有機エレクトロルミネッセンス装置及び有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
【課題】トップエミッション型の構造を採用した場合、陰極に対する補助配線を形成する必要がある。陰極成膜後に精密なアライメントマスク蒸着で形成する方法を用いた場合、電圧降下を抑えることはできるが、精密なアライメントマスク蒸着工程が必要となる課題があった。
【解決手段】基板の一面側に、島状に分離された第１電極を形成する工程と、少なくとも前記第１電極間に、隔壁を形成する工程と、前記隔壁の少なくとも一部と接する、導電性を持つ凸部を形成する工程と、第１の有機機能層を前記隔壁の内側に形成する工程と、第２の有機機能層を前記基板の一面側に、前記凸部の一部を露出させて形成する工程と、光透過性の第２電極を、前記基板の一面側に、前記凸部と接触させて形成する工程と、を備える。凸部の一部を露出させ、光透過性の第２電極と接触させることで、第２電極の等価抵抗値を下げることができる。
【解決手段】基板の一面側に、島状に分離された第１電極を形成する工程と、少なくとも前記第１電極間に、隔壁を形成する工程と、前記隔壁の少なくとも一部と接する、導電性を持つ凸部を形成する工程と、第１の有機機能層を前記隔壁の内側に形成する工程と、第２の有機機能層を前記基板の一面側に、前記凸部の一部を露出させて形成する工程と、光透過性の第２電極を、前記基板の一面側に、前記凸部と接触させて形成する工程と、を備える。凸部の一部を露出させ、光透過性の第２電極と接触させることで、第２電極の等価抵抗値を下げることができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス装置（いわゆる有機ＥＬ装置）の製造において、赤色発光層と緑色発光層とを塗布法で形成し、青色発光層に低分子材料を用い、真空蒸着法を用いて形成する方法が提案されてきている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
真空蒸着法を用いて作製された青色に発光する有機ＥＬ素子を含む有機ＥＬ装置は、塗布法を用いて作製されたものと比較して、その発光寿命が数倍以上長く、実用レベルに達していることが多い点に着目した技術である。インクジェット法と真空蒸着法とを組み合わせることで、実用的な寿命を持つ有機ＥＬ装置を迅速に提供することができる。
【０００４】
また、色純度の向上や光取り出し効率の向上を図るため、有機ＥＬ装置は基板裏面（有機ＥＬ層が無い）側から光を射出する方式（いわゆるボトムエミッション）から、基板表面（有機ＥＬ層が有る）側から光を射出する方式（いわゆるトップエミッション）への切り替えが進められてきている。
トップエミッション型の構造を採用した場合、陰極に対する補助配線を形成する必要がある。これはトップエミッション型に用いられる陰極の厚さが、光を透過させるために薄くなっていることに起因する。陰極の厚さが薄くなることで、電気抵抗は上昇する。そのため、大面積のパネルにおいては電圧降下が生じ、パネル内での輝度分布が乱れ、有機ＥＬ装置としての性能が低下する。補助配線は、陰極の実効的な電気抵抗値を下げ、かつ有機ＥＬ素子からの光を遮らぬよう画素間を這うように精密に形成（配置）する必要がある。補助配線を形成する方法としては、例えば陰極成膜後に精密なアライメントマスク蒸着で形成する方法や、予め基板にフォトリソグラフ工程を用いて補助配線を形成しておき、コンタクトホールを介して陰極と補助配線とを導通させる方法が提案されてきている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−７３５３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、陰極成膜後に精密なアライメントマスク蒸着で形成する方法を用いた場合、電圧降下を抑えることはできるが、精密なアライメントマスク蒸着工程無しで青色発光層が作れるという、この製造方法の長所を失うこととなり、歩留まり、コスト面で不利となる課題があった。
また、予め基板にフォトリソグラフ工程を用いて補助配線を形成しておき、コンタクトホールを介して陰極と補助配線とを導通させる方法では、補助配線を形成する前にコンタクトホールが青色発光層で埋められているため、陰極と補助配線とを導通させることができず陰極の実効的な電気抵抗値を下げることが困難であるという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、以下の形態または適用例として実現され、上述の発明をさらに改善するものである。
なお、以下の形態または適用例において、「上」とは、基板から見て有機ＥＬ素子が配置された方向を示し、「○○上に」と記載された場合、○○の上に接するように配置される場合または○○の上に他の構成物を介して配置される場合、または○○の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。そして「下」とは、「上」の反対方向を表すものとする。
【０００８】
［適用例１］本適用例にかかる有機エレクトロルミネッセンス装置は、基板と、前記基板の一面側に設けられ、島状に分離された第１電極と、前記第１電極を覆う光透過性の第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置された発光層を含む有機機能層と、少なくとも前記第１電極を島状に分離する領域に設けられた、一部の有機機能層を分離する隔壁と、を備える有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記隔壁の少なくとも一部と接する、導電性の凸部が備えられ、前記凸部は、発光に寄与しない有機機能層を貫いており、かつ前記第２電極と前記凸部とが接していることを特徴とする。
【０００９】
これによれば、導電性の凸部を、第２電極と電気的に並列に設けることで、第２電極の等価抵抗値を下げることができる。そのため第２電極内での電圧降下を抑えられることから、発光強度の均一性が高い有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例にかかる有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記隔壁には、前記凸部を埋めるための凹部が設けられていることを特徴とする。
【００１１】
上記した適用例によれば、凸部は、凹部を覆っていることから、機械的に安定する。具体的に言えば、凸部が外れにくい構造となり、信頼性を向上させることができる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例にかかる有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記凹部の底部には、前記凸部同士を電気的に繋げる導体が備えられていることを特徴とする。
【００１３】
上記した適用例によれば、凸部同士を電気的に繋げる導体を備えることで、第２電極から凸部、導体、凸部、第２電極という電流ルートを確保できるため、第２電極の実効的な抵抗値をさらに低抵抗化することができる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例にかかる有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記凹部の底部には、前記凸部同士を電気的に繋げる導体が備えられていることを特徴とする。
【００１５】
上記した適用例によれば、凹部が溝状の形状を備えていることで、溝方向に延在する凹部を凸部が覆うことから、電気的に第２電極と凸部とが並列に設けられることとなり、第２電極の実効的な電気抵抗を低減することができる。
【００１６】
［適用例５］上記適用例にかかる有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記凹部の底部の少なくとも一部と沿い、前記凸部と電気的に繋げられた導体が備えられていることを特徴とする。
【００１７】
上記した適用例によれば、凸部と電気的に繋がる導体を備えることで、第２電極の実効的な抵抗値をさらに低抵抗化することができる。
【００１８】
［適用例６］本適用例にかかる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、基板の一面側に、島状に分離された第１電極を形成する工程と、少なくとも前記第１電極間に、隔壁を形成する工程と、前記隔壁の少なくとも一部と接する、導電性を持つ凸部を形成する工程と、第１の有機機能層を前記隔壁の内側に形成する工程と、第２の有機機能層を前記基板の一面側に、前記凸部の一部を露出させて形成する工程と、光透過性の第２電極を、前記基板の一面側に、前記凸部と接触させて形成する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１９】
これによれば、導電性の凸部を、第２電極と電気的に並列に形成することで、第２電極の等価抵抗値を下げることができる。そのため第２電極内での電圧降下を抑えられることから、発光強度の均一性が高い有機ＥＬ装置を製造することができる。
【００２０】
［適用例７］上記適用例にかかる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、前記隔壁を形成する工程と、前記凹部を形成する工程と、前記凹部内に凸部を形成する工程と、備えることを特徴とする。
【００２１】
上記した適用例によれば、凹部を覆うように凸部を形成することで、凸部は隔壁と噛み合う形状を取るよう形成される。そのため、凸部は、隔壁に対して密着性が高くなることとなり、信頼性を向上させることができる。
【００２２】
［適用例８］上記適用例にかかる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、前記隔壁を形成する工程以前に、前記凸部の底同士を電気的に繋げる配線部を形成する工程をさらに備えることを特徴とする。
【００２３】
上記した適用例によれば、凸部同士を電気的に繋げる導体を形成することで、第２電極から凸部、導体、凸部、第２電極という電流ルートを確保できる。すなわち、この工程を行うことで、第２電極の実効的な抵抗値をさらに低抵抗化することができる。
【００２４】
［適用例９］上記適用例にかかる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、前記凹部を溝状に形成することを特徴とする。
【００２５】
上記した適用例によれば、溝状の形状を備えた凹部を形成することで、溝方向に延在する凹部を凸部が覆うことから、電気的に第２電極と凸部とが並列に設けられることとなり、第２電極の電気抵抗を低減することができる。
【００２６】
［適用例１０］上記適用例にかかる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、前記凹部を溝状に形成することを特徴とする。
【００２７】
上記した適用例によれば、凹部が孔型ではなく、溝状に加工されていることで、溝方向に延在する凹部を凸部が覆うよう凸部を形成することができる。そして、さらに凸部の底を裏打ちする配線層を備えることで、配線層がない場合と比べ、第２電極の電気抵抗を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図２】有機ＥＬ装置の構成を示す平面図。
【図３】トップエミッション型の有機ＥＬ装置の構造を示す断面図。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、凸部の典型的な分布例を示す平面図。
【図５】トップエミッション型の有機ＥＬ装置の構造を示す断面図。
【図６】トップエミッション型の有機ＥＬ装置の構造を示す断面図。
【図７】（ａ）〜（ｄ）は、補助配線を透かせて表示した凸部の配列例を示す平面図。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、トップエミッション型の有機ＥＬ装置の構造を示す平面図。
【図９】トップエミッション型の有機ＥＬ装置の構造を示す平面図。
【図１０】（ａ），（ｂ）は、有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す断面図。
【図１１】（ａ），（ｂ）は、有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す断面図。
【図１２】（ａ），（ｂ）は、有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す断面図。
【図１３】（ａ）〜（ｃ）は、有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す断面図。
【図１４】（ａ），（ｂ）は、有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す断面図。
【図１５】（ａ），（ｂ）は、有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す断面図。
【図１６】（ａ）〜（ｃ）は、有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す断面図。
【図１７】（ａ），（ｂ）は、有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面を用いて説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００３０】
（第１実施形態）
図１は、有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、有機ＥＬ装置の構成を、図１を参照しながら説明する。
【００３１】
図１に示すように、有機ＥＬ装置１１は、複数の走査線１２と、走査線１２に対して交差する方向に延びる複数の信号線１３と、信号線１３に並行に延びる複数の電源線１４とを備えている。そして、走査線１２と信号線１３とにより格子状に区画された領域が画素領域として構成されている。信号線１３は、信号線駆動回路１５に接続されている。また、走査線１２は、走査線駆動回路１６に接続されている。
【００３２】
各画素領域には、走査線１２を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）２１と、このスイッチング用ＴＦＴ２１を介して信号線１３から供給される画素信号を保持する保持容量２２と、保持容量２２によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ２３（以下、「ＴＦＴ素子２３」と称する。）と、が設けられている。更に、各画素領域には、ＴＦＴ素子２３を介して電源線１４に電気的に接続したときに、電源線１４から駆動電流が流れ込む第１電極としての陽極２４と、第２電極としての陰極２５と、この陽極２４と陰極２５との間に挟持された有機機能層としての発光機能層２６とが設けられている。
【００３３】
有機ＥＬ装置１１は、陽極２４と陰極２５と発光機能層２６とにより構成される発光素子２７を複数備えている。また、有機ＥＬ装置１１は、複数の発光素子２７で構成される表示領域を備えている。
【００３４】
この構成によれば、走査線１２が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ２１がオン状態になると、そのときの信号線１３の電位が保持容量２２に保持され、保持容量２２の状態に応じて、ＴＦＴ素子２３のオン・オフ状態が決まる。そして、ＴＦＴ素子２３のチャネルを介して、電源線１４から陽極２４に電流が流れ、更に、発光機能層２６を介して陰極２５に電流が流れる。発光機能層２６は、ここを流れる電流量に応じた輝度で発光する。
【００３５】
図２は、有機ＥＬ装置の構成を示す平面図である。以下、有機ＥＬ装置の構成を、図２を参照しながら説明する。
【００３６】
図２に示すように、有機ＥＬ装置１１は、ガラスなどを用いた基板としての素子基板３１に表示領域３２（図中一点鎖線の内側の領域）と非表示領域３３（一点鎖線の外側の領域）とを有する構成になっている。表示領域３２には、実表示領域３２ａ（二点鎖線の内側の領域）とダミー領域３２ｂ（図中二点鎖線の外側の領域）とが設けられている。
【００３７】
実表示領域３２ａ内には、光が射出されるサブ画素３４（発光領域）がマトリックス状に配列されている。この、サブ画素３４の各々は、スイッチング用ＴＦＴ２１及びＴＦＴ素子２３（図１参照）の動作に伴って、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）各色を発光する構成となっている。
【００３８】
ダミー領域３２ｂには、主として各サブ画素３４を発光させるための回路が設けられている。例えば、走査線駆動回路１６や検査回路３５が配置されている。
【００３９】
素子基板３１の一辺には、フレキシブル基板３６が設けられている。フレキシブル基板３６には、各配線と接続された駆動用ＩＣ３７が備えられている。
【００４０】
図３は、素子基板の上側から光を射出する、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ装置の構造を示す断面図である。以下、有機ＥＬ装置の構造について、図３を参照しながら説明する。なお、図３は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
【００４１】
図３に示すように、有機ＥＬ装置１１ａは、発光領域４２において発光が行われるものであり、素子基板３１と、素子基板３１上に形成された回路素子層４３を備える。そして、回路素子層４３の上には反射層１００、絶縁体層１０２、発光素子層５を有する。素子基板３１としては、例えばガラス基板やシリコン基板が挙げられる。
【００４２】
回路素子層４３には、素子基板３１上にシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）などを用いた下地保護膜４５が形成され、下地保護膜４５上にＴＦＴ素子２３が形成されている。詳しくは、下地保護膜４５上に、ポリシリコン膜を用いた島状の半導体膜４６が形成されている。半導体膜４６には、ソース領域４７及びドレイン領域４８が不純物の導入によって形成されている。そして、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域５１となっている。
【００４３】
更に、回路素子層４３には、下地保護膜４５及び半導体膜４６を覆うシリコン酸化膜などを用いたゲート絶縁膜５２が形成されている。ゲート絶縁膜５２上には、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）などを用いたゲート電極５３（走査線）が形成されている。
【００４４】
ゲート絶縁膜５２及びゲート電極５３上には、第１層間絶縁膜５４、第２層間絶縁膜５５が形成されている。第１層間絶縁膜５４及び第２層間絶縁膜５５は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）、チタン酸化膜（ＴｉＯ2）などから構成されている。ゲート電極５３は、半導体膜４６のチャネル領域５１に対応する位置に設けられている。
【００４５】
半導体膜４６のソース領域４７は、ゲート絶縁膜５２及び第１層間絶縁膜５４を貫通して設けられたコンタクトホール５６を介して、第１層間絶縁膜５４上に形成された信号線１３と電気的に接続されている。一方、ドレイン領域４８は、ゲート絶縁膜５２、第１層間絶縁膜５４、第２層間絶縁膜５５を貫通して設けられたコンタクトホール５７を介して、絶縁体層１０２上に形成された陽極２４（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）と電気的に接続されている。
【００４６】
反射層１００（１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂ）は、例えば、発光領域４２ごとに形成されている。反射層１００は、例えばＡｌ−Ｎｄの反射性金属材料を用い、厚みはおよそ５０ｎｍ〜１００ｎｍである。
【００４７】
陽極２４は、例えば、発光領域４２ごとに形成されている。また、陽極２４は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜などを用いてなり、例えば、平面的に略矩形状の形状を備えている。なお、回路素子層４３には、図示しない保持容量及びスイッチング用のトランジスターが形成されている。また、上記したように、回路素子層４３には、各陽極２４に接続された駆動用のトランジスター（ＴＦＴ素子２３）が形成されている。
【００４８】
陽極２４の周囲には、絶縁層５８及び隔壁（バンク）５９が、平面視で略格子状に設けられている。絶縁層５８としては、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）などの無機材料が挙げられる。絶縁層５８は、隣り合う陽極２４間の絶縁性を確保すると共に、発光領域４２の形状を所望の形状（例えば、トラック形状）にするために、陽極２４の周縁部上に乗り上げるように形成されている。つまり、陽極２４と絶縁層５８とは、平面的に一部が重なるように配置された構造となっている。言い換えれば、絶縁層５８は、発光領域４２を除いた領域に形成されていることになる。
【００４９】
隔壁５９は、例えば、断面が傾斜面を有する台形状であり、発光領域４２（発光素子２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂ）を囲むように形成されている。隔壁５９の材料としては、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂などの耐熱性、耐溶剤性を有する有機材料が挙げられる。
【００５０】
そして、隔壁５９上（頂部）には、銀や銅、炭素などの導電性金属や、有機導電材料（例えばＰＥＤＯＴ）などの導体を含む、１μｍ程度の高さで導電性を備えた突起状の凸部１０１が例えば円柱状に設けられている。発光に寄与しない有機機能層としての発光層６３Ｂの製造工程として、例えば蒸着法を用いた場合に被覆性（いわゆるステップカバレージ）が悪いため、凸部１０１の側面に発光層６３Ｂが被覆されていない領域が発生する。この状態で陰極２５を形成すれば、陰極２５は凸部１０１と直接繋がる（接する）こととなる。このような構造を持つことで、光透過性を向上させるため、１０ｎｍ程度の厚さしか用いることができない陰極２５の実効的な電気抵抗値を低減することが可能となる。
【００５１】
陽極２４上に設けられる各種膜は、各色の発光素子２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂ毎に異なっている。具体的には、赤色発光素子２７Ｒは、隔壁５９によって囲まれた第１陽極としての陽極２４Ｒ上に、正孔注入層６１Ｒ、正孔輸送層６２Ｒ、赤色の発光層６３Ｒが順に設けられている。更に、発光層６３Ｒやその他の領域を覆う、電子注入性を促進させるため（言い換えれば、電荷をスムーズに移動させるため）の中間層６４が設けられている。
【００５２】
緑色発光素子２７Ｇは、隔壁５９によって囲まれた陽極２４Ｇ上に、正孔注入層６１Ｇ、正孔輸送層６２Ｇ、緑色の発光層６３Ｇが、順に設けられている。
【００５３】
正孔注入層６１（６１Ｒ，６１Ｇ）は、導電性高分子材料中にドーパントを含有する導電性高分子層を用いている。このような正孔注入層６１は、例えば、ドーパントとしてポリスチレンスルホン酸を含有する３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）などを用いて構成することができる。
【００５４】
正孔輸送層６２（６２Ｒ，６２Ｇ）の構成材料としては、例えば、下記化１に示すＴＦＢなどのトリフェニルアミン系ポリマーを含んだ材料を用いることができる。
【００５５】
【化１】
【００５６】
発光層６３は、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質の層である。発光層６３の構成材料としては、赤色の発光層６３Ｒであれば、例えば、下記化２に示す材料を用いることができる。緑色の発光層６３Ｇであれば、例えば、下記化３に示す材料を用いることができる。
【００５７】
【化２】
【００５８】
【化３】
【００５９】
中間層６４は、アルカリ金属、またはアルカリ土類金属の酸化物・フッ化物・塩と金属酸化物との積層構造である。本実施形態では、例えば、アルカリ金属塩を用いる。アルカリ金属塩としては、例えば、炭酸セシウム（Ｃｓ2ＣＯ3）が挙げられる。ここでは、中間層６４としての炭酸セシウム層を、蒸着法を用いて形成する。中間層６４の厚みは、例えば、０．５ｎｍである。
【００６０】
青色発光素子２７Ｂは、隔壁５９によって囲まれた第３陽極としての陽極２４Ｂ上、及び、中間層６４上を含む素子基板３１上の全体に、青色の発光層６３Ｂが形成されている。発光層６３Ｂの構成としては、陽極２４Ｂ側から順に、正孔輸送性のα−ＮＰＤ（下記化４）、青色の発光層６３であるＤＰＢＶｉ（下記化５）、及び電子輸送性のＡｌｑ３（下記化６）の積層構造となっている。
【００６１】
【化４】
【００６２】
【化５】
【００６３】
【化６】
【００６４】
発光層６３Ｂ上には、陰極２５が素子基板３１上の全面に成膜されている。陰極２５は、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）及びマグネシウム・銀合金（ＭｇＡｇ）の積層体であり、１０ｎｍ程度の厚みを備えており、発光層６３から射出された光が透過するよう構成されている。
【００６５】
上述した発光層６３は、陽極２４と陰極２５との間に電圧を印加することによって、発光層６３には、陽極２４から正孔が、また、陰極２５から電子が注入される。発光層６３において、これらが結合したときに光を発する。
【００６６】
なお、上記したように、中間層６４を介し、塗布法によって形成された発光層６３（６３Ｒ，６３Ｇ）と、蒸着法によって形成された発光層６３（６３Ｂ）とが積層されているので、電子注入性を促進させることが可能となり、陰極２５からの電子を発光層６３Ｒ，６３Ｇ側にスムーズに移動させることができる。
【００６７】
図４は、凸部の典型的な分布例を示す平面図である。図４（ａ），（ｂ），（ｃ）は、発光素子２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂを集めた画素Ｌｕ外部に凸部１０１を設けている。図４（ａ）は、画素Ｌｕの発光素子２７の長手方向に凸部１０１を設けた例である。図４（ｂ）は、今度は短手方向に凸部１０１を設けた例である。図４（ｃ）は、長手方向と短手方向共に凸部１０１を設けた例である。そして、図４（ｄ）は、発光素子２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂの間にも凸部１０１を設けた例について示している。もちろん、図４に示した凸部１０１の分布は限定されることはなく、凸部１０１の間隔は不均一であってもかまわない。例えば、消費電力が大きいところに集中的に凸部１０１を集中させたり、画面内側（中心部）など、電圧降下が大きいところに凸部１０１を集中させたりしても良い。また、ここでは、凸部１０１を複数設けているが、凸部１０１による電圧降下の緩和は、凸部１０１が一つしかない場合においても現れる。
【００６８】
本実施形態における有機ＥＬ装置は、以下の効果を奏する。
【００６９】
導電性の凸部１０１を、陰極２５と電気的に並列に設けることで、陰極２５の等価抵抗値を下げることができる。そのため陰極２５内での電圧降下を抑えられることから、発光強度の均一性が高い有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００７０】
発光層６３Ｂを介さずに、直接導電性の凸部１０１と陰極２５とを接触させることで、発光層６３Ｂの抵抗値に関わらず、陰極２５内での電圧降下を抑えられることができる。
【００７１】
実表示領域３２ａ（二点鎖線の内側の領域）の周りにダミー領域３２ｂ（図中二点鎖線の外側の領域）を設けることで、周辺部においても発光強度の均一性が高い有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００７２】
銀は体積あたりの抵抗値が、金属の中で最も低い。そのため、導電性の凸部１０１を、銀で形成することで、電気抵抗が低い導電性の凸部１０１を提供することができる。
【００７３】
銅や炭素は体積あたりの抵抗値が低く、さらに価格が銀と比べて安い。そのため、導電性の凸部１０１を、銅や炭素で形成することで、低価格で電気抵抗が低い凸部１０１を得ることができる。
【００７４】
金属などのように溶媒中に分散させたものと比べ、溶質として有機導電材料（例えばＰＥＤＯＴ）を用いた場合、溶媒中に溶け込ませることができる。そのため、インクジェット法を用いて凸部１０１を形成する場合にノズルの詰まりが抑えられ、ノズルの詰まりによる不良の発生を抑えることができる。
【００７５】
（第２実施形態）
以下、第２実施形態について図面を用いて説明する。図５は、素子基板の上側から光を射出する、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ装置の構造を示す断面図である。第１実施形態の主な相違点は、突起状の凸部１１１が隔壁５９に設けられた凹部１１２を覆っていることである。
この場合、凸部１１１の抵抗値がより低下する（導体の面積が増える）ことから、陰極２５の抵抗値をより低減することが可能となる。また、凸部１１１は、凹部１１２を覆っていることから、機械的に安定する。具体的に言えば、外れにくい構造となり、信頼性が向上する。その他の構造的要素は、第１実施形態と同様である。例えば、平面パターンについても上記した図４のパターン及び付加的要素が適用できる。
【００７６】
本実施形態における有機ＥＬ装置は、上述した実施形態の効果に加え、以下の効果を奏する。
【００７７】
凸部１１１の抵抗値が凸部１０１（第１実施形態参照）より低下する（導体の面積が増える）ことから、陰極２５の抵抗値をより低減することができる。
【００７８】
凸部１１１は、凹部１１２を覆っていることから、機械的に安定する。具体的に言えば、凸部１１１は凹部１１２と噛み合うことで外れにくい構造となり、信頼性を向上させることができる。
【００７９】
（第３実施形態）
以下、第３実施形態について図面を用いて説明する。図６は、素子基板の上側から光を射出する、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ装置の構造を示す断面図である。第１実施形態、第２実施形態との主な相違点は、突起状の凸部１２１が隔壁５９に設けられた凹部１２２を覆い、かつ凹部１２２の底には、凸部１２１同士を電気的に繋げる導体として隔壁５９の下側に補助配線１３１が備えられていることである。
補助配線１３１を備えることで、陰極２５から凸部１２１、補助配線１３１、凸部１２１、陰極２５という電流ルートを確保できるため、陰極２５の実効的な抵抗値をさらに低抵抗化することができる。
なお、補助配線１３１は、専用の工程を用いて形成することも好適であるが、陽極２４の層（レイヤー）で形成しても良いし、反射層１００の層（レイヤー）で形成しても良い。図７（ａ）〜（ｄ）は補助配線を透かせて表示した凸部の配列例を示す平面図である。もちろん、図７に示した凸部１２１の分布は限定されることはなく、凸部１２１の間隔は不均一であってもかまわない。例えば、消費電力が大きいところに集中的に凸部１２１を集中させたり、画面内側（中心部）など、電圧降下が大きいところに凸部１２１を集中させたりしても良い。
【００８０】
本実施形態における有機ＥＬ装置は、上述した実施形態の効果に加え、以下の効果を奏する。
【００８１】
補助配線１３１を備えることで、陰極２５から凸部１２１、補助配線１３１、凸部１２１、陰極２５という電流ルートを確保できるため、陰極２５の実効的な抵抗値をさらに下げることができる。
【００８２】
補助配線１３１として陽極２４の層（レイヤー）で形成しても良いし、反射層１００の層（レイヤー）で形成しても良い。この場合、補助配線１３１を構成する層を新たに備えることなく陰極２５の実効的な抵抗値を下げることができる。
【００８３】
（第４実施形態）
以下、第４実施形態について図面を用いて説明する。図８（ａ）〜（ｃ）は、素子基板の上側から光を射出する、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ装置の構造を示す平面図である。なお、断面形状は、図５と図番が異なる以外ほぼ同じ形状をとるため、図５の再提示に留める。第１〜第３実施形態との主な差異は、凹部１５２が孔型ではなく、溝状の形状を備えていることである。
ここで、図８に示した凸部１５１の形状は図８に示した構造に限定されることはなく、凸部１５１の幅は不均一であってもかまわない。例えば、消費電力が大きいところに集中的に凸部１５１を集中させたり、画面内側（中心部）など、電圧降下が大きいところに凸部１５１を集中させたりしても良い。
【００８４】
本実施形態における有機ＥＬ装置は、上述した実施形態の効果に加え、以下の効果を奏する。
【００８５】
凸部１５１が溝状の形状を備えていることで、電気的に陰極２５と凸部１５１とが当該方向に対して並列に設けられることとなる。そのため、凸部の形状が円柱状の形状を備える場合と比べ、陰極２５の電気抵抗を低減することができる。
【００８６】
（第５実施形態）
以下、第５実施形態について図面を用いて説明する。図９は、素子基板の上側から光を射出する、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ装置の構造を示す平面図である。この場合において、凹部１６２は溝状の形状を備えている。第４実施形態との主な差異は、凹部１６２に重ねて設けられた凸部１６１同士を電気的に繋げる導体が隔壁５９の下側に補助配線１７１として備えられていることである。なお、断面形状は、図６と図番が異なる以外ほぼ同じ形状をとるため、図６を参照することに留める。
補助配線１７１を備えることで、陰極２５から凸部１６１、補助配線１７１、凸部１６１、陰極２５という電流ルートを確保できるため、陰極２５の実効的な抵抗値をさらに低抵抗化することができる。
なお、補助配線１７１は、専用の工程を用いて形成することも好適であるが、陽極２４の層（レイヤー）で形成しても良いし、反射層１００の層（レイヤー）で形成しても良い。
【００８７】
本実施形態における有機ＥＬ装置は、上述した実施形態の効果に加え、以下の効果を奏する。
【００８８】
凸部１６１が溝状の形状を備え、かつ補助配線１７１を備えることで、補助配線１７１がない場合と比べ、陰極２５の電気抵抗を低減することができる。
【００８９】
（第６実施形態：有機ＥＬ装置の製造方法）
以下、有機ＥＬ装置の製造方法について説明する。図１０、図１１は、有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す断面図である。以下、有機ＥＬ装置の製造方法を、図１０、図１１を参照しながら説明する。なお、各種配線や電極、駆動用ＴＦＴなどを形成する製造工程については、周知の工程と同様なので、ここではそれらの説明を省略または簡略化し、これ以降の工程について詳しく説明する。また、図面についても同様に、省略または簡略化する。
【００９０】
まず、図１０（ａ）に示すように、素子基板３１上に、公知の成膜技術を用いて回路素子層４３（詳細は、図３参照）を形成する。
【００９１】
（陽極形成工程）
次に、各陽極２４の下側にあたる位置に、反射層１００を形成する。材料としては、例えばＡｌ−Ｎｄの反射性金属材料を用い、例えばマグネトロンスパッタや熱蒸着を用いて積層した後、フォトリソグラフ法によりパターニングして形成する。厚みはおよそ５０ｎｍ〜１００ｎｍである。次に、ＩＴＯを用いた陽極２４と直接接触せぬように絶縁体層１０２を形成する。絶縁体層１０２としては、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）を用いることができる。
そして、回路素子層４３上に例えばＩＴＯを用いた陽極２４（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）を形成する。ここまでの工程を終えた状態での断面図を図１０（ａ）に示す。
【００９２】
（隔壁製造工程）
次に、絶縁体層１０２及び陽極２４上に、絶縁層５８及び隔壁５９を形成する。詳しくは、まず、絶縁層５８の材料となる、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）を含んだ絶縁層を、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などにより、回路素子層４３及び陽極２４上を覆うように形成する。次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、絶縁層５８のうち発光領域４２に開口部を形成し、絶縁層５８を完成させる。
【００９３】
次に、絶縁層５８上に隔壁５９を形成する。まず、隔壁５９の材料の塗工液を絶縁層５８上及び陽極２４上に塗布する。塗工液は、例えばアクリル樹脂である。次に、塗工液を乾燥させて隔壁層を形成する。その後、この隔壁層における発光領域４２上にフォトリソグラフ法を用いて開口部を形成する。これにより、隔壁５９が完成する。この後、ＣＦ4プラズマ処理を行うと隔壁５９の表面は撥液化される。ここまでの工程を終えた状態での断面図を図１０（ｂ）に示す。
【００９４】
（凸部製造工程）
次に、隔壁５９の頂部に、インクジェット法などを用いて導電性インク（銀、銅、導電性有機物（例えば、ＰＥＤＯＴ）を溶質としたインク）を塗布した後、乾燥させる。ここで、銀を含む導電性インクを用いた場合、１５０℃、２時間程度の焼成処理を用いることで、抵抗率をより下げることができる（例えば膜厚１μｍ換算で１０μΩ・ｃｍ以下）。また、隔壁５９の表面は、撥液化されているため、乾燥に伴いシュリンクし、高さ１μｍ程度の凸部１０１が形成される。ここまでの工程を終えた状態での断面図を図１１（ａ）に示す。
【００９５】
（充填工程）
次に、隔壁５９によって囲まれた陽極２４（２４Ｒ，２４Ｇ）上に、正孔注入層６１（６１Ｒ，６１Ｇ）、正孔輸送層６２（６２Ｒ，６２Ｇ）、発光層６３（６３Ｒ，６３Ｇ）を形成する。
【００９６】
詳しくは、正孔注入層６１の材料を含んだ機能液を液滴吐出法（例えば、インクジェット法）により吐出し、その後機能液を乾燥させる。正孔注入層６１の機能液としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）などのポリチオフェン誘導体に、ドーパントとしてのポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）を加えた混合物（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）などを用いることができる。
【００９７】
次に、正孔注入層６１上に、正孔輸送層６２の材料を含んだ機能液をインクジェット法により吐出し、その後機能液を乾燥させる。正孔輸送層６２の機能液としては、例えばＴＦＢが溶質として用いられ、溶媒としては、例えばシクロヘキシルベンゼンなどが用いられている。
【００９８】
次に、正孔輸送層６２上に、発光層６３（６３Ｒ，６３Ｇ）の材料を含んだ機能液をインクジェット法により吐出し、その後機能液を乾燥させる。発光層６３の機能液としては、例えば、発光層６３Ｒであれば、赤色蛍光材料の溶質が含まれている。発光層６３Ｇであれば、緑色蛍光材料の溶質が含まれている。ここまでの工程を終えた状態での断面図を図１１（ｂ）に示す。
【００９９】
（青色層形成工程）
次に、発光層６３（６３Ｒ，６３Ｇ）上に中間層６４を形成する。詳しくは、発光層６３上に、アルカリ金属塩（例えば、炭酸セシウム）層を、蒸着法を用いて形成する。中間層６４の厚みとしては例えば、０．５ｎｍである。
ここで、蒸着法は、加熱による蒸着法や、電子ビーム蒸着、スパッタ、イオンプレーティング法などの成膜方法を含むものとする。
【０１００】
次に、素子基板３１の上側から、蒸着法により発光層６３Ｂを形成する（第３発光層蒸着工程）。詳しくは、例えば、陽極２４Ｂ側から順に、正孔輸送性のα−ＮＰＤ、青色の発光層６３を構成するＤＰＢＶｉ、及び電子輸送性のＡｌｑ３の積層構造となっている。ここで、発光層６３Ｂは段差被覆性が低いため、凸部１０１の一部が発光層６３Ｂを貫き、露出した状態となる。
【０１０１】
次に、発光層６３Ｂ上に陰極２５を形成する。具体的には、例えば、フッ化リチウム膜及びアルミニウム膜をこの順に、例えば蒸着法によって積層させる。この際、凸部１０１が露出した部分に陰極２５が付着することで、凸部１０１と陰極２５が直接接触する領域ができ、陰極２５の実効的抵抗値を低減することができる。ここで、発光層６３Ｂを形成する蒸着法と、陰極２５を形成する蒸着方法を変えてもよく、この場合、発光層６３Ｂを形成する蒸着法に比べ、被覆性が高い蒸着法を陰極２５の形成に用いても良い。以上の工程を行うことで、図３に示す有機ＥＬ装置１１ａが完成する。
【０１０２】
本実施形態における有機ＥＬ装置の製造方法は、以下の効果を奏する。
【０１０３】
隔壁５９の表面が撥液化されているため、導電性インクは乾燥に伴いシュリンクする。そのため、容易に高さ１μｍ程度の凸部１０１を形成することができる。
【０１０４】
蒸着法により発光層６３Ｂを形成する（第３発光層蒸着工程）と発光層６３Ｂは段差被覆性が低いため、凸部１０１の一部が露出した状態となる。この状態で陰極２５を形成することで、凸部１０１と陰極２５が直接接触する領域ができ、陰極２５の実効的抵抗値を低減できる製造工程を提供できる。
【０１０５】
銀を含む導電性インクを用いた場合、１５０℃、２時間程度の焼成処理を用いることで、抵抗率をより下げることができる（例えば膜厚１μｍ換算で１０μΩ・ｃｍ以下）製造工程を提供できる。
【０１０６】
（第７実施形態：有機ＥＬ装置の製造方法）
以下、有機ＥＬ装置の製造方法について説明する。なお、本実施形態は第６実施形態と共通点が多いことから、第６実施形態と重複する部分については説明を省略する。図１２（ａ）、（ｂ）は有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【０１０７】
まず、上記した（隔壁製造工程）までを行う。次に、隔壁５９をエッチングにより筒状の凹部１１２を形成し、この凹部１１２を導電性インクで埋めるように凸部１１１を形成する。ここまでの工程を終えた状態での断面図を図１２（ａ）に示す。
【０１０８】
続けて、第６実施形態の（充填工程）を行う。ここまでの工程を終えた状態での断面図を図１２（ｂ）に示す。
【０１０９】
続けて、第６実施形態の、（青色層形成工程）を行うことで、図５に示す有機ＥＬ装置１１ｂが完成する。
【０１１０】
本実施形態における有機ＥＬ装置の製造方法は、上述した実施形態の効果に加え、以下の効果を奏する。
【０１１１】
筒状の凹部１１２を形成し、凹部１１２を導電性インクで埋め、凸部１１１を形成することで、第６実施形態で形成した凸部１０１と比べ、凸部１１１の抵抗値がより低下する（導体の面積が増える）。そのため、陰極２５の等価抵抗値をより低減化させる製造工程を提供できる。
【０１１２】
凹部１１２を覆うように形成することで、機械的に安定した凸部１１１が得られる。具体的に言えば、外れにくい構造となり、信頼性が向上させうる製造工程を提供できる。
【０１１３】
（第８実施形態：有機ＥＬ装置の製造方法）
以下、有機ＥＬ装置の製造方法について説明する。なお、本実施形態は、第６実施形態と共通点が多いことから、第６実施形態と重複する部分については説明を省略する。図１３（ａ）〜（ｃ）、図１４（ａ），（ｂ）は有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【０１１４】
まず、第６実施形態の、（陽極形成工程）までを行う。ここまでの工程を終えた状態での断面図を図１３（ａ）に示す。
【０１１５】
次に、絶縁体層１０２及び陽極２４上に、絶縁層５８を形成する。詳しくは、まず、絶縁層５８の材料となる、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）を含んだ絶縁層を、ＣＶＤ法などにより、回路素子層４３及び陽極２４上を覆うように形成する。次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、絶縁層５８のうち発光領域４２に開口部を形成し、絶縁層５８を完成させる。
【０１１６】
次に、補助配線１３１を形成する。具体的には、スパッタ法で金属層を形成し、フォトリソグラフ法により加工して行う。ここまでの工程を終えた状態での断面図を図１３（ｂ）に示す。
【０１１７】
次に、隔壁５９の材料の塗工液を絶縁層５８上及び陽極２４上に塗布する。塗工液は、例えばアクリル樹脂である。次に、塗工液を乾燥させて隔壁層を形成する。その後、この隔壁層における発光領域４２にフォトリソグラフ法を用いて開口部を形成する。これにより、隔壁５９の形状が完成する。この後、ＣＦ4プラズマ処理を行うと隔壁５９の表面は撥液化される。ここまでの工程を終えた状態での断面図を図１３（ｃ）に示す。
【０１１８】
次に、第６実施形態の、（凸部製造工程）を行う。ここまでの工程を終えた状態での断面図を図１４（ａ）に示す。
【０１１９】
次に、第６実施形態の、（充填工程）を行う。ここまでの工程を終えた状態での断面図を図１４（ｂ）に示す。
【０１２０】
そして、第６実施形態の、（青色層形成工程）を行うことで、図６に示す有機ＥＬ装置１１ｃが完成する。
【０１２１】
本実施形態における有機ＥＬ装置の製造方法は、上述した実施形態の効果に加え、以下の効果を奏する。
【０１２２】
補助配線１３１を形成することで、陰極２５から凸部１２１、補助配線１３１、凸部１２１、陰極２５という電流ルートを確保できるため、陰極２５の実効的な抵抗値をさらに低抵抗化する製造工程を提供できる。
【０１２３】
補助配線１３１の形成方法として、陽極２４の層（レイヤー）で形成しても良いし、反射層１００の層（レイヤー）で形成しても良い。この場合、補助配線１３１を構成する層を新たに形成することなく陰極２５の実効的な抵抗値を下げうる製造工程を提供できる。
【０１２４】
（第９実施形態：有機ＥＬ装置の製造方法）
以下、有機ＥＬ装置の製造方法について説明する。なお、本実施形態は、第６実施形態と共通点が多いことから、第６実施形態と重複する部分については説明を省略する。図１５（ａ），（ｂ）は、有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【０１２５】
まず、上記した（隔壁製造工程）までを行う。次に、隔壁５９をフォトリソグラフ工程を用いて溝状に開口して得られた凹部１５２を導電性インクで埋め、凸部１５１を形成する。ここまでの工程を終えた状態での断面図を図１５（ａ）に示す。
【０１２６】
次に、第６実施形態の、（充填工程）を行う。ここまでの工程を終えた状態での断面図を図１５（ｂ）に示す。
【０１２７】
そして、第６実施形態の、（青色層形成工程）を行うことで、図８に示す有機ＥＬ装置１１ｄが完成する。
【０１２８】
本実施形態における有機ＥＬ装置の製造方法は、上述した実施形態の効果に加え、以下の効果を奏する。
【０１２９】
凹部１５２として孔型ではなく、溝状の形状に加工することで、溝方向に延在する凹部１５２を凸部１５１が覆うこととなる。凹部１５２の内側は、撥液処理が為されていないため、親液性を備えている。そのため、導電性インクは凹部１５２の内側一杯に広がっていく。一方、隔壁５９の頂部は撥液性を備えているので、凹部１５２の内側が導電性インクで埋まり、盛り上がってくると、今度は隔壁５９の頂部は撥液性により凝集するので、溝方向に延在する領域で凸部１５１が形成される。すなわち、凹部１５２が孔型ではなく、溝状の形状を備えていることで、溝方向に延在する凹部１５２を凸部１５１が覆うことから、電気的に陰極２５と凸部１５１とが並列に設けられることとなり、陰極２５の電気抵抗を低減させうる製造工程を提供できる。
【０１３０】
（第１０実施形態：有機ＥＬ装置の製造方法）
以下、有機ＥＬ装置の製造方法について説明する。なお、本実施形態は、第６実施形態と共通点が多いことから、第６実施形態と重複する部分については説明を省略する。図１６（ａ）〜（ｃ）、図１７（ａ），（ｂ）は有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【０１３１】
まず、第６実施形態の、（陽極形成工程）までを行う。ここまでの工程を終えた状態での断面図を図１６（ａ）に示す。
【０１３２】
次に、絶縁体層１０２及び陽極２４上に、絶縁層５８を形成する。詳しくは、まず、絶縁層５８の材料となる、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）を含んだ絶縁層を、ＣＶＤ法などにより、回路素子層４３及び陽極２４上を覆うように形成する。次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、絶縁層５８のうち発光領域４２に開口部を形成し、絶縁層５８を完成させる。
【０１３３】
次に、補助配線１７１を形成する。具体的には、スパッタ法で金属層を形成し、フォトリソグラフ法により加工して行う。ここまでの工程を終えた状態での断面図を図１６（ｂ）に示す。
【０１３４】
次に、隔壁５９の材料の塗工液を絶縁層５８上及び陽極２４上に塗布する。塗工液は、例えばアクリル樹脂である。次に、塗工液を乾燥させて隔壁層を形成する。その後、発光領域４２上に位置する隔壁層を、フォトリソグラフ法を用い除去することで開口部を形成する。これにより、隔壁５９の形状が完成する。この後、ＣＦ4プラズマ処理を行うと隔壁５９の表面は撥液化される。ここまでの工程を終えた状態での断面図を図１６（ｃ）に示す。
【０１３５】
次に、フォトリソグラフ工程により隔壁５９を溝状に開口して得られた凹部１６２を導電性インクで埋め、凸部１６１を形成する。ここまでの工程を終えた状態での断面図を図１７（ａ）に示す。
【０１３６】
次に、第６実施形態の、（充填工程）を行う。ここまでの工程を終えた状態での断面図を図１７（ｂ）に示す。
【０１３７】
そして、第６実施形態の、（青色層形成工程）を行うことで、図９に示す有機ＥＬ装置１１ｅが完成する。
【０１３８】
本実施形態における有機ＥＬ装置の製造方法は、上述した実施形態の効果に加え、以下の効果を奏する。
【０１３９】
補助配線１７１を形成することで、陰極２５から凸部１６１、補助配線１７１、凸部１６１、陰極２５という電流ルートを確保できる。そのため、陰極２５の実効的な抵抗値をさらに低抵抗化させうる製造工程を提供できる。
【符号の説明】
【０１４０】
５…発光素子層、１１…有機ＥＬ装置、１１ａ…有機ＥＬ装置、１１ｂ…有機ＥＬ装置、１１ｃ…有機ＥＬ装置、１１ｄ…有機ＥＬ装置、１１ｅ…有機ＥＬ装置、１２…走査線、１３…信号線、１４…電源線、１５…信号線駆動回路、１６…走査線駆動回路、２１…スイッチング用ＴＦＴ、２２…保持容量、２３…ＴＦＴ素子、２４…陽極、２４Ｂ…陽極、２４Ｇ…陽極、２４Ｒ…陽極、２６…発光機能層、２７…発光素子、２７Ｂ…青色発光素子、２７Ｇ…緑色発光素子、２７Ｒ…赤色発光素子、３１…素子基板、３２…表示領域、３２ａ…実表示領域、３２ｂ…ダミー領域、３３…非表示領域、３４…サブ画素、３５…検査回路、３６…フレキシブル基板、３７…駆動用ＩＣ、４２…発光領域、４３…回路素子層、４５…下地保護膜、４６…半導体膜、４７…ソース領域、４８…ドレイン領域、５１…チャネル領域、５２…ゲート絶縁膜、５３…ゲート電極、５４…第１層間絶縁膜、５５…第２層間絶縁膜、５６…コンタクトホール、５７…コンタクトホール、５８…絶縁層、５９…隔壁、６１…正孔注入層、６１Ｇ…正孔注入層、６１Ｒ…正孔注入層、６２…正孔輸送層、６２Ｇ…正孔輸送層、６２Ｒ…正孔輸送層、６３…発光層、６３Ｂ…青色の発光層、６３Ｇ…緑色の発光層、６３Ｒ…赤色の発光層、６４…中間層、１００…反射層、１０１…凸部、１０２…絶縁体層、１１１…凸部、１１２…凹部、１２１…凸部、１２２…凹部、１３１…補助配線、１５１…凸部、１５２…凹部、１６１…凸部、１６２…凹部、１７１…補助配線。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス装置（いわゆる有機ＥＬ装置）の製造において、赤色発光層と緑色発光層とを塗布法で形成し、青色発光層に低分子材料を用い、真空蒸着法を用いて形成する方法が提案されてきている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
真空蒸着法を用いて作製された青色に発光する有機ＥＬ素子を含む有機ＥＬ装置は、塗布法を用いて作製されたものと比較して、その発光寿命が数倍以上長く、実用レベルに達していることが多い点に着目した技術である。インクジェット法と真空蒸着法とを組み合わせることで、実用的な寿命を持つ有機ＥＬ装置を迅速に提供することができる。
【０００４】
また、色純度の向上や光取り出し効率の向上を図るため、有機ＥＬ装置は基板裏面（有機ＥＬ層が無い）側から光を射出する方式（いわゆるボトムエミッション）から、基板表面（有機ＥＬ層が有る）側から光を射出する方式（いわゆるトップエミッション）への切り替えが進められてきている。
トップエミッション型の構造を採用した場合、陰極に対する補助配線を形成する必要がある。これはトップエミッション型に用いられる陰極の厚さが、光を透過させるために薄くなっていることに起因する。陰極の厚さが薄くなることで、電気抵抗は上昇する。そのため、大面積のパネルにおいては電圧降下が生じ、パネル内での輝度分布が乱れ、有機ＥＬ装置としての性能が低下する。補助配線は、陰極の実効的な電気抵抗値を下げ、かつ有機ＥＬ素子からの光を遮らぬよう画素間を這うように精密に形成（配置）する必要がある。補助配線を形成する方法としては、例えば陰極成膜後に精密なアライメントマスク蒸着で形成する方法や、予め基板にフォトリソグラフ工程を用いて補助配線を形成しておき、コンタクトホールを介して陰極と補助配線とを導通させる方法が提案されてきている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−７３５３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、陰極成膜後に精密なアライメントマスク蒸着で形成する方法を用いた場合、電圧降下を抑えることはできるが、精密なアライメントマスク蒸着工程無しで青色発光層が作れるという、この製造方法の長所を失うこととなり、歩留まり、コスト面で不利となる課題があった。
また、予め基板にフォトリソグラフ工程を用いて補助配線を形成しておき、コンタクトホールを介して陰極と補助配線とを導通させる方法では、補助配線を形成する前にコンタクトホールが青色発光層で埋められているため、陰極と補助配線とを導通させることができず陰極の実効的な電気抵抗値を下げることが困難であるという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、以下の形態または適用例として実現され、上述の発明をさらに改善するものである。
なお、以下の形態または適用例において、「上」とは、基板から見て有機ＥＬ素子が配置された方向を示し、「○○上に」と記載された場合、○○の上に接するように配置される場合または○○の上に他の構成物を介して配置される場合、または○○の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。そして「下」とは、「上」の反対方向を表すものとする。
【０００８】
［適用例１］本適用例にかかる有機エレクトロルミネッセンス装置は、基板と、前記基板の一面側に設けられ、島状に分離された第１電極と、前記第１電極を覆う光透過性の第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置された発光層を含む有機機能層と、少なくとも前記第１電極を島状に分離する領域に設けられた、一部の有機機能層を分離する隔壁と、を備える有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記隔壁の少なくとも一部と接する、導電性の凸部が備えられ、前記凸部は、発光に寄与しない有機機能層を貫いており、かつ前記第２電極と前記凸部とが接していることを特徴とする。
【０００９】
これによれば、導電性の凸部を、第２電極と電気的に並列に設けることで、第２電極の等価抵抗値を下げることができる。そのため第２電極内での電圧降下を抑えられることから、発光強度の均一性が高い有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例にかかる有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記隔壁には、前記凸部を埋めるための凹部が設けられていることを特徴とする。
【００１１】
上記した適用例によれば、凸部は、凹部を覆っていることから、機械的に安定する。具体的に言えば、凸部が外れにくい構造となり、信頼性を向上させることができる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例にかかる有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記凹部の底部には、前記凸部同士を電気的に繋げる導体が備えられていることを特徴とする。
【００１３】
上記した適用例によれば、凸部同士を電気的に繋げる導体を備えることで、第２電極から凸部、導体、凸部、第２電極という電流ルートを確保できるため、第２電極の実効的な抵抗値をさらに低抵抗化することができる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例にかかる有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記凹部の底部には、前記凸部同士を電気的に繋げる導体が備えられていることを特徴とする。
【００１５】
上記した適用例によれば、凹部が溝状の形状を備えていることで、溝方向に延在する凹部を凸部が覆うことから、電気的に第２電極と凸部とが並列に設けられることとなり、第２電極の実効的な電気抵抗を低減することができる。
【００１６】
［適用例５］上記適用例にかかる有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記凹部の底部の少なくとも一部と沿い、前記凸部と電気的に繋げられた導体が備えられていることを特徴とする。
【００１７】
上記した適用例によれば、凸部と電気的に繋がる導体を備えることで、第２電極の実効的な抵抗値をさらに低抵抗化することができる。
【００１８】
［適用例６］本適用例にかかる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、基板の一面側に、島状に分離された第１電極を形成する工程と、少なくとも前記第１電極間に、隔壁を形成する工程と、前記隔壁の少なくとも一部と接する、導電性を持つ凸部を形成する工程と、第１の有機機能層を前記隔壁の内側に形成する工程と、第２の有機機能層を前記基板の一面側に、前記凸部の一部を露出させて形成する工程と、光透過性の第２電極を、前記基板の一面側に、前記凸部と接触させて形成する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１９】
これによれば、導電性の凸部を、第２電極と電気的に並列に形成することで、第２電極の等価抵抗値を下げることができる。そのため第２電極内での電圧降下を抑えられることから、発光強度の均一性が高い有機ＥＬ装置を製造することができる。
【００２０】
［適用例７］上記適用例にかかる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、前記隔壁を形成する工程と、前記凹部を形成する工程と、前記凹部内に凸部を形成する工程と、備えることを特徴とする。
【００２１】
上記した適用例によれば、凹部を覆うように凸部を形成することで、凸部は隔壁と噛み合う形状を取るよう形成される。そのため、凸部は、隔壁に対して密着性が高くなることとなり、信頼性を向上させることができる。
【００２２】
［適用例８］上記適用例にかかる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、前記隔壁を形成する工程以前に、前記凸部の底同士を電気的に繋げる配線部を形成する工程をさらに備えることを特徴とする。
【００２３】
上記した適用例によれば、凸部同士を電気的に繋げる導体を形成することで、第２電極から凸部、導体、凸部、第２電極という電流ルートを確保できる。すなわち、この工程を行うことで、第２電極の実効的な抵抗値をさらに低抵抗化することができる。
【００２４】
［適用例９］上記適用例にかかる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、前記凹部を溝状に形成することを特徴とする。
【００２５】
上記した適用例によれば、溝状の形状を備えた凹部を形成することで、溝方向に延在する凹部を凸部が覆うことから、電気的に第２電極と凸部とが並列に設けられることとなり、第２電極の電気抵抗を低減することができる。
【００２６】
［適用例１０］上記適用例にかかる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、前記凹部を溝状に形成することを特徴とする。
【００２７】
上記した適用例によれば、凹部が孔型ではなく、溝状に加工されていることで、溝方向に延在する凹部を凸部が覆うよう凸部を形成することができる。そして、さらに凸部の底を裏打ちする配線層を備えることで、配線層がない場合と比べ、第２電極の電気抵抗を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図２】有機ＥＬ装置の構成を示す平面図。
【図３】トップエミッション型の有機ＥＬ装置の構造を示す断面図。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、凸部の典型的な分布例を示す平面図。
【図５】トップエミッション型の有機ＥＬ装置の構造を示す断面図。
【図６】トップエミッション型の有機ＥＬ装置の構造を示す断面図。
【図７】（ａ）〜（ｄ）は、補助配線を透かせて表示した凸部の配列例を示す平面図。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、トップエミッション型の有機ＥＬ装置の構造を示す平面図。
【図９】トップエミッション型の有機ＥＬ装置の構造を示す平面図。
【図１０】（ａ），（ｂ）は、有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す断面図。
【図１１】（ａ），（ｂ）は、有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す断面図。
【図１２】（ａ），（ｂ）は、有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す断面図。
【図１３】（ａ）〜（ｃ）は、有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す断面図。
【図１４】（ａ），（ｂ）は、有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す断面図。
【図１５】（ａ），（ｂ）は、有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す断面図。
【図１６】（ａ）〜（ｃ）は、有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す断面図。
【図１７】（ａ），（ｂ）は、有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面を用いて説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００３０】
（第１実施形態）
図１は、有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、有機ＥＬ装置の構成を、図１を参照しながら説明する。
【００３１】
図１に示すように、有機ＥＬ装置１１は、複数の走査線１２と、走査線１２に対して交差する方向に延びる複数の信号線１３と、信号線１３に並行に延びる複数の電源線１４とを備えている。そして、走査線１２と信号線１３とにより格子状に区画された領域が画素領域として構成されている。信号線１３は、信号線駆動回路１５に接続されている。また、走査線１２は、走査線駆動回路１６に接続されている。
【００３２】
各画素領域には、走査線１２を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）２１と、このスイッチング用ＴＦＴ２１を介して信号線１３から供給される画素信号を保持する保持容量２２と、保持容量２２によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ２３（以下、「ＴＦＴ素子２３」と称する。）と、が設けられている。更に、各画素領域には、ＴＦＴ素子２３を介して電源線１４に電気的に接続したときに、電源線１４から駆動電流が流れ込む第１電極としての陽極２４と、第２電極としての陰極２５と、この陽極２４と陰極２５との間に挟持された有機機能層としての発光機能層２６とが設けられている。
【００３３】
有機ＥＬ装置１１は、陽極２４と陰極２５と発光機能層２６とにより構成される発光素子２７を複数備えている。また、有機ＥＬ装置１１は、複数の発光素子２７で構成される表示領域を備えている。
【００３４】
この構成によれば、走査線１２が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ２１がオン状態になると、そのときの信号線１３の電位が保持容量２２に保持され、保持容量２２の状態に応じて、ＴＦＴ素子２３のオン・オフ状態が決まる。そして、ＴＦＴ素子２３のチャネルを介して、電源線１４から陽極２４に電流が流れ、更に、発光機能層２６を介して陰極２５に電流が流れる。発光機能層２６は、ここを流れる電流量に応じた輝度で発光する。
【００３５】
図２は、有機ＥＬ装置の構成を示す平面図である。以下、有機ＥＬ装置の構成を、図２を参照しながら説明する。
【００３６】
図２に示すように、有機ＥＬ装置１１は、ガラスなどを用いた基板としての素子基板３１に表示領域３２（図中一点鎖線の内側の領域）と非表示領域３３（一点鎖線の外側の領域）とを有する構成になっている。表示領域３２には、実表示領域３２ａ（二点鎖線の内側の領域）とダミー領域３２ｂ（図中二点鎖線の外側の領域）とが設けられている。
【００３７】
実表示領域３２ａ内には、光が射出されるサブ画素３４（発光領域）がマトリックス状に配列されている。この、サブ画素３４の各々は、スイッチング用ＴＦＴ２１及びＴＦＴ素子２３（図１参照）の動作に伴って、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）各色を発光する構成となっている。
【００３８】
ダミー領域３２ｂには、主として各サブ画素３４を発光させるための回路が設けられている。例えば、走査線駆動回路１６や検査回路３５が配置されている。
【００３９】
素子基板３１の一辺には、フレキシブル基板３６が設けられている。フレキシブル基板３６には、各配線と接続された駆動用ＩＣ３７が備えられている。
【００４０】
図３は、素子基板の上側から光を射出する、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ装置の構造を示す断面図である。以下、有機ＥＬ装置の構造について、図３を参照しながら説明する。なお、図３は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
【００４１】
図３に示すように、有機ＥＬ装置１１ａは、発光領域４２において発光が行われるものであり、素子基板３１と、素子基板３１上に形成された回路素子層４３を備える。そして、回路素子層４３の上には反射層１００、絶縁体層１０２、発光素子層５を有する。素子基板３１としては、例えばガラス基板やシリコン基板が挙げられる。
【００４２】
回路素子層４３には、素子基板３１上にシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）などを用いた下地保護膜４５が形成され、下地保護膜４５上にＴＦＴ素子２３が形成されている。詳しくは、下地保護膜４５上に、ポリシリコン膜を用いた島状の半導体膜４６が形成されている。半導体膜４６には、ソース領域４７及びドレイン領域４８が不純物の導入によって形成されている。そして、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域５１となっている。
【００４３】
更に、回路素子層４３には、下地保護膜４５及び半導体膜４６を覆うシリコン酸化膜などを用いたゲート絶縁膜５２が形成されている。ゲート絶縁膜５２上には、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）などを用いたゲート電極５３（走査線）が形成されている。
【００４４】
ゲート絶縁膜５２及びゲート電極５３上には、第１層間絶縁膜５４、第２層間絶縁膜５５が形成されている。第１層間絶縁膜５４及び第２層間絶縁膜５５は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）、チタン酸化膜（ＴｉＯ2）などから構成されている。ゲート電極５３は、半導体膜４６のチャネル領域５１に対応する位置に設けられている。
【００４５】
半導体膜４６のソース領域４７は、ゲート絶縁膜５２及び第１層間絶縁膜５４を貫通して設けられたコンタクトホール５６を介して、第１層間絶縁膜５４上に形成された信号線１３と電気的に接続されている。一方、ドレイン領域４８は、ゲート絶縁膜５２、第１層間絶縁膜５４、第２層間絶縁膜５５を貫通して設けられたコンタクトホール５７を介して、絶縁体層１０２上に形成された陽極２４（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）と電気的に接続されている。
【００４６】
反射層１００（１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂ）は、例えば、発光領域４２ごとに形成されている。反射層１００は、例えばＡｌ−Ｎｄの反射性金属材料を用い、厚みはおよそ５０ｎｍ〜１００ｎｍである。
【００４７】
陽極２４は、例えば、発光領域４２ごとに形成されている。また、陽極２４は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜などを用いてなり、例えば、平面的に略矩形状の形状を備えている。なお、回路素子層４３には、図示しない保持容量及びスイッチング用のトランジスターが形成されている。また、上記したように、回路素子層４３には、各陽極２４に接続された駆動用のトランジスター（ＴＦＴ素子２３）が形成されている。
【００４８】
陽極２４の周囲には、絶縁層５８及び隔壁（バンク）５９が、平面視で略格子状に設けられている。絶縁層５８としては、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）などの無機材料が挙げられる。絶縁層５８は、隣り合う陽極２４間の絶縁性を確保すると共に、発光領域４２の形状を所望の形状（例えば、トラック形状）にするために、陽極２４の周縁部上に乗り上げるように形成されている。つまり、陽極２４と絶縁層５８とは、平面的に一部が重なるように配置された構造となっている。言い換えれば、絶縁層５８は、発光領域４２を除いた領域に形成されていることになる。
【００４９】
隔壁５９は、例えば、断面が傾斜面を有する台形状であり、発光領域４２（発光素子２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂ）を囲むように形成されている。隔壁５９の材料としては、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂などの耐熱性、耐溶剤性を有する有機材料が挙げられる。
【００５０】
そして、隔壁５９上（頂部）には、銀や銅、炭素などの導電性金属や、有機導電材料（例えばＰＥＤＯＴ）などの導体を含む、１μｍ程度の高さで導電性を備えた突起状の凸部１０１が例えば円柱状に設けられている。発光に寄与しない有機機能層としての発光層６３Ｂの製造工程として、例えば蒸着法を用いた場合に被覆性（いわゆるステップカバレージ）が悪いため、凸部１０１の側面に発光層６３Ｂが被覆されていない領域が発生する。この状態で陰極２５を形成すれば、陰極２５は凸部１０１と直接繋がる（接する）こととなる。このような構造を持つことで、光透過性を向上させるため、１０ｎｍ程度の厚さしか用いることができない陰極２５の実効的な電気抵抗値を低減することが可能となる。
【００５１】
陽極２４上に設けられる各種膜は、各色の発光素子２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂ毎に異なっている。具体的には、赤色発光素子２７Ｒは、隔壁５９によって囲まれた第１陽極としての陽極２４Ｒ上に、正孔注入層６１Ｒ、正孔輸送層６２Ｒ、赤色の発光層６３Ｒが順に設けられている。更に、発光層６３Ｒやその他の領域を覆う、電子注入性を促進させるため（言い換えれば、電荷をスムーズに移動させるため）の中間層６４が設けられている。
【００５２】
緑色発光素子２７Ｇは、隔壁５９によって囲まれた陽極２４Ｇ上に、正孔注入層６１Ｇ、正孔輸送層６２Ｇ、緑色の発光層６３Ｇが、順に設けられている。
【００５３】
正孔注入層６１（６１Ｒ，６１Ｇ）は、導電性高分子材料中にドーパントを含有する導電性高分子層を用いている。このような正孔注入層６１は、例えば、ドーパントとしてポリスチレンスルホン酸を含有する３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）などを用いて構成することができる。
【００５４】
正孔輸送層６２（６２Ｒ，６２Ｇ）の構成材料としては、例えば、下記化１に示すＴＦＢなどのトリフェニルアミン系ポリマーを含んだ材料を用いることができる。
【００５５】
【化１】
【００５６】
発光層６３は、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質の層である。発光層６３の構成材料としては、赤色の発光層６３Ｒであれば、例えば、下記化２に示す材料を用いることができる。緑色の発光層６３Ｇであれば、例えば、下記化３に示す材料を用いることができる。
【００５７】
【化２】
【００５８】
【化３】
【００５９】
中間層６４は、アルカリ金属、またはアルカリ土類金属の酸化物・フッ化物・塩と金属酸化物との積層構造である。本実施形態では、例えば、アルカリ金属塩を用いる。アルカリ金属塩としては、例えば、炭酸セシウム（Ｃｓ2ＣＯ3）が挙げられる。ここでは、中間層６４としての炭酸セシウム層を、蒸着法を用いて形成する。中間層６４の厚みは、例えば、０．５ｎｍである。
【００６０】
青色発光素子２７Ｂは、隔壁５９によって囲まれた第３陽極としての陽極２４Ｂ上、及び、中間層６４上を含む素子基板３１上の全体に、青色の発光層６３Ｂが形成されている。発光層６３Ｂの構成としては、陽極２４Ｂ側から順に、正孔輸送性のα−ＮＰＤ（下記化４）、青色の発光層６３であるＤＰＢＶｉ（下記化５）、及び電子輸送性のＡｌｑ３（下記化６）の積層構造となっている。
【００６１】
【化４】
【００６２】
【化５】
【００６３】
【化６】
【００６４】
発光層６３Ｂ上には、陰極２５が素子基板３１上の全面に成膜されている。陰極２５は、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）及びマグネシウム・銀合金（ＭｇＡｇ）の積層体であり、１０ｎｍ程度の厚みを備えており、発光層６３から射出された光が透過するよう構成されている。
【００６５】
上述した発光層６３は、陽極２４と陰極２５との間に電圧を印加することによって、発光層６３には、陽極２４から正孔が、また、陰極２５から電子が注入される。発光層６３において、これらが結合したときに光を発する。
【００６６】
なお、上記したように、中間層６４を介し、塗布法によって形成された発光層６３（６３Ｒ，６３Ｇ）と、蒸着法によって形成された発光層６３（６３Ｂ）とが積層されているので、電子注入性を促進させることが可能となり、陰極２５からの電子を発光層６３Ｒ，６３Ｇ側にスムーズに移動させることができる。
【００６７】
図４は、凸部の典型的な分布例を示す平面図である。図４（ａ），（ｂ），（ｃ）は、発光素子２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂを集めた画素Ｌｕ外部に凸部１０１を設けている。図４（ａ）は、画素Ｌｕの発光素子２７の長手方向に凸部１０１を設けた例である。図４（ｂ）は、今度は短手方向に凸部１０１を設けた例である。図４（ｃ）は、長手方向と短手方向共に凸部１０１を設けた例である。そして、図４（ｄ）は、発光素子２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂの間にも凸部１０１を設けた例について示している。もちろん、図４に示した凸部１０１の分布は限定されることはなく、凸部１０１の間隔は不均一であってもかまわない。例えば、消費電力が大きいところに集中的に凸部１０１を集中させたり、画面内側（中心部）など、電圧降下が大きいところに凸部１０１を集中させたりしても良い。また、ここでは、凸部１０１を複数設けているが、凸部１０１による電圧降下の緩和は、凸部１０１が一つしかない場合においても現れる。
【００６８】
本実施形態における有機ＥＬ装置は、以下の効果を奏する。
【００６９】
導電性の凸部１０１を、陰極２５と電気的に並列に設けることで、陰極２５の等価抵抗値を下げることができる。そのため陰極２５内での電圧降下を抑えられることから、発光強度の均一性が高い有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００７０】
発光層６３Ｂを介さずに、直接導電性の凸部１０１と陰極２５とを接触させることで、発光層６３Ｂの抵抗値に関わらず、陰極２５内での電圧降下を抑えられることができる。
【００７１】
実表示領域３２ａ（二点鎖線の内側の領域）の周りにダミー領域３２ｂ（図中二点鎖線の外側の領域）を設けることで、周辺部においても発光強度の均一性が高い有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００７２】
銀は体積あたりの抵抗値が、金属の中で最も低い。そのため、導電性の凸部１０１を、銀で形成することで、電気抵抗が低い導電性の凸部１０１を提供することができる。
【００７３】
銅や炭素は体積あたりの抵抗値が低く、さらに価格が銀と比べて安い。そのため、導電性の凸部１０１を、銅や炭素で形成することで、低価格で電気抵抗が低い凸部１０１を得ることができる。
【００７４】
金属などのように溶媒中に分散させたものと比べ、溶質として有機導電材料（例えばＰＥＤＯＴ）を用いた場合、溶媒中に溶け込ませることができる。そのため、インクジェット法を用いて凸部１０１を形成する場合にノズルの詰まりが抑えられ、ノズルの詰まりによる不良の発生を抑えることができる。
【００７５】
（第２実施形態）
以下、第２実施形態について図面を用いて説明する。図５は、素子基板の上側から光を射出する、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ装置の構造を示す断面図である。第１実施形態の主な相違点は、突起状の凸部１１１が隔壁５９に設けられた凹部１１２を覆っていることである。
この場合、凸部１１１の抵抗値がより低下する（導体の面積が増える）ことから、陰極２５の抵抗値をより低減することが可能となる。また、凸部１１１は、凹部１１２を覆っていることから、機械的に安定する。具体的に言えば、外れにくい構造となり、信頼性が向上する。その他の構造的要素は、第１実施形態と同様である。例えば、平面パターンについても上記した図４のパターン及び付加的要素が適用できる。
【００７６】
本実施形態における有機ＥＬ装置は、上述した実施形態の効果に加え、以下の効果を奏する。
【００７７】
凸部１１１の抵抗値が凸部１０１（第１実施形態参照）より低下する（導体の面積が増える）ことから、陰極２５の抵抗値をより低減することができる。
【００７８】
凸部１１１は、凹部１１２を覆っていることから、機械的に安定する。具体的に言えば、凸部１１１は凹部１１２と噛み合うことで外れにくい構造となり、信頼性を向上させることができる。
【００７９】
（第３実施形態）
以下、第３実施形態について図面を用いて説明する。図６は、素子基板の上側から光を射出する、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ装置の構造を示す断面図である。第１実施形態、第２実施形態との主な相違点は、突起状の凸部１２１が隔壁５９に設けられた凹部１２２を覆い、かつ凹部１２２の底には、凸部１２１同士を電気的に繋げる導体として隔壁５９の下側に補助配線１３１が備えられていることである。
補助配線１３１を備えることで、陰極２５から凸部１２１、補助配線１３１、凸部１２１、陰極２５という電流ルートを確保できるため、陰極２５の実効的な抵抗値をさらに低抵抗化することができる。
なお、補助配線１３１は、専用の工程を用いて形成することも好適であるが、陽極２４の層（レイヤー）で形成しても良いし、反射層１００の層（レイヤー）で形成しても良い。図７（ａ）〜（ｄ）は補助配線を透かせて表示した凸部の配列例を示す平面図である。もちろん、図７に示した凸部１２１の分布は限定されることはなく、凸部１２１の間隔は不均一であってもかまわない。例えば、消費電力が大きいところに集中的に凸部１２１を集中させたり、画面内側（中心部）など、電圧降下が大きいところに凸部１２１を集中させたりしても良い。
【００８０】
本実施形態における有機ＥＬ装置は、上述した実施形態の効果に加え、以下の効果を奏する。
【００８１】
補助配線１３１を備えることで、陰極２５から凸部１２１、補助配線１３１、凸部１２１、陰極２５という電流ルートを確保できるため、陰極２５の実効的な抵抗値をさらに下げることができる。
【００８２】
補助配線１３１として陽極２４の層（レイヤー）で形成しても良いし、反射層１００の層（レイヤー）で形成しても良い。この場合、補助配線１３１を構成する層を新たに備えることなく陰極２５の実効的な抵抗値を下げることができる。
【００８３】
（第４実施形態）
以下、第４実施形態について図面を用いて説明する。図８（ａ）〜（ｃ）は、素子基板の上側から光を射出する、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ装置の構造を示す平面図である。なお、断面形状は、図５と図番が異なる以外ほぼ同じ形状をとるため、図５の再提示に留める。第１〜第３実施形態との主な差異は、凹部１５２が孔型ではなく、溝状の形状を備えていることである。
ここで、図８に示した凸部１５１の形状は図８に示した構造に限定されることはなく、凸部１５１の幅は不均一であってもかまわない。例えば、消費電力が大きいところに集中的に凸部１５１を集中させたり、画面内側（中心部）など、電圧降下が大きいところに凸部１５１を集中させたりしても良い。
【００８４】
本実施形態における有機ＥＬ装置は、上述した実施形態の効果に加え、以下の効果を奏する。
【００８５】
凸部１５１が溝状の形状を備えていることで、電気的に陰極２５と凸部１５１とが当該方向に対して並列に設けられることとなる。そのため、凸部の形状が円柱状の形状を備える場合と比べ、陰極２５の電気抵抗を低減することができる。
【００８６】
（第５実施形態）
以下、第５実施形態について図面を用いて説明する。図９は、素子基板の上側から光を射出する、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ装置の構造を示す平面図である。この場合において、凹部１６２は溝状の形状を備えている。第４実施形態との主な差異は、凹部１６２に重ねて設けられた凸部１６１同士を電気的に繋げる導体が隔壁５９の下側に補助配線１７１として備えられていることである。なお、断面形状は、図６と図番が異なる以外ほぼ同じ形状をとるため、図６を参照することに留める。
補助配線１７１を備えることで、陰極２５から凸部１６１、補助配線１７１、凸部１６１、陰極２５という電流ルートを確保できるため、陰極２５の実効的な抵抗値をさらに低抵抗化することができる。
なお、補助配線１７１は、専用の工程を用いて形成することも好適であるが、陽極２４の層（レイヤー）で形成しても良いし、反射層１００の層（レイヤー）で形成しても良い。
【００８７】
本実施形態における有機ＥＬ装置は、上述した実施形態の効果に加え、以下の効果を奏する。
【００８８】
凸部１６１が溝状の形状を備え、かつ補助配線１７１を備えることで、補助配線１７１がない場合と比べ、陰極２５の電気抵抗を低減することができる。
【００８９】
（第６実施形態：有機ＥＬ装置の製造方法）
以下、有機ＥＬ装置の製造方法について説明する。図１０、図１１は、有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す断面図である。以下、有機ＥＬ装置の製造方法を、図１０、図１１を参照しながら説明する。なお、各種配線や電極、駆動用ＴＦＴなどを形成する製造工程については、周知の工程と同様なので、ここではそれらの説明を省略または簡略化し、これ以降の工程について詳しく説明する。また、図面についても同様に、省略または簡略化する。
【００９０】
まず、図１０（ａ）に示すように、素子基板３１上に、公知の成膜技術を用いて回路素子層４３（詳細は、図３参照）を形成する。
【００９１】
（陽極形成工程）
次に、各陽極２４の下側にあたる位置に、反射層１００を形成する。材料としては、例えばＡｌ−Ｎｄの反射性金属材料を用い、例えばマグネトロンスパッタや熱蒸着を用いて積層した後、フォトリソグラフ法によりパターニングして形成する。厚みはおよそ５０ｎｍ〜１００ｎｍである。次に、ＩＴＯを用いた陽極２４と直接接触せぬように絶縁体層１０２を形成する。絶縁体層１０２としては、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）を用いることができる。
そして、回路素子層４３上に例えばＩＴＯを用いた陽極２４（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）を形成する。ここまでの工程を終えた状態での断面図を図１０（ａ）に示す。
【００９２】
（隔壁製造工程）
次に、絶縁体層１０２及び陽極２４上に、絶縁層５８及び隔壁５９を形成する。詳しくは、まず、絶縁層５８の材料となる、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）を含んだ絶縁層を、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などにより、回路素子層４３及び陽極２４上を覆うように形成する。次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、絶縁層５８のうち発光領域４２に開口部を形成し、絶縁層５８を完成させる。
【００９３】
次に、絶縁層５８上に隔壁５９を形成する。まず、隔壁５９の材料の塗工液を絶縁層５８上及び陽極２４上に塗布する。塗工液は、例えばアクリル樹脂である。次に、塗工液を乾燥させて隔壁層を形成する。その後、この隔壁層における発光領域４２上にフォトリソグラフ法を用いて開口部を形成する。これにより、隔壁５９が完成する。この後、ＣＦ4プラズマ処理を行うと隔壁５９の表面は撥液化される。ここまでの工程を終えた状態での断面図を図１０（ｂ）に示す。
【００９４】
（凸部製造工程）
次に、隔壁５９の頂部に、インクジェット法などを用いて導電性インク（銀、銅、導電性有機物（例えば、ＰＥＤＯＴ）を溶質としたインク）を塗布した後、乾燥させる。ここで、銀を含む導電性インクを用いた場合、１５０℃、２時間程度の焼成処理を用いることで、抵抗率をより下げることができる（例えば膜厚１μｍ換算で１０μΩ・ｃｍ以下）。また、隔壁５９の表面は、撥液化されているため、乾燥に伴いシュリンクし、高さ１μｍ程度の凸部１０１が形成される。ここまでの工程を終えた状態での断面図を図１１（ａ）に示す。
【００９５】
（充填工程）
次に、隔壁５９によって囲まれた陽極２４（２４Ｒ，２４Ｇ）上に、正孔注入層６１（６１Ｒ，６１Ｇ）、正孔輸送層６２（６２Ｒ，６２Ｇ）、発光層６３（６３Ｒ，６３Ｇ）を形成する。
【００９６】
詳しくは、正孔注入層６１の材料を含んだ機能液を液滴吐出法（例えば、インクジェット法）により吐出し、その後機能液を乾燥させる。正孔注入層６１の機能液としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）などのポリチオフェン誘導体に、ドーパントとしてのポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）を加えた混合物（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）などを用いることができる。
【００９７】
次に、正孔注入層６１上に、正孔輸送層６２の材料を含んだ機能液をインクジェット法により吐出し、その後機能液を乾燥させる。正孔輸送層６２の機能液としては、例えばＴＦＢが溶質として用いられ、溶媒としては、例えばシクロヘキシルベンゼンなどが用いられている。
【００９８】
次に、正孔輸送層６２上に、発光層６３（６３Ｒ，６３Ｇ）の材料を含んだ機能液をインクジェット法により吐出し、その後機能液を乾燥させる。発光層６３の機能液としては、例えば、発光層６３Ｒであれば、赤色蛍光材料の溶質が含まれている。発光層６３Ｇであれば、緑色蛍光材料の溶質が含まれている。ここまでの工程を終えた状態での断面図を図１１（ｂ）に示す。
【００９９】
（青色層形成工程）
次に、発光層６３（６３Ｒ，６３Ｇ）上に中間層６４を形成する。詳しくは、発光層６３上に、アルカリ金属塩（例えば、炭酸セシウム）層を、蒸着法を用いて形成する。中間層６４の厚みとしては例えば、０．５ｎｍである。
ここで、蒸着法は、加熱による蒸着法や、電子ビーム蒸着、スパッタ、イオンプレーティング法などの成膜方法を含むものとする。
【０１００】
次に、素子基板３１の上側から、蒸着法により発光層６３Ｂを形成する（第３発光層蒸着工程）。詳しくは、例えば、陽極２４Ｂ側から順に、正孔輸送性のα−ＮＰＤ、青色の発光層６３を構成するＤＰＢＶｉ、及び電子輸送性のＡｌｑ３の積層構造となっている。ここで、発光層６３Ｂは段差被覆性が低いため、凸部１０１の一部が発光層６３Ｂを貫き、露出した状態となる。
【０１０１】
次に、発光層６３Ｂ上に陰極２５を形成する。具体的には、例えば、フッ化リチウム膜及びアルミニウム膜をこの順に、例えば蒸着法によって積層させる。この際、凸部１０１が露出した部分に陰極２５が付着することで、凸部１０１と陰極２５が直接接触する領域ができ、陰極２５の実効的抵抗値を低減することができる。ここで、発光層６３Ｂを形成する蒸着法と、陰極２５を形成する蒸着方法を変えてもよく、この場合、発光層６３Ｂを形成する蒸着法に比べ、被覆性が高い蒸着法を陰極２５の形成に用いても良い。以上の工程を行うことで、図３に示す有機ＥＬ装置１１ａが完成する。
【０１０２】
本実施形態における有機ＥＬ装置の製造方法は、以下の効果を奏する。
【０１０３】
隔壁５９の表面が撥液化されているため、導電性インクは乾燥に伴いシュリンクする。そのため、容易に高さ１μｍ程度の凸部１０１を形成することができる。
【０１０４】
蒸着法により発光層６３Ｂを形成する（第３発光層蒸着工程）と発光層６３Ｂは段差被覆性が低いため、凸部１０１の一部が露出した状態となる。この状態で陰極２５を形成することで、凸部１０１と陰極２５が直接接触する領域ができ、陰極２５の実効的抵抗値を低減できる製造工程を提供できる。
【０１０５】
銀を含む導電性インクを用いた場合、１５０℃、２時間程度の焼成処理を用いることで、抵抗率をより下げることができる（例えば膜厚１μｍ換算で１０μΩ・ｃｍ以下）製造工程を提供できる。
【０１０６】
（第７実施形態：有機ＥＬ装置の製造方法）
以下、有機ＥＬ装置の製造方法について説明する。なお、本実施形態は第６実施形態と共通点が多いことから、第６実施形態と重複する部分については説明を省略する。図１２（ａ）、（ｂ）は有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【０１０７】
まず、上記した（隔壁製造工程）までを行う。次に、隔壁５９をエッチングにより筒状の凹部１１２を形成し、この凹部１１２を導電性インクで埋めるように凸部１１１を形成する。ここまでの工程を終えた状態での断面図を図１２（ａ）に示す。
【０１０８】
続けて、第６実施形態の（充填工程）を行う。ここまでの工程を終えた状態での断面図を図１２（ｂ）に示す。
【０１０９】
続けて、第６実施形態の、（青色層形成工程）を行うことで、図５に示す有機ＥＬ装置１１ｂが完成する。
【０１１０】
本実施形態における有機ＥＬ装置の製造方法は、上述した実施形態の効果に加え、以下の効果を奏する。
【０１１１】
筒状の凹部１１２を形成し、凹部１１２を導電性インクで埋め、凸部１１１を形成することで、第６実施形態で形成した凸部１０１と比べ、凸部１１１の抵抗値がより低下する（導体の面積が増える）。そのため、陰極２５の等価抵抗値をより低減化させる製造工程を提供できる。
【０１１２】
凹部１１２を覆うように形成することで、機械的に安定した凸部１１１が得られる。具体的に言えば、外れにくい構造となり、信頼性が向上させうる製造工程を提供できる。
【０１１３】
（第８実施形態：有機ＥＬ装置の製造方法）
以下、有機ＥＬ装置の製造方法について説明する。なお、本実施形態は、第６実施形態と共通点が多いことから、第６実施形態と重複する部分については説明を省略する。図１３（ａ）〜（ｃ）、図１４（ａ），（ｂ）は有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【０１１４】
まず、第６実施形態の、（陽極形成工程）までを行う。ここまでの工程を終えた状態での断面図を図１３（ａ）に示す。
【０１１５】
次に、絶縁体層１０２及び陽極２４上に、絶縁層５８を形成する。詳しくは、まず、絶縁層５８の材料となる、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）を含んだ絶縁層を、ＣＶＤ法などにより、回路素子層４３及び陽極２４上を覆うように形成する。次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、絶縁層５８のうち発光領域４２に開口部を形成し、絶縁層５８を完成させる。
【０１１６】
次に、補助配線１３１を形成する。具体的には、スパッタ法で金属層を形成し、フォトリソグラフ法により加工して行う。ここまでの工程を終えた状態での断面図を図１３（ｂ）に示す。
【０１１７】
次に、隔壁５９の材料の塗工液を絶縁層５８上及び陽極２４上に塗布する。塗工液は、例えばアクリル樹脂である。次に、塗工液を乾燥させて隔壁層を形成する。その後、この隔壁層における発光領域４２にフォトリソグラフ法を用いて開口部を形成する。これにより、隔壁５９の形状が完成する。この後、ＣＦ4プラズマ処理を行うと隔壁５９の表面は撥液化される。ここまでの工程を終えた状態での断面図を図１３（ｃ）に示す。
【０１１８】
次に、第６実施形態の、（凸部製造工程）を行う。ここまでの工程を終えた状態での断面図を図１４（ａ）に示す。
【０１１９】
次に、第６実施形態の、（充填工程）を行う。ここまでの工程を終えた状態での断面図を図１４（ｂ）に示す。
【０１２０】
そして、第６実施形態の、（青色層形成工程）を行うことで、図６に示す有機ＥＬ装置１１ｃが完成する。
【０１２１】
本実施形態における有機ＥＬ装置の製造方法は、上述した実施形態の効果に加え、以下の効果を奏する。
【０１２２】
補助配線１３１を形成することで、陰極２５から凸部１２１、補助配線１３１、凸部１２１、陰極２５という電流ルートを確保できるため、陰極２５の実効的な抵抗値をさらに低抵抗化する製造工程を提供できる。
【０１２３】
補助配線１３１の形成方法として、陽極２４の層（レイヤー）で形成しても良いし、反射層１００の層（レイヤー）で形成しても良い。この場合、補助配線１３１を構成する層を新たに形成することなく陰極２５の実効的な抵抗値を下げうる製造工程を提供できる。
【０１２４】
（第９実施形態：有機ＥＬ装置の製造方法）
以下、有機ＥＬ装置の製造方法について説明する。なお、本実施形態は、第６実施形態と共通点が多いことから、第６実施形態と重複する部分については説明を省略する。図１５（ａ），（ｂ）は、有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【０１２５】
まず、上記した（隔壁製造工程）までを行う。次に、隔壁５９をフォトリソグラフ工程を用いて溝状に開口して得られた凹部１５２を導電性インクで埋め、凸部１５１を形成する。ここまでの工程を終えた状態での断面図を図１５（ａ）に示す。
【０１２６】
次に、第６実施形態の、（充填工程）を行う。ここまでの工程を終えた状態での断面図を図１５（ｂ）に示す。
【０１２７】
そして、第６実施形態の、（青色層形成工程）を行うことで、図８に示す有機ＥＬ装置１１ｄが完成する。
【０１２８】
本実施形態における有機ＥＬ装置の製造方法は、上述した実施形態の効果に加え、以下の効果を奏する。
【０１２９】
凹部１５２として孔型ではなく、溝状の形状に加工することで、溝方向に延在する凹部１５２を凸部１５１が覆うこととなる。凹部１５２の内側は、撥液処理が為されていないため、親液性を備えている。そのため、導電性インクは凹部１５２の内側一杯に広がっていく。一方、隔壁５９の頂部は撥液性を備えているので、凹部１５２の内側が導電性インクで埋まり、盛り上がってくると、今度は隔壁５９の頂部は撥液性により凝集するので、溝方向に延在する領域で凸部１５１が形成される。すなわち、凹部１５２が孔型ではなく、溝状の形状を備えていることで、溝方向に延在する凹部１５２を凸部１５１が覆うことから、電気的に陰極２５と凸部１５１とが並列に設けられることとなり、陰極２５の電気抵抗を低減させうる製造工程を提供できる。
【０１３０】
（第１０実施形態：有機ＥＬ装置の製造方法）
以下、有機ＥＬ装置の製造方法について説明する。なお、本実施形態は、第６実施形態と共通点が多いことから、第６実施形態と重複する部分については説明を省略する。図１６（ａ）〜（ｃ）、図１７（ａ），（ｂ）は有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【０１３１】
まず、第６実施形態の、（陽極形成工程）までを行う。ここまでの工程を終えた状態での断面図を図１６（ａ）に示す。
【０１３２】
次に、絶縁体層１０２及び陽極２４上に、絶縁層５８を形成する。詳しくは、まず、絶縁層５８の材料となる、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）を含んだ絶縁層を、ＣＶＤ法などにより、回路素子層４３及び陽極２４上を覆うように形成する。次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、絶縁層５８のうち発光領域４２に開口部を形成し、絶縁層５８を完成させる。
【０１３３】
次に、補助配線１７１を形成する。具体的には、スパッタ法で金属層を形成し、フォトリソグラフ法により加工して行う。ここまでの工程を終えた状態での断面図を図１６（ｂ）に示す。
【０１３４】
次に、隔壁５９の材料の塗工液を絶縁層５８上及び陽極２４上に塗布する。塗工液は、例えばアクリル樹脂である。次に、塗工液を乾燥させて隔壁層を形成する。その後、発光領域４２上に位置する隔壁層を、フォトリソグラフ法を用い除去することで開口部を形成する。これにより、隔壁５９の形状が完成する。この後、ＣＦ4プラズマ処理を行うと隔壁５９の表面は撥液化される。ここまでの工程を終えた状態での断面図を図１６（ｃ）に示す。
【０１３５】
次に、フォトリソグラフ工程により隔壁５９を溝状に開口して得られた凹部１６２を導電性インクで埋め、凸部１６１を形成する。ここまでの工程を終えた状態での断面図を図１７（ａ）に示す。
【０１３６】
次に、第６実施形態の、（充填工程）を行う。ここまでの工程を終えた状態での断面図を図１７（ｂ）に示す。
【０１３７】
そして、第６実施形態の、（青色層形成工程）を行うことで、図９に示す有機ＥＬ装置１１ｅが完成する。
【０１３８】
本実施形態における有機ＥＬ装置の製造方法は、上述した実施形態の効果に加え、以下の効果を奏する。
【０１３９】
補助配線１７１を形成することで、陰極２５から凸部１６１、補助配線１７１、凸部１６１、陰極２５という電流ルートを確保できる。そのため、陰極２５の実効的な抵抗値をさらに低抵抗化させうる製造工程を提供できる。
【符号の説明】
【０１４０】
５…発光素子層、１１…有機ＥＬ装置、１１ａ…有機ＥＬ装置、１１ｂ…有機ＥＬ装置、１１ｃ…有機ＥＬ装置、１１ｄ…有機ＥＬ装置、１１ｅ…有機ＥＬ装置、１２…走査線、１３…信号線、１４…電源線、１５…信号線駆動回路、１６…走査線駆動回路、２１…スイッチング用ＴＦＴ、２２…保持容量、２３…ＴＦＴ素子、２４…陽極、２４Ｂ…陽極、２４Ｇ…陽極、２４Ｒ…陽極、２６…発光機能層、２７…発光素子、２７Ｂ…青色発光素子、２７Ｇ…緑色発光素子、２７Ｒ…赤色発光素子、３１…素子基板、３２…表示領域、３２ａ…実表示領域、３２ｂ…ダミー領域、３３…非表示領域、３４…サブ画素、３５…検査回路、３６…フレキシブル基板、３７…駆動用ＩＣ、４２…発光領域、４３…回路素子層、４５…下地保護膜、４６…半導体膜、４７…ソース領域、４８…ドレイン領域、５１…チャネル領域、５２…ゲート絶縁膜、５３…ゲート電極、５４…第１層間絶縁膜、５５…第２層間絶縁膜、５６…コンタクトホール、５７…コンタクトホール、５８…絶縁層、５９…隔壁、６１…正孔注入層、６１Ｇ…正孔注入層、６１Ｒ…正孔注入層、６２…正孔輸送層、６２Ｇ…正孔輸送層、６２Ｒ…正孔輸送層、６３…発光層、６３Ｂ…青色の発光層、６３Ｇ…緑色の発光層、６３Ｒ…赤色の発光層、６４…中間層、１００…反射層、１０１…凸部、１０２…絶縁体層、１１１…凸部、１１２…凹部、１２１…凸部、１２２…凹部、１３１…補助配線、１５１…凸部、１５２…凹部、１６１…凸部、１６２…凹部、１７１…補助配線。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の一面側に設けられ、島状に分離された第１電極と、
前記第１電極を覆う光透過性の第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に配置された発光層を含む有機機能層と、
少なくとも前記第１電極を島状に分離する領域に設けられた、一部の有機機能層を分離する隔壁と、
を備える有機エレクトロルミネッセンス装置であって、
前記隔壁の少なくとも一部と接する、導電性の凸部が備えられ、
前記凸部は、発光に寄与しない有機機能層を貫いており、
かつ前記第２電極と前記凸部とが接していることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記隔壁には、前記凸部を埋めるための凹部が設けられていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項３】
請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記凹部の底部には、前記凸部同士を電気的に繋げる導体が備えられていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項４】
請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記凹部は溝状の形状を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項５】
請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記凹部の底部の少なくとも一部と沿い、前記凸部と電気的に繋げられた導体が備えられていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項６】
有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
基板の一面側に、島状に分離された第１電極を形成する工程と、
少なくとも前記第１電極間に、隔壁を形成する工程と、
前記隔壁の少なくとも一部と接する、導電性を持つ凸部を形成する工程と、
第１の有機機能層を前記隔壁の内側に形成する工程と、
第２の有機機能層を前記基板の一面側に、前記凸部の一部を露出させて形成する工程と、
光透過性の第２電極を、前記基板の一面側に、前記凸部と接触させて形成する工程と、
を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、前記隔壁を形成する工程と、前記凹部を形成する工程と、前記凹部内に凸部を形成する工程と、備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、前記隔壁を形成する工程以前に、前記凸部の底同士を電気的に繋げる配線部を形成する工程をさらに備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、前記凹部を溝状に形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、前記隔壁を形成する工程以前に、前記凹部の窪みの少なくとも一部と沿い、前記凸部と電気的に繋がる配線層を形成する工程をさらに備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項１】
基板と、
前記基板の一面側に設けられ、島状に分離された第１電極と、
前記第１電極を覆う光透過性の第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に配置された発光層を含む有機機能層と、
少なくとも前記第１電極を島状に分離する領域に設けられた、一部の有機機能層を分離する隔壁と、
を備える有機エレクトロルミネッセンス装置であって、
前記隔壁の少なくとも一部と接する、導電性の凸部が備えられ、
前記凸部は、発光に寄与しない有機機能層を貫いており、
かつ前記第２電極と前記凸部とが接していることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記隔壁には、前記凸部を埋めるための凹部が設けられていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項３】
請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記凹部の底部には、前記凸部同士を電気的に繋げる導体が備えられていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項４】
請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記凹部は溝状の形状を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項５】
請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記凹部の底部の少なくとも一部と沿い、前記凸部と電気的に繋げられた導体が備えられていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項６】
有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
基板の一面側に、島状に分離された第１電極を形成する工程と、
少なくとも前記第１電極間に、隔壁を形成する工程と、
前記隔壁の少なくとも一部と接する、導電性を持つ凸部を形成する工程と、
第１の有機機能層を前記隔壁の内側に形成する工程と、
第２の有機機能層を前記基板の一面側に、前記凸部の一部を露出させて形成する工程と、
光透過性の第２電極を、前記基板の一面側に、前記凸部と接触させて形成する工程と、
を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、前記隔壁を形成する工程と、前記凹部を形成する工程と、前記凹部内に凸部を形成する工程と、備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、前記隔壁を形成する工程以前に、前記凸部の底同士を電気的に繋げる配線部を形成する工程をさらに備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、前記凹部を溝状に形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、前記隔壁を形成する工程以前に、前記凹部の窪みの少なくとも一部と沿い、前記凸部と電気的に繋がる配線層を形成する工程をさらに備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【公開番号】特開２０１２−１９８９９１（Ｐ２０１２−１９８９９１Ａ）
【公開日】平成２４年１０月１８日（２０１２．１０．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−６０４６８（Ｐ２０１１−６０４６８）
【出願日】平成２３年３月１８日（２０１１．３．１８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１０月１８日（２０１２．１０．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月１８日（２０１１．３．１８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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