弾性波装置及びその製造方法
【課題】蓋部のパターンの有効利用を図ることができる弾性波装置を提供する。
【解決手段】ＳＡＷ装置１は、基板３と、基板３の第１主面３ａに設けられたＳＡＷ素子１１と、カバー５とを有する。カバー５は、ＳＡＷ素子１１を囲む枠部１５と、枠部１５に積層され、枠部１５の開口を塞ぐ蓋部１７とを有している。蓋部１７には、枠部１５の上面を露出させる溝が形成されている。
【解決手段】ＳＡＷ装置１は、基板３と、基板３の第１主面３ａに設けられたＳＡＷ素子１１と、カバー５とを有する。カバー５は、ＳＡＷ素子１１を囲む枠部１５と、枠部１５に積層され、枠部１５の開口を塞ぐ蓋部１７とを有している。蓋部１７には、枠部１５の上面を露出させる溝が形成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）装置や圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ：Ｆｉｌｍ Ｂｕｌｋ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）等の弾性波装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板と、基板の主面上に設けられた弾性波素子と、弾性波素子を封止するカバーとを有する弾性波装置が知られている（例えば特許文献１）。カバーは、基板上において弾性波素子に被せられた箱状に形成されている。弾性波素子の周囲には、カバーにより、弾性波の伝搬を容易化するための振動空間が形成されている。
【０００３】
特許文献１では、カバーは、２層の樹脂層から形成されている。具体的には、まず、基板に１層目の樹脂層を積層し、その樹脂層を枠状にパターニングして枠部を形成する。次に、枠部に２層目の樹脂層を積層し、蓋部を形成する。枠部の開口は蓋部により塞がれ、振動空間が形成される。
【０００４】
なお、基板上には、弾性波素子に接続された端子が立てて設けられており、当該端子は、枠部及び蓋部を貫通している。枠部及び蓋部における、端子が貫通する孔部は、１層目及び２層目の樹脂層に対するパターニングにより形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−１３５９７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１の技術は、カバーを弾性波素子に被せられた箱状に形成することに捉われている。すなわち、枠部と蓋部とで別個にパターニングが行われる点を振動空間の形成にしか利用できていない。従って、特許文献１では、例えば、クラックが発生しにくい形状のカバーや防水性の高い形状のカバーについての開示はない。
【０００７】
本発明の目的は、蓋部のパターンの有効利用を図ることができる弾性波装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の観点の弾性波装置は、基板と、前記基板の主面に設けられた弾性波素子と、前記弾性波素子を囲む枠部と、前記枠部に積層され、前記枠部の開口を塞ぐ蓋部とを有するカバーと、を有し、前記蓋部には、溝が形成されている。
【０００９】
本発明の第２の観点の弾性波装置は、基板と、前記基板の主面に設けられた弾性波素子と、前記弾性波素子を囲む枠部と、前記主面に立てて設けられ、前記枠部を貫通する端子と、前記枠部に積層され、前記枠部の開口を塞ぐ蓋部と、を有し、前記端子は前記枠部の開口を囲んで複数設けられ、平面視において、前記蓋部の外縁は、前記枠部の開口の外周側、且つ、前記複数の端子の内周側に位置している。
【００１０】
本発明の弾性波装置の製造方法は、基板の主面に弾性波素子を設ける工程と、前記弾性波素子を囲む枠部を設ける工程と、前記枠部に積層され、前記枠部の開口を塞ぐ蓋部構成層を設ける工程と、前記蓋部構成層をパターニングして、前記枠部の上面を露出させる溝を形成する工程と、を有する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、蓋部のパターンの有効利用を図ることができ、カバーをクラックが発生しにくい形状としたり、防水性の高い形状としたりすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷ装置の外観斜視図である。
【図２】一部を破断して示す図１のＳＡＷ装置の概略斜視図である。
【図３】（ａ）から図３（ｄ）は、図１のＳＡＷ装置の製造方法を説明する、図１のＶ−Ｖ線における断面図である。
【図４】（ａ）から図４（ｃ）は、図３（ｄ）の続きを示す断面図である。
【図５】（ａ）から図５（ｃ）は、図４（ｃ）の続きを示す断面図である。
【図６】第２の実施形態に係るＳＡＷ装置の外観斜視図である。
【図７】一部を破断して示す図６のＳＡＷ装置の概略斜視図である。
【図８】（ａ）〜図８（ｃ）は、図６のＳＡＷ装置の製造方法を説明する、図６のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線における断面図である。
【図９】第３の実施形態のＳＡＷ装置の外観斜視図である。
【図１０】第４の実施形態のＳＡＷ装置の外観斜視図である。
【図１１】第５の実施形態のＳＡＷ装置の一部を示す外観斜視図である。
【図１２】第６の実施形態に係るＳＡＷ装置における、図５（ｃ）に対応する断面図である。
【図１３】第７の実施形態に係るＳＡＷ装置における、図５（ｃ）に対応する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態に係る弾性表面波装置（ＳＡＷ装置）について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。また、第２の実施形態以降において、既に説明された実施形態と同一又は類似する構成については、既に説明された実施形態と同一の符号を付すことがあり、また、説明を省略することがある。
【００１４】
＜第１の実施形態＞
（ＳＡＷ装置の構成）
図１は、本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷ装置１の外観斜視図である。
【００１５】
ＳＡＷ装置１は、いわゆるウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ）形のＳＡＷ装置により構成されている。ＳＡＷ装置１は、基板３と、基板３に固定されたカバー５と、カバー５から露出する第１端子７Ａ〜第６端子７Ｆ（以下、これらを区別せずに、単に「端子７」ということがある。）とを有している。
【００１６】
ＳＡＷ装置１は、複数の端子７のいずれかを介して信号の入力がなされる。入力された信号は、ＳＡＷ装置１によりフィルタリングされる。そして、ＳＡＷ装置１は、フィルタリングした信号を複数の端子７のいずれかを介して出力する。ＳＡＷ装置１は、例えば、カバー５側の面を不図示の回路基板等の実装面に対向させて当該実装面に載置された状態で樹脂封止されることにより、端子７を実装面上の端子に接続した状態で実装される。
【００１７】
基板３は、圧電基板により構成されている。具体的には、例えば、基板３は、タンタル酸リチウム単結晶，ニオブ酸リチウム単結晶等の圧電性を有する直方体状の単結晶基板である。基板３は、第１主面３ａと、その背面側の第２主面３ｂとを有している。基板３の平面形状は適宜に設定されてよいが、例えば、Ｙ方向を長手方向とする矩形である。基板３の大きさは適宜に設定されてよいが、例えば、厚さは０．２ｍｍ〜０．５ｍｍ、１辺の長さは０．５ｍｍ〜２ｍｍである。
【００１８】
カバー５は、第１主面３ａを覆うように設けられている。カバー５の平面形状は、例えば、基板３の平面形状と同様であり、本実施形態では、Ｙ方向を長手方向とする矩形である。カバー５は、例えば、第１主面３ａと概ね同等の広さを有し、第１主面３ａの概ね全面を覆っている。
【００１９】
複数の端子７は、カバー５の上面（基板３とは反対側の面）から露出している。複数の端子７の数及び配置位置は、ＳＡＷ装置１の内部の電子回路の構成に応じて適宜に設定される。本実施形態では、６つの端子７がカバー５の外周に沿って配列されている。より具体的には、６つの端子７は、カバー５の平面視の長手方向においては一方端、中央及び、他方端の３位置に配置され、カバー５の平面視の短手方向においては両側の２位置に配置されている。
【００２０】
カバー５の上面には溝９が形成されている。溝９は、例えば、カバー５の平面視における長手方向の概ね中央において短手方向（Ｘ方向）に延び、カバー５の平面視における短手方向の中央位置を横切っている。
【００２１】
また、溝９は、カバー５の平面視における長手方向の中央且つ短手方向の両側に配置された第２端子７Ｂと第５端子７Ｅとの間において、第２端子７Ｂと第５端子７Ｅとを結ぶ方向に延びている。換言すれば、溝９は、第２端子７Ｂ又は第５端子７Ｅを起点とする放射方向において延びている。ただし、溝９は、第２端子７Ｂ又は第５端子７Ｅに到達しておらず、第２端子７Ｂ及び第５端子７Ｅの側面はカバー５によって覆われている。
【００２２】
溝９の平面形状は、例えば、長尺の矩形である。ただし、溝９の平面形状は、応力集中を緩和するように角部が面取りされたり、楕円状に形成されたりしていてもよい。溝９の幅は、例えば、端子７の直径以下である。
【００２３】
図２は、カバー５の一部を破断して示すＳＡＷ装置１の斜視図である。
【００２４】
第１主面３ａには、ＳＡＷ素子１１が設けられている。ＳＡＷ素子１１は、ＳＡＷ装置１に入力された信号をフィルタリングするためのものである。ＳＡＷ素子１１は、第１主面３ａに形成された一対の櫛歯状電極（ＩＤＴ電極）１２を有している。各櫛歯状電極１２は、基板３における弾性表面波の伝搬方向（Ｘ方向）に延びるバスバー１２ａと、バスバー１２ａから上記伝搬方向に直交する方向（Ｙ方向）に伸びる複数の電極指１２ｂとを有している。櫛歯状電極１２同士は、それぞれの電極指１２ｂが互いに噛み合うように設けられている。
【００２５】
なお、図２は模式図であることから、数本の電極指１２ｂを有する一対の櫛歯状電極１２を示している。実際には、これよりも多数の電極指を有する複数対の櫛歯状電極が設けられてよい。また、複数のＳＡＷ素子１１が直列接続や並列接続等の方式で接続され、ラダー型ＳＡＷフィルタや２重モードＳＡＷ共振器フィルタ等が構成されてよい。ＳＡＷ素子１１は、例えばＡｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金によって形成されている。
【００２６】
カバー５は、第１主面３ａの平面視においてＳＡＷ素子１１を囲む枠部１５と、枠部１５の開口を塞ぐ蓋部１７とを有している。そして、第１主面３ａ（厳密には後述する保護層２１）、枠部１５及び蓋部１７により囲まれた空間により、ＳＡＷ素子１１の振動を容易化する振動空間Ｓが形成されている。
【００２７】
振動空間Ｓは、例えば、基板３の平面視における長手方向において２つ（図２において１つは蓋部１７により隠れて不図示）設けられている。より具体的には、第１端子７Ａ、第２端子７Ｂ、第５端子７Ｅ及び第４端子７Ｄに囲まれた不図示の振動空間Ｓと、第２端子７Ｂ、第３端子７Ｃ、第６端子７Ｆ及び第５端子７Ｅに囲まれた振動空間Ｓとが設けられている。
【００２８】
枠部１５は、概ね一定の厚さの層に振動空間Ｓとなる開口が形成されることにより構成されている。枠部１５の厚さ（振動空間Ｓの高さ）は、例えば、数μｍ〜３０μｍである。蓋部１７は、枠部１５上に積層される、概ね一定の厚さの層により構成されている。蓋部１７の厚さは、例えば、数μｍ〜３０μｍである。
【００２９】
枠部１５及び蓋部１７は、例えば、感光性の樹脂により形成されている。感光性の樹脂は、例えば、アクリル基やメタクリル基などのラジカル重合により硬化する、ウレタンアクリレート系、ポリエステルアクリレート系、エポキシアクリレート系の樹脂である。
【００３０】
枠部１５及び蓋部１７は、同一の材料により形成されていてもよいし、互いに異なる材料により形成されていてもよい。本願では、説明の便宜上、枠部１５と蓋部１７との境界線を明示しているが、現実の製品においては、枠部１５と蓋部１７とが同一材料により形成され、一体的に形成されていてもよい。
【００３１】
溝９は、蓋部１７において、枠部１５の上面が露出する貫通孔が形成されることにより形成されている。すなわち、溝９の底面は枠部１５の上面により構成され、溝９の側面は蓋部１７により構成されている。
【００３２】
端子７は、第１主面３ａに立てて設けられており、カバー５に形成された貫通孔５ｈを介してカバー５の上面に露出している。具体的には、貫通孔５ｈは、振動空間Ｓの外側において、枠部１５及び蓋部１７を第１主面３ａの面する方向へ貫通している。端子７は、貫通孔５ｈに充填された柱状部７ａと、貫通孔５ｈから露出するランド７ｂとを有している。ランド７ｂは、カバー５の上面に積層されるフランジを有している。
【００３３】
第１主面３ａには、ＳＡＷ素子１１に接続された配線１３と、配線１３に接続された複数のパッド１４（対応する端子７の付加符号Ａ〜Ｆを付すことがある。）とが設けられている。端子７は、パッド１４上に設けられることにより、ＳＡＷ素子１１と接続されている。
【００３４】
（ＳＡＷ装置の製造方法）
図３（ａ）〜図５（ｃ）は、ＳＡＷ装置１の製造方法を説明する、図１のＶ−Ｖ線における断面図である。なお、図２において蓋部１７の破断面はＶ−Ｖ線に対応している。製造工程は、図３（ａ）から図５（ｃ）まで順に進んでいく。
【００３５】
以下に説明する工程は、いわゆるウエハプロセスにおいて実現される。すなわち、分割されることによって基板３となる母基板を対象に、薄膜形成やフォトリソグラフィー法などが行われ、その後、ダイシングされることにより、多数個分のＳＡＷ装置１が並行して形成される。ただし、図３（ａ）〜図５（ｃ）では、１つのＳＡＷ装置１に対応する部分のみを図示する。後述する他の実施形態の製造工程を説明する図も同様である。また、導電層や絶縁層などは、プロセスの進行に伴って形状が変化するが、変化の前後で共通の符号を用いる。
【００３６】
図３（ａ）に示すように、まず、基板３の第１主面３ａ上には、導体層１９が形成される。導体層１９は、ＳＡＷ素子１１、配線１３の少なくとも一部、及び、パッド１４を含む層である。導体層１９は、例えば、Ａｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金により形成されており、その厚さは、例えば、１００〜３００ｎｍである。
【００３７】
具体的には、まず、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の薄膜形成法により、第１主面３ａ上に導体層１９となる金属層が形成される。次に、金属層に対して、縮小投影露光機（ステッパー）とＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）装置とを用いたフォトリソグラフィー法等によりパターニングが行われる。パターニングにより、ＳＡＷ素子１１、配線１３及びパッド１４が形成される。
【００３８】
導体層１９が形成されると、図３（ｂ）に示すように、保護層２１が形成される。保護層２１は、導体層１９の酸化防止等に寄与するものである。保護層２１は、例えば、絶縁性を有するとともに、ＳＡＷの伝搬に影響を与えない程度に質量の軽い材料により形成される。例えば、保護層２１は、酸化珪素（ＳｉＯ２など）、窒化珪素、シリコンなどにより形成されている。保護層２１の厚さは、例えば、導体層１９の厚さの１／１０程度（１０〜３０ｎｍ）、又は、導体層１９の厚さと同等以上（１００ｎｍ〜３００ｎｍ）である。
【００３９】
具体的には、まず、ＣＶＤ法または蒸着法等の薄膜形成法により保護層２１となる薄膜が形成される。次に、導体層１９のうちパッド１４を構成する部分が露出するように、フォトリソグラフィー法によって薄膜の一部が除去される。これにより、保護層２１が形成される。
【００４０】
次に、図３（ｃ）に示すように、枠部１５となる薄膜が形成される。薄膜は、例えば、感光性樹脂により形成されたフィルムが貼り付けられることにより、又は、保護層２１と同様の薄膜形成法により形成される。
【００４１】
枠部１５となる薄膜が形成されると、図３（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィー法等により、薄膜の一部が除去され、枠部１５が形成される。これにより、枠部１５の開口（振動空間Ｓとなる部分）、及び、パッド１４を露出させる貫通孔５ｈの一部が形成される。
【００４２】
枠部１５が形成されると、図４（ａ）に示すように、蓋部１７となる薄膜が形成される。薄膜は、例えば、感光性樹脂のフィルムが貼り付けられることにより形成される。そして、薄膜が形成されることにより、枠部１５の開口が塞がれて、振動空間Ｓが構成される。
【００４３】
蓋部１７となる薄膜が形成されると、図４（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィー法等により、薄膜の一部が除去され、蓋部１７が形成される。これにより、溝９、及び、パッド１４を露出させる貫通孔５ｈが形成される。
【００４４】
蓋部１７が形成されると、図４（ｃ）に示すように、めっき下地層２３が形成される。めっき下地層２３は、カバー５の上面、溝９の内部及び貫通孔５ｈの内部に亘って形成される。めっき下地層２３は、例えば、ＴｉとＣｕとを積層したものからなり、スパッタ法により形成される。
【００４５】
めっき下地層２３が形成されると、図５（ａ）に示すように、レジスト層２５が形成される。レジスト層２５は、貫通孔５ｈ及びその周囲において、めっき下地層２３が露出するように形成される。なお、レジスト層２５は、溝９において、めっき下地層２３を覆っている。レジスト層２５は、例えば、スピンコート等により感光性樹脂の薄膜が形成され、その薄膜がフォトリソグラフィーによりパターニングされることにより形成される。
【００４６】
レジスト層２５が形成されると、図５（ｂ）に示すように、電気めっき処理により、めっき下地層２３の露出部分に金属２７を析出させる。金属２７は、例えば、Ｃｕである。金属２７はカバー５の上面よりも高く析出される。
【００４７】
その後、図５（ｃ）に示すように、めっき下地層２３のレジスト層２５に被覆されていた部分及びレジスト層２５が除去される。これにより、めっき下地層２３及び金属２７からなる端子７が形成される。なお、めっき下地層２３等は、溝９からも除去される。端子７のカバー５からの露出面は、ニッケルや金などにより構成されてもよい。
【００４８】
以上の実施形態によれば、ＳＡＷ装置１は、基板３と、基板３の第１主面３ａに設けられたＳＡＷ素子１１と、カバー５とを有する。カバー５は、ＳＡＷ素子１１を囲む枠部１５と、枠部１５に積層され、枠部１５の開口を塞ぐ蓋部１７とを有している。蓋部１７には、枠部１５の上面を露出させる溝９が形成されている。
【００４９】
従って、蓋部のパターンの有効利用を図ることができる。例えば、カバー５をクラックが発生しにくい形状としたり、防水性の高い形状としたりすることができる。具体的には、以下のとおりである。
【００５０】
発明者の実験では、ＳＡＷ装置において過酷な温度変化を生じさせ、ＳＡＷ装置内の各部の熱膨張差によってクラックを発生させた場合、カバーの上面且つ端子の周囲部分がクラックの起点となり、端子から延びるようにクラックが発生し易いことが確認されている。これは、端子の周囲で応力集中が生じるためと考えられる。なお、各部の熱膨張係数は、例えば、カバー：５５ｐｐｍ／℃、端子：１７ｐｐｍ／℃、基板：３〜７ｐｐｍ／℃である。
【００５１】
一方、本実施形態において、ＳＡＷ装置１は、第１主面３ａに立てて設けられ、カバー５を貫通する端子７を有する。カバー５には、蓋部１７のパターンにより、端子７を起点とする放射方向において延びる溝９が形成されている。従って、クラックが生じやすい位置及び方向に予め溝９を形成しておくことにより、応力集中の発生が抑制され、ひいては、クラックの発生が抑制される。
【００５２】
また、発明者の実験では、概ね端子間に延びるクラックが発生し易いことも確認されている。これは、端子間では応力集中が特に生じやすいためと考えられる。一方、本実施形態において、端子７は複数設けられ、溝９は、複数の端子（７Ｂ、７Ｅ）間の方向において延びている。従って、クラックの発生がより効果的に抑制される。
【００５３】
また、発明者の実験では、カバーを短手方向に横断するように延びるクラックが発生し易いことも確認されている。これは、長手方向においては、短手方向よりも熱膨張差が累積され、応力が大きくなるためと考えられる。一方、本実施形態において、カバー５は、平面視において所定方向（Ｙ方向）に長く形成されており、蓋部１７のパターンにより、当該カバー５を短手方向（Ｘ方向）に横切る溝９が形成されている。従って、クラックの発生がより効果的に抑制される。
【００５４】
本実施形態のＳＡＷ装置１の製造方法は、基板３の第１主面３ａにＳＡＷ素子１１を設ける工程（図３（ａ））と、ＳＡＷ素子１１を囲む枠部１５を設ける工程（図３（ｂ）及び図３（ｃ））と、枠部１５に積層され、枠部１５の開口を塞ぐ蓋部構成層を設ける工程（図４（ａ））と、蓋部構成層をパターニングして、枠部１５の上面を露出させる工程（図４（ｂ））とを有する。従って、上述の好適な形状を有するＳＡＷ装置１を簡便に形成することができる。
【００５５】
＜第２の実施形態＞
図６は、第２の実施形態のＳＡＷ装置１０１の外観斜視図である。図７は、ＳＡＷ装置１０１のカバー１０５の一部を破断して示すＳＡＷ装置１０１の斜視図である。
【００５６】
第２の実施形態は、蓋部１１７（カバー１０５）の形状、第２端子１０７Ｂ及び第５端子１０７Ｅ（以下、単に「端子１０７」ということがある。）の形状が、第１の実施形態と相違する。その他の構成については、第２の実施形態は、概ね、第１の実施形態と同様である。
【００５７】
蓋部１１７には、第１の実施形態の蓋部１７と同様に、溝１０９が形成されている。溝１０９は、溝９と同様に、第２端子１０７Ｂ及び第５端子１０７Ｅ間の方向において延び、また、カバー５をその短手方向に横切っている。
【００５８】
しかし、溝１０９は、蓋部１１７を完全に横断しており、蓋部１１７を、基板３の平面視における長手方向（Ｙ方向）において、第１分割蓋部１１８Ａと、第２分割蓋部１１８Ｂとに分割している（以下、単に「分割蓋部１１８」ということがある。）。また、端子１０７は、溝１０９により、枠部１５よりも上方側の部分が露出している。
【００５９】
端子１０７は、フランジ状部分が形成されていない点が端子７と相違する。なお、図７では、端子１０７の径が端子７のフランジ状部分の径と同等に設定されている場合を例示している。ただし、端子１０７の径は、端子７の柱状部７ａと同等の径に設定されるなどしてもよい。
【００６０】
図８（ａ）〜図８（ｃ）は、ＳＡＷ装置１の製造方法を説明する、図６のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線における断面図である。なお、図７において枠部１５の破断面はＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に対応している。
【００６１】
ＳＡＷ装置１０１の製造方法は、めっき下地層２３の形成までは、溝１０９の形状及び大きさが溝９の形状及び大きさとことなる以外は、第１の実施形態（図３（ａ）〜図４（ｃ））と同様であり、説明を省略する。
【００６２】
めっき下地層２３が形成されると、図８（ａ）に示すように、第１の実施形態（図５（ａ））と同様に、レジスト層２５が形成される。ただし、第２の実施形態においては、レジスト層２５は、溝１０９の内部において一部が除去されている。具体的には、レジスト層２５は、端子１０７に対応するパッド１４上に貫通孔が形成されている。なお、溝１０９の側面は、レジスト層２５により覆われている。
【００６３】
レジスト層２５が形成されると、図８（ｂ）に示すように、第１の実施形態（図５（ｂ））と同様に、金属２７が析出される。その後、図８（ｃ）に示すように、第１の実施形態（図５（ｃ））と同様に、めっき下地層２３のレジスト層２５に被覆されていた部分及びレジスト層２５が除去される。
【００６４】
これにより、端子７及び端子１０７が形成される。端子１０７は、溝１０９内に配置されたレジスト層２５の孔内において形成されるから、レジスト層２５が除去されると、枠部１５よりも上方側の部分の全体が、溝１０９内において露出する。
【００６５】
以上の第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果が得られる。すなわち、カバー５をクラックが発生しにくい形状にするなど、蓋部のパターンの有効利用を図ることができる。
【００６６】
また、端子１０７は、蓋部１１７のパターンにより、枠部１５よりも上方側部分の全体が露出している。従って、端子１０７の周囲においては、クラックの起点となり易い、蓋部の上面且つ端子の周囲部分が存在しない。その結果、クラックの発生が効果的に抑制される。
【００６７】
カバー１０５は、蓋部１１７のパターンにより、蓋部１１７が２以上に分割されている。従って、蓋部１１７全体に亘って熱膨張差が累積されて大きな応力が生じることが抑制される。また、例えば、溝１０９を更に深くして、枠部１５も分割してしまうような場合には、基板３と枠部１５との合せ目（枠部１５の外縁の長さ）が増加し、基板３と枠部１５との合せ目からの水分の侵入の可能性が高くなるが、そのようなおそれもない。
【００６８】
＜第３の実施形態＞
図９は、第３の実施形態のＳＡＷ装置２０１の外観斜視図である。
【００６９】
第３の実施形態は、蓋部２１７（カバー２０５）の形状及び端子１０７の形状が、第１の実施形態と相違する。その他の構成については、第３の実施形態は、概ね、第１の実施形態と同様である。なお、端子１０７は、第２の実施形態の端子１０７と同様の構成である。
【００７０】
蓋部２１７は、第２の実施形態と同様に、基板３の長手方向（Ｙ方向）において溝２０９により分割されており、第１分割蓋部２１８Ａ及び第２分割蓋部２１８Ｂ（以下、単に「分割蓋部２１８」ということがある。）を有している。
【００７１】
分割蓋部２１８は、第２の実施形態の分割蓋部１１８と同様に、それぞれ、枠部１５の開口を塞ぎ、振動空間Ｓ（図９では不図示）を構成している。換言すれば、分割蓋部２１８の外縁は、枠部１５の開口の外周側に位置している。
【００７２】
しかし、分割蓋部２１８（の外縁）は、複数の端子１０７の内周側に位置している。具体的には、第１分割蓋部２１８Ａは、第１端子１０７Ａ、第２端子１０７Ｂ、第５端子１０７Ｅ及び第４端子１０７Ｄの内周側に位置している。また、第２分割蓋部２１８Ｂは、第２端子１０７Ｂ、第３端子１０７Ｃ、第６端子１０７Ｆ及び第５端子１０７Ｅの内周側に位置している。蓋部２１７全体が第１端子１０７Ａ〜第６端子１０７Ｆの内周側に位置していると捉えることもできる。
【００７３】
以上の第３の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果が得られる。すなわち、カバー５をクラックが発生しにくい形状にするなど、蓋部のパターンの有効利用を図ることができる。また、第２の実施形態と同様に、溝２０９により、クラック発生抑制や防水性向上の効果が奏される。
【００７４】
さらに、ＳＡＷ装置２０１において、端子１０７は、枠部１５の開口を囲んで複数設けられ、平面視において、分割蓋部２１８の外縁は、枠部１５の開口の外周側、且つ、複数の端子１０７の内周側に位置している。
【００７５】
換言すれば、第２の実施形態では、概ね、振動空間Ｓを形成するのに必要最小限の範囲で蓋部２１７（分割蓋部２１８）が形成されている。従って、蓋部２１７における熱膨張差の累積が抑制され、クラックの発生が効果的に抑制される。
【００７６】
＜第４の実施形態＞
図１０は、第４の実施形態のＳＡＷ装置３０１の外観斜視図である。
【００７７】
第４の実施形態は、蓋部３１７（カバー３０５）の形状及び端子１０７の形状が、第１の実施形態と相違する。その他の構成については、第４の実施形態は、概ね、第１の実施形態と同様である。
【００７８】
蓋部３１７は、第１の実施形態の溝９に代えて、複数の溝３０９が形成されている。溝３０９は、端子７から蓋部３１７の外側に向かって延びている。具体的には、例えば、溝３０９は、複数の端子７のうち、蓋部３１７の角部に位置する端子７（７Ａ、７Ｃ、７Ｄ、７Ｆ）に対応して設けられている。そして、溝３０９は、端子７から蓋部３１７の外縁の頂点に向かって延びている。
【００７９】
なお、端子１０７は、第２の実施形態の端子１０７と同様の構成である。ただし、第４の実施形態の端子は、第１の実施形態の端子７と同様の構成とされてもよいし、溝３０９と接しない位置においてのみフランジを有する構成とされてもよい。
【００８０】
以上の第４の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果が得られる。すなわち、カバー５をクラックが発生しにくい形状にするなど、蓋部のパターンの有効利用を図ることができる。また、溝３０９は、端子１０７を起点とする放射方向において延びていることから、第１の実施形態と同様に、端子を起点とするクラックの発生を効果的に抑制できる。
【００８１】
発明者の実験では、端子からカバーの外側へ延びるクラックが発生し易いことが確認されている。これは、上述のように端子がクラックの起点となり易いことに加え、外縁においては応力の逃げ場がないためと考えられる。一方、本実施形態において、溝３０９は、端子１０７側から蓋部の外側への方向において延びている。従って、クラックの発生がより効果的に抑制される。なお、第２及び第３の実施形態の溝１０９及び２０９は、端子１０７から蓋部の外側へ延びる溝を含んでいる。
＜第５の実施形態＞
図１１は、第５の実施形態のＳＡＷ装置４０１の一部を示す外観斜視図である。
【００８２】
第５の実施形態は、蓋部４１７（カバー４０５）の形状が、第１の実施形態と相違する。その他の構成については、第５の実施形態は、概ね、第１の実施形態と同様である。
【００８３】
蓋部４１７は、第１の実施形態の溝９に代えて、複数の溝４０９（図１１では一つのみ示す。）が形成されている。複数の溝４０９は、複数の端子７に対応して設けられ、本実施形態では６個設けられている。各溝４０９は、端子７を囲むように延びている。溝４０９の平面形状は、例えば、円形である。
【００８４】
以上の第４の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果が得られる。すなわち、カバー５をクラックが発生しにくい形状にするなど、蓋部のパターンの有効利用を図ることができる。また、溝４０９は端子７を囲むように延びていることから、端子を起点とするクラックの発生を効果的に抑制できる。
【００８５】
＜第６の実施形態＞
図１２は、第６の実施形態に係るＳＡＷ装置５０１における、図５（ｃ）に対応する断面図である。
【００８６】
ＳＡＷ装置５０１は、めっき下地層２３が溝９において除去されずに残っている点のみが第１の実施形態と相違する。当該実施形態によれば、めっき下地層２３により、溝９内における枠部１５と蓋部１７との合せ目を塞ぎ、防水性を向上させることができる。さらに、第１の実施形態の製造方法において、溝９内のめっき下地層２３を残すようにするだけで、防水性の向上が図られる。
【００８７】
なお、図５（ａ）に対応する工程において、溝９内のレジスト層２５を除去し、図５（ｂ）に対応する工程において、溝９内において金属２７を析出させ、その後、レジスト層２５と、レジスト層２５に覆われているめっき下地層２３を除去してもよい。すなわち、溝９内に、めっき下地層２３及び金属２７を配置してもよい。この場合にも、第１の実施形態と概ね同様の製造方法により、溝９における防水性の向上を図ることができる。
【００８８】
＜第７の実施形態＞
図１３は、第７の実施形態に係るＳＡＷ装置６０１における、図５（ｃ）に対応する断面図である。
【００８９】
ＳＡＷ装置６０１は、カバー５を覆う絶縁膜６２９を有している点のみが第１の実施形態と相違する。
【００９０】
絶縁膜６２９は、例えば、カバー５の上面及び側面に亘って設けられている。また、絶縁膜６２９は、溝９内に設けられるとともに、貫通孔５ｈの側面に設けられている。なお、貫通孔５ｈの側面において、絶縁膜６２９にはめっき下地層２３が積層されている。絶縁膜６２９の厚さは、蓋部１７の厚さよりも薄く、例えば、５００ｎｍ〜２μｍである。
【００９１】
絶縁膜６２９は、例えば、カバー５の材料よりも遮水性の高い材料により形成されている。絶縁膜６２９の材料は、例えば、一般に、有機材料（カバー５を構成する樹脂）よりも遮水性の高い無機材料である。このような材料としては、例えば、酸化珪素（ＳｉＯ２など）、窒化珪素、シリコンが挙げられる。絶縁膜６２９の材料は、保護層２１の材料と同一材料であることが好ましい。
【００９２】
ＳＡＷ装置６０１は、例えば、第１の実施形態の製造方法において、めっき下地層２３を形成する工程（図４（ｃ））の前に、絶縁膜６２９を形成する工程を追加することにより、製造される。
【００９３】
絶縁膜６２９は、例えば、ＣＶＤ法または蒸着法等の薄膜形成法により薄膜が形成され、薄膜のうち、パッド１４上の部分がフォトリソグラフィー法によって除去されることにより、形成される。
【００９４】
以上の第７の実施形態によれば、絶縁膜６２９により溝９における防水性を向上させることができる。また、カバー５の側面における枠部１５と蓋部１７との合せ目における防水性の向上、カバー５の外縁と保護層２１との合せ目における防水性の向上などを図ることもできる。
【００９５】
本発明は、以上の実施形態及び変形例に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
【００９６】
弾性波装置は、ＳＡＷ装置に限定されない。例えば、弾性波装置は、圧電薄膜共振器であってもよい。
【００９７】
弾性波装置において、保護層（２１）は省略されてもよいし、逆に、他の適宜な層などが形成されてもよい。例えば、絶縁層を介して導体層１９と立体交差する導体層、パッド１４と端子７との間に介在する接続強化層、枠部と蓋部との間に形成される導電層、基板のカバーとは反対側の主面に積層される電極又は保護層が設けられてもよい。
【００９８】
振動空間の形状及び数、端子の形状、数、配置位置は、適宜に設定されてよい。端子は、枠部を貫通する柱状のものに限定されない。例えば、基板の主面に設けられた配線（１３）がカバーの外側まで延び、当該配線の端部に柱状の端子が立てられてもよい。
【００９９】
蓋部のパターンにより露出された枠部の上面（凹部の底面など）には、クラックの発生の抑制の観点からは、樹脂（絶縁体）や金属（導体）が配置（充填など）されず、蓋部の上面よりも低く形成されていることが好ましい。ただし、樹脂や弾性波素子とは非接続の金属が配置されてもよい。
【０１００】
また蓋部上に蓋部を補強するための金属層を設けてもよい。蓋部上に金属層を設けることによって外部から大きな圧力が印加された場合であっても蓋部が変形するのを抑制して振動空間が大きく歪むのを防止することができる。このような金属層は例えばＣｕからなり、端子を形成するのと同じプロセスでめっきにより作製することができる。
【０１０１】
第１〜第７の実施形態は適宜に組み合わされてよい。例えば、第１の実施形態の溝９と第４の実施形態の溝３０９とが共に設けられてもよい。
【０１０２】
第１の実施形態等において例示した端子を起点とする放射方向に延びる溝は、端子に接していてもよいし、接していなくてもよい。また、放射方向は、厳密に端子の中心が起点となる必要はない。
【０１０３】
第１の実施形態等において例示した、カバーをその短手方向に横切る溝は、短手方向に平行なものに限定されず、短手方向に斜めに延びるものであってもよい。また、溝は、カバー全体を横切る必要はない。例えば、溝は、カバーの短手方向の中央を通過し、カバーの短手方向の１／３程度に亘って延びていれば、カバーを横切っているといえる。
【０１０４】
第３の実施形態（図９）において例示したように、端子が枠部の開口を囲むように複数設けられ、蓋部の外縁が複数の端子の内周側に位置する場合において、端子は、枠部の開口を挟んで２以上設けられていれば、枠部を囲んで複数設けられているといえる。また、複数の端子が蓋部の外側に位置して蓋部を貫通していなければ、蓋部の外縁が複数の端子の内周側に位置するといえる。換言すれば、複数の端子の内周側に位置する蓋部は、複数の端子を直線で結んだ範囲内に収まるものに限定されない。
【符号の説明】
【０１０５】
１…弾性表面波装置（弾性波装置）、３…基板、３ａ…第１主面（主面）、５…カバー、１１…ＳＡＷ素子、１５…枠部、１７…蓋部。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）装置や圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ：Ｆｉｌｍ Ｂｕｌｋ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）等の弾性波装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板と、基板の主面上に設けられた弾性波素子と、弾性波素子を封止するカバーとを有する弾性波装置が知られている（例えば特許文献１）。カバーは、基板上において弾性波素子に被せられた箱状に形成されている。弾性波素子の周囲には、カバーにより、弾性波の伝搬を容易化するための振動空間が形成されている。
【０００３】
特許文献１では、カバーは、２層の樹脂層から形成されている。具体的には、まず、基板に１層目の樹脂層を積層し、その樹脂層を枠状にパターニングして枠部を形成する。次に、枠部に２層目の樹脂層を積層し、蓋部を形成する。枠部の開口は蓋部により塞がれ、振動空間が形成される。
【０００４】
なお、基板上には、弾性波素子に接続された端子が立てて設けられており、当該端子は、枠部及び蓋部を貫通している。枠部及び蓋部における、端子が貫通する孔部は、１層目及び２層目の樹脂層に対するパターニングにより形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−１３５９７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１の技術は、カバーを弾性波素子に被せられた箱状に形成することに捉われている。すなわち、枠部と蓋部とで別個にパターニングが行われる点を振動空間の形成にしか利用できていない。従って、特許文献１では、例えば、クラックが発生しにくい形状のカバーや防水性の高い形状のカバーについての開示はない。
【０００７】
本発明の目的は、蓋部のパターンの有効利用を図ることができる弾性波装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の観点の弾性波装置は、基板と、前記基板の主面に設けられた弾性波素子と、前記弾性波素子を囲む枠部と、前記枠部に積層され、前記枠部の開口を塞ぐ蓋部とを有するカバーと、を有し、前記蓋部には、溝が形成されている。
【０００９】
本発明の第２の観点の弾性波装置は、基板と、前記基板の主面に設けられた弾性波素子と、前記弾性波素子を囲む枠部と、前記主面に立てて設けられ、前記枠部を貫通する端子と、前記枠部に積層され、前記枠部の開口を塞ぐ蓋部と、を有し、前記端子は前記枠部の開口を囲んで複数設けられ、平面視において、前記蓋部の外縁は、前記枠部の開口の外周側、且つ、前記複数の端子の内周側に位置している。
【００１０】
本発明の弾性波装置の製造方法は、基板の主面に弾性波素子を設ける工程と、前記弾性波素子を囲む枠部を設ける工程と、前記枠部に積層され、前記枠部の開口を塞ぐ蓋部構成層を設ける工程と、前記蓋部構成層をパターニングして、前記枠部の上面を露出させる溝を形成する工程と、を有する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、蓋部のパターンの有効利用を図ることができ、カバーをクラックが発生しにくい形状としたり、防水性の高い形状としたりすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷ装置の外観斜視図である。
【図２】一部を破断して示す図１のＳＡＷ装置の概略斜視図である。
【図３】（ａ）から図３（ｄ）は、図１のＳＡＷ装置の製造方法を説明する、図１のＶ−Ｖ線における断面図である。
【図４】（ａ）から図４（ｃ）は、図３（ｄ）の続きを示す断面図である。
【図５】（ａ）から図５（ｃ）は、図４（ｃ）の続きを示す断面図である。
【図６】第２の実施形態に係るＳＡＷ装置の外観斜視図である。
【図７】一部を破断して示す図６のＳＡＷ装置の概略斜視図である。
【図８】（ａ）〜図８（ｃ）は、図６のＳＡＷ装置の製造方法を説明する、図６のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線における断面図である。
【図９】第３の実施形態のＳＡＷ装置の外観斜視図である。
【図１０】第４の実施形態のＳＡＷ装置の外観斜視図である。
【図１１】第５の実施形態のＳＡＷ装置の一部を示す外観斜視図である。
【図１２】第６の実施形態に係るＳＡＷ装置における、図５（ｃ）に対応する断面図である。
【図１３】第７の実施形態に係るＳＡＷ装置における、図５（ｃ）に対応する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態に係る弾性表面波装置（ＳＡＷ装置）について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。また、第２の実施形態以降において、既に説明された実施形態と同一又は類似する構成については、既に説明された実施形態と同一の符号を付すことがあり、また、説明を省略することがある。
【００１４】
＜第１の実施形態＞
（ＳＡＷ装置の構成）
図１は、本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷ装置１の外観斜視図である。
【００１５】
ＳＡＷ装置１は、いわゆるウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ）形のＳＡＷ装置により構成されている。ＳＡＷ装置１は、基板３と、基板３に固定されたカバー５と、カバー５から露出する第１端子７Ａ〜第６端子７Ｆ（以下、これらを区別せずに、単に「端子７」ということがある。）とを有している。
【００１６】
ＳＡＷ装置１は、複数の端子７のいずれかを介して信号の入力がなされる。入力された信号は、ＳＡＷ装置１によりフィルタリングされる。そして、ＳＡＷ装置１は、フィルタリングした信号を複数の端子７のいずれかを介して出力する。ＳＡＷ装置１は、例えば、カバー５側の面を不図示の回路基板等の実装面に対向させて当該実装面に載置された状態で樹脂封止されることにより、端子７を実装面上の端子に接続した状態で実装される。
【００１７】
基板３は、圧電基板により構成されている。具体的には、例えば、基板３は、タンタル酸リチウム単結晶，ニオブ酸リチウム単結晶等の圧電性を有する直方体状の単結晶基板である。基板３は、第１主面３ａと、その背面側の第２主面３ｂとを有している。基板３の平面形状は適宜に設定されてよいが、例えば、Ｙ方向を長手方向とする矩形である。基板３の大きさは適宜に設定されてよいが、例えば、厚さは０．２ｍｍ〜０．５ｍｍ、１辺の長さは０．５ｍｍ〜２ｍｍである。
【００１８】
カバー５は、第１主面３ａを覆うように設けられている。カバー５の平面形状は、例えば、基板３の平面形状と同様であり、本実施形態では、Ｙ方向を長手方向とする矩形である。カバー５は、例えば、第１主面３ａと概ね同等の広さを有し、第１主面３ａの概ね全面を覆っている。
【００１９】
複数の端子７は、カバー５の上面（基板３とは反対側の面）から露出している。複数の端子７の数及び配置位置は、ＳＡＷ装置１の内部の電子回路の構成に応じて適宜に設定される。本実施形態では、６つの端子７がカバー５の外周に沿って配列されている。より具体的には、６つの端子７は、カバー５の平面視の長手方向においては一方端、中央及び、他方端の３位置に配置され、カバー５の平面視の短手方向においては両側の２位置に配置されている。
【００２０】
カバー５の上面には溝９が形成されている。溝９は、例えば、カバー５の平面視における長手方向の概ね中央において短手方向（Ｘ方向）に延び、カバー５の平面視における短手方向の中央位置を横切っている。
【００２１】
また、溝９は、カバー５の平面視における長手方向の中央且つ短手方向の両側に配置された第２端子７Ｂと第５端子７Ｅとの間において、第２端子７Ｂと第５端子７Ｅとを結ぶ方向に延びている。換言すれば、溝９は、第２端子７Ｂ又は第５端子７Ｅを起点とする放射方向において延びている。ただし、溝９は、第２端子７Ｂ又は第５端子７Ｅに到達しておらず、第２端子７Ｂ及び第５端子７Ｅの側面はカバー５によって覆われている。
【００２２】
溝９の平面形状は、例えば、長尺の矩形である。ただし、溝９の平面形状は、応力集中を緩和するように角部が面取りされたり、楕円状に形成されたりしていてもよい。溝９の幅は、例えば、端子７の直径以下である。
【００２３】
図２は、カバー５の一部を破断して示すＳＡＷ装置１の斜視図である。
【００２４】
第１主面３ａには、ＳＡＷ素子１１が設けられている。ＳＡＷ素子１１は、ＳＡＷ装置１に入力された信号をフィルタリングするためのものである。ＳＡＷ素子１１は、第１主面３ａに形成された一対の櫛歯状電極（ＩＤＴ電極）１２を有している。各櫛歯状電極１２は、基板３における弾性表面波の伝搬方向（Ｘ方向）に延びるバスバー１２ａと、バスバー１２ａから上記伝搬方向に直交する方向（Ｙ方向）に伸びる複数の電極指１２ｂとを有している。櫛歯状電極１２同士は、それぞれの電極指１２ｂが互いに噛み合うように設けられている。
【００２５】
なお、図２は模式図であることから、数本の電極指１２ｂを有する一対の櫛歯状電極１２を示している。実際には、これよりも多数の電極指を有する複数対の櫛歯状電極が設けられてよい。また、複数のＳＡＷ素子１１が直列接続や並列接続等の方式で接続され、ラダー型ＳＡＷフィルタや２重モードＳＡＷ共振器フィルタ等が構成されてよい。ＳＡＷ素子１１は、例えばＡｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金によって形成されている。
【００２６】
カバー５は、第１主面３ａの平面視においてＳＡＷ素子１１を囲む枠部１５と、枠部１５の開口を塞ぐ蓋部１７とを有している。そして、第１主面３ａ（厳密には後述する保護層２１）、枠部１５及び蓋部１７により囲まれた空間により、ＳＡＷ素子１１の振動を容易化する振動空間Ｓが形成されている。
【００２７】
振動空間Ｓは、例えば、基板３の平面視における長手方向において２つ（図２において１つは蓋部１７により隠れて不図示）設けられている。より具体的には、第１端子７Ａ、第２端子７Ｂ、第５端子７Ｅ及び第４端子７Ｄに囲まれた不図示の振動空間Ｓと、第２端子７Ｂ、第３端子７Ｃ、第６端子７Ｆ及び第５端子７Ｅに囲まれた振動空間Ｓとが設けられている。
【００２８】
枠部１５は、概ね一定の厚さの層に振動空間Ｓとなる開口が形成されることにより構成されている。枠部１５の厚さ（振動空間Ｓの高さ）は、例えば、数μｍ〜３０μｍである。蓋部１７は、枠部１５上に積層される、概ね一定の厚さの層により構成されている。蓋部１７の厚さは、例えば、数μｍ〜３０μｍである。
【００２９】
枠部１５及び蓋部１７は、例えば、感光性の樹脂により形成されている。感光性の樹脂は、例えば、アクリル基やメタクリル基などのラジカル重合により硬化する、ウレタンアクリレート系、ポリエステルアクリレート系、エポキシアクリレート系の樹脂である。
【００３０】
枠部１５及び蓋部１７は、同一の材料により形成されていてもよいし、互いに異なる材料により形成されていてもよい。本願では、説明の便宜上、枠部１５と蓋部１７との境界線を明示しているが、現実の製品においては、枠部１５と蓋部１７とが同一材料により形成され、一体的に形成されていてもよい。
【００３１】
溝９は、蓋部１７において、枠部１５の上面が露出する貫通孔が形成されることにより形成されている。すなわち、溝９の底面は枠部１５の上面により構成され、溝９の側面は蓋部１７により構成されている。
【００３２】
端子７は、第１主面３ａに立てて設けられており、カバー５に形成された貫通孔５ｈを介してカバー５の上面に露出している。具体的には、貫通孔５ｈは、振動空間Ｓの外側において、枠部１５及び蓋部１７を第１主面３ａの面する方向へ貫通している。端子７は、貫通孔５ｈに充填された柱状部７ａと、貫通孔５ｈから露出するランド７ｂとを有している。ランド７ｂは、カバー５の上面に積層されるフランジを有している。
【００３３】
第１主面３ａには、ＳＡＷ素子１１に接続された配線１３と、配線１３に接続された複数のパッド１４（対応する端子７の付加符号Ａ〜Ｆを付すことがある。）とが設けられている。端子７は、パッド１４上に設けられることにより、ＳＡＷ素子１１と接続されている。
【００３４】
（ＳＡＷ装置の製造方法）
図３（ａ）〜図５（ｃ）は、ＳＡＷ装置１の製造方法を説明する、図１のＶ−Ｖ線における断面図である。なお、図２において蓋部１７の破断面はＶ−Ｖ線に対応している。製造工程は、図３（ａ）から図５（ｃ）まで順に進んでいく。
【００３５】
以下に説明する工程は、いわゆるウエハプロセスにおいて実現される。すなわち、分割されることによって基板３となる母基板を対象に、薄膜形成やフォトリソグラフィー法などが行われ、その後、ダイシングされることにより、多数個分のＳＡＷ装置１が並行して形成される。ただし、図３（ａ）〜図５（ｃ）では、１つのＳＡＷ装置１に対応する部分のみを図示する。後述する他の実施形態の製造工程を説明する図も同様である。また、導電層や絶縁層などは、プロセスの進行に伴って形状が変化するが、変化の前後で共通の符号を用いる。
【００３６】
図３（ａ）に示すように、まず、基板３の第１主面３ａ上には、導体層１９が形成される。導体層１９は、ＳＡＷ素子１１、配線１３の少なくとも一部、及び、パッド１４を含む層である。導体層１９は、例えば、Ａｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金により形成されており、その厚さは、例えば、１００〜３００ｎｍである。
【００３７】
具体的には、まず、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の薄膜形成法により、第１主面３ａ上に導体層１９となる金属層が形成される。次に、金属層に対して、縮小投影露光機（ステッパー）とＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）装置とを用いたフォトリソグラフィー法等によりパターニングが行われる。パターニングにより、ＳＡＷ素子１１、配線１３及びパッド１４が形成される。
【００３８】
導体層１９が形成されると、図３（ｂ）に示すように、保護層２１が形成される。保護層２１は、導体層１９の酸化防止等に寄与するものである。保護層２１は、例えば、絶縁性を有するとともに、ＳＡＷの伝搬に影響を与えない程度に質量の軽い材料により形成される。例えば、保護層２１は、酸化珪素（ＳｉＯ２など）、窒化珪素、シリコンなどにより形成されている。保護層２１の厚さは、例えば、導体層１９の厚さの１／１０程度（１０〜３０ｎｍ）、又は、導体層１９の厚さと同等以上（１００ｎｍ〜３００ｎｍ）である。
【００３９】
具体的には、まず、ＣＶＤ法または蒸着法等の薄膜形成法により保護層２１となる薄膜が形成される。次に、導体層１９のうちパッド１４を構成する部分が露出するように、フォトリソグラフィー法によって薄膜の一部が除去される。これにより、保護層２１が形成される。
【００４０】
次に、図３（ｃ）に示すように、枠部１５となる薄膜が形成される。薄膜は、例えば、感光性樹脂により形成されたフィルムが貼り付けられることにより、又は、保護層２１と同様の薄膜形成法により形成される。
【００４１】
枠部１５となる薄膜が形成されると、図３（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィー法等により、薄膜の一部が除去され、枠部１５が形成される。これにより、枠部１５の開口（振動空間Ｓとなる部分）、及び、パッド１４を露出させる貫通孔５ｈの一部が形成される。
【００４２】
枠部１５が形成されると、図４（ａ）に示すように、蓋部１７となる薄膜が形成される。薄膜は、例えば、感光性樹脂のフィルムが貼り付けられることにより形成される。そして、薄膜が形成されることにより、枠部１５の開口が塞がれて、振動空間Ｓが構成される。
【００４３】
蓋部１７となる薄膜が形成されると、図４（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィー法等により、薄膜の一部が除去され、蓋部１７が形成される。これにより、溝９、及び、パッド１４を露出させる貫通孔５ｈが形成される。
【００４４】
蓋部１７が形成されると、図４（ｃ）に示すように、めっき下地層２３が形成される。めっき下地層２３は、カバー５の上面、溝９の内部及び貫通孔５ｈの内部に亘って形成される。めっき下地層２３は、例えば、ＴｉとＣｕとを積層したものからなり、スパッタ法により形成される。
【００４５】
めっき下地層２３が形成されると、図５（ａ）に示すように、レジスト層２５が形成される。レジスト層２５は、貫通孔５ｈ及びその周囲において、めっき下地層２３が露出するように形成される。なお、レジスト層２５は、溝９において、めっき下地層２３を覆っている。レジスト層２５は、例えば、スピンコート等により感光性樹脂の薄膜が形成され、その薄膜がフォトリソグラフィーによりパターニングされることにより形成される。
【００４６】
レジスト層２５が形成されると、図５（ｂ）に示すように、電気めっき処理により、めっき下地層２３の露出部分に金属２７を析出させる。金属２７は、例えば、Ｃｕである。金属２７はカバー５の上面よりも高く析出される。
【００４７】
その後、図５（ｃ）に示すように、めっき下地層２３のレジスト層２５に被覆されていた部分及びレジスト層２５が除去される。これにより、めっき下地層２３及び金属２７からなる端子７が形成される。なお、めっき下地層２３等は、溝９からも除去される。端子７のカバー５からの露出面は、ニッケルや金などにより構成されてもよい。
【００４８】
以上の実施形態によれば、ＳＡＷ装置１は、基板３と、基板３の第１主面３ａに設けられたＳＡＷ素子１１と、カバー５とを有する。カバー５は、ＳＡＷ素子１１を囲む枠部１５と、枠部１５に積層され、枠部１５の開口を塞ぐ蓋部１７とを有している。蓋部１７には、枠部１５の上面を露出させる溝９が形成されている。
【００４９】
従って、蓋部のパターンの有効利用を図ることができる。例えば、カバー５をクラックが発生しにくい形状としたり、防水性の高い形状としたりすることができる。具体的には、以下のとおりである。
【００５０】
発明者の実験では、ＳＡＷ装置において過酷な温度変化を生じさせ、ＳＡＷ装置内の各部の熱膨張差によってクラックを発生させた場合、カバーの上面且つ端子の周囲部分がクラックの起点となり、端子から延びるようにクラックが発生し易いことが確認されている。これは、端子の周囲で応力集中が生じるためと考えられる。なお、各部の熱膨張係数は、例えば、カバー：５５ｐｐｍ／℃、端子：１７ｐｐｍ／℃、基板：３〜７ｐｐｍ／℃である。
【００５１】
一方、本実施形態において、ＳＡＷ装置１は、第１主面３ａに立てて設けられ、カバー５を貫通する端子７を有する。カバー５には、蓋部１７のパターンにより、端子７を起点とする放射方向において延びる溝９が形成されている。従って、クラックが生じやすい位置及び方向に予め溝９を形成しておくことにより、応力集中の発生が抑制され、ひいては、クラックの発生が抑制される。
【００５２】
また、発明者の実験では、概ね端子間に延びるクラックが発生し易いことも確認されている。これは、端子間では応力集中が特に生じやすいためと考えられる。一方、本実施形態において、端子７は複数設けられ、溝９は、複数の端子（７Ｂ、７Ｅ）間の方向において延びている。従って、クラックの発生がより効果的に抑制される。
【００５３】
また、発明者の実験では、カバーを短手方向に横断するように延びるクラックが発生し易いことも確認されている。これは、長手方向においては、短手方向よりも熱膨張差が累積され、応力が大きくなるためと考えられる。一方、本実施形態において、カバー５は、平面視において所定方向（Ｙ方向）に長く形成されており、蓋部１７のパターンにより、当該カバー５を短手方向（Ｘ方向）に横切る溝９が形成されている。従って、クラックの発生がより効果的に抑制される。
【００５４】
本実施形態のＳＡＷ装置１の製造方法は、基板３の第１主面３ａにＳＡＷ素子１１を設ける工程（図３（ａ））と、ＳＡＷ素子１１を囲む枠部１５を設ける工程（図３（ｂ）及び図３（ｃ））と、枠部１５に積層され、枠部１５の開口を塞ぐ蓋部構成層を設ける工程（図４（ａ））と、蓋部構成層をパターニングして、枠部１５の上面を露出させる工程（図４（ｂ））とを有する。従って、上述の好適な形状を有するＳＡＷ装置１を簡便に形成することができる。
【００５５】
＜第２の実施形態＞
図６は、第２の実施形態のＳＡＷ装置１０１の外観斜視図である。図７は、ＳＡＷ装置１０１のカバー１０５の一部を破断して示すＳＡＷ装置１０１の斜視図である。
【００５６】
第２の実施形態は、蓋部１１７（カバー１０５）の形状、第２端子１０７Ｂ及び第５端子１０７Ｅ（以下、単に「端子１０７」ということがある。）の形状が、第１の実施形態と相違する。その他の構成については、第２の実施形態は、概ね、第１の実施形態と同様である。
【００５７】
蓋部１１７には、第１の実施形態の蓋部１７と同様に、溝１０９が形成されている。溝１０９は、溝９と同様に、第２端子１０７Ｂ及び第５端子１０７Ｅ間の方向において延び、また、カバー５をその短手方向に横切っている。
【００５８】
しかし、溝１０９は、蓋部１１７を完全に横断しており、蓋部１１７を、基板３の平面視における長手方向（Ｙ方向）において、第１分割蓋部１１８Ａと、第２分割蓋部１１８Ｂとに分割している（以下、単に「分割蓋部１１８」ということがある。）。また、端子１０７は、溝１０９により、枠部１５よりも上方側の部分が露出している。
【００５９】
端子１０７は、フランジ状部分が形成されていない点が端子７と相違する。なお、図７では、端子１０７の径が端子７のフランジ状部分の径と同等に設定されている場合を例示している。ただし、端子１０７の径は、端子７の柱状部７ａと同等の径に設定されるなどしてもよい。
【００６０】
図８（ａ）〜図８（ｃ）は、ＳＡＷ装置１の製造方法を説明する、図６のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線における断面図である。なお、図７において枠部１５の破断面はＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に対応している。
【００６１】
ＳＡＷ装置１０１の製造方法は、めっき下地層２３の形成までは、溝１０９の形状及び大きさが溝９の形状及び大きさとことなる以外は、第１の実施形態（図３（ａ）〜図４（ｃ））と同様であり、説明を省略する。
【００６２】
めっき下地層２３が形成されると、図８（ａ）に示すように、第１の実施形態（図５（ａ））と同様に、レジスト層２５が形成される。ただし、第２の実施形態においては、レジスト層２５は、溝１０９の内部において一部が除去されている。具体的には、レジスト層２５は、端子１０７に対応するパッド１４上に貫通孔が形成されている。なお、溝１０９の側面は、レジスト層２５により覆われている。
【００６３】
レジスト層２５が形成されると、図８（ｂ）に示すように、第１の実施形態（図５（ｂ））と同様に、金属２７が析出される。その後、図８（ｃ）に示すように、第１の実施形態（図５（ｃ））と同様に、めっき下地層２３のレジスト層２５に被覆されていた部分及びレジスト層２５が除去される。
【００６４】
これにより、端子７及び端子１０７が形成される。端子１０７は、溝１０９内に配置されたレジスト層２５の孔内において形成されるから、レジスト層２５が除去されると、枠部１５よりも上方側の部分の全体が、溝１０９内において露出する。
【００６５】
以上の第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果が得られる。すなわち、カバー５をクラックが発生しにくい形状にするなど、蓋部のパターンの有効利用を図ることができる。
【００６６】
また、端子１０７は、蓋部１１７のパターンにより、枠部１５よりも上方側部分の全体が露出している。従って、端子１０７の周囲においては、クラックの起点となり易い、蓋部の上面且つ端子の周囲部分が存在しない。その結果、クラックの発生が効果的に抑制される。
【００６７】
カバー１０５は、蓋部１１７のパターンにより、蓋部１１７が２以上に分割されている。従って、蓋部１１７全体に亘って熱膨張差が累積されて大きな応力が生じることが抑制される。また、例えば、溝１０９を更に深くして、枠部１５も分割してしまうような場合には、基板３と枠部１５との合せ目（枠部１５の外縁の長さ）が増加し、基板３と枠部１５との合せ目からの水分の侵入の可能性が高くなるが、そのようなおそれもない。
【００６８】
＜第３の実施形態＞
図９は、第３の実施形態のＳＡＷ装置２０１の外観斜視図である。
【００６９】
第３の実施形態は、蓋部２１７（カバー２０５）の形状及び端子１０７の形状が、第１の実施形態と相違する。その他の構成については、第３の実施形態は、概ね、第１の実施形態と同様である。なお、端子１０７は、第２の実施形態の端子１０７と同様の構成である。
【００７０】
蓋部２１７は、第２の実施形態と同様に、基板３の長手方向（Ｙ方向）において溝２０９により分割されており、第１分割蓋部２１８Ａ及び第２分割蓋部２１８Ｂ（以下、単に「分割蓋部２１８」ということがある。）を有している。
【００７１】
分割蓋部２１８は、第２の実施形態の分割蓋部１１８と同様に、それぞれ、枠部１５の開口を塞ぎ、振動空間Ｓ（図９では不図示）を構成している。換言すれば、分割蓋部２１８の外縁は、枠部１５の開口の外周側に位置している。
【００７２】
しかし、分割蓋部２１８（の外縁）は、複数の端子１０７の内周側に位置している。具体的には、第１分割蓋部２１８Ａは、第１端子１０７Ａ、第２端子１０７Ｂ、第５端子１０７Ｅ及び第４端子１０７Ｄの内周側に位置している。また、第２分割蓋部２１８Ｂは、第２端子１０７Ｂ、第３端子１０７Ｃ、第６端子１０７Ｆ及び第５端子１０７Ｅの内周側に位置している。蓋部２１７全体が第１端子１０７Ａ〜第６端子１０７Ｆの内周側に位置していると捉えることもできる。
【００７３】
以上の第３の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果が得られる。すなわち、カバー５をクラックが発生しにくい形状にするなど、蓋部のパターンの有効利用を図ることができる。また、第２の実施形態と同様に、溝２０９により、クラック発生抑制や防水性向上の効果が奏される。
【００７４】
さらに、ＳＡＷ装置２０１において、端子１０７は、枠部１５の開口を囲んで複数設けられ、平面視において、分割蓋部２１８の外縁は、枠部１５の開口の外周側、且つ、複数の端子１０７の内周側に位置している。
【００７５】
換言すれば、第２の実施形態では、概ね、振動空間Ｓを形成するのに必要最小限の範囲で蓋部２１７（分割蓋部２１８）が形成されている。従って、蓋部２１７における熱膨張差の累積が抑制され、クラックの発生が効果的に抑制される。
【００７６】
＜第４の実施形態＞
図１０は、第４の実施形態のＳＡＷ装置３０１の外観斜視図である。
【００７７】
第４の実施形態は、蓋部３１７（カバー３０５）の形状及び端子１０７の形状が、第１の実施形態と相違する。その他の構成については、第４の実施形態は、概ね、第１の実施形態と同様である。
【００７８】
蓋部３１７は、第１の実施形態の溝９に代えて、複数の溝３０９が形成されている。溝３０９は、端子７から蓋部３１７の外側に向かって延びている。具体的には、例えば、溝３０９は、複数の端子７のうち、蓋部３１７の角部に位置する端子７（７Ａ、７Ｃ、７Ｄ、７Ｆ）に対応して設けられている。そして、溝３０９は、端子７から蓋部３１７の外縁の頂点に向かって延びている。
【００７９】
なお、端子１０７は、第２の実施形態の端子１０７と同様の構成である。ただし、第４の実施形態の端子は、第１の実施形態の端子７と同様の構成とされてもよいし、溝３０９と接しない位置においてのみフランジを有する構成とされてもよい。
【００８０】
以上の第４の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果が得られる。すなわち、カバー５をクラックが発生しにくい形状にするなど、蓋部のパターンの有効利用を図ることができる。また、溝３０９は、端子１０７を起点とする放射方向において延びていることから、第１の実施形態と同様に、端子を起点とするクラックの発生を効果的に抑制できる。
【００８１】
発明者の実験では、端子からカバーの外側へ延びるクラックが発生し易いことが確認されている。これは、上述のように端子がクラックの起点となり易いことに加え、外縁においては応力の逃げ場がないためと考えられる。一方、本実施形態において、溝３０９は、端子１０７側から蓋部の外側への方向において延びている。従って、クラックの発生がより効果的に抑制される。なお、第２及び第３の実施形態の溝１０９及び２０９は、端子１０７から蓋部の外側へ延びる溝を含んでいる。
＜第５の実施形態＞
図１１は、第５の実施形態のＳＡＷ装置４０１の一部を示す外観斜視図である。
【００８２】
第５の実施形態は、蓋部４１７（カバー４０５）の形状が、第１の実施形態と相違する。その他の構成については、第５の実施形態は、概ね、第１の実施形態と同様である。
【００８３】
蓋部４１７は、第１の実施形態の溝９に代えて、複数の溝４０９（図１１では一つのみ示す。）が形成されている。複数の溝４０９は、複数の端子７に対応して設けられ、本実施形態では６個設けられている。各溝４０９は、端子７を囲むように延びている。溝４０９の平面形状は、例えば、円形である。
【００８４】
以上の第４の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果が得られる。すなわち、カバー５をクラックが発生しにくい形状にするなど、蓋部のパターンの有効利用を図ることができる。また、溝４０９は端子７を囲むように延びていることから、端子を起点とするクラックの発生を効果的に抑制できる。
【００８５】
＜第６の実施形態＞
図１２は、第６の実施形態に係るＳＡＷ装置５０１における、図５（ｃ）に対応する断面図である。
【００８６】
ＳＡＷ装置５０１は、めっき下地層２３が溝９において除去されずに残っている点のみが第１の実施形態と相違する。当該実施形態によれば、めっき下地層２３により、溝９内における枠部１５と蓋部１７との合せ目を塞ぎ、防水性を向上させることができる。さらに、第１の実施形態の製造方法において、溝９内のめっき下地層２３を残すようにするだけで、防水性の向上が図られる。
【００８７】
なお、図５（ａ）に対応する工程において、溝９内のレジスト層２５を除去し、図５（ｂ）に対応する工程において、溝９内において金属２７を析出させ、その後、レジスト層２５と、レジスト層２５に覆われているめっき下地層２３を除去してもよい。すなわち、溝９内に、めっき下地層２３及び金属２７を配置してもよい。この場合にも、第１の実施形態と概ね同様の製造方法により、溝９における防水性の向上を図ることができる。
【００８８】
＜第７の実施形態＞
図１３は、第７の実施形態に係るＳＡＷ装置６０１における、図５（ｃ）に対応する断面図である。
【００８９】
ＳＡＷ装置６０１は、カバー５を覆う絶縁膜６２９を有している点のみが第１の実施形態と相違する。
【００９０】
絶縁膜６２９は、例えば、カバー５の上面及び側面に亘って設けられている。また、絶縁膜６２９は、溝９内に設けられるとともに、貫通孔５ｈの側面に設けられている。なお、貫通孔５ｈの側面において、絶縁膜６２９にはめっき下地層２３が積層されている。絶縁膜６２９の厚さは、蓋部１７の厚さよりも薄く、例えば、５００ｎｍ〜２μｍである。
【００９１】
絶縁膜６２９は、例えば、カバー５の材料よりも遮水性の高い材料により形成されている。絶縁膜６２９の材料は、例えば、一般に、有機材料（カバー５を構成する樹脂）よりも遮水性の高い無機材料である。このような材料としては、例えば、酸化珪素（ＳｉＯ２など）、窒化珪素、シリコンが挙げられる。絶縁膜６２９の材料は、保護層２１の材料と同一材料であることが好ましい。
【００９２】
ＳＡＷ装置６０１は、例えば、第１の実施形態の製造方法において、めっき下地層２３を形成する工程（図４（ｃ））の前に、絶縁膜６２９を形成する工程を追加することにより、製造される。
【００９３】
絶縁膜６２９は、例えば、ＣＶＤ法または蒸着法等の薄膜形成法により薄膜が形成され、薄膜のうち、パッド１４上の部分がフォトリソグラフィー法によって除去されることにより、形成される。
【００９４】
以上の第７の実施形態によれば、絶縁膜６２９により溝９における防水性を向上させることができる。また、カバー５の側面における枠部１５と蓋部１７との合せ目における防水性の向上、カバー５の外縁と保護層２１との合せ目における防水性の向上などを図ることもできる。
【００９５】
本発明は、以上の実施形態及び変形例に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
【００９６】
弾性波装置は、ＳＡＷ装置に限定されない。例えば、弾性波装置は、圧電薄膜共振器であってもよい。
【００９７】
弾性波装置において、保護層（２１）は省略されてもよいし、逆に、他の適宜な層などが形成されてもよい。例えば、絶縁層を介して導体層１９と立体交差する導体層、パッド１４と端子７との間に介在する接続強化層、枠部と蓋部との間に形成される導電層、基板のカバーとは反対側の主面に積層される電極又は保護層が設けられてもよい。
【００９８】
振動空間の形状及び数、端子の形状、数、配置位置は、適宜に設定されてよい。端子は、枠部を貫通する柱状のものに限定されない。例えば、基板の主面に設けられた配線（１３）がカバーの外側まで延び、当該配線の端部に柱状の端子が立てられてもよい。
【００９９】
蓋部のパターンにより露出された枠部の上面（凹部の底面など）には、クラックの発生の抑制の観点からは、樹脂（絶縁体）や金属（導体）が配置（充填など）されず、蓋部の上面よりも低く形成されていることが好ましい。ただし、樹脂や弾性波素子とは非接続の金属が配置されてもよい。
【０１００】
また蓋部上に蓋部を補強するための金属層を設けてもよい。蓋部上に金属層を設けることによって外部から大きな圧力が印加された場合であっても蓋部が変形するのを抑制して振動空間が大きく歪むのを防止することができる。このような金属層は例えばＣｕからなり、端子を形成するのと同じプロセスでめっきにより作製することができる。
【０１０１】
第１〜第７の実施形態は適宜に組み合わされてよい。例えば、第１の実施形態の溝９と第４の実施形態の溝３０９とが共に設けられてもよい。
【０１０２】
第１の実施形態等において例示した端子を起点とする放射方向に延びる溝は、端子に接していてもよいし、接していなくてもよい。また、放射方向は、厳密に端子の中心が起点となる必要はない。
【０１０３】
第１の実施形態等において例示した、カバーをその短手方向に横切る溝は、短手方向に平行なものに限定されず、短手方向に斜めに延びるものであってもよい。また、溝は、カバー全体を横切る必要はない。例えば、溝は、カバーの短手方向の中央を通過し、カバーの短手方向の１／３程度に亘って延びていれば、カバーを横切っているといえる。
【０１０４】
第３の実施形態（図９）において例示したように、端子が枠部の開口を囲むように複数設けられ、蓋部の外縁が複数の端子の内周側に位置する場合において、端子は、枠部の開口を挟んで２以上設けられていれば、枠部を囲んで複数設けられているといえる。また、複数の端子が蓋部の外側に位置して蓋部を貫通していなければ、蓋部の外縁が複数の端子の内周側に位置するといえる。換言すれば、複数の端子の内周側に位置する蓋部は、複数の端子を直線で結んだ範囲内に収まるものに限定されない。
【符号の説明】
【０１０５】
１…弾性表面波装置（弾性波装置）、３…基板、３ａ…第１主面（主面）、５…カバー、１１…ＳＡＷ素子、１５…枠部、１７…蓋部。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の主面に設けられた弾性波素子と、
前記弾性波素子を囲む枠部と、前記枠部に積層され、前記枠部の開口を塞ぐ蓋部とを有するカバーと、
を有し、
前記蓋部には、溝が設けられている
弾性波装置。
【請求項２】
前記溝は、前記蓋部を厚み方向に貫通している請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項３】
前記主面に立てて設けられ、前記枠部を貫通する端子をさらに有し、
前記溝は、前記端子を起点とする放射方向において延びるように設けられている
請求項１または２に記載の弾性波装置。
【請求項４】
前記端子は複数設けられ、
前記溝は、前記複数の端子のうち隣り合う２つの端子を結ぶ方向に延びている
請求項３に記載の弾性波装置。
【請求項５】
前記溝は、前記端子から前記蓋部の外側への方向において延びている
請求項３に記載の弾性波装置。
【請求項６】
前記主面に立てて設けられ、前記枠部を貫通する端子をさらに有し、
前記溝は、前記端子を囲むように形成されている
請求項１または２に記載の弾性波装置。
【請求項７】
前記主面に立てて設けられ、前記枠部を貫通する端子をさらに有し、
前記端子は、前記溝により、前記枠部よりも上方側部分の全体が露出している
請求項１または２に記載の弾性波装置。
【請求項８】
前記カバーは、平面視において所定方向に長く形成されており、前記溝は、当該カバーをその短手方向に横切るように形成されている
請求項１または２に記載の弾性波装置。
【請求項９】
前記カバーは、前記溝により、前記蓋部が２以上に分割されている
請求項２に記載の弾性波装置。
【請求項１０】
基板と、
前記基板の主面に設けられた弾性波素子と、
前記弾性波素子を囲む枠部と、
前記主面に立てて設けられ、前記枠部を貫通する端子と、
前記枠部に積層され、前記枠部の開口を塞ぐ蓋部と、
を有し、
前記端子は前記枠部の開口を囲んで複数設けられ、
平面視において、前記蓋部の外縁は、前記枠部の開口の外周側、且つ、前記複数の端子の内周側に位置している
弾性波装置。
【請求項１１】
基板の主面に弾性波素子を設ける工程と、
前記弾性波素子を囲む枠部を設ける工程と、
前記枠部に積層され、前記枠部の開口を塞ぐ蓋部構成層を設ける工程と、
前記蓋部構成層をパターニングして、前記枠部の上面を露出させる溝を形成する工程と、
を有する弾性波装置の製造方法。
【請求項１】
基板と、
前記基板の主面に設けられた弾性波素子と、
前記弾性波素子を囲む枠部と、前記枠部に積層され、前記枠部の開口を塞ぐ蓋部とを有するカバーと、
を有し、
前記蓋部には、溝が設けられている
弾性波装置。
【請求項２】
前記溝は、前記蓋部を厚み方向に貫通している請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項３】
前記主面に立てて設けられ、前記枠部を貫通する端子をさらに有し、
前記溝は、前記端子を起点とする放射方向において延びるように設けられている
請求項１または２に記載の弾性波装置。
【請求項４】
前記端子は複数設けられ、
前記溝は、前記複数の端子のうち隣り合う２つの端子を結ぶ方向に延びている
請求項３に記載の弾性波装置。
【請求項５】
前記溝は、前記端子から前記蓋部の外側への方向において延びている
請求項３に記載の弾性波装置。
【請求項６】
前記主面に立てて設けられ、前記枠部を貫通する端子をさらに有し、
前記溝は、前記端子を囲むように形成されている
請求項１または２に記載の弾性波装置。
【請求項７】
前記主面に立てて設けられ、前記枠部を貫通する端子をさらに有し、
前記端子は、前記溝により、前記枠部よりも上方側部分の全体が露出している
請求項１または２に記載の弾性波装置。
【請求項８】
前記カバーは、平面視において所定方向に長く形成されており、前記溝は、当該カバーをその短手方向に横切るように形成されている
請求項１または２に記載の弾性波装置。
【請求項９】
前記カバーは、前記溝により、前記蓋部が２以上に分割されている
請求項２に記載の弾性波装置。
【請求項１０】
基板と、
前記基板の主面に設けられた弾性波素子と、
前記弾性波素子を囲む枠部と、
前記主面に立てて設けられ、前記枠部を貫通する端子と、
前記枠部に積層され、前記枠部の開口を塞ぐ蓋部と、
を有し、
前記端子は前記枠部の開口を囲んで複数設けられ、
平面視において、前記蓋部の外縁は、前記枠部の開口の外周側、且つ、前記複数の端子の内周側に位置している
弾性波装置。
【請求項１１】
基板の主面に弾性波素子を設ける工程と、
前記弾性波素子を囲む枠部を設ける工程と、
前記枠部に積層され、前記枠部の開口を塞ぐ蓋部構成層を設ける工程と、
前記蓋部構成層をパターニングして、前記枠部の上面を露出させる溝を形成する工程と、
を有する弾性波装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２０１１−１３０１５０（Ｐ２０１１−１３０１５０Ａ）
【公開日】平成２３年６月３０日（２０１１．６．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２８６１６４（Ｐ２００９−２８６１６４）
【出願日】平成２１年１２月１７日（２００９．１２．１７）
【出願人】（０００００６６３３）京セラ株式会社 (13,660)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年６月３０日（２０１１．６．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１２月１７日（２００９．１２．１７）
【出願人】（０００００６６３３）京セラ株式会社 (13,660)
【Ｆターム（参考）】
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