にはｍ＝ｎ＝ｐ＝ｓ＝ｑ＝１であり、
（ｉｉ）ＺはＢＦ４、ＣｌＯ４、ＯＴｆ、ＰＦ６、ＳｂＦ６又はＢＰｈ４であり、Ｌが単座配位子の場合にはｍ＝１、ｎ＝２、ｐ＝ｑ＝０、ｓ＝２であり、Ｌが二座配位子の場合にはｍ＝ｎ＝１、ｐ＝ｑ＝０、ｓ＝２であり、及び
（ｉｉｉ）Ｚがアンモニウムイオンであり、Ｌが二座配位子の場合には、ｍ＝２、ｎ＝２、ｐ＝５、ｑ＝０である。
３）ＭがＰｄあるいはＮｉのとき、（ｉ）ＺはＢＦ４、ＣｌＯ４、ＯＴｆ、ＰＦ６、ＳｂＦ６又はＢＰｈ４であり、Ｌが単座配位子の場合にはｍ＝１、ｎ＝２、ｐ＝ｑ＝０、ｓ＝２であり、Ｌが二座配位子の場合にはｍ＝ｎ＝１、ｐ＝ｑ＝０、ｓ＝２である。
【００６４】
これらの遷移金属錯体は、公知の方法を用いて製造することができる。
尚、以下に示す遷移金属錯体の式中で使用されている記号は、それぞれ、Ｌは不斉配位子を、ｃｏｄは１，５−シクロオクタジエンを、ｎｂｄはノルボルナジエンを、Ｔｆはトリフラート基（ＳＯ２ＣＦ３）を、Ｐｈはフェニル基を、Ａｃはアセチル基を夫々示す。そのような遷移金属錯体の具体例としては、煩雑さを避けるために、不斉配位子として二座配位子を用いた遷移金属錯体のみを例示する。
【００６５】
ロジウム錯体：
ロジウム錯体は、日本化学会編「第４版 実験化学講座」、第１８巻、有機金属錯体、３３９−３４４頁、１９９１年（丸善）等に記載の方法に従って製造することができる。具体的には、ロジウム錯体はビス（シクロオクタ−１，５−ジエン）ロジウム（Ｉ）テトラフルオロホウ酸塩と不斉配位子とを反応させることにより得ることができる。
ロジウム錯体の具体例としては、例えば、以下のものを挙げることができる。
［Ｒｈ（Ｌ）Ｃｌ］２、［Ｒｈ（Ｌ）Ｂｒ］２、［Ｒｈ（Ｌ）Ｉ］２、［Ｒｈ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＢＦ４、［Ｒｈ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＣｌＯ４、［Ｒｈ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＰＦ６、［Ｒｈ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＢＰｈ４、［Ｒｈ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＯＴｆ、［Ｒｈ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＢＦ４、［Ｒｈ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＣｌＯ４、［Ｒｈ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＰＦ６、［Ｒｈ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＢＰｈ４、［Ｒｈ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＯＴｆ、［Ｒｈ（Ｌ）２］ＣｌＯ４、［Ｒｈ（Ｌ）２］ＰＦ６、［Ｒｈ（Ｌ）２］ＯＴｆ及び［Ｒｈ（Ｌ）２］ＢＦ４。
【００６６】
ルテニウム錯体：
ルテニウム錯体は、文献（Ｔ．Ｉｋａｒｉｙａら，Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，１９８５，９２２）及びその他の文献等に記載の方法に従って得ることができる。具体的には、ルテニウム錯体は［Ｒｕ（ｃｏｄ）Ｃｌ２］ｎと不斉配位子とをトリエチルアミンの存在下、トルエン溶媒中で加熱還流することにより製造することができる。
また、文献（Ｋ．Ｍａｓｈｉｍａら，Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，１９８９，１２０８）に記載の方法によっても得ることができる。具体的には、ルテニウム錯体は［Ｒｕ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）Ｉ２］２と不斉配位子とを塩化メチレン及びエタノール中で加熱撹拌することにより得ることができる。そのようなルテニウム錯体の具体例としては、例えば、以下のものを挙げることができる。
Ｒｕ（ＯＡｃ）２（Ｌ）、Ｒｕ２Ｃｌ４（Ｌ）２ＮＥｔ３、［ＲｕＣｌ（ｂｅｎｚｅｎｅ）（Ｌ）］Ｃｌ、［ＲｕＢｒ（ｂｅｎｚｅｎｅ）（Ｌ）］Ｂｒ、［ＲｕＩ（ｂｅｎｚｅｎｅ）（Ｌ）］Ｉ、［ＲｕＣｌ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（Ｌ）］Ｃｌ、［ＲｕＢｒ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（Ｌ）］Ｂｒ、［ＲｕＩ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（Ｌ）］Ｉ、［Ｒｕ（Ｌ）］（ＢＦ４）２、［Ｒｕ（Ｌ）］（ＣｌＯ４）２、［Ｒｕ（Ｌ）］（ＰＦ６）２、［Ｒｕ（Ｌ）］（ＢＰｈ４）２、［Ｒｕ（Ｌ）］（ＯＴｆ）２、Ｒｕ（ＯＣＯＣＦ３）２（Ｌ）、［｛ＲｕＣｌ（Ｌ）２｝（μ−Ｃｌ）３］［Ｍｅ２ＮＨ２］、［｛ＲｕＣｌ（Ｌ）｝２（μ−Ｃｌ）３］［Ｅｔ２ＮＨ２］、Ｒｕ（ＯＣＯＣＦ３）２（Ｌ）、［｛ＲｕＣｌ（Ｌ）２｝（μ−Ｃｌ）３］［Ｍｅ２ＮＨ２］、｛ＲｕＢｒ（Ｌ）２｝（μ−Ｃｌ）３］［Ｍｅ２ＮＨ２］、｛ＲｕＢｒ（Ｌ）２｝（μ−Ｃｌ）３］［Ｅｔ２ＮＨ２］、ＲｕＣｌ２（Ｌ）、ＲｕＢｒ２（Ｌ）、ＲｕＩ２（Ｌ）、ＲｕＣｌ２（Ｌ）（ｄｉａｍｉｎｅ）、ＲｕＢｒ２（Ｌ）（ｄｉａｍｉｉｎｅ）、ＲｕＩ２（Ｌ）（ｄｉａｍｉｎｅ）、［｛ＲｕＩ（Ｌ）｝２（μ−Ｉ）３］［Ｍｅ２ＮＨ２］、［｛ＲｕＩ（Ｌ）｝２（μ−Ｉ）３］［Ｅｔ２ＮＨ２］、ＲｕＣｌ２（Ｌ）（ｐｙｒｉｄｉｎｅ）、ＲｕＢｒ２（Ｌ）（ｐｙｒｉｄｉｎｅ）及びＲｕＩ２（Ｌ）（ｐｙｒｉｄｉｎｅ）。
【００６７】
イリジウム錯体：
イリジウム錯体は、文献（Ｋ．Ｍａｓｈｉｍａら，Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．，１９９２，４２８，２１３）及びその他の文献等に記載の方法に従って得ることができる。具体的には、イリジウム錯体は不斉配位子と［Ｉｒ（ｃｏｄ）（ＣＨ３ＣＮ）２］ＢＦ４とを、テトラヒドロフラン中で撹拌反応させることにより得ることができる。
イリジウム錯体の具体例としては、例えば、以下のものを挙げることができる。
［Ｉｒ（Ｌ）Ｃｌ］２、［Ｉｒ（Ｌ）Ｂｒ］２、［Ｉｒ（Ｌ）Ｉ］２、［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＢＦ４、［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＣｌＯ４、［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＰＦ６、［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＢＰｈ４、［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＯＴｆ、［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＢＦ４、［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＣｌＯ４、［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＰＦ６、［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＢＰｈ４及び［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＯＴｆ。
【００６８】
パラジウム錯体：
パラジウム錯体は、文献（Ｙ．Ｕｏｚｕｍｉら，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１９９１，９８８７）等に記載の方法に従って得ることができる。具体的には、パラジウム錯体は不斉配位子とπ−アリルパラジウムクロリドとを反応させることにより得ることができる。
パラジウム錯体の具体例としては、例えば、以下のものを挙げることができる。
ＰｄＣｌ２（Ｌ）、（π−ａｌｌｙｌ）Ｐｄ（Ｌ）、［Ｐｄ（Ｌ）］ＢＦ４、［Ｐｄ（Ｌ）］ＣｌＯ４、［Ｐｄ（Ｌ）］ＰＦ６、［Ｐｄ（Ｌ）］ＢＰｈ４及び［Ｐｄ（Ｌ）］ＯＴｆ。
【００６９】
ニッケル錯体：
ニッケル錯体は、日本化学会編「第４版 実験化学講座」第１８巻、有機金属錯体、３７６頁、１９９１年（丸善）及びその他の文献等に記載の方法により得ることができる。ニッケル錯体は、また、文献（Ｙ．Ｕｏｚｕｍｉら，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．， １９９１，１１３，９８８７）に記載の方法に従って、不斉配位子と塩化ニッケルとを、２−プロパノールとメタノールの混合溶媒に溶解し、加熱撹拌することにより得ることができる。
ニッケル錯体の具体例としては、例えば、以下のものを挙げることができる。
ＮｉＣｌ２（Ｌ）、ＮｉＢｒ２（Ｌ）及びＮｉＩ２（Ｌ）。
【００７０】
上記遷移金属錯体は、市販品を用いても、自製品を用いてもよい。
これらの遷移金属錯体は、不斉配位子を遷移金属化合物と反応させることにより製造することができる。触媒として錯体を使用する場合には、遷移金属錯体は純度を高めた後に、あるいは精製することなく、すなわちｉｎ ｓｉｔｕで使用することができる。
【００７１】
遷移金属化合物は、次式
［ＭＸｍＬｎ］ｐ
（式中、Ｍ、Ｘ、Ｌ、ｍ、ｎ及びｐは、前記と同意義を有する。）で表すことができる。上記式における、Ｒｕ、Ｒｈ及びＩｒの具体例を例示する。上記式の具体例としては、例えば、［ＲｕＣｌ２（ｂｅｎｚｅｎｅ）］２、［ＲｕＢｒ２（ｂｅｎｚｅｎｅ）］２、［ＲｕＩ２（ｂｅｎｚｅｎｅ）］２、［ＲｕＣｌ２（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）］２、［ＲｕＢｒ２（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）］２、［ＲｕＩ２（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）］２、ＲｕＣｌ２（ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｂｅｎｚｅｎｅ）］２、［ＲｕＢｒ２（ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｂｅｎｚｅｎｅ）］２、［ＲｕＩ２（ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｂｅｎｚｅｎｅ）］２、［ＲｕＣｌ２（ｍｅｓｉｔｙｌｅｎｅ）］２、［ＲｕＢｒ２（ｍｅｓｉｔｙｌｅｎｅ）］２、［ＲｕＩ２（ｍｅｓｉｔｙｌｅｎｅ）］２、［ＲｕＣｌ２（ｐｅｎｔａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）］２、［ＲｕＢｒ２（ｐｅｎｔａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）］２、［ＲｕＩ２（ｐｅｎｔａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）］２、［ＲｕＣｌ２（ｃｏｄ）］２、［ＲｕＢｒ２（ｃｏｄ）］２、［ＲｕＩ２（ｃｏｄ）］２、［ＲｕＣｌ２（ｎｂｄ）］２、［ＲｕＢｒ２（ｎｂｄ）］２、［ＲｕＩ２（ｎｂｄ）］２、ＲｕＣｌ３水和物、ＲｕＢｒ３水和物、ＲｕＩ３水和物、［ＲｈＣｌ２（ｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）］２、［ＲｈＢｒ２（ｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）］２、［ＲｈＩ２（ｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）］２、［ＲｈＣｌ２（ｐｅｎｔａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）］２、［ＲｈＢｒ２（ｐｅｎｔａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）］２、［ＲｈＩ２（ｐｅｎｔａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）］２、［ＲｈＣｌ（ｃｏｄ）］２、［ＲｈＢｒ（ｃｏｄ）］２、［ＲｈＩ（ｃｏｄ）］２、［ＲｈＣｌ（ｎｂｄ）］２、［ＲｈＢｒ（ｎｂｄ）］２、［ＲｈＩ（ｎｂｄ）］２、ＲｈＣｌ３水和物、ＲｈＢｒ３水和物、ＲｈＩ３水和物、［ＩｒＣｌ２（ｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）］２、［ＩｒＢｒ２（ｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）］２、［ＩｒＩ２（ｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）］２、［ＩｒＣｌ２（ｐｅｎｔａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）］２、［ＩｒＢｒ２（ｐｅｎｔａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）］２、［ＩｒＩ２（ｐｅｎｔａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）］２、［ＩｒＣｌ（ｃｏｄ）］２、［ＩｒＢｒ（ｃｏｄ）］２、［ＩｒＩ（ｃｏｄ）］２、［ＩｒＣｌ（ｎｂｄ）］２、［ＩｒＢｒ（ｎｂｄ）］２、［ＩｒＩ（ｎｂｄ）］２、ＩｒＣｌ３水和物、ＩｒＢｒ３水和物及びＩｒＩ３水和物。
【００７２】
本発明で用いられる遷移金属錯体は、中でも不斉配位子を有する錯体がより好ましく用いられ、該不斉配位子が、上記した不斉ホスフィン配位子である遷移金属錯体が更に好ましく用いられる。
【００７３】
不斉触媒の使用量は、用いる上記一般式（４）で表されるけい皮酸類、使用する反応容器や反応の形式あるいは経済性などによって異なるが、けい皮酸類（４）に対して、モル比で通常１／１０〜１／１００，０００、好ましくは１／５０〜１／１０，０００の範囲から適宜選択される。
【００７４】
水素ガスの圧力は、水素雰囲気下であればよく、０．１ＭＰａでも十分であるが、経済性等を考慮すると通常０．１〜２０ＭＰａ、好ましくは０．２〜１０ＭＰａの範囲から適宜選択される。また、経済性を考慮して１ＭＰａ以下でも高い活性を維持することが可能である。
【００７５】
不斉水素化反応は、必要に応じて溶媒中で行うことができる。溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪族炭化水素類；ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素類；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジオキソラン等のエーテル類；メタノール、エタノール、２−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、ベンジルアルコール等のアルコール類；エチレングリコール、プロピレングリコール、１，２−プロパンジオール、グリセリン等の多価アルコール類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類；アセトニトリル；Ｎ−メチルピロリドン；ジメチルスルホキシド；水等が挙げられる。これら溶媒は、夫々単独で用いても、２種以上適宜組み合わせて用いてもよい。
溶媒の使用量は、用いる反応基質であるけい皮酸類（４）の溶解度や経済性により判断される。例えば溶媒としてアルコール類を用いた場合には、用いるけい皮酸類（４）によっては１％以下の低濃度から無溶媒あるいは無溶媒に近い状態で行うことができる。けい皮酸類（４）の濃度は、通常５〜５０質量％、好ましくは１０〜４０質量％の範囲となるように適宜選択される。
【００７６】
反応温度は、経済性等を考慮して、通常１５〜１００℃、好ましくは２０〜８０℃の範囲から適宜選択される。また、反応温度は、−３０〜０℃の低温でも、あるいは１００〜２５０℃の高温でも反応を実施することができる。
反応時間は、用いる不斉水素化触媒の種類や使用量、けい皮酸類（４）の種類や濃度、反応温度、水素の圧力等の反応条件等により異なるが、数分から数時間の間で反応は完結するが、通常１分〜４８時間、好ましくは１０分〜２４時間の範囲から適宜選択される。
本発明の不斉水素化反応は、反応形式がバッチ式においても連続式においても実施することができる。
【００７７】
上記方法により得られた光学活性フェニルプロピオン酸類（５）は、必要に応じて、種々の方法により、より高い光学純度及び／又はより高い化学純度の光学活性フェニルプロピオン酸類又はその塩に変換することができる。
そのような種々の方法としては、例えば、結晶化、カラムクロマトグラフィー等が挙げられる。
結晶化は当該分野で用いられている常法により実施することができる。
結晶化で使用される溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪族炭化水素類等の炭化水素類；ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素類；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジオキソラン等のエーテル類；メタノール、エタノール、２−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、ベンジルアルコール等のアルコール類；エチレングリコール、プロピレングリコール、１，２−プロパンジオール、グリセリン等の多価アルコール類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；アセトニトリル；Ｎ−メチルピロリドン；ジメチルスルホキシド；水等が挙げられる。これら溶媒は、夫々単独で用いても、２種以上適宜組み合わせて用いてもよい。芳香族炭化水素及び脂肪族炭化水素等の炭化水素系溶媒、アルコール類、ケトン類、水及びこれらの混合物が好ましい。
【００７８】
ここで使用する「より高い光学純度」とは、上記方法により得られる光学活性フェニルプロピオン酸類（５）あるいは光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類（６）の光学純度よりも高い純度、すなわち実質的に１００％ｅｅを意味する。ここで、「実質的に１００％ｅｅ」とは、他の鏡像体に対する一方の鏡像体が殆ど検出されない光学純度を意味する。本発明ではそのような「実質的に１００％ｅｅ」とは、具体的には、９５％ｅｅ以上、好ましくは９７％ｅｅ以上、より好ましくは９８％ｅｅ以上、更に好ましくは９９％ｅｅ以上の光学純度を意味する。
また、「より高い化学純度」とは、上記方法により得られる光学活性フェニルプロピオン酸類（５）あるいは光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類（６）の化学純度よりも高い純度、すなわち実質的に１００％の化学純度を意味する。ここで、「実質的に１００％の化学純度」とは、他の如何なる化合物も殆ど検出されない化学純度を意味する。本発明ではそのような「実質的に１００％の化学純度」とは、具体的には、９５％以上、好ましくは９７％以上、より好ましくは９８％以上、更に好ましくは９９％以上の化学純度を意味する。
【００７９】
上記不斉水素化反応により得られた光学活性フェニルプロピオン酸類（５）は、脱保護させることにより、所望の光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類（６）を得ることができる。
脱保護は、常法により行うことができる。例えば、そのような脱保護は、上記「ＰＲＯＴＥＣＴＩＶＥ ＧＲＯＵＰＳ ＩＮ ＯＲＧＡＮＩＣ ＳＹＮＴＨＥＳＩＳ ＴＨＩＲＤ ＥＤＩＴＩＯＮ（ＪＯＨＮ ＷＩＬＥＹ ＆ ＳＯＮＳ，ＩＮＣ．（１９９９）」や「ペプチド合成の基礎と実験（丸善（株）、１９８５年）」、「第４版 実験化学講座１８ 有機金属錯体 ３３９−３４４頁 １９９１年 丸善（株）」等に記載の方法で行うことができる。具体的には、保護基がベンジル基の場合、そのような保護基はパラジウム炭素を用いた接触水添反応により除去される。
反応温度は、通常０℃〜使用する溶媒の沸点、好ましくは２０〜８０℃の範囲から適宜選択される。
反応時間は、通常０．１〜４８時間、好ましくは１〜１０時間の範囲から適宜選択される。
【００８０】
２）スキーム２
【化４１】
【００８１】
光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類（６）は、上記スキーム１で説明したようにしてけい皮酸類（４）を製造し、得られたけい皮酸類（４）を不斉水素化反応させることにより製造することができる。
スキーム２のこの方法では、不斉水素化反応と脱保護反応とを同時に行うことができる。
本発明で用いられる不斉水素化反応用触媒の種類や使用量、反応条件等は、上記スキーム１で説明したそれらと同様である。
【００８２】
３）スキーム３
【化４２】
【００８３】
４−ヒドロキシけい皮酸類（９）は、４−ヒドロキシベンズアルデヒド類（７）とグリコール酸誘導体（２）とを適当な溶媒中、塩基の存在下で反応させた後、加水分解することにより製造することができる。
溶媒、塩基及び反応温度、反応時間等の反応条件等は、上記スキーム１で説明したそれらと同様である。
溶媒の使用量は、４−ヒドロキシベンズアルデヒド類（７）に対して、通常０．１〜１００倍量、好ましくは１〜２０倍量の範囲から適宜選択される。
塩基の使用量は、グリコール酸誘導体（２）に対して、通常０．０１〜１０倍、好ましくは１〜５倍の範囲から適宜選択される。
【００８４】
４−ヒドロキシけい皮酸類（９）は、４−ヒドロキシベンズアルデヒド類（７）とグリコール酸誘導体（２）とを反応させ、生成物を必要に応じて後処理及び精製等を行い、一般式（８）
【化４３】
（式中、Ｒ２、Ｒ３及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表される４−ヒドロキシけい皮酸エステル類（以下、必要に応じて、４−ヒドロキシけい皮酸エステル類（８）、と云う。）を単離した後、加水分解して製造することができる。あるいは、４−ヒドロキシけい皮酸エステル類（８）を単離せずに、水、アルコール及び／又は上記塩基を加えて加水分解を行ってもよい。
【００８５】
４−ヒドロキシけい皮酸エステル類（８）の具体例としては、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸メチル、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸エチル、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸プロピル、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸ブチル、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸ｔｅｒｔ−ブチル、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−エトキシアクリル酸メチル、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−エトキシアクリル酸エチル、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−エトキシアクリル酸プロピル、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−エトキシアクリル酸ブチル、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−エトキシアクリル酸ｔｅｒｔ−ブチル、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−プロポキシアクリル酸メチル、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−プロポキシアクリル酸エチル、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−プロポキシアクリル酸プロピル、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−プロポキシアクリル酸ブチル、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−プロポキシアクリル酸ｔｅｒｔ−ブチル、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−ブトキシアクリル酸メチル、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−ブトキシアクリル酸エチル、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−ブトキシアクリル酸プロピル、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−ブトキシアクリル酸ブチル、３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−ブトキシアクリル酸ｔｅｒｔ−ブチル等が挙げられる。
【００８６】
得られた４−ヒドロキシけい皮酸類（９）は、カルボキシ基フリーの一般式（９）で表される４−ヒドロキシけい皮酸類、及び一般式（９−１）で表される４−ヒドロキシけい皮酸類の金属塩及び／又は一般式（９−２）で表される４−ヒドロキシけい皮酸類のアミン塩との混合物であってもよい。
また、得られた４−ヒドロキシけい皮酸類（９）は、必要に応じて、上記塩基を用いて、前記一般式（９）で表される４−ヒドロキシけい皮酸類を上記一般式（９−１）で表される４−ヒドロキシけい皮酸類の金属塩又は一般式（９−２）で表される４−ヒドロキシけい皮酸類のアミン塩としても、あるいは一般式（９）で表される４−ヒドロキシけい皮酸類の塩とは異なる塩を形成させてもよい。
所望の光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類（６）は、得られた４−ヒドロキシけい皮酸類（９）を不斉水素化反応に付すことにより製造することができる。
不斉水素化反応は、上記スキーム１に示した方法に従って行うことができる。
不斉触媒の使用量は、使用する反応容器や反応の形式あるいは経済性などによって異なるが、４−ヒドロキシけい皮酸類（９）に対して、モル比で通常１／１０〜１／１００，０００、好ましくは１／５０〜１／１０，０００の範囲から適宜選択される。
【００８７】
【化４４】
スキーム４は、スキーム１で示したようにして得られたけい皮酸類（４）を不斉水素化反応に付して、光学活性フェニルプロピオン酸類（５）及び光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類（６）の混合物を製造する反応を示したものである。この反応において、（ｉ）得られた混合物をｉｎ ｓｉｔｕで脱保護して所望の光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類（６）を製造することができる、あるいは（ｉｉ）光学活性フェニルプロピオン酸類（５）及び光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類（６）をそれぞれ分離し、分離した光学活性フェニルプロピオン酸類を脱保護して所望の光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類（６）を製造することができる。
【００８８】
このようにして得られた光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類（６）は、必要に応じて後処理等を行ってもよい。
さらに、上記方法で得られた光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類（６）は、必要に応じて、種々の方法により、より高い光学純度及び／又はより高い化学純度の光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類（６）に変換してもよい。
そのような種々の方法としては、結晶化、カラムクロマトグラフィー等を挙げることができる。
結晶化については、上記スキーム１で説明されている。
【００８９】
ここで使用する「より高い光学純度」とは、上記方法により得られた光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類（６）の光学純度よりも高い純度、すなわち実質的に１００％ｅｅを意味する。ここで、「実質的に１００％ｅｅ」とは、他の鏡像体に対する一方の鏡像体が殆ど検出されない光学純度を意味する。本発明ではそのような「実質的１００％ｅｅ」とは、具体的には、９５％ｅｅ以上、好ましくは９７％ｅｅ以上、より好ましくは９８％ｅｅ以上、更に好ましくは９９％ｅｅ以上の光学純度を意味する。
また、「より高い化学純度」とは、上記方法により得られた光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類（６）の化学純度よりも高い純度、すなわち実質的に１００％の化学純度を意味する。ここで、「実質的に１００％の化学純度」とは、如何なる他の化合物も検出されない化学純度を意味する。本発明ではそのような「実質的に１００％の化学純度」とは、具体的には、９５％以上、好ましくは９７％以上、より好ましくは９８％以上、更に好ましくは９９％以上の化学純度を意味する。
【００９０】
得られた一般式（６）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩は、カルボキシ基フリーのその一般式（６）で表されるプロピオン酸類、及び一般式（６−１）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類の金属塩及び／又は一般式（６−２）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類のアミン塩との混合物であってもよい。
また、得られた一般式（６）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類は、必要に応じて、上記塩基を用いて、上記一般式（６−１）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類の金属塩又は一般式（６−２）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類のアミン塩に、あるいは一般式（６−１）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類の塩とは異なる塩に変換してもよい。
【００９１】
かくして得られた光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類（６）は、医薬等の中間体として有用な化合物である。
【００９２】
一般式（１２）
【化４５】
（式中、Ｒ１１〜Ｒ１２は夫々独立して、水素原子又は置換基を示し、Ｒ１３は水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基又は金属塩を示し、Ｒ１４は水素原子又は保護基を示し、＊は不斉炭素を示す。）で表される光学活性α，β−不飽和カルボン酸類又はその塩の製造は、一般式（１１）
【化４６】
（式中、Ｒ１１〜Ｒ１４は前記と同意義を有する。）で表されるα，β−不飽和カルボン酸類又はその塩を不斉水素化反応させることにより製造することができる。
【００９３】
一般式（１２）において、Ｒ１１及びＲ１２で示される置換基としては、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよい複素環基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアルコキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアリールオキシカルボニル基又は置換基を有していてもよいアラルキルオキシカルボニル基等が挙げられる。
【００９４】
置換基を有していてもよい炭化水素基としては、炭化水素基及び置換炭化水素基が挙げられる。炭化水素基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基等が挙げられる。
アルキル基、アリール基、アラルキル基は、上記一般式（６）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩の製造方法において、Ｒ１で示される保護基として説明した各基と同意義であってよい。
アルケニル基としては、直鎖状でも分岐状でもよい、炭素数２〜２０、好ましくは炭素数２〜１０、より好ましくは炭素数２〜６のアルケニル基が挙げられる。そのようなアルケニル基の具体例としては、エテニル基、プロペニル基、１−ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等が挙げられる。
アルキニル基としては、直鎖状でも分岐状でもよい、例えば炭素数２〜２０、好ましくは炭素数２〜１０、より好ましくは炭素数２〜６のアルキニル基が挙げられ、そのようなアルキニル基の具体例としては、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、１−ブチニル基、３−ブチニル基、ペンチニル基、ヘキシニル基等が挙げられる。
【００９５】
置換炭化水素基（置換基を有する炭化水素基）としては、上記炭化水素基の１個の水素原子が置換基で置換された炭化水素基が挙げられる。置換炭化水素基としては、置換アルキル基、置換アルケニル基、置換アルキニル基、置換アリール基、置換アラルキル基等が挙げられる。置換基については、後述する。
置換基を有していてもよい複素環基としては、複素環基及び置換複素環基が挙げられる。複素環基としては、脂肪族複素環基及び芳香族複素環基が挙げられる。複素環基及び複素環基も光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩の製造方法において、Ｒ１で示される保護基として説明した各基と同意義であってよい。
置換複素環基（置換基を有する複素環基）としては、上記複素環基の少なくとも１個の水素原子が置換基で置換された複素環基が挙げられる。置換複素環基（置換基を有する複素環基）としては、置換脂肪族複素環基及び置換芳香族複素環基が挙げられる。置換基については、後述する。
【００９６】
置換基を有していてもよいアルコキシ基としては、アルコキシ基及び置換アルコキシ基が挙げられる。
置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基としては、アラルキルオキシ基及び置換アラルキルオキシ基が挙げられる。
置換基を有していてもよいアリールオキシ基としては、アリールオキシ基及び置換アリールオキシ基が挙げられる。
置換基を有していてもよいアルコキシカルボニル基としては、アルコキシカルボニル基及び置換アルコキシカルボニル基が挙げられる。
置換基を有していてもよいアリールオキシカルボニル基としては、アリールオキシカルボニル基及び置換アリールオキシカルボニル基が挙げられる。
アラルキルオキシカルボニル基としては、アラルキルオキシカルボニル基及び置換アラルキルオキシカルボニル基が挙げられる。
これらアルコキシ基、置換アルコキシ基、アラルキルオキシ基、置換アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、置換アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、置換アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、置換アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、置換アラルキルオキシカルボニル基は、上記一般式（６）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩の製造方法において、Ｒ１で示される保護基として説明した各基と同意義であってよい。
【００９７】
置換基としては、炭化水素基、置換炭化水素基、ハロゲン原子、ハロゲン化炭化水素基、複素環基、置換複素環基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、アラルキルオキシ基、置換アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、置換アリールオキシ基、アルキルチオ基、置換アルキルチオ基、アリールチオ基、置換アリールチオ基、アラルキルチオ基、置換アラルキルチオ基、アシル基、置換アシル基、アシルオキシ基、置換アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、置換アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、置換アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、置換アラルキルオキシカルボニル基、アルキレンジオキシ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アミノ基、置換アミノ基、シアノ基、カルボキシ基、スルホ基、スルホニル基又は置換シリル基等が挙げられる。
これらの置換基は、光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類（６）の製造方法において、説明した置換基と同意義であってよい。
【００９８】
Ｒ１３で示される置換基を有していてもよい炭化水素基は、上記Ｒ１１及びＲ１２における置換基として説明した炭化水素基と同意義であってよい。
金属原子としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属塩等が挙げられる。
アルカリ金属及びアルカリ土類金属としては、上記一般式（４−１）で説明したアルカリ金属及びアルカリ土類金属と同意義であってよい。
Ｒ１４で示される保護基としては、光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類（６）の製造方法において、Ｒ１で示される保護基として説明した保護基と同意義であってよい。
尚、一般式（１２）において、Ｒ１１及び／又はＲ１２が水素原子の場合は、Ｒ１１及びＲ１２が結合している炭素原子は、不斉炭素とはならない。また、Ｒ１１及びＲ１２が同様の基である場合は、Ｒ１１及びＲ１２が結合している炭素原子は、不斉炭素とはならない。
【００９９】
そのα，β−不飽和カルボン酸類の塩としては、該一般式（１１）中のＲ１３がアルカリ金属又はアルカリ土類金属等の金属原子であるα，β−不飽和カルボン酸塩、及び一般式（１１−１）
【化４７】
（式中、Ｘｂはアミンを示し、Ｒ１１、Ｒ１２及びＲ１４は前記と同意義を有する。）で表されるα，β−不飽和カルボン酸類のアミン塩等が挙げられる。
Ｘｂで示されるアミンとしては、上記一般式（４−２）におけるＸａで説明したアミンと同意義であってよい。
【０１００】
一般式（１１）で表されるα，β−不飽和カルボン酸類の具体例及び一般式（１１−１）で表されるα，β−不飽和カルボン酸類の塩の具体例は、上記一般式（４）で表されるけい皮酸類の具体例、上記一般式（４−１）及び（４−２）で表されるけい皮酸類の塩の具体例、上記一般式（９）で表される４−ヒドロキシけい皮酸類の具体例、上記一般式（９−１）及び（９−２）で表される４−ヒドロキシけい皮酸類の塩の具体例で例示した化合物、及び下記化合物等が挙げられる。
【化４８】
【化４９】
【０１０１】
また、光学活性カルボン酸類の塩は、一般式（１２）中のＲ１３がアルカリ金属又はアルカリ土類金属等の金属原子である光学活性カルボン酸塩、及び一般式（１２−１）
【化５０】
（式中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１４、Ｘｂ及び＊は前記と同じ。）で表される光学活性カルボン酸類のアミン塩等が挙げられる。
【０１０２】
本発明の製造方法により得られる一般式（１２）で表される光学活性カルボン酸類及び一般式（１２−１）で表される光学活性カルボン酸類の塩の具体例としては、上記一般式（６）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類、上記一般式（６−１）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類の塩、上記一般式（６−２）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類の塩、及び下記化合物等が挙げられる。
【化５１】
【化５２】
【０１０３】
不斉水素化反応は、不斉触媒の存在下で行う。不斉触媒及び反応条件等は、光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類（６）の製造方法において、説明した通りである。尚、遷移金属がロジウムのときは、上記一般式（１１）において、該一般式（１１）中のＲ１４で示される保護基はアシル基を除いた基が挙げられる。
不斉触媒の使用量は、用いる上記一般式（１１）で表されるα，β−不飽和カルボン酸類又はその塩、使用する反応容器や反応の形式あるいは経済性などによって異なるが、α，β−不飽和カルボン酸類又はその塩に対して、モル比で通常１／１０〜１／１００，０００、好ましくは１／５０〜１／１０，０００の範囲から適宜選択される。
【０１０４】
このようにして得られた一般式（１２）で表される光学活性カルボン酸類又はその塩は、カルボキシ基フリー（Ｒ１３が水素原子）である光学活性カルボン酸類、上記一般式（１２）におけるＲ１３が金属原子である光学活性カルボン酸塩、及び上記一般式（１２−１）で表される光学活性カルボン酸類のアミン塩との混合物であってもよい。
また、得られた一般式（１２）で表される光学活性カルボン酸類は、必要に応じて、上記塩基を用いて、一般式（１２）で表される光学活性カルボン酸類の金属塩又は一般式（１２−１）で表される光学活性カルボン酸類のアミン塩としても、あるいは一般式（１２）で表される光学活性カルボン酸類の塩とは異なる塩に変換してもよい。
かくして得られた一般式（１２）で表される光学活性カルボン酸類又はその塩は、医薬等の中間体として有用な化合物である。
【実施例】
【０１０５】
以下に、実施例及び参考例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらによって何ら限定されるものではない。
化学純度、鏡像体過剰率は高速液体クロマトグラフィーにより決定した。
１Ｈ−ＮＭＲはＶａｒｉａｎ ＧＥＭＩＮＩ−２０００（２００ＭＨｚ）を使用した。
【０１０６】
実施例１
３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸メチルの合成
窒素気流下、ベンジルオキシベンズアルデヒド２１．２４ｇ（１００ｍｍｏｌ）、ナトリウムメトキシド１８．７７ｇ（３３０ｍｍｏｌ）及びメタノール２００ｍＬの混合物にメトキシアクリル酸メチル３０．００ｇ（２９７ｍｍｏｌ）を加え、その混合物を５時間加熱還流した。反応液を濃縮後、酢酸ブチルで希釈した。有機層を水洗後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、標題化合物２３．８ｇを収率８０％で得た。
１Ｈ−ＮＭＲ δ（ＣＤＣｌ３）：３．７６（３Ｈ，ｓ），３．８５（３Ｈ，ｓ），５．１０（２Ｈ，ｓ），６．９７（１Ｈ，ｓ），６．９８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ），７．３０−７．５０（５Ｈ，ｍ），７．７２（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ）
【０１０７】
実施例２
３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸ナトリウムの合成
３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸メチル２０ｇ（６７．０ｍｍｏｌ）及びメタノール２００ｍＬの混合物に１Ｎ水酸化ナトリウム水溶液７４ｍＬを加え、その混合物を２時間加熱還流した。その反応混合物を室温まで冷却し、析出物を濾取して標題化合物１７．４４ｇを収率８５％で得た。
１Ｈ−ＮＭＲ δ（ＣＤ３ＯＤ）：３．６９（３Ｈ，ｓ），５．０８（２Ｈ，ｓ），６．６３（１Ｈ，ｓ），６．９３（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝９．０Ｈｚ），７．２５−７．５０（５Ｈ，ｍ），７．６４（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝９．０Ｈｚ）
【０１０８】
実施例３
３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸ナトリウムの合成
窒素気流下、ベンジルオキシベンズアルデヒド２１．２４ｇ（１００ｍｍｏｌ）、ナトリウムメトキシド１８．７７ｇ（３３０ｍｍｏｌ）及びメタノール２００ｍＬの混合物にメトキシ酢酸メチル３０．００ｇ（２９７ｍｍｏｌ）を加え、その混合物を５時間加熱還流した。水４０ｍＬを加えた後、反応液を１．５時間加熱還流し、室温まで冷却した。析出物を濾取して標題化合物２０．０２ｇを収率６５％で得た。
【０１０９】
実施例４
３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸ナトリウムの合成
３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸ナトリウム１９．６５ｇ（６４．１５ｍｍｏｌ）、Ｒｕ２Ｃｌ４［（Ｓ）−Ｈ８−ｂｉｎａｐ］２ＮＥｔ３５７．５ｍｇ及びメタノール２００ｍＬを２００ｍｌオートクレーブにとり、水素ガスを５ＭＰａの所定圧に供給した。その混合物を６０℃にて６．５時間撹拌し、溶媒を減圧留去して、３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸ナトリウム１９．７ｇを得た（９０％ｅｅ）。
１Ｈ−ＮＭＲ δ（ＣＤ３ＯＤ）：２．７８（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１４．４，８．８Ｈｚ），２．９４（１Ｈ，ｄｄ，１４．４，４．０Ｈｚ），３．２３（３Ｈ，ｓ），３．６９（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝８．８，４．０Ｈｚ），５．０３（２Ｈ，ｓ），６．８６（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ），７．１７６４（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ），７．２５−７．４６（５Ｈ，ｍ）
【０１１０】
実施例５
３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸ナトリウムの合成
３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸ナトリウム２５０ｍｇ（０．８１６ｍｍｏｌ）及び［Ｒｕ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（（Ｓ）−ｄｍ−ｓｅｇｐｈｏｓ）］Ｃｌ ４．２ｍｇ（０．００４１ｍｍｏｌ）を１００ｍＬオートクレーブに入れ、系内を窒素で置換した。メタノール２．５ｍＬを加えた後、水素ガス（５．０ＭＰａ）をそこに導入して、６０℃にて１６時間撹拌した。反応終了後、反応生成物は３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸ナトリウムと３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸ナトリウムとの混合物であった。３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸ナトリウム／３−（４−ベンジルオキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸ナトリウムの割合は、１Ｈ−ＮＭＲ測定から１６／８４であった。反応生成物は精製し、単離して標題化合物３６ｍｇを収率２０％で得た（９２．９％ｅｅ）。
【０１１１】
実施例６
３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸の合成
４−ヒドロキシベンズアルデヒド２０．５ｇ（１６８ｍｍｏｌ）及びナトリウムメトキシド３６．３ｇ（６７２ｍｍｏｌ）の混合物にメタノール２００ｍＬを加えた。次に、メトキシ酢酸メチル５０ｍＬ（５０４ｍｍｏｌ）を５０〜６０℃にて前記混合物に滴下した。得られた混合物を１２時間加熱還流した後、水４０ｍＬを加えた。その混合物をさらに２時間還流し、室温まで冷却後、溶媒を減圧留去して除去した。残渣に１Ｎ塩酸及びジクロロメタンを加え、析出した固体を濾取した。その固体を水で洗浄し、乾燥して標題化合物２０．３ｇを収率６２％で得た。
融点１６３〜１６５℃
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ３ＯＤ） δ ７．６５（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），６．９９（ｓ，１Ｈ），６．８１（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），３．７４（ｓ，３Ｈ）
【０１１２】
実施例７
３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸メチルの合成
窒素雰囲気下、４−ヒドロキシベンズアルデヒド１．０ｇ（８．１９ｍｍｏｌ）及びナトリウムメトキシド１．７７ｇ（３２．８ｍｍｏｌ）の混合物に、トルエン５ｍＬ及びメタノール１０ｍＬを加えた。メトキシ酢酸メチル２．４４ｍＬ（２４．６ｍｍｏｌ）を加えた後、その混合物を室温で１時間撹拌し、次いで、８時間加熱還流した。反応液を室温まで冷却し、飽和塩化アンモニウム水溶液４０ｍＬを加えた。反応液を酢酸エチル４０ｍＬで２回抽出し、有機層を飽和食塩水４０ｍＬで洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥して、溶媒を減圧留去して除去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して、収率８９％で、純度７４％の標題化合物１．５１ｇを得た。
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３） δ ７．６７（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，２Ｈ），６．９７（ｓ，１Ｈ），６．８５（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，２Ｈ），５．６８（ｓ，１Ｈ），３．８５（ｓ，３Ｈ），３．７５（ｓ，３Ｈ）
【０１１３】
実施例８
３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸の合成
実施例７で合成した３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸メチル１．５１ｇをメタノール１０ｍＬに溶解し、そこに１Ｎ水酸化ナトリウム水溶液７．８ｍＬを加えた。この溶液を２時間加熱還流し、室温まで冷却して、溶媒を減圧留去して除去した。残渣に１Ｎ塩酸及びジクロロメタンを加えた後、析出した固体を濾取し、水で洗浄後、乾燥することにより、標題化合物８５７ｍｇを得た。１Ｈ ＮＭＲスペクトルは、実施例６で得られた精製物のそれと一致した。
【０１１４】
実施例９
３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸の合成
３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸２００ｍｇ（１．０２ｍｍｏｌ）、Ｒｕ２Ｃｌ４｛（Ｓ）−ｈ８−ｂｉｎａｐ｝２ＮＥｔ３ ４．４ｍｇ（０．００５１ｍｍｏｌ）及びナトリウムメトキシド５５．１ｍｇ（１．０２ｍｍｏｌ）を１００ｍｌオートクレーブに入れ、窒素ガスで置換した。メタノール２．０ｍＬを加えた後、系内に５．０ＭＰａで水素ガスを供給し、６０℃にて６時間撹拌して、転化率＞９９％で５８．０％ｅｅの標題化合物を粗ナトリウム塩として得た。
その粗ナトリウム塩を水１０ｍＬに溶解し、その溶液をトルエン１０ｍＬで２回洗浄した。水層に１Ｎ塩酸２０ｍＬを加え、その混合物を酢酸エチル２０ｍＬで３回抽出した。合わせた有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し、乾燥して、標題化合物１１７ｍｇを収率５９％で得た。
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ３ＯＤ） δ ７．０７（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，２Ｈ），６．７１（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，２Ｈ），３．９３（ｄｄ，Ｊ＝４．８，７．６Ｈｚ，１Ｈ），３．３３（ｓ，３Ｈ），２．９９（ｄｄ，Ｊ＝４．８，１４．０Ｈｚ，１Ｈ），２．８５（ｄｄ，Ｊ＝７．６，１４．０Ｈｚ，１Ｈ）
【０１１５】
実施例１０
３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸ナトリウムの合成
実施例９で得られた３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸をメタノール２ｍＬに溶解し、この溶液に１Ｎ水酸化ナトリウム水溶液０．６ｍＬを加えた。混合物を室温で０．５時間撹拌し、減圧留去して標題化合物１３８ｍｇを得た。
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ３ＯＤ） δ ７．０７（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，２Ｈ），６．６７（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，２Ｈ），３．６９（ｄｄ，Ｊ＝３．８，８．６Ｈｚ），３．２４（ｓ，３Ｈ），２．９４（ｄｄ，Ｊ＝３．８，１４．０Ｈｚ，１Ｈ），２．７５（ｄｄ，Ｊ＝８．６，１４．０Ｈｚ，１Ｈ）
【０１１６】
実施例１１
３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸シクロヘキシルアミン塩の結晶化
３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸２０ｇ（０．１０３ｍｏｌ）及び［ＲｕＣｌ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（（Ｓ）−ｄｍ−ｓｅｇｐｈｏｓ）］Ｃｌ ０．１０６ｇを１Ｌ−オートクレーブに入れ、オートクレーブ中の空気を窒素ガスで置換した。メタノール２００ｍＬ及びシクロヘキシルアミン１２ｍＬ（０．１０５ｍｏｌ））をそれに加えた後、４．０ＭＰａの水素ガスを密閉反応系に導入し、混合液を８０℃で１６時間攪拌した。反応液を冷却し、メタノールをロータリエバポレーターで減圧留去して除去し、転化率＞９９％、光学純度＞８８．６％ｅｅの反応混合物３０．２ｇを得た。
得られた反応混合物にメタノール３０ｍＬ及びエタノール３０ｍＬを加え、その混合物を９５℃で加熱還流し、次いで氷浴中で冷却した。生成した結晶を濾取し、光学純度＞９８％ｅｅの３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸シクロヘキシルアミン塩を得た。
【０１１７】
実施例１２
３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸ナトリウムの結晶化
３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシアクリル酸２０ｇ（０．１０３ｍｏｌ）、ナトリウムメトキシド５．８６ｇ及び［｛ＲｕＣｌ（（Ｓ）−ｄｍ−ｓｅｇｐｈｏｓ）｝２（μ−Ｃｌ）３］Ｃｌ ９６．３ｍｇを１Ｌ−オートクレーブに入れ、オートクレーブ中の空気を窒素ガスで置換した。メタノール２００ｍＬをそれに加えた後、５．０ＭＰａの水素ガスを密閉反応系に導入し、混合液を７０℃で８時間攪拌して３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸ナトリウムを９２．３％ｅｅ（転化率＞９９％）で得た。反応混合液を冷却し、反応生成物をメタノール／メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）から２回再結晶して、光学純度＞９９％ｅｅの３−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メトキシプロピオン酸ナトリウムを得た。
【産業上の利用可能性】
【０１１８】
本発明の方法は、医薬、農薬等の中間体として有用な光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類を提供することができる。そのような光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類は、けい皮酸類を中間体として経る短工程で、高収率及び高光学純度で製造することができる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）
【化１】
（式中、Ｒ１は保護基を示し、Ｒ５〜Ｒ８は夫々独立して水素原子又は置換基を示す。）で表されるベンズアルデヒド類と一般式（２）
【化２】
（式中、Ｒ２はアルキル基を示し、Ｒ３は炭化水素基を示す。）で表されるグリコール酸誘導体とを反応させた後、得られた生成物を加水分解して一般式（４）
【化３】
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表されるけい皮酸類又はその塩を製造し、そしてそのけい皮酸類（４）又はその塩を不斉水素化反応に付して一般式（５）
【化４】
（式中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表される光学活性フェニルプロピオン酸類又はその塩を製造し、次いで脱保護することを特徴とする、一般式（６）
【化５】
（式中、Ｒ２、Ｒ５〜Ｒ８及び＊は前記と同意義を有する。）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩の製造方法。
【請求項２】
一般式（１）
【化６】
（式中、Ｒ１は保護基を示し、Ｒ５〜Ｒ８は夫々独立して水素原子又は置換基を示す。）で表されるベンズアルデヒド類と一般式（２）
【化７】
（式中、Ｒ２はアルキル基を示し、Ｒ３は炭化水素基を示す。）で表されるグリコール酸誘導体とを反応させた後、加水分解して一般式（４）
【化８】
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表されるけい皮酸類又はその塩を製造し、そしてそのけい皮酸類（４）又はその塩を不斉水素化反応に付すことを特徴とする、一般式（６）
【化９】
（式中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩の製造方法。
【請求項３】
一般式（７）
【化１０】
（式中、Ｒ５〜Ｒ８は夫々独立して水素原子又は置換基を示す。）で表される４−ヒドロキシベンズアルデヒド類と一般式（２）
【化１１】
（式中、Ｒ２はアルキル基を示し、Ｒ３は炭化水素基を示す。）で表されるグリコール酸誘導体とを反応させた後、加水分解して一般式（９）
【化１２】
（式中、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表されるけい皮酸類又はその塩を製造し、そしてその４−ヒドロキシけい皮酸類（９）又はその塩を不斉水素化反応に付すことを特徴とする、一般式（６）
【化１３】
（式中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩の製造方法。
【請求項４】
不斉水素化反応が、不斉触媒の存在下で行われることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の製造方法。
【請求項５】
不斉触媒が、遷移金属錯体であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の製造方法。
【請求項６】
遷移金属錯体が、周期表の第８〜１０族の金属の錯体であることを特徴とする請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
一般式（１１）
【化１４】
（式中、Ｒ１１及びＲ１２は夫々独立して水素原子又は置換基を示し、Ｒ１３は水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基又は金属原子を示し、Ｒ１４は水素原子又は保護基を示す。）で表されるα，β−不飽和カルボン酸類又はその塩を遷移金属錯体の存在下で不斉水素化反応に付すことを特徴とする、一般式（１２）
【化１５】
（式中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ１１〜Ｒ１４は前記と同意義を有する。）で表される光学活性カルボン酸類又はその塩の製造方法、但し、遷移金属錯体がロジウムのものであるとき、前記一般式（１１）中のＲ１４で示される保護基はアシル基以外の基である。
【請求項８】
遷移金属錯体が、周期表の第８〜１０族の金属であることを特徴とする請求項７に記載の製造方法。
【請求項９】
不斉触媒が不斉配位子と遷移金属化合物との混合物であることを特徴とする請求項１又は３に記載の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜３のいずれかに記載の方法で得られる一般式（５）で表される光学活性フェニルプロピオン酸類又はその塩を、溶媒から結晶化させることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１１】
結晶化に使用する溶媒が、炭化水素類、アルコール類、ケトン類、水及びそれらの混合物からなる群から選ばれる１種であることを特徴とする請求項１０に記載の製造方法。
【請求項１２】
請求項１〜３のいずれかに記載の方法で得られる一般式（６）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩を、溶媒から結晶化させることを特徴とする請求項１〜３に記載の製造方法。
【請求項１３】
結晶化に使用する溶媒が、芳香族炭化水素類、脂肪族炭化水素類、アルコール類、水及びそれらの混合物からなる群から選ばれる１種であることを特徴とする請求項１２に記載の製造方法。
【請求項１４】
一般式（４）
【化１６】
（式中、Ｒ１は保護基を示し、Ｒ２はアルキル基を示し、Ｒ５〜Ｒ８は夫々独立して水素原子又は置換基を示す。）で表されるけい皮酸類又はその塩を不斉水素化反応に付すことを特徴とする、一般式（５）
【化１７】
（式中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表される光学活性フェニルプロピオン酸類又はその塩の製造方法。
【請求項１５】
一般式（４）
【化１８】
（式中、Ｒ２はアルキル基を示し、Ｒ５〜Ｒ８は夫々独立して水素原子又は置換基を示す。）で表されるけい皮酸類又はその塩を不斉水素化反応に付すことを特徴とする、一般式（６）
【化１９】
（式中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。)で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩の製造方法。
【請求項１６】
一般式（９）
【化２０】
（式中、Ｒ２はアルキル基を示し、Ｒ５〜Ｒ８は夫々独立して水素原子又は置換基を示す。）で表される４−ヒドロキシけい皮酸類又はその塩を不斉水素化反応に付すことを特徴とする、一般式（６）
【化２１】
（式中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩の製造方法。
【請求項１７】
一般式（４）
【化２２】
（式中、Ｒ１は保護基を示し、Ｒ２はアルキル基を示し、Ｒ５〜Ｒ８は夫々独立して水素原子又は置換基を示す。）で表されるけい皮酸類又はその塩を不斉水素化反応させることを特徴とする、一般式（６）
【化２３】
（式中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩、及び一般式（５）
【化２４】
（式中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表される光学活性フェニルプロピオン酸類又はその塩の製造方法。
【請求項１８】
一般式（１）
【化２５】
（式中、Ｒ１は保護基を示し、Ｒ５〜Ｒ８は夫々独立して水素原子又は置換基を示す。）で表されるベンズアルデヒド類と、一般式（２）
【化２６】
（式中、Ｒ２はアルキル基を示し、Ｒ３は炭化水素基を示す。）で表されるグリコール酸誘導体とを反応させ、得られた生成物を加水分解して一般式（４）
【化２７】
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表されるけい皮酸類又はその塩を製造し、そしてそのけい皮酸類（４）又はその塩を不斉水素化反応に付して、一般式（５）
【化２８】
（式中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表される光学活性フェニルプロピオン酸類又はその塩、及び一般式（６）
【化２９】
（式中、Ｒ２、Ｒ５〜Ｒ８及び＊は前記と同意義を有する。）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩を製造し、次いで脱保護することを特徴とする、一般式（６）
【化３０】
（式中、Ｒ２、Ｒ５〜Ｒ８及び＊は前記と同意義を有する。）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩の製造方法。
【請求項１】
一般式（１）
【化１】
（式中、Ｒ１は保護基を示し、Ｒ５〜Ｒ８は夫々独立して水素原子又は置換基を示す。）で表されるベンズアルデヒド類と一般式（２）
【化２】
（式中、Ｒ２はアルキル基を示し、Ｒ３は炭化水素基を示す。）で表されるグリコール酸誘導体とを反応させた後、得られた生成物を加水分解して一般式（４）
【化３】
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表されるけい皮酸類又はその塩を製造し、そしてそのけい皮酸類（４）又はその塩を不斉水素化反応に付して一般式（５）
【化４】
（式中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表される光学活性フェニルプロピオン酸類又はその塩を製造し、次いで脱保護することを特徴とする、一般式（６）
【化５】
（式中、Ｒ２、Ｒ５〜Ｒ８及び＊は前記と同意義を有する。）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩の製造方法。
【請求項２】
一般式（１）
【化６】
（式中、Ｒ１は保護基を示し、Ｒ５〜Ｒ８は夫々独立して水素原子又は置換基を示す。）で表されるベンズアルデヒド類と一般式（２）
【化７】
（式中、Ｒ２はアルキル基を示し、Ｒ３は炭化水素基を示す。）で表されるグリコール酸誘導体とを反応させた後、加水分解して一般式（４）
【化８】
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表されるけい皮酸類又はその塩を製造し、そしてそのけい皮酸類（４）又はその塩を不斉水素化反応に付すことを特徴とする、一般式（６）
【化９】
（式中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩の製造方法。
【請求項３】
一般式（７）
【化１０】
（式中、Ｒ５〜Ｒ８は夫々独立して水素原子又は置換基を示す。）で表される４−ヒドロキシベンズアルデヒド類と一般式（２）
【化１１】
（式中、Ｒ２はアルキル基を示し、Ｒ３は炭化水素基を示す。）で表されるグリコール酸誘導体とを反応させた後、加水分解して一般式（９）
【化１２】
（式中、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表されるけい皮酸類又はその塩を製造し、そしてその４−ヒドロキシけい皮酸類（９）又はその塩を不斉水素化反応に付すことを特徴とする、一般式（６）
【化１３】
（式中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩の製造方法。
【請求項４】
不斉水素化反応が、不斉触媒の存在下で行われることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の製造方法。
【請求項５】
不斉触媒が、遷移金属錯体であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の製造方法。
【請求項６】
遷移金属錯体が、周期表の第８〜１０族の金属の錯体であることを特徴とする請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
一般式（１１）
【化１４】
（式中、Ｒ１１及びＲ１２は夫々独立して水素原子又は置換基を示し、Ｒ１３は水素原子、置換基を有していてもよい炭化水素基又は金属原子を示し、Ｒ１４は水素原子又は保護基を示す。）で表されるα，β−不飽和カルボン酸類又はその塩を遷移金属錯体の存在下で不斉水素化反応に付すことを特徴とする、一般式（１２）
【化１５】
（式中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ１１〜Ｒ１４は前記と同意義を有する。）で表される光学活性カルボン酸類又はその塩の製造方法、但し、遷移金属錯体がロジウムのものであるとき、前記一般式（１１）中のＲ１４で示される保護基はアシル基以外の基である。
【請求項８】
遷移金属錯体が、周期表の第８〜１０族の金属であることを特徴とする請求項７に記載の製造方法。
【請求項９】
不斉触媒が不斉配位子と遷移金属化合物との混合物であることを特徴とする請求項１又は３に記載の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜３のいずれかに記載の方法で得られる一般式（５）で表される光学活性フェニルプロピオン酸類又はその塩を、溶媒から結晶化させることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１１】
結晶化に使用する溶媒が、炭化水素類、アルコール類、ケトン類、水及びそれらの混合物からなる群から選ばれる１種であることを特徴とする請求項１０に記載の製造方法。
【請求項１２】
請求項１〜３のいずれかに記載の方法で得られる一般式（６）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩を、溶媒から結晶化させることを特徴とする請求項１〜３に記載の製造方法。
【請求項１３】
結晶化に使用する溶媒が、芳香族炭化水素類、脂肪族炭化水素類、アルコール類、水及びそれらの混合物からなる群から選ばれる１種であることを特徴とする請求項１２に記載の製造方法。
【請求項１４】
一般式（４）
【化１６】
（式中、Ｒ１は保護基を示し、Ｒ２はアルキル基を示し、Ｒ５〜Ｒ８は夫々独立して水素原子又は置換基を示す。）で表されるけい皮酸類又はその塩を不斉水素化反応に付すことを特徴とする、一般式（５）
【化１７】
（式中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表される光学活性フェニルプロピオン酸類又はその塩の製造方法。
【請求項１５】
一般式（４）
【化１８】
（式中、Ｒ２はアルキル基を示し、Ｒ５〜Ｒ８は夫々独立して水素原子又は置換基を示す。）で表されるけい皮酸類又はその塩を不斉水素化反応に付すことを特徴とする、一般式（６）
【化１９】
（式中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。)で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩の製造方法。
【請求項１６】
一般式（９）
【化２０】
（式中、Ｒ２はアルキル基を示し、Ｒ５〜Ｒ８は夫々独立して水素原子又は置換基を示す。）で表される４−ヒドロキシけい皮酸類又はその塩を不斉水素化反応に付すことを特徴とする、一般式（６）
【化２１】
（式中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩の製造方法。
【請求項１７】
一般式（４）
【化２２】
（式中、Ｒ１は保護基を示し、Ｒ２はアルキル基を示し、Ｒ５〜Ｒ８は夫々独立して水素原子又は置換基を示す。）で表されるけい皮酸類又はその塩を不斉水素化反応させることを特徴とする、一般式（６）
【化２３】
（式中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩、及び一般式（５）
【化２４】
（式中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表される光学活性フェニルプロピオン酸類又はその塩の製造方法。
【請求項１８】
一般式（１）
【化２５】
（式中、Ｒ１は保護基を示し、Ｒ５〜Ｒ８は夫々独立して水素原子又は置換基を示す。）で表されるベンズアルデヒド類と、一般式（２）
【化２６】
（式中、Ｒ２はアルキル基を示し、Ｒ３は炭化水素基を示す。）で表されるグリコール酸誘導体とを反応させ、得られた生成物を加水分解して一般式（４）
【化２７】
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表されるけい皮酸類又はその塩を製造し、そしてそのけい皮酸類（４）又はその塩を不斉水素化反応に付して、一般式（５）
【化２８】
（式中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ１、Ｒ２及びＲ５〜Ｒ８は前記と同意義を有する。）で表される光学活性フェニルプロピオン酸類又はその塩、及び一般式（６）
【化２９】
（式中、Ｒ２、Ｒ５〜Ｒ８及び＊は前記と同意義を有する。）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩を製造し、次いで脱保護することを特徴とする、一般式（６）
【化３０】
（式中、Ｒ２、Ｒ５〜Ｒ８及び＊は前記と同意義を有する。）で表される光学活性３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸類又はその塩の製造方法。
【公表番号】特表２００７−５１２２２２（Ｐ２００７−５１２２２２Ａ）
【公表日】平成１９年５月１７日（２００７．５．１７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−５２０４２９（Ｐ２００６−５２０４２９）
【出願日】平成１６年１１月２６日（２００４．１１．２６）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＪＰ２００４／０１７９９８
【国際公開番号】ＷＯ２００５／０５１８８２
【国際公開日】平成１７年６月９日（２００５．６．９）
【出願人】（０００１６９４６６）高砂香料工業株式会社 (194)
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成１９年５月１７日（２００７．５．１７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年１１月２６日（２００４．１１．２６）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＪＰ２００４／０１７９９８
【国際公開番号】ＷＯ２００５／０５１８８２
【国際公開日】平成１７年６月９日（２００５．６．９）
【出願人】（０００１６９４６６）高砂香料工業株式会社 (194)
【Ｆターム（参考）】
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