有機ＥＬパネル製造用転写装置、有機ＥＬパネルの製造方法および有機ＥＬパネル製造用担持体
【課題】発光層または電極層を含む転写層を熱的な影響を受けることなく簡単な構成で、かつ高精度にガラス基板上に転写することができる有機ＥＬパネルの製造に用いる転写装置を提供する。
【解決手段】転写装置１００は、有機ＥＬパネルを構成する陰電極層３１と有機ＥＬ層３２とから構成される転写層３０が一時的に形成された担持体２０を保持する担持体保持部１０３と、同担持体２０に対向した状態で有機ＥＬパネルを構成するガラス基板１０を保持する基板保持部１０２と、互いに対向配置された担持体２０およびガラス基板１０に向けてパルスレーザ光を照射するレーザ光源１０４とを備えている。担持体２０における転写層３０が形成される形成面２１には、複数の微細な凹凸形状からなる溝状の周期構造２２が形成されている。この周期構造２２は、担持体２０の形成面２１上にフェムト秒レーザ光を照射することによって形成される。
【解決手段】転写装置１００は、有機ＥＬパネルを構成する陰電極層３１と有機ＥＬ層３２とから構成される転写層３０が一時的に形成された担持体２０を保持する担持体保持部１０３と、同担持体２０に対向した状態で有機ＥＬパネルを構成するガラス基板１０を保持する基板保持部１０２と、互いに対向配置された担持体２０およびガラス基板１０に向けてパルスレーザ光を照射するレーザ光源１０４とを備えている。担持体２０における転写層３０が形成される形成面２１には、複数の微細な凹凸形状からなる溝状の周期構造２２が形成されている。この周期構造２２は、担持体２０の形成面２１上にフェムト秒レーザ光を照射することによって形成される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬパネルの製造に用いる転写装置、同有機ＥＬパネルの製造方法および同有機ＥＬパネル製造の際に転写層を一時的に保持するための担持体に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、自発光型の電子表示装置として有機ＥＬ（Electro Luminescence）パネルが知られている。有機ＥＬパネルは、陽電極と陰電極との間に蛍光性化合物からなる発光層を挟んで電場を与えることにより発光させる現象（ルミネッセンス：Luminescence）を利用した表示装置である。従来、有機ＥＬパネルの製造方法の一つとして、例えば、下記特許文献１および特許文献２に示すようなレーザ光を用いた熱転写法（ＬＩＴＩ法）が知られている。
【０００３】
熱転写法は、ドナーフィルム上に形成した発光層および陰電極層（または陽電極層）をガラス基板上に形成した陽電極層（または陰電極層）に対向配置した状態でレーザ光を照射することにより、ドナーフィルム上に形成した発光層および陰電極層（または陽電極層）を熱によりガラス基板の陽電極層（または陰電極層）上に転写するものである。
【０００４】
しかしながら、このような熱転写法を用いた有機ＥＬパネルの製造方法においては、熱を用いて発光層および陰電極層（または陽電極層）を転写させるため、発光層および陰電極層（または陽電極層）の性状が熱により変化する虞がある。また、転写の対象となる発光層および陰電極層（または陽電極層）に生じた熱の伝播により、転写の対象となっていない発光層および陰電極層が転写されてパターニング精度が低下することがある。これらのような転写精度の低下により、有機ＥＬパネルの製造精度が低下するという問題があった。
【０００５】
なお、下記特許文献３には、ドナーフィルムと発光層および陰電極層との間に断熱層を形成することにより転写の対象となっていない発光層および陰電極層への熱の伝播を抑制する技術が開示されている。しかし、ドナーフィルム上に断熱層を形成することは有機ＥＬパネルの構成および製造工数が煩雑化するとともに製造コストの増大を招来するという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−２６０５４９号公報
【特許文献２】特開２００２−７５６３６号公報
【特許文献３】特開２００８−１４７０１６号公報
【発明の概要】
【０００７】
本発明は上記問題に対処するためなされたもので、その目的は、発光層または電極層を含む転写層を熱的な影響を受けることなく簡単な構成で、かつ高精度にガラス基板上に転写することができる有機ＥＬパネルの製造に用いる転写装置、同有機ＥＬパネルの製造方法および同有機ＥＬパネル製造の際に転写層を一時的に保持するための担持体を提供することにある。
【０００８】
上記目的を達成するため、請求項１に係る発明の特徴は、有機ＥＬパネルを構成する発光層または電極層を含む転写層を一時的に形成するための形成面に複数の微細な凹凸形状からなる周期構造が形成された担持体を保持する担持体保持部と、担持体保持部に保持された担持体に対向した状態で有機ＥＬパネルを構成するガラス基板を保持する基板保持部と、ガラス基板に対向配置した転写層にパルスレーザ光を照射するレーザ光源とを備え、パルスレーザ光の照射により前記転写層をガラス基板上に転写することにある。
【０００９】
このように構成した請求項１に係る発明の特徴によれば、有機ＥＬパネルの製造に用いる転写装置は、担持体における複数の微細な凹凸形状からなる周期構造上に形成された転写層に対してパルスレーザ光を照射して、同転写層を同転写層に対向配置された基板上に転写する。ここで、周期構造とは、担持体の表面に形成された微細な周期性の凹凸形状をいう。そして、この場合、本発明者によれば、パルスレーザ光が照射された周期構造上の転写層は、熱的影響を受けることなく剥離して基板上に転写される。これは、周期構造が形成された担持体に照射されたパルスレーザ光のエネルギが熱に変換されることなく転写層を剥離させるためのエネルギ、具体的には周期構造または転写層を一時的に変形させるためのエネルギに変換されたものと考えられる。この結果、転写層を熱的な影響を受けることなく簡単な構成で高精度に基板上に転写することができる。
【００１０】
この場合、前記有機ＥＬパネル製造用転写装置において、前記周期構造は、凸部間の間隔および凸部と凹部との高低差が、それぞれ数ｎｍ以上かつ数十μｍ以下にするとよい。
【００１１】
これによれば、担持体の表面に形成された周期構造における凸部と凸部との間隔、および凸部と凹部との高低差は数ｎｍ以上かつ数十ｎｍ以下に設定される。これにより、本発明者の実験によれば、担持体の周期構造上に形成された転写層を精度良く剥離させて基板上に転写することができる。
【００１２】
また、これらの場合、前記有機ＥＬパネル製造用転写装置において、前記周期構造は、例えば、溝状、ディンプル状またはエンボス状に形成するとよい。
【００１３】
これによれば、担持体の表面に形成する周期構造を、溝状、ディンプル状およびエンボス状のうちの１つを含む形状とした。これにより、本発明者の実験によれば、担持体の周期構造上に形成された転写層を精度良く剥離させて基板上に転写することができる。
【００１４】
また、これらの場合、前記有機ＥＬパネル製造用転写装置において、前記周期構造は、フェムト秒レーザ光を用いて形成するとよい。
【００１５】
これによれば、担持体の表面に所謂フェムト秒レーザ光を照射することにより複数の微細な凹凸形状からなる周期構造を形成している。この場合、フェムト秒レーザ光とは、ｆｓ（フェムト秒：１０−１５ｓｅｃ）の極めて短いパルス幅のパルスレーザ光である。これにより、本発明者の実験によれば、凸部と凸部との間隔、および凸部と凹部との高低差が数ｎｍ以上かつ数十ｎｍ以下の周期構造を精度良く成形することができる。
【００１６】
また、請求項５に係る本発明の他の特徴は、前記有機ＥＬパネル製造用転写装置において、さらに、担持体保持部とレーザ光源との間に、同レーザ光源から照射されたパルスレーザ光の断面形状を規定するための光透過孔を有するアパーチャを備えたことにある。
【００１７】
このように構成した本発明の他の特徴によれば、担持体保持部とレーザ光源との間に配置したアパーチャによってレーザ光源から照射されたパルスレーザ光の断面形状を規定する。これにより、転写する転写層の断面形状を円形（光スポットの形状）以外の形状にすることができ、転写層の転写態様のバリエーションを拡大することができる。なお、この場合、アパーチャに換えてまたは加えて、照射されるパルスレーザ光の断面形状を変化させることができる所謂ビームシェーパ機能を有するレーザ光源を用いても転写する転写層の断面形状を円形（光スポットの形状）以外の形状にすることができ、転写層の転写態様のバリエーションを拡大することができる。
【００１８】
また、本発明は、有機ＥＬパネル製造用の転写装置として実施できるばかりでなく、有機ＥＬパネルの製造方法、および同有機ＥＬパネルの製造に用いる転写装置や有機ＥＬパネルの製造方法において転写層を一時的に形成するための担持体の発明としても実施できるものである。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の一実施形態に係る転写装置の全体構成を模式的に示す構成概略図である。
【図２】図１に示す転写装置に保持される担持体および同担持体上に形成される転写層を模式的に示す拡大断面図である。
【図３】図１に示す転写装置が用いられる有機ＥＬパネルの製造装置の全体構成を示すブロック図である。
【図４】（Ａ），（Ｂ）は図１に示す転写装置にてガラス基板に転写層を転写する過程を説明するための説明図である。
【図５】本発明の変形例に係る転写装置の全体構成を模式的に示す構成概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
（転写装置１００の構成）
以下、本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明に係る転写装置１００の主要部の構成を模式的に示す構成外略図である。この転写装置１００は、有機ＥＬ（Electro Luminescence）パネルを製造する工程において、有機ＥＬパネルの表側を構成するガラス基板１０上に発光層や電極層からなる転写層３０を転写法により形成するための機械装置である。なお、本明細書において参照する各図は、本発明の理解を容易にするために一部の構成要素を誇張して表わすなど模式的に表している。このため、各構成要素間の寸法や比率などは異なっていることがある。また、有機ＥＬパネルとは、陽電極と陰電極との間に電界発光する発光層を配置して構成された自発光型の電子表示装置である。
【００２１】
この転写装置１００は、開閉戸１０１ａを閉じることにより気密的な内部空間を形成可能な筐体１０１内上部に基板保持部１０２を備えている。基板保持部１０２は、有機ＥＬパネル（図示せず）の表側を構成するガラス基板１０を保持するための保持機構であり、筐体１０１の上面に設けられたアクチュエータ１０２ａに組み付けられている。アクチュエータ１０２ａは、図示しない転写用制御装置によって作動が制御されて基板保持部１０２を筐体１０１内において図示Ｚ方向（上下方向）に昇降変位させるとともに図示θａ方向に回転変位させる。なお、図示Ｘ方向は図１における左右方向であり、図示Ｙ方向は図示Ｘ方向に直交する方向であり図１の紙面に直交する奥行方向であり、図示Ｚ方向は図１における上下方向である。
【００２２】
基板保持部１０２の下方には、担持体保持部１０３が設けられている。担持体保持部１０３は、板状の担持体２０を保持するための保持機構であり、筐体１０１の底部に固定的に設けられている。担持体２０は、有機ＥＬパネルを構成するガラス基板１０上に形成される転写層３０が一時的に形成される導電性および光透過性を有するガラス板材である。本実施形態においては、バナジウムを主成分とすることにより導電性を有するガラス材を厚さ約５ｍｍの方形状に成形して構成されている。この担持体２０における転写層が形成される形成面２１には、図２に示すように、複数の微細な凹凸形状からなる溝状の周期構造２２が形成されている。
【００２３】
周期構造２２は、数十〜数百ｎｍの極めて微細な間隔および深さの凹凸形状が連続して形成されたものである。本実施形態においては、凸部と凸部との間隔（ピッチ）が約５３０ｎｍ、凸部と凹部との高低差（深さ）が約１０ｎｍの周期構造２２が担持体２０の形成面２１上に形成されている。なお、図１においては、担持体２０の形成面２１上に形成された周期構造２２をハッチングにより示している。また、図２においては、周期構造２２の大きさを誇張して示している。
【００２４】
この周期構造２２は、公知の方法によって担持体２０の形成面２１上に形成される。すなわち、本実施形態においては、波長が８００ｎｍ、パルス幅が１２０ｆｓ（フェムト秒）、繰り返し周波数が１ｋＨｚの所謂フェムト秒レーザ光を担持体２０の形成面２１上に照射することにより形成される。担持体２０の形成面２１に前記フェムト秒レーザ光が照射されると、形成面２１に照射された入射光の一部（ｐ偏光成分）と同形成面２１上に生じた表面散乱光との干渉が生じる。この場合、入射光のフルエンス（照射量）がアブレーション閾値（アブレーション:表面が蒸発または侵食によって分解される現象）の近傍であると前記光の干渉部分にアブレーションが生じて極めて微細な凹凸の溝形状が自己組織的に形成される。そして、フェムト秒レーザ光の集光点をオーバラップさせながら走査することにより、担持体２０の形成面２１上に周期構造２２が形成される。
【００２５】
担持体２０の形成面２１上に形成される転写層３０は、形成面２１側から陰電極層３１および有機ＥＬ層３２で構成されている。これらのうち、陰電極層３１は、有機ＥＬ層３２に電場を生じさせるための一方の電極を構成するものであり、アルミニウムを主成分とする厚さが約２００ｎｍの層である。本実施形態においては、蒸着法により担持体２０の形成面２１上に形成されている。なお、この陰電極３１は、アルミニウムのほか、リチウム、マグネシウムおよびカルシウムなどを含む合金またはハロゲン化物などで構成することもできる。
【００２６】
一方、有機ＥＬ層３２は、陰電極層３１側から電子輸送層（ＥＴＬ：Electron Transport Layer）３２ａ、発光層（ＥＭＬ：Emitting Layer）３２ｂおよび正孔輸送層（ＨＴＬ：Hole Transport layer）３２ｃを積層して構成された厚さ約７０ｎｍの積である。これらのうち、電子輸送層３２ａは、電子を透過させるとともに正孔の透過を阻止する層であり、例えば、１,３,４−オキサゾール誘導体や、１,２,４−トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）などにより構成された厚さが約２０ｎｍの層である。
【００２７】
発光層３２ｂは、有機ＥＬ層３２に電界が印加された際に正孔と電子とが再結合することにより発光する層であり、例えば、ａｌｑ３アルミニウム錯体などにより構成された厚さが約３０ｎｍの層である。この発光層３２ｂは、発光させる３つの色ごとに３種類用意される。すなわち、赤色の光を発光する発光層３２ｂＲ、緑色の光を発光する発光層３２ｂＧ、および青色の光の発光する発光層３２ｂＢが用意される。したがって、転写層３０は、３つの発光層３２ｂ（発光層３２ｂＲ、発光層３２ｂＧおよび発光層３２ｂＢ）ごとに３種類用意される。
【００２８】
また、正孔輸送層３２ｃは、正孔を透過させるとともに電子の透過を阻止する層であり、例えば、芳香族アミン誘導体などにより構成された厚さが約２０ｎｍの層である。これらの電子輸送層３２ａ、発光層３２ｂおよび正孔輸送層３２ｃの各層は、担持体２０の形成面２１上に蒸着法によって順次積層されて形成される。
【００２９】
なお、有機ＥＬ層３２は、少なくとも発光層３２ｂによって構成することができるとともに、電子輸送層３３および正孔輸送層３５に加えて電子注入層（ＥＩＬ：Electron Injection Layer）、正孔注入層（ＨＩＬ：Hole Injection Layer）および正孔遮断層（ＨBＬ：Hole
Block Layer）を含めて構成することもできる。また、発光層３２ｂが発光する色を１色（例えば、青色光）として同発光層３２ｂに隣接して色変換層（青色光を赤色や緑色に変換する波長フィルタ）を配置して構成することもできる。また、図１および図２においては、陰電極層３１および有機ＥＬ層３２の厚さをそれぞれ誇張して示している。
【００３０】
担持体保持部１０３の内側における筐体１０１の底部には、レーザ光源１０４が設けられている。レーザ光源１０４は、担持体保持部１０３によって保持された担持体２０に向けてパルスレーザ光を照射するための光源である。本実施形態においては、ＹＡＧ（Yttrium Aluminum garnet）固体レーザで構成されており、波長が５３２ｎｍ、パルス幅が８ｎｓ（ナノ秒）、光スポット径が２０μｍのパルスレーザ光を照射する。このレーザ光源１０４は、変位機構１０５によって支持されている。変位機構１０５は、前記転写用制御装置によって作動が制御されてレーザ光源１０４を筐体１０１内において図示Ｘ，Ｙ，Ｚ方向にそれぞれ変位させる。
【００３１】
また、筐体１０１における図示右側の側壁下部には、真空ポンプ１０６が設けられている。真空ポンプ１０６は、筐体１０１内を真空状態にするための吸引ポンプであり、前記転写用制御装置によって作動が制御される。
【００３２】
このように構成された転写装置１００は、有機ＥＬパネルを製造する製造装置内に組み込まれる。ここで、有機ＥＬパネルを製造する製造装置の構成を図３を用いて簡単に説明しておく。有機ＥＬパネル製造装置２００は、主としてＲ転写ゾーン２１０、Ｇ転写ゾーン２２０、Ｂ転写ゾーン２３０および封止ゾーン２４０の４つのゾーンで構成されている。これらのうち、Ｒ転写ゾーン２１０、Ｇ転写ゾーン２２０およびＢ転写ゾーン２３０は、前記３つの発光色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）ごとの転写層３０をガラス基板１０上にそれぞれ形成するための加工領域であり、各ゾーンごとに、転写装置１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂ、成膜装置２１１Ｒ，２２１Ｇ，２３１Ｂ、担持体ストック２１２Ｒ，２２２Ｇ，２３２Ｂ、洗浄装置２１３Ｒ，２２３Ｇ，２３３Ｂおよび搬送装置２１４Ｒ，２２４Ｇ，２３４Ｂをそれぞれ備えている。
【００３３】
これらのうち、転写装置１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂは、前述した転写装置１００である。また、成膜装置２１１Ｒ，２２１Ｇ，２３１Ｂは、担持体２０の形成面２１上に転写層３０を蒸着法により形成する機械装置である。また、担持体ストック２１２Ｒ，２２２Ｇ，２３２Ｂは、転写層３０が形成された担持体２０を一時的に溜め置く貯蔵室である。また、洗浄装置２１３Ｒ，２２３Ｇ，２３３Ｂは、転写装置１００にて転写層３０が転写された後の担持体２０上から残留した転写層３０などを除去して担持体２０を洗浄する機械装置である。搬送装置２１４Ｒ，２２４Ｇ，２３４Ｂは、ガラス基板１０および担持体２０を把持してそれぞれ次工程に搬送するための多関節アームロボットである。
【００３４】
また、Ｒ転写ゾーン２１０には、投入ストック２１５が設けられている。投入ストック２１５は、図示しない別工程にて製造されるガラス基板１０を有機ＥＬパネル製造装置２００内に受け入れて一時的に溜め置く貯蔵室である。これらの転写装置１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂ、成膜装置２１１Ｒ，２２１Ｇ，２３１Ｂ、洗浄装置２１３Ｒ，２２３Ｇ，２３３Ｂ、搬送装置２１４Ｒ，２２４Ｇ，２３４Ｂおよび投入ストック２１５は、図示しないパネル製造用制御装置によって作動が制御される。
【００３５】
また、封止ゾーン２４０は、転写層３０が転写されたガラス基板１０をガラス製の封止体（図示せず）によって封止するための加工領域であり、封止体ストック２４１、封止体前処理装置２４２、封止装置２４３、搬送装置２４４および排出ストック２４５を備えている。これらのうち、封止ストック２４１は、図示しない別工程で製造される封止体を一時的に溜め置く貯蔵室である。また、封止体前処理装置２４２は、封止体を紫外線（ＵＶ光）で洗浄した後、接着剤を塗布するための機械装置である。また、封止装置２４３は、ガラス基板１０上に転写された転写層３０を封止体で覆って密閉するための機械装置である。また、搬送装置２４４は、ガラス基板１０および封止体を把持して次工程に搬送するための多関節アームロボットである。
【００３６】
また、排出ストック２４５は、封止装置２４３にて封止されたガラス基板１０を図示しない別工程に供給するために同ガラス基板１０を一時的に溜め置く貯蔵室である。これらの封止体前処理装置２４２、封止装置２４３、搬送装置２４４および排出ストック２４５は、前記パネル製造用制御装置によって作動が制御される。また、Ｒ転写ゾーン２１０、Ｇ転写ゾーン２２０、Ｂ転写ゾーン２３０および封止ゾーン２４０は、それぞれ待機室２５１，２５２，２５３によってそれぞれ連結されている。待機室２５１，２５２，２５３は、前工程が終了して次工程に投入されるガラス基板１０を一時的に待機させておくための待機領域である。
【００３７】
（転写装置１００の作動）
次に、上記のように構成した転写装置１００の作動について説明する。まず、有機ＥＬパネル製造装置２００における投入ストック２１５には、図示しないガラス基板製造工程にて製造されたガラス基板１０が順次供給されストックされる。この場合、ガラス基板製造工程は、ガラス基板１０上に陽電極層１１を形成する。陽電極層１１は、有機ＥＬ層３２に電場を生じさせるための他方の電極を構成するものであり、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）などに代表される透明導電材料を図示Ｘ方向に所定の間隔を介して図示Ｙ方向に平行に延びて形成された厚さが約２００ｎｍの層である。本実施形態においては、蒸着法によりガラス基板１０上に形成されている。なお、この陽電極層１１は、ＩＴＯの他、インジウム・亜鉛酸化物やインジウム・ゲルマニウム酸化物などで構成することもできる。
【００３８】
有機ＥＬ製造装置２００のパネル製造用制御装置は、搬送装置２１４Ｒの作動を制御して投入ストック２１５に貯蔵されたガラス基板１０を把持して搬送し転写装置１００Ｒの基板保持部１０２に保持させる。この場合、ガラス基板１０は、陽電極層１１が下方に向く水平姿勢で基板保持部１０に保持される。次に、パネル製造用制御装置は、搬送装置２１４Ｒの作動を制御して担持体ストック２１２Ｒにストックされている担持体２０を把持して搬送し転写装置１００Ｒの担持体保持部１０３に保持させる。この場合、担持体２０の形成面２１には、成膜装置２１１Ｒによって赤色の光を発光する発光層３２ｂＲからなる転写層３０が形成されている。そして、この担持体２０は、転写層３０がガラス基板１０の陽電極層１１に対向するように上方に向く水平姿勢で担持体保持部１０３に保持される。
【００３９】
次に、パネル製造用制御装置は、転写装置１００の転写用制御装置に対して転写層３０の転写加工の開始を指示する。この指示に応答して、転写用制御装置は、転写装置１００Ｒにおける開閉戸１０１ａを閉じて筐体１０１内を気密状態とするとともに、真空１０６を作動させることにより同筐体１０１内を真空状態とする。次に、転写用制御装置は、図４（Ａ）に示すように、アクチュエータ１０２ａの作動を制御して基板保持部１０２に保持されているガラス基板１０を下降させてガラス基板１０の陽電極層１１を担持体２０の転写層３０（正孔輸送層３２ｃ）に近接させる。この場合、アクチュエータ１０２ａは、ガラス基板１０の陽電極層１１と担持体２０の転写層３０とを約１０μｍの間隙を介した位置にガラス基板１１を位置決めする。
【００４０】
次に、転写用制御装置は、変位機構１０５の作動を制御することによりレーザ光源１０４を変位させてガラス基板２０上における転写層３０の転写開始位置に位置決めする。そして、転写用制御装置は、レーザ光源１０４の作動を制御して担持体２０に向けてパルスレーザ光を出射させる。これにより、担持体保持部１０３に保持された担持体２０には、同担持体２０の下方から波長が５３２ｎｍ、パルス幅が８ｎｓ（ナノ秒）、光スポット径が２０μｍのパルスレーザ光が照射される。
【００４１】
担持体２０の下面から入射したパルスレーザ光は、担持体２０の形成面２１に形成された周期構造２２を介して転写層３０に達する。これにより、パルスレーザ光が照射された担持体２０の形成面２１上の転写層３０（電子輸送層３２ａ）が剥離してガラス基板１０の陽電極層１１に密着する。この周期構造２２が形成された形成面２１にパルスレーザ光を照射することにより形成面２１上に形成された転写層３０が剥離する現象の正確なメカニズムは不明な点もあるため詳しい説明は省略するが、周期構造２２が形成された担持体２０に照射されたパルスレーザ光のエネルギが熱に変換されることなく転写層３０を剥離させるためのエネルギ、具体的には周期構造２２または転写層３０を一時的に変形させるためのエネルギに変換されたものと考えられる。
【００４２】
これにより、パルスレーザ光が照射された周期構造２２上の転写層３０は、熱的影響を受けることなく剥離してガラス基板１０上に転写される。なお、本発明者によれば、周期構造２２をしない形成面２１にパルスレーザ光を照射した場合に比べると、形成面２１に周期構造２２を形成して同周期構造２２上に転写層３０を形成することにより転写層３０の剥離に要する時間を短くすることができるとともに剥離する転写層３０の形状精度を良好にすることができることを確認した。
【００４３】
転写用制御装置は、ガラス基板１０上における赤色を発光する画素を形成する位置をパルスレーザ光の光スポットがトレースするように変位機構１０５の作動を制御してレーザ光源１０４を変位させる。本実施形態においては、図示Ｙ方向に所定の間隔を介して図示Ｘ方向に平行（すなわち、陽電極層１１に直交する方向）に光スポットを走査する。これにより、ガラス基板１０上における赤色を発光する画素を形成する位置に赤色の光を発光する発光層３２ｂＲからなる転写層３０が順次転写される。
【００４４】
そして、転写用制御装置は、パルスレーザ光を走査することにより発光層３２ｂＲからなる転写層３０をガラス基板１０に転写し終えた場合には、レーザ光源１０４の作動を停止させるとともに、アクチュエータ１０２ａの作動を制御して基板保持部１０２に保持されているガラス基板１０を上昇させる。これにより、ガラス基板１０の陽電極層１１上には、図４（Ｂ）に示すように、パルスレーザ光の走査位置に対応して発光層３２ｂＲからなる転写層３０が転写される。そして、転写用制御装置は、真空ポンプ１０５の作動を制御して筐体１０１内の真空状態を大気圧に戻した後、開閉戸１０１ａを開く。なお、図４（Ｂ）においては、光スポットの走査方向が図示Ｘ方向であるため、ガラス基板１０に転写した転写層３０が示されるとともに、ガラス基板１９に転写されなかった転写層３０が担持体２０に示されている。
【００４５】
次に、パネル製造用制御装置は、搬送装置２１４Ｒの作動を制御して転写装置１００Ｒの筐体１０１内からガラス基板１０を取り出して待機室２５１に搬送するとともに、同筐体１０１内から担持体２０を取り出して洗浄装置２１３Ｒ内に搬送する。洗浄装置２１３Ｒは、パネル製造用制御装置からの指示に従って担持体２０上に形成された転写層３０を除去して洗浄する。洗浄装置２１３Ｒによって洗浄された担持体２０は、搬送装置２１４Ｒにより洗浄装置２１３Ｒ内から取り出されて成膜装置２１１Ｒに搬送される。成膜装置２１１Ｒは、パネル製造用制御装置からの指示に従って赤色の光を発光する発光層３２ｂＲからなる転写層３０を担持体２０の形成面２１上に形成する。
【００４６】
一方、待機室２５１内に搬送されたガラス基板１０は、Ｇ転写ゾーン２２０にて緑色の光を発光する発光層３２ｂＧからなる転写層３０が転写された後、Ｂ転写ゾーン２３０にて青色の光の発光する発光層３２ｂＢからなる転写層３０が転写される。これら発光層３２ｂＧからなる転写層３０および発光層３２ｂＢからなる転写層３０の転写工程は、前記発光層３２ｂＲからなる転写層３０の転写工程と同様であるので、その説明は省略する。そして、発光層３２ｂＲ、発光層３２ｂＧおよび発光層３２ｂＢからなる各転写層３０が転写されたガラス基板１０は、封止ゾーン２４０にて封止された後排出ストック２４５にストックされて有機ＥＬパネルを製造するための次工程（駆動ＩＣの実装など）を待つ。
【００４７】
上記作動説明からも理解できるように、上記実施形態によれば、転写装置１００は、担持体２０における複数の微細な凹凸形状からなる周期構造２２上に形成された転写層３０に対してパルスレーザ光を照射して、同転写層３０を同転写層３０に対向配置されたガラス基板１０上に転写する。そして、この場合、本発明者によれば、パルスレーザ光が照射された周期構造２２上の転写層３０は、熱的影響を受けることなく剥離してガラス基板１０上に転写される。これは、周期構造２２が形成された担持体２０に照射されたパルスレーザ光のエネルギが熱に変換されることなく転写層３０を剥離させるためのエネルギ、具体的には周期構造２２または転写層３０を一時的に変形させるためのエネルギに変換されたものと考えられる。この結果、転写層３０を熱的な影響を受けることなく簡単な構成で高精度にガラス基板１０上に転写することができる。
【００４８】
さらに、本発明の実施にあたっては、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。
【００４９】
例えば、上記実施形態においては、担持体２０をバナジウムを主成分とする厚さ５ｍｍの導電性ガラス材により構成した。しかし、担持体２０を構成する素材は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、インバー材（Ｆｅ−Ｎｉ合金）、ガラス材、誘電体、樹脂材などで構成することもできる。また、ガラス材の表面に導電性または誘電体の膜を形成してこの膜の表面に周期構造２２を形成することもできる。この場合、導電性または誘電体の膜が担持体２０に相当する。これらによっても、上記実施形態と同様の効果が期待できる。
【００５０】
また、上記実施形態においては、担持体２０を光を透過可能な透明材料で構成した。これは、転写層３０を転写させるためのパルスレーザ光を担持体２０の下方から照射して担持体２０を介して周期構造２２にパルスレーザ光を照射する所謂前方転写方式を採用するためである。したがって、パルスレーザ光を担持体２０を介さずに周期構造２２に照射する方式、具体的には、例えば、図５に示すように、レーザ光源１０４の上方に上記実施形態における担持体保持部１０３と同様の構成の基板保持部１０２’を設けるとともに、同基板保持部１０２’の上方に上記実施形態における基板保持部１０２と同様の構成の担持体保持部１０３’を設けた所謂後方転写方式を採用する場合には、必ずしも担持体２０を光が透過可能な透明材料で構成する必要はない。
【００５１】
但し、この場合、陽電極層１１および陰電極層３１を光を透過可能な透明な材料（例えば、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）、インジウム・亜鉛酸化物やインジウム・ゲルマニウム酸化物）で構成する必要がある。また、この場合、レーザ光源１０４から照射されるパルスレーザ光の光軸を担持体２０の形成面２１に対して傾斜させることにより、転写させる転写層３０にパルスレーザ光が照射されることを防止することができる。これによれば、転写される転写層３０にパルスレーザ光が照射されることによる同転写層３０の損傷を防止できるとともに、レーザ光源１０４の配置の自由度の拡大により転写装置１００の構成の自由度を拡大することができる。また、上記実施形態における担持体２０を着色ガラス材で構成してもよい。これによれば、担持体２０を透過して周期構造２２に達するパルスレーザ光の波長を選択的にすることができるとともに、同パルスレーザ光の光強度を減じることもでき、転写層３０の転写態様のバリエーションを拡大することができる。
【００５２】
また、上記実施形態においては、担持体２０に形成した転写層３０をガラス基板１０上に転写するために波長が５３２ｎｍ、パルス幅が８ｎｓ（ナノ秒）、光スポット径が２０μｍのパルスレーザ光を用いた。しかし、転写層３０の転写に用いるパルスレーザ光の波長、パルス幅および光スポット径などのパルスレーザ光の諸条件は、転写する転写層３０を構成する素材の種類、厚さおよび形成される層の数などに応じて適宜決定されるものであり、上記実施形態に限定されるものではない。なお、レーザ光源１０４と担持体２０との間にレーザ光源１０４から出射されたパルスレーザ光の断面形状を規定するための貫通孔からなる光透過孔を備えたアパーチャを配置してもよい。これによれば、転写する転写層３０の断面形状を円形（光スポットの形状）以外の形状にすることができ、転写層３０の転写態様のバリエーションを拡大することができる。なお、この場合、アパーチャに換えてまたは加えて、照射されるパルスレーザ光の断面形状を変化させることができる所謂ビームシェーパ機能を有するレーザ光源を用いても転写する転写層の断面形状を円形（光スポットの形状）以外の形状にすることができ、転写層の転写態様のバリエーションを拡大することができる。
【００５３】
また、上記実施形態においては、ガラス基板１０に形成した陽電極層１１と、同陽電極層１１に直交する陰電極層３１とで有機ＥＬ層３２を挟んだ所謂パッシブマトリクス型の有機ＥＬパネルの製造について説明した。しかし、本発明は、有機ＥＬパネルの画素ごとにＴＦＴ（Tin Film Transister）が設けられた所謂アクティブマトリクス型の有機ＥＬパネルの製造に適用することもできる。
【００５４】
また、上記実施形態においては、担持体２０の形成面２１に複数の微細な凹凸形状からなる溝状の周期構造２２を形成した。しかし、周期構造２２の形状およびその大きさは上記実施形態に限定されるものではない。本発明者によれば、凸部の間隔（ピッチ）および凸部と凹部との高低差（深さ）は数ｎｍ以上かつ数十μｍが好適である。なお、周期構造２２の大きさを数十μで形成する場合には、必ずしもフェムト秒レーザ光を用いる必要はなくフェムト秒より長いパルス幅のパルスレーザ光（例えば、ピコ秒レーザ光）を用いることができる。本発明者による実験によれば、概ね１ｆｓ（フェムト秒）〜１０ｐｓ（ピコ秒）のパルス幅のレーザ光を用いることが好適である。また、周期構造２２の形状は、溝形状の他、複数の凸部が球面状、台形状または錐状に突出したエンボス状や、複数の凹部が球面状、台形状または錐状に陥没したディンプル状に形成することもできる。これらによっても、上記実施形態と同様の効果が期待できる。
【００５５】
また、上記実施形態においては、担持体２０上に形成した転写層３０をガラス基板１０上に転写する際、ガラス基板１０と担持体２０との間隙を約１０μｍに設定した。しかし、本発明者によれば、担持体２０上に形成した転写層３０をガラス基板１０上に転写する際におけるガラス基板１０と担持体２０との間隙は０〜０.２ｍｍの範囲で設定可能である。すなわち、ガラス基板１０と担持体２０とを密着させた状態で転写層３０の転写を行うことができるとともに、ガラス基板１０と担持体２０とを最大で約０.２ｍｍの間隙を介して転写層３０の転写を行うこともできる。これによっても、上記実施形態と同様の効果が期待できる。
【００５６】
また、上記実施形態においては、ガラス基板１０に転写する転写層３０を陰電極層３１と有機ＥＬ層３２とで構成した。しかし、転写層３０は、ガラス基板１０に転写する層で構成されていればよく、陰電極層３１または有機ＥＬ層３２のみで構成してもよい。また、本実施形態においては、ガラス基板１０に予め形成した陽電極層１１を陽電極層１１のみでまたは陰電極層３１および有機ＥＬ層３２とともに転写層３０として転写の対象としてもよい。これによれば、陽電極層１１は転写層３０の形成時に形成されるためガラス基板１０上に陽電極層１１を形成する工程が不要となり、有機ＥＬパネルの製造工程を効率化することができる。この場合、陽電極層１１を含む転写層３０を一括してガラス基板１０に転写することになる。これらによっても、上記実施形態と同様の効果が期待できる。
【符号の説明】
【００５７】
１０…ガラス基板、１１…陽電極層、２０…担持体、２１…形成面、２２…周期構造、３０…転写層、３１…陰電極層、３２…有機ＥＬ層、３２ａ…電子輸送層、３２ｂ…発光層、３２ｃ…正孔輸送層、１００，１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂ…転写装置、１０１…筐体、１０１ａ…開閉戸、１０２，１０２’…基板保持部、１０２ａ…アクチュエータ、１０３，１０３’…担持体保持部、１０４…レーザ光源、１０５…変位機構、１０６…真空ポンプ、２００…有機ＥＬパネル製造装置、２１０…Ｒ転写ゾーン、２２０…Ｇ転写ゾーン、２３０…Ｂ転写ゾーン、２４０…封止ゾーン。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬパネルの製造に用いる転写装置、同有機ＥＬパネルの製造方法および同有機ＥＬパネル製造の際に転写層を一時的に保持するための担持体に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、自発光型の電子表示装置として有機ＥＬ（Electro Luminescence）パネルが知られている。有機ＥＬパネルは、陽電極と陰電極との間に蛍光性化合物からなる発光層を挟んで電場を与えることにより発光させる現象（ルミネッセンス：Luminescence）を利用した表示装置である。従来、有機ＥＬパネルの製造方法の一つとして、例えば、下記特許文献１および特許文献２に示すようなレーザ光を用いた熱転写法（ＬＩＴＩ法）が知られている。
【０００３】
熱転写法は、ドナーフィルム上に形成した発光層および陰電極層（または陽電極層）をガラス基板上に形成した陽電極層（または陰電極層）に対向配置した状態でレーザ光を照射することにより、ドナーフィルム上に形成した発光層および陰電極層（または陽電極層）を熱によりガラス基板の陽電極層（または陰電極層）上に転写するものである。
【０００４】
しかしながら、このような熱転写法を用いた有機ＥＬパネルの製造方法においては、熱を用いて発光層および陰電極層（または陽電極層）を転写させるため、発光層および陰電極層（または陽電極層）の性状が熱により変化する虞がある。また、転写の対象となる発光層および陰電極層（または陽電極層）に生じた熱の伝播により、転写の対象となっていない発光層および陰電極層が転写されてパターニング精度が低下することがある。これらのような転写精度の低下により、有機ＥＬパネルの製造精度が低下するという問題があった。
【０００５】
なお、下記特許文献３には、ドナーフィルムと発光層および陰電極層との間に断熱層を形成することにより転写の対象となっていない発光層および陰電極層への熱の伝播を抑制する技術が開示されている。しかし、ドナーフィルム上に断熱層を形成することは有機ＥＬパネルの構成および製造工数が煩雑化するとともに製造コストの増大を招来するという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−２６０５４９号公報
【特許文献２】特開２００２−７５６３６号公報
【特許文献３】特開２００８−１４７０１６号公報
【発明の概要】
【０００７】
本発明は上記問題に対処するためなされたもので、その目的は、発光層または電極層を含む転写層を熱的な影響を受けることなく簡単な構成で、かつ高精度にガラス基板上に転写することができる有機ＥＬパネルの製造に用いる転写装置、同有機ＥＬパネルの製造方法および同有機ＥＬパネル製造の際に転写層を一時的に保持するための担持体を提供することにある。
【０００８】
上記目的を達成するため、請求項１に係る発明の特徴は、有機ＥＬパネルを構成する発光層または電極層を含む転写層を一時的に形成するための形成面に複数の微細な凹凸形状からなる周期構造が形成された担持体を保持する担持体保持部と、担持体保持部に保持された担持体に対向した状態で有機ＥＬパネルを構成するガラス基板を保持する基板保持部と、ガラス基板に対向配置した転写層にパルスレーザ光を照射するレーザ光源とを備え、パルスレーザ光の照射により前記転写層をガラス基板上に転写することにある。
【０００９】
このように構成した請求項１に係る発明の特徴によれば、有機ＥＬパネルの製造に用いる転写装置は、担持体における複数の微細な凹凸形状からなる周期構造上に形成された転写層に対してパルスレーザ光を照射して、同転写層を同転写層に対向配置された基板上に転写する。ここで、周期構造とは、担持体の表面に形成された微細な周期性の凹凸形状をいう。そして、この場合、本発明者によれば、パルスレーザ光が照射された周期構造上の転写層は、熱的影響を受けることなく剥離して基板上に転写される。これは、周期構造が形成された担持体に照射されたパルスレーザ光のエネルギが熱に変換されることなく転写層を剥離させるためのエネルギ、具体的には周期構造または転写層を一時的に変形させるためのエネルギに変換されたものと考えられる。この結果、転写層を熱的な影響を受けることなく簡単な構成で高精度に基板上に転写することができる。
【００１０】
この場合、前記有機ＥＬパネル製造用転写装置において、前記周期構造は、凸部間の間隔および凸部と凹部との高低差が、それぞれ数ｎｍ以上かつ数十μｍ以下にするとよい。
【００１１】
これによれば、担持体の表面に形成された周期構造における凸部と凸部との間隔、および凸部と凹部との高低差は数ｎｍ以上かつ数十ｎｍ以下に設定される。これにより、本発明者の実験によれば、担持体の周期構造上に形成された転写層を精度良く剥離させて基板上に転写することができる。
【００１２】
また、これらの場合、前記有機ＥＬパネル製造用転写装置において、前記周期構造は、例えば、溝状、ディンプル状またはエンボス状に形成するとよい。
【００１３】
これによれば、担持体の表面に形成する周期構造を、溝状、ディンプル状およびエンボス状のうちの１つを含む形状とした。これにより、本発明者の実験によれば、担持体の周期構造上に形成された転写層を精度良く剥離させて基板上に転写することができる。
【００１４】
また、これらの場合、前記有機ＥＬパネル製造用転写装置において、前記周期構造は、フェムト秒レーザ光を用いて形成するとよい。
【００１５】
これによれば、担持体の表面に所謂フェムト秒レーザ光を照射することにより複数の微細な凹凸形状からなる周期構造を形成している。この場合、フェムト秒レーザ光とは、ｆｓ（フェムト秒：１０−１５ｓｅｃ）の極めて短いパルス幅のパルスレーザ光である。これにより、本発明者の実験によれば、凸部と凸部との間隔、および凸部と凹部との高低差が数ｎｍ以上かつ数十ｎｍ以下の周期構造を精度良く成形することができる。
【００１６】
また、請求項５に係る本発明の他の特徴は、前記有機ＥＬパネル製造用転写装置において、さらに、担持体保持部とレーザ光源との間に、同レーザ光源から照射されたパルスレーザ光の断面形状を規定するための光透過孔を有するアパーチャを備えたことにある。
【００１７】
このように構成した本発明の他の特徴によれば、担持体保持部とレーザ光源との間に配置したアパーチャによってレーザ光源から照射されたパルスレーザ光の断面形状を規定する。これにより、転写する転写層の断面形状を円形（光スポットの形状）以外の形状にすることができ、転写層の転写態様のバリエーションを拡大することができる。なお、この場合、アパーチャに換えてまたは加えて、照射されるパルスレーザ光の断面形状を変化させることができる所謂ビームシェーパ機能を有するレーザ光源を用いても転写する転写層の断面形状を円形（光スポットの形状）以外の形状にすることができ、転写層の転写態様のバリエーションを拡大することができる。
【００１８】
また、本発明は、有機ＥＬパネル製造用の転写装置として実施できるばかりでなく、有機ＥＬパネルの製造方法、および同有機ＥＬパネルの製造に用いる転写装置や有機ＥＬパネルの製造方法において転写層を一時的に形成するための担持体の発明としても実施できるものである。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の一実施形態に係る転写装置の全体構成を模式的に示す構成概略図である。
【図２】図１に示す転写装置に保持される担持体および同担持体上に形成される転写層を模式的に示す拡大断面図である。
【図３】図１に示す転写装置が用いられる有機ＥＬパネルの製造装置の全体構成を示すブロック図である。
【図４】（Ａ），（Ｂ）は図１に示す転写装置にてガラス基板に転写層を転写する過程を説明するための説明図である。
【図５】本発明の変形例に係る転写装置の全体構成を模式的に示す構成概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
（転写装置１００の構成）
以下、本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明に係る転写装置１００の主要部の構成を模式的に示す構成外略図である。この転写装置１００は、有機ＥＬ（Electro Luminescence）パネルを製造する工程において、有機ＥＬパネルの表側を構成するガラス基板１０上に発光層や電極層からなる転写層３０を転写法により形成するための機械装置である。なお、本明細書において参照する各図は、本発明の理解を容易にするために一部の構成要素を誇張して表わすなど模式的に表している。このため、各構成要素間の寸法や比率などは異なっていることがある。また、有機ＥＬパネルとは、陽電極と陰電極との間に電界発光する発光層を配置して構成された自発光型の電子表示装置である。
【００２１】
この転写装置１００は、開閉戸１０１ａを閉じることにより気密的な内部空間を形成可能な筐体１０１内上部に基板保持部１０２を備えている。基板保持部１０２は、有機ＥＬパネル（図示せず）の表側を構成するガラス基板１０を保持するための保持機構であり、筐体１０１の上面に設けられたアクチュエータ１０２ａに組み付けられている。アクチュエータ１０２ａは、図示しない転写用制御装置によって作動が制御されて基板保持部１０２を筐体１０１内において図示Ｚ方向（上下方向）に昇降変位させるとともに図示θａ方向に回転変位させる。なお、図示Ｘ方向は図１における左右方向であり、図示Ｙ方向は図示Ｘ方向に直交する方向であり図１の紙面に直交する奥行方向であり、図示Ｚ方向は図１における上下方向である。
【００２２】
基板保持部１０２の下方には、担持体保持部１０３が設けられている。担持体保持部１０３は、板状の担持体２０を保持するための保持機構であり、筐体１０１の底部に固定的に設けられている。担持体２０は、有機ＥＬパネルを構成するガラス基板１０上に形成される転写層３０が一時的に形成される導電性および光透過性を有するガラス板材である。本実施形態においては、バナジウムを主成分とすることにより導電性を有するガラス材を厚さ約５ｍｍの方形状に成形して構成されている。この担持体２０における転写層が形成される形成面２１には、図２に示すように、複数の微細な凹凸形状からなる溝状の周期構造２２が形成されている。
【００２３】
周期構造２２は、数十〜数百ｎｍの極めて微細な間隔および深さの凹凸形状が連続して形成されたものである。本実施形態においては、凸部と凸部との間隔（ピッチ）が約５３０ｎｍ、凸部と凹部との高低差（深さ）が約１０ｎｍの周期構造２２が担持体２０の形成面２１上に形成されている。なお、図１においては、担持体２０の形成面２１上に形成された周期構造２２をハッチングにより示している。また、図２においては、周期構造２２の大きさを誇張して示している。
【００２４】
この周期構造２２は、公知の方法によって担持体２０の形成面２１上に形成される。すなわち、本実施形態においては、波長が８００ｎｍ、パルス幅が１２０ｆｓ（フェムト秒）、繰り返し周波数が１ｋＨｚの所謂フェムト秒レーザ光を担持体２０の形成面２１上に照射することにより形成される。担持体２０の形成面２１に前記フェムト秒レーザ光が照射されると、形成面２１に照射された入射光の一部（ｐ偏光成分）と同形成面２１上に生じた表面散乱光との干渉が生じる。この場合、入射光のフルエンス（照射量）がアブレーション閾値（アブレーション:表面が蒸発または侵食によって分解される現象）の近傍であると前記光の干渉部分にアブレーションが生じて極めて微細な凹凸の溝形状が自己組織的に形成される。そして、フェムト秒レーザ光の集光点をオーバラップさせながら走査することにより、担持体２０の形成面２１上に周期構造２２が形成される。
【００２５】
担持体２０の形成面２１上に形成される転写層３０は、形成面２１側から陰電極層３１および有機ＥＬ層３２で構成されている。これらのうち、陰電極層３１は、有機ＥＬ層３２に電場を生じさせるための一方の電極を構成するものであり、アルミニウムを主成分とする厚さが約２００ｎｍの層である。本実施形態においては、蒸着法により担持体２０の形成面２１上に形成されている。なお、この陰電極３１は、アルミニウムのほか、リチウム、マグネシウムおよびカルシウムなどを含む合金またはハロゲン化物などで構成することもできる。
【００２６】
一方、有機ＥＬ層３２は、陰電極層３１側から電子輸送層（ＥＴＬ：Electron Transport Layer）３２ａ、発光層（ＥＭＬ：Emitting Layer）３２ｂおよび正孔輸送層（ＨＴＬ：Hole Transport layer）３２ｃを積層して構成された厚さ約７０ｎｍの積である。これらのうち、電子輸送層３２ａは、電子を透過させるとともに正孔の透過を阻止する層であり、例えば、１,３,４−オキサゾール誘導体や、１,２,４−トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）などにより構成された厚さが約２０ｎｍの層である。
【００２７】
発光層３２ｂは、有機ＥＬ層３２に電界が印加された際に正孔と電子とが再結合することにより発光する層であり、例えば、ａｌｑ３アルミニウム錯体などにより構成された厚さが約３０ｎｍの層である。この発光層３２ｂは、発光させる３つの色ごとに３種類用意される。すなわち、赤色の光を発光する発光層３２ｂＲ、緑色の光を発光する発光層３２ｂＧ、および青色の光の発光する発光層３２ｂＢが用意される。したがって、転写層３０は、３つの発光層３２ｂ（発光層３２ｂＲ、発光層３２ｂＧおよび発光層３２ｂＢ）ごとに３種類用意される。
【００２８】
また、正孔輸送層３２ｃは、正孔を透過させるとともに電子の透過を阻止する層であり、例えば、芳香族アミン誘導体などにより構成された厚さが約２０ｎｍの層である。これらの電子輸送層３２ａ、発光層３２ｂおよび正孔輸送層３２ｃの各層は、担持体２０の形成面２１上に蒸着法によって順次積層されて形成される。
【００２９】
なお、有機ＥＬ層３２は、少なくとも発光層３２ｂによって構成することができるとともに、電子輸送層３３および正孔輸送層３５に加えて電子注入層（ＥＩＬ：Electron Injection Layer）、正孔注入層（ＨＩＬ：Hole Injection Layer）および正孔遮断層（ＨBＬ：Hole
Block Layer）を含めて構成することもできる。また、発光層３２ｂが発光する色を１色（例えば、青色光）として同発光層３２ｂに隣接して色変換層（青色光を赤色や緑色に変換する波長フィルタ）を配置して構成することもできる。また、図１および図２においては、陰電極層３１および有機ＥＬ層３２の厚さをそれぞれ誇張して示している。
【００３０】
担持体保持部１０３の内側における筐体１０１の底部には、レーザ光源１０４が設けられている。レーザ光源１０４は、担持体保持部１０３によって保持された担持体２０に向けてパルスレーザ光を照射するための光源である。本実施形態においては、ＹＡＧ（Yttrium Aluminum garnet）固体レーザで構成されており、波長が５３２ｎｍ、パルス幅が８ｎｓ（ナノ秒）、光スポット径が２０μｍのパルスレーザ光を照射する。このレーザ光源１０４は、変位機構１０５によって支持されている。変位機構１０５は、前記転写用制御装置によって作動が制御されてレーザ光源１０４を筐体１０１内において図示Ｘ，Ｙ，Ｚ方向にそれぞれ変位させる。
【００３１】
また、筐体１０１における図示右側の側壁下部には、真空ポンプ１０６が設けられている。真空ポンプ１０６は、筐体１０１内を真空状態にするための吸引ポンプであり、前記転写用制御装置によって作動が制御される。
【００３２】
このように構成された転写装置１００は、有機ＥＬパネルを製造する製造装置内に組み込まれる。ここで、有機ＥＬパネルを製造する製造装置の構成を図３を用いて簡単に説明しておく。有機ＥＬパネル製造装置２００は、主としてＲ転写ゾーン２１０、Ｇ転写ゾーン２２０、Ｂ転写ゾーン２３０および封止ゾーン２４０の４つのゾーンで構成されている。これらのうち、Ｒ転写ゾーン２１０、Ｇ転写ゾーン２２０およびＢ転写ゾーン２３０は、前記３つの発光色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）ごとの転写層３０をガラス基板１０上にそれぞれ形成するための加工領域であり、各ゾーンごとに、転写装置１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂ、成膜装置２１１Ｒ，２２１Ｇ，２３１Ｂ、担持体ストック２１２Ｒ，２２２Ｇ，２３２Ｂ、洗浄装置２１３Ｒ，２２３Ｇ，２３３Ｂおよび搬送装置２１４Ｒ，２２４Ｇ，２３４Ｂをそれぞれ備えている。
【００３３】
これらのうち、転写装置１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂは、前述した転写装置１００である。また、成膜装置２１１Ｒ，２２１Ｇ，２３１Ｂは、担持体２０の形成面２１上に転写層３０を蒸着法により形成する機械装置である。また、担持体ストック２１２Ｒ，２２２Ｇ，２３２Ｂは、転写層３０が形成された担持体２０を一時的に溜め置く貯蔵室である。また、洗浄装置２１３Ｒ，２２３Ｇ，２３３Ｂは、転写装置１００にて転写層３０が転写された後の担持体２０上から残留した転写層３０などを除去して担持体２０を洗浄する機械装置である。搬送装置２１４Ｒ，２２４Ｇ，２３４Ｂは、ガラス基板１０および担持体２０を把持してそれぞれ次工程に搬送するための多関節アームロボットである。
【００３４】
また、Ｒ転写ゾーン２１０には、投入ストック２１５が設けられている。投入ストック２１５は、図示しない別工程にて製造されるガラス基板１０を有機ＥＬパネル製造装置２００内に受け入れて一時的に溜め置く貯蔵室である。これらの転写装置１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂ、成膜装置２１１Ｒ，２２１Ｇ，２３１Ｂ、洗浄装置２１３Ｒ，２２３Ｇ，２３３Ｂ、搬送装置２１４Ｒ，２２４Ｇ，２３４Ｂおよび投入ストック２１５は、図示しないパネル製造用制御装置によって作動が制御される。
【００３５】
また、封止ゾーン２４０は、転写層３０が転写されたガラス基板１０をガラス製の封止体（図示せず）によって封止するための加工領域であり、封止体ストック２４１、封止体前処理装置２４２、封止装置２４３、搬送装置２４４および排出ストック２４５を備えている。これらのうち、封止ストック２４１は、図示しない別工程で製造される封止体を一時的に溜め置く貯蔵室である。また、封止体前処理装置２４２は、封止体を紫外線（ＵＶ光）で洗浄した後、接着剤を塗布するための機械装置である。また、封止装置２４３は、ガラス基板１０上に転写された転写層３０を封止体で覆って密閉するための機械装置である。また、搬送装置２４４は、ガラス基板１０および封止体を把持して次工程に搬送するための多関節アームロボットである。
【００３６】
また、排出ストック２４５は、封止装置２４３にて封止されたガラス基板１０を図示しない別工程に供給するために同ガラス基板１０を一時的に溜め置く貯蔵室である。これらの封止体前処理装置２４２、封止装置２４３、搬送装置２４４および排出ストック２４５は、前記パネル製造用制御装置によって作動が制御される。また、Ｒ転写ゾーン２１０、Ｇ転写ゾーン２２０、Ｂ転写ゾーン２３０および封止ゾーン２４０は、それぞれ待機室２５１，２５２，２５３によってそれぞれ連結されている。待機室２５１，２５２，２５３は、前工程が終了して次工程に投入されるガラス基板１０を一時的に待機させておくための待機領域である。
【００３７】
（転写装置１００の作動）
次に、上記のように構成した転写装置１００の作動について説明する。まず、有機ＥＬパネル製造装置２００における投入ストック２１５には、図示しないガラス基板製造工程にて製造されたガラス基板１０が順次供給されストックされる。この場合、ガラス基板製造工程は、ガラス基板１０上に陽電極層１１を形成する。陽電極層１１は、有機ＥＬ層３２に電場を生じさせるための他方の電極を構成するものであり、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）などに代表される透明導電材料を図示Ｘ方向に所定の間隔を介して図示Ｙ方向に平行に延びて形成された厚さが約２００ｎｍの層である。本実施形態においては、蒸着法によりガラス基板１０上に形成されている。なお、この陽電極層１１は、ＩＴＯの他、インジウム・亜鉛酸化物やインジウム・ゲルマニウム酸化物などで構成することもできる。
【００３８】
有機ＥＬ製造装置２００のパネル製造用制御装置は、搬送装置２１４Ｒの作動を制御して投入ストック２１５に貯蔵されたガラス基板１０を把持して搬送し転写装置１００Ｒの基板保持部１０２に保持させる。この場合、ガラス基板１０は、陽電極層１１が下方に向く水平姿勢で基板保持部１０に保持される。次に、パネル製造用制御装置は、搬送装置２１４Ｒの作動を制御して担持体ストック２１２Ｒにストックされている担持体２０を把持して搬送し転写装置１００Ｒの担持体保持部１０３に保持させる。この場合、担持体２０の形成面２１には、成膜装置２１１Ｒによって赤色の光を発光する発光層３２ｂＲからなる転写層３０が形成されている。そして、この担持体２０は、転写層３０がガラス基板１０の陽電極層１１に対向するように上方に向く水平姿勢で担持体保持部１０３に保持される。
【００３９】
次に、パネル製造用制御装置は、転写装置１００の転写用制御装置に対して転写層３０の転写加工の開始を指示する。この指示に応答して、転写用制御装置は、転写装置１００Ｒにおける開閉戸１０１ａを閉じて筐体１０１内を気密状態とするとともに、真空１０６を作動させることにより同筐体１０１内を真空状態とする。次に、転写用制御装置は、図４（Ａ）に示すように、アクチュエータ１０２ａの作動を制御して基板保持部１０２に保持されているガラス基板１０を下降させてガラス基板１０の陽電極層１１を担持体２０の転写層３０（正孔輸送層３２ｃ）に近接させる。この場合、アクチュエータ１０２ａは、ガラス基板１０の陽電極層１１と担持体２０の転写層３０とを約１０μｍの間隙を介した位置にガラス基板１１を位置決めする。
【００４０】
次に、転写用制御装置は、変位機構１０５の作動を制御することによりレーザ光源１０４を変位させてガラス基板２０上における転写層３０の転写開始位置に位置決めする。そして、転写用制御装置は、レーザ光源１０４の作動を制御して担持体２０に向けてパルスレーザ光を出射させる。これにより、担持体保持部１０３に保持された担持体２０には、同担持体２０の下方から波長が５３２ｎｍ、パルス幅が８ｎｓ（ナノ秒）、光スポット径が２０μｍのパルスレーザ光が照射される。
【００４１】
担持体２０の下面から入射したパルスレーザ光は、担持体２０の形成面２１に形成された周期構造２２を介して転写層３０に達する。これにより、パルスレーザ光が照射された担持体２０の形成面２１上の転写層３０（電子輸送層３２ａ）が剥離してガラス基板１０の陽電極層１１に密着する。この周期構造２２が形成された形成面２１にパルスレーザ光を照射することにより形成面２１上に形成された転写層３０が剥離する現象の正確なメカニズムは不明な点もあるため詳しい説明は省略するが、周期構造２２が形成された担持体２０に照射されたパルスレーザ光のエネルギが熱に変換されることなく転写層３０を剥離させるためのエネルギ、具体的には周期構造２２または転写層３０を一時的に変形させるためのエネルギに変換されたものと考えられる。
【００４２】
これにより、パルスレーザ光が照射された周期構造２２上の転写層３０は、熱的影響を受けることなく剥離してガラス基板１０上に転写される。なお、本発明者によれば、周期構造２２をしない形成面２１にパルスレーザ光を照射した場合に比べると、形成面２１に周期構造２２を形成して同周期構造２２上に転写層３０を形成することにより転写層３０の剥離に要する時間を短くすることができるとともに剥離する転写層３０の形状精度を良好にすることができることを確認した。
【００４３】
転写用制御装置は、ガラス基板１０上における赤色を発光する画素を形成する位置をパルスレーザ光の光スポットがトレースするように変位機構１０５の作動を制御してレーザ光源１０４を変位させる。本実施形態においては、図示Ｙ方向に所定の間隔を介して図示Ｘ方向に平行（すなわち、陽電極層１１に直交する方向）に光スポットを走査する。これにより、ガラス基板１０上における赤色を発光する画素を形成する位置に赤色の光を発光する発光層３２ｂＲからなる転写層３０が順次転写される。
【００４４】
そして、転写用制御装置は、パルスレーザ光を走査することにより発光層３２ｂＲからなる転写層３０をガラス基板１０に転写し終えた場合には、レーザ光源１０４の作動を停止させるとともに、アクチュエータ１０２ａの作動を制御して基板保持部１０２に保持されているガラス基板１０を上昇させる。これにより、ガラス基板１０の陽電極層１１上には、図４（Ｂ）に示すように、パルスレーザ光の走査位置に対応して発光層３２ｂＲからなる転写層３０が転写される。そして、転写用制御装置は、真空ポンプ１０５の作動を制御して筐体１０１内の真空状態を大気圧に戻した後、開閉戸１０１ａを開く。なお、図４（Ｂ）においては、光スポットの走査方向が図示Ｘ方向であるため、ガラス基板１０に転写した転写層３０が示されるとともに、ガラス基板１９に転写されなかった転写層３０が担持体２０に示されている。
【００４５】
次に、パネル製造用制御装置は、搬送装置２１４Ｒの作動を制御して転写装置１００Ｒの筐体１０１内からガラス基板１０を取り出して待機室２５１に搬送するとともに、同筐体１０１内から担持体２０を取り出して洗浄装置２１３Ｒ内に搬送する。洗浄装置２１３Ｒは、パネル製造用制御装置からの指示に従って担持体２０上に形成された転写層３０を除去して洗浄する。洗浄装置２１３Ｒによって洗浄された担持体２０は、搬送装置２１４Ｒにより洗浄装置２１３Ｒ内から取り出されて成膜装置２１１Ｒに搬送される。成膜装置２１１Ｒは、パネル製造用制御装置からの指示に従って赤色の光を発光する発光層３２ｂＲからなる転写層３０を担持体２０の形成面２１上に形成する。
【００４６】
一方、待機室２５１内に搬送されたガラス基板１０は、Ｇ転写ゾーン２２０にて緑色の光を発光する発光層３２ｂＧからなる転写層３０が転写された後、Ｂ転写ゾーン２３０にて青色の光の発光する発光層３２ｂＢからなる転写層３０が転写される。これら発光層３２ｂＧからなる転写層３０および発光層３２ｂＢからなる転写層３０の転写工程は、前記発光層３２ｂＲからなる転写層３０の転写工程と同様であるので、その説明は省略する。そして、発光層３２ｂＲ、発光層３２ｂＧおよび発光層３２ｂＢからなる各転写層３０が転写されたガラス基板１０は、封止ゾーン２４０にて封止された後排出ストック２４５にストックされて有機ＥＬパネルを製造するための次工程（駆動ＩＣの実装など）を待つ。
【００４７】
上記作動説明からも理解できるように、上記実施形態によれば、転写装置１００は、担持体２０における複数の微細な凹凸形状からなる周期構造２２上に形成された転写層３０に対してパルスレーザ光を照射して、同転写層３０を同転写層３０に対向配置されたガラス基板１０上に転写する。そして、この場合、本発明者によれば、パルスレーザ光が照射された周期構造２２上の転写層３０は、熱的影響を受けることなく剥離してガラス基板１０上に転写される。これは、周期構造２２が形成された担持体２０に照射されたパルスレーザ光のエネルギが熱に変換されることなく転写層３０を剥離させるためのエネルギ、具体的には周期構造２２または転写層３０を一時的に変形させるためのエネルギに変換されたものと考えられる。この結果、転写層３０を熱的な影響を受けることなく簡単な構成で高精度にガラス基板１０上に転写することができる。
【００４８】
さらに、本発明の実施にあたっては、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。
【００４９】
例えば、上記実施形態においては、担持体２０をバナジウムを主成分とする厚さ５ｍｍの導電性ガラス材により構成した。しかし、担持体２０を構成する素材は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、インバー材（Ｆｅ−Ｎｉ合金）、ガラス材、誘電体、樹脂材などで構成することもできる。また、ガラス材の表面に導電性または誘電体の膜を形成してこの膜の表面に周期構造２２を形成することもできる。この場合、導電性または誘電体の膜が担持体２０に相当する。これらによっても、上記実施形態と同様の効果が期待できる。
【００５０】
また、上記実施形態においては、担持体２０を光を透過可能な透明材料で構成した。これは、転写層３０を転写させるためのパルスレーザ光を担持体２０の下方から照射して担持体２０を介して周期構造２２にパルスレーザ光を照射する所謂前方転写方式を採用するためである。したがって、パルスレーザ光を担持体２０を介さずに周期構造２２に照射する方式、具体的には、例えば、図５に示すように、レーザ光源１０４の上方に上記実施形態における担持体保持部１０３と同様の構成の基板保持部１０２’を設けるとともに、同基板保持部１０２’の上方に上記実施形態における基板保持部１０２と同様の構成の担持体保持部１０３’を設けた所謂後方転写方式を採用する場合には、必ずしも担持体２０を光が透過可能な透明材料で構成する必要はない。
【００５１】
但し、この場合、陽電極層１１および陰電極層３１を光を透過可能な透明な材料（例えば、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）、インジウム・亜鉛酸化物やインジウム・ゲルマニウム酸化物）で構成する必要がある。また、この場合、レーザ光源１０４から照射されるパルスレーザ光の光軸を担持体２０の形成面２１に対して傾斜させることにより、転写させる転写層３０にパルスレーザ光が照射されることを防止することができる。これによれば、転写される転写層３０にパルスレーザ光が照射されることによる同転写層３０の損傷を防止できるとともに、レーザ光源１０４の配置の自由度の拡大により転写装置１００の構成の自由度を拡大することができる。また、上記実施形態における担持体２０を着色ガラス材で構成してもよい。これによれば、担持体２０を透過して周期構造２２に達するパルスレーザ光の波長を選択的にすることができるとともに、同パルスレーザ光の光強度を減じることもでき、転写層３０の転写態様のバリエーションを拡大することができる。
【００５２】
また、上記実施形態においては、担持体２０に形成した転写層３０をガラス基板１０上に転写するために波長が５３２ｎｍ、パルス幅が８ｎｓ（ナノ秒）、光スポット径が２０μｍのパルスレーザ光を用いた。しかし、転写層３０の転写に用いるパルスレーザ光の波長、パルス幅および光スポット径などのパルスレーザ光の諸条件は、転写する転写層３０を構成する素材の種類、厚さおよび形成される層の数などに応じて適宜決定されるものであり、上記実施形態に限定されるものではない。なお、レーザ光源１０４と担持体２０との間にレーザ光源１０４から出射されたパルスレーザ光の断面形状を規定するための貫通孔からなる光透過孔を備えたアパーチャを配置してもよい。これによれば、転写する転写層３０の断面形状を円形（光スポットの形状）以外の形状にすることができ、転写層３０の転写態様のバリエーションを拡大することができる。なお、この場合、アパーチャに換えてまたは加えて、照射されるパルスレーザ光の断面形状を変化させることができる所謂ビームシェーパ機能を有するレーザ光源を用いても転写する転写層の断面形状を円形（光スポットの形状）以外の形状にすることができ、転写層の転写態様のバリエーションを拡大することができる。
【００５３】
また、上記実施形態においては、ガラス基板１０に形成した陽電極層１１と、同陽電極層１１に直交する陰電極層３１とで有機ＥＬ層３２を挟んだ所謂パッシブマトリクス型の有機ＥＬパネルの製造について説明した。しかし、本発明は、有機ＥＬパネルの画素ごとにＴＦＴ（Tin Film Transister）が設けられた所謂アクティブマトリクス型の有機ＥＬパネルの製造に適用することもできる。
【００５４】
また、上記実施形態においては、担持体２０の形成面２１に複数の微細な凹凸形状からなる溝状の周期構造２２を形成した。しかし、周期構造２２の形状およびその大きさは上記実施形態に限定されるものではない。本発明者によれば、凸部の間隔（ピッチ）および凸部と凹部との高低差（深さ）は数ｎｍ以上かつ数十μｍが好適である。なお、周期構造２２の大きさを数十μで形成する場合には、必ずしもフェムト秒レーザ光を用いる必要はなくフェムト秒より長いパルス幅のパルスレーザ光（例えば、ピコ秒レーザ光）を用いることができる。本発明者による実験によれば、概ね１ｆｓ（フェムト秒）〜１０ｐｓ（ピコ秒）のパルス幅のレーザ光を用いることが好適である。また、周期構造２２の形状は、溝形状の他、複数の凸部が球面状、台形状または錐状に突出したエンボス状や、複数の凹部が球面状、台形状または錐状に陥没したディンプル状に形成することもできる。これらによっても、上記実施形態と同様の効果が期待できる。
【００５５】
また、上記実施形態においては、担持体２０上に形成した転写層３０をガラス基板１０上に転写する際、ガラス基板１０と担持体２０との間隙を約１０μｍに設定した。しかし、本発明者によれば、担持体２０上に形成した転写層３０をガラス基板１０上に転写する際におけるガラス基板１０と担持体２０との間隙は０〜０.２ｍｍの範囲で設定可能である。すなわち、ガラス基板１０と担持体２０とを密着させた状態で転写層３０の転写を行うことができるとともに、ガラス基板１０と担持体２０とを最大で約０.２ｍｍの間隙を介して転写層３０の転写を行うこともできる。これによっても、上記実施形態と同様の効果が期待できる。
【００５６】
また、上記実施形態においては、ガラス基板１０に転写する転写層３０を陰電極層３１と有機ＥＬ層３２とで構成した。しかし、転写層３０は、ガラス基板１０に転写する層で構成されていればよく、陰電極層３１または有機ＥＬ層３２のみで構成してもよい。また、本実施形態においては、ガラス基板１０に予め形成した陽電極層１１を陽電極層１１のみでまたは陰電極層３１および有機ＥＬ層３２とともに転写層３０として転写の対象としてもよい。これによれば、陽電極層１１は転写層３０の形成時に形成されるためガラス基板１０上に陽電極層１１を形成する工程が不要となり、有機ＥＬパネルの製造工程を効率化することができる。この場合、陽電極層１１を含む転写層３０を一括してガラス基板１０に転写することになる。これらによっても、上記実施形態と同様の効果が期待できる。
【符号の説明】
【００５７】
１０…ガラス基板、１１…陽電極層、２０…担持体、２１…形成面、２２…周期構造、３０…転写層、３１…陰電極層、３２…有機ＥＬ層、３２ａ…電子輸送層、３２ｂ…発光層、３２ｃ…正孔輸送層、１００，１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂ…転写装置、１０１…筐体、１０１ａ…開閉戸、１０２，１０２’…基板保持部、１０２ａ…アクチュエータ、１０３，１０３’…担持体保持部、１０４…レーザ光源、１０５…変位機構、１０６…真空ポンプ、２００…有機ＥＬパネル製造装置、２１０…Ｒ転写ゾーン、２２０…Ｇ転写ゾーン、２３０…Ｂ転写ゾーン、２４０…封止ゾーン。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機ＥＬパネルを構成する発光層または電極層を含む転写層を一時的に形成するための形成面に複数の微細な凹凸形状からなる周期構造が形成された担持体を保持する担持体保持部と、
前記担持体保持部に保持された前記担持体に対向した状態で前記有機ＥＬパネルを構成するガラス基板を保持する基板保持部と、
前記ガラス基板に対向配置した前記転写層にパルスレーザ光を照射するレーザ光源とを備え、
前記パルスレーザ光の照射により前記転写層を前記ガラス基板上に転写する有機ＥＬパネル製造用転写装置。
【請求項２】
請求項１に記載した有機ＥＬパネル製造用転写装置において、
前記周期構造は、凸部間の間隔および凸部と凹部との高低差が、それぞれ数ｎｍ以上かつ数十μｍ以下であることを特徴とする有機ＥＬパネル製造用転写装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載した有機ＥＬパネル製造用転写装置において、
前記周期構造は、溝状、ディンプル状またはエンボス状に形成されることを特徴とする有機ＥＬパネル製造用転写装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のうちのいずれか１つに記載した有機ＥＬパネル製造用転写装置において、
前記周期構造は、フェムト秒レーザ光を用いて形成されることを特徴とする有機ＥＬパネル製造用転写装置。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のうちのいずれか１つに記載した有機ＥＬパネル製造用転写装置において、さらに、
前記担持体保持部と前記レーザ光源との間に、同レーザ光源から照射されたパルスレーザ光の断面形状を規定するための光透過孔を有するアパーチャを備えることを特徴とする有機ＥＬパネル製造用転写装置。
【請求項６】
有機ＥＬパネルを構成する発光層または電極層を含む転写層を一時的に形成するための形成面に複数の微細な凹凸形状からなる周期構造が形成された担持体を保持する担持体保持工程と、
前記保持された前記担持体に対向した状態で前記有機ＥＬパネルを構成するガラス基板を保持する基板保持工程と、
前記ガラス基板に対向配置した前記転写層にパルスレーザ光を照射するレーザ光照射工程とを含み、
前記パルスレーザ光の照射により前記転写層を前記ガラス基板上に転写する有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載した有機ＥＬパネルの製造方法において、
前記周期構造は、凸部間の間隔および凸部と凹部との高低差が、それぞれ数ｎｍ以上かつ数十μｍ以下であることを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項８】
請求項６または請求項７に記載した有機ＥＬパネルの製造方法において、
前記周期構造は、溝状、ディンプル状またはエンボス状に形成されることを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項９】
請求項６ないし請求項８のうちのいずれか１つに記載した有機ＥＬパネルの製造方法において、
前記周期構造は、フェムト秒レーザ光を用いて形成されることを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項１０】
請求項６ないし請求項９のうちのいずれか１つに記載した有機ＥＬパネルの製造方法において、
前記レーザ光照射工程は、前記パルスレーザ光の断面形状を規定する光透過孔を有するアパーチャを介して前記転写層に前記パルスレーザ光を照射することを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項１１】
有機ＥＬパネルを構成する発光層または電極層を含む転写層を前記有機パネルを構成する基板上にパルスレーザ光を用いて転写する際に、前記転写層を一時的に形成するための有機ＥＬパネル製造用担持体であって、
前記転写層が形成される形成面に複数の微細な凹凸形状からなる周期構造を備える有機ＥＬパネル製造用担持体。
【請求項１２】
請求項１１に記載した有機ＥＬパネル製造用担持体において、
前記周期構造は、凸部間の間隔および凸部と凹部との高低差が、それぞれ数ｎｍ以上かつ数十μｍ以下であることを特徴とする有機ＥＬパネル製造用担持体。
【請求項１３】
請求項１１または請求項１２に記載した有機ＥＬパネル製造用担持体において、
前記周期構造は、溝状、ディンプル状またはエンボス状に形成されることを特徴とする有機ＥＬパネル製造用担持体。
【請求項１４】
請求項１１ないし請求項１３のうちのいずれか１つに記載した有機ＥＬパネル製造用担持体において、
前記周期構造は、フェムト秒レーザ光を用いて形成されることを特徴とする有機ＥＬパネル製造用担持体。
【請求項１】
有機ＥＬパネルを構成する発光層または電極層を含む転写層を一時的に形成するための形成面に複数の微細な凹凸形状からなる周期構造が形成された担持体を保持する担持体保持部と、
前記担持体保持部に保持された前記担持体に対向した状態で前記有機ＥＬパネルを構成するガラス基板を保持する基板保持部と、
前記ガラス基板に対向配置した前記転写層にパルスレーザ光を照射するレーザ光源とを備え、
前記パルスレーザ光の照射により前記転写層を前記ガラス基板上に転写する有機ＥＬパネル製造用転写装置。
【請求項２】
請求項１に記載した有機ＥＬパネル製造用転写装置において、
前記周期構造は、凸部間の間隔および凸部と凹部との高低差が、それぞれ数ｎｍ以上かつ数十μｍ以下であることを特徴とする有機ＥＬパネル製造用転写装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載した有機ＥＬパネル製造用転写装置において、
前記周期構造は、溝状、ディンプル状またはエンボス状に形成されることを特徴とする有機ＥＬパネル製造用転写装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のうちのいずれか１つに記載した有機ＥＬパネル製造用転写装置において、
前記周期構造は、フェムト秒レーザ光を用いて形成されることを特徴とする有機ＥＬパネル製造用転写装置。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のうちのいずれか１つに記載した有機ＥＬパネル製造用転写装置において、さらに、
前記担持体保持部と前記レーザ光源との間に、同レーザ光源から照射されたパルスレーザ光の断面形状を規定するための光透過孔を有するアパーチャを備えることを特徴とする有機ＥＬパネル製造用転写装置。
【請求項６】
有機ＥＬパネルを構成する発光層または電極層を含む転写層を一時的に形成するための形成面に複数の微細な凹凸形状からなる周期構造が形成された担持体を保持する担持体保持工程と、
前記保持された前記担持体に対向した状態で前記有機ＥＬパネルを構成するガラス基板を保持する基板保持工程と、
前記ガラス基板に対向配置した前記転写層にパルスレーザ光を照射するレーザ光照射工程とを含み、
前記パルスレーザ光の照射により前記転写層を前記ガラス基板上に転写する有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載した有機ＥＬパネルの製造方法において、
前記周期構造は、凸部間の間隔および凸部と凹部との高低差が、それぞれ数ｎｍ以上かつ数十μｍ以下であることを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項８】
請求項６または請求項７に記載した有機ＥＬパネルの製造方法において、
前記周期構造は、溝状、ディンプル状またはエンボス状に形成されることを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項９】
請求項６ないし請求項８のうちのいずれか１つに記載した有機ＥＬパネルの製造方法において、
前記周期構造は、フェムト秒レーザ光を用いて形成されることを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項１０】
請求項６ないし請求項９のうちのいずれか１つに記載した有機ＥＬパネルの製造方法において、
前記レーザ光照射工程は、前記パルスレーザ光の断面形状を規定する光透過孔を有するアパーチャを介して前記転写層に前記パルスレーザ光を照射することを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項１１】
有機ＥＬパネルを構成する発光層または電極層を含む転写層を前記有機パネルを構成する基板上にパルスレーザ光を用いて転写する際に、前記転写層を一時的に形成するための有機ＥＬパネル製造用担持体であって、
前記転写層が形成される形成面に複数の微細な凹凸形状からなる周期構造を備える有機ＥＬパネル製造用担持体。
【請求項１２】
請求項１１に記載した有機ＥＬパネル製造用担持体において、
前記周期構造は、凸部間の間隔および凸部と凹部との高低差が、それぞれ数ｎｍ以上かつ数十μｍ以下であることを特徴とする有機ＥＬパネル製造用担持体。
【請求項１３】
請求項１１または請求項１２に記載した有機ＥＬパネル製造用担持体において、
前記周期構造は、溝状、ディンプル状またはエンボス状に形成されることを特徴とする有機ＥＬパネル製造用担持体。
【請求項１４】
請求項１１ないし請求項１３のうちのいずれか１つに記載した有機ＥＬパネル製造用担持体において、
前記周期構造は、フェムト秒レーザ光を用いて形成されることを特徴とする有機ＥＬパネル製造用担持体。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２０１０−１６０９４３（Ｐ２０１０−１６０９４３Ａ）
【公開日】平成２２年７月２２日（２０１０．７．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１８１５（Ｐ２００９−１８１５）
【出願日】平成２１年１月７日（２００９．１．７）
【出願人】（５０８２０２１４２）ゼータフォトン株式会社 (3)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年７月２２日（２０１０．７．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１月７日（２００９．１．７）
【出願人】（５０８２０２１４２）ゼータフォトン株式会社 (3)
【Ｆターム（参考）】
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