有機光電子装置及び前記装置をカプセル化する方法
本発明は、薄膜の形をとる密封カプセル化によって周囲空気から保護される、ディスプレイ装置、照明装置、信号装置などの有機光電子装置、及びかかる装置をカプセル化する方法に関する。本発明による光電子装置（１）は、交互する無機物層（２１ａ〜２６ａ）及び有機物層（２１ｂ〜２５ｂ）を含む密封多層カプセル化構造（２０）で被覆される。本発明によれば、この装置は、前記有機物層のうちの少なくとも１つが、熱的に又は電磁放射によって架橋されうる接着剤をベースとする架橋接着膜（２１ｂ〜２５ｂ）から成るようなものであり、前記又はそれぞれの接着膜は均一に２００ｎｍ未満の厚みを有し、前記厚みは、堆積されているがまだ架橋されていない前記膜を真空に通すことによって得られ、それによってカプセル化構造の全厚みが最小化される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、不浸透性薄膜カプセル化によって周囲空気から保護される、ディスプレイ装置、照明装置、信号装置などの有機光電子装置（organic optoelectronic device）、及びかかる装置をカプセル化するためのプロセスに関する。本発明は、例えば、マイクロスクリーンやマイクロディスプレイなどの有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える装置、光起電セル、或いは有機薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）に非限定的に適用される。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、ＯＬＥＤなどの有機光電子装置、光起電セルを備える装置、及び有機ＴＦＴを備える装置は、それらの敏感な構成要素を大気中のガス種（主として酸素及び水蒸気）から保護するためにカプセル化される必要がある。これは、適切な保護が実施されていない場合、装置は後に劣化するという危険性があるためである。この劣化は、ＯＬＥＤの場合、実際のところ、水蒸気がダイオードに浸透し、それによってカソード（又はアノード）／有機膜界面を劣化させた結果である黒い非発光性スポットの出現によって主に現れる。
【０００３】
このカプセル化は、通常、特定の接着剤、とりわけ低い透水性を有する接着剤を用いて有機装置上に接合されるガラスキャップを使用してもたらすことができる。一般に、装置の寿命を延ばすために、固形の水分ゲッタ（moisture getter）が基板とキャップの間に追加される。キャップを用いたカプセル化は、リジッド装置（rigid device）にはよく適しているが、可撓性支持体を備える装置（例えば、フレキシブルディスプレイ）にはあまり適していない。このカプセル化技術はまた、例えばＣＭＯＳ（相補型金属酸化膜半導体）マイクロディスプレイにおいて、基板の回路上の空間が不足している場合にも実行不可能であり、また、装置の重量を最小限に抑えることが望まれる場合、特に放出面積が大きい場合に回避されるべきである。
【０００４】
キャップを用いたカプセル化が適していないこれらのすべての場合に、いわゆる「モノリシック（monolithic）」カプセル化、すなわち、とりわけ優れた酸素バリヤ特性及び水蒸気バリヤ特性を有する薄膜を用いるカプセル化が、一般に採用されている。この用途に最も一般的に使用されている材料は一般に、通常は化学気相成長法（ＣＶＤ）、オプションとしてプラズマ促進化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）、又は原子層成長法（ＡＬＤ）を用いて堆積された、化学式ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘＮｙ及びＡｌｘＯｙの誘電酸化物及び／又は窒化物であり、これらの技術は、物理気相成長法（ＰＶＤ）よりも好まれる。この物理気相成長法は、スパッタリングのように、ほとんど常に有機半導体に対して攻撃的すぎる、或いはこれらの蒸着膜内に見られる多くのピンホール型欠陥のせいで、バリヤ用途には不満足な性質を有する膜の形成を引き起こす。ＰＥＣＶＤ技術及びＡＬＤ技術は、堆積される膜に対して非常にコンフォーマル（conformal）である（すなわち、これらの技術は優れた段差被覆性（step coverage）を提供する）という利点を有しており、ＰＶＤ技術を用いて得られる膜よりも欠点はずっと少ない。
【０００５】
それにもかかわらず、これらのＰＥＣＶＤ又はＡＬＤ技術を用いて現在得られる単一無機物層のカプセル化構造は、これらの層内にとどまる欠陥のせいで何をしても不満足な大気気体不浸透性特性を有する。例えば、約１ｇ／ｍ２／日の浸透率を有する市販のＰＥＴ膜の水蒸気不浸透性を、その膜の表面上に低温ＰＥＣＶＤを用いてシリコン窒化物の無機膜を堆積させることによって向上させることが決定された場合（食品包装の場合）、この不浸透性はせいぜい１００倍に向上され、その場合、ＰＥＴ／ＳｉＮｘ多層は、最良のシナリオで、約１０−２ｇ／ｍ２／日の水蒸気浸透率を有する。
【０００６】
この水蒸気浸透率をさらに低下させるために、Ｂａｒｉｘ（登録商標）というブランド名で販売されているものなどの、有機／無機／有機／無機／などの多層を製造しようとする試みが最近なされてきており、そこでは、水蒸気が移動する経路をより遠回りにし、それによってカプセル化構造を通る水蒸気の拡散を妨げるために、各有機／無機ダイアド（organic/inorganic dyad）のポリマー下層が真空蒸着によって堆積されて、１つの無機物層の欠陥を別の無機物層の欠陥から「無相関化（decorrelated）」することができる。このようにして、現在のところ、そのような構造の水蒸気浸透率を約１０−６ｇ／ｍ２／日の値にまで低下させ、それによってＯＬＥＤディスプレイ装置の商品化が想定されうる十分な寿命を得ることが可能である。
【０００７】
別の多層カプセル化構造の大きなファミリーが、Ｐｈｉｌｉｐｓによって「ＮＯＮＯＮ」というブランド名で販売されており、交互する窒化物層及び酸化物層、例えばＳｉＮｘ／ＳｉＯｘ／ＳｉＮｘ／ＳｉＯｘ／などを含む多層で構成されている。
【０００８】
ＯＬＥＤ装置カプセル化に対し、特許文献１に記述されている多層構造についても言及することができる。この多層構造は、接着層によって結合された２つのポリマー層を含む外部多層が載っている内部有機物／無機物多層を備えていて、接着層とこれらのポリマー膜との２つの界面が２つの熱硬化膜で形成されている。
【０００９】
Ｂａｒｉｘ（登録商標）構造などの、交互する有機物層及び無機物層を含む多層構造の主な欠点は、所望の酸素及び水蒸気不浸透性特性を得るために、２つの無機物層の間に挟まれたポリマー層の各々の厚みが比較的大きくなっており（一般に５００ｎｍより大きい）、それによってｎ個の有機／無機ダイアドから形成された構造の全厚みが大きくなることである。したがって、これらのダイアドが４個の場合、厚みが２μｍを超えることは容易に可能である。このことは、非常に薄いカプセル化を必要とする、ＣＭＯＳ基板上のマイクロディスプレイなどのいくつかの装置に対して実行不可能である。これは、これらのマイクロディスプレイの品質が、各発光画素の面積と、対応する色フィルタの面積との間の開口比（aperture ratio）に依存するためである。色フィルタは、通常はマイクロディスプレイに接合された透明な保護キャップの内側上に置かれている。この開口比は、色フィルタを画素から隔てている距離に、したがって、カプセル化構造及び／又はマイクロディスプレイ上に付いている接着剤の厚みに直接関係している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００７／０１８４２９２（Ａ）号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の目的の一つは、これらの欠点を軽減する、例えば有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、光起電セル、又は有機薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を備える、ディスプレイ装置、照明装置、信号装置などの有機光電子装置を提供することであり、この装置は、交互する無機物層及び有機物層を含む不浸透性多層カプセル化構造で被覆されている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
この目的のために、本発明による装置は、これらの有機物層のうちの少なくとも１つが、電磁放射硬化性の接着剤又は熱硬化性の接着剤（すなわち、有機膜として高温、通常は８０〜１００℃で硬化可能）をベースとする硬化した接着膜によって形成されるようなものであり、この接着膜は、均一に２００ｎｍ未満の厚みを有し、この厚みは、堆積された未だ硬化していない接着膜を真空にさらすことによって得られ、それによってカプセル化構造の全厚みは最小化される。
【００１３】
したがって、所与の数の無機／有機ダイアドの場合に、且つ同程度のバリヤ特性の場合に、本発明によるカプセル化構造の厚みは、各有機膜が一般に５００ｎｍを超える厚みを有するＢａｒｉｘ（登録商標）構造の厚みと比べてかなり減少することに留意されたい。したがって、本発明による装置は、これらのＢａｒｉｘ（登録商標）構造と比べると、ＣＭＯＳ基板上のマイクロディスプレイなどの応用例で使用するのに十分薄いカプセル化物を有することができ、或いは、所与の全厚みの構造の場合、より多数のダイアドのために、さらに向上したバリヤの特性を有することができる。
【００１４】
有利には、カプセル化構造は、少なくとも３個のダイアドを含み、前記各ダイアドは、無機物層のうちの１つ及び有機物層のうちの１つを含むことができる。
【００１５】
本発明の別の特徴によれば、無機物層は、前記構造内に、内部無機物層と、それぞれが有機物層のうちの２つの間に置かれている少なくとも２つの中間無機物層と、外部無機物層とをそれぞれ形成することができる。
【００１６】
有機物層のそれぞれは、本発明による接着膜によって形成されることが好ましい。この好ましいケースでは、したがって、各ダイアドはその有機物層内に接着剤を含み、各接着膜の化学的特性及び／又は厚み特性はダイアドによって異なりうることが明記される。
【００１７】
本発明の別の特徴によれば、接着膜は１５０ｎｍ以下の厚みを有することができ、この厚みは、例えば周囲温度（約２０℃）で１Ｐａに実質的に等しい圧力で実施される真空（少なくとも低真空）にさらすことによって有利に得られる。「低真空（rough vacuum）」（「一次真空（primary vacuum）」とも呼ばれる）という表現は、周知のように、通常は０．１Ｐａ未満と定義されている高真空（又は二次真空（secondary vacuum））とは異なる圧力範囲を意味するものと理解される。
【００１８】
有利には、接着膜は８０ｎｍ〜１２０ｎｍの厚みを有することができ、この接着剤は、アクリレート接着剤及びエポキシ接着剤から成る群から選択された紫外線硬化性接着剤であることが好ましい。さらに好ましくは、この接着剤は、単一成分のエポキシ接着剤、例えば、未硬化状態で且つ常規周囲条件での粘度が２０ｍＰａ秒〜４０ｍＰａ秒である液体接着剤である（「常規周囲条件（normal ambient condition）」という表現は、周知のように、温度２０℃、相対湿度６５％、及び大気圧１０１，３２５Ｐａを意味するものと理解される）。
【００１９】
本発明の別の特徴によれば、無機物層のそれぞれが、２００ｎｍ未満の厚みを有する薄膜によって形成することができ、この薄膜は、それぞれの隣接する有機物層の化合物に適合する少なくとも１つの誘電体化合物をベースとし、好ましくは、原子層成長法（ＡＬＤ）、プラズマ促進化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）若しくは化学気相成長法（ＣＶＤ）、又は物理気相成長法（ＰＶＤ）によって得られる。この誘電体化合物は、化学式ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘＮｙ、ＺｎＳｅ、ＺｎＯ、Ｓｂ２Ｏ３、酸化アルミニウム、及び透明導電酸化物（ＴＣＯ：transparent conductive oxide）、特にインジウムスズ酸化物の化合物から成る群から選択されることが好ましい。
【００２０】
各無機物層は、ＡＬＤによって得られ、その場合２０ｎｍ〜５０ｎｍの厚みを有することができることが好ましい。この場合、各ダイアドは、９０ｎｍ〜１３０ｎｍの厚みを有利に有することができる。
【００２１】
本発明の有利な一実施形態によれば、前記装置は、少なくとも１つの面上を発光ユニット（例えばＯＬＥＤを含む、他の任意の発光構成要素が使用されうることが明記される）で被覆された半導体基板を含み、この発光ユニットは、少なくとも２つの電極、すなわち内部電極および外部電極を備え、前記２つの電極の間には発光構造が挟まれており、前記２つの電極のうちの少なくとも一方が放射光に対して透明であり、カプセル化構造が外部電極を覆う。
【００２２】
本発明のこの実施形態によれば、発光ユニットを覆うカプセル化構造のダイアドの数は少なくとも４個であることが有利であり、この構造がこれらのダイアドのうちの５個を含む場合に、この構造は５００ｎｍに実質的に等しい全厚みを有することができる。
【００２３】
また、本発明のこの実施形態によれば、前記装置には、カプセル化構造が載っている発光ユニット上に加圧下で接合された保護シートをさらに設けることができる（このシートは、ガラスやプラスチックなどの、発光ユニットによって放出された光に対して透明な材料で製作することができる）。
【００２４】
ディスプレイ装置がカラーマイクロディスプレイを含むという特定のケースでは、この保護シートには、その組立面の上に光学色フィルタすなわち色変更手段が設けられ、したがって、これらのフィルタすなわちこれらの手段は、マイクロディスプレイの各画素の対応する色ドットに面して置かれることに留意されたい。
【００２５】
このケースでは、ＣＭＯＳ基板上のマイクロディスプレイに関して上述したように、本発明のカプセル化構造の厚みの減少により、保護シートの内側の面上に置かれた色フィルタからマイクロディスプレイの画素を隔てる総距離を最小化し（このシートの下に塗布された接着剤の厚みは変わらない）、それによってマイクロディスプレイの開口比を向上させることが可能になる。
【００２６】
上記に定義したような装置をカプセル化するための本発明によるカプセル化プロセスは、連続的な以下のステップを含み、すなわち
ａ）２００ｎｍ未満の厚みを有する内部無機物層が、この装置の少なくとも１つの外側の面上に、例えば発光ユニットの外部電極上に、ＡＬＤ、ＰＥＣＶＤ若しくはＣＶＤ、又はＰＶＤを用いて堆積され、この内部無機物層は、好ましくは、化学式ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘＮｙ、ＺｎＳｅ、ＺｎＯ、Ｓｂ２Ｏ３、酸化アルミニウム、及び透明導電酸化物（例えばインジウムスズ酸化物）の化合物から成る群から選択された少なくとも１つの誘電体化合物をベースとすること、
ｂ）この内部無機物層は、（例えば、スピナー又は他の任意適当な手段、例えば浸漬被覆（dip coating）を用いて）電磁放射硬化性又は熱硬化性の接着剤をベースとする接着有機物層で被覆され、それによって得られた有機物層は、例えば５００ｎｍ〜１μｍの厚みを有すること、
ｃ）それによって得られた有機物層は、真空、好ましくは低真空にさらされ、その結果、その有機物層を均一に２００ｎｍ未満の厚みを有する接着膜に変え、それによって、２つの層、すなわち無機物層及び有機物層を含む第１のダイアドを得ること、
ｄ）２つの層（無機物層及び有機物層）を含む少なくとも１つの他のダイアドが、ステップａ）〜ｃ）を繰り返すことによって連続的に堆積され、ステップａ）の内部無機物層の代わりにその内部無機物層に類似している中間無機物層が堆積されること、次いで
ｅ）中間無機物層に類似している最後の外部無機物層が、最後のダイアドの接着膜上に堆積されること
を含み、
各ダイアドの接着膜は、電磁放射によって又は熱を用いて、別々に硬化される、或いは、これらのダイアドが得られた後ですべての接着膜が一緒に硬化される（後者のケースは、ステップｄ）が未硬化の下にある接着膜に適合する場合にのみ可能である）ことが特徴づけられる。
【００２７】
各ダイアドの接着膜は、その後のステップｄ）の堆積の前に硬化されることが有利である。
【００２８】
このカプセル化プロセスの１つの利点は、Ｂａｒｉｘ（登録商標）真空蒸着プロセスと比べると、本発明によるステップｃ）での真空にさらされている時間が節約されることであり、この工程の期間は１分を超えないことに留意されたい。
【００２９】
上述のように、各有機物層に使用される接着剤は、紫外線によって硬化されることが好ましく、これは、最も好ましい場合にアクリレート接着剤又はエポキシ接着剤とすることができ、各ダイアドの接着膜として得られる厚みは、好ましくは８０ｎｍ〜１２０ｎｍである。本発明による構造の接着膜のうちのいくつか又はそれぞれは、前記接着剤に加えて、界面活性剤などの１つ又は複数の添加剤を含むこともあり得ることに留意されたい。
【００３０】
本発明による構造の各無機膜を得るために好適に選択されるＡＬＤは、低温で行うことができ、且つ浸透率を大幅に低下させた高密度層を得ることを可能にし、この膜は、関係する表面のマイクロレリーフ又はナノレリーフと可及的にぴったり合うことに留意されたい。
【００３１】
本発明の他の利点、特徴及び詳細は、単に実施例として与えられている添付図面を参照して続く以下の説明から明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】光電子装置の上にある、本発明の例示的な実施形態による多層カプセル化構造を示す概略断面図である。
【図２】図１のカプセル化構造を受け入れることができる、本発明の一実施形態によるマイクロディスプレイ光電子装置の概略断面図である。
【図３】さらに色フィルタを設けた保護シートが上に接合されており且つ図１の本発明による構造を組み込むこともできる、図２の光電子装置の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
図１に示されている多層カプセル化構造２０は、光電子装置１の外側（例えば、発光装置１の発光側）を覆っており、光電子装置１の敏感な構成要素は、周囲空気中の水分及び酸素から保護されることになる。この不浸透性カプセル化構造２０は、有機物層で被覆された薄い無機物層２１ａ〜２５ａでそれぞれが構成されている５個のダイアド２１〜２５を含み、この有機物層は、厚みが減少し硬化した接着膜２１ｂ〜２５ｂを形成しており、かつ、最も外側の有機物層２５ｂを含めて、２つの無機物層２１ａと２２ａ、２２ａと２３ａ、２３ａと２４ａ、２４ａと２５ａの間に挟まれている。実際、有機物層２５ｂは、カプセル化構造２０の外部面を画定する、薄い外部無機物層２６ａで覆われる。図１におけるこれらのさまざまな層は、断面内において、それらのそれぞれの厚み及び長さの縮尺で示されていないことに留意すべきである。
【００３４】
構造２０の最初の内部ダイアド２１は、連続的な以下のステップを実行することによって装置１上に堆積させることができる。
【００３５】
まず、好ましくはＡＬＤ技術を用いて、例えば化学式ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘＮｙ、ＺｎＳｅ、ＺｎＯ、Ｓｂ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、又はＩｎ２Ｏ３／ＳｎＯ２の透明な誘電体化合物を装置１の外側上に（例えば、発光ユニットの外部電極８上に、図２及び３参照）堆積させ、それによって、有利には２０ｎｍ〜３０ｎｍである極めて薄い内部無機物層２１ａを形成する、
この内部無機物層２１ａを、例えばスピナーを用いて、紫外線硬化性接着剤、好ましくは高蒸気圧単一成分液体エポキシ接着剤（Ｅｐｏｘｙ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙによって「ＯＧ」という一般名で販売されているものなど、接着剤ＯＧ１４６が好ましく、オプションとしてそれに界面活性剤、例えば３ＭによってＦＣ４４３０という名称で販売されている非イオン性界面活性剤が添加される）をベースとする接着有機物層で被覆し、それによって得られた有機物層は５００ｎｍ〜１μｍの厚みを有する、
この有機物層を、約２０℃、圧力１Ｐａの低真空に６０秒間さらして、その厚みを約１００ｎｍに減少させ、それによって得られた極薄接着膜２１ｂ〜２５ｂは有利に均一な厚みを有する、次いで
それによって得られた接着膜２１ｂ〜２５ｂを、紫外線に約４０秒間さらすことによって硬化させる。
【００３６】
カプセル化構造２０の他のダイアド２２〜２５のそれぞれを得るために、これらの作業が繰り返され、最終的に、最後の外部無機物層２６ａを最後のダイアド２５上に堆積させる。したがって、交互になったｎ個の有機物層及びｎ＋１個の無機物層が得られる（図１の実施例ではｎ＝５であり、ｎは構造２０に必要な不浸透性特性に応じて他の値を取ることができ、ｎは少なくとも２に等しいことが理解されよう）。
【００３７】
本発明によるこのカプセル化プロセルは、有機高分子層が真空蒸着によって堆積されるＢａｒｉｘ（登録商標）カプセル化プロセスに比べて、より少ない時間で有利に行われることに留意されたい。
【００３８】
図２及び３の実施例に示されている光電子装置１は、例えば、ＯＬＥＤマイクロディスプレイである。このＯＬＥＤマイクロディスプレイは、周知のように、通常はシリコンで作られている基板２を含み、この基板は、活性領域４及び電気接続領域５を画定している発光ユニット３で被覆されている。発光ユニット３は、２つの電極、すなわち内部電極７及び外部電極８を備えており、その２つの電極の間には発光構造９が挟まれており、その電極うちの少なくとも一方８（この実施例では外部電極）は、構造９によって放出される光に対して透明又は半透明であり、したがって、放出された光は、活性領域４を通って装置１の外部へ向かって伝搬するように作られる。
【００３９】
外部電極８は、銀、アルミニウム、サマリウムなどの金属から作られることが好ましい。というのは、これらの金属の透明特性は可視範囲内にあり、且つこれらの金属が小さい厚みでの電気伝導性がある（外部電極８の厚みは例えば１０ｎｍ〜３０ｎｍである）からである。ＯＬＥＤ発光構造９は、例えば、電子及び正孔を電極７及び８から移動させ、これらの電子及び正孔が再結合して励起子を生成し、したがって光を放出するように設計された多層有機膜で構成されている。
【００４０】
図３に示されているように、発光ユニット３には、接着剤１０（好ましくは、紫外線硬化性でもあるアクリレート又はエポキシ接着剤）を使用して、例えばガラス又はプラスチック製の保護シート１１を取り付けることができる。この保護シート１１には、その内側の面上に、マイクロディスプレイ１の各画素の対応する色ドットに面して置かれた光学色フィルタ１２,１３,１４が設けられる。この接着剤１０は、未硬化状態で、それ自体が知られている方法で、シート１１の内側および／又はカプセル化構造２０が載っている発光ユニット３の内側上に塗布され、次いで、シート１１は、接着剤で被覆された組立接合面（assembly interface）上に加圧下で付着される。
【００４１】
厚さの小さいカプセル化構造２０が得られ、その厚さは図１の実施例では約５００ｎｍであり、このカプセル化構造２０の小さい厚さは、画素と色フィルタ１２,１３,１４との間の総距離（その中に接着剤１０の厚みを含む）が所与のバリヤ特性に対して最小化されることを可能にし、それによって、カラーマイクロディスプレイ１の開口比を向上させることに留意されたい。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、不浸透性薄膜カプセル化によって周囲空気から保護される、ディスプレイ装置、照明装置、信号装置などの有機光電子装置（organic optoelectronic device）、及びかかる装置をカプセル化するためのプロセスに関する。本発明は、例えば、マイクロスクリーンやマイクロディスプレイなどの有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える装置、光起電セル、或いは有機薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）に非限定的に適用される。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、ＯＬＥＤなどの有機光電子装置、光起電セルを備える装置、及び有機ＴＦＴを備える装置は、それらの敏感な構成要素を大気中のガス種（主として酸素及び水蒸気）から保護するためにカプセル化される必要がある。これは、適切な保護が実施されていない場合、装置は後に劣化するという危険性があるためである。この劣化は、ＯＬＥＤの場合、実際のところ、水蒸気がダイオードに浸透し、それによってカソード（又はアノード）／有機膜界面を劣化させた結果である黒い非発光性スポットの出現によって主に現れる。
【０００３】
このカプセル化は、通常、特定の接着剤、とりわけ低い透水性を有する接着剤を用いて有機装置上に接合されるガラスキャップを使用してもたらすことができる。一般に、装置の寿命を延ばすために、固形の水分ゲッタ（moisture getter）が基板とキャップの間に追加される。キャップを用いたカプセル化は、リジッド装置（rigid device）にはよく適しているが、可撓性支持体を備える装置（例えば、フレキシブルディスプレイ）にはあまり適していない。このカプセル化技術はまた、例えばＣＭＯＳ（相補型金属酸化膜半導体）マイクロディスプレイにおいて、基板の回路上の空間が不足している場合にも実行不可能であり、また、装置の重量を最小限に抑えることが望まれる場合、特に放出面積が大きい場合に回避されるべきである。
【０００４】
キャップを用いたカプセル化が適していないこれらのすべての場合に、いわゆる「モノリシック（monolithic）」カプセル化、すなわち、とりわけ優れた酸素バリヤ特性及び水蒸気バリヤ特性を有する薄膜を用いるカプセル化が、一般に採用されている。この用途に最も一般的に使用されている材料は一般に、通常は化学気相成長法（ＣＶＤ）、オプションとしてプラズマ促進化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）、又は原子層成長法（ＡＬＤ）を用いて堆積された、化学式ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘＮｙ及びＡｌｘＯｙの誘電酸化物及び／又は窒化物であり、これらの技術は、物理気相成長法（ＰＶＤ）よりも好まれる。この物理気相成長法は、スパッタリングのように、ほとんど常に有機半導体に対して攻撃的すぎる、或いはこれらの蒸着膜内に見られる多くのピンホール型欠陥のせいで、バリヤ用途には不満足な性質を有する膜の形成を引き起こす。ＰＥＣＶＤ技術及びＡＬＤ技術は、堆積される膜に対して非常にコンフォーマル（conformal）である（すなわち、これらの技術は優れた段差被覆性（step coverage）を提供する）という利点を有しており、ＰＶＤ技術を用いて得られる膜よりも欠点はずっと少ない。
【０００５】
それにもかかわらず、これらのＰＥＣＶＤ又はＡＬＤ技術を用いて現在得られる単一無機物層のカプセル化構造は、これらの層内にとどまる欠陥のせいで何をしても不満足な大気気体不浸透性特性を有する。例えば、約１ｇ／ｍ２／日の浸透率を有する市販のＰＥＴ膜の水蒸気不浸透性を、その膜の表面上に低温ＰＥＣＶＤを用いてシリコン窒化物の無機膜を堆積させることによって向上させることが決定された場合（食品包装の場合）、この不浸透性はせいぜい１００倍に向上され、その場合、ＰＥＴ／ＳｉＮｘ多層は、最良のシナリオで、約１０−２ｇ／ｍ２／日の水蒸気浸透率を有する。
【０００６】
この水蒸気浸透率をさらに低下させるために、Ｂａｒｉｘ（登録商標）というブランド名で販売されているものなどの、有機／無機／有機／無機／などの多層を製造しようとする試みが最近なされてきており、そこでは、水蒸気が移動する経路をより遠回りにし、それによってカプセル化構造を通る水蒸気の拡散を妨げるために、各有機／無機ダイアド（organic/inorganic dyad）のポリマー下層が真空蒸着によって堆積されて、１つの無機物層の欠陥を別の無機物層の欠陥から「無相関化（decorrelated）」することができる。このようにして、現在のところ、そのような構造の水蒸気浸透率を約１０−６ｇ／ｍ２／日の値にまで低下させ、それによってＯＬＥＤディスプレイ装置の商品化が想定されうる十分な寿命を得ることが可能である。
【０００７】
別の多層カプセル化構造の大きなファミリーが、Ｐｈｉｌｉｐｓによって「ＮＯＮＯＮ」というブランド名で販売されており、交互する窒化物層及び酸化物層、例えばＳｉＮｘ／ＳｉＯｘ／ＳｉＮｘ／ＳｉＯｘ／などを含む多層で構成されている。
【０００８】
ＯＬＥＤ装置カプセル化に対し、特許文献１に記述されている多層構造についても言及することができる。この多層構造は、接着層によって結合された２つのポリマー層を含む外部多層が載っている内部有機物／無機物多層を備えていて、接着層とこれらのポリマー膜との２つの界面が２つの熱硬化膜で形成されている。
【０００９】
Ｂａｒｉｘ（登録商標）構造などの、交互する有機物層及び無機物層を含む多層構造の主な欠点は、所望の酸素及び水蒸気不浸透性特性を得るために、２つの無機物層の間に挟まれたポリマー層の各々の厚みが比較的大きくなっており（一般に５００ｎｍより大きい）、それによってｎ個の有機／無機ダイアドから形成された構造の全厚みが大きくなることである。したがって、これらのダイアドが４個の場合、厚みが２μｍを超えることは容易に可能である。このことは、非常に薄いカプセル化を必要とする、ＣＭＯＳ基板上のマイクロディスプレイなどのいくつかの装置に対して実行不可能である。これは、これらのマイクロディスプレイの品質が、各発光画素の面積と、対応する色フィルタの面積との間の開口比（aperture ratio）に依存するためである。色フィルタは、通常はマイクロディスプレイに接合された透明な保護キャップの内側上に置かれている。この開口比は、色フィルタを画素から隔てている距離に、したがって、カプセル化構造及び／又はマイクロディスプレイ上に付いている接着剤の厚みに直接関係している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００７／０１８４２９２（Ａ）号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の目的の一つは、これらの欠点を軽減する、例えば有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、光起電セル、又は有機薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を備える、ディスプレイ装置、照明装置、信号装置などの有機光電子装置を提供することであり、この装置は、交互する無機物層及び有機物層を含む不浸透性多層カプセル化構造で被覆されている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
この目的のために、本発明による装置は、これらの有機物層のうちの少なくとも１つが、電磁放射硬化性の接着剤又は熱硬化性の接着剤（すなわち、有機膜として高温、通常は８０〜１００℃で硬化可能）をベースとする硬化した接着膜によって形成されるようなものであり、この接着膜は、均一に２００ｎｍ未満の厚みを有し、この厚みは、堆積された未だ硬化していない接着膜を真空にさらすことによって得られ、それによってカプセル化構造の全厚みは最小化される。
【００１３】
したがって、所与の数の無機／有機ダイアドの場合に、且つ同程度のバリヤ特性の場合に、本発明によるカプセル化構造の厚みは、各有機膜が一般に５００ｎｍを超える厚みを有するＢａｒｉｘ（登録商標）構造の厚みと比べてかなり減少することに留意されたい。したがって、本発明による装置は、これらのＢａｒｉｘ（登録商標）構造と比べると、ＣＭＯＳ基板上のマイクロディスプレイなどの応用例で使用するのに十分薄いカプセル化物を有することができ、或いは、所与の全厚みの構造の場合、より多数のダイアドのために、さらに向上したバリヤの特性を有することができる。
【００１４】
有利には、カプセル化構造は、少なくとも３個のダイアドを含み、前記各ダイアドは、無機物層のうちの１つ及び有機物層のうちの１つを含むことができる。
【００１５】
本発明の別の特徴によれば、無機物層は、前記構造内に、内部無機物層と、それぞれが有機物層のうちの２つの間に置かれている少なくとも２つの中間無機物層と、外部無機物層とをそれぞれ形成することができる。
【００１６】
有機物層のそれぞれは、本発明による接着膜によって形成されることが好ましい。この好ましいケースでは、したがって、各ダイアドはその有機物層内に接着剤を含み、各接着膜の化学的特性及び／又は厚み特性はダイアドによって異なりうることが明記される。
【００１７】
本発明の別の特徴によれば、接着膜は１５０ｎｍ以下の厚みを有することができ、この厚みは、例えば周囲温度（約２０℃）で１Ｐａに実質的に等しい圧力で実施される真空（少なくとも低真空）にさらすことによって有利に得られる。「低真空（rough vacuum）」（「一次真空（primary vacuum）」とも呼ばれる）という表現は、周知のように、通常は０．１Ｐａ未満と定義されている高真空（又は二次真空（secondary vacuum））とは異なる圧力範囲を意味するものと理解される。
【００１８】
有利には、接着膜は８０ｎｍ〜１２０ｎｍの厚みを有することができ、この接着剤は、アクリレート接着剤及びエポキシ接着剤から成る群から選択された紫外線硬化性接着剤であることが好ましい。さらに好ましくは、この接着剤は、単一成分のエポキシ接着剤、例えば、未硬化状態で且つ常規周囲条件での粘度が２０ｍＰａ秒〜４０ｍＰａ秒である液体接着剤である（「常規周囲条件（normal ambient condition）」という表現は、周知のように、温度２０℃、相対湿度６５％、及び大気圧１０１，３２５Ｐａを意味するものと理解される）。
【００１９】
本発明の別の特徴によれば、無機物層のそれぞれが、２００ｎｍ未満の厚みを有する薄膜によって形成することができ、この薄膜は、それぞれの隣接する有機物層の化合物に適合する少なくとも１つの誘電体化合物をベースとし、好ましくは、原子層成長法（ＡＬＤ）、プラズマ促進化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）若しくは化学気相成長法（ＣＶＤ）、又は物理気相成長法（ＰＶＤ）によって得られる。この誘電体化合物は、化学式ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘＮｙ、ＺｎＳｅ、ＺｎＯ、Ｓｂ２Ｏ３、酸化アルミニウム、及び透明導電酸化物（ＴＣＯ：transparent conductive oxide）、特にインジウムスズ酸化物の化合物から成る群から選択されることが好ましい。
【００２０】
各無機物層は、ＡＬＤによって得られ、その場合２０ｎｍ〜５０ｎｍの厚みを有することができることが好ましい。この場合、各ダイアドは、９０ｎｍ〜１３０ｎｍの厚みを有利に有することができる。
【００２１】
本発明の有利な一実施形態によれば、前記装置は、少なくとも１つの面上を発光ユニット（例えばＯＬＥＤを含む、他の任意の発光構成要素が使用されうることが明記される）で被覆された半導体基板を含み、この発光ユニットは、少なくとも２つの電極、すなわち内部電極および外部電極を備え、前記２つの電極の間には発光構造が挟まれており、前記２つの電極のうちの少なくとも一方が放射光に対して透明であり、カプセル化構造が外部電極を覆う。
【００２２】
本発明のこの実施形態によれば、発光ユニットを覆うカプセル化構造のダイアドの数は少なくとも４個であることが有利であり、この構造がこれらのダイアドのうちの５個を含む場合に、この構造は５００ｎｍに実質的に等しい全厚みを有することができる。
【００２３】
また、本発明のこの実施形態によれば、前記装置には、カプセル化構造が載っている発光ユニット上に加圧下で接合された保護シートをさらに設けることができる（このシートは、ガラスやプラスチックなどの、発光ユニットによって放出された光に対して透明な材料で製作することができる）。
【００２４】
ディスプレイ装置がカラーマイクロディスプレイを含むという特定のケースでは、この保護シートには、その組立面の上に光学色フィルタすなわち色変更手段が設けられ、したがって、これらのフィルタすなわちこれらの手段は、マイクロディスプレイの各画素の対応する色ドットに面して置かれることに留意されたい。
【００２５】
このケースでは、ＣＭＯＳ基板上のマイクロディスプレイに関して上述したように、本発明のカプセル化構造の厚みの減少により、保護シートの内側の面上に置かれた色フィルタからマイクロディスプレイの画素を隔てる総距離を最小化し（このシートの下に塗布された接着剤の厚みは変わらない）、それによってマイクロディスプレイの開口比を向上させることが可能になる。
【００２６】
上記に定義したような装置をカプセル化するための本発明によるカプセル化プロセスは、連続的な以下のステップを含み、すなわち
ａ）２００ｎｍ未満の厚みを有する内部無機物層が、この装置の少なくとも１つの外側の面上に、例えば発光ユニットの外部電極上に、ＡＬＤ、ＰＥＣＶＤ若しくはＣＶＤ、又はＰＶＤを用いて堆積され、この内部無機物層は、好ましくは、化学式ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘＮｙ、ＺｎＳｅ、ＺｎＯ、Ｓｂ２Ｏ３、酸化アルミニウム、及び透明導電酸化物（例えばインジウムスズ酸化物）の化合物から成る群から選択された少なくとも１つの誘電体化合物をベースとすること、
ｂ）この内部無機物層は、（例えば、スピナー又は他の任意適当な手段、例えば浸漬被覆（dip coating）を用いて）電磁放射硬化性又は熱硬化性の接着剤をベースとする接着有機物層で被覆され、それによって得られた有機物層は、例えば５００ｎｍ〜１μｍの厚みを有すること、
ｃ）それによって得られた有機物層は、真空、好ましくは低真空にさらされ、その結果、その有機物層を均一に２００ｎｍ未満の厚みを有する接着膜に変え、それによって、２つの層、すなわち無機物層及び有機物層を含む第１のダイアドを得ること、
ｄ）２つの層（無機物層及び有機物層）を含む少なくとも１つの他のダイアドが、ステップａ）〜ｃ）を繰り返すことによって連続的に堆積され、ステップａ）の内部無機物層の代わりにその内部無機物層に類似している中間無機物層が堆積されること、次いで
ｅ）中間無機物層に類似している最後の外部無機物層が、最後のダイアドの接着膜上に堆積されること
を含み、
各ダイアドの接着膜は、電磁放射によって又は熱を用いて、別々に硬化される、或いは、これらのダイアドが得られた後ですべての接着膜が一緒に硬化される（後者のケースは、ステップｄ）が未硬化の下にある接着膜に適合する場合にのみ可能である）ことが特徴づけられる。
【００２７】
各ダイアドの接着膜は、その後のステップｄ）の堆積の前に硬化されることが有利である。
【００２８】
このカプセル化プロセスの１つの利点は、Ｂａｒｉｘ（登録商標）真空蒸着プロセスと比べると、本発明によるステップｃ）での真空にさらされている時間が節約されることであり、この工程の期間は１分を超えないことに留意されたい。
【００２９】
上述のように、各有機物層に使用される接着剤は、紫外線によって硬化されることが好ましく、これは、最も好ましい場合にアクリレート接着剤又はエポキシ接着剤とすることができ、各ダイアドの接着膜として得られる厚みは、好ましくは８０ｎｍ〜１２０ｎｍである。本発明による構造の接着膜のうちのいくつか又はそれぞれは、前記接着剤に加えて、界面活性剤などの１つ又は複数の添加剤を含むこともあり得ることに留意されたい。
【００３０】
本発明による構造の各無機膜を得るために好適に選択されるＡＬＤは、低温で行うことができ、且つ浸透率を大幅に低下させた高密度層を得ることを可能にし、この膜は、関係する表面のマイクロレリーフ又はナノレリーフと可及的にぴったり合うことに留意されたい。
【００３１】
本発明の他の利点、特徴及び詳細は、単に実施例として与えられている添付図面を参照して続く以下の説明から明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】光電子装置の上にある、本発明の例示的な実施形態による多層カプセル化構造を示す概略断面図である。
【図２】図１のカプセル化構造を受け入れることができる、本発明の一実施形態によるマイクロディスプレイ光電子装置の概略断面図である。
【図３】さらに色フィルタを設けた保護シートが上に接合されており且つ図１の本発明による構造を組み込むこともできる、図２の光電子装置の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
図１に示されている多層カプセル化構造２０は、光電子装置１の外側（例えば、発光装置１の発光側）を覆っており、光電子装置１の敏感な構成要素は、周囲空気中の水分及び酸素から保護されることになる。この不浸透性カプセル化構造２０は、有機物層で被覆された薄い無機物層２１ａ〜２５ａでそれぞれが構成されている５個のダイアド２１〜２５を含み、この有機物層は、厚みが減少し硬化した接着膜２１ｂ〜２５ｂを形成しており、かつ、最も外側の有機物層２５ｂを含めて、２つの無機物層２１ａと２２ａ、２２ａと２３ａ、２３ａと２４ａ、２４ａと２５ａの間に挟まれている。実際、有機物層２５ｂは、カプセル化構造２０の外部面を画定する、薄い外部無機物層２６ａで覆われる。図１におけるこれらのさまざまな層は、断面内において、それらのそれぞれの厚み及び長さの縮尺で示されていないことに留意すべきである。
【００３４】
構造２０の最初の内部ダイアド２１は、連続的な以下のステップを実行することによって装置１上に堆積させることができる。
【００３５】
まず、好ましくはＡＬＤ技術を用いて、例えば化学式ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘＮｙ、ＺｎＳｅ、ＺｎＯ、Ｓｂ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、又はＩｎ２Ｏ３／ＳｎＯ２の透明な誘電体化合物を装置１の外側上に（例えば、発光ユニットの外部電極８上に、図２及び３参照）堆積させ、それによって、有利には２０ｎｍ〜３０ｎｍである極めて薄い内部無機物層２１ａを形成する、
この内部無機物層２１ａを、例えばスピナーを用いて、紫外線硬化性接着剤、好ましくは高蒸気圧単一成分液体エポキシ接着剤（Ｅｐｏｘｙ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙによって「ＯＧ」という一般名で販売されているものなど、接着剤ＯＧ１４６が好ましく、オプションとしてそれに界面活性剤、例えば３ＭによってＦＣ４４３０という名称で販売されている非イオン性界面活性剤が添加される）をベースとする接着有機物層で被覆し、それによって得られた有機物層は５００ｎｍ〜１μｍの厚みを有する、
この有機物層を、約２０℃、圧力１Ｐａの低真空に６０秒間さらして、その厚みを約１００ｎｍに減少させ、それによって得られた極薄接着膜２１ｂ〜２５ｂは有利に均一な厚みを有する、次いで
それによって得られた接着膜２１ｂ〜２５ｂを、紫外線に約４０秒間さらすことによって硬化させる。
【００３６】
カプセル化構造２０の他のダイアド２２〜２５のそれぞれを得るために、これらの作業が繰り返され、最終的に、最後の外部無機物層２６ａを最後のダイアド２５上に堆積させる。したがって、交互になったｎ個の有機物層及びｎ＋１個の無機物層が得られる（図１の実施例ではｎ＝５であり、ｎは構造２０に必要な不浸透性特性に応じて他の値を取ることができ、ｎは少なくとも２に等しいことが理解されよう）。
【００３７】
本発明によるこのカプセル化プロセルは、有機高分子層が真空蒸着によって堆積されるＢａｒｉｘ（登録商標）カプセル化プロセスに比べて、より少ない時間で有利に行われることに留意されたい。
【００３８】
図２及び３の実施例に示されている光電子装置１は、例えば、ＯＬＥＤマイクロディスプレイである。このＯＬＥＤマイクロディスプレイは、周知のように、通常はシリコンで作られている基板２を含み、この基板は、活性領域４及び電気接続領域５を画定している発光ユニット３で被覆されている。発光ユニット３は、２つの電極、すなわち内部電極７及び外部電極８を備えており、その２つの電極の間には発光構造９が挟まれており、その電極うちの少なくとも一方８（この実施例では外部電極）は、構造９によって放出される光に対して透明又は半透明であり、したがって、放出された光は、活性領域４を通って装置１の外部へ向かって伝搬するように作られる。
【００３９】
外部電極８は、銀、アルミニウム、サマリウムなどの金属から作られることが好ましい。というのは、これらの金属の透明特性は可視範囲内にあり、且つこれらの金属が小さい厚みでの電気伝導性がある（外部電極８の厚みは例えば１０ｎｍ〜３０ｎｍである）からである。ＯＬＥＤ発光構造９は、例えば、電子及び正孔を電極７及び８から移動させ、これらの電子及び正孔が再結合して励起子を生成し、したがって光を放出するように設計された多層有機膜で構成されている。
【００４０】
図３に示されているように、発光ユニット３には、接着剤１０（好ましくは、紫外線硬化性でもあるアクリレート又はエポキシ接着剤）を使用して、例えばガラス又はプラスチック製の保護シート１１を取り付けることができる。この保護シート１１には、その内側の面上に、マイクロディスプレイ１の各画素の対応する色ドットに面して置かれた光学色フィルタ１２,１３,１４が設けられる。この接着剤１０は、未硬化状態で、それ自体が知られている方法で、シート１１の内側および／又はカプセル化構造２０が載っている発光ユニット３の内側上に塗布され、次いで、シート１１は、接着剤で被覆された組立接合面（assembly interface）上に加圧下で付着される。
【００４１】
厚さの小さいカプセル化構造２０が得られ、その厚さは図１の実施例では約５００ｎｍであり、このカプセル化構造２０の小さい厚さは、画素と色フィルタ１２,１３,１４との間の総距離（その中に接着剤１０の厚みを含む）が所与のバリヤ特性に対して最小化されることを可能にし、それによって、カラーマイクロディスプレイ１の開口比を向上させることに留意されたい。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
例えば有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、光起電セル又は有機薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を備えるディスプレイ装置、照明装置、信号装置などの有機光電子装置（１）であって、
交互する無機物層（２１ａ〜２６ａ）及び有機物層（２１ｂ〜２５ｂ）を含む不浸透性で多層のカプセル化構造（２０）で被覆され、前記有機物層のうちの少なくとも１つが、電磁放射硬化性又は熱硬化性の接着剤をベースとする硬化した接着膜（２１ｂ〜２５ｂ）によって形成され、
前記又はそれぞれの接着膜は均一に２００ｎｍ未満の厚みを有し、前記厚みは、堆積され未だ硬化していない前記接着膜を真空にさらすことによって得られ、それによって前記カプセル化構造の全厚みが最小化されることを特徴とする、有機光電子装置（１）。
【請求項２】
前記カプセル化構造（２０）が少なくとも３個のダイアド（２１〜２５）を含み、前記各ダイアドは、前記無機物層（２１ａ〜２５ａ）のうちの１つ及び前記有機物層（２１ｂ〜２５ｂ）のうちの１つを含むことを特徴とする、請求項１に記載の装置（１）。
【請求項３】
前記無機物層（２１ａ〜２６ａ）は、前記構造（２０）内に、内部無機物層（２１ａ）と、それぞれが前記有機物層（２１ｂ〜２５ｂ）のうちの２つの間に置かれている少なくとも２つの中間無機物層（２２ａ〜２５ａ）と、外部無機物層（２６ａ）とをそれぞれ形成することを特徴とする、請求項２に記載の装置（１）。
【請求項４】
前記有機物層（２１ｂ〜２５ｂ）のそれぞれが、前記接着膜によって形成されることを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載の装置（１）。
【請求項５】
前記又はそれぞれの接着膜（２１ｂ〜２５ｂ）が１５０ｎｍ以下の厚みを有し、前記厚みは、例えば１Ｐａに実質的に等しい圧力で実施される低真空にさらすことによって得られることを特徴とする、請求項１から４のいずれか一項に記載の装置（１）。
【請求項６】
前記又はそれぞれの接着膜（２１ｂ〜２５ｂ）が８０ｎｍ〜１２０ｎｍの厚みを有し、前記接着剤が、アクリレート接着剤及びエポキシ接着剤から成る群から選択された紫外線硬化性接着剤であること特徴とする、請求項５に記載の装置（１）。
【請求項７】
前記接着剤が、単一成分のエポキシ接着剤、例えば、未硬化状態で且つ常規周囲条件において粘度が２０ｍＰａ秒〜４０ｍＰａ秒である液体接着剤であることを特徴とする、請求項６に記載の装置（１）。
【請求項８】
前記無機物層（２１ａ〜２６ａ）のそれぞれが、２００ｎｍ未満の厚みを有する薄膜によって形成され、前記薄膜は、それぞれの隣接する有機物層（２１ｂ〜２５ｂ）の化合物に適合する少なくとも１つの誘電体化合物をベースとし、好ましくは、原子層成長法（ＡＬＤ）、プラズマ促進化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）若しくは化学気相成長法（ＣＶＤ）、又は物理気相成長法（ＰＶＤ）によって得られることを特徴とする、請求項１から７のいずれか一項に記載の装置（１）。
【請求項９】
前記誘電体化合物が、化学式ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘＮｙ、ＺｎＳｅ、ＺｎＯ、Ｓｂ２Ｏ３、酸化アルミニウム、及び透明導電酸化物（ＴＣＯ）の化合物から成る群から選択されることを特徴とする、請求項８に記載の装置（１）。
【請求項１０】
前記各無機物層（２１ａ〜２６ａ）が、２０ｎｍ〜５０ｎｍの厚みを有し、原子層成長法（ＡＬＤ）によって得られることを特徴とする、請求項８又は９に記載の装置（１）。
【請求項１１】
前記各ダイアド（２１〜２５）が、９０ｎｍ〜１３０ｎｍの厚みを有することを特徴とする、請求項２及び１０に記載の装置（１）。
【請求項１２】
少なくとも１つの面上を発光ユニット（３）で被覆された基板（２）を含み、前記発光ユニットは、少なくとも２つの電極、すなわち内部電極（７）及び外部電極（８）を備え、前記２つの電極の間には発光構造（９）が挟まれており、前記２つの電極のうちの少なくとも一方が放射光に対して透明であり、前記カプセル化構造（２０）が前記外部電極を覆うことを特徴とする、請求項１から１１のいずれか一項に記載の装置（１）。
【請求項１３】
前記カプセル化構造（２０）の前記ダイアド（２１〜２５）の数が少なくとも４個であることを特徴とする、請求項３及び１２に記載の装置（１）。
【請求項１４】
前記カプセル化構造（２０）が前記ダイアド（２１〜２５）のうちの５個を含む場合において、前記カプセル化構造（２０）は５００ｎｍに実質的に等しい全厚みを有することを特徴とする、請求項１１及び１３に記載の装置（１）。
【請求項１５】
前記装置（１）には保護シート（１１）がさらに設けられ、前記保護シート（１１）は、前記カプセル化構造（２０）が載っている前記発光ユニット（３）上に加圧下で接合され、好ましくは、マイクロディスプレイの各画素の対応する色ドットに面する色フィルタ（１２,１３,１４）すなわち色変更手段を備えることを特徴とする、カラーマイクロディスプレイ型の、請求項１２から１４のいずれか一項に記載の装置（１）。
【請求項１６】
請求項１から１５のいずれか一項に記載の装置（１）をカプセル化するためのプロセスであって、連続的な以下のステップを含み、すなわち
ａ）２００ｎｍ未満の厚みを有する内部無機物層（２１ａ）が、前記装置の少なくとも１つの外側の面上に、例えば発光ユニット（３）の外部電極（８）上に、原子層成長法（ＡＬＤ）、プラズマ促進化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）若しくは化学気相成長法（ＣＶＤ）、又は物理気相成長法（ＰＶＤ）を用いて堆積され、前記内部無機物層は、好ましくは、化学式ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘＮｙ、ＺｎＳｅ、ＺｎＯ、Ｓｂ２Ｏ３、酸化アルミニウム、及び透明導電酸化物（ＴＣＯ）の化合物から成る群から選択された少なくとも１つの誘電体化合物をベースとすること、
ｂ）前記内部無機物層が、電磁放射硬化性又は熱硬化性の接着剤（１０）をベースとする接着有機物層で被覆され、それによって得られた前記有機物層は、例えば５００ｎｍ〜１μｍの厚みを有すること、
ｃ）それによって得られた前記有機物層は、真空、好ましくは低真空にさらされ、その結果、前記有機物層を均一に２００ｎｍ未満の厚みの接着膜（２１ｂ〜２５ｂ）に変え、それによって、２つの層、すなわち無機物層（２１ａ）及び有機物層（２１ｂ）を含む第１のダイアドを得ること、
ｄ）２つの層（無機物層（２２ａ〜２５ａ）及び有機物層（２２ｂ〜２５ｂ））を含む少なくとも１つの他のダイアド（２２〜２５）が、前記ステップａ）〜ｃ）を繰り返すことによって連続的に堆積され、前記ステップａ）の前記内部無機物層の代わりに前記内部無機物層に類似している中間無機物層（２２ａ〜２５ａ）が堆積されること、次いで
ｅ）前記又はそれぞれの中間無機物層に類似している最後の外部無機物層（２６ａ）が、最後の前記ダイアド（２５）の前記接着膜（２５ｂ）上に堆積されること
を含み、
前記各ダイアド（２１〜２５）の接着膜（２１ｂ〜２５ｂ）が、前記電磁放射によって又は熱を用いて、別々に硬化される、或いは、前記複数のダイアドが得られた後で全ての前記接着膜が硬化されることを特徴とする、プロセス。
【請求項１７】
前記接着剤が、紫外線によって硬化され、アクリレート接着剤及びエポキシ接着剤から成る群から選択され、前記各ダイアド（２１〜２５）の前記接着膜（２１ｂ〜２５ｂ）として得られた厚みが、好ましくは８０ｎｍ〜１２０ｎｍであることを特徴とする、請求項１６に記載のプロセス。
【請求項１８】
前記各無機物層（２１ａ〜２６ａ）が、１０ｎｍ〜５０ｎｍの厚みを有し、原子層成長法（ＡＬＤ）によって堆積されることを特徴とする、請求項１６又は１７に記載のプロセス。
【請求項１９】
前記各ダイアド（２１〜２５）が、９０ｎｍ〜１３０ｎｍの厚みを有することを特徴とする、請求項１７及び１８に記載のプロセス。
【請求項１】
例えば有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、光起電セル又は有機薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を備えるディスプレイ装置、照明装置、信号装置などの有機光電子装置（１）であって、
交互する無機物層（２１ａ〜２６ａ）及び有機物層（２１ｂ〜２５ｂ）を含む不浸透性で多層のカプセル化構造（２０）で被覆され、前記有機物層のうちの少なくとも１つが、電磁放射硬化性又は熱硬化性の接着剤をベースとする硬化した接着膜（２１ｂ〜２５ｂ）によって形成され、
前記又はそれぞれの接着膜は均一に２００ｎｍ未満の厚みを有し、前記厚みは、堆積され未だ硬化していない前記接着膜を真空にさらすことによって得られ、それによって前記カプセル化構造の全厚みが最小化されることを特徴とする、有機光電子装置（１）。
【請求項２】
前記カプセル化構造（２０）が少なくとも３個のダイアド（２１〜２５）を含み、前記各ダイアドは、前記無機物層（２１ａ〜２５ａ）のうちの１つ及び前記有機物層（２１ｂ〜２５ｂ）のうちの１つを含むことを特徴とする、請求項１に記載の装置（１）。
【請求項３】
前記無機物層（２１ａ〜２６ａ）は、前記構造（２０）内に、内部無機物層（２１ａ）と、それぞれが前記有機物層（２１ｂ〜２５ｂ）のうちの２つの間に置かれている少なくとも２つの中間無機物層（２２ａ〜２５ａ）と、外部無機物層（２６ａ）とをそれぞれ形成することを特徴とする、請求項２に記載の装置（１）。
【請求項４】
前記有機物層（２１ｂ〜２５ｂ）のそれぞれが、前記接着膜によって形成されることを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載の装置（１）。
【請求項５】
前記又はそれぞれの接着膜（２１ｂ〜２５ｂ）が１５０ｎｍ以下の厚みを有し、前記厚みは、例えば１Ｐａに実質的に等しい圧力で実施される低真空にさらすことによって得られることを特徴とする、請求項１から４のいずれか一項に記載の装置（１）。
【請求項６】
前記又はそれぞれの接着膜（２１ｂ〜２５ｂ）が８０ｎｍ〜１２０ｎｍの厚みを有し、前記接着剤が、アクリレート接着剤及びエポキシ接着剤から成る群から選択された紫外線硬化性接着剤であること特徴とする、請求項５に記載の装置（１）。
【請求項７】
前記接着剤が、単一成分のエポキシ接着剤、例えば、未硬化状態で且つ常規周囲条件において粘度が２０ｍＰａ秒〜４０ｍＰａ秒である液体接着剤であることを特徴とする、請求項６に記載の装置（１）。
【請求項８】
前記無機物層（２１ａ〜２６ａ）のそれぞれが、２００ｎｍ未満の厚みを有する薄膜によって形成され、前記薄膜は、それぞれの隣接する有機物層（２１ｂ〜２５ｂ）の化合物に適合する少なくとも１つの誘電体化合物をベースとし、好ましくは、原子層成長法（ＡＬＤ）、プラズマ促進化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）若しくは化学気相成長法（ＣＶＤ）、又は物理気相成長法（ＰＶＤ）によって得られることを特徴とする、請求項１から７のいずれか一項に記載の装置（１）。
【請求項９】
前記誘電体化合物が、化学式ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘＮｙ、ＺｎＳｅ、ＺｎＯ、Ｓｂ２Ｏ３、酸化アルミニウム、及び透明導電酸化物（ＴＣＯ）の化合物から成る群から選択されることを特徴とする、請求項８に記載の装置（１）。
【請求項１０】
前記各無機物層（２１ａ〜２６ａ）が、２０ｎｍ〜５０ｎｍの厚みを有し、原子層成長法（ＡＬＤ）によって得られることを特徴とする、請求項８又は９に記載の装置（１）。
【請求項１１】
前記各ダイアド（２１〜２５）が、９０ｎｍ〜１３０ｎｍの厚みを有することを特徴とする、請求項２及び１０に記載の装置（１）。
【請求項１２】
少なくとも１つの面上を発光ユニット（３）で被覆された基板（２）を含み、前記発光ユニットは、少なくとも２つの電極、すなわち内部電極（７）及び外部電極（８）を備え、前記２つの電極の間には発光構造（９）が挟まれており、前記２つの電極のうちの少なくとも一方が放射光に対して透明であり、前記カプセル化構造（２０）が前記外部電極を覆うことを特徴とする、請求項１から１１のいずれか一項に記載の装置（１）。
【請求項１３】
前記カプセル化構造（２０）の前記ダイアド（２１〜２５）の数が少なくとも４個であることを特徴とする、請求項３及び１２に記載の装置（１）。
【請求項１４】
前記カプセル化構造（２０）が前記ダイアド（２１〜２５）のうちの５個を含む場合において、前記カプセル化構造（２０）は５００ｎｍに実質的に等しい全厚みを有することを特徴とする、請求項１１及び１３に記載の装置（１）。
【請求項１５】
前記装置（１）には保護シート（１１）がさらに設けられ、前記保護シート（１１）は、前記カプセル化構造（２０）が載っている前記発光ユニット（３）上に加圧下で接合され、好ましくは、マイクロディスプレイの各画素の対応する色ドットに面する色フィルタ（１２,１３,１４）すなわち色変更手段を備えることを特徴とする、カラーマイクロディスプレイ型の、請求項１２から１４のいずれか一項に記載の装置（１）。
【請求項１６】
請求項１から１５のいずれか一項に記載の装置（１）をカプセル化するためのプロセスであって、連続的な以下のステップを含み、すなわち
ａ）２００ｎｍ未満の厚みを有する内部無機物層（２１ａ）が、前記装置の少なくとも１つの外側の面上に、例えば発光ユニット（３）の外部電極（８）上に、原子層成長法（ＡＬＤ）、プラズマ促進化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）若しくは化学気相成長法（ＣＶＤ）、又は物理気相成長法（ＰＶＤ）を用いて堆積され、前記内部無機物層は、好ましくは、化学式ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘＮｙ、ＺｎＳｅ、ＺｎＯ、Ｓｂ２Ｏ３、酸化アルミニウム、及び透明導電酸化物（ＴＣＯ）の化合物から成る群から選択された少なくとも１つの誘電体化合物をベースとすること、
ｂ）前記内部無機物層が、電磁放射硬化性又は熱硬化性の接着剤（１０）をベースとする接着有機物層で被覆され、それによって得られた前記有機物層は、例えば５００ｎｍ〜１μｍの厚みを有すること、
ｃ）それによって得られた前記有機物層は、真空、好ましくは低真空にさらされ、その結果、前記有機物層を均一に２００ｎｍ未満の厚みの接着膜（２１ｂ〜２５ｂ）に変え、それによって、２つの層、すなわち無機物層（２１ａ）及び有機物層（２１ｂ）を含む第１のダイアドを得ること、
ｄ）２つの層（無機物層（２２ａ〜２５ａ）及び有機物層（２２ｂ〜２５ｂ））を含む少なくとも１つの他のダイアド（２２〜２５）が、前記ステップａ）〜ｃ）を繰り返すことによって連続的に堆積され、前記ステップａ）の前記内部無機物層の代わりに前記内部無機物層に類似している中間無機物層（２２ａ〜２５ａ）が堆積されること、次いで
ｅ）前記又はそれぞれの中間無機物層に類似している最後の外部無機物層（２６ａ）が、最後の前記ダイアド（２５）の前記接着膜（２５ｂ）上に堆積されること
を含み、
前記各ダイアド（２１〜２５）の接着膜（２１ｂ〜２５ｂ）が、前記電磁放射によって又は熱を用いて、別々に硬化される、或いは、前記複数のダイアドが得られた後で全ての前記接着膜が硬化されることを特徴とする、プロセス。
【請求項１７】
前記接着剤が、紫外線によって硬化され、アクリレート接着剤及びエポキシ接着剤から成る群から選択され、前記各ダイアド（２１〜２５）の前記接着膜（２１ｂ〜２５ｂ）として得られた厚みが、好ましくは８０ｎｍ〜１２０ｎｍであることを特徴とする、請求項１６に記載のプロセス。
【請求項１８】
前記各無機物層（２１ａ〜２６ａ）が、１０ｎｍ〜５０ｎｍの厚みを有し、原子層成長法（ＡＬＤ）によって堆積されることを特徴とする、請求項１６又は１７に記載のプロセス。
【請求項１９】
前記各ダイアド（２１〜２５）が、９０ｎｍ〜１３０ｎｍの厚みを有することを特徴とする、請求項１７及び１８に記載のプロセス。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公表番号】特表２０１２−５０４３０４（Ｐ２０１２−５０４３０４Ａ）
【公表日】平成２４年２月１６日（２０１２．２．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−５２８３８７（Ｐ２０１１−５２８３８７）
【出願日】平成２１年９月２３日（２００９．９．２３）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＦＲ２００９／００１１２４
【国際公開番号】ＷＯ２０１０／０３７９２０
【国際公開日】平成２２年４月８日（２０１０．４．８）
【出願人】（５１０２２５２９２）コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブ (97)
【氏名又は名称原語表記】ＣＯＭＭＩＳＳＡＲＩＡＴ Ａ Ｌ’ＥＮＥＲＧＩＥ ＡＴＯＭＩＱＵＥ ＥＴ ＡＵＸ ＥＮＥＲＧＩＥＳ ＡＬＴＥＲＮＡＴＩＶＥＳ
【住所又は居所原語表記】Ｂａｔｉｍｅｎｔ Ｌｅ Ｐｏｎａｎｔ Ｄ，２５ ｒｕｅ Ｌｅｂｌａｎｃ，Ｆ−７５０１５ Ｐａｒｉｓ， ＦＲＡＮＣＥ
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２４年２月１６日（２０１２．２．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年９月２３日（２００９．９．２３）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＦＲ２００９／００１１２４
【国際公開番号】ＷＯ２０１０／０３７９２０
【国際公開日】平成２２年４月８日（２０１０．４．８）
【出願人】（５１０２２５２９２）コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブ (97)
【氏名又は名称原語表記】ＣＯＭＭＩＳＳＡＲＩＡＴ Ａ Ｌ’ＥＮＥＲＧＩＥ ＡＴＯＭＩＱＵＥ ＥＴ ＡＵＸ ＥＮＥＲＧＩＥＳ ＡＬＴＥＲＮＡＴＩＶＥＳ
【住所又は居所原語表記】Ｂａｔｉｍｅｎｔ Ｌｅ Ｐｏｎａｎｔ Ｄ，２５ ｒｕｅ Ｌｅｂｌａｎｃ，Ｆ−７５０１５ Ｐａｒｉｓ， ＦＲＡＮＣＥ
【Ｆターム（参考）】
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