説明

圧延方向の磁気特性に優れた無方向性電磁鋼板の製造方法

【課題】圧延方向の磁気特性の優れた電磁鋼板を得る。
【解決手段】C:0.001〜0.005%、N:0.001〜0.005%、Si:2.0〜4.0%、Mn:0.05〜1.0%、Al:0.1〜2.0%を含有し、C+N:0.002〜0.008%である鋼(スラブ)を、熱間圧延し、必要に応じて、熱延板焼鈍を施し、その後、中間焼鈍を挟む2回以上の冷間圧延を施し、次いで、仕上げ焼鈍を施し、その後、必要に応じて、絶縁被膜処理を施すことからなる無方向性電磁鋼板の製造方法において、最終の冷間圧延前の結晶粒径を100μm以上とし、最終の冷間圧延で、圧下率40〜75%で冷間圧延を施すとともに、最終の冷間圧延のパス間に、50〜300℃の温度域で1〜10分の時効処理を施すことを特徴とする圧延方向の磁気特性に優れた無方向性電磁鋼板の製造方法。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、分割コアなど、圧延方向の磁気特性が重視されるコアに好適な無方向性電磁鋼板を製造する製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、モーターのステータコアとして自動車分野などで増加している分割コアは、鋼板の磁性良好な方向をコアの磁束が集中する方向、例えば、ティース方向にそろえることができるので、モーター効率の向上が期待できる。従って、圧延方向に磁気特性の優れた電磁鋼板は、分割コアに適した材料の一つと言える。
【0003】
ただし、二次再結晶法で製造される一方向性電磁鋼板は、コストが高いことと、グラス皮膜がコアの打抜き性を劣化させることから、モーター用の鋼板として用いるのは、一般に困難である。
【0004】
圧延方向の磁気特性に優れた無方向性電磁鋼板の製造方法として、例えば、特許文献1には、Siを2.0質量%以下、Alを1.0質量%以上とし、仕上げ焼鈍後に圧下率3〜10%のスキンパス圧延を施し、その後、歪取り焼鈍を施す技術が開示されている。
【0005】
また、特許文献2には、中間焼鈍を挟む2回以上の冷間圧延を行う製造方法で、最終冷間圧延時のC含有量を0.005〜0.05質量%、最終冷間圧延における圧下率を30〜80%とする製造技術が開示されている。この技術では、C含有量が多いため、磁気時効が生じ易く、場合によっては、脱炭工程が必要になる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開2006−265720号公報
【特許文献2】特開2009−203520号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
本発明は、圧延方向の磁気特性に優れ、かつ、磁気時効による鉄損特性の劣化を低減できる電磁鋼板を、安定的に提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
鋼組成、及び、冷間圧延前の結晶粒径を適切に調整し、冷間圧延を、中間焼鈍を挟み二回以上行い、最終冷間圧延での圧下率を適切に調整し、更に、最終冷延において、パス毎に時効処理を施すことによって、圧延方向の磁気特性が極めて優れた無方向性電磁鋼板を製造することができる。本発明においては、パス間の時効処理は、温度と時間を適切に制御する。本発明の要旨は、以下の通りである。
【0009】
(1)質量%で、
C:0.001〜0.005%、
N:0.001〜0.005%
Si:2.0〜4.0%、
Mn:0.05〜1.0%、
Al:0.1〜2.0%
を含有し、
C+N:0.002〜0.008%
であり、
S:0.005%以下、
Ti:0.005%以下、
O:0.005%以下で、
残部Fe及び不可避的不純物からなるスラブを、熱間圧延し、必要に応じて、熱延板焼鈍を施し、その後、中間焼鈍を挟む2回以上の冷間圧延を施し、次いで、仕上げ焼鈍を施し、その後、必要に応じて、絶縁被膜処理を施すことからなる無方向性電磁鋼板の製造方法において、最終の冷間圧延前の結晶粒径を100μm以上とし、最終の冷間圧延で、圧下率40〜75%で冷間圧延を施すとともに、最終の冷間圧延のパス間に、50〜300℃の温度域で1〜10分の時効処理を施すことを特徴とする圧延方向の磁気特性に優れた無方向性電磁鋼板の製造方法。
【0010】
(2)前記スラブが、Sn及びSbの1種又は2種を合計0.01〜0.2質量%含むことを特徴とする、請求項1に記載の圧延方向の磁気特性に優れた無方向性電磁鋼板の製造方法。
【発明の効果】
【0011】
本発明によれば、圧延方向の磁気特性が極めて優れた無方向性電磁鋼板を製造することができ、分割コアを用いたモーターの高効率化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【図1】二回目の冷間圧延時のパス間時効の時効時間3分における時効温度と圧延方向の磁束密度B50の関係を示す図である。
【図2】二回目の冷間圧延時のパス間時効の時効温度200℃における時間と圧延方向の磁束密度B50の関係を示す図である。
【図3】二回目の冷間圧延前の中間焼鈍板の平均結晶粒径と圧延方向の磁束密度B50の関係を示す図である。
【図4】二回目の冷間圧延時の圧下率と圧延方向の磁束密度B50の関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0013】
本発明について、構成要件毎に詳述する。
【0014】
鋼の成分組成を限定する理由は下記の通りである。
【0015】
<C:0.001〜0.005質量%>
Cは、鉄損を上昇させる作用を呈し磁気時効を生じさせる。従って、Cは0.005質量%以下とする。ただし、少なすぎると、冷間圧延時のパス間の時効による集合組織改善効果が発現しないので、Cは、0.001質量%以上とする。好ましくは、0.002〜0.005質量%である。
【0016】
<Si:2.0〜4.0質量%>
Siは、鋼の固有抵抗を増加させ、また、鉄損を低減する作用を呈する。この作用を得るためには、2質量%以上が必要である。一方、Siが4質量%を超えると、鋼が脆化し、圧延性が低下する。従って、Siは、2.0〜4.0質量%とする。好ましくは、2.0〜3.5質量%である。
【0017】
<Mn:0.05〜1.0質量%>
Mnは、鋼の固有抵抗を高め、また、硫化物を粗大化して無害化する作用を呈する。この作用を得るためには、0.05質量%以上が必要である。一方、Mnが1.0質量%を超えると、磁束密度の低下及びコストの上昇を招くとともに、冷延時に割れ易くなる。従って、Mnは、0.05〜1.0質量%とする。好ましくは、0.1〜0.5質量%である。
【0018】
<Al:0.1〜2.0質量%>
Alは、脱酸材として有効であり、更に、窒化物を粗大にして無害化することもできる。また、Siと同様に、鋼の固有抵抗を増加させ、鉄損を低減させる。これらの作用を得るためには、0.1質量%以上が必要である。しかし、2.0質量%を超えると、鋼が脆化し、圧延性が低下する。従って、Alは、0.1〜2.0質量%とする。好ましくは、0.2〜2.0質量%である。
【0019】
<N:0.001〜0.005質量%>
Nは、微細析出物を形成して、焼鈍中の結晶粒成長を妨げる。従って、Nは、0.005質量%以下とする。ただし、少なすぎると、冷間圧延時のパス間の時効による集合組織改善効果が発現しないので、Nは、0.001質量%以上とする。好ましくは、0.001〜0.004質量%である。
【0020】
<C+N:0.002〜0.008質量%>
CとNは、冷間圧延時のパス間の時効による集合組織改善効果を発現させるうえで重要な元素である。集合組織改善効果を得るため、C+Nは、0.002質量%以上が必要である。一方、C+Nが0.008質量%を超えると、析出物により磁性が悪化する。それ故、C+Nは、0.002〜0.008質量%とする。好ましい範囲は、0.02〜0.07質量%、更に好ましい範囲は、0.02〜0.06質量%である。
【0021】
<不純物>
S、Ti、及び、Oは、析出物を形成して、焼鈍中の粒成長を妨げ、磁性を劣化させるので、いずれの元素も、0.005質量%以下とする。好ましくは、いずれも、0.003質量%以下である。
【0022】
<Sn及びSb:1種又は2種を合計0.01〜0.2質量%>
Sn及びSbは、集合組織改善や焼鈍時の窒化・酸化抑制に有効である。その効果を得るため、1種又は2種を、合計0.01質量%以上含む必要がある。あまり多すぎると、効果は飽和し、更に、鋼の脆化や結晶粒成長抑制などに悪影響を及ぼすので、0.2質量%以下とする。好ましくは、0.03〜0.15質量%である。
【0023】
<その他添加元素>
特に規定はしないが、集合組織改善のため、Niを0.5〜5質量%、固有抵抗増加のため、Crを0.5〜5質量%、不純物析出抑制を目的に、希土類を0.001〜0.05質量%、硬度増加のため、Pを0.005〜0.1質量%、Cuを0.1〜3質量%、適宜添加してもよい。
【0024】
本発明は、その他規定していない不可避的元素を含み、残部はFeである。
【0025】
次に、製造方法について説明する。
【0026】
本発明は、先に述べた成分組成のスラブを、熱間圧延し、必要に応じて、熱延板焼鈍を施し、その後、中間焼鈍を挟む2回以上の冷間圧延を施し、次いで、仕上げ焼鈍を施し、その後、必要に応じて、絶縁被膜処理を施すことからなる無方向性電磁鋼板の製造方法において、最終の冷間圧延前の結晶粒径を100μm以上とし、最終の冷間圧延で、圧下率40〜75%で冷間圧延を施すとともに、最終の冷間圧延のパス間に、50〜300℃の温度域で1〜10分の時効処理を施すことを特徴とする、分割コア用の無方向性電磁鋼板を製造する製造方法である。
【0027】
中間焼鈍を挟む2回以上の冷間圧延を行うことにより、冷間圧延が1回の場合より高い磁束密度が得られることは、先に示した特許文献などで公知であるが、下記条件をすべて満足することにより、磁束密度は飛躍的に改善される。
【0028】
<最終冷間圧延におけるパス間時効処理:50〜300℃の温度域で1〜10分>
(実験1)パス間時効処理
表1に示す成分組成を有するインゴットを真空溶解で溶解して溶製し、1100℃で1時間加熱し、その後、熱間圧延によって、厚さ2.5mmの熱延板とした。この熱延板に、1000℃、1分の熱延板焼鈍を施して、熱延焼鈍板とした。熱延焼鈍板を酸洗した後、1回目の冷間圧延で、厚さ0.8mmの中間冷延板とし、更に、この中間冷延板に、1000℃,1分の中間焼鈍を施し中間焼鈍板とした。
【0029】
得られた中間焼鈍板に、2回目の冷間圧延を、パス間で、50℃〜400℃、1〜60分の時効処理を施しながら実施し、厚さ0.35mmの最終冷延板を得た。同時に、パス間の時効処理を施さない最終冷延板も作製した。続いて、最終冷延板に、1000℃、30秒の仕上げ焼鈍を施して、最終焼鈍板とした。
【0030】
【表1】

【0031】
最終焼鈍板から、単板試験片を切り出し、磁束密度B50を測定した。最終冷延時のパス間の時効時間3分における時効温度と圧延方向の磁束密度B50の関係を図1に示す。時効温度が50℃以上、300℃以下で、圧延方向のB50が、時効処理を行っていない材料に対して上昇することが分かった。
【0032】
また、図2に、時効温度200℃における時効時間と磁束密度の関係を示す。1分の時効であっても、時効処理がない場合に比べて、磁束密度の向上が見られた。また、仕上げ焼鈍板に、200℃、100時間の処理を行った場合の鉄損W15/50の劣化は3%以内であった。従って、脱炭は不要であった。
【0033】
以上から、脱炭が不要な低レベルのC含有量であっても、最終の冷間圧延時のパス間に時効処理を施すことによって、圧延方向に高い磁束密度を有する無方向性電磁鋼板を製造することができることが分かった。メカニズムは必ずしも明確でないが、パス間時効処理によって、最終焼鈍後の集合組織が、圧延方向の磁性向上に寄与する{110}<001>近傍の方位を強く含むように改善されたためと推測される。
【0034】
集合組織の改善には、加工で導入された転移と固溶炭素の相互作用が寄与しているものと推測される。従って、ある程度の固溶炭素を含み、時効処理を適切に行うことによって、圧延方向の磁束密度を向上させることができる。
【0035】
以上から、本発明の最終冷間圧延のパス時効処理の温度域は、図1において、圧延方向の磁束密度の増加が観察された50〜300℃とする。好ましくは、150〜300℃である。時効時間は、図2から明らかなように、1分でも圧延方向の磁束密度の向上効果があり、また、10分以上では、該向上効果が飽和するので、1〜10分とした。
【0036】
<最終冷間圧延前の平均結晶粒径:100μm以上>
(実験2)最終冷間圧延前の平均結晶粒径
実験1で使用した厚さ2.5mmの熱延焼鈍板に、一回目の冷間圧延を施し、0.8mmの中間冷延板とした。その後、900〜1050℃、1分の中間焼鈍を施して、中間焼鈍板とした。中間焼鈍板の平均の結晶粒径は、60〜250μmの範囲で変化させた。
【0037】
その後、2回目の冷間圧延を、パス間で200℃、3分の時効処理を施しながら実施し、厚さ0.35mmの最終冷延板を得た。最終冷延板に、1000℃、30秒の仕上げ焼鈍を施して、最終焼鈍板とし、最終焼鈍板から単板試験片を切り出し、磁束密度B50を測定した。
【0038】
二回目の冷間圧延前の平均結晶粒径と圧延方向の磁束密度B50の関係を図3に示す。二回目の冷間圧延前の平均結晶粒径が大きくなるのに伴い、圧延方向のB50が上昇するのが観察された。
【0039】
図3から分かるように、圧延方向の磁束密度B50は、最終の冷間圧延前の平均結晶粒径が100μm以上で顕著に上昇し始め、その後も、平均結晶粒径とともに上昇し続ける。100μm以下では、圧延方向の磁気特性の向上に有効な{110}<001>集合組織が、最終焼鈍後に十分発達しないため、磁束密度が向上しないと推測される。
【0040】
{100}<001>集合組織を十分発達させるため、本発明では、最終冷間圧延前の平均結晶粒径を100μm以上とする。好ましくは、150μm以上、更に好ましくは、2000μm以上とする。
【0041】
<最終冷間圧延の圧下率:40〜75%>
(実験3)最終冷間圧延の圧下率
実験1で使用した厚さ2.5mmの熱延焼鈍板に、一回目の冷間圧延を、圧下率を変えて施し、0.45〜2.3mmの中間冷延板とした。その中間冷延板に、1000℃、1分の中間焼鈍を施し、その後、2回目の冷間圧延を、パス間で、200℃、3分の時効処理を施しながら実施し、厚さ0.35mmの最終冷延板を得た。
【0042】
最終の冷間圧延の圧下率は30〜85%の範囲で変化させた。その後、最終冷延板に、1000℃、30秒の仕上げ焼鈍を施して、最終焼鈍板とし、最終焼鈍板から単板試験片を切り出し、磁束密度B50を測定した。
【0043】
二回目の冷間圧延時の圧下率と延方向の磁束密度B50の関係を図4に示す。圧下率が40〜70%の間で、圧延方向のB50の上昇が観察された。
【0044】
最終冷間圧延の圧下率は、図4から、40〜75%とする。圧延方向の磁束密度の向上に有効な{110}<001>集合組織を発達させるには、圧下率を40%以上とする必要がある。一方、圧下率を75%より大きくすると、磁束密度を低下させる{111}//ND集合組織が発達して、図4に示すような現象が観察されるものと推測される。好ましくは、圧下率を45〜70%、更に好ましくは、55〜70%とする。
【0045】
<その他の製造方法>
一般的な鋼板の製造方法を適用できる。即ち、転炉で吹練した溶鋼を脱ガス処理して所定の成分組成に調整し、引き続き、鋳造、熱間圧延を行い、熱延板とする。熱間圧延におけるスラブ加熱温度や加工温度、巻取り温度等は、特に制限されることはない。
【0046】
熱延板焼鈍は、必ずしも必要でないが、行うことによって、最終焼鈍板の集合組織に、{110}<001>の発達を強く促進することができるので、優れた磁気特性を得るためには、実施することが望ましい。次いで、中間焼鈍を挟んだ2回以上の冷間圧延を施して所定の板厚とし、その後、最終仕上げ焼鈍を施し、必要に応じて、絶縁被膜処理を施して、製品板とする。
【0047】
なお、中間焼鈍を挟む冷間圧延の回数を増やすことで、最終焼鈍後の集合組織に、{110}<001>の発達を強く促進することができるので、より磁束密度を向上させることができる。
【実施例】
【0048】
次に、本発明の実施例について説明するが、実施例での条件は、本発明の実施可能性及び効果を確認するために採用した一条件例であり、本発明は、この一条件例に限定されるものではない。本発明は、本発明の要旨を逸脱せず、本発明の目的を達成する限りにおいて、種々の条件を採用し得るものである。
【0049】
<実施例1>
表2に示す成分組成の鋼を、熱間圧延により2.5mmの熱延板とし、その後、1000℃、1分の熱延板焼鈍を施して、熱延焼鈍板とした。酸洗後、1回目の冷間圧延で、厚さ0.8mmの中間冷延板とし、更に、この中間冷延板に、1000℃,1分の中間焼鈍を施し、中間焼鈍板とした。
【0050】
得られた中間焼鈍板に、2回目の冷間圧延を、パス間で、200℃、3分の時効処理を施しながら実施し、厚さ0.35mmの最終冷延板を得た。続いて、最終冷延板に、1000℃、30秒の仕上げ焼鈍を施して、最終焼鈍板とした。最終焼鈍板から単板試験片を切り出し、圧延方向の磁束密度B50と鉄損W10/400を測定した。
【0051】
また、仕上げ焼鈍直後に、200℃×100時間の時効処理を行った試験片について、鉄損W15/50を測定し、時効処理による鉄損の劣化が3%以上あったものを、磁気時効が生じたものと判断した。
【0052】
磁気測定の結果を表2に示す。本発明では、圧延方向の磁束密度B50が1.78T以上と非常に高く、圧延方向の鉄損W10/400は15W/kg以下で小さい。更に、磁気時効は起こらない。
【0053】
【表2】

【0054】
一方、比較例は、以下の通りである。
【0055】
比較例B1及びB3は、基本成分が同じ発明例A1などと比較して、鉄損は同等であるが、磁束密度B50が低い。CとNが少ないため、パス間時効の効果が得られなかったと推測される。B2及びB4は、Cが多く、磁気時効で、鉄損は劣化した。B5は、Siが1.5%と少ないため、固有抵抗が小さく、磁束密度は高いが、鉄損は大きい。
【0056】
B6は、Siが多いため鋼が脆化し、冷間圧延で鋼板が破断した。B7は、鉄損が大きい。Mnが少ないため、熱延で硫化物が微細に析出し、仕上げ焼鈍時に結晶粒成長を妨げたと推測される。
【0057】
B8は、Mnが多すぎるため、冷間圧延で破断した。B9は、鉄損が大きい。これは、Alが少ないことによる窒化物の微細析出が原因と推定される。B10は、Alが多すぎて、冷間圧延で破断した。B11〜B13は、S、Ti、及び/又は、Oの不純物が多く、鉄損が大きい。
【0058】
<実施例2>
表1に示す成分組成を有するインゴットを用い、実験2及び3に記載の方法で、最終冷延板を得た。最終冷間圧延前の結晶粒径、最終冷間圧延の圧下率、最終冷間圧延の際のパス間に行う時効処理条件とともに、得られた鋼板の圧延方向の磁束密度B50と鉄損W10/400を、表3に示す。
【0059】
発明例により、必要以上の時間をかけずに、効率よく、1.81T以上の高い磁束密度をもつ鋼板を得ることができることが分る。鉄損は、13W/kg以下である。
【0060】
【表3】

【0061】
一方、比較例は、以下の通りである。
【0062】
比較例D1は、最終冷間圧延前の平均結晶粒径が75μmと小さいため、発明例と比べて、磁束密度が低く、鉄損も大きい。D2は、最終冷間圧延の圧下率が小さく、D3は、最終冷間圧延の圧下率が大きすぎて、磁束密度が低く、鉄損は大きい。
【0063】
D4は、パス間時効処理の温度が低く、D5は、逆に、温度が高く、また、D6は、時効処理の時間が短いため、磁束密度が低く、鉄損は大きい。D7は、高い磁束密度と低い鉄損は得られるが、パス間時効の時間が長すぎるため、生産性が悪い。
【産業上の利用可能性】
【0064】
前述したように、本発明によれば、圧延方向の磁気特性が極めて優れた無方向性電磁鋼板を製造することができ、分割コアを用いたモーターの高効率化を図ることができる。よって、本発明は、電磁鋼板製造及び利用産業において、利用可能性が高いものである。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
質量%で、
C:0.001〜0.005%、
N:0.001〜0.005%、
Si:2.0〜4.0%、
Mn:0.05〜1.0%、
Al:0.1〜2.0%
を含有し、
C+N:0.002〜0.008%
であり、
S:0.005%以下、
Ti:0.005%以下、
O:0.005%以下で、
残部Fe及び不可避的不純物からなるスラブを、熱間圧延し、必要に応じて、熱延板焼鈍を施し、その後、中間焼鈍を挟む2回以上の冷間圧延を施し、次いで、仕上げ焼鈍を施し、その後、必要に応じて、絶縁被膜処理を施すことからなる無方向性電磁鋼板の製造方法において、最終の冷間圧延前の結晶粒径を100μm以上とし、最終の冷間圧延で、圧下率40〜75%で冷間圧延を施すとともに、最終の冷間圧延のパス間に、50〜300℃の温度域で1〜10分の時効処理を施すことを特徴とする圧延方向の磁気特性に優れた無方向性電磁鋼板の製造方法。
【請求項2】
前記スラブが、Sn及びSbの1種又は2種を合計0.01〜0.2質量%含むことを特徴とする、請求項1に記載の圧延方向の磁気特性に優れた無方向性電磁鋼板の製造方法。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【公開番号】特開2011−256426(P2011−256426A)
【公開日】平成23年12月22日(2011.12.22)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2010−131405(P2010−131405)
【出願日】平成22年6月8日(2010.6.8)
【出願人】(000006655)新日本製鐵株式会社 (6,474)
【Fターム(参考)】