有機発光素子
【課題】有機発光素子を提供する。
【解決手段】基板と、第1電極と、第1電極に対向した第2電極と、第1電極と第2電極との間に介在された第1青色発光層、緑色発光層、赤色発光層及び第2青色発光層と、発光層で生成された光路上に位置するカラーフィルタと、を備え、第1青色発光層がディープ・ブルー・ドーパントを含有し、第2青色発光層は、スカイ・ブルー・ドーパントを含有する有機発光素子である。
【解決手段】基板と、第1電極と、第1電極に対向した第2電極と、第1電極と第2電極との間に介在された第1青色発光層、緑色発光層、赤色発光層及び第2青色発光層と、発光層で生成された光路上に位置するカラーフィルタと、を備え、第1青色発光層がディープ・ブルー・ドーパントを含有し、第2青色発光層は、スカイ・ブルー・ドーパントを含有する有機発光素子である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、有機発光素子に係り、詳細には、ブルーの発光効率、色座標、色再現率が改善されていると共に寿命特性に優れた有機発光素子に関する。
【背景技術】
【0002】
有機発光素子(Organic Light Emitting Diode:OLED)は、自発光型素子であって、視野角が広く、コントラストが優れるだけでなく、応答時間が速いという長所を有しているため、大変に注目されている。また、前記OLEDは、駆動電圧及び応答速度特性に優れており、多色化が可能であるという点で多くの研究がなされている。
【0003】
OLEDは、発光層の両端に形成されたアノード及びカソードに電流が供給されると電子とホールが結合して発光する。一般的に、さらに優れた発光特性を得るために、発光層の両側に正孔注入層(HIL:Hole Injection Layer)、正孔輸送層(HTL:Hole Transport Layer)、電子輸送層(ETL:Electron Transport Layer)及び電子注入層(EIL:Electron Injection Layer)のうちで選択された一つ以上を含む多層膜構造を形成する。
【0004】
従来技術による単色OLEDは、アノード、発光層及びカソードが積層された構造を有する。このようなOLEDは、発光層を構成する物質の種類によって、多様な色を発光しうる。白色発光特性を有するOLEDを製作するためには、光の三原色である赤色、緑色及び青色の発光特性を有する発光物質を積層する方法が知られている。
【0005】
しかし、前記OLEDは、特に、ブルー効率が低下して改善の余地が多い。前記OLEDで、青色発光は、前記OLEDの色座標、色再現率及び寿命特性と非常に密接な関連がある。しかし、既知のOLED(例えば特許文献1)は、前記色座標、色再現率及び寿命特性が満足するほどのレベルに達しておらず改善の余地が多い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開2006−324089号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
本発明が解決しようとする技術的課題は、複数の発光層内に含まれた青色発光層の組成を効率的に制御して、色座標、色再現率及び寿命特性が改善されたOLEDを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明は、前記課題を達成するために、基板と、第1電極と、前記第1電極と対向した第2電極と、前記第1電極と第2電極との間に介在された第1青色発光層、緑色発光層、赤色発光層及び第2青色発光層と、前記発光層で生成された光路上に位置するカラーフィルタと、を備え、前記第1青色発光層がディープ・ブルー・ドーパント(Deep Blue Dopant)を含有し、前記第2青色発光層は、スカイ・ブルー・ドーパント(Sky Blue Dopant)を含有することを特徴とするOLEDを提供する。
【0009】
前記第1青色発光層は、青色ホストをさらに含み、前記ディープ・ブルー・ドーパントの含量が青色ホスト100重量部を基にして2ないし10重量部であることが望ましい。
【0010】
前記第2青色発光層は、青色ホストをさらに含み、前記スカイ・ブルー・ドーパントの含量が青色ホスト100重量部を基にして2ないし10重量部であることが望ましい。
【0011】
本発明の一実施例によれば、前記第1電極と第2電極との間に第1青色発光層、緑色発光層、赤色発光層及び第2青色発光層が順次に積層される。
【0012】
本発明のOLEDは、封止フィルムでコーティングされており、前記カラーフィルタは、前記封止フィルム上に位置し、前面発光型でありうる。また、前記OLEDは、前面発光型であり、前記第2電極上に封止層をさらに備え、前記封止層と前記第2電極との間、もしくは、前記封止層の第2電極と接していない側の面上に、カラーフィルタが位置しうる。
【0013】
本発明の他の一実施例によれば、前記OLEDは、背面発光型であり、前記カラーフィルタは、前記基板と第1電極との間に備えられている。
【発明の効果】
【0014】
本発明の複数の発光層を有するOLEDは、特に、ブルー効率を改善して、色再現率、色座標及び寿命特性が改善された白色OLEDが得られる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【図1A】本発明の一態様による受動マトリックス駆動方式のOLEDの断面を概略的に示す断面図である。
【図1B】本発明の一態様によるOLEDの有機膜の積層構造を示す図面である。
【図1C】本発明の一態様による受動マトリックス駆動方式のOLEDの断面を概略的に示す断面図である。
【図2A】本発明の他の態様による能動マトリックス駆動方式のOLEDの断面を概略的に示す断面図である。
【図2B】本発明の他の態様による能動マトリックス駆動方式のOLEDの断面を概略的に示す断面図である。
【図3A】本発明のさらに他の態様による受動マトリックス駆動方式のOLEDの断面を概略的に示す断面図である。
【図3B】本発明のさらに他の態様による能動マトリックス駆動方式のOLEDの断面を概略的に示す断面図である。
【図4A】本発明のさらに他の態様による受動マトリックス駆動方式のOLEDの断面を概略的に示す断面図である。
【図4B】本発明のさらに他の態様による受動マトリックス駆動方式のOLEDの断面を概略的に示す断面図である。
【図5A】本発明のさらに他の態様による能動マトリックス駆動方式のOLEDの断面を概略的に示す断面図である。
【図5B】本発明のさらに他の態様による能動マトリックス駆動方式のOLEDの断面を概略的に示す断面図である。
【図5C】本発明のさらに他の態様による能動マトリックス駆動方式のOLEDの断面を概略的に示す断面図である。
【図6】本発明の実施例1及び比較例1のOLEDにおいて、EL強度を示す図面である。
【発明を実施するための形態】
【0016】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
本発明のOLEDは、第1電極とこれに対向した第2電極との間に第1青色発光層、緑色発光層、赤色発光層及び第2青色発光層が介在されており、前記発光層で生成された光路上に位置するカラーフィルタを備える構造を有している白色OLEDである。ここで、前記第1青色発光層は、ディープ・ブルー・ドーパントを含有し、前記第2青色発光層は、スカイ・ブルー・ドーパントを含有する。
【0017】
本発明のOLEDは、緑色発光層と第2青色発光層とが隣接していない構造であることが、ブルーと緑色との相互作用を最小化させて、ブルーの色再現率及び効率側面で望ましい。すなわち、第1青色発光層、緑色発光層、赤色発光層及び第2青色発光層が順次に積層された構造を有することが望ましい。
【0018】
前記第1青色発光層は、青色ホストとディープ・ブルー・ドーパントとで形成される。ここで、ディープ・ブルー・ドーパントの含量は、青色ホスト100重量部を基にして2ないし10重量部であることが望ましい。ディープ・ブルー・ドーパントの含量が前記範囲であるとき、青色発光特性の低下なしに素子の電荷バランスを調節しやすい。
【0019】
前記ディープ・ブルー・ドーパントは、460nm以下の発光ピークを有する物質であって、具体的な例として、4'−N,N−ジフェニルアミノスチリル−トリフェニル(DPA−TP)、2,5,2’,5'−テトラスチリル−ビフェニル(TSB)、アントラセン系誘導体、またはジフェニル−4−[2−(1,1’−;4’,1”−テルフェニル−4”−イル)−ビニルフェニル]アミンである。
【0020】
前記第2青色発光層は、青色ホストとスカイ・ブルー・ドーパントとで形成される。ここで、スカイ・ブルー・ドーパントの含量は、青色ホスト100重量部を基にして2ないし10重量部であることが望ましい。スカイ・ブルー・ドーパントの含量が前記範囲であるとき、発光特性の低下なしに色座標特性が良好である。
【0021】
前記スカイ・ブルー・ドーパントは、470nm以上の発光ピークを有する物質であって、具体的な例として、ジスチリルアミン系青色ドーパントであるp−ビス(p−N, N'−ジフェニル−アミノスチリル)ベンゼン(DSA−Ph)またはフェニルシクロペンタジエンがある。
【0022】
前記青色ホストとしては、4,4’−N,N’−ジカルバゾール−ビフェニル(CBP)、またはジスチリルアミンを使用する。
【0023】
本発明では、前述したように、第1青色発光層と第2青色発光層とを同時に適用することによって、ブルー発光の寿命及び効率を顕著に向上させることができる。そして、ブルーカラーがグリーンカラーとの相互作用を最小化して色再現率を向上させ、発光層の両端にエネルギーギャップが大きい2つの青色発光層を形成して、電荷蓄積が可能になる。これにより、複数の発光層を有する白色OLEDで色再現率、寿命及び効率特性を向上させることができる。
【0024】
前記第1青色発光層の厚さは、5ないし10nmであり、前記第2青色発光層の厚さは、5ないし7nmであることが望ましい。
第1青色発光層及び第2青色発光層の厚さが前記範囲であるとき、色座標特性の低下なしに発光特性が良好である。
【0025】
本発明のOLEDで、赤色発光層の厚さは、10ないし25nmであり、緑色発光層の厚さは、4ないし9nmであることが望ましい。
【0026】
本発明において、前記第1電極と第1青色発光層との間には、HIL、HTLのうちで選択された一つ以上がさらに形成されうる。
【0027】
前記第2青色発光層と第2電極との間には、ETLが形成され、ETLと第2電極との間には、EILがさらに形成されうる。必要に応じて、第2青色発光層とETLとの間に正孔ブロッキング層をさらに形成することもある。
一方、本発明によるOLEDが背面発光型である場合、基板を、例えば、ガラス基板を使用しうる。
【0028】
本発明によるOLEDは、多様な形態の平板表示装置、例えば、受動マトリックス有機発光表示装置及び能動マトリックス有機発光表示装置に備えられうる。特に、能動マトリックス有機発光表示装置に備えられる場合、基板側に備えられた第1電極は、画素電極であって、薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極と電気的に連結されうる。また、前記OLEDは、両面に画面を表示できる平板表示装置に備えられうる。
【0029】
以下、添付された図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明すれば、次の通りである。添付された図面は、本発明によるOLEDの断面図を概略的に示す図面である。
前記図面を参照すれば、本実施例によるOLEDは、基板110を備える。この基板110は、ガラス材、金属材またはプラスチック材のような多様な材料で形成されたものでありうる。このような基板110は、イメージを再現するためのディスプレイ素子が配されるディスプレイ領域を有する。ディスプレイ領域には、画素電極210(または第1電極)と、これに対向した対向電極230(または第2電極)と、画素電極210と対向電極230との間に介在された有機膜220を備えるOLED 200が備えられ、前記有機膜は、図1Aには示されていないが、第1青色発光層、緑色発光層、赤色発光層、第2青色発光層が順次に形成された構造を有する。
【0030】
前記有機膜220の構造は、必要に応じて、画素電極210と第1発光層EML1との間にHIL及び/またはHTLが介在され、前記第3発光層EML2と対向電極との間にETL及び/またはEILがさらに形成されうる。
【0031】
本発明の一実施例による有機膜は、図1Bに示されたように、画素電極の上部にHIL、HTLが順次に形成され、前記HTLの上部に第1青色発光層EML1、緑色発光層EML2、赤色発光層EML3、第2青色発光層EML4及びETLが順次に積層された構造を有する。
【0032】
本発明において、HILは、米国特許第4,356,429号明細書に開示された銅フタロシアニンのようなフタロシアニン化合物またはAdvanced Material,6,p.677(1994)に記載されているスターバースト型アミン誘導体類であるTCTA、m−MTDATA、m−MTDAPBなどの材料で形成される。
【0033】
前記HTLは、N,N'−ビス(3−メチルフェニル)−N,N'−ジフェニル−[1,1−ビフェニル]−4,4'−ジアミン(TPD)、N,N'−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N'−ジフェニルベンジジン(α−NPD)の材料で形成される。
【0034】
本発明で、ETLは、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナート)ベリリウム、(Bebq2)、その誘導体、トリス(8−キノリノレート)アルミニウム(Alq3)を利用する。
【0035】
基板110のエッジには、シーラント(図示せず)が塗布されて密封部材600がディスプレイ領域を覆う。もちろん、シーラント及び密封部材600が備えられていないこともあり、または保護膜が基板110の全面に備えられるなど、多様な変形が可能である。例えば、前面発光型である場合、前記密封部材600は、ガラス材を使用しうるが、このとき、密封部材600は、カラーフィルタ300でコーティングされたものを使用しうる。すなわち、密封部材600の両表面のうちいずれか一つに接してカラーフィルタ300が位置しうる。
【0036】
図1A及び図1Cは、受動マトリックス駆動方式のOLEDにおいて、前面発光型である場合であって、密封部材600の前面または背面にカラーフィルタ300が形成された断面を示す。
【0037】
図2A及び図2Bは、能動マトリックス駆動方式のOLEDにおいて、前面発光型である場合であって、密封部材600の前面または背面にカラーフィルタ300が形成された断面を示す。
また、前記密封部材600のカラーフィルタ300を位置させられ、前記密封部材600の代わりに、封止フィルム700がOLED 200を覆うように備えられ、該封止フィルム700の上にカラーフィルタ300を備えてもよい。OLEDは、水分または酸素のような物質によって容易に劣化するため、前述したように、OLED 200を覆うように封止フィルム320が配される。封止フィルム700は、有機物または無機物を利用して形成されうる。図3A及び図3Bは、それぞれ受動マトリックス駆動方式及び能動マトリックス駆動方式で前記のように封止フィルム700がOLED 200を覆い、その上部にカラーフィルタ300が形成されたものを示した図面である。
前記カラーフィルタ300を形成する材料及び形成方法は、公知の材料及び方法のうちから容易に選択されうる。
【0038】
図2Aを参照して、ディスプレイ領域及びOLED 200の構成をさらに詳細に説明する。
基板110には、ディスプレイ領域に薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transister)が配される。まず、基板110上にSiO2でバッファ層120が備えられている。バッファ層120上には、半導体層130が備えられるが、半導体層130は、非晶質シリコン層または多結晶質シリコン層で形成され、または有機半導体物質で形成されることもある。
【0039】
図面に詳細に示されていないが、必要に応じて、半導体層130は、ドーパントでドーピングされるソース領域及びドレイン領域と、チャンネル領域とを備えうる。
半導体層130の上部には、ゲート電極150が備えられるが、このゲート電極150に印加される信号によって、ソース電極とドレイン電極170とが電気的に疎通される。ゲート電極150は、隣接層との密着性、積層される層の表面平坦性、及び加工性を考慮して、例えば、MoW、Ag、CuまたはAlのような物質で形成されうる。このとき、半導体層130とゲート電極150との絶縁性を確保するために、SiO2で形成されるゲート絶縁膜140が半導体層130とゲート電極150との間に介在される。
【0040】
ゲート電極150の上部には、層間絶縁膜160が備えられるが、これは、酸化シリコンまたは窒化シリコンなどの物質で単層に形成されるか、または多層に形成されうる。層間絶縁膜160の上部には、ソース/ドレイン電極170が形成される。ソース/ドレイン電極170は、層間絶縁膜160とゲート絶縁膜140とに形成されるコンタクトホールを通じて半導体層にそれぞれ電気的に連結される。ソース/ドレイン電極170は、導電性を考慮して、例えば、チタン、モリタングステン、銀、銅またはアルミニウムのような物質で形成されうる。もちろん、このようなソース/ドレイン電極170は、単一層に形成されうるだけでなく、多層構造にも形成されうるので、例えば、チタン層−アルミニウム層−チタン層の構造を有することもある。
【0041】
TFTの上部には、パッシベーション層である第1絶縁膜181が備えられ、下部のTFTを保護する。この保護膜181は、多様な物質で形成されうるが、TFTの保護性能に優れた酸化シリコン、窒化シリコンまたは酸窒化シリコンのような無機物で形成されうる。図2Aには、単層に図示されているが、多層に形成されうるなど、多様な変形が可能である。
【0042】
第1絶縁膜181上には、平坦化膜である第2絶縁膜182が備えられる。すなわち、第2絶縁膜は、下部にTFT1が配されているにも拘らず、上面が大体に平坦な平坦化膜である。このような平坦化特性のために、第2絶縁膜182は、有機物で形成されうるが、例えば、アクリル、BCB(Benzocyclobutene)またはフォトアクリルで形成されうる。図2Aには、第2絶縁膜182が単一層に図示されているが、多層でもありうるなど、多様な変形が可能である。
【0043】
図5A及び図5Bの場合は、背面発光型である場合(能動マトリックス駆動方式)であって、カラーフィルタ300が第2絶縁膜182上に備えられた場合を示した図面である。また、図5Cの場合のように、背面発光型である場合、カラーフィルタ300の位置は、基板110上に位置することもある。
【0044】
これ以外にも、カラーフィルタ300は、基板110、バッファ120、ゲート絶縁膜140、層間絶縁膜160、第2絶縁膜181上に位置しうるが、光路上に位置すれば、その位置は、自由に変形されうる。
【0045】
図4A及び図4Bは、受動マトリックス駆動方式における背面発光型である場合の例であって、カラーフィルタ300が光路上に位置しさえすれば、第1電極と基板との間のどこにも位置しうるということを示す。
【0046】
図2A等において第2絶縁膜182上には、画素電極210、対向電極230及びその間に介在される有機膜220を有するOLED 200が配される。具体的に説明すれば、次の通りである。ここで、有機膜220は、前述したように、HIL、HTLが順次に形成され、前記HTLの上部に第1青色発光層EML1、緑色発光層EML2、赤色発光層EML3、第2青色発光層EML4及びETLが順次に積層された構造を有する。
【0047】
ディスプレイ領域で、第1絶縁膜181と第2絶縁膜182とには、TFTのソース/ドレイン電極170のうち少なくともいずれか一つを露出させる開口部が形成され、この開口部を通じてソース/ドレイン電極170のうちいずれか一つとコンタクトしてTFTと電気的に連結される画素電極210が基板110のディスプレイ領域に、具体的には、第2絶縁膜182上に配される。画素電極210は、透明電極または反射型電極で備えられうるが、透明電極として使われる時には、ITO、IZO、ZnOまたはIn2O3で形成されうる。反射型電極として使われる時には、Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及びこれらの化合物で形成された反射膜と、ITO、IZO、ZnOまたはIn2O3で形成された層とを有しうる。
【0048】
第2絶縁膜182の上部には、第3絶縁膜183が配される。すなわち、第3絶縁膜183は、第2絶縁膜182を覆うように形成される。この第3絶縁膜183は、画素定義膜であって、これは、各副画素に対応する開口、すなわち、画素電極210の少なくとも一部、例えば、中央部を露出させるか、または画素電極210の全体を露出させる開口を有することによって、画素を定義する役割を行う。また、図2Aに示す態様では、第3絶縁膜183は、画素電極210の端部と対向電極230との距離を増大させることによって、画素電極210の端部でアークの発生を防止する役割を行う。
OLED 200の有機膜220は、前述したような構造を有する。
【0049】
対向電極230は、有機膜220の上部に、すなわち、ディスプレイ領域の上部に配されるが、図2Aに示されたように、ディスプレイ領域を覆うように配されうる。この対向電極230は、ディスプレイ領域の外側に延びてディスプレイ領域の外側の電極電源供給ライン(図示せず)にコンタクトして電極電源供給ラインから電気的信号を伝達される。すなわち、対向電極230は、第3絶縁膜183によって露出された電極電源供給ラインと第3絶縁膜183とにわたって基板110のディスプレイ領域の外側に延びる。
【0050】
対向電極230は、透明電極または反射型電極であり得るが、透明電極として使われる時には、仕事関数の小さな金属、すなわち、Li、Ca、LiF/Ca、LiFF/Al、Al、Ag、Mg及びこれらの化合物で形成された層と、ITO、IZO、ZnOまたはIn2O3のような透明導電層を有しうる。反射型電極として使われる時には、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg及びこれらの化合物で形成された層とでありうる。もちろん、対向電極230の構成及び材料がこれに限定されず、多様な変形が可能である。
【実施例】
【0051】
以下、本発明を下記の実施例をさらに詳細に説明するが、本発明が下記の実施例にのみ限定されるものではない。
【0052】
<実施例1>
アノードは、コーニング15Ω/cm2(1200Å) ITOガラス基板を50mm×50mm×0.7mmのサイズに切って、イソプロピルアルコールと純水とを利用して、各5分間超音波洗浄した後に使用した。前記ITOガラス基板に10分間紫外線を照射してオゾンに露出させて洗浄した後、真空蒸着装置に前記ガラス基板を設置した。
前記基板の上部にNPDを蒸着してHILを形成した。
前記HILの上部にα−TPDを蒸着してHTLを形成した。前記HTLの上部にホストである4,4’−N,N’−ジカルバゾールビフェニルとディープ・ブルー・ドーパントであるジフェニル−4−[2−(1,1’−;4’,1”−テルフェニル−4”−イル)−ビニルフェニル]アミンとを蒸着して8nmの厚さの第1青色発光層を形成した。
前記第1青色発光層の上部にホストである4,4’−N,N’−ジカルバゾール−ビフェニル(CBP)とドーパントfac−tris−(2−フェニルピリジナート−N、C2)イリジウム−III(Ir(ppy)3とを蒸着して緑色発光層を7nmの厚さに形成した。
前記緑色発光層の上部にホストであるCBPと4−(ジシアノメチレン)−2−t−ブチル−6−(1,1,7,7−テトラメチルジュロリジル−9−エニル)−4H−ピラン(DCJTB))とを蒸着して20nmの厚さの赤色発光層を形成した。
前記赤色発光層の上部にホストであるジ−スチリルアミンとスカイ・ブルー・ドーパントであるp−ビス(p−N,N’−ジフェニルアミノスチリル)ベンゼン(DPAVBi)とを蒸着して、第2青色発光層を5nmの厚さに形成した。
【化1】
前記第2青色発光層の上部にAlq3を真空蒸着してETLを形成し、このETLの上部にAlを120nmの厚さに真空蒸着してカソードを形成して、OLEDを製作した。
【0053】
<比較例1>
赤色発光層の上部に第2青色発光層を積層せず、その上部にETLを直接形成したものを除いては、実施例1と同じ方法によって実施して、OLEDを製作した。
【0054】
前記実施例1及び比較例1のOLEDにおいて、ブルーの発光効率、電力効率、駆動電圧及び色座標を調べ、その結果は、下記の表1に示した。また、図6には、実施例1及び比較例1のEL発光スペクトルを示した。
【表1】
【0055】
前記図6及び表1から分かるように、実施例1のOLEDは、比較例1のOLEDと比較して、ブルー発光効率、駆動電圧、電力効率及び色座標特性が改善された。
【0056】
本発明は、図面に示された実施例を参照して説明されたが、これは、例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これから多様な変形及び均等な他の実施例が可能であるということが分かるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決定されねばならない。
【産業上の利用可能性】
【0057】
本発明は、有機発光素子の技術分野に好適に適用される。
【符号の説明】
【0058】
110 基板
183 第3絶縁膜
200 OLED
210 画素電極
220 有機膜
230 対向電極
300 カラーフィルタ
600 密封部材
【技術分野】
【0001】
本発明は、有機発光素子に係り、詳細には、ブルーの発光効率、色座標、色再現率が改善されていると共に寿命特性に優れた有機発光素子に関する。
【背景技術】
【0002】
有機発光素子(Organic Light Emitting Diode:OLED)は、自発光型素子であって、視野角が広く、コントラストが優れるだけでなく、応答時間が速いという長所を有しているため、大変に注目されている。また、前記OLEDは、駆動電圧及び応答速度特性に優れており、多色化が可能であるという点で多くの研究がなされている。
【0003】
OLEDは、発光層の両端に形成されたアノード及びカソードに電流が供給されると電子とホールが結合して発光する。一般的に、さらに優れた発光特性を得るために、発光層の両側に正孔注入層(HIL:Hole Injection Layer)、正孔輸送層(HTL:Hole Transport Layer)、電子輸送層(ETL:Electron Transport Layer)及び電子注入層(EIL:Electron Injection Layer)のうちで選択された一つ以上を含む多層膜構造を形成する。
【0004】
従来技術による単色OLEDは、アノード、発光層及びカソードが積層された構造を有する。このようなOLEDは、発光層を構成する物質の種類によって、多様な色を発光しうる。白色発光特性を有するOLEDを製作するためには、光の三原色である赤色、緑色及び青色の発光特性を有する発光物質を積層する方法が知られている。
【0005】
しかし、前記OLEDは、特に、ブルー効率が低下して改善の余地が多い。前記OLEDで、青色発光は、前記OLEDの色座標、色再現率及び寿命特性と非常に密接な関連がある。しかし、既知のOLED(例えば特許文献1)は、前記色座標、色再現率及び寿命特性が満足するほどのレベルに達しておらず改善の余地が多い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開2006−324089号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
本発明が解決しようとする技術的課題は、複数の発光層内に含まれた青色発光層の組成を効率的に制御して、色座標、色再現率及び寿命特性が改善されたOLEDを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明は、前記課題を達成するために、基板と、第1電極と、前記第1電極と対向した第2電極と、前記第1電極と第2電極との間に介在された第1青色発光層、緑色発光層、赤色発光層及び第2青色発光層と、前記発光層で生成された光路上に位置するカラーフィルタと、を備え、前記第1青色発光層がディープ・ブルー・ドーパント(Deep Blue Dopant)を含有し、前記第2青色発光層は、スカイ・ブルー・ドーパント(Sky Blue Dopant)を含有することを特徴とするOLEDを提供する。
【0009】
前記第1青色発光層は、青色ホストをさらに含み、前記ディープ・ブルー・ドーパントの含量が青色ホスト100重量部を基にして2ないし10重量部であることが望ましい。
【0010】
前記第2青色発光層は、青色ホストをさらに含み、前記スカイ・ブルー・ドーパントの含量が青色ホスト100重量部を基にして2ないし10重量部であることが望ましい。
【0011】
本発明の一実施例によれば、前記第1電極と第2電極との間に第1青色発光層、緑色発光層、赤色発光層及び第2青色発光層が順次に積層される。
【0012】
本発明のOLEDは、封止フィルムでコーティングされており、前記カラーフィルタは、前記封止フィルム上に位置し、前面発光型でありうる。また、前記OLEDは、前面発光型であり、前記第2電極上に封止層をさらに備え、前記封止層と前記第2電極との間、もしくは、前記封止層の第2電極と接していない側の面上に、カラーフィルタが位置しうる。
【0013】
本発明の他の一実施例によれば、前記OLEDは、背面発光型であり、前記カラーフィルタは、前記基板と第1電極との間に備えられている。
【発明の効果】
【0014】
本発明の複数の発光層を有するOLEDは、特に、ブルー効率を改善して、色再現率、色座標及び寿命特性が改善された白色OLEDが得られる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【図1A】本発明の一態様による受動マトリックス駆動方式のOLEDの断面を概略的に示す断面図である。
【図1B】本発明の一態様によるOLEDの有機膜の積層構造を示す図面である。
【図1C】本発明の一態様による受動マトリックス駆動方式のOLEDの断面を概略的に示す断面図である。
【図2A】本発明の他の態様による能動マトリックス駆動方式のOLEDの断面を概略的に示す断面図である。
【図2B】本発明の他の態様による能動マトリックス駆動方式のOLEDの断面を概略的に示す断面図である。
【図3A】本発明のさらに他の態様による受動マトリックス駆動方式のOLEDの断面を概略的に示す断面図である。
【図3B】本発明のさらに他の態様による能動マトリックス駆動方式のOLEDの断面を概略的に示す断面図である。
【図4A】本発明のさらに他の態様による受動マトリックス駆動方式のOLEDの断面を概略的に示す断面図である。
【図4B】本発明のさらに他の態様による受動マトリックス駆動方式のOLEDの断面を概略的に示す断面図である。
【図5A】本発明のさらに他の態様による能動マトリックス駆動方式のOLEDの断面を概略的に示す断面図である。
【図5B】本発明のさらに他の態様による能動マトリックス駆動方式のOLEDの断面を概略的に示す断面図である。
【図5C】本発明のさらに他の態様による能動マトリックス駆動方式のOLEDの断面を概略的に示す断面図である。
【図6】本発明の実施例1及び比較例1のOLEDにおいて、EL強度を示す図面である。
【発明を実施するための形態】
【0016】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
本発明のOLEDは、第1電極とこれに対向した第2電極との間に第1青色発光層、緑色発光層、赤色発光層及び第2青色発光層が介在されており、前記発光層で生成された光路上に位置するカラーフィルタを備える構造を有している白色OLEDである。ここで、前記第1青色発光層は、ディープ・ブルー・ドーパントを含有し、前記第2青色発光層は、スカイ・ブルー・ドーパントを含有する。
【0017】
本発明のOLEDは、緑色発光層と第2青色発光層とが隣接していない構造であることが、ブルーと緑色との相互作用を最小化させて、ブルーの色再現率及び効率側面で望ましい。すなわち、第1青色発光層、緑色発光層、赤色発光層及び第2青色発光層が順次に積層された構造を有することが望ましい。
【0018】
前記第1青色発光層は、青色ホストとディープ・ブルー・ドーパントとで形成される。ここで、ディープ・ブルー・ドーパントの含量は、青色ホスト100重量部を基にして2ないし10重量部であることが望ましい。ディープ・ブルー・ドーパントの含量が前記範囲であるとき、青色発光特性の低下なしに素子の電荷バランスを調節しやすい。
【0019】
前記ディープ・ブルー・ドーパントは、460nm以下の発光ピークを有する物質であって、具体的な例として、4'−N,N−ジフェニルアミノスチリル−トリフェニル(DPA−TP)、2,5,2’,5'−テトラスチリル−ビフェニル(TSB)、アントラセン系誘導体、またはジフェニル−4−[2−(1,1’−;4’,1”−テルフェニル−4”−イル)−ビニルフェニル]アミンである。
【0020】
前記第2青色発光層は、青色ホストとスカイ・ブルー・ドーパントとで形成される。ここで、スカイ・ブルー・ドーパントの含量は、青色ホスト100重量部を基にして2ないし10重量部であることが望ましい。スカイ・ブルー・ドーパントの含量が前記範囲であるとき、発光特性の低下なしに色座標特性が良好である。
【0021】
前記スカイ・ブルー・ドーパントは、470nm以上の発光ピークを有する物質であって、具体的な例として、ジスチリルアミン系青色ドーパントであるp−ビス(p−N, N'−ジフェニル−アミノスチリル)ベンゼン(DSA−Ph)またはフェニルシクロペンタジエンがある。
【0022】
前記青色ホストとしては、4,4’−N,N’−ジカルバゾール−ビフェニル(CBP)、またはジスチリルアミンを使用する。
【0023】
本発明では、前述したように、第1青色発光層と第2青色発光層とを同時に適用することによって、ブルー発光の寿命及び効率を顕著に向上させることができる。そして、ブルーカラーがグリーンカラーとの相互作用を最小化して色再現率を向上させ、発光層の両端にエネルギーギャップが大きい2つの青色発光層を形成して、電荷蓄積が可能になる。これにより、複数の発光層を有する白色OLEDで色再現率、寿命及び効率特性を向上させることができる。
【0024】
前記第1青色発光層の厚さは、5ないし10nmであり、前記第2青色発光層の厚さは、5ないし7nmであることが望ましい。
第1青色発光層及び第2青色発光層の厚さが前記範囲であるとき、色座標特性の低下なしに発光特性が良好である。
【0025】
本発明のOLEDで、赤色発光層の厚さは、10ないし25nmであり、緑色発光層の厚さは、4ないし9nmであることが望ましい。
【0026】
本発明において、前記第1電極と第1青色発光層との間には、HIL、HTLのうちで選択された一つ以上がさらに形成されうる。
【0027】
前記第2青色発光層と第2電極との間には、ETLが形成され、ETLと第2電極との間には、EILがさらに形成されうる。必要に応じて、第2青色発光層とETLとの間に正孔ブロッキング層をさらに形成することもある。
一方、本発明によるOLEDが背面発光型である場合、基板を、例えば、ガラス基板を使用しうる。
【0028】
本発明によるOLEDは、多様な形態の平板表示装置、例えば、受動マトリックス有機発光表示装置及び能動マトリックス有機発光表示装置に備えられうる。特に、能動マトリックス有機発光表示装置に備えられる場合、基板側に備えられた第1電極は、画素電極であって、薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極と電気的に連結されうる。また、前記OLEDは、両面に画面を表示できる平板表示装置に備えられうる。
【0029】
以下、添付された図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明すれば、次の通りである。添付された図面は、本発明によるOLEDの断面図を概略的に示す図面である。
前記図面を参照すれば、本実施例によるOLEDは、基板110を備える。この基板110は、ガラス材、金属材またはプラスチック材のような多様な材料で形成されたものでありうる。このような基板110は、イメージを再現するためのディスプレイ素子が配されるディスプレイ領域を有する。ディスプレイ領域には、画素電極210(または第1電極)と、これに対向した対向電極230(または第2電極)と、画素電極210と対向電極230との間に介在された有機膜220を備えるOLED 200が備えられ、前記有機膜は、図1Aには示されていないが、第1青色発光層、緑色発光層、赤色発光層、第2青色発光層が順次に形成された構造を有する。
【0030】
前記有機膜220の構造は、必要に応じて、画素電極210と第1発光層EML1との間にHIL及び/またはHTLが介在され、前記第3発光層EML2と対向電極との間にETL及び/またはEILがさらに形成されうる。
【0031】
本発明の一実施例による有機膜は、図1Bに示されたように、画素電極の上部にHIL、HTLが順次に形成され、前記HTLの上部に第1青色発光層EML1、緑色発光層EML2、赤色発光層EML3、第2青色発光層EML4及びETLが順次に積層された構造を有する。
【0032】
本発明において、HILは、米国特許第4,356,429号明細書に開示された銅フタロシアニンのようなフタロシアニン化合物またはAdvanced Material,6,p.677(1994)に記載されているスターバースト型アミン誘導体類であるTCTA、m−MTDATA、m−MTDAPBなどの材料で形成される。
【0033】
前記HTLは、N,N'−ビス(3−メチルフェニル)−N,N'−ジフェニル−[1,1−ビフェニル]−4,4'−ジアミン(TPD)、N,N'−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N'−ジフェニルベンジジン(α−NPD)の材料で形成される。
【0034】
本発明で、ETLは、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナート)ベリリウム、(Bebq2)、その誘導体、トリス(8−キノリノレート)アルミニウム(Alq3)を利用する。
【0035】
基板110のエッジには、シーラント(図示せず)が塗布されて密封部材600がディスプレイ領域を覆う。もちろん、シーラント及び密封部材600が備えられていないこともあり、または保護膜が基板110の全面に備えられるなど、多様な変形が可能である。例えば、前面発光型である場合、前記密封部材600は、ガラス材を使用しうるが、このとき、密封部材600は、カラーフィルタ300でコーティングされたものを使用しうる。すなわち、密封部材600の両表面のうちいずれか一つに接してカラーフィルタ300が位置しうる。
【0036】
図1A及び図1Cは、受動マトリックス駆動方式のOLEDにおいて、前面発光型である場合であって、密封部材600の前面または背面にカラーフィルタ300が形成された断面を示す。
【0037】
図2A及び図2Bは、能動マトリックス駆動方式のOLEDにおいて、前面発光型である場合であって、密封部材600の前面または背面にカラーフィルタ300が形成された断面を示す。
また、前記密封部材600のカラーフィルタ300を位置させられ、前記密封部材600の代わりに、封止フィルム700がOLED 200を覆うように備えられ、該封止フィルム700の上にカラーフィルタ300を備えてもよい。OLEDは、水分または酸素のような物質によって容易に劣化するため、前述したように、OLED 200を覆うように封止フィルム320が配される。封止フィルム700は、有機物または無機物を利用して形成されうる。図3A及び図3Bは、それぞれ受動マトリックス駆動方式及び能動マトリックス駆動方式で前記のように封止フィルム700がOLED 200を覆い、その上部にカラーフィルタ300が形成されたものを示した図面である。
前記カラーフィルタ300を形成する材料及び形成方法は、公知の材料及び方法のうちから容易に選択されうる。
【0038】
図2Aを参照して、ディスプレイ領域及びOLED 200の構成をさらに詳細に説明する。
基板110には、ディスプレイ領域に薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transister)が配される。まず、基板110上にSiO2でバッファ層120が備えられている。バッファ層120上には、半導体層130が備えられるが、半導体層130は、非晶質シリコン層または多結晶質シリコン層で形成され、または有機半導体物質で形成されることもある。
【0039】
図面に詳細に示されていないが、必要に応じて、半導体層130は、ドーパントでドーピングされるソース領域及びドレイン領域と、チャンネル領域とを備えうる。
半導体層130の上部には、ゲート電極150が備えられるが、このゲート電極150に印加される信号によって、ソース電極とドレイン電極170とが電気的に疎通される。ゲート電極150は、隣接層との密着性、積層される層の表面平坦性、及び加工性を考慮して、例えば、MoW、Ag、CuまたはAlのような物質で形成されうる。このとき、半導体層130とゲート電極150との絶縁性を確保するために、SiO2で形成されるゲート絶縁膜140が半導体層130とゲート電極150との間に介在される。
【0040】
ゲート電極150の上部には、層間絶縁膜160が備えられるが、これは、酸化シリコンまたは窒化シリコンなどの物質で単層に形成されるか、または多層に形成されうる。層間絶縁膜160の上部には、ソース/ドレイン電極170が形成される。ソース/ドレイン電極170は、層間絶縁膜160とゲート絶縁膜140とに形成されるコンタクトホールを通じて半導体層にそれぞれ電気的に連結される。ソース/ドレイン電極170は、導電性を考慮して、例えば、チタン、モリタングステン、銀、銅またはアルミニウムのような物質で形成されうる。もちろん、このようなソース/ドレイン電極170は、単一層に形成されうるだけでなく、多層構造にも形成されうるので、例えば、チタン層−アルミニウム層−チタン層の構造を有することもある。
【0041】
TFTの上部には、パッシベーション層である第1絶縁膜181が備えられ、下部のTFTを保護する。この保護膜181は、多様な物質で形成されうるが、TFTの保護性能に優れた酸化シリコン、窒化シリコンまたは酸窒化シリコンのような無機物で形成されうる。図2Aには、単層に図示されているが、多層に形成されうるなど、多様な変形が可能である。
【0042】
第1絶縁膜181上には、平坦化膜である第2絶縁膜182が備えられる。すなわち、第2絶縁膜は、下部にTFT1が配されているにも拘らず、上面が大体に平坦な平坦化膜である。このような平坦化特性のために、第2絶縁膜182は、有機物で形成されうるが、例えば、アクリル、BCB(Benzocyclobutene)またはフォトアクリルで形成されうる。図2Aには、第2絶縁膜182が単一層に図示されているが、多層でもありうるなど、多様な変形が可能である。
【0043】
図5A及び図5Bの場合は、背面発光型である場合(能動マトリックス駆動方式)であって、カラーフィルタ300が第2絶縁膜182上に備えられた場合を示した図面である。また、図5Cの場合のように、背面発光型である場合、カラーフィルタ300の位置は、基板110上に位置することもある。
【0044】
これ以外にも、カラーフィルタ300は、基板110、バッファ120、ゲート絶縁膜140、層間絶縁膜160、第2絶縁膜181上に位置しうるが、光路上に位置すれば、その位置は、自由に変形されうる。
【0045】
図4A及び図4Bは、受動マトリックス駆動方式における背面発光型である場合の例であって、カラーフィルタ300が光路上に位置しさえすれば、第1電極と基板との間のどこにも位置しうるということを示す。
【0046】
図2A等において第2絶縁膜182上には、画素電極210、対向電極230及びその間に介在される有機膜220を有するOLED 200が配される。具体的に説明すれば、次の通りである。ここで、有機膜220は、前述したように、HIL、HTLが順次に形成され、前記HTLの上部に第1青色発光層EML1、緑色発光層EML2、赤色発光層EML3、第2青色発光層EML4及びETLが順次に積層された構造を有する。
【0047】
ディスプレイ領域で、第1絶縁膜181と第2絶縁膜182とには、TFTのソース/ドレイン電極170のうち少なくともいずれか一つを露出させる開口部が形成され、この開口部を通じてソース/ドレイン電極170のうちいずれか一つとコンタクトしてTFTと電気的に連結される画素電極210が基板110のディスプレイ領域に、具体的には、第2絶縁膜182上に配される。画素電極210は、透明電極または反射型電極で備えられうるが、透明電極として使われる時には、ITO、IZO、ZnOまたはIn2O3で形成されうる。反射型電極として使われる時には、Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及びこれらの化合物で形成された反射膜と、ITO、IZO、ZnOまたはIn2O3で形成された層とを有しうる。
【0048】
第2絶縁膜182の上部には、第3絶縁膜183が配される。すなわち、第3絶縁膜183は、第2絶縁膜182を覆うように形成される。この第3絶縁膜183は、画素定義膜であって、これは、各副画素に対応する開口、すなわち、画素電極210の少なくとも一部、例えば、中央部を露出させるか、または画素電極210の全体を露出させる開口を有することによって、画素を定義する役割を行う。また、図2Aに示す態様では、第3絶縁膜183は、画素電極210の端部と対向電極230との距離を増大させることによって、画素電極210の端部でアークの発生を防止する役割を行う。
OLED 200の有機膜220は、前述したような構造を有する。
【0049】
対向電極230は、有機膜220の上部に、すなわち、ディスプレイ領域の上部に配されるが、図2Aに示されたように、ディスプレイ領域を覆うように配されうる。この対向電極230は、ディスプレイ領域の外側に延びてディスプレイ領域の外側の電極電源供給ライン(図示せず)にコンタクトして電極電源供給ラインから電気的信号を伝達される。すなわち、対向電極230は、第3絶縁膜183によって露出された電極電源供給ラインと第3絶縁膜183とにわたって基板110のディスプレイ領域の外側に延びる。
【0050】
対向電極230は、透明電極または反射型電極であり得るが、透明電極として使われる時には、仕事関数の小さな金属、すなわち、Li、Ca、LiF/Ca、LiFF/Al、Al、Ag、Mg及びこれらの化合物で形成された層と、ITO、IZO、ZnOまたはIn2O3のような透明導電層を有しうる。反射型電極として使われる時には、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg及びこれらの化合物で形成された層とでありうる。もちろん、対向電極230の構成及び材料がこれに限定されず、多様な変形が可能である。
【実施例】
【0051】
以下、本発明を下記の実施例をさらに詳細に説明するが、本発明が下記の実施例にのみ限定されるものではない。
【0052】
<実施例1>
アノードは、コーニング15Ω/cm2(1200Å) ITOガラス基板を50mm×50mm×0.7mmのサイズに切って、イソプロピルアルコールと純水とを利用して、各5分間超音波洗浄した後に使用した。前記ITOガラス基板に10分間紫外線を照射してオゾンに露出させて洗浄した後、真空蒸着装置に前記ガラス基板を設置した。
前記基板の上部にNPDを蒸着してHILを形成した。
前記HILの上部にα−TPDを蒸着してHTLを形成した。前記HTLの上部にホストである4,4’−N,N’−ジカルバゾールビフェニルとディープ・ブルー・ドーパントであるジフェニル−4−[2−(1,1’−;4’,1”−テルフェニル−4”−イル)−ビニルフェニル]アミンとを蒸着して8nmの厚さの第1青色発光層を形成した。
前記第1青色発光層の上部にホストである4,4’−N,N’−ジカルバゾール−ビフェニル(CBP)とドーパントfac−tris−(2−フェニルピリジナート−N、C2)イリジウム−III(Ir(ppy)3とを蒸着して緑色発光層を7nmの厚さに形成した。
前記緑色発光層の上部にホストであるCBPと4−(ジシアノメチレン)−2−t−ブチル−6−(1,1,7,7−テトラメチルジュロリジル−9−エニル)−4H−ピラン(DCJTB))とを蒸着して20nmの厚さの赤色発光層を形成した。
前記赤色発光層の上部にホストであるジ−スチリルアミンとスカイ・ブルー・ドーパントであるp−ビス(p−N,N’−ジフェニルアミノスチリル)ベンゼン(DPAVBi)とを蒸着して、第2青色発光層を5nmの厚さに形成した。
【化1】
前記第2青色発光層の上部にAlq3を真空蒸着してETLを形成し、このETLの上部にAlを120nmの厚さに真空蒸着してカソードを形成して、OLEDを製作した。
【0053】
<比較例1>
赤色発光層の上部に第2青色発光層を積層せず、その上部にETLを直接形成したものを除いては、実施例1と同じ方法によって実施して、OLEDを製作した。
【0054】
前記実施例1及び比較例1のOLEDにおいて、ブルーの発光効率、電力効率、駆動電圧及び色座標を調べ、その結果は、下記の表1に示した。また、図6には、実施例1及び比較例1のEL発光スペクトルを示した。
【表1】
【0055】
前記図6及び表1から分かるように、実施例1のOLEDは、比較例1のOLEDと比較して、ブルー発光効率、駆動電圧、電力効率及び色座標特性が改善された。
【0056】
本発明は、図面に示された実施例を参照して説明されたが、これは、例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これから多様な変形及び均等な他の実施例が可能であるということが分かるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決定されねばならない。
【産業上の利用可能性】
【0057】
本発明は、有機発光素子の技術分野に好適に適用される。
【符号の説明】
【0058】
110 基板
183 第3絶縁膜
200 OLED
210 画素電極
220 有機膜
230 対向電極
300 カラーフィルタ
600 密封部材
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、
第1電極と、
前記第1電極に対向した第2電極と、
前記第1電極と第2電極との間に介在された第1青色発光層、緑色発光層、赤色発光層及び第2青色発光層と、
前記発光層で生成された光路上に位置するカラーフィルタと、を備え、
前記第1青色発光層がディープ・ブルー・ドーパントを含有し、
前記第2青色発光層は、スカイ・ブルー・ドーパントを含有することを特徴とする有機発光素子。
【請求項2】
前記第1青色発光層が青色ホストをさらに備え、
前記ディープ・ブルー・ドーパントの含量が青色ホスト100重量部を基にして2ないし10重量部であることを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子。
【請求項3】
前記第2青色発光層が青色ホストをさらに備え、
前記スカイ・ブルー・ドーパントの含量が青色ホスト100重量部を基にして2ないし10重量部であることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機発光素子。
【請求項4】
前記第1電極と第2電極との間に第1青色発光層、緑色発光層、赤色発光層及び第2青色発光層が順次に積層されたことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機発光素子。
【請求項5】
前記ディープ・ブルー・ドーパントが4'−N,N−ジフェニルアミノスチリル−トリフェニル(DPA−TP)、2,5,2’,5'−テトラスチリル−ビフェニル(TSB)、アントラセン系誘導体またはジフェニル−4−[2−(1,1’−;4’,1”−テルフェニル−4”−イル)−ビニルフェニル]アミンであることを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子。
【請求項6】
前記スカイ・ブルー・ドーパントが、
p−ビス(p−N,N’−ジフェニル−アミノスチリル)ベンゼン(DSA−Ph)またはフェニルシクロペンタジエンであることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の有機発光素子。
【請求項7】
前記第1青色発光層の厚さは、5ないし10nmであることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の有機発光素子。
【請求項8】
前記第2青色発光層の厚さは、5ないし7nmであることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の有機発光素子。
【請求項9】
前記第1電極と第1青色発光層との間に正孔注入層及び正孔輸送層のうちで選択された一つ以上がさらに備えられていることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の有機発光素子。
【請求項10】
前記第2青色発光層と第2電極との間に電子輸送層及び電子注入層のうちで選択された一つ以上がさらに備えられていることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の有機発光素子。
【請求項11】
前記有機発光素子が封止フィルムでコーティングされており、前記カラーフィルタは、前記封止フィルム上に位置し、前面発光型であることを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の有機発光素子。
【請求項12】
前記有機発光素子は、前面発光型であり、
前記第2電極上に封止層をさらに備え、
前記第2電極と封止層との間にカラーフィルタが位置するか、または前記封止層の第2電極と接していない側の面上にカラーフィルタが位置することを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の有機発光素子。
【請求項13】
前記有機発光素子は、背面発光型であり、
前記カラーフィルタは、前記基板と第1電極との間に備えられていることを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の有機発光素子。
【請求項1】
基板と、
第1電極と、
前記第1電極に対向した第2電極と、
前記第1電極と第2電極との間に介在された第1青色発光層、緑色発光層、赤色発光層及び第2青色発光層と、
前記発光層で生成された光路上に位置するカラーフィルタと、を備え、
前記第1青色発光層がディープ・ブルー・ドーパントを含有し、
前記第2青色発光層は、スカイ・ブルー・ドーパントを含有することを特徴とする有機発光素子。
【請求項2】
前記第1青色発光層が青色ホストをさらに備え、
前記ディープ・ブルー・ドーパントの含量が青色ホスト100重量部を基にして2ないし10重量部であることを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子。
【請求項3】
前記第2青色発光層が青色ホストをさらに備え、
前記スカイ・ブルー・ドーパントの含量が青色ホスト100重量部を基にして2ないし10重量部であることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機発光素子。
【請求項4】
前記第1電極と第2電極との間に第1青色発光層、緑色発光層、赤色発光層及び第2青色発光層が順次に積層されたことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機発光素子。
【請求項5】
前記ディープ・ブルー・ドーパントが4'−N,N−ジフェニルアミノスチリル−トリフェニル(DPA−TP)、2,5,2’,5'−テトラスチリル−ビフェニル(TSB)、アントラセン系誘導体またはジフェニル−4−[2−(1,1’−;4’,1”−テルフェニル−4”−イル)−ビニルフェニル]アミンであることを特徴とする請求項1に記載の有機発光素子。
【請求項6】
前記スカイ・ブルー・ドーパントが、
p−ビス(p−N,N’−ジフェニル−アミノスチリル)ベンゼン(DSA−Ph)またはフェニルシクロペンタジエンであることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の有機発光素子。
【請求項7】
前記第1青色発光層の厚さは、5ないし10nmであることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の有機発光素子。
【請求項8】
前記第2青色発光層の厚さは、5ないし7nmであることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の有機発光素子。
【請求項9】
前記第1電極と第1青色発光層との間に正孔注入層及び正孔輸送層のうちで選択された一つ以上がさらに備えられていることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の有機発光素子。
【請求項10】
前記第2青色発光層と第2電極との間に電子輸送層及び電子注入層のうちで選択された一つ以上がさらに備えられていることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の有機発光素子。
【請求項11】
前記有機発光素子が封止フィルムでコーティングされており、前記カラーフィルタは、前記封止フィルム上に位置し、前面発光型であることを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の有機発光素子。
【請求項12】
前記有機発光素子は、前面発光型であり、
前記第2電極上に封止層をさらに備え、
前記第2電極と封止層との間にカラーフィルタが位置するか、または前記封止層の第2電極と接していない側の面上にカラーフィルタが位置することを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の有機発光素子。
【請求項13】
前記有機発光素子は、背面発光型であり、
前記カラーフィルタは、前記基板と第1電極との間に備えられていることを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の有機発光素子。
【図1A】
【図1B】
【図1C】
【図2A】
【図2B】
【図3A】
【図3B】
【図4A】
【図4B】
【図5A】
【図5B】
【図5C】
【図6】
【図1B】
【図1C】
【図2A】
【図2B】
【図3A】
【図3B】
【図4A】
【図4B】
【図5A】
【図5B】
【図5C】
【図6】
【公開番号】特開2010−157722(P2010−157722A)
【公開日】平成22年7月15日(2010.7.15)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2009−290946(P2009−290946)
【出願日】平成21年12月22日(2009.12.22)
【出願人】(308040351)三星モバイルディスプレイ株式會社 (764)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成22年7月15日(2010.7.15)
【国際特許分類】
【出願日】平成21年12月22日(2009.12.22)
【出願人】(308040351)三星モバイルディスプレイ株式會社 (764)
【Fターム(参考)】
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