有機ＥＬ表示装置
【課題】長寿命化した有機ＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板ＳＵＢ１の主面に形成された一方の電極（陽極ＡＮＤまたは陰極ＣＴＤ）と他方の電極（陰極ＣＴＤ又は陽極ＡＮＤ）の間に少なくともホール輸送層ＨＴＲ、発光層ＬＵＭ、電子輸送層ＥＴＲ、電子注入層ＥＩＮを蒸着により積層する際に、蒸着装置内で取り込まれる可塑剤の濃度を１００ｐｐｍ以下とする。
【解決手段】絶縁基板ＳＵＢ１の主面に形成された一方の電極（陽極ＡＮＤまたは陰極ＣＴＤ）と他方の電極（陰極ＣＴＤ又は陽極ＡＮＤ）の間に少なくともホール輸送層ＨＴＲ、発光層ＬＵＭ、電子輸送層ＥＴＲ、電子注入層ＥＩＮを蒸着により積層する際に、蒸着装置内で取り込まれる可塑剤の濃度を１００ｐｐｍ以下とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置に係り、特に有機ＥＬ素子の作成プロセス中に該素子に取り込まれる可塑剤に起因する発光効率の低下を抑制して長寿命化と信頼性の向上を可能とした有機ＥＬ表示装置に好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
フラットパネル型の表示装置として液晶表示装置（ＬＣＤ）やプラズマ表示装置（ＰＤＰ）、電界放出型表示装置（ＦＥＤ）、有機ＥＬ表示装置（以下、OLED素子とも称する）などが実用化ないしは実用化研究段階にある。中でも、有機ＥＬ表示装置は薄型・軽量の自発光型表示装置の典型としてこれからの表示装置として極めて有望な表示装置である。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置には、所謂ボトムエミッション型とトップエミッション型とがある。ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置は、ガラス基板を好適とする絶縁基板上に、第１の電極または一方の電極としての透明電極（ＩＴＯ等）、電界の印加で発光する有機多層膜（有機発光層とも言う）、第２の電極または他方の電極としての反射性の金属電極を順次積層した発光機構で有機ＥＬ素子が構成される。この有機ＥＬ素子をマトリクス状に多数配列し、それらの積層構造を覆って封止缶と称する他の基板を設け、上記発光構造を外部の雰囲気から遮断している。そして、例えば透明電極を陽極とし、金属電極を陰極として両者の間に電界を印加することで有機多層膜にキャリア（電子と正孔）が注入され、該有機多層膜が発光する。この発光をガラス基板側から外部に出射する構成となっている。
【０００４】
一方、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置は、上記した一方の電極を反射性を有する金属電極とし、他方の電極をＩＴＯ等の透明電極とし、両者の間に電界を印加することで有機多層膜が発光し、この発光を上記他方の電極側から出射する構成特徴とするなっている。トップエミッション型では、ボトムエミッション型における封止缶として、ガラス板を好適とする透明基板（封止基板）が使用される。
【０００５】
有機EL 素子（以下、ＯＬＥＤ素子とも称する）の発光原理は以下のとおりである。すなわち、有機蛍光材料を含む多層膜に陰極から一方のキャリアである電子を、陽極から他方のキャリアであるホールを注入する。両キャリアが有機層の中で再結合すると励起子が生成する。この励起子が基底状態に戻るときに発光する。
【０００６】
このＯＬＥＤ素子は、通常、基板上に積層される多層の有機層で構成される。通常は、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層の４層あるいは電子輸送層の上に電子注入層を有する５層の有機層で形成されることが多い。この種の従来技術を開示したものとしては、特許文献１、特許文献２、特許文献３を挙げることができる。
【特許文献１】特開平５−２５８８５９号公報
【特許文献２】特開平５−２５８８６０号公報
【特許文献３】特開平５−２７５１７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ＯＬＥＤ素子の最重要課題は長寿命化である。ＯＬＥＤ素子が点灯時間とともに輝度や電圧一電流特性が低下する原因はまだよく解明されていない。劣化原因として材料起因、素子構造起因、蒸着プロセス起因、などが指摘されているが詳細はよく理解されていないのが現状である。本発明の目的は、長寿命化したＯＬＥＤ素子を用いた有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者等は、寿命向上を検討するなかで、素子作成プロセス中に素子に取り込まれる可塑剤が劣化の一因であることを見出し、ＯＬＥＤ素子に含まれる可塑剤の量を１００ｐｐｍ以下、好ましくは１０ｐｐｍ以下とした点を特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
有機ＥＬ表示装置はＯＬＥＤ素子を集積したディスプレイである。有機ＥＬ表示装置の寿命はほぼＯＬＥＤ素子の寿命で決まるため、ＯＬＥＤ素子の長寿命化をはかることにより有機ＥＬ表示装置の長寿命化が実現される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
先ず、ＯＬＥＤ素子の動作原理を詳しく説明する。
【００１１】
図１は、ＯＬＥＤ素子の構造例を説明する模式断面図である。図１によりＯＬＥＤ素子の素子構成を詳細に説明する。ガラスなどの絶縁基板ＳＵＢ１の主面に、先ず一方の電極、ここでは陽極(通常ＩＴＯ（ｌｎｄｉｕｍ‐Ｔｉｎ‐Ｏｘｉｄｅ）が使用される)ＡNＤが成膜され、この陽極ＡNＤ上にホール注入層ＨＩＮ、ホール輸送層ＨＴＲ、発光層ＬＵＭ、電子輸送層ＥＴＲ、電子注入層(通常フッ化リチウムが使用される)ＥＩＮ、他方の電子としてここでは陰極ＣＴＤ、が順次成膜される。これらの層のうち、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層が有機材料の蒸着等で形成される。
【００１２】
ホール注入層ＨＩＮ、ホール輸送層ＨＴＲは陽極ＡNＤから注入されたホールを発光層ＬＵＭに輸送する機能を有し、電子輸送層ＥＴＲは陰極ＣＴＤから注入された電子を発光層ＬＵＭに輸送する機能を有する。発光層ＬＵＭは通常、キャリア(ホール、電子)を輸送する機能を有するホスト材料に蛍光発光機能を有するゲスト材料(ドーパント)を共蒸着した有機膜であり、ホール輸送層ＨＴＲから注入されたホールと電子輸送層ＥＴＲから注入された電子は発光層ＬＵＭ中の分子内で再結合する。
【００１３】
ドーパント分子内で再結合した場合には直接励起子が形成される。一方、ホスト分子内で再結合しホスト分子の励起子が形成された場合にもそのエネルギーはドーパントに移動してドーパント分子の励起子が形成される。
【００１４】
図２は、ドーパント分子の励起子エネルギー軌道の説明図である。前記のようにして形成されたドーパント励起子は図２に示すようにＨＯＭＯ（Ｈｉｇｈｅｓｔ Ｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ、最高占有軌道）に１電子、ＬＵＭＯ（Ｌｏｗｅｓｔ Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ、最低非占有軌道）に１分子が存在する励起分子である。
【００１５】
ＯＬＥＤ素子では、ドーパントとして蛍光量子収率の高い材料を使用しているためドーパント励起子は蛍光を発して基底状態に戻る。
【００１６】
以上がＯＬＥＤ素子の正常な発光過程の一例である。しかし現状のＯＬＥＤ素子は長時間発光させると次第に効率が低下する間題があり、この間題を解決することがＯＬＥＤ素子の最重要課題となっている。
【００１７】
以下、ＯＬＥＤ素子の劣化現象をより詳細に記述する。ＯＬＥＤ素子を電流量一定で連続通電して発光させた場合、主に二つの劣化現象が起こる。第一は輝度が徐々に低下する現象、第二は電圧が徐々に上昇する現象である。第一の輝度低下は発光層の中のドーパント励起子生成効率の低下が原因と考えられる。第二の電圧上昇は輸送層の易動度低下、あるいは界面でのキャリア注入障壁の増大が原因と考えられる。しかしこれらの劣化を引き起こす化学反応についてはよく理解されていない。
【００１８】
本発明者等は、ＯＬＥＤ素子の劣化を引き起こす要因のひとつがクリーンルーム内あるいは蒸着装置内の可塑剤のコンタミネーションではないかと考えた。可塑剤とは塗料、建材等のブラスチック品に柔軟性を持たせるためにプラスチックに添加されている低分子の化合物である。最もよく用いられる可塑剤は２塩基酸のエステル化合物である。
【００１９】
その例として、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブチル(以下ではDBPと略す)、フタル酸ジオクチル(正式には、フタル酸ビス(２―エチルヘキシル)、以下ではDOPと略す)、フタル酸ジイソノニル(DINP)、フタル酸ジイソデシル、フタル酸ジウンデシル、アジビン酸ビス(２―エチルヘキシル)、アジピン酸ジイソノニル、アジピン酸ジn―ヘキシル、等が代表的な可塑剤である。これらのうち、DOP、DBP、ＤｌＮＰが最も汎用的に使用されている。
【００２０】
ＩＴＯを形成したＯＬＥＤ基板に付着した可塑剤、および蒸着膜中に取り込まれた可塑剤はＯＬＥＤ素子を発光させるため通電すると電気化学的反応により、次第に分解反応が進行してキャリアのトラップサイトになると考えられる。以下、可塑剤の有無によるＯＬＥＤ素子の発光機構をエネルギー準位で説明する。
【００２１】
図３は、可塑剤が存在しない場合のＯＬＥＤ素子の発光機構をエネルギー準位で説明する図である。ＯＬＥＤ素子は、通電するとホール注入層材料およびホール輸送層材料は酸化されてラジカルカチオンに、電子輸送層材料は還元されてラジカルアニオンなる。これらのラジカルカチオンやラジカルアニオンは、隣接する分子を酸化あるいは還元することによりキャリァが次々に輸送される。図３では、ホールを示すラジカルアニオンを「丸で囲んだ−」で、電子を示すラジカルカチオンを「丸で囲んだ＋」で示す。
【００２２】
一般に、ラジカルカチオンやラジカルアニオンは比校的不安定な状態であるが、ＯＬＥＤ素子に使用する材料はこのようなラジカルイオン状態でも構造変化を起こさない安定な材料が選ばれている。したがって、不純物を含まない素子では図３に示すように、隣接分子間で酸化還元を繰り返すことによりキャリアが発光層に輸送される。しかし膜中に可塑剤が含まれているとホール注入層材料やホール輸送材料のラジカルカチオンや、電子輸送層材料のラジカルアニオンと反応して次の図４に示すようにキャリアをトラップする準位を形成する。
【００２３】
図４は、可塑剤がキャリアのトラップサイトになる場合のＯＬＥＤ素子の発光機構をエネルギー準位で説明する図である。ホール注入層およびホール輸送層中のトラップにはホールがトラップされて正に帯電するため易動度が低下する。このため一定の電流を流すにはより高い電圧が必要になる。同様に電子輸送層のトラップには電子がトラップされて負に帯電するため易動度が低下する。このため一定の電流を流すにはより高い電圧が必要になる。陰極と陽極に印加する電圧は初期では図３に示す△Ｖｏであるが、劣化後は図４に示す△Ｖ１の電圧が必要となってしまう。
【００２４】
すなわち、△Ｖ１一△Ｖｏだけ電圧が上昇する。また、界面でトラップが形成された場合にもチャージが溜まるため電圧が上昇する。また、発光層にはホールも電子も注入されるため、発光層中の可塑剤が変質するとホールトラッブも電子トラップも共に形成され電圧が上昇する。可塑剤の変質により発光層中に形成されたトラップは、電圧上昇と同時に輝度低下も引き起こす。すなわち、発光層内に注入されたホールと電子との再結合が変質した可塑剤分子内で起こるようになる。変質可塑剤は蛍光発光能がなく再結合エネルギーは熱に変換される、つまり熱失活サイトになる。
【００２５】
上記したような、可塑剤がＯＬＥＤ素子内に取り込まれた場合にＯＬＥＤ素子寿命がどの程度低下するかを検討した。可塑剤としてDOPおよびDBPを用いた。種々の濃度の可塑剤を吸着させたＩＴＯ基板（ＩＴＯを成膜した基板）を用いたＯＬＥＤ素子、および種々の濃度で可塑剤を共蒸着したＯＬＥＤ素子を作製した。これらの素子の寿命を比較することにより素子寿命に対する可塑剤の影響を評価した。結果を図5から図8に示す。
【００２６】
図５は、可塑剤としてDOPを用いて当該DOPの濃度を変えたときの輝度半減寿命（相対値）の変化を示す図、図６は、可塑剤としてＤＢＰを用いて当該ＤＢＰの濃度を変えたときの輝度半減寿命（相対値）の変化を示す図である。また、図７は、可塑剤としてDOPを用いて当該DOPの濃度を変えたときの電圧上昇値の変化を示す図、図８は、可塑剤としてDBPを用いて当該DBPの濃度を変えたときの電圧上昇値の変化を示す図である。.
【００２７】
これらの検討結果から、可塑剤の量が１００ｐｐｍを超えると急激に素子寿命が低下することが示される。そして、１０ｐｐｍ以下では輝度半減寿命、電圧上昇値とも変化が極めて少ないことが示される。
【００２８】
以上述べた結果から、ＯＬＥＤ素子中の可塑剤を１００ｐｐｍ以下、好ましくは１０ｐｐｍ以下にすることによりＯＬＥＤ素子寿命を大幅に向上させることができることが分った。これに基づいたOLED素子とこのＯＬＥＤ素子を用いた有機ＥＬ表示装置の実施例を説明する。
【実施例１】
【００２９】
図９は、本発明の有機ＥＬ表示装置の実施例１を説明する模式図であり、図９（a）は平面図、図９（b）は図９（a）のA-B線に沿った断面図である。図９において、先ず、板厚が７ｍｍ、縦横サイズが５０ｍｍ×５０ｍｍ大きさのガラス基板ＳＵＢ１に酸化珪素膜をＣＶＤ法により成膜した。酸化珪素膜は、所謂下地膜である。この上に陽極となるＩＴＯをスパッタで形成し、ついでフォトエ程にて１ｍｍ幅のストライプパターンを形成し、陽極ＡＮＤを形成した。
【００３０】
ガラス基板ＳＵＢ１の中央部の２０ｍm×２０ｍｍの部分にＯＬＥＤを構成する有機膜として、NPD、クマリンをドープしたＡＩｑ３、Ａｌｑ３、フッ化リチウムを順次蒸着してOLED素子構造を形成した。厚さは、それぞれ６０ｎｍ、３０ｎｍ、２０ｎｍ、１ｎｍとした。次に、１ｍｍ幅のアルミニウム（２００ｎｍ）を陽極ＡＮＤと直交するように蒸着してカソード（陰極）CTDとした。最後に、乾燥剤ＤＣＮを装填した封止キャップＳＵＢ２をガラス基板ＳＵＢ１に被せ、周囲をUV硬化型シール材SLを用いて封止した。
【００３１】
なお、有機膜の蒸着前にガラス基板ＳＵＢ１を可塑剤(DOPあるいはDBP)の蒸気に暴露した素子、および有機幕の蒸着時に可塑剤を共蒸着した素子も作製した。このとき、暴露条件を変えること、および共蒸着時に可塑剤の蒸着温度を変えることにより可塑剤の異なる素子を作製した。
【００３２】
作製した種々のＯＬＥＤ素子に含まれる可塑剤はＧＣ−ＭＳ(ガスクロマトグラム‐マススペクトロスコピー)により定量分析した。作製した素子は定電流の直流電流を通電して輝度が半減するまでの時間を測定した。輝度が半減したとき電圧値と初期電圧値との差を電圧上昇とした。通電試験における初期輝度は５００ｃｄ／ｍ2とした。前記の測定結果（図5から図8）に示した。これらの図から可塑剤の量は１００ｐｐｍ以下、好ましくは１０ｐｐｍ以下である場合に長寿命の素子が得られることは前述したとおりである。
【００３３】
図１０は、本発明を適用したボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置の１つの有機ＥＬ素子すなわち１画素付近の構成例を説明する断面図である。図１０に示した有機ＥＬ表示装置はアクティブ・マトリクス型であり、ガラス基板ＳＵＢ１の主面に薄膜トランジスタＴＦＴを有する。この薄膜トランジスタＴＦＴで駆動される一方の電極である陽極ＡＮＤと、他方の電極である陰極ＣＴＤの間に有機発光層ＯＬＥＤを挟んで発光部を構成している。なお、薄膜トランジスタＴＦＴは、ポリシリコン半導体層ＰＳＩ、ゲート絶縁層ＩＳＩ、ゲート線（ゲート電極）ＧＬ、ソース・ドレイン電極ＳＤ、層間絶縁層ＩＳ２、ＩＳ３で構成される。
【００３４】
有機発光層ＯＬＥＤは、例えば、陽極側から、少なくと、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層からなる積層される。なお、ホール輸送層の下層にホール注入層を設けるものもある。
【００３５】
画素電極である陽極ＡＮＤは、パッシベーション層ＰＳＶの上層に成膜された透明導電層（ＩＴＯ等）で構成され、パッシベーション層ＰＳＶと層間絶縁層ＩＳ３に開けたコンタクトホールで薄膜トランジスタＴＦＴのソース・ドレイン電極ＳＤに電気的に接続されている。また、有機発光層ＯＬＥＤは陽極ＡＮＤ上に塗布した絶縁層で構成されたバンクＢＮＫで囲まれた凹部に蒸着されるが、インクジェット等の塗布手段で形成してもよい。そして、この有機発光層ＯＬＥＤとバンクＢＮＫを覆って陰極１４がベタ膜で形成されている。
【００３６】
ボトムエミッション型と称するこの有機ＥＬ表示装置は、発光層からの発光光Ｌがガラス基板ＳＵＢ１の表面から外部に矢印で示したように出射される。したがって、陰極ＣＴＤは光反射能を有するものとされる。ガラス基板ＳＵＢ１の主面側には、封止缶ＳＵＢ２（封止ガラス基板）が貼り合わされ、図示しない周辺部を周回するシール内部を真空状態に封止される。
【００３７】
図１１は、本発明を適用したトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置の１つの有機ＥＬ素子すなわち１画素付近の構成例を説明する断面図である。図１１に示した有機ＥＬ表示装置もアクティブ・マトリクス型であるが、アクティブ素子である薄膜トランジスタは図示を省略した。この例では、有機ＥＬ素子を構成する容量構造が示されている。
【００３８】
図１１において、ガラス基板ＳＵＢ１の主面に下部容量電極ＢＥ、ゲート絶縁膜である第１の絶縁膜ＩＳ１、上部容量電極ＵＥ、第２の絶縁膜ＩＳ２、電源線ＣＬ、信号線ＤＬ、第３の絶縁膜ＩＳ３、およびパス膜（平坦化膜）ＰＳＶが形成されている。上部容量電極ＵＥは電源線ＣＬに接続されている。そして、平坦化膜ＰＳＶの上に第１の電極としての陰極ＣＴＤが成膜されている。
【００３９】
陰極ＣＴＤは略１画素の領域ＰＡの広がりで成膜されており、端部に絶縁材のバンクＢＮＫが形成されている。このバンクＢＮＫ内に電子注入層ＥＩＮ、電子輸送層ＥＴＲ、発光層ＬＵＭ、ホール輸送層ＨＴＲからなる有機ＥＬ層ＯＬＥが積層されている。この有機ＥＬ層ＯＬＥを覆って複数画素に共通の陽極ＡＮＤが成膜されている。なお、ホール輸送層ＨＴＲの上にホール注入層が設けられるものもある。
【００４０】
陰極ＣＴＤは反射性金属からなり、陽極ＡＮＤはＩＴＯ等の透明導電膜で形成される。最上層には保護膜ＯＣが成膜されている。なお、図示しないが、保護膜ＯＣの上部にはガラスを好適とする封止基板が設けられ、有機ＥＬ素子を外部雰囲気から密封遮断している。
【００４１】
図１２は、有機ＥＬ表示装置の全体構成例を説明する等価回路図である。図１０で説明した構成を有するＯＬＥＤ素子を構成する画素回路からなる画素ＰＸを表示領域ＡＲにマトリクス状に配置して２次元の表示装置を構成している。各画素ＰＸは第１の薄膜トランジスタＴＦＴ１と第２の薄膜トランジスタＴＦＴ２およびコンデンサＣｓ並びにＯＬＥＤ素子（ＯＬＥＤ）で構成される。ＯＬＥＤ素子（ＯＬＥＤ）は図１０に示した陽極ＡＮＤと有機発光層ＯＬＥＤおよび陰極ＣＴＤで構成される。表示領域ＡＲ内には、各画素に駆動信号を供給するためのドレイン線ＤＬとゲート線ＧＬとが交差配置されている。ガラス基板ＳＵＢ１の一部は封止缶ＳＵＢ２を構成するガラス基板よりサイズが大きく、封止缶ＳＵＢ２からはみ出している。このはみ出し部分にドレインドライバＤＤＲが搭載され、ドレイン線ＤＬに表示信号を供給する。
【００４２】
一方、ゲートドライバＧＤＲは封止缶ＳＵＢ２で覆われるガラス基板ＳＵＢ１上に、所謂システム・オン・グラスと称する形態で直接形成されている。このゲートドライバＧＤＲにゲート線ＧＬが接続されている。なお、表示領域ＡＲには電源線ＣＬが配置されている。この電源線ＣＬは電源線バス線ＣＢを介して図示しない端子で外部電源に接続している。
【００４３】
ゲート線ＧＬは画素ＰＸを構成する第１の薄膜トランジスタＴＦＴ１のソース・ドレイン電極の一方（ここでは、ドレイン電極）に接続し、ドレイン線ＤＬはソース・ドレイン電極の一方（ここではソース電極）に接続している。この第１の薄膜トランジスタＴＦＴ１は、画素ＰＸに表示信号を取り込むためのスイッチであり、ゲート線ＧＬで選択されてオンとなったときドレイン線ＤＬから供給される表示信号に応じた電荷を容量Ｃｓに蓄積する。第２の薄膜トランジスタＴＦＴ２は、第１の薄膜トランジスタＴＦＴ１がオフした時点でオンとなり、容量Ｃｓに蓄積された表示信号の大きさに応じた電流を電源線ＣＬからＯＬＥＤ素子（ＯＬＥＤ）に供給する。ＯＬＥＤ素子は供給された電流量に応じて発光する。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】ＯＬＥＤ素子の構造例を説明する模式断面図である。
【図２】ドーパント分子の励起子エネルギー軌道の説明図である。
【図３】可塑剤が存在しない場合のＯＬＥＤ素子の発光機構をエネルギー準位で説明する図である。
【図４】可塑剤がキャリアのトラップサイトになる場合のＯＬＥＤ素子の発光機構をエネルギー準位で説明する図である。
【図５】可塑剤としてＤＯＰを用いて当該ＤＯＰの濃度を変えたときの輝度半減寿命（相対値）の変化を示す図である。
【図６】可塑剤としてＤＢＰを用いて当該ＤＢＰの濃度を変えたときの輝度半減寿命（相対値）の変化を示す図である。
【図７】可塑剤としてＤＯＰを用いて当該ＤＯＰの濃度を変えたときの電圧上昇値の変化を示す図である。
【図８】可塑剤としてＤＢＰを用いて当該ＤＢＰの濃度を変えたときの電圧上昇値の変化を示す図である。
【図９】本発明の有機ＥＬ表示装置の実施例１を説明する模式図である。
【図１０】本発明を適用したボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置の１つの有機ＥＬ素子すなわち１画素付近の構成例を説明する断面図である。
【図１１】本発明を適用したトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置の１つの有機ＥＬ素子すなわち１画素付近の構成例を説明する断面図である。
【図１２】有機ＥＬ表示装置の全体構成例を説明する等価回路図である。
【符号の説明】
【００４５】
ＳＵＢ１・・・ガラス基板、ＡＮＤ・・・陽極（アノード）、ＨＩＮ・・・ホール注入層、ＨＴＲ・・・ホール輸送層、ＬＵＭ・・・発光層、ＥＴＲ・・・電子輸送層、ＥＩＮ・・・電子注入層、ＣＴＤ・・・陰極（カソード）、ＯＬＥＤ・・・有機膜（OLED素子）、ＳＵＢ２・・・封止キャップ、ＤＣＤ・・・乾燥剤、ＳＬ・・・シール材。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置に係り、特に有機ＥＬ素子の作成プロセス中に該素子に取り込まれる可塑剤に起因する発光効率の低下を抑制して長寿命化と信頼性の向上を可能とした有機ＥＬ表示装置に好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
フラットパネル型の表示装置として液晶表示装置（ＬＣＤ）やプラズマ表示装置（ＰＤＰ）、電界放出型表示装置（ＦＥＤ）、有機ＥＬ表示装置（以下、OLED素子とも称する）などが実用化ないしは実用化研究段階にある。中でも、有機ＥＬ表示装置は薄型・軽量の自発光型表示装置の典型としてこれからの表示装置として極めて有望な表示装置である。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置には、所謂ボトムエミッション型とトップエミッション型とがある。ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置は、ガラス基板を好適とする絶縁基板上に、第１の電極または一方の電極としての透明電極（ＩＴＯ等）、電界の印加で発光する有機多層膜（有機発光層とも言う）、第２の電極または他方の電極としての反射性の金属電極を順次積層した発光機構で有機ＥＬ素子が構成される。この有機ＥＬ素子をマトリクス状に多数配列し、それらの積層構造を覆って封止缶と称する他の基板を設け、上記発光構造を外部の雰囲気から遮断している。そして、例えば透明電極を陽極とし、金属電極を陰極として両者の間に電界を印加することで有機多層膜にキャリア（電子と正孔）が注入され、該有機多層膜が発光する。この発光をガラス基板側から外部に出射する構成となっている。
【０００４】
一方、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置は、上記した一方の電極を反射性を有する金属電極とし、他方の電極をＩＴＯ等の透明電極とし、両者の間に電界を印加することで有機多層膜が発光し、この発光を上記他方の電極側から出射する構成特徴とするなっている。トップエミッション型では、ボトムエミッション型における封止缶として、ガラス板を好適とする透明基板（封止基板）が使用される。
【０００５】
有機EL 素子（以下、ＯＬＥＤ素子とも称する）の発光原理は以下のとおりである。すなわち、有機蛍光材料を含む多層膜に陰極から一方のキャリアである電子を、陽極から他方のキャリアであるホールを注入する。両キャリアが有機層の中で再結合すると励起子が生成する。この励起子が基底状態に戻るときに発光する。
【０００６】
このＯＬＥＤ素子は、通常、基板上に積層される多層の有機層で構成される。通常は、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層の４層あるいは電子輸送層の上に電子注入層を有する５層の有機層で形成されることが多い。この種の従来技術を開示したものとしては、特許文献１、特許文献２、特許文献３を挙げることができる。
【特許文献１】特開平５−２５８８５９号公報
【特許文献２】特開平５−２５８８６０号公報
【特許文献３】特開平５−２７５１７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ＯＬＥＤ素子の最重要課題は長寿命化である。ＯＬＥＤ素子が点灯時間とともに輝度や電圧一電流特性が低下する原因はまだよく解明されていない。劣化原因として材料起因、素子構造起因、蒸着プロセス起因、などが指摘されているが詳細はよく理解されていないのが現状である。本発明の目的は、長寿命化したＯＬＥＤ素子を用いた有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者等は、寿命向上を検討するなかで、素子作成プロセス中に素子に取り込まれる可塑剤が劣化の一因であることを見出し、ＯＬＥＤ素子に含まれる可塑剤の量を１００ｐｐｍ以下、好ましくは１０ｐｐｍ以下とした点を特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
有機ＥＬ表示装置はＯＬＥＤ素子を集積したディスプレイである。有機ＥＬ表示装置の寿命はほぼＯＬＥＤ素子の寿命で決まるため、ＯＬＥＤ素子の長寿命化をはかることにより有機ＥＬ表示装置の長寿命化が実現される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
先ず、ＯＬＥＤ素子の動作原理を詳しく説明する。
【００１１】
図１は、ＯＬＥＤ素子の構造例を説明する模式断面図である。図１によりＯＬＥＤ素子の素子構成を詳細に説明する。ガラスなどの絶縁基板ＳＵＢ１の主面に、先ず一方の電極、ここでは陽極(通常ＩＴＯ（ｌｎｄｉｕｍ‐Ｔｉｎ‐Ｏｘｉｄｅ）が使用される)ＡNＤが成膜され、この陽極ＡNＤ上にホール注入層ＨＩＮ、ホール輸送層ＨＴＲ、発光層ＬＵＭ、電子輸送層ＥＴＲ、電子注入層(通常フッ化リチウムが使用される)ＥＩＮ、他方の電子としてここでは陰極ＣＴＤ、が順次成膜される。これらの層のうち、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層が有機材料の蒸着等で形成される。
【００１２】
ホール注入層ＨＩＮ、ホール輸送層ＨＴＲは陽極ＡNＤから注入されたホールを発光層ＬＵＭに輸送する機能を有し、電子輸送層ＥＴＲは陰極ＣＴＤから注入された電子を発光層ＬＵＭに輸送する機能を有する。発光層ＬＵＭは通常、キャリア(ホール、電子)を輸送する機能を有するホスト材料に蛍光発光機能を有するゲスト材料(ドーパント)を共蒸着した有機膜であり、ホール輸送層ＨＴＲから注入されたホールと電子輸送層ＥＴＲから注入された電子は発光層ＬＵＭ中の分子内で再結合する。
【００１３】
ドーパント分子内で再結合した場合には直接励起子が形成される。一方、ホスト分子内で再結合しホスト分子の励起子が形成された場合にもそのエネルギーはドーパントに移動してドーパント分子の励起子が形成される。
【００１４】
図２は、ドーパント分子の励起子エネルギー軌道の説明図である。前記のようにして形成されたドーパント励起子は図２に示すようにＨＯＭＯ（Ｈｉｇｈｅｓｔ Ｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ、最高占有軌道）に１電子、ＬＵＭＯ（Ｌｏｗｅｓｔ Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ、最低非占有軌道）に１分子が存在する励起分子である。
【００１５】
ＯＬＥＤ素子では、ドーパントとして蛍光量子収率の高い材料を使用しているためドーパント励起子は蛍光を発して基底状態に戻る。
【００１６】
以上がＯＬＥＤ素子の正常な発光過程の一例である。しかし現状のＯＬＥＤ素子は長時間発光させると次第に効率が低下する間題があり、この間題を解決することがＯＬＥＤ素子の最重要課題となっている。
【００１７】
以下、ＯＬＥＤ素子の劣化現象をより詳細に記述する。ＯＬＥＤ素子を電流量一定で連続通電して発光させた場合、主に二つの劣化現象が起こる。第一は輝度が徐々に低下する現象、第二は電圧が徐々に上昇する現象である。第一の輝度低下は発光層の中のドーパント励起子生成効率の低下が原因と考えられる。第二の電圧上昇は輸送層の易動度低下、あるいは界面でのキャリア注入障壁の増大が原因と考えられる。しかしこれらの劣化を引き起こす化学反応についてはよく理解されていない。
【００１８】
本発明者等は、ＯＬＥＤ素子の劣化を引き起こす要因のひとつがクリーンルーム内あるいは蒸着装置内の可塑剤のコンタミネーションではないかと考えた。可塑剤とは塗料、建材等のブラスチック品に柔軟性を持たせるためにプラスチックに添加されている低分子の化合物である。最もよく用いられる可塑剤は２塩基酸のエステル化合物である。
【００１９】
その例として、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブチル(以下ではDBPと略す)、フタル酸ジオクチル(正式には、フタル酸ビス(２―エチルヘキシル)、以下ではDOPと略す)、フタル酸ジイソノニル(DINP)、フタル酸ジイソデシル、フタル酸ジウンデシル、アジビン酸ビス(２―エチルヘキシル)、アジピン酸ジイソノニル、アジピン酸ジn―ヘキシル、等が代表的な可塑剤である。これらのうち、DOP、DBP、ＤｌＮＰが最も汎用的に使用されている。
【００２０】
ＩＴＯを形成したＯＬＥＤ基板に付着した可塑剤、および蒸着膜中に取り込まれた可塑剤はＯＬＥＤ素子を発光させるため通電すると電気化学的反応により、次第に分解反応が進行してキャリアのトラップサイトになると考えられる。以下、可塑剤の有無によるＯＬＥＤ素子の発光機構をエネルギー準位で説明する。
【００２１】
図３は、可塑剤が存在しない場合のＯＬＥＤ素子の発光機構をエネルギー準位で説明する図である。ＯＬＥＤ素子は、通電するとホール注入層材料およびホール輸送層材料は酸化されてラジカルカチオンに、電子輸送層材料は還元されてラジカルアニオンなる。これらのラジカルカチオンやラジカルアニオンは、隣接する分子を酸化あるいは還元することによりキャリァが次々に輸送される。図３では、ホールを示すラジカルアニオンを「丸で囲んだ−」で、電子を示すラジカルカチオンを「丸で囲んだ＋」で示す。
【００２２】
一般に、ラジカルカチオンやラジカルアニオンは比校的不安定な状態であるが、ＯＬＥＤ素子に使用する材料はこのようなラジカルイオン状態でも構造変化を起こさない安定な材料が選ばれている。したがって、不純物を含まない素子では図３に示すように、隣接分子間で酸化還元を繰り返すことによりキャリアが発光層に輸送される。しかし膜中に可塑剤が含まれているとホール注入層材料やホール輸送材料のラジカルカチオンや、電子輸送層材料のラジカルアニオンと反応して次の図４に示すようにキャリアをトラップする準位を形成する。
【００２３】
図４は、可塑剤がキャリアのトラップサイトになる場合のＯＬＥＤ素子の発光機構をエネルギー準位で説明する図である。ホール注入層およびホール輸送層中のトラップにはホールがトラップされて正に帯電するため易動度が低下する。このため一定の電流を流すにはより高い電圧が必要になる。同様に電子輸送層のトラップには電子がトラップされて負に帯電するため易動度が低下する。このため一定の電流を流すにはより高い電圧が必要になる。陰極と陽極に印加する電圧は初期では図３に示す△Ｖｏであるが、劣化後は図４に示す△Ｖ１の電圧が必要となってしまう。
【００２４】
すなわち、△Ｖ１一△Ｖｏだけ電圧が上昇する。また、界面でトラップが形成された場合にもチャージが溜まるため電圧が上昇する。また、発光層にはホールも電子も注入されるため、発光層中の可塑剤が変質するとホールトラッブも電子トラップも共に形成され電圧が上昇する。可塑剤の変質により発光層中に形成されたトラップは、電圧上昇と同時に輝度低下も引き起こす。すなわち、発光層内に注入されたホールと電子との再結合が変質した可塑剤分子内で起こるようになる。変質可塑剤は蛍光発光能がなく再結合エネルギーは熱に変換される、つまり熱失活サイトになる。
【００２５】
上記したような、可塑剤がＯＬＥＤ素子内に取り込まれた場合にＯＬＥＤ素子寿命がどの程度低下するかを検討した。可塑剤としてDOPおよびDBPを用いた。種々の濃度の可塑剤を吸着させたＩＴＯ基板（ＩＴＯを成膜した基板）を用いたＯＬＥＤ素子、および種々の濃度で可塑剤を共蒸着したＯＬＥＤ素子を作製した。これらの素子の寿命を比較することにより素子寿命に対する可塑剤の影響を評価した。結果を図5から図8に示す。
【００２６】
図５は、可塑剤としてDOPを用いて当該DOPの濃度を変えたときの輝度半減寿命（相対値）の変化を示す図、図６は、可塑剤としてＤＢＰを用いて当該ＤＢＰの濃度を変えたときの輝度半減寿命（相対値）の変化を示す図である。また、図７は、可塑剤としてDOPを用いて当該DOPの濃度を変えたときの電圧上昇値の変化を示す図、図８は、可塑剤としてDBPを用いて当該DBPの濃度を変えたときの電圧上昇値の変化を示す図である。.
【００２７】
これらの検討結果から、可塑剤の量が１００ｐｐｍを超えると急激に素子寿命が低下することが示される。そして、１０ｐｐｍ以下では輝度半減寿命、電圧上昇値とも変化が極めて少ないことが示される。
【００２８】
以上述べた結果から、ＯＬＥＤ素子中の可塑剤を１００ｐｐｍ以下、好ましくは１０ｐｐｍ以下にすることによりＯＬＥＤ素子寿命を大幅に向上させることができることが分った。これに基づいたOLED素子とこのＯＬＥＤ素子を用いた有機ＥＬ表示装置の実施例を説明する。
【実施例１】
【００２９】
図９は、本発明の有機ＥＬ表示装置の実施例１を説明する模式図であり、図９（a）は平面図、図９（b）は図９（a）のA-B線に沿った断面図である。図９において、先ず、板厚が７ｍｍ、縦横サイズが５０ｍｍ×５０ｍｍ大きさのガラス基板ＳＵＢ１に酸化珪素膜をＣＶＤ法により成膜した。酸化珪素膜は、所謂下地膜である。この上に陽極となるＩＴＯをスパッタで形成し、ついでフォトエ程にて１ｍｍ幅のストライプパターンを形成し、陽極ＡＮＤを形成した。
【００３０】
ガラス基板ＳＵＢ１の中央部の２０ｍm×２０ｍｍの部分にＯＬＥＤを構成する有機膜として、NPD、クマリンをドープしたＡＩｑ３、Ａｌｑ３、フッ化リチウムを順次蒸着してOLED素子構造を形成した。厚さは、それぞれ６０ｎｍ、３０ｎｍ、２０ｎｍ、１ｎｍとした。次に、１ｍｍ幅のアルミニウム（２００ｎｍ）を陽極ＡＮＤと直交するように蒸着してカソード（陰極）CTDとした。最後に、乾燥剤ＤＣＮを装填した封止キャップＳＵＢ２をガラス基板ＳＵＢ１に被せ、周囲をUV硬化型シール材SLを用いて封止した。
【００３１】
なお、有機膜の蒸着前にガラス基板ＳＵＢ１を可塑剤(DOPあるいはDBP)の蒸気に暴露した素子、および有機幕の蒸着時に可塑剤を共蒸着した素子も作製した。このとき、暴露条件を変えること、および共蒸着時に可塑剤の蒸着温度を変えることにより可塑剤の異なる素子を作製した。
【００３２】
作製した種々のＯＬＥＤ素子に含まれる可塑剤はＧＣ−ＭＳ(ガスクロマトグラム‐マススペクトロスコピー)により定量分析した。作製した素子は定電流の直流電流を通電して輝度が半減するまでの時間を測定した。輝度が半減したとき電圧値と初期電圧値との差を電圧上昇とした。通電試験における初期輝度は５００ｃｄ／ｍ2とした。前記の測定結果（図5から図8）に示した。これらの図から可塑剤の量は１００ｐｐｍ以下、好ましくは１０ｐｐｍ以下である場合に長寿命の素子が得られることは前述したとおりである。
【００３３】
図１０は、本発明を適用したボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置の１つの有機ＥＬ素子すなわち１画素付近の構成例を説明する断面図である。図１０に示した有機ＥＬ表示装置はアクティブ・マトリクス型であり、ガラス基板ＳＵＢ１の主面に薄膜トランジスタＴＦＴを有する。この薄膜トランジスタＴＦＴで駆動される一方の電極である陽極ＡＮＤと、他方の電極である陰極ＣＴＤの間に有機発光層ＯＬＥＤを挟んで発光部を構成している。なお、薄膜トランジスタＴＦＴは、ポリシリコン半導体層ＰＳＩ、ゲート絶縁層ＩＳＩ、ゲート線（ゲート電極）ＧＬ、ソース・ドレイン電極ＳＤ、層間絶縁層ＩＳ２、ＩＳ３で構成される。
【００３４】
有機発光層ＯＬＥＤは、例えば、陽極側から、少なくと、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層からなる積層される。なお、ホール輸送層の下層にホール注入層を設けるものもある。
【００３５】
画素電極である陽極ＡＮＤは、パッシベーション層ＰＳＶの上層に成膜された透明導電層（ＩＴＯ等）で構成され、パッシベーション層ＰＳＶと層間絶縁層ＩＳ３に開けたコンタクトホールで薄膜トランジスタＴＦＴのソース・ドレイン電極ＳＤに電気的に接続されている。また、有機発光層ＯＬＥＤは陽極ＡＮＤ上に塗布した絶縁層で構成されたバンクＢＮＫで囲まれた凹部に蒸着されるが、インクジェット等の塗布手段で形成してもよい。そして、この有機発光層ＯＬＥＤとバンクＢＮＫを覆って陰極１４がベタ膜で形成されている。
【００３６】
ボトムエミッション型と称するこの有機ＥＬ表示装置は、発光層からの発光光Ｌがガラス基板ＳＵＢ１の表面から外部に矢印で示したように出射される。したがって、陰極ＣＴＤは光反射能を有するものとされる。ガラス基板ＳＵＢ１の主面側には、封止缶ＳＵＢ２（封止ガラス基板）が貼り合わされ、図示しない周辺部を周回するシール内部を真空状態に封止される。
【００３７】
図１１は、本発明を適用したトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置の１つの有機ＥＬ素子すなわち１画素付近の構成例を説明する断面図である。図１１に示した有機ＥＬ表示装置もアクティブ・マトリクス型であるが、アクティブ素子である薄膜トランジスタは図示を省略した。この例では、有機ＥＬ素子を構成する容量構造が示されている。
【００３８】
図１１において、ガラス基板ＳＵＢ１の主面に下部容量電極ＢＥ、ゲート絶縁膜である第１の絶縁膜ＩＳ１、上部容量電極ＵＥ、第２の絶縁膜ＩＳ２、電源線ＣＬ、信号線ＤＬ、第３の絶縁膜ＩＳ３、およびパス膜（平坦化膜）ＰＳＶが形成されている。上部容量電極ＵＥは電源線ＣＬに接続されている。そして、平坦化膜ＰＳＶの上に第１の電極としての陰極ＣＴＤが成膜されている。
【００３９】
陰極ＣＴＤは略１画素の領域ＰＡの広がりで成膜されており、端部に絶縁材のバンクＢＮＫが形成されている。このバンクＢＮＫ内に電子注入層ＥＩＮ、電子輸送層ＥＴＲ、発光層ＬＵＭ、ホール輸送層ＨＴＲからなる有機ＥＬ層ＯＬＥが積層されている。この有機ＥＬ層ＯＬＥを覆って複数画素に共通の陽極ＡＮＤが成膜されている。なお、ホール輸送層ＨＴＲの上にホール注入層が設けられるものもある。
【００４０】
陰極ＣＴＤは反射性金属からなり、陽極ＡＮＤはＩＴＯ等の透明導電膜で形成される。最上層には保護膜ＯＣが成膜されている。なお、図示しないが、保護膜ＯＣの上部にはガラスを好適とする封止基板が設けられ、有機ＥＬ素子を外部雰囲気から密封遮断している。
【００４１】
図１２は、有機ＥＬ表示装置の全体構成例を説明する等価回路図である。図１０で説明した構成を有するＯＬＥＤ素子を構成する画素回路からなる画素ＰＸを表示領域ＡＲにマトリクス状に配置して２次元の表示装置を構成している。各画素ＰＸは第１の薄膜トランジスタＴＦＴ１と第２の薄膜トランジスタＴＦＴ２およびコンデンサＣｓ並びにＯＬＥＤ素子（ＯＬＥＤ）で構成される。ＯＬＥＤ素子（ＯＬＥＤ）は図１０に示した陽極ＡＮＤと有機発光層ＯＬＥＤおよび陰極ＣＴＤで構成される。表示領域ＡＲ内には、各画素に駆動信号を供給するためのドレイン線ＤＬとゲート線ＧＬとが交差配置されている。ガラス基板ＳＵＢ１の一部は封止缶ＳＵＢ２を構成するガラス基板よりサイズが大きく、封止缶ＳＵＢ２からはみ出している。このはみ出し部分にドレインドライバＤＤＲが搭載され、ドレイン線ＤＬに表示信号を供給する。
【００４２】
一方、ゲートドライバＧＤＲは封止缶ＳＵＢ２で覆われるガラス基板ＳＵＢ１上に、所謂システム・オン・グラスと称する形態で直接形成されている。このゲートドライバＧＤＲにゲート線ＧＬが接続されている。なお、表示領域ＡＲには電源線ＣＬが配置されている。この電源線ＣＬは電源線バス線ＣＢを介して図示しない端子で外部電源に接続している。
【００４３】
ゲート線ＧＬは画素ＰＸを構成する第１の薄膜トランジスタＴＦＴ１のソース・ドレイン電極の一方（ここでは、ドレイン電極）に接続し、ドレイン線ＤＬはソース・ドレイン電極の一方（ここではソース電極）に接続している。この第１の薄膜トランジスタＴＦＴ１は、画素ＰＸに表示信号を取り込むためのスイッチであり、ゲート線ＧＬで選択されてオンとなったときドレイン線ＤＬから供給される表示信号に応じた電荷を容量Ｃｓに蓄積する。第２の薄膜トランジスタＴＦＴ２は、第１の薄膜トランジスタＴＦＴ１がオフした時点でオンとなり、容量Ｃｓに蓄積された表示信号の大きさに応じた電流を電源線ＣＬからＯＬＥＤ素子（ＯＬＥＤ）に供給する。ＯＬＥＤ素子は供給された電流量に応じて発光する。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】ＯＬＥＤ素子の構造例を説明する模式断面図である。
【図２】ドーパント分子の励起子エネルギー軌道の説明図である。
【図３】可塑剤が存在しない場合のＯＬＥＤ素子の発光機構をエネルギー準位で説明する図である。
【図４】可塑剤がキャリアのトラップサイトになる場合のＯＬＥＤ素子の発光機構をエネルギー準位で説明する図である。
【図５】可塑剤としてＤＯＰを用いて当該ＤＯＰの濃度を変えたときの輝度半減寿命（相対値）の変化を示す図である。
【図６】可塑剤としてＤＢＰを用いて当該ＤＢＰの濃度を変えたときの輝度半減寿命（相対値）の変化を示す図である。
【図７】可塑剤としてＤＯＰを用いて当該ＤＯＰの濃度を変えたときの電圧上昇値の変化を示す図である。
【図８】可塑剤としてＤＢＰを用いて当該ＤＢＰの濃度を変えたときの電圧上昇値の変化を示す図である。
【図９】本発明の有機ＥＬ表示装置の実施例１を説明する模式図である。
【図１０】本発明を適用したボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置の１つの有機ＥＬ素子すなわち１画素付近の構成例を説明する断面図である。
【図１１】本発明を適用したトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置の１つの有機ＥＬ素子すなわち１画素付近の構成例を説明する断面図である。
【図１２】有機ＥＬ表示装置の全体構成例を説明する等価回路図である。
【符号の説明】
【００４５】
ＳＵＢ１・・・ガラス基板、ＡＮＤ・・・陽極（アノード）、ＨＩＮ・・・ホール注入層、ＨＴＲ・・・ホール輸送層、ＬＵＭ・・・発光層、ＥＴＲ・・・電子輸送層、ＥＩＮ・・・電子注入層、ＣＴＤ・・・陰極（カソード）、ＯＬＥＤ・・・有機膜（OLED素子）、ＳＵＢ２・・・封止キャップ、ＤＣＤ・・・乾燥剤、ＳＬ・・・シール材。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の主面上に複数の有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置であって、
前記有機ＥＬ素子は、陽極と陰極、および該陽極と該陰極との間に挟み込まれた有機層とを有し、
前記有機層に含まれる可塑剤の濃度が１００ｐｐｍ以下であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
絶縁基板の主面上に複数の有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置であって、
前記有機ＥＬ素子は、陽極と陰極、および該陽極と該陰極との間に挟み込まれた有機層とを有し、
前記有機層に含まれる可塑剤の濃度が１０ｐｐｍ以下であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記絶縁基板の主面に前記陽極が成膜され、該陽極の上に前記有機層を有し、該有機層の上層に前記陰極が成膜されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記有機層が、前記陽極側から順次積層された、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を少なくとも有し、該電子注入層の上層に陰極が成膜されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記絶縁基板の主面に前記陰極が成膜され、該陰極の上に前記有機層を有し、該有機層の上層に前記陽極が成膜されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記有機層が、前記陰極側から順次積層された、電子注入層、電子輸送層、発光層、ホール輸送層を少なくとも有し、その上層に陽極が成膜されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記可塑剤がフタル酸ジオクチルであることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記可塑剤がフタル酸ジブチルであることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記ホール注入層が、五酸化バナジウムを含むことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
請求項５乃至９のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記陽極の上方に、前記有機ＥＬ素子を封止する光透過性の封止基板を備えていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１】
絶縁基板の主面上に複数の有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置であって、
前記有機ＥＬ素子は、陽極と陰極、および該陽極と該陰極との間に挟み込まれた有機層とを有し、
前記有機層に含まれる可塑剤の濃度が１００ｐｐｍ以下であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
絶縁基板の主面上に複数の有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置であって、
前記有機ＥＬ素子は、陽極と陰極、および該陽極と該陰極との間に挟み込まれた有機層とを有し、
前記有機層に含まれる可塑剤の濃度が１０ｐｐｍ以下であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記絶縁基板の主面に前記陽極が成膜され、該陽極の上に前記有機層を有し、該有機層の上層に前記陰極が成膜されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記有機層が、前記陽極側から順次積層された、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を少なくとも有し、該電子注入層の上層に陰極が成膜されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記絶縁基板の主面に前記陰極が成膜され、該陰極の上に前記有機層を有し、該有機層の上層に前記陽極が成膜されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記有機層が、前記陰極側から順次積層された、電子注入層、電子輸送層、発光層、ホール輸送層を少なくとも有し、その上層に陽極が成膜されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記可塑剤がフタル酸ジオクチルであることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記可塑剤がフタル酸ジブチルであることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記ホール注入層が、五酸化バナジウムを含むことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
請求項５乃至９のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置であって、
前記陽極の上方に、前記有機ＥＬ素子を封止する光透過性の封止基板を備えていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２００７−９５７５９（Ｐ２００７−９５７５９Ａ）
【公開日】平成１９年４月１２日（２００７．４．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−２７９６５８（Ｐ２００５−２７９６５８）
【出願日】平成１７年９月２７日（２００５．９．２７）
【出願人】（５０２３５６５２８）株式会社 日立ディスプレイズ (2,552)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年４月１２日（２００７．４．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年９月２７日（２００５．９．２７）
【出願人】（５０２３５６５２８）株式会社 日立ディスプレイズ (2,552)
【Ｆターム（参考）】
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