基板処理装置、基板処理設備、及び基板処理方法
【課題】クラスター構造の基板処理装置、基板処理設備、及びこれを利用した基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置の一実施形態は、基板が収納される容器が搭載されるロードポートと、前記基板を処理する複数の工程モジュールと、前記ロードポートと前記工程モジュールとの間に配置され、前記容器と前記工程モジュールとの間に前記基板を搬送する移送モジュールと、互いに隣接する前記工程モジュールの間に配置され、前記互いに隣接する工程モジュールの間に前記基板が搬送される空間を提供するバッファチャンバーと、を含む。
【解決手段】本発明による基板処理装置の一実施形態は、基板が収納される容器が搭載されるロードポートと、前記基板を処理する複数の工程モジュールと、前記ロードポートと前記工程モジュールとの間に配置され、前記容器と前記工程モジュールとの間に前記基板を搬送する移送モジュールと、互いに隣接する前記工程モジュールの間に配置され、前記互いに隣接する工程モジュールの間に前記基板が搬送される空間を提供するバッファチャンバーと、を含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板処理装置、基板処理設備、及び基板処理方法に関し、より詳細には、クラスター（ｃｌｕｓｔｅｒ）構造の基板処理装置、基板処理設備、及びこれを利用する基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子は、写真蝕刻法（ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）を含む多段階の多様な工程を経て、シリコンウエハー等の基板の上に回路パタ−ンを形成して製造される。このような工程は、その工程を実行するように考案されたチャンバーで遂行される。したがって、半導体素子の製造は基板をチャンバーへ搬入して工程を遂行し、他の工程を行うために他のチャンバーへ基板を搬入する過程を繰り返して進行される。
【０００３】
最近は、半導体素子が微細化されることにしたがって、半導体素子が従来よりも多くの工程、複雑な工程を経て製造されている。これによって、半導体素子の総製造時間の中で、チャンバー間で基板を搬送するために要される時間の占める比重が段々と増加している。
【０００４】
このような状況の中で基板の処理率（Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ｔｈｒｏｕｇｈｐｕｔ）を向上させるためには、不必要な搬送過程を減らし、工程を連続的に処理できる半導体製造設備のレイアウト（ｌａｙ−ｏｕｔ）が望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】韓国特許公開第１０−０８３９９１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の一課題は、不必要な基板の搬送を最小化する基板処理装置、基板処理設備、及び基板処理方法を提供することにある。
【０００７】
なお、本発明が解決しようとする課題は上述の課題に限定されず、言及されない課題は本明細書及び添付された図面から当業者であれば明確に理解することができる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明を、以下の基板処理装置とする。
【０００９】
本発明による基板処理装置は、基板が収納される容器が搭載されるロードポートと、前記基板を処理する複数の工程モジュールと、前記ロードポートと前記工程モジュールとの間に配置され、前記容器と前記工程モジュールとの間で前記基板を搬送する移送モジュールと、互いに隣接する前記工程モジュールとの間に配置され、前記互いに隣接する工程モジュールの間に前記基板が搬送される空間を提供するバッファチャンバーと、を含む。
【００１０】
前記ロードポート、前記移送モジュール、及び前記工程モジュールは、第１方向に沿って順次的に配置され、前記複数の工程モジュールは、上部から見たとき、前記第１方向と垂直になる第２方向に沿って前記移送モジュールの一側に一列に配置され得る。
【００１１】
前記工程モジュールは、その周囲に配置されたチャンバーの間で前記基板を搬送するトランスファーチャンバー、前記トランスファーチャンバーの周囲に配置され、前記基板に対する処理工程を遂行する工程チャンバー及び前記移送モジュールと前記トランスファーチャンバーとの間に配置されるロードロックチャンバーを含み、前記バッファチャンバーは、前記互いに隣接する工程モジュールのトランスファーチャンバーの間に配置され得る。
【００１２】
前記バッファチャンバーは、前記互いに隣接する工程モジュールの間に搬送される基板が一時的に留まるバッファ空間を提供できる。
【００１３】
前記バッファチャンバーは、ハウジング、前記ハウジング内に設置され、前記基板が置かれる支持部材及び前記支持部材に置かれる基板を回転させる回転部材を包含できる。
【００１４】
前記バッファチャンバーは、ハウジング、前記ハウジング内に設置され、前記基板が置かれる支持部材及び前記ハウジングへプラズマを供給するプラズマ供給器を包含できる。
【００１５】
前記バッファチャンバーは、上下に積層される複数のハウジングを包含できる。
【００１６】
本発明を、以下の基板処理設備とする。
【００１７】
本発明による基板処理設備は、基板が収納される容器が搭載されるロードポート、前記基板を処理する工程モジュール及び前記ロードポートと前記工程モジュールとの間に配置され、前記容器と前記工程モジュールとの間で前記基板を搬送する移送モジュールを含む複数の基板処理装置と、互いに隣接する基板処理装置の間に配置され、前記互いに隣接する基板処理装置の間に前記基板が搬送される空間を提供する第１バッファチャンバーと、を含み、前記工程モジュールは、その周囲に配置されたチャンバーの間で前記基板を搬送するトランスファーチャンバー、前記トランスファーチャンバーの周囲に配置され、前記基板に対する処理工程を遂行する工程チャンバー及び前記移送モジュールと前記トランスファーチャンバーとの間に配置されるロードロックチャンバーを含み、前記第１バッファチャンバーは、前記互いに隣接する基板処理装置のトランスファーチャンバーの間に配置され得る。
【００１８】
前記ロードポート、前記移送モジュール、及び前記工程モジュールは、第１方向に沿って順次的に配置され、前記複数の基板処理装置は、前記第１方向と垂直になる第２方向に沿って一列に配置され得る。
【００１９】
前記第１バッファチャンバーは、前記互いに隣接する基板処理装置の間で搬送される基板が一時的に留まるバッファ空間を提供できる。
【００２０】
前記第１バッファチャンバーは、ハウジング、前記ハウジング内に設置され、前記基板が置かれる支持部材及び前記支持部材に置かれる基板を回転させる回転部材を包含できる。
【００２１】
前記第１バッファチャンバーは、ハウジング、前記ハウジング内に設置され、前記基板が置かれる支持部材及び前記ハウジングへプラズマを供給するプラズマ供給器を含み、プラズマ工程を遂行できる。
【００２２】
前記第１バッファチャンバーは、上下に積層される複数のハウジングを包含できる。
【００２３】
前記基板処理装置に含まれる前記工程モジュールは、複数であり、前記基板処理装置は、同一な基板処理装置に属し且つ互いに隣接する工程モジュールの間に配置され、前記互いに隣接する工程モジュールの間に前記基板が搬送される空間を提供する第２バッファチャンバーをさらに包含できる。
【００２４】
前記複数の工程モジュールは夫々、その周囲に配置されたチャンバーの間で前記基板を搬送するトランスファーチャンバー、前記トランスファーチャンバーの周囲に配置され、前記基板に対する処理工程を遂行する工程チャンバー、及び前記移送モジュールと前記トランスファーチャンバーとの間に配置されるロードロックチャンバーを含み、前記第２バッファチャンバーは、前記互いに隣接する工程モジュールの間に配置され得る。
【００２５】
本発明を、以下の基板処理方法とする。
【００２６】
本発明による基板処理方法の一形態は、基板が収納された容器が搭載されるロードポートと、前記容器から基板を引き出す移送モジュールと、前記移送モジュールの一側に一列に配置される複数の工程モジュールと、互いに隣接する工程モジュールの間に配置されるバッファチャンバーと、を含む基板処理装置を利用する基板処理方法であって、移送モジュールが前記容器から前記複数の工程モジュールの中で第１工程モジュールへ前記基板を搬送する段階と、
前記第１工程モジュールが処理工程を遂行する段階と、及び前記第１工程モジュールから前記第１工程モジュールと前記第１工程モジュールに隣接する第２工程モジュールとの間に配置された第１バッファチャンバーへ前記基板を搬送する段階と、前記第１バッファチャンバーから前記第２工程モジュールへ前記基板を直接搬送する段階と、及び前記第２工程モジュールが処理工程を遂行する段階と、を含む。
【００２７】
前記基板処理方法は、前記移送モジュールが前記第２工程モジュールから前記容器に前記基板を搬送する段階をさらに包含できる。
【００２８】
前記基板処理方法は、前記第２工程モジュールから前記第２工程モジュールと前記第２工程モジュールに隣接する第３工程モジュールとの間に配置された第２バッファチャンバーへ前記基板を搬送する段階と、前記第２バッファチャンバーから前記第３工程モジュールへ前記基板を直接搬送する段階と、及び前記第３工程モジュールが処理工程を遂行する段階と、をさらに包含できる。
【００２９】
本発明による基板処理方法の他形態は、基板が収納された容器が搭載されるロードポート、前記容器から基板を引き出す移送モジュール及び前記移送モジュールの一側に配置される工程モジュールを各々含み、一列に配置される複数の基板処理装置と、互いに隣接する基板処理装置間に配置されるバッファチャンバーと、を含む基板処理設備を利用する基板処理方法であって、前記第１基板処理装置が前記容器から前記基板を引き出す段階と、前記第１基板処理装置が処理工程を遂行する段階と、前記第１基板処理装置から、前記第１基板処理装置と前記第１基板処理装置に隣接する第２基板処理装置との間に配置された第１バッファチャンバーへ前記基板を搬送する段階と、前記第１バッファチャンバーから前記第２基板処理装置へ前記基板を直接搬送する段階と、及び前記第２基板処理装置が処理工程を遂行する段階と、を包含できる。
【００３０】
前記基板処理方法は、前記第２基板処理装置が前記容器に前記基板を収納させる段階をさらに包含できる。
【００３１】
前記基板処理方法は、前記第２基板処理装置から、前記第２基板処理装置と前記第２基板処理装置に隣接する第３基板処理装置との間に配置された第２バッファチャンバーへ前記基板を搬送する段階と、前記第２バッファチャンバーから前記第３基板処理装置へ前記基板を直接搬送する段階と、及び前記第３基板処理装置が処理工程を遂行する段階と、をさらに包含できる。
【００３２】
本発明による基板処理方法の一形態及び他形態は、前記バッファチャンバーが前記基板を回転させる段階をさらに包含できる。
【００３３】
本発明による基板処理方法の一形態及び他形態は、前記バッファチャンバーが前記処理工程の後続工程又は先行工程を遂行する段階をさらに包含できる。
【００３４】
前記バッファチャンバーが遂行する工程は、前記工程で発生して前記基板に残留する異物質を除去する工程であり得る。
【発明の効果】
【００３５】
本発明によると、バッファチャンバーを通じて基板を工程モジュール間で直接搬送でき、これによって基板の搬送経路が短縮されて工程効率が向上する。
【００３６】
本発明によると、基板処理装置の間にオーバーヘッドトランスファー（ＯＨＴ：ｏｖｅｒｈｅａｄ ｔｒａｎｓｆｅｒ）等の外部搬送装置を経由せずとも、バッファチャンバーを通じて基板が基板処理装置間で直接搬送でき、これによって基板の搬送経路が短縮されて工程効率が向上する。
【００３７】
本発明によると、基板搬送のための空間に活用されるバッファチャンバーが、搬送過程で工程を遂行する役割を兼ねるので、フットプリント（ｆｏｏｔ ｐｒｉｎｔ）を効果的に利用することができ、結果的に基板処理率が向上する。
【００３８】
本発明によると、基板搬送のための空間に活用されるバッファチャンバーが、工程チャンバーで遂行される工程の先行又は後行工程を遂行し、工程が連続的に処理される。
【００３９】
本発明によると、バッファチャンバーでプラズマ工程として基板をクリーニングし、先行工程で発生した異物質を除去したうえで基板を直ちに後続工程に投入できる。
【００４０】
本発明の効果は上述の効果に限定されず、言及されない効果についても本明細書及び添付された図面から当業者であれば明確に理解することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】基板処理装置の一実施形態の平面図である。
【図２】基板処理装置の他の実施形態の平面図である。
【図３】図１のロードロックチャンバーのＡ−Ａ’線断面図である。
【図４】図１のロードロックチャンバーのＢ−Ｂ’線断面図である。
【図５】図１のバッファチャンバーの一実施形態の断面図である。
【図６】図１のバッファチャンバーの他の実施形態の断面図である。
【図７】図１のバッファチャンバーのその他の実施形態の断面図である。
【図８】基板処理設備の一実施形態の平面図である。
【図９】基板処理設備の他の実施形態の平面図である。
【図１０】基板処理設備のその他の実施形態の平面図である。
【図１１】基板処理方法の一実施形態の順序図である。
【図１２】図１１の基板処理方法の動作図である。
【図１３】図１１の基板処理方法の動作図である。
【図１４】基板処理方法の他の実施形態の順序図である。
【発明を実施するための形態】
【００４２】
本発明を、添付図面に基づいて説明する。
【００４３】
なお、本明細書で使用する用語や添付図面は本発明を容易に説明するためのものであり、本発明はこれら用語や図面によって限定されない。本発明に利用される技術の中で本発明の思想と密接な関連がない公知の技術に関しては、詳細な説明を省略する。
【００４４】
以下では、本発明による基板処理装置１０００に関して説明する。
【００４５】
本発明による基板処理装置１０００は、基板Ｓに対して工程を遂行するものである。ここで、工程は半導体素子、平板ディスプレイ（ＦＰＤ：ｆｌａｔ ｐａｎｅｌ ｄｉｓｐｌａｙ）及びその他の薄膜に回路が形成された物の製造に必要とする工程の全て含むことができる。
【００４６】
また、基板Ｓについても、半導体素子、平板ディスプレイ、及びその他の薄膜に回路が形成された物の製造に利用される基板を全て含むことができる。例えば、基板Ｓとしてはシリコンウエハーを含む多様なウエハー、有機基板、ガラス基板等が挙げられる。
【００４７】
図１は、基板処理装置１０００の一実施形態の平面図である。
【００４８】
図１に示すように、基板処理装置１０００はロードポート１１１０、移送モジュール１１００、複数の工程モジュール１２００、及びバッファチャンバー２０００を含む。ロードポート１１１０には基板Ｓが収納される容器Ｃが置かれる。移送モジュール１１００はロードポート１１１０に置かれた容器Ｃと工程モジュール１２００との間で基板Ｓを搬送する。工程モジュール１２００は基板Ｓを処理する。バッファチャンバー２０００は互いに隣接する工程モジュール１２００の間に配置されて工程モジュール１２００の間で基板Ｓが搬送される空間を提供する。
【００４９】
ロードポート１１１０には容器Ｃが搭載される。容器Ｃは外部から搬送されてロードポート１１１０へローディングされるか、又はロードポート１１１０からアンローディングされて外部に搬送される。例えば、容器Ｃはオーバーヘッドトランスファーのような搬送手段によって基板処理装置１０００の間で搬送される。ここで、基板Ｓの搬送はオーバーヘッドトランスファーの代わりに自動案内車輌（ａｕｔｏｍａｔｉｃ ｇｕｉｄｅｄ ｖｅｈｉｃｌｅ）、レール案内車輌（ｒａｉｌ ｇｕｉｄｅｄ ｖｅｈｉｃｌｅ）等の他の搬送手段又は作業者によって遂行できる。
【００５０】
容器Ｃには基板Ｓが収納され、容器Ｃとしては前面開放一体形ポッド（ＦＯＵＰ：ｆｒｏｎｔ ｏｐｅｎｉｎｇ ｕｎｉｆｉｅｄ ｐｏｄ）が使用される。前面開放一体形ポッドは約２５枚の基板Ｓをその内部に収納することができる。容器Ｃはその内部が密閉され、これによって容器Ｃ内の基板Ｓが汚染されることが防止される。
【００５１】
ロードポート１１１０は移送モジュール１１００に隣接するように配置される。例えば、３つのロードポート１１１０が図１に示すように、移送モジュール１１００のハウジング１１２０の一側に、第１方向（Ｘ）に沿って一列に配置される。勿論、ロードポート１１１０の配置と数はこれと異なってもよい。
【００５２】
移送モジュール１１００は容器Ｃと工程モジュール１２００との間で基板Ｓを搬送する。移送モジュール１１００はロードポート１１１０と工程モジュール１２００との間に配置されて基板Ｓの搬送を遂行する。このような移送モジュール１１００はハウジング１１２０、移送ロボット１１３０、及び移送レール１１４０を含む。
【００５３】
ハウジング１１２０は移送モジュール１１００の外壁を形成し、移送モジュール１１００の内部空間を外部と隔離させる。ハウジング１１２０は直六面体形状に設けられる。勿論、ハウジング１１２０の形状は必要によって適切に変更可能である。
【００５４】
ハウジング１１２０はロードポート１１１０と工程モジュール１２００との間に配置される。これによって、ハウジング１１２０は一側がロードポート１１１０に連結され、他側が工程モジュール１２００に連結される。
【００５５】
ロードポート１１１０と連結されるハウジング１１２０の前記一側には、ロードポート１１１０に搭載された容器Ｃと基板Ｓとを交換する開口が形成され、前記開口を開閉するドアが設けられる。工程モジュール１２００と連結されるハウジング１１２０の前記他側は、工程モジュール１２００のロードロックチャンバー１２１０に連結される。
【００５６】
ハウジング１１２０の上面にはハウジング１１２０の内部に流入する空気を整流するファンフィルター（図示せず）が設置される。これによって、ハウジング１１２０の内部空間で整流された空気が上方から下方に流れ、ハウジング１１２０の内部が清浄に維持され得る。
【００５７】
移送ロボット１１３０は直接的に基板Ｓを保持して、これを容器Ｃと工程モジュール１２００との間で搬送する。つまり、移送ロボット１１３０は、ハウジング１１２０の一側を通じて、容器Ｃとの間で基板Ｓを交換し、ハウジング１１２０の他側に連結されたロードロックチャンバー１２１０を通じて、工程モジュール１２００との間で基板Ｓを交換することができる。
【００５８】
移送ロボット１１３０はハウジング１１２０の内部に設置され、移送レール１１４０に沿って移動することができる。移送レール１１４０は、移送ロボット１１３０の移動経路を提供するものであり、ハウジング１１２０の内部に第１方向（Ｘ）に沿って配置される。勿論、移送レール１１４０は上述の例に限定されず、移送レール１１４０が他の方向に配置されるか、或いは移送レール１１４０が省略され、移送ロボット１１３０がハウジング１１２０の内部中央部に固定されて設置される構造であってもよい。
【００５９】
このような移送ロボット１１３０はベース、ボディー、アーム、及びハンドを有することができる。ベースは移送レール１１４０の上に設置され、移送レール１１４０に沿って移動する。ボディーはベースに結合され、ベースの上で鉛直方向に沿って移動するか、又は鉛直方向を軸に回転することができる。アームはボディーに設置され、前進及び後進して移動することができる。アームの一端にはハンドが具備されて、基板Ｓを取るか、或いは置くことできる。アームは１つ又は複数であり、複数のアームは互いに鉛直方向にボディーに積層されて設置され、各々が個別的に動作できる。
【００６０】
移送ロボット１１３０では、移送レール１１４０に沿ってベースが移動し、ボディーとアームの動作によってハンドの位置を制御し、ハンドが容器Ｃから基板Ｓを引き出してこれを工程モジュール１２００へ搬入するか、又は工程モジュール１２００から基板Ｓを引き出して容器Ｃに収納することができる。一方、容器Ｃは密閉された状態でロードポート１１１０に搭載されるが、ハウジング１１２０の内部には容器Ｃを開閉する容器オープナが設けられる。移送ロボット１１３０は、容器オープナによって容器Ｃが開放されると、それに収納された基板Ｓを保持できる。
【００６１】
工程モジュール１２００は基板Ｓを処理する工程を遂行する。工程モジュール１２００は基板処理装置１０００に複数個設けられ、各々の工程モジュール１２００は移送モジュール１１００の他側に第１方向（Ｘ）に沿って一列に配置される。
【００６２】
図１の基板処理装置１０００は２つの工程モジュール１２００を有するが、基板処理装置１０００に含まれる工程モジュール１２００の数はこれと異なってもよい。
【００６３】
図２は基板処理装置１０００の他の実施形態の平面図である。図２に示すように、基板処理装置１０００には３つ又はそれより多くの工程モジュール１２００が設けられることがある。
【００６４】
各工程モジュール１２００はロードロックチャンバー１２１０、トランスファーチャンバー１２２０、及び工程チャンバー１２３０を含む。ここで、ロードポート１１１０、移送モジュール１１００、ロードロックチャンバー１２１０、トランスファーチャンバー１２２０は各々上部から見たとき、第１方向（Ｘ）と垂直になる第２方向（Ｙ）に沿って順次的に配置される。ロードロックチャンバー１２１０は移送モジュール１１００の他側に配置され、移送モジュール１１００と工程モジュール１２００との間に基板Ｓを交換するための空間を提供する。トランスファーチャンバー１２２０はその周囲に配置されたチャンバー間で基板Ｓを搬送する。工程チャンバー１２３０はトランスファーチャンバー１２２０の周囲に配置されて工程を遂行する。
【００６５】
ロードロックチャンバー１２１０は移送モジュール１１００とトランスファーチャンバー１２２０との間に配置され、移送モジュール１１００とトランスファーチャンバー１２２０との間に基板Ｓの交換を行うための空間を提供する。複数の工程モジュール１２００のロードロックチャンバー１２１０は、移送モジュール１１００の他側に第１方向（Ｘ）に沿って一列に配置される。また、１つの工程モジュール１２００が、互いに上下方向に積層されて配置される複数のロードロックチャンバー１２１０を含むこともあり得る。
【００６６】
図３は図１のロードロックチャンバー１２１０のＡ−Ａ’線断面図であり、図４は図１のロードロックチャンバー１２１０のＢ−Ｂ’線断面図である。
【００６７】
図３及び図４に示すように、ロードロックチャンバー１２１０はハウジング１２１１、支持スロット１２１２、及び減圧部材１２１３を含む。
【００６８】
ハウジング１２１１はロードロックチャンバー１２１０の外壁を形成し、内部空間を外部から隔離させる。ハウジング１２１１の内部には、移送モジュール１１００とトランスファーチャンバー１２２０との間で交換される基板Ｓが一時的に留まり得る。
【００６９】
ハウジング１２１１の一側は移送モジュール１１００の他側に連結され、ハウジング１２１１の他側はトランスファーチャンバー１２２０と連結される。ハウジング１２１１の一側と他側との各々には基板Ｓが出入する開口が形成され、開口を開閉するドアが設置される。
【００７０】
支持スロット１２１２はハウジング１２１１の内壁に形成される。支持スロット１２１２は基板Ｓの縁を支持するように一対の離隔されたプレートの形状に設けられる。移送モジュール１１００の移送ロボット１１３０又はトランスファーチャンバー１２２０の搬送ロボット１２２２は、両プレートの間の離隔された空間に沿って垂直方向に移動して支持スロット１２１２に基板Ｓを置くか、或いは支持スロット１２１２から基板Ｓを取ることができる。
【００７１】
このような支持スロット１２１２は１つ又は複数であり、複数の支持スロット１２１２は、ハウジング１２１１の内壁に互いに垂直方向に離隔されて形成される。
【００７２】
減圧部材１２１３はハウジング１２１１の内部を減圧することができる。減圧部材１２１３は減圧ポンプとポンプラインとを含む。ここで、減圧ポンプは外部電源を利用して負の圧力を発生させ、ポンプラインは減圧ポンプとハウジング１２１１とを連結して、減圧ポンプで発生した負の圧力によってハウジング１２１１の空気を吸入することができる。
【００７３】
一般的に移送モジュール１１００の内部は常圧であるが、工程モジュール１２００のチャンバー内部は工程遂行に適合する条件を提供するために常圧以下の圧力、例えば真空圧で維持され得る。これに対して、ロードロックチャンバー１２１０はその間で基板Ｓを搬送する際に、工程モジュール１２００の内部に空気が流入することを防止する役割を果たす。
【００７４】
ロードロックチャンバー１２１０は移送モジュール１１００から基板Ｓが搬入されれば、ハウジング１２１１を密閉し、減圧部材１２１３によって内部を真空状態にした後、ハウジング１２１１の他側を開放してトランスファーチャンバー１２２０へ基板Ｓを提供する。このような手続にしたがって工程モジュール１２００の内部圧力が真空圧に維持される。
【００７５】
トランスファーチャンバー１２２０はトランスファーチャンバー１２２０の周囲に配置されたチャンバー間で基板Ｓを搬送する。トランスファーチャンバー１２２０の周囲にはロードロックチャンバー１２１０、工程チャンバー１２３０、及びバッファチャンバー２０００が配置され得る。具体的には、ロードロックチャンバー１２１０がトランスファーチャンバー１２２０と移送モジュール１１００との間に配置され、バッファチャンバー２０００が複数の工程モジュール１２００のトランスファーチャンバー１２２０の間に配置され、工程チャンバー１２３０はその他のトランスファーチャンバー１２２０の周囲に配置される。
【００７６】
トランスファーチャンバー１２２０は、ハウジング１２２１と搬送ロボット１２２２とを有する。
【００７７】
ハウジング１２２１はトランスファーチャンバー１２２０の外壁を形成する。トランスファーチャンバー１２２０の周囲に配置されるチャンバー１２１０、１２３０、２０００はハウジング１２２１に連結されて配置される。
【００７８】
搬送ロボット１２２２はハウジング１２２１の中央部に固定されて設置され、トランスファーチャンバー１２２０周辺のチャンバー１２１０、１２３０、２０００との間で基板Ｓを搬送する。搬送ロボット１２２２はベース、ボディー、アーム、及びハンドを有し、ベースがトランスファーチャンバー１２２０の中央部に固定設置されることを除外すれば、ほとんど移送ロボット１１３０とその構成が類似である。
【００７９】
工程チャンバー１２３０は工程を遂行する。工程チャンバー１２３０で遂行される工程の代表的な例としては、蝕刻工程、剥離工程、アッシング工程、ストリップ工程、蒸着工程等がある。勿論、これは工程チャンバー１２３０が遂行する工程は上述の例に限定されない。
【００８０】
各工程モジュール１２００は１つ又は複数の工程チャンバー１２３０を含む。複数の工程チャンバー１２３０はトランスファーチャンバー１２２０の周囲に配置され、搬送ロボット１２２２を通じて基板Ｓが搬入され得る。ここで、同一の工程モジュール１２００に属する複数の工程チャンバー１２３０は全て同一の工程を遂行できる。また、互いに異なる工程モジュール１２００に属する工程チャンバー１２３０は互いに異なる工程を遂行できる。勿論、場合によっては同一の工程モジュール１２００の工程チャンバー１２３０でも互いに異なる工程を遂行することもあるし、互いに異なる工程モジュール１２００に属する工程チャンバー１２３０が同一の工程を遂行することもあり得る。
【００８１】
工程チャンバー１２３０は各々遂行する工程によって、その工程を行うために提供される公知の構成を含むことができる。
【００８２】
バッファチャンバー２０００は、互いに隣接する工程モジュール１２００の間に配置される。具体的には１つの工程モジュール１２００のトランスファーチャンバー１２２０、バッファチャンバー２０００、他の工程モジュール１２００のトランスファーチャンバー１２２０が、第１方向（Ｘ）に沿って順次的に配置される。このように配置されるバッファチャンバー２０００は、工程モジュール１２００との間に基板Ｓが搬送される空間を提供する。即ち、基板Ｓは１つの工程モジュール１２００で処理された後、バッファチャンバー２０００を通じて直接他の工程モジュール１２００へ搬送され得る。一般的には１つの工程モジュール１２００から他の工程モジュール１２００へ基板Ｓを搬送するためには移送モジュール１１００を経なければならないが、バッファチャンバー２０００を通じて直接移動が可能であれば、不必要な基板Ｓの搬送過程を除くことができる。
【００８３】
バッファチャンバー２０００は単純に基板Ｓを搬送する通路役割を果たすか、又は通路役割を果たすとともに基板Ｓに対して工程を遂行する機能を有することもあり得る。
【００８４】
図５は図１のバッファチャンバー２０００の一実施形態の断面図である。
【００８５】
図５に示すように、バッファチャンバー２０００の一実施形態では単純に基板Ｓを搬送する通路役割を遂行する。
【００８６】
バッファチャンバー２０００はハウジング２１００及び支持部材２２００を含み、回転部材２３００及び減圧部材２４００を選択的にさらに含むことができる。
【００８７】
ハウジング２１００はバッファチャンバー２０００の外壁を形成し、互いに隣接する工程モジュール１２００のトランスファーチャンバー１２２０のハウジング１２２１の間に配置される。ハウジング２１００の一側と他側とには各々基板Ｓが出入する開口が形成され、開口を開閉するドアが設置される。
【００８８】
支持部材２２００は基板Ｓを支持する。支持部材２２００はハウジング２１００の中央部に設置される。支持部材２２００は、その上面が基板Ｓと類似の形状に設けられ、基板Ｓと同一の面積、或いはより大きな面積を有する。支持部材２２００は、リフトピンを含んで搬送ロボット１２２２が基板Ｓを取りやすくするように基板Ｓを上下に移動させることもあり得る。場合によっては、支持部材２２００がロードロックチャンバー１２１０の支持スロット１２１２と類似に設けられることもあり得る。
【００８９】
回転部材２３００は、支持部材２２００に安着された基板Ｓを回転させる。工程モジュール１２００の間で基板Ｓを交換する際に、基板Ｓの方向を整列（ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）する必要がある時、回転部材２３００は基板Ｓを回転させて基板Ｓを整列することができる。回転部材２３００は回転モーター及び回転軸で形成される。回転モーターは回転力を発生させ、回転軸は回転モーターと支持部材２２００とに連結されて回転モーターで発生した回転力によって支持部材２２００を回転させてそれに安着された基板Ｓを回転させる。
【００９０】
減圧部材２４００はハウジング２１００の内部を減圧することができる。複数の工程モジュール１２００は、各々の内部圧力が互いに異なるように設定され得るが、これに対して減圧部材２４００がハウジング２１００の内部を減圧することで、工程モジュール１２００の中で内部圧力が高い工程モジュール１２００から内部圧力が低い工程モジュール１２００へ空気が流入することが防止される。減圧部材２４００の構成はロードロックチャンバー１２１０の減圧部材１２１３と類似であるので、これに対する詳細な説明は省略する。
【００９１】
一方、工程モジュール１２００の間で内部気圧が同一の場合には、バッファチャンバー２０００で減圧部材２４００を省略してもよく、この場合にはハウジング２１００を密閉する必要が無いので、開口を開閉するドアも省略可能である。
【００９２】
図６は図１のバッファチャンバー２０００の他の実施形態の断面図である。
【００９３】
このバッファチャンバー２０００は工程モジュール１２００間の通路役割を行うとともに基板Ｓに対して工程を遂行する機能を遂行する。ここで、バッファチャンバー２０００が遂行する工程は、工程チャンバー１２３０で遂行される工程の先行工程又は後行工程であり得る。以下ではバッファチャンバー２０００がクリーニング工程、特にプラズマを利用するクリーニング工程を遂行する場合に基づいて説明する。但し、バッファチャンバー２０００が遂行する工程は多様であり、上述の例に限定されない。このようにバッファチャンバー２０００が工程を遂行すれば、同一のフットプリントで、バッファチャンバー２０００で遂行される工程を遂行する工程チャンバー１２３０の代わりに、他の工程を遂行する工程チャンバー１２３０をより多く配置することが可能となり、空間効率が向上する。
【００９４】
図６に示すように、バッファチャンバー２０００の他の実施形態はハウジング２１００、支持部材２２００、加熱部材２５００、及びプラズマ供給器２６００を包含できる。
【００９５】
ハウジング２１００及び支持部材２２００に関してはバッファチャンバー２０００の一実施形態で上述したので、これに関する詳細な説明は省略する。
【００９６】
加熱部材２５００は支持部材２２００に安着された基板Ｓを加熱できる。例えば、加熱部材２５００は、ハウジング２１００の外壁又は支持部材２２００内に埋め込まれるヒーター又はハウジング２１００の一側に形成されて高温ガスをハウジング２１００へ供給する高温ガスライン等から成る。加熱部材２５００によって基板Ｓが加熱されれば、基板Ｓから基板Ｓの上に残留する異物質を除去できる。ここでの異物質は、工程チャンバー１２３０の先行工程で発生したものが含まれる。
【００９７】
プラズマ供給器２６００はハウジング２１００の内部にプラズマを提供できる。バッファチャンバー２０００はこのようなプラズマを利用してプラズマ工程を遂行できる。例えば、バッファチャンバー２０００はプラズマアッシング工程又はプラズマクリーニング工程を遂行できる。但し、バッファチャンバー２０００がプラズマ工程の代わりに他の工程を遂行することもあり、この場合には、プラズマ供給器２６００が異なる構成に変更される。例えば、ケミカルやガスを利用して工程を進行する場合に、ハウジング２１００にはケミカル供給器やガス供給器等がプラズマ供給器２６００の代わりに設置され得る。
【００９８】
プラズマ供給器２６００はプラズマソース２６１０、供給管２６２０、及びシャワーヘッド２６３０を含む。
【００９９】
プラズマソース２６１０はプラズマを生成する。例えば、プラズマソース２６１０はリモートプラズマ発生器（ｒｅｍｏｔｅ ｐｌａｓｍａ ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）、容量結合形プラズマ発生器（ＣＣＰ：ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ ｃｏｕｐｌｅｄ ｐｌａｓｍａ ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）又は誘導結合形プラズマ発生器（ＩＣＰ：ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ ｃｏｕｐｌｅｄ ｐｌａｓｍａ ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）であり得る。
【０１００】
この中で、リモートプラズマ発生器はハウジング２１００の外部に位置し、ガス供給源（図示せず）からガスが供給されて供給されたガスを利用してプラズマを生成することができる。供給管２６２０は生成されたプラズマをハウジング２１００の内部へ供給する。シャワーヘッド２６３０は供給管２６２０の一端に設置され、供給管２６２０を通じて供給されるプラズマはシャワーヘッド２６３０を通じてハウジング２１００に噴射される。
【０１０１】
容量結合形プラズマ発生器又は誘導結合形プラズマ発生器の場合には、プラズマソースがハウジング２１００の内部やハウジング２１００の外壁に設置される。この場合には供給管２６２０は外部のガス供給源（図示せず）からガスが供給され、ハウジング２１００の内部へ供給し、プラズマソース２６１０がこれを利用してプラズマを生成することができる。
【０１０２】
図７は図１のバッファチャンバー２０００のその他の実施形態の断面図である。
【０１０３】
以上ではバッファチャンバー２０００が単一のハウジング２１００から成る場合を説明したが、バッファチャンバー２０００は複数のハウジング２１００が積層される構造でもよく、この構造によれば同一のフットプリントでより多くのバッファチャンバー２０００を配置でき、空間効率が向上する。
【０１０４】
図７に示すように、バッファチャンバー２０００は複数のハウジング２１００を含む。複数のハウジング２１００は各々上述したバッファチャンバー２０００の一実施形態と他の実施形態の中でいずれか１つの構成を有することができる。
【０１０５】
例えば、バッファチャンバー２０００は互いに上下に積層される上部ハウジング２１００ａと下部ハウジング２１００ｂと含む。下部ハウジング２１００ｂには、単純に工程モジュール１２００間で基板Ｓが移動する経路を設けるか、或いは基板Ｓを整列する機能を遂行するように、支持部材２２００ｂと回転部材２３００のみを設けることができる。また、上部ハウジング２１００ａには、移動経路を提供するとともに工程を遂行するように、支持部材２２００ａ、加熱部材２５００、及びプラズマ供給器２６００を設けることができる。
【０１０６】
勿論、場合によっては上部ハウジング２１００ａと下部ハウジング２１００ｂとが全て通路の役割のみを遂行するか、或いは全てが通路の役割と工程遂行の機能とを兼ねることもあり得る。また、積層されるハウジング２１００の数が３つ以上であることもあり得る。
【０１０７】
以下では本発明による基板処理設備１００に関して説明する。
【０１０８】
本発明による基板処理設備１００は複数の基板処理装置１０００及びバッファチャンバー２０００を含む。基板処理装置１０００は、各々が他の工程を遂行できる。
【０１０９】
図８は基板処理設備１００の一実施形態の平面図である。
【０１１０】
図８に示すように、基板処理設備１００の一実施形態では、複数の基板処理装置１０００が第１方向（Ｘ）に沿って配置され、バッファチャンバー２０００が複数の基板処理装置１０００の中で互いに隣接する基板処理装置１０００の間に配置される。これによって１つの基板処理装置１０００、バッファチャンバー２０００、他の基板処理装置１０００が第１方向（Ｘ）に沿って順次的に配置される。
【０１１１】
各基板処理装置１０００では、ロードポート１１１０、移送モジュール１１００、複数の工程モジュール１２００が第２方向（Ｙ）に沿って配置され、その基板処理装置１０００の１つの工程モジュール１２００のトランスファーチャンバー１２２０、バッファチャンバー２０００、他の工程モジュール１２００のトランスファーチャンバー１２２０は、第１方向（Ｘ）に沿って配置される。基板処理装置１０００に関しては既述であるため、具体的な説明は省略する。
【０１１２】
バッファチャンバー２０００は複数の工程モジュール１２００の間に配置されるバッファチャンバー２０００と同一又は類似な構造で設けられる。
【０１１３】
但し、基板処理設備１００で互いに隣接する基板処理装置１０００の間に配置されるバッファチャンバー２０００は、工程モジュール１２００間で基板Ｓが搬送される空間を提供するのではなく、基板処理装置１０００間で基板Ｓが搬送される空間を提供する。このようなバッファチャンバー２０００は、１つの基板処理装置１０００のトランスファーチャンバー１２２０と、それに隣接して配置された他の基板処理装置１０００のトランスファーチャンバー１２２０との間に配置される。したがって、バッファチャンバー２０００はその一側と他側とが、１つの基板処理装置１０００のトランスファーチャンバー１２２０とそれに隣接して配置された他の基板処理装置１０００のトランスファーチャンバー１２２０とに連結される。
【０１１４】
なお、図８の基板処理設備１００は２つの基板処理装置１０００を有するが、基板処理設備１００に含まれる基板処理装置１０００の数はこれと異なってもよく、また基板処理装置１０００の構成が上述の構成と異なってもよい。
【０１１５】
図９は基板処理設備１００の他の実施形態の平面図である。
【０１１６】
基板処理設備１００に提供される基板処理装置１０００は、必ずしも複数の工程モジュール１２００とその間に配置されるバッファチャンバー２０００を有する形態、即ち本発明の基板処理装置１０００の一実施形態に限定されない。
【０１１７】
図９に示すように、基板処理設備１００に含まれる基板処理装置１０００はロードポート１１１０、移送モジュール１１００、及び１つの工程モジュール１２００を含み、これによって、互いに隣接する工程モジュール１２００間に配置されるバッファチャンバー２０００は省略されている。
【０１１８】
図１０は基板処理設備１００のその他の実施形態の平面図である。図１０に示すように、基板処理設備１００には３つ又はそれより多い数の基板処理装置１０００が設けられることもあり得る。
【０１１９】
以下では、本発明による基板処理方法に関して、上述した本発明の基板処理装置１０００及び基板処理設備１００を基にして説明する。
【０１２０】
これは説明を容易にするために過ぎず、本発明による基板処理方法は上述の基板処理装置１０００や基板処理設備１００によって限定されず、これと同一又は類似の機能を遂行する他の装置を利用して遂行することもできる。
【０１２１】
以下では基板処理方法の一実施形態に関して説明する。基板処理方法の一実施形態は、基板処理装置１０００で基板Ｓを処理する方法に関する。
【０１２２】
図１１は基板処理方法の一実施形態の順序図である。
【０１２３】
図１１に示すように、基板処理方法の一実施形態は、容器Ｃから第１工程モジュール１２００ａのロードロックチャンバー１２１０ａへ基板Ｓを搬送する段階（Ｓ１１０）、第１工程モジュール１２００ａのロードロックチャンバー１２１０ａから工程チャンバー１２３０ａへ基板Ｓを搬送する段階（Ｓ１２０）、第１工程モジュール１２００ａの工程チャンバー１２３０ａが工程を遂行する段階（Ｓ１３０）、第１工程モジュール１２００ａの工程チャンバー１２３０ａからバッファチャンバー２０００へ基板Ｓを搬送する段階（Ｓ１４０）、バッファチャンバー２０００から第２工程モジュール１２００ｂの工程チャンバー１２３０ｂへ基板Ｓを搬送する段階（Ｓ１５０）、第２工程モジュール１２００ｂの工程チャンバー１２３０ｂが工程を遂行する段階（Ｓ１６０）、第２工程モジュール１２００ｂの工程チャンバー１２３０ｂから第２工程モジュール１２００ｂのロードロックチャンバー１２１０ｂへ基板Ｓを搬送する段階（Ｓ１７０）及び基板Ｓを容器Ｃに収納する段階（Ｓ１８０）を含む。但し、上述の段階は、必ずしも説明された順序にしたがって実行されなければならない訳ではなく、後に説明した段階が先に説明された段階より先に遂行されることもあり、これは後述する基板処理方法の他の実施形態でも同様である。以下では上述した各段階に関して説明する。
【０１２４】
図１２及び図１３は図１１の基板処理方法の動作図である。
【０１２５】
図１２に示すように、移送モジュール１１００は容器Ｃから第１工程モジュール１２００ａのロードロックチャンバー１２１０ａへ基板Ｓを搬送する（Ｓ１１０）。容器オープナが容器Ｃを開放すれば、移送ロボット１１３０は容器Ｃから基板Ｓを引き出す。ロードロックチャンバー１２１０ａのドアは移送モジュール１１００と連結された開口を開き、移送ロボット１１３０が支持スロット１２１２に基板Ｓを安着させる。ロードロックチャンバー１２１０ａへ基板Ｓが搬入されれば、ハウジング１２１１が密閉され、減圧部材１２１３が内部に真空圧を印加する。内部が真空になれば、ロードロックチャンバー１２１０ａのトランスファーチャンバー１２２０ａと連結された開口が開けられる。
【０１２６】
トランスファーチャンバー１２２０ａが第１工程モジュール１２００ａのロードロックチャンバー１２１０ａから工程チャンバー１２３０ａへ基板Ｓを搬送する（Ｓ１２０）。ロードロックチャンバー１２１０ａの開口が開けられれば、搬送ロボット１２２２ａがロードロックチャンバー１２１０ａから基板Ｓを引き出してこれを工程チャンバー１２３０ａへ搬入させる。
【０１２７】
基板Ｓが搬入されれば、第１工程モジュール１２００ａの工程チャンバー１２３０ａが工程を遂行する（Ｓ１３０）。
【０１２８】
工程が終了されれば、トランスファーチャンバー１２２０ａが第１工程モジュール１２００ａの工程チャンバー１２３０ａからバッファチャンバー２０００へ基板Ｓを搬送する（Ｓ１４０）。搬送ロボット１２２２ａは工程チャンバー１２３０ａから基板Ｓを引き出し、バッファチャンバー２０００のドアが開けられれば、その支持部材２２００に基板Ｓを安着させる。
【０１２９】
支持部材２２００に基板Ｓが安着されれば、バッファチャンバー２０００が基板Ｓを整列するか（Ｓ１４１）、又は所定の工程を遂行できる（Ｓ１４２）。このとき、例えば回転部材２３００が支持部材２２００を回転させて基板Ｓの方向を回転させ得る。また、支持部材２２００に基板Ｓが安着されたときに、プラズマ供給器２６００がハウジング２１００へプラズマを供給してプラズマ工程を遂行することもあり得る。この時には加熱部材２５００が基板Ｓを加熱してもよい。このようなプラズマ工程を遂行すれば、工程チャンバー１２３０ａで基板Ｓ上に発生した異物質が除去される。
【０１３０】
勿論、バッファチャンバー２０００が単純に通路としての役割を行う場合には、段階Ｓ１４１又はＳ１４２が省略され、場合によってはバッファチャンバー２０００が基板Ｓの整列と所定の工程とを共に遂行することもあり得る。また、バッファチャンバー２０００がプラズマ工程の代わりに他の工程を遂行することもあり得る。
【０１３１】
第２工程モジュール１２００ｂのトランスファーチャンバー１２２０ｂがバッファチャンバー２０００から第２工程モジュール１２００ｂの工程チャンバー１２３０ｂへ基板Ｓを搬送する（Ｓ１５０）。トランスファーチャンバー１２２０ｂはバッファチャンバー２０００から基板Ｓを引き出してこれを第２工程モジュール１２００ｂの工程チャンバー１２３０ｂへ搬入する。ここでの第２工程モジュール１２００ｂは、バッファチャンバー２０００を介して第１工程モジュール１２００ａと隣接する工程モジュール１２００である。
【０１３２】
基板Ｓが搬入されれば、第２工程モジュール１２００ｂの工程チャンバー１２３０ｂが工程を遂行する（Ｓ１６０）。ここで、工程チャンバー１２３０ｂが遂行する工程は、第１工程モジュール１２００ａの工程チャンバー１２３０ａで遂行された工程と異なる工程であってもよい。バッファチャンバー２０００でプラズマ等を利用してクリーニング工程が遂行された場合には、基板Ｓから異物質が除去された状態で基板Ｓが搬入されるので、工程が効率的に進行される。
【０１３３】
トランスファーチャンバー１２２０ｂは第２工程モジュール１２００ｂの工程チャンバー１２３０ｂから第２工程モジュール１２００ｂのロードロックチャンバー１２１０ｂへ基板Ｓを搬送し（Ｓ１７０）、移送モジュール１１００がロードロックチャンバー１２１０ｂから基板Ｓを引き出して基板Ｓを容器Ｃに収納する（Ｓ１８０）。したがって、基板Ｓは第１工程モジュール１２００ａ、バッファチャンバー２０００、第２工程モジュール１２００ｂを各々経て、各々のチャンバーで基板Ｓに工程が遂行される。
【０１３４】
仮にバッファチャンバー２０００がない場合には、各々の工程を経るためには第１工程モジュール１２００ａから再びロードロックチャンバー１２１０ａを経て移送モジュール１１００に基板Ｓが返還された後、再びロードロックチャンバー１２１０ｂを経て第２工程モジュール１２００ｂへ基板Ｓが搬送されなければならないので、本発明によれば、基板Ｓの搬送過程が省略され、基板Ｓの処理時間が短縮されて結果的に基板処理率が向上する。
【０１３５】
ここで、場合によっては第２工程モジュール１２００ｂで工程が終了された後（Ｓ１６０）、基板Ｓを、バッファチャンバー２０００を通じて再び第１工程モジュール１２００ａに返還することもあり得る（Ｓ１７０ａ）。第１工程モジュール１２００ａは基板Ｓに対して再び工程を遂行することもあり得る（Ｓ１８０ａ）。
【０１３６】
一方、図１３に示すように、基板処理装置１０００に第１方向（Ｘ）に沿って第１工程モジュール１２００ａ、第２工程モジュール１２００ｂに加えて第３工程モジュール１２００ｃが順次的に配置される場合には、第２工程モジュール１２００ｂの工程チャンバー１２３０ｂで工程が終了された後（Ｓ１６０）、移送モジュール１１００に基板Ｓを返還する代わりに、第２工程モジュール１２００ｂと第３工程モジュール１２００ｃとの間に位置するバッファチャンバー２０００を通じて第３工程モジュール１２００ｃへ基板Ｓを搬送することもあり得る（Ｓ１７０ｂ）。これによって、基板Ｓはやはり移送モジュール１１００を経ることなく、第３工程モジュール１２００ｃの工程チャンバー１２３０ｃへ移動し（Ｓ１８０ｂ）、第３工程モジュール１２００ｃが基板Ｓに対して工程を処理することができる（Ｓ１９０ｂ）。
【０１３７】
以下では基板処理方法の他の実施形態に関して説明する。基板処理方法の他の実施形態は、基板処理設備１００で基板Ｓを処理する方法に関する。
【０１３８】
図１４は基板処理方法の他の実施形態の順序図である。
【０１３９】
図１４に示すように、基板処理方法は第１基板処理装置１０００ａが基板Ｓを処理する段階（Ｓ２１０）、第１基板処理装置１０００ａからバッファチャンバー２０００へ基板Ｓが搬送される段階（Ｓ２２０）、バッファチャンバー２０００から第２基板処理装置１０００ｂへ基板Ｓが搬送される段階（Ｓ２３０）、及び第２基板処理装置１０００ｂが基板Ｓを処理する段階（Ｓ２４０）を含む。以下では各段階に関して説明する。
【０１４０】
外部の搬送装置から容器Ｃが第１基板処理装置１０００ａのロードポート１１１０に安着されれば、第１基板処理装置１０００ａが基板Ｓを処理する（Ｓ２１０）。具体的には第１基板処理装置１０００ａで、移送モジュール１１００が基板Ｓを引き出して工程モジュール１２００へ搬送し、工程モジュール１２００の工程チャンバー１２３０が基板Ｓに対して工程を遂行する。工程が終了されれば、トランスファーチャンバー１２２０が工程モジュール１２００から基板Ｓを引き出す。ここで、第１基板処理装置１０００に複数の工程モジュール１２００がある場合には、上述した基板処理方法の一実施形態にしたがって、バッファチャンバー２０００を通じて工程チャンバー１２３０の間で基板Ｓを搬送しながら、基板Ｓを処理してもよい。
【０１４１】
第１基板処理装置１０００ａで基板Ｓの処理が終了されれば、第１基板処理装置１０００ａからバッファチャンバー２０００へ基板Ｓが搬送される（Ｓ２２０）。具体的には第１基板処理装置１０００ａのトランスファーチャンバー１２２０が第１基板処理装置１０００ａの工程チャンバー１２３０から基板Ｓを引き出してバッファチャンバー２０００へ基板Ｓを搬入する。
【０１４２】
バッファチャンバー２０００に基板Ｓが搬入されれば、バッファチャンバー２０００は選択的に基板Ｓを整列するか、又は工程を遂行できる。勿論、バッファチャンバー２０００にこのような機能がない場合にはバッファチャンバー２０００は単純に基板処理装置１０００を連結する通路として機能することもあり得る。基板処理装置１０００間で内部気圧が異なる場合には、バッファチャンバー２０００がロードロックチャンバー１２１０のように減圧機能を遂行することもあり得る。
【０１４３】
バッファチャンバー２０００から第２基板処理装置１０００ｂへ基板Ｓが搬送される（Ｓ２３０）。第２基板処理装置１０００ｂのトランスファーチャンバー１２２０はバッファチャンバー２０００から基板Ｓを引き出して第２基板処理装置１０００ｂへ基板Ｓを搬入させる。
【０１４４】
第２基板処理装置１０００ｂが基板Ｓを処理する（Ｓ２４０）。具体的には、第２基板処理装置１０００ｂのトランスファーチャンバー１２２０が基板Ｓを第２基板処理装置１０００の工程チャンバー１２３０へ搬送し、その工程チャンバー１２３０が基板Ｓに対して工程を遂行する。工程が終了されれば、第２基板処理装置１０００ｂのトランスファーチャンバー１２２０が基板Ｓを第２基板処理装置１０００ｂのロードロックチャンバー１２１０に搬送し、第２基板処理装置１０００ｂの移送モジュール１１００が、ロードロックチャンバー１２１０から基板Ｓを引き出して、第２基板処理装置１０００ｂのロードポート１１１０に搭載された容器Ｃに基板Ｓを収納させる。
【０１４５】
一方、基板処理設備１００が、第２基板処理装置１０００ｂに隣接し且つバッファチャンバー２０００を通じて連結される第３基板処理装置１０００ｃを有する場合には、第２基板処理装置１０００ｂで工程が遂行された後、基板Ｓを容器Ｃに収納する代わりに、基板Ｓが第２基板処理装置１０００ｂと第３基板処理装置１０００ｃとの間に配置されたバッファチャンバー２０００を通じて第３基板処理装置１０００ｃに搬送され（Ｓ２５０）、第３基板処理装置１０００ｃで基板Ｓを処理することもできる。
【０１４６】
このような本発明によれば、基板処理設備１００において基板処理装置１０００間で基板Ｓを搬送するためにオーバーヘッドトランスファー等の搬送手段を利用しなくてもよく、各基板処理装置１０００の工程モジュール１２００から他の基板処理装置１０００の工程モジュール１２００に基板Ｓを直ちに移動させて連続的に処理できるので、工程効率が上昇するという効果を奏する。
【０１４７】
以上、言及した本発明の実施形態は、当業者に対して本発明の理解を助けるために記載したものであり、本発明は上述の実施形態によって限定されない。したがって、本発明は上述の実施形態及びその構成要素を選択的に組み合わせるか、公知の技術を加えて実現することもでき、さらに本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で修正、置換及び変更が可能であって、本発明はこれらの修正形態、変形形態を全て含む。
【０１４８】
また、本発明の保護範囲は特許請求の範囲によって解釈されるものであり、それと均等な範囲内にある発明は全て権利範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１４９】
１００ 基板処理設備
１０００ 基板処理装置
１１００ 移送モジュール
１１１０ ロードポート
１２１０ ロードロックチャンバー
１２２０ トランスファーチャンバー
１２３０ 工程チャンバー
２０００ バッファチャンバー
２１００ ハウジング
２２００ 支持部材
２３００ 回転部材
２４００ 減圧部材
２５００ 加熱部材
２６００ プラズマ供給器
Ｓ 基板
Ｃ 容器
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板処理装置、基板処理設備、及び基板処理方法に関し、より詳細には、クラスター（ｃｌｕｓｔｅｒ）構造の基板処理装置、基板処理設備、及びこれを利用する基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子は、写真蝕刻法（ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）を含む多段階の多様な工程を経て、シリコンウエハー等の基板の上に回路パタ−ンを形成して製造される。このような工程は、その工程を実行するように考案されたチャンバーで遂行される。したがって、半導体素子の製造は基板をチャンバーへ搬入して工程を遂行し、他の工程を行うために他のチャンバーへ基板を搬入する過程を繰り返して進行される。
【０００３】
最近は、半導体素子が微細化されることにしたがって、半導体素子が従来よりも多くの工程、複雑な工程を経て製造されている。これによって、半導体素子の総製造時間の中で、チャンバー間で基板を搬送するために要される時間の占める比重が段々と増加している。
【０００４】
このような状況の中で基板の処理率（Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ｔｈｒｏｕｇｈｐｕｔ）を向上させるためには、不必要な搬送過程を減らし、工程を連続的に処理できる半導体製造設備のレイアウト（ｌａｙ−ｏｕｔ）が望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】韓国特許公開第１０−０８３９９１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の一課題は、不必要な基板の搬送を最小化する基板処理装置、基板処理設備、及び基板処理方法を提供することにある。
【０００７】
なお、本発明が解決しようとする課題は上述の課題に限定されず、言及されない課題は本明細書及び添付された図面から当業者であれば明確に理解することができる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明を、以下の基板処理装置とする。
【０００９】
本発明による基板処理装置は、基板が収納される容器が搭載されるロードポートと、前記基板を処理する複数の工程モジュールと、前記ロードポートと前記工程モジュールとの間に配置され、前記容器と前記工程モジュールとの間で前記基板を搬送する移送モジュールと、互いに隣接する前記工程モジュールとの間に配置され、前記互いに隣接する工程モジュールの間に前記基板が搬送される空間を提供するバッファチャンバーと、を含む。
【００１０】
前記ロードポート、前記移送モジュール、及び前記工程モジュールは、第１方向に沿って順次的に配置され、前記複数の工程モジュールは、上部から見たとき、前記第１方向と垂直になる第２方向に沿って前記移送モジュールの一側に一列に配置され得る。
【００１１】
前記工程モジュールは、その周囲に配置されたチャンバーの間で前記基板を搬送するトランスファーチャンバー、前記トランスファーチャンバーの周囲に配置され、前記基板に対する処理工程を遂行する工程チャンバー及び前記移送モジュールと前記トランスファーチャンバーとの間に配置されるロードロックチャンバーを含み、前記バッファチャンバーは、前記互いに隣接する工程モジュールのトランスファーチャンバーの間に配置され得る。
【００１２】
前記バッファチャンバーは、前記互いに隣接する工程モジュールの間に搬送される基板が一時的に留まるバッファ空間を提供できる。
【００１３】
前記バッファチャンバーは、ハウジング、前記ハウジング内に設置され、前記基板が置かれる支持部材及び前記支持部材に置かれる基板を回転させる回転部材を包含できる。
【００１４】
前記バッファチャンバーは、ハウジング、前記ハウジング内に設置され、前記基板が置かれる支持部材及び前記ハウジングへプラズマを供給するプラズマ供給器を包含できる。
【００１５】
前記バッファチャンバーは、上下に積層される複数のハウジングを包含できる。
【００１６】
本発明を、以下の基板処理設備とする。
【００１７】
本発明による基板処理設備は、基板が収納される容器が搭載されるロードポート、前記基板を処理する工程モジュール及び前記ロードポートと前記工程モジュールとの間に配置され、前記容器と前記工程モジュールとの間で前記基板を搬送する移送モジュールを含む複数の基板処理装置と、互いに隣接する基板処理装置の間に配置され、前記互いに隣接する基板処理装置の間に前記基板が搬送される空間を提供する第１バッファチャンバーと、を含み、前記工程モジュールは、その周囲に配置されたチャンバーの間で前記基板を搬送するトランスファーチャンバー、前記トランスファーチャンバーの周囲に配置され、前記基板に対する処理工程を遂行する工程チャンバー及び前記移送モジュールと前記トランスファーチャンバーとの間に配置されるロードロックチャンバーを含み、前記第１バッファチャンバーは、前記互いに隣接する基板処理装置のトランスファーチャンバーの間に配置され得る。
【００１８】
前記ロードポート、前記移送モジュール、及び前記工程モジュールは、第１方向に沿って順次的に配置され、前記複数の基板処理装置は、前記第１方向と垂直になる第２方向に沿って一列に配置され得る。
【００１９】
前記第１バッファチャンバーは、前記互いに隣接する基板処理装置の間で搬送される基板が一時的に留まるバッファ空間を提供できる。
【００２０】
前記第１バッファチャンバーは、ハウジング、前記ハウジング内に設置され、前記基板が置かれる支持部材及び前記支持部材に置かれる基板を回転させる回転部材を包含できる。
【００２１】
前記第１バッファチャンバーは、ハウジング、前記ハウジング内に設置され、前記基板が置かれる支持部材及び前記ハウジングへプラズマを供給するプラズマ供給器を含み、プラズマ工程を遂行できる。
【００２２】
前記第１バッファチャンバーは、上下に積層される複数のハウジングを包含できる。
【００２３】
前記基板処理装置に含まれる前記工程モジュールは、複数であり、前記基板処理装置は、同一な基板処理装置に属し且つ互いに隣接する工程モジュールの間に配置され、前記互いに隣接する工程モジュールの間に前記基板が搬送される空間を提供する第２バッファチャンバーをさらに包含できる。
【００２４】
前記複数の工程モジュールは夫々、その周囲に配置されたチャンバーの間で前記基板を搬送するトランスファーチャンバー、前記トランスファーチャンバーの周囲に配置され、前記基板に対する処理工程を遂行する工程チャンバー、及び前記移送モジュールと前記トランスファーチャンバーとの間に配置されるロードロックチャンバーを含み、前記第２バッファチャンバーは、前記互いに隣接する工程モジュールの間に配置され得る。
【００２５】
本発明を、以下の基板処理方法とする。
【００２６】
本発明による基板処理方法の一形態は、基板が収納された容器が搭載されるロードポートと、前記容器から基板を引き出す移送モジュールと、前記移送モジュールの一側に一列に配置される複数の工程モジュールと、互いに隣接する工程モジュールの間に配置されるバッファチャンバーと、を含む基板処理装置を利用する基板処理方法であって、移送モジュールが前記容器から前記複数の工程モジュールの中で第１工程モジュールへ前記基板を搬送する段階と、
前記第１工程モジュールが処理工程を遂行する段階と、及び前記第１工程モジュールから前記第１工程モジュールと前記第１工程モジュールに隣接する第２工程モジュールとの間に配置された第１バッファチャンバーへ前記基板を搬送する段階と、前記第１バッファチャンバーから前記第２工程モジュールへ前記基板を直接搬送する段階と、及び前記第２工程モジュールが処理工程を遂行する段階と、を含む。
【００２７】
前記基板処理方法は、前記移送モジュールが前記第２工程モジュールから前記容器に前記基板を搬送する段階をさらに包含できる。
【００２８】
前記基板処理方法は、前記第２工程モジュールから前記第２工程モジュールと前記第２工程モジュールに隣接する第３工程モジュールとの間に配置された第２バッファチャンバーへ前記基板を搬送する段階と、前記第２バッファチャンバーから前記第３工程モジュールへ前記基板を直接搬送する段階と、及び前記第３工程モジュールが処理工程を遂行する段階と、をさらに包含できる。
【００２９】
本発明による基板処理方法の他形態は、基板が収納された容器が搭載されるロードポート、前記容器から基板を引き出す移送モジュール及び前記移送モジュールの一側に配置される工程モジュールを各々含み、一列に配置される複数の基板処理装置と、互いに隣接する基板処理装置間に配置されるバッファチャンバーと、を含む基板処理設備を利用する基板処理方法であって、前記第１基板処理装置が前記容器から前記基板を引き出す段階と、前記第１基板処理装置が処理工程を遂行する段階と、前記第１基板処理装置から、前記第１基板処理装置と前記第１基板処理装置に隣接する第２基板処理装置との間に配置された第１バッファチャンバーへ前記基板を搬送する段階と、前記第１バッファチャンバーから前記第２基板処理装置へ前記基板を直接搬送する段階と、及び前記第２基板処理装置が処理工程を遂行する段階と、を包含できる。
【００３０】
前記基板処理方法は、前記第２基板処理装置が前記容器に前記基板を収納させる段階をさらに包含できる。
【００３１】
前記基板処理方法は、前記第２基板処理装置から、前記第２基板処理装置と前記第２基板処理装置に隣接する第３基板処理装置との間に配置された第２バッファチャンバーへ前記基板を搬送する段階と、前記第２バッファチャンバーから前記第３基板処理装置へ前記基板を直接搬送する段階と、及び前記第３基板処理装置が処理工程を遂行する段階と、をさらに包含できる。
【００３２】
本発明による基板処理方法の一形態及び他形態は、前記バッファチャンバーが前記基板を回転させる段階をさらに包含できる。
【００３３】
本発明による基板処理方法の一形態及び他形態は、前記バッファチャンバーが前記処理工程の後続工程又は先行工程を遂行する段階をさらに包含できる。
【００３４】
前記バッファチャンバーが遂行する工程は、前記工程で発生して前記基板に残留する異物質を除去する工程であり得る。
【発明の効果】
【００３５】
本発明によると、バッファチャンバーを通じて基板を工程モジュール間で直接搬送でき、これによって基板の搬送経路が短縮されて工程効率が向上する。
【００３６】
本発明によると、基板処理装置の間にオーバーヘッドトランスファー（ＯＨＴ：ｏｖｅｒｈｅａｄ ｔｒａｎｓｆｅｒ）等の外部搬送装置を経由せずとも、バッファチャンバーを通じて基板が基板処理装置間で直接搬送でき、これによって基板の搬送経路が短縮されて工程効率が向上する。
【００３７】
本発明によると、基板搬送のための空間に活用されるバッファチャンバーが、搬送過程で工程を遂行する役割を兼ねるので、フットプリント（ｆｏｏｔ ｐｒｉｎｔ）を効果的に利用することができ、結果的に基板処理率が向上する。
【００３８】
本発明によると、基板搬送のための空間に活用されるバッファチャンバーが、工程チャンバーで遂行される工程の先行又は後行工程を遂行し、工程が連続的に処理される。
【００３９】
本発明によると、バッファチャンバーでプラズマ工程として基板をクリーニングし、先行工程で発生した異物質を除去したうえで基板を直ちに後続工程に投入できる。
【００４０】
本発明の効果は上述の効果に限定されず、言及されない効果についても本明細書及び添付された図面から当業者であれば明確に理解することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】基板処理装置の一実施形態の平面図である。
【図２】基板処理装置の他の実施形態の平面図である。
【図３】図１のロードロックチャンバーのＡ−Ａ’線断面図である。
【図４】図１のロードロックチャンバーのＢ−Ｂ’線断面図である。
【図５】図１のバッファチャンバーの一実施形態の断面図である。
【図６】図１のバッファチャンバーの他の実施形態の断面図である。
【図７】図１のバッファチャンバーのその他の実施形態の断面図である。
【図８】基板処理設備の一実施形態の平面図である。
【図９】基板処理設備の他の実施形態の平面図である。
【図１０】基板処理設備のその他の実施形態の平面図である。
【図１１】基板処理方法の一実施形態の順序図である。
【図１２】図１１の基板処理方法の動作図である。
【図１３】図１１の基板処理方法の動作図である。
【図１４】基板処理方法の他の実施形態の順序図である。
【発明を実施するための形態】
【００４２】
本発明を、添付図面に基づいて説明する。
【００４３】
なお、本明細書で使用する用語や添付図面は本発明を容易に説明するためのものであり、本発明はこれら用語や図面によって限定されない。本発明に利用される技術の中で本発明の思想と密接な関連がない公知の技術に関しては、詳細な説明を省略する。
【００４４】
以下では、本発明による基板処理装置１０００に関して説明する。
【００４５】
本発明による基板処理装置１０００は、基板Ｓに対して工程を遂行するものである。ここで、工程は半導体素子、平板ディスプレイ（ＦＰＤ：ｆｌａｔ ｐａｎｅｌ ｄｉｓｐｌａｙ）及びその他の薄膜に回路が形成された物の製造に必要とする工程の全て含むことができる。
【００４６】
また、基板Ｓについても、半導体素子、平板ディスプレイ、及びその他の薄膜に回路が形成された物の製造に利用される基板を全て含むことができる。例えば、基板Ｓとしてはシリコンウエハーを含む多様なウエハー、有機基板、ガラス基板等が挙げられる。
【００４７】
図１は、基板処理装置１０００の一実施形態の平面図である。
【００４８】
図１に示すように、基板処理装置１０００はロードポート１１１０、移送モジュール１１００、複数の工程モジュール１２００、及びバッファチャンバー２０００を含む。ロードポート１１１０には基板Ｓが収納される容器Ｃが置かれる。移送モジュール１１００はロードポート１１１０に置かれた容器Ｃと工程モジュール１２００との間で基板Ｓを搬送する。工程モジュール１２００は基板Ｓを処理する。バッファチャンバー２０００は互いに隣接する工程モジュール１２００の間に配置されて工程モジュール１２００の間で基板Ｓが搬送される空間を提供する。
【００４９】
ロードポート１１１０には容器Ｃが搭載される。容器Ｃは外部から搬送されてロードポート１１１０へローディングされるか、又はロードポート１１１０からアンローディングされて外部に搬送される。例えば、容器Ｃはオーバーヘッドトランスファーのような搬送手段によって基板処理装置１０００の間で搬送される。ここで、基板Ｓの搬送はオーバーヘッドトランスファーの代わりに自動案内車輌（ａｕｔｏｍａｔｉｃ ｇｕｉｄｅｄ ｖｅｈｉｃｌｅ）、レール案内車輌（ｒａｉｌ ｇｕｉｄｅｄ ｖｅｈｉｃｌｅ）等の他の搬送手段又は作業者によって遂行できる。
【００５０】
容器Ｃには基板Ｓが収納され、容器Ｃとしては前面開放一体形ポッド（ＦＯＵＰ：ｆｒｏｎｔ ｏｐｅｎｉｎｇ ｕｎｉｆｉｅｄ ｐｏｄ）が使用される。前面開放一体形ポッドは約２５枚の基板Ｓをその内部に収納することができる。容器Ｃはその内部が密閉され、これによって容器Ｃ内の基板Ｓが汚染されることが防止される。
【００５１】
ロードポート１１１０は移送モジュール１１００に隣接するように配置される。例えば、３つのロードポート１１１０が図１に示すように、移送モジュール１１００のハウジング１１２０の一側に、第１方向（Ｘ）に沿って一列に配置される。勿論、ロードポート１１１０の配置と数はこれと異なってもよい。
【００５２】
移送モジュール１１００は容器Ｃと工程モジュール１２００との間で基板Ｓを搬送する。移送モジュール１１００はロードポート１１１０と工程モジュール１２００との間に配置されて基板Ｓの搬送を遂行する。このような移送モジュール１１００はハウジング１１２０、移送ロボット１１３０、及び移送レール１１４０を含む。
【００５３】
ハウジング１１２０は移送モジュール１１００の外壁を形成し、移送モジュール１１００の内部空間を外部と隔離させる。ハウジング１１２０は直六面体形状に設けられる。勿論、ハウジング１１２０の形状は必要によって適切に変更可能である。
【００５４】
ハウジング１１２０はロードポート１１１０と工程モジュール１２００との間に配置される。これによって、ハウジング１１２０は一側がロードポート１１１０に連結され、他側が工程モジュール１２００に連結される。
【００５５】
ロードポート１１１０と連結されるハウジング１１２０の前記一側には、ロードポート１１１０に搭載された容器Ｃと基板Ｓとを交換する開口が形成され、前記開口を開閉するドアが設けられる。工程モジュール１２００と連結されるハウジング１１２０の前記他側は、工程モジュール１２００のロードロックチャンバー１２１０に連結される。
【００５６】
ハウジング１１２０の上面にはハウジング１１２０の内部に流入する空気を整流するファンフィルター（図示せず）が設置される。これによって、ハウジング１１２０の内部空間で整流された空気が上方から下方に流れ、ハウジング１１２０の内部が清浄に維持され得る。
【００５７】
移送ロボット１１３０は直接的に基板Ｓを保持して、これを容器Ｃと工程モジュール１２００との間で搬送する。つまり、移送ロボット１１３０は、ハウジング１１２０の一側を通じて、容器Ｃとの間で基板Ｓを交換し、ハウジング１１２０の他側に連結されたロードロックチャンバー１２１０を通じて、工程モジュール１２００との間で基板Ｓを交換することができる。
【００５８】
移送ロボット１１３０はハウジング１１２０の内部に設置され、移送レール１１４０に沿って移動することができる。移送レール１１４０は、移送ロボット１１３０の移動経路を提供するものであり、ハウジング１１２０の内部に第１方向（Ｘ）に沿って配置される。勿論、移送レール１１４０は上述の例に限定されず、移送レール１１４０が他の方向に配置されるか、或いは移送レール１１４０が省略され、移送ロボット１１３０がハウジング１１２０の内部中央部に固定されて設置される構造であってもよい。
【００５９】
このような移送ロボット１１３０はベース、ボディー、アーム、及びハンドを有することができる。ベースは移送レール１１４０の上に設置され、移送レール１１４０に沿って移動する。ボディーはベースに結合され、ベースの上で鉛直方向に沿って移動するか、又は鉛直方向を軸に回転することができる。アームはボディーに設置され、前進及び後進して移動することができる。アームの一端にはハンドが具備されて、基板Ｓを取るか、或いは置くことできる。アームは１つ又は複数であり、複数のアームは互いに鉛直方向にボディーに積層されて設置され、各々が個別的に動作できる。
【００６０】
移送ロボット１１３０では、移送レール１１４０に沿ってベースが移動し、ボディーとアームの動作によってハンドの位置を制御し、ハンドが容器Ｃから基板Ｓを引き出してこれを工程モジュール１２００へ搬入するか、又は工程モジュール１２００から基板Ｓを引き出して容器Ｃに収納することができる。一方、容器Ｃは密閉された状態でロードポート１１１０に搭載されるが、ハウジング１１２０の内部には容器Ｃを開閉する容器オープナが設けられる。移送ロボット１１３０は、容器オープナによって容器Ｃが開放されると、それに収納された基板Ｓを保持できる。
【００６１】
工程モジュール１２００は基板Ｓを処理する工程を遂行する。工程モジュール１２００は基板処理装置１０００に複数個設けられ、各々の工程モジュール１２００は移送モジュール１１００の他側に第１方向（Ｘ）に沿って一列に配置される。
【００６２】
図１の基板処理装置１０００は２つの工程モジュール１２００を有するが、基板処理装置１０００に含まれる工程モジュール１２００の数はこれと異なってもよい。
【００６３】
図２は基板処理装置１０００の他の実施形態の平面図である。図２に示すように、基板処理装置１０００には３つ又はそれより多くの工程モジュール１２００が設けられることがある。
【００６４】
各工程モジュール１２００はロードロックチャンバー１２１０、トランスファーチャンバー１２２０、及び工程チャンバー１２３０を含む。ここで、ロードポート１１１０、移送モジュール１１００、ロードロックチャンバー１２１０、トランスファーチャンバー１２２０は各々上部から見たとき、第１方向（Ｘ）と垂直になる第２方向（Ｙ）に沿って順次的に配置される。ロードロックチャンバー１２１０は移送モジュール１１００の他側に配置され、移送モジュール１１００と工程モジュール１２００との間に基板Ｓを交換するための空間を提供する。トランスファーチャンバー１２２０はその周囲に配置されたチャンバー間で基板Ｓを搬送する。工程チャンバー１２３０はトランスファーチャンバー１２２０の周囲に配置されて工程を遂行する。
【００６５】
ロードロックチャンバー１２１０は移送モジュール１１００とトランスファーチャンバー１２２０との間に配置され、移送モジュール１１００とトランスファーチャンバー１２２０との間に基板Ｓの交換を行うための空間を提供する。複数の工程モジュール１２００のロードロックチャンバー１２１０は、移送モジュール１１００の他側に第１方向（Ｘ）に沿って一列に配置される。また、１つの工程モジュール１２００が、互いに上下方向に積層されて配置される複数のロードロックチャンバー１２１０を含むこともあり得る。
【００６６】
図３は図１のロードロックチャンバー１２１０のＡ−Ａ’線断面図であり、図４は図１のロードロックチャンバー１２１０のＢ−Ｂ’線断面図である。
【００６７】
図３及び図４に示すように、ロードロックチャンバー１２１０はハウジング１２１１、支持スロット１２１２、及び減圧部材１２１３を含む。
【００６８】
ハウジング１２１１はロードロックチャンバー１２１０の外壁を形成し、内部空間を外部から隔離させる。ハウジング１２１１の内部には、移送モジュール１１００とトランスファーチャンバー１２２０との間で交換される基板Ｓが一時的に留まり得る。
【００６９】
ハウジング１２１１の一側は移送モジュール１１００の他側に連結され、ハウジング１２１１の他側はトランスファーチャンバー１２２０と連結される。ハウジング１２１１の一側と他側との各々には基板Ｓが出入する開口が形成され、開口を開閉するドアが設置される。
【００７０】
支持スロット１２１２はハウジング１２１１の内壁に形成される。支持スロット１２１２は基板Ｓの縁を支持するように一対の離隔されたプレートの形状に設けられる。移送モジュール１１００の移送ロボット１１３０又はトランスファーチャンバー１２２０の搬送ロボット１２２２は、両プレートの間の離隔された空間に沿って垂直方向に移動して支持スロット１２１２に基板Ｓを置くか、或いは支持スロット１２１２から基板Ｓを取ることができる。
【００７１】
このような支持スロット１２１２は１つ又は複数であり、複数の支持スロット１２１２は、ハウジング１２１１の内壁に互いに垂直方向に離隔されて形成される。
【００７２】
減圧部材１２１３はハウジング１２１１の内部を減圧することができる。減圧部材１２１３は減圧ポンプとポンプラインとを含む。ここで、減圧ポンプは外部電源を利用して負の圧力を発生させ、ポンプラインは減圧ポンプとハウジング１２１１とを連結して、減圧ポンプで発生した負の圧力によってハウジング１２１１の空気を吸入することができる。
【００７３】
一般的に移送モジュール１１００の内部は常圧であるが、工程モジュール１２００のチャンバー内部は工程遂行に適合する条件を提供するために常圧以下の圧力、例えば真空圧で維持され得る。これに対して、ロードロックチャンバー１２１０はその間で基板Ｓを搬送する際に、工程モジュール１２００の内部に空気が流入することを防止する役割を果たす。
【００７４】
ロードロックチャンバー１２１０は移送モジュール１１００から基板Ｓが搬入されれば、ハウジング１２１１を密閉し、減圧部材１２１３によって内部を真空状態にした後、ハウジング１２１１の他側を開放してトランスファーチャンバー１２２０へ基板Ｓを提供する。このような手続にしたがって工程モジュール１２００の内部圧力が真空圧に維持される。
【００７５】
トランスファーチャンバー１２２０はトランスファーチャンバー１２２０の周囲に配置されたチャンバー間で基板Ｓを搬送する。トランスファーチャンバー１２２０の周囲にはロードロックチャンバー１２１０、工程チャンバー１２３０、及びバッファチャンバー２０００が配置され得る。具体的には、ロードロックチャンバー１２１０がトランスファーチャンバー１２２０と移送モジュール１１００との間に配置され、バッファチャンバー２０００が複数の工程モジュール１２００のトランスファーチャンバー１２２０の間に配置され、工程チャンバー１２３０はその他のトランスファーチャンバー１２２０の周囲に配置される。
【００７６】
トランスファーチャンバー１２２０は、ハウジング１２２１と搬送ロボット１２２２とを有する。
【００７７】
ハウジング１２２１はトランスファーチャンバー１２２０の外壁を形成する。トランスファーチャンバー１２２０の周囲に配置されるチャンバー１２１０、１２３０、２０００はハウジング１２２１に連結されて配置される。
【００７８】
搬送ロボット１２２２はハウジング１２２１の中央部に固定されて設置され、トランスファーチャンバー１２２０周辺のチャンバー１２１０、１２３０、２０００との間で基板Ｓを搬送する。搬送ロボット１２２２はベース、ボディー、アーム、及びハンドを有し、ベースがトランスファーチャンバー１２２０の中央部に固定設置されることを除外すれば、ほとんど移送ロボット１１３０とその構成が類似である。
【００７９】
工程チャンバー１２３０は工程を遂行する。工程チャンバー１２３０で遂行される工程の代表的な例としては、蝕刻工程、剥離工程、アッシング工程、ストリップ工程、蒸着工程等がある。勿論、これは工程チャンバー１２３０が遂行する工程は上述の例に限定されない。
【００８０】
各工程モジュール１２００は１つ又は複数の工程チャンバー１２３０を含む。複数の工程チャンバー１２３０はトランスファーチャンバー１２２０の周囲に配置され、搬送ロボット１２２２を通じて基板Ｓが搬入され得る。ここで、同一の工程モジュール１２００に属する複数の工程チャンバー１２３０は全て同一の工程を遂行できる。また、互いに異なる工程モジュール１２００に属する工程チャンバー１２３０は互いに異なる工程を遂行できる。勿論、場合によっては同一の工程モジュール１２００の工程チャンバー１２３０でも互いに異なる工程を遂行することもあるし、互いに異なる工程モジュール１２００に属する工程チャンバー１２３０が同一の工程を遂行することもあり得る。
【００８１】
工程チャンバー１２３０は各々遂行する工程によって、その工程を行うために提供される公知の構成を含むことができる。
【００８２】
バッファチャンバー２０００は、互いに隣接する工程モジュール１２００の間に配置される。具体的には１つの工程モジュール１２００のトランスファーチャンバー１２２０、バッファチャンバー２０００、他の工程モジュール１２００のトランスファーチャンバー１２２０が、第１方向（Ｘ）に沿って順次的に配置される。このように配置されるバッファチャンバー２０００は、工程モジュール１２００との間に基板Ｓが搬送される空間を提供する。即ち、基板Ｓは１つの工程モジュール１２００で処理された後、バッファチャンバー２０００を通じて直接他の工程モジュール１２００へ搬送され得る。一般的には１つの工程モジュール１２００から他の工程モジュール１２００へ基板Ｓを搬送するためには移送モジュール１１００を経なければならないが、バッファチャンバー２０００を通じて直接移動が可能であれば、不必要な基板Ｓの搬送過程を除くことができる。
【００８３】
バッファチャンバー２０００は単純に基板Ｓを搬送する通路役割を果たすか、又は通路役割を果たすとともに基板Ｓに対して工程を遂行する機能を有することもあり得る。
【００８４】
図５は図１のバッファチャンバー２０００の一実施形態の断面図である。
【００８５】
図５に示すように、バッファチャンバー２０００の一実施形態では単純に基板Ｓを搬送する通路役割を遂行する。
【００８６】
バッファチャンバー２０００はハウジング２１００及び支持部材２２００を含み、回転部材２３００及び減圧部材２４００を選択的にさらに含むことができる。
【００８７】
ハウジング２１００はバッファチャンバー２０００の外壁を形成し、互いに隣接する工程モジュール１２００のトランスファーチャンバー１２２０のハウジング１２２１の間に配置される。ハウジング２１００の一側と他側とには各々基板Ｓが出入する開口が形成され、開口を開閉するドアが設置される。
【００８８】
支持部材２２００は基板Ｓを支持する。支持部材２２００はハウジング２１００の中央部に設置される。支持部材２２００は、その上面が基板Ｓと類似の形状に設けられ、基板Ｓと同一の面積、或いはより大きな面積を有する。支持部材２２００は、リフトピンを含んで搬送ロボット１２２２が基板Ｓを取りやすくするように基板Ｓを上下に移動させることもあり得る。場合によっては、支持部材２２００がロードロックチャンバー１２１０の支持スロット１２１２と類似に設けられることもあり得る。
【００８９】
回転部材２３００は、支持部材２２００に安着された基板Ｓを回転させる。工程モジュール１２００の間で基板Ｓを交換する際に、基板Ｓの方向を整列（ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）する必要がある時、回転部材２３００は基板Ｓを回転させて基板Ｓを整列することができる。回転部材２３００は回転モーター及び回転軸で形成される。回転モーターは回転力を発生させ、回転軸は回転モーターと支持部材２２００とに連結されて回転モーターで発生した回転力によって支持部材２２００を回転させてそれに安着された基板Ｓを回転させる。
【００９０】
減圧部材２４００はハウジング２１００の内部を減圧することができる。複数の工程モジュール１２００は、各々の内部圧力が互いに異なるように設定され得るが、これに対して減圧部材２４００がハウジング２１００の内部を減圧することで、工程モジュール１２００の中で内部圧力が高い工程モジュール１２００から内部圧力が低い工程モジュール１２００へ空気が流入することが防止される。減圧部材２４００の構成はロードロックチャンバー１２１０の減圧部材１２１３と類似であるので、これに対する詳細な説明は省略する。
【００９１】
一方、工程モジュール１２００の間で内部気圧が同一の場合には、バッファチャンバー２０００で減圧部材２４００を省略してもよく、この場合にはハウジング２１００を密閉する必要が無いので、開口を開閉するドアも省略可能である。
【００９２】
図６は図１のバッファチャンバー２０００の他の実施形態の断面図である。
【００９３】
このバッファチャンバー２０００は工程モジュール１２００間の通路役割を行うとともに基板Ｓに対して工程を遂行する機能を遂行する。ここで、バッファチャンバー２０００が遂行する工程は、工程チャンバー１２３０で遂行される工程の先行工程又は後行工程であり得る。以下ではバッファチャンバー２０００がクリーニング工程、特にプラズマを利用するクリーニング工程を遂行する場合に基づいて説明する。但し、バッファチャンバー２０００が遂行する工程は多様であり、上述の例に限定されない。このようにバッファチャンバー２０００が工程を遂行すれば、同一のフットプリントで、バッファチャンバー２０００で遂行される工程を遂行する工程チャンバー１２３０の代わりに、他の工程を遂行する工程チャンバー１２３０をより多く配置することが可能となり、空間効率が向上する。
【００９４】
図６に示すように、バッファチャンバー２０００の他の実施形態はハウジング２１００、支持部材２２００、加熱部材２５００、及びプラズマ供給器２６００を包含できる。
【００９５】
ハウジング２１００及び支持部材２２００に関してはバッファチャンバー２０００の一実施形態で上述したので、これに関する詳細な説明は省略する。
【００９６】
加熱部材２５００は支持部材２２００に安着された基板Ｓを加熱できる。例えば、加熱部材２５００は、ハウジング２１００の外壁又は支持部材２２００内に埋め込まれるヒーター又はハウジング２１００の一側に形成されて高温ガスをハウジング２１００へ供給する高温ガスライン等から成る。加熱部材２５００によって基板Ｓが加熱されれば、基板Ｓから基板Ｓの上に残留する異物質を除去できる。ここでの異物質は、工程チャンバー１２３０の先行工程で発生したものが含まれる。
【００９７】
プラズマ供給器２６００はハウジング２１００の内部にプラズマを提供できる。バッファチャンバー２０００はこのようなプラズマを利用してプラズマ工程を遂行できる。例えば、バッファチャンバー２０００はプラズマアッシング工程又はプラズマクリーニング工程を遂行できる。但し、バッファチャンバー２０００がプラズマ工程の代わりに他の工程を遂行することもあり、この場合には、プラズマ供給器２６００が異なる構成に変更される。例えば、ケミカルやガスを利用して工程を進行する場合に、ハウジング２１００にはケミカル供給器やガス供給器等がプラズマ供給器２６００の代わりに設置され得る。
【００９８】
プラズマ供給器２６００はプラズマソース２６１０、供給管２６２０、及びシャワーヘッド２６３０を含む。
【００９９】
プラズマソース２６１０はプラズマを生成する。例えば、プラズマソース２６１０はリモートプラズマ発生器（ｒｅｍｏｔｅ ｐｌａｓｍａ ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）、容量結合形プラズマ発生器（ＣＣＰ：ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ ｃｏｕｐｌｅｄ ｐｌａｓｍａ ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）又は誘導結合形プラズマ発生器（ＩＣＰ：ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ ｃｏｕｐｌｅｄ ｐｌａｓｍａ ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）であり得る。
【０１００】
この中で、リモートプラズマ発生器はハウジング２１００の外部に位置し、ガス供給源（図示せず）からガスが供給されて供給されたガスを利用してプラズマを生成することができる。供給管２６２０は生成されたプラズマをハウジング２１００の内部へ供給する。シャワーヘッド２６３０は供給管２６２０の一端に設置され、供給管２６２０を通じて供給されるプラズマはシャワーヘッド２６３０を通じてハウジング２１００に噴射される。
【０１０１】
容量結合形プラズマ発生器又は誘導結合形プラズマ発生器の場合には、プラズマソースがハウジング２１００の内部やハウジング２１００の外壁に設置される。この場合には供給管２６２０は外部のガス供給源（図示せず）からガスが供給され、ハウジング２１００の内部へ供給し、プラズマソース２６１０がこれを利用してプラズマを生成することができる。
【０１０２】
図７は図１のバッファチャンバー２０００のその他の実施形態の断面図である。
【０１０３】
以上ではバッファチャンバー２０００が単一のハウジング２１００から成る場合を説明したが、バッファチャンバー２０００は複数のハウジング２１００が積層される構造でもよく、この構造によれば同一のフットプリントでより多くのバッファチャンバー２０００を配置でき、空間効率が向上する。
【０１０４】
図７に示すように、バッファチャンバー２０００は複数のハウジング２１００を含む。複数のハウジング２１００は各々上述したバッファチャンバー２０００の一実施形態と他の実施形態の中でいずれか１つの構成を有することができる。
【０１０５】
例えば、バッファチャンバー２０００は互いに上下に積層される上部ハウジング２１００ａと下部ハウジング２１００ｂと含む。下部ハウジング２１００ｂには、単純に工程モジュール１２００間で基板Ｓが移動する経路を設けるか、或いは基板Ｓを整列する機能を遂行するように、支持部材２２００ｂと回転部材２３００のみを設けることができる。また、上部ハウジング２１００ａには、移動経路を提供するとともに工程を遂行するように、支持部材２２００ａ、加熱部材２５００、及びプラズマ供給器２６００を設けることができる。
【０１０６】
勿論、場合によっては上部ハウジング２１００ａと下部ハウジング２１００ｂとが全て通路の役割のみを遂行するか、或いは全てが通路の役割と工程遂行の機能とを兼ねることもあり得る。また、積層されるハウジング２１００の数が３つ以上であることもあり得る。
【０１０７】
以下では本発明による基板処理設備１００に関して説明する。
【０１０８】
本発明による基板処理設備１００は複数の基板処理装置１０００及びバッファチャンバー２０００を含む。基板処理装置１０００は、各々が他の工程を遂行できる。
【０１０９】
図８は基板処理設備１００の一実施形態の平面図である。
【０１１０】
図８に示すように、基板処理設備１００の一実施形態では、複数の基板処理装置１０００が第１方向（Ｘ）に沿って配置され、バッファチャンバー２０００が複数の基板処理装置１０００の中で互いに隣接する基板処理装置１０００の間に配置される。これによって１つの基板処理装置１０００、バッファチャンバー２０００、他の基板処理装置１０００が第１方向（Ｘ）に沿って順次的に配置される。
【０１１１】
各基板処理装置１０００では、ロードポート１１１０、移送モジュール１１００、複数の工程モジュール１２００が第２方向（Ｙ）に沿って配置され、その基板処理装置１０００の１つの工程モジュール１２００のトランスファーチャンバー１２２０、バッファチャンバー２０００、他の工程モジュール１２００のトランスファーチャンバー１２２０は、第１方向（Ｘ）に沿って配置される。基板処理装置１０００に関しては既述であるため、具体的な説明は省略する。
【０１１２】
バッファチャンバー２０００は複数の工程モジュール１２００の間に配置されるバッファチャンバー２０００と同一又は類似な構造で設けられる。
【０１１３】
但し、基板処理設備１００で互いに隣接する基板処理装置１０００の間に配置されるバッファチャンバー２０００は、工程モジュール１２００間で基板Ｓが搬送される空間を提供するのではなく、基板処理装置１０００間で基板Ｓが搬送される空間を提供する。このようなバッファチャンバー２０００は、１つの基板処理装置１０００のトランスファーチャンバー１２２０と、それに隣接して配置された他の基板処理装置１０００のトランスファーチャンバー１２２０との間に配置される。したがって、バッファチャンバー２０００はその一側と他側とが、１つの基板処理装置１０００のトランスファーチャンバー１２２０とそれに隣接して配置された他の基板処理装置１０００のトランスファーチャンバー１２２０とに連結される。
【０１１４】
なお、図８の基板処理設備１００は２つの基板処理装置１０００を有するが、基板処理設備１００に含まれる基板処理装置１０００の数はこれと異なってもよく、また基板処理装置１０００の構成が上述の構成と異なってもよい。
【０１１５】
図９は基板処理設備１００の他の実施形態の平面図である。
【０１１６】
基板処理設備１００に提供される基板処理装置１０００は、必ずしも複数の工程モジュール１２００とその間に配置されるバッファチャンバー２０００を有する形態、即ち本発明の基板処理装置１０００の一実施形態に限定されない。
【０１１７】
図９に示すように、基板処理設備１００に含まれる基板処理装置１０００はロードポート１１１０、移送モジュール１１００、及び１つの工程モジュール１２００を含み、これによって、互いに隣接する工程モジュール１２００間に配置されるバッファチャンバー２０００は省略されている。
【０１１８】
図１０は基板処理設備１００のその他の実施形態の平面図である。図１０に示すように、基板処理設備１００には３つ又はそれより多い数の基板処理装置１０００が設けられることもあり得る。
【０１１９】
以下では、本発明による基板処理方法に関して、上述した本発明の基板処理装置１０００及び基板処理設備１００を基にして説明する。
【０１２０】
これは説明を容易にするために過ぎず、本発明による基板処理方法は上述の基板処理装置１０００や基板処理設備１００によって限定されず、これと同一又は類似の機能を遂行する他の装置を利用して遂行することもできる。
【０１２１】
以下では基板処理方法の一実施形態に関して説明する。基板処理方法の一実施形態は、基板処理装置１０００で基板Ｓを処理する方法に関する。
【０１２２】
図１１は基板処理方法の一実施形態の順序図である。
【０１２３】
図１１に示すように、基板処理方法の一実施形態は、容器Ｃから第１工程モジュール１２００ａのロードロックチャンバー１２１０ａへ基板Ｓを搬送する段階（Ｓ１１０）、第１工程モジュール１２００ａのロードロックチャンバー１２１０ａから工程チャンバー１２３０ａへ基板Ｓを搬送する段階（Ｓ１２０）、第１工程モジュール１２００ａの工程チャンバー１２３０ａが工程を遂行する段階（Ｓ１３０）、第１工程モジュール１２００ａの工程チャンバー１２３０ａからバッファチャンバー２０００へ基板Ｓを搬送する段階（Ｓ１４０）、バッファチャンバー２０００から第２工程モジュール１２００ｂの工程チャンバー１２３０ｂへ基板Ｓを搬送する段階（Ｓ１５０）、第２工程モジュール１２００ｂの工程チャンバー１２３０ｂが工程を遂行する段階（Ｓ１６０）、第２工程モジュール１２００ｂの工程チャンバー１２３０ｂから第２工程モジュール１２００ｂのロードロックチャンバー１２１０ｂへ基板Ｓを搬送する段階（Ｓ１７０）及び基板Ｓを容器Ｃに収納する段階（Ｓ１８０）を含む。但し、上述の段階は、必ずしも説明された順序にしたがって実行されなければならない訳ではなく、後に説明した段階が先に説明された段階より先に遂行されることもあり、これは後述する基板処理方法の他の実施形態でも同様である。以下では上述した各段階に関して説明する。
【０１２４】
図１２及び図１３は図１１の基板処理方法の動作図である。
【０１２５】
図１２に示すように、移送モジュール１１００は容器Ｃから第１工程モジュール１２００ａのロードロックチャンバー１２１０ａへ基板Ｓを搬送する（Ｓ１１０）。容器オープナが容器Ｃを開放すれば、移送ロボット１１３０は容器Ｃから基板Ｓを引き出す。ロードロックチャンバー１２１０ａのドアは移送モジュール１１００と連結された開口を開き、移送ロボット１１３０が支持スロット１２１２に基板Ｓを安着させる。ロードロックチャンバー１２１０ａへ基板Ｓが搬入されれば、ハウジング１２１１が密閉され、減圧部材１２１３が内部に真空圧を印加する。内部が真空になれば、ロードロックチャンバー１２１０ａのトランスファーチャンバー１２２０ａと連結された開口が開けられる。
【０１２６】
トランスファーチャンバー１２２０ａが第１工程モジュール１２００ａのロードロックチャンバー１２１０ａから工程チャンバー１２３０ａへ基板Ｓを搬送する（Ｓ１２０）。ロードロックチャンバー１２１０ａの開口が開けられれば、搬送ロボット１２２２ａがロードロックチャンバー１２１０ａから基板Ｓを引き出してこれを工程チャンバー１２３０ａへ搬入させる。
【０１２７】
基板Ｓが搬入されれば、第１工程モジュール１２００ａの工程チャンバー１２３０ａが工程を遂行する（Ｓ１３０）。
【０１２８】
工程が終了されれば、トランスファーチャンバー１２２０ａが第１工程モジュール１２００ａの工程チャンバー１２３０ａからバッファチャンバー２０００へ基板Ｓを搬送する（Ｓ１４０）。搬送ロボット１２２２ａは工程チャンバー１２３０ａから基板Ｓを引き出し、バッファチャンバー２０００のドアが開けられれば、その支持部材２２００に基板Ｓを安着させる。
【０１２９】
支持部材２２００に基板Ｓが安着されれば、バッファチャンバー２０００が基板Ｓを整列するか（Ｓ１４１）、又は所定の工程を遂行できる（Ｓ１４２）。このとき、例えば回転部材２３００が支持部材２２００を回転させて基板Ｓの方向を回転させ得る。また、支持部材２２００に基板Ｓが安着されたときに、プラズマ供給器２６００がハウジング２１００へプラズマを供給してプラズマ工程を遂行することもあり得る。この時には加熱部材２５００が基板Ｓを加熱してもよい。このようなプラズマ工程を遂行すれば、工程チャンバー１２３０ａで基板Ｓ上に発生した異物質が除去される。
【０１３０】
勿論、バッファチャンバー２０００が単純に通路としての役割を行う場合には、段階Ｓ１４１又はＳ１４２が省略され、場合によってはバッファチャンバー２０００が基板Ｓの整列と所定の工程とを共に遂行することもあり得る。また、バッファチャンバー２０００がプラズマ工程の代わりに他の工程を遂行することもあり得る。
【０１３１】
第２工程モジュール１２００ｂのトランスファーチャンバー１２２０ｂがバッファチャンバー２０００から第２工程モジュール１２００ｂの工程チャンバー１２３０ｂへ基板Ｓを搬送する（Ｓ１５０）。トランスファーチャンバー１２２０ｂはバッファチャンバー２０００から基板Ｓを引き出してこれを第２工程モジュール１２００ｂの工程チャンバー１２３０ｂへ搬入する。ここでの第２工程モジュール１２００ｂは、バッファチャンバー２０００を介して第１工程モジュール１２００ａと隣接する工程モジュール１２００である。
【０１３２】
基板Ｓが搬入されれば、第２工程モジュール１２００ｂの工程チャンバー１２３０ｂが工程を遂行する（Ｓ１６０）。ここで、工程チャンバー１２３０ｂが遂行する工程は、第１工程モジュール１２００ａの工程チャンバー１２３０ａで遂行された工程と異なる工程であってもよい。バッファチャンバー２０００でプラズマ等を利用してクリーニング工程が遂行された場合には、基板Ｓから異物質が除去された状態で基板Ｓが搬入されるので、工程が効率的に進行される。
【０１３３】
トランスファーチャンバー１２２０ｂは第２工程モジュール１２００ｂの工程チャンバー１２３０ｂから第２工程モジュール１２００ｂのロードロックチャンバー１２１０ｂへ基板Ｓを搬送し（Ｓ１７０）、移送モジュール１１００がロードロックチャンバー１２１０ｂから基板Ｓを引き出して基板Ｓを容器Ｃに収納する（Ｓ１８０）。したがって、基板Ｓは第１工程モジュール１２００ａ、バッファチャンバー２０００、第２工程モジュール１２００ｂを各々経て、各々のチャンバーで基板Ｓに工程が遂行される。
【０１３４】
仮にバッファチャンバー２０００がない場合には、各々の工程を経るためには第１工程モジュール１２００ａから再びロードロックチャンバー１２１０ａを経て移送モジュール１１００に基板Ｓが返還された後、再びロードロックチャンバー１２１０ｂを経て第２工程モジュール１２００ｂへ基板Ｓが搬送されなければならないので、本発明によれば、基板Ｓの搬送過程が省略され、基板Ｓの処理時間が短縮されて結果的に基板処理率が向上する。
【０１３５】
ここで、場合によっては第２工程モジュール１２００ｂで工程が終了された後（Ｓ１６０）、基板Ｓを、バッファチャンバー２０００を通じて再び第１工程モジュール１２００ａに返還することもあり得る（Ｓ１７０ａ）。第１工程モジュール１２００ａは基板Ｓに対して再び工程を遂行することもあり得る（Ｓ１８０ａ）。
【０１３６】
一方、図１３に示すように、基板処理装置１０００に第１方向（Ｘ）に沿って第１工程モジュール１２００ａ、第２工程モジュール１２００ｂに加えて第３工程モジュール１２００ｃが順次的に配置される場合には、第２工程モジュール１２００ｂの工程チャンバー１２３０ｂで工程が終了された後（Ｓ１６０）、移送モジュール１１００に基板Ｓを返還する代わりに、第２工程モジュール１２００ｂと第３工程モジュール１２００ｃとの間に位置するバッファチャンバー２０００を通じて第３工程モジュール１２００ｃへ基板Ｓを搬送することもあり得る（Ｓ１７０ｂ）。これによって、基板Ｓはやはり移送モジュール１１００を経ることなく、第３工程モジュール１２００ｃの工程チャンバー１２３０ｃへ移動し（Ｓ１８０ｂ）、第３工程モジュール１２００ｃが基板Ｓに対して工程を処理することができる（Ｓ１９０ｂ）。
【０１３７】
以下では基板処理方法の他の実施形態に関して説明する。基板処理方法の他の実施形態は、基板処理設備１００で基板Ｓを処理する方法に関する。
【０１３８】
図１４は基板処理方法の他の実施形態の順序図である。
【０１３９】
図１４に示すように、基板処理方法は第１基板処理装置１０００ａが基板Ｓを処理する段階（Ｓ２１０）、第１基板処理装置１０００ａからバッファチャンバー２０００へ基板Ｓが搬送される段階（Ｓ２２０）、バッファチャンバー２０００から第２基板処理装置１０００ｂへ基板Ｓが搬送される段階（Ｓ２３０）、及び第２基板処理装置１０００ｂが基板Ｓを処理する段階（Ｓ２４０）を含む。以下では各段階に関して説明する。
【０１４０】
外部の搬送装置から容器Ｃが第１基板処理装置１０００ａのロードポート１１１０に安着されれば、第１基板処理装置１０００ａが基板Ｓを処理する（Ｓ２１０）。具体的には第１基板処理装置１０００ａで、移送モジュール１１００が基板Ｓを引き出して工程モジュール１２００へ搬送し、工程モジュール１２００の工程チャンバー１２３０が基板Ｓに対して工程を遂行する。工程が終了されれば、トランスファーチャンバー１２２０が工程モジュール１２００から基板Ｓを引き出す。ここで、第１基板処理装置１０００に複数の工程モジュール１２００がある場合には、上述した基板処理方法の一実施形態にしたがって、バッファチャンバー２０００を通じて工程チャンバー１２３０の間で基板Ｓを搬送しながら、基板Ｓを処理してもよい。
【０１４１】
第１基板処理装置１０００ａで基板Ｓの処理が終了されれば、第１基板処理装置１０００ａからバッファチャンバー２０００へ基板Ｓが搬送される（Ｓ２２０）。具体的には第１基板処理装置１０００ａのトランスファーチャンバー１２２０が第１基板処理装置１０００ａの工程チャンバー１２３０から基板Ｓを引き出してバッファチャンバー２０００へ基板Ｓを搬入する。
【０１４２】
バッファチャンバー２０００に基板Ｓが搬入されれば、バッファチャンバー２０００は選択的に基板Ｓを整列するか、又は工程を遂行できる。勿論、バッファチャンバー２０００にこのような機能がない場合にはバッファチャンバー２０００は単純に基板処理装置１０００を連結する通路として機能することもあり得る。基板処理装置１０００間で内部気圧が異なる場合には、バッファチャンバー２０００がロードロックチャンバー１２１０のように減圧機能を遂行することもあり得る。
【０１４３】
バッファチャンバー２０００から第２基板処理装置１０００ｂへ基板Ｓが搬送される（Ｓ２３０）。第２基板処理装置１０００ｂのトランスファーチャンバー１２２０はバッファチャンバー２０００から基板Ｓを引き出して第２基板処理装置１０００ｂへ基板Ｓを搬入させる。
【０１４４】
第２基板処理装置１０００ｂが基板Ｓを処理する（Ｓ２４０）。具体的には、第２基板処理装置１０００ｂのトランスファーチャンバー１２２０が基板Ｓを第２基板処理装置１０００の工程チャンバー１２３０へ搬送し、その工程チャンバー１２３０が基板Ｓに対して工程を遂行する。工程が終了されれば、第２基板処理装置１０００ｂのトランスファーチャンバー１２２０が基板Ｓを第２基板処理装置１０００ｂのロードロックチャンバー１２１０に搬送し、第２基板処理装置１０００ｂの移送モジュール１１００が、ロードロックチャンバー１２１０から基板Ｓを引き出して、第２基板処理装置１０００ｂのロードポート１１１０に搭載された容器Ｃに基板Ｓを収納させる。
【０１４５】
一方、基板処理設備１００が、第２基板処理装置１０００ｂに隣接し且つバッファチャンバー２０００を通じて連結される第３基板処理装置１０００ｃを有する場合には、第２基板処理装置１０００ｂで工程が遂行された後、基板Ｓを容器Ｃに収納する代わりに、基板Ｓが第２基板処理装置１０００ｂと第３基板処理装置１０００ｃとの間に配置されたバッファチャンバー２０００を通じて第３基板処理装置１０００ｃに搬送され（Ｓ２５０）、第３基板処理装置１０００ｃで基板Ｓを処理することもできる。
【０１４６】
このような本発明によれば、基板処理設備１００において基板処理装置１０００間で基板Ｓを搬送するためにオーバーヘッドトランスファー等の搬送手段を利用しなくてもよく、各基板処理装置１０００の工程モジュール１２００から他の基板処理装置１０００の工程モジュール１２００に基板Ｓを直ちに移動させて連続的に処理できるので、工程効率が上昇するという効果を奏する。
【０１４７】
以上、言及した本発明の実施形態は、当業者に対して本発明の理解を助けるために記載したものであり、本発明は上述の実施形態によって限定されない。したがって、本発明は上述の実施形態及びその構成要素を選択的に組み合わせるか、公知の技術を加えて実現することもでき、さらに本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で修正、置換及び変更が可能であって、本発明はこれらの修正形態、変形形態を全て含む。
【０１４８】
また、本発明の保護範囲は特許請求の範囲によって解釈されるものであり、それと均等な範囲内にある発明は全て権利範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１４９】
１００ 基板処理設備
１０００ 基板処理装置
１１００ 移送モジュール
１１１０ ロードポート
１２１０ ロードロックチャンバー
１２２０ トランスファーチャンバー
１２３０ 工程チャンバー
２０００ バッファチャンバー
２１００ ハウジング
２２００ 支持部材
２３００ 回転部材
２４００ 減圧部材
２５００ 加熱部材
２６００ プラズマ供給器
Ｓ 基板
Ｃ 容器
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板が収納される容器が搭載されるロードポートと、
前記基板を処理する複数の工程モジュールと、
前記ロードポートと前記工程モジュールとの間に配置され、前記容器と前記工程モジュールとの間で前記基板を搬送する移送モジュールと、
互いに隣接する前記工程モジュールの間に配置され、前記互いに隣接する工程モジュールの間に前記基板が搬送される空間を提供するバッファチャンバーと、を含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記ロードポート、前記移送モジュール、及び前記工程モジュールは、第１方向に沿って順次的に配置され、
前記複数の工程モジュールは、上部から見たとき、前記第１方向と垂直になる第２方向に沿って前記移送モジュールの一側に一列に配置されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記工程モジュールは、その周囲に配置されたチャンバーの間で前記基板を搬送するトランスファーチャンバー、前記トランスファーチャンバーの周囲に配置され、前記基板に対する処理工程を遂行する工程チャンバー、及び前記移送モジュールと前記トランスファーチャンバーとの間に配置されるロードロックチャンバーを含み、
前記バッファチャンバーは、前記互いに隣接する工程モジュールのトランスファーチャンバーの間に配置されることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記バッファチャンバーは、前記互いに隣接する工程モジュールの間で搬送される基板が一時的に留まるバッファ空間を提供することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記バッファチャンバーは、ハウジング、前記ハウジング内に設置され、前記基板が置かれる支持部材、及び前記支持部材に置かれる基板を回転させる回転部材を含むことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記バッファチャンバーは、ハウジング、前記ハウジング内に設置され、前記基板が置かれる支持部材、及び前記ハウジングへプラズマを供給するプラズマ供給器を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記バッファチャンバーは、上下に積層される複数のハウジングを含むことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
基板が収納される容器が搭載されるロードポート、前記基板を処理する工程モジュール、及び前記ロードポートと前記工程モジュールとの間に配置され、前記容器と前記工程モジュールとの間で前記基板を搬送する移送モジュールを含む複数の基板処理装置と、
互いに隣接する基板処理装置の間に配置され、前記互いに隣接する基板処理装置の間に前記基板が搬送される空間を提供する第１バッファチャンバーと、を含み、
前記工程モジュールは、その周囲に配置されたチャンバーの間で前記基板を搬送するトランスファーチャンバー、前記トランスファーチャンバーの周囲に配置され、前記基板に対する処理工程を遂行する工程チャンバー、及び前記移送モジュールと前記トランスファーチャンバーとの間に配置されるロードロックチャンバーを含み、
前記第１バッファチャンバーは、前記互いに隣接する基板処理装置のトランスファーチャンバーの間に配置されることを特徴とする基板処理設備。
【請求項９】
前記ロードポート、前記移送モジュール、及び前記工程モジュールは、第１方向に沿って順次的に配置され、
前記複数の基板処理装置は、前記第１方向と垂直になる第２方向に沿って一列に配置されることを特徴とする請求項８に記載の基板処理設備。
【請求項１０】
前記第１バッファチャンバーは、前記互いに隣接する基板処理装置の間で搬送される基板が一時的に留まるバッファ空間を提供することを特徴とする請求項９に記載の基板処理設備。
【請求項１１】
前記第１バッファチャンバーは、ハウジング、前記ハウジング内に設置され、前記基板が置かれる支持部材、及び前記支持部材に置かれる基板を回転させる回転部材を含むことを特徴とする請求項１０に記載の基板処理設備。
【請求項１２】
前記第１バッファチャンバーは、ハウジング、前記ハウジング内に設置され、前記基板が置かれる支持部材、及び前記ハウジングへプラズマを供給するプラズマ供給器を含み、プラズマ工程を遂行することを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の基板処理設備。
【請求項１３】
前記第１バッファチャンバーは、上下に積層される複数のハウジングを含むことを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の基板処理設備。
【請求項１４】
前記基板処理装置に含まれる前記工程モジュールは、複数であり、
前記基板処理装置は、同一な基板処理装置に属し且つ互いに隣接する工程モジュールの間に配置され、前記互いに隣接する工程モジュールの間に前記基板が搬送される空間を提供する第２バッファチャンバーをさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の基板処理設備。
【請求項１５】
前記複数の工程モジュールは夫々、その周囲に配置されたチャンバーの間で前記基板を搬送するトランスファーチャンバー、前記トランスファーチャンバーの周囲に配置され、前記基板に対する処理工程を遂行する工程チャンバー、及び前記移送モジュールと前記トランスファーチャンバーとの間に配置されるロードロックチャンバーを含み、
前記第２バッファチャンバーは、前記互いに隣接する工程モジュールの間に配置されることを特徴とする請求項１４に記載の基板処理設備。
【請求項１６】
基板が収納された容器が搭載されるロードポートと、前記容器から基板を引き出す移送モジュールと、前記移送モジュールの一側に一列に配置される複数の工程モジュールと、互いに隣接する工程モジュールの間に配置されるバッファチャンバーと、を含む基板処理装置を利用する基板処理方法であって、
移送モジュールが前記容器から前記複数の工程モジュールの中で第１工程モジュールへ前記基板を搬送する段階と、
前記第１工程モジュールが処理工程を遂行する段階と、
前記第１工程モジュールから前記第１工程モジュールと前記第１工程モジュールに隣接する第２工程モジュールとの間に配置された第１バッファチャンバーへ前記基板を搬送する段階と、
前記第１バッファチャンバーから前記第２工程モジュールへ前記基板を直接搬送する段階と、
前記第２工程モジュールが処理工程を遂行する段階と、を含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１７】
前記移送モジュールが前記第２工程モジュールから前記容器へ前記基板を搬送する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１６に記載の基板処理方法。
【請求項１８】
前記第２工程モジュールから前記第２工程モジュールと前記第２工程モジュールに隣接する第３工程モジュールとの間に配置された第２バッファチャンバーへ前記基板を搬送する段階と、
前記第２バッファチャンバーから前記第３工程モジュールへ前記基板を直接搬送する段階と、
前記第３工程モジュールが処理工程を遂行する段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項１６に記載の基板処理方法。
【請求項１９】
基板が収納された容器が搭載されるロードポート、前記容器から基板を引き出す移送モジュール及び前記移送モジュールの一側に配置される工程モジュールを各々含み、一列に配置される複数の基板処理装置と、互いに隣接する基板処理装置の間に配置されるバッファチャンバーと、を含む基板処理設備を利用する基板処理方法であって、
前記第１基板処理装置が前記容器から前記基板を引き出す段階と、
前記第１基板処理装置が処理工程を遂行する段階と、
前記第１基板処理装置から、前記第１基板処理装置と前記第１基板処理装置に隣接する第２基板処理装置との間に配置された第１バッファチャンバーへ前記基板を搬送する段階と、
前記第１バッファチャンバーから前記第２基板処理装置へ前記基板を直接搬送する段階と、
前記第２基板処理装置が処理工程を遂行する段階と、を含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項２０】
前記第２基板処理装置が前記容器に前記基板を収納させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項１９に記載の基板処理方法。
【請求項２１】
前記第２基板処理装置から、前記第２基板処理装置と前記第２基板処理装置に隣接する第３基板処理装置との間に配置された第２バッファチャンバーへ前記基板を搬送する段階と、
前記第２バッファチャンバーから前記第３基板処理装置へ前記基板を直接搬送する段階と、
前記第３基板処理装置が処理工程を遂行する段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項１９に記載の基板処理方法。
【請求項２２】
前記バッファチャンバーが前記基板を回転させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項１６乃至請求項２１のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項２３】
前記バッファチャンバーが前記処理工程の後続工程又は先行工程を遂行する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１６乃至請求項２１のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項２４】
前記バッファチャンバーが遂行する工程は、前記工程で発生して前記基板に残留する異物質を除去する工程であることを特徴とする請求項２３に記載の基板処理方法。
【請求項１】
基板が収納される容器が搭載されるロードポートと、
前記基板を処理する複数の工程モジュールと、
前記ロードポートと前記工程モジュールとの間に配置され、前記容器と前記工程モジュールとの間で前記基板を搬送する移送モジュールと、
互いに隣接する前記工程モジュールの間に配置され、前記互いに隣接する工程モジュールの間に前記基板が搬送される空間を提供するバッファチャンバーと、を含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記ロードポート、前記移送モジュール、及び前記工程モジュールは、第１方向に沿って順次的に配置され、
前記複数の工程モジュールは、上部から見たとき、前記第１方向と垂直になる第２方向に沿って前記移送モジュールの一側に一列に配置されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記工程モジュールは、その周囲に配置されたチャンバーの間で前記基板を搬送するトランスファーチャンバー、前記トランスファーチャンバーの周囲に配置され、前記基板に対する処理工程を遂行する工程チャンバー、及び前記移送モジュールと前記トランスファーチャンバーとの間に配置されるロードロックチャンバーを含み、
前記バッファチャンバーは、前記互いに隣接する工程モジュールのトランスファーチャンバーの間に配置されることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記バッファチャンバーは、前記互いに隣接する工程モジュールの間で搬送される基板が一時的に留まるバッファ空間を提供することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記バッファチャンバーは、ハウジング、前記ハウジング内に設置され、前記基板が置かれる支持部材、及び前記支持部材に置かれる基板を回転させる回転部材を含むことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記バッファチャンバーは、ハウジング、前記ハウジング内に設置され、前記基板が置かれる支持部材、及び前記ハウジングへプラズマを供給するプラズマ供給器を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記バッファチャンバーは、上下に積層される複数のハウジングを含むことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
基板が収納される容器が搭載されるロードポート、前記基板を処理する工程モジュール、及び前記ロードポートと前記工程モジュールとの間に配置され、前記容器と前記工程モジュールとの間で前記基板を搬送する移送モジュールを含む複数の基板処理装置と、
互いに隣接する基板処理装置の間に配置され、前記互いに隣接する基板処理装置の間に前記基板が搬送される空間を提供する第１バッファチャンバーと、を含み、
前記工程モジュールは、その周囲に配置されたチャンバーの間で前記基板を搬送するトランスファーチャンバー、前記トランスファーチャンバーの周囲に配置され、前記基板に対する処理工程を遂行する工程チャンバー、及び前記移送モジュールと前記トランスファーチャンバーとの間に配置されるロードロックチャンバーを含み、
前記第１バッファチャンバーは、前記互いに隣接する基板処理装置のトランスファーチャンバーの間に配置されることを特徴とする基板処理設備。
【請求項９】
前記ロードポート、前記移送モジュール、及び前記工程モジュールは、第１方向に沿って順次的に配置され、
前記複数の基板処理装置は、前記第１方向と垂直になる第２方向に沿って一列に配置されることを特徴とする請求項８に記載の基板処理設備。
【請求項１０】
前記第１バッファチャンバーは、前記互いに隣接する基板処理装置の間で搬送される基板が一時的に留まるバッファ空間を提供することを特徴とする請求項９に記載の基板処理設備。
【請求項１１】
前記第１バッファチャンバーは、ハウジング、前記ハウジング内に設置され、前記基板が置かれる支持部材、及び前記支持部材に置かれる基板を回転させる回転部材を含むことを特徴とする請求項１０に記載の基板処理設備。
【請求項１２】
前記第１バッファチャンバーは、ハウジング、前記ハウジング内に設置され、前記基板が置かれる支持部材、及び前記ハウジングへプラズマを供給するプラズマ供給器を含み、プラズマ工程を遂行することを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の基板処理設備。
【請求項１３】
前記第１バッファチャンバーは、上下に積層される複数のハウジングを含むことを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の基板処理設備。
【請求項１４】
前記基板処理装置に含まれる前記工程モジュールは、複数であり、
前記基板処理装置は、同一な基板処理装置に属し且つ互いに隣接する工程モジュールの間に配置され、前記互いに隣接する工程モジュールの間に前記基板が搬送される空間を提供する第２バッファチャンバーをさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の基板処理設備。
【請求項１５】
前記複数の工程モジュールは夫々、その周囲に配置されたチャンバーの間で前記基板を搬送するトランスファーチャンバー、前記トランスファーチャンバーの周囲に配置され、前記基板に対する処理工程を遂行する工程チャンバー、及び前記移送モジュールと前記トランスファーチャンバーとの間に配置されるロードロックチャンバーを含み、
前記第２バッファチャンバーは、前記互いに隣接する工程モジュールの間に配置されることを特徴とする請求項１４に記載の基板処理設備。
【請求項１６】
基板が収納された容器が搭載されるロードポートと、前記容器から基板を引き出す移送モジュールと、前記移送モジュールの一側に一列に配置される複数の工程モジュールと、互いに隣接する工程モジュールの間に配置されるバッファチャンバーと、を含む基板処理装置を利用する基板処理方法であって、
移送モジュールが前記容器から前記複数の工程モジュールの中で第１工程モジュールへ前記基板を搬送する段階と、
前記第１工程モジュールが処理工程を遂行する段階と、
前記第１工程モジュールから前記第１工程モジュールと前記第１工程モジュールに隣接する第２工程モジュールとの間に配置された第１バッファチャンバーへ前記基板を搬送する段階と、
前記第１バッファチャンバーから前記第２工程モジュールへ前記基板を直接搬送する段階と、
前記第２工程モジュールが処理工程を遂行する段階と、を含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１７】
前記移送モジュールが前記第２工程モジュールから前記容器へ前記基板を搬送する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１６に記載の基板処理方法。
【請求項１８】
前記第２工程モジュールから前記第２工程モジュールと前記第２工程モジュールに隣接する第３工程モジュールとの間に配置された第２バッファチャンバーへ前記基板を搬送する段階と、
前記第２バッファチャンバーから前記第３工程モジュールへ前記基板を直接搬送する段階と、
前記第３工程モジュールが処理工程を遂行する段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項１６に記載の基板処理方法。
【請求項１９】
基板が収納された容器が搭載されるロードポート、前記容器から基板を引き出す移送モジュール及び前記移送モジュールの一側に配置される工程モジュールを各々含み、一列に配置される複数の基板処理装置と、互いに隣接する基板処理装置の間に配置されるバッファチャンバーと、を含む基板処理設備を利用する基板処理方法であって、
前記第１基板処理装置が前記容器から前記基板を引き出す段階と、
前記第１基板処理装置が処理工程を遂行する段階と、
前記第１基板処理装置から、前記第１基板処理装置と前記第１基板処理装置に隣接する第２基板処理装置との間に配置された第１バッファチャンバーへ前記基板を搬送する段階と、
前記第１バッファチャンバーから前記第２基板処理装置へ前記基板を直接搬送する段階と、
前記第２基板処理装置が処理工程を遂行する段階と、を含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項２０】
前記第２基板処理装置が前記容器に前記基板を収納させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項１９に記載の基板処理方法。
【請求項２１】
前記第２基板処理装置から、前記第２基板処理装置と前記第２基板処理装置に隣接する第３基板処理装置との間に配置された第２バッファチャンバーへ前記基板を搬送する段階と、
前記第２バッファチャンバーから前記第３基板処理装置へ前記基板を直接搬送する段階と、
前記第３基板処理装置が処理工程を遂行する段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項１９に記載の基板処理方法。
【請求項２２】
前記バッファチャンバーが前記基板を回転させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項１６乃至請求項２１のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項２３】
前記バッファチャンバーが前記処理工程の後続工程又は先行工程を遂行する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１６乃至請求項２１のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項２４】
前記バッファチャンバーが遂行する工程は、前記工程で発生して前記基板に残留する異物質を除去する工程であることを特徴とする請求項２３に記載の基板処理方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２０１３−３３９６５（Ｐ２０１３−３３９６５Ａ）
【公開日】平成２５年２月１４日（２０１３．２．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−１６６６８３（Ｐ２０１２−１６６６８３）
【出願日】平成２４年７月２７日（２０１２．７．２７）
【出願人】（５００３７６４４９）セメス株式会社 (61)
【氏名又は名称原語表記】ＳＥＭＥＳ ＣＯ．， Ｌｔｄ
【住所又は居所原語表記】２７８， Ｍｏｓｉ−ｒｉ， Ｊｉｋｓａｎ−ｅｕｐ， Ｓｅｏｂｕｋ−ｇｕ， Ｃｈｅｏｎａｎ−ｓｉ， Ｃｈｕｎｇｃｈｅｏｎｇｎａｍ−ｄｏ ３３０−２９０， Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年２月１４日（２０１３．２．１４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年７月２７日（２０１２．７．２７）
【出願人】（５００３７６４４９）セメス株式会社 (61)
【氏名又は名称原語表記】ＳＥＭＥＳ ＣＯ．， Ｌｔｄ
【住所又は居所原語表記】２７８， Ｍｏｓｉ−ｒｉ， Ｊｉｋｓａｎ−ｅｕｐ， Ｓｅｏｂｕｋ−ｇｕ， Ｃｈｅｏｎａｎ−ｓｉ， Ｃｈｕｎｇｃｈｅｏｎｇｎａｍ−ｄｏ ３３０−２９０， Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
【Ｆターム（参考）】
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