【課題】単純な構造により、力とモーメントとを区別して検出する。
【解決手段】板状の支持体３００の上面の３箇所に、それぞれ５組ずつの固定電極群Ｅ１１〜Ｅ１５，Ｅ２１〜Ｅ２５，Ｅ３１〜Ｅ３５を配置する。この３箇所の固定電極群の上方にそれぞれ変位電極として機能する円盤状のダイアフラムを配置し、その周囲を支持体３００上に固定する。３枚のダイアフラムの上面中央部に、それぞれ上方に伸びる柱状体を接合し、この３本の柱状体の上端に、検出対象となる力を受ける受力体を取り付ける。受力体に力やモーメントが作用すると、３本の柱状体が変位し、各ダイアフラムに撓みが生じる。各固定電極Ｅ１１〜Ｅ３５と対向するダイアフラムとによって構成される１５組の容量素子の静電容量値の変化に基づいて、受力体に作用した各座標軸方向の力Ｆｘ，Ｆｙ，Ｆｚと、モーメントＭｘ，Ｍｙ，Ｍｚのすべてが検出できる。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は力検出装置に関し、特に、力とモーメントとを独立して検出するのに適した力検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ロボットや産業機械の動作制御を行うために、種々のタイプの力検出装置が利用されている。また、電子機器の入力装置のマン・マシンインターフェイスとしても、小型の力検出装置が組み込まれている。このような用途に用いる力検出装置には、小型化およびコストダウンを図るために、できるだけ構造を単純にするとともに、三次元空間内での各座標軸に関する力をそれぞれ独立して検出できるようにすることが要求される。
【０００３】
現在、一般に利用されている多軸力検出装置は、三次元構造体に作用した力の特定の方向成分を、特定の部分に生じた変位として検出するタイプのものと、特定の部分に生じた機械的な歪みとして検出するタイプのものに分類される。前者の変位検出タイプの代表格は、静電容量素子式の力検出装置であり、一対の電極により容量素子を構成しておき、作用した力によって一方の電極に生じた変位を、容量素子の静電容量値に基づいて検出するものである。たとえば、下記の特許文献１には、この静電容量式の力検出装置が開示されている。一方、後者の歪み検出タイプの代表格は、歪みゲージ式の力検出装置であり、作用した力によって生じた機械的な歪みを、ゲージ抵抗などの電気抵抗の変化として検出するものである。たとえば、下記の特許文献２には、この歪みゲージ式の力検出装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平５−２１５６２７号公報
【特許文献２】特開昭６１−２９２０２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一般に、力検出装置の検出対象には、所定の座標軸方向を向いた力成分と、所定の座標軸まわりのモーメント成分とがある。三次元空間内にＸＹＺ三次元座標系を定義した場合、検出対象は、各座標軸方向の力成分Ｆｘ，Ｆｙ，Ｆｚと、各座標軸まわりのモーメント成分Ｍｘ，Ｍｙ，Ｍｚとの６つの成分になる。しかしながら、これらの各成分をそれぞれ独立して検出するためには、従来は、変位検出タイプのものであれ、歪み検出タイプのものであれ、かなり複雑な三次元構造体をもった力検出装置を用いる必要があった。
【０００６】
そこで本発明は、できるたけ単純な構造により、力とモーメントとを区別して検出することが可能な力検出装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
(1) 本発明の第１の態様は、ＸＹＺ三次元座標系におけるＸ軸方向の力Ｆｘを検出する力検出装置において、
検出対象となる力を受けるために座標系の原点位置に配置され、ＸＹ平面に沿って広がる板状部材からなる受力体と、
この受力体の下方に配置され、ＸＹ平面に平行な平面に沿って広がる板状部材からなる支持体と、
上端が受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第１の力伝達体と、
上端が受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第２の力伝達体と、
上端が受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第３の力伝達体と、
第１の力伝達体の支持体に対する傾斜状態を検知する機能と、第１の力伝達体全体から支持体に対して加えられる力を検知する機能と、の少なくとも一方を有する第１のセンサと、
第２の力伝達体の支持体に対する傾斜状態を検知する機能と、第２の力伝達体全体から支持体に対して加えられる力を検知する機能と、の少なくとも一方を有する第２のセンサと、
第３の力伝達体の支持体に対する傾斜状態を検知する機能と、第３の力伝達体全体から支持体に対して加えられる力を検知する機能と、の少なくとも一方を有する第３のセンサと、
第１〜第３のセンサの検出結果を考慮して、受力体に作用した力もしくはモーメントを検出する処理を行う検出処理部と、
を設け、
第１〜第３の力伝達体は柱状の部材により構成され、第１〜第３の力伝達体の下面は、周囲が支持体に固定された接続部材の中央に接合され、第１〜第３の力伝達体の上面は、周囲が受力体に固定された接続部材の中央に接合され、
第１〜第３のセンサは、支持体の上面に固定された固定電極と、力伝達体の下面に接合された接続部材の変位面に固定された変位電極と、によって構成される容量素子を有し、この容量素子の静電容量値に基づいて検知を行い、
第１の力伝達体がその長手方向がＹ軸の正の部分と交差する位置に配置され、第２の力伝達体がＸＹ平面の第３象限に配置され、第３の力伝達体がＸＹ平面の第４象限に配置されており、
第１のセンサが、第１の力伝達体のＸ軸方向に関する傾斜度を検知する機能を有し、
第２のセンサが、第２の力伝達体のＸ軸方向に関する傾斜度を検知する機能を有し、
第３のセンサが、第３の力伝達体のＸ軸方向に関する傾斜度を検知する機能を有し、
検出処理部が、第１〜第３のセンサによって検知されたＸ軸方向に関する傾斜度の和に基づいて、受力体に作用した力のＸ軸方向成分Ｆｘを検出する処理を行うようにしたものである。
【０００８】
(2) 本発明の第２の態様は、上述の第１の態様に係る力検出装置において、Ｘ軸方向の力Ｆｘの検出に加えて、更に、Ｙ軸方向の力Ｆｙを検出するために、
第１のセンサが、第１の力伝達体のＹ軸方向に関する傾斜度を検知する機能を有し、
第２のセンサが、第２の力伝達体のＹ軸方向に関する傾斜度を検知する機能を有し、
第３のセンサが、第３の力伝達体のＹ軸方向に関する傾斜度を検知する機能を有し、
検出処理部が、第１〜第３のセンサによって検知されたＹ軸方向に関する傾斜度の和に基づいて、受力体に作用した力のＹ軸方向成分Ｆｙを検出する処理を行うようにしたものである。
【０００９】
(3) 本発明の第３の態様は、上述の第２の態様に係る力検出装置において、Ｘ軸方向の力ＦｘおよびＹ軸方向の力Ｆｙの検出に加えて、更に、Ｚ軸方向の力Ｆｚを検出するために、
第１のセンサが、第１の力伝達体全体から支持体に対して加えられるＺ軸方向に関する力を検知する機能を有し、
第２のセンサが、第２の力伝達体全体から支持体に対して加えられるＺ軸方向に関する力を検知する機能を有し、
第３のセンサが、第３の力伝達体全体から支持体に対して加えられるＺ軸方向に関する力を検知する機能を有し、
検出処理部が、第１〜第３のセンサによって検知されたＺ軸方向に関する力の和に基づいて、受力体に作用した力のＺ軸方向成分Ｆｚを検出する処理を行うようにしたものである。
【００１０】
(4) 本発明の第４の態様は、上述の第１の態様に係る力検出装置において、Ｘ軸方向の力Ｆｘの検出に加えて、更に、Ｚ軸方向の力Ｆｚを検出するために、
第１のセンサが、第１の力伝達体全体から支持体に対して加えられるＺ軸方向に関する力を検知する機能を有し、
第２のセンサが、第２の力伝達体全体から支持体に対して加えられるＺ軸方向に関する力を検知する機能を有し、
第３のセンサが、第３の力伝達体全体から支持体に対して加えられるＺ軸方向に関する力を検知する機能を有し、
検出処理部が、第１〜第３のセンサによって検知されたＺ軸方向に関する力の和に基づいて、受力体に作用した力のＺ軸方向成分Ｆｚを検出する処理を行うようにしたものである。
【００１１】
(5) 本発明の第５の態様は、ＸＹＺ三次元座標系におけるＹ軸方向の力Ｆｙを検出する力検出装置において、
検出対象となる力を受けるために座標系の原点位置に配置され、ＸＹ平面に沿って広がる板状部材からなる受力体と、
この受力体の下方に配置され、ＸＹ平面に平行な平面に沿って広がる板状部材からなる支持体と、
上端が受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第１の力伝達体と、
上端が受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第２の力伝達体と、
上端が受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第３の力伝達体と、
第１の力伝達体の支持体に対する傾斜状態を検知する機能と、第１の力伝達体全体から支持体に対して加えられる力を検知する機能と、の少なくとも一方を有する第１のセンサと、
第２の力伝達体の支持体に対する傾斜状態を検知する機能と、第２の力伝達体全体から支持体に対して加えられる力を検知する機能と、の少なくとも一方を有する第２のセンサと、
第３の力伝達体の支持体に対する傾斜状態を検知する機能と、第３の力伝達体全体から支持体に対して加えられる力を検知する機能と、の少なくとも一方を有する第３のセンサと、
第１〜第３のセンサの検出結果を考慮して、受力体に作用した力もしくはモーメントを検出する処理を行う検出処理部と、
を設け、
第１〜第３の力伝達体は柱状の部材により構成され、第１〜第３の力伝達体の下面は、周囲が支持体に固定された接続部材の中央に接合され、第１〜第３の力伝達体の上面は、周囲が受力体に固定された接続部材の中央に接合され、
第１〜第３のセンサは、支持体の上面に固定された固定電極と、力伝達体の下面に接合された接続部材の変位面に固定された変位電極と、によって構成される容量素子を有し、この容量素子の静電容量値に基づいて検知を行い、
第１の力伝達体がその長手方向がＹ軸の正の部分と交差する位置に配置され、第２の力伝達体がＸＹ平面の第３象限に配置され、第３の力伝達体がＸＹ平面の第４象限に配置されており、
第１のセンサが、第１の力伝達体のＹ軸方向に関する傾斜度を検知する機能を有し、
第２のセンサが、第２の力伝達体のＹ軸方向に関する傾斜度を検知する機能を有し、
第３のセンサが、第３の力伝達体のＹ軸方向に関する傾斜度を検知する機能を有し、
検出処理部が、第１〜第３のセンサによって検知されたＹ軸方向に関する傾斜度の和に基づいて、受力体に作用した力のＹ軸方向成分Ｆｙを検出する処理を行うようにしたものである。
【００１２】
(6) 本発明の第６の態様は、ＸＹＺ三次元座標系におけるＺ軸方向の力Ｆｚを検出する力検出装置において、
検出対象となる力を受けるために座標系の原点位置に配置され、ＸＹ平面に沿って広がる板状部材からなる受力体と、
この受力体の下方に配置され、ＸＹ平面に平行な平面に沿って広がる板状部材からなる支持体と、
上端が受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第１の力伝達体と、
上端が受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第２の力伝達体と、
上端が受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第３の力伝達体と、
第１の力伝達体の支持体に対する傾斜状態を検知する機能と、第１の力伝達体全体から支持体に対して加えられる力を検知する機能と、の少なくとも一方を有する第１のセンサと、
第２の力伝達体の支持体に対する傾斜状態を検知する機能と、第２の力伝達体全体から支持体に対して加えられる力を検知する機能と、の少なくとも一方を有する第２のセンサと、
第３の力伝達体の支持体に対する傾斜状態を検知する機能と、第３の力伝達体全体から支持体に対して加えられる力を検知する機能と、の少なくとも一方を有する第３のセンサと、
第１〜第３のセンサの検出結果を考慮して、受力体に作用した力もしくはモーメントを検出する処理を行う検出処理部と、
を設け、
第１〜第３の力伝達体は柱状の部材により構成され、第１〜第３の力伝達体の下面は、周囲が支持体に固定された接続部材の中央に接合され、第１〜第３の力伝達体の上面は、周囲が受力体に固定された接続部材の中央に接合され、
第１〜第３のセンサは、支持体の上面に固定された固定電極と、力伝達体の下面に接合された接続部材の変位面に固定された変位電極と、によって構成される容量素子を有し、この容量素子の静電容量値に基づいて検知を行い、
第１の力伝達体がその長手方向がＹ軸の正の部分と交差する位置に配置され、第２の力伝達体がＸＹ平面の第３象限に配置され、第３の力伝達体がＸＹ平面の第４象限に配置されており、
第１のセンサが、第１の力伝達体全体から支持体に対して加えられるＺ軸方向に関する力を検知する機能を有し、
第２のセンサが、第２の力伝達体全体から支持体に対して加えられるＺ軸方向に関する力を検知する機能を有し、
第３のセンサが、第３の力伝達体全体から支持体に対して加えられるＺ軸方向に関する力を検知する機能を有し、
検出処理部が、第１〜第３のセンサによって検知されたＺ軸方向に関する力の和に基づいて、受力体に作用した力のＺ軸方向成分Ｆｚを検出する処理を行うようにしたものである。
【００１３】
(7) 本発明の第７の態様は、ＸＹＺ三次元座標系におけるＸ軸まわりのモーメントＭｘを検出する力検出装置において、
検出対象となる力を受けるために座標系の原点位置に配置され、ＸＹ平面に沿って広がる板状部材からなる受力体と、
この受力体の下方に配置され、ＸＹ平面に平行な平面に沿って広がる板状部材からなる支持体と、
上端が受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第１の力伝達体と、
上端が受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第２の力伝達体と、
上端が受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第３の力伝達体と、
第１の力伝達体の支持体に対する傾斜状態を検知する機能と、第１の力伝達体全体から支持体に対して加えられる力を検知する機能と、の少なくとも一方を有する第１のセンサと、
第２の力伝達体の支持体に対する傾斜状態を検知する機能と、第２の力伝達体全体から支持体に対して加えられる力を検知する機能と、の少なくとも一方を有する第２のセンサと、
第３の力伝達体の支持体に対する傾斜状態を検知する機能と、第３の力伝達体全体から支持体に対して加えられる力を検知する機能と、の少なくとも一方を有する第３のセンサと、
第１〜第３のセンサの検出結果を考慮して、受力体に作用した力もしくはモーメントを検出する処理を行う検出処理部と、
を設け、
第１〜第３の力伝達体は柱状の部材により構成され、第１〜第３の力伝達体の下面は、周囲が支持体に固定された接続部材の中央に接合され、第１〜第３の力伝達体の上面は、周囲が受力体に固定された接続部材の中央に接合され、
第１〜第３のセンサは、支持体の上面に固定された固定電極と、力伝達体の下面に接合された接続部材の変位面に固定された変位電極と、によって構成される容量素子を有し、この容量素子の静電容量値に基づいて検知を行い、
第１の力伝達体がその長手方向がＹ軸の正の部分と交差する位置に配置され、第２の力伝達体がＸＹ平面の第３象限に配置され、第３の力伝達体がＸＹ平面の第４象限に配置されており、
第１のセンサが、第１の力伝達体全体から支持体に対して加えられるＺ軸方向に関する力を検知する機能を有し、
第２のセンサが、第２の力伝達体全体から支持体に対して加えられるＺ軸方向に関する力を検知する機能を有し、
第３のセンサが、第３の力伝達体全体から支持体に対して加えられるＺ軸方向に関する力を検知する機能を有し、
検出処理部が、第１のセンサによって検知されたＺ軸方向に関する力と、第２および第３のセンサによって検知されたＺ軸方向に関する力の和と、の差に基づいて、受力体に作用した力のＸ軸まわりのモーメントＭｘを検出する処理を行うようにしたものである。
【００１４】
(8) 本発明の第８の態様は、上述の第７の態様に係る力検出装置において、Ｘ軸まわりのモーメントＭｘの検出に加えて、更に、Ｙ軸まわりのモーメントＭｙを検出するために、
検出処理部が、第２のセンサによって検知されたＺ軸方向に関する力と、第３のセンサによって検知されたＺ軸方向に関する力と、の差に基づいて、受力体に作用した力のＹ軸まわりのモーメントＭｙを検出する処理を行うようにしたものである。
【００１５】
(9) 本発明の第９の態様は、上述の第８の態様に係る力検出装置において、Ｘ軸まわりのモーメントＭｘおよびＹ軸まわりのモーメントＭｙの検出に加えて、更に、Ｚ軸まわりのモーメントＭｚを検出するために、
第１のセンサが、第１の力伝達体のＸ軸方向に関する傾斜度を検知する機能を有し、
第２のセンサが、第２の力伝達体のＸ軸方向に関する傾斜度と、第２の力伝達体のＹ軸方向に関する傾斜度と、を検知する機能を有し、
第３のセンサが、第３の力伝達体のＸ軸方向に関する傾斜度と、第３の力伝達体のＹ軸方向に関する傾斜度と、を検知する機能を有し、
検出処理部が、第２および第３のセンサによって検知されたＸ軸方向に関する傾斜度の和から、第１のセンサによって検知されたＸ軸方向に関する傾斜度を減じた差を第１の差として求め、第３のセンサによって検知されたＹ軸方向に関する傾斜度から、第２のセンサによって検知されたＹ軸方向に関する傾斜度を減じた差を第２の差として求め、第１の差と第２の差との和に基づいて、受力体に作用した力のＺ軸まわりのモーメントＭｚを検出する処理を行うようにしたものである。
【００１６】
(10) 本発明の第１０の態様は、上述の第７の態様に係る力検出装置において、Ｘ軸まわりのモーメントＭｘの検出に加えて、更に、Ｚ軸まわりのモーメントＭｚを検出するために、
第１のセンサが、第１の力伝達体のＸ軸方向に関する傾斜度を検知する機能を有し、
第２のセンサが、第２の力伝達体のＸ軸方向に関する傾斜度と、第２の力伝達体のＹ軸方向に関する傾斜度と、を検知する機能を有し、
第３のセンサが、第３の力伝達体のＸ軸方向に関する傾斜度と、第３の力伝達体のＹ軸方向に関する傾斜度と、を検知する機能を有し、
検出処理部が、第２および第３のセンサによって検知されたＸ軸方向に関する傾斜度の和から、第１のセンサによって検知されたＸ軸方向に関する傾斜度を減じた差を第１の差として求め、第３のセンサによって検知されたＹ軸方向に関する傾斜度から、第２のセンサによって検知されたＹ軸方向に関する傾斜度を減じた差を第２の差として求め、第１の差と第２の差との和に基づいて、受力体に作用した力のＺ軸まわりのモーメントＭｚを検出する処理を行うようにしたものである。
【００１７】
(11) 本発明の第１１の態様は、ＸＹＺ三次元座標系におけるＺ軸まわりのモーメントＭｚを検出する力検出装置において、
検出対象となる力を受けるために座標系の原点位置に配置され、ＸＹ平面に沿って広がる板状部材からなる受力体と、
この受力体の下方に配置され、ＸＹ平面に平行な平面に沿って広がる板状部材からなる支持体と、
上端が受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第１の力伝達体と、
上端が受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第２の力伝達体と、
上端が受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第３の力伝達体と、
第１の力伝達体の支持体に対する傾斜状態を検知する機能と、第１の力伝達体全体から支持体に対して加えられる力を検知する機能と、の少なくとも一方を有する第１のセンサと、
第２の力伝達体の支持体に対する傾斜状態を検知する機能と、第２の力伝達体全体から支持体に対して加えられる力を検知する機能と、の少なくとも一方を有する第２のセンサと、
第３の力伝達体の支持体に対する傾斜状態を検知する機能と、第３の力伝達体全体から支持体に対して加えられる力を検知する機能と、の少なくとも一方を有する第３のセンサと、
第１〜第３のセンサの検出結果を考慮して、受力体に作用した力もしくはモーメントを検出する処理を行う検出処理部と、
を設け、
第１〜第３の力伝達体は柱状の部材により構成され、第１〜第３の力伝達体の下面は、周囲が支持体に固定された接続部材の中央に接合され、第１〜第３の力伝達体の上面は、周囲が受力体に固定された接続部材の中央に接合され、
第１〜第３のセンサは、支持体の上面に固定された固定電極と、力伝達体の下面に接合された接続部材の変位面に固定された変位電極と、によって構成される容量素子を有し、この容量素子の静電容量値に基づいて検知を行い、
第１の力伝達体がその長手方向がＹ軸の正の部分と交差する位置に配置され、第２の力伝達体がＸＹ平面の第３象限に配置され、第３の力伝達体がＸＹ平面の第４象限に配置されており、
第１のセンサが、第１の力伝達体のＸ軸方向に関する傾斜度を検知する機能を有し、
第２のセンサが、第２の力伝達体のＸ軸方向に関する傾斜度と、第２の力伝達体のＹ軸方向に関する傾斜度と、を検知する機能を有し、
第３のセンサが、第３の力伝達体のＸ軸方向に関する傾斜度と、第３の力伝達体のＹ軸方向に関する傾斜度と、を検知する機能を有し、
検出処理部が、第２および第３のセンサによって検知されたＸ軸方向に関する傾斜度の和から、第１のセンサによって検知されたＸ軸方向に関する傾斜度を減じた差を第１の差として求め、第３のセンサによって検知されたＹ軸方向に関する傾斜度から、第２のセンサによって検知されたＹ軸方向に関する傾斜度を減じた差を第２の差として求め、第１の差と第２の差との和に基づいて、受力体に作用した力のＺ軸まわりのモーメントＭｚを検出する処理を行うようにしたものである。
【００１８】
(12) 本発明の第１２の態様は、ＸＹＺ三次元座標系におけるＸ軸方向の力Ｆｘ、Ｚ軸方向の力Ｆｚ、Ｘ軸まわりのモーメントＭｘ、Ｚ軸まわりのモーメントＭｚを検出する力検出装置において、
検出対象となる力を受けるために座標系の原点位置に配置され、ＸＹ平面に沿って広がる板状部材からなる受力体と、
この受力体の下方に配置され、ＸＹ平面に平行な平面に沿って広がる板状部材からなる支持体と、
上端が受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第１の力伝達体と、
上端が受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第２の力伝達体と、
上端が受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第３の力伝達体と、
第１の力伝達体の支持体に対する傾斜状態を検知する機能と、第１の力伝達体全体から支持体に対して加えられる力を検知する機能と、の少なくとも一方を有する第１のセンサと、
第２の力伝達体の支持体に対する傾斜状態を検知する機能と、第２の力伝達体全体から支持体に対して加えられる力を検知する機能と、の少なくとも一方を有する第２のセンサと、
第３の力伝達体の支持体に対する傾斜状態を検知する機能と、第３の力伝達体全体から支持体に対して加えられる力を検知する機能と、の少なくとも一方を有する第３のセンサと、
第１〜第３のセンサの検出結果を考慮して、受力体に作用した力もしくはモーメントを検出する処理を行う検出処理部と、
を設け、
第１〜第３の力伝達体は柱状の部材により構成され、第１〜第３の力伝達体の下面は、周囲が支持体に固定された接続部材の中央に接合され、第１〜第３の力伝達体の上面は、周囲が受力体に固定された接続部材の中央に接合され、
第１〜第３のセンサは、支持体の上面に固定された固定電極と、力伝達体の下面に接合された接続部材の変位面に固定された変位電極と、によって構成される容量素子を有し、この容量素子の静電容量値に基づいて検知を行い、
第１の力伝達体がその長手方向がＹ軸の正の部分と交差する位置に配置され、第２の力伝達体がＸＹ平面の第３象限に配置され、第３の力伝達体がＸＹ平面の第４象限に配置されており、
第１のセンサが、第１の力伝達体のＸ軸方向に関する傾斜度と、第１の力伝達体全体から支持体に対して加えられるＺ軸方向に関する力と、を検知する機能を有し、
第２のセンサが、第２の力伝達体のＸ軸方向に関する傾斜度と、第２の力伝達体のＹ軸方向に関する傾斜度と、第２の力伝達体全体から支持体に対して加えられるＺ軸方向に関する力と、を検知する機能を有し、
第３のセンサが、第３の力伝達体のＸ軸方向に関する傾斜度と、第３の力伝達体のＹ軸方向に関する傾斜度と、第３の力伝達体全体から支持体に対して加えられるＺ軸方向に関する力と、を検知する機能を有し、
検出処理部が、
第１〜第３のセンサによって検知されたＸ軸方向に関する傾斜度の和に基づいて、受力体に作用した力のＸ軸方向成分Ｆｘを検出する処理を行い、
第１〜第３のセンサによって検知されたＺ軸方向に関する力の和に基づいて、受力体に作用した力のＺ軸方向成分Ｆｚを検出する処理を行い、
第１のセンサによって検知されたＺ軸方向に関する力と、第２および第３のセンサによって検知されたＺ軸方向に関する力の和と、の差に基づいて、受力体に作用した力のＸ軸まわりのモーメントＭｘを検出する処理を行い、
第２および第３のセンサによって検知されたＸ軸方向に関する傾斜度の和から、第１のセンサによって検知されたＸ軸方向に関する傾斜度を減じた差を第１の差として求め、第３のセンサによって検知されたＹ軸方向に関する傾斜度から、第２のセンサによって検知されたＹ軸方向に関する傾斜度を減じた差を第２の差として求め、第１の差と第２の差との和に基づいて、受力体に作用した力のＺ軸まわりのモーメントＭｚを検出する処理を行うようにしたものである。
【００１９】
(13) 本発明の第１３の態様は、ＸＹＺ三次元座標系における各座標軸方向の力Ｆｘ，Ｆｙ，Ｆｚおよび各座標軸まわりのモーメントＭｘ，Ｍｙ，Ｍｚを検出する力検出装置において、
検出対象となる力を受けるために座標系の原点位置に配置され、ＸＹ平面に沿って広がる板状部材からなる受力体と、
この受力体の下方に配置され、ＸＹ平面に平行な平面に沿って広がる板状部材からなる支持体と、
上端が受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第１の力伝達体と、
上端が受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第２の力伝達体と、
上端が受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第３の力伝達体と、
第１の力伝達体の支持体に対する傾斜状態を検知する機能と、第１の力伝達体全体から支持体に対して加えられる力を検知する機能と、の少なくとも一方を有する第１のセンサと、
第２の力伝達体の支持体に対する傾斜状態を検知する機能と、第２の力伝達体全体から支持体に対して加えられる力を検知する機能と、の少なくとも一方を有する第２のセンサと、
第３の力伝達体の支持体に対する傾斜状態を検知する機能と、第３の力伝達体全体から支持体に対して加えられる力を検知する機能と、の少なくとも一方を有する第３のセンサと、
第１〜第３のセンサの検出結果を考慮して、受力体に作用した力もしくはモーメントを検出する処理を行う検出処理部と、
を設け、
第１〜第３の力伝達体は柱状の部材により構成され、第１〜第３の力伝達体の下面は、周囲が支持体に固定された接続部材の中央に接合され、第１〜第３の力伝達体の上面は、周囲が受力体に固定された接続部材の中央に接合され、
第１〜第３のセンサは、支持体の上面に固定された固定電極と、力伝達体の下面に接合された接続部材の変位面に固定された変位電極と、によって構成される容量素子を有し、この容量素子の静電容量値に基づいて検知を行い、
第１の力伝達体がその長手方向がＹ軸の正の部分と交差する位置に配置され、第２の力伝達体がＸＹ平面の第３象限に配置され、第３の力伝達体がＸＹ平面の第４象限に配置されており、
第１のセンサが、第１の力伝達体のＸ軸方向に関する傾斜度と、第１の力伝達体のＹ軸方向に関する傾斜度と、第１の力伝達体全体から支持体に対して加えられるＺ軸方向に関する力と、を検知する機能を有し、
第２のセンサが、第２の力伝達体のＸ軸方向に関する傾斜度と、第２の力伝達体のＹ軸方向に関する傾斜度と、第２の力伝達体全体から支持体に対して加えられるＺ軸方向に関する力と、を検知する機能を有し、
第３のセンサが、第３の力伝達体のＸ軸方向に関する傾斜度と、第３の力伝達体のＹ軸方向に関する傾斜度と、第３の力伝達体全体から支持体に対して加えられるＺ軸方向に関する力と、を検知する機能を有し、
検出処理部が、
第１〜第３のセンサによって検知されたＸ軸方向に関する傾斜度の和に基づいて、受力体に作用した力のＸ軸方向成分Ｆｘを検出する処理を行い、
第１〜第３のセンサによって検知されたＹ軸方向に関する傾斜度の和に基づいて、受力体に作用した力のＹ軸方向成分Ｆｙを検出する処理を行い、
第１〜第３のセンサによって検知されたＺ軸方向に関する力の和に基づいて、受力体に作用した力のＺ軸方向成分Ｆｚを検出する処理を行い、
第１のセンサによって検知されたＺ軸方向に関する力と、第２および第３のセンサによって検知されたＺ軸方向に関する力の和と、の差に基づいて、受力体に作用した力のＸ軸まわりのモーメントＭｘを検出する処理を行い、
第２のセンサによって検知されたＺ軸方向に関する力と、第３のセンサによって検知されたＺ軸方向に関する力と、の差に基づいて、受力体に作用した力のＹ軸まわりのモーメントＭｙを検出する処理を行い、
第２および第３のセンサによって検知されたＸ軸方向に関する傾斜度の和から、第１のセンサによって検知されたＸ軸方向に関する傾斜度を減じた差を第１の差として求め、第３のセンサによって検知されたＹ軸方向に関する傾斜度から、第２のセンサによって検知されたＹ軸方向に関する傾斜度を減じた差を第２の差として求め、第１の差と第２の差との和に基づいて、受力体に作用した力のＺ軸まわりのモーメントＭｚを検出する処理を行うようにしたものである。
【００２０】
(14) 本発明の第１４の態様は、ＸＹＺ三次元座標系におけるＹ軸まわりのモーメントＭｙを検出する力検出装置において、
検出対象となる力を受けるために座標系の原点位置に配置され、ＸＹ平面に沿って広がる板状部材からなる受力体と、
この受力体の下方に配置され、ＸＹ平面に平行な平面に沿って広がる板状部材からなる支持体と、
上端が受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第１の力伝達体と、
上端が受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第２の力伝達体と、
上端が受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第３の力伝達体と、
第２の力伝達体全体から支持体に対して加えられる力を検知する機能を有する第２の力伝達体用センサと、
第３の力伝達体全体から支持体に対して加えられる力を検知する機能を有する第３の力伝達体用センサと、
第２の力伝達体用センサおよび第３の力伝達体用センサの検出結果を考慮して、受力体に作用した力もしくはモーメントを検出する処理を行う検出処理部と、
を設け、
第１〜第３の力伝達体は柱状の部材により構成され、第１〜第３の力伝達体の下面は、周囲が支持体に固定された接続部材の中央に接合され、第１〜第３の力伝達体の上面は、周囲が受力体に固定された接続部材の中央に接合され、
第２の力伝達体用センサおよび第３の力伝達体用センサは、支持体の上面に固定された固定電極と、力伝達体の下面に接合された接続部材の変位面に固定された変位電極と、によって構成される容量素子を有し、この容量素子の静電容量値に基づいて検知を行い、
第１の力伝達体がその長手方向がＹ軸の正の部分と交差する位置に配置され、第２の力伝達体がＸＹ平面の第３象限に配置され、第３の力伝達体がＸＹ平面の第４象限に配置されており、
第２の力伝達体用センサが、第２の力伝達体全体から支持体に対して加えられるＺ軸方向に関する力を検知する機能を有し、
第３の力伝達体用センサが、第３の力伝達体全体から支持体に対して加えられるＺ軸方向に関する力を検知する機能を有し、
検出処理部が、
第２の力伝達体用センサによって検知されたＺ軸方向に関する力と、第３の力伝達体用センサによって検知されたＺ軸方向に関する力と、の差に基づいて、受力体に作用した力のＹ軸まわりのモーメントＭｙを検出する処理を行うようにしたものである。
【００２１】
(15) 本発明の第１５の態様は、上述の第１〜第１４の態様に係る力検出装置において、
可撓性および導電性を有するダイアフラムを力伝達体の下面側の接続部材として用い、このダイアフラムの中央に力伝達体の下面を接合し、ダイアフラムの周囲を支持体に固定することにより、力伝達体を支持体に接続するようにし、ダイアフラム自身を変位電極として用いるようにしたものである。
【００２２】
(16) 本発明の第１６の態様は、上述の第１５の態様に係る力検出装置において、
柱状の部材からなる力伝達体の軸芯の延長線と支持体の上面との交点に原点をとったｘｙ二次元座標系を定義したときに、
支持体の上面におけるｘ軸の正の部分および負の部分にそれぞれ第１の固定電極および第２の固定電極を配置し、支持体の上面におけるｙ軸の正の部分および負の部分にそれぞれ第３の固定電極および第４の固定電極を配置し、
ダイアフラムからなる変位電極と第１〜第４の固定電極とによって、第１〜第４の容量素子を構成し、第１の容量素子の静電容量値と第２の容量素子の静電容量値との差に基づいて、力伝達体のｘ軸方向に関する傾斜度を検知し、第３の容量素子の静電容量値と第４の容量素子の静電容量値との差に基づいて、力伝達体のｙ軸方向に関する傾斜度を検知し、検出処理部が、これらの検知結果を利用して、力もしくはモーメントを検出する処理を行うようにしたものである。
【００２３】
(17) 本発明の第１７の態様は、上述の第１６の態様に係る力検出装置において、
支持体の上面における原点の近傍に更に第５の固定電極を配置し、ダイアフラムからなる変位電極と第５の固定電極とによって、第５の容量素子を構成し、この第５の容量素子の静電容量値に基づいて、力伝達体全体から支持体に対して加えられる力を検知し、検出処理部が、この検知結果を利用して、力もしくはモーメントを検出する処理を行うようにしたものである。
【００２４】
(18) 本発明の第１８の態様は、上述の第１５〜第１７の態様に係る力検出装置において、
力伝達体を挿通するための開口を有し、力伝達体の下面側の接続部材として用いられるダイアフラムの上方に配置されるように支持体に固定された補助基板を更に設け、
センサが、補助基板の下面に固定された固定電極と、ダイアフラム自身からなる変位電極と、によって構成される補助容量素子を有し、この補助容量素子の静電容量値を利用して力の検出を行うようにしたものである。
【００２５】
(19) 本発明の第１９の態様は、上述の第１８の態様に係る力検出装置において、
補助基板の下面に固定された固定電極の一部または全部が、支持体の上面に固定された固定電極の一部または全部に対して、鏡像関係をなすようにしたものである。
【００２６】
(20) 本発明の第２０の態様は、上述の第１〜第１９の態様に係る力検出装置において、
検出処理部が複数の容量素子を電気的に接続する配線により構成されているようにしたものである。
【００２７】
(21) 本発明の第２１の態様は、上述の第１〜第２０の態様に係る力検出装置において、
受力体と力伝達体とを接続する接続部材を、板状の受力体の肉薄部によって構成したものである。
【００２８】
(22) 本発明の第２２の態様は、上述の第１〜第２０の態様に係る力検出装置において、
各力伝達体から受力体に向かって加えられる力を検出する補助センサを更に設け、
検出処理部が、補助センサの検出結果を更に考慮して、受力体に作用した力もしくはモーメントを検出する処理を行うようにしたものである。
【００２９】
(23) 本発明の第２３の態様は、上述の第２２の態様に係る力検出装置において、
力伝達体から支持体に向かって加えられる力を検出するセンサと、力伝達体から受力体に向かって加えられる力を検出する補助センサとが鏡像関係となる構造を有し、
検出処理部が、鏡像関係を考慮した処理を実行するようにしたものである。
【００３０】
(24) 本発明の第２４の態様は、上述の第１〜第２３の態様に係る力検出装置において、
受力体の支持体に対する変位を所定の範囲内に制限するための制限部材を設けるようにしたものである。
【発明の効果】
【００３１】
本発明に係る力検出装置によれば、できるだけ単純な構造により、力とモーメントとを区別して検出することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明に係る力検出装置の基本構成を示す斜視図（一部はブロック図）である。
【図２】図１に示す力検出装置の基本的な動作原理を示す正面図である。
【図３】図１に示す力検出装置における第１のセンサ２１および第２のセンサ２２として利用するのに適した多軸力センサの一例を示す側断面図（ｘｚ平面で切った断面図）である。
【図４】図３に示す多軸力センサの上面図である。
【図５】図３に示す多軸力センサにおける支持体４０の上面図である（破線は、椀状接続部材の位置を示している）。
【図６】図３に示す多軸力センサに、ｘ軸正方向の力＋ｆｘが加えられたときの状態を示す側断面図である。
【図７】図３に示す多軸力センサに、ｘ軸負方向の力−ｆｘが加えられたときの状態を示す側断面図である。
【図８】図３に示す多軸力センサに、ｚ軸負方向の力−ｆｚが加えられたときの状態を示す側断面図である。
【図９】本発明の第１の実施形態に係る力検出装置の主たる構造部分を、ＸＺ平面に沿って切断した状態を示す側断面図である。
【図１０】図９に示す力検出装置の上面図である。
【図１１】図９に示す力検出装置をＸＹ平面に沿って切断した状態を示す横断面図である。
【図１２】図９に示す力検出装置の支持体３００の上面図である。
【図１３】図９に示す力検出装置による各力成分の検出原理を示すテーブルであり、図９に示す力検出装置の受力体１００に、各力成分が作用したときの各容量素子の静電容量値の変化の態様を示している。
【図１４】図９に示す力検出装置による各力成分の検出原理を数式を用いて示す図である。
【図１５】図９に示す力検出装置によって、力とモーメントとを区別して検出することができることを説明するための側断面図である。
【図１６】本発明の第２の実施形態に係る力検出装置の主たる構造部分の上面図である。
【図１７】図１６に示す力検出装置を切断線１７−１７に沿って切断した断面を示す側断面図である。
【図１８】図１７に示す力検出装置の支持体３００の上面図である。
【図１９】図１７に示す力検出装置による各力成分の検出原理を示すテーブルであり、図１７に示す力検出装置の受力体１００に、各力成分が作用したときの各容量素子の静電容量値の変化の態様を示している。
【図２０】図１７に示す力検出装置による各力成分の検出原理を数式を用いて示す図である。
【図２１】本発明の第３の実施形態に係る力検出装置の支持体３００の上面図である。
【図２２】図２１に示す力検出装置による各力成分の検出原理を示すテーブルであり、受力体１００に各力成分が作用したときの各容量素子の静電容量値の変化の態様を示している。
【図２３】図２１に示す力検出装置による各力成分の検出原理を数式を用いて示す図である。
【図２４】図９に示す力検出装置に、制限部材を付加した変形例の構造を示す側断面図である。
【図２５】図２４に示す力検出装置に、過度の力＋Ｆｘが加わった状態を示す側断面図である。
【図２６】図２４に示す力検出装置に、過度の力＋Ｆｚが加わった状態を示す側断面図である。
【図２７】図２４に示す力検出装置に、過度のモーメント＋Ｍｙが加わった状態を示す側断面図である。
【図２８】補助基板４００を付加した変形例に係る力検出装置の側断面図である。
【図２９】図２８に示す変形例に用いられている補助基板４００の下面図である。
【図３０】図２８に示す変形例に用いられている支持体３００の上面図である。
【図３１】補助センサを付加した変形例に係る力検出装置の側断面図である。
【図３２】補助基板と補助センサとの双方を付加した変形例に係る力検出装置の側断面図である。
【図３３】受力体、支持体、力伝達体を導電性材料で構成した変形例に係る力検出装置の側断面図である。
【図３４】ダミー力伝達体を利用する変形例における支持体３００の上面図である。
【図３５】本発明の第４の実施形態に係る力検出装置の支持体３００の上面図である。
【図３６】図３５に示す力検出装置による各力成分の検出原理を示すテーブルであり、受力体１００に各力成分が作用したときの各容量素子の静電容量値の変化の態様を示している。
【図３７】図３５に示す力検出装置による各力成分の検出原理を数式を用いて示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、本発明を図示する実施形態に基づいて説明する。
【００３４】
＜＜＜ §１． 基本概念 ＞＞＞
はじめに、本発明に係る力検出装置の基本概念を説明する。図１に示すとおり、本発明に係る力検出装置の基本構成要素は、受力体１０、第１の力伝達体１１、第２の力伝達体１２、支持体２０、第１のセンサ２１、第２のセンサ２２、検出処理部３０である。
【００３５】
受力体１０は、検出対象となる力を受ける構成要素であり、ここでは説明の便宜上、この受力体１０の中心位置に原点Ｏを定義し、図示のとおり、ＸＹＺ三次元座標系を定義している。図示の例では、任意形状をした受力体１０が描かれているが、後述する具体的な実施例では、板状の受力体１０が用いられている。受力体１０に作用する力の成分は、この座標系における各座標軸方向の力成分Ｆｘ，Ｆｙ，Ｆｚと各座標軸まわりのモーメント成分Ｍｘ，Ｍｙ，Ｍｚである。この図１に示す力検出装置では、後述するように、これら６つの力成分のうち、Ｆｘ，Ｆｚ，Ｍｘ，Ｍｙの４成分の検出が可能である。
【００３６】
なお、本願では、「力」という文言は、特定の座標軸方向の力を意味する場合と、モーメント成分を含めた集合的な力を意味する場合とを、適宜使い分けることにする。たとえば、図１において、力Ｆｘ，Ｆｙ，Ｆｚと言った場合は、モーメントではない各座標軸方向の力成分を意味しているが、６つの力Ｆｘ，Ｆｙ，Ｆｚ，Ｍｘ，Ｍｙ，Ｍｚと言った場合は、各座標軸方向の力成分と各座標軸まわりのモーメント成分とを含む集合的な力を意味することになる。
【００３７】
支持体２０は、受力体１０の下方に配置され、受力体１０を支持する機能を果たす構成要素である。図示の例では、板状の支持体２０が描かれているが、支持体２０は必ずしも板状の形態をとる必要はない。ただ、後述するように、第１のセンサ２１および第２のセンサ２２によって、各座標軸Ｘ，Ｙ，Ｚに関する力の検出を行う上では、前述したＸＹＺ三次元座標系におけるＸＹ平面に平行な上面を有する支持体２０を用いるのが好ましく、実用上は、板状形態にするのが好ましい。ここでは、説明の便宜上、支持体２０の上面に、ｘｙ平面を定義することにする。この小文字で示すｘｙ平面は、大文字で示すＸＹ平面に平行な平面となっており、ｘ軸とＸ軸とは平行、ｙ軸とＹ軸とは平行である。
【００３８】
第１の力伝達体１１および第２の力伝達体１２は、受力体１０と支持体２０とを接続する部材であり、Ｚ軸に沿って配置された構造体であり、しかもこの２本は、ｘ軸上に所定間隔をおいて並んで配置されている。図示の例では、これら力伝達体１１，１２は、いずれも柱状の構造体となっているが、原理的には任意の形状をもった構造体で構成してかまわない。ただ、実用上は、図示のような柱状の構造体にするのが、単純な構造を実現する上で好ましい。また、実用上は、第１の力伝達体１１と第２の力伝達体１２は、全く同じ材質、全く同じサイズにするのが好ましい。これは、両者の材質やサイズを同一にしておけば、第１のセンサ２１および第２のセンサ２２による検出感度を同一にすることができるためである。両者の材質やサイズが異なると、両センサの感度を同一にそろえることが困難になり、感度補正のための工夫が必要になる。
【００３９】
ここで重要な点は、各力伝達体１１，１２の上端が、受力体１０に対して、可撓性をもった接続部材（図には示されていない）を介して接続されており、各力伝達体１１，１２の下端が、支持体２０に対して、可撓性をもった接続部材（図には示されていない）を介して接続されている点である。要するに、第１の力伝達体１１および第２の力伝達体１２は、受力体１０に対しても、支持体２０に対しても、可撓性をもって接続されていることになる。ここで、可撓性とは弾力性と同義であり、受力体１０に対して何ら力が作用していない状態では、受力体１０は支持体２０に対して定位置をとるが、受力体１０に何らかの力が作用すると、可撓性をもった接続部材が弾性変形を生じ、受力体１０と支持体２０との相対位置に変化が生じることになる。もちろん、受力体１０に作用する力がなくなると、受力体１０はもとどおりの定位置に戻る。
【００４０】
結局、図１に示す例の場合、柱状の第１の力伝達体１１および第２の力伝達体１２の上端部および下端部が、それぞれ可撓性をもった接続部材によって構成されていることになる（もちろん、第１の力伝達体１１および第２の力伝達体１２の全体が可撓性をもった材料により構成されていてもかまわない）。そして、この接続部材が、ある程度の弾性変形を生じるため、第１の力伝達体１１および第２の力伝達体１２は、受力体１０や支持体２０に対して傾斜することができる。また、この接続部材は、図の上下方向（Ｚ軸方向）にも伸縮することが可能であり、受力体１０を図の上方向（＋Ｚ軸方向）に動かすと、接続部材が伸び、受力体１０と支持体２０との距離は広がり、逆に、受力体１０を図の下方向（−Ｚ軸方向）に動かすと、接続部材が縮み、受力体１０と支持体２０との距離は狭まることになる。もちろん、このような変位や傾斜の度合いは、受力体１０に作用した力の大きさに応じて大きくなる。
【００４１】
第１のセンサ２１は、第１の力伝達体１１から支持体２０に向かって加えられる力を検出する力センサであり、第２のセンサ２２は、第２の力伝達体１２から支持体２０に向かって加えられる力を検出する力センサである。上述したように、受力体１０に力が作用すると、この力は、第１の力伝達体１１および第２の力伝達体１２を介して、支持体２０へと伝達されることになる。第１のセンサ２１および第２のセンサ２２は、こうして伝達される力を検出する機能を有しており、より具体的には、後に詳述するように、力伝達体が傾斜することにより生じる力を検出することにより、力伝達体の傾斜度を検知する機能と、力伝達体全体が、支持体に対して加える押圧力（図の下方−Ｚ軸方向の力）もしくは引っ張り力（図の上方＋Ｚ軸方向の力）を検知する機能と、を有している。
【００４２】
検出処理部３０は、第１のセンサ２１の検出結果と第２のセンサ２２の検出結果との双方を考慮して、受力体１０に作用した力もしくはモーメントを検出する処理を行う構成要素である。実際には、上述した力伝達体の傾斜度や、支持体に対して加えられる押圧力／引っ張り力に基づいて、力やモーメントの検出が行われる。その具体的な方法については後述する。
【００４３】
続いて、図２の正面図を参照しながら、図１に示す力検出装置の基本的な動作原理を説明する。図２(a) は、この力検出装置に何ら力が作用していない状態を示しており、受力体１０は、支持体２０に対して定位置を維持している。もちろん、この状態においても、受力体１０などの重量が支持体２０上に加わっているので、支持体２０は、第１の力伝達体１１や第２の力伝達体１２から、何らかの力を受けているが、この状態で受けている力は定常状態での力であり、このような力が第１のセンサ２１や第２のセンサ２２によって検出されたとしても、検出処理部３０から出力される力やモーメントの検出値は０になる。別言すれば、検出処理部３０は、このような定常状態における各センサ２１，２２の検出結果を基準として、何らかの変化が生じた場合には、この変化を受力体１０に作用した力もしくはモーメントとして検出する機能を有している。
【００４４】
さて、ここでは、まず図２(b) に示すように、受力体１０に対して、Ｘ軸正方向の力＋Ｆｘが作用した場合を考えてみる。ちょうど原点Ｏの位置を、図の右方向へと押すような力が加わった場合に相当する。この場合、図示のとおり、受力体１０は図の右方向へとスライド運動することになり、第１の力伝達体１１および第２の力伝達体１２は、図の右方向へと傾斜することになる。ここでは、このときの第１の力伝達体１１の傾斜度をθ１、第２の力伝達体１２の傾斜度をθ２と呼ぶことにする。また、このようにＸＺ平面内におけるｘ軸に向かう方向への傾斜の程度を示す角度θ１，θ２を、「Ｘ軸方向に関する傾斜度」と呼ぶことにする。同様に、ＹＺ平面内におけるｙ軸に向かう方向への傾斜の程度を示す角度を、「Ｙ軸方向に関する傾斜度」と呼ぶ。図示の場合、２本の力伝達体１１，１２は、ｘ軸上に並んで配置されているので、Ｙ軸方向の傾斜度は０である。
【００４５】
なお、各力伝達体１１，１２が傾斜すると、受力体１０と支持体２０との距離は若干縮まることになるので、厳密に言えば、受力体１０はＸ軸方向に完全な平行移動を行うわけではなく、わずかながら−Ｚ軸方向への移動も行うことになるが、傾斜度が比較的小さい場合、−Ｚ軸方向への移動量は無視することができるので、ここでは説明の便宜上、受力体１０がＸ軸方向のみに移動したものと考えることにする。
【００４６】
一方、図２(c) に示すように、受力体１０に対して、Ｙ軸まわりのモーメント＋Ｍｙが作用した場合を考えてみよう。図２(c) において、Ｙ軸は紙面の裏側へと向かう垂直方向の軸であるから、図では、モーメント＋Ｍｙは、原点Ｏを中心に、受力体１０全体を時計まわりの方向に回転させるような力に相当する。なお、本願では、所定の座標軸の正方向に右ネジを進める場合の当該右ネジの回転方向を、当該座標軸まわりの正のモーメントと定義することにする。さて、この場合、図示のとおり、第１の力伝達体１１については伸張力が作用し、第２の力伝達体１２については縮小力が作用することになる。その結果、第１の力伝達体１１から支持体２０に対しては、引っ張り力（＋Ｚ軸方向の力：ここでは、力＋ｆｚと示すことにする）が作用し、第２の力伝達体１２から支持体２０に対しては、押圧力（−Ｚ軸方向の力：ここでは、力−ｆｚと示すことにする）が作用する。
【００４７】
このように、本発明に係る力検出装置では、受力体１０にＸ軸方向の力Ｆｘが作用した場合と、Ｙ軸まわりのモーメントＭｙが作用した場合とでは、２本の力伝達体１１，１２を介して支持体２０に伝達される力の態様が異なることになる。したがって、両者を区別して、それぞれ別個に検出することが可能である。
【００４８】
すなわち、Ｘ軸方向の力Ｆｘが作用した場合は、図２(b) に示すように、２本の力伝達体１１，１２は、Ｘ軸方向に傾斜し、傾斜度θ１，θ２を生じることになり、このような傾斜に応じた力が支持体２０へと伝達される。ここで、第１の力伝達体１１および第２の力伝達体１２と、これを支持体２０に接続するための可撓性をもった接続部材とを、同一材料、同一サイズにしておき、この力検出装置が、図のＺ軸に関して左右対称となる構造にしておけば、傾斜度θ１＝θ２になる。よって両者の和（θ１＋θ２）は、Ｘ軸方向の力Ｆｘを示す値になる。傾斜度θに符号を付して取り扱えば（たとえば、Ｘ軸正方向への傾斜の場合を正、Ｘ軸負方向への傾斜の場合を負として取り扱えば）、作用したＸ軸方向の力Ｆｘを符号を含めて検出することが可能である。
【００４９】
もっとも、本発明では、後述するように、第１の力伝達体１１および第２の力伝達体１２の傾斜度は、第１のセンサ２１および第２のセンサ２２によって、支持体２０に加えられる力として検出されることになる。このような検出を行うには、各力伝達体から支持体２０に対して加えられる力を、個々の部分ごとに検知すればよい。たとえば、図２(b) において、第１の力伝達体１１と支持体２０との接続部分に生じる応力を考えてみると、第１の力伝達体１１の底部の右側部分と左側部分とでは、生じる応力の向きが異なることがわかる。すなわち、図示の例では、第１の力伝達体１１は右側に傾斜しているので、第１の力伝達体１１の底部の右側部分については押圧力が生じ、支持体２０の上面を下方に押圧する力が生じているのに対し、左側部分については引っ張り力が生じ、支持体２０の上面を上方へ引っ張り上げる力が生じている。このように第１の力伝達体１１の底部の左右の各部における応力の相違を検出することにより、第１の力伝達体１１の傾斜度を得ることができる。その具体的な方法については、§２で詳述する。
【００５０】
結局、本発明に係る力検出装置によって、Ｘ軸方向の力Ｆｘを検出するには、第１のセンサ２１には、第１の力伝達体１１の支持体２０に対するｘ軸方向への傾斜状態を検知する機能をもたせておき、第２のセンサ２２には、第２の力伝達体１２の支持体２０に対するｘ軸方向への傾斜状態を検知する機能をもたせておけばよい。第１のセンサ２１が、第１の力伝達体１１のＸ軸方向に関する傾斜度θ１を検知する機能を有し、第２のセンサ２２が、第２の力伝達体１２のＸ軸方向に関する傾斜度を検知する機能を有していれば、検出処理部３０は、第１のセンサ２１によって検知されたＸ軸方向に関する傾斜度θ１と、第２のセンサ２２によって検知されたＸ軸方向に関する傾斜度θ２と、の和に基づいて、受力体１０に作用した力のＸ軸方向成分Ｆｘを検出する処理を行うことができる。
【００５１】
一方、Ｙ軸まわりのモーメントＭｙが作用した場合は、図２(c) に示すように、２本の力伝達体１１，１２から支持体２０に対して、引っ張り力＋ｆｚと押圧力−ｆｚとが伝達される。このようにして伝達される力は、力伝達体が傾斜した場合の力とは異なっている。すなわち、図２(b) に示すように力伝達体が傾斜した場合は、その底部に生じる応力は、右側部分と左側部分とで異なるものとなった。ところが、図２(c) に示すようにモーメントＭｙが作用した場合は、第１の力伝達体１１全体により引っ張り力＋ｆｚが加えられ、第２の力伝達体１２全体により押圧力−ｆｚが加えられることになる。
【００５２】
このように、Ｘ軸方向の力Ｆｘの作用に対しては、図２(b) に示すように、第１の力伝達体１１および第２の力伝達体１２に関して、同じ方向への傾斜という同等の事象が生じるのに対して、Ｙ軸まわりのモーメントＭｙの作用に対しては、図２(c) に示すように、第１の力伝達体１１および第２の力伝達体１２に関して、一方は引っ張り力＋ｆｚを与え、他方は押圧力−ｆｚを与えるという相反する事象が生じることになる。したがって、作用したモーメントＭｙは、引っ張り力＋ｆｚと押圧力−ｆｚとの差、すなわち、（＋ｆｚ）−（−ｆｚ）＝２ｆｚとして求めることができる。
【００５３】
要するに、本発明に係る力検出装置によって、Ｙ軸まわりのモーメントＭｙを検出するには、第１のセンサ２１には、第１の力伝達体１１全体から支持体２０に対して加えられる力を検知する機能をもたせ、第２のセンサ２２には、第２の力伝達体１２全体から支持体２０に対して加えられる力を検知する機能をもたせておけばよい。第１のセンサ２１が、第１の力伝達体１１全体から支持体２０に対して加えられるＺ軸方向に関する力を検知する機能を有し、第２のセンサ２２が、第２の力伝達体１２全体から支持体２０に対して加えられるＺ軸方向に関する力を検知する機能を有していれば、検出処理部３０は、第１のセンサ２１によって検知されたＺ軸方向に関する力と、第２のセンサ２２によって検知されたＺ軸方向に関する力と、の差に基づいて、受力体１０に作用した力のＹ軸まわりのモーメントＭｙを検出する処理を行うことができる。
【００５４】
＜＜＜ §２． 本発明に用いる力センサ ＞＞＞
図１に示す力検出装置には、第１のセンサ２１および第２のセンサ２２が設けられている。これらのセンサは、それぞれ第１の力伝達体１１および第２の力伝達体１２から支持体２０に対して加えられる力を検出する力センサであるが、図２で説明した原理に基づいて、力ＦｘおよびモーメントＭｙを検出するためには、各力伝達体１１，１２の傾斜により生じる力と、力伝達体１１，１２全体によって与えられる引っ張り力／押圧力と、をそれぞれ独立して検出する機能が必要になる。
【００５５】
本願発明者は、このような機能をもったセンサとしては、静電容量素子式の多軸力センサが最も適していると考えている。図３は、このような静電容量素子式の多軸力センサの一例を示す側断面図である。この多軸力センサ自身は、既に公知のセンサであり、種々の分野で実用されているものであるが、ここでは便宜上、この多軸力センサの基本構造および動作を簡単に説明しておく。
【００５６】
図３の側断面図に示すとおり、この多軸力センサは、板状の支持体４０と、その上に配置された椀状接続部材５０と、力伝達体６０と、支持体４０の上面に配置された固定電極Ｅ１〜Ｅ５と、によって構成されている。図４の上面図に示すとおり、椀状接続部材５０は、円形の平底状の椀を伏せた形状を有している。ここでは、説明の便宜上、支持体４０の上面中心部に原点Ｏをとり、図示の方向にｘ，ｙ，ｚ軸をそれぞれ定義したｘｙｚ三次元座標系を定義する。椀状接続部材５０は、図３の側断面図に示されているとおり、椀の平底部分に相当する円板状のダイアフラム５１と、その周囲を支持する円筒状の側壁部５２と、この側壁部５２を支持体４０の上面に固定するための固定部５３と、の各部から構成されており、ダイアフラム５１の上面中央部には、円柱状の力伝達体６０が接続されている。この円柱状の力伝達体６０の軸芯の延長線と支持体４０の上面との交点位置に原点Ｏが定義されていることになる。
【００５７】
ここで、この例の場合、支持体４０および力伝達体６０は、十分な剛性をもっているが、椀状接続部材５０は、可撓性（別言すれば、弾性変形を生じる性質）を有している。この例では、椀状接続部材５０は、金属の薄板によって構成されており、支持体４０および力伝達体６０は絶縁体材料によって構成されている。
【００５８】
図５の上面図に示されているとおり、板状の支持体４０の上面には、５枚の固定電極Ｅ１〜Ｅ５が形成されている。ここで、固定電極Ｅ１はｘ軸の正の部分に配置され、固定電極Ｅ２はｘ軸の負の部分に配置され、固定電極Ｅ３はｙ軸の正の部分に配置され、固定電極Ｅ４はｙ軸の負の部分に配置されており、いずれも各座標軸に関して線対称となる扇形をした同一形状、同一サイズの電極になっている。一方、固定電極Ｅ５は原点Ｏの位置に配置された円形の電極である。図５に破線で示すのは、この支持体４０の上に固定される椀状接続部材５０の各部の位置である。図示のとおり、ダイアフラム５１は、各固定電極Ｅ１〜Ｅ５のすべてに対向するように、支持体４０の上方に配置されることになる。前述したとおり、ダイアフラム５１を金属板などの導電性材料で構成しておけば、ダイアフラム５１は、可撓性および導電性を有することになり、それ自身が１枚の共通変位電極として機能し、対向する各固定電極Ｅ１〜Ｅ５との間で容量素子を形成することになる。ここでは、各固定電極Ｅ１〜Ｅ５と、共通変位電極として機能するダイアフラム５１とによって構成される５組の容量素子を、それぞれ容量素子Ｃ１〜Ｃ５と呼ぶことにする。
【００５９】
続いて、力伝達体６０に種々の方向成分をもった力が作用した場合に、椀状接続部材５０がどのように変形し、各容量素子Ｃ１〜Ｃ５の静電容量値にどのような変化が生じるかを考えてみる。
【００６０】
まず、図６に示すように、力伝達体６０の上部に、ｘ軸正方向への力＋ｆｘが加えられた場合を考える。この場合、力伝達体６０を右側へと傾斜させる力が働くことになり、可撓性をもった椀状接続部材５０は、図のように変形し、ダイアフラム５１は、右側部分が下方に、左側部分が上方に、それぞれ移動するように傾斜する。その結果、容量素子Ｃ１の両電極（固定電極Ｅ１とダイアフラム５１）の距離は狭まり、静電容量値は増加するが、容量素子Ｃ２の両電極（固定電極Ｅ２とダイアフラム５１）の距離は広まり、静電容量値は減少する。このとき、他の３組の容量素子Ｃ３〜Ｃ５については、右半分については電極間距離が狭まるが、左半分については電極間距離が広まるため、トータルでの静電容量値は変化しない。
【００６１】
なお、このような変形は、力伝達体６０の下部に、ｘ軸正方向への力＋ｆｘ′が加えられた場合も同様である。もっとも、てこの原理により、＋ｆｘの大きさと＋ｆｘ′の大きさとが等しい場合であっても、前者の方がより大きな変形を生じさせることになる。
【００６２】
一方、図７に示すように、力伝達体６０の上部に、ｘ軸負方向への力−ｆｘが加えられた場合を考える。この場合、力伝達体６０を左側へと傾斜させる力が働くことになり、可撓性をもった椀状接続部材５０は、図のように変形し、ダイアフラム５１は、左側部分が下方に、右側部分が上方に、それぞれ移動するように傾斜する。その結果、容量素子Ｃ１の静電容量値は減少し、容量素子Ｃ２の静電容量値は増加する。
【００６３】
結局、力伝達体６０に対して作用したｘ軸方向の力ｆｘは、第１の容量素子Ｃ１の静電容量値と第２の容量素子Ｃ２の静電容量値との差として求めることができる。求めた差の大きさは作用した力の大きさを示し、求めた差の符号は作用した力の方向を示すものになる。全く同様の原理により、力伝達体６０に対して作用したｙ軸方向の力ｆｙは、第３の容量素子Ｃ３の静電容量値と第４の容量素子Ｃ４の静電容量値との差として求めることができる。
【００６４】
ところで、こうして求めた力ｆｘは、柱状の力伝達体６０のｘ軸方向に関する傾斜度を示すものであり、力ｆｙは、柱状の力伝達体６０のｙ軸方向に関する傾斜度を示すものに他ならない。結局、力伝達体６０のｘ軸方向に関する傾斜度は、第１の容量素子Ｃ１の静電容量値と第２の容量素子Ｃ２の静電容量値との差として求めることができ、力伝達体６０のｙ軸方向に関する傾斜度は、第３の容量素子Ｃ３の静電容量値と第４の容量素子Ｃ４の静電容量値との差として求めることができる。別言すれば、力伝達体６０の下端の第１の部分から加えられる力と、力伝達体の下端の第２の部分から加えられる力と、の差に基づいて、力伝達体６０の支持体４０に対する傾斜度を検知することができる。
【００６５】
続いて、図８に示すように、力伝達体６０に対して、ｚ軸負方向への力−ｆｚが加えられた場合を考える。この場合、力伝達体６０全体に対して、図の下方への力が加わることになるので、力伝達体６０は傾斜することなしに、力伝達体６０全体により、椀状接続部材５０に対して下方への押圧力を作用させることになり、可撓性をもった椀状接続部材５０は、図のように変形し、５組の容量素子Ｃ１〜Ｃ５のすべての電極間隔が狭まり、静電容量値が増加する。逆に、力伝達体６０を上方へと引き上げる力＋ｆｚが加えられた場合は、力伝達体６０全体により、椀状接続部材５０に対して上方への引っ張り力が働くことになり、５組の容量素子Ｃ１〜Ｃ５のすべての電極間隔が広まり、静電容量値が減少する。
【００６６】
結局、力伝達体６０に対してｚ軸方向の力ｆｚのみが作用している環境下では、第１〜第５の容量素子Ｃ１〜Ｃ５のいずれかの静電容量値を検出すれば、作用した力ｆｚを求めることができる。ただし、他の軸方向成分の力ｆｘ，ｆｙが混在する環境下では、たとえば、容量素子Ｃ１の静電容量値を単独で求めたり、容量素子Ｃ３の静電容量値を単独で求めたりしても、これらは必ずしもｚ軸方向の力ｆｚを示す値にはならない。どのような環境下においても、ｚ軸方向の力ｆｚを検出するためには、容量素子Ｃ５の静電容量値を利用すればよい。上述したように、ｘ軸方向の力ｆｘやｙ軸方向の力ｆｙが作用した場合は、容量素子Ｃ５の静電容量値には変化は生じないので、容量素子Ｃ５の静電容量値を利用すれば、ｚ軸方向の力ｆｚのみを独立して検出することが可能になる。
【００６７】
もっとも、ｚ軸方向の力ｆｚのみを独立して検出するためには、別な方法をとることも可能である。たとえば、容量素子Ｃ１の静電容量値と容量素子Ｃ２の静電容量値との和を求め、これをｚ軸方向の力ｆｚの検出値として利用することも可能である。ｘ軸方向の力ｆｘの作用に対しては、容量素子Ｃ１の静電容量値の増減と容量素子Ｃ２の静電容量値の増減は相補的な関係にあるため、両者の和をとることにより、ｘ軸方向の力ｆｘの成分を相殺することができ、ｚ軸方向の力ｆｚの検出値のみを取り出すことができる。同様に、容量素子Ｃ３の静電容量値と容量素子Ｃ４の静電容量値との和を求め、これをｚ軸方向の力ｆｚの検出値として利用することも可能である。更に、４組の容量素子Ｃ１〜Ｃ４の静電容量値の和や、５組の容量素子Ｃ１〜Ｃ５の静電容量値の和を求め、これをｚ軸方向の力ｆｚの検出値として利用することも可能である。したがって、固定電極Ｅ５（容量素子Ｃ５）は、必ずしも設ける必要はない。
【００６８】
以上述べたとおり、図３に示す多軸力センサを用いれば、力伝達体６０のｘ軸方向に関する傾斜度（力ｆｘ）と、力伝達体６０のｙ軸方向に関する傾斜度（力ｆｙ）と、力伝達体６０全体から支持体４０に対して加えられる力（力ｆｚ）と、を検出することが可能である。これは、この図３に示す多軸力センサが、図１に示す力検出装置における第１のセンサ２１および第２のセンサ２２として利用できるセンサであることを意味している。もちろん、本発明に係る力検出装置に用いるセンサは、この図３に示すタイプのセンサに限定されるわけではないが、この図３に示すタイプのセンサは、構造が単純で量産に適しているため、本発明に係る力検出装置に利用するセンサとしては最適である。
【００６９】
＜＜＜ §３． 本発明の第１の実施形態 ＞＞＞
続いて、本発明の第１の実施形態に係る力検出装置の主たる構造部分を、図９〜図１２を用いて説明し、更に、この装置の動作原理を、図１３〜図１５を用いて説明する。
【００７０】
図９は、この第１の実施形態に係る力検出装置の主たる構造部分を、ＸＺ平面に沿って切断した状態を示す側断面図であり、図１０はその上面図である。図９に示されているとおり、この力検出装置の基本的な構成要素は、受力体１００、中間体２００、支持体３００であり、いずれも上面が正方形状をした板状の部材を基本形態としている。
【００７１】
受力体１００は、図１０に示すとおり、基本的には、上面が正方形状をした板状部材であるが、下面からは、２本の円柱突起部１１０，１２０が下方へと伸びている。図１１は、この受力体１００をＸＹ平面で切断した状態を示す横断面図である。図示のとおり、円柱突起部１１０，１２０の付け根部分の周囲には、円環状の溝部Ｇ１１，Ｇ１２が形成されており、この溝部Ｇ１１，Ｇ１２の形成により、板状の受力体１００には、図９および図１０に示すように、可撓性をもった肉薄部１１５，１２５が形成されている。結局、円柱突起部１１０，１２０は、肉薄部１１５，１２５を介して、板状の受力体１００に接続されていることになる。
【００７２】
一方、支持体３００は、図１２に示すように、上面が正方形状をした完全な板状部材であり、その上面には、固定電極Ｅ１１〜Ｅ１５およびＥ２１〜Ｅ２５が配置されている。この支持体３００の上面に接合された中間体２００は、基本的には、上面が正方形状をした板状部材であるが、図９に示すように、上面からは、２本の円柱突起部２１０，２２０が上方へと伸びている。この円柱突起部２１０，２２０の付け根部分の周囲には、円環状の溝部Ｇ２１，Ｇ２２が形成されており、更に、この中間体２００の下面には、円柱状の溝部Ｇ３１，Ｇ３２が形成されている。中間体２００の上面に設けられた溝部Ｇ２１，Ｇ２２と、下面に設けられた溝部Ｇ３１，Ｇ３２とは、いずれも円柱突起部２１０，２２０の中心軸の位置を中心とした同サイズの円形の輪郭を有している。図示のとおり、溝部Ｇ２１とＧ３１との間には、ダイアフラム２１５が境界壁として存在し、溝部Ｇ２２とＧ３２との間には、ダイアフラム２２５が境界壁として存在する。
【００７３】
受力体１００側から下方に伸びた２本の円柱突起部１１０，１２０の下面は、中間体２００側から上方に伸びた２本の円柱突起部２１０，２２０の上面に接合されている。ここでは、円柱突起部１１０と円柱突起部２１０とを接合することにより構成される円柱状の構造体を第１の力伝達体Ｔ１と呼び、円柱突起部１２０と円柱突起部２２０とを接合することにより構成される円柱状の構造体を第２の力伝達体Ｔ２と呼ぶことにする（ここでは、説明の便宜上、Ｘ軸正方向に配置された力伝達体を第１、Ｘ軸負方向に配置された力伝達体を第２とする）。結局、第１の力伝達体Ｔ１の上端は、可撓性をもった肉薄部１１５を接続部材として受力体１００に接続されており、第２の力伝達体Ｔ２の上端は、可撓性をもった肉薄部１２５を接続部材として受力体１００に接続されていることになる。
【００７４】
また、第１の力伝達体Ｔ１の下面は、接続部材として機能するダイアフラム２１５の中央に接合されており、ダイアフラム２１５の周囲は、中間体２００を介して支持体３００に接続されており、第２の力伝達体Ｔ２の下面は、接続部材として機能するダイアフラム２２５の中央に接合されており、ダイアフラム２２５の周囲は、中間体２００を介して支持体３００に接続されている。
【００７５】
図示の実施形態では、受力体１００は絶縁性基板（たとえば、セラミック基板）、中間体２００は導電性基板（たとえば、ステンレス、アルミニウム、チタンなどの金属基板）、支持体３００は絶縁性基板（たとえば、セラミック基板）によって構成されている。もちろん、各部の材質はこれらに限定されるものではなく、たとえば、受力体１００を、ステンレス、アルミニウム、チタンなどの金属基板で構成してもかまわない。肉薄部１１５，１２５やダイアフラム２１５，２２５は、基板の他の部分に比べて肉厚を薄くすることにより可撓性をもつように構成された部分である。
【００７６】
ダイアフラム２１５，２２５は、導電性材料から構成されているため、可撓性を有するとともに導電性を有しており、それ自身が共通変位電極としての機能を果たす。これは、図３に示す多軸力センサの構成と全く同様である。すなわち、図１２の右側に示されている固定電極Ｅ１１〜Ｅ１５と、図１２の左側に示されている固定電極Ｅ２１〜Ｅ２５は、いずれも図５に示されている固定電極Ｅ１〜Ｅ５と等価な構成要素であり、図９に示すダイアフラム２１５，２２５は、いずれも図３に示されているダイアフラム５１と等価な構成要素である。したがって、図９に示す溝Ｇ３１の周辺および溝Ｇ３２の周辺には、それぞれ図３に示す多軸力センサと同等の機能をもったセンサＳ１，Ｓ２が構成されていることになる。ここで、センサＳ１は、第１の力伝達体Ｔ１のＸ軸方向に関する傾斜度と、Ｙ軸方向に関する傾斜度と、第１の力伝達体Ｔ１全体から支持体３００に対して加えられるＺ軸方向に関する力と、を検知する機能を有しており、センサＳ２は、第２の力伝達体Ｔ２のＸ軸方向に関する傾斜度と、Ｙ軸方向に関する傾斜度と、第２の力伝達体Ｔ２全体から支持体３００に対して加えられるＺ軸方向に関する力と、を検知する機能を有している。
【００７７】
こうしてみると、結局、図９に示す力検出装置は、図１に示す力検出装置とほぼ同等の構成要素を備えていることがわかる。すなわち、板状の受力体１００は受力体１０に対応し、第１の力伝達体Ｔ１は第１の力伝達体１１に対応し、第２の力伝達体Ｔ２は第２の力伝達体１２に対応し、板状の支持体３００は支持体２０に対応し、センサＳ１は第１のセンサ２１に対応し、センサＳ２は第２のセンサ２２に対応する。したがって、この図９に示す構造体に、更に、検出処理部３０を付加すれば、図１に示した力検出装置を実現することができる。
【００７８】
なお、図１に示す力検出装置を用いれば、受力体１０に作用したＸ軸方向の力Ｆｘ（図２(b) 参照）と、受力体１０に作用したＹ軸まわりのモーメントＭｙ（図２(c) 参照）とを検出することができることを述べたが、実際には、更に、Ｚ軸方向の力Ｆｚ、Ｘ軸まわりのモーメントＭｘ、およびＺ軸まわりのモーメントＭｚを検出することが可能であり、結局、図１の上方に示す６つの力成分のうち、Ｆｘ，Ｆｚ，Ｍｘ，Ｍｙ，Ｍｚの５成分を独立して検出することが可能である。以下、その理由を、図９に示す力検出装置の動作とともに説明する。
【００７９】
いま、図１２に示す１０枚の固定電極Ｅ１１〜Ｅ１５，Ｅ２１〜Ｅ２５と、これに対向する共通変位電極（ダイアフラム２１５，２２５）と、によって構成される１０組の容量素子を、それぞれＣ１１〜Ｃ１５，Ｃ２１〜Ｃ２５と呼ぶことにする。図１２に括弧で示したＣ１１〜Ｃ２５は、各固定電極によって構成される個々の容量素子を示している。また、図９に示す受力体１００内の所定位置に原点Ｏをとり、図示のとおり、ＸＹＺ三次元座標系を定義する。そして、この受力体１００に対して、Ｘ軸正方向の力＋Ｆｘ，同負方向の力−Ｆｘ，Ｚ軸正方向の力＋Ｆｚ，同負方向の力−Ｆｚ，Ｘ軸まわりの正方向のモーメント＋Ｍｘ，同負方向のモーメント−Ｍｘ，Ｙ軸まわりの正方向のモーメント＋Ｍｙ，同負方向のモーメント−Ｍｙ，Ｚ軸まわりの正方向のモーメント＋Ｍｚ，同負方向のモーメント−Ｍｚがそれぞれ作用した場合に、１０組の各容量素子Ｃ１１〜Ｃ２５の静電容量値の変化を考えてみる。
【００８０】
図１３は、このときの各容量素子Ｃ１１〜Ｃ２５の静電容量値の変化の態様を示すテーブルであり、「０」は変化なし、「＋」は増加、「−」は減少を示している。各容量素子の静電容量値が、このテーブルのように変化する理由は、図６〜図８に示す多軸力センサの変形態様を見れば理解できよう。たとえば、受力体１００に対して、Ｘ軸正方向の力＋Ｆｘが作用すると、第１の力伝達体Ｔ１と第２の力伝達体Ｔ２は、いずれも図９の右方向（Ｘ軸正方向）に傾斜することになるので、容量素子Ｃ１１，Ｃ２１の電極間隔は狭まり、静電容量値が増加するのに対して、容量素子Ｃ１２，Ｃ２２の電極間隔は広がり、静電容量値が減少する。他の容量素子については、電極間隔は一部は広がり、一部は狭まるため、トータルでは静電容量値の変化は生じない。図１３のテーブルの第１行目（＋Ｆｘの行）は、各容量素子Ｃ１１〜Ｃ２５についてのこのような静電容量値の変化を示している。
【００８１】
逆に、Ｘ軸負方向の力−Ｆｘが作用すると、第１の力伝達体Ｔ１と第２の力伝達体Ｔ２は、いずれも図９の左方向（Ｘ軸負方向）に傾斜することになるので、静電容量値の増減変化の関係が逆転し、図１３のテーブルの第２行目（−Ｆｘの行）に示すような変化態様が得られる。
【００８２】
また、受力体１００に対して、Ｚ軸正方向の力＋Ｆｚが作用すると、第１の力伝達体Ｔ１と第２の力伝達体Ｔ２は、いずれも支持体３００の上面に対して引っ張り力を作用させることになるので、全容量素子Ｃ１１〜Ｃ２５の電極間隔は広がり、静電容量値は減少する。図１３のテーブルの第３行目（＋Ｆｚの行）は、このような変化を示している。逆に、受力体１００に対して、Ｚ軸負方向の力−Ｆｚが作用すると、第１の力伝達体Ｔ１と第２の力伝達体Ｔ２は、いずれも支持体３００の上面に対して押圧力を作用させることになるので、全容量素子Ｃ１１〜Ｃ２５の電極間隔は狭まり、静電容量値は増加する。図１３のテーブルの第４行目（−Ｆｚの行）は、このような変化を示している。
【００８３】
一方、受力体１００に対して、Ｘ軸まわりの正方向のモーメント＋Ｍｘが作用すると、図９において、第１の力伝達体Ｔ１と第２の力伝達体Ｔ２には、紙面を境界として、紙面より奥の部分については上方への力が加わり、紙面より手前の部分については下方への力が加わることになる。すなわち、図１０に示す上面図において、点Ｐ３は上方（Ｚ軸正方向）に移動し、点Ｐ４は下方（Ｚ軸負方向）に移動する。その結果、図１２に示す容量素子Ｃ１３，Ｃ２３の電極間隔は広まり、静電容量値は減少するが、容量素子Ｃ１４，Ｃ２４の電極間隔は狭まり、静電容量値は増加する。他の容量素子については、電極間隔は一部は広がり、一部は狭まるため、トータルでは静電容量値の変化は生じない。図１３のテーブルの第５行目（＋Ｍｘの行）は、各容量素子Ｃ１１〜Ｃ２５についてのこのような静電容量値の変化を示している。Ｘ軸まわりの負方向のモーメント−Ｍｘが作用すると、増減関係が逆転し、図１３のテーブルの第６行目（−Ｍｘの行）に示すような結果が得られる。
【００８４】
そして、受力体１００に対して、Ｙ軸まわりの正方向のモーメント＋Ｍｙが作用すると、図９において、第１の力伝達体Ｔ１に対しては、下方への力が加わることになるが、第２の力伝達体Ｔ２に対しては、上方への力が加わることになる。すなわち、図１０に示す上面図において、点Ｐ１は下方（Ｚ軸負方向）に移動し、点Ｐ２は上方（Ｚ軸正方向）に移動する。その結果、センサＳ１を構成する５組の容量素子Ｃ１１〜Ｃ１５の電極間隔はいずれも狭まり、静電容量値は増加するが、センサＳ２を構成する５組の容量素子Ｃ２１〜Ｃ２５の電極間隔はいずれも広まり、静電容量値は減少する。図１３のテーブルの第７行目（＋Ｍｙの行）は、各容量素子Ｃ１１〜Ｃ２５についてのこのような静電容量値の変化を示している。Ｙ軸まわりの負方向のモーメント−Ｍｙが作用すると、増減関係が逆転し、図１３のテーブルの第８行目（−Ｍｙの行）に示すような結果が得られる。
【００８５】
また、受力体１００に対して、Ｚ軸まわりの正方向のモーメント＋Ｍｚが作用すると、図９において、第１の力伝達体Ｔ１に対しては、Ｙ軸正方向へ傾斜させる力が加わることになるが、第２の力伝達体Ｔ２には、Ｙ軸負方向へ傾斜させる力が加わることになる。その結果、図１２に示す各センサを構成する容量素子のうち、Ｃ１３およびＣ２４の電極間隔は狭まり、静電容量値は増加するが、Ｃ１４およびＣ２３の電極間隔は広まり、静電容量値は減少する。他の容量素子については、電極間隔は一部は広がり、一部は狭まるため、トータルでは静電容量値の変化は生じない。図１３のテーブルの第９行目（＋Ｍｚの行）は、各容量素子についてのこのような静電容量値の変化を示している。Ｚ軸まわりの負方向のモーメント−Ｍｚが作用すると、増減関係が逆転し、図１３のテーブルの第１０行目（−Ｍｚの行）に示すような結果が得られる。
【００８６】
この図１３のテーブルに示すような結果が得られることを踏まえると、検出処理部３０として、１０組の容量素子Ｃ１１〜Ｃ２５の静電容量値（ここでは、静電容量の値自身も、同じ符号Ｃ１１〜Ｃ２５で示すことにする）を測定する回路と、測定した各静電容量値を用いて、図１４に示す式に基づく演算を行う処理装置を用意しておけば、Ｆｘ，Ｆｚ，Ｍｘ，Ｍｙ，Ｍｚの５成分を得ることができることが理解できよう。
【００８７】
たとえば、図１４に示すＦｘ＝（Ｃ１１−Ｃ１２）＋（Ｃ２１−Ｃ２２）なる式は、図１３のテーブルの第１〜２行目（＋Ｆｘおよび−Ｆｘの行）の結果を踏まえたものであり、第１のセンサ２１によって検知された第１の力伝達体Ｔ１のＸ軸方向に関する傾斜度と、第２のセンサ２２によって検知された第２の力伝達体Ｔ２のＸ軸方向に関する傾斜度と、の和に基づいて、受力体１００に作用した力のＸ軸方向成分Ｆｘが検出できることを意味している。これは、図２(b) に示す検出原理に基づくものである。
【００８８】
また、図１４に示すＦｚ＝−（Ｃ１５＋Ｃ２５）なる式は、図１３のテーブルの第３〜４行目（＋Ｆｚおよび−Ｆｚの行）の結果を踏まえたものであり、第１のセンサによって検知された第１の力伝達体Ｔ１のＺ軸方向に関する力と、第２のセンサによって検知された第２の力伝達体Ｔ２のＺ軸方向に関する力と、の和に基づいて、受力体１００に作用した力のＺ軸方向成分Ｆｚが検出できることを意味している。なお、先頭にマイナス符号がついているのは、装置の上方向をＺ軸正方向にとったためである。
【００８９】
更に、図１４に示すＭｘ＝−（（Ｃ１３−Ｃ１４）＋（Ｃ２３−Ｃ２４））なる式は、図１３のテーブルの第５〜６行目（＋Ｍｘおよび−Ｍｘの行）の結果を踏まえたものであり、第１のセンサ２１によって検知された第１の力伝達体Ｔ１のＹ軸方向に関する傾斜度と、第２のセンサ２２によって検知された第２の力伝達体Ｔ２のＹ軸方向に関する傾斜度と、の和に基づいて、受力体１００に作用した力のＸ軸まわりのモーメントＭｘが検出できることを意味している。ここでも先頭にマイナス符号がついているのは、モーメントの向きのとり方によるものである。
【００９０】
また、図１４に示すＭｙ＝（Ｃ１１＋Ｃ１２＋Ｃ１３＋Ｃ１４＋Ｃ１５）−（Ｃ２１＋Ｃ２２＋Ｃ２３＋Ｃ２４＋Ｃ２５）なる式は、図１３のテーブルの第７〜８行目（＋Ｍｙおよび−Ｍｙの行）の結果を踏まえたものであり、第１のセンサによって検知された第１の力伝達体Ｔ１のＺ軸方向に関する力と、第２のセンサによって検知された第２の力伝達体Ｔ２のＺ軸方向に関する力と、の差に基づいて、受力体１００に作用した力のＹ軸まわりのモーメントＭｙが検出できることを意味している。これは、図２(c) に示す検出原理に基づくものである。
【００９１】
最後に、図１４に示すＭｚ＝（（Ｃ１３−Ｃ１４）−（Ｃ２３−Ｃ２４））なる式は、図１３のテーブルの第９〜１０行目（＋Ｍｚおよび−Ｍｚの行）の結果を踏まえたものであり、第１のセンサ２１によって検知された第１の力伝達体Ｔ１のＹ軸方向に関する傾斜度と、第２のセンサ２２によって検知された第２の力伝達体Ｔ２のＹ軸方向に関する傾斜度と、の差に基づいて、受力体１００に作用した力のＺ軸まわりのモーメントＭｚが検出できることを意味している。
【００９２】
なお、図１４の第２の式（Ｆｚの式）では、第１のセンサによって検知された第１の力伝達体Ｔ１のＺ軸方向に関する力として、Ｃ１５なる１つの容量素子の静電容量値を用いているのに対し、図１４の第４の式（Ｍｙの式）では、同じく、第１のセンサによって検知された第１の力伝達体Ｔ１のＺ軸方向に関する力として、（Ｃ１１＋Ｃ１２＋Ｃ１３＋Ｃ１４＋Ｃ１５）なる５つの容量素子の静電容量値の総和を用いている。これは、§２で述べたとおり、図３に示すタイプの多軸力センサを用いて、Ｚ軸方向に関する力を求める方法に複数通りのバリエーションがあることを示したものである。したがって、たとえば、図１４の第２の式は、Ｆｚ＝−（（Ｃ１１＋Ｃ１２＋Ｃ１３＋Ｃ１４＋Ｃ１５）＋（Ｃ２１＋Ｃ２２＋Ｃ２３＋Ｃ２４＋Ｃ２５））としてもかまわない。同様に、図１４の第４の式は、Ｍｙ＝（Ｃ１５−Ｃ２５）としてもかまわない。もちろん、Ｆｚ＝−（（Ｃ１１＋Ｃ１２）＋（Ｃ２１＋Ｃ２２））、Ｆｚ＝−（（Ｃ１１＋Ｃ１２＋Ｃ１３＋Ｃ１４）＋（Ｃ２１＋Ｃ２２＋Ｃ２３＋Ｃ２４））、Ｍｙ＝（Ｃ１３＋Ｃ１４＋Ｃ１５）−（Ｃ２３＋Ｃ２４＋Ｃ２５）、その他何通りかのバリエーションを用いることも可能である。
【００９３】
なお、この図９に示す第１の実施形態では、受力体１００に作用したＹ軸方向の力Ｆｙを検出することはできない。これは、第１の力伝達体Ｔ１と第２の力伝達体Ｔ２とが、ＸＺ平面上に配置されているためである（もっとも、近似的に、Ｘ軸まわりのモーメントＭｘをＹ軸方向の力Ｆｙに代用することは可能である）。成分Ｆｙを含めた全６成分を検出するためには、後述する第２および第３の実施形態で説明するように、４本の柱状力伝達体を利用する必要がある。
【００９４】
ここで、留意しておくべき点は、本発明に係る技術思想は、「図３に示すような従来から公知の多軸力センサを、単に２組用いることにより、検出精度を高めるようにする」という技術とは全く次元が異なる点である。一般に、何らかの測定器を用いた測定を行う場合に、「同じ測定器を複数台設置し、それぞれの測定結果の平均をとることにより、測定精度を向上させる」という手法は常套手段であり、古くから様々な分野において利用されてきている。
【００９５】
しかしながら、図２に示す本発明の基本概念は、「２台のセンサを用いて検出精度を向上させる」という技術思想ではなく、「所定の座標軸方向の力と、所定の座標軸まわりのモーメントを正確に区別して検出する」という技術思想にある。ここでは、この点について、もう少し詳しい補足説明を行っておく。
【００９６】
まず、図６に示すように、従来から公知の多軸力センサを用いて、ｘ軸正方向の力＋ｆｘを検出することを考えよう。このような多軸力センサを開示した一般的な公知文献では、この図６に示す原理により、「容量素子Ｃ１（固定電極Ｅ１とダイアフラム５１）の静電容量値Ｃ１と、容量素子Ｃ２（固定電極Ｅ２とダイアフラム５１）の静電容量値Ｃ２と、の差（Ｃ１−Ｃ２）を求めることにより、力伝達体６０に作用した力のＸ軸方向成分ｆｘを求めることができる」旨の説明がなされている。しかしながら、この説明は、厳密な意味では正しくない。なぜなら、静電容量値の差（Ｃ１−Ｃ２）は、実は、作用した力ｆｘそれ自身ではなく、作用した力ｆｘに起因して生じたｙ軸まわりのモーメントＭｙになっているからである。
【００９７】
これは、図６に示すように、力伝達体６０の異なる位置に、２通りの力＋ｆｘと＋ｆｘ′とを加えた場合に、どのような出力値が得られるかを考えれば、容易に理解できよう。図示の例において、＋ｆｘ＝＋ｆｘ′であったとしても、静電容量値の差（Ｃ１−Ｃ２）として得られる出力値は、＋ｆｘを加えた場合の方が、＋ｆｘ′を加えた場合に比べて大きくなる。これは、＋ｆｘを加えた場合の方が、この検出系に対して大きなモーメントを与えることができるためである。要するに、この図６に示すセンサでは、ｘ軸方向の力ｆｘやｙ軸方向の力ｆｙを直接検出することはできず、それぞれｙ軸まわりのモーメントＭｙやｘ軸まわりのモーメントＭｘとして検出するしかないのである。
【００９８】
もっとも、力ｆｘを作用させる力伝達体６０上の位置が、常に定位置となるように決めておけば、ｙ軸まわりのモーメントＭｙをｘ軸方向の力ｆｘとして取り扱っても支障は生じない。このため、力とモーメントとを区別して取り扱う必要のない検出対象については、この図６に示す力センサを、ｘ軸方向の力ｆｘやｙ軸方向の力ｆｙの検出に利用しても、実用上、大きな支障が生じないことになる。
【００９９】
しかしながら、ロボットや産業機械の動作制御などへの用途では、力とモーメントとをはっきり区別して検出することが可能な力検出装置の需要も決して少なくない。本発明に係る力検出装置は、正に、このような用途に適した装置ということができる。たとえば、図９に示す力検出装置を、ロボットの腕と手首との関節部分として利用するのであれば、支持体３００を腕側に取り付け、受力体１００を手首側に取り付ければよい。そうすれば、腕に対して手首側に加えられた力およびモーメントを検出することが可能である。
【０１００】
ここでは、図９に示す本発明に係る力検出装置を用いて、図１５に示すような検出形態で力の検出を行う場合を考えてみよう。図１５に示す力検出装置は、図９に示す力検出装置の受力体１００の上面に、更に、円柱状突起１５０を接続したものである。ここで、図示のとおり、この円柱状突起１５０の所定位置に、２通りの力＋Ｆｘと＋Ｆｘ′とを加えた場合を考えてみる。この場合、力＋Ｆｘおよび＋Ｆｘ′は、いずれもＸ軸正方向を向いた力であるが、円柱状突起１５０の異なる位置に作用しているため、受力体１００に対して異なる大きさのモーメント（Ｙ軸まわりの正方向のモーメント＋Ｍｙ）を生じさせることになる。
【０１０１】
いま、円柱状突起１５０の図の位置に力＋Ｆｘを作用させたとすると、受力体１００には、Ｘ軸方向の力＋ＦｘとＹ軸まわりのモーメント＋Ｍｙとの双方が作用することになるが、本発明に係る力検出装置では、図１４の式に示されているとおり、力ＦｘとモーメントＭｙとは、別個独立して検出することができる。したがって、力Ｆｘを円柱状突起１５０のどの位置に作用させようとも、この力検出装置で検出される力Ｆｘの値は常に等しくなる。したがって、図示の例において、＋Ｆｘ＝＋Ｆｘ′であれば、この力検出装置によるＸ軸方向の力の検出値は同じになる。もちろん、このときのＹ軸まわりのモーメントＭｙの検出値は異なる。なお、このように力Ｆｘに起因して生じるモーメントの座標軸の位置は、この装置各部の構造や寸法に基づいて定まる。
【０１０２】
このように、図６に示す従来の力センサが、Ｘ軸方向の力をＹ軸まわりのモーメントとしてしか検出できなかったのに対し、図９に示す本発明に係る力検出装置では、Ｘ軸方向の力ＦｘとＹ軸まわりのモーメントＭｙとを明確に区別して検出することができる。これが本発明の重要な特徴である。
【０１０３】
＜＜＜ §４． 本発明の第２の実施形態 ＞＞＞
次に、本発明の第２の実施形態に係る力検出装置を説明する。図１６は、この第２の実施形態に係る力検出装置の主たる構造部分の上面図であり、図１７は、この図１６に示す力検出装置を切断線１７−１７に沿って切断した断面を示す側断面図である。なお、この図１６に示す力検出装置を切断線９−９に沿って切断した断面は、図９と同様になる。上述した第１の実施形態に係る力検出装置との相違点は、柱状の力伝達体を４本設けた点にあり、その他の構造や材質は、第１の実施形態に係る力検出装置と全く同様である。すなわち、装置全体は、いずれも上面が正方形状の板状の受力体１００、中間体２００、支持体３００なる構造体によって構成されている。
【０１０４】
図１６の上面図に示されているとおり、受力体１００は、基本的には、上面が正方形状をした板状部材であるが、下面からは、同一サイズの４本の円柱突起部１１０，１２０，１３０，１４０が下方へと伸びている。ここで、各円柱突起部１１０，１２０，１３０，１４０は、図示のように、受力体１００の中心位置に原点をもつＸＹ二次元座標系を定義した場合、それぞれ第１、第２、第３、第４象限に配置されている。より詳細に説明すれば、「原点を中心とする位置に配置され、受力体１００の輪郭より小さく、縦横がＸ軸およびＹ軸に平行な正方形」の４頂点の位置に、それぞれ中心軸の位置がくるように、各円柱突起部１１０，１２０，１３０，１４０が配置されている。また、これら円柱突起部１１０，１２０，１３０，１４０の付け根部分の周囲には、円環状の溝部Ｇ１１，Ｇ１２，Ｇ１３，Ｇ１４が形成されており、この溝部Ｇ１１，Ｇ１２，Ｇ１３，Ｇ１４の形成により、板状の受力体１００には、可撓性をもった肉薄部１１５，１２５，１３５，１４５が形成されている。結局、円柱突起部１１０，１２０，１３０，１４０は、肉薄部１１５，１２５，１３５，１４５を介して、板状の受力体１００に接続されていることになる。
【０１０５】
一方、支持体３００は、図１８に示すように、上面が正方形状をした完全な板状部材であり、その上面には、固定電極Ｅ１１〜Ｅ１５，Ｅ２１〜Ｅ２５，Ｅ３１〜Ｅ３５，Ｅ４１〜Ｅ４５が配置されている。この支持体３００の上面に接合された中間体２００は、基本的には、上面が正方形状をした板状部材であるが、上面からは、４本の円柱突起部２１０，２２０，２３０，２４０が上方へと伸びている（図９および図１７参照）。この４本の円柱突起部２１０，２２０，２３０，２４０の付け根部分の周囲には、円環状の溝部Ｇ２１，Ｇ２２，Ｇ２３，Ｇ２４が形成されており、更に、この中間体２００の下面には、円柱状の溝部Ｇ３１，Ｇ３２，Ｇ３３，Ｇ３４が形成されている。中間体２００の上面に設けられた溝部Ｇ２１，Ｇ２２，Ｇ２３，Ｇ２４と、下面に設けられた溝部Ｇ３１，Ｇ３２，Ｇ３３，Ｇ３４とは、いずれも円柱突起部２１０，２２０，２３０，２４０の中心軸の位置を中心とした同サイズの円形の輪郭を有している。図９に示すとおり、溝部Ｇ２１とＧ３１との間には、ダイアフラム２１５が境界壁として存在し、溝部Ｇ２２とＧ３２との間には、ダイアフラム２２５が境界壁として存在する。また、図１７に示すとおり、溝部Ｇ２３とＧ３３との間には、ダイアフラム２３５が境界壁として存在し、溝部Ｇ２４とＧ３４との間には、ダイアフラム２４５が境界壁として存在する。
【０１０６】
受力体１００側から下方に伸びた４本の円柱突起部１１０，１２０，１３０，１４０の下面は、中間体２００側から上方に伸びた４本の円柱突起部２１０，２２０，２３０，２４０の上面に接合されている。ここでは、図９に示されているとおり、円柱突起部１１０と円柱突起部２１０とを接合することにより構成される円柱状の構造体を第１の力伝達体Ｔ１と呼び、円柱突起部１２０と円柱突起部２２０とを接合することにより構成される円柱状の構造体を第２の力伝達体Ｔ２と呼び、図１７に示されているとおり、円柱突起部１３０と円柱突起部２３０とを接合することにより構成される円柱状の構造体を第３の力伝達体Ｔ３と呼び、円柱突起部１４０と円柱突起部２４０とを接合することにより構成される円柱状の構造体を第４の力伝達体Ｔ４と呼ぶことにする。
【０１０７】
結局、第１〜第４の力伝達体Ｔ１〜Ｔ４は、ＸＹ二次元座標系において、それぞれ第１〜第４象限に配置されており、その上端は、可撓性をもった肉薄部１１５，１２５，１３５，１４５を接続部材として受力体１００に接続されており、その下端は、接続部材として機能するダイアフラム２１５，２２５，２３５，２４５の中央に接合されており、これらダイアフラムの周囲は、中間体２００を介して支持体３００に接続されている。
【０１０８】
各ダイアフラム２１５，２２５，２３５，２４５は、導電性材料から構成されているため、可撓性を有するとともに導電性を有しており、それ自身が共通変位電極としての機能を果たす。したがって、図１８において、第１象限に配置されている固定電極Ｅ１１〜Ｅ１５と共通変位電極として機能するダイアフラム２１５とによって、容量素子Ｃ１１〜Ｃ１５が構成され、第１のセンサＳ１として機能し、第２象限に配置されている固定電極Ｅ２１〜Ｅ２５と共通変位電極として機能するダイアフラム２２５とによって、容量素子Ｃ２１〜Ｃ２５が構成され、第２のセンサＳ２として機能し、第３象限に配置されている固定電極Ｅ３１〜Ｅ３５と共通変位電極として機能するダイアフラム２３５とによって、容量素子Ｃ３１〜Ｃ３５が構成され、第３のセンサＳ３として機能し、第４象限に配置されている固定電極Ｅ４１〜Ｅ４５と共通変位電極として機能するダイアフラム２４５とによって、容量素子Ｃ４１〜Ｃ４５が構成され、第４のセンサＳ４として機能する。
【０１０９】
このような力検出装置を用いれば、図１の上方に示す６つの力成分Ｆｘ，Ｆｙ，Ｆｚ，Ｍｘ，Ｍｙ，Ｍｚのすべてを独立して検出することが可能である。
【０１１０】
図１９は、このときの各容量素子Ｃ１１〜Ｃ４５の静電容量値の変化の態様を示すテーブルであり、「０」は変化なし、「＋」は増加、「−」は減少を示している。なお、このテーブルでは、６つの力成分Ｆｘ，Ｆｙ，Ｆｚ，Ｍｘ，Ｍｙ，Ｍｚの値が正の場合のみが示されているが、負の場合は、増減の関係が逆転するだけである。各容量素子の静電容量値が、この図１９のテーブルのように変化する理由は、§３で述べた第１の実施形態の場合とほぼ同じであるので、ここでは詳しい説明は省略する。
【０１１１】
ただ、若干の補足説明を行うと、図１９のテーブルでは、図１３のテーブルには掲載されていなかったＦｙの行が設けられている。Ｆｙの行を設けることができるようになったのは、４本の力伝達体Ｔ１〜Ｔ４を用いるようにしたためである。すなわち、４本の力伝達体Ｔ１〜Ｔ４を用いれば、ＸＺ平面に平行な同一平面上に配置された力伝達体の対が２組（Ｔ１，Ｔ２と、Ｔ３，Ｔ４）存在するとともに、ＹＺ平面に平行な同一平面上に配置された力伝達体の対が２組（Ｔ１，Ｔ４と、Ｔ２，Ｔ３）存在することになり、図２(b) に示す原理に基づく力成分の検出が、Ｘ軸に関してだけでなく、Ｙ軸に関しても行うことができるようになったためである。
【０１１２】
また、４本の力伝達体Ｔ１〜Ｔ４を用いることにより、Ｚ軸まわりのモーメントＭｚも検出が可能になっている。たとえば、図１８を参照しながら、受力体１００にＺ軸まわりの正方向のモーメント＋Ｍｚ（図１８の平面図上では、反時計まわりのモーメントになる）が加わった場合、４本の力伝達体Ｔ１〜Ｔ４がどの方向に傾斜するかを考えてみよう。
【０１１３】
まず、第１象限に配置された第１の力伝達体Ｔ１（図の固定電極Ｅ１５の上に配置されている）は、この図１８における左上方向に傾斜することになり、容量素子Ｃ１２，Ｃ１３の電極間隔が狭まり静電容量値が増加し、容量素子Ｃ１１，Ｃ１４の電極間隔が広まり静電容量値が減少する。また、第２象限に配置された第２の力伝達体Ｔ２（図の固定電極Ｅ２５の上に配置されている）は、この図１８における左下方向に傾斜することになり、容量素子Ｃ２２，Ｃ２４の電極間隔が狭まり静電容量値が増加し、容量素子Ｃ２１，Ｃ２３の電極間隔が広まり静電容量値が減少する。更に、第３象限に配置された第３の力伝達体Ｔ３（図の固定電極Ｅ３５の上に配置されている）は、この図１８における右下方向に傾斜することになり、容量素子Ｃ３１，Ｃ３４の電極間隔が狭まり静電容量値が増加し、容量素子Ｃ３２，Ｃ３３の電極間隔が広まり静電容量値が減少する。最後に、第４象限に配置された第４の力伝達体Ｔ４（図の固定電極Ｅ４５の上に配置されている）は、この図１８における右上方向に傾斜することになり、容量素子Ｃ４１，Ｃ４３の電極間隔が狭まり静電容量値が増加し、容量素子Ｃ４２，Ｃ４４の電極間隔が広まり静電容量値が減少する。なお、容量素子Ｃ１５，Ｃ２５，Ｃ３５，Ｃ４５の静電容量値については、トータルでは変化が生じない。
【０１１４】
結局、受力体１００にＺ軸まわりの正方向のモーメント＋Ｍｚが作用した場合は、図１９の第６行目に示すような増減結果が得られることになる。もちろん、受力体１００にＺ軸まわりの負方向のモーメント−Ｍｚが作用した場合は、これとは正負の関係が逆転した結果が得られることになる。
【０１１５】
この図１９のテーブルに示すような結果が得られることを踏まえると、検出処理部３０として、２０組の容量素子Ｃ１１〜Ｃ４５の静電容量値（ここでは、静電容量の値自身も、同じ符号Ｃ１１〜Ｃ４５で示すことにする）を測定する回路と、測定した各静電容量値を用いて、図２０に示す式に基づく演算を行う処理装置を用意しておけば、Ｆｘ，Ｆｙ，Ｆｚ，Ｍｘ，Ｍｙ，Ｍｚの６成分を得ることができることが理解できよう。
【０１１６】
たとえば、図２０に示すＦｘ＝（Ｃ１１−Ｃ１２）＋（Ｃ２１−Ｃ２２）＋（Ｃ３１−Ｃ３２）＋（Ｃ４１−Ｃ４２）なる式は、図１９のテーブルの第１行目（＋Ｆｘの行）の結果を踏まえたものであり、第１〜第４のセンサによって検知された各力伝達体Ｔ１〜Ｔ４のＸ軸方向に関する傾斜度の和に基づいて、受力体１００に作用した力のＸ軸方向成分Ｆｘが検出できることを意味している。これは、図２(b) に示す検出原理に基づくものである。
【０１１７】
また、図２０に示すＦｙ＝（Ｃ１３−Ｃ１４）＋（Ｃ２３−Ｃ２４）＋（Ｃ３３−Ｃ３４）＋（Ｃ４３−Ｃ４４）なる式は、図１９のテーブルの第２行目（＋Ｆｙの行）の結果を踏まえたものであり、第１〜第４のセンサによって検知された各力伝達体Ｔ１〜Ｔ４のＹ軸方向に関する傾斜度の和に基づいて、受力体１００に作用した力のＹ軸方向成分Ｆｙが検出できることを意味している。これは、図２(b) に示す検出原理に基づくものである。
【０１１８】
更に、図２０に示すＦｚ＝−（Ｃ１５＋Ｃ２５＋Ｃ３５＋Ｃ４５）なる式は、図１９のテーブルの第３行目（＋Ｆｚの行）の結果を踏まえたものであり、第１〜第４のセンサによって検知された各力伝達体Ｔ１〜Ｔ４のＺ軸方向に関する力の和に基づいて、受力体１００に作用した力のＺ軸方向成分Ｆｚが検出できることを意味している。先頭のマイナス符号は、Ｚ軸方向のとり方によるものである。
【０１１９】
一方、図２０に示すＭｘ＝−（（（Ｃ１１＋Ｃ１２＋Ｃ１３＋Ｃ１４＋Ｃ１５）＋（Ｃ２１＋Ｃ２２＋Ｃ２３＋Ｃ２４＋Ｃ２５））−（（Ｃ３１＋Ｃ３２＋Ｃ３３＋Ｃ３４＋Ｃ３５）＋（Ｃ４１＋Ｃ４２＋Ｃ４３＋Ｃ４４＋Ｃ４５）））なる式は、図１９のテーブルの第４行目（＋Ｍｘの行）の結果を踏まえたものであり、第１および第２のセンサによって検知されたＺ軸方向に関する力の和と、第３および第４のセンサによって検知されたＺ軸方向に関する力の和と、の差に基づいて、受力体に作用した力のＸ軸まわりのモーメントＭｘが検出できることを意味している。これは、図１６に示す上面図において、点Ｐ３が上方（Ｚ軸正方向）に移動し、点Ｐ４が下方（Ｚ軸負方向）に移動した状態での検出であり、図２(c) に示す検出原理に基づくものである。式の先頭のマイナス符号は、モーメントの向きのとり方によるものである。
【０１２０】
また、図２０に示すＭｙ＝（（Ｃ１１＋Ｃ１２＋Ｃ１３＋Ｃ１４＋Ｃ１５）＋（Ｃ４１＋Ｃ４２＋Ｃ４３＋Ｃ４４＋Ｃ４５））−（（Ｃ２１＋Ｃ２２＋Ｃ２３＋Ｃ２４＋Ｃ２５）＋（Ｃ３１＋Ｃ３２＋Ｃ３３＋Ｃ３４＋Ｃ３５））なる式は、図１９のテーブルの第５行目（＋Ｍｙの行）の結果を踏まえたものであり、第１および第４のセンサによって検知されたＺ軸方向に関する力の和と、第２および第３のセンサによって検知されたＺ軸方向に関する力の和と、の差に基づいて、受力体に作用した力のＹ軸まわりのモーメントＭｙが検出できることを意味している。これは、図１６に示す上面図において、点Ｐ１が下方（Ｚ軸負方向）に移動し、点Ｐ２が上方（Ｚ軸正方向）に移動した状態での検出であり、図２(c) に示す検出原理に基づくものである。
【０１２１】
最後に、図２０に示すＭｚ＝（（（Ｃ３１−Ｃ３２）＋（Ｃ４１−Ｃ４２））−（（Ｃ１１−Ｃ１２）＋（Ｃ２１−Ｃ２２）））＋（（（Ｃ１３−Ｃ１４）＋（Ｃ４３−Ｃ４４））−（（Ｃ２３−Ｃ２４）＋（Ｃ３３−Ｃ３４）））なる式は、図１９のテーブルの第６行目（＋Ｍｚの行）の結果を踏まえたものであり、第３および第４のセンサによって検知されたＸ軸方向に関する傾斜度の和と、第１および第２のセンサによって検知されたＸ軸方向に関する傾斜度の和と、の差を第１の差として求め、第１および第４のセンサによって検知されたＹ軸方向に関する傾斜度の和と、第２および第３のセンサによって検知されたＹ軸方向に関する傾斜度の和と、の差を第２の差として求め、第１の差と第２の差との和に基づいて、受力体に作用した力のＺ軸まわりのモーメントＭｚが検出できることを意味している。
【０１２２】
このＭｚの式の意味は、この式を、
Ｍｚ＝（Ｃ１２＋Ｃ１３）−（Ｃ１１＋Ｃ１４）
＋（Ｃ２２＋Ｃ２４）−（Ｃ２１＋Ｃ２３）
＋（Ｃ３１＋Ｃ３４）−（Ｃ３２＋Ｃ３３）
＋（Ｃ４１＋Ｃ４３）−（Ｃ４２＋Ｃ４４）
のような形に書きなおすと、より理解しやすくなる。すなわち、Ｚ軸まわりの正方向のモーメント＋Ｍｚが作用した場合、前述したとおり、図１８において、固定電極Ｅ１５の上に配置されている第１の力伝達体Ｔ１は、図の左上方向に傾斜することになるが、上式の（Ｃ１２＋Ｃ１３）−（Ｃ１１＋Ｃ１４）は、第１の力伝達体Ｔ１のこのような傾斜を検出するための項である。同様に、固定電極Ｅ２５の上に配置されている第２の力伝達体Ｔ２は、図の左下方向に傾斜することになるが、上式の（Ｃ２２＋Ｃ２４）−（Ｃ２１＋Ｃ２３）は、第２の力伝達体Ｔ２のこのような傾斜を検出するための項である。また、固定電極Ｅ３５の上に配置されている第３の力伝達体Ｔ３は、図の右下方向に傾斜することになるが、上式の（Ｃ３１＋Ｃ３４）−（Ｃ３２＋Ｃ３３）は、第３の力伝達体Ｔ３のこのような傾斜を検出するための項である。更に、固定電極Ｅ４５の上に配置されている第４の力伝達体Ｔ４は、図の右上方向に傾斜することになるが、上式の（Ｃ４１＋Ｃ４３）−（Ｃ４２＋Ｃ４４）は、第４の力伝達体Ｔ４のこのような傾斜を検出するための項である。上式は、このように、Ｚ軸まわりのモーメントＭｚが作用した場合の４本の力伝達体Ｔ１〜Ｔ４の所定方向への傾斜度の検出値の和を示すものになる。
【０１２３】
なお、各力伝達体Ｔ１〜Ｔ４のＺ軸方向に関する力を求める方法には、複数通りのバリエーションがあることは、§３で述べたとおりであり、図２０に示す各式に、これらのバリエーションを適用することも可能である。たとえば、Ｍｘ＝−（（Ｃ１５＋Ｃ２５）−（Ｃ３５＋Ｃ４５））なる式や、Ｍｙ＝（（Ｃ１５＋Ｃ４５）−（Ｃ２５＋Ｃ３５））なる式を用いることもできる。
【０１２４】
＜＜＜ §５． 本発明の第３の実施形態 ＞＞＞
次に、本発明の第３の実施形態に係る力検出装置を説明する。この第３の実施形態に係る力検出装置は、上述した第２の実施形態に係る力検出装置と同様に、柱状の力伝達体を４本用い、４組のセンサＳ１〜Ｓ４を用いた検出を行う。ただ、この４本の柱状力伝達体の配置が若干異なっている。以下、この相違点についてのみ説明を行う。
【０１２５】
図２１は、この第３の実施形態に係る力検出装置に用いられる支持体３００の上面図である。前述した第２の実施形態に係る力検出装置に用いられる支持体３００の上面図である図１８と比較すると、両者の相違点が明確になる。すなわち、第２の実施形態では、図１８に示すように、４組のセンサＳ１〜Ｓ４の構成要素となる固定電極Ｅ１１〜Ｅ１５，Ｅ２１〜Ｅ２５，Ｅ３１〜Ｅ３５，Ｅ４１〜Ｅ４５が、それぞれｘｙ座標系における第１〜第４象限に配置されており、第１〜第４の力伝達体Ｔ１〜Ｔ４が、ＸＹ二次元座標系において、それぞれ第１〜第４象限に配置されていた。
【０１２６】
これに対して、図２１に示す第３の実施形態に係る力検出装置では、４組のセンサＳ１〜Ｓ４の構成要素となる固定電極Ｅ１１〜Ｅ１５，Ｅ２１〜Ｅ２５，Ｅ３１〜Ｅ３５，Ｅ４１〜Ｅ４５は、それぞれｘ軸の正の部分、ｘ軸の負の部分、ｙ軸の正の部分、ｙ軸の負の部分に配置されており、第１〜第４の力伝達体Ｔ１〜Ｔ４の長手方向が、ＸＹ二次元座標系において、それぞれＸ軸の正の部分、Ｘ軸の負の部分、Ｙ軸の正の部分、Ｙ軸の負の部分に交差するように配置されている。各固定電極Ｅ１１〜Ｅ１５，Ｅ２１〜Ｅ２５，Ｅ３１〜Ｅ３５，Ｅ４１〜Ｅ４５と、その上方に位置する導電性ダイアフラム（共通変位電極）によって、容量素子Ｃ１１〜Ｃ１５，Ｃ２１〜Ｃ２５，Ｃ３１〜Ｃ３５，Ｃ４１〜Ｃ４５が形成される点は、上述した第２の実施形態と同様である。ただ、力伝達体やセンサの配置が異なるため、検出処理部３０による検出処理は若干異なる。
【０１２７】
図２２は、この第３の実施形態に係る力検出装置における各容量素子Ｃ１１〜Ｃ４５の静電容量値の変化の態様を示すテーブルであり、やはり「０」は変化なし、「＋」は増加、「−」は減少を示している。また、このテーブルにおいても、６つの力成分Ｆｘ，Ｆｙ，Ｆｚ，Ｍｘ，Ｍｙ，Ｍｚの値が正の場合のみが示されているが、負の場合は、増減の関係が逆転するだけである。この図２２に示すテーブルと、図１９に示すテーブルとを比べると、各軸方向の力成分Ｆｘ，Ｆｙ，Ｆｚが作用した場合の各容量素子の静電容量値の変化の態様は全く同じである。したがって、各軸方向の力成分Ｆｘ，Ｆｙ，Ｆｚに関する検出原理は、前述した第２の実施形態の場合と同じになる。
【０１２８】
ただ、各軸まわりのモーメントＭｘ，Ｍｙ，Ｍｚが作用した場合の各容量素子の静電容量値の変化の態様は若干異なっており、これらモーメントの検出原理は、前述した第２の実施形態の場合とは異なる。以下、この点について簡単に説明をしておく。
【０１２９】
まず、Ｘ軸まわりのモーメントＭｘが作用した場合は、Ｙ軸の正の部分に配置された第３の力伝達体Ｔ３から支持体３００に対して引っ張り力（＋ｆｚ）が作用し、Ｙ軸の負の部分に配置された第４の力伝達体Ｔ４から支持体３００に対して押圧力（−ｆｚ）が作用する。このとき、Ｘ軸の正の部分に配置された第１の力伝達体Ｔ１およびＸ軸の負の部分に配置された第２の力伝達体Ｔ２から支持体３００に対しては、有意な力の作用は生じない。実際には、部分的にＺ軸方向に関する力の作用があるが、第３および第４の力伝達体から加わる力に比べるとわずかであるため、ここでは容量素子Ｃ１１〜Ｃ１５およびＣ２１〜Ｃ２５の静電容量値の変化は「０」と考えることにする。その結果、図２２の第４行目（＋Ｍｘの行）に示すような結果が得られることになる。
【０１３０】
一方、Ｙ軸まわりのモーメントＭｙが作用した場合は、Ｘ軸の正の部分に配置された第１の力伝達体Ｔ１から支持体３００に対して押圧力（−ｆｚ）が作用し、Ｘ軸の負の部分に配置された第２の力伝達体Ｔ２から支持体３００に対して引っ張り力（＋ｆｚ）が作用する。このとき、Ｙ軸の正の部分に配置された第３の力伝達体Ｔ３およびＹ軸の負の部分に配置された第４の力伝達体Ｔ４から支持体３００に対しては、有意な力の作用は生じない。その結果、図２２の第５行目（＋Ｍｙの行）に示すような結果が得られることになる。
【０１３１】
次に、図２１を参照しながら、受力体１００にＺ軸まわりの正方向のモーメント＋Ｍｚ（図２１の平面図上では、反時計まわりのモーメントになる）が加わった場合、４本の力伝達体Ｔ１〜Ｔ４がどの方向に傾斜するかを考えてみよう。
【０１３２】
まず、Ｘ軸の正の部分に配置された第１の力伝達体Ｔ１（図の固定電極Ｅ１５の上に配置されている）は、この図２１における上方向（ｙ軸の正方向）に傾斜することになり、容量素子Ｃ１３の電極間隔が狭まり静電容量値が増加し、容量素子Ｃ１４の電極間隔が広まり静電容量値が減少する。また、Ｘ軸の負の部分に配置された第２の力伝達体Ｔ２（図の固定電極Ｅ２５の上に配置されている）は、この図２１における下方向（ｙ軸の負方向）に傾斜することになり、容量素子Ｃ２４の電極間隔が狭まり静電容量値が増加し、容量素子Ｃ２３の電極間隔が広まり静電容量値が減少する。更に、Ｙ軸の正の部分に配置された第３の力伝達体Ｔ３（図の固定電極Ｅ３５の上に配置されている）は、この図２１における左方向（ｘ軸の負方向）に傾斜することになり、容量素子Ｃ３２の電極間隔が狭まり静電容量値が増加し、容量素子Ｃ３１の電極間隔が広まり静電容量値が減少する。最後に、Ｙ軸の負の部分に配置された第４の力伝達体Ｔ４（図の固定電極Ｅ４５の上に配置されている）は、この図２１における右方向（ｘ軸の正方向）に傾斜することになり、容量素子Ｃ４１の電極間隔が狭まり静電容量値が増加し、容量素子Ｃ４２の電極間隔が広まり静電容量値が減少する。なお、その他の容量素子の静電容量値については、トータルでは変化が生じない。
【０１３３】
結局、受力体１００にＺ軸まわりの正方向のモーメント＋Ｍｚが作用した場合は、図２２の第６行目に示すような増減結果が得られることになる。もちろん、受力体１００にＺ軸まわりの負方向のモーメント−Ｍｚが作用した場合は、これとは正負の関係が逆転した結果が得られることになる。
【０１３４】
この図２２のテーブルに示すような結果が得られることを踏まえると、検出処理部３０として、２０組の容量素子Ｃ１１〜Ｃ４５の静電容量値（ここでは、静電容量の値自身も、同じ符号Ｃ１１〜Ｃ４５で示すことにする）を測定する回路と、測定した各静電容量値を用いて、図２３に示す式に基づく演算を行う処理装置を用意しておけば、Ｆｘ，Ｆｙ，Ｆｚ，Ｍｘ，Ｍｙ，Ｍｚの６成分を得ることができる。ここで、図２３に示すＦｘ，Ｆｙ，Ｆｚについての式は、図２０に示す式と全く同様である。
【０１３５】
図２３に示すＭｘ＝（Ｃ４１＋Ｃ４２＋Ｃ４３＋Ｃ４４＋Ｃ４５）−（Ｃ３１＋Ｃ３２＋Ｃ３３＋Ｃ３４＋Ｃ３５）なる式は、図２２のテーブルの第４行目（＋Ｍｘの行）の結果を踏まえたものであり、第４のセンサによって検知されたＺ軸方向に関する力と、第３のセンサによって検知されたＺ軸方向に関する力と、の差に基づいて、受力体に作用した力のＸ軸まわりのモーメントＭｘが検出できることを意味している。
【０１３６】
また、図２３に示すＭｙ＝（Ｃ１１＋Ｃ１２＋Ｃ１３＋Ｃ１４＋Ｃ１５）−（Ｃ２１＋Ｃ２２＋Ｃ２３＋Ｃ２４＋Ｃ２５）なる式は、図２２のテーブルの第５行目（＋Ｍｙの行）の結果を踏まえたものであり、第１のセンサによって検知されたＺ軸方向に関する力と、第２のセンサによって検知されたＺ軸方向に関する力と、の差に基づいて、受力体に作用した力のＹ軸まわりのモーメントＭｙが検出できることを意味している。
【０１３７】
最後に、図２３に示すＭｚ＝（（Ｃ１３−Ｃ１４）＋（Ｃ４１−Ｃ４２））−（（Ｃ２３−Ｃ２４）＋（Ｃ３１−Ｃ３２））なる式は、図２２のテーブルの第６行目（＋Ｍｚの行）の結果を踏まえたものであり、第１のセンサによって検知されたＹ軸方向に関する傾斜度と第４のセンサによって検知されたＸ軸方向に関する傾斜度との和と、第２のセンサによって検知されたＹ軸方向に関する傾斜度と第３のセンサによって検知されたＸ軸方向に関する傾斜度との和と、の差に基づいて、受力体に作用した力のＺ軸まわりのモーメントＭｚが検出できることを意味している。
【０１３８】
なお、各力伝達体Ｔ１〜Ｔ４のＺ軸方向に関する力を求める方法には、複数通りのバリエーションがあることは、§３で述べたとおりであり、図２３に示す各式に、これらのバリエーションを適用することも可能である。
【０１３９】
＜＜＜ §６． 制限部材を付加した変形例 ＞＞＞
図２４は、図９に示す第１の実施形態に係る力検出装置に、制限部材を付加した変形例の構造を示す側断面図である。§３で述べたとおり、この図９に示す力検出装置内には、第１のセンサＳ１と第２のセンサＳ２とが組み込まれており、これらのセンサは肉薄のダイヤフラム２１５，２２５を有している。このダイヤフラム２１５，２２５は、ある程度の可撓性を有しており、力伝達体Ｔ１，Ｔ２から許容範囲内の力が作用した場合には、所定の態様で変形することは既に述べたとおりである。しかしながら、ダイヤフラム２１５，２２５に過度の力が作用すると、亀裂が発生するなど、機械的な損傷を被る可能性がある。
【０１４０】
この図２４に示す変形例は、このように、ダイヤフラム２１５，２２５に過度の力が伝達されることにより、機械的な損傷が生じるのを防ぐために、受力体１００の支持体３００に対する変位を、所定の範囲内に制限するための制限部材を設けた例である。この例では、図示のとおり、中間体２００の外周部分から、制御壁２５０が立ち上がっており、更に上部には、制御用庇部２６０が形成されている。また、２本の力伝達体Ｔ１，Ｔ２の全長もなるべく短く設定されている。その結果、受力体１００の変位は、所定の範囲内に制限されている。
【０１４１】
たとえば、受力体１００の下方（−Ｚ軸方向）への変位は、図示の寸法ｄ１以内となるように制限されている。もし、受力体１００に対して、下方への大きな力が作用したとしても、受力体１００の下方への変位が寸法ｄ１に達した段階で、受力体１００の底面が中間体２００の上面に接触することになり、それ以上の変位が制限される。
【０１４２】
また、受力体１００の上方（＋Ｚ軸方向）への変位は、図示の寸法ｄ２以内となるように制限されている。もし、受力体１００に対して、上方への大きな力が作用したとしても、受力体１００の上方への変位が寸法ｄ２に達した段階で、受力体１００の上面が制御用庇部２６０の下面に接触することになり、それ以上の変位が制限される。
【０１４３】
更に、受力体１００の横方向（±Ｘ軸方向および±Ｙ軸方向）への変位は、図示の寸法ｄ３以内となるように制限されている。もし、受力体１００に対して、横方向への大きな力が作用したとしても、受力体１００の横方向への変位が寸法ｄ３に達した段階で、受力体１００の側面が制御壁２５０の内面に接触することになり、それ以上の変位が制限される。もちろん、このような制限部材は、第２および第３の実施形態の装置にも適用可能である。
【０１４４】
このような制限部材を用いた実施形態によって、実際に変位が制限される状態を、図２５〜図２７の側断面図に示す。図２５は、Ｘ軸正方向に過度の力＋Ｆｘが加わったときの状態である。受力体１００の右側面が制御壁２５０に接触し、これ以上の変位が制限されている。一方、図２６は、Ｚ軸正方向に過度の力＋Ｆｚが加わったときの状態である。受力体１００の外側上面が制御用庇部２６０に接触し、これ以上の変位が制限されている。また、図２７は、Ｙ軸まわり正方向に過度のモーメント＋Ｍｙが加わったときの状態である。この場合、第１の力伝達体Ｔ１には図の下方への力−Ｆｚが加わり、第２の力伝達体Ｔ２には図の上方への力＋Ｆｚが加わり、図のような変位が生じるが、やはりこれ以上の変位は制限されることになる。この図２５〜図２７には、各容量素子の電極間隔の変化も示されているので、図１９や図２２のテーブルに示す静電容量値の変化が生じることも理解できよう。
【０１４５】
＜＜＜ §７． 補助基板および補助容量素子を付加した変形例 ＞＞＞
続いて、補助基板および補助容量素子を用いる変形例を説明する。まず、図２０に示されている６つの式あるいは図２３に示されている６つの式を見ると、いずれも力Ｆｚを求める式を除く５つの式については、静電容量値に対する加算とともに減算が行われていることがわかる。たとえば、力Ｆｘを求める式は、整理すると、
Ｆｘ＝（Ｃ１１＋Ｃ２１＋Ｃ３１＋Ｃ４１）
−（Ｃ１２＋Ｃ２２＋Ｃ３２＋Ｃ４２）
となり、また、力Ｆｙを求める式は、整理すると、
Ｆｙ＝（Ｃ１３＋Ｃ２３＋Ｃ３３＋Ｃ４３）
−（Ｃ１４＋Ｃ２４＋Ｃ３４＋Ｃ４４）
となる。結局、６つの力成分のうち、力Ｆｚを除く５成分については、１つのグループに所属する容量素子群の全体の静電容量値と、別のグループに所属する容量素子群の全体の静電容量値と、の差に基づいて力もしくはモーメントの検出が行われていることになる。
【０１４６】
ところが、力Ｆｚについては、図２０あるいは図２３の式を見ればわかるとおり、静電容量値に関する減算は行われていない。このＦｚに関する式の先頭にマイナス符号がついているのは、座標軸の方向の定義の仕方に起因したものであり、Ｚ軸正方向の力＋Ｆｚが作用した場合に、検出値（静電容量値Ｃ１５，Ｃ２５，Ｃ３５，Ｃ４５の和）が基準値よりも減少し、Ｚ軸負方向の力−Ｆｚが作用した場合に、検出値が基準値よりも増加することを示すものである。
【０１４７】
このように、６つの力成分のうち、Ｆｚ以外の力成分は、すべて２つの静電容量値の差として得られるのに対し、力Ｆｚだけは、差として得られる量にはなっていないことになる。これは、検出対象となる力が何ら作用していない状態において、力Ｆｘ，Ｆｙ，Ｍｘ，Ｍｙ，Ｍｚの検出値は０として出力されるのに対し、力Ｆｚの検出値は０ではなく、所定の基準値として出力されることを意味する。もちろん、この基準値を予め測定しておき、力Ｆｚの検出値を、この基準値との差として出力するようにしておけば、原理的には何ら問題は生じない。
【０１４８】
しかしながら、装置内に存在する２つの容量素子グループの静電容量値の差として検出値を得る手法と、単一の容量素子グループの静電容量値と所定の基準値との差として検出値を得る手法とでは、実用上、重要な違いがある。すなわち、前者の手法を採れば、個々のロットごとの寸法精度に多少のばらつきがあっても、差をとることにより、誤差のファクターが相殺されるメリットが得られるのに対して、後者の手法では、そのようなメリットは得られない。また、この力検出装置が用いられる環境の温度条件によっても、各部の熱膨張による寸法変動が生じることになるが、前者の手法では、そのような寸法変動による影響が相殺されるメリットが得られるのに対して、後者の手法では、そのようなメリットは得られない。
【０１４９】
このような点を考慮すれば、実用上は、できるだけ、装置内に存在する２つの容量素子グループの静電容量値の差として検出値を得る手法を採るのが好ましい。したがって、力Ｆｚの検出に関しても、何らかの形により、差による検出が実現できるようにするのが好ましい。ここで述べる変形例は、補助基板を設けることにより、これを実現したものである。
【０１５０】
図２８は、この補助基板を用いた変形例に係る力検出装置の構成を示す側断面図である。この変形例の基本構造は、前述した第２の実施形態に係る力検出装置の構造とほぼ同じであり、その上面図は、図１６に示す上面図と同等になる。図２８は、この補助基板を用いた変形例に係る力検出装置を、図１６の切断線９−９に相当する位置で切った断面を示す側断面図である。この図２８に示す変形例と、前述した第２の実施形態との相違は、次の２点である。
【０１５１】
まず、第１の相違点は、この変形例では、図２８に示すように、中間体２００の上面に補助基板４００を設け、その下面に固定電極Ｅ１６，Ｅ２６，Ｅ３６，Ｅ４６（Ｅ３６，Ｅ４６は、図２８には現われていない）を設けた点である（なお、中間体２００の厚みも若干小さくなっている）。図２９は、この補助基板４００の下面図であり、この補助基板４００を図の切断線２８−２８の位置で切断した断面が、図２８に示されていることになる。この補助基板４００には、力伝達体Ｔ１〜Ｔ４を挿通するための開口Ｈ１〜Ｈ４が形成されている。これら開口Ｈ１〜Ｈ４の直径は、力伝達体Ｔ１〜Ｔ４の直径よりも若干大きく設定されており、力伝達体Ｔ１〜Ｔ４が傾斜したり変位したりしても、補助基板４００には接触しないようになっている。
【０１５２】
補助基板４００は、絶縁材料から構成されており、中間体２００の上面に接合されている。別言すれば、補助基板４００は、ダイアフラム２１５，２２５，２３５，２４５の上方に配置されるように、かつ、ＸＹ平面に平行となるように、中間体２００を介して支持体３００に固定されていることになる。各開口Ｈ１〜Ｈ４の周囲には、それぞれ円環状の固定電極Ｅ１６，Ｅ２６，Ｅ３６，Ｅ４６が形成されている。
【０１５３】
第２の相違点は、前述した第２の実施形態では、支持体３００上に、図１８に示すような合計２０枚の固定電極が形成されていたのに対し、ここに示す変形例では、図３０に示すような合計２０枚の固定電極が形成されている点である。いずれも、ｘｙ座標系における第１象限に固定電極Ｅ１１〜Ｅ１５、第２象限に固定電極Ｅ２１〜Ｅ２５、第３象限に固定電極Ｅ３１〜Ｅ３５、第４象限に固定電極Ｅ４１〜Ｅ４５が配置されている点は同じであり、合計２０組の容量素子Ｃ１１〜Ｃ１５、Ｃ２１〜Ｃ２５、Ｃ３１〜Ｃ３５、Ｃ４１〜Ｃ４５を構成するという機能も同じである。両者の相違は、図１８と図３０とを比較すればわかるとおり、個々の電極の形状である。
【０１５４】
このように、支持体３００上に形成する固定電極の形状を変えた理由は、力Ｆｚの検出に利用される固定電極Ｅ１５，Ｅ２５，Ｅ３５，Ｅ４５の形状および配置を、図２９に示す補助基板４００側の固定電極Ｅ１６，Ｅ２６，Ｅ３６，Ｅ４６の形状および配置と同一にするためである。補助基板４００には、力伝達体Ｔ１〜Ｔ４を挿通させるための開口Ｈ１〜Ｈ４が形成されているため、固定電極Ｅ１６，Ｅ２６，Ｅ３６，Ｅ４６の形状および配置は制限を受けざるを得ない。図２９に示す例では、固定電極Ｅ１６，Ｅ２６，Ｅ３６，Ｅ４６は、開口Ｈ１〜Ｈ４の外周直近を取り囲むような円環状（ワッシャー状）の電極となっているため、図３０に示す固定電極Ｅ１５，Ｅ２５，Ｅ３５，Ｅ４５も、同一形状、同一サイズの円環状電極になるようにしている。その結果、他の電極Ｅ１１〜Ｅ１４、Ｅ２１〜Ｅ２４、Ｅ３１〜Ｅ３４、Ｅ４１〜Ｅ４４についても、若干、形状の変更が行われている。
【０１５５】
これら各電極の側断面は、図面上、非常に細かな領域になるため、図２８では、黒塗りの領域として示されている。この図２８を見れば明らかなように、支持体３００の上面に形成された固定電極Ｅ１５，Ｅ２５と、補助基板４００の下面に形成された固定電極Ｅ１６，Ｅ２６とは、ダイアフラム２１５，２２５の形成面（厚みの中心位置を通る水平面）に関して鏡像関係をなす。また、図には現れていないが、支持体３００の上面に形成された固定電極Ｅ３５，Ｅ４５と、補助基板４００の下面に形成された固定電極Ｅ３６，Ｅ４６とは、ダイアフラム２３５，２４５の形成面に関して鏡像関係をなす。
【０１５６】
ここで、補助基板４００側に形成された４枚の固定電極Ｅ１６，Ｅ２６，Ｅ３６，Ｅ４６と、導電性材料からなるダイアフラム２１５，２２５，２３５，２４５の対向部分とによって、それぞれ容量素子Ｃ１６，Ｃ２６，Ｃ３６，Ｃ４６（ここでは、補助容量素子と呼ぶことにする）が形成されることになる。結局、この変形例では、合計２４枚の固定電極が設けられていることになり、そのうちの２０枚は、支持体３００の上面に形成されているが（図３０参照）、残りの４枚は、補助基板４００の下面に形成されている（図２９参照）ことになる。その結果、合計２０組の容量素子がダイアフラム２１５，２２５，２３５，２４５の下方に配置され、４組の補助容量素子がダイアフラム２１５，２２５，２３５，２４５の上方に配置されることになる。
【０１５７】
この変形例の特徴は、補助基板４００の下面に固定された固定電極と、ダイアフラム自身からなる変位電極と、によって構成される補助容量素子の静電容量値を利用して、特定の力成分の検出を行うようにした点にある。より具体的には、補助容量素子Ｃ１６，Ｃ２６，Ｃ３６，Ｃ４６は、容量素子Ｃ１５，Ｃ２５，Ｃ３５，Ｃ４５と同様に、力Ｆｚの検出に利用される。但し、補助容量素子Ｃ１６，Ｃ２６，Ｃ３６，Ｃ４６の静電容量値の増減は、容量素子Ｃ１５，Ｃ２５，Ｃ３５，Ｃ４５の静電容量値の増減とは全く逆になる。これは、図２８の側断面図を見れば、容易に理解できよう。たとえば、受力体１００に対して、Ｚ軸正方向の力＋Ｆｚが加えられた場合、力伝達体Ｔ１〜Ｔ４は図の上方へと変位し、ダイアフラム２１５〜２４５も上方へと変位するようになるので、ダイアフラム２１５〜２４５の下方に形成された容量素子Ｃ１５，Ｃ２５，Ｃ３５，Ｃ４５の電極間隔はいずれも広がり、静電容量値が減少するのに対して、ダイアフラム２１５〜２４５の上方に形成された補助容量素子Ｃ１６，Ｃ２６，Ｃ３６，Ｃ４６の電極間隔はいずれも狭まり、静電容量値が増加する。受力体１００に対して、Ｚ軸負方向の力−Ｆｚが加えられた場合の現象は、これと全く逆になる。
【０１５８】
結局、この実施形態に係る力検出装置では、力Ｆｚの検出を行う式として、図２０に示す力Ｆｚの式の代わりに、
Ｆｚ＝（Ｃ１６＋Ｃ２６＋Ｃ３６＋Ｃ４６）
−（Ｃ１５＋Ｃ２５＋Ｃ３５＋Ｃ４５）
なる式を用いることができる。これは、１つのグループに所属する容量素子群の全体の静電容量値と、別のグループに所属する容量素子群の全体の静電容量値と、の差に基づく検出であり、前述したように、ロットごとの寸法精度に基づく誤差や温度変動による誤差を相殺するメリットが得られるようになる。
【０１５９】
支持体３００の上面に形成された固定電極Ｅ１５，Ｅ２５，Ｅ３５，Ｅ４５と、補助基板４００の下面に形成された固定電極Ｅ１６，Ｅ２６，Ｅ３６，Ｅ４６とが、ダイアフラム形成面に関して鏡像関係をなすようにしたのは、上述のような単純な演算式により、力Ｆｚの検出を可能にするためである。たとえば、固定電極Ｅ１５，Ｅ１６が鏡像関係をなせば、容量素子Ｃ１５と補助容量素子Ｃ１６とは、物理的に同一形状、同一サイズの容量素子となり、かつ、ダイアフラム２１５の変位による静電容量値の増減が相補的になる。したがって、上述の式のように、各静電容量値に係数項が入らない単純な演算式を用いることが可能になる。逆言すれば、演算式に係数項を入れるようにするのであれば、支持体３００側に形成された固定電極と、補助基板４００側に形成された固定電極とは、必ずしも鏡像関係にならなくてもかまわない。
【０１６０】
なお、補助基板４００を用いて形成した補助容量素子Ｃ１６，Ｃ２６，Ｃ３６，Ｃ４６は、モーメントＭｘ，Ｍｙの検出に利用することも可能である。たとえば、図２０に示すモーメントＭｘ，Ｍｙの検出を行う式には、いくつかのバリエーションがあることは既に述べたとおりである。たとえば、中央に配置された容量素子のみを検出に用いれば、
Ｍｘ＝（Ｃ３５＋Ｃ４５）−（Ｃ１５＋Ｃ２５）
Ｍｙ＝（Ｃ１５＋Ｃ４５）−（Ｃ２５＋Ｃ３５）
のようなバリエーションに係る式を用いることも可能である。ここで、補助容量素子Ｃ１６，Ｃ２６，Ｃ３６，Ｃ４６を利用すると、このバリエーションは更に増え、たとえば、
Ｍｘ＝（Ｃ３５＋Ｃ４５＋Ｃ１６＋Ｃ２６）
−（Ｃ１５＋Ｃ２５＋Ｃ３６＋Ｃ４６）
Ｍｙ＝（Ｃ１５＋Ｃ４５＋Ｃ２６＋Ｃ３６）
−（Ｃ２５＋Ｃ３５＋Ｃ１６＋Ｃ４６）
なる式を用いることもできる。
【０１６１】
以上、補助基板４００を付加する変形例を、§４で述べた第２の実施形態に適用した例を述べたが、この補助基板４００を付加する実施形態は、§３で述べた第１の実施形態や§５で述べた第３の実施形態にも同様に適用可能である。
【０１６２】
たとえば、第３の実施形態に係る力検出装置では、力Ｆｚの検出を行う式として、図２３に、
Ｆｚ＝−（Ｃ１５＋Ｃ２５＋Ｃ３５＋Ｃ４５）
なる式が定義されているが、上述の例と同様に補助基板４００を設けることにより、これら容量素子Ｃ１５，Ｃ２５，Ｃ３５，Ｃ４５の上方位置にそれぞれ補助容量素子Ｃ１６，Ｃ２６，Ｃ３６，Ｃ４６を形成するようにすれば、
Ｆｚ＝（Ｃ１６＋Ｃ２６＋Ｃ３６＋Ｃ４６）
−（Ｃ１５＋Ｃ２５＋Ｃ３５＋Ｃ４５）
なる式により、力Ｆｚの検出が可能になる。
【０１６３】
もちろん、第３の実施形態に係る力検出装置に補助基板４００を設けた場合、補助容量素子Ｃ１６，Ｃ２６，Ｃ３６，Ｃ４６を、モーメントＭｘ，Ｍｙの検出に利用することも可能である。たとえば、モーメントＭｘ，Ｍｙを検出する式として、
Ｍｘ＝（Ｃ４５＋Ｃ３６）−（Ｃ３５＋Ｃ４６）
Ｍｙ＝（Ｃ１５＋Ｃ２６）−（Ｃ２５＋Ｃ１６）
のようなバリエーションに係る式を用いることもできる。
【０１６４】
また、上述の変形例では、補助基板４００側には、支持体３００側に形成された２０枚の固定電極のうちの一部の固定電極Ｅ１５，Ｅ２５，Ｅ３５，Ｅ４５に対応させて、固定電極Ｅ１６，Ｅ２６，Ｅ３６，Ｅ４６を設けているが、より多くの固定電極を設けるようにしてもかまわない。たとえば、図３０に示す支持体３００上の全２０枚の固定電極Ｅ１１〜Ｅ４５のすべてについて、鏡像関係をなす固定電極を補助基板４００側に設けるようにしてもかまわない。この場合、ダイアフラムの下方に２０組の容量素子が形成され、ダイアフラムの上方に２０組の補助容量素子が形成されることになる。
【０１６５】
＜＜＜ §８． 補助センサを付加した変形例 ＞＞＞
これまで述べてきた実施形態やその変形例では、いずれも、力伝達体の傾斜や変位を検出するためのセンサを、支持体側にのみ設けていたが、このようなセンサを受力体側にも設けるようにし、力伝達体の傾斜や変位を、その両端において検出できるようにしておき、支持体側と受力体側との双方における検出結果に基づいて、力およびモーメントを検出することも可能である。このような検出を行えば、より精度の高い検出動作が可能になる。
【０１６６】
ここで述べる変形例は、このような観点に着目したものであり、各力伝達体から受力体に向かって加えられる力を検出する補助センサを更に設け、検出処理部が、この補助センサの検出結果をも考慮して、受力体に作用した力もしくはモーメントを検出する処理を行うようにする、という特徴を有するものである。このような変形は、これまで述べてきた第１〜第３の実施形態や、その変形例のいずれに対しても適用可能であるが、ここでは、第１の実施形態に適用した変形例を代表例として述べることにする。
【０１６７】
図３１は、この変形例に係る力検出装置の基本構成を示す側断面図である。図９に示す第１の実施形態に係る装置と比較するとわかるとおり、図３１に示す装置は、装置中央部に定義された対称面Ｗ（水平面）に関して、上下対称となっており、各構成要素が、この対称面Ｗに関して鏡像関係をなす構造となっている。ここでは、説明の便宜上、互いに鏡像関係をなし、上下で対応する構成要素には同一符号を付すようにし、かつ、対称面Ｗよりも下の構成要素の符号末尾には「Ａ」、対称面Ｗよりも上の構成要素の符号末尾には「Ｂ」を付して示すことにする。
【０１６８】
対称面Ｗよりも下の各構成要素は、図９に示す第１の実施形態に係る装置の下半分の構成要素と全く同じである。すなわち、支持体３００Ａの上に、円盤状のダイアフラム２１５Ａ，２２５Ａを有する中間体２００Ａが接合されている。ダイアフラム２１５Ａの下方には、溝部Ｇ３１Ａが設けられており、固定電極Ｅ１１Ａ〜Ｅ１５Ａとダイアフラム２１５Ａとによって構成される容量素子群によりセンサＳ１Ａが形成されている。同様に、ダイアフラム２２５Ａの下方には、溝部Ｇ３２Ａが設けられており、固定電極Ｅ２１Ａ〜Ｅ２５Ａとダイアフラム２２５Ａとによって構成される容量素子群によりセンサＳ２Ａが形成されている。また、ダイアフラム２１５Ａの上方に設けられた溝部Ｇ２１Ａの中央には、下端がダイアフラム２１５Ａの中央に接合された円柱突起部２１０Ａが配置されており、ダイアフラム２２５Ａの上方に設けられた溝部Ｇ２２Ａの中央には、下端がダイアフラム２２５Ａの中央に接合された円柱突起部２２０Ａが配置されている。
【０１６９】
一方、対称面Ｗよりも上に配置された上半分の構成要素は、下半分の構成要素の鏡像体をなすものである。すなわち、受力体３００Ｂの下に、円盤状のダイアフラム２１５Ｂ，２２５Ｂを有する中間体２００Ｂが接合されている。ダイアフラム２１５Ｂの上方には、溝部Ｇ３１Ｂが設けられており、固定電極Ｅ１１Ｂ〜Ｅ１５Ｂとダイアフラム２１５Ｂとによって構成される容量素子群によりセンサＳ１Ｂが形成されている。同様に、ダイアフラム２２５Ｂの上方には、溝部Ｇ３２Ｂが設けられており、固定電極Ｅ２１Ｂ〜Ｅ２５Ｂとダイアフラム２２５Ｂとによって構成される容量素子群によりセンサＳ２Ｂが形成されている。また、ダイアフラム２１５Ｂの下方に設けられた溝部Ｇ２１Ｂの中央には、上端がダイアフラム２１５Ｂの中央に接合された円柱突起部２１０Ｂが配置されており、ダイアフラム２２５Ｂの下方に設けられた溝部Ｇ２２Ｂの中央には、上端がダイアフラム２２５Ｂの中央に接合された円柱突起部２２０Ｂが配置されている。ここでは、便宜上、センサＳ１Ｂ，Ｓ２Ｂを補助センサと呼ぶことにする。
【０１７０】
円柱突起部２１０Ａ，２２０Ａの上端は、円柱突起部２１０Ｂ，２２０Ｂの下端にそれぞれ接合されており、力伝達体Ｔ１，Ｔ２を構成している。この力検出装置における受力体３００Ｂに種々の力成分が作用したときの２本の力伝達体Ｔ１，Ｔ２の挙動は、図９に示す第１の実施形態に係る装置と同様である。相違点は、この力伝達体Ｔ１，Ｔ２の挙動を検出するためのセンサが、上下両側に設けられている点である。すなわち、センサＳ１Ａ，Ｓ２Ａが、力伝達体Ｔ１，Ｔ２から支持体３００Ａに向かって加えられる力を検出するセンサとして機能するのに対し、補助センサＳ１Ｂ，Ｓ２Ｂは、力伝達体Ｔ１，Ｔ２から受力体３００Ｂに向かって加えられる力を検出するセンサとして機能する。ここで、力伝達体Ｔ１，Ｔ２から受力体３００Ｂに向かって加えられる力は、受力体３００Ｂから力伝達体Ｔ１，Ｔ２に向かって加えられる力の反作用として加えられることになる。
【０１７１】
センサＳ１Ａ，Ｓ２Ａと、補助センサＳ１Ｂ，Ｓ２Ｂとは、互いに鏡像関係をなす構造を有しているため、その検出結果も、鏡像関係を踏まえた結果となる。たとえば、受力体３００Ｂに対して、力−Ｆｚ（図の下方への押圧力）が加えられた場合、ダイアフラム２１５Ａは固定電極Ｅ１５Ａに対して接近し、ダイアフラム２１５Ｂも固定電極Ｅ１５Ｂに対して接近することになるので、センサＳ１Ａの検出結果とセンサＳ１Ｂの検出結果は同じになる。別言すれば、鏡像関係にある一対の容量素子の静電容量値の増減は同じになる。これに対して、受力体３００Ｂに対して、力＋Ｆｘ（図の右方への押圧力）が加えられた場合、センサＳ１Ａは力伝達体Ｔ１がＸ軸正方向（図の右方向）へ傾斜したことを検出するのに対して、センサＳ１Ｂは力伝達体Ｔ１がＸ軸負方向（図の左方向）へ傾斜したことを検出する。具体的には、電極Ｅ１１Ａによって構成される容量素子Ｃ１１Ａの静電容量値は増加するのに対して、電極Ｅ１１Ｂによって構成される容量素子Ｃ１１Ｂの静電容量値は減少する。別言すれば、鏡像関係にある一対の容量素子の静電容量値の増減は逆になる。
【０１７２】
したがって、検出処理部は、このような鏡像関係を考慮して、各力成分の検出処理を実行する必要があり、特定の力成分については、センサの検出結果と補助センサの検出結果とを加算する演算を行うようにし、別な力成分については、両結果を減算する演算を行うようにしなければならない。しかし、原理的には、センサを構成する容量素子の数が増えた分だけ、最終的に得られる検出結果の精度は向上することになる。
【０１７３】
なお、図３１に示す例では、対称面Ｗに関して、装置の上半分と下半分とが完全に鏡像関係をなす構造としたが、両者の構造は必ずしも鏡像関係にする必要はない。ただ、センサおよび補助センサに関しては、その構造が鏡像関係となるようにしておけば、検出処理部による演算が容易になるので実用上は好ましい。
【０１７４】
図３２に示す変形例は、§７で述べた補助基板を付加した変形例に、更に、この§８で説明した補助センサを付加した変形例を適用したものである。やはり、対称面Ｗに関して、上下の構成要素が鏡像体となっている。図３１に示す装置との違いは、補助基板４００Ａ，４００Ｂおよび固定電極Ｅ１６Ａ，Ｅ２６Ａ，Ｅ１６Ｂ，Ｅ２６Ｂを更に付加した点と、支持体３００Ａ側に形成した固定電極の形状を若干変更した点だけである。この変形例は、§７で述べた特徴と§８で述べた特徴とを併せもつことになる。
【０１７５】
＜＜＜ §９． 導電性材料を主材料とする変形例 ＞＞＞
これまで述べた実施形態や変形例は、支持体３００，３００Ａ、あるいは受力体３００Ｂを絶縁性材料から構成したものであるが、これらは必ずしも絶縁性材料で構成する必要はなく、金属などの導電性材料で構成してもかまわない。但し、容量素子を利用したセンサを形成する場合、固定電極の形成面に関して、若干の工夫が必要になる。たとえば、図３１に示す装置の場合、支持体３００Ａおよび受力体３００Ｂとして、絶縁性材料を用いているため、各固定電極を、支持体３００Ａの上面や受力体３００Ｂの下面に直接形成しても問題はない。ところが、もし支持体３００Ａおよび受力体３００Ｂが導電性材料から構成されていた場合、各固定電極を支持体３００Ａの上面や受力体３００Ｂの下面に直接形成すると、複数の固定電極が互いに短絡してしまうことになる。そのような場合は、絶縁層を介して、固定電極を形成するようにすればよい。
【０１７６】
図３３は、図３１に示す力検出装置における主材料をすべて導電性材料によって構成した変形例の側断面図である。この変形例では、装置の下半分を構成する支持体３００Ｃおよび中間体２００Ａは、いずれも金属などの導電性材料で構成されており、装置の上半分を構成する受力体３００Ｄおよび中間体２００Ｂも、金属などの導電性材料で構成されている。そのため、支持体３００Ｃの上面には、溝部Ｇ４１Ａ，Ｇ４２Ａが掘られており、これを塞ぐ位置に絶縁層７１Ａ，７２Ａが嵌め込まれて固定されている。そして、固定電極Ｅ１１Ａ〜Ｅ１５Ａ，Ｅ２１Ａ〜Ｅ２５Ａは、この絶縁層７１Ａ，７２Ａの上面に形成されている。同様に、受力体３００Ｄの下面には、溝部Ｇ４１Ｂ，Ｇ４２Ｂが掘られており、これを塞ぐ位置に絶縁層７１Ｂ，７２Ｂが嵌め込まれて固定されている。そして、固定電極Ｅ１１Ｂ〜Ｅ１５Ｂ，Ｅ２１Ｂ〜Ｅ２５Ｂは、この絶縁層７１Ｂ，７２Ｂの下面に形成されている。
【０１７７】
また、この図３３に示す装置には、§６で述べた制限部材も付加されている。すなわち、支持体３００Ｃの周囲上面からは、４枚の制御壁５００が立ち上がり、装置中枢部の外側を４側面から囲う構造になっている。この制御壁５００の内側面の上方近傍には、制御溝５１０が形成されている。一方、板状の受力体３００Ｄの外周側面部には、制御用庇部３１０が突出しており、制御溝５１０内に所定空隙をおいて収容された構造になっている。この所定空隙が、受力体３００Ｄの変位の自由度を制限する機能を果たす。すなわち、ＸＹＺ三次元座標系のいずれの方向であっても、受力体３００Ｄに対して、所定の許容範囲を越えて変位させるような外力が加わると、制御用庇部３１０が制御溝５１０の内側面に当接し、それ以上の変位が制御されることになる。
【０１７８】
この図３３に示す変形例では、絶縁層７１Ａ，７２Ａ，７１Ｂ，７２Ｂ（たとえば、セラミック板で構成できる）を除いて、すべての構成要素を金属などの導電性材料によって構成することができるため、製造コストの低減を図るとともに、量産に適した構造を実現することができる。
【０１７９】
＜＜＜ §１０． ダミー力伝達体を用いる変形例 ＞＞＞
§３で述べた第１の実施形態では、２組の力伝達体Ｔ１，Ｔ２を用いる例を示したが、実用上は、より多数の力伝達体を用いて受力体を支持した方が、機械的な変位動作の安定度が向上する。すなわち、２組の力伝達体Ｔ１，Ｔ２を用いる第１の実施形態に比べて、§４で述べた第２の実施形態や§５で述べた第３の実施形態のように、４組の力伝達体Ｔ１〜Ｔ４を用いる実施形態では、受力体をより安定して支持することができるというメリットが得られる。もちろん、後者では、４組のセンサＳ１〜Ｓ４を用いた検出が行われるため、６つの力成分のすべてを検出することができるというメリットも得られる。
【０１８０】
ここで述べる変形例は、６つの力成分のすべてを検出する必要はないが、受力体を安定して支持する構造が欲しい、という要望に合致した力検出装置を提供するための例である。このような要望に応えるには、センサを備えていない力伝達体（ここでは、便宜上、「ダミー力伝達体」と呼ぶ）を利用すればよい。たとえば、§４で述べた第２の実施形態に係る力検出装置は、図１６の上面図に示されているように、４組の力伝達体を備えており、６つの力成分のすべてを検出する機能を備えている。ここで、もし、第３のセンサＳ３および第４のセンサＳ４の検出結果を必須とする特定の力成分を検出する必要がないのであれば、第３および第４の力伝達体から加えられる力を検出する必要はないので、電極Ｅ３１〜Ｅ３５および電極Ｅ４１〜Ｅ４５を設ける必要はない。
【０１８１】
図３４は、このような変形例に利用する支持体３００の上面図である。すなわち、この変形例の構造は、基本的には、§４で述べた第２の実施形態に係る力検出装置の構造と同じであるが、図１８に示す支持体３００の代わりに、図３４に示す支持体３００を用いるようにした点が異なる。別言すれば、４組の力伝達体Ｔ１〜Ｔ４は備わっているものの、センサは第１のセンサＳ１と第２のセンサＳ２だけであり、第３の力伝達体Ｔ３と第４の力伝達体Ｔ４は、力の検出動作には全く関与しないダミー力伝達体となる。
【０１８２】
結局、この変形例では、２組のダミー力伝達体Ｔ３，Ｔ４を含めた４組の力伝達体によって、受力体を安定して支持することができるメリットが得られ、しかも第３のセンサや第４のセンサが不要になるので、電極形成工程や配線工程などの作業負担が軽減され、コストダウンを図ることができるというメリットも得られることになる。
【０１８３】
図３４に示す１０枚の固定電極Ｅ１１〜Ｅ１５，Ｅ２１〜Ｅ２５によって形成される１０組の容量素子Ｃ１１〜Ｃ１５，Ｃ２１〜Ｃ２５の静電容量値の変化の態様を示すテーブルは、図１９(a) のようになる。この場合、次のような原理により、力Ｆｘ，Ｆｙ，ＦｚおよびモーメントＭｙを検出することが可能である。
【０１８４】
まず、力Ｆｘは、Ｆｘ＝（Ｃ１１−Ｃ１２）＋（Ｃ２１−Ｃ２２）なる式で求まり、力Ｆｙは、Ｆｙ＝（Ｃ１３−Ｃ１４）＋（Ｃ２３−Ｃ２４）なる式で求まり、力Ｆｚは、Ｆｚ＝−（Ｃ１５＋Ｃ２５）なる式で求まる。これらの式は、図２０に示すＦｘ，Ｆｙ，Ｆｚの式の一部の項を除いた式に相当する。図２０の式が、４組のセンサを用いて検出を行った場合の式であるのに対し、上述の式は２組のセンサを用いて検出を行った場合の式であり、項数が半分に減っている。したがって、検出精度は若干低下することになるが、原理的には、何ら問題なく、力Ｆｘ，Ｆｙ，Ｆｚの検出が可能である。なお、力Ｆｚについては、たとえば、Ｆｚ＝−（（Ｃ１１＋Ｃ１２＋Ｃ１３＋Ｃ１４＋Ｃ１５）＋（Ｃ２１＋Ｃ２２＋Ｃ２３＋Ｃ２４＋Ｃ２５））なるバリエーションによる検出が可能になる点は、既に述べたとおりである。
【０１８５】
一方、モーメントＭｙについては、Ｍｙ＝（（Ｃ１１＋Ｃ１２＋Ｃ１３＋Ｃ１４＋Ｃ１５）−（Ｃ２１＋Ｃ２２＋Ｃ２３＋Ｃ２４＋Ｃ２５））なる式（図２０に示すＭｙの式の一部の項を除いた式）、あるいはそのバリエーションである（Ｃ１５−Ｃ２５）なる式で求めることができる。
【０１８６】
このように、図３４に示す支持体３００を用いた変形例では、力Ｆｘ，Ｆｙ，ＦｚおよびモーメントＭｙを検出することが可能であるが、モーメントＭｘ，Ｍｚの検出はできない。また、モーメントＭｘと力Ｆｚとを区別することもできず（モーメントＭｘが作用すると、上述の式により力Ｆｚとして検出されてしまう）、モーメントＭｚと力Ｆｘとを区別することもできない（モーメントＭｚが作用すると、上述の式により力Ｆｘとして検出されてしまう）。このため、この変形例は、モーメントＭｘやＭｚが作用する環境下では利用することができない。
【０１８７】
この図３４に示す支持体３００を用いた変形例は、図１８に示す支持体３００を用いた実施形態（第２の実施形態）から、第３のセンサＳ３および第４のセンサＳ４を除くことにより、第３の力伝達体Ｔ３および第４の力伝達体Ｔ４をダミー力伝達体として用いるようにした変形例であるが、同様に、図２１に示す支持体３００を用いた実施形態（第３の実施形態）から、第３のセンサＳ３および第４のセンサＳ４を除くことにより、第３の力伝達体Ｔ３および第４の力伝達体Ｔ４をダミー力伝達体として用いるようにした変形例も可能である。そのような変形例の検出動作は、図１２に示す支持体３００を用いた実施形態（第１の実施形態）の検出動作と同じになる。
【０１８８】
＜＜＜ §１１． 本発明の第４の実施形態 ＞＞＞
最後に、本発明の第４の実施形態に係る力検出装置を説明する。§３で述べた第１の実施形態では２組の力伝達体Ｔ１，Ｔ２と２組のセンサＳ１，Ｓ２を用いた検出が行われ、§４で述べた第２の実施形態および§５で述べた第３の実施形態では４組の力伝達体Ｔ１〜Ｔ４と４組のセンサＳ１〜Ｓ４を用いた検出が行われた。ここで述べる第４の実施形態では、３組の力伝達体Ｔ１〜Ｔ３と３組のセンサＳ１〜Ｓ３を用いた検出が行われる。したがって、この第４の実施形態に係る力検出装置における受力体、支持体、各柱状力伝達体などの構造は、これまでの実施形態と全く同様である。ただ、柱状力伝達体の本数および配置が若干異なっているだけである。以下、この相違点についてのみ説明を行う。
【０１８９】
図３５は、この第４の実施形態に係る力検出装置に用いられる支持体３００の上面図である。前述した第２の実施形態に係る力検出装置に用いられる支持体３００の上面図である図１８と比較すると、両者の相違点が明確になる。すなわち、第２の実施形態では、図１８に示すように、４組のセンサＳ１〜Ｓ４の構成要素となる固定電極Ｅ１１〜Ｅ１５，Ｅ２１〜Ｅ２５，Ｅ３１〜Ｅ３５，Ｅ４１〜Ｅ４５が、それぞれｘｙ座標系における第１〜第４象限に配置されており、第１〜第４の力伝達体Ｔ１〜Ｔ４が、ＸＹ二次元座標系において、それぞれ第１〜第４象限に配置されていた。
【０１９０】
これに対して、図３５に示す第４の実施形態に係る力検出装置では、３組のセンサＳ１〜Ｓ３の構成要素となる固定電極Ｅ１１〜Ｅ１５，Ｅ２１〜Ｅ２５，Ｅ３１〜Ｅ３５は、ｘｙ二次元座標系において、それぞれｙ軸の正の部分、第３象限、第４象限に配置されている。結局、第１〜第３の柱状力伝達体Ｔ１〜Ｔ３は、いずれもＺ軸方向を長手方向とする構造体によって構成されており、第１の力伝達体Ｔ１は、その長手方向がＹ軸の正の部分と交差する位置に配置され、第２の力伝達体Ｔ２は、ＸＹ平面の第３象限に配置され、第３の力伝達体は、ＸＹ平面の第４象限に配置されている。各固定電極Ｅ１１〜Ｅ１５，Ｅ２１〜Ｅ２５，Ｅ３１〜Ｅ３５と、その上方に位置する導電性ダイアフラム（共通変位電極）によって、容量素子Ｃ１１〜Ｃ１５，Ｃ２１〜Ｃ２５，Ｃ３１〜Ｃ３５が形成される点は、前述した第２の実施形態と同様である。ただ、力伝達体やセンサの配置が異なるため、検出処理部３０による検出処理は若干異なる。
【０１９１】
図３６は、この第４の実施形態に係る力検出装置における各容量素子Ｃ１１〜Ｃ３５の静電容量値の変化の態様を示すテーブルである。このテーブルにおいても、６つの力成分Ｆｘ，Ｆｙ，Ｆｚ，Ｍｘ，Ｍｙ，Ｍｚの値が正の場合のみが示されているが、負の場合は、増減の関係が逆転するだけである。この図３６に示すテーブルを、第２の実施形態についての図１９に示すテーブルとを比べると、各軸方向の力成分Ｆｘ，Ｆｙ，Ｆｚが作用した場合の容量素子Ｃ１１〜Ｃ１５，Ｃ２１〜Ｃ２５，Ｃ３１〜Ｃ３５の静電容量値の変化の態様は全く同じである。したがって、各軸方向の力成分Ｆｘ，Ｆｙ，Ｆｚに関する検出原理は、前述した第２の実施形態の場合と同じになる。ただ、前述した第２の実施形態の場合は、４組のセンサＳ１〜Ｓ４による検出結果の和として、各軸方向の力成分Ｆｘ，Ｆｙ，Ｆｚが検出されていたのに対し、ここに示す第４の実施形態の場合は、３組のセンサＳ１〜Ｓ３による検出結果の和としての検出が行われることになり、検出精度は若干低下する。
【０１９２】
これに対して、各軸まわりのモーメントＭｘ，Ｍｙ，Ｍｚが作用した場合の各容量素子の静電容量値の変化の態様は、前述した第２の実施形態の場合とは若干異なる。そこで、以下、これらモーメントの検出原理について簡単に説明をしておく。
【０１９３】
まず、Ｘ軸まわりのモーメントＭｘが作用した場合は、図３５の平面図を参照すればわかるとおり、Ｙ軸の正の部分に配置された第１の力伝達体Ｔ１（図の固定電極Ｅ１５の上に配置されている）から支持体３００に対して引っ張り力（＋ｆｚ）が作用し、第３象限に配置された第２の力伝達体Ｔ２（図の固定電極Ｅ２５の上に配置されている）および第４象限に配置された第３の力伝達体Ｔ３（図の固定電極Ｅ３５の上に配置されている）から支持体３００に対して押圧力（−ｆｚ）が作用する。その結果、図３６の第４行目（＋Ｍｘの行）に示すような結果が得られることになる。
【０１９４】
一方、Ｙ軸まわりのモーメントＭｙが作用した場合は、第３象限に配置された第２の力伝達体Ｔ２から支持体３００に対して引っ張り力（＋ｆｚ）が作用し、第４象限に配置された第３の力伝達体Ｔ３から支持体３００に対して押圧力（−ｆｚ）が作用する。このとき、Ｙ軸の正の部分に配置された第１の力伝達体Ｔ１から支持体３００に対しては、有意な力の作用は生じない。その結果、図３６の第５行目（＋Ｍｙの行）に示すような結果が得られることになる。
【０１９５】
次に、図３５を参照しながら、受力体１００にＺ軸まわりの正方向のモーメント＋Ｍｚ（図３５の平面図上では、反時計まわりのモーメントになる）が加わった場合、３組の力伝達体Ｔ１〜Ｔ３がどの方向に傾斜するかを考えてみよう。
【０１９６】
まず、Ｙ軸の正の部分に配置された第１の力伝達体Ｔ１（図の固定電極Ｅ１５の上に配置されている）は、この図３５における左方向（ｘ軸の負方向）に傾斜することになり、容量素子Ｃ１２の電極間隔が狭まり静電容量値が増加し、容量素子Ｃ１１の電極間隔が広まり静電容量値が減少する。また、第３象限に配置された第２の力伝達体Ｔ２（図の固定電極Ｅ２５の上に配置されている）は、この図３５における右下方向に傾斜することになり、容量素子Ｃ２１，Ｃ２４の電極間隔が狭まり静電容量値が増加し、容量素子Ｃ２２，Ｃ２３の電極間隔が広まり静電容量値が減少する。最後に、第４象限に配置された第３の力伝達体Ｔ３（図の固定電極Ｅ３５の上に配置されている）は、この図３５における右上方向に傾斜することになり、容量素子Ｃ３１，Ｃ３３の電極間隔が狭まり静電容量値が増加し、容量素子Ｃ３２，Ｃ３４の電極間隔が広まり静電容量値が減少する。なお、容量素子Ｃ１３，Ｃ１４，Ｃ１５，Ｃ２５，Ｃ３５の静電容量値については、トータルでは変化が生じない。
【０１９７】
結局、受力体１００にＺ軸まわりの正方向のモーメント＋Ｍｚが作用した場合は、図３６の第６行目に示すような増減結果が得られることになる。もちろん、受力体１００にＺ軸まわりの負方向のモーメント−Ｍｚが作用した場合は、これとは正負の関係が逆転した結果が得られることになる。
【０１９８】
この図３６のテーブルに示すような結果が得られることを踏まえると、検出処理部３０として、１５組の容量素子Ｃ１１〜Ｃ３５の静電容量値（ここでは、静電容量の値自身も、同じ符号Ｃ１１〜Ｃ３５で示すことにする）を測定する回路と、測定した各静電容量値を用いて、図３７に示す式に基づく演算を行う処理装置を用意しておけば、Ｆｘ，Ｆｙ，Ｆｚ，Ｍｘ，Ｍｙ，Ｍｚの６成分を得ることができる。ここで、図３７に示すＦｘ，Ｆｙ，Ｆｚについての式は、図２０に示す各対応式から、第４のセンサに関する項を除外したものになっている。
【０１９９】
一方、図３７に示すＭｘ＝−（（２×Ｃ１５）−（Ｃ２５＋Ｃ３５））なる式は、図３６のテーブルの第４行目（＋Ｍｘの行）の結果を踏まえたものであり、第１のセンサによって検知されたＺ軸方向に関する力と、第２および第３のセンサによって検知されたＺ軸方向に関する力と、の差に基づいて、受力体に作用した力のＸ軸まわりのモーメントＭｘが検出できることを意味している。式の先頭のマイナス符号は、モーメントの向きのとり方によるものである。また、Ｃ１５の項に係数２が乗じられているのは、各センサの検出感度を調整するためである。
【０２００】
すなわち、図３５の平面図を見れば明らかなように、Ｘ軸まわりのモーメントＭｘが作用した場合、図の上半分の領域（ｘｙ二次元座標系の第１象限および第２象限）で生じる力の作用に関する現象と、図の下半分の領域（ｘｙ二次元座標系の第３象限および第４象限）で生じる力の作用に関する現象とは、物理的に逆の現象になる。上式において、最終的に静電容量値の差を求めているのは、このような逆の物理現象が生じているために他ならない。ところが、図３５に示すように、上半分の領域における物理現象の検知を受け持つセンサは、第１のセンサ（この例の場合、容量素子Ｃ１５）のみであるのに対し、下半分の領域における物理現象の検知を受け持つセンサは、第２のセンサ（この例の場合、容量素子Ｃ２５）と第３のセンサ（この例の場合、容量素子Ｃ３５）の２組になる。このため、上半分の領域における検出感度に対して、下半分の領域における検出感度は２倍になってしまう。Ｍｘの式におけるＣ１５の項に係数２が乗じられているのは、このような検出感度差を修正するためである。
【０２０１】
なお、このような係数を乗じる修正に代えて、固定電極の面積に対する修正を行うこともできる。たとえば、図３５に示す例では、固定電極Ｅ１５，Ｅ２５，Ｅ３５は同一サイズの円形電極となっているが、固定電極Ｅ１５の直径が、固定電極Ｅ２５，Ｅ３５の直径よりも大きくなるように適宜修正を施し、固定電極Ｅ１５の面積が、固定電極Ｅ２５，Ｅ３５の面積の２倍となるようにすれば、容量素子Ｃ１５の検出感度が、容量素子Ｃ２５あるいはＣ３５の検出感度の２倍になるので、図３７のＭｘの式においてＣ１５の項に乗じられている係数２は不要になる。
【０２０２】
続いて、モーメントＭｙの式を説明する。図３７に示すＭｙ＝（Ｃ３５−Ｃ２５）なる式は、図３６のテーブルの第５行目（＋Ｍｙの行）の結果を踏まえたものであり、第３のセンサによって検知されたＺ軸方向に関する力と、第２のセンサによって検知されたＺ軸方向に関する力と、の差に基づいて、受力体に作用した力のＹ軸まわりのモーメントＭｙが検出できることを意味している。
【０２０３】
最後に、図３７に示すＭｚ＝（（Ｃ２１−Ｃ２２）＋（Ｃ３１−Ｃ３２）−２×（Ｃ１１−Ｃ１２））＋（（Ｃ３３−Ｃ３４）−（Ｃ２３−Ｃ２４））なる式は、図３６のテーブルの第６行目（＋Ｍｚの行）の結果を踏まえたものであり、第２および第３のセンサによって検知されたＸ軸方向に関する傾斜度の和から、第１のセンサによって検知されたＸ軸方向に関する傾斜度を減じた差を第１の差として求め、第３のセンサによって検知されたＹ軸方向に関する傾斜度から、第２のセンサによって検知されたＹ軸方向に関する傾斜度を減じた差を第２の差として求め、第１の差と第２の差との和に基づいて、受力体に作用した力のＺ軸まわりのモーメントＭｚが検出できることを意味している。
【０２０４】
このＭｚの式の意味は、この式を、
Ｍｚ＝−２×（Ｃ１１−Ｃ１２）
＋（Ｃ２１＋Ｃ２４）−（Ｃ２２＋Ｃ２３）
＋（Ｃ３１＋Ｃ３３）−（Ｃ３２＋Ｃ３４）
のような形に書きなおすと、より理解しやすくなる。すなわち、Ｚ軸まわりの正方向のモーメント＋Ｍｚが作用した場合、前述したとおり、図３５において、固定電極Ｅ１５の上に配置されている第１の力伝達体Ｔ１は、図の左方向に傾斜することになるが、上式の−（Ｃ１１−Ｃ１２）は、第１の力伝達体Ｔ１のこのような傾斜を検出するための項である。同様に、固定電極Ｅ２５の上に配置されている第２の力伝達体Ｔ２は、図の右下方向に傾斜することになるが、上式の（Ｃ２１＋Ｃ２４）−（Ｃ２２＋Ｃ２３）は、第２の力伝達体Ｔ２のこのような傾斜を検出するための項である。また、固定電極Ｅ３５の上に配置されている第３の力伝達体Ｔ３は、図の右上方向に傾斜することになるが、上式の（Ｃ３１＋Ｃ３３）−（Ｃ３２＋Ｃ３４）は、第３の力伝達体Ｔ３のこのような傾斜を検出するための項である。上式は、このように、Ｚ軸まわりのモーメントＭｚが作用した場合の３本の力伝達体Ｔ１〜Ｔ３の所定方向への傾斜度の検出値の和を示すものになる。
【０２０５】
なお、このＭｚの式において、（Ｃ１１−Ｃ１２）の項に係数２が乗じられているのは、やはり各センサの検出感度を調整するためである。すなわち、第１のセンサＳ１の検出感度を、第２のセンサＳ２あるいは第３のセンサＳ３の検出感度の２倍にする修正を行うために、第１のセンサＳ１の検出結果として得られる（Ｃ１１−Ｃ１２）の項に係数２が乗じられている。このような修正が必要な理由は、図３５の平面図を見ればわかるとおり、Ｘ軸方向に関する傾斜度の検出動作に着目すると、上半分の領域を受け持つセンサは、第１のセンサ（この例の場合、容量素子Ｃ１１，Ｃ１２）のみであるのに対し、下半分の領域を受け持つセンサは、第２のセンサ（この例の場合、容量素子Ｃ２１，Ｃ２２）と第３のセンサ（この例の場合、容量素子Ｃ３１，Ｃ３２）の２組になっているためである。もちろん、固定電極Ｅ１１，Ｅ１２の面積を、固定電極Ｅ２１，Ｅ２２，Ｅ３１，Ｅ３２の面積の２倍に設定するようにすれば、このような係数を乗じる修正は不要になる。なお、Ｙ軸方向に関する傾斜度の検出動作については、第３のセンサの検出結果と第２のセンサの検出結果との間で差がとられているだけなので、このような修正は不要である。
【０２０６】
ところで、各力伝達体Ｔ１〜Ｔ３のＺ軸方向に関する力を求める方法には、複数通りのバリエーションがあることは、これまでに何度も述べたとおりであり、図３７に示す各式に、これらのバリエーションを適用することも可能である。たとえば、図３７の力Ｆｚの式は、Ｆｚ＝−（（Ｃ１１＋Ｃ１２＋Ｃ１３＋Ｃ１４＋Ｃ１５）＋（Ｃ２１＋Ｃ２２＋Ｃ２３＋Ｃ２４＋Ｃ２５）＋（Ｃ３１＋Ｃ３２＋Ｃ３３＋Ｃ３４＋Ｃ３５））とすることもできる。また、力Ｍｘの式は、−（（２×（Ｃ１１＋Ｃ１２＋Ｃ１３＋Ｃ１４＋Ｃ１５））−（（Ｃ２１＋Ｃ２２＋Ｃ２３＋Ｃ２４＋Ｃ２５）＋（Ｃ３１＋Ｃ３２＋Ｃ３３＋Ｃ３４＋Ｃ３５）））とすることもできる。同様に、力Ｍｙの式は、（Ｃ３１＋Ｃ３２＋Ｃ３３＋Ｃ３４＋Ｃ３５）−（Ｃ２１＋Ｃ２２＋Ｃ２３＋Ｃ２４＋Ｃ２５）とすることもできる。
【０２０７】
以上、第４の実施形態として、３組の力伝達体を用いる例を述べたが、もちろん、この第４の実施形態についても、§６〜§１１で述べた変形例を適用することが可能である。
【０２０８】
＜＜＜ §１２． その他の変形例 ＞＞＞
以上、本発明を図示する実施形態や変形例に基づいて説明したが、本発明はこれらの実施形態や変形例に限定されるものではなく、この他にも種々の態様で実施可能である。
【０２０９】
たとえば、上述の実施形態では、各力伝達体と支持体との接続部分に、図３に示すタイプの多軸力センサを組み込んでいるが、本発明に組み込む力センサは、必ずしも図３に示すような静電容量式のものにする必要はなく、たとえば、ピエゾ抵抗式力センサ、圧電素子を用いた力センサなどを用いてもかまわない。また、静電容量式力センサを用いる場合であっても、必ずしも図３に示すようなダイアフラム５１自身を共通変位電極として利用するタイプのものを用いる必要はない。ダイアフラム５１が絶縁材料から構成されている場合には、その下面に導電性膜を形成して共通変位電極として利用することができる。もちろん、共通変位電極を１枚だけ設ける代わりに、各固定電極に対向した個別の変位電極を設けるようにしてもかまわない。
【０２１０】
上述の実施形態では、各力伝達体と受力体との接続部分に、可撓性をもった接続部材（具体的には、板状の受力体の肉薄部）を設けているが、各力伝達体の上端は、必ずしも可撓性をもった接続部材を介して受力体に接続する必要はない。検出対象となる力やモーメントを受力体に支障なく作用させることができるのであれば、各力伝達体の上端を受力体に直接接続して固定する形態をとってもかまわない。もっとも、実用上は、検出対象となる力やモーメントを受力体に支障なく作用させるために、これまで述べてきた実施形態のように、各力伝達体の上端を、可撓性をもった接続部材を介して受力体に接続するようにし、各力伝達体が受力体に対して、ある程度の自由度をもって変位できるような構造にしておくのが好ましい。
【０２１１】
また、最終的な力やモーメントの検出値を求める機能を果たす検出処理部３０も、実際には種々の構成で実現できる。たとえば、個々の容量素子の静電容量値をアナログ電圧値として測定し、この測定値をデジタル信号に変換した後、ＣＰＵなどの演算装置を用いて、図１４，図２０，図２３，図３７の式に示す演算を実行する、という手法を採ることもできるし、個々の容量素子の静電容量値の測定値をアナログ電圧値のまま取り扱い、アナログ信号として最終的な検出値を出力する、という手法を採ることも可能である。後者の手法を採る場合は、各容量素子の電極に所定の配線を施し、必要に応じて、アナログ加算器やアナログ減算器からなるアナログ演算回路に接続するようにすればよい。また、静電容量値の和を求めるには、必ずしも演算回路は必要としない。たとえば、２つの容量素子Ｃ１，Ｃ２の静電容量値の和を求めるには、これら２つの容量素子を並列接続する配線を施し、この配線上の２点間の静電容量値を求めれば足る。このように、本発明における検出処理部は、必ずしもデジタルもしくはアナログ演算回路によって構成する必要はなく、複数の容量素子を電気的に接続する配線によって構成することも可能であり、本発明における「検出処理部」なる文言は、このような単純な電気配線も含む概念である。
【０２１２】
これまで述べた実施形態では、２本もしくは４本の力伝達体およびその接続部材は、正方形状の受力体１００の中心に原点をとった座標系においてシンメトリックな位置（特定の座標軸に関して線対称となる位置）に配置され、また、いずれも同一材質、同一サイズのものであったが、これらは必ずしもシンメトリックな位置に配置する必要はなく、また、同一材質、同一サイズにする必要はない。もちろん、各センサも同一のものを用意する必要はない。たとえば、第２の実施形態では、４本の力伝達体が、正方形の４頂点位置に配置されているが、原理的には、力の６成分を検出するためには、４本の力伝達体が一直線上に配置されることがないようにすれば、４本の力伝達体の配置は任意でかまわない。ただ、４本の力伝達体が座標系に対してシンメトリックな配置になっていなかったり、材質やサイズが同一になっていなかったり、個々のセンサの構造やサイズが異なっていたりすると、各容量素子の検出感度に差が生じ、図１４，図２０，図２３の式に示す演算を行う場合、個々の静電容量値に固有の感度係数を乗ずる必要が出てくるため、実用上は、上述の実施形態を採るのが好ましい。
【０２１３】
本願では説明の便宜上、受力体および支持体という文言を用いているが、これは、支持体を固定した状態とし、検出対象となる力を受力体に作用させる一般的な利用形態を意図したものである。しかしながら、本発明に係る力検出装置の利用形態は、そのような形態に限定されるものではなく、逆に、受力体を固定した状態とし、検出対象となる力を支持体に作用させるという利用形態も可能である。一般に、力検出装置は、第１の箇所を固定した状態において、第２の箇所に作用した力を検出する機能を有しており、支持体を固定した状態において受力体に作用した力を検出するという事象は、受力体を固定した状態において支持体に作用した力を検出するという事象と、本質的には同じものである。したがって、前述した第１〜第３の実施形態では、力伝達体の傾斜や変位を検出するためのセンサを、支持体側に設けていたが、このようなセンサを支持体側ではなく、受力体側に設けるようにした、という技術思想は、本質的に本発明と同じ技術思想であり、本発明の範疇に含まれるものである。
【符号の説明】
【０２１４】
１０：受力体
１１：第１の力伝達体
１２：第２の力伝達体
２０：支持体
２１：第１のセンサ
２２：第２のセンサ
３０：検出処理部
４０：支持体
５０：椀状接続部材
５１：ダイアフラム（共通変位電極）
５２：側壁部
５３：固定部
６０：力伝達体
７１Ａ，７２Ａ：絶縁層
７１Ｂ，７２Ｂ：絶縁層
１００：受力体
１１０：円柱突起部
１１５：肉薄部
１２０：円柱突起部
１２５：肉薄部
１３０：円柱突起部
１３５：肉薄部
１４０：円柱突起部
１４５：肉薄部
１５０：円柱状突起
２００：中間体
２００Ａ，２００Ｂ：中間体
２１０：円柱突起部
２１０Ａ，２１０Ｂ：円柱突起部
２１５：ダイアフラム
２１５Ａ，２１５Ｂ：ダイアフラム
２２０：円柱突起部
２２０Ａ，２２０Ｂ：円柱突起部
２２５：ダイアフラム
２２５Ａ，２２５Ｂ：ダイアフラム
２３０：円柱突起部
２３５：ダイアフラム
２４０：円柱突起部
２４５：ダイアフラム
２５０：制御壁
２６０：制御用庇部
３００：支持体
３００Ａ：支持体
３００Ｂ：受力体
３００Ｃ：支持体
３００Ｄ：受力体
３１０：制御用庇部
４００：補助基板
４００Ａ，４００Ｂ：補助基板
５００：制御壁
５１０：制御溝
Ｃ１１〜Ｃ４５：容量素子／容量素子の静電容量値
ｄ１，ｄ２，ｄ３：制御用寸法
Ｅ１〜Ｅ５，Ｅ１１〜Ｅ４５：固定電極
Ｅ１１Ａ〜Ｅ２５Ａ：固定電極
Ｅ１１Ｂ〜Ｅ２５Ｂ：固定電極
Ｆｘ，Ｆｘ′：Ｘ軸方向の力
ｆｘ，ｆｘ′：ｘ軸方向の力
Ｆｙ：Ｙ軸方向の力
Ｆｚ：Ｚ軸方向の力
ｆｚ：支持体に対して作用する引っ張り力／押圧力
Ｇ１１〜Ｇ３４：溝部
Ｇ２１Ａ〜Ｇ４２Ａ：溝部
Ｇ２１Ｂ〜Ｇ４２Ｂ：溝部
Ｈ１〜Ｈ４：開口
Ｍｘ：Ｘ軸まわりのモーメント
Ｍｙ：Ｙ軸まわりのモーメント
Ｍｚ：Ｚ軸まわりのモーメント
Ｏ：座標系の原点
Ｐ１〜Ｐ４：受力体１００上の点
Ｓ１〜Ｓ４：多軸力センサ
Ｓ１Ａ，Ｓ２Ａ：多軸力センサ
Ｓ１Ｂ，Ｓ２Ｂ：補助センサ
Ｔ１〜Ｔ４：力伝達体
Ｗ：対称面
ＸＹＺ：受力体の中心位置に原点をもつ座標系
ｘｙ：支持体の上面に定義された座標系
θ１，θ２：力伝達体１１，１２の傾斜角

【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＸＹＺ三次元座標系におけるＸ軸方向の力Ｆｘを検出する力検出装置であって、
検出対象となる力を受けるために前記座標系の原点位置に配置され、ＸＹ平面に沿って広がる板状部材からなる受力体と、
この受力体の下方に配置され、ＸＹ平面に平行な平面に沿って広がる板状部材からなる支持体と、
上端が前記受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が前記支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第１の力伝達体と、
上端が前記受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が前記支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第２の力伝達体と、
上端が前記受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が前記支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第３の力伝達体と、
前記第１の力伝達体の前記支持体に対する傾斜状態を検知する機能と、前記第１の力伝達体全体から前記支持体に対して加えられる力を検知する機能と、の少なくとも一方を有する第１のセンサと、
前記第２の力伝達体の前記支持体に対する傾斜状態を検知する機能と、前記第２の力伝達体全体から前記支持体に対して加えられる力を検知する機能と、の少なくとも一方を有する第２のセンサと、
前記第３の力伝達体の前記支持体に対する傾斜状態を検知する機能と、前記第３の力伝達体全体から前記支持体に対して加えられる力を検知する機能と、の少なくとも一方を有する第３のセンサと、
前記第１〜第３のセンサの検出結果を考慮して、前記受力体に作用した力もしくはモーメントを検出する処理を行う検出処理部と、
を備え、
前記第１〜第３の力伝達体は柱状の部材により構成され、前記第１〜第３の力伝達体の下面は、周囲が前記支持体に固定された接続部材の中央に接合され、前記第１〜第３の力伝達体の上面は、周囲が前記受力体に固定された接続部材の中央に接合され、
前記第１〜第３のセンサは、前記支持体の上面に固定された固定電極と、前記力伝達体の下面に接合された接続部材の変位面に固定された変位電極と、によって構成される容量素子を有し、この容量素子の静電容量値に基づいて検知を行い、
第１の力伝達体がその長手方向がＹ軸の正の部分と交差する位置に配置され、第２の力伝達体がＸＹ平面の第３象限に配置され、第３の力伝達体がＸＹ平面の第４象限に配置されており、
第１のセンサが、第１の力伝達体のＸ軸方向に関する傾斜度を検知する機能を有し、
第２のセンサが、第２の力伝達体のＸ軸方向に関する傾斜度を検知する機能を有し、
第３のセンサが、第３の力伝達体のＸ軸方向に関する傾斜度を検知する機能を有し、
検出処理部が、第１〜第３のセンサによって検知されたＸ軸方向に関する傾斜度の和に基づいて、受力体に作用した力のＸ軸方向成分Ｆｘを検出する処理を行うことを特徴とする力検出装置。
【請求項２】
請求項１に記載の力検出装置において、Ｘ軸方向の力Ｆｘの検出に加えて、更に、Ｙ軸方向の力Ｆｙを検出するために、
第１のセンサが、第１の力伝達体のＹ軸方向に関する傾斜度を検知する機能を有し、
第２のセンサが、第２の力伝達体のＹ軸方向に関する傾斜度を検知する機能を有し、
第３のセンサが、第３の力伝達体のＹ軸方向に関する傾斜度を検知する機能を有し、
検出処理部が、第１〜第３のセンサによって検知されたＹ軸方向に関する傾斜度の和に基づいて、受力体に作用した力のＹ軸方向成分Ｆｙを検出する処理を行うことを特徴とする力検出装置。
【請求項３】
請求項２に記載の力検出装置において、Ｘ軸方向の力ＦｘおよびＹ軸方向の力Ｆｙの検出に加えて、更に、Ｚ軸方向の力Ｆｚを検出するために、
第１のセンサが、第１の力伝達体全体から支持体に対して加えられるＺ軸方向に関する力を検知する機能を有し、
第２のセンサが、第２の力伝達体全体から支持体に対して加えられるＺ軸方向に関する力を検知する機能を有し、
第３のセンサが、第３の力伝達体全体から支持体に対して加えられるＺ軸方向に関する力を検知する機能を有し、
検出処理部が、第１〜第３のセンサによって検知されたＺ軸方向に関する力の和に基づいて、受力体に作用した力のＺ軸方向成分Ｆｚを検出する処理を行うことを特徴とする力検出装置。
【請求項４】
請求項１に記載の力検出装置において、Ｘ軸方向の力Ｆｘの検出に加えて、更に、Ｚ軸方向の力Ｆｚを検出するために、
第１のセンサが、第１の力伝達体全体から支持体に対して加えられるＺ軸方向に関する力を検知する機能を有し、
第２のセンサが、第２の力伝達体全体から支持体に対して加えられるＺ軸方向に関する力を検知する機能を有し、
第３のセンサが、第３の力伝達体全体から支持体に対して加えられるＺ軸方向に関する力を検知する機能を有し、
検出処理部が、第１〜第３のセンサによって検知されたＺ軸方向に関する力の和に基づいて、受力体に作用した力のＺ軸方向成分Ｆｚを検出する処理を行うことを特徴とする力検出装置。
【請求項５】
ＸＹＺ三次元座標系におけるＹ軸方向の力Ｆｙを検出する力検出装置であって、
検出対象となる力を受けるために前記座標系の原点位置に配置され、ＸＹ平面に沿って広がる板状部材からなる受力体と、
この受力体の下方に配置され、ＸＹ平面に平行な平面に沿って広がる板状部材からなる支持体と、
上端が前記受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が前記支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第１の力伝達体と、
上端が前記受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が前記支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第２の力伝達体と、
上端が前記受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が前記支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第３の力伝達体と、
前記第１の力伝達体の前記支持体に対する傾斜状態を検知する機能と、前記第１の力伝達体全体から前記支持体に対して加えられる力を検知する機能と、の少なくとも一方を有する第１のセンサと、
前記第２の力伝達体の前記支持体に対する傾斜状態を検知する機能と、前記第２の力伝達体全体から前記支持体に対して加えられる力を検知する機能と、の少なくとも一方を有する第２のセンサと、
前記第３の力伝達体の前記支持体に対する傾斜状態を検知する機能と、前記第３の力伝達体全体から前記支持体に対して加えられる力を検知する機能と、の少なくとも一方を有する第３のセンサと、
前記第１〜第３のセンサの検出結果を考慮して、前記受力体に作用した力もしくはモーメントを検出する処理を行う検出処理部と、
を備え、
前記第１〜第３の力伝達体は柱状の部材により構成され、前記第１〜第３の力伝達体の下面は、周囲が前記支持体に固定された接続部材の中央に接合され、前記第１〜第３の力伝達体の上面は、周囲が前記受力体に固定された接続部材の中央に接合され、
前記第１〜第３のセンサは、前記支持体の上面に固定された固定電極と、前記力伝達体の下面に接合された接続部材の変位面に固定された変位電極と、によって構成される容量素子を有し、この容量素子の静電容量値に基づいて検知を行い、
第１の力伝達体がその長手方向がＹ軸の正の部分と交差する位置に配置され、第２の力伝達体がＸＹ平面の第３象限に配置され、第３の力伝達体がＸＹ平面の第４象限に配置されており、
第１のセンサが、第１の力伝達体のＹ軸方向に関する傾斜度を検知する機能を有し、
第２のセンサが、第２の力伝達体のＹ軸方向に関する傾斜度を検知する機能を有し、
第３のセンサが、第３の力伝達体のＹ軸方向に関する傾斜度を検知する機能を有し、
検出処理部が、第１〜第３のセンサによって検知されたＹ軸方向に関する傾斜度の和に基づいて、受力体に作用した力のＹ軸方向成分Ｆｙを検出する処理を行うことを特徴とする力検出装置。
【請求項６】
ＸＹＺ三次元座標系におけるＺ軸方向の力Ｆｚを検出する力検出装置であって、
検出対象となる力を受けるために前記座標系の原点位置に配置され、ＸＹ平面に沿って広がる板状部材からなる受力体と、
この受力体の下方に配置され、ＸＹ平面に平行な平面に沿って広がる板状部材からなる支持体と、
上端が前記受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が前記支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第１の力伝達体と、
上端が前記受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が前記支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第２の力伝達体と、
上端が前記受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が前記支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第３の力伝達体と、
前記第１の力伝達体の前記支持体に対する傾斜状態を検知する機能と、前記第１の力伝達体全体から前記支持体に対して加えられる力を検知する機能と、の少なくとも一方を有する第１のセンサと、
前記第２の力伝達体の前記支持体に対する傾斜状態を検知する機能と、前記第２の力伝達体全体から前記支持体に対して加えられる力を検知する機能と、の少なくとも一方を有する第２のセンサと、
前記第３の力伝達体の前記支持体に対する傾斜状態を検知する機能と、前記第３の力伝達体全体から前記支持体に対して加えられる力を検知する機能と、の少なくとも一方を有する第３のセンサと、
前記第１〜第３のセンサの検出結果を考慮して、前記受力体に作用した力もしくはモーメントを検出する処理を行う検出処理部と、
を備え、
前記第１〜第３の力伝達体は柱状の部材により構成され、前記第１〜第３の力伝達体の下面は、周囲が前記支持体に固定された接続部材の中央に接合され、前記第１〜第３の力伝達体の上面は、周囲が前記受力体に固定された接続部材の中央に接合され、
前記第１〜第３のセンサは、前記支持体の上面に固定された固定電極と、前記力伝達体の下面に接合された接続部材の変位面に固定された変位電極と、によって構成される容量素子を有し、この容量素子の静電容量値に基づいて検知を行い、
第１の力伝達体がその長手方向がＹ軸の正の部分と交差する位置に配置され、第２の力伝達体がＸＹ平面の第３象限に配置され、第３の力伝達体がＸＹ平面の第４象限に配置されており、
第１のセンサが、第１の力伝達体全体から支持体に対して加えられるＺ軸方向に関する力を検知する機能を有し、
第２のセンサが、第２の力伝達体全体から支持体に対して加えられるＺ軸方向に関する力を検知する機能を有し、
第３のセンサが、第３の力伝達体全体から支持体に対して加えられるＺ軸方向に関する力を検知する機能を有し、
検出処理部が、第１〜第３のセンサによって検知されたＺ軸方向に関する力の和に基づいて、受力体に作用した力のＺ軸方向成分Ｆｚを検出する処理を行うことを特徴とする力検出装置。
【請求項７】
ＸＹＺ三次元座標系におけるＸ軸まわりのモーメントＭｘを検出する力検出装置であって、
検出対象となる力を受けるために前記座標系の原点位置に配置され、ＸＹ平面に沿って広がる板状部材からなる受力体と、
この受力体の下方に配置され、ＸＹ平面に平行な平面に沿って広がる板状部材からなる支持体と、
上端が前記受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が前記支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第１の力伝達体と、
上端が前記受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が前記支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第２の力伝達体と、
上端が前記受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が前記支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第３の力伝達体と、
前記第１の力伝達体の前記支持体に対する傾斜状態を検知する機能と、前記第１の力伝達体全体から前記支持体に対して加えられる力を検知する機能と、の少なくとも一方を有する第１のセンサと、
前記第２の力伝達体の前記支持体に対する傾斜状態を検知する機能と、前記第２の力伝達体全体から前記支持体に対して加えられる力を検知する機能と、の少なくとも一方を有する第２のセンサと、
前記第３の力伝達体の前記支持体に対する傾斜状態を検知する機能と、前記第３の力伝達体全体から前記支持体に対して加えられる力を検知する機能と、の少なくとも一方を有する第３のセンサと、
前記第１〜第３のセンサの検出結果を考慮して、前記受力体に作用した力もしくはモーメントを検出する処理を行う検出処理部と、
を備え、
前記第１〜第３の力伝達体は柱状の部材により構成され、前記第１〜第３の力伝達体の下面は、周囲が前記支持体に固定された接続部材の中央に接合され、前記第１〜第３の力伝達体の上面は、周囲が前記受力体に固定された接続部材の中央に接合され、
前記第１〜第３のセンサは、前記支持体の上面に固定された固定電極と、前記力伝達体の下面に接合された接続部材の変位面に固定された変位電極と、によって構成される容量素子を有し、この容量素子の静電容量値に基づいて検知を行い、
第１の力伝達体がその長手方向がＹ軸の正の部分と交差する位置に配置され、第２の力伝達体がＸＹ平面の第３象限に配置され、第３の力伝達体がＸＹ平面の第４象限に配置されており、
第１のセンサが、第１の力伝達体全体から支持体に対して加えられるＺ軸方向に関する力を検知する機能を有し、
第２のセンサが、第２の力伝達体全体から支持体に対して加えられるＺ軸方向に関する力を検知する機能を有し、
第３のセンサが、第３の力伝達体全体から支持体に対して加えられるＺ軸方向に関する力を検知する機能を有し、
検出処理部が、第１のセンサによって検知されたＺ軸方向に関する力と、第２および第３のセンサによって検知されたＺ軸方向に関する力の和と、の差に基づいて、受力体に作用した力のＸ軸まわりのモーメントＭｘを検出する処理を行うことを特徴とする力検出装置。
【請求項８】
請求項７に記載の力検出装置において、Ｘ軸まわりのモーメントＭｘの検出に加えて、更に、Ｙ軸まわりのモーメントＭｙを検出するために、
検出処理部が、第２のセンサによって検知されたＺ軸方向に関する力と、第３のセンサによって検知されたＺ軸方向に関する力と、の差に基づいて、受力体に作用した力のＹ軸まわりのモーメントＭｙを検出する処理を行うことを特徴とする力検出装置。
【請求項９】
請求項８に記載の力検出装置において、Ｘ軸まわりのモーメントＭｘおよびＹ軸まわりのモーメントＭｙの検出に加えて、更に、Ｚ軸まわりのモーメントＭｚを検出するために、
第１のセンサが、第１の力伝達体のＸ軸方向に関する傾斜度を検知する機能を有し、
第２のセンサが、第２の力伝達体のＸ軸方向に関する傾斜度と、第２の力伝達体のＹ軸方向に関する傾斜度と、を検知する機能を有し、
第３のセンサが、第３の力伝達体のＸ軸方向に関する傾斜度と、第３の力伝達体のＹ軸方向に関する傾斜度と、を検知する機能を有し、
検出処理部が、第２および第３のセンサによって検知されたＸ軸方向に関する傾斜度の和から、第１のセンサによって検知されたＸ軸方向に関する傾斜度を減じた差を第１の差として求め、第３のセンサによって検知されたＹ軸方向に関する傾斜度から、第２のセンサによって検知されたＹ軸方向に関する傾斜度を減じた差を第２の差として求め、前記第１の差と前記第２の差との和に基づいて、受力体に作用した力のＺ軸まわりのモーメントＭｚを検出する処理を行うことを特徴とする力検出装置。
【請求項１０】
請求項７に記載の力検出装置において、Ｘ軸まわりのモーメントＭｘの検出に加えて、更に、Ｚ軸まわりのモーメントＭｚを検出するために、
第１のセンサが、第１の力伝達体のＸ軸方向に関する傾斜度を検知する機能を有し、
第２のセンサが、第２の力伝達体のＸ軸方向に関する傾斜度と、第２の力伝達体のＹ軸方向に関する傾斜度と、を検知する機能を有し、
第３のセンサが、第３の力伝達体のＸ軸方向に関する傾斜度と、第３の力伝達体のＹ軸方向に関する傾斜度と、を検知する機能を有し、
検出処理部が、第２および第３のセンサによって検知されたＸ軸方向に関する傾斜度の和から、第１のセンサによって検知されたＸ軸方向に関する傾斜度を減じた差を第１の差として求め、第３のセンサによって検知されたＹ軸方向に関する傾斜度から、第２のセンサによって検知されたＹ軸方向に関する傾斜度を減じた差を第２の差として求め、前記第１の差と前記第２の差との和に基づいて、受力体に作用した力のＺ軸まわりのモーメントＭｚを検出する処理を行うことを特徴とする力検出装置。
【請求項１１】
ＸＹＺ三次元座標系におけるＺ軸まわりのモーメントＭｚを検出する力検出装置であって、
検出対象となる力を受けるために前記座標系の原点位置に配置され、ＸＹ平面に沿って広がる板状部材からなる受力体と、
この受力体の下方に配置され、ＸＹ平面に平行な平面に沿って広がる板状部材からなる支持体と、
上端が前記受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が前記支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第１の力伝達体と、
上端が前記受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が前記支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第２の力伝達体と、
上端が前記受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が前記支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第３の力伝達体と、
前記第１の力伝達体の前記支持体に対する傾斜状態を検知する機能と、前記第１の力伝達体全体から前記支持体に対して加えられる力を検知する機能と、の少なくとも一方を有する第１のセンサと、
前記第２の力伝達体の前記支持体に対する傾斜状態を検知する機能と、前記第２の力伝達体全体から前記支持体に対して加えられる力を検知する機能と、の少なくとも一方を有する第２のセンサと、
前記第３の力伝達体の前記支持体に対する傾斜状態を検知する機能と、前記第３の力伝達体全体から前記支持体に対して加えられる力を検知する機能と、の少なくとも一方を有する第３のセンサと、
前記第１〜第３のセンサの検出結果を考慮して、前記受力体に作用した力もしくはモーメントを検出する処理を行う検出処理部と、
を備え、
前記第１〜第３の力伝達体は柱状の部材により構成され、前記第１〜第３の力伝達体の下面は、周囲が前記支持体に固定された接続部材の中央に接合され、前記第１〜第３の力伝達体の上面は、周囲が前記受力体に固定された接続部材の中央に接合され、
前記第１〜第３のセンサは、前記支持体の上面に固定された固定電極と、前記力伝達体の下面に接合された接続部材の変位面に固定された変位電極と、によって構成される容量素子を有し、この容量素子の静電容量値に基づいて検知を行い、
第１の力伝達体がその長手方向がＹ軸の正の部分と交差する位置に配置され、第２の力伝達体がＸＹ平面の第３象限に配置され、第３の力伝達体がＸＹ平面の第４象限に配置されており、
第１のセンサが、第１の力伝達体のＸ軸方向に関する傾斜度を検知する機能を有し、
第２のセンサが、第２の力伝達体のＸ軸方向に関する傾斜度と、第２の力伝達体のＹ軸方向に関する傾斜度と、を検知する機能を有し、
第３のセンサが、第３の力伝達体のＸ軸方向に関する傾斜度と、第３の力伝達体のＹ軸方向に関する傾斜度と、を検知する機能を有し、
検出処理部が、第２および第３のセンサによって検知されたＸ軸方向に関する傾斜度の和から、第１のセンサによって検知されたＸ軸方向に関する傾斜度を減じた差を第１の差として求め、第３のセンサによって検知されたＹ軸方向に関する傾斜度から、第２のセンサによって検知されたＹ軸方向に関する傾斜度を減じた差を第２の差として求め、前記第１の差と前記第２の差との和に基づいて、受力体に作用した力のＺ軸まわりのモーメントＭｚを検出する処理を行うことを特徴とする力検出装置。
【請求項１２】
ＸＹＺ三次元座標系におけるＸ軸方向の力Ｆｘ、Ｚ軸方向の力Ｆｚ、Ｘ軸まわりのモーメントＭｘ、Ｚ軸まわりのモーメントＭｚを検出する力検出装置であって、
検出対象となる力を受けるために前記座標系の原点位置に配置され、ＸＹ平面に沿って広がる板状部材からなる受力体と、
この受力体の下方に配置され、ＸＹ平面に平行な平面に沿って広がる板状部材からなる支持体と、
上端が前記受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が前記支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第１の力伝達体と、
上端が前記受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が前記支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第２の力伝達体と、
上端が前記受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が前記支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第３の力伝達体と、
前記第１の力伝達体の前記支持体に対する傾斜状態を検知する機能と、前記第１の力伝達体全体から前記支持体に対して加えられる力を検知する機能と、の少なくとも一方を有する第１のセンサと、
前記第２の力伝達体の前記支持体に対する傾斜状態を検知する機能と、前記第２の力伝達体全体から前記支持体に対して加えられる力を検知する機能と、の少なくとも一方を有する第２のセンサと、
前記第３の力伝達体の前記支持体に対する傾斜状態を検知する機能と、前記第３の力伝達体全体から前記支持体に対して加えられる力を検知する機能と、の少なくとも一方を有する第３のセンサと、
前記第１〜第３のセンサの検出結果を考慮して、前記受力体に作用した力もしくはモーメントを検出する処理を行う検出処理部と、
を備え、
前記第１〜第３の力伝達体は柱状の部材により構成され、前記第１〜第３の力伝達体の下面は、周囲が前記支持体に固定された接続部材の中央に接合され、前記第１〜第３の力伝達体の上面は、周囲が前記受力体に固定された接続部材の中央に接合され、
前記第１〜第３のセンサは、前記支持体の上面に固定された固定電極と、前記力伝達体の下面に接合された接続部材の変位面に固定された変位電極と、によって構成される容量素子を有し、この容量素子の静電容量値に基づいて検知を行い、
第１の力伝達体がその長手方向がＹ軸の正の部分と交差する位置に配置され、第２の力伝達体がＸＹ平面の第３象限に配置され、第３の力伝達体がＸＹ平面の第４象限に配置されており、
第１のセンサが、第１の力伝達体のＸ軸方向に関する傾斜度と、第１の力伝達体全体から支持体に対して加えられるＺ軸方向に関する力と、を検知する機能を有し、
第２のセンサが、第２の力伝達体のＸ軸方向に関する傾斜度と、第２の力伝達体のＹ軸方向に関する傾斜度と、第２の力伝達体全体から支持体に対して加えられるＺ軸方向に関する力と、を検知する機能を有し、
第３のセンサが、第３の力伝達体のＸ軸方向に関する傾斜度と、第３の力伝達体のＹ軸方向に関する傾斜度と、第３の力伝達体全体から支持体に対して加えられるＺ軸方向に関する力と、を検知する機能を有し、
検出処理部が、
第１〜第３のセンサによって検知されたＸ軸方向に関する傾斜度の和に基づいて、受力体に作用した力のＸ軸方向成分Ｆｘを検出する処理を行い、
第１〜第３のセンサによって検知されたＺ軸方向に関する力の和に基づいて、受力体に作用した力のＺ軸方向成分Ｆｚを検出する処理を行い、
第１のセンサによって検知されたＺ軸方向に関する力と、第２および第３のセンサによって検知されたＺ軸方向に関する力の和と、の差に基づいて、受力体に作用した力のＸ軸まわりのモーメントＭｘを検出する処理を行い、
第２および第３のセンサによって検知されたＸ軸方向に関する傾斜度の和から、第１のセンサによって検知されたＸ軸方向に関する傾斜度を減じた差を第１の差として求め、第３のセンサによって検知されたＹ軸方向に関する傾斜度から、第２のセンサによって検知されたＹ軸方向に関する傾斜度を減じた差を第２の差として求め、前記第１の差と前記第２の差との和に基づいて、受力体に作用した力のＺ軸まわりのモーメントＭｚを検出する処理を行うことを特徴とする力検出装置。
【請求項１３】
ＸＹＺ三次元座標系における各座標軸方向の力Ｆｘ，Ｆｙ，Ｆｚおよび各座標軸まわりのモーメントＭｘ，Ｍｙ，Ｍｚを検出する力検出装置であって、
検出対象となる力を受けるために前記座標系の原点位置に配置され、ＸＹ平面に沿って広がる板状部材からなる受力体と、
この受力体の下方に配置され、ＸＹ平面に平行な平面に沿って広がる板状部材からなる支持体と、
上端が前記受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が前記支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第１の力伝達体と、
上端が前記受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が前記支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第２の力伝達体と、
上端が前記受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が前記支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第３の力伝達体と、
前記第１の力伝達体の前記支持体に対する傾斜状態を検知する機能と、前記第１の力伝達体全体から前記支持体に対して加えられる力を検知する機能と、の少なくとも一方を有する第１のセンサと、
前記第２の力伝達体の前記支持体に対する傾斜状態を検知する機能と、前記第２の力伝達体全体から前記支持体に対して加えられる力を検知する機能と、の少なくとも一方を有する第２のセンサと、
前記第３の力伝達体の前記支持体に対する傾斜状態を検知する機能と、前記第３の力伝達体全体から前記支持体に対して加えられる力を検知する機能と、の少なくとも一方を有する第３のセンサと、
前記第１〜第３のセンサの検出結果を考慮して、前記受力体に作用した力もしくはモーメントを検出する処理を行う検出処理部と、
を備え、
前記第１〜第３の力伝達体は柱状の部材により構成され、前記第１〜第３の力伝達体の下面は、周囲が前記支持体に固定された接続部材の中央に接合され、前記第１〜第３の力伝達体の上面は、周囲が前記受力体に固定された接続部材の中央に接合され、
前記第１〜第３のセンサは、前記支持体の上面に固定された固定電極と、前記力伝達体の下面に接合された接続部材の変位面に固定された変位電極と、によって構成される容量素子を有し、この容量素子の静電容量値に基づいて検知を行い、
第１の力伝達体がその長手方向がＹ軸の正の部分と交差する位置に配置され、第２の力伝達体がＸＹ平面の第３象限に配置され、第３の力伝達体がＸＹ平面の第４象限に配置されており、
第１のセンサが、第１の力伝達体のＸ軸方向に関する傾斜度と、第１の力伝達体のＹ軸方向に関する傾斜度と、第１の力伝達体全体から支持体に対して加えられるＺ軸方向に関する力と、を検知する機能を有し、
第２のセンサが、第２の力伝達体のＸ軸方向に関する傾斜度と、第２の力伝達体のＹ軸方向に関する傾斜度と、第２の力伝達体全体から支持体に対して加えられるＺ軸方向に関する力と、を検知する機能を有し、
第３のセンサが、第３の力伝達体のＸ軸方向に関する傾斜度と、第３の力伝達体のＹ軸方向に関する傾斜度と、第３の力伝達体全体から支持体に対して加えられるＺ軸方向に関する力と、を検知する機能を有し、
検出処理部が、
第１〜第３のセンサによって検知されたＸ軸方向に関する傾斜度の和に基づいて、受力体に作用した力のＸ軸方向成分Ｆｘを検出する処理を行い、
第１〜第３のセンサによって検知されたＹ軸方向に関する傾斜度の和に基づいて、受力体に作用した力のＹ軸方向成分Ｆｙを検出する処理を行い、
第１〜第３のセンサによって検知されたＺ軸方向に関する力の和に基づいて、受力体に作用した力のＺ軸方向成分Ｆｚを検出する処理を行い、
第１のセンサによって検知されたＺ軸方向に関する力と、第２および第３のセンサによって検知されたＺ軸方向に関する力の和と、の差に基づいて、受力体に作用した力のＸ軸まわりのモーメントＭｘを検出する処理を行い、
第２のセンサによって検知されたＺ軸方向に関する力と、第３のセンサによって検知されたＺ軸方向に関する力と、の差に基づいて、受力体に作用した力のＹ軸まわりのモーメントＭｙを検出する処理を行い、
第２および第３のセンサによって検知されたＸ軸方向に関する傾斜度の和から、第１のセンサによって検知されたＸ軸方向に関する傾斜度を減じた差を第１の差として求め、第３のセンサによって検知されたＹ軸方向に関する傾斜度から、第２のセンサによって検知されたＹ軸方向に関する傾斜度を減じた差を第２の差として求め、前記第１の差と前記第２の差との和に基づいて、受力体に作用した力のＺ軸まわりのモーメントＭｚを検出する処理を行うことを特徴とする力検出装置。
【請求項１４】
ＸＹＺ三次元座標系におけるＹ軸まわりのモーメントＭｙを検出する力検出装置であって、
検出対象となる力を受けるために前記座標系の原点位置に配置され、ＸＹ平面に沿って広がる板状部材からなる受力体と、
この受力体の下方に配置され、ＸＹ平面に平行な平面に沿って広がる板状部材からなる支持体と、
上端が前記受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が前記支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第１の力伝達体と、
上端が前記受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が前記支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第２の力伝達体と、
上端が前記受力体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、下端が前記支持体に可撓性をもった接続部材を介して接続され、Ｚ軸方向を長手方向とする構造体によって構成された第３の力伝達体と、
前記第２の力伝達体全体から前記支持体に対して加えられる力を検知する機能を有する第２の力伝達体用センサと、
前記第３の力伝達体全体から前記支持体に対して加えられる力を検知する機能を有する第３の力伝達体用センサと、
前記第２の力伝達体用センサおよび第３の力伝達体用センサの検出結果を考慮して、前記受力体に作用した力もしくはモーメントを検出する処理を行う検出処理部と、
を備え、
前記第１〜第３の力伝達体は柱状の部材により構成され、前記第１〜第３の力伝達体の下面は、周囲が前記支持体に固定された接続部材の中央に接合され、前記第１〜第３の力伝達体の上面は、周囲が前記受力体に固定された接続部材の中央に接合され、
前記第２の力伝達体用センサおよび第３の力伝達体用センサは、前記支持体の上面に固定された固定電極と、前記力伝達体の下面に接合された接続部材の変位面に固定された変位電極と、によって構成される容量素子を有し、この容量素子の静電容量値に基づいて検知を行い、
第１の力伝達体がその長手方向がＹ軸の正の部分と交差する位置に配置され、第２の力伝達体がＸＹ平面の第３象限に配置され、第３の力伝達体がＸＹ平面の第４象限に配置されており、
第２の力伝達体用センサが、第２の力伝達体全体から支持体に対して加えられるＺ軸方向に関する力を検知する機能を有し、
第３の力伝達体用センサが、第３の力伝達体全体から支持体に対して加えられるＺ軸方向に関する力を検知する機能を有し、
検出処理部が、
第２の力伝達体用センサによって検知されたＺ軸方向に関する力と、第３の力伝達体用センサによって検知されたＺ軸方向に関する力と、の差に基づいて、受力体に作用した力のＹ軸まわりのモーメントＭｙを検出する処理を行うことを特徴とする力検出装置。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれかに記載の力検出装置において、
可撓性および導電性を有するダイアフラムを力伝達体の下面側の接続部材として用い、このダイアフラムの中央に力伝達体の下面を接合し、前記ダイアフラムの周囲を支持体に固定することにより、力伝達体を支持体に接続するようにし、前記ダイアフラム自身を変位電極として用いるようにしたことを特徴とする力検出装置。
【請求項１６】
請求項１５に記載の力検出装置において、
柱状の部材からなる力伝達体の軸芯の延長線と支持体の上面との交点に原点をとったｘｙ二次元座標系を定義したときに、
支持体の上面におけるｘ軸の正の部分および負の部分にそれぞれ第１の固定電極および第２の固定電極を配置し、支持体の上面におけるｙ軸の正の部分および負の部分にそれぞれ第３の固定電極および第４の固定電極を配置し、
ダイアフラムからなる変位電極と前記第１〜第４の固定電極とによって、第１〜第４の容量素子を構成し、第１の容量素子の静電容量値と第２の容量素子の静電容量値との差に基づいて、力伝達体のｘ軸方向に関する傾斜度を検知し、第３の容量素子の静電容量値と第４の容量素子の静電容量値との差に基づいて、力伝達体のｙ軸方向に関する傾斜度を検知し、検出処理部が、これらの検知結果を利用して、力もしくはモーメントを検出する処理を行うことを特徴とする力検出装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載の力検出装置において、
支持体の上面における原点の近傍に更に第５の固定電極を配置し、ダイアフラムからなる変位電極と前記第５の固定電極とによって、第５の容量素子を構成し、この第５の容量素子の静電容量値に基づいて、力伝達体全体から支持体に対して加えられる力を検知し、検出処理部が、この検知結果を利用して、力もしくはモーメントを検出する処理を行うことを特徴とする力検出装置。
【請求項１８】
請求項１５〜１７のいずれかに記載の力検出装置において、
力伝達体を挿通するための開口を有し、力伝達体の下面側の接続部材として用いられるダイアフラムの上方に配置されるように支持体に固定された補助基板を更に有し、
センサが、前記補助基板の下面に固定された固定電極と、前記ダイアフラム自身からなる変位電極と、によって構成される補助容量素子を有し、この補助容量素子の静電容量値を利用して力の検出を行うことを特徴とする力検出装置。
【請求項１９】
請求項１８に記載の力検出装置において、
補助基板の下面に固定された固定電極の一部または全部が、支持体の上面に固定された固定電極の一部または全部に対して、鏡像関係をなすことを特徴とする力検出装置。
【請求項２０】
請求項１〜１９のいずれかに記載の力検出装置において、
検出処理部が複数の容量素子を電気的に接続する配線により構成されていることを特徴とする力検出装置。
【請求項２１】
請求項１〜２０のいずれかに記載の力検出装置において、
受力体と力伝達体とを接続する接続部材を、板状の受力体の肉薄部によって構成したことを特徴とする力検出装置。
【請求項２２】
請求項１〜２０のいずれかに記載の力検出装置において、
各力伝達体から受力体に向かって加えられる力を検出する補助センサを更に設け、
検出処理部が、前記補助センサの検出結果を更に考慮して、前記受力体に作用した力もしくはモーメントを検出する処理を行うことを特徴とする力検出装置。
【請求項２３】
請求項２２に記載の力検出装置において、
力伝達体から支持体に向かって加えられる力を検出するセンサと、力伝達体から受力体に向かって加えられる力を検出する補助センサとが鏡像関係となる構造を有し、
検出処理部が、前記鏡像関係を考慮した処理を実行することを特徴とする力検出装置。
【請求項２４】
請求項１〜２３のいずれかに記載の検出装置において、
受力体の支持体に対する変位を所定の範囲内に制限するための制限部材を設けたことを特徴とする力検出装置。

【図１】

【図２】

【図３】

【図４】

【図５】

【図６】

【図７】

【図８】

【図９】

【図１０】

【図１１】

【図１２】

【図１３】

【図１４】

【図１５】

【図１６】

【図１７】

【図１８】

【図１９】

【図２０】

【図２１】

【図２２】

【図２３】

【図２４】

【図２５】

【図２６】

【図２７】

【図２８】

【図２９】

【図３０】

【図３１】

【図３２】

【図３３】

【図３４】

【図３５】

【図３６】

【図３７】

【公開番号】特開２０１０−８４２７（Ｐ２０１０−８４２７Ａ）
【公開日】平成２２年１月１４日（２０１０．１．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２３５０１７（Ｐ２００９−２３５０１７）
【出願日】平成２１年１０月９日（２００９．１０．９）
【分割の表示】特願２００３−１２３２３５（Ｐ２００３−１２３２３５）の分割
【原出願日】平成１５年４月２８日（２００３．４．２８）
【出願人】（３９００１３３４３）株式会社ワコー (34)
【出願人】（０００１１１０８５）ニッタ株式会社 (588)
【Ｆターム（参考）】