印刷方法および表示装置の製造方法
【課題】印刷パターンの膜厚によらずに従来よりも鮮明な印刷を行うことが可能な印刷方法を提供する。
【解決手段】平板ブランケット１上のインク２に対してモールド５の突起部５１を押し当てることにより、突起部５１に対応するパターンからなる溝部２１をインク２上に形成する。そののち、平板ブランケット１上のインク２と凸版３とを加圧接触させることにより、インク２のうちの凸部３１に対応する部分を選択的に除去し、平板ブランケット１上に印刷パターン層２Ａを形成する。これにより、インク２（印刷パターン層２Ａ）の膜厚が大きい場合であっても、インク２のうちの凸部３１に対応する部分が容易に剪断される。
【解決手段】平板ブランケット１上のインク２に対してモールド５の突起部５１を押し当てることにより、突起部５１に対応するパターンからなる溝部２１をインク２上に形成する。そののち、平板ブランケット１上のインク２と凸版３とを加圧接触させることにより、インク２のうちの凸部３１に対応する部分を選択的に除去し、平板ブランケット１上に印刷パターン層２Ａを形成する。これにより、インク２（印刷パターン層２Ａ）の膜厚が大きい場合であっても、インク２のうちの凸部３１に対応する部分が容易に剪断される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ブランケットおよび凸版を用いた印刷方法およびそのような印刷方法を用いた表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、プリンタブルエレクトロニクスと呼ばれる技術分野の発展が目覚しい。このプリンタブルエレクトロニクスにおける目的は、これまで半導体製造技術を駆使して生産されてきた高価な電子部品を、印刷法やナノインプリント法を用いて製造することにより、安価に製造することである。また、他の目的としては、基板をフィルムに置き換えることによって、フレキシブルなデバイスを提供することである。
【０００３】
そこで、従来、様々な印刷方法が提案されている（例えば、特許文献１および非特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３６８９５３６号公報
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】Youn-Gyoung，他８名、「Design Parameters of Roll Printing Process for TFT-LCD Fabrication」、SID08 GIGEST、ｐ．６３７−６４０、２００８年
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献１では、反転オフセット印刷法を用いることにより、レジスト材料などの樹脂を精密に印刷する方法が提案されている。具体的には、カラーフィルター用の樹脂をインクとして用いることにより、０．８μｍの膜厚からなる印刷パターンを得ている。その解像度については詳細に触れられていないが、液晶ディスプレイ用のカラーフィルターであることから、最小でも５０μｍ程度の線幅を対象にしていると推察される。また、同文献には、「１０μｍへの対応も可能であることを示している」と記載されていることから、この印刷手法の限界点は、１０μｍ前後であると推測される。
【０００７】
また、上記非特許文献１では、反転オフセット印刷法を利用した薄膜トランジスタの形成方法が提案されている。ここでは、１μｍ程度の膜厚のレジストパターンの印刷をする場合に、印刷の方向に依存して、０．５〜４．０μｍ程度のパターンエッジの不鮮明さが現れることが確認されている。
【０００８】
このように従来の技術では、樹脂や有機溶剤などで構成されるインク等を印刷する場合に、膜厚の増加に伴って印刷パターンの鮮明さが低下してしまうという問題があった。
【０００９】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、印刷パターンの膜厚によらずに従来よりも鮮明な印刷を行うことが可能な印刷方法、およびそのような印刷方法を用いた表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の印刷方法は、ブランケット上に転写層を形成する工程と、所定のパターンからなる突起部を有する成形部材における突起部を転写層に対して押し当てることにより、転写層上に突起部に対応するパターンからなる溝部を形成する成形工程と、ブランケット上の転写層と、突起部の反転パターンに対応するパターンからなる凸部を有する凸版とを互いに向かい合わせて加圧接触させることにより、転写層のうちの凸部に対応する部分を選択的に除去してブランケット上に印刷パターン層を形成する第１転写工程と、ブランケット上の印刷パターン層と被印刷基板とを互いに向かい合わせて加圧接触させることにより、印刷パターン層を被印刷基板上に転写させる第２転写工程とを含むようにしたものである。なお、上記「溝部」は、細長い形状のパターンには限られず、任意のパターンとすることができる。
【００１１】
本発明の表示装置の製造方法は、基板上に、表示素子と、この表示素子を駆動する薄膜トランジスタとを形成する工程を含み、上記薄膜トランジスタを形成する工程が、ブランケット上に転写層を形成する工程と、所定のパターンからなる突起部を有する成形部材における突起部を転写層に対して押し当てることにより、転写層上に突起部に対応するパターンからなる溝部を形成する成形工程と、ブランケット上の転写層と、突起部の反転パターンに対応するパターンからなる凸部を有する凸版とを互いに向かい合わせて加圧接触させることにより、転写層のうちの凸部に対応する部分を選択的に除去してブランケット上に印刷パターン層を形成する第１転写工程と、ブランケット上の印刷パターン層と、被印刷基板としての基板とを互いに向かい合わせて加圧接触させることにより、印刷パターン層を基板上に転写させる第２転写工程と、印刷パターン層を用いて薄膜を形成する工程とを含むようにしたものである。
【００１２】
本発明の印刷方法および表示装置の製造方法では、ブランケット上の転写層に対して成形部材の突起部が押し当てられることにより、突起部に対応するパターンからなる溝部が転写層上に形成される（成形工程）。そののち、ブランケット上の転写層と凸部を有する凸版とが互いに向かい合わされて加圧接触されることにより、転写層のうちの凸部に対応する部分が選択的に除去され、ブランケット上に印刷パターン層が形成される（第１転写工程）。そして、ブランケット上の印刷パターン層と被印刷基板とが互いに向かい合わされて加圧接触されることにより、印刷パターン層が被印刷基板上に転写される（第２転写工程）。このようにして、成形部材を用いて転写層上に溝部が形成されたのちに凸版を用いて第１転写工程が行われることにより、転写層（印刷パターン層）の膜厚が大きい場合であっても、転写層のうちの凸部に対応する部分が従来と比べて容易に剪断される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の印刷方法および表示装置の製造方法によれば、ブランケット上の転写層に対して成形部材の突起部を押し当てることにより、突起部に対応するパターンからなる溝部を転写層上に形成したのち、ブランケット上の転写層と凸部を有する凸版とが互いに向かい合わせて加圧接触させることにより、転写層のうちの凸部に対応する部分を選択的に除去してブランケット上に印刷パターン層を形成するようにしたので、転写層（印刷パターン層）の膜厚が大きい場合であっても、転写層のうちの凸部に対応する部分を容易に剪断することができる。よって、印刷パターンの膜厚によらず、従来よりも鮮明な印刷を行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一実施の形態に係る印刷方法の主要な工程の一部を表す断面図である。
【図２】図１に示したモールドの詳細構成を拡大して表す断面図である。
【図３】図１に続く工程を表す断面図である。
【図４】インク上に形成されたスリット間の間隔と凸版における凸部の幅との関係を説明するための断面図である。
【図５】平板ブランケットと凸版との接触方法の一例を表す断面図である。
【図６】図３に続く工程を表す断面図である。
【図７】比較例に係る印刷方法の工程の一部を表す断面図である。
【図８】比較例および実施の形態に係る印刷方法における第１転写工程の際のインクの分断態様について説明するための断面図である。
【図９】本発明の変形例に係る印刷方法の工程の一部を表す断面図である。
【図１０】図９に示した印刷方法における第１転写工程の際のインクの分断態様について表す断面図である。
【図１１】図９に示した印刷方法により形成される印刷パターンの一例を表す断面図である。
【図１２】本発明の印刷方法を用いた薄膜トランジスタの形成方法の主要な工程の一部を表す断面図である。
【図１３】図１２に示した工程の一部を表す上面図である。
【図１４】図１２に続く工程を表す断面図である。
【図１５】図１４に示した工程の一部を表す上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態（モールドを用いた印刷方法の工程例）
２．実施例
３．変形例および適用例
【００１６】
＜１．実施の形態＞
［モールドを用いた印刷方法の工程例］
図１〜図５は、本発明の一実施の形態に係る印刷方法について説明するための断面図である。
【００１７】
（転写層の形成工程（塗布工程））
まず、図１（Ａ）に示したように、平板ブランケット１上にインク２を塗布することにより、平板ブランケット１上に、このインク２からなる転写層を形成する。
【００１８】
平板ブランケット１は、後述する被印刷基板（基板４）との間の良好な接触を実現するため、柔軟な変形が可能となっていることが必要である。したがって、平板ブランケット１の機械的特性として、ヤング率が０．０１〜１０ＭＰａ程度であることが望ましい。また、インク２の塗布性および剥離特性の観点により、平板ブランケット１の表面張力は、１５〜４０ｄｙｎ／ｃｍ程度であることが望ましい。これらの性質を満たすものとして、平板ブランケット１の構成材料は、シリコーンゴムやフッ素樹脂などが挙げられる。
【００１９】
インク２としては、樹脂、金属粉末および酸化物の粉末のうちの少なくとも１つ以上の混合物を用いることができ、溶媒として、０．１〜９０ｗ％程度の低極性溶媒を含むようにする。そのような低極性溶媒としては、例えば、直鎖状アルカン類、芳香族炭化水素類、エーテル類、ハロゲン化アルキル類、エステル化合物および環状エーテル化合物のうちの少なくとも１つ以上含む混合溶媒が挙げられる。なお、インク２の粘度は、常温（２５℃）において１．０〜１５００００ｍＰａ程度であることが望ましい。
【００２０】
なお、平板ブランケット１上にインク２を塗布する方法としては、例えば、スピンコート法、ダイコート法、グラビアコーター法またはＣＡＰコーティング法などが好適である。
【００２１】
（成形工程（モールディング工程））
続いて、図１（Ｂ）に示したように、所定のパターンからなる突起部５１を有するモールド（成形部材）における突起部５１を、平板ブランケット１上のインク２（転写層）に対して押し当てる。これにより、例えば図１（Ｃ）に示したように、モールド５をインク２から離したときに、突起部５１に対応するパターンからなる溝部２１がインク２上に形成される。
【００２２】
モールド５では、インク２をモールドするため、剛性が必要である。具体的には、モールド５の材質としては、ヤング率が１〜５００ＧＰａ程度であるものが望ましい。また、例えば図２中の符号Ｐ１で示したように、基体５０に対する突起部５１の傾斜角α１，α２は、いずれも４５°〜９０°の範囲内であるのが望ましく、特にα１，α２＝９０°であるのが望ましい。モールド時の欠陥が効果的に防止されるからである。
【００２３】
また、モールド５には、インク２からの剥離性が必要である。具体的には、表面張力の低い平面ブランケット１上に塗布されるインク２からの離形性を確保するためには、モールド５は、平板ブランケット１と同様またはそれ以下の表面張力（例えば、１５〜４０ｄｙｎ／ｃｍ程度）を有することが望ましい。
【００２４】
（第１転写工程（除去工程））
次に、図３（Ａ）に示したように、平板ブランケット１と、所定のパターン（突起部５１の反転パターンに対応するパターン）からなる凸部３１を有する凸版３とを、互いに向かい合わせて接触させる。これにより、例えば図３（Ｂ）に示したように、互いに接触された平板ブランケット１と凸版３とが分離すると、インク２のうちの凸部３１に対応する部分（図中のインク２Ｂの部分）が、平板ブランケット１上から選択的に除去される。一方、平板ブランケット１上には、凸版３によって転写されなかった領域にインク２が残留する（図中のインク２Ａの部分）ことにより、平板ブランケット１上に印刷パターン層２Ａが形成される。
【００２５】
凸版３の形状は、図３（Ａ），図４（Ａ）〜（Ｃ）（図３（Ａ）中の符号Ｐ２部分の拡大図に対応）にそれぞれ示したように、インク２を除去するパターン（突起部５１の反転パターン）に対応している。具体的には、まず、図３（Ａ）および図４（Ａ）に示したように、除去するインクパターン（溝部２１間の間隔ｄ２）と凸部３１の幅ｄ３とが同一である場合が挙げられる。ただし、例えば図４（Ｂ）に示したように、除去するインクパターン（溝部２１間の間隔ｄ２）よりも凸部３１の幅ｄ３が小さくなっていてもよい。また、逆に例えば図４（Ｃ）に示したように、インク２が分断されない程度に、除去するインクパターン（溝部２１間の間隔ｄ２）よりも凸部３１の幅ｄ３が大きくなっていてもよい。
【００２６】
また、平板ブランケット１上からインク２を良好に除去するため、凸版３の表面張力は平板ブランケット１より高い必要があり、４０〜８０ｄｙｎ／ｃｍ程度であるのが望ましい。さらに、平板ブランケット１から除去したインク２Ｂを有機溶剤などによって洗浄する際に、凸版３では耐性を有する必要がある。そのため、凸版３の材質としては、酸化物や金属などが望ましい。
【００２７】
なお、平板ブランケット１と凸版３とを接触させる際には、加圧圧縮によって接触させる（圧縮気体加圧法を用いる）ようにする。圧縮気体加圧法とは、平板ブランケット１と凸版３とをそれぞれ向かい合わせて近接しつつ所定のステージ上に固定すると共に、これらのうちの一方の背面側から圧縮気体を噴射させて押し出すことにより、互いに接触させる方法である。このとき、押し出される対象物と圧縮気体の供給源であるステージとの間で形成される空間は、密封されるようになっている（下記図５中の矢印Ｐ４で示した空間）。
【００２８】
具体的には、例えば図５に示したように、平板ブランケット１の外周部を、下部ステージ６１により機械的に固定すると共に、この下部ステージ６１に設けられた開口部６１１Ａ，６１１Ｂにより、図中の符号Ｐ５，Ｐ６で示したように真空吸着させて固定する。また、凸版３を上部ステージ６２により固定し、下部ステージ６１の中心付近に設けられた開口部６１０（真空排気口および圧縮気体導入口として機能する）から圧縮気体を噴射させ、平板ブランケット１を押し出すようにする。なお、この場合において、平板ブランケット１と凸版３とを近接させる距離は１μｍ〜１ｍｍの距離とし、転写圧力は０．１ｋＰａ〜１００ｋＰａ程度として精密に制御する。これにより、平板ブランケット１上で、均一かつ低圧力で制御できるため、押しつぶれのないインク２の転写が可能となる。
【００２９】
（第２転写工程（転写工程））
続いて、図６（Ａ）に示したように、平板ブランケット１上の印刷パターン層２Ａと、被印刷基板としての基板４とを、互いに向かい合わせて接触させる。これにより、例えば図６（Ｂ）に示したように、互いに接触された平板ブランケット１と基板４とが分離すると、印刷パターン層２Ａが基板４上に転写される。なお、平板ブランケット１と基板４とを接触させる際には、前述したように、加圧圧縮によって接触させる（圧縮気体加圧法を用いる）ようにする。
【００３０】
基板４としては、例えば、シリコン、合成石英、ガラス、金属、樹脂または樹脂フィルムなどの材料からなる基板を用いることができる。
【００３１】
以上により、例えば図６（Ｃ）に示したように、基板１上に、凸版３上に凸部３１の反転パターンに対応する印刷パターン層２Ａが形成される。
【００３２】
なお、以上のような印刷方法において、転写層を構成するインク２として、薄膜の形成用材料を用いて形成した場合には、印刷パターン層２Ａを直接、薄膜とすることができる。この場合、薄膜の形成用材料として、例えば、アクリル樹脂、熱可塑性樹脂として知られるエポキシ樹脂、ポリイミド、シロキサンまたはフッ素樹脂などの樹脂を含むものを用いるようにしてもよい。
【００３３】
また、以上のような印刷方法において、図６（Ａ），（Ｂ）に示した第２転写工程の前に基板４上に予め薄膜を一様に形成しておくと共に、この第２転写工程においてその薄膜上に印刷パターン層２Ａを転写させるようにしてもよい。また、この場合、転写層を構成するインク２として、そのような薄膜をエッチングする際のフォトレジスト材料を用いるようにする。このようにした場合も、第２転写工程の後に基板４上の印刷パターン層２Ａを用いて薄膜をエッチングすることにより、印刷パターン層２Ａに対応するパターンからなる薄膜を形成することができる。
【００３４】
［印刷方法の作用および効果］
（比較例）
ここで、比較例に係る従来の印刷方法では、例えば図７（Ａ），（Ｂ）に示したように、本実施の形態の成形工程（モールド工程）が行われない。すなわち、図１（Ａ）に示した転写層の形成工程（塗布工程）の直後に、図７（Ａ），（Ｂ）に示した第１転写工程（除去工程）が行われる。
【００３５】
したがって、例えば図７（Ａ）および図８（Ａ）（図７（Ａ）中の符号Ｐ１０３部分の拡大図に対応）に示したように、インク１０２（印刷パターン層１０２Ａ）の膜厚が大きい場合、凸部３１に対応する部分（インク１０２Ｂの部分）が剪断されにくくなる。すなわち、インク１０２の膜厚に比例して剪断応力が増加するため、切断面が乱雑な形状となってしまう。これにより、インク１０２（印刷パターン層１０２Ａ）の膜厚の増加に伴って、印刷パターンの鮮明さが低下してしまうことになる。
【００３６】
これに対して、本実施の形態の印刷方法では、成形工程（モールド工程）において、平板ブランケット１上のインク２に対してモールド５の突起部５１が押し当てられることにより、突起部５１に対応するパターンからなる溝部２１がインク２上に形成される。そののち、第１転写工程（除去工程）において、平板ブランケット１上のインク２と凸版３とが加圧接触されることにより、インク２のうちの凸部３１に対応する部分が選択的に除去され、平板ブランケット１上に印刷パターン層２Ａが形成される。
【００３７】
このようにして、モールド５を用いてインク２上に溝部２１が形成されたのちに凸版３を用いて第１転写工程が行われることにより、この第１転写工程において不要なインク２Ｂを除去する際に、溝部２１の領域が優先的に分断される。これにより、所望のインク２のパターンの変形が防止されることとなる。したがって、例えば図３（Ｂ）および図８（Ｂ）（図３（Ｂ）中の符号Ｐ３部分の拡大図に対応）に示したように、インク２（印刷パターン層２Ａ）の膜厚が大きい場合であっても、インク２のうちの凸部３１に対応する部分が容易に剪断される。
【００３８】
以上のように本実施の形態では、平板ブランケット１上のインク２に対してモールド５の突起部５１を押し当てることにより、突起部５１に対応するパターンからなる溝部２１をインク２上に形成したのち、平板ブランケット１上のインク２と凸版３とを加圧接触させることにより、インク２のうちの凸部３１に対応する部分を選択的に除去して平板ブランケット１上に印刷パターン層２Ａを形成するようにしたので、インク２（印刷パターン層２Ａ）の膜厚が大きい場合であっても、インク２のうちの凸部３１に対応する部分を容易に剪断することができる。よって、印刷パターンの膜厚によらず、従来よりも鮮明な印刷を行うことが可能となる。
【００３９】
＜２．実施例＞
次に、本発明の具体的な実施例について説明する。ここでは、基板４上に、印刷パターン層２ＡとしてフォトレジストＡＺ１５００（商品名；ＡＺエレクトリックマテリアルズ社製）を印刷した場合の例について説明する。
【００４０】
（転写層の形成工程（塗布工程））
平板ブランケット１は、厚み０．２ｍｍのガラス上に、シリコーンゴム層を用いて２００μｍのスピンコートを行うことにより形成した。インク２としては、フォトレジストＡＺ１５００（２０ｃＰ）（ＡＺエレクトリックマテリアルズ社製）を用いた。また、インク２は、平板ブランケット１上にＣＡＰコーターによって塗布され、その膜厚は３μｍであった。
【００４１】
（成形工程（モールディング工程））
モールド５は、石英ガラスをフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることにより作成した。具体的には、ドライエッチング法により、ライン／スペースが１μｍ／３μｍのパターン作成した。このとき、ラインパターンの高さは、５μｍであった。そののち、モールド５を、フッ素系表面コート剤ＫＰ−８０１Ｍ中に浸漬して乾燥させることにより、撥水化処理を行った。このときのモールド５の表面張力は、２０ｄｙｎ／ｃｍであった。また、モールディング工程は、モールド５と平板ブランケット１とを重ね合わせ、１ＭＰａの圧力で１０分間押し当てることにより行った。そののち、モールド５を平板ブランケット１から剥離すると、モールド５の押し当てられた領域に溝部２１が形成された。
【００４２】
（第１転写工程（除去工程））
凸版３は、石英ガラスをフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることにより作成した。具体的には、ドライエッチング法により、ライン／スペースが３μｍ／４μｍのパターン作成した。このとき、ラインパターンの高さは、１μｍであった。除去工程は、
凸版３と平板ブランケット１とを位置合わせして重ね合わせ、加圧することにより行った。その際、１０ｋＰａの圧力で１分間加圧したのち、それらを互いに剥離させた。これにより、不要なインク２Ｂが平板ブランケット１上から除去され、所望のパターンが平板ブランケット１上に残留した。
【００４３】
（第２転写工程（転写工程））
平板ブランケット１上に残留するインク２Ａのパターンを、基板４としてのガラス基板上に転写させた。具体的には、そのような基板４と平板ブランケット１とを位置合わせして重ね合わせ、加圧することにより転写させた。その際、１０ｋＰａの圧力で１分間加圧したのち、それらを互いに剥離させた。これにより、シリコーンゴム製の平板ブランケット１から、基板４としてのガラス基板上にインク２Ａが転写された。
【００４４】
以上により、ＡＺ１５００の印刷パターンとして、膜厚が３μｍであり、かつパターンの線幅が３μｍである微細パターンが得られた。
【００４５】
＜３．変形例および適用例＞
以上、実施の形態および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態等に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。
【００４６】
例えば、上記実施の形態等では、インク２上に形成される溝部２１が凹部状となっている場合について説明したが、例えば図９に示したように、成形工程において、平板ブランケット１の表面まで貫通するように溝部２１を形成するようにしてもよい。そのように溝部２１が貫通するようにした場合、例えば図１０に示したように、インク２のうちの凸部３１に対応する部分を、より容易に剪断することができる。なお、この場合に形成される印刷パターン層２Ａは、例えば図１１に示したような断面形状となる。
【００４７】
また、上記実施の形態等では、ブランケットの一例として平板ブランケットを挙げて説明したが、本発明の印刷方法では、他の形状のブランケット（例えば、ロール形状のものなど）を用いるようにしてもよい。
【００４８】
さらに、上記実施の形態等において説明した各構成要素の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、また他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
【００４９】
（薄膜トランジスタの形成方法への適用例）
加えて、本発明により形成された印刷パターンは、そのような印刷パターンを用いた電子デバイス（例えば、薄膜トランジスタやキャパシタ）に適用することが可能である。また、そのような薄膜トランジスタ等と表示素子とを備えた表示装置（例えば、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置など）にも適用することが可能である。具体的には、そのような表示装置の製造方法では、薄膜トランジスタを形成する工程において、上記実施の形態等の印刷方法を用いて印刷パターン層２Ａを形成すると共に、そのような印刷パターン層２Ａを用いて薄膜を形成するようにすればよい。
【００５０】
ここで、図１２〜図１５は、本発明の印刷方法を用いた薄膜トランジスタの形成方法の主要な工程の一部を表すものであり、図１２および図１４は断面図を、図１３および図１５は上面図を、それぞれ表している。なお、図１２および図１４中に示した工程のうち、ハッチングされた工程（図１２（Ｃ），図１２（Ｇ），図１４（Ａ），図１４（Ｃ），図１４（Ｅ）に示した工程）が、本発明の印刷方法を用いた工程となっている。
【００５１】
この薄膜トランジスタの形成方法では、まず、基板４上にパッシベーション層７１を形成し（図１２（Ａ））、その後、このパッシベーション層７１上にゲート電極層７２を形成する（図１２（Ｂ））。次に、本発明の印刷方法を用いることにより、ゲート電極層７２上に、ゲート電極用のエッチングレジスト層（図示せず）を印刷し、ウエットエッチングを行う。これにより、パターニングされたゲート電極７２Ａが形成される（図１２（Ｃ），図１３（Ａ））。次いで、パッシベーション層７１およびゲート電極７２Ａの上に、ゲート絶縁膜７３を形成したのち（図１２（Ｄ）、このゲート絶縁膜７３上に、ａ−Ｓｉ／Ｈ（ｉ）層７４を形成する（図１２（Ｅ））。そののち、このａ−Ｓｉ／Ｈ（ｉ）層７４上に、エッチングストッパー層７５を形成する（図１２（Ｆ））。そして、本発明の印刷方法を用いることにより、このエッチングストッパー層７５上に、エッチングストッパー用のレジスト層（図示せず）を印刷し、ウエットエッチングを行う。これにより、チャネル層に対応する領域に、エッチングストッパー層７５Ａが選択的に設けられることになる（図１２（Ｇ），図１３（Ｂ））。次に、ａ−Ｓｉ／Ｈ（ｉ）層７４およびエッチングストッパー層７５Ａの上に、ａ−Ｓｉ／Ｈ（ｎ＋）層７６を形成する（図１２（Ｈ））。
【００５２】
そして、本発明の印刷方法を用いることにより、このａ−Ｓｉ／Ｈ（ｎ＋）層７６上に、ａ−Ｓｉ／Ｈ（ｎ＋，ｉ）層用のレジスト層（図示せず）を印刷し、ドライエッチングを行う。これにより、ゲート電極７２Ａに対応する領域に、ａ−Ｓｉ／Ｈ（ｉ）層７４およびａ−Ｓｉ／Ｈ（ｎ＋）層７６が選択的に設けられることになる（図１４（Ａ））。次に、ゲート絶縁膜７３、ａ−Ｓｉ／Ｈ（ｉ）層７４およびａ−Ｓｉ／Ｈ（ｎ＋）層７６の上に、ソース・ドレイン電極層７７を形成する（図１４（Ｂ））。そして、本発明の印刷方法を用いることにより、このソース・ドレイン電極層７７上に、ソース・ドレイン電極層用のレジスト層（図示せず）を印刷し、ウエットエッチングを行う。これにより、ソース・ドレイン電極７７Ａが形成される（図１４（Ｃ），図１５（Ａ））。次いで、ａ−Ｓｉ／Ｈ（ｎ＋）層７６に対してドライエッチングを行うことにより、エッチングストッパー層７５Ａ上のａ−Ｓｉ／Ｈ（ｎ＋）層７６を選択的に除去する（図１４（Ｄ），図１５（Ｂ））。次に、パッシベーション層７８を形成したのち、本発明の印刷方法を用いることにより、このパッシベーション層７８上に、パッシベーション層用のレジスト層（図示せず）を印刷し、ドライエッチングを行う。以上により、本発明の印刷方法を用いた薄膜トランジスタが形成される（図１４（Ｅ），図１５（Ｃ））。
【符号の説明】
【００５３】
１…平板ブランケット、２…インク、２Ａ…印刷パターン層、２１…切り込み部、３…凸版、３１…凸部、３２…凹部、４…基板、５…モールド、５１…突起部、６１…下部ステージ、６１０，６１１Ａ，６１１Ｂ…開口部、６２…上部ステージ、α１，α２…傾斜角、ｄ２…溝部間の間隔、ｄ３…凸部の幅。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ブランケットおよび凸版を用いた印刷方法およびそのような印刷方法を用いた表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、プリンタブルエレクトロニクスと呼ばれる技術分野の発展が目覚しい。このプリンタブルエレクトロニクスにおける目的は、これまで半導体製造技術を駆使して生産されてきた高価な電子部品を、印刷法やナノインプリント法を用いて製造することにより、安価に製造することである。また、他の目的としては、基板をフィルムに置き換えることによって、フレキシブルなデバイスを提供することである。
【０００３】
そこで、従来、様々な印刷方法が提案されている（例えば、特許文献１および非特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３６８９５３６号公報
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】Youn-Gyoung，他８名、「Design Parameters of Roll Printing Process for TFT-LCD Fabrication」、SID08 GIGEST、ｐ．６３７−６４０、２００８年
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献１では、反転オフセット印刷法を用いることにより、レジスト材料などの樹脂を精密に印刷する方法が提案されている。具体的には、カラーフィルター用の樹脂をインクとして用いることにより、０．８μｍの膜厚からなる印刷パターンを得ている。その解像度については詳細に触れられていないが、液晶ディスプレイ用のカラーフィルターであることから、最小でも５０μｍ程度の線幅を対象にしていると推察される。また、同文献には、「１０μｍへの対応も可能であることを示している」と記載されていることから、この印刷手法の限界点は、１０μｍ前後であると推測される。
【０００７】
また、上記非特許文献１では、反転オフセット印刷法を利用した薄膜トランジスタの形成方法が提案されている。ここでは、１μｍ程度の膜厚のレジストパターンの印刷をする場合に、印刷の方向に依存して、０．５〜４．０μｍ程度のパターンエッジの不鮮明さが現れることが確認されている。
【０００８】
このように従来の技術では、樹脂や有機溶剤などで構成されるインク等を印刷する場合に、膜厚の増加に伴って印刷パターンの鮮明さが低下してしまうという問題があった。
【０００９】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、印刷パターンの膜厚によらずに従来よりも鮮明な印刷を行うことが可能な印刷方法、およびそのような印刷方法を用いた表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の印刷方法は、ブランケット上に転写層を形成する工程と、所定のパターンからなる突起部を有する成形部材における突起部を転写層に対して押し当てることにより、転写層上に突起部に対応するパターンからなる溝部を形成する成形工程と、ブランケット上の転写層と、突起部の反転パターンに対応するパターンからなる凸部を有する凸版とを互いに向かい合わせて加圧接触させることにより、転写層のうちの凸部に対応する部分を選択的に除去してブランケット上に印刷パターン層を形成する第１転写工程と、ブランケット上の印刷パターン層と被印刷基板とを互いに向かい合わせて加圧接触させることにより、印刷パターン層を被印刷基板上に転写させる第２転写工程とを含むようにしたものである。なお、上記「溝部」は、細長い形状のパターンには限られず、任意のパターンとすることができる。
【００１１】
本発明の表示装置の製造方法は、基板上に、表示素子と、この表示素子を駆動する薄膜トランジスタとを形成する工程を含み、上記薄膜トランジスタを形成する工程が、ブランケット上に転写層を形成する工程と、所定のパターンからなる突起部を有する成形部材における突起部を転写層に対して押し当てることにより、転写層上に突起部に対応するパターンからなる溝部を形成する成形工程と、ブランケット上の転写層と、突起部の反転パターンに対応するパターンからなる凸部を有する凸版とを互いに向かい合わせて加圧接触させることにより、転写層のうちの凸部に対応する部分を選択的に除去してブランケット上に印刷パターン層を形成する第１転写工程と、ブランケット上の印刷パターン層と、被印刷基板としての基板とを互いに向かい合わせて加圧接触させることにより、印刷パターン層を基板上に転写させる第２転写工程と、印刷パターン層を用いて薄膜を形成する工程とを含むようにしたものである。
【００１２】
本発明の印刷方法および表示装置の製造方法では、ブランケット上の転写層に対して成形部材の突起部が押し当てられることにより、突起部に対応するパターンからなる溝部が転写層上に形成される（成形工程）。そののち、ブランケット上の転写層と凸部を有する凸版とが互いに向かい合わされて加圧接触されることにより、転写層のうちの凸部に対応する部分が選択的に除去され、ブランケット上に印刷パターン層が形成される（第１転写工程）。そして、ブランケット上の印刷パターン層と被印刷基板とが互いに向かい合わされて加圧接触されることにより、印刷パターン層が被印刷基板上に転写される（第２転写工程）。このようにして、成形部材を用いて転写層上に溝部が形成されたのちに凸版を用いて第１転写工程が行われることにより、転写層（印刷パターン層）の膜厚が大きい場合であっても、転写層のうちの凸部に対応する部分が従来と比べて容易に剪断される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の印刷方法および表示装置の製造方法によれば、ブランケット上の転写層に対して成形部材の突起部を押し当てることにより、突起部に対応するパターンからなる溝部を転写層上に形成したのち、ブランケット上の転写層と凸部を有する凸版とが互いに向かい合わせて加圧接触させることにより、転写層のうちの凸部に対応する部分を選択的に除去してブランケット上に印刷パターン層を形成するようにしたので、転写層（印刷パターン層）の膜厚が大きい場合であっても、転写層のうちの凸部に対応する部分を容易に剪断することができる。よって、印刷パターンの膜厚によらず、従来よりも鮮明な印刷を行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一実施の形態に係る印刷方法の主要な工程の一部を表す断面図である。
【図２】図１に示したモールドの詳細構成を拡大して表す断面図である。
【図３】図１に続く工程を表す断面図である。
【図４】インク上に形成されたスリット間の間隔と凸版における凸部の幅との関係を説明するための断面図である。
【図５】平板ブランケットと凸版との接触方法の一例を表す断面図である。
【図６】図３に続く工程を表す断面図である。
【図７】比較例に係る印刷方法の工程の一部を表す断面図である。
【図８】比較例および実施の形態に係る印刷方法における第１転写工程の際のインクの分断態様について説明するための断面図である。
【図９】本発明の変形例に係る印刷方法の工程の一部を表す断面図である。
【図１０】図９に示した印刷方法における第１転写工程の際のインクの分断態様について表す断面図である。
【図１１】図９に示した印刷方法により形成される印刷パターンの一例を表す断面図である。
【図１２】本発明の印刷方法を用いた薄膜トランジスタの形成方法の主要な工程の一部を表す断面図である。
【図１３】図１２に示した工程の一部を表す上面図である。
【図１４】図１２に続く工程を表す断面図である。
【図１５】図１４に示した工程の一部を表す上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態（モールドを用いた印刷方法の工程例）
２．実施例
３．変形例および適用例
【００１６】
＜１．実施の形態＞
［モールドを用いた印刷方法の工程例］
図１〜図５は、本発明の一実施の形態に係る印刷方法について説明するための断面図である。
【００１７】
（転写層の形成工程（塗布工程））
まず、図１（Ａ）に示したように、平板ブランケット１上にインク２を塗布することにより、平板ブランケット１上に、このインク２からなる転写層を形成する。
【００１８】
平板ブランケット１は、後述する被印刷基板（基板４）との間の良好な接触を実現するため、柔軟な変形が可能となっていることが必要である。したがって、平板ブランケット１の機械的特性として、ヤング率が０．０１〜１０ＭＰａ程度であることが望ましい。また、インク２の塗布性および剥離特性の観点により、平板ブランケット１の表面張力は、１５〜４０ｄｙｎ／ｃｍ程度であることが望ましい。これらの性質を満たすものとして、平板ブランケット１の構成材料は、シリコーンゴムやフッ素樹脂などが挙げられる。
【００１９】
インク２としては、樹脂、金属粉末および酸化物の粉末のうちの少なくとも１つ以上の混合物を用いることができ、溶媒として、０．１〜９０ｗ％程度の低極性溶媒を含むようにする。そのような低極性溶媒としては、例えば、直鎖状アルカン類、芳香族炭化水素類、エーテル類、ハロゲン化アルキル類、エステル化合物および環状エーテル化合物のうちの少なくとも１つ以上含む混合溶媒が挙げられる。なお、インク２の粘度は、常温（２５℃）において１．０〜１５００００ｍＰａ程度であることが望ましい。
【００２０】
なお、平板ブランケット１上にインク２を塗布する方法としては、例えば、スピンコート法、ダイコート法、グラビアコーター法またはＣＡＰコーティング法などが好適である。
【００２１】
（成形工程（モールディング工程））
続いて、図１（Ｂ）に示したように、所定のパターンからなる突起部５１を有するモールド（成形部材）における突起部５１を、平板ブランケット１上のインク２（転写層）に対して押し当てる。これにより、例えば図１（Ｃ）に示したように、モールド５をインク２から離したときに、突起部５１に対応するパターンからなる溝部２１がインク２上に形成される。
【００２２】
モールド５では、インク２をモールドするため、剛性が必要である。具体的には、モールド５の材質としては、ヤング率が１〜５００ＧＰａ程度であるものが望ましい。また、例えば図２中の符号Ｐ１で示したように、基体５０に対する突起部５１の傾斜角α１，α２は、いずれも４５°〜９０°の範囲内であるのが望ましく、特にα１，α２＝９０°であるのが望ましい。モールド時の欠陥が効果的に防止されるからである。
【００２３】
また、モールド５には、インク２からの剥離性が必要である。具体的には、表面張力の低い平面ブランケット１上に塗布されるインク２からの離形性を確保するためには、モールド５は、平板ブランケット１と同様またはそれ以下の表面張力（例えば、１５〜４０ｄｙｎ／ｃｍ程度）を有することが望ましい。
【００２４】
（第１転写工程（除去工程））
次に、図３（Ａ）に示したように、平板ブランケット１と、所定のパターン（突起部５１の反転パターンに対応するパターン）からなる凸部３１を有する凸版３とを、互いに向かい合わせて接触させる。これにより、例えば図３（Ｂ）に示したように、互いに接触された平板ブランケット１と凸版３とが分離すると、インク２のうちの凸部３１に対応する部分（図中のインク２Ｂの部分）が、平板ブランケット１上から選択的に除去される。一方、平板ブランケット１上には、凸版３によって転写されなかった領域にインク２が残留する（図中のインク２Ａの部分）ことにより、平板ブランケット１上に印刷パターン層２Ａが形成される。
【００２５】
凸版３の形状は、図３（Ａ），図４（Ａ）〜（Ｃ）（図３（Ａ）中の符号Ｐ２部分の拡大図に対応）にそれぞれ示したように、インク２を除去するパターン（突起部５１の反転パターン）に対応している。具体的には、まず、図３（Ａ）および図４（Ａ）に示したように、除去するインクパターン（溝部２１間の間隔ｄ２）と凸部３１の幅ｄ３とが同一である場合が挙げられる。ただし、例えば図４（Ｂ）に示したように、除去するインクパターン（溝部２１間の間隔ｄ２）よりも凸部３１の幅ｄ３が小さくなっていてもよい。また、逆に例えば図４（Ｃ）に示したように、インク２が分断されない程度に、除去するインクパターン（溝部２１間の間隔ｄ２）よりも凸部３１の幅ｄ３が大きくなっていてもよい。
【００２６】
また、平板ブランケット１上からインク２を良好に除去するため、凸版３の表面張力は平板ブランケット１より高い必要があり、４０〜８０ｄｙｎ／ｃｍ程度であるのが望ましい。さらに、平板ブランケット１から除去したインク２Ｂを有機溶剤などによって洗浄する際に、凸版３では耐性を有する必要がある。そのため、凸版３の材質としては、酸化物や金属などが望ましい。
【００２７】
なお、平板ブランケット１と凸版３とを接触させる際には、加圧圧縮によって接触させる（圧縮気体加圧法を用いる）ようにする。圧縮気体加圧法とは、平板ブランケット１と凸版３とをそれぞれ向かい合わせて近接しつつ所定のステージ上に固定すると共に、これらのうちの一方の背面側から圧縮気体を噴射させて押し出すことにより、互いに接触させる方法である。このとき、押し出される対象物と圧縮気体の供給源であるステージとの間で形成される空間は、密封されるようになっている（下記図５中の矢印Ｐ４で示した空間）。
【００２８】
具体的には、例えば図５に示したように、平板ブランケット１の外周部を、下部ステージ６１により機械的に固定すると共に、この下部ステージ６１に設けられた開口部６１１Ａ，６１１Ｂにより、図中の符号Ｐ５，Ｐ６で示したように真空吸着させて固定する。また、凸版３を上部ステージ６２により固定し、下部ステージ６１の中心付近に設けられた開口部６１０（真空排気口および圧縮気体導入口として機能する）から圧縮気体を噴射させ、平板ブランケット１を押し出すようにする。なお、この場合において、平板ブランケット１と凸版３とを近接させる距離は１μｍ〜１ｍｍの距離とし、転写圧力は０．１ｋＰａ〜１００ｋＰａ程度として精密に制御する。これにより、平板ブランケット１上で、均一かつ低圧力で制御できるため、押しつぶれのないインク２の転写が可能となる。
【００２９】
（第２転写工程（転写工程））
続いて、図６（Ａ）に示したように、平板ブランケット１上の印刷パターン層２Ａと、被印刷基板としての基板４とを、互いに向かい合わせて接触させる。これにより、例えば図６（Ｂ）に示したように、互いに接触された平板ブランケット１と基板４とが分離すると、印刷パターン層２Ａが基板４上に転写される。なお、平板ブランケット１と基板４とを接触させる際には、前述したように、加圧圧縮によって接触させる（圧縮気体加圧法を用いる）ようにする。
【００３０】
基板４としては、例えば、シリコン、合成石英、ガラス、金属、樹脂または樹脂フィルムなどの材料からなる基板を用いることができる。
【００３１】
以上により、例えば図６（Ｃ）に示したように、基板１上に、凸版３上に凸部３１の反転パターンに対応する印刷パターン層２Ａが形成される。
【００３２】
なお、以上のような印刷方法において、転写層を構成するインク２として、薄膜の形成用材料を用いて形成した場合には、印刷パターン層２Ａを直接、薄膜とすることができる。この場合、薄膜の形成用材料として、例えば、アクリル樹脂、熱可塑性樹脂として知られるエポキシ樹脂、ポリイミド、シロキサンまたはフッ素樹脂などの樹脂を含むものを用いるようにしてもよい。
【００３３】
また、以上のような印刷方法において、図６（Ａ），（Ｂ）に示した第２転写工程の前に基板４上に予め薄膜を一様に形成しておくと共に、この第２転写工程においてその薄膜上に印刷パターン層２Ａを転写させるようにしてもよい。また、この場合、転写層を構成するインク２として、そのような薄膜をエッチングする際のフォトレジスト材料を用いるようにする。このようにした場合も、第２転写工程の後に基板４上の印刷パターン層２Ａを用いて薄膜をエッチングすることにより、印刷パターン層２Ａに対応するパターンからなる薄膜を形成することができる。
【００３４】
［印刷方法の作用および効果］
（比較例）
ここで、比較例に係る従来の印刷方法では、例えば図７（Ａ），（Ｂ）に示したように、本実施の形態の成形工程（モールド工程）が行われない。すなわち、図１（Ａ）に示した転写層の形成工程（塗布工程）の直後に、図７（Ａ），（Ｂ）に示した第１転写工程（除去工程）が行われる。
【００３５】
したがって、例えば図７（Ａ）および図８（Ａ）（図７（Ａ）中の符号Ｐ１０３部分の拡大図に対応）に示したように、インク１０２（印刷パターン層１０２Ａ）の膜厚が大きい場合、凸部３１に対応する部分（インク１０２Ｂの部分）が剪断されにくくなる。すなわち、インク１０２の膜厚に比例して剪断応力が増加するため、切断面が乱雑な形状となってしまう。これにより、インク１０２（印刷パターン層１０２Ａ）の膜厚の増加に伴って、印刷パターンの鮮明さが低下してしまうことになる。
【００３６】
これに対して、本実施の形態の印刷方法では、成形工程（モールド工程）において、平板ブランケット１上のインク２に対してモールド５の突起部５１が押し当てられることにより、突起部５１に対応するパターンからなる溝部２１がインク２上に形成される。そののち、第１転写工程（除去工程）において、平板ブランケット１上のインク２と凸版３とが加圧接触されることにより、インク２のうちの凸部３１に対応する部分が選択的に除去され、平板ブランケット１上に印刷パターン層２Ａが形成される。
【００３７】
このようにして、モールド５を用いてインク２上に溝部２１が形成されたのちに凸版３を用いて第１転写工程が行われることにより、この第１転写工程において不要なインク２Ｂを除去する際に、溝部２１の領域が優先的に分断される。これにより、所望のインク２のパターンの変形が防止されることとなる。したがって、例えば図３（Ｂ）および図８（Ｂ）（図３（Ｂ）中の符号Ｐ３部分の拡大図に対応）に示したように、インク２（印刷パターン層２Ａ）の膜厚が大きい場合であっても、インク２のうちの凸部３１に対応する部分が容易に剪断される。
【００３８】
以上のように本実施の形態では、平板ブランケット１上のインク２に対してモールド５の突起部５１を押し当てることにより、突起部５１に対応するパターンからなる溝部２１をインク２上に形成したのち、平板ブランケット１上のインク２と凸版３とを加圧接触させることにより、インク２のうちの凸部３１に対応する部分を選択的に除去して平板ブランケット１上に印刷パターン層２Ａを形成するようにしたので、インク２（印刷パターン層２Ａ）の膜厚が大きい場合であっても、インク２のうちの凸部３１に対応する部分を容易に剪断することができる。よって、印刷パターンの膜厚によらず、従来よりも鮮明な印刷を行うことが可能となる。
【００３９】
＜２．実施例＞
次に、本発明の具体的な実施例について説明する。ここでは、基板４上に、印刷パターン層２ＡとしてフォトレジストＡＺ１５００（商品名；ＡＺエレクトリックマテリアルズ社製）を印刷した場合の例について説明する。
【００４０】
（転写層の形成工程（塗布工程））
平板ブランケット１は、厚み０．２ｍｍのガラス上に、シリコーンゴム層を用いて２００μｍのスピンコートを行うことにより形成した。インク２としては、フォトレジストＡＺ１５００（２０ｃＰ）（ＡＺエレクトリックマテリアルズ社製）を用いた。また、インク２は、平板ブランケット１上にＣＡＰコーターによって塗布され、その膜厚は３μｍであった。
【００４１】
（成形工程（モールディング工程））
モールド５は、石英ガラスをフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることにより作成した。具体的には、ドライエッチング法により、ライン／スペースが１μｍ／３μｍのパターン作成した。このとき、ラインパターンの高さは、５μｍであった。そののち、モールド５を、フッ素系表面コート剤ＫＰ−８０１Ｍ中に浸漬して乾燥させることにより、撥水化処理を行った。このときのモールド５の表面張力は、２０ｄｙｎ／ｃｍであった。また、モールディング工程は、モールド５と平板ブランケット１とを重ね合わせ、１ＭＰａの圧力で１０分間押し当てることにより行った。そののち、モールド５を平板ブランケット１から剥離すると、モールド５の押し当てられた領域に溝部２１が形成された。
【００４２】
（第１転写工程（除去工程））
凸版３は、石英ガラスをフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることにより作成した。具体的には、ドライエッチング法により、ライン／スペースが３μｍ／４μｍのパターン作成した。このとき、ラインパターンの高さは、１μｍであった。除去工程は、
凸版３と平板ブランケット１とを位置合わせして重ね合わせ、加圧することにより行った。その際、１０ｋＰａの圧力で１分間加圧したのち、それらを互いに剥離させた。これにより、不要なインク２Ｂが平板ブランケット１上から除去され、所望のパターンが平板ブランケット１上に残留した。
【００４３】
（第２転写工程（転写工程））
平板ブランケット１上に残留するインク２Ａのパターンを、基板４としてのガラス基板上に転写させた。具体的には、そのような基板４と平板ブランケット１とを位置合わせして重ね合わせ、加圧することにより転写させた。その際、１０ｋＰａの圧力で１分間加圧したのち、それらを互いに剥離させた。これにより、シリコーンゴム製の平板ブランケット１から、基板４としてのガラス基板上にインク２Ａが転写された。
【００４４】
以上により、ＡＺ１５００の印刷パターンとして、膜厚が３μｍであり、かつパターンの線幅が３μｍである微細パターンが得られた。
【００４５】
＜３．変形例および適用例＞
以上、実施の形態および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態等に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。
【００４６】
例えば、上記実施の形態等では、インク２上に形成される溝部２１が凹部状となっている場合について説明したが、例えば図９に示したように、成形工程において、平板ブランケット１の表面まで貫通するように溝部２１を形成するようにしてもよい。そのように溝部２１が貫通するようにした場合、例えば図１０に示したように、インク２のうちの凸部３１に対応する部分を、より容易に剪断することができる。なお、この場合に形成される印刷パターン層２Ａは、例えば図１１に示したような断面形状となる。
【００４７】
また、上記実施の形態等では、ブランケットの一例として平板ブランケットを挙げて説明したが、本発明の印刷方法では、他の形状のブランケット（例えば、ロール形状のものなど）を用いるようにしてもよい。
【００４８】
さらに、上記実施の形態等において説明した各構成要素の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、また他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
【００４９】
（薄膜トランジスタの形成方法への適用例）
加えて、本発明により形成された印刷パターンは、そのような印刷パターンを用いた電子デバイス（例えば、薄膜トランジスタやキャパシタ）に適用することが可能である。また、そのような薄膜トランジスタ等と表示素子とを備えた表示装置（例えば、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置など）にも適用することが可能である。具体的には、そのような表示装置の製造方法では、薄膜トランジスタを形成する工程において、上記実施の形態等の印刷方法を用いて印刷パターン層２Ａを形成すると共に、そのような印刷パターン層２Ａを用いて薄膜を形成するようにすればよい。
【００５０】
ここで、図１２〜図１５は、本発明の印刷方法を用いた薄膜トランジスタの形成方法の主要な工程の一部を表すものであり、図１２および図１４は断面図を、図１３および図１５は上面図を、それぞれ表している。なお、図１２および図１４中に示した工程のうち、ハッチングされた工程（図１２（Ｃ），図１２（Ｇ），図１４（Ａ），図１４（Ｃ），図１４（Ｅ）に示した工程）が、本発明の印刷方法を用いた工程となっている。
【００５１】
この薄膜トランジスタの形成方法では、まず、基板４上にパッシベーション層７１を形成し（図１２（Ａ））、その後、このパッシベーション層７１上にゲート電極層７２を形成する（図１２（Ｂ））。次に、本発明の印刷方法を用いることにより、ゲート電極層７２上に、ゲート電極用のエッチングレジスト層（図示せず）を印刷し、ウエットエッチングを行う。これにより、パターニングされたゲート電極７２Ａが形成される（図１２（Ｃ），図１３（Ａ））。次いで、パッシベーション層７１およびゲート電極７２Ａの上に、ゲート絶縁膜７３を形成したのち（図１２（Ｄ）、このゲート絶縁膜７３上に、ａ−Ｓｉ／Ｈ（ｉ）層７４を形成する（図１２（Ｅ））。そののち、このａ−Ｓｉ／Ｈ（ｉ）層７４上に、エッチングストッパー層７５を形成する（図１２（Ｆ））。そして、本発明の印刷方法を用いることにより、このエッチングストッパー層７５上に、エッチングストッパー用のレジスト層（図示せず）を印刷し、ウエットエッチングを行う。これにより、チャネル層に対応する領域に、エッチングストッパー層７５Ａが選択的に設けられることになる（図１２（Ｇ），図１３（Ｂ））。次に、ａ−Ｓｉ／Ｈ（ｉ）層７４およびエッチングストッパー層７５Ａの上に、ａ−Ｓｉ／Ｈ（ｎ＋）層７６を形成する（図１２（Ｈ））。
【００５２】
そして、本発明の印刷方法を用いることにより、このａ−Ｓｉ／Ｈ（ｎ＋）層７６上に、ａ−Ｓｉ／Ｈ（ｎ＋，ｉ）層用のレジスト層（図示せず）を印刷し、ドライエッチングを行う。これにより、ゲート電極７２Ａに対応する領域に、ａ−Ｓｉ／Ｈ（ｉ）層７４およびａ−Ｓｉ／Ｈ（ｎ＋）層７６が選択的に設けられることになる（図１４（Ａ））。次に、ゲート絶縁膜７３、ａ−Ｓｉ／Ｈ（ｉ）層７４およびａ−Ｓｉ／Ｈ（ｎ＋）層７６の上に、ソース・ドレイン電極層７７を形成する（図１４（Ｂ））。そして、本発明の印刷方法を用いることにより、このソース・ドレイン電極層７７上に、ソース・ドレイン電極層用のレジスト層（図示せず）を印刷し、ウエットエッチングを行う。これにより、ソース・ドレイン電極７７Ａが形成される（図１４（Ｃ），図１５（Ａ））。次いで、ａ−Ｓｉ／Ｈ（ｎ＋）層７６に対してドライエッチングを行うことにより、エッチングストッパー層７５Ａ上のａ−Ｓｉ／Ｈ（ｎ＋）層７６を選択的に除去する（図１４（Ｄ），図１５（Ｂ））。次に、パッシベーション層７８を形成したのち、本発明の印刷方法を用いることにより、このパッシベーション層７８上に、パッシベーション層用のレジスト層（図示せず）を印刷し、ドライエッチングを行う。以上により、本発明の印刷方法を用いた薄膜トランジスタが形成される（図１４（Ｅ），図１５（Ｃ））。
【符号の説明】
【００５３】
１…平板ブランケット、２…インク、２Ａ…印刷パターン層、２１…切り込み部、３…凸版、３１…凸部、３２…凹部、４…基板、５…モールド、５１…突起部、６１…下部ステージ、６１０，６１１Ａ，６１１Ｂ…開口部、６２…上部ステージ、α１，α２…傾斜角、ｄ２…溝部間の間隔、ｄ３…凸部の幅。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ブランケット上に転写層を形成する工程と、
所定のパターンからなる突起部を有する成形部材における前記突起部を前記転写層に対して押し当てることにより、前記転写層上に前記突起部に対応するパターンからなる溝部を形成する成形工程と、
前記ブランケット上の転写層と、前記突起部の反転パターンに対応するパターンからなる凸部を有する凸版とを互いに向かい合わせて加圧接触させることにより、前記転写層のうちの前記凸部に対応する部分を選択的に除去して前記ブランケット上に印刷パターン層を形成する第１転写工程と、
前記ブランケット上の印刷パターン層と被印刷基板とを互いに向かい合わせて加圧接触させることにより、前記印刷パターン層を前記被印刷基板上に転写させる第２転写工程と
を含む印刷方法。
【請求項２】
前記成形工程において、前記ブランケットの表面まで貫通するように前記溝部を形成する
請求項１に記載の印刷方法。
【請求項３】
前記成形工程において、前記ブランケットと同程度以下の表面張力を有する成形部材を用いる
請求項１に記載の印刷方法。
【請求項４】
前記成形工程において、基体に対する前記突起部の傾斜角が４５°以上かつ９０°以下である成形部材を用いる
請求項１に記載の印刷方法。
【請求項５】
前記転写層を薄膜の形成用材料を用いて形成することにより、前記薄膜を前記印刷パターン層により構成する
請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の印刷方法。
【請求項６】
前記薄膜の形成用材料として、樹脂を含むものを用いる
請求項５に記載の印刷方法。
【請求項７】
前記第２転写工程の前に前記被印刷基板上に薄膜を一様に形成しておくと共に、前記第２転写工程において前記薄膜上に前記印刷パターン層を転写させ、
前記転写層を、前記薄膜をエッチングする際のフォトレジスト材料を用いて形成する
請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の印刷方法。
【請求項８】
前記第２転写工程の後に、前記被印刷基板上の印刷パターン層を用いて前記薄膜をエッチングする
請求項７に記載の印刷方法。
【請求項９】
基板上に、表示素子と、この表示素子を駆動する薄膜トランジスタとを形成する工程を含み、
前記薄膜トランジスタを形成する工程は、
ブランケット上に転写層を形成する工程と、
所定のパターンからなる突起部を有する成形部材における前記突起部を前記転写層に対して押し当てることにより、前記転写層上に前記突起部に対応するパターンからなる溝部を形成する成形工程と、
前記ブランケット上の転写層と、前記突起部の反転パターンに対応するパターンからなる凸部を有する凸版とを互いに向かい合わせて加圧接触させることにより、前記転写層のうちの前記凸部に対応する部分を選択的に除去して前記ブランケット上に印刷パターン層を形成する第１転写工程と、
前記ブランケット上の印刷パターン層と、被印刷基板としての前記基板とを互いに向かい合わせて加圧接触させることにより、前記印刷パターン層を前記基板上に転写させる第２転写工程と、
前記印刷パターン層を用いて薄膜を形成する工程とを含む
表示装置の製造方法。
【請求項１】
ブランケット上に転写層を形成する工程と、
所定のパターンからなる突起部を有する成形部材における前記突起部を前記転写層に対して押し当てることにより、前記転写層上に前記突起部に対応するパターンからなる溝部を形成する成形工程と、
前記ブランケット上の転写層と、前記突起部の反転パターンに対応するパターンからなる凸部を有する凸版とを互いに向かい合わせて加圧接触させることにより、前記転写層のうちの前記凸部に対応する部分を選択的に除去して前記ブランケット上に印刷パターン層を形成する第１転写工程と、
前記ブランケット上の印刷パターン層と被印刷基板とを互いに向かい合わせて加圧接触させることにより、前記印刷パターン層を前記被印刷基板上に転写させる第２転写工程と
を含む印刷方法。
【請求項２】
前記成形工程において、前記ブランケットの表面まで貫通するように前記溝部を形成する
請求項１に記載の印刷方法。
【請求項３】
前記成形工程において、前記ブランケットと同程度以下の表面張力を有する成形部材を用いる
請求項１に記載の印刷方法。
【請求項４】
前記成形工程において、基体に対する前記突起部の傾斜角が４５°以上かつ９０°以下である成形部材を用いる
請求項１に記載の印刷方法。
【請求項５】
前記転写層を薄膜の形成用材料を用いて形成することにより、前記薄膜を前記印刷パターン層により構成する
請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の印刷方法。
【請求項６】
前記薄膜の形成用材料として、樹脂を含むものを用いる
請求項５に記載の印刷方法。
【請求項７】
前記第２転写工程の前に前記被印刷基板上に薄膜を一様に形成しておくと共に、前記第２転写工程において前記薄膜上に前記印刷パターン層を転写させ、
前記転写層を、前記薄膜をエッチングする際のフォトレジスト材料を用いて形成する
請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の印刷方法。
【請求項８】
前記第２転写工程の後に、前記被印刷基板上の印刷パターン層を用いて前記薄膜をエッチングする
請求項７に記載の印刷方法。
【請求項９】
基板上に、表示素子と、この表示素子を駆動する薄膜トランジスタとを形成する工程を含み、
前記薄膜トランジスタを形成する工程は、
ブランケット上に転写層を形成する工程と、
所定のパターンからなる突起部を有する成形部材における前記突起部を前記転写層に対して押し当てることにより、前記転写層上に前記突起部に対応するパターンからなる溝部を形成する成形工程と、
前記ブランケット上の転写層と、前記突起部の反転パターンに対応するパターンからなる凸部を有する凸版とを互いに向かい合わせて加圧接触させることにより、前記転写層のうちの前記凸部に対応する部分を選択的に除去して前記ブランケット上に印刷パターン層を形成する第１転写工程と、
前記ブランケット上の印刷パターン層と、被印刷基板としての前記基板とを互いに向かい合わせて加圧接触させることにより、前記印刷パターン層を前記基板上に転写させる第２転写工程と、
前記印刷パターン層を用いて薄膜を形成する工程とを含む
表示装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２０１０−１５８７９９（Ｐ２０１０−１５８７９９Ａ）
【公開日】平成２２年７月２２日（２０１０．７．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１２４８（Ｐ２００９−１２４８）
【出願日】平成２１年１月７日（２００９．１．７）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年７月２２日（２０１０．７．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１月７日（２００９．１．７）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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