有機ＥＬ装置、有機ＥＬ装置の製造方法及び電子機器
【課題】従来の有機ＥＬ装置では、発光品位を向上させることが困難である。
【解決手段】電極面１２５を有する画素電極２９と、電極面１２５に対向する第２電極と、隔壁７１と、正孔注入層１０５と、を有し、正孔注入層１０５は、表面において、底面１２１と、湾曲面１２３と、を含んでおり、法線１３５方向に沿って切断したときの断面において、電極面１２５に平行な面１３１を法線１３５方向に底面１２１まで平行移動させ、面１３１と湾曲面１２３との交点を第１点１３７とし、面１３１と壁面１２７との交点を第２点１３９とし、第１点１３７と第２点１３９との間の中点を第３点１４１とし、第３点１４１を通る法線１３５と湾曲面１２３との交点を第４点１４３としたときに、第１点１３７と第４点１４３とを結んだ線と面１３１とがなす角度が、５０度以下である、ことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【解決手段】電極面１２５を有する画素電極２９と、電極面１２５に対向する第２電極と、隔壁７１と、正孔注入層１０５と、を有し、正孔注入層１０５は、表面において、底面１２１と、湾曲面１２３と、を含んでおり、法線１３５方向に沿って切断したときの断面において、電極面１２５に平行な面１３１を法線１３５方向に底面１２１まで平行移動させ、面１３１と湾曲面１２３との交点を第１点１３７とし、面１３１と壁面１２７との交点を第２点１３９とし、第１点１３７と第２点１３９との間の中点を第３点１４１とし、第３点１４１を通る法線１３５と湾曲面１２３との交点を第４点１４３としたときに、第１点１３７と第４点１４３とを結んだ線と面１３１とがなす角度が、５０度以下である、ことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置、有機ＥＬ装置の製造方法及び電子機器等に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、電気光学装置の１つとして、一対の電極と、一対の電極間に介在する発光層とを有する有機ＥＬ（Electro Luminescence）装置がある。有機ＥＬ装置では、一対の電極間に、発光層を含む有機層が介在している。
このような有機ＥＬ装置では、従来、画素を区画する隔壁と、隔壁で囲まれた発光領域内に蒸着された有機層と、有機層上に蒸着された電極と、を有するものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１９２４７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
隔壁と、蒸着された有機層と、蒸着された電極とを有する有機ＥＬ装置としては、例えば、図１６に示す有機ＥＬ装置８００の構成が考えられる。有機ＥＬ装置８００では、画素電極８０１と、共通電極８０３との間に、図示しない発光層を含む有機層８０５が介在している。有機ＥＬ装置８００においては、画素電極８０１と共通電極８０３とが一対の電極に相当している。
有機ＥＬ装置８００において、画素の領域８０７は、隔壁８０９によって画素ごとに区画されている。１つの画素の領域８０７は、隔壁８０９によって囲まれている。共通電極８０３は、複数の画素間にわたって設けられており、複数の画素間にわたって共通して機能する。
【０００５】
ところで、隔壁８０９上に蒸着で形成する共通電極８０３では、図１６中のＱ部の拡大図である図１７に示すように、角部８１１で共通電極８０３が途切れやすい。これは、蒸着した有機層８０５に、隔壁８０９の壁面と画素電極８０１との間の角部８１３の形状が反映されやすいためである。
共通電極８０３が途切れた状態では、発光層の発光状態が画素間でばらつきやすくなる。
つまり、従来の有機ＥＬ装置では、発光品位を向上させることが困難であるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現され得る。
【０００７】
［適用例１］平面を有する第１電極と、前記第１電極の前記平面側において、前記第１電極の前記平面に対向する第２電極と、前記第１電極の前記平面よりも前記第２電極側に突出し、且つ、前記平面の少なくとも一部の領域を囲む壁面を有する隔壁と、前記壁面によって囲まれた領域内において、前記第１電極と前記第２電極との間に介在する有機層と、を有し、前記有機層は、発光層を含む複数の層を含んでおり、前記第２電極は、前記壁面によって囲まれた前記領域内から、少なくとも前記壁面にかけて設けられており、前記複数の層のうちの少なくとも１つの層は、前記第２電極側の表面において、平面視で前記平面に重なる底面と、前記壁面と前記第１電極との交線に対面し、前記交線側に向かって凹となる方向に湾曲した湾曲面と、を含んでおり、前記第１電極、前記第２電極、前記隔壁及び前記有機層を、前記平面の法線方向に沿って切断したときの断面において、前記平面に平行な面を前記法線方向に前記底面まで平行移動させ、前記面と前記湾曲面との交点を第１点とし、前記面と前記壁面との交点を第２点とし、前記第１点と前記第２点との間の中点を第３点とし、前記第３点を通る前記法線と前記湾曲面との交点を第４点としたときに、前記第１点と前記第４点とを結んだ線と前記面とがなす角度が、５０度以下である、ことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【０００８】
この適用例の有機ＥＬ装置は、第１電極と、第２電極と、隔壁と、有機層と、を有している。第１電極は、平面を有している。第２電極は、第１電極の平面側において、第１電極の平面に対向している。隔壁は、第１電極の平面よりも第２電極側に突出している。隔壁は、壁面を有している。壁面は、第１電極の平面の少なくとも一部の領域を囲んでいる。有機層は、壁面によって囲まれた領域内において、第１電極と第２電極との間に介在している。有機層は、発光層を含む複数の層を含んでいる。第２電極は、壁面によって囲まれた領域内から、少なくとも壁面にかけて設けられている。
有機層に含まれる複数の層のうちの少なくとも１つの層は、第２電極側の表面において、底面と、湾曲面と、を含んでいる。底面は、平面視で第１電極の平面に重なっている。湾曲面は、壁面と第１電極との交線に対面している。湾曲面は、交線側に向かって凹となる方向に湾曲している。
上記の構成により、湾曲面を有する層の第１電極側とは反対側に位置する第２電極に、湾曲面が反映しやすい。つまり、第２電極には、壁面によって囲まれた領域内から壁面にかかる領域において、湾曲した面が形成され得る。これにより、例えば、角部をまたいで第２電極を設ける場合に比較して、第２電極が途切れてしまうことを低く抑えやすくすることができる。
この有機ＥＬ装置では、第１電極、第２電極、隔壁及び有機層を、平面の法線方向に沿って切断したときの断面において、平面に平行な面を法線方向に底面まで平行移動させ、面と湾曲面との交点を第１点とし、面と壁面との交点を第２点とし、第１点と第２点との間の中点を第３点とし、第３点を通る法線と湾曲面との交点を第４点としたときに、第１点と第４点とを結んだ線と面とがなす角度が、５０度以下である。
これにより、第２電極が途切れてしまうことを低く抑えることができ、発光品位を向上させやすくすることができる。
【０００９】
［適用例２］第１電極と、前記第１電極に対向する第２電極と、前記第１電極よりも前記第２電極側に突出し、且つ、前記第１電極の少なくとも一部の領域を囲む壁面を有する隔壁と、発光層を含む複数の層を含み、前記壁面によって囲まれた領域内において、前記第１電極と前記第２電極との間に介在する有機層と、を有する有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記壁面によって囲まれた前記領域内に、前記有機層を、前記複数の層の前記層ごとに形成する有機層形成工程と、前記有機層形成工程の後に、前記第２電極を形成する工程と、を含み、前記有機層形成工程は、前記複数の層のうちの一部の前記層を、蒸着法で形成する蒸着層形成工程と、前記複数の層のうちの他の前記層を、塗布法で形成する塗布層形成工程と、を含み、前記塗布層形成工程は、前記壁面によって囲まれた領域内に、有機材料を含有する液状体を配置する配置工程と、前記液状体に含まれる液体の少なくとも一部を除去することにより、前記有機材料で前記層を形成する層形成工程と、を含み、前記層形成工程では、前記層形成工程で形成する前記層の前記第１電極側とは反対側の表面において、前記壁面と前記第１電極との交線に対面し、且つ前記交線側に向かって凹となる方向に湾曲する湾曲面を形成する、ことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００１０】
この適用例の製造方法が適用され得る有機ＥＬ装置は、第１電極と、第２電極と、隔壁と、有機層と、を有している。第２電極は、第１電極に対向している。隔壁は、第１電極よりも第２電極側に突出している。隔壁は、壁面を有している。壁面は、第１電極の少なくとも一部の領域を囲んでいる。有機層は、発光層を含む複数の層を含んでいる。有機層は、壁面によって囲まれた領域内において、第１電極と第２電極との間に介在している。
そして、この適用例の製造方法は、有機層形成工程と、第２電極を形成する工程と、を含む。有機層形成工程では、壁面によって囲まれた領域内に有機層を形成する。このとき、有機層を、複数の層の層ごとに形成する。有機層形成工程の後に、第２電極を形成する。
有機層形成工程は、蒸着層形成工程と、塗布層形成工程と、を含む。蒸着層形成工程では、有機層における複数の層のうちの一部の層を、蒸着法で形成する。塗布層形成工程では、有機層における複数の層のうちの他の層を、塗布法で形成する。
塗布層形成工程は、配置工程と、層形成工程と、を含む。配置工程では、壁面によって囲まれた領域内に、有機材料を含有する液状体を配置する。層形成工程では、液状体に含まれる液体の少なくとも一部を除去することにより、有機材料で層を形成する。
また、層形成工程では、この層形成工程で形成する層の第１電極側とは反対側の表面に、湾曲面を形成する。湾曲面は、壁面と第１電極との交線に対面し、且つこの交線側に向かって凹となる方向に湾曲する。
この製造方法によれば、壁面によって囲まれた領域内から壁面にかかる領域において、第２電極に湾曲した面を形成することができる。これにより、例えば、角部をまたいで第２電極を設ける場合に比較して、第２電極が途切れてしまうことを低く抑えやすくすることができる。この結果、有機ＥＬ装置における発光品位を向上させやすくすることができる。
【００１１】
［適用例３］上記の有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記層形成工程は、前記液体の少なくとも一部を乾燥させることによって、前記液体の少なくとも一部を除去する乾燥工程を含んでいる、ことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００１２】
この適用例では、層形成工程は、乾燥工程を含んでいる。乾燥工程では、液体の少なくとも一部を乾燥させることによって、液体の少なくとも一部を除去する。これにより、層を形成することができる。
【００１３】
［適用例４］上記の有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記乾燥工程は、大気圧よりも低い圧力に減圧された減圧環境下で、前記液体の少なくとも一部を乾燥させる減圧乾燥工程を含んでいる、ことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００１４】
この適用例では、乾燥工程は、減圧乾燥工程を含んでいる。減圧乾燥工程では、大気圧よりも低い圧力に減圧された減圧環境下で、液体の少なくとも一部を乾燥させる。これにより、液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることができる。
【００１５】
［適用例５］上記の有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記層形成工程では、前記減圧乾燥工程において前記湾曲面を形成する、ことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００１６】
［適用例６］上記の有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記減圧乾燥工程は、第１のポンプを用いて、前記圧力を大気圧よりも低い第１の圧力に減圧する第１減圧工程と、前記第１減圧工程に続いて、前記第１のポンプと第２のポンプとを併用して、前記第１の圧力を、前記第１の圧力よりも低い第２の圧力に減圧する第２減圧工程と、を含んでいる、ことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００１７】
この適用例では、減圧乾燥工程は、第１減圧工程と、第２減圧工程と、を含んでいる。第１減圧工程では、第１のポンプを用いて、圧力を大気圧よりも低い第１の圧力に減圧する。第１減圧工程に続いて、第２減圧工程では、第１のポンプと第２のポンプとを併用して、第１の圧力を、第１の圧力よりも低い第２の圧力に減圧する。これにより、層に湾曲面を形成することができる。
【００１８】
［適用例７］上記の有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記有機層形成工程では、前記塗布層形成工程の後に前記蒸着層形成工程を実施する、ことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００１９】
この適用例では、有機層形成工程において、塗布層形成工程の後に蒸着層形成工程を実施する。
例えば、蒸着層形成工程の後に塗布層形成工程を実施すると、蒸着法で形成した層に液状体を配置することになる。このとき、蒸着法で形成した層が液状体に溶けることがある。つまり、蒸着層形成工程の後に塗布層形成工程を実施すると、各層を安定して形成することが困難になることがある。
これに対し、この適用例では、塗布層形成工程の後に蒸着層形成工程を実施するので、複数の層のそれぞれを安定して形成しやすくすることができる。この結果、有機ＥＬ装置における発光品位を一層向上させやすくすることができる。
【００２０】
［適用例８］上記の有機ＥＬ装置を有する、ことを特徴とする電子機器。
【００２１】
この適用例の電子機器は、有機ＥＬ装置を有している。この有機ＥＬ装置は、第１電極と、第２電極と、隔壁と、有機層と、を有している。第１電極は、平面を有している。第２電極は、第１電極の平面側において、第１電極の平面に対向している。隔壁は、第１電極の平面よりも第２電極側に突出している。隔壁は、壁面を有している。壁面は、第１電極の平面の少なくとも一部の領域を囲んでいる。有機層は、壁面によって囲まれた領域内において、第１電極と第２電極との間に介在している。有機層は、発光層を含む複数の層を含んでいる。第２電極は、壁面によって囲まれた領域内から、少なくとも壁面にかけて設けられている。
有機層に含まれる複数の層のうちの少なくとも１つの層は、第２電極側の表面において、底面と、湾曲面と、を含んでいる。底面は、平面視で第１電極の平面に重なっている。湾曲面は、壁面と第１電極との交線に対面している。湾曲面は、交線側に向かって凹となる方向に湾曲している。
上記の構成により、湾曲面を有する層の第１電極側とは反対側に位置する第２電極に、湾曲面が反映しやすい。つまり、第２電極には、壁面によって囲まれた領域内から壁面にかかる領域において、湾曲した面が形成され得る。これにより、例えば、角部をまたいで第２電極を設ける場合に比較して、第２電極が途切れてしまうことを低く抑えやすくすることができる。
この有機ＥＬ装置では、第１電極、第２電極、隔壁及び有機層を、平面の法線方向に沿って切断したときの断面において、平面に平行な面を法線方向に底面まで平行移動させ、面と湾曲面との交点を第１点とし、面と壁面との交点を第２点とし、第１点と第２点との間の中点を第３点とし、第３点を通る法線と湾曲面との交点を第４点としたときに、第１点と第４点とを結んだ線と面とがなす角度が、５０度以下である。
これにより、第２電極が途切れてしまうことを低く抑えることができ、発光品位を向上させやすくすることができる。
そして、適用例の電子機器は、この有機ＥＬ装置を有しているので、この有機ＥＬ装置における発光品位を向上させやすくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本実施形態における表示装置を示す平面図。
【図２】図１中のＡ−Ａ線における断面図。
【図３】本実施形態における複数の画素の一部を示す平面図。
【図４】本実施形態における表示装置の回路構成を示す図。
【図５】図３中のＣ−Ｃ線における断面図。
【図６】図５中の有機ＥＬ素子の拡大図。
【図７】本実施形態における正孔注入層を示す断面図。
【図８】図７中のＦ部の拡大図。
【図９】本実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。
【図１０】本実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。
【図１１】本実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。
【図１２】実施例における基板の種類を説明する断面図。
【図１３】本実施形態での減圧乾燥に適用される乾燥装置の主要構成を説明する図。
【図１４】比較例における正孔注入層を示す断面図。
【図１５】本実施形態における表示装置を適用した電子機器の斜視図。
【図１６】従来技術における課題を説明する図。
【図１７】図１６中のＱ部の拡大図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
実施形態について、有機ＥＬ装置を利用した表示装置を例に、図面を参照しながら説明する。
実施形態における表示装置１は、図１に示すように、表示面３を有している。
【００２４】
ここで、表示装置１には、複数の画素５が設定されている。複数の画素５は、表示領域７内で、図中のＸ方向及びＹ方向に配列しており、Ｘ方向を行方向とし、Ｙ方向を列方向とするマトリクスＭを構成している。
本実施形態では、Ｘ方向は、図４に示すように、後述する走査線ＧＴが延在する方向である。Ｙ方向は、Ｘ方向とは直交（交差）する方向である。なお、本実施形態では、後述するデータ線ＳＩがＹ方向に沿って延在している。このため、Ｙ方向は、データ線ＳＩが延在する方向でもある。
【００２５】
表示装置１は、図１に示す複数の画素５から選択的に表示面３を介して表示装置１の外に光を射出することで、表示面３に画像を表示することができる。なお、表示領域７とは、画像が表示され得る領域である。図１では、構成をわかりやすく示すため、画素５が誇張され、且つ画素５の個数が減じられている。
【００２６】
表示装置１は、図１中のＡ−Ａ線における断面図である図２に示すように、素子基板１１と、封止基板１３とを有している。
素子基板１１には、表示面３側すなわち封止基板１３側に、複数の画素５のそれぞれに対応して、後述する有機ＥＬ素子などが設けられている。なお、素子基板１１の表示面３側とは反対側の面１５は、表示装置１の底面として設定されている。以下において、面１５は、底面１５と表記される。
【００２７】
封止基板１３は、素子基板１１よりも表示面３側で素子基板１１に対向した状態で設けられている。素子基板１１と封止基板１３とは、接着剤１６を介して接合されている。表示装置１では、有機ＥＬ素子は、接着剤１６によって表示面３側から覆われている。
また、素子基板１１と封止基板１３との間は、表示装置１の周縁よりも内側で表示領域７を囲むシール材１７によって封止されている。つまり、表示装置１では、有機ＥＬ素子と接着剤１６とが、素子基板１１及び封止基板１３並びにシール材１７によって封止されている。
【００２８】
ここで、表示装置１における複数の画素５は、それぞれ、表示面３から射出する光の色が、図３に示すように、赤系（Ｒ）、緑系（Ｇ）及び青系（Ｂ）のうちの１つに設定されている。つまり、マトリクスＭを構成する複数の画素５は、Ｒの光を射出する画素５Ｒと、Ｇの光を射出する画素５Ｇと、Ｂの光を射出する画素５Ｂとを含んでいる。
なお、以下においては、画素５という表記と、画素５Ｒ、５Ｇ及び５Ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。
【００２９】
ここで、Ｒの色は、純粋な赤の色相に限定されず、橙等を含む。Ｇの色は、純粋な緑の色相に限定されず、青緑や黄緑等を含む。Ｂの色は、純粋な青の色相に限定されず、青紫や青緑等を含む。他の観点から、Ｒの色を呈する光は、光の波長のピークが、可視光領域で５７０ｎｍ以上の範囲にある光であると定義され得る。また、Ｇの色を呈する光は、光の波長のピークが５００ｎｍ〜５６５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。Ｂの色を呈する光は、光の波長のピークが４１５ｎｍ〜４９５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。
【００３０】
マトリクスＭでは、Ｙ方向に沿って一列に並ぶ複数の画素５が、１つの画素列１８を構成している。また、Ｘ方向に沿って一列に並ぶ複数の画素５が、１つの画素行１９を構成している。
１つの画素列１８内の各画素５は、光の色がＲ、Ｇ及びＢのうちの１つに設定されている。つまり、マトリクスＭは、複数の画素５ＲがＹ方向に配列した画素列１８Ｒと、複数の画素５ＧがＹ方向に配列した画素列１８Ｇと、複数の画素５ＢがＹ方向に配列した画素列１８Ｂとを有している。そして、表示装置１では、画素列１８Ｒ、画素列１８Ｇ及び画素列１８Ｂが、この順でＸ方向に沿って反復して並んでいる。
なお、以下においては、画素列１８という表記と、画素列１８Ｒ、画素列１８Ｇ及び画素列１８Ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。
【００３１】
表示装置１は、回路構成を示す図である図４に示すように、画素５ごとに、選択トランジスター２１と、駆動トランジスター２３と、容量素子２５と、有機ＥＬ素子２７とを有している。有機ＥＬ素子２７は、画素電極２９と、機能層３１と、共通電極３３とを有している。選択トランジスター２１及び駆動トランジスター２３は、それぞれ、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子で構成されており、スイッチング素子としての機能を有する。
また、表示装置１は、走査線駆動回路３７と、データ線駆動回路３８と、複数の走査線ＧＴと、複数のデータ線ＳＩと、複数の電源線ＰＷとを有している。
【００３２】
複数の走査線ＧＴは、それぞれ走査線駆動回路３７につながっており、Ｙ方向に互いに間隔をあけた状態でＸ方向に延びている。
複数のデータ線ＳＩは、それぞれデータ線駆動回路３８につながっており、Ｘ方向に互いに間隔をあけた状態でＹ方向に延びている。
複数の電源線ＰＷは、Ｙ方向に互いに間隔をあけた状態で、且つ各電源線ＰＷと各走査線ＧＴとがＹ方向に間隔をあけた状態でＸ方向に延びている。
【００３３】
各画素５は、各走査線ＧＴと各データ線ＳＩとの交差に対応して設定されている。各走査線ＧＴ及び各電源線ＰＷは、それぞれ、図３に示す各画素行１９に対応している。各データ線ＳＩは、図３に示す各画素列１８に対応している。
図４に示す各選択トランジスター２１のゲート電極は、対応する各走査線ＧＴに電気的につながっている。各選択トランジスター２１のソース電極は、対応する各データ線ＳＩに電気的につながっている。各選択トランジスター２１のドレイン電極は、各駆動トランジスター２３のゲート電極及び各容量素子２５の一方の電極に電気的につながっている。
【００３４】
容量素子２５の他方の電極と、駆動トランジスター２３のソース電極は、それぞれ、対応する各電源線ＰＷに電気的につながっている。
各駆動トランジスター２３のドレイン電極は、各画素電極２９に電気的につながっている。各画素電極２９と共通電極３３とは、画素電極２９を陽極とし、共通電極３３を陰極とする一対の電極を構成している。
ここで、共通電極３３は、マトリクスＭを構成する複数の画素５間にわたって一連した状態で設けられており、複数の画素５間にわたって共通して機能する。
各画素電極２９と共通電極３３との間に介在する機能層３１は、後述する発光層を含んでいる。機能層３１では、画素電極２９と共通電極３３との間に発生する電流によって、発光層が発光する。
【００３５】
選択トランジスター２１は、この選択トランジスター２１につながる走査線ＧＴに選択信号が供給されるとＯＮ状態となる。このとき、この選択トランジスター２１につながるデータ線ＳＩからデータ信号が供給され、駆動トランジスター２３がＯＮ状態になる。駆動トランジスター２３のゲート電位は、データ信号の電位が容量素子２５に一定の期間だけ保持されることによって、一定の期間だけ保持される。これにより、駆動トランジスター２３のＯＮ状態が一定の期間だけ保持される。なお、各データ信号は、階調表示に応じた電位に生成される。
【００３６】
駆動トランジスター２３のＯＮ状態が保持されているときに、駆動トランジスター２３のゲート電位に応じた電流が、電源線ＰＷから画素電極２９と機能層３１を経て共通電極３３に流れる。そして、機能層３１に含まれる発光層が、機能層３１を流れる電流量に応じた輝度で発光する。これにより、表示装置１では、階調表示が行われ得る。
表示装置１は、機能層３１に含まれる発光層が発光し、発光層からの光が封止基板１３を介して表示面３から射出されるトップエミッション型の有機ＥＬ装置の１つである。なお、表示装置１では、表示面３側という表現が上側とも表現され、底面１５側という表現が下側とも表現される。
【００３７】
ここで、素子基板１１及び封止基板１３のそれぞれの構成について、詳細を説明する。
素子基板１１は、図３中のＣ−Ｃ線における断面図である図５に示すように、第１基板４１と、素子層４２と、を有している。なお、図５では、構成をわかりやすく示すため、選択トランジスター２１、容量素子２５、データ線ＳＩ及び電源線ＰＷが省略されている。
第１基板４１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面３側に向けられた第１面４３ａと、底面１５側に向けられた第２面４３ｂとを有している。
【００３８】
素子層４２は、第１基板４１の第１面４３ａに設けられている。素子層４２には、ゲート絶縁膜４４と、絶縁膜４５と、絶縁膜４７と、隔壁７１と、機能層３１と、補助電極７５と、共通電極３３と、が含まれている。また、素子層４２には、画素５ごとに設けられた駆動トランジスター２３と、画素電極２９と、ソース電極５５と、反射膜６１と、が含まれている。
なお、図示しない選択トランジスター２１、容量素子２５、データ線ＳＩ及び電源線ＰＷも素子層４２に含まれる。
【００３９】
ゲート絶縁膜４４は、第１基板４１の第１面４３ａに設けられている。絶縁膜４５は、ゲート絶縁膜４４の表示面３側に設けられている。絶縁膜４７は、絶縁膜４５の表示面３側に設けられている。
また、第１基板４１の第１面４３ａには、各画素５の駆動トランジスター２３に対応して、半導体層５１が設けられている。半導体層５１は、ゲート絶縁膜４４によって表示面３側から覆われている。なお、ゲート絶縁膜４４の材料としては、例えば酸化シリコンなどの材料が採用され得る。
【００４０】
ゲート絶縁膜４４の表示面３側には、平面視で半導体層５１に重なる領域にゲート電極５３が設けられている。ゲート電極５３の材料としては、例えば、アルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。ゲート電極５３は、絶縁膜４５によって表示面３側から覆われている。
【００４１】
絶縁膜４５の表示面３側には、平面視で半導体層５１のソース領域（図示せず）に重なる領域にソース電極５５が設けられている。ソース電極５５は、絶縁膜４５及びゲート絶縁膜４４に設けられたコンタクトホール５７を介して半導体層５１のソース領域（図示せず）につながっている。ソース電極５５の材料としては、例えば、アルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。ソース電極５５は、絶縁膜４７によって表示面３側から覆われている。
【００４２】
反射膜６１は、画素５ごとに、絶縁膜４７の表示面３側に設けられている。反射膜６１の材料としては、例えば、銀、白金、アルミニウム、銅などの光反射性が高い金属や、これらを含む合金などが採用され得る。
反射膜６１の表示面３側には、画素電極２９が設けられている。画素電極２９は、絶縁膜４７、絶縁膜４５及びゲート絶縁膜４４に設けられたコンタクトホール６３を介して半導体層５１のドレイン領域（図示せず）につながっている。
【００４３】
画素電極２９の材料としては、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やインジウム亜鉛酸化物（Indium Zinc Oxide）などが採用され得る。本実施形態では、画素電極２９の材料としてＩＴＯが採用されている。
また、絶縁膜４５及び４７の材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、アクリル系の樹脂などの材料が採用され得る。
【００４４】
隣り合う画素電極２９同士の間には、隔壁７１が領域７２にわたって設けられている。隔壁７１は、例えば、カーボンブラックやクロムなどの光吸収性が高い材料を含有するアクリル系の樹脂やポリイミド樹脂などの有機材料で構成されている。本実施形態では、隔壁７１の材料としてアクリル系の樹脂が採用されている。
隔壁７１は、平面視で、表示領域７（図１）にわたって格子状に設けられている。隔壁７１は、画素５ごとに、発光領域７３を囲んでいる。このため、発光領域７３は、図５に示すように、隔壁７１によって区画されている。
表示領域７は、隔壁７１によって画素５ごとに発光領域７３が区画されている。１つの画素５に着目すると、隔壁７１は、平面視で環状に設けられている。なお、画素電極２９は、隔壁７１によって囲まれた発光領域７３に平面視で重なっている。
【００４５】
画素電極２９の表示面３側には、機能層３１が設けられている。機能層３１は、複数の層を有している。機能層３１において、複数の層のうちの一部の層は、領域７２をまたいで、複数の発光領域７３にわたっている。
発光領域７３において、機能層３１の表示面３側には、共通電極３３が設けられている。共通電極３３は、複数の発光領域７３にわたって一連した状態で設けられている。共通電極３３の材料としては、例えば、マグネシウムと銀とを含む合金や、カルシウムなどが採用され得る。本実施形態では、共通電極３３の材料として、マグネシウムと銀とを含む合金（以下、ＭｇＡｇと呼ぶ）が採用されている。
【００４６】
ここで、領域７２において、機能層３１と共通電極３３との間には、補助電極７５が介在している。補助電極７５は、共通電極３３の電気伝導を補助する機能を有している。補助電極７５の材料としては、例えば、金、銀、銅、アルミニウムなどの電気伝導性が高い金属や、これらのうちの１つ又は２つ以上を含有する合金などが採用され得る。本実施形態では、補助電極７５の材料として、アルミニウムを含有する合金が採用されている。
【００４７】
なお、表示装置１では、各画素５において発光に有効な領域は、平面視で画素電極２９と機能層３１と共通電極３３とが重なる領域であると定義され得る。また、各画素５において、発光機能を発揮させる要素の一群が１つの有機ＥＬ素子２７であると定義され得る。表示装置１では、１つの有機ＥＬ素子２７は、１つの画素電極２９と、この１つの画素電極２９に対応する機能層３１と、この１つの画素電極２９に対応する共通電極３３と、を含んでいる。
【００４８】
封止基板１３は、第２基板８１と、対向層８２と、を有している。第２基板８１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面３側に向けられた外向面８３ａと、底面１５側に向けられた対向面８３ｂとを有している。
対向層８２は、第２基板８１の対向面８３ｂに設けられている。対向層８２は、遮光層８５と、カラーフィルター８７と、オーバーコート層８９と、を含んでいる。
【００４９】
遮光層８５は、対向面８３ｂにおいて、領域９１にわたって設けられている。領域９１は、平面視で、領域７２に重なる領域である。つまり、遮光層８５は、隔壁７１と同様に、平面視で、表示領域７（図１）にわたって格子状に設けられている。遮光層８５は、画素５ごとに、フィルター領域９３を囲んでいる。このため、フィルター領域９３は、図５に示すように、遮光層８５によって区画されている。フィルター領域９３は、平面視で、発光領域７３に重なっている。
遮光層８５としては、例えば、カーボンブラックやクロムなどの光吸収性が高い材料を含有するアクリル系の樹脂やポリイミド樹脂などの有機材料などが採用され得る。
【００５０】
第２基板８１の対向面８３ｂには、フィルター領域９３ごとに、フィルター領域９３を底面１５側から覆うカラーフィルター８７が設けられている。
ここで、カラーフィルター８７は、入射された光のうち所定の波長域の光を透過させることができる。カラーフィルター８７は、画素５Ｒ、画素５Ｇ及び画素５Ｂごとに異なる色に着色された樹脂などで構成されている。画素５Ｒに対応するカラーフィルター８７は、Ｒの光を透過させることができる。画素５Ｇに対応するカラーフィルター８７はＧの光を透過させ、画素５Ｂに対応するカラーフィルター８７はＢの光を透過させることができる。なお、以下において、各カラーフィルター８７に対してＲ、Ｇ及びＢが識別される場合に、カラーフィルター８７Ｒ，８７Ｇ及び８７Ｂという表記が用いられる。
【００５１】
遮光層８５及びカラーフィルター８７の底面１５側には、オーバーコート層８９が設けられている。オーバーコート層８９は、光透過性を有する樹脂などで構成されており、遮光層８５及びカラーフィルター８７を底面１５側から覆っている。
上記の構成を有する素子基板１１及び封止基板１３は、素子基板１１の共通電極３３と封止基板１３のオーバーコート層８９との間が、接着剤１６を介して接合されている。
表示装置１では、図２に示すシール材１７は、図５に示す第１基板４１の第１面４３ａと、第２基板８１の対向面８３ｂとによって挟持されている。つまり、表示装置１では、有機ＥＬ素子２７及び接着剤１６が、第１基板４１及び第２基板８１並びにシール材１７によって封止されている。なお、シール材１７は、対向面８３ｂ及び共通電極３３の間に設けられていてもよい。この場合、有機ＥＬ素子２７及び接着剤１６は、素子基板１１及び封止基板１３並びにシール材１７によって封止されているとみなされ得る。
【００５２】
ところで、本実施形態では、機能層３１は、図５中の有機ＥＬ素子２７の拡大図である図６に示すように、有機層１０１と、電子注入層１０３と、を含んでいる。
有機層１０１は、画素電極２９の表示面３側に設けられている。電子注入層１０３は、有機層１０１の表示面３側に設けられている。
有機層１０１は、正孔注入層１０５と、正孔輸送層１０７と、発光層１０９と、中間層１１１と、発光層１１３と、発光層１１７と、を含んでいる。
【００５３】
正孔注入層１０５は、有機材料を含む材料で構成されており、平面視で隔壁７１によって囲まれた領域内で、画素電極２９の表示面３側に設けられている。
正孔注入層１０５の有機材料としては、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体と、ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）等との混合物が採用され得る。正孔注入層１０５の有機材料としては、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやこれらの誘導体なども採用され得る。
【００５４】
正孔輸送層１０７は、有機材料を含む材料で構成されており、正孔注入層１０５の表示面３側に設けられている。正孔輸送層１０７の材料としては、例えば、ＨＴ３２０（出光興産株式会社製）が採用され得る。そして、正孔輸送層１０７は、蒸着技術を活用して、ＨＴ３２０を配置することによって設けられ得る。なお、蒸着技術を活用した材料の配置は、蒸着法と呼ばれる。本実施形態では、蒸着法で正孔輸送層１０７を、表示領域７（図１）にわたって形成する方法が採用されている。これにより、正孔輸送層１０７は、複数の画素５間にまたがって形成される。このため、隔壁７１の表示面３側にも、正孔輸送層１０７が形成されている。
【００５５】
発光層１０９は、有機材料を含む材料で構成されており、正孔輸送層１０７の表示面３側に設けられている。
発光層１０９の材料としては、導電性を担保するホスト材料に、電子と正孔との結合により発光する機能を有するドーパントを混入したものが採用され得る。そして、本実施形態では、発光層１０９は、蒸着法によって形成されている。
発光層１０９は、Ｒの光を発する層である。Ｒの光を発する発光層１０９の材料としては、例えば、ホスト材料としてのＮＰＢに、ドーパントとしてのＲＤ００１（出光興産株式会社製）を混入した構成が採用され得る。
【００５６】
中間層１１１は、有機材料を含む材料で構成されており、発光層１０９の表示面３側に設けられている。中間層１１１を構成する材料としては、例えば、ＮＰＢなどが採用され得る。
発光層１１３は、有機材料を含む材料で構成されており、中間層１１１の表示面３側に設けられている。
発光層１１３の材料としては、導電性を担保するホスト材料に、電子と正孔との結合により発光する機能を有するドーパントを混入したものが採用され得る。そして、本実施形態では、発光層１１３は、蒸着法によって形成されている。
発光層１１３は、Ｂの光を発する層である。Ｂの光を発する発光層１１３の材料としては、例えば、ホスト材料としてのＢＨ２１５（出光興産株式会社製）に、ドーパントとしてのＢＤ０５２（出光興産株式会社製）を混入した構成が採用され得る。
【００５７】
発光層１１７は、有機材料を含む材料で構成されており、発光層１１３の表示面３側に設けられている。
発光層１１７の材料としては、導電性を担保するホスト材料に、電子と正孔との結合により発光する機能を有するドーパントを混入したものが採用され得る。そして、本実施形態では、発光層１１７は、蒸着法によって形成されている。
発光層１１７は、Ｇの光を発する層である。Ｇの光を発する発光層１１７の材料としては、例えば、Ａｌｑ３に、ドーパントとしてのキナクリドンを混入した構成が採用され得る。
【００５８】
なお、中間層１１１は、電子及び正孔の移動度を調整する機能を有している。中間層１１１によって、発光層１０９、発光層１１３及び発光層１１７のそれぞれにおける発光機能が保たれる。
電子注入層１０３は、発光層１１７の表示面３側に設けられている。電子注入層１０３の材料としては、フッ化リチウム、フッ化カルシウム、酸化マグネシウムなどが採用され得る。本実施形態では、電子注入層１０３の材料として、フッ化リチウムが採用されている。
【００５９】
ところで、本実施形態では、画素５ごとに、有機ＥＬ素子２７は、図５に示すように、カラーフィルター８７Ｒ，８７Ｇ及び８７Ｂのそれぞれに対応している。カラーフィルター８７Ｒに対応する有機ＥＬ素子２７は、有機ＥＬ素子２７Ｒと呼ばれる。同様に、カラーフィルター８７Ｇに対応する有機ＥＬ素子２７が有機ＥＬ素子２７Ｇと呼ばれ、カラーフィルター８７Ｂに対応する有機ＥＬ素子２７が有機ＥＬ素子２７Ｂと呼ばれる。
【００６０】
有機ＥＬ素子２７Ｒは、平面視でカラーフィルター８７Ｒに重なっている。有機ＥＬ素子２７Ｇは、平面視でカラーフィルター８７Ｇに重なっている。有機ＥＬ素子２７Ｂは、平面視でカラーフィルター８７Ｂに重なっている。このため、有機ＥＬ素子２７Ｒとカラーフィルター８７Ｒとは、互いに対応する関係にある。同様に、有機ＥＬ素子２７Ｇとカラーフィルター８７Ｇとが対応関係にあり、有機ＥＬ素子２７Ｂとカラーフィルター８７Ｂとが対応関係にある。
【００６１】
そして、本実施形態では、反射膜６１と共通電極３３との間の距離が、有機ＥＬ素子２７Ｒ，２７Ｇ及び２７Ｂの間で相互に異なる距離に設定されている。
有機ＥＬ素子２７Ｒでは、反射膜６１と共通電極３３との間の距離が、Ｄ１の距離に設定されている。有機ＥＬ素子２７Ｇでは、反射膜６１と共通電極３３との間の距離が、Ｄ２の距離に設定されている。有機ＥＬ素子２７Ｂでは、反射膜６１と共通電極３３との間の距離が、Ｄ３の距離に設定されている。
本実施形態では、Ｄ１と、Ｄ２と、Ｄ３とは、Ｄ１＞Ｄ２＞Ｄ３の関係を満たしている。
そして、本実施形態では、Ｄ１＞Ｄ２＞Ｄ３の関係は、画素電極２９の厚みを有機ＥＬ素子２７Ｒ，２７Ｇ及び２７Ｂの間で相互に異なる厚みに設定することによって実現されている。
【００６２】
表示装置１では、画素電極２９を陽極とし、共通電極３３を陰極として、画素電極２９と共通電極３３との間に電圧を印加すると、有機層１０１（図６）を電流が流れる。このとき、発光層１０９、発光層１１３及び発光層１１７のそれぞれにおいて発光現象が発現する。このとき、有機層１０１からの光には、発光層１０９からのＲの光と、発光層１１３からのＢの光と、発光層１１７からのＧの光と、が含まれている。
【００６３】
有機層１０１から共通電極３３側に向かう光の一部は、共通電極３３を透過してカラーフィルター８７（図５）に入射する。
また、有機層１０１から画素電極２９側に向かう光の一部は、画素電極２９を透過してから、反射膜６１で共通電極３３側に反射する。反射膜６１で反射して共通電極３３側に向かう光の一部は、共通電極３３を透過してカラーフィルター８７に入射する。
有機層１０１からカラーフィルター８７に入射する光は、カラーフィルター８７Ｒ，８７Ｇ及び８７Ｂのそれぞれに対応した色の光として、第２基板８１から表示面３側に射出される。
【００６４】
有機層１０１から共通電極３３側に向かう光の残りの一部は、共通電極３３で反射して、画素電極２９側に向かう。共通電極３３で反射して画素電極２９側に向かう光の一部は、画素電極２９を透過してから、反射膜６１で共通電極３３側に反射する。
このとき、有機ＥＬ素子２７Ｒでは、反射膜６１で共通電極３３側に反射する光のうちでＲの光が共振現象によって強められる。有機ＥＬ素子２７Ｇでは、反射膜６１で共通電極３３側に反射する光のうちでＧの光が共振現象によって強められる。また、有機ＥＬ素子２７Ｂでは、反射膜６１で共通電極３３側に反射する光のうちでＢの光が共振現象によって強められる。
【００６５】
本実施形態では、有機ＥＬ素子２７Ｒ（図５）において、共通電極３３と反射膜６１との間の距離が、Ｒの光を強めるＤ１の距離に設定されている。また、有機ＥＬ素子２７Ｇでは、共通電極３３と反射膜６１との間の距離が、Ｇの光を強めるＤ２の距離に設定されている。有機ＥＬ素子２７Ｂでは、共通電極３３と反射膜６１との間の距離が、Ｂの光を強めるＤ３の距離に設定されている。
これらのＤ１、Ｄ２及びＤ３の距離の設定により、画素５Ｒ，５Ｇ及び５Ｂのそれぞれにおいて、光の色純度が高められる。これにより、表示装置１の表示における表示品位の向上が図られる。
【００６６】
ところで、本実施形態では、正孔注入層１０５は、図７に示すように、共通電極３３側の表面に、底面１２１と、湾曲面１２３と、を有している。
底面１２１は、平面視で、画素電極２９の電極面１２５に重なっている。電極面１２５は、平面に形成されている。
湾曲面１２３は、底面１２１につながっている。湾曲面１２３は、底面１２１から、隔壁７１の壁面１２７にかかっている。湾曲面１２３は、電極面１２５と壁面１２７との交線１２８に対面している。本実施形態では、湾曲面１２３は、平面視で交線１２８に重なっている。湾曲面１２３は、交線１２８に向かって凹となる方向に湾曲している。
【００６７】
本実施形態では、正孔注入層１０５は、図６に示すように、有機層１０１に含まれる複数の層において、画素電極２９側から共通電極３３側に向かって順に数えていったときの第１層目に相当する。第２層目の正孔輸送層１０７を含め、正孔輸送層１０７から表示面３側の各層には、正孔注入層１０５の湾曲面１２３（図７）の形状が反映されている。
この結果、共通電極３３は、図６に示すように、湾曲部１２９を有している。
本実施形態では、正孔注入層１０５において、湾曲面１２３の湾曲の程度が規定されている。湾曲面１２３の湾曲の程度は、図７中のＦ部の拡大図である図８に示すように、角度θによって規定されている。
【００６８】
角度θは、面１３１と線１３３との間の角度である。
面１３１は、電極面１２５に平行な面である。面１３１は、電極面１２５に平行な面を、電極面１２５の法線１３５に沿って正孔注入層１０５の底面１２１まで移動させたときの仮想的な面である。
ここで、面１３１と湾曲面１２３との交点を第１点１３７とし、面１３１と壁面１２７との交点を第２点１３９とし、第１点１３７と第２点１３９との中点を第３点１４１とする。また、第３点１４１を通る法線１３５と湾曲面１２３との交点を第４点１４３とする。
そして、第１点１３７と第４点１４３とを結ぶ線が線１３３である。
【００６９】
本実施形態では、角度θは、５０度以下に設定されている。これにより、共通電極３３が、湾曲部１２９（図６）で途切れてしまうことを低く抑えることができる。
ここで、表示装置１の製造方法について説明する。
表示装置１の製造方法は、素子基板１１を製造する工程と、封止基板１３を製造する工程と、表示装置１を組み立てる工程と、に大別される。
【００７０】
素子基板１１を製造する工程では、図９（ａ）に示すように、まず、第１基板４１の第１面４３ａに駆動素子層１５１を形成する。この駆動素子層１５１には、前述した選択トランジスター２１（図４）、駆動トランジスター２３、容量素子２５（図４）、電源線ＰＷ（図４）、反射膜６１、画素電極２９、ゲート絶縁膜４４、絶縁膜４５、絶縁膜４７などが含まれている。
【００７１】
次いで、図９（ｂ）に示すように、平面視で画素電極２９の周縁及び絶縁膜４７に重なる領域（図５に示す領域７２）に隔壁７１を形成する。
隔壁７１の形成では、まず、感光性を有するアクリル系の樹脂で、平面視で画素電極２９及び絶縁膜４７を覆う樹脂膜を形成する。この樹脂膜の形成では、スピンコート技術や印刷技術などが活用され得る。
次いで、この樹脂膜にプレベーク処理を施す。プレベーク処理の条件としては、例えば、温度範囲を７０℃〜９０℃とし、処理時間を１分〜３分とする条件が採用され得る。
次いで、例えばフォトリソグラフィー技術を活用することによって、樹脂膜をパターニングする。
次いで、パターニングした樹脂にポストベーク処理を施す。ポストベーク処理の条件としては、例えば、温度範囲を１１０℃〜１７０℃とし、処理時間を１分〜３分とする条件が採用され得る。
次いで、ポストベーク処理を施した樹脂にベーク処理を施す。ベーク処理の条件としては、例えば、温度範囲を２１０℃〜２５０℃とし、処理時間を２０分〜４０分とする条件が採用され得る。これにより、隔壁７１が形成され得る。
なお、駆動素子層１５１から隔壁７１までの構成が形成された第１基板４１は、以下において基板１５３と呼ばれる。
【００７２】
隔壁７１の形成に次いで、図１０（ａ）に示すように、基板１５３に酸素プラズマ処理を施す。これにより、画素電極２９に、後述する液状体１０５ａに対する親液性が付与される。
次いで、図１０（ｂ）に示すように、基板１５３にＣＦ4プラズマ処理を施す。これにより、隔壁７１に、後述する液状体１０５ａに対する撥液性が付与される。
【００７３】
次いで、図１１（ａ）に示すように、隔壁７１によって囲まれた各領域（図５に示す発光領域７３）内に液状体１０５ａを配置する。液状体１０５ａには、正孔注入層１０５を構成する有機材料が含まれている。
液状体１０５ａの配置には、液滴吐出ヘッド１５５を利用したインクジェット法が活用され得る。インクジェット法では、液状体１０５ａが液滴１０５ｂとして吐出される。
液滴吐出ヘッド１５５から液状体１０５ａなどを液滴１０５ｂとして吐出する技術は、インクジェット技術と呼ばれる。そして、インクジェット技術を活用して液状体１０５ａなどを所定の位置に配置する方法は、インクジェット法と呼ばれる。このインクジェット法は、塗布法の１つである。
【００７４】
隔壁７１によって囲まれた領域内に配置された液状体１０５ａを減圧乾燥法で乾燥させることによって、図１１（ｂ）に示す正孔注入層１０５が形成され得る。このとき、正孔注入層１０５には、図７に示すように、底面１２１と、湾曲面１２３とが形成され得る。
なお、正孔注入層１０５を構成する有機材料が含まれた液状体１０５ａは、ＰＥＤＯＴとＰＳＳとの混合物を、溶媒に溶解させた構成が採用され得る。溶媒としては、例えば、ジエチレングリコール、イソプロピルアルコール、ノルマルブタノールなどが採用され得る。
なお、減圧乾燥法は、減圧環境下で行う乾燥方法であり、真空乾燥法とも呼ばれる。本実施形態では、減圧乾燥法による乾燥（以下、減圧乾燥と呼ぶ）において、ドライポンプとターボ分子ポンプとが減圧に併用される。
【００７５】
正孔注入層１０５の形成に次いで、図６に示すように、正孔注入層１０５の表示面３側に正孔輸送層１０７を形成する。正孔輸送層１０７は、正孔輸送層１０７の材料を蒸着法で配置することによって形成される。
次いで、正孔輸送層１０７の表示面３側に発光層１０９を蒸着法で形成する。
同様に、中間層１１１、発光層１１３、発光層１１７、及び電子注入層１０３のそれぞれを、蒸着法で形成することによって、機能層３１が形成される。
【００７６】
次いで、図６に示すように、電子注入層１０３の表示面３側において、電子注入層１０３と隔壁７１とが重なる領域に補助電極７５を形成する。補助電極７５の形成では、例えばスパッタリング技術や真空蒸着技術などの成膜技術や、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術などのパターニング技術が活用され得る。
次いで、電子注入層１０３及び補助電極７５の表示面３側に、共通電極３３を形成する。共通電極３３の形成では、例えばスパッタリング技術や真空蒸着技術などの成膜技術が活用され得る。本実施形態では、真空蒸着技術を活用することにより、電子注入層１０３及び補助電極７５の表示面３側にＭｇＡｇの膜を形成する。これにより、共通電極３３が形成され得る。
上記の方法により、素子基板１１が製造され得る。
【００７７】
封止基板１３を製造する工程では、図５に示すように、まず、第２基板８１の対向面８３ｂに、遮光層８５を、平面視で格子状に形成する。遮光層８５は、カーボンブラックやクロムなどを含有する樹脂膜を形成してから、この樹脂膜を、例えば、フォトリソグラフィー技術を活用してパターニングすることによって形成され得る。
【００７８】
次いで、遮光層８５によって囲まれる各フィルター領域９３内に、カラーフィルター８７を形成する。カラーフィルター８７は、Ｒ、Ｇ及びＢの各光に対応する着色剤が含有された樹脂を、各フィルター領域９３内に配置することによって形成され得る。なお、各フィルター領域９３内への樹脂の配置は、例えば、インクジェット技術や蒸着技術を活用することにより行われ得る。
次いで、遮光層８５及びカラーフィルター８７上にオーバーコート層８９を形成する。オーバーコート層８９は、例えばスピンコート技術を活用して、光透過性を有する樹脂で形成され得る。
上記の方法により、封止基板１３が製造され得る。
【００７９】
表示装置１を組み立てる工程では、図２に示すように、素子基板１１及び封止基板１３を、接着剤１６及びシール材１７を介して接合する。
このとき、素子基板１１及び封止基板１３は、図５に示すように、第１基板４１の第１面４３ａと、封止基板１３の対向面８３ｂとが向き合った状態で接合される。これにより、表示装置１が製造され得る。
【００８０】
本実施形態において、画素電極２９が第１電極に対応し、共通電極３３が第２電極に対応し、ドライポンプが第１のポンプに対応し、ターボ分子ポンプが第２のポンプに対応している。また、正孔注入層１０５の形成が塗布層形成工程に対応し、減圧乾燥による液状体１０５ａの乾燥が層形成工程における乾燥工程に対応している。また、正孔輸送層１０７、発光層１０９、中間層１１１、発光層１１３及び発光層１１７の形成が蒸着層形成工程に対応している。
本実施形態では、図８に示す角度θが５０度以下に設定されている。これにより、共通電極３３が、湾曲部１２９（図６）で途切れてしまうことを低く抑えることができる。この結果、表示装置１の表示における表示品位を向上させやすくすることができる。
【００８１】
また、本実施形態では、有機層１０１を構成する各層のうち、底面１５側から数えて１層目である正孔注入層１０５が、塗布法で形成されている。
例えば、１層目を蒸着法で形成し、２層目を塗布法で形成しても共通電極３３に湾曲部１２９を形成することができる。しかしながら、１層目を蒸着法で形成し、２層目を塗布法で形成する場合、２層目の有機材料を含む液状体における溶媒が、１層目を溶解してしまうことがある。この結果、表示品位が損なわれることがある。
これに対し、１層目を塗布法で形成する本実施形態では、１層目及び２層目が互いに損傷しあうことを低く抑えることができる。この点で、１層目を塗布法で形成することは好ましい。
【００８２】
ここで、実施例及び比較例について説明する。
以下に説明する実施例及び比較例では、それぞれ、図９（ｂ）に示す基板１５３として、２種類の試料が用いられている。２種類の試料は、図１２に示すように、隔壁７１と画素電極２９との間の角度θ２の値が互いに異なっている。角度θ２として、５０度と、６０度との２種類が採用されている。
以下において、角度θ２が５０度である基板１５３は、基板１５３ａと呼ばれる。また、角度θ２が６０度である基板１５３は、基板１５３ｂと呼ばれる。
なお、基板１５３ａと基板１５３ｂとは、前述した隔壁７１の形成において、ポストベーク処理の条件が異なっている。
基板１５３ａでは、ポストベーク処理の条件として、処理温度を１６０℃とし、処理時間を約２分間とした。
基板１５３ｂでは、ポストベーク処理の条件として、処理温度を１２０℃とし、処理時間を約２分間とした。
ポストベーク処理の条件を異ならせることにより、基板１５３ａと基板１５３ｂとで、角度θ２の値を異ならせることができる。
【００８３】
（実施例１）
角度θ２が５０度である基板１５３ａに、酸素プラズマ処理、ＣＦ4プラズマ処理を施した。これらの処理の順序及び条件は、前述した順序及び条件と同等にした。
次に、この基板１５３ａに、正孔注入層１０５を形成した。この実施例では、正孔注入層１０５の形成に、インクジェット法と減圧乾燥法を活用した。正孔注入層１０５の形成は、前述した方法が採用されている。
次に、この基板に、正孔輸送層１０７、発光層１０９、中間層１１１、発光層１１３、発光層１１７、及び電子注入層１０３のそれぞれを、順次に蒸着法で形成した。
【００８４】
次に、この基板に補助電極７５及び共通電極３３を順次に形成することによって、素子基板１１を形成した。
次に、この素子基板１１と封止基板１３とを、接着剤１６及びシール材１７を介して接合することによって、表示装置１を組み立てた。以下において、この実施例における表示装置１は、試料１と呼ばれる。
【００８５】
ここで、正孔注入層１０５の形成における減圧乾燥では、図１３に示す乾燥装置１６１を使用した。乾燥装置１６１は、処理室１６３と、ターボ分子ポンプ１６５と、ドライポンプ１６７と、バルブ１６９と、バルブ１７１と、バルブ１７３と、排気系統１７５と、排気系統１７７と、を有している。
排気系統１７５は、処理室１６３からバルブ１６９を経てドライポンプ１６７に至っている。バルブ１６９は、排気系統１７５において、処理室１６３とドライポンプ１６７との間に設けられている。
排気系統１７７は、処理室１６３からバルブ１７１、ターボ分子ポンプ１６５及びバルブ１７３をこの順に経てドライポンプ１６７に至っている。バルブ１７１は、排気系統１７７において、処理室１６３とターボ分子ポンプ１６５との間に設けられている。バルブ１７３は、排気系統１７７において、ターボ分子ポンプ１６５とドライポンプ１６７との間に設けられている。
【００８６】
試料１では、正孔注入層１０５の形成における減圧乾燥の減圧に、ドライポンプ１６７とターボ分子ポンプ１６５とを併用した。
試料１では、減圧乾燥の条件として、以下に記す減圧条件が採用されている。
試料１では、バルブ１６９を開状態とし、バルブ１７１及びバルブ１７３を閉状態として、１０5Ｐａから約５０Ｐａまでの減圧を、ドライポンプ１６７を用いて約０．８分間で行った。そして、約５０Ｐａまで減圧したときに、バルブ１６９を閉状態とし、バルブ１７１及びバルブ１７３を開状態として、ドライポンプ１６７での排気とターボ分子ポンプ１６５での排気とを併用して、約０．１Ｐａまでの減圧を約１．５分間で行った。
以下において、この減圧乾燥の条件は、乾燥条件１と呼ばれる。この実施例では、この乾燥条件１を採用することによって正孔注入層１０５の形成を行った。
【００８７】
（実施例２）
角度θ２が５０度である基板１５３ａに、酸素プラズマ処理、ＣＦ4プラズマ処理を施した。これらの処理の順序及び条件は、前述した順序及び条件と同等にした。
次に、この基板１５３ａに、正孔注入層１０５を形成した。この実施例では、正孔注入層１０５の形成に、インクジェット法と減圧乾燥法を活用した。正孔注入層１０５の形成は、前述した方法が採用されている。
次に、この基板に、正孔輸送層１０７、発光層１０９、中間層１１１、発光層１１３、発光層１１７、及び電子注入層１０３のそれぞれを、順次に蒸着法で形成した。
【００８８】
次に、この基板に補助電極７５及び共通電極３３を順次に形成することによって、素子基板１１を形成した。
次に、この素子基板１１と封止基板１３とを、接着剤１６及びシール材１７を介して接合することによって、表示装置１を組み立てた。以下において、この実施例における表示装置１は、試料２と呼ばれる。
【００８９】
試料２では、正孔注入層１０５の形成における減圧乾燥の減圧に、ドライポンプ１６７とターボ分子ポンプ１６５とを併用した。
試料２では、減圧乾燥の条件として、以下に記す減圧条件が採用されている。
試料２では、バルブ１６９を開状態とし、バルブ１７１及びバルブ１７３を閉状態として、１０5Ｐａから約１０3Ｐａまでの減圧を、ドライポンプ１６７を用いて約１分間で行った。そして、約１０3Ｐａまで減圧したときに、バルブ１６９を閉状態とし、バルブ１７１及びバルブ１７３を開状態として、ドライポンプ１６７での排気とターボ分子ポンプ１６５での排気とを併用して、約０．１Ｐａまでの減圧を約０．３分間で行った。
以下において、この減圧乾燥の条件は、乾燥条件２と呼ばれる。この実施例では、この乾燥条件２を採用することによって正孔注入層１０５の形成を行った。
【００９０】
（実施例３）
角度θ２が６０度である基板１５３ｂに、酸素プラズマ処理、ＣＦ4プラズマ処理を施した。これらの処理の順序及び条件は、前述した順序及び条件と同等にした。
次に、この基板１５３ｂに、正孔注入層１０５を形成した。この実施例では、正孔注入層１０５の形成に、インクジェット法と減圧乾燥法を活用した。正孔注入層１０５の形成は、前述した方法が採用されている。
次に、この基板に、正孔輸送層１０７、発光層１０９、中間層１１１、発光層１１３、発光層１１７、及び電子注入層１０３のそれぞれを、順次に蒸着法で形成した。
【００９１】
次に、この基板に補助電極７５及び共通電極３３を順次に形成することによって、素子基板１１を形成した。
次に、この素子基板１１と封止基板１３とを、接着剤１６及びシール材１７を介して接合することによって、表示装置１を組み立てた。以下において、この実施例における表示装置１は、試料３と呼ばれる。
【００９２】
試料３では、正孔注入層１０５の形成における減圧乾燥の減圧に、ドライポンプ１６７とターボ分子ポンプ１６５とを併用した。
また、減圧乾燥の条件として、上述した乾燥条件２を採用した。この実施例では、この乾燥条件２を採用することによって正孔注入層１０５の形成を行った。
【００９３】
（比較例１）
角度θ２が５０度である基板１５３ａに、酸素プラズマ処理、ＣＦ4プラズマ処理を施した。これらの処理の順序及び条件は、前述した順序及び条件と同等にした。
次に、この基板１５３ａに、正孔注入層１０５を形成した。この比較例では、正孔注入層１０５の形成に、インクジェット法と減圧乾燥法を活用した。正孔注入層１０５の形成は、前述した方法が採用されている。
次に、この基板に、正孔輸送層１０７、発光層１０９、中間層１１１、発光層１１３、発光層１１７、及び電子注入層１０３のそれぞれを、順次に蒸着法で形成した。
【００９４】
次に、この基板に補助電極７５及び共通電極３３を順次に形成することによって、素子基板１１を形成した。
次に、この素子基板１１と封止基板１３とを、接着剤１６及びシール材１７を介して接合することによって、表示装置１を組み立てた。以下において、この比較例における表示装置１は、試料４と呼ばれる。
【００９５】
試料４では、正孔注入層１０５の形成における減圧乾燥の減圧に、ドライポンプ１６７だけを使用した。
試料４では、減圧乾燥の条件として、以下に記す減圧条件が採用されている。
試料４では、バルブ１６９を開状態とし、バルブ１７１及びバルブ１７３を閉状態として、１０5Ｐａから約２Ｐａまでの減圧を、ドライポンプ１６７を用いて約１０分間で達成した。
以下において、この減圧乾燥の条件は、乾燥条件３と呼ばれる。この比較例では、この乾燥条件３を採用することによって正孔注入層１０５の形成を行った。
【００９６】
（比較例２）
角度θ２が５０度である基板１５３ａに、正孔注入層１０５を形成した。この比較例では、正孔注入層１０５の形成に、蒸着法を活用した。なお、正孔注入層１０５の材料として、ＨＩ４０６（出光興産株式会社製）を採用した。
次に、この基板に、正孔輸送層１０７、発光層１０９、中間層１１１、発光層１１３、発光層１１７、及び電子注入層１０３のそれぞれを、順次に蒸着法で形成した。
【００９７】
次に、この基板に補助電極７５及び共通電極３３を順次に形成することによって、素子基板１１を形成した。
次に、この素子基板１１と封止基板１３とを、接着剤１６及びシール材１７を介して接合することによって、表示装置１を組み立てた。以下において、この比較例における表示装置１は、試料５と呼ばれる。
【００９８】
（比較例３）
角度θ２が６０度である基板１５３ｂに、正孔注入層１０５を形成した。この比較例では、正孔注入層１０５の形成に、蒸着法を活用した。なお、正孔注入層１０５の材料として、ＨＩ４０６（出光興産株式会社製）を採用した。
次に、この基板に、正孔輸送層１０７、発光層１０９、中間層１１１、発光層１１３、発光層１１７、及び電子注入層１０３のそれぞれを、順次に蒸着法で形成した。
【００９９】
次に、この基板に補助電極７５及び共通電極３３を順次に形成することによって、素子基板１１を形成した。
次に、この素子基板１１と封止基板１３とを、接着剤１６及びシール材１７を介して接合することによって、表示装置１を組み立てた。以下において、この比較例における表示装置１は、試料６と呼ばれる。
【０１００】
実施例１〜実施例３及び比較例１〜比較例３のそれぞれにおいて、角度θの測定結果と不良の発生結果とを下記表１に示す。
なお、所定の発光輝度が得られなかった画素５を暗点としたときの暗点の発生個数を、不良の発生結果として採用した。この結果は、暗点の発生個数が多いほど、不良の発生が多いことを示している。
【０１０１】
【表１】
実施例１〜実施例３及び比較例１〜比較例３の結果から、角度θの値が５０度以下であると、不良の発生を低く抑えやすくすることができることがわかる。
なお、比較例１の試料４においては、角度θを特定することができなかった。これは、試料４において、正孔注入層１０５が、図１４に示すように、交線１２８に平面的に重なる領域に、表示面３側に向かって凸となる凸部１８１を有しているためである。試料４では、正孔注入層１０５において、図７に示す湾曲面１２３が形成されなかったため、角度θを特定することができなかった。
これに対し、試料１〜試料３では、正孔注入層１０５に湾曲面１２３が形成された。
【０１０２】
上記の表１に示される結果から、角度θの値が３０度以下であると、不良の発生を一層低く抑えやすくすることができることがわかる。
さらに、角度θの値が２０度以下であると、不良の発生を極めて低く抑えやすくすることができることがわかる。
上記の結果から、有機層１０１を構成する各層のうちの少なくとも１つを塗布法で形成することは好ましい。
また、有機層１０１を構成する各層のうちの少なくとも１つを塗布法で形成する場合に、塗布法で形成する層の減圧乾燥では、互いに異なる２種類のポンプを減圧に併用することが好ましい。特に、この場合、減圧乾燥における減圧では、２種類のポンプのうちの１つだけを用いる第１減圧工程と、第１減圧工程の後に２種類のポンプの双方を併用する第２減圧工程とによって減圧することが好ましい。
【０１０３】
上述した乾燥条件１では、ドライポンプを用いて、１０5Ｐａから約５０Ｐａまでの減圧を約０．８分間で行うことが第１減圧工程に相当する。また、乾燥条件１において、約５０Ｐａまで減圧したときにドライポンプでの排気とターボ分子ポンプでの排気とを併用して、約０．１Ｐａまでの減圧を約１．５分間で行うことが第２減圧工程に相当する。
乾燥条件２において、ドライポンプを用いて、１０5Ｐａから約１０3Ｐａまでの減圧を約１分間で行うことが第１減圧工程に相当する。また、乾燥条件２において、約１０3Ｐａまで減圧したときにドライポンプでの排気とターボ分子ポンプでの排気とを併用して、約０．１Ｐａまでの減圧を約０．３分間で行うことが第２減圧工程に相当する。
【０１０４】
なお、本実施形態では、複数の画素５が設定され、画素５ごとに有機ＥＬ素子２７を有する表示装置１を例に説明したが、実施の形態はこれに限定されない。実施の形態としては、有機ＥＬ素子２７を表示領域７にわたって一連した状態で設けた照明装置などの形態もある。このような照明装置では、機能層３１からの光は、表示領域７にわたって面状に射出され得る。このため、このような照明装置は、例えば液晶表示装置などの光源に好適である。
【０１０５】
また、本実施形態では、機能層３１からの光を封止基板１３を介して表示面３から射出するトップエミッション型の有機ＥＬ装置を例に説明したが、有機ＥＬ装置はこれに限定されない。有機ＥＬ装置は、機能層３１からの光を素子基板１１を介して底面１５から射出するボトムエミッション型も採用され得る。
ボトムエミッション型の場合、機能層３１からの光が底面１５から射出されるので、底面１５側に表示面３が設定される。つまり、ボトムエミッション型では、表示装置１の底面１５と表示面３とが入れ替わる。そして、ボトムエミッション型では、底面１５側が上側に対応し、表示面３側が下側に対応する。
【０１０６】
また、ボトムエミッション型の場合には、画素電極２９の材料として、ＩＴＯやインジウム亜鉛酸化物などが採用され得る。また、電子注入層１０３の材料として、カルシウムなどが採用され得る。共通電極３３の材料として、アルミニウムなどが採用され得る。
【０１０７】
上述した表示装置１は、例えば、図１５に示す電子機器５００の表示部５１０に適用され得る。この電子機器５００は、携帯電話機である。この電子機器５００は、操作ボタン５１１を有している。表示部５１０は、操作ボタン５１１で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について表示を行うことができる。この電子機器５００では、表示部５１０に表示装置１が適用されている。表示装置１では、共通電極３３が、湾曲部１２９（図６）で途切れてしまうことを低く抑えることができる。このため、電子機器５００では、表示部５１０において、共通電極３３が途切れてしまうことを低く抑えることができるので、表示部５１０における表示品位を向上させやすくすることができる。
【０１０８】
なお、電子機器５００としては、携帯電話機に限られず、モバイルコンピューター、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーションシステム用の表示機器などの車載機器、オーディオ機器等の種々の電子機器が挙げられる。
【符号の説明】
【０１０９】
１…表示装置、３…表示面、５…画素、７…表示領域、１１…素子基板、１３…封止基板、１５…底面、２７…有機ＥＬ素子、２９…画素電極、３１…機能層、３３…共通電極、４１…第１基板、７１…隔壁、７３…発光領域、８１…第２基板、８７…カラーフィルター、１０１…有機層、１０３…電子注入層、１０５…正孔注入層、１０５ａ…液状体、１０５ｂ…液滴、１０７…正孔輸送層、１０９…発光層、１１１…中間層、１１３…発光層、１１７…発光層、１２１…底面、１２３…湾曲面、１２５…電極面、１２７…壁面、１２８…交線、１２９…湾曲部、１３１…面、１３３…線、１３５…法線、１３７…第１点、１３９…第２点、１４１…第３点、１４３…第４点、１５３…基板、５００…電子機器、５１０…表示部、５１１…操作ボタン、θ…角度。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置、有機ＥＬ装置の製造方法及び電子機器等に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、電気光学装置の１つとして、一対の電極と、一対の電極間に介在する発光層とを有する有機ＥＬ（Electro Luminescence）装置がある。有機ＥＬ装置では、一対の電極間に、発光層を含む有機層が介在している。
このような有機ＥＬ装置では、従来、画素を区画する隔壁と、隔壁で囲まれた発光領域内に蒸着された有機層と、有機層上に蒸着された電極と、を有するものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１９２４７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
隔壁と、蒸着された有機層と、蒸着された電極とを有する有機ＥＬ装置としては、例えば、図１６に示す有機ＥＬ装置８００の構成が考えられる。有機ＥＬ装置８００では、画素電極８０１と、共通電極８０３との間に、図示しない発光層を含む有機層８０５が介在している。有機ＥＬ装置８００においては、画素電極８０１と共通電極８０３とが一対の電極に相当している。
有機ＥＬ装置８００において、画素の領域８０７は、隔壁８０９によって画素ごとに区画されている。１つの画素の領域８０７は、隔壁８０９によって囲まれている。共通電極８０３は、複数の画素間にわたって設けられており、複数の画素間にわたって共通して機能する。
【０００５】
ところで、隔壁８０９上に蒸着で形成する共通電極８０３では、図１６中のＱ部の拡大図である図１７に示すように、角部８１１で共通電極８０３が途切れやすい。これは、蒸着した有機層８０５に、隔壁８０９の壁面と画素電極８０１との間の角部８１３の形状が反映されやすいためである。
共通電極８０３が途切れた状態では、発光層の発光状態が画素間でばらつきやすくなる。
つまり、従来の有機ＥＬ装置では、発光品位を向上させることが困難であるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現され得る。
【０００７】
［適用例１］平面を有する第１電極と、前記第１電極の前記平面側において、前記第１電極の前記平面に対向する第２電極と、前記第１電極の前記平面よりも前記第２電極側に突出し、且つ、前記平面の少なくとも一部の領域を囲む壁面を有する隔壁と、前記壁面によって囲まれた領域内において、前記第１電極と前記第２電極との間に介在する有機層と、を有し、前記有機層は、発光層を含む複数の層を含んでおり、前記第２電極は、前記壁面によって囲まれた前記領域内から、少なくとも前記壁面にかけて設けられており、前記複数の層のうちの少なくとも１つの層は、前記第２電極側の表面において、平面視で前記平面に重なる底面と、前記壁面と前記第１電極との交線に対面し、前記交線側に向かって凹となる方向に湾曲した湾曲面と、を含んでおり、前記第１電極、前記第２電極、前記隔壁及び前記有機層を、前記平面の法線方向に沿って切断したときの断面において、前記平面に平行な面を前記法線方向に前記底面まで平行移動させ、前記面と前記湾曲面との交点を第１点とし、前記面と前記壁面との交点を第２点とし、前記第１点と前記第２点との間の中点を第３点とし、前記第３点を通る前記法線と前記湾曲面との交点を第４点としたときに、前記第１点と前記第４点とを結んだ線と前記面とがなす角度が、５０度以下である、ことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【０００８】
この適用例の有機ＥＬ装置は、第１電極と、第２電極と、隔壁と、有機層と、を有している。第１電極は、平面を有している。第２電極は、第１電極の平面側において、第１電極の平面に対向している。隔壁は、第１電極の平面よりも第２電極側に突出している。隔壁は、壁面を有している。壁面は、第１電極の平面の少なくとも一部の領域を囲んでいる。有機層は、壁面によって囲まれた領域内において、第１電極と第２電極との間に介在している。有機層は、発光層を含む複数の層を含んでいる。第２電極は、壁面によって囲まれた領域内から、少なくとも壁面にかけて設けられている。
有機層に含まれる複数の層のうちの少なくとも１つの層は、第２電極側の表面において、底面と、湾曲面と、を含んでいる。底面は、平面視で第１電極の平面に重なっている。湾曲面は、壁面と第１電極との交線に対面している。湾曲面は、交線側に向かって凹となる方向に湾曲している。
上記の構成により、湾曲面を有する層の第１電極側とは反対側に位置する第２電極に、湾曲面が反映しやすい。つまり、第２電極には、壁面によって囲まれた領域内から壁面にかかる領域において、湾曲した面が形成され得る。これにより、例えば、角部をまたいで第２電極を設ける場合に比較して、第２電極が途切れてしまうことを低く抑えやすくすることができる。
この有機ＥＬ装置では、第１電極、第２電極、隔壁及び有機層を、平面の法線方向に沿って切断したときの断面において、平面に平行な面を法線方向に底面まで平行移動させ、面と湾曲面との交点を第１点とし、面と壁面との交点を第２点とし、第１点と第２点との間の中点を第３点とし、第３点を通る法線と湾曲面との交点を第４点としたときに、第１点と第４点とを結んだ線と面とがなす角度が、５０度以下である。
これにより、第２電極が途切れてしまうことを低く抑えることができ、発光品位を向上させやすくすることができる。
【０００９】
［適用例２］第１電極と、前記第１電極に対向する第２電極と、前記第１電極よりも前記第２電極側に突出し、且つ、前記第１電極の少なくとも一部の領域を囲む壁面を有する隔壁と、発光層を含む複数の層を含み、前記壁面によって囲まれた領域内において、前記第１電極と前記第２電極との間に介在する有機層と、を有する有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記壁面によって囲まれた前記領域内に、前記有機層を、前記複数の層の前記層ごとに形成する有機層形成工程と、前記有機層形成工程の後に、前記第２電極を形成する工程と、を含み、前記有機層形成工程は、前記複数の層のうちの一部の前記層を、蒸着法で形成する蒸着層形成工程と、前記複数の層のうちの他の前記層を、塗布法で形成する塗布層形成工程と、を含み、前記塗布層形成工程は、前記壁面によって囲まれた領域内に、有機材料を含有する液状体を配置する配置工程と、前記液状体に含まれる液体の少なくとも一部を除去することにより、前記有機材料で前記層を形成する層形成工程と、を含み、前記層形成工程では、前記層形成工程で形成する前記層の前記第１電極側とは反対側の表面において、前記壁面と前記第１電極との交線に対面し、且つ前記交線側に向かって凹となる方向に湾曲する湾曲面を形成する、ことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００１０】
この適用例の製造方法が適用され得る有機ＥＬ装置は、第１電極と、第２電極と、隔壁と、有機層と、を有している。第２電極は、第１電極に対向している。隔壁は、第１電極よりも第２電極側に突出している。隔壁は、壁面を有している。壁面は、第１電極の少なくとも一部の領域を囲んでいる。有機層は、発光層を含む複数の層を含んでいる。有機層は、壁面によって囲まれた領域内において、第１電極と第２電極との間に介在している。
そして、この適用例の製造方法は、有機層形成工程と、第２電極を形成する工程と、を含む。有機層形成工程では、壁面によって囲まれた領域内に有機層を形成する。このとき、有機層を、複数の層の層ごとに形成する。有機層形成工程の後に、第２電極を形成する。
有機層形成工程は、蒸着層形成工程と、塗布層形成工程と、を含む。蒸着層形成工程では、有機層における複数の層のうちの一部の層を、蒸着法で形成する。塗布層形成工程では、有機層における複数の層のうちの他の層を、塗布法で形成する。
塗布層形成工程は、配置工程と、層形成工程と、を含む。配置工程では、壁面によって囲まれた領域内に、有機材料を含有する液状体を配置する。層形成工程では、液状体に含まれる液体の少なくとも一部を除去することにより、有機材料で層を形成する。
また、層形成工程では、この層形成工程で形成する層の第１電極側とは反対側の表面に、湾曲面を形成する。湾曲面は、壁面と第１電極との交線に対面し、且つこの交線側に向かって凹となる方向に湾曲する。
この製造方法によれば、壁面によって囲まれた領域内から壁面にかかる領域において、第２電極に湾曲した面を形成することができる。これにより、例えば、角部をまたいで第２電極を設ける場合に比較して、第２電極が途切れてしまうことを低く抑えやすくすることができる。この結果、有機ＥＬ装置における発光品位を向上させやすくすることができる。
【００１１】
［適用例３］上記の有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記層形成工程は、前記液体の少なくとも一部を乾燥させることによって、前記液体の少なくとも一部を除去する乾燥工程を含んでいる、ことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００１２】
この適用例では、層形成工程は、乾燥工程を含んでいる。乾燥工程では、液体の少なくとも一部を乾燥させることによって、液体の少なくとも一部を除去する。これにより、層を形成することができる。
【００１３】
［適用例４］上記の有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記乾燥工程は、大気圧よりも低い圧力に減圧された減圧環境下で、前記液体の少なくとも一部を乾燥させる減圧乾燥工程を含んでいる、ことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００１４】
この適用例では、乾燥工程は、減圧乾燥工程を含んでいる。減圧乾燥工程では、大気圧よりも低い圧力に減圧された減圧環境下で、液体の少なくとも一部を乾燥させる。これにより、液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることができる。
【００１５】
［適用例５］上記の有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記層形成工程では、前記減圧乾燥工程において前記湾曲面を形成する、ことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００１６】
［適用例６］上記の有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記減圧乾燥工程は、第１のポンプを用いて、前記圧力を大気圧よりも低い第１の圧力に減圧する第１減圧工程と、前記第１減圧工程に続いて、前記第１のポンプと第２のポンプとを併用して、前記第１の圧力を、前記第１の圧力よりも低い第２の圧力に減圧する第２減圧工程と、を含んでいる、ことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００１７】
この適用例では、減圧乾燥工程は、第１減圧工程と、第２減圧工程と、を含んでいる。第１減圧工程では、第１のポンプを用いて、圧力を大気圧よりも低い第１の圧力に減圧する。第１減圧工程に続いて、第２減圧工程では、第１のポンプと第２のポンプとを併用して、第１の圧力を、第１の圧力よりも低い第２の圧力に減圧する。これにより、層に湾曲面を形成することができる。
【００１８】
［適用例７］上記の有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記有機層形成工程では、前記塗布層形成工程の後に前記蒸着層形成工程を実施する、ことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００１９】
この適用例では、有機層形成工程において、塗布層形成工程の後に蒸着層形成工程を実施する。
例えば、蒸着層形成工程の後に塗布層形成工程を実施すると、蒸着法で形成した層に液状体を配置することになる。このとき、蒸着法で形成した層が液状体に溶けることがある。つまり、蒸着層形成工程の後に塗布層形成工程を実施すると、各層を安定して形成することが困難になることがある。
これに対し、この適用例では、塗布層形成工程の後に蒸着層形成工程を実施するので、複数の層のそれぞれを安定して形成しやすくすることができる。この結果、有機ＥＬ装置における発光品位を一層向上させやすくすることができる。
【００２０】
［適用例８］上記の有機ＥＬ装置を有する、ことを特徴とする電子機器。
【００２１】
この適用例の電子機器は、有機ＥＬ装置を有している。この有機ＥＬ装置は、第１電極と、第２電極と、隔壁と、有機層と、を有している。第１電極は、平面を有している。第２電極は、第１電極の平面側において、第１電極の平面に対向している。隔壁は、第１電極の平面よりも第２電極側に突出している。隔壁は、壁面を有している。壁面は、第１電極の平面の少なくとも一部の領域を囲んでいる。有機層は、壁面によって囲まれた領域内において、第１電極と第２電極との間に介在している。有機層は、発光層を含む複数の層を含んでいる。第２電極は、壁面によって囲まれた領域内から、少なくとも壁面にかけて設けられている。
有機層に含まれる複数の層のうちの少なくとも１つの層は、第２電極側の表面において、底面と、湾曲面と、を含んでいる。底面は、平面視で第１電極の平面に重なっている。湾曲面は、壁面と第１電極との交線に対面している。湾曲面は、交線側に向かって凹となる方向に湾曲している。
上記の構成により、湾曲面を有する層の第１電極側とは反対側に位置する第２電極に、湾曲面が反映しやすい。つまり、第２電極には、壁面によって囲まれた領域内から壁面にかかる領域において、湾曲した面が形成され得る。これにより、例えば、角部をまたいで第２電極を設ける場合に比較して、第２電極が途切れてしまうことを低く抑えやすくすることができる。
この有機ＥＬ装置では、第１電極、第２電極、隔壁及び有機層を、平面の法線方向に沿って切断したときの断面において、平面に平行な面を法線方向に底面まで平行移動させ、面と湾曲面との交点を第１点とし、面と壁面との交点を第２点とし、第１点と第２点との間の中点を第３点とし、第３点を通る法線と湾曲面との交点を第４点としたときに、第１点と第４点とを結んだ線と面とがなす角度が、５０度以下である。
これにより、第２電極が途切れてしまうことを低く抑えることができ、発光品位を向上させやすくすることができる。
そして、適用例の電子機器は、この有機ＥＬ装置を有しているので、この有機ＥＬ装置における発光品位を向上させやすくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本実施形態における表示装置を示す平面図。
【図２】図１中のＡ−Ａ線における断面図。
【図３】本実施形態における複数の画素の一部を示す平面図。
【図４】本実施形態における表示装置の回路構成を示す図。
【図５】図３中のＣ−Ｃ線における断面図。
【図６】図５中の有機ＥＬ素子の拡大図。
【図７】本実施形態における正孔注入層を示す断面図。
【図８】図７中のＦ部の拡大図。
【図９】本実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。
【図１０】本実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。
【図１１】本実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。
【図１２】実施例における基板の種類を説明する断面図。
【図１３】本実施形態での減圧乾燥に適用される乾燥装置の主要構成を説明する図。
【図１４】比較例における正孔注入層を示す断面図。
【図１５】本実施形態における表示装置を適用した電子機器の斜視図。
【図１６】従来技術における課題を説明する図。
【図１７】図１６中のＱ部の拡大図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
実施形態について、有機ＥＬ装置を利用した表示装置を例に、図面を参照しながら説明する。
実施形態における表示装置１は、図１に示すように、表示面３を有している。
【００２４】
ここで、表示装置１には、複数の画素５が設定されている。複数の画素５は、表示領域７内で、図中のＸ方向及びＹ方向に配列しており、Ｘ方向を行方向とし、Ｙ方向を列方向とするマトリクスＭを構成している。
本実施形態では、Ｘ方向は、図４に示すように、後述する走査線ＧＴが延在する方向である。Ｙ方向は、Ｘ方向とは直交（交差）する方向である。なお、本実施形態では、後述するデータ線ＳＩがＹ方向に沿って延在している。このため、Ｙ方向は、データ線ＳＩが延在する方向でもある。
【００２５】
表示装置１は、図１に示す複数の画素５から選択的に表示面３を介して表示装置１の外に光を射出することで、表示面３に画像を表示することができる。なお、表示領域７とは、画像が表示され得る領域である。図１では、構成をわかりやすく示すため、画素５が誇張され、且つ画素５の個数が減じられている。
【００２６】
表示装置１は、図１中のＡ−Ａ線における断面図である図２に示すように、素子基板１１と、封止基板１３とを有している。
素子基板１１には、表示面３側すなわち封止基板１３側に、複数の画素５のそれぞれに対応して、後述する有機ＥＬ素子などが設けられている。なお、素子基板１１の表示面３側とは反対側の面１５は、表示装置１の底面として設定されている。以下において、面１５は、底面１５と表記される。
【００２７】
封止基板１３は、素子基板１１よりも表示面３側で素子基板１１に対向した状態で設けられている。素子基板１１と封止基板１３とは、接着剤１６を介して接合されている。表示装置１では、有機ＥＬ素子は、接着剤１６によって表示面３側から覆われている。
また、素子基板１１と封止基板１３との間は、表示装置１の周縁よりも内側で表示領域７を囲むシール材１７によって封止されている。つまり、表示装置１では、有機ＥＬ素子と接着剤１６とが、素子基板１１及び封止基板１３並びにシール材１７によって封止されている。
【００２８】
ここで、表示装置１における複数の画素５は、それぞれ、表示面３から射出する光の色が、図３に示すように、赤系（Ｒ）、緑系（Ｇ）及び青系（Ｂ）のうちの１つに設定されている。つまり、マトリクスＭを構成する複数の画素５は、Ｒの光を射出する画素５Ｒと、Ｇの光を射出する画素５Ｇと、Ｂの光を射出する画素５Ｂとを含んでいる。
なお、以下においては、画素５という表記と、画素５Ｒ、５Ｇ及び５Ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。
【００２９】
ここで、Ｒの色は、純粋な赤の色相に限定されず、橙等を含む。Ｇの色は、純粋な緑の色相に限定されず、青緑や黄緑等を含む。Ｂの色は、純粋な青の色相に限定されず、青紫や青緑等を含む。他の観点から、Ｒの色を呈する光は、光の波長のピークが、可視光領域で５７０ｎｍ以上の範囲にある光であると定義され得る。また、Ｇの色を呈する光は、光の波長のピークが５００ｎｍ〜５６５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。Ｂの色を呈する光は、光の波長のピークが４１５ｎｍ〜４９５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。
【００３０】
マトリクスＭでは、Ｙ方向に沿って一列に並ぶ複数の画素５が、１つの画素列１８を構成している。また、Ｘ方向に沿って一列に並ぶ複数の画素５が、１つの画素行１９を構成している。
１つの画素列１８内の各画素５は、光の色がＲ、Ｇ及びＢのうちの１つに設定されている。つまり、マトリクスＭは、複数の画素５ＲがＹ方向に配列した画素列１８Ｒと、複数の画素５ＧがＹ方向に配列した画素列１８Ｇと、複数の画素５ＢがＹ方向に配列した画素列１８Ｂとを有している。そして、表示装置１では、画素列１８Ｒ、画素列１８Ｇ及び画素列１８Ｂが、この順でＸ方向に沿って反復して並んでいる。
なお、以下においては、画素列１８という表記と、画素列１８Ｒ、画素列１８Ｇ及び画素列１８Ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。
【００３１】
表示装置１は、回路構成を示す図である図４に示すように、画素５ごとに、選択トランジスター２１と、駆動トランジスター２３と、容量素子２５と、有機ＥＬ素子２７とを有している。有機ＥＬ素子２７は、画素電極２９と、機能層３１と、共通電極３３とを有している。選択トランジスター２１及び駆動トランジスター２３は、それぞれ、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子で構成されており、スイッチング素子としての機能を有する。
また、表示装置１は、走査線駆動回路３７と、データ線駆動回路３８と、複数の走査線ＧＴと、複数のデータ線ＳＩと、複数の電源線ＰＷとを有している。
【００３２】
複数の走査線ＧＴは、それぞれ走査線駆動回路３７につながっており、Ｙ方向に互いに間隔をあけた状態でＸ方向に延びている。
複数のデータ線ＳＩは、それぞれデータ線駆動回路３８につながっており、Ｘ方向に互いに間隔をあけた状態でＹ方向に延びている。
複数の電源線ＰＷは、Ｙ方向に互いに間隔をあけた状態で、且つ各電源線ＰＷと各走査線ＧＴとがＹ方向に間隔をあけた状態でＸ方向に延びている。
【００３３】
各画素５は、各走査線ＧＴと各データ線ＳＩとの交差に対応して設定されている。各走査線ＧＴ及び各電源線ＰＷは、それぞれ、図３に示す各画素行１９に対応している。各データ線ＳＩは、図３に示す各画素列１８に対応している。
図４に示す各選択トランジスター２１のゲート電極は、対応する各走査線ＧＴに電気的につながっている。各選択トランジスター２１のソース電極は、対応する各データ線ＳＩに電気的につながっている。各選択トランジスター２１のドレイン電極は、各駆動トランジスター２３のゲート電極及び各容量素子２５の一方の電極に電気的につながっている。
【００３４】
容量素子２５の他方の電極と、駆動トランジスター２３のソース電極は、それぞれ、対応する各電源線ＰＷに電気的につながっている。
各駆動トランジスター２３のドレイン電極は、各画素電極２９に電気的につながっている。各画素電極２９と共通電極３３とは、画素電極２９を陽極とし、共通電極３３を陰極とする一対の電極を構成している。
ここで、共通電極３３は、マトリクスＭを構成する複数の画素５間にわたって一連した状態で設けられており、複数の画素５間にわたって共通して機能する。
各画素電極２９と共通電極３３との間に介在する機能層３１は、後述する発光層を含んでいる。機能層３１では、画素電極２９と共通電極３３との間に発生する電流によって、発光層が発光する。
【００３５】
選択トランジスター２１は、この選択トランジスター２１につながる走査線ＧＴに選択信号が供給されるとＯＮ状態となる。このとき、この選択トランジスター２１につながるデータ線ＳＩからデータ信号が供給され、駆動トランジスター２３がＯＮ状態になる。駆動トランジスター２３のゲート電位は、データ信号の電位が容量素子２５に一定の期間だけ保持されることによって、一定の期間だけ保持される。これにより、駆動トランジスター２３のＯＮ状態が一定の期間だけ保持される。なお、各データ信号は、階調表示に応じた電位に生成される。
【００３６】
駆動トランジスター２３のＯＮ状態が保持されているときに、駆動トランジスター２３のゲート電位に応じた電流が、電源線ＰＷから画素電極２９と機能層３１を経て共通電極３３に流れる。そして、機能層３１に含まれる発光層が、機能層３１を流れる電流量に応じた輝度で発光する。これにより、表示装置１では、階調表示が行われ得る。
表示装置１は、機能層３１に含まれる発光層が発光し、発光層からの光が封止基板１３を介して表示面３から射出されるトップエミッション型の有機ＥＬ装置の１つである。なお、表示装置１では、表示面３側という表現が上側とも表現され、底面１５側という表現が下側とも表現される。
【００３７】
ここで、素子基板１１及び封止基板１３のそれぞれの構成について、詳細を説明する。
素子基板１１は、図３中のＣ−Ｃ線における断面図である図５に示すように、第１基板４１と、素子層４２と、を有している。なお、図５では、構成をわかりやすく示すため、選択トランジスター２１、容量素子２５、データ線ＳＩ及び電源線ＰＷが省略されている。
第１基板４１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面３側に向けられた第１面４３ａと、底面１５側に向けられた第２面４３ｂとを有している。
【００３８】
素子層４２は、第１基板４１の第１面４３ａに設けられている。素子層４２には、ゲート絶縁膜４４と、絶縁膜４５と、絶縁膜４７と、隔壁７１と、機能層３１と、補助電極７５と、共通電極３３と、が含まれている。また、素子層４２には、画素５ごとに設けられた駆動トランジスター２３と、画素電極２９と、ソース電極５５と、反射膜６１と、が含まれている。
なお、図示しない選択トランジスター２１、容量素子２５、データ線ＳＩ及び電源線ＰＷも素子層４２に含まれる。
【００３９】
ゲート絶縁膜４４は、第１基板４１の第１面４３ａに設けられている。絶縁膜４５は、ゲート絶縁膜４４の表示面３側に設けられている。絶縁膜４７は、絶縁膜４５の表示面３側に設けられている。
また、第１基板４１の第１面４３ａには、各画素５の駆動トランジスター２３に対応して、半導体層５１が設けられている。半導体層５１は、ゲート絶縁膜４４によって表示面３側から覆われている。なお、ゲート絶縁膜４４の材料としては、例えば酸化シリコンなどの材料が採用され得る。
【００４０】
ゲート絶縁膜４４の表示面３側には、平面視で半導体層５１に重なる領域にゲート電極５３が設けられている。ゲート電極５３の材料としては、例えば、アルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。ゲート電極５３は、絶縁膜４５によって表示面３側から覆われている。
【００４１】
絶縁膜４５の表示面３側には、平面視で半導体層５１のソース領域（図示せず）に重なる領域にソース電極５５が設けられている。ソース電極５５は、絶縁膜４５及びゲート絶縁膜４４に設けられたコンタクトホール５７を介して半導体層５１のソース領域（図示せず）につながっている。ソース電極５５の材料としては、例えば、アルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。ソース電極５５は、絶縁膜４７によって表示面３側から覆われている。
【００４２】
反射膜６１は、画素５ごとに、絶縁膜４７の表示面３側に設けられている。反射膜６１の材料としては、例えば、銀、白金、アルミニウム、銅などの光反射性が高い金属や、これらを含む合金などが採用され得る。
反射膜６１の表示面３側には、画素電極２９が設けられている。画素電極２９は、絶縁膜４７、絶縁膜４５及びゲート絶縁膜４４に設けられたコンタクトホール６３を介して半導体層５１のドレイン領域（図示せず）につながっている。
【００４３】
画素電極２９の材料としては、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やインジウム亜鉛酸化物（Indium Zinc Oxide）などが採用され得る。本実施形態では、画素電極２９の材料としてＩＴＯが採用されている。
また、絶縁膜４５及び４７の材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、アクリル系の樹脂などの材料が採用され得る。
【００４４】
隣り合う画素電極２９同士の間には、隔壁７１が領域７２にわたって設けられている。隔壁７１は、例えば、カーボンブラックやクロムなどの光吸収性が高い材料を含有するアクリル系の樹脂やポリイミド樹脂などの有機材料で構成されている。本実施形態では、隔壁７１の材料としてアクリル系の樹脂が採用されている。
隔壁７１は、平面視で、表示領域７（図１）にわたって格子状に設けられている。隔壁７１は、画素５ごとに、発光領域７３を囲んでいる。このため、発光領域７３は、図５に示すように、隔壁７１によって区画されている。
表示領域７は、隔壁７１によって画素５ごとに発光領域７３が区画されている。１つの画素５に着目すると、隔壁７１は、平面視で環状に設けられている。なお、画素電極２９は、隔壁７１によって囲まれた発光領域７３に平面視で重なっている。
【００４５】
画素電極２９の表示面３側には、機能層３１が設けられている。機能層３１は、複数の層を有している。機能層３１において、複数の層のうちの一部の層は、領域７２をまたいで、複数の発光領域７３にわたっている。
発光領域７３において、機能層３１の表示面３側には、共通電極３３が設けられている。共通電極３３は、複数の発光領域７３にわたって一連した状態で設けられている。共通電極３３の材料としては、例えば、マグネシウムと銀とを含む合金や、カルシウムなどが採用され得る。本実施形態では、共通電極３３の材料として、マグネシウムと銀とを含む合金（以下、ＭｇＡｇと呼ぶ）が採用されている。
【００４６】
ここで、領域７２において、機能層３１と共通電極３３との間には、補助電極７５が介在している。補助電極７５は、共通電極３３の電気伝導を補助する機能を有している。補助電極７５の材料としては、例えば、金、銀、銅、アルミニウムなどの電気伝導性が高い金属や、これらのうちの１つ又は２つ以上を含有する合金などが採用され得る。本実施形態では、補助電極７５の材料として、アルミニウムを含有する合金が採用されている。
【００４７】
なお、表示装置１では、各画素５において発光に有効な領域は、平面視で画素電極２９と機能層３１と共通電極３３とが重なる領域であると定義され得る。また、各画素５において、発光機能を発揮させる要素の一群が１つの有機ＥＬ素子２７であると定義され得る。表示装置１では、１つの有機ＥＬ素子２７は、１つの画素電極２９と、この１つの画素電極２９に対応する機能層３１と、この１つの画素電極２９に対応する共通電極３３と、を含んでいる。
【００４８】
封止基板１３は、第２基板８１と、対向層８２と、を有している。第２基板８１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面３側に向けられた外向面８３ａと、底面１５側に向けられた対向面８３ｂとを有している。
対向層８２は、第２基板８１の対向面８３ｂに設けられている。対向層８２は、遮光層８５と、カラーフィルター８７と、オーバーコート層８９と、を含んでいる。
【００４９】
遮光層８５は、対向面８３ｂにおいて、領域９１にわたって設けられている。領域９１は、平面視で、領域７２に重なる領域である。つまり、遮光層８５は、隔壁７１と同様に、平面視で、表示領域７（図１）にわたって格子状に設けられている。遮光層８５は、画素５ごとに、フィルター領域９３を囲んでいる。このため、フィルター領域９３は、図５に示すように、遮光層８５によって区画されている。フィルター領域９３は、平面視で、発光領域７３に重なっている。
遮光層８５としては、例えば、カーボンブラックやクロムなどの光吸収性が高い材料を含有するアクリル系の樹脂やポリイミド樹脂などの有機材料などが採用され得る。
【００５０】
第２基板８１の対向面８３ｂには、フィルター領域９３ごとに、フィルター領域９３を底面１５側から覆うカラーフィルター８７が設けられている。
ここで、カラーフィルター８７は、入射された光のうち所定の波長域の光を透過させることができる。カラーフィルター８７は、画素５Ｒ、画素５Ｇ及び画素５Ｂごとに異なる色に着色された樹脂などで構成されている。画素５Ｒに対応するカラーフィルター８７は、Ｒの光を透過させることができる。画素５Ｇに対応するカラーフィルター８７はＧの光を透過させ、画素５Ｂに対応するカラーフィルター８７はＢの光を透過させることができる。なお、以下において、各カラーフィルター８７に対してＲ、Ｇ及びＢが識別される場合に、カラーフィルター８７Ｒ，８７Ｇ及び８７Ｂという表記が用いられる。
【００５１】
遮光層８５及びカラーフィルター８７の底面１５側には、オーバーコート層８９が設けられている。オーバーコート層８９は、光透過性を有する樹脂などで構成されており、遮光層８５及びカラーフィルター８７を底面１５側から覆っている。
上記の構成を有する素子基板１１及び封止基板１３は、素子基板１１の共通電極３３と封止基板１３のオーバーコート層８９との間が、接着剤１６を介して接合されている。
表示装置１では、図２に示すシール材１７は、図５に示す第１基板４１の第１面４３ａと、第２基板８１の対向面８３ｂとによって挟持されている。つまり、表示装置１では、有機ＥＬ素子２７及び接着剤１６が、第１基板４１及び第２基板８１並びにシール材１７によって封止されている。なお、シール材１７は、対向面８３ｂ及び共通電極３３の間に設けられていてもよい。この場合、有機ＥＬ素子２７及び接着剤１６は、素子基板１１及び封止基板１３並びにシール材１７によって封止されているとみなされ得る。
【００５２】
ところで、本実施形態では、機能層３１は、図５中の有機ＥＬ素子２７の拡大図である図６に示すように、有機層１０１と、電子注入層１０３と、を含んでいる。
有機層１０１は、画素電極２９の表示面３側に設けられている。電子注入層１０３は、有機層１０１の表示面３側に設けられている。
有機層１０１は、正孔注入層１０５と、正孔輸送層１０７と、発光層１０９と、中間層１１１と、発光層１１３と、発光層１１７と、を含んでいる。
【００５３】
正孔注入層１０５は、有機材料を含む材料で構成されており、平面視で隔壁７１によって囲まれた領域内で、画素電極２９の表示面３側に設けられている。
正孔注入層１０５の有機材料としては、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体と、ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）等との混合物が採用され得る。正孔注入層１０５の有機材料としては、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやこれらの誘導体なども採用され得る。
【００５４】
正孔輸送層１０７は、有機材料を含む材料で構成されており、正孔注入層１０５の表示面３側に設けられている。正孔輸送層１０７の材料としては、例えば、ＨＴ３２０（出光興産株式会社製）が採用され得る。そして、正孔輸送層１０７は、蒸着技術を活用して、ＨＴ３２０を配置することによって設けられ得る。なお、蒸着技術を活用した材料の配置は、蒸着法と呼ばれる。本実施形態では、蒸着法で正孔輸送層１０７を、表示領域７（図１）にわたって形成する方法が採用されている。これにより、正孔輸送層１０７は、複数の画素５間にまたがって形成される。このため、隔壁７１の表示面３側にも、正孔輸送層１０７が形成されている。
【００５５】
発光層１０９は、有機材料を含む材料で構成されており、正孔輸送層１０７の表示面３側に設けられている。
発光層１０９の材料としては、導電性を担保するホスト材料に、電子と正孔との結合により発光する機能を有するドーパントを混入したものが採用され得る。そして、本実施形態では、発光層１０９は、蒸着法によって形成されている。
発光層１０９は、Ｒの光を発する層である。Ｒの光を発する発光層１０９の材料としては、例えば、ホスト材料としてのＮＰＢに、ドーパントとしてのＲＤ００１（出光興産株式会社製）を混入した構成が採用され得る。
【００５６】
中間層１１１は、有機材料を含む材料で構成されており、発光層１０９の表示面３側に設けられている。中間層１１１を構成する材料としては、例えば、ＮＰＢなどが採用され得る。
発光層１１３は、有機材料を含む材料で構成されており、中間層１１１の表示面３側に設けられている。
発光層１１３の材料としては、導電性を担保するホスト材料に、電子と正孔との結合により発光する機能を有するドーパントを混入したものが採用され得る。そして、本実施形態では、発光層１１３は、蒸着法によって形成されている。
発光層１１３は、Ｂの光を発する層である。Ｂの光を発する発光層１１３の材料としては、例えば、ホスト材料としてのＢＨ２１５（出光興産株式会社製）に、ドーパントとしてのＢＤ０５２（出光興産株式会社製）を混入した構成が採用され得る。
【００５７】
発光層１１７は、有機材料を含む材料で構成されており、発光層１１３の表示面３側に設けられている。
発光層１１７の材料としては、導電性を担保するホスト材料に、電子と正孔との結合により発光する機能を有するドーパントを混入したものが採用され得る。そして、本実施形態では、発光層１１７は、蒸着法によって形成されている。
発光層１１７は、Ｇの光を発する層である。Ｇの光を発する発光層１１７の材料としては、例えば、Ａｌｑ３に、ドーパントとしてのキナクリドンを混入した構成が採用され得る。
【００５８】
なお、中間層１１１は、電子及び正孔の移動度を調整する機能を有している。中間層１１１によって、発光層１０９、発光層１１３及び発光層１１７のそれぞれにおける発光機能が保たれる。
電子注入層１０３は、発光層１１７の表示面３側に設けられている。電子注入層１０３の材料としては、フッ化リチウム、フッ化カルシウム、酸化マグネシウムなどが採用され得る。本実施形態では、電子注入層１０３の材料として、フッ化リチウムが採用されている。
【００５９】
ところで、本実施形態では、画素５ごとに、有機ＥＬ素子２７は、図５に示すように、カラーフィルター８７Ｒ，８７Ｇ及び８７Ｂのそれぞれに対応している。カラーフィルター８７Ｒに対応する有機ＥＬ素子２７は、有機ＥＬ素子２７Ｒと呼ばれる。同様に、カラーフィルター８７Ｇに対応する有機ＥＬ素子２７が有機ＥＬ素子２７Ｇと呼ばれ、カラーフィルター８７Ｂに対応する有機ＥＬ素子２７が有機ＥＬ素子２７Ｂと呼ばれる。
【００６０】
有機ＥＬ素子２７Ｒは、平面視でカラーフィルター８７Ｒに重なっている。有機ＥＬ素子２７Ｇは、平面視でカラーフィルター８７Ｇに重なっている。有機ＥＬ素子２７Ｂは、平面視でカラーフィルター８７Ｂに重なっている。このため、有機ＥＬ素子２７Ｒとカラーフィルター８７Ｒとは、互いに対応する関係にある。同様に、有機ＥＬ素子２７Ｇとカラーフィルター８７Ｇとが対応関係にあり、有機ＥＬ素子２７Ｂとカラーフィルター８７Ｂとが対応関係にある。
【００６１】
そして、本実施形態では、反射膜６１と共通電極３３との間の距離が、有機ＥＬ素子２７Ｒ，２７Ｇ及び２７Ｂの間で相互に異なる距離に設定されている。
有機ＥＬ素子２７Ｒでは、反射膜６１と共通電極３３との間の距離が、Ｄ１の距離に設定されている。有機ＥＬ素子２７Ｇでは、反射膜６１と共通電極３３との間の距離が、Ｄ２の距離に設定されている。有機ＥＬ素子２７Ｂでは、反射膜６１と共通電極３３との間の距離が、Ｄ３の距離に設定されている。
本実施形態では、Ｄ１と、Ｄ２と、Ｄ３とは、Ｄ１＞Ｄ２＞Ｄ３の関係を満たしている。
そして、本実施形態では、Ｄ１＞Ｄ２＞Ｄ３の関係は、画素電極２９の厚みを有機ＥＬ素子２７Ｒ，２７Ｇ及び２７Ｂの間で相互に異なる厚みに設定することによって実現されている。
【００６２】
表示装置１では、画素電極２９を陽極とし、共通電極３３を陰極として、画素電極２９と共通電極３３との間に電圧を印加すると、有機層１０１（図６）を電流が流れる。このとき、発光層１０９、発光層１１３及び発光層１１７のそれぞれにおいて発光現象が発現する。このとき、有機層１０１からの光には、発光層１０９からのＲの光と、発光層１１３からのＢの光と、発光層１１７からのＧの光と、が含まれている。
【００６３】
有機層１０１から共通電極３３側に向かう光の一部は、共通電極３３を透過してカラーフィルター８７（図５）に入射する。
また、有機層１０１から画素電極２９側に向かう光の一部は、画素電極２９を透過してから、反射膜６１で共通電極３３側に反射する。反射膜６１で反射して共通電極３３側に向かう光の一部は、共通電極３３を透過してカラーフィルター８７に入射する。
有機層１０１からカラーフィルター８７に入射する光は、カラーフィルター８７Ｒ，８７Ｇ及び８７Ｂのそれぞれに対応した色の光として、第２基板８１から表示面３側に射出される。
【００６４】
有機層１０１から共通電極３３側に向かう光の残りの一部は、共通電極３３で反射して、画素電極２９側に向かう。共通電極３３で反射して画素電極２９側に向かう光の一部は、画素電極２９を透過してから、反射膜６１で共通電極３３側に反射する。
このとき、有機ＥＬ素子２７Ｒでは、反射膜６１で共通電極３３側に反射する光のうちでＲの光が共振現象によって強められる。有機ＥＬ素子２７Ｇでは、反射膜６１で共通電極３３側に反射する光のうちでＧの光が共振現象によって強められる。また、有機ＥＬ素子２７Ｂでは、反射膜６１で共通電極３３側に反射する光のうちでＢの光が共振現象によって強められる。
【００６５】
本実施形態では、有機ＥＬ素子２７Ｒ（図５）において、共通電極３３と反射膜６１との間の距離が、Ｒの光を強めるＤ１の距離に設定されている。また、有機ＥＬ素子２７Ｇでは、共通電極３３と反射膜６１との間の距離が、Ｇの光を強めるＤ２の距離に設定されている。有機ＥＬ素子２７Ｂでは、共通電極３３と反射膜６１との間の距離が、Ｂの光を強めるＤ３の距離に設定されている。
これらのＤ１、Ｄ２及びＤ３の距離の設定により、画素５Ｒ，５Ｇ及び５Ｂのそれぞれにおいて、光の色純度が高められる。これにより、表示装置１の表示における表示品位の向上が図られる。
【００６６】
ところで、本実施形態では、正孔注入層１０５は、図７に示すように、共通電極３３側の表面に、底面１２１と、湾曲面１２３と、を有している。
底面１２１は、平面視で、画素電極２９の電極面１２５に重なっている。電極面１２５は、平面に形成されている。
湾曲面１２３は、底面１２１につながっている。湾曲面１２３は、底面１２１から、隔壁７１の壁面１２７にかかっている。湾曲面１２３は、電極面１２５と壁面１２７との交線１２８に対面している。本実施形態では、湾曲面１２３は、平面視で交線１２８に重なっている。湾曲面１２３は、交線１２８に向かって凹となる方向に湾曲している。
【００６７】
本実施形態では、正孔注入層１０５は、図６に示すように、有機層１０１に含まれる複数の層において、画素電極２９側から共通電極３３側に向かって順に数えていったときの第１層目に相当する。第２層目の正孔輸送層１０７を含め、正孔輸送層１０７から表示面３側の各層には、正孔注入層１０５の湾曲面１２３（図７）の形状が反映されている。
この結果、共通電極３３は、図６に示すように、湾曲部１２９を有している。
本実施形態では、正孔注入層１０５において、湾曲面１２３の湾曲の程度が規定されている。湾曲面１２３の湾曲の程度は、図７中のＦ部の拡大図である図８に示すように、角度θによって規定されている。
【００６８】
角度θは、面１３１と線１３３との間の角度である。
面１３１は、電極面１２５に平行な面である。面１３１は、電極面１２５に平行な面を、電極面１２５の法線１３５に沿って正孔注入層１０５の底面１２１まで移動させたときの仮想的な面である。
ここで、面１３１と湾曲面１２３との交点を第１点１３７とし、面１３１と壁面１２７との交点を第２点１３９とし、第１点１３７と第２点１３９との中点を第３点１４１とする。また、第３点１４１を通る法線１３５と湾曲面１２３との交点を第４点１４３とする。
そして、第１点１３７と第４点１４３とを結ぶ線が線１３３である。
【００６９】
本実施形態では、角度θは、５０度以下に設定されている。これにより、共通電極３３が、湾曲部１２９（図６）で途切れてしまうことを低く抑えることができる。
ここで、表示装置１の製造方法について説明する。
表示装置１の製造方法は、素子基板１１を製造する工程と、封止基板１３を製造する工程と、表示装置１を組み立てる工程と、に大別される。
【００７０】
素子基板１１を製造する工程では、図９（ａ）に示すように、まず、第１基板４１の第１面４３ａに駆動素子層１５１を形成する。この駆動素子層１５１には、前述した選択トランジスター２１（図４）、駆動トランジスター２３、容量素子２５（図４）、電源線ＰＷ（図４）、反射膜６１、画素電極２９、ゲート絶縁膜４４、絶縁膜４５、絶縁膜４７などが含まれている。
【００７１】
次いで、図９（ｂ）に示すように、平面視で画素電極２９の周縁及び絶縁膜４７に重なる領域（図５に示す領域７２）に隔壁７１を形成する。
隔壁７１の形成では、まず、感光性を有するアクリル系の樹脂で、平面視で画素電極２９及び絶縁膜４７を覆う樹脂膜を形成する。この樹脂膜の形成では、スピンコート技術や印刷技術などが活用され得る。
次いで、この樹脂膜にプレベーク処理を施す。プレベーク処理の条件としては、例えば、温度範囲を７０℃〜９０℃とし、処理時間を１分〜３分とする条件が採用され得る。
次いで、例えばフォトリソグラフィー技術を活用することによって、樹脂膜をパターニングする。
次いで、パターニングした樹脂にポストベーク処理を施す。ポストベーク処理の条件としては、例えば、温度範囲を１１０℃〜１７０℃とし、処理時間を１分〜３分とする条件が採用され得る。
次いで、ポストベーク処理を施した樹脂にベーク処理を施す。ベーク処理の条件としては、例えば、温度範囲を２１０℃〜２５０℃とし、処理時間を２０分〜４０分とする条件が採用され得る。これにより、隔壁７１が形成され得る。
なお、駆動素子層１５１から隔壁７１までの構成が形成された第１基板４１は、以下において基板１５３と呼ばれる。
【００７２】
隔壁７１の形成に次いで、図１０（ａ）に示すように、基板１５３に酸素プラズマ処理を施す。これにより、画素電極２９に、後述する液状体１０５ａに対する親液性が付与される。
次いで、図１０（ｂ）に示すように、基板１５３にＣＦ4プラズマ処理を施す。これにより、隔壁７１に、後述する液状体１０５ａに対する撥液性が付与される。
【００７３】
次いで、図１１（ａ）に示すように、隔壁７１によって囲まれた各領域（図５に示す発光領域７３）内に液状体１０５ａを配置する。液状体１０５ａには、正孔注入層１０５を構成する有機材料が含まれている。
液状体１０５ａの配置には、液滴吐出ヘッド１５５を利用したインクジェット法が活用され得る。インクジェット法では、液状体１０５ａが液滴１０５ｂとして吐出される。
液滴吐出ヘッド１５５から液状体１０５ａなどを液滴１０５ｂとして吐出する技術は、インクジェット技術と呼ばれる。そして、インクジェット技術を活用して液状体１０５ａなどを所定の位置に配置する方法は、インクジェット法と呼ばれる。このインクジェット法は、塗布法の１つである。
【００７４】
隔壁７１によって囲まれた領域内に配置された液状体１０５ａを減圧乾燥法で乾燥させることによって、図１１（ｂ）に示す正孔注入層１０５が形成され得る。このとき、正孔注入層１０５には、図７に示すように、底面１２１と、湾曲面１２３とが形成され得る。
なお、正孔注入層１０５を構成する有機材料が含まれた液状体１０５ａは、ＰＥＤＯＴとＰＳＳとの混合物を、溶媒に溶解させた構成が採用され得る。溶媒としては、例えば、ジエチレングリコール、イソプロピルアルコール、ノルマルブタノールなどが採用され得る。
なお、減圧乾燥法は、減圧環境下で行う乾燥方法であり、真空乾燥法とも呼ばれる。本実施形態では、減圧乾燥法による乾燥（以下、減圧乾燥と呼ぶ）において、ドライポンプとターボ分子ポンプとが減圧に併用される。
【００７５】
正孔注入層１０５の形成に次いで、図６に示すように、正孔注入層１０５の表示面３側に正孔輸送層１０７を形成する。正孔輸送層１０７は、正孔輸送層１０７の材料を蒸着法で配置することによって形成される。
次いで、正孔輸送層１０７の表示面３側に発光層１０９を蒸着法で形成する。
同様に、中間層１１１、発光層１１３、発光層１１７、及び電子注入層１０３のそれぞれを、蒸着法で形成することによって、機能層３１が形成される。
【００７６】
次いで、図６に示すように、電子注入層１０３の表示面３側において、電子注入層１０３と隔壁７１とが重なる領域に補助電極７５を形成する。補助電極７５の形成では、例えばスパッタリング技術や真空蒸着技術などの成膜技術や、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術などのパターニング技術が活用され得る。
次いで、電子注入層１０３及び補助電極７５の表示面３側に、共通電極３３を形成する。共通電極３３の形成では、例えばスパッタリング技術や真空蒸着技術などの成膜技術が活用され得る。本実施形態では、真空蒸着技術を活用することにより、電子注入層１０３及び補助電極７５の表示面３側にＭｇＡｇの膜を形成する。これにより、共通電極３３が形成され得る。
上記の方法により、素子基板１１が製造され得る。
【００７７】
封止基板１３を製造する工程では、図５に示すように、まず、第２基板８１の対向面８３ｂに、遮光層８５を、平面視で格子状に形成する。遮光層８５は、カーボンブラックやクロムなどを含有する樹脂膜を形成してから、この樹脂膜を、例えば、フォトリソグラフィー技術を活用してパターニングすることによって形成され得る。
【００７８】
次いで、遮光層８５によって囲まれる各フィルター領域９３内に、カラーフィルター８７を形成する。カラーフィルター８７は、Ｒ、Ｇ及びＢの各光に対応する着色剤が含有された樹脂を、各フィルター領域９３内に配置することによって形成され得る。なお、各フィルター領域９３内への樹脂の配置は、例えば、インクジェット技術や蒸着技術を活用することにより行われ得る。
次いで、遮光層８５及びカラーフィルター８７上にオーバーコート層８９を形成する。オーバーコート層８９は、例えばスピンコート技術を活用して、光透過性を有する樹脂で形成され得る。
上記の方法により、封止基板１３が製造され得る。
【００７９】
表示装置１を組み立てる工程では、図２に示すように、素子基板１１及び封止基板１３を、接着剤１６及びシール材１７を介して接合する。
このとき、素子基板１１及び封止基板１３は、図５に示すように、第１基板４１の第１面４３ａと、封止基板１３の対向面８３ｂとが向き合った状態で接合される。これにより、表示装置１が製造され得る。
【００８０】
本実施形態において、画素電極２９が第１電極に対応し、共通電極３３が第２電極に対応し、ドライポンプが第１のポンプに対応し、ターボ分子ポンプが第２のポンプに対応している。また、正孔注入層１０５の形成が塗布層形成工程に対応し、減圧乾燥による液状体１０５ａの乾燥が層形成工程における乾燥工程に対応している。また、正孔輸送層１０７、発光層１０９、中間層１１１、発光層１１３及び発光層１１７の形成が蒸着層形成工程に対応している。
本実施形態では、図８に示す角度θが５０度以下に設定されている。これにより、共通電極３３が、湾曲部１２９（図６）で途切れてしまうことを低く抑えることができる。この結果、表示装置１の表示における表示品位を向上させやすくすることができる。
【００８１】
また、本実施形態では、有機層１０１を構成する各層のうち、底面１５側から数えて１層目である正孔注入層１０５が、塗布法で形成されている。
例えば、１層目を蒸着法で形成し、２層目を塗布法で形成しても共通電極３３に湾曲部１２９を形成することができる。しかしながら、１層目を蒸着法で形成し、２層目を塗布法で形成する場合、２層目の有機材料を含む液状体における溶媒が、１層目を溶解してしまうことがある。この結果、表示品位が損なわれることがある。
これに対し、１層目を塗布法で形成する本実施形態では、１層目及び２層目が互いに損傷しあうことを低く抑えることができる。この点で、１層目を塗布法で形成することは好ましい。
【００８２】
ここで、実施例及び比較例について説明する。
以下に説明する実施例及び比較例では、それぞれ、図９（ｂ）に示す基板１５３として、２種類の試料が用いられている。２種類の試料は、図１２に示すように、隔壁７１と画素電極２９との間の角度θ２の値が互いに異なっている。角度θ２として、５０度と、６０度との２種類が採用されている。
以下において、角度θ２が５０度である基板１５３は、基板１５３ａと呼ばれる。また、角度θ２が６０度である基板１５３は、基板１５３ｂと呼ばれる。
なお、基板１５３ａと基板１５３ｂとは、前述した隔壁７１の形成において、ポストベーク処理の条件が異なっている。
基板１５３ａでは、ポストベーク処理の条件として、処理温度を１６０℃とし、処理時間を約２分間とした。
基板１５３ｂでは、ポストベーク処理の条件として、処理温度を１２０℃とし、処理時間を約２分間とした。
ポストベーク処理の条件を異ならせることにより、基板１５３ａと基板１５３ｂとで、角度θ２の値を異ならせることができる。
【００８３】
（実施例１）
角度θ２が５０度である基板１５３ａに、酸素プラズマ処理、ＣＦ4プラズマ処理を施した。これらの処理の順序及び条件は、前述した順序及び条件と同等にした。
次に、この基板１５３ａに、正孔注入層１０５を形成した。この実施例では、正孔注入層１０５の形成に、インクジェット法と減圧乾燥法を活用した。正孔注入層１０５の形成は、前述した方法が採用されている。
次に、この基板に、正孔輸送層１０７、発光層１０９、中間層１１１、発光層１１３、発光層１１７、及び電子注入層１０３のそれぞれを、順次に蒸着法で形成した。
【００８４】
次に、この基板に補助電極７５及び共通電極３３を順次に形成することによって、素子基板１１を形成した。
次に、この素子基板１１と封止基板１３とを、接着剤１６及びシール材１７を介して接合することによって、表示装置１を組み立てた。以下において、この実施例における表示装置１は、試料１と呼ばれる。
【００８５】
ここで、正孔注入層１０５の形成における減圧乾燥では、図１３に示す乾燥装置１６１を使用した。乾燥装置１６１は、処理室１６３と、ターボ分子ポンプ１６５と、ドライポンプ１６７と、バルブ１６９と、バルブ１７１と、バルブ１７３と、排気系統１７５と、排気系統１７７と、を有している。
排気系統１７５は、処理室１６３からバルブ１６９を経てドライポンプ１６７に至っている。バルブ１６９は、排気系統１７５において、処理室１６３とドライポンプ１６７との間に設けられている。
排気系統１７７は、処理室１６３からバルブ１７１、ターボ分子ポンプ１６５及びバルブ１７３をこの順に経てドライポンプ１６７に至っている。バルブ１７１は、排気系統１７７において、処理室１６３とターボ分子ポンプ１６５との間に設けられている。バルブ１７３は、排気系統１７７において、ターボ分子ポンプ１６５とドライポンプ１６７との間に設けられている。
【００８６】
試料１では、正孔注入層１０５の形成における減圧乾燥の減圧に、ドライポンプ１６７とターボ分子ポンプ１６５とを併用した。
試料１では、減圧乾燥の条件として、以下に記す減圧条件が採用されている。
試料１では、バルブ１６９を開状態とし、バルブ１７１及びバルブ１７３を閉状態として、１０5Ｐａから約５０Ｐａまでの減圧を、ドライポンプ１６７を用いて約０．８分間で行った。そして、約５０Ｐａまで減圧したときに、バルブ１６９を閉状態とし、バルブ１７１及びバルブ１７３を開状態として、ドライポンプ１６７での排気とターボ分子ポンプ１６５での排気とを併用して、約０．１Ｐａまでの減圧を約１．５分間で行った。
以下において、この減圧乾燥の条件は、乾燥条件１と呼ばれる。この実施例では、この乾燥条件１を採用することによって正孔注入層１０５の形成を行った。
【００８７】
（実施例２）
角度θ２が５０度である基板１５３ａに、酸素プラズマ処理、ＣＦ4プラズマ処理を施した。これらの処理の順序及び条件は、前述した順序及び条件と同等にした。
次に、この基板１５３ａに、正孔注入層１０５を形成した。この実施例では、正孔注入層１０５の形成に、インクジェット法と減圧乾燥法を活用した。正孔注入層１０５の形成は、前述した方法が採用されている。
次に、この基板に、正孔輸送層１０７、発光層１０９、中間層１１１、発光層１１３、発光層１１７、及び電子注入層１０３のそれぞれを、順次に蒸着法で形成した。
【００８８】
次に、この基板に補助電極７５及び共通電極３３を順次に形成することによって、素子基板１１を形成した。
次に、この素子基板１１と封止基板１３とを、接着剤１６及びシール材１７を介して接合することによって、表示装置１を組み立てた。以下において、この実施例における表示装置１は、試料２と呼ばれる。
【００８９】
試料２では、正孔注入層１０５の形成における減圧乾燥の減圧に、ドライポンプ１６７とターボ分子ポンプ１６５とを併用した。
試料２では、減圧乾燥の条件として、以下に記す減圧条件が採用されている。
試料２では、バルブ１６９を開状態とし、バルブ１７１及びバルブ１７３を閉状態として、１０5Ｐａから約１０3Ｐａまでの減圧を、ドライポンプ１６７を用いて約１分間で行った。そして、約１０3Ｐａまで減圧したときに、バルブ１６９を閉状態とし、バルブ１７１及びバルブ１７３を開状態として、ドライポンプ１６７での排気とターボ分子ポンプ１６５での排気とを併用して、約０．１Ｐａまでの減圧を約０．３分間で行った。
以下において、この減圧乾燥の条件は、乾燥条件２と呼ばれる。この実施例では、この乾燥条件２を採用することによって正孔注入層１０５の形成を行った。
【００９０】
（実施例３）
角度θ２が６０度である基板１５３ｂに、酸素プラズマ処理、ＣＦ4プラズマ処理を施した。これらの処理の順序及び条件は、前述した順序及び条件と同等にした。
次に、この基板１５３ｂに、正孔注入層１０５を形成した。この実施例では、正孔注入層１０５の形成に、インクジェット法と減圧乾燥法を活用した。正孔注入層１０５の形成は、前述した方法が採用されている。
次に、この基板に、正孔輸送層１０７、発光層１０９、中間層１１１、発光層１１３、発光層１１７、及び電子注入層１０３のそれぞれを、順次に蒸着法で形成した。
【００９１】
次に、この基板に補助電極７５及び共通電極３３を順次に形成することによって、素子基板１１を形成した。
次に、この素子基板１１と封止基板１３とを、接着剤１６及びシール材１７を介して接合することによって、表示装置１を組み立てた。以下において、この実施例における表示装置１は、試料３と呼ばれる。
【００９２】
試料３では、正孔注入層１０５の形成における減圧乾燥の減圧に、ドライポンプ１６７とターボ分子ポンプ１６５とを併用した。
また、減圧乾燥の条件として、上述した乾燥条件２を採用した。この実施例では、この乾燥条件２を採用することによって正孔注入層１０５の形成を行った。
【００９３】
（比較例１）
角度θ２が５０度である基板１５３ａに、酸素プラズマ処理、ＣＦ4プラズマ処理を施した。これらの処理の順序及び条件は、前述した順序及び条件と同等にした。
次に、この基板１５３ａに、正孔注入層１０５を形成した。この比較例では、正孔注入層１０５の形成に、インクジェット法と減圧乾燥法を活用した。正孔注入層１０５の形成は、前述した方法が採用されている。
次に、この基板に、正孔輸送層１０７、発光層１０９、中間層１１１、発光層１１３、発光層１１７、及び電子注入層１０３のそれぞれを、順次に蒸着法で形成した。
【００９４】
次に、この基板に補助電極７５及び共通電極３３を順次に形成することによって、素子基板１１を形成した。
次に、この素子基板１１と封止基板１３とを、接着剤１６及びシール材１７を介して接合することによって、表示装置１を組み立てた。以下において、この比較例における表示装置１は、試料４と呼ばれる。
【００９５】
試料４では、正孔注入層１０５の形成における減圧乾燥の減圧に、ドライポンプ１６７だけを使用した。
試料４では、減圧乾燥の条件として、以下に記す減圧条件が採用されている。
試料４では、バルブ１６９を開状態とし、バルブ１７１及びバルブ１７３を閉状態として、１０5Ｐａから約２Ｐａまでの減圧を、ドライポンプ１６７を用いて約１０分間で達成した。
以下において、この減圧乾燥の条件は、乾燥条件３と呼ばれる。この比較例では、この乾燥条件３を採用することによって正孔注入層１０５の形成を行った。
【００９６】
（比較例２）
角度θ２が５０度である基板１５３ａに、正孔注入層１０５を形成した。この比較例では、正孔注入層１０５の形成に、蒸着法を活用した。なお、正孔注入層１０５の材料として、ＨＩ４０６（出光興産株式会社製）を採用した。
次に、この基板に、正孔輸送層１０７、発光層１０９、中間層１１１、発光層１１３、発光層１１７、及び電子注入層１０３のそれぞれを、順次に蒸着法で形成した。
【００９７】
次に、この基板に補助電極７５及び共通電極３３を順次に形成することによって、素子基板１１を形成した。
次に、この素子基板１１と封止基板１３とを、接着剤１６及びシール材１７を介して接合することによって、表示装置１を組み立てた。以下において、この比較例における表示装置１は、試料５と呼ばれる。
【００９８】
（比較例３）
角度θ２が６０度である基板１５３ｂに、正孔注入層１０５を形成した。この比較例では、正孔注入層１０５の形成に、蒸着法を活用した。なお、正孔注入層１０５の材料として、ＨＩ４０６（出光興産株式会社製）を採用した。
次に、この基板に、正孔輸送層１０７、発光層１０９、中間層１１１、発光層１１３、発光層１１７、及び電子注入層１０３のそれぞれを、順次に蒸着法で形成した。
【００９９】
次に、この基板に補助電極７５及び共通電極３３を順次に形成することによって、素子基板１１を形成した。
次に、この素子基板１１と封止基板１３とを、接着剤１６及びシール材１７を介して接合することによって、表示装置１を組み立てた。以下において、この比較例における表示装置１は、試料６と呼ばれる。
【０１００】
実施例１〜実施例３及び比較例１〜比較例３のそれぞれにおいて、角度θの測定結果と不良の発生結果とを下記表１に示す。
なお、所定の発光輝度が得られなかった画素５を暗点としたときの暗点の発生個数を、不良の発生結果として採用した。この結果は、暗点の発生個数が多いほど、不良の発生が多いことを示している。
【０１０１】
【表１】
実施例１〜実施例３及び比較例１〜比較例３の結果から、角度θの値が５０度以下であると、不良の発生を低く抑えやすくすることができることがわかる。
なお、比較例１の試料４においては、角度θを特定することができなかった。これは、試料４において、正孔注入層１０５が、図１４に示すように、交線１２８に平面的に重なる領域に、表示面３側に向かって凸となる凸部１８１を有しているためである。試料４では、正孔注入層１０５において、図７に示す湾曲面１２３が形成されなかったため、角度θを特定することができなかった。
これに対し、試料１〜試料３では、正孔注入層１０５に湾曲面１２３が形成された。
【０１０２】
上記の表１に示される結果から、角度θの値が３０度以下であると、不良の発生を一層低く抑えやすくすることができることがわかる。
さらに、角度θの値が２０度以下であると、不良の発生を極めて低く抑えやすくすることができることがわかる。
上記の結果から、有機層１０１を構成する各層のうちの少なくとも１つを塗布法で形成することは好ましい。
また、有機層１０１を構成する各層のうちの少なくとも１つを塗布法で形成する場合に、塗布法で形成する層の減圧乾燥では、互いに異なる２種類のポンプを減圧に併用することが好ましい。特に、この場合、減圧乾燥における減圧では、２種類のポンプのうちの１つだけを用いる第１減圧工程と、第１減圧工程の後に２種類のポンプの双方を併用する第２減圧工程とによって減圧することが好ましい。
【０１０３】
上述した乾燥条件１では、ドライポンプを用いて、１０5Ｐａから約５０Ｐａまでの減圧を約０．８分間で行うことが第１減圧工程に相当する。また、乾燥条件１において、約５０Ｐａまで減圧したときにドライポンプでの排気とターボ分子ポンプでの排気とを併用して、約０．１Ｐａまでの減圧を約１．５分間で行うことが第２減圧工程に相当する。
乾燥条件２において、ドライポンプを用いて、１０5Ｐａから約１０3Ｐａまでの減圧を約１分間で行うことが第１減圧工程に相当する。また、乾燥条件２において、約１０3Ｐａまで減圧したときにドライポンプでの排気とターボ分子ポンプでの排気とを併用して、約０．１Ｐａまでの減圧を約０．３分間で行うことが第２減圧工程に相当する。
【０１０４】
なお、本実施形態では、複数の画素５が設定され、画素５ごとに有機ＥＬ素子２７を有する表示装置１を例に説明したが、実施の形態はこれに限定されない。実施の形態としては、有機ＥＬ素子２７を表示領域７にわたって一連した状態で設けた照明装置などの形態もある。このような照明装置では、機能層３１からの光は、表示領域７にわたって面状に射出され得る。このため、このような照明装置は、例えば液晶表示装置などの光源に好適である。
【０１０５】
また、本実施形態では、機能層３１からの光を封止基板１３を介して表示面３から射出するトップエミッション型の有機ＥＬ装置を例に説明したが、有機ＥＬ装置はこれに限定されない。有機ＥＬ装置は、機能層３１からの光を素子基板１１を介して底面１５から射出するボトムエミッション型も採用され得る。
ボトムエミッション型の場合、機能層３１からの光が底面１５から射出されるので、底面１５側に表示面３が設定される。つまり、ボトムエミッション型では、表示装置１の底面１５と表示面３とが入れ替わる。そして、ボトムエミッション型では、底面１５側が上側に対応し、表示面３側が下側に対応する。
【０１０６】
また、ボトムエミッション型の場合には、画素電極２９の材料として、ＩＴＯやインジウム亜鉛酸化物などが採用され得る。また、電子注入層１０３の材料として、カルシウムなどが採用され得る。共通電極３３の材料として、アルミニウムなどが採用され得る。
【０１０７】
上述した表示装置１は、例えば、図１５に示す電子機器５００の表示部５１０に適用され得る。この電子機器５００は、携帯電話機である。この電子機器５００は、操作ボタン５１１を有している。表示部５１０は、操作ボタン５１１で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について表示を行うことができる。この電子機器５００では、表示部５１０に表示装置１が適用されている。表示装置１では、共通電極３３が、湾曲部１２９（図６）で途切れてしまうことを低く抑えることができる。このため、電子機器５００では、表示部５１０において、共通電極３３が途切れてしまうことを低く抑えることができるので、表示部５１０における表示品位を向上させやすくすることができる。
【０１０８】
なお、電子機器５００としては、携帯電話機に限られず、モバイルコンピューター、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーションシステム用の表示機器などの車載機器、オーディオ機器等の種々の電子機器が挙げられる。
【符号の説明】
【０１０９】
１…表示装置、３…表示面、５…画素、７…表示領域、１１…素子基板、１３…封止基板、１５…底面、２７…有機ＥＬ素子、２９…画素電極、３１…機能層、３３…共通電極、４１…第１基板、７１…隔壁、７３…発光領域、８１…第２基板、８７…カラーフィルター、１０１…有機層、１０３…電子注入層、１０５…正孔注入層、１０５ａ…液状体、１０５ｂ…液滴、１０７…正孔輸送層、１０９…発光層、１１１…中間層、１１３…発光層、１１７…発光層、１２１…底面、１２３…湾曲面、１２５…電極面、１２７…壁面、１２８…交線、１２９…湾曲部、１３１…面、１３３…線、１３５…法線、１３７…第１点、１３９…第２点、１４１…第３点、１４３…第４点、１５３…基板、５００…電子機器、５１０…表示部、５１１…操作ボタン、θ…角度。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面を有する第１電極と、
前記第１電極の前記平面側において、前記第１電極の前記平面に対向する第２電極と、
前記第１電極の前記平面よりも前記第２電極側に突出し、且つ、前記平面の少なくとも一部の領域を囲む壁面を有する隔壁と、
前記壁面によって囲まれた領域内において、前記第１電極と前記第２電極との間に介在する有機層と、
を有し、
前記有機層は、発光層を含む複数の層を含んでおり、
前記第２電極は、前記壁面によって囲まれた前記領域内から、少なくとも前記壁面にかけて設けられており、
前記複数の層のうちの少なくとも１つの層は、前記第２電極側の表面において、
平面視で前記平面に重なる底面と、
前記壁面と前記第１電極との交線に対面し、前記交線側に向かって凹となる方向に湾曲した湾曲面と、
を含んでおり、
前記第１電極、前記第２電極、前記隔壁及び前記有機層を、前記平面の法線方向に沿って切断したときの断面において、
前記平面に平行な面を前記法線方向に前記底面まで平行移動させ、
前記面と前記湾曲面との交点を第１点とし、
前記面と前記壁面との交点を第２点とし、
前記第１点と前記第２点との間の中点を第３点とし、
前記第３点を通る前記法線と前記湾曲面との交点を第４点としたときに、
前記第１点と前記第４点とを結んだ線と前記面とがなす角度が、５０度以下である、ことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
第１電極と、
前記第１電極に対向する第２電極と、
前記第１電極よりも前記第２電極側に突出し、且つ、前記第１電極の少なくとも一部の領域を囲む壁面を有する隔壁と、
発光層を含む複数の層を含み、前記壁面によって囲まれた領域内において、前記第１電極と前記第２電極との間に介在する有機層と、
を有する有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記壁面によって囲まれた前記領域内に、前記有機層を、前記複数の層の前記層ごとに形成する有機層形成工程と、
前記有機層形成工程の後に、前記第２電極を形成する工程と、を含み、
前記有機層形成工程は、
前記複数の層のうちの一部の前記層を、蒸着法で形成する蒸着層形成工程と、
前記複数の層のうちの他の前記層を、塗布法で形成する塗布層形成工程と、を含み、
前記塗布層形成工程は、
前記壁面によって囲まれた領域内に、有機材料を含有する液状体を配置する配置工程と、
前記液状体に含まれる液体の少なくとも一部を除去することにより、前記有機材料で前記層を形成する層形成工程と、
を含み、
前記層形成工程では、前記層形成工程で形成する前記層の前記第１電極側とは反対側の表面において、前記壁面と前記第１電極との交線に対面し、且つ前記交線側に向かって凹となる方向に湾曲する湾曲面を形成する、
ことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項３】
前記層形成工程は、前記液体の少なくとも一部を乾燥させることによって、前記液体の少なくとも一部を除去する乾燥工程を含んでいる、
ことを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項４】
前記乾燥工程は、大気圧よりも低い圧力に減圧された減圧環境下で、前記液体の少なくとも一部を乾燥させる減圧乾燥工程を含んでいる、
ことを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項５】
前記層形成工程では、前記減圧乾燥工程において前記湾曲面を形成する、ことを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項６】
前記減圧乾燥工程は、
第１のポンプを用いて、前記圧力を大気圧よりも低い第１の圧力に減圧する第１減圧工程と、
前記第１減圧工程に続いて、前記第１のポンプと第２のポンプとを併用して、前記第１の圧力を、前記第１の圧力よりも低い第２の圧力に減圧する第２減圧工程と、を含んでいる、
ことを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項７】
前記有機層形成工程では、前記塗布層形成工程の後に前記蒸着層形成工程を実施する、ことを特徴とする請求項２乃至６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１に記載の有機ＥＬ装置を有する、ことを特徴とする電子機器。
【請求項１】
平面を有する第１電極と、
前記第１電極の前記平面側において、前記第１電極の前記平面に対向する第２電極と、
前記第１電極の前記平面よりも前記第２電極側に突出し、且つ、前記平面の少なくとも一部の領域を囲む壁面を有する隔壁と、
前記壁面によって囲まれた領域内において、前記第１電極と前記第２電極との間に介在する有機層と、
を有し、
前記有機層は、発光層を含む複数の層を含んでおり、
前記第２電極は、前記壁面によって囲まれた前記領域内から、少なくとも前記壁面にかけて設けられており、
前記複数の層のうちの少なくとも１つの層は、前記第２電極側の表面において、
平面視で前記平面に重なる底面と、
前記壁面と前記第１電極との交線に対面し、前記交線側に向かって凹となる方向に湾曲した湾曲面と、
を含んでおり、
前記第１電極、前記第２電極、前記隔壁及び前記有機層を、前記平面の法線方向に沿って切断したときの断面において、
前記平面に平行な面を前記法線方向に前記底面まで平行移動させ、
前記面と前記湾曲面との交点を第１点とし、
前記面と前記壁面との交点を第２点とし、
前記第１点と前記第２点との間の中点を第３点とし、
前記第３点を通る前記法線と前記湾曲面との交点を第４点としたときに、
前記第１点と前記第４点とを結んだ線と前記面とがなす角度が、５０度以下である、ことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
第１電極と、
前記第１電極に対向する第２電極と、
前記第１電極よりも前記第２電極側に突出し、且つ、前記第１電極の少なくとも一部の領域を囲む壁面を有する隔壁と、
発光層を含む複数の層を含み、前記壁面によって囲まれた領域内において、前記第１電極と前記第２電極との間に介在する有機層と、
を有する有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記壁面によって囲まれた前記領域内に、前記有機層を、前記複数の層の前記層ごとに形成する有機層形成工程と、
前記有機層形成工程の後に、前記第２電極を形成する工程と、を含み、
前記有機層形成工程は、
前記複数の層のうちの一部の前記層を、蒸着法で形成する蒸着層形成工程と、
前記複数の層のうちの他の前記層を、塗布法で形成する塗布層形成工程と、を含み、
前記塗布層形成工程は、
前記壁面によって囲まれた領域内に、有機材料を含有する液状体を配置する配置工程と、
前記液状体に含まれる液体の少なくとも一部を除去することにより、前記有機材料で前記層を形成する層形成工程と、
を含み、
前記層形成工程では、前記層形成工程で形成する前記層の前記第１電極側とは反対側の表面において、前記壁面と前記第１電極との交線に対面し、且つ前記交線側に向かって凹となる方向に湾曲する湾曲面を形成する、
ことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項３】
前記層形成工程は、前記液体の少なくとも一部を乾燥させることによって、前記液体の少なくとも一部を除去する乾燥工程を含んでいる、
ことを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項４】
前記乾燥工程は、大気圧よりも低い圧力に減圧された減圧環境下で、前記液体の少なくとも一部を乾燥させる減圧乾燥工程を含んでいる、
ことを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項５】
前記層形成工程では、前記減圧乾燥工程において前記湾曲面を形成する、ことを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項６】
前記減圧乾燥工程は、
第１のポンプを用いて、前記圧力を大気圧よりも低い第１の圧力に減圧する第１減圧工程と、
前記第１減圧工程に続いて、前記第１のポンプと第２のポンプとを併用して、前記第１の圧力を、前記第１の圧力よりも低い第２の圧力に減圧する第２減圧工程と、を含んでいる、
ことを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項７】
前記有機層形成工程では、前記塗布層形成工程の後に前記蒸着層形成工程を実施する、ことを特徴とする請求項２乃至６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１に記載の有機ＥＬ装置を有する、ことを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【公開番号】特開２０１０−２３２２６９（Ｐ２０１０−２３２２６９Ａ）
【公開日】平成２２年１０月１４日（２０１０．１０．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−７５９１２（Ｐ２００９−７５９１２）
【出願日】平成２１年３月２６日（２００９．３．２６）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１０月１４日（２０１０．１０．１４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年３月２６日（２００９．３．２６）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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