半導体装置の製造方法
【課題】 酸素に対して活性な材質からなる薄膜を成膜する薄膜形成装置のメンテナンス時に発火してしまうことを防ぐことのできる技術を提供する。
【解決手段】 薄膜形成装置の成膜チャンバの内面を構成する部材もしくは成膜チャンバの内部に配置された部材であるターゲットシールドＴＧＳ、排気シールドＥＸＳ、ガス分散板ＧＤＢ、およびリングチャックＲＣＫ等については、予め表面に金属を溶射し、酸素を含有した金属膜ＭＦ１を形成しておくことにより、これら部材の表面に酸素に対して活性な微粒子が堆積すると、堆積した微粒子中に金属膜ＭＦ１中の酸素が拡散し、酸化膜ＯＦ１が形成され、酸素に対して活性な微粒子は不活性な状態（化学的に安定な状態）へ変化する。
【解決手段】 薄膜形成装置の成膜チャンバの内面を構成する部材もしくは成膜チャンバの内部に配置された部材であるターゲットシールドＴＧＳ、排気シールドＥＸＳ、ガス分散板ＧＤＢ、およびリングチャックＲＣＫ等については、予め表面に金属を溶射し、酸素を含有した金属膜ＭＦ１を形成しておくことにより、これら部材の表面に酸素に対して活性な微粒子が堆積すると、堆積した微粒子中に金属膜ＭＦ１中の酸素が拡散し、酸化膜ＯＦ１が形成され、酸素に対して活性な微粒子は不活性な状態（化学的に安定な状態）へ変化する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、金属薄膜を成膜する薄膜形成装置を用いた半導体装置の製造工程に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特許２５６８１４１号公報（特許文献１）には、電解銅箔のマット面に銅酸化物微細粒を含む酸素含有層を形成またはさらにそれを酸素含有雰囲気中で加熱処理することで酸素富化層を形成した発火防止性パーティクルゲッターを薄膜形成装置内に配置し、酸素に対して非常に活性であるチタン等の金属、合金、化合物の堆積層をパーティクルゲッターから剥離および飛散しないように固着し、同時に堆積物中に基板表面の酸素含有層または酸素富化層からの酸素を吸収および拡散させ、堆積層を酸素に対して不活性化することにより、装置開放時あるいは堆積物保管時の発火問題を排除する技術が開示されている。
【０００３】
特開平１１−３４０１４３号公報（特許文献２）には、成膜室内に冶具が設置される薄膜形成装置において、その冶具の表面に対してアルミニウムを溶射することによって凸形状を形成し、冶具に付着する成膜生成物の密着力を向上させることによって、成膜中における異物の発生を抑制する技術が開示されている。
【特許文献１】特許２５６８１４１号公報
【特許文献２】特開平１１−３４０１４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
薄膜形成装置による半導体基板（以下、単に基板と記す）への成膜処理工程中には、成膜処理室（以降、チャンバと記す）内の部品にも薄膜を形成する微粒子が堆積する。この微粒子が、Ｔｉ（チタン）等の高反応性の金属微粒子であった場合には、薄膜形成装置のメンテナンス時に衝撃や摩擦を加えると発火してしまう虞があることから、たとえば薄膜形成装置の構成部品の慎重な取り外しや取り外した部品の保管は水中にて行っていた。
【０００５】
ところで、上記特許文献１に記載されたパーティクルゲッターは、エンボス加工が施された板状材料である。そのため、チャンバ内の微小な部品やコリメータのようなハニカム構造体には固着させることが困難であるという課題を有している。
【０００６】
本発明の目的は、薄膜形成装置のメンテナンス時に発火してしまうことを防ぐことのできる技術を提供することにある。
【０００７】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【０００９】
本発明による半導体装置の製造方法は、第１の処理装置を用い、前記第１の処理装置が有する第１の処理室内にて半導体基板上に酸素に対して活性な薄膜を堆積する工程を含むものであり、
前記薄膜を堆積する工程に先立って、予め前記第１の処理室の内面となる第１の部材および前記第１の処理室内に配置された第２の部材の表面に第１の金属を溶射し、第１の金属膜を形成しておくものである。
【発明の効果】
【００１０】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１１】
すなわち、第１の処理装置の第１の処理室の内面を構成する第１の部材および第１の処理室の内部に配置された第２の部材の表面に予め第１の金属を溶射しておき、酸素を含有した金属膜を形成しておくので、第１の処理装置のメンテナンス時に発火してしまうことを防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１３】
図１は、本実施の形態で用いる薄膜形成装置（第１の処理装置）の一例であるスパッタリング装置を示す説明図である。図１に示すスパッタリング装置は、搬送室ＴＲ１内に搬送ロボットＴＲＢ１が設けられ、この搬送ロボットＴＲＢ１がスパッタリング装置に備え付けられた各チャンバへの半導体ウエハ（以下、単にウエハと記す）の搬送を行う。スパッタリング装置に備え付けられたチャンバは、たとえばロードロックチャンバＬＬ１、ＬＬ２、デガスチャンバＤＧ１、ＤＧ２、スパッタエッチングチャンバＳＥＣ、および成膜チャンバ（第１の処理室）ＤＰＣ１〜ＤＰＣ３である。スパッタリング装置に備え付けられたチャンバは、たとえばロードロックチャンバＬＬ１、ＬＬ２、デガスチャンバＤＧ１、ＤＧ２、スパッタエッチングチャンバＳＥＣ、および成膜チャンバＤＰＣ１〜ＤＰＣ３である。ロードロックチャンバＬＬ１には、スパッタリング処理前の複数枚のウエハがウエハカセットに収納された状態で搬送および配置され、ロードロックチャンバＬＬ１内は、ウエハカセットが配置されると真空状態にされる。デガスチャンバＤＧ１では、ロードロックチャンバＬＬ１から搬送ロボットＴＲＢ１によって取り出されたウエハが搬送され、ウエハに対するデガス処理が施され、ウエハに付着している不必要な水分等が除去される。また、デガスチャンバＤＧ１では、ウエハに形成されたオリエンテーションフラットの位置合わせが行われ、ウエハの向きが揃えられる。成膜チャンバＤＰＣ１〜ＤＰＣ３では、ウエハにスパッタリング処理が施され、ウエハの表面に所定の薄膜（たとえばＴｉ膜）が成膜される。成膜チャンバＤＰＣ１〜ＤＰＣ３でスパッタリング処理が施された後のウエハは、ロードロックチャンバＬＬ２内に配置されたウエハカセットに収納される。スパッタエッチングチャンバＳＥＣでは、ウエハに対してスパッタエッチング処理が施される。
【００１４】
図２は、上記成膜チャンバＤＰＣ１〜ＤＰＣ３の内部の構造を説明する要部断面図である。図２に示すように、成膜チャンバＤＰＣ１〜ＤＰＣ３は、ターゲットＴＧＴ、ターゲットを保持するパッキングプレートＰＫＰ、ターゲットシールドＴＧＳ、排気シールドＥＸＳ、ガス分散板ＧＤＢ、リングチャックＲＣＫ、およびウエハＷＦＲを下部から保持するホルダＨＬＤなどから構成されている。図示は省略するが、ターゲットから飛び出す金属微粒子の指向性を高めるために、たとえば成膜チャンバＤＰＣ１〜ＤＰＣ３の内部にハニカム構造のコリメータを配置してもよい。ターゲットＴＧＴは、たとえば薄膜を形成する物質であるＴｉから形成されている。パッキングプレートＰＫＰは、たとえばＡｌ（アルミニウム）等から形成されている。ターゲットシールドＴＧＳ、排気シールドＥＸＳ、ガス分散板ＧＤＢ、およびリングチャックＲＣＫは、たとえばステンレス鋼（ＳＵＳ３０４）等から形成されている。
【００１５】
本実施の形態において、ウエハＷＦＲ上に堆積する薄膜が、たとえばＴｉ、Ｎｉ（ニッケル）およびＣｏ（コバルト）などの酸素に対して活性な（高い反応性を有する）材質である場合には、成膜チャンバＤＰＣ１〜ＤＰＣ３の内面を構成する部材（第１の部材）もしくは成膜チャンバＤＰＣ１〜ＤＰＣ３の内部（第２の部材）に配置された部材であるターゲットシールドＴＧＳ、排気シールドＥＸＳ、ガス分散板ＧＤＢ、およびリングチャックＲＣＫ等については、予め表面に金属（第１の金属）を溶射しておき、酸素を含有した金属膜を形成しておく。本実施の形態では、その金属としてＡｌを例示することができる。金属の溶射は、形成される金属膜が酸素を良好に含有するように、酸素が十分に存在する雰囲気中にて行う。成膜処理中には、薄膜を形成する微粒子はウエハＷＦＲ上だけでなくターゲットシールドＴＧＳ、排気シールドＥＸＳ、ガス分散板ＧＤＢ、およびリングチャックＲＣＫ等にも堆積していくが、図３に示すように、ターゲットシールドＴＧＳ、排気シールドＥＸＳ、ガス分散板ＧＤＢ、およびリングチャックＲＣＫ等の表面には予め酸素を含有した金属膜（第１の金属膜）ＭＦ１が形成されているので、堆積した微粒子中に金属膜ＭＦ１中の酸素が拡散し、酸化膜ＯＦ１を形成する。それにより、酸素に対して活性な微粒子は不活性な状態（化学的に安定な状態）へ変化する。その結果、スパッタリング装置のメンテナンス時において、スパッタリング装置を構成する各部品が大気開放され、衝撃や摩擦が加えられても発火してしまう虞を解消することができる。すなわち、スパッタリング装置のメンテナンスを容易にかつ安全に実施することが可能となる。
【００１６】
上記金属膜ＭＦ１は溶射によって成膜するので、表面が微小な構造となっている個所や曲面となっている個所にも容易に成膜することができる。また、成膜チャンバＤＰＣ１〜ＤＰＣ３の内部に前述のコリメータが配置される場合でも、ハニカム構造のような複雑な構造部にも容易に金属膜ＭＦ１を成膜することができる。
【００１７】
上記本実施の形態においては、金属膜ＭＦ１はＡｌの溶射によって形成する場合について説明したが、Ａｌの代わりに、Ｎｉ（ニッケル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｃｕ（銅）、Ｎｉ合金、Ｃｕ合金、Ａｌ2Ｏ3（アルミナセラミック）、ＴｉＯ2（チタニア）、Ｃｒ2Ｏ3（酸化クロム）、ＺｒＯ2−ＭｇＯ（ジルコニア）、またはＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3（ジルコニア）等を溶射して形成してもよい。
【００１８】
次に、上記の本実施の形態のスパッタリング装置を用いた半導体装置の製造工程について図４〜図８を用いて説明する。
【００１９】
まず、図４に示すように、比抵抗が１０Ωｃｍ程度の単結晶シリコンからなる基板１（ウエハＷＦＲ）を８５０℃程度で熱処理して、その主面に膜厚１０ｎｍ程度の薄い酸化シリコン膜（パッド酸化膜）を形成する。次いで、この酸化シリコン膜の上に膜厚１２０ｎｍ程度の窒化シリコン膜をＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法で堆積した後、フォトレジスト膜をマスクにしたドライエッチングで素子分離領域の窒化シリコン膜と酸化シリコン膜とを除去する。酸化シリコン膜は、後の工程で素子分離溝の内部に埋め込まれる酸化シリコン膜をデンシファイ（焼き締め）するときなどに基板に加わるストレスを緩和する目的で形成される。また、窒化シリコン膜は酸化されにくい性質を持つので、その下部（活性領域）の基板表面の酸化を防止するマスクとして利用される。
【００２０】
続いて、窒化シリコン膜をマスクにしたドライエッチングで素子分離領域の基板１に深さ３５０ｎｍ程度の素子分離溝２を形成した後、エッチングで素子分離溝２の内壁に生じたダメージ層を除去するために、基板１を１０００℃程度で熱処理して溝の内壁に膜厚１０ｎｍ程度の薄い酸化シリコン膜を形成する。
【００２１】
続いて、ＣＶＤ法にて半導体基板１上に酸化シリコン膜３を堆積した後、この酸化シリコン膜３の膜質を改善するために、半導体基板１を熱処理して酸化シリコン膜３をデンシファイ（焼き締め）する。その後、窒化シリコン膜をストッパに用いた化学的機械研磨（Chemical Mechanical Polishing；ＣＭＰ）法でその酸化シリコン膜３を研磨して素子分離溝２の内部に残すことにより、表面が平坦化された素子分離領域を形成する。
【００２２】
続いて、熱リン酸を用いたウェットエッチングで半導体基板１の活性領域上に残った窒化シリコン膜を除去した後、半導体基板１のｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴを形成する領域にＢ（ホウ素）をイオン注入してｐ型ウエル４を形成する。次いで、半導体基板１のｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴを形成する領域にＰ（リン）をイオン注入してｎ型ウエル５を形成する。
【００２３】
ここで、ｎ型ウエル５を形成するＰは、前述のＴｉ同様に酸素に対して活性な（高い反応性を有する）物質（第１の物質）である。そこで、本実施の形態においては、Ｐのイオン注入を行うイオン注入装置のチャンバ（処理室）内面を構成する部材およびチャンバの内部に配置された部材についても予め表面にＡｌなどの金属を溶射しておき、酸素を含有した金属膜を形成しておく。Ｐはチャンバ内面を構成する部材およびチャンバの内部に配置された部材にも付着するが、イオン注入装置のチャンバ内面を構成する部材もしくはチャンバの内部に配置された部材の表面に付着したＰ中に金属膜中の酸素が拡散し、Ｐを酸素に対して不活性な状態（化学的に安定な状態）へ変化させる。その結果、Ｐのイオン注入を行うイオン注入装置のメンテナンス時において、イオン注入装置を構成する各部品が大気開放され、衝撃や摩擦が加えられても発火してしまう虞を解消することができる。すなわち、イオン注入装置のメンテナンスを容易にかつ安全に実施することが可能となる。
【００２４】
次に、半導体基板１を熱処理することによって、ｐ型ウエル４およびｎ型ウエル５の表面にゲート酸化膜６を形成する。
【００２５】
次に、図５に示すように、たとえばＰをドープした低抵抗の多結晶シリコン膜７を堆積する。次いで、たとえばＣＶＤ法で多結晶シリコン膜７上にＷＳｉx（タングステンシリサイド）膜７Ｗを堆積する。ここで、このＷＳｉx膜７Ｗも、前述のＴｉ同様に酸素に対して活性な（高い反応性を有する）物質である。そこで、本実施の形態においては、ＷＳｉx膜７Ｗの成膜処理を行うＣＶＤ装置の成膜チャンバの内面を構成する部材および成膜チャンバの内部に配置された部材についても予め表面にＡｌなどの金属を溶射しておき、酸素を含有した金属膜を形成しておく。ＷＳｉx膜７Ｗは成膜チャンバの内面を構成する部材もしくは成膜チャンバの内部に配置された部材の表面にも堆積するが、成膜チャンバの内面を構成する部材もしくは成膜チャンバの内部に配置された部材の表面に堆積したＷＳｉx膜７Ｗ中に金属膜中の酸素が拡散し、ＷＳｉx膜７Ｗを酸素に対して不活性な状態（化学的に安定な状態）へ変化させる。その結果、ＷＳｉx膜７Ｗの成膜処理を行うＣＶＤ装置のメンテナンス時において、ＣＶＤ装置を構成する各部品が大気開放され、衝撃や摩擦が加えられても発火してしまう虞を解消することができる。すなわち、ＣＶＤ装置のメンテナンスを容易にかつ安全に実施することが可能となる。
【００２６】
次に、図６に示すように、たとえばＣＶＤ法により上記ＷＳｉx膜７Ｗ上に酸化シリコン膜を堆積する。次いで、フォトリソグラフィ技術によりパターニングされたフォトレジスト膜（図示は省略）をマスクとしたドライエッチングによりその酸化シリコン膜、ＷＳｉx膜７Ｗ、多結晶シリコン膜７およびゲート酸化膜６をパターニングすることにより、ＷＳｉx膜７Ｗおよび多結晶シリコン膜７からなるゲート電極８を形成することができる。
【００２７】
次に、たとえばｐ型ウエル４にＡｓ（ヒ素）をイオン注入することよってｎ型半導体領域（ソース、ドレイン）９を形成し、ｎ型ウエル５にＢをイオン注入することによってｐ型半導体領域（ソース、ドレイン）１０を形成する。ここまでの工程によって、ｐ型ウエル４にｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ（Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor）Ｑｎが形成され、ｎ型ウエル５にｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｐを形成することができる。
【００２８】
次に、図７に示すように、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎおよびｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｐの上部に層間絶縁膜１１を形成し、続いてフォトレジスト膜をマスクにして層間絶縁膜１１をドライエッチングすることにより、ｎ型半導体領域（ソース、ドレイン）９およびｐ型半導体領域（ソース、ドレイン）１０の上部にコンタクトホール１２を形成する。次いで、コンタクトホール１２内を含む基板１上に、スパッタリング法により、たとえば窒化チタン膜を堆積する。続いて、ＣＶＤ法により、基板１上にＷ（タングステン）膜を堆積し、コンタクトホール１２をそのＷ膜で埋め込む。その後、コンタクトホール１２以外の層間絶縁膜１１上の窒化チタン膜およびＷ膜を、たとえばＣＭＰ法により除去し、プラグ１３を形成する。
【００２９】
次に、層間絶縁膜１１の上部にＴｉ膜１４Ａ、Ａｌ合金膜１４Ｂおよび窒化チタン膜１４Ｃを順次堆積する。本実施の形態において、Ｔｉ膜１４Ａの堆積には図１〜図３を用いて説明したスパッタリング装置を用いる。次いで、フォトリソグラフィ技術によりパターニングされたフォトレジスト膜（図示は省略）をマスクとしたドライエッチングによりそのＴｉ膜１４Ａ、Ａｌ合金膜１４Ｂおよび窒化チタン膜１４Ｃをパターニングすることにより、Ｔｉ膜１４Ａ、Ａｌ合金膜１４Ｂおよび窒化チタン膜１４Ｃの積層膜からなる配線１４を形成することができる。
【００３０】
本実施の形態では、配線をＴｉ膜１４Ａ、Ａｌ合金膜１４Ｂおよび窒化チタン膜１４Ｃの３層の薄膜から形成する場合について説明したが、ＭｏＳｉ（モリブデンシリサイド）膜、Ａｌ合金膜１４ＢおよびＭｏＳｉ膜の３層の薄膜、もしくはＴｉＷ（チタンタングステン）膜、Ａｌ合金膜１４ＢおよびＴｉＷ膜の３層の薄膜から形成してもよい。ここで、ＭｏＳｉ膜およびＴｉＷ膜についてもＴｉ膜１４Ａ同様に酸素に対して活性な（高い反応性を有する）物質である。そこで、本実施の形態においては、これらＭｏＳｉ膜およびＴｉＷ膜を堆積する際にも図１〜図３を用いて説明したスパッタリング装置を用いる。それにより、ＭｏＳｉ膜およびＴｉＷ膜の成膜処理を行うスパッタリング装置のメンテナンス時において、スパッタリング装置を構成する各部品が大気開放され、衝撃や摩擦が加えられても発火してしまう虞を解消することができる。
【００３１】
次に、図８に示すように、たとえばＣＶＤ法によって基板１上に酸化シリコン膜を堆積することによって層間絶縁膜１５を形成した後、上記プラグ１３および配線１４を形成した工程と同様の工程によってプラグ１６および配線１７を形成し、本実施の形態の半導体装置を製造する。なお、図８を用いて説明した工程を繰り返すことによって、さらに多層に配線を形成してもよい。
【００３２】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００３３】
たとえば、前記実施の形態においては、薄膜形成装置の成膜チャンバの内面を構成する部材および成膜チャンバの内部に配置された部材の表面に予め金属を溶射しておき、酸素を含有した金属膜を形成しておく例について説明したが、薄膜形成装置内に配置された搬送ロボットの表面にＡｌ等の金属膜を溶射によって形成しておいてもよい。それにより、搬送ロボットに酸素に対して活性な物質が付着しても、搬送ロボットのメンテナンス時に発火してしまう虞を解消することができる。
【００３４】
また、前記実施の形態においては、薄膜形成装置の成膜チャンバの内面を構成する部材および成膜チャンバの内部に配置された部材の表面に予め金属を溶射しておき、酸素を含有した金属膜を形成しておく例について説明したが、液晶ディスプレイにおいて液晶物質制御用電極として用いられるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜を成膜する成膜装置の成膜チャンバの内面を構成する部材および成膜チャンバの内部に配置された部材の表面に予め金属を溶射しておき、酸素を含有した金属膜を形成しておいてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
本発明の半導体装置の製造方法は、酸素に対して活性な物質を材料として用いる半導体装置の製造工程に広く適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造工程中にて用いる薄膜形成装置であるスパッタリング装置の一例を示す説明図である。
【図２】図１に示したスパッタリング装置が有する成膜チャンバの内部構造を説明する要部断面図である。
【図３】図１に示したスパッタリング装置が有する成膜チャンバの内部の要部を拡大して示した断面図である。
【図４】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造方法を説明する要部断面図である。
【図５】図４に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図６】図５に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図７】図６に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図８】図７に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【符号の説明】
【００３７】
１ 基板
２ 素子分離溝
３ 酸化シリコン膜
４ ｐ型ウエル
５ ｎ型ウエル
６ ゲート酸化膜
７ 多結晶シリコン膜
７Ｗ ＷＳｉx膜
８ ゲート電極
９ ｎ型半導体領域（ソース、ドレイン）
１０ ｐ型半導体領域（ソース、ドレイン）
１１ 層間絶縁膜
１２ コンタクトホール
１３ プラグ
１４ 配線
１４Ａ Ｔｉ膜
１４Ｂ Ａｌ合金膜
１４Ｃ 窒化チタン膜
１５ 層間絶縁膜
１６ プラグ
１７ 配線
ＤＧ１、ＤＧ２ デガスチャンバ
ＤＰＣ１〜ＤＰＣ３ 成膜チャンバ（第１の処理室）
ＥＸＳ 排気シールド
ＧＤＢ ガス分散板
ＨＬＤ ホルダ
ＬＬ１、ＬＬ２ ロードロックチャンバ
ＭＦ１ 金属膜（第１の金属膜）
ＯＦ１ 酸化膜
ＰＫＰ パッキングプレート
Ｑｎ ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ
Ｑｐ ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ
ＲＣＫ リングチャック
ＳＥＣ スパッタエッチングチャンバ
ＴＧＳ ターゲットシールド
ＴＧＴ ターゲット
ＴＲ１ 搬送室
ＴＲＢ１ 搬送ロボット
ＷＦＲ ウエハ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、金属薄膜を成膜する薄膜形成装置を用いた半導体装置の製造工程に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特許２５６８１４１号公報（特許文献１）には、電解銅箔のマット面に銅酸化物微細粒を含む酸素含有層を形成またはさらにそれを酸素含有雰囲気中で加熱処理することで酸素富化層を形成した発火防止性パーティクルゲッターを薄膜形成装置内に配置し、酸素に対して非常に活性であるチタン等の金属、合金、化合物の堆積層をパーティクルゲッターから剥離および飛散しないように固着し、同時に堆積物中に基板表面の酸素含有層または酸素富化層からの酸素を吸収および拡散させ、堆積層を酸素に対して不活性化することにより、装置開放時あるいは堆積物保管時の発火問題を排除する技術が開示されている。
【０００３】
特開平１１−３４０１４３号公報（特許文献２）には、成膜室内に冶具が設置される薄膜形成装置において、その冶具の表面に対してアルミニウムを溶射することによって凸形状を形成し、冶具に付着する成膜生成物の密着力を向上させることによって、成膜中における異物の発生を抑制する技術が開示されている。
【特許文献１】特許２５６８１４１号公報
【特許文献２】特開平１１−３４０１４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
薄膜形成装置による半導体基板（以下、単に基板と記す）への成膜処理工程中には、成膜処理室（以降、チャンバと記す）内の部品にも薄膜を形成する微粒子が堆積する。この微粒子が、Ｔｉ（チタン）等の高反応性の金属微粒子であった場合には、薄膜形成装置のメンテナンス時に衝撃や摩擦を加えると発火してしまう虞があることから、たとえば薄膜形成装置の構成部品の慎重な取り外しや取り外した部品の保管は水中にて行っていた。
【０００５】
ところで、上記特許文献１に記載されたパーティクルゲッターは、エンボス加工が施された板状材料である。そのため、チャンバ内の微小な部品やコリメータのようなハニカム構造体には固着させることが困難であるという課題を有している。
【０００６】
本発明の目的は、薄膜形成装置のメンテナンス時に発火してしまうことを防ぐことのできる技術を提供することにある。
【０００７】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【０００９】
本発明による半導体装置の製造方法は、第１の処理装置を用い、前記第１の処理装置が有する第１の処理室内にて半導体基板上に酸素に対して活性な薄膜を堆積する工程を含むものであり、
前記薄膜を堆積する工程に先立って、予め前記第１の処理室の内面となる第１の部材および前記第１の処理室内に配置された第２の部材の表面に第１の金属を溶射し、第１の金属膜を形成しておくものである。
【発明の効果】
【００１０】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１１】
すなわち、第１の処理装置の第１の処理室の内面を構成する第１の部材および第１の処理室の内部に配置された第２の部材の表面に予め第１の金属を溶射しておき、酸素を含有した金属膜を形成しておくので、第１の処理装置のメンテナンス時に発火してしまうことを防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１３】
図１は、本実施の形態で用いる薄膜形成装置（第１の処理装置）の一例であるスパッタリング装置を示す説明図である。図１に示すスパッタリング装置は、搬送室ＴＲ１内に搬送ロボットＴＲＢ１が設けられ、この搬送ロボットＴＲＢ１がスパッタリング装置に備え付けられた各チャンバへの半導体ウエハ（以下、単にウエハと記す）の搬送を行う。スパッタリング装置に備え付けられたチャンバは、たとえばロードロックチャンバＬＬ１、ＬＬ２、デガスチャンバＤＧ１、ＤＧ２、スパッタエッチングチャンバＳＥＣ、および成膜チャンバ（第１の処理室）ＤＰＣ１〜ＤＰＣ３である。スパッタリング装置に備え付けられたチャンバは、たとえばロードロックチャンバＬＬ１、ＬＬ２、デガスチャンバＤＧ１、ＤＧ２、スパッタエッチングチャンバＳＥＣ、および成膜チャンバＤＰＣ１〜ＤＰＣ３である。ロードロックチャンバＬＬ１には、スパッタリング処理前の複数枚のウエハがウエハカセットに収納された状態で搬送および配置され、ロードロックチャンバＬＬ１内は、ウエハカセットが配置されると真空状態にされる。デガスチャンバＤＧ１では、ロードロックチャンバＬＬ１から搬送ロボットＴＲＢ１によって取り出されたウエハが搬送され、ウエハに対するデガス処理が施され、ウエハに付着している不必要な水分等が除去される。また、デガスチャンバＤＧ１では、ウエハに形成されたオリエンテーションフラットの位置合わせが行われ、ウエハの向きが揃えられる。成膜チャンバＤＰＣ１〜ＤＰＣ３では、ウエハにスパッタリング処理が施され、ウエハの表面に所定の薄膜（たとえばＴｉ膜）が成膜される。成膜チャンバＤＰＣ１〜ＤＰＣ３でスパッタリング処理が施された後のウエハは、ロードロックチャンバＬＬ２内に配置されたウエハカセットに収納される。スパッタエッチングチャンバＳＥＣでは、ウエハに対してスパッタエッチング処理が施される。
【００１４】
図２は、上記成膜チャンバＤＰＣ１〜ＤＰＣ３の内部の構造を説明する要部断面図である。図２に示すように、成膜チャンバＤＰＣ１〜ＤＰＣ３は、ターゲットＴＧＴ、ターゲットを保持するパッキングプレートＰＫＰ、ターゲットシールドＴＧＳ、排気シールドＥＸＳ、ガス分散板ＧＤＢ、リングチャックＲＣＫ、およびウエハＷＦＲを下部から保持するホルダＨＬＤなどから構成されている。図示は省略するが、ターゲットから飛び出す金属微粒子の指向性を高めるために、たとえば成膜チャンバＤＰＣ１〜ＤＰＣ３の内部にハニカム構造のコリメータを配置してもよい。ターゲットＴＧＴは、たとえば薄膜を形成する物質であるＴｉから形成されている。パッキングプレートＰＫＰは、たとえばＡｌ（アルミニウム）等から形成されている。ターゲットシールドＴＧＳ、排気シールドＥＸＳ、ガス分散板ＧＤＢ、およびリングチャックＲＣＫは、たとえばステンレス鋼（ＳＵＳ３０４）等から形成されている。
【００１５】
本実施の形態において、ウエハＷＦＲ上に堆積する薄膜が、たとえばＴｉ、Ｎｉ（ニッケル）およびＣｏ（コバルト）などの酸素に対して活性な（高い反応性を有する）材質である場合には、成膜チャンバＤＰＣ１〜ＤＰＣ３の内面を構成する部材（第１の部材）もしくは成膜チャンバＤＰＣ１〜ＤＰＣ３の内部（第２の部材）に配置された部材であるターゲットシールドＴＧＳ、排気シールドＥＸＳ、ガス分散板ＧＤＢ、およびリングチャックＲＣＫ等については、予め表面に金属（第１の金属）を溶射しておき、酸素を含有した金属膜を形成しておく。本実施の形態では、その金属としてＡｌを例示することができる。金属の溶射は、形成される金属膜が酸素を良好に含有するように、酸素が十分に存在する雰囲気中にて行う。成膜処理中には、薄膜を形成する微粒子はウエハＷＦＲ上だけでなくターゲットシールドＴＧＳ、排気シールドＥＸＳ、ガス分散板ＧＤＢ、およびリングチャックＲＣＫ等にも堆積していくが、図３に示すように、ターゲットシールドＴＧＳ、排気シールドＥＸＳ、ガス分散板ＧＤＢ、およびリングチャックＲＣＫ等の表面には予め酸素を含有した金属膜（第１の金属膜）ＭＦ１が形成されているので、堆積した微粒子中に金属膜ＭＦ１中の酸素が拡散し、酸化膜ＯＦ１を形成する。それにより、酸素に対して活性な微粒子は不活性な状態（化学的に安定な状態）へ変化する。その結果、スパッタリング装置のメンテナンス時において、スパッタリング装置を構成する各部品が大気開放され、衝撃や摩擦が加えられても発火してしまう虞を解消することができる。すなわち、スパッタリング装置のメンテナンスを容易にかつ安全に実施することが可能となる。
【００１６】
上記金属膜ＭＦ１は溶射によって成膜するので、表面が微小な構造となっている個所や曲面となっている個所にも容易に成膜することができる。また、成膜チャンバＤＰＣ１〜ＤＰＣ３の内部に前述のコリメータが配置される場合でも、ハニカム構造のような複雑な構造部にも容易に金属膜ＭＦ１を成膜することができる。
【００１７】
上記本実施の形態においては、金属膜ＭＦ１はＡｌの溶射によって形成する場合について説明したが、Ａｌの代わりに、Ｎｉ（ニッケル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｃｕ（銅）、Ｎｉ合金、Ｃｕ合金、Ａｌ2Ｏ3（アルミナセラミック）、ＴｉＯ2（チタニア）、Ｃｒ2Ｏ3（酸化クロム）、ＺｒＯ2−ＭｇＯ（ジルコニア）、またはＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3（ジルコニア）等を溶射して形成してもよい。
【００１８】
次に、上記の本実施の形態のスパッタリング装置を用いた半導体装置の製造工程について図４〜図８を用いて説明する。
【００１９】
まず、図４に示すように、比抵抗が１０Ωｃｍ程度の単結晶シリコンからなる基板１（ウエハＷＦＲ）を８５０℃程度で熱処理して、その主面に膜厚１０ｎｍ程度の薄い酸化シリコン膜（パッド酸化膜）を形成する。次いで、この酸化シリコン膜の上に膜厚１２０ｎｍ程度の窒化シリコン膜をＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法で堆積した後、フォトレジスト膜をマスクにしたドライエッチングで素子分離領域の窒化シリコン膜と酸化シリコン膜とを除去する。酸化シリコン膜は、後の工程で素子分離溝の内部に埋め込まれる酸化シリコン膜をデンシファイ（焼き締め）するときなどに基板に加わるストレスを緩和する目的で形成される。また、窒化シリコン膜は酸化されにくい性質を持つので、その下部（活性領域）の基板表面の酸化を防止するマスクとして利用される。
【００２０】
続いて、窒化シリコン膜をマスクにしたドライエッチングで素子分離領域の基板１に深さ３５０ｎｍ程度の素子分離溝２を形成した後、エッチングで素子分離溝２の内壁に生じたダメージ層を除去するために、基板１を１０００℃程度で熱処理して溝の内壁に膜厚１０ｎｍ程度の薄い酸化シリコン膜を形成する。
【００２１】
続いて、ＣＶＤ法にて半導体基板１上に酸化シリコン膜３を堆積した後、この酸化シリコン膜３の膜質を改善するために、半導体基板１を熱処理して酸化シリコン膜３をデンシファイ（焼き締め）する。その後、窒化シリコン膜をストッパに用いた化学的機械研磨（Chemical Mechanical Polishing；ＣＭＰ）法でその酸化シリコン膜３を研磨して素子分離溝２の内部に残すことにより、表面が平坦化された素子分離領域を形成する。
【００２２】
続いて、熱リン酸を用いたウェットエッチングで半導体基板１の活性領域上に残った窒化シリコン膜を除去した後、半導体基板１のｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴを形成する領域にＢ（ホウ素）をイオン注入してｐ型ウエル４を形成する。次いで、半導体基板１のｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴを形成する領域にＰ（リン）をイオン注入してｎ型ウエル５を形成する。
【００２３】
ここで、ｎ型ウエル５を形成するＰは、前述のＴｉ同様に酸素に対して活性な（高い反応性を有する）物質（第１の物質）である。そこで、本実施の形態においては、Ｐのイオン注入を行うイオン注入装置のチャンバ（処理室）内面を構成する部材およびチャンバの内部に配置された部材についても予め表面にＡｌなどの金属を溶射しておき、酸素を含有した金属膜を形成しておく。Ｐはチャンバ内面を構成する部材およびチャンバの内部に配置された部材にも付着するが、イオン注入装置のチャンバ内面を構成する部材もしくはチャンバの内部に配置された部材の表面に付着したＰ中に金属膜中の酸素が拡散し、Ｐを酸素に対して不活性な状態（化学的に安定な状態）へ変化させる。その結果、Ｐのイオン注入を行うイオン注入装置のメンテナンス時において、イオン注入装置を構成する各部品が大気開放され、衝撃や摩擦が加えられても発火してしまう虞を解消することができる。すなわち、イオン注入装置のメンテナンスを容易にかつ安全に実施することが可能となる。
【００２４】
次に、半導体基板１を熱処理することによって、ｐ型ウエル４およびｎ型ウエル５の表面にゲート酸化膜６を形成する。
【００２５】
次に、図５に示すように、たとえばＰをドープした低抵抗の多結晶シリコン膜７を堆積する。次いで、たとえばＣＶＤ法で多結晶シリコン膜７上にＷＳｉx（タングステンシリサイド）膜７Ｗを堆積する。ここで、このＷＳｉx膜７Ｗも、前述のＴｉ同様に酸素に対して活性な（高い反応性を有する）物質である。そこで、本実施の形態においては、ＷＳｉx膜７Ｗの成膜処理を行うＣＶＤ装置の成膜チャンバの内面を構成する部材および成膜チャンバの内部に配置された部材についても予め表面にＡｌなどの金属を溶射しておき、酸素を含有した金属膜を形成しておく。ＷＳｉx膜７Ｗは成膜チャンバの内面を構成する部材もしくは成膜チャンバの内部に配置された部材の表面にも堆積するが、成膜チャンバの内面を構成する部材もしくは成膜チャンバの内部に配置された部材の表面に堆積したＷＳｉx膜７Ｗ中に金属膜中の酸素が拡散し、ＷＳｉx膜７Ｗを酸素に対して不活性な状態（化学的に安定な状態）へ変化させる。その結果、ＷＳｉx膜７Ｗの成膜処理を行うＣＶＤ装置のメンテナンス時において、ＣＶＤ装置を構成する各部品が大気開放され、衝撃や摩擦が加えられても発火してしまう虞を解消することができる。すなわち、ＣＶＤ装置のメンテナンスを容易にかつ安全に実施することが可能となる。
【００２６】
次に、図６に示すように、たとえばＣＶＤ法により上記ＷＳｉx膜７Ｗ上に酸化シリコン膜を堆積する。次いで、フォトリソグラフィ技術によりパターニングされたフォトレジスト膜（図示は省略）をマスクとしたドライエッチングによりその酸化シリコン膜、ＷＳｉx膜７Ｗ、多結晶シリコン膜７およびゲート酸化膜６をパターニングすることにより、ＷＳｉx膜７Ｗおよび多結晶シリコン膜７からなるゲート電極８を形成することができる。
【００２７】
次に、たとえばｐ型ウエル４にＡｓ（ヒ素）をイオン注入することよってｎ型半導体領域（ソース、ドレイン）９を形成し、ｎ型ウエル５にＢをイオン注入することによってｐ型半導体領域（ソース、ドレイン）１０を形成する。ここまでの工程によって、ｐ型ウエル４にｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ（Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor）Ｑｎが形成され、ｎ型ウエル５にｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｐを形成することができる。
【００２８】
次に、図７に示すように、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎおよびｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｐの上部に層間絶縁膜１１を形成し、続いてフォトレジスト膜をマスクにして層間絶縁膜１１をドライエッチングすることにより、ｎ型半導体領域（ソース、ドレイン）９およびｐ型半導体領域（ソース、ドレイン）１０の上部にコンタクトホール１２を形成する。次いで、コンタクトホール１２内を含む基板１上に、スパッタリング法により、たとえば窒化チタン膜を堆積する。続いて、ＣＶＤ法により、基板１上にＷ（タングステン）膜を堆積し、コンタクトホール１２をそのＷ膜で埋め込む。その後、コンタクトホール１２以外の層間絶縁膜１１上の窒化チタン膜およびＷ膜を、たとえばＣＭＰ法により除去し、プラグ１３を形成する。
【００２９】
次に、層間絶縁膜１１の上部にＴｉ膜１４Ａ、Ａｌ合金膜１４Ｂおよび窒化チタン膜１４Ｃを順次堆積する。本実施の形態において、Ｔｉ膜１４Ａの堆積には図１〜図３を用いて説明したスパッタリング装置を用いる。次いで、フォトリソグラフィ技術によりパターニングされたフォトレジスト膜（図示は省略）をマスクとしたドライエッチングによりそのＴｉ膜１４Ａ、Ａｌ合金膜１４Ｂおよび窒化チタン膜１４Ｃをパターニングすることにより、Ｔｉ膜１４Ａ、Ａｌ合金膜１４Ｂおよび窒化チタン膜１４Ｃの積層膜からなる配線１４を形成することができる。
【００３０】
本実施の形態では、配線をＴｉ膜１４Ａ、Ａｌ合金膜１４Ｂおよび窒化チタン膜１４Ｃの３層の薄膜から形成する場合について説明したが、ＭｏＳｉ（モリブデンシリサイド）膜、Ａｌ合金膜１４ＢおよびＭｏＳｉ膜の３層の薄膜、もしくはＴｉＷ（チタンタングステン）膜、Ａｌ合金膜１４ＢおよびＴｉＷ膜の３層の薄膜から形成してもよい。ここで、ＭｏＳｉ膜およびＴｉＷ膜についてもＴｉ膜１４Ａ同様に酸素に対して活性な（高い反応性を有する）物質である。そこで、本実施の形態においては、これらＭｏＳｉ膜およびＴｉＷ膜を堆積する際にも図１〜図３を用いて説明したスパッタリング装置を用いる。それにより、ＭｏＳｉ膜およびＴｉＷ膜の成膜処理を行うスパッタリング装置のメンテナンス時において、スパッタリング装置を構成する各部品が大気開放され、衝撃や摩擦が加えられても発火してしまう虞を解消することができる。
【００３１】
次に、図８に示すように、たとえばＣＶＤ法によって基板１上に酸化シリコン膜を堆積することによって層間絶縁膜１５を形成した後、上記プラグ１３および配線１４を形成した工程と同様の工程によってプラグ１６および配線１７を形成し、本実施の形態の半導体装置を製造する。なお、図８を用いて説明した工程を繰り返すことによって、さらに多層に配線を形成してもよい。
【００３２】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００３３】
たとえば、前記実施の形態においては、薄膜形成装置の成膜チャンバの内面を構成する部材および成膜チャンバの内部に配置された部材の表面に予め金属を溶射しておき、酸素を含有した金属膜を形成しておく例について説明したが、薄膜形成装置内に配置された搬送ロボットの表面にＡｌ等の金属膜を溶射によって形成しておいてもよい。それにより、搬送ロボットに酸素に対して活性な物質が付着しても、搬送ロボットのメンテナンス時に発火してしまう虞を解消することができる。
【００３４】
また、前記実施の形態においては、薄膜形成装置の成膜チャンバの内面を構成する部材および成膜チャンバの内部に配置された部材の表面に予め金属を溶射しておき、酸素を含有した金属膜を形成しておく例について説明したが、液晶ディスプレイにおいて液晶物質制御用電極として用いられるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜を成膜する成膜装置の成膜チャンバの内面を構成する部材および成膜チャンバの内部に配置された部材の表面に予め金属を溶射しておき、酸素を含有した金属膜を形成しておいてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
本発明の半導体装置の製造方法は、酸素に対して活性な物質を材料として用いる半導体装置の製造工程に広く適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造工程中にて用いる薄膜形成装置であるスパッタリング装置の一例を示す説明図である。
【図２】図１に示したスパッタリング装置が有する成膜チャンバの内部構造を説明する要部断面図である。
【図３】図１に示したスパッタリング装置が有する成膜チャンバの内部の要部を拡大して示した断面図である。
【図４】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造方法を説明する要部断面図である。
【図５】図４に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図６】図５に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図７】図６に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図８】図７に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【符号の説明】
【００３７】
１ 基板
２ 素子分離溝
３ 酸化シリコン膜
４ ｐ型ウエル
５ ｎ型ウエル
６ ゲート酸化膜
７ 多結晶シリコン膜
７Ｗ ＷＳｉx膜
８ ゲート電極
９ ｎ型半導体領域（ソース、ドレイン）
１０ ｐ型半導体領域（ソース、ドレイン）
１１ 層間絶縁膜
１２ コンタクトホール
１３ プラグ
１４ 配線
１４Ａ Ｔｉ膜
１４Ｂ Ａｌ合金膜
１４Ｃ 窒化チタン膜
１５ 層間絶縁膜
１６ プラグ
１７ 配線
ＤＧ１、ＤＧ２ デガスチャンバ
ＤＰＣ１〜ＤＰＣ３ 成膜チャンバ（第１の処理室）
ＥＸＳ 排気シールド
ＧＤＢ ガス分散板
ＨＬＤ ホルダ
ＬＬ１、ＬＬ２ ロードロックチャンバ
ＭＦ１ 金属膜（第１の金属膜）
ＯＦ１ 酸化膜
ＰＫＰ パッキングプレート
Ｑｎ ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ
Ｑｐ ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ
ＲＣＫ リングチャック
ＳＥＣ スパッタエッチングチャンバ
ＴＧＳ ターゲットシールド
ＴＧＴ ターゲット
ＴＲ１ 搬送室
ＴＲＢ１ 搬送ロボット
ＷＦＲ ウエハ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の処理装置を用い、前記第１の処理装置が有する第１の処理室内にて半導体基板上に酸素に対して活性な薄膜を堆積する工程を含む半導体装置の製造方法であって、
前記薄膜を堆積する工程に先立って、予め前記第１の処理室の内面となる第１の部材および前記第１の処理室内に配置された第２の部材の表面に第１の金属を溶射し、酸素を含んだ第１の金属膜を形成しておくことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
第１の処理装置を用い、前記第１の処理装置が有する第１の処理室内にて半導体基板上に酸素に対して活性な薄膜を堆積する工程を含む半導体装置の製造方法であって、
前記薄膜を堆積する工程に先立って、予め前記第１の処理室の内面となる第１の部材および前記第１の処理室内に配置された第２の部材の表面にアルミニウムを主成分とする第１の金属を溶射し、酸素を含んだ第１の金属膜を形成しておくことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
第１の処理装置を用い、前記第１の処理装置が有する第１の処理室内にて半導体基板上に酸素に対して活性な薄膜を堆積する工程を含む半導体装置の製造方法であって、
前記薄膜は、チタンを主成分とし、
前記薄膜を堆積する工程に先立って、予め前記第１の処理室の内面となる第１の部材および前記第１の処理室内に配置された第２の部材の表面にアルミニウムを主成分とする第１の金属を溶射し、酸素を含んだ第１の金属膜を形成しておくことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
第１の処理装置を用い、前記第１の処理装置が有する第１の処理室内にて半導体基板に酸素に対して活性な第１の物質を導入する工程を含む半導体装置の製造方法であって、
前記第１の物質を導入する工程に先立って、予め前記第１の処理室の内面となる第１の部材および前記第１の処理室内に配置された第２の部材の表面に第１の金属を溶射し、酸素を含んだ第１の金属膜を形成しておくことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
第１の処理装置を用い、前記第１の処理装置が有する第１の処理室内にて半導体基板に酸素に対して活性な第１の物質を導入する工程を含む半導体装置の製造方法であって、
前記第１の物質を導入する工程に先立って、予め前記第１の処理室の内面となる第１の部材および前記第１の処理室内に配置された第２の部材の表面にアルミニウムを主成分とする第１の金属を溶射し、酸素を含んだ第１の金属膜を形成しておくことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１】
第１の処理装置を用い、前記第１の処理装置が有する第１の処理室内にて半導体基板上に酸素に対して活性な薄膜を堆積する工程を含む半導体装置の製造方法であって、
前記薄膜を堆積する工程に先立って、予め前記第１の処理室の内面となる第１の部材および前記第１の処理室内に配置された第２の部材の表面に第１の金属を溶射し、酸素を含んだ第１の金属膜を形成しておくことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
第１の処理装置を用い、前記第１の処理装置が有する第１の処理室内にて半導体基板上に酸素に対して活性な薄膜を堆積する工程を含む半導体装置の製造方法であって、
前記薄膜を堆積する工程に先立って、予め前記第１の処理室の内面となる第１の部材および前記第１の処理室内に配置された第２の部材の表面にアルミニウムを主成分とする第１の金属を溶射し、酸素を含んだ第１の金属膜を形成しておくことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
第１の処理装置を用い、前記第１の処理装置が有する第１の処理室内にて半導体基板上に酸素に対して活性な薄膜を堆積する工程を含む半導体装置の製造方法であって、
前記薄膜は、チタンを主成分とし、
前記薄膜を堆積する工程に先立って、予め前記第１の処理室の内面となる第１の部材および前記第１の処理室内に配置された第２の部材の表面にアルミニウムを主成分とする第１の金属を溶射し、酸素を含んだ第１の金属膜を形成しておくことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
第１の処理装置を用い、前記第１の処理装置が有する第１の処理室内にて半導体基板に酸素に対して活性な第１の物質を導入する工程を含む半導体装置の製造方法であって、
前記第１の物質を導入する工程に先立って、予め前記第１の処理室の内面となる第１の部材および前記第１の処理室内に配置された第２の部材の表面に第１の金属を溶射し、酸素を含んだ第１の金属膜を形成しておくことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
第１の処理装置を用い、前記第１の処理装置が有する第１の処理室内にて半導体基板に酸素に対して活性な第１の物質を導入する工程を含む半導体装置の製造方法であって、
前記第１の物質を導入する工程に先立って、予め前記第１の処理室の内面となる第１の部材および前記第１の処理室内に配置された第２の部材の表面にアルミニウムを主成分とする第１の金属を溶射し、酸素を含んだ第１の金属膜を形成しておくことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２００６−８３４３０（Ｐ２００６−８３４３０Ａ）
【公開日】平成１８年３月３０日（２００６．３．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−２６９４８２（Ｐ２００４−２６９４８２）
【出願日】平成１６年９月１６日（２００４．９．１６）
【出願人】（５０３１２１１０３）株式会社ルネサステクノロジ (4,790)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年３月３０日（２００６．３．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年９月１６日（２００４．９．１６）
【出願人】（５０３１２１１０３）株式会社ルネサステクノロジ (4,790)
【Ｆターム（参考）】
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