圧延銅箔、及び圧延銅箔の製造方法
【課題】高い導電性を備え、かつ軟質銅材においても高い屈曲寿命を有する圧延銅箔、及び圧延銅箔の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る圧延銅箔は、不可避的不純物を含む純銅に、2mass ppmを超える量の酸素と、Mg、Zr、Nb、Ca、V、Ni、Mn、Ti、及びCrからなる群から選択される添加元素とを含む。
【解決手段】本発明に係る圧延銅箔は、不可避的不純物を含む純銅に、2mass ppmを超える量の酸素と、Mg、Zr、Nb、Ca、V、Ni、Mn、Ti、及びCrからなる群から選択される添加元素とを含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、圧延銅箔、及び圧延銅箔の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年の科学技術においては、動力源としての電力や、電気信号等、あらゆる部分に電気が用いられており、それらを伝達するためにケーブルやリード線などの導線が用いられている。そして、その導線に用いられている素材としては、銅、銀等の導電率の高い金属が用いられ、とりわけ、コスト面などを考慮し、銅線が極めて多く用いられている。
【0003】
銅と一括りにする中にも、その分子の配列などに応じて、大きく分けて、硬質銅と軟質銅とに分けられる。そして利用目的に応じて所望の性質を有する種類の銅が用いられている。
【0004】
電子部品用リード線には、硬質銅線が多く用いられ、例えば、医療機器、産業用ロボット、ノート型パソコン等の電子機器等に用いられるケーブルは、過酷な曲げ、ねじれ、引張りなどが組み合わさった外力が繰り返し負荷される環境下で使用されているため、硬直な硬質銅線は不的確であり、軟質銅線が用いられている。
【0005】
このような用途に使用される銅線には、導電性が良好(高導電率)で、かつ、屈曲特性が良好であるという、相反する特性が求められるが、今日までに、高導電性及び耐屈曲性を維持する銅材料の開発が進められている。
【0006】
例えば、引張強さ、伸び、及び導電率が良好な耐屈曲ケーブル用導体に関し、純度99.99wt%以上の無酸素銅に、純度99.99wt%以上のインジウムを0.05〜0.70mass%、純度99.9wt%以上のPを0.0001〜0.003mass%の濃度範囲で含有させてなる銅合金を線材に形成した耐屈曲ケープル用導体が知られている(例えば、特許文献1参照。)。
【0007】
また、インジウムが0.1〜1.0wt%、棚素が0.02〜0.1wt%、残部が銅である耐屈曲性銅合金線が知られている(例えば、特許文献2参照。)。
【0008】
また、半導体の実装や電子機器の実装に用いられるFPC(FleXible Print Circuit board)、COF(Cip On film)、TAB(Tape Automated Bonding)等においては、フィルム状の絶縁体の片面又は両面に、配線用の銅箔が配置されている。これらの銅箔には、可携性の他、例えば、FPC等の場合、稼動部の配線に必要な耐屈曲性に優れる圧延箔が使用される。圧延箔は、圧延ロールによる塑性加工により薄く延ばすことによって製造され、その素材には、従来よりタフピッチ銅(TPC)や無酸素銅(OFC)が用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0009】
【特許文献1】特開2002−363668号公報
【特許文献2】特開平9−256084号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
しかしながら、特許文献1に係る発明は、あくまでも硬質銅線に関する発明であり、耐屈曲性に関する具体的な評価はされておらず、より耐屈曲性に優れる軟質銅線についての検討はなされていない。また、添加元素の量が多いため、導電性が低下してしまう。軟質銅線に関しては、まだまだ十分に検討がなされたとはいえない。また、特許文献2に係る発明は、軟質銅線に関する発明であるが、特許文献1に係る発明と同様に、添加元素の添加量が多いため、導電性が低下してしまう。
【0011】
一方で、原料となる銅材料として無酸素銅(OFC)等の高導電性銅材を選択することで高い導電性を確保することが考えられる。
【0012】
しかしながら、この無酸素銅(OFC)を原料とし、導電性を維持すべく他の元素を添加せずに使用した場合には、銅荒引線の加工度をあげて伸線することにより無酸素銅線内部の結晶組織を細かくすることによって耐屈曲性を向上させるとする考え方も有効かもしれないが、この場合には、伸線加工による加工硬化により硬質線材としての用途には適しているが、軟質線材への適用ができないという問題がある。
【0013】
例えば、FPCヘタフピッチ銅(TPC)を用いた場合、ポリイミド樹脂フィルムと貼り合わせ、キュア(150〜160℃の熱処理)する際、銅箔を軟化させることで再結晶が行われ、集合組織となることで屈曲特性が向上する。しかし、素材に無酸素銅(OFC)を使用した場合、キュア温度では再結晶が不十分で屈曲特性を向上できない。一方、タフピッチ銅は、OFCや高純度銅(99.9999%)と比較して、導電率が劣る他、加工性が悪く、所定の厚さに加工するまでにより多くの圧延回数が必要であった。
【0014】
したがって、本発明の目的は、高い導電性を備え、かつ軟質銅材においても高い屈曲寿命を有する圧延銅箔、及び圧延銅箔の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0015】
本発明は、上記課題を解決することを目的として、不可避的不純物を含む純銅に、2mass ppmを超える量の酸素と、Mg、Zr、Nb、Ca、V、Ni、Mn、Ti、及びCrからなる群から選択される添加元素とを含む圧延銅箔が提供される。
【0016】
また、上記圧延銅箔において、前記添加元素がTiであり、2mass ppm以上12mass ppm以下の硫黄と、2mass ppmを超え30mass ppm以下の酸素と、4mass ppm以上55mass ppm以下のチタンとを含む軟質希薄銅合金材料からなることが好ましい。
【0017】
また、上記圧延銅箔において、軟化温度が厚さ0.8mmのサイズで148℃以下であってもよい。
【0018】
また、上記圧延銅箔において、加工前の結晶組織が、その表面から内部に向けて50μmの深さまでの平均結晶粒サイズが20μm以下である表層を有してもよい。
【0019】
また、本発明は、上記課題を解決することを目的として、不可避的不純物を含む純銅に、2mass ppmを超える量の酸素と、Mg、Zr、Nb、Ca、V、Ni、Mn、Ti、及びCrからなる群から選択される添加元素とを含む希薄銅合金材料をSCR連続鋳造圧延により、1100℃以上1320℃以下の鋳造温度で溶湯にし、前記溶湯から銅材を作製する工程と、前記銅材に熱間圧延加工を施し、鋳造材を作製する工程と、前記鋳造材に冷間圧延加工を施し、圧延銅箔を作製する工程とを備える圧延銅箔の製造方法が提供される。
【0020】
また、上記圧延銅箔の製造方法において、前記添加元素がTiであり、前記希薄銅合金材料が、2mass ppm以上12mass ppm以下の硫黄と、2mass ppmを超え30mass ppm以下の酸素と、4mass ppm以上55mass ppm以下のチタンとを含んでもよい。
【0021】
また、上記圧延銅箔の製造方法において、前記熱間圧延加工が、最初の圧延ロールでの温度を880℃以下に制御し、最終圧延ロールでの温度を550℃以上に制御して実施されてもよい。
【発明の効果】
【0022】
本発明に係る圧延銅箔及び圧延銅箔の製造方法は、高い導電性を備え、かつ軟質銅材においても高い屈曲寿命を有する圧延銅箔、及び圧延銅箔の製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0023】
【図1】TiS粒子のSEM像である。
【図2】図1の分析結果を示す図である。
【図3】TiO2粒子のSEM像である。
【図4】図3の分析結果を示す図である。
【図5】Ti−O−S粒子のSEM像である。
【図6】図5の分析結果を示す図である。
【図7】屈曲疲労試験の概要を示す図である。
【図8】400℃で1時間の焼鈍処理を施した後の、無酸素銅を用いた比較例13に係るワイヤロッドと、低酸素銅にTiを添加した軟質希薄銅合金線を用いて作製した実施例7に係るワイヤロッドとの屈曲寿命を測定した結果を示す図である。
【図9】600℃で1時間の焼鈍処理を施した後の、無酸素銅を用いた比較例14に係るワイヤロッドと、低酸素銅にTiを添加した軟質希薄銅合金線を用いて作製した実施例8に係るワイヤロッドとの屈曲寿命を測定した結果を示す図である。
【図10】比較例14に係る試料の幅方向の断面組織を示す図である。
【図11】実施例8に係る試料の幅方向の断面組織を示す図である。
【図12】表層における平均結晶粒サイズの測定方法の概要図である。
【図13】屈曲特性を評価する試験機の構成の概要図である。
【図14】焼鈍温度と伸びの関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0024】
本実施の形態に係る圧延銅箔は、導電率98%IACS(万国標準軟銅(International Anneld Copper Standard)以上、抵抗率1.7241×10−8Ωmを100%とした場合の導電率)、好ましくは100%IACS以上、より好ましくは102%IACS以上を満足する軟質型銅材としての軟質希薄銅合金材料を用いて構成される。
【0025】
また、本実施の形態に係る圧延銅箔は、SCR連続鋳造設備を用い、表面の傷が少なく、製造範囲が広く、安定生産が可能である。この鋳造材に対する加工度90%での軟化温度が148℃以下の材料を用いて構成される。
【0026】
具体的に、本実施の形態に係る圧延銅箔は、不可避的不純物を含む純銅に、2mass ppmを超える量の酸素と、Mg、Zr、Nb、Ca、V、Ni、Mn、Ti、及びCrからなる群から選択される添加元素とを含んで構成される。添加元素としてTi、Mg、Zr、Nb、Ca、V、Ni、Mn、及びCrからなる群から選択される元素を選択した理由は、これらの元素は他の元素と結合しやすい活性元素であり、Sと結合しやすいためSをトラップすることができ、銅母材(マトリクス)を高純度化することができるためである。添加元素は1種以上含まれていてもよい。また、合金の性質に悪影響を及ぼすことのないその他の元素及び不純物を合金に含有させることもできる。また、以下に説明する好適な実施の形態においては、酸素含有量が2を超え30mass ppm以下が良好であることを説明しているが、添加元素の添加量及びSの含有量によっては、合金の性質を備える範囲において、2を超え400mass ppmを含むことができる。
【0027】
また、圧延銅箔は、添加元素がTiであってよく、この場合、2mass ppm以上12mass ppm以下の硫黄と、2mass ppmを超え30mass ppm以下の酸素と、4mass ppm以上55mass ppm以下のチタンとを含む軟質希薄銅合金材料から圧延銅箔は構成される。そして、圧延銅箔は、軟化温度が厚さ0.8mmのサイズで137℃以下であることが好ましい。2mass ppmを超え30mass ppm以下の酸素を含有していることから、この実施の形態では、いわゆる低酸素銅(LOC)を対象としている。
【0028】
また、本実施の形態に係る圧延銅箔は、以下の工程を経て製造される。まず、不可避的不純物を含む純銅に、2mass ppm以上の酸素と、Mg、Zr、Nb、Ca、V、Ni、Mn、Ti、及びCrからなる群から選択される添加元素とを含む希薄銅合金材料をSCR連続鋳造圧延により、1100℃以上1320℃以下の鋳造温度で溶湯にする。そして、溶湯から銅材を作製する。次に、得られた銅材に熱間圧延加工を施し、鋳造材を作製する。そして、鋳造材に冷間圧延加工を施すことにより、本実施の形態に係る圧延銅箔が製造される。
【0029】
なお、熱間圧延加工は、最初の圧延ロールでの温度を880℃以下に制御し、最終圧延ロールでの温度を550℃以上に制御して実施されることが好ましい。
【0030】
以下、本実施の形態に係る圧延銅箔の実現において、本発明者が検討した内容を説明する。
【0031】
まず、純度が6N(つまり、99.9999%)の高純度銅は、加工度90%における軟化温度は130℃である。したがって、本発明者は、安定生産することができる130℃以上148℃以下の軟化温度で軟質材の導電率が98%IACS以上、好ましくは100%IACS以上、より好ましくは102%IACS以上である軟質銅を安定して製造することができる軟質希薄銅合金材料と、この軟質希薄銅合金材料の製造方法について検討した。
【0032】
ここで、酸素濃度が1〜2mass ppmである高純度銅(4N)を準備して、実験室に設置した小型連続鋳造機(小型連鋳機)を用い、このCuをCuの溶湯にした。そして、この溶湯にチタンを数mass ppm添加した。続いて、チタンを添加した溶湯からφ8mmのワイヤロッドを製造した。次に、φ8mmのワイヤロッドをφ2.6mmに加工した(つまり、加工度が90%である)。このφ2.6mmのワイヤロッドの軟化温度は160℃〜168℃であり、この温度より低い軟化温度にはならなかった。また、このφ2.6mmのワイヤロッドの導電率は、101.7%IACS程度であった。つまり、ワイヤロッドに含まれる酸素濃度を低下させ、チタンを溶湯に添加してもワイヤロッドの軟化温度を低下させることができないと共に、高純度銅(6N)の導電率102.8%IACSよりも導電率が低いという知見を本発明者は得た。
【0033】
軟化温度を低下させることができず、導電率が6Nの高純度銅より低くなった原因は、溶湯の製造中に不可避的不純物としての数mass ppm以上の硫黄(S)が含まれることに起因すると推測された。すなわち、溶湯に含まれている硫黄とチタンとの間でTiS等の硫化物が十分に形成されないことに起因して、ワイヤロッドの軟化温度が低下しないものと推測された。
【0034】
そこで、本発明者は、軟質希薄銅合金材料の軟化温度の低下と、軟質希薄銅合金材料の導電率の向上とを実現すべく、以下の二つの方策を検討した。そして、以下の二つの方策を銅ワイヤロッドの製造に併せ用いることで、本実施の形態に係る圧延銅箔を構成する軟質希薄銅合金材料を得た。
【0035】
図1は、TiS粒子のSEM像であり、図2は、図1の分析結果を示す。また、図3は、TiO2粒子のSEM像であり、図4は、図3の分析結果を示す。更に、図5は、Ti−O−S粒子のSEM像であり、図6は、図5の分析結果を示す。なお、SEM像において、中央付近に各粒子が撮像されている。図1〜6は、表1の実施例1の上から三段目に示す酸素濃度、硫黄濃度、Ti濃度をもつφ8mmの銅線(ワイヤロッド)の横断面をSEM観察及びEDX分析にて評価したものである。観察条件は、加速電圧15keV、エミッション電流10μAとした。
【0036】
まず、第1の方策は、酸素濃度が2mass ppm超える量のCuに、チタン(Ti)を添加した状態で、Cuの溶湯を作製することである。この溶湯中においては、TiSとチタンの酸化物(例えば、TiO2)とTi−O−S粒子とが形成されると考えられる。これは、図1のSEM像と図2の分析結果、図3のSEM像と図4の分析結果からの考察である。なお、図2、図4、及び図6において、Pt及びPdはSEM観察する際に観察対象物に蒸着する金属元素である。
【0037】
次に、第2の方策は、銅中に転位を導入することにより硫黄(S)の析出を容易にすることを目的として、熱間圧延工程における温度を通常の銅の製造条件における温度(つまり、950℃〜600℃)より低い温度(880℃〜550℃)に設定することである。このような温度設定により、転位上へのSの析出、又はチタンの酸化物(例えば、TiO2)を核としてSを析出させることができる。一例として、図5及び図6のように、溶銅と共にTi−O−S粒子等が形成される。
【0038】
以上の第1の方策及び第2の方策により、銅に含まれる硫黄が晶出すると共に析出するので、冷間伸線加工後に所望の軟化温度と所望の導電率とを有する銅ワイヤロッドを得ることができる。
【0039】
また、本実施の形態に係る圧延銅箔を構成する軟質希薄銅合金材料は、SCR連続鋳造圧延設備を用いて製造する。ここで、SCR連続鋳造圧延設備を用いる場合における製造条件の制限として、以下の3つの条件を設けた。
【0040】
(1)組成について
導電率が98%IACS以上の軟質銅材を得る場合、不可避的不純物を含む純銅(ベース素材)として、3〜12mass ppmの硫黄と、2を超え30mass ppm以下の酸素と、4〜55mass ppmのチタンとを含む軟質希薄銅合金材料を用い、この軟質希薄銅合金材料からワイヤロッド(荒引き線)を製造する。
【0041】
ここで、導電率が100%IACS以上の軟質銅材を得る場合には、不可避的不純物を含む純銅(ベース素材)として、2〜12mass ppmの硫黄と、2を超え30mass ppm以下の酸素と、4〜37mass ppmのチタンとを含む軟質希薄銅合金材料を用いる。また、導電率が102%IACS以上の軟質銅材を得る場合には、不可避的不純物を含む純銅(ベース素材)として、3〜12mass ppmの硫黄と、2を超え30mass ppm以下の酸素と、4〜25mass ppmのチタンとを含む軟質希薄銅合金材料を用いる。
【0042】
通常、純銅の工業的製造において、電気銅を製造する際に硫黄が銅の中に取り込まれるので、硫黄を3mass ppm以下にすることは困難である。汎用電気銅の硫黄濃度の上限は、12mass ppmである。
【0043】
酸素濃度が低い場合、圧延銅箔を構成する軟質希薄銅合金材料の軟化温度が低下しにくいので、酸素濃度は2mass ppmを超える量に制御する。また、酸素濃度が高い場合、熱間圧延工程で圧延銅箔を構成する軟質希薄銅合金材料の表面に傷が生じやすくなるので、30mass ppm以下に制御する。
【0044】
(2)分散している物質について
圧延銅箔を構成する軟質希薄銅合金材料内に分散している分散粒子のサイズは小さいことが好ましく、また、圧延銅箔を構成する軟質希薄銅合金材料内に分散粒子が多く分散していることが好ましい。その理由は、分散粒子は、硫黄の析出サイトとしての機能を有するからであり、析出サイトとしてはサイズが小さく、数が多いことが要求されるからである。
【0045】
圧延銅箔を構成する軟質希薄銅合金材料に含まれる硫黄及びチタンは、TiO、TiO2、TiS、若しくはTi−O−S結合を有する化合物又はTiO、TiO2、TiS、若しくはTi−O−S結合を有する化合物の凝集物として含まれ、残部のTi及びSが固溶体として含まれる。圧延銅箔を構成する軟質希薄銅合金材料としては、TiOが200nm以下のサイズを有し、TiO2が1000nm以下のサイズを有し、TiSが200nm以下のサイズを有し、Ti−O−Sの形の化合物が300nm以下のサイズを有しており、これらが結晶粒内に分布している軟質希薄銅合金材料を用いる。
【0046】
なお、鋳造時の溶銅の保持時間及び冷却条件に応じて結晶粒内に形成される粒子サイズが変動するので、鋳造条件も適切に設定する。
【0047】
(3)鋳造条件について
SCR連続鋳造圧延により、鋳塊ロッドの加工度が90%(30mm)〜99.8%(5mm)でワイヤロッドを作製する。一例として、加工度99.3%でφ8mmのワイヤロッドを製造する条件を採用する。以下、鋳造条件(a)〜(b)について説明する。
【0048】
[鋳造条件(a)]
溶解炉内での溶銅温度は1100℃以上1320℃以下に制御する。溶銅の温度が高いとブローホールが多くなり、傷が発生すると共に粒子サイズが大きくなる傾向にあるので1320℃以下に制御する。また、1100℃以上に制御する理由は、銅が固まりやすく、製造が安定しないことが理由であるものの、溶銅温度は可能な限り低い温度が望ましい。
【0049】
[鋳造条件(b)]
熱間圧延加工の温度は、最初の圧延ロールにおける温度を880℃以下に制御すると共に、最終圧延ロールでの温度を550℃以上に制御する。
【0050】
通常の純銅の製造条件と異なり、溶銅中での硫黄の晶出及び熱間圧延中における硫黄の析出の駆動力である固溶限をより小さくすることを目的として、溶銅温度及び熱間圧延加工の温度を「鋳造条件(a)」及び「鋳造条件(b)」において説明した条件に設定することが好ましい。
【0051】
また、通常の熱間圧延加工における温度は、最初の圧延ロールにおいて950℃以下、最終圧延ロールにおいて600℃以上であるが、固溶限をより小さくすることを目的として、本実施の形態では、最初の圧延ロールにおいて880℃以下、最終圧延ロールにおいて550℃以上に設定する。
【0052】
なお、最終圧延ロールにおける温度を550℃以上に設定する理由は、550℃未満の温度では得られるワイヤロッドの傷が多くなり、製造される圧延銅箔を構成する軟質希薄銅合金材料を製品として扱うことができないからである。熱間圧延加工における温度は、最初の圧延ロールにおいて880℃以下の温度、最終圧延ロールにおいて550℃以上の温度に制御すると共に、可能な限り低い温度であることが好ましい。このような温度設定にすることで、圧延銅箔を構成する軟質希薄銅合金材料の軟化温度(φ8〜φ2.6mmに加工した後の軟化温度)を、6NのCuの軟化温度(つまり、130℃)に近づけることができる。
【0053】
無酸素銅の導電率は101.7%IACS程度であり、6NのCuの導電率は102.8%IACSである。本実施の形態においては、例えば、直径φ8mmサイズのワイヤロッドの導電率が98%IACS以上、好ましくは100%IACS以上、より好ましくは102%IACS以上である。また、本実施の形態においては、冷間伸線加工後の線材(例えば、φ2.6mm)のワイヤロッドの軟化温度が130℃以上148℃である軟質希薄銅合金を製造し、この軟質希薄銅合金を圧延銅箔の製造に用いる。
【0054】
工業的に用いるためには、電解銅から製造した工業的に利用される純度の軟質銅線の導電率として、98%IACS以上の導電率が要求される。また、軟化温度は工業的価値から判断して148℃以下である。6NのCuの軟化温度は127℃〜130℃であるので、得られたデータから軟化温度の上限値を130℃に設定する。このわずかな違いは、6NのCuには含まれていない不可避的不純物の存在に起因する。
【0055】
ベース材の銅は、シャフト炉で溶解された後、還元状態で樋に流すことが好ましい。すなわち、還元ガス(例えば、CO)雰囲気シールド等の還元システム下において、希薄合金の硫黄濃度、チタン濃度、及び酸素濃度を制御しつつ鋳造すると共に、材料に圧延加工を施すことにより、ワイヤロッドを安定的に製造することが好ましい。なお、銅酸化物が混入すること、及び/又は粒子サイズが所定サイズより大きいことは、製造される圧延銅箔の品質を低下させる。
【0056】
ここで、圧延銅箔を構成する軟質希薄銅合金材料にチタンを添加物として添加した理由は次のとおりである。すなわち、(a)チタンは溶融銅の中で硫黄と結合することにより化合物になりやすく、(b)Zr等の他の添加金属に比べて加工が容易で扱いやすく、(c)Nb等に比べて安価であり、(d)酸化物を核として析出しやすいからである。
【0057】
以上より、生産性が高く、導電率、軟化温度、表面品質に優れた実用的な軟質希薄銅合金材料を、本実施の形態に係る圧延銅箔を構成する軟質希薄銅合金材料の原料として得ることができる。なお、軟質希薄銅合金材料の表面にめっき層を形成することもできる。めっき層は、例えば、錫、ニッケル、銀を主成分とする材料、又はPbフリーめっきを用いることができる。
【0058】
また、本実施の形態では、SCR連続鋳造圧延法によりワイヤロッドを作製すると共に、熱間圧延にて軟質材を作製したが、双ロール式連続鋳造圧延法又はプロペルチ式連続鋳造圧延法を採用することもできる。
【0059】
(実施の形態の効果)
本実施の形態に係る圧延銅箔は、添加したTiが不純物であるSをトラップすることにより、銅母相(マトリックス)が高純度化して軟らかくなる。つまり、所定の厚さに加工するまでにより少ない圧延回数、あるいは、より低い圧延荷重で加工することが可能であり、加工性に優れている。また、キュア時の熱処理(150〜160℃)で銅箔を軟化及び再結晶させることが可能であり、それにより屈曲特性を向上させることができる。
【0060】
また、本実施の形態に係る圧延銅箔は、高い導電性を備え、かつ高い屈曲寿命を有する。つまり、圧延銅箔は、これらの優れた特性(加工性、低温での軟化、高い屈曲特性、高い導電率)を併せ持ち、そのことにより圧延箔製造中や製品組立て時の作業効率やコスト削減も達成することができる。また、銅の高純度化(99.9999%以上)処理を必要とせず、安価な連続鋳造圧延法により得られるので、素材自体の低コスト化が可能である。これらの用途は、前述したFPC、COF、TAB等に限るものではなく、リチウムイオン電池やリチウムポリマー電池等の電極に使われる銅箔等に広く応用が可能である。
【実施例】
【0061】
表1は実験条件と結果とを示す。
【0062】
【表1】
【0063】
まず、実験材として、表1に示した酸素濃度、硫黄濃度、チタン濃度を有するφ8mmの銅線(ワイヤロッド、加工度99.3%)を作製した。φ8mmの銅線は、SCR連続鍛造圧延により、熱間圧延加工を施したものである。Tiは、シャフト炉で溶解された銅溶湯を還元ガス雰囲気で樋に流し、樋に流した銅溶湯を同じ還元ガス雰囲気の鋳造ポットに導き、この鋳造ポットにて、Tiを添加した後、これをノズルを通して鋳造輪と無端ベルトとの間に形成される鋳型にて鋳塊ロッドを作成した。この鋳塊ロッドを熱間圧延加工してφ8mmの銅線を作成したものである。次に、各実験材に冷間伸線加工を施した。これにより、φ2.6mmサイズの銅線を作製した。そして、φ2.6mmサイズの銅線の半軟化温度と導電率とを測定すると共に、φ8mmの銅線における分散粒子サイズを評価した。
【0064】
酸素濃度は、酸素分析器(レコ(Leco(登録商標)酸素分析器)で測定した。硫黄、チタンの各濃度はICP発光分光分析で分析した。
【0065】
φ2.6mmサイズにおける半軟化温度の測定は、400℃以下で各温度1時間の保持後、水中急冷し、引張試験を実施し、その結果から求めた。室温での引張試験の結果と400℃で1時間のオイルバス熱処理した軟質銅線の引張試験の結果を用いて求め、この2つの引張試験の引張強さを足して2で割った値を示す強度に対応する温度を半軟化温度と定義して求めた。
【0066】
実施の形態で述べたとおり、軟質希薄銅合金線内に分散している分散粒子のサイズは小さいことが好ましく、また、軟質希薄銅合金線内に分散粒子が多く分散していることが好ましい。したがって、直径500nm以下の分散粒子が90%以上である場合を合格とした。ここに「サイズ」とは化合物のサイズであり、化合物の形状の長径と短径のうちの長径のサイズを意味する。また、「粒子」とは、前記TiO、TiO2、TiS、Ti−O−Sのことを示す。また、「90%」とは、全体の粒子数に対しての該当粒子数の割合を示すものである。
【0067】
表1において比較例1は、実験室でAr雰囲気において直径φ8mmの銅線を試作した結果であり、銅溶湯にTiを0〜18mass ppm添加した。Tiを添加していない銅線の半軟化温度が215℃であったのに対し、13mass ppmのTiを添加した銅線の軟化温度は160℃まで低下した(実験した中では最小温度である。)。表1に示すとおり、Ti濃度が15mass ppm、18mass ppmに増加するにつれ、半軟化温度も上昇しており、要求されている軟化温度である148℃以下を実現することはできなかった。また、工業的に要求されている導電率は98%IACS以上であったものの、総合評価は不合格(以下、不合格を「×」と表す)であった。
【0068】
そこで、比較例2として、SCR連続鋳造圧延法を用い、酸素濃度を7〜8mass ppmに調整したφ8mm銅線(ワイヤロッド)を試作した。
【0069】
比較例2においては、SCR連続鋳造圧延法で試作した中でTi濃度が最小(つまり、0mass ppm、2mass ppm)の銅線であり、導電率は102%IACS以上であったものの、半軟化温度が164℃、157℃であり、要求されている148℃以下ではなかったことから、総合評価は「×」であった。
【0070】
実施例1においては、酸素濃度と硫黄濃度とが略一致(つまり、酸素濃度:7〜8mass ppm、硫黄濃度:5mass ppm)すると共に、Ti濃度が4〜55mass ppmの範囲内で異なる銅線を試作した。
【0071】
Ti濃度が4〜55mass ppmの範囲では、軟化温度が148℃以下であり、導電率も98%IACS以上102%IACS以上であり、分散粒子サイズは500nm以下の粒子が90%以上であり良好であった。また、ワイヤロッドの表面もきれいであり、いずれも製品性能を満たしていたので、総合評価は合格(以下、合格を「○」と表す)であった。
【0072】
ここで、導電率100%IACS以上を満たす銅線は、Ti濃度が4〜37mass ppmの場合であり、102%IACS以上を満たす銅線は、Ti濃度が4〜25mass ppmの場合であった。Ti濃度が13mass ppmの場合に導電率は最大値である102.4%IACSを示し、この濃度の周辺では、導電率はわずかに低い値であった。これは、Ti濃度が13mass ppmの場合に、銅の中の硫黄分を化合物として捕捉することで、高純度銅(6N)に近い導電率を示すためである。
【0073】
よって、酸素濃度を高くし、Tiを添加することで、半軟化温度と導電率との双方を満足させることができる。
【0074】
比較例3においては、Ti濃度を60mass ppmにした銅線を試作した。比較例3に係る銅線は、導電率は要求を満たすものの、半軟化温度は148℃以上であり、製品性能を満たしていなかった。更に、ワイヤロッドの表面の傷も多く、製品として採用することは困難であった。よって、Tiの添加量は60mass ppm未満が好ましいことが示された。
【0075】
実施例2に係る銅線おいては、硫黄濃度を5mass ppmに設定すると共に、Ti濃度を13〜10mass ppmの範囲で制御して、酸素濃度を変更することにより酸素濃度の影響を検討した。
【0076】
酸素濃度に関しては、2mass ppmを超え30mass ppm以下まで、大きく濃度が異なる銅線をそれぞれ作製した。ただし、酸素濃度が2mass ppm未満の銅線は生産が困難で安定的に製造できないので、総合評価は「△」とした(なお、「△」は「○」と「×」との中間の評価である。)。また、酸素濃度を30mass ppmにしても半軟化温度及び導電率の双方とも、要求を満たした。
【0077】
比較例4においては、酸素濃度が40mass ppmの場合に、ワイヤロッドの表面の傷が多く、製品として採用することができない状態であった。
【0078】
よって、酸素濃度を2を超え30mass ppm以下の範囲にすることで、半軟化温度、導電率102%IACS以上、分散粒子サイズのいずれの特性も満足させることができ、また、ワイヤロッドの表面もきれいであり、製品性能を満足させることができることが示された。
【0079】
実施例3は、酸素濃度とTi濃度とを互いに近づけた濃度に設定すると共に、硫黄濃度を4〜20mass ppmの範囲内で変更した銅線である。実施例3においては、硫黄濃度が2mass ppmより小さい銅線については、原料の制約上、実現できなかった。しかしながら、Ti濃度と硫黄濃度とをそれぞれ制御することで、半軟化温度及び導電率の双方とも、要求を満たすことができた。
【0080】
比較例5においては、硫黄濃度が18mass ppmであり、Ti濃度が13mass ppmである場合には、半軟化温度が162℃と高く、要求される特性を満足しなかった。また、特に、ワイヤロッドの表面品質が悪く、製品化は困難であった。
【0081】
以上より、硫黄濃度が2〜12mass ppmの範囲の場合には、半軟化温度、導電率102%IACS以上、分散粒子サイズのいずれの特性も満足させることができ、また、ワイヤロッドの表面もきれいであり、製品性能を満足させることができることが示された。
【0082】
比較例6は、6NのCuを用いた銅線である。比較例6に係る銅線においては、半軟化温度が127℃〜130℃であり、導電率が102.8%IACSであり、分散粒子サイズも500nm以下の粒子は全く認められなかった。
【0083】
表2には、製造条件としての溶融銅の温度と圧延温度とを示す。
【0084】
【表2】
【0085】
比較例7においては、溶銅温度が1330℃〜1350℃で、かつ、圧延温度が950〜600℃でφ8mmのワイヤロッドを作製した。比較例7に係るワイヤロッドは、半軟化温度及び導電率は要求を満たすものの、分散粒子サイズに関しては1000nm程度の粒子が存在しており、500nm以上の粒子も10%を超えて存在していた。よって、実施例7に係るワイヤロッドは不適と判定した。
【0086】
実施例4においては、溶銅温度を1200℃〜1320℃の温度範囲で制御すると共に、圧延温度を880℃〜550℃の温度範囲に制御してφ8mmのワイヤロッドを作製した。実施例4に係るワイヤロッドは、ワイヤロッド表面の品質、分散粒子サイズが良好であり、総合評価は「○」であった。
【0087】
比較例8においては、溶銅温度を1100℃に制御すると共に、圧延温度を880℃〜550℃の温度範囲に制御してφ8mmのワイヤロッドを作製した。比較例8に係るワイヤロッドは、溶銅温度が低いことからワイヤロッドの表面の傷が多く製品としては適さなかった。これは、溶銅温度が低いことから、圧延時に傷が発生しやすいことに起因するからである。
【0088】
比較例9においては、溶銅温度を1300℃に制御すると共に、圧延温度を950℃〜600℃の温度範囲に制御してφ8mmのワイヤロッドを作製した。比較例9に係るワイヤロッドは、熱間圧延工程における温度が高いことからワイヤロッドの表面の品質は良好であるものの、分散粒子サイズには大きいサイズが含まれ、総合評価は「×」になった。
【0089】
比較例10においては、溶銅温度を1350℃に制御すると共に、圧延温度を880℃〜550℃の温度範囲に制御してφ8mmのワイヤロッドを作製した。比較例10に係るワイヤロッドは、溶銅温度が高いことに起因して分散粒子サイズに大きなサイズが含まれ、総合評価は「×」になった。
【0090】
(軟質希薄銅合金線の軟質特性)
表3は、無酸素銅線を用いた比較例11に係るワイヤロッドと、低酸素銅に13mass ppmのTiを含有させた軟質希薄銅合金線から作製した実施例5に係るワイヤロッドとについて、異なる焼鈍温度で1時間の焼鈍を施した後のビッカース硬さ(Hv)を測定した結果を示す。
【0091】
【表3】
【0092】
実施例5に係るワイヤロッドは、表1の実施例1に記載した合金組成と同一の合金組成を有する。なお、試料としては、2.6mm径の試料を用いた。表3を参照すると、焼鈍温度が400℃の場合及び600℃の場合に、比較例11に係るワイヤロッドと実施例5に係るワイヤロッドとのビッカース硬さは同等レベルであることが示された。したがって、実施例5に係るワイヤロッドは十分な軟質特性を有すると共に、無酸素銅線との比較においても、特に焼鈍温度が400℃を超える温度範囲においては優れた軟質特性を発揮することが示された。
【0093】
(軟質希薄銅合金線の耐力、及び屈曲寿命についての検討)
表4は、無酸素銅線を用いた比較例12に係るワイヤロッドと、低酸素銅に13mass ppmのTiを含有させた軟質希薄銅合金線を用いて作製した実施例6に係るワイヤロッドとについて、異なる焼鈍温度で1時間の焼鈍を施した後の0.2%耐力値の推移を測定した結果を示す。なお、試料としては、2.6mm径の試料を用いた。また、実施例6に係るワイヤロッドは、表1の実施例1に記載した合金組成と同一の合金組成を有する。
【0094】
【表4】
【0095】
表4を参照すると、焼鈍温度が400℃及び600℃の場合に、比較例12に係るワイヤロッドと実施例6に係るワイヤロッドとの0.2%耐力値が同等レベルであることが示された。
【0096】
図7は、屈曲疲労試験の概要を示し、図8は、400℃で1時間の焼鈍処理を施した後の、無酸素銅を用いた比較例13に係るワイヤロッドと、低酸素銅にTiを添加した軟質希薄銅合金線を用いて作製した実施例7に係るワイヤロッドとの屈曲寿命を測定した結果を示す。
【0097】
試料としては、0.26mm径の線材に対して焼鈍温度400℃で1時間の焼鈍を施した試料を用い、比較例13に係るワイヤロッドは比較例11に係るワイヤロッドと同一の成分組成を有し、実施例7に係るワイヤロッドは実施例5に係るワイヤロッドと同一の成分組成を有する。
【0098】
屈曲寿命の測定は、屈曲疲労試験を用いて実施した。屈曲疲労試験は、試料に荷重を負荷し、試料表面に引張と圧縮との繰り返し曲げひずみを与える試験である。具体的には、まず、図7の(A)に示すように、屈曲ヘッド14が備えるクランプ12に試料20を固定すると共に曲げ冶具(つまり、リング10)の間に試料20をセットする。そして、試料20に対し、錘16により荷重を負荷する。次に、図7の(B)に示すようにリング10を90度回転させることにより試料20に曲げを与える。この操作で、リング10に接している試料20の表面には圧縮ひずみが発生し、圧縮ひずみが発生している表面の反対側の表面には引張ひずみが発生する。
【0099】
その後、再び図7の(A)の状態(つまり、試料20に曲げが加えられていない状態)に試料20は戻る。続いて、図7の(C)に示すように、図7の(B)における場合と反対方向にリング10を90度回転させることにより試料20に曲げを与える。この操作で、リング10に接している試料20の表面には圧縮ひずみが発生し、圧縮ひずみが発生している表面の反対側の表面には引張ひずみが発生する。そして、再び図7の(A)の状態に試料20は戻る。この屈曲疲労の1サイクル(なお、図7の(A)の状態から(B)の状態になり、(B)の状態から(A)の状態に戻り、(A)の状態から(C)の状態になり、(C)の状態から(A)の状態に戻るサイクルを1サイクルとする。)に要する時間は4秒である。
【0100】
表面曲げひずみは、「表面曲げひずみ(%)=r/(R+r)×100(%)」から算出される。なお、「R」は、素線曲げ半径(30mm)であり、「r」は、素線半径である。
【0101】
図8に示すように、実施例7に係るワイヤロッドは、比較例13に係るワイヤロッドに比べて高い屈曲寿命特性を示した。
【0102】
図9は、600℃で1時間の焼鈍処理を施した後の、無酸素銅を用いた比較例14に係るワイヤロッドと、低酸素銅にTiを添加した軟質希薄銅合金線を用いて作製した実施例8に係るワイヤロッドとの屈曲寿命を測定した結果を示す。
【0103】
試料としては、0.26mm径の線材に対して焼鈍温度600℃で1時間の焼鈍を施した試料を用い、比較例14に係るワイヤロッドは比較例11に係るワイヤロッドと同一の成分組成を有し、実施例8に係るワイヤロッドは実施例5に係るワイヤロッドと同一の成分組成を有する。また、屈曲寿命の測定は、図8に示す測定方法と同様に実施した。その結果、実施例8に係るワイヤロッドは、比較例14に係るワイヤロッドに比べて高い屈曲寿命特性を示した。
【0104】
実施例7、実施例8、比較例13、及び比較例14に係るワイヤロッドの屈曲寿命測定の結果は、いずれの焼鈍条件下においても実施例7及び実施例8に係るワイヤロッドの方が、比較例13及び比較例14に係るワイヤロッドに比べて0.2%耐力値が大きい値を示すことに起因と理解できる。
【0105】
(軟質希薄銅合金線の結晶構造についての検討)
図10は、比較例14に係る試料の幅方向の断面組織を示し、図11は、実施例8に係る試料の幅方向の断面組織を示す。
【0106】
図10を参照すると、比較例14の結晶構造は、表面部から中央部にかけて全体的に大きさの等しい結晶粒が均一に並んでいることが分かる。一方、実施例8の結晶構造は、全体的に結晶粒の大きさがまばらであり、試料の断面方向の表面付近に薄く形成されている層における結晶粒サイズが内部の結晶粒サイズに比べて極めて小さくなっている。
【0107】
本発明者は、比較例14には形成されていない表層に現れた微細結晶粒層が実施例8の屈曲特性の向上に寄与しているものと考えている。
【0108】
通常、焼鈍温度600℃で1時間の焼鈍処理を実行すれば、比較例14のように再結晶により均一に粗大化した結晶粒が形成されると理解される。しかし、本実施例においては、焼鈍温度600℃で1時間の焼鈍処理を実行しても表層には微細結晶粒層が残存している。したがって、本実施例では、軟質銅材でありながら屈曲特性に優れた軟質希薄銅合金材料が得られたと考えられる。
【0109】
また、図10及び図11に示す結晶構造の断面写真を基に、実施例8及び比較例14に係る試料の表層における平均結晶粒サイズを測定した。
【0110】
図12は、表層における平均結晶粒サイズの測定方法の概要を示す。
【0111】
図12に示すように、0.26mm径の幅方向断面の表面から深さ方向に10μm間隔で50μmの深さまでの長さ1mmの線上の範囲で、結晶粒サイズを測定した。そして、各測定値(実測値)から平均値を求め、この平均値を平均結晶粒サイズにした。
【0112】
測定の結果、比較例14の表層における平均結晶粒サイズは、50μmであったのに対し、実施例8の表層における平均結晶粒サイズは、10μmであり、大きく異なっていた。表層の平均結晶粒サイズが細かいことにより、屈曲疲労試験による亀裂の進展が抑制され、屈曲疲労寿命が延びたと考えられる(なお、結晶粒サイズが大きいと、結晶粒界に沿って亀裂が進展する。しかし、結晶粒サイズが小さいと亀裂の進展方向が変わるので、進展が抑制される。)。このことが、上述のとおり、比較例と実施例との屈曲特性の面で大きな相違が生じた理由であると考えられる。
【0113】
また、2.6mm径である実施例7及び比較例13の表層における平均結晶粒サイズは、2.6mm径の幅方向断面の表面から深さ方向に50μmの深さのところの長さ10mmの範囲での結晶粒サイズを測定した。
【0114】
測定の結果、比較例13の表層における平均結晶粒サイズは100μmであったのに対し、実施例7の表層における平均結晶粒サイズは20μmであった。
【0115】
本実施例の効果を奏するには、表層の平均結晶粒サイズの上限値としては20μm以下が好ましい。また、製造上の限界値を考慮すると、5μm以上の平均結晶粒サイズであることが好ましい。
【0116】
表5は、SCR連続鋳造圧延より、溶銅温度と圧延温度とを変化させ、幅200mm×8mmの板材を作製したときの製造条件としての、溶融銅の温度と圧延温度とを示す。
【0117】
【表5】
【0118】
半軟化温度、及び導電率は、厚さ8mmから0.8mmまで冷間圧延したものを試料として評価した。
【0119】
比較例15においては、溶銅温度を1330〜1350℃に制御し、圧延温度を950〜600℃に制御して平板を試作した。比較例15に係る素材は、半軟化温度と導電率は満足するものの、分散粒子のサイズに関しては、1000nm程度のものもあり500nm以上の粒子も10%を超えていた。よってこれは総合評価を不適(「×」)とした。
【0120】
実施例9においては、溶銅温度を1200〜1320℃に制御し、圧延温度を880〜550℃に制御して平板を試作した。実施例9に係る素材は、板材の表面品質、分散粒子サイズも良好で、総合評価は「○」であった。また、厚さ0.8mmの素材には、実施例8と同様に、その表面から内側に向けて50μmの深さまでの平均結晶粒サイズが20μm以下の表層が存在していた。
【0121】
比較例16においては、溶銅温度を1100℃に制御し、圧延温度を880〜550℃に制御して平板を試作した。比較例16に係る素材は、溶銅温度が低いため、板材の表面傷が多く製品には適さなかった。これは、溶銅温度が低いため、圧延時に傷が発生しやすいためである。
【0122】
比較例17においては、溶銅温度を1300℃に制御し、圧延温度を950〜600℃に制御して平板を試作した。比較例17に係る素材は、熱間圧延温度が高いため、板材の表面品質が良いが、分散粒子サイズも大きなものがあり、総合評価は「×」であった。
【0123】
比較例18においては、溶銅温度を1350℃に制御し、圧延温度を880〜550℃に制御して平板を試作した。比較例18に係る素材は、溶銅温度が高いため、分散粒子サイズが大きなものがあり、総合評価は「×」となった。
【0124】
表5に示す実施例9の8mmtの材料を冷間圧延により厚さ200μmの箔形状に加工し、実施例10に係る圧延銅箔とした。表6に、実施例10と同じ加工、熱処理にて同サイズに仕上げた高純度銅(6N)からなる比較例19に係る銅箔、タフピッチ銅(TPC)からなる比較例20に係る銅箔、無酸素銅(OFC)からなる比較例21に係る銅箔のそれぞれについて、銅箔の特性を比較評価した結果を示す。
【0125】
【表6】
【0126】
加工性は、厚さ0.8mmで一端600℃×1時間の熱処理を行い、そこから200μmの厚さまで冷間圧延加工する際の圧延回数で評価し、4種の材料のうち圧延回数が少ない上位2種を「○」と評価した。屈曲特性は、図13に示す試験機を用いて評価した。なお、試験機は、導体1に振動を加える振動付加部3と、導体を固定する導体固定部2a及び導体固定部2bと、振動付加部3に振動を与える振動発生装置4と、振動発生装置4を支持する支持部5とを備えて構成される。
【0127】
試験条件は、試験片幅12mm、試験片長さ200mm、曲率半径r=3mm、振動ストローク10mmに設定した。破断に至るまでの屈曲回数が1×104回以上を「○」、それ未満を「×」とした。
【0128】
図14は、実施例10と比較例21の焼鈍温度に対する伸びを評価した結果を示す。
【0129】
表6に示すとおり、実施例10の加工性が比較例21に比べ優れているのは、焼鈍温度100℃から900℃の広い範囲で優れた伸び特性を示すことによると判断できる。また、表6の結果から総合的に判断すると、実施例10の材料は最も優れた特性を示すことが明らかである。
【0130】
以上、本発明の実施の形態及び実施例を説明したが、上記に記載した実施の形態及び実施例は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態及び実施例の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。
【符号の説明】
【0131】
1 導体
2a、2b 導体固定部
3 振動付加部
4 振動発生装置
5 支持部
10 リング
12 クランプ
14 屈曲ヘッド
16 錘
20 試料
30 樹脂基板
30a 凹凸形状
40 導体
50 樹脂層
【技術分野】
【0001】
本発明は、圧延銅箔、及び圧延銅箔の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年の科学技術においては、動力源としての電力や、電気信号等、あらゆる部分に電気が用いられており、それらを伝達するためにケーブルやリード線などの導線が用いられている。そして、その導線に用いられている素材としては、銅、銀等の導電率の高い金属が用いられ、とりわけ、コスト面などを考慮し、銅線が極めて多く用いられている。
【0003】
銅と一括りにする中にも、その分子の配列などに応じて、大きく分けて、硬質銅と軟質銅とに分けられる。そして利用目的に応じて所望の性質を有する種類の銅が用いられている。
【0004】
電子部品用リード線には、硬質銅線が多く用いられ、例えば、医療機器、産業用ロボット、ノート型パソコン等の電子機器等に用いられるケーブルは、過酷な曲げ、ねじれ、引張りなどが組み合わさった外力が繰り返し負荷される環境下で使用されているため、硬直な硬質銅線は不的確であり、軟質銅線が用いられている。
【0005】
このような用途に使用される銅線には、導電性が良好(高導電率)で、かつ、屈曲特性が良好であるという、相反する特性が求められるが、今日までに、高導電性及び耐屈曲性を維持する銅材料の開発が進められている。
【0006】
例えば、引張強さ、伸び、及び導電率が良好な耐屈曲ケーブル用導体に関し、純度99.99wt%以上の無酸素銅に、純度99.99wt%以上のインジウムを0.05〜0.70mass%、純度99.9wt%以上のPを0.0001〜0.003mass%の濃度範囲で含有させてなる銅合金を線材に形成した耐屈曲ケープル用導体が知られている(例えば、特許文献1参照。)。
【0007】
また、インジウムが0.1〜1.0wt%、棚素が0.02〜0.1wt%、残部が銅である耐屈曲性銅合金線が知られている(例えば、特許文献2参照。)。
【0008】
また、半導体の実装や電子機器の実装に用いられるFPC(FleXible Print Circuit board)、COF(Cip On film)、TAB(Tape Automated Bonding)等においては、フィルム状の絶縁体の片面又は両面に、配線用の銅箔が配置されている。これらの銅箔には、可携性の他、例えば、FPC等の場合、稼動部の配線に必要な耐屈曲性に優れる圧延箔が使用される。圧延箔は、圧延ロールによる塑性加工により薄く延ばすことによって製造され、その素材には、従来よりタフピッチ銅(TPC)や無酸素銅(OFC)が用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0009】
【特許文献1】特開2002−363668号公報
【特許文献2】特開平9−256084号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
しかしながら、特許文献1に係る発明は、あくまでも硬質銅線に関する発明であり、耐屈曲性に関する具体的な評価はされておらず、より耐屈曲性に優れる軟質銅線についての検討はなされていない。また、添加元素の量が多いため、導電性が低下してしまう。軟質銅線に関しては、まだまだ十分に検討がなされたとはいえない。また、特許文献2に係る発明は、軟質銅線に関する発明であるが、特許文献1に係る発明と同様に、添加元素の添加量が多いため、導電性が低下してしまう。
【0011】
一方で、原料となる銅材料として無酸素銅(OFC)等の高導電性銅材を選択することで高い導電性を確保することが考えられる。
【0012】
しかしながら、この無酸素銅(OFC)を原料とし、導電性を維持すべく他の元素を添加せずに使用した場合には、銅荒引線の加工度をあげて伸線することにより無酸素銅線内部の結晶組織を細かくすることによって耐屈曲性を向上させるとする考え方も有効かもしれないが、この場合には、伸線加工による加工硬化により硬質線材としての用途には適しているが、軟質線材への適用ができないという問題がある。
【0013】
例えば、FPCヘタフピッチ銅(TPC)を用いた場合、ポリイミド樹脂フィルムと貼り合わせ、キュア(150〜160℃の熱処理)する際、銅箔を軟化させることで再結晶が行われ、集合組織となることで屈曲特性が向上する。しかし、素材に無酸素銅(OFC)を使用した場合、キュア温度では再結晶が不十分で屈曲特性を向上できない。一方、タフピッチ銅は、OFCや高純度銅(99.9999%)と比較して、導電率が劣る他、加工性が悪く、所定の厚さに加工するまでにより多くの圧延回数が必要であった。
【0014】
したがって、本発明の目的は、高い導電性を備え、かつ軟質銅材においても高い屈曲寿命を有する圧延銅箔、及び圧延銅箔の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0015】
本発明は、上記課題を解決することを目的として、不可避的不純物を含む純銅に、2mass ppmを超える量の酸素と、Mg、Zr、Nb、Ca、V、Ni、Mn、Ti、及びCrからなる群から選択される添加元素とを含む圧延銅箔が提供される。
【0016】
また、上記圧延銅箔において、前記添加元素がTiであり、2mass ppm以上12mass ppm以下の硫黄と、2mass ppmを超え30mass ppm以下の酸素と、4mass ppm以上55mass ppm以下のチタンとを含む軟質希薄銅合金材料からなることが好ましい。
【0017】
また、上記圧延銅箔において、軟化温度が厚さ0.8mmのサイズで148℃以下であってもよい。
【0018】
また、上記圧延銅箔において、加工前の結晶組織が、その表面から内部に向けて50μmの深さまでの平均結晶粒サイズが20μm以下である表層を有してもよい。
【0019】
また、本発明は、上記課題を解決することを目的として、不可避的不純物を含む純銅に、2mass ppmを超える量の酸素と、Mg、Zr、Nb、Ca、V、Ni、Mn、Ti、及びCrからなる群から選択される添加元素とを含む希薄銅合金材料をSCR連続鋳造圧延により、1100℃以上1320℃以下の鋳造温度で溶湯にし、前記溶湯から銅材を作製する工程と、前記銅材に熱間圧延加工を施し、鋳造材を作製する工程と、前記鋳造材に冷間圧延加工を施し、圧延銅箔を作製する工程とを備える圧延銅箔の製造方法が提供される。
【0020】
また、上記圧延銅箔の製造方法において、前記添加元素がTiであり、前記希薄銅合金材料が、2mass ppm以上12mass ppm以下の硫黄と、2mass ppmを超え30mass ppm以下の酸素と、4mass ppm以上55mass ppm以下のチタンとを含んでもよい。
【0021】
また、上記圧延銅箔の製造方法において、前記熱間圧延加工が、最初の圧延ロールでの温度を880℃以下に制御し、最終圧延ロールでの温度を550℃以上に制御して実施されてもよい。
【発明の効果】
【0022】
本発明に係る圧延銅箔及び圧延銅箔の製造方法は、高い導電性を備え、かつ軟質銅材においても高い屈曲寿命を有する圧延銅箔、及び圧延銅箔の製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0023】
【図1】TiS粒子のSEM像である。
【図2】図1の分析結果を示す図である。
【図3】TiO2粒子のSEM像である。
【図4】図3の分析結果を示す図である。
【図5】Ti−O−S粒子のSEM像である。
【図6】図5の分析結果を示す図である。
【図7】屈曲疲労試験の概要を示す図である。
【図8】400℃で1時間の焼鈍処理を施した後の、無酸素銅を用いた比較例13に係るワイヤロッドと、低酸素銅にTiを添加した軟質希薄銅合金線を用いて作製した実施例7に係るワイヤロッドとの屈曲寿命を測定した結果を示す図である。
【図9】600℃で1時間の焼鈍処理を施した後の、無酸素銅を用いた比較例14に係るワイヤロッドと、低酸素銅にTiを添加した軟質希薄銅合金線を用いて作製した実施例8に係るワイヤロッドとの屈曲寿命を測定した結果を示す図である。
【図10】比較例14に係る試料の幅方向の断面組織を示す図である。
【図11】実施例8に係る試料の幅方向の断面組織を示す図である。
【図12】表層における平均結晶粒サイズの測定方法の概要図である。
【図13】屈曲特性を評価する試験機の構成の概要図である。
【図14】焼鈍温度と伸びの関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0024】
本実施の形態に係る圧延銅箔は、導電率98%IACS(万国標準軟銅(International Anneld Copper Standard)以上、抵抗率1.7241×10−8Ωmを100%とした場合の導電率)、好ましくは100%IACS以上、より好ましくは102%IACS以上を満足する軟質型銅材としての軟質希薄銅合金材料を用いて構成される。
【0025】
また、本実施の形態に係る圧延銅箔は、SCR連続鋳造設備を用い、表面の傷が少なく、製造範囲が広く、安定生産が可能である。この鋳造材に対する加工度90%での軟化温度が148℃以下の材料を用いて構成される。
【0026】
具体的に、本実施の形態に係る圧延銅箔は、不可避的不純物を含む純銅に、2mass ppmを超える量の酸素と、Mg、Zr、Nb、Ca、V、Ni、Mn、Ti、及びCrからなる群から選択される添加元素とを含んで構成される。添加元素としてTi、Mg、Zr、Nb、Ca、V、Ni、Mn、及びCrからなる群から選択される元素を選択した理由は、これらの元素は他の元素と結合しやすい活性元素であり、Sと結合しやすいためSをトラップすることができ、銅母材(マトリクス)を高純度化することができるためである。添加元素は1種以上含まれていてもよい。また、合金の性質に悪影響を及ぼすことのないその他の元素及び不純物を合金に含有させることもできる。また、以下に説明する好適な実施の形態においては、酸素含有量が2を超え30mass ppm以下が良好であることを説明しているが、添加元素の添加量及びSの含有量によっては、合金の性質を備える範囲において、2を超え400mass ppmを含むことができる。
【0027】
また、圧延銅箔は、添加元素がTiであってよく、この場合、2mass ppm以上12mass ppm以下の硫黄と、2mass ppmを超え30mass ppm以下の酸素と、4mass ppm以上55mass ppm以下のチタンとを含む軟質希薄銅合金材料から圧延銅箔は構成される。そして、圧延銅箔は、軟化温度が厚さ0.8mmのサイズで137℃以下であることが好ましい。2mass ppmを超え30mass ppm以下の酸素を含有していることから、この実施の形態では、いわゆる低酸素銅(LOC)を対象としている。
【0028】
また、本実施の形態に係る圧延銅箔は、以下の工程を経て製造される。まず、不可避的不純物を含む純銅に、2mass ppm以上の酸素と、Mg、Zr、Nb、Ca、V、Ni、Mn、Ti、及びCrからなる群から選択される添加元素とを含む希薄銅合金材料をSCR連続鋳造圧延により、1100℃以上1320℃以下の鋳造温度で溶湯にする。そして、溶湯から銅材を作製する。次に、得られた銅材に熱間圧延加工を施し、鋳造材を作製する。そして、鋳造材に冷間圧延加工を施すことにより、本実施の形態に係る圧延銅箔が製造される。
【0029】
なお、熱間圧延加工は、最初の圧延ロールでの温度を880℃以下に制御し、最終圧延ロールでの温度を550℃以上に制御して実施されることが好ましい。
【0030】
以下、本実施の形態に係る圧延銅箔の実現において、本発明者が検討した内容を説明する。
【0031】
まず、純度が6N(つまり、99.9999%)の高純度銅は、加工度90%における軟化温度は130℃である。したがって、本発明者は、安定生産することができる130℃以上148℃以下の軟化温度で軟質材の導電率が98%IACS以上、好ましくは100%IACS以上、より好ましくは102%IACS以上である軟質銅を安定して製造することができる軟質希薄銅合金材料と、この軟質希薄銅合金材料の製造方法について検討した。
【0032】
ここで、酸素濃度が1〜2mass ppmである高純度銅(4N)を準備して、実験室に設置した小型連続鋳造機(小型連鋳機)を用い、このCuをCuの溶湯にした。そして、この溶湯にチタンを数mass ppm添加した。続いて、チタンを添加した溶湯からφ8mmのワイヤロッドを製造した。次に、φ8mmのワイヤロッドをφ2.6mmに加工した(つまり、加工度が90%である)。このφ2.6mmのワイヤロッドの軟化温度は160℃〜168℃であり、この温度より低い軟化温度にはならなかった。また、このφ2.6mmのワイヤロッドの導電率は、101.7%IACS程度であった。つまり、ワイヤロッドに含まれる酸素濃度を低下させ、チタンを溶湯に添加してもワイヤロッドの軟化温度を低下させることができないと共に、高純度銅(6N)の導電率102.8%IACSよりも導電率が低いという知見を本発明者は得た。
【0033】
軟化温度を低下させることができず、導電率が6Nの高純度銅より低くなった原因は、溶湯の製造中に不可避的不純物としての数mass ppm以上の硫黄(S)が含まれることに起因すると推測された。すなわち、溶湯に含まれている硫黄とチタンとの間でTiS等の硫化物が十分に形成されないことに起因して、ワイヤロッドの軟化温度が低下しないものと推測された。
【0034】
そこで、本発明者は、軟質希薄銅合金材料の軟化温度の低下と、軟質希薄銅合金材料の導電率の向上とを実現すべく、以下の二つの方策を検討した。そして、以下の二つの方策を銅ワイヤロッドの製造に併せ用いることで、本実施の形態に係る圧延銅箔を構成する軟質希薄銅合金材料を得た。
【0035】
図1は、TiS粒子のSEM像であり、図2は、図1の分析結果を示す。また、図3は、TiO2粒子のSEM像であり、図4は、図3の分析結果を示す。更に、図5は、Ti−O−S粒子のSEM像であり、図6は、図5の分析結果を示す。なお、SEM像において、中央付近に各粒子が撮像されている。図1〜6は、表1の実施例1の上から三段目に示す酸素濃度、硫黄濃度、Ti濃度をもつφ8mmの銅線(ワイヤロッド)の横断面をSEM観察及びEDX分析にて評価したものである。観察条件は、加速電圧15keV、エミッション電流10μAとした。
【0036】
まず、第1の方策は、酸素濃度が2mass ppm超える量のCuに、チタン(Ti)を添加した状態で、Cuの溶湯を作製することである。この溶湯中においては、TiSとチタンの酸化物(例えば、TiO2)とTi−O−S粒子とが形成されると考えられる。これは、図1のSEM像と図2の分析結果、図3のSEM像と図4の分析結果からの考察である。なお、図2、図4、及び図6において、Pt及びPdはSEM観察する際に観察対象物に蒸着する金属元素である。
【0037】
次に、第2の方策は、銅中に転位を導入することにより硫黄(S)の析出を容易にすることを目的として、熱間圧延工程における温度を通常の銅の製造条件における温度(つまり、950℃〜600℃)より低い温度(880℃〜550℃)に設定することである。このような温度設定により、転位上へのSの析出、又はチタンの酸化物(例えば、TiO2)を核としてSを析出させることができる。一例として、図5及び図6のように、溶銅と共にTi−O−S粒子等が形成される。
【0038】
以上の第1の方策及び第2の方策により、銅に含まれる硫黄が晶出すると共に析出するので、冷間伸線加工後に所望の軟化温度と所望の導電率とを有する銅ワイヤロッドを得ることができる。
【0039】
また、本実施の形態に係る圧延銅箔を構成する軟質希薄銅合金材料は、SCR連続鋳造圧延設備を用いて製造する。ここで、SCR連続鋳造圧延設備を用いる場合における製造条件の制限として、以下の3つの条件を設けた。
【0040】
(1)組成について
導電率が98%IACS以上の軟質銅材を得る場合、不可避的不純物を含む純銅(ベース素材)として、3〜12mass ppmの硫黄と、2を超え30mass ppm以下の酸素と、4〜55mass ppmのチタンとを含む軟質希薄銅合金材料を用い、この軟質希薄銅合金材料からワイヤロッド(荒引き線)を製造する。
【0041】
ここで、導電率が100%IACS以上の軟質銅材を得る場合には、不可避的不純物を含む純銅(ベース素材)として、2〜12mass ppmの硫黄と、2を超え30mass ppm以下の酸素と、4〜37mass ppmのチタンとを含む軟質希薄銅合金材料を用いる。また、導電率が102%IACS以上の軟質銅材を得る場合には、不可避的不純物を含む純銅(ベース素材)として、3〜12mass ppmの硫黄と、2を超え30mass ppm以下の酸素と、4〜25mass ppmのチタンとを含む軟質希薄銅合金材料を用いる。
【0042】
通常、純銅の工業的製造において、電気銅を製造する際に硫黄が銅の中に取り込まれるので、硫黄を3mass ppm以下にすることは困難である。汎用電気銅の硫黄濃度の上限は、12mass ppmである。
【0043】
酸素濃度が低い場合、圧延銅箔を構成する軟質希薄銅合金材料の軟化温度が低下しにくいので、酸素濃度は2mass ppmを超える量に制御する。また、酸素濃度が高い場合、熱間圧延工程で圧延銅箔を構成する軟質希薄銅合金材料の表面に傷が生じやすくなるので、30mass ppm以下に制御する。
【0044】
(2)分散している物質について
圧延銅箔を構成する軟質希薄銅合金材料内に分散している分散粒子のサイズは小さいことが好ましく、また、圧延銅箔を構成する軟質希薄銅合金材料内に分散粒子が多く分散していることが好ましい。その理由は、分散粒子は、硫黄の析出サイトとしての機能を有するからであり、析出サイトとしてはサイズが小さく、数が多いことが要求されるからである。
【0045】
圧延銅箔を構成する軟質希薄銅合金材料に含まれる硫黄及びチタンは、TiO、TiO2、TiS、若しくはTi−O−S結合を有する化合物又はTiO、TiO2、TiS、若しくはTi−O−S結合を有する化合物の凝集物として含まれ、残部のTi及びSが固溶体として含まれる。圧延銅箔を構成する軟質希薄銅合金材料としては、TiOが200nm以下のサイズを有し、TiO2が1000nm以下のサイズを有し、TiSが200nm以下のサイズを有し、Ti−O−Sの形の化合物が300nm以下のサイズを有しており、これらが結晶粒内に分布している軟質希薄銅合金材料を用いる。
【0046】
なお、鋳造時の溶銅の保持時間及び冷却条件に応じて結晶粒内に形成される粒子サイズが変動するので、鋳造条件も適切に設定する。
【0047】
(3)鋳造条件について
SCR連続鋳造圧延により、鋳塊ロッドの加工度が90%(30mm)〜99.8%(5mm)でワイヤロッドを作製する。一例として、加工度99.3%でφ8mmのワイヤロッドを製造する条件を採用する。以下、鋳造条件(a)〜(b)について説明する。
【0048】
[鋳造条件(a)]
溶解炉内での溶銅温度は1100℃以上1320℃以下に制御する。溶銅の温度が高いとブローホールが多くなり、傷が発生すると共に粒子サイズが大きくなる傾向にあるので1320℃以下に制御する。また、1100℃以上に制御する理由は、銅が固まりやすく、製造が安定しないことが理由であるものの、溶銅温度は可能な限り低い温度が望ましい。
【0049】
[鋳造条件(b)]
熱間圧延加工の温度は、最初の圧延ロールにおける温度を880℃以下に制御すると共に、最終圧延ロールでの温度を550℃以上に制御する。
【0050】
通常の純銅の製造条件と異なり、溶銅中での硫黄の晶出及び熱間圧延中における硫黄の析出の駆動力である固溶限をより小さくすることを目的として、溶銅温度及び熱間圧延加工の温度を「鋳造条件(a)」及び「鋳造条件(b)」において説明した条件に設定することが好ましい。
【0051】
また、通常の熱間圧延加工における温度は、最初の圧延ロールにおいて950℃以下、最終圧延ロールにおいて600℃以上であるが、固溶限をより小さくすることを目的として、本実施の形態では、最初の圧延ロールにおいて880℃以下、最終圧延ロールにおいて550℃以上に設定する。
【0052】
なお、最終圧延ロールにおける温度を550℃以上に設定する理由は、550℃未満の温度では得られるワイヤロッドの傷が多くなり、製造される圧延銅箔を構成する軟質希薄銅合金材料を製品として扱うことができないからである。熱間圧延加工における温度は、最初の圧延ロールにおいて880℃以下の温度、最終圧延ロールにおいて550℃以上の温度に制御すると共に、可能な限り低い温度であることが好ましい。このような温度設定にすることで、圧延銅箔を構成する軟質希薄銅合金材料の軟化温度(φ8〜φ2.6mmに加工した後の軟化温度)を、6NのCuの軟化温度(つまり、130℃)に近づけることができる。
【0053】
無酸素銅の導電率は101.7%IACS程度であり、6NのCuの導電率は102.8%IACSである。本実施の形態においては、例えば、直径φ8mmサイズのワイヤロッドの導電率が98%IACS以上、好ましくは100%IACS以上、より好ましくは102%IACS以上である。また、本実施の形態においては、冷間伸線加工後の線材(例えば、φ2.6mm)のワイヤロッドの軟化温度が130℃以上148℃である軟質希薄銅合金を製造し、この軟質希薄銅合金を圧延銅箔の製造に用いる。
【0054】
工業的に用いるためには、電解銅から製造した工業的に利用される純度の軟質銅線の導電率として、98%IACS以上の導電率が要求される。また、軟化温度は工業的価値から判断して148℃以下である。6NのCuの軟化温度は127℃〜130℃であるので、得られたデータから軟化温度の上限値を130℃に設定する。このわずかな違いは、6NのCuには含まれていない不可避的不純物の存在に起因する。
【0055】
ベース材の銅は、シャフト炉で溶解された後、還元状態で樋に流すことが好ましい。すなわち、還元ガス(例えば、CO)雰囲気シールド等の還元システム下において、希薄合金の硫黄濃度、チタン濃度、及び酸素濃度を制御しつつ鋳造すると共に、材料に圧延加工を施すことにより、ワイヤロッドを安定的に製造することが好ましい。なお、銅酸化物が混入すること、及び/又は粒子サイズが所定サイズより大きいことは、製造される圧延銅箔の品質を低下させる。
【0056】
ここで、圧延銅箔を構成する軟質希薄銅合金材料にチタンを添加物として添加した理由は次のとおりである。すなわち、(a)チタンは溶融銅の中で硫黄と結合することにより化合物になりやすく、(b)Zr等の他の添加金属に比べて加工が容易で扱いやすく、(c)Nb等に比べて安価であり、(d)酸化物を核として析出しやすいからである。
【0057】
以上より、生産性が高く、導電率、軟化温度、表面品質に優れた実用的な軟質希薄銅合金材料を、本実施の形態に係る圧延銅箔を構成する軟質希薄銅合金材料の原料として得ることができる。なお、軟質希薄銅合金材料の表面にめっき層を形成することもできる。めっき層は、例えば、錫、ニッケル、銀を主成分とする材料、又はPbフリーめっきを用いることができる。
【0058】
また、本実施の形態では、SCR連続鋳造圧延法によりワイヤロッドを作製すると共に、熱間圧延にて軟質材を作製したが、双ロール式連続鋳造圧延法又はプロペルチ式連続鋳造圧延法を採用することもできる。
【0059】
(実施の形態の効果)
本実施の形態に係る圧延銅箔は、添加したTiが不純物であるSをトラップすることにより、銅母相(マトリックス)が高純度化して軟らかくなる。つまり、所定の厚さに加工するまでにより少ない圧延回数、あるいは、より低い圧延荷重で加工することが可能であり、加工性に優れている。また、キュア時の熱処理(150〜160℃)で銅箔を軟化及び再結晶させることが可能であり、それにより屈曲特性を向上させることができる。
【0060】
また、本実施の形態に係る圧延銅箔は、高い導電性を備え、かつ高い屈曲寿命を有する。つまり、圧延銅箔は、これらの優れた特性(加工性、低温での軟化、高い屈曲特性、高い導電率)を併せ持ち、そのことにより圧延箔製造中や製品組立て時の作業効率やコスト削減も達成することができる。また、銅の高純度化(99.9999%以上)処理を必要とせず、安価な連続鋳造圧延法により得られるので、素材自体の低コスト化が可能である。これらの用途は、前述したFPC、COF、TAB等に限るものではなく、リチウムイオン電池やリチウムポリマー電池等の電極に使われる銅箔等に広く応用が可能である。
【実施例】
【0061】
表1は実験条件と結果とを示す。
【0062】
【表1】
【0063】
まず、実験材として、表1に示した酸素濃度、硫黄濃度、チタン濃度を有するφ8mmの銅線(ワイヤロッド、加工度99.3%)を作製した。φ8mmの銅線は、SCR連続鍛造圧延により、熱間圧延加工を施したものである。Tiは、シャフト炉で溶解された銅溶湯を還元ガス雰囲気で樋に流し、樋に流した銅溶湯を同じ還元ガス雰囲気の鋳造ポットに導き、この鋳造ポットにて、Tiを添加した後、これをノズルを通して鋳造輪と無端ベルトとの間に形成される鋳型にて鋳塊ロッドを作成した。この鋳塊ロッドを熱間圧延加工してφ8mmの銅線を作成したものである。次に、各実験材に冷間伸線加工を施した。これにより、φ2.6mmサイズの銅線を作製した。そして、φ2.6mmサイズの銅線の半軟化温度と導電率とを測定すると共に、φ8mmの銅線における分散粒子サイズを評価した。
【0064】
酸素濃度は、酸素分析器(レコ(Leco(登録商標)酸素分析器)で測定した。硫黄、チタンの各濃度はICP発光分光分析で分析した。
【0065】
φ2.6mmサイズにおける半軟化温度の測定は、400℃以下で各温度1時間の保持後、水中急冷し、引張試験を実施し、その結果から求めた。室温での引張試験の結果と400℃で1時間のオイルバス熱処理した軟質銅線の引張試験の結果を用いて求め、この2つの引張試験の引張強さを足して2で割った値を示す強度に対応する温度を半軟化温度と定義して求めた。
【0066】
実施の形態で述べたとおり、軟質希薄銅合金線内に分散している分散粒子のサイズは小さいことが好ましく、また、軟質希薄銅合金線内に分散粒子が多く分散していることが好ましい。したがって、直径500nm以下の分散粒子が90%以上である場合を合格とした。ここに「サイズ」とは化合物のサイズであり、化合物の形状の長径と短径のうちの長径のサイズを意味する。また、「粒子」とは、前記TiO、TiO2、TiS、Ti−O−Sのことを示す。また、「90%」とは、全体の粒子数に対しての該当粒子数の割合を示すものである。
【0067】
表1において比較例1は、実験室でAr雰囲気において直径φ8mmの銅線を試作した結果であり、銅溶湯にTiを0〜18mass ppm添加した。Tiを添加していない銅線の半軟化温度が215℃であったのに対し、13mass ppmのTiを添加した銅線の軟化温度は160℃まで低下した(実験した中では最小温度である。)。表1に示すとおり、Ti濃度が15mass ppm、18mass ppmに増加するにつれ、半軟化温度も上昇しており、要求されている軟化温度である148℃以下を実現することはできなかった。また、工業的に要求されている導電率は98%IACS以上であったものの、総合評価は不合格(以下、不合格を「×」と表す)であった。
【0068】
そこで、比較例2として、SCR連続鋳造圧延法を用い、酸素濃度を7〜8mass ppmに調整したφ8mm銅線(ワイヤロッド)を試作した。
【0069】
比較例2においては、SCR連続鋳造圧延法で試作した中でTi濃度が最小(つまり、0mass ppm、2mass ppm)の銅線であり、導電率は102%IACS以上であったものの、半軟化温度が164℃、157℃であり、要求されている148℃以下ではなかったことから、総合評価は「×」であった。
【0070】
実施例1においては、酸素濃度と硫黄濃度とが略一致(つまり、酸素濃度:7〜8mass ppm、硫黄濃度:5mass ppm)すると共に、Ti濃度が4〜55mass ppmの範囲内で異なる銅線を試作した。
【0071】
Ti濃度が4〜55mass ppmの範囲では、軟化温度が148℃以下であり、導電率も98%IACS以上102%IACS以上であり、分散粒子サイズは500nm以下の粒子が90%以上であり良好であった。また、ワイヤロッドの表面もきれいであり、いずれも製品性能を満たしていたので、総合評価は合格(以下、合格を「○」と表す)であった。
【0072】
ここで、導電率100%IACS以上を満たす銅線は、Ti濃度が4〜37mass ppmの場合であり、102%IACS以上を満たす銅線は、Ti濃度が4〜25mass ppmの場合であった。Ti濃度が13mass ppmの場合に導電率は最大値である102.4%IACSを示し、この濃度の周辺では、導電率はわずかに低い値であった。これは、Ti濃度が13mass ppmの場合に、銅の中の硫黄分を化合物として捕捉することで、高純度銅(6N)に近い導電率を示すためである。
【0073】
よって、酸素濃度を高くし、Tiを添加することで、半軟化温度と導電率との双方を満足させることができる。
【0074】
比較例3においては、Ti濃度を60mass ppmにした銅線を試作した。比較例3に係る銅線は、導電率は要求を満たすものの、半軟化温度は148℃以上であり、製品性能を満たしていなかった。更に、ワイヤロッドの表面の傷も多く、製品として採用することは困難であった。よって、Tiの添加量は60mass ppm未満が好ましいことが示された。
【0075】
実施例2に係る銅線おいては、硫黄濃度を5mass ppmに設定すると共に、Ti濃度を13〜10mass ppmの範囲で制御して、酸素濃度を変更することにより酸素濃度の影響を検討した。
【0076】
酸素濃度に関しては、2mass ppmを超え30mass ppm以下まで、大きく濃度が異なる銅線をそれぞれ作製した。ただし、酸素濃度が2mass ppm未満の銅線は生産が困難で安定的に製造できないので、総合評価は「△」とした(なお、「△」は「○」と「×」との中間の評価である。)。また、酸素濃度を30mass ppmにしても半軟化温度及び導電率の双方とも、要求を満たした。
【0077】
比較例4においては、酸素濃度が40mass ppmの場合に、ワイヤロッドの表面の傷が多く、製品として採用することができない状態であった。
【0078】
よって、酸素濃度を2を超え30mass ppm以下の範囲にすることで、半軟化温度、導電率102%IACS以上、分散粒子サイズのいずれの特性も満足させることができ、また、ワイヤロッドの表面もきれいであり、製品性能を満足させることができることが示された。
【0079】
実施例3は、酸素濃度とTi濃度とを互いに近づけた濃度に設定すると共に、硫黄濃度を4〜20mass ppmの範囲内で変更した銅線である。実施例3においては、硫黄濃度が2mass ppmより小さい銅線については、原料の制約上、実現できなかった。しかしながら、Ti濃度と硫黄濃度とをそれぞれ制御することで、半軟化温度及び導電率の双方とも、要求を満たすことができた。
【0080】
比較例5においては、硫黄濃度が18mass ppmであり、Ti濃度が13mass ppmである場合には、半軟化温度が162℃と高く、要求される特性を満足しなかった。また、特に、ワイヤロッドの表面品質が悪く、製品化は困難であった。
【0081】
以上より、硫黄濃度が2〜12mass ppmの範囲の場合には、半軟化温度、導電率102%IACS以上、分散粒子サイズのいずれの特性も満足させることができ、また、ワイヤロッドの表面もきれいであり、製品性能を満足させることができることが示された。
【0082】
比較例6は、6NのCuを用いた銅線である。比較例6に係る銅線においては、半軟化温度が127℃〜130℃であり、導電率が102.8%IACSであり、分散粒子サイズも500nm以下の粒子は全く認められなかった。
【0083】
表2には、製造条件としての溶融銅の温度と圧延温度とを示す。
【0084】
【表2】
【0085】
比較例7においては、溶銅温度が1330℃〜1350℃で、かつ、圧延温度が950〜600℃でφ8mmのワイヤロッドを作製した。比較例7に係るワイヤロッドは、半軟化温度及び導電率は要求を満たすものの、分散粒子サイズに関しては1000nm程度の粒子が存在しており、500nm以上の粒子も10%を超えて存在していた。よって、実施例7に係るワイヤロッドは不適と判定した。
【0086】
実施例4においては、溶銅温度を1200℃〜1320℃の温度範囲で制御すると共に、圧延温度を880℃〜550℃の温度範囲に制御してφ8mmのワイヤロッドを作製した。実施例4に係るワイヤロッドは、ワイヤロッド表面の品質、分散粒子サイズが良好であり、総合評価は「○」であった。
【0087】
比較例8においては、溶銅温度を1100℃に制御すると共に、圧延温度を880℃〜550℃の温度範囲に制御してφ8mmのワイヤロッドを作製した。比較例8に係るワイヤロッドは、溶銅温度が低いことからワイヤロッドの表面の傷が多く製品としては適さなかった。これは、溶銅温度が低いことから、圧延時に傷が発生しやすいことに起因するからである。
【0088】
比較例9においては、溶銅温度を1300℃に制御すると共に、圧延温度を950℃〜600℃の温度範囲に制御してφ8mmのワイヤロッドを作製した。比較例9に係るワイヤロッドは、熱間圧延工程における温度が高いことからワイヤロッドの表面の品質は良好であるものの、分散粒子サイズには大きいサイズが含まれ、総合評価は「×」になった。
【0089】
比較例10においては、溶銅温度を1350℃に制御すると共に、圧延温度を880℃〜550℃の温度範囲に制御してφ8mmのワイヤロッドを作製した。比較例10に係るワイヤロッドは、溶銅温度が高いことに起因して分散粒子サイズに大きなサイズが含まれ、総合評価は「×」になった。
【0090】
(軟質希薄銅合金線の軟質特性)
表3は、無酸素銅線を用いた比較例11に係るワイヤロッドと、低酸素銅に13mass ppmのTiを含有させた軟質希薄銅合金線から作製した実施例5に係るワイヤロッドとについて、異なる焼鈍温度で1時間の焼鈍を施した後のビッカース硬さ(Hv)を測定した結果を示す。
【0091】
【表3】
【0092】
実施例5に係るワイヤロッドは、表1の実施例1に記載した合金組成と同一の合金組成を有する。なお、試料としては、2.6mm径の試料を用いた。表3を参照すると、焼鈍温度が400℃の場合及び600℃の場合に、比較例11に係るワイヤロッドと実施例5に係るワイヤロッドとのビッカース硬さは同等レベルであることが示された。したがって、実施例5に係るワイヤロッドは十分な軟質特性を有すると共に、無酸素銅線との比較においても、特に焼鈍温度が400℃を超える温度範囲においては優れた軟質特性を発揮することが示された。
【0093】
(軟質希薄銅合金線の耐力、及び屈曲寿命についての検討)
表4は、無酸素銅線を用いた比較例12に係るワイヤロッドと、低酸素銅に13mass ppmのTiを含有させた軟質希薄銅合金線を用いて作製した実施例6に係るワイヤロッドとについて、異なる焼鈍温度で1時間の焼鈍を施した後の0.2%耐力値の推移を測定した結果を示す。なお、試料としては、2.6mm径の試料を用いた。また、実施例6に係るワイヤロッドは、表1の実施例1に記載した合金組成と同一の合金組成を有する。
【0094】
【表4】
【0095】
表4を参照すると、焼鈍温度が400℃及び600℃の場合に、比較例12に係るワイヤロッドと実施例6に係るワイヤロッドとの0.2%耐力値が同等レベルであることが示された。
【0096】
図7は、屈曲疲労試験の概要を示し、図8は、400℃で1時間の焼鈍処理を施した後の、無酸素銅を用いた比較例13に係るワイヤロッドと、低酸素銅にTiを添加した軟質希薄銅合金線を用いて作製した実施例7に係るワイヤロッドとの屈曲寿命を測定した結果を示す。
【0097】
試料としては、0.26mm径の線材に対して焼鈍温度400℃で1時間の焼鈍を施した試料を用い、比較例13に係るワイヤロッドは比較例11に係るワイヤロッドと同一の成分組成を有し、実施例7に係るワイヤロッドは実施例5に係るワイヤロッドと同一の成分組成を有する。
【0098】
屈曲寿命の測定は、屈曲疲労試験を用いて実施した。屈曲疲労試験は、試料に荷重を負荷し、試料表面に引張と圧縮との繰り返し曲げひずみを与える試験である。具体的には、まず、図7の(A)に示すように、屈曲ヘッド14が備えるクランプ12に試料20を固定すると共に曲げ冶具(つまり、リング10)の間に試料20をセットする。そして、試料20に対し、錘16により荷重を負荷する。次に、図7の(B)に示すようにリング10を90度回転させることにより試料20に曲げを与える。この操作で、リング10に接している試料20の表面には圧縮ひずみが発生し、圧縮ひずみが発生している表面の反対側の表面には引張ひずみが発生する。
【0099】
その後、再び図7の(A)の状態(つまり、試料20に曲げが加えられていない状態)に試料20は戻る。続いて、図7の(C)に示すように、図7の(B)における場合と反対方向にリング10を90度回転させることにより試料20に曲げを与える。この操作で、リング10に接している試料20の表面には圧縮ひずみが発生し、圧縮ひずみが発生している表面の反対側の表面には引張ひずみが発生する。そして、再び図7の(A)の状態に試料20は戻る。この屈曲疲労の1サイクル(なお、図7の(A)の状態から(B)の状態になり、(B)の状態から(A)の状態に戻り、(A)の状態から(C)の状態になり、(C)の状態から(A)の状態に戻るサイクルを1サイクルとする。)に要する時間は4秒である。
【0100】
表面曲げひずみは、「表面曲げひずみ(%)=r/(R+r)×100(%)」から算出される。なお、「R」は、素線曲げ半径(30mm)であり、「r」は、素線半径である。
【0101】
図8に示すように、実施例7に係るワイヤロッドは、比較例13に係るワイヤロッドに比べて高い屈曲寿命特性を示した。
【0102】
図9は、600℃で1時間の焼鈍処理を施した後の、無酸素銅を用いた比較例14に係るワイヤロッドと、低酸素銅にTiを添加した軟質希薄銅合金線を用いて作製した実施例8に係るワイヤロッドとの屈曲寿命を測定した結果を示す。
【0103】
試料としては、0.26mm径の線材に対して焼鈍温度600℃で1時間の焼鈍を施した試料を用い、比較例14に係るワイヤロッドは比較例11に係るワイヤロッドと同一の成分組成を有し、実施例8に係るワイヤロッドは実施例5に係るワイヤロッドと同一の成分組成を有する。また、屈曲寿命の測定は、図8に示す測定方法と同様に実施した。その結果、実施例8に係るワイヤロッドは、比較例14に係るワイヤロッドに比べて高い屈曲寿命特性を示した。
【0104】
実施例7、実施例8、比較例13、及び比較例14に係るワイヤロッドの屈曲寿命測定の結果は、いずれの焼鈍条件下においても実施例7及び実施例8に係るワイヤロッドの方が、比較例13及び比較例14に係るワイヤロッドに比べて0.2%耐力値が大きい値を示すことに起因と理解できる。
【0105】
(軟質希薄銅合金線の結晶構造についての検討)
図10は、比較例14に係る試料の幅方向の断面組織を示し、図11は、実施例8に係る試料の幅方向の断面組織を示す。
【0106】
図10を参照すると、比較例14の結晶構造は、表面部から中央部にかけて全体的に大きさの等しい結晶粒が均一に並んでいることが分かる。一方、実施例8の結晶構造は、全体的に結晶粒の大きさがまばらであり、試料の断面方向の表面付近に薄く形成されている層における結晶粒サイズが内部の結晶粒サイズに比べて極めて小さくなっている。
【0107】
本発明者は、比較例14には形成されていない表層に現れた微細結晶粒層が実施例8の屈曲特性の向上に寄与しているものと考えている。
【0108】
通常、焼鈍温度600℃で1時間の焼鈍処理を実行すれば、比較例14のように再結晶により均一に粗大化した結晶粒が形成されると理解される。しかし、本実施例においては、焼鈍温度600℃で1時間の焼鈍処理を実行しても表層には微細結晶粒層が残存している。したがって、本実施例では、軟質銅材でありながら屈曲特性に優れた軟質希薄銅合金材料が得られたと考えられる。
【0109】
また、図10及び図11に示す結晶構造の断面写真を基に、実施例8及び比較例14に係る試料の表層における平均結晶粒サイズを測定した。
【0110】
図12は、表層における平均結晶粒サイズの測定方法の概要を示す。
【0111】
図12に示すように、0.26mm径の幅方向断面の表面から深さ方向に10μm間隔で50μmの深さまでの長さ1mmの線上の範囲で、結晶粒サイズを測定した。そして、各測定値(実測値)から平均値を求め、この平均値を平均結晶粒サイズにした。
【0112】
測定の結果、比較例14の表層における平均結晶粒サイズは、50μmであったのに対し、実施例8の表層における平均結晶粒サイズは、10μmであり、大きく異なっていた。表層の平均結晶粒サイズが細かいことにより、屈曲疲労試験による亀裂の進展が抑制され、屈曲疲労寿命が延びたと考えられる(なお、結晶粒サイズが大きいと、結晶粒界に沿って亀裂が進展する。しかし、結晶粒サイズが小さいと亀裂の進展方向が変わるので、進展が抑制される。)。このことが、上述のとおり、比較例と実施例との屈曲特性の面で大きな相違が生じた理由であると考えられる。
【0113】
また、2.6mm径である実施例7及び比較例13の表層における平均結晶粒サイズは、2.6mm径の幅方向断面の表面から深さ方向に50μmの深さのところの長さ10mmの範囲での結晶粒サイズを測定した。
【0114】
測定の結果、比較例13の表層における平均結晶粒サイズは100μmであったのに対し、実施例7の表層における平均結晶粒サイズは20μmであった。
【0115】
本実施例の効果を奏するには、表層の平均結晶粒サイズの上限値としては20μm以下が好ましい。また、製造上の限界値を考慮すると、5μm以上の平均結晶粒サイズであることが好ましい。
【0116】
表5は、SCR連続鋳造圧延より、溶銅温度と圧延温度とを変化させ、幅200mm×8mmの板材を作製したときの製造条件としての、溶融銅の温度と圧延温度とを示す。
【0117】
【表5】
【0118】
半軟化温度、及び導電率は、厚さ8mmから0.8mmまで冷間圧延したものを試料として評価した。
【0119】
比較例15においては、溶銅温度を1330〜1350℃に制御し、圧延温度を950〜600℃に制御して平板を試作した。比較例15に係る素材は、半軟化温度と導電率は満足するものの、分散粒子のサイズに関しては、1000nm程度のものもあり500nm以上の粒子も10%を超えていた。よってこれは総合評価を不適(「×」)とした。
【0120】
実施例9においては、溶銅温度を1200〜1320℃に制御し、圧延温度を880〜550℃に制御して平板を試作した。実施例9に係る素材は、板材の表面品質、分散粒子サイズも良好で、総合評価は「○」であった。また、厚さ0.8mmの素材には、実施例8と同様に、その表面から内側に向けて50μmの深さまでの平均結晶粒サイズが20μm以下の表層が存在していた。
【0121】
比較例16においては、溶銅温度を1100℃に制御し、圧延温度を880〜550℃に制御して平板を試作した。比較例16に係る素材は、溶銅温度が低いため、板材の表面傷が多く製品には適さなかった。これは、溶銅温度が低いため、圧延時に傷が発生しやすいためである。
【0122】
比較例17においては、溶銅温度を1300℃に制御し、圧延温度を950〜600℃に制御して平板を試作した。比較例17に係る素材は、熱間圧延温度が高いため、板材の表面品質が良いが、分散粒子サイズも大きなものがあり、総合評価は「×」であった。
【0123】
比較例18においては、溶銅温度を1350℃に制御し、圧延温度を880〜550℃に制御して平板を試作した。比較例18に係る素材は、溶銅温度が高いため、分散粒子サイズが大きなものがあり、総合評価は「×」となった。
【0124】
表5に示す実施例9の8mmtの材料を冷間圧延により厚さ200μmの箔形状に加工し、実施例10に係る圧延銅箔とした。表6に、実施例10と同じ加工、熱処理にて同サイズに仕上げた高純度銅(6N)からなる比較例19に係る銅箔、タフピッチ銅(TPC)からなる比較例20に係る銅箔、無酸素銅(OFC)からなる比較例21に係る銅箔のそれぞれについて、銅箔の特性を比較評価した結果を示す。
【0125】
【表6】
【0126】
加工性は、厚さ0.8mmで一端600℃×1時間の熱処理を行い、そこから200μmの厚さまで冷間圧延加工する際の圧延回数で評価し、4種の材料のうち圧延回数が少ない上位2種を「○」と評価した。屈曲特性は、図13に示す試験機を用いて評価した。なお、試験機は、導体1に振動を加える振動付加部3と、導体を固定する導体固定部2a及び導体固定部2bと、振動付加部3に振動を与える振動発生装置4と、振動発生装置4を支持する支持部5とを備えて構成される。
【0127】
試験条件は、試験片幅12mm、試験片長さ200mm、曲率半径r=3mm、振動ストローク10mmに設定した。破断に至るまでの屈曲回数が1×104回以上を「○」、それ未満を「×」とした。
【0128】
図14は、実施例10と比較例21の焼鈍温度に対する伸びを評価した結果を示す。
【0129】
表6に示すとおり、実施例10の加工性が比較例21に比べ優れているのは、焼鈍温度100℃から900℃の広い範囲で優れた伸び特性を示すことによると判断できる。また、表6の結果から総合的に判断すると、実施例10の材料は最も優れた特性を示すことが明らかである。
【0130】
以上、本発明の実施の形態及び実施例を説明したが、上記に記載した実施の形態及び実施例は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態及び実施例の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。
【符号の説明】
【0131】
1 導体
2a、2b 導体固定部
3 振動付加部
4 振動発生装置
5 支持部
10 リング
12 クランプ
14 屈曲ヘッド
16 錘
20 試料
30 樹脂基板
30a 凹凸形状
40 導体
50 樹脂層
【特許請求の範囲】
【請求項1】
不可避的不純物を含む純銅に、2mass ppmを超える量の酸素と、Mg、Zr、Nb、Ca、V、Ni、Mn、Ti、及びCrからなる群から選択される添加元素とを含む圧延銅箔。
【請求項2】
前記添加元素がTiであり、2mass ppm以上12mass ppm以下の硫黄と、2mass ppmを超え30mass ppm以下の酸素と、4mass ppm以上55mass ppm以下のチタンとを含む軟質希薄銅合金材料からなる請求項1に記載の圧延銅箔。
【請求項3】
軟化温度が厚さ0.8mmのサイズで148℃以下である請求項2に記載の圧延銅箔。
【請求項4】
加工前の結晶組織が、その表面から内部に向けて50μmの深さまでの平均結晶粒サイズが20μm以下である表層を有する請求項1〜3のいずれか1項に記載の圧延銅箔。
【請求項5】
不可避的不純物を含む純銅に、2mass ppmを超える量の酸素と、Mg、Zr、Nb、Ca、V、Ni、Mn、Ti、及びCrからなる群から選択される添加元素とを含む希薄銅合金材料をSCR連続鋳造圧延により、1100℃以上1320℃以下の鋳造温度で溶湯にし、前記溶湯から銅材を作製する工程と、
前記銅材に熱間圧延加工を施し、鋳造材を作製する工程と、
前記鋳造材に冷間圧延加工を施し、圧延銅箔を作製する工程と
を備える圧延銅箔の製造方法。
【請求項6】
前記添加元素がTiであり、
前記希薄銅合金材料が、2mass ppm以上12mass ppm以下の硫黄と、2mass ppmを超え30mass ppm以下の酸素と、4mass ppm以上55mass ppm以下のチタンとを含む請求項5に記載の圧延銅箔の製造方法。
【請求項7】
前記熱間圧延加工が、最初の圧延ロールでの温度を880℃以下に制御し、最終圧延ロールでの温度を550℃以上に制御して実施される請求項6に記載の圧延銅箔の製造方法。
【請求項1】
不可避的不純物を含む純銅に、2mass ppmを超える量の酸素と、Mg、Zr、Nb、Ca、V、Ni、Mn、Ti、及びCrからなる群から選択される添加元素とを含む圧延銅箔。
【請求項2】
前記添加元素がTiであり、2mass ppm以上12mass ppm以下の硫黄と、2mass ppmを超え30mass ppm以下の酸素と、4mass ppm以上55mass ppm以下のチタンとを含む軟質希薄銅合金材料からなる請求項1に記載の圧延銅箔。
【請求項3】
軟化温度が厚さ0.8mmのサイズで148℃以下である請求項2に記載の圧延銅箔。
【請求項4】
加工前の結晶組織が、その表面から内部に向けて50μmの深さまでの平均結晶粒サイズが20μm以下である表層を有する請求項1〜3のいずれか1項に記載の圧延銅箔。
【請求項5】
不可避的不純物を含む純銅に、2mass ppmを超える量の酸素と、Mg、Zr、Nb、Ca、V、Ni、Mn、Ti、及びCrからなる群から選択される添加元素とを含む希薄銅合金材料をSCR連続鋳造圧延により、1100℃以上1320℃以下の鋳造温度で溶湯にし、前記溶湯から銅材を作製する工程と、
前記銅材に熱間圧延加工を施し、鋳造材を作製する工程と、
前記鋳造材に冷間圧延加工を施し、圧延銅箔を作製する工程と
を備える圧延銅箔の製造方法。
【請求項6】
前記添加元素がTiであり、
前記希薄銅合金材料が、2mass ppm以上12mass ppm以下の硫黄と、2mass ppmを超え30mass ppm以下の酸素と、4mass ppm以上55mass ppm以下のチタンとを含む請求項5に記載の圧延銅箔の製造方法。
【請求項7】
前記熱間圧延加工が、最初の圧延ロールでの温度を880℃以下に制御し、最終圧延ロールでの温度を550℃以上に制御して実施される請求項6に記載の圧延銅箔の製造方法。
【図2】
【図4】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図12】
【図13】
【図14】
【図1】
【図3】
【図5】
【図10】
【図11】
【図4】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図12】
【図13】
【図14】
【図1】
【図3】
【図5】
【図10】
【図11】
【公開番号】特開2012−87366(P2012−87366A)
【公開日】平成24年5月10日(2012.5.10)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2010−235272(P2010−235272)
【出願日】平成22年10月20日(2010.10.20)
【出願人】(000005120)日立電線株式会社 (3,358)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成24年5月10日(2012.5.10)
【国際特許分類】
【出願日】平成22年10月20日(2010.10.20)
【出願人】(000005120)日立電線株式会社 (3,358)
【Fターム(参考)】
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