有機ＥＬパネル
【課題】 表示領域における最外周の画素が、中央部の画素よりも短期間で劣化する虞が少ない有機ＥＬパネルを提供する。
【解決手段】 有機ＥＬパネル１４は、積層体１６を基板１５に形成したものである。積層体１６は、第一電極１７と、絶縁層１８と、有機層２０と、第二電極２１とを有する。第一電極１７は、ストライプ状に形成された陽極部１７ａと、第二電極２１に電気的に接続される陰極端子部１７ｂと、を有する。絶縁層１８は、表示領域Ｓにて各々所定幅Ｗをあけてマトリクス状に形成された複数の第一の開口部１８ａと、第一電極１７が形成されていない領域にて第一の開口部１８ａから前記所定幅Ｗをあけて形成された第二の開口部１８ｂと、を有する。
【解決手段】 有機ＥＬパネル１４は、積層体１６を基板１５に形成したものである。積層体１６は、第一電極１７と、絶縁層１８と、有機層２０と、第二電極２１とを有する。第一電極１７は、ストライプ状に形成された陽極部１７ａと、第二電極２１に電気的に接続される陰極端子部１７ｂと、を有する。絶縁層１８は、表示領域Ｓにて各々所定幅Ｗをあけてマトリクス状に形成された複数の第一の開口部１８ａと、第一電極１７が形成されていない領域にて第一の開口部１８ａから前記所定幅Ｗをあけて形成された第二の開口部１８ｂと、を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第一電極と第二電極の間に有機層を挟持した有機ＥＬ素子を含む積層体を基板上に形成した有機ＥＬパネルに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、基板上に有機ＥＬ素子を形成した有機ＥＬパネルが種々提案されており、例えば特許文献１に開示されている。有機ＥＬパネル１は、ガラス基板２上に積層体３を形成したものであり、この積層体３は、第一電極４，絶縁層５，有機層６，第二電極７を有する（図８及び図９参照）。
【特許文献１】特開２００１−６８２６７号公報
【０００３】
第一電極４は、ＩＴＯ（Indium
Tin Oxide）からなるものであり、縦方向のストライプ状の陽極部４ａと、第二電極７に電気的に接続される陰極端子部４ｂとを有している。絶縁層５には、マトリクス状に設けられる画素に対応した開口部５ａと、陰極端子部４ｂと第二電極７を導通させるコンタクトホール５ｃとが形成されている。絶縁層５は、有機層６よりも広い領域に形成されている。有機層６は、蒸着等の方法によって正孔注入層，正孔輸送層，発光層，電子輸送層及び電子注入層を順次形成したものである。第二電極７は、アルミニウム（Al）からなるものであり、横方向のストライプ状になっている。有機ＥＬパネル１の表示領域Ｓには、画素Ｐがマトリクス状に設けられており、図示しない駆動回路によって画素Ｐを各々オン／オフさせ、所望の文字や図形を表示することが可能である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、表示領域Ｓにおける最外周の画素Ｐ１は、中央部の画素Ｐ２よりも短期間で劣化するという問題を有していた。この問題は、最外周の画素Ｐ１では、有機層６が、絶縁層５から発せられる有機ガス（以下、アウトガスと記す）の影響を受けやすいために生じると考えられる。つまり、絶縁層５の開口部５ａは一定間隔で設けられており、中央部の画素Ｐ２は、所定幅Ｗ１の絶縁層５に囲まれているが、最外周の画素Ｐ１では、絶縁層５の外縁までの幅Ｗ２が前記所定幅Ｗ１よりも大きくなるため、絶縁層５から発せられるアウトガスの影響を受けやすい。
本発明は、表示領域における最外周の画素が、中央部の画素よりも短期間で劣化する虞が少ない有機ＥＬパネルを提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、前記課題を解決するため、請求項１に記載したように、第一電極１７と絶縁層１８と有機層２０と第二電極２１とを有する積層体１６を基板１５に形成した有機ＥＬパネル１４において、前記絶縁層１８は、表示領域Ｓにて各々所定幅Ｗをあけてマトリクス状に形成された複数の第一の開口部１８ａと、前記第一電極１７が形成されていない領域にて前記第一の開口部１８ａから前記所定幅Ｗをあけて形成された第二の開口部１８ｂと、を有するものである。
【０００６】
また、本発明は、請求項２に記載したように、前記第一電極１７は、ストライプ状に形成された陽極部１７ａと、前記第二電極２１に電気的に接続される陰極端子部１７ｂと、を有するものである。
【０００７】
また、本発明は、請求項３に記載したように、前記絶縁層１８，２８，３８は、前記陰極端子部１７ｂを前記第二電極２１に電気的に接続させるための第三の開口部１８ｃ，２８ｃ，３８ｃを有するものである。
【発明の効果】
【０００８】
第二の開口部を設けて、各画素における周囲の絶縁層の幅を等しくしたことによって、最外周の画素が、中央部の画素よりも短期間で劣化する虞が少なくなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の一実施形態を添付の図面に基づいて説明する。図１乃至図５は第一実施形態を示すものである。
有機ＥＬパネル１４は、ガラス基板１５上に積層体１６を形成したものである。積層体１６は、第一電極１７，絶縁層１８，リブ部１９，有機層２０，第二電極２１を有している。
【００１０】
第一電極１７は、酸化インジウム（In２O３）と酸化スズ（SnO２）の混合物であるＩＴＯ（Indium
Tin Oxide）からなるものであり、スパッタリング或いは蒸着等の手段によって、ガラス基板１５に形成されている。第一電極１７は、一定間隔をあけて配置された縦方向のストライプ状の陽極部１７ａと、第二電極２１に導通される陰極端子部１７ｂとを有している。
【００１１】
絶縁層１８は、ポリイミド系の絶縁材料からなるものであり、フォトリソグラフィー法等の手段によってパターニングされている。絶縁層１８は、マトリクス状に配置された画素Ｐに対応する開口部１８ａ（第一の開口部）と、表示領域Ｓ外に形成されたダミー開口部１８ｂ（第二の開口部）と、陰極端子部１７ｂと第二電極２１を電気的に接続させるコンタクトホール１８ｃ（第三の開口部）とを有している。
【００１２】
リブ部１９は、フェノール系の絶縁材料からなるものであり、フォトリソグラフィー法等の手段によって形成されている。リブ部１９は、絶縁層１８上に形成されており、逆テーパ形状になっている。リブ部１９は、陽極部１７ａと直交する方向に平行線状に設けられており、このリブ部１９によって有機層２０及び第二電極２１をストライプ状に分断されている。
【００１３】
有機層２０は、正孔注入層２０ａ，正孔輸送層２０ｂ，発光層２０ｃ及び電子輸送層２０ｄからなるものであり、白色発光するものである（図４参照）。なお、有機層２０は、少なくとも発光層２０ｃがあれば良いが、本実施形態のように正孔注入層２０ａ，正孔輸送層２０ｂ及び電子輸送層２０ｄを設けることにより、発光輝度を向上させることができる。第二電極２１は、アルミニウム（Al）からなるものであり、リブ部１９によって、第一電極１７の陽極部１７ａに直交する方向のストライプ状に分断されている。
【００１４】
次に、図５に基づいて、絶縁層１８について更に詳述する。絶縁層１８の開口部１８ａは、表示領域Ｓ内において、各々所定幅Ｗをあけて形成されている。つまり、隣設する開口部１８ａと開口部１８ａとの間隔は、所定幅Ｗとなっている。絶縁層１８のダミー開口部１８ｂは、隣設された開口部１８ａから前記所定幅Ｗをあけて、表示領域Ｓ外に形成されている。ダミー開口部１８ｂは、表示領域Ｓの左右に設けられており、ダミー開口部１８ｂにおいては、第一電極１７は形成されておらず、第二電極２１がガラス基板１５に当接している。
【００１５】
本実施形態の如く、ダミー開口部１８ｂを設けたことにより、各画素Ｐにおける左右の絶縁層１８の幅が等しくなり、最外周の画素Ｐが、中央部の画素Ｐよりも短期間で劣化する虞が少ない。
なお、本実施形態の有機ＥＬパネル１４はリブ部１９を有するため、ダミー開口部１８ｂは表示領域Ｓの左右のみに設けられているが、リブ部１９がない場合には、図６に示す第二実施形態のように、表示領域Ｓの左右だけでなく、表示領域Ｓの上下にもダミー開口部１８ｂを形成しても良い。また、図７に示す第三実施形態のように、ダミー開口部１８ｂを切込み形状としても良い。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第一実施形態を示す正面図。
【図２】同上実施形態を示す断面図。
【図３】同上実施形態を示す断面図。
【図４】同上実施形態を示す有機層の拡大正面図。
【図５】同上実施形態を示す正面図。
【図６】本発明の第二実施形態を示す正面図。
【図７】本発明の第三実施形態を示す正面図。
【図８】従来例を示す正面図。
【図９】同上従来例を示す断面図。
【図１０】同上従来例を示す正面図。
【符号の説明】
【００１７】
１４ 有機ＥＬパネル
１５ 基板
１６ 積層体
１７ 第一電極
１７ａ 陽極部
１７ｂ 陰極端子部
１８ 絶縁層
１８ａ 開口部（第一の開口部）
１８ｂ ダミー開口部（第二の開口部）
１８ｃ コンタクトホール（第三の開口部）
２０ 有機層
２１ 第二電極
Ｓ 表示領域
Ｗ 所定幅
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第一電極と第二電極の間に有機層を挟持した有機ＥＬ素子を含む積層体を基板上に形成した有機ＥＬパネルに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、基板上に有機ＥＬ素子を形成した有機ＥＬパネルが種々提案されており、例えば特許文献１に開示されている。有機ＥＬパネル１は、ガラス基板２上に積層体３を形成したものであり、この積層体３は、第一電極４，絶縁層５，有機層６，第二電極７を有する（図８及び図９参照）。
【特許文献１】特開２００１−６８２６７号公報
【０００３】
第一電極４は、ＩＴＯ（Indium
Tin Oxide）からなるものであり、縦方向のストライプ状の陽極部４ａと、第二電極７に電気的に接続される陰極端子部４ｂとを有している。絶縁層５には、マトリクス状に設けられる画素に対応した開口部５ａと、陰極端子部４ｂと第二電極７を導通させるコンタクトホール５ｃとが形成されている。絶縁層５は、有機層６よりも広い領域に形成されている。有機層６は、蒸着等の方法によって正孔注入層，正孔輸送層，発光層，電子輸送層及び電子注入層を順次形成したものである。第二電極７は、アルミニウム（Al）からなるものであり、横方向のストライプ状になっている。有機ＥＬパネル１の表示領域Ｓには、画素Ｐがマトリクス状に設けられており、図示しない駆動回路によって画素Ｐを各々オン／オフさせ、所望の文字や図形を表示することが可能である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、表示領域Ｓにおける最外周の画素Ｐ１は、中央部の画素Ｐ２よりも短期間で劣化するという問題を有していた。この問題は、最外周の画素Ｐ１では、有機層６が、絶縁層５から発せられる有機ガス（以下、アウトガスと記す）の影響を受けやすいために生じると考えられる。つまり、絶縁層５の開口部５ａは一定間隔で設けられており、中央部の画素Ｐ２は、所定幅Ｗ１の絶縁層５に囲まれているが、最外周の画素Ｐ１では、絶縁層５の外縁までの幅Ｗ２が前記所定幅Ｗ１よりも大きくなるため、絶縁層５から発せられるアウトガスの影響を受けやすい。
本発明は、表示領域における最外周の画素が、中央部の画素よりも短期間で劣化する虞が少ない有機ＥＬパネルを提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、前記課題を解決するため、請求項１に記載したように、第一電極１７と絶縁層１８と有機層２０と第二電極２１とを有する積層体１６を基板１５に形成した有機ＥＬパネル１４において、前記絶縁層１８は、表示領域Ｓにて各々所定幅Ｗをあけてマトリクス状に形成された複数の第一の開口部１８ａと、前記第一電極１７が形成されていない領域にて前記第一の開口部１８ａから前記所定幅Ｗをあけて形成された第二の開口部１８ｂと、を有するものである。
【０００６】
また、本発明は、請求項２に記載したように、前記第一電極１７は、ストライプ状に形成された陽極部１７ａと、前記第二電極２１に電気的に接続される陰極端子部１７ｂと、を有するものである。
【０００７】
また、本発明は、請求項３に記載したように、前記絶縁層１８，２８，３８は、前記陰極端子部１７ｂを前記第二電極２１に電気的に接続させるための第三の開口部１８ｃ，２８ｃ，３８ｃを有するものである。
【発明の効果】
【０００８】
第二の開口部を設けて、各画素における周囲の絶縁層の幅を等しくしたことによって、最外周の画素が、中央部の画素よりも短期間で劣化する虞が少なくなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の一実施形態を添付の図面に基づいて説明する。図１乃至図５は第一実施形態を示すものである。
有機ＥＬパネル１４は、ガラス基板１５上に積層体１６を形成したものである。積層体１６は、第一電極１７，絶縁層１８，リブ部１９，有機層２０，第二電極２１を有している。
【００１０】
第一電極１７は、酸化インジウム（In２O３）と酸化スズ（SnO２）の混合物であるＩＴＯ（Indium
Tin Oxide）からなるものであり、スパッタリング或いは蒸着等の手段によって、ガラス基板１５に形成されている。第一電極１７は、一定間隔をあけて配置された縦方向のストライプ状の陽極部１７ａと、第二電極２１に導通される陰極端子部１７ｂとを有している。
【００１１】
絶縁層１８は、ポリイミド系の絶縁材料からなるものであり、フォトリソグラフィー法等の手段によってパターニングされている。絶縁層１８は、マトリクス状に配置された画素Ｐに対応する開口部１８ａ（第一の開口部）と、表示領域Ｓ外に形成されたダミー開口部１８ｂ（第二の開口部）と、陰極端子部１７ｂと第二電極２１を電気的に接続させるコンタクトホール１８ｃ（第三の開口部）とを有している。
【００１２】
リブ部１９は、フェノール系の絶縁材料からなるものであり、フォトリソグラフィー法等の手段によって形成されている。リブ部１９は、絶縁層１８上に形成されており、逆テーパ形状になっている。リブ部１９は、陽極部１７ａと直交する方向に平行線状に設けられており、このリブ部１９によって有機層２０及び第二電極２１をストライプ状に分断されている。
【００１３】
有機層２０は、正孔注入層２０ａ，正孔輸送層２０ｂ，発光層２０ｃ及び電子輸送層２０ｄからなるものであり、白色発光するものである（図４参照）。なお、有機層２０は、少なくとも発光層２０ｃがあれば良いが、本実施形態のように正孔注入層２０ａ，正孔輸送層２０ｂ及び電子輸送層２０ｄを設けることにより、発光輝度を向上させることができる。第二電極２１は、アルミニウム（Al）からなるものであり、リブ部１９によって、第一電極１７の陽極部１７ａに直交する方向のストライプ状に分断されている。
【００１４】
次に、図５に基づいて、絶縁層１８について更に詳述する。絶縁層１８の開口部１８ａは、表示領域Ｓ内において、各々所定幅Ｗをあけて形成されている。つまり、隣設する開口部１８ａと開口部１８ａとの間隔は、所定幅Ｗとなっている。絶縁層１８のダミー開口部１８ｂは、隣設された開口部１８ａから前記所定幅Ｗをあけて、表示領域Ｓ外に形成されている。ダミー開口部１８ｂは、表示領域Ｓの左右に設けられており、ダミー開口部１８ｂにおいては、第一電極１７は形成されておらず、第二電極２１がガラス基板１５に当接している。
【００１５】
本実施形態の如く、ダミー開口部１８ｂを設けたことにより、各画素Ｐにおける左右の絶縁層１８の幅が等しくなり、最外周の画素Ｐが、中央部の画素Ｐよりも短期間で劣化する虞が少ない。
なお、本実施形態の有機ＥＬパネル１４はリブ部１９を有するため、ダミー開口部１８ｂは表示領域Ｓの左右のみに設けられているが、リブ部１９がない場合には、図６に示す第二実施形態のように、表示領域Ｓの左右だけでなく、表示領域Ｓの上下にもダミー開口部１８ｂを形成しても良い。また、図７に示す第三実施形態のように、ダミー開口部１８ｂを切込み形状としても良い。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第一実施形態を示す正面図。
【図２】同上実施形態を示す断面図。
【図３】同上実施形態を示す断面図。
【図４】同上実施形態を示す有機層の拡大正面図。
【図５】同上実施形態を示す正面図。
【図６】本発明の第二実施形態を示す正面図。
【図７】本発明の第三実施形態を示す正面図。
【図８】従来例を示す正面図。
【図９】同上従来例を示す断面図。
【図１０】同上従来例を示す正面図。
【符号の説明】
【００１７】
１４ 有機ＥＬパネル
１５ 基板
１６ 積層体
１７ 第一電極
１７ａ 陽極部
１７ｂ 陰極端子部
１８ 絶縁層
１８ａ 開口部（第一の開口部）
１８ｂ ダミー開口部（第二の開口部）
１８ｃ コンタクトホール（第三の開口部）
２０ 有機層
２１ 第二電極
Ｓ 表示領域
Ｗ 所定幅
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一電極と絶縁層と有機層と第二電極とを有する積層体を基板に形成した有機ＥＬパネルにおいて、
前記絶縁層は、表示領域にて各々所定幅を開けてマトリクス状に形成された複数の第一の開口部と、前記第一電極が形成されていない領域にて前記第一の開口部から前記所定幅をあけて形成された第二の開口部と、を有することを特徴とする有機ＥＬパネル。
【請求項２】
前記第一電極は、ストライプ状に形成された陽極部と、前記第二電極に電気的に接続される陰極端子部と、を有することを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬパネル。
【請求項３】
前記絶縁層は、前記陰極端子部を前記第二電極に電気的に接続させるための第三の開口部を有することを特徴とする請求項２の有機ＥＬパネル。
【請求項１】
第一電極と絶縁層と有機層と第二電極とを有する積層体を基板に形成した有機ＥＬパネルにおいて、
前記絶縁層は、表示領域にて各々所定幅を開けてマトリクス状に形成された複数の第一の開口部と、前記第一電極が形成されていない領域にて前記第一の開口部から前記所定幅をあけて形成された第二の開口部と、を有することを特徴とする有機ＥＬパネル。
【請求項２】
前記第一電極は、ストライプ状に形成された陽極部と、前記第二電極に電気的に接続される陰極端子部と、を有することを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬパネル。
【請求項３】
前記絶縁層は、前記陰極端子部を前記第二電極に電気的に接続させるための第三の開口部を有することを特徴とする請求項２の有機ＥＬパネル。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２００７−１９４０６２（Ｐ２００７−１９４０６２Ａ）
【公開日】平成１９年８月２日（２００７．８．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１０７７８（Ｐ２００６−１０７７８）
【出願日】平成１８年１月１９日（２００６．１．１９）
【出願人】（０００２３１５１２）日本精機株式会社 (1,561)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年８月２日（２００７．８．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１月１９日（２００６．１．１９）
【出願人】（０００２３１５１２）日本精機株式会社 (1,561)
【Ｆターム（参考）】
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