基板のコネクタ実装部構造
【課題】コネクタ実装部の特性インピーダンスを調整可能な基板のコネクタ実装部構造を提供する。
【解決手段】基板１の表面１ａには、ランド１１，１２，１３が複数組設けられ、裏面１ｂには、グランド層２が設けられている。ランド１１，１３は、信号用ランドであり、信号用配線パターン１Ｄ＋，１Ｄ−に接続されている。また、ランド１１，１３の間のランド１２は、グランド用ランドである。ランド１１，１３には、オープンスタブ２１，２３が設けられている。オープンスタブ２１（２３）は、ビアホール２１ａ（２３ａ）と電極２１ｂ（２３ｂ）とで構成されている。これにより、電極２１ｂ（２３ｂ）とグランド層２との間に、容量が形成され、電極２１ｂ（２３ｂ）の長さや幅を変えることで、コネクタ実装部の特性インピーダンスを調整することができる。
【解決手段】基板１の表面１ａには、ランド１１，１２，１３が複数組設けられ、裏面１ｂには、グランド層２が設けられている。ランド１１，１３は、信号用ランドであり、信号用配線パターン１Ｄ＋，１Ｄ−に接続されている。また、ランド１１，１３の間のランド１２は、グランド用ランドである。ランド１１，１３には、オープンスタブ２１，２３が設けられている。オープンスタブ２１（２３）は、ビアホール２１ａ（２３ａ）と電極２１ｂ（２３ｂ）とで構成されている。これにより、電極２１ｂ（２３ｂ）とグランド層２との間に、容量が形成され、電極２１ｂ（２３ｂ）の長さや幅を変えることで、コネクタ実装部の特性インピーダンスを調整することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ＨＤＭＩ（High-Definition Multimedia Interface）等の高速差動信号伝送用のコネクタを接続するための基板のコネクタ実装部構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図１８は、グランド層を透過して、従来例に係る基板のコネクタ実装部構造を示す概略斜視図である。
図１８に示すように、ＨＤＭＩ等の高速差動信号伝送用のコネクタ１００は、差動信号Ｄ＋用，グランドＧ用及び差動信号Ｄ−用の３本のコンタクト１０１，１０２，１０３を１組とし、これらコンタクト１０１，１０２，１０３を筐体１１０内に複数組組み込んだ構成になっている（例えば、特許文献１参照）。そして、端子１０１′，１０２′，１０３′が、各組のコンタクト１０１，１０２，１０３からコンタクト外部に一列に引き出されている。一方、基板１のコネクタ実装部には、端子１０１′，１０２′，１０３′を当接可能なランド１１，１２，１３が設けられており、端子１０１′，１０２′，１０３′を、これらのランド１１，１２，１３に当接して半田付けすることができるようになっている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−３３４７４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記した従来の基板のコネクタ実装部構造では、次のような問題がある。
一般に、コネクタ１００の端子１０１′，１０２′，１０３′の端子幅や端子間隔は、規格で予め決められている。このため、端子１０１′，１０２′，１０３′を接続させるランド１１，１２，１３のランド幅やランド間隔も一律に決定される。
このような基板１の裏面には、グランド層２が設けられ、ランド１１（１３）とこのグランド層２との距離によって、コネクタ実装部の特性インピーダンス（具体的には、ランド１１，１２，１３とグランド層２とを含めた特性インピーダンス）が影響を受けることとなるが、この特性インピーダンスは、予め決められており、その許容範囲から外れることは許されない。特に、ＨＤＭＩ規格では、基板１のコネクタ実装部の特性インピーダンスを、ＴＤＲ(time domein reflectmetry)測定において、１００±１５Ω内に抑えなければならないとされている。
ところが、基板１の厚さは一意に決まらない。例えば、コストダウンの観点から、多層の基板を単層の基板に切り換えて用いる場合があり、このような場合には、強度の問題から、単層の基板を多層の基板よりも、信号層とグランド層との層間を厚くする必要がある。しかし、厚くすると、単層の基板のランド１１（１３）とグランド層２との間の容量が小さくなり、コネクタ実装部の特性インピーダンスが大きくなってしまうおそれがある。
このような場合には、ランド１１，１２，１３のランド幅等を大きくして、ランド１１（１３）とグランド層２との間の容量が大きくなるように調整する必要がある。しかしながら、上記したように、ランド１１，１２，１３のランド幅やランド間隔は、一律に決定されており、しかも狭い。このため、ランド１１（１３）のランド幅等を大きくすることができない。
このように、従来の基板のコネクタ実装部構造では、規格からずれた特性インピーダンスを調整する術がなく、不良品の基板が多量に発生するおそれがあった。
【０００５】
この発明は、上述した課題を解決するためになされたもので、コネクタ実装部の特性インピーダンスを調整可能な基板のコネクタ実装部構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、請求項１の発明は、１対の信号用配線パターンの端部にそれぞれ連結されて隣接する１対の信号用ランドとこれら１対の信号用ランドの間に配されたグランド用ランドとの組が、基板の表面に複数組並べられると共に、グランド層が基板の裏面又は中間層に設けられた基板のコネクタ実装部構造であって、各信号用ランドから延出するビアホールとこのビアホールの端に連結された所定形状の電極とで構成されるオープンスタブを設け、オープンスタブの電極とグランド層とによって容量を形成した構成とする。
かかる構成により、例えば、ＨＤＭＩ規格のコネクタの差動信号Ｄ＋用，差動信号Ｄ−用及びグランドＧ用のコンタクトからそれぞれ引き出された端子を、１対の信号用ランド，グランド用ランドにそれぞれ接触させた状態で半田付けすることにより、コネクタを基板に実装することができる。これにより、当該コネクタと１対の信号用ランド及び１対の信号用配線パターンを通じて、差動信号の高速伝送が可能となる。
ところで、コネクタ実装部の特性インピーダンス、即ち１対の信号用ランドとグランド用ランドとグランド層とで形成される特性インピーダンスが所望値でない場合には、この部分で信号のリターンロスが大きくなってしまう。したがって、多層の基板よりも板厚が大きな単層の基板を使用する場合には、１対の信号用ランドとグランド層との間の距離が大きくなり、この間の容量が小さくなって、コネクタ実装部の特性インピーダンスが所望値よりも大きくなり、リターンロスが大きくなるおそれがある。
しかし、この発明では、各信号用ランドから延出するビアホールと電極とで構成されるオープンスタブを設け、電極とグランド層とによって容量を形成するので、この容量分だけ、１対の信号用ランドとグランド層との間の容量が増加する。そして、この電極の幅や長さを調整することで、当該容量の大きさを調整することができる。したがって、板厚が大きな単層の基板を使用するような場合には、電極とグランド層との間の容量を含めた１対の信号用ランド−グランド層間の容量値が所望値になるように、電極の幅や長さを予め設定しておくことで、コネクタ実装部の特性インピーダンスを所望値にすることができる。
【０００７】
請求項２の発明は、請求項１に記載の基板のコネクタ実装部構造において、非グランド領域をグランド層内に形成し、オープンスタブの電極を、非グランド領域内に配した構成とする。
かかる構成により、電極の外周縁と非グランド領域を画成するグランド層の内周縁との間に容量が形成される。
【０００８】
請求項３の発明は、請求項２に記載の基板のコネクタ実装部構造において、基板は、グランド層が裏面に設けられた単層の基板である構成とした。
かかる構成により、多層の基板に比べて、基板の製造工程数を減少させることができ、その分製造コストの低減化を図ることができる。
【０００９】
請求項４の発明は、請求項２又は請求項３に記載の基板のコネクタ実装部構造において、グランド用ランドとグランド層とを接続する１本以上のビアホールを設けると共に、ビアホールと同数のビアホールを各信号用ランドと電極との間に設けた構成とする。
かかる構成により、グランド用ランドとグランド層とを接続するビアホールと各信号用ランドと電極とを接続するビアホールとの間に、容量を形成することができる。この結果、１対の信号用ランドとグランド層との間の容量値をさらに増大させることができる。
【００１０】
請求項５の発明は、請求項１に記載の基板のコネクタ実装部構造において、オープンスタブの電極を、グランド層の上層又は下層に対向するように配した構成とする。
かかる構成により、電極の面とグランド層の面との間で、容量が形成される。すなわち、面同士を対向させて容量を形成するので、より大きな容量値を得ることができる。
【発明の効果】
【００１１】
以上詳しく説明したように、この発明の基板のコネクタ実装部構造によれば、コネクタを実装する信号用ランドに手を加えることなく、コネクタ実装部の特性インピーダンスを調整することができるという優れた効果がある。
【００１２】
また、請求項３の発明によれば、基板製造のコストダウンを図ることができるという効果がある。
また、請求項４や請求項５の発明によれば、容量値のさらなる増加を図ることができ、この結果、特性インピーダンスをより大きく変えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、この発明の最良の形態について図面を参照して説明する。
【実施例１】
【００１４】
図１は、この発明の第１実施例に係る基板のコネクタ実装部構造を示す分解斜視図であり、図２は、基板裏面のグランド層を透過して、基板のコネクタ実装部構造を示す斜視図であり、図３は、図２の基板の表面図であり、図４は、図２の基板の裏面図である。なお、図１８に示した部材と同一の部材については、同一の符号を付して説明する。
【００１５】
図１に示すように、この実施例の基板のコネクタ実装部構造は、ＨＤＭＩ規格のコネクタ１００を基板１に実装するための構造である。
基板１は、グランド層２が裏面１ｂに設けられた単層の誘電体基板であり、その表面１ａに、ランド１１，１２，１３を複数組有する。
【００１６】
各組において隣接する１対のランド１１，１３は、信号用ランドであり、コネクタ１００の端子１０１′，１０３′を接続することができる。また、ランド１１，１３は、基板１の表面１ａに形成された１対の信号用配線パターン１Ｄ＋，１Ｄ−の端部にそれぞれ連結されており、これにより、差動信号Ｄ＋が信号用配線パターン１Ｄ＋を通じてランド１１に送られ、差動信号Ｄ−が信号用配線パターン１Ｄ−を通じてランド１３に送られるようになっている。
これら１対のランド１１，１３の間に並ぶように配されたランド１２は、グランド用ランドであり、コネクタ１００の端子１０２′を接続することができる。
【００１７】
このようなランド１１，１３には、図１〜図３に示すように、それぞれオープンスタブ２１，２３が設けられている。
オープンスタブ２１（２３）は、ビアホール２１ａ（２３ａ）と電極２１ｂ（２３ｂ）とで構成されている。具体的には、ビアホール２１ａ（２３ａ）が、ランド１１（１３）の先端下側から基板１の裏面１ｂ側に延出して電極２１ｂ（２３ｂ）に連結している。電極２１ｂ（２３ｂ）は、図４に示すように、グランド層２内に形成した非グランド領域２４（２５）内に島状に配されている。
図５は、オープンスタブ２１（２３）を示す部分拡大平面図である。
つまり、図５に示すように、グランド層２を一部くり抜いて、長方形状の非グランド領域２４（２５）をグランド層２内であって且つランド１１（１３）の真裏の位置に形成した。そして、非グランド領域２４（２５）よりも小さめに設定された長方形状の電極２１ｂ（２３ｂ）を非グランド領域２４（２５）内に形成した。これにより、容量Ｃ１が、電極２１ｂ（２３ｂ）の外周縁２１ｂ′（２３ｂ′）と非グランド領域２４（２５）を画成するグランド層２の内周縁２４′（２５′）との間に形成される。したがって、電極２１ｂ（２３ｂ）の長さや幅を変えることで、容量Ｃ１の大きさを変更することができる。
【００１８】
次に、この実施例の基板のコネクタ実装部構造が示す作用及び効果について説明する。
図６は、コネクタ１００の基板１への実装状態を示す平面図であり、図７は、コネクタ１００の基板１への実装状態を示す概略断面図であり、図８は、伝送ケーブルのプラグをコネクタ１００に差し込んだ状態を示す概略断面図である。
図６及び図７に示すように、コネクタ１００を基板１の表面１ａ側に配し、コネクタ１００の端子１０１′，１０２′，１０３′をランド１１，１２，１３にそれぞれ当接して半田付けすることができる。すると、信号用配線パターン１Ｄ＋，１Ｄ−が、ランド１１，１３と端子１０１′，１０３′とを通じて、コネクタ１００のコンタクト１０１，１０３に電気的に接続され、ランド１２が、端子１０２′を通じて、コネクタ１００のコンタクト１０２に電気的に接続される。これにより、コネクタ１００が、複数組のランド１１，１２，１３で構成されるコネクタ実装部に実装された状態になる。
かかる状態で、図８に示すように、伝送ケーブル２００のプラグ２１０をコネクタ１００に差し込むと、基板１の信号用配線パターン１Ｄ＋，１Ｄ−に接続された図示しないテレビジョンと伝送ケーブル２００側に接続された図示しないＤＶＤプレーヤとが、ランド１１，１２，１３とコネクタ１００とを通じて電気的に繋がった状態になる。これにより、映像信号等を差動信号Ｄ＋，Ｄ−に載せてＤＶＤプレーヤからテレビジョンに伝送することができる。
【００１９】
ところで、コネクタ実装部であるランド１１，１２，１３とグランド層２との部分の特性インピーダンスは、ＴＤＲ測定で１００±１５Ω内でなければならず、この範囲を超えると、ランド１１，１２，１３とコネクタ１００の端子１０１′，１０２′，１０３′との接触部分で、大きなリターンロスが発生する。したがって、この実施例の基板１のように、板厚が大きな単層の基板を使用する場合には、ランド１１（１３）とグランド層２との間の容量Ｃ０が小さくなって、コネクタ実装部の特性インピーダンスが１００＋１５Ωを越えるおそれがある。
【００２０】
しかしながら、この実施例では、図４及び図５に示したように、ビアホール２１ａ（２３ａ）と電極２１ｂ（２３ｂ）とで構成されるオープンスタブ２１（２３）を、ランド１１（１３）の下側に設けて、電極２１ｂ（２３ｂ）とグランド層２との間の容量Ｃ１を形成したので、この容量分だけ、上記特性インピーダンスが低下しており、１００±１５Ω内に納めることができる。しかも、この電極２１ｂ（２３ｂ）の長さや幅を変える等して、容量Ｃ１を調整して、特性インピーダンスを予め最適な値に設定しておくことができるので、コネクタ実装部の特性インピーダンスが１００±１５Ω外になるおそれはない。
【００２１】
発明者等は、かかる効果を確認すべく、次のようなＴＤＲ測定を行った。
図９は、オープンスタブ２１（２３）を有しない従来型の基板の測定結果を示す線図であり、図１０は、オープンスタブ２１（２３）を有するこの実施例の基板の測定結果を示す線図である。
まず、図１８に示した基板、即ち、オープンスタブ２１（２３）を有せず、裏面にはグランド層２のみが設けられている基板を用い、基板の厚みを１．６ｍｍ、誘電率を４．４に設定した。そして、TMDS （Transition Minimized Differential Signaling）データ０＋とTMDS データ０−とを信号用配線パターン１Ｄ＋，１Ｄ−を通じて図の右側のランド１１，１３に入力し、TMDS データ１＋とTMDS データ１−とを図の中央のランド１１，１３に入力し、TMDS データ２＋とTMDS データ２−とを図の左側のランド１１，１３に入力した。すると、図９に示すように、TMDS データ０＋とTMDS データ０−が入力された部分のランド１１，１２，１３及びグランド層２による特性インピーダンス曲線Ｄ０、TMDS データ１＋とTMDS データ１−が入力された部分のランド１１，１２，１３及びグランド層２による特性インピーダンス曲線Ｄ１、TMDS データ２＋とTMDS データ２−が入力された部分のランド１１，１２，１３及びグランド層２による特性インピーダンス曲線Ｄ２は、１００±１５Ω内にそれぞれ納まっているものの、理想値１００Ωから大きく触れ、上限値１１５Ωと下限値８５Ωに近い値をとっている。
【００２２】
次に、オープンスタブ２１（２３）を有したこの実施例の基板１を用いて測定を行った。 すなわち、基板の厚み、誘電率を上記基板と同様に設定し、オープンスタブ２１（２３）の電極２１ｂ（２３ｂ）の長さ及び幅を２ｍｍ及び０．３ｍｍ、電極２１ｂ（２３ｂ）の外周縁２１ｂ′（２３ｂ′）とグランド層２の内周縁２４′（２５′）との距離を０．２ｍｍに設定した。
そして、上記基板の場合と同様に、TMDS データ０＋とTMDS データ０−とを図１の右側のランド１１，１３に、TMDS データ１＋とTMDS データ１−とを図１の中央のランド１１，１３に、TMDS データ２＋とTMDS データ２−とを図１の左側のランド１１，１３にそれぞれ入力した。すると、図１０に示すように、TMDS データ０＋とTMDS データ０−が入力された部分のランド１１，１２，１３とオープンスタブ２１，２３とグランド層２とによる特性インピーダンス曲線Ｄ０、TMDS データ１＋とTMDS データ１−が入力された部分のランド１１，１２，１３とオープンスタブ２１，２３とグランド層２による特性インピーダンス曲線Ｄ１、TMDS データ２＋とTMDS データ２−が入力された部分のランド１１，１２，１３とオープンスタブ２１，２３とグランド層２とによる特性インピーダンス曲線Ｄ２は、１００±１５Ω内に全て納まるだけでなく、理想値１００Ωに近い範囲内の納まっている。これにより、オープンスタブ２１，２３を設けることにより、特性インピーダンスを所望値まで低下させることができることを確認した。
【００２３】
上記したように、この実施例の基板のコネクタ実装部構造によれば、コネクタ１００を実装するランド１１，１２，１３に手を加えることなく、コネクタ実装部の特性インピーダンスを調整することができる。
そして、単層の基板１を用いたので、基板製造の工程数を減少させることができ、その分製造コストの低減化を図ることができる。
【実施例２】
【００２４】
次に、この発明の第２実施例について説明する。
図１１は、この発明の第２実施例に係る基板のコネクタ実装部構造を示す概略断面図であり、図１２は、基板の表面図であり、図１３は、基板の裏面図であり、図１４は、第２実施例の要部を示す部分拡大平面図である。
この実施例は、コネクタ実装部の容量を大きく増加させることができる点で、上記第１実施例と異なる。
すなわち、図１１に示すように、ランド１１（１３）と電極２１ｂ（２３ｂ）との間に、ビアホール２１ａ（２３ａ）と複数のビアホール２１ｃ（２３ｃ）とを接続すると共に、図１２及び図１３に示すように、ランド１２とグランド層２との間に、ビアホール２１ａ（２３ａ），２１ｃ（２３ｃ）と同数のビアホール２２ｃを接続した。
具体的には、図１２に示すように、ビアホール２１ａ，２３ａと複数のビアホール２１ｃ，２３ｃとを、ランド１１，１３の下側に等間隔で配設し、図１３に示すように、それらの下端を、電極２１ｂ，２３ｂに接続した。
これにより、図１４に示すように、電極２１ｂ（２３ｂ）のビアホール２１ａ（２３ａ），２１ｃ（２３ｃ）とランド１２のビアホール２２ｃとの間に容量Ｃ２が形成され、その分だけ、上記実施例の場合よりも容量値を増加させることができる。この結果、コネクタ実装部の特性インピーダンスをより大きく変えることができる。
その他の構成、作用及び効果は、上記第１実施例と同様であるので、その記載は省略する。
【実施例３】
【００２５】
次に、この発明の第３実施例について説明する。
図１５は、この発明の第３実施例に係る基板のコネクタ実装部構造を示す概略断面図である。
この実施例は、オープンスタブ２１（２３）の電極２１ｂ（２３ｂ）を、基板１の内部に設けた点が、上記第１及び第２実施例と異なる。
具体的には、図１５に示すように、非グランド領域２４（２５）を有さないベタのグランド層２を基板１の裏面１ｂに設けた。そして、オープンスタブ２１（２３）の電極２１ｂ（２３ｂ）を、このグランド層２の上層に対向するように配して、ランド１１（１３）と電極２１ｂ（２３ｂ）とをビアホール２１ａ（２３ａ）で接続した。
【００２６】
かかる構成により、電極２１ｂ（２３ｂ）の面とグランド層２の面とが対向し、これらの面間で、容量が形成される。このように、この実施例では、電極２１ｂ（２３ｂ）とグランド層２との面同士を対向させて容量を形成するので、より大きな容量値を得ることができる。
その他の構成、作用及び効果は、上記第１及び第２実施例と同様であるので、その記載は省略する。
【００２７】
なお、この発明は、上記実施例に限定されるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の変形や変更が可能である。
上記第１実施例では、基板１が単層のため、グランド層２を基板１の裏面１ｂに設けた基板のコネクタ実装部構造を例示したが、例えば、図１６に示すように、基板１が多層基板の場合には、グランド層２を、裏面ではなく、中間層に設けて、オープンスタブ２１，２３の電極２１ｂ，２３ｂを、このグランド層２の非グランド領域２４，２５内に配することもできる。
【００２８】
また、上記第３実施例では、オープンスタブ２１（２３）の電極２１ｂ（２３ｂ）を、非グランド領域２４（２５）を有しないグランド層２の上層に対向するように配した例を示したが、例えば、図１７に示すように、グランド層２を基板１の中間層に配し、オープンスタブ２１（２３）の電極２１ｂ（２３ｂ）を基板１の裏面１ｂに設けることで、オープンスタブ２１（２３）を、グランド層２の下層に対向するように配することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】この発明の第１実施例に係る基板のコネクタ実装部構造を示す分解斜視図である。
【図２】基板裏面のグランド層を透過して、基板のコネクタ実装部構造を示す斜視図である。
【図３】図２の基板の表面図である。
【図４】図２の基板の裏面図である。
【図５】オープンスタブを示す部分拡大平面図である。
【図６】コネクタの基板への実装状態を示す平面図である。
【図７】コネクタの基板への実装状態を示す概略断面図である。
【図８】伝送ケーブルのプラグをコネクタに差し込んだ状態を示す概略断面図である。
【図９】オープンスタブを有しない従来型の基板の測定結果を示す線図である。
【図１０】オープンスタブを有するこの実施例の基板の測定結果を示す線図である。
【図１１】この発明の第２実施例に係る基板のコネクタ実装部構造を示す概略断面図である。
【図１２】基板の表面図である。
【図１３】基板の裏面図である。
【図１４】第２実施例の要部を示す部分拡大平面図である。
【図１５】この発明の第３実施例に係る基板のコネクタ実装部構造を示す概略断面図である。
【図１６】第１変形例を示す概略断面図である。
【図１７】第２変形例を示す概略断面図である。
【図１８】グランド層を透過して、従来例に係る基板のコネクタ実装部構造を示す概略斜視図である。
【符号の説明】
【００３０】
１…基板、 １Ｄ＋，１Ｄ−…信号用配線パターン、 １ａ…表面、 １ｂ…裏面、 ２…グランド層、 １１〜１３…ランド、 ２１，２３…オープンスタブ、 ２１ａ，２３ａ，２１ｃ，２２ｃ，２３ｃ…ビアホール、 ２１ｂ，２３ｂ…電極、 ２１ｂ′，２３ｂ′…外周縁、 ２４，２５…非グランド領域、 ２４′，２５′…内周縁、 １００…コネクタ、 １０１，１０２，１０３…コンタクト、 １０１′，１０２′，１０３′…端子、 Ｃ０〜Ｃ２…容量。
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ＨＤＭＩ（High-Definition Multimedia Interface）等の高速差動信号伝送用のコネクタを接続するための基板のコネクタ実装部構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図１８は、グランド層を透過して、従来例に係る基板のコネクタ実装部構造を示す概略斜視図である。
図１８に示すように、ＨＤＭＩ等の高速差動信号伝送用のコネクタ１００は、差動信号Ｄ＋用，グランドＧ用及び差動信号Ｄ−用の３本のコンタクト１０１，１０２，１０３を１組とし、これらコンタクト１０１，１０２，１０３を筐体１１０内に複数組組み込んだ構成になっている（例えば、特許文献１参照）。そして、端子１０１′，１０２′，１０３′が、各組のコンタクト１０１，１０２，１０３からコンタクト外部に一列に引き出されている。一方、基板１のコネクタ実装部には、端子１０１′，１０２′，１０３′を当接可能なランド１１，１２，１３が設けられており、端子１０１′，１０２′，１０３′を、これらのランド１１，１２，１３に当接して半田付けすることができるようになっている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−３３４７４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記した従来の基板のコネクタ実装部構造では、次のような問題がある。
一般に、コネクタ１００の端子１０１′，１０２′，１０３′の端子幅や端子間隔は、規格で予め決められている。このため、端子１０１′，１０２′，１０３′を接続させるランド１１，１２，１３のランド幅やランド間隔も一律に決定される。
このような基板１の裏面には、グランド層２が設けられ、ランド１１（１３）とこのグランド層２との距離によって、コネクタ実装部の特性インピーダンス（具体的には、ランド１１，１２，１３とグランド層２とを含めた特性インピーダンス）が影響を受けることとなるが、この特性インピーダンスは、予め決められており、その許容範囲から外れることは許されない。特に、ＨＤＭＩ規格では、基板１のコネクタ実装部の特性インピーダンスを、ＴＤＲ(time domein reflectmetry)測定において、１００±１５Ω内に抑えなければならないとされている。
ところが、基板１の厚さは一意に決まらない。例えば、コストダウンの観点から、多層の基板を単層の基板に切り換えて用いる場合があり、このような場合には、強度の問題から、単層の基板を多層の基板よりも、信号層とグランド層との層間を厚くする必要がある。しかし、厚くすると、単層の基板のランド１１（１３）とグランド層２との間の容量が小さくなり、コネクタ実装部の特性インピーダンスが大きくなってしまうおそれがある。
このような場合には、ランド１１，１２，１３のランド幅等を大きくして、ランド１１（１３）とグランド層２との間の容量が大きくなるように調整する必要がある。しかしながら、上記したように、ランド１１，１２，１３のランド幅やランド間隔は、一律に決定されており、しかも狭い。このため、ランド１１（１３）のランド幅等を大きくすることができない。
このように、従来の基板のコネクタ実装部構造では、規格からずれた特性インピーダンスを調整する術がなく、不良品の基板が多量に発生するおそれがあった。
【０００５】
この発明は、上述した課題を解決するためになされたもので、コネクタ実装部の特性インピーダンスを調整可能な基板のコネクタ実装部構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、請求項１の発明は、１対の信号用配線パターンの端部にそれぞれ連結されて隣接する１対の信号用ランドとこれら１対の信号用ランドの間に配されたグランド用ランドとの組が、基板の表面に複数組並べられると共に、グランド層が基板の裏面又は中間層に設けられた基板のコネクタ実装部構造であって、各信号用ランドから延出するビアホールとこのビアホールの端に連結された所定形状の電極とで構成されるオープンスタブを設け、オープンスタブの電極とグランド層とによって容量を形成した構成とする。
かかる構成により、例えば、ＨＤＭＩ規格のコネクタの差動信号Ｄ＋用，差動信号Ｄ−用及びグランドＧ用のコンタクトからそれぞれ引き出された端子を、１対の信号用ランド，グランド用ランドにそれぞれ接触させた状態で半田付けすることにより、コネクタを基板に実装することができる。これにより、当該コネクタと１対の信号用ランド及び１対の信号用配線パターンを通じて、差動信号の高速伝送が可能となる。
ところで、コネクタ実装部の特性インピーダンス、即ち１対の信号用ランドとグランド用ランドとグランド層とで形成される特性インピーダンスが所望値でない場合には、この部分で信号のリターンロスが大きくなってしまう。したがって、多層の基板よりも板厚が大きな単層の基板を使用する場合には、１対の信号用ランドとグランド層との間の距離が大きくなり、この間の容量が小さくなって、コネクタ実装部の特性インピーダンスが所望値よりも大きくなり、リターンロスが大きくなるおそれがある。
しかし、この発明では、各信号用ランドから延出するビアホールと電極とで構成されるオープンスタブを設け、電極とグランド層とによって容量を形成するので、この容量分だけ、１対の信号用ランドとグランド層との間の容量が増加する。そして、この電極の幅や長さを調整することで、当該容量の大きさを調整することができる。したがって、板厚が大きな単層の基板を使用するような場合には、電極とグランド層との間の容量を含めた１対の信号用ランド−グランド層間の容量値が所望値になるように、電極の幅や長さを予め設定しておくことで、コネクタ実装部の特性インピーダンスを所望値にすることができる。
【０００７】
請求項２の発明は、請求項１に記載の基板のコネクタ実装部構造において、非グランド領域をグランド層内に形成し、オープンスタブの電極を、非グランド領域内に配した構成とする。
かかる構成により、電極の外周縁と非グランド領域を画成するグランド層の内周縁との間に容量が形成される。
【０００８】
請求項３の発明は、請求項２に記載の基板のコネクタ実装部構造において、基板は、グランド層が裏面に設けられた単層の基板である構成とした。
かかる構成により、多層の基板に比べて、基板の製造工程数を減少させることができ、その分製造コストの低減化を図ることができる。
【０００９】
請求項４の発明は、請求項２又は請求項３に記載の基板のコネクタ実装部構造において、グランド用ランドとグランド層とを接続する１本以上のビアホールを設けると共に、ビアホールと同数のビアホールを各信号用ランドと電極との間に設けた構成とする。
かかる構成により、グランド用ランドとグランド層とを接続するビアホールと各信号用ランドと電極とを接続するビアホールとの間に、容量を形成することができる。この結果、１対の信号用ランドとグランド層との間の容量値をさらに増大させることができる。
【００１０】
請求項５の発明は、請求項１に記載の基板のコネクタ実装部構造において、オープンスタブの電極を、グランド層の上層又は下層に対向するように配した構成とする。
かかる構成により、電極の面とグランド層の面との間で、容量が形成される。すなわち、面同士を対向させて容量を形成するので、より大きな容量値を得ることができる。
【発明の効果】
【００１１】
以上詳しく説明したように、この発明の基板のコネクタ実装部構造によれば、コネクタを実装する信号用ランドに手を加えることなく、コネクタ実装部の特性インピーダンスを調整することができるという優れた効果がある。
【００１２】
また、請求項３の発明によれば、基板製造のコストダウンを図ることができるという効果がある。
また、請求項４や請求項５の発明によれば、容量値のさらなる増加を図ることができ、この結果、特性インピーダンスをより大きく変えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、この発明の最良の形態について図面を参照して説明する。
【実施例１】
【００１４】
図１は、この発明の第１実施例に係る基板のコネクタ実装部構造を示す分解斜視図であり、図２は、基板裏面のグランド層を透過して、基板のコネクタ実装部構造を示す斜視図であり、図３は、図２の基板の表面図であり、図４は、図２の基板の裏面図である。なお、図１８に示した部材と同一の部材については、同一の符号を付して説明する。
【００１５】
図１に示すように、この実施例の基板のコネクタ実装部構造は、ＨＤＭＩ規格のコネクタ１００を基板１に実装するための構造である。
基板１は、グランド層２が裏面１ｂに設けられた単層の誘電体基板であり、その表面１ａに、ランド１１，１２，１３を複数組有する。
【００１６】
各組において隣接する１対のランド１１，１３は、信号用ランドであり、コネクタ１００の端子１０１′，１０３′を接続することができる。また、ランド１１，１３は、基板１の表面１ａに形成された１対の信号用配線パターン１Ｄ＋，１Ｄ−の端部にそれぞれ連結されており、これにより、差動信号Ｄ＋が信号用配線パターン１Ｄ＋を通じてランド１１に送られ、差動信号Ｄ−が信号用配線パターン１Ｄ−を通じてランド１３に送られるようになっている。
これら１対のランド１１，１３の間に並ぶように配されたランド１２は、グランド用ランドであり、コネクタ１００の端子１０２′を接続することができる。
【００１７】
このようなランド１１，１３には、図１〜図３に示すように、それぞれオープンスタブ２１，２３が設けられている。
オープンスタブ２１（２３）は、ビアホール２１ａ（２３ａ）と電極２１ｂ（２３ｂ）とで構成されている。具体的には、ビアホール２１ａ（２３ａ）が、ランド１１（１３）の先端下側から基板１の裏面１ｂ側に延出して電極２１ｂ（２３ｂ）に連結している。電極２１ｂ（２３ｂ）は、図４に示すように、グランド層２内に形成した非グランド領域２４（２５）内に島状に配されている。
図５は、オープンスタブ２１（２３）を示す部分拡大平面図である。
つまり、図５に示すように、グランド層２を一部くり抜いて、長方形状の非グランド領域２４（２５）をグランド層２内であって且つランド１１（１３）の真裏の位置に形成した。そして、非グランド領域２４（２５）よりも小さめに設定された長方形状の電極２１ｂ（２３ｂ）を非グランド領域２４（２５）内に形成した。これにより、容量Ｃ１が、電極２１ｂ（２３ｂ）の外周縁２１ｂ′（２３ｂ′）と非グランド領域２４（２５）を画成するグランド層２の内周縁２４′（２５′）との間に形成される。したがって、電極２１ｂ（２３ｂ）の長さや幅を変えることで、容量Ｃ１の大きさを変更することができる。
【００１８】
次に、この実施例の基板のコネクタ実装部構造が示す作用及び効果について説明する。
図６は、コネクタ１００の基板１への実装状態を示す平面図であり、図７は、コネクタ１００の基板１への実装状態を示す概略断面図であり、図８は、伝送ケーブルのプラグをコネクタ１００に差し込んだ状態を示す概略断面図である。
図６及び図７に示すように、コネクタ１００を基板１の表面１ａ側に配し、コネクタ１００の端子１０１′，１０２′，１０３′をランド１１，１２，１３にそれぞれ当接して半田付けすることができる。すると、信号用配線パターン１Ｄ＋，１Ｄ−が、ランド１１，１３と端子１０１′，１０３′とを通じて、コネクタ１００のコンタクト１０１，１０３に電気的に接続され、ランド１２が、端子１０２′を通じて、コネクタ１００のコンタクト１０２に電気的に接続される。これにより、コネクタ１００が、複数組のランド１１，１２，１３で構成されるコネクタ実装部に実装された状態になる。
かかる状態で、図８に示すように、伝送ケーブル２００のプラグ２１０をコネクタ１００に差し込むと、基板１の信号用配線パターン１Ｄ＋，１Ｄ−に接続された図示しないテレビジョンと伝送ケーブル２００側に接続された図示しないＤＶＤプレーヤとが、ランド１１，１２，１３とコネクタ１００とを通じて電気的に繋がった状態になる。これにより、映像信号等を差動信号Ｄ＋，Ｄ−に載せてＤＶＤプレーヤからテレビジョンに伝送することができる。
【００１９】
ところで、コネクタ実装部であるランド１１，１２，１３とグランド層２との部分の特性インピーダンスは、ＴＤＲ測定で１００±１５Ω内でなければならず、この範囲を超えると、ランド１１，１２，１３とコネクタ１００の端子１０１′，１０２′，１０３′との接触部分で、大きなリターンロスが発生する。したがって、この実施例の基板１のように、板厚が大きな単層の基板を使用する場合には、ランド１１（１３）とグランド層２との間の容量Ｃ０が小さくなって、コネクタ実装部の特性インピーダンスが１００＋１５Ωを越えるおそれがある。
【００２０】
しかしながら、この実施例では、図４及び図５に示したように、ビアホール２１ａ（２３ａ）と電極２１ｂ（２３ｂ）とで構成されるオープンスタブ２１（２３）を、ランド１１（１３）の下側に設けて、電極２１ｂ（２３ｂ）とグランド層２との間の容量Ｃ１を形成したので、この容量分だけ、上記特性インピーダンスが低下しており、１００±１５Ω内に納めることができる。しかも、この電極２１ｂ（２３ｂ）の長さや幅を変える等して、容量Ｃ１を調整して、特性インピーダンスを予め最適な値に設定しておくことができるので、コネクタ実装部の特性インピーダンスが１００±１５Ω外になるおそれはない。
【００２１】
発明者等は、かかる効果を確認すべく、次のようなＴＤＲ測定を行った。
図９は、オープンスタブ２１（２３）を有しない従来型の基板の測定結果を示す線図であり、図１０は、オープンスタブ２１（２３）を有するこの実施例の基板の測定結果を示す線図である。
まず、図１８に示した基板、即ち、オープンスタブ２１（２３）を有せず、裏面にはグランド層２のみが設けられている基板を用い、基板の厚みを１．６ｍｍ、誘電率を４．４に設定した。そして、TMDS （Transition Minimized Differential Signaling）データ０＋とTMDS データ０−とを信号用配線パターン１Ｄ＋，１Ｄ−を通じて図の右側のランド１１，１３に入力し、TMDS データ１＋とTMDS データ１−とを図の中央のランド１１，１３に入力し、TMDS データ２＋とTMDS データ２−とを図の左側のランド１１，１３に入力した。すると、図９に示すように、TMDS データ０＋とTMDS データ０−が入力された部分のランド１１，１２，１３及びグランド層２による特性インピーダンス曲線Ｄ０、TMDS データ１＋とTMDS データ１−が入力された部分のランド１１，１２，１３及びグランド層２による特性インピーダンス曲線Ｄ１、TMDS データ２＋とTMDS データ２−が入力された部分のランド１１，１２，１３及びグランド層２による特性インピーダンス曲線Ｄ２は、１００±１５Ω内にそれぞれ納まっているものの、理想値１００Ωから大きく触れ、上限値１１５Ωと下限値８５Ωに近い値をとっている。
【００２２】
次に、オープンスタブ２１（２３）を有したこの実施例の基板１を用いて測定を行った。 すなわち、基板の厚み、誘電率を上記基板と同様に設定し、オープンスタブ２１（２３）の電極２１ｂ（２３ｂ）の長さ及び幅を２ｍｍ及び０．３ｍｍ、電極２１ｂ（２３ｂ）の外周縁２１ｂ′（２３ｂ′）とグランド層２の内周縁２４′（２５′）との距離を０．２ｍｍに設定した。
そして、上記基板の場合と同様に、TMDS データ０＋とTMDS データ０−とを図１の右側のランド１１，１３に、TMDS データ１＋とTMDS データ１−とを図１の中央のランド１１，１３に、TMDS データ２＋とTMDS データ２−とを図１の左側のランド１１，１３にそれぞれ入力した。すると、図１０に示すように、TMDS データ０＋とTMDS データ０−が入力された部分のランド１１，１２，１３とオープンスタブ２１，２３とグランド層２とによる特性インピーダンス曲線Ｄ０、TMDS データ１＋とTMDS データ１−が入力された部分のランド１１，１２，１３とオープンスタブ２１，２３とグランド層２による特性インピーダンス曲線Ｄ１、TMDS データ２＋とTMDS データ２−が入力された部分のランド１１，１２，１３とオープンスタブ２１，２３とグランド層２とによる特性インピーダンス曲線Ｄ２は、１００±１５Ω内に全て納まるだけでなく、理想値１００Ωに近い範囲内の納まっている。これにより、オープンスタブ２１，２３を設けることにより、特性インピーダンスを所望値まで低下させることができることを確認した。
【００２３】
上記したように、この実施例の基板のコネクタ実装部構造によれば、コネクタ１００を実装するランド１１，１２，１３に手を加えることなく、コネクタ実装部の特性インピーダンスを調整することができる。
そして、単層の基板１を用いたので、基板製造の工程数を減少させることができ、その分製造コストの低減化を図ることができる。
【実施例２】
【００２４】
次に、この発明の第２実施例について説明する。
図１１は、この発明の第２実施例に係る基板のコネクタ実装部構造を示す概略断面図であり、図１２は、基板の表面図であり、図１３は、基板の裏面図であり、図１４は、第２実施例の要部を示す部分拡大平面図である。
この実施例は、コネクタ実装部の容量を大きく増加させることができる点で、上記第１実施例と異なる。
すなわち、図１１に示すように、ランド１１（１３）と電極２１ｂ（２３ｂ）との間に、ビアホール２１ａ（２３ａ）と複数のビアホール２１ｃ（２３ｃ）とを接続すると共に、図１２及び図１３に示すように、ランド１２とグランド層２との間に、ビアホール２１ａ（２３ａ），２１ｃ（２３ｃ）と同数のビアホール２２ｃを接続した。
具体的には、図１２に示すように、ビアホール２１ａ，２３ａと複数のビアホール２１ｃ，２３ｃとを、ランド１１，１３の下側に等間隔で配設し、図１３に示すように、それらの下端を、電極２１ｂ，２３ｂに接続した。
これにより、図１４に示すように、電極２１ｂ（２３ｂ）のビアホール２１ａ（２３ａ），２１ｃ（２３ｃ）とランド１２のビアホール２２ｃとの間に容量Ｃ２が形成され、その分だけ、上記実施例の場合よりも容量値を増加させることができる。この結果、コネクタ実装部の特性インピーダンスをより大きく変えることができる。
その他の構成、作用及び効果は、上記第１実施例と同様であるので、その記載は省略する。
【実施例３】
【００２５】
次に、この発明の第３実施例について説明する。
図１５は、この発明の第３実施例に係る基板のコネクタ実装部構造を示す概略断面図である。
この実施例は、オープンスタブ２１（２３）の電極２１ｂ（２３ｂ）を、基板１の内部に設けた点が、上記第１及び第２実施例と異なる。
具体的には、図１５に示すように、非グランド領域２４（２５）を有さないベタのグランド層２を基板１の裏面１ｂに設けた。そして、オープンスタブ２１（２３）の電極２１ｂ（２３ｂ）を、このグランド層２の上層に対向するように配して、ランド１１（１３）と電極２１ｂ（２３ｂ）とをビアホール２１ａ（２３ａ）で接続した。
【００２６】
かかる構成により、電極２１ｂ（２３ｂ）の面とグランド層２の面とが対向し、これらの面間で、容量が形成される。このように、この実施例では、電極２１ｂ（２３ｂ）とグランド層２との面同士を対向させて容量を形成するので、より大きな容量値を得ることができる。
その他の構成、作用及び効果は、上記第１及び第２実施例と同様であるので、その記載は省略する。
【００２７】
なお、この発明は、上記実施例に限定されるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の変形や変更が可能である。
上記第１実施例では、基板１が単層のため、グランド層２を基板１の裏面１ｂに設けた基板のコネクタ実装部構造を例示したが、例えば、図１６に示すように、基板１が多層基板の場合には、グランド層２を、裏面ではなく、中間層に設けて、オープンスタブ２１，２３の電極２１ｂ，２３ｂを、このグランド層２の非グランド領域２４，２５内に配することもできる。
【００２８】
また、上記第３実施例では、オープンスタブ２１（２３）の電極２１ｂ（２３ｂ）を、非グランド領域２４（２５）を有しないグランド層２の上層に対向するように配した例を示したが、例えば、図１７に示すように、グランド層２を基板１の中間層に配し、オープンスタブ２１（２３）の電極２１ｂ（２３ｂ）を基板１の裏面１ｂに設けることで、オープンスタブ２１（２３）を、グランド層２の下層に対向するように配することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】この発明の第１実施例に係る基板のコネクタ実装部構造を示す分解斜視図である。
【図２】基板裏面のグランド層を透過して、基板のコネクタ実装部構造を示す斜視図である。
【図３】図２の基板の表面図である。
【図４】図２の基板の裏面図である。
【図５】オープンスタブを示す部分拡大平面図である。
【図６】コネクタの基板への実装状態を示す平面図である。
【図７】コネクタの基板への実装状態を示す概略断面図である。
【図８】伝送ケーブルのプラグをコネクタに差し込んだ状態を示す概略断面図である。
【図９】オープンスタブを有しない従来型の基板の測定結果を示す線図である。
【図１０】オープンスタブを有するこの実施例の基板の測定結果を示す線図である。
【図１１】この発明の第２実施例に係る基板のコネクタ実装部構造を示す概略断面図である。
【図１２】基板の表面図である。
【図１３】基板の裏面図である。
【図１４】第２実施例の要部を示す部分拡大平面図である。
【図１５】この発明の第３実施例に係る基板のコネクタ実装部構造を示す概略断面図である。
【図１６】第１変形例を示す概略断面図である。
【図１７】第２変形例を示す概略断面図である。
【図１８】グランド層を透過して、従来例に係る基板のコネクタ実装部構造を示す概略斜視図である。
【符号の説明】
【００３０】
１…基板、 １Ｄ＋，１Ｄ−…信号用配線パターン、 １ａ…表面、 １ｂ…裏面、 ２…グランド層、 １１〜１３…ランド、 ２１，２３…オープンスタブ、 ２１ａ，２３ａ，２１ｃ，２２ｃ，２３ｃ…ビアホール、 ２１ｂ，２３ｂ…電極、 ２１ｂ′，２３ｂ′…外周縁、 ２４，２５…非グランド領域、 ２４′，２５′…内周縁、 １００…コネクタ、 １０１，１０２，１０３…コンタクト、 １０１′，１０２′，１０３′…端子、 Ｃ０〜Ｃ２…容量。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１対の信号用配線パターンの端部にそれぞれ連結されて隣接する１対の信号用ランドとこれら１対の信号用ランドの間に配されたグランド用ランドとの組が、基板の表面に複数組並べられると共に、グランド層が基板の裏面又は中間層に設けられた基板のコネクタ実装部構造であって、
上記各信号用ランドから延出するビアホールとこのビアホールの端に連結された所定形状の電極とで構成されるオープンスタブを設け、
上記オープンスタブの電極と上記グランド層とによって容量を形成した、
ことを特徴とする基板のコネクタ実装部構造。
【請求項２】
請求項１に記載の基板のコネクタ実装部構造において、
非グランド領域を上記グランド層内に形成し、上記オープンスタブの電極を、当該非グランド領域内に配した、
ことを特徴とする基板のコネクタ実装部構造。
【請求項３】
請求項２に記載の基板のコネクタ実装部構造において、
上記基板は、上記グランド層が裏面に設けられた単層の基板である、
ことを特徴とする基板のコネクタ実装部構造。
【請求項４】
請求項２又は請求項３に記載の基板のコネクタ実装部構造において、
上記グランド用ランドと上記グランド層とを接続する１本以上のビアホールを設けると共に、当該ビアホールと同数のビアホールを上記各信号用ランドと上記電極との間に設けた、
ことを特徴とする基板のコネクタ実装部構造。
【請求項５】
請求項１に記載の基板のコネクタ実装部構造において、
上記オープンスタブの電極を、上記グランド層の上層又は下層に対向するように配した、
ことを特徴とする基板のコネクタ実装部構造。
【請求項１】
１対の信号用配線パターンの端部にそれぞれ連結されて隣接する１対の信号用ランドとこれら１対の信号用ランドの間に配されたグランド用ランドとの組が、基板の表面に複数組並べられると共に、グランド層が基板の裏面又は中間層に設けられた基板のコネクタ実装部構造であって、
上記各信号用ランドから延出するビアホールとこのビアホールの端に連結された所定形状の電極とで構成されるオープンスタブを設け、
上記オープンスタブの電極と上記グランド層とによって容量を形成した、
ことを特徴とする基板のコネクタ実装部構造。
【請求項２】
請求項１に記載の基板のコネクタ実装部構造において、
非グランド領域を上記グランド層内に形成し、上記オープンスタブの電極を、当該非グランド領域内に配した、
ことを特徴とする基板のコネクタ実装部構造。
【請求項３】
請求項２に記載の基板のコネクタ実装部構造において、
上記基板は、上記グランド層が裏面に設けられた単層の基板である、
ことを特徴とする基板のコネクタ実装部構造。
【請求項４】
請求項２又は請求項３に記載の基板のコネクタ実装部構造において、
上記グランド用ランドと上記グランド層とを接続する１本以上のビアホールを設けると共に、当該ビアホールと同数のビアホールを上記各信号用ランドと上記電極との間に設けた、
ことを特徴とする基板のコネクタ実装部構造。
【請求項５】
請求項１に記載の基板のコネクタ実装部構造において、
上記オープンスタブの電極を、上記グランド層の上層又は下層に対向するように配した、
ことを特徴とする基板のコネクタ実装部構造。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【公開番号】特開２００９−１２９６４９（Ｐ２００９−１２９６４９Ａ）
【公開日】平成２１年６月１１日（２００９．６．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−３０１９５８（Ｐ２００７−３０１９５８）
【出願日】平成１９年１１月２１日（２００７．１１．２１）
【出願人】（０００００６２３１）株式会社村田製作所 (3,635)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年６月１１日（２００９．６．１１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年１１月２１日（２００７．１１．２１）
【出願人】（０００００６２３１）株式会社村田製作所 (3,635)
【Ｆターム（参考）】
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