有機ＥＬ装置の製造方法
【課題】欠陥部を確実に修復しつつ、高い輝度をより長期間維持することができる有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、陽極と、陰極と、陽極および陰極の間に配置された有機発光層とを有する素子基板をエージングする製造方法であり、陽極と陰極の間に第１エージング電圧を印加して素子基板をエージングする第１エージング工程（Ｓ２０３）と、陽極と陰極との間に第２エージング電圧を印加して素子基板をエージングする第２エージング工程（Ｓ２０４）とを備えている。そして、第１エージング電圧の逆バイアス電圧は、有機ＥＬ装置の実駆動電圧の逆バイアス電圧よりも大きく、且つ、第２エージング電圧の順バイアス電圧は、有機ＥＬ装置の実駆動電圧の順バイアス電圧よりも大きく設定されている。
【解決手段】本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、陽極と、陰極と、陽極および陰極の間に配置された有機発光層とを有する素子基板をエージングする製造方法であり、陽極と陰極の間に第１エージング電圧を印加して素子基板をエージングする第１エージング工程（Ｓ２０３）と、陽極と陰極との間に第２エージング電圧を印加して素子基板をエージングする第２エージング工程（Ｓ２０４）とを備えている。そして、第１エージング電圧の逆バイアス電圧は、有機ＥＬ装置の実駆動電圧の逆バイアス電圧よりも大きく、且つ、第２エージング電圧の順バイアス電圧は、有機ＥＬ装置の実駆動電圧の順バイアス電圧よりも大きく設定されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置の製造方法に関し、特にその製造工程におけるエージングの技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＦＰＤ(Flat Panel Display)として有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置が注目されている。有機ＥＬ表示装置は自発光表示素子であり、液晶表示装置と比較して視野角が広く、バックライトが不要なため薄型化が可能である。また、応答速度も速く、有機物が有する発光性の多様性から、次世代の表示装置として期待されている。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置は、画素となる有機ＥＬ素子を複数配置した有機ＥＬ表示素子を備えている。たとえば、パッシブ型の有機ＥＬ表示素子は、ストライプ状に配列された陽極配線と、当該陽極配線に交差するようにストライプ状に配列された陰極配線との交差部の間に有機発光層が挟持された構造となっている。この一つの交差部に、発光素子としての画素が形成されている。有機ＥＬ表示素子は、このような画素がマトリックス状に配列されることにより構成されている。この有機ＥＬ表示素子は、携帯電話機などの表示装置や光源装置などとしての利用が期待されている。
【０００４】
しかしながら、有機ＥＬ表示素子の実用化における問題として、異物の混入、有機発光層の膜厚不均一性などによる素子特性の低下が挙げられる。これらは有機ＥＬ表示装置の輝度ムラ、画素の非発光や非選択画素の発光を引き起こし、表示品質を低下させる。また、これらの不良は有機ＥＬ表示装置の使用とともに拡大し、有機ＥＬ表示素子を表示不良に至らせることもある。従って、有機ＥＬ表示素子は製造段階から高い信頼性レベルが要求されている。
【０００５】
このような有機ＥＬ表示素子を実用に供するのに、初期の発光時における発光特性の変化を取り除くために、数時間から数百時間に亘って発光を行わせ、発光特性の安定化を図る必要がある。この工程はエージングと呼ばれている。
例えば、有機ＥＬ表示素子の陽極配線の全てを、接続線を介して共通配線に短絡し、さらに、全ての陰極配線を、他の接続線を介して別の共通配線に短絡する。このエージング工程において、各共通配線から陽極配線の全てと陰極配線の全ての間に電圧パルスを印加する（たとえば、特許文献１）。
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−１４６２１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載の従来のエージング処理は、異物の混入、有機発光層の膜厚不均一性などの原因に基づく有機ＥＬ表示装置の輝度ムラ、画素の非発光や非選択画素の発光の問題に対しては有効であったが、エージング処理後に輝度が低くなり、高い輝度を長期間維持できず、有機ＥＬ表示装置の寿命が短くなってしまう問題があった。
本発明は、このような問題点を解決するためになされたもので、欠陥部を確実に修復しつつ、高い輝度をより長期間維持することができる有機ＥＬ装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、陽極と、陰極と、陽極および陰極の間に配置された有機発光層とを有する素子基板をエージングする有機ＥＬ装置の製造方法であって、陽極と陰極との間に第１のエージング電圧を印加して素子基板をエージングする第１のエージング工程と、陽極と陰極との間に第２のエージング電圧を印加して素子基板をエージングする第２のエージング工程とを備え、第１のエージング電圧の逆バイアス電圧は、有機ＥＬ装置の実駆動電圧の逆バイアス電圧よりも大きく、且つ、第２のエージング電圧の順バイアス電圧は、有機ＥＬ装置の実駆動電圧の順バイアス電圧よりも大きいことを特徴とするものである。
このようにしたことにより、欠陥部を確実に修復しつつ、高い輝度をより長期間維持することができる。
【０００９】
ここで、第２のエージング工程は、第１のエージングステップの後に行う。また、第２のエージング工程は、素子基板の周囲温度を高温にして行う。このようにすることにより、効率よくエージング処理を行うことができる。
また、第２のエージング工程のエージング時間は、第１のエージング工程のエージング時間よりも短くするとよい。これにより、順バイアス電圧が、有機ＥＬ表示装置の輝度の安定化に必要な時間以上に、長時間にわたり印加されるのを防止できる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、欠陥部を確実に修復しつつ、高い輝度をより長期間維持することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
まず、有機ＥＬ表示装置の構成について、図に基づいて説明する。
図１は、有機ＥＬ表示装置の構成を示す図であって、図１（ａ）は電極が形成される側から基板を観察した状況を示す模式図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＸ−Ｘ切断線における断面図である。なお、図１（ａ）では封止基板８および捕水剤１０を省略している。
【００１２】
図１（ａ）および図１（ｂ）に示されるように、有機ＥＬ素子基板１００は、基板１上に陽極配線２、陰極配線５、有機発光層７、絶縁膜４、陰極隔壁６等が形成されて構成されている。
基板１上に陽極配線２がストライプ状に形成される。基板１には例えばガラス基板が用いられる。陽極配線２の材料には、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）が用いられる。
【００１３】
図１（ａ）および図１（ｂ）に示されるように、陽極配線２上に積層して、開口部３を有する絶縁膜４が形成される。開口部３は、陽極配線２と陰極配線５との交差部に設けられる。図１（ａ）に示されるように、開口部３はマトリクス状に複数配列されており、これら複数の開口部３を囲うように表示領域１００ａが設けられている。
図１（ａ）および図１（ｂ）に示されるように、有機発光層７は陽極配線２上に積層して形成される。なお、有機発光層７は、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等の複数層により形成されるが、図１では、これらの複数層をまとめて有機発光層７として示している。
図１（ｂ）に示されるように、陰極配線５は、有機発光層７上に形成される。
【００１４】
また、図１（ａ）および図１（ｂ）に示されるように、陰極隔壁６が、陽極配線２と直交するように、絶縁膜４上に形成されている。陰極隔壁６が有機発光層７や陰極配線５を分離することにより、陰極隔壁６間に有機発光層７が形成され、ストライプ状にされた陰極配線５が形成される。陰極配線５の材料には、通常はアルミニウムＡｌまたはアルミニウム合金が用いられる。なお、ＡｌやＡｌ合金の他に、Ｌｉ等のアルカリ金属、Ａｇ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｙ、Ｉｎやこれらを含む合金を、陰極配線５の材料に用いてもよい。陽極配線２と陰極配線５の交差部では、陽極配線２は陽極として、陰極配線５は陰極として機能する。
【００１５】
ここで、図１（ａ）および図１（ｂ）に示されるように、陰極隔壁６は、陰極配線５と平行に配設される。陰極隔壁６は、陰極配線５の配線同士が導通しないように、複数の陰極配線５を空間的に分離する役割を担っている。
図１（ｂ）に示されるように、陰極隔壁６の断面形状は逆テーパ形状となっており、陰極隔壁６を逆テーパ形状にすることにより、陰極隔壁６の側壁およびの立ち上がり部分が影となり、製造工程において、複数の陰極配線５を空間的に分離することができる。
【００１６】
図１（ｂ）に示されるように、有機ＥＬ素子基板１００の表面、すなわち基板１の有機発光層７等が配置された面上には、封止基板８が対向するように配置され、基板１上の有機発光層７等が外気と遮断されるように封止されている。図１（ｂ）に示されるように、封止基板８の基板１との対向側の中央部には、凹部８ａが形成されている。
また、図１（ｂ）に示されるように、封止基板８と基板１とは、封止基板８の外周に塗布されたシール材９により貼り合わされる。
基板１上の有機発光層７等は、両基板１、８およびシール材９によって封止されることで、空気中の酸素や水分にさらされないように保たれる。
【００１７】
また、基板１と封止基板８との間の封止空間には、酸素や窒素等の支燃性ガスが封入されている。
図１（ｂ）に示されるように、捕水剤１０が、基板１上に形成された陽極配線２や陰極配線５や有機層７等と隙間を空けて、封止空間内に設けられている。捕水剤１０は、封止基板８に、基板１の表面に対して対向するように取り付けられている。
【００１８】
捕水剤１０は、吸水剤および不活性液体を主成分とする。吸水剤には、例えば、酸化カルシウムＣａＯ、酸化バリウムＢａＯ等のアルカリ土類金属酸化物、ゼオライト、珪藻土等が用いられる。
また、不活性液体には、例えば、不活性潤滑油が用いられる。捕水剤１０に含まれる吸水剤や不活性液体は、それぞれ１種類だけ用いてもよいし、複数種類用いてもよい。
【００１９】
次に、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を図に基づいて説明する。図２は、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法の工程を示すフロー図である。
有機ＥＬ素子基板製造工程（Ｓ２０１）では、基板１の表面に、複数の陽極配線２と、複数の陽極配線２に対して交差して配置された複数の陰極配線５と、陽極配線２および陰極配線５の交差部の間に配置された有機発光層７とを有する有機ＥＬ素子基板１００を製造する。
【００２０】
具体的には、基板１の表面上にＩＴＯを成膜し、感光性樹脂をＩＴＯ上に塗布し、露光、現像、エッチングをして、複数の陽極配線２を形成する。このとき、同時に、複数の陽極配線２の全てを接続する陽極用共通配線（不図示）を形成する。この陽極用共通配線２は、陽極配線２の全てを短絡させるために設け、後述の第１エージング工程（Ｓ２０３）および第２エージング工程（Ｓ２０４）で用いられる。
【００２１】
また、各有機ＥＬ表示素子内の引き回し配線を、フォトリソグラフィ及びエッチングによって形成する。このとき、同時に、この複数の陰極配線５の全てを接続する陰極用共通配線（不図示）を形成する。この陰極用共通配線は、陰極配線５の全てを短絡させるために設け、陽極用共通配線と同様に、後述の第１エージング工程（Ｓ２０３）および第２エージング工程（Ｓ２０４）で用いられる。
【００２２】
次に各有機ＥＬ表示素子内の引き回し配線や陽極配線２などの上に、絶縁膜４を塗布し露光、現像を行って開口部３を形成する。さらに、陰極隔壁６を形成した後、有機発光層７を積層する。最後に、陰極配線５を形成し、陰極配線５を引き回し配線に接続する。このとき、陰極隔壁６が有機発光層７や陰極配線５を分離することにより、陰極隔壁６間に有機発光層７が形成され、ストライプ状にされた陰極配線５が形成される。
【００２３】
有機ＥＬ素子基板製造工程（Ｓ２０１）が終了すると、基板１上に形成された複数のパッシブ型の有機ＥＬ表示素子における各陽極配線２が陽極用共通配線（不図示）に接続され、複数の陽極配線２の全てに陽極用共通配線から同じ信号を供給することができる。また、複数の有機ＥＬ表示素子における各陰極配線５が陰極用共通配線（不図示）に接続され、複数の陰極配線５の全てに、陰極用共通配線から同じ信号を供給することができる。
【００２４】
封止工程（Ｓ２０２）では、有機ＥＬ素子基板製造工程（Ｓ２０１）で基板１上に形成された有機発光層７を空気中の水分から守るために、封止基板８を基板１に対して対向配置し、シール材９によって双方の基板１、８を接合する。このとき、２枚の基板１、８とシール材９により形成された封止空間内に、酸素や窒素等の支燃性ガスを封入する。酸素や窒素等の支燃性ガスを封入することにより、第１エージング工程（Ｓ２０３）や第２エージング工程（Ｓ２０４）の際に、陽極配線２や陰極配線５や有機層７を効率よく燃焼させることができる。
【００２５】
次に、第１エージング工程（Ｓ２０３）、第２エージング工程（Ｓ２０４）を実施する。第１エージング工程（Ｓ２０３）は、陽極配線２と陰極配線５が短絡した欠陥部を破壊し除去する目的を中心に行われ、第２エージング工程（Ｓ２０４）は、有機ＥＬ表示装置の輝度を長期間高く維持できるようにし、当該有機ＥＬ表示装置の寿命を長く保つ目的を中心に行われる。１エージング工程（Ｓ２０３）、第２エージング工程（Ｓ２０４）の詳細については、後述する。第１エージング工程（Ｓ２０３）および第２エージング工程（Ｓ２０４）は、それぞれ工程で行ってもよいし、連続的に行ってもよい。
【００２６】
次に、切断工程（Ｓ２０５）を実施する。表示領域１００ａを囲むように切断線を設定し、切断線に沿って基板１および封止基板８を切断して複数の有機ＥＬ表示素子に分離する。次に光学フイルム貼付工程（Ｓ２０６）で偏光板等の光学フイルムを有機ＥＬ表示素子に貼り付ける。そして、実装工程（Ｓ２０７）で、駆動回路などの周辺回路を各有機ＥＬ表示素子に実装して有機ＥＬ表示装置を得る。
【００２７】
次に、第１エージング工程（Ｓ２０３）および第２エージング工程（Ｓ２０４）について、詳細に説明する。
第１エージング工程（Ｓ２０３）では、全ての陽極配線２が接続されている陽極用共通配線（不図示）と、全ての陰極配線５が接続されている陰極用共通配線（不図示）との間に、エージング用の電圧印加装置を接続し、基板１の周囲温度を室温以上、好ましくは８０℃以上の高温（一定値）に設定して、第１エージング電圧を陽極配線２と陰極配線５との間に印加することにより通電処理を行ない、陽極配線２と陰極配線５が短絡した欠陥部を破壊し除去する。ここで、第１エージング工程（Ｓ２０３）の際に、陽極配線２と陰極配線５との間に印加する第１エージング電圧の逆バイアス電圧は、有機ＥＬ表示装置の実駆動電圧の逆バイアス電圧よりも大きく設定されている。
【００２８】
第２エージング工程（Ｓ２０４）では、基板１の周囲温度を９０℃以上１５０℃以下の高温（一定値）に設定して、第２エージング電圧を陽極配線２と陰極配線５との間に印加することにより、再度、通電処理を行う。ここで、第２エージング工程（Ｓ２０４）の際に、陽極配線２と陰極配線５との間に印加する第２エージング電圧の順バイアス電圧は、有機ＥＬ表示装置の実駆動電圧の順バイアス電圧よりも大きく設定されている。このとき、第２エージング電圧の順バイアス電圧は、有機ＥＬ表示装置の実駆動電圧の順バイアス電圧の４倍以下とするのがよい。また、第２エージング工程（Ｓ２０４）のｄｕｔｙは、有機ＥＬ表示装置の実駆動のdutyの１０倍以下であることが好ましい。第２エージング電圧の順バイアス電圧を大きくし過ぎたり、ｄｕｔｙを必要以上に大きくし過ぎたりすると、陽極配線２や陰極配線５や有機発光層７が必要以上に燃焼してしまい、表示不良の原因となってしまうからである。
【００２９】
なお、第１エージング工程（Ｓ２０３）および第２エージング工程（Ｓ２０４）を行うことにより、欠陥部の陽極配線２や、陰極配線５や、陽極配線２および陰極配線５の交差部の有機発光層７、またはこれらの組合せが、封止空間内に封入された酸素や窒素等の支燃性ガスを用いて燃焼され、また、飛散される。
このように、エージング工程を第１エージング工程（Ｓ２０３）および第２エージング工程（Ｓ２０４）の２段階とし、第１エージング工程（Ｓ２０３）を行うことにより、特に、陽極配線２と陰極配線５が短絡した欠陥部を破壊し除去でき、更に、第２エージング工程（Ｓ２０４）を行うことにより、特に、エージング後の輝度の初期低下を低減することができ、有機ＥＬ表示装置の輝度を長期間高く維持でき、当該有機ＥＬ表示装置の寿命を長く保つことができる。
【００３０】
また、更に、第２エージング工程（Ｓ２０４）でのエージング時間は、第１エージング工程（Ｓ２０３）でのエージング時間よりも短くするとよい。具体的には、第２エージング工程（Ｓ２０４）の電圧印加時間を、第１エージング工程（Ｓ２０３）の電圧印加時間よりも短くする。また、この際、第２エージング電圧の印加時間は３時間未満にする必要がある。このようにすることにより、順バイアス電圧が、有機ＥＬ表示装置の輝度の安定化に必要な時間以上に、長時間にわたり印加されるのを防止できる。
【００３１】
発明者は、実際に、第１エージング工程（Ｓ２０３）および第２エージング工程（Ｓ２０４）を行って製造した有機ＥＬ表示装置と、第２エージング工程（Ｓ２０４）を行わず、第１エージング工程（Ｓ２０３）のみを行って製造した有機ＥＬ表示装置の輝度の経時的変化を評価する試験を行った。
図３は、有機ＥＬ表示装置の実駆動条件、第１および２エージング工程のエージング条件をまとめた図である。図４は、第１および２エージング工程を行った場合と第１エージング工程のみ行った場合の有機ＥＬ表示装置の相対輝度の経時的変化を示す図である。図５は、第１および２エージング工程を行った場合と第１エージング工程のみ行った場合の有機ＥＬ表示装置の駆動電圧の経時的変化を示す図である。
【００３２】
実駆動条件として、逆バイアス電圧をａ、順バイアス電圧をｂ、周波数をｃで表す。なお、ａは０Ｖ〜１５Ｖの範囲、ｂは１０Ｖ〜３０Ｖの範囲、ｃは５０Ｈｚ〜４００Ｈｚの範囲を取り得る。
図３に示されるように、１１０℃の高温環境下で、第１エージング工程（Ｓ２０３）では、ＡＣ−３．５×ａ（Ｖ）/＋０．５×ｂ（Ｖ）（１０％ｄｕｔｙ）、０．２×ｃ（Ｈｚ）の第１エージング電圧を陽極および陰極の間に２時間印加し、第２エージング工程（Ｓ２０４）では、ＡＣ−ａ（Ｖ）/＋１．２×ｂ（Ｖ）（５％ｄｕｔｙ）、ｃ（Ｈｚ）の第２エージング電圧を陽極および陰極の間に０．５時間印加した。
【００３３】
ここで、第１エージング工程（Ｓ２０３）の際に、陽極配線２と陰極配線５との間に印加する第１エージング電圧の逆バイアス電圧は、−３．５×ａ（Ｖ）であり、有機ＥＬ表示装置の実駆動電圧の逆バイアス電圧の−ａ（Ｖ）よりも大きく設定されている。
また、第２エージング工程（Ｓ２０４）の際に、陽極配線２と陰極配線５との間に印加する第２エージング電圧の順バイアス電圧は、＋ｂ（Ｖ）であり、有機ＥＬ表示装置の実駆動電圧の順バイアス電圧の＋１．２×ｂ（Ｖ）よりも大きく設定されている。
【００３４】
図４に示されるように、第１および第２エージング工程（Ｓ２０３、Ｓ２０４）を行った場合における有機ＥＬ表示装置の相対輝度は、第１エージング工程（Ｓ２０３）のみを行った場合よりも、早く減少する傾向にある。また、図４に示されるように、特に、エージング後の初期段階である０時間〜５００時間の間で、第１エージング工程（Ｓ２０３）のみを行った場合の相対輝度が大きく減少している。これに対し、第１および第２エージング工程（Ｓ２０３、Ｓ２０４）を行った場合の相対輝度は比較的滑らかに減少している。従って、第１エージング（Ｓ２０３）に加えて、第２エージング（Ｓ２０４）を行うことにより、エージング後の輝度の初期低下を低減することができる。
【００３５】
なお、図５に示されるように、有機ＥＬ表示装置の駆動電圧は、第１および第２エージング工程（Ｓ２０３、Ｓ２０４）を行った場合と、第１エージング工程（Ｓ２０３）のみを行った場合とを比較すると、ほとんど変わっていないのがわかる。
また、例えば、相対輝度８５％以上に維持できる時間は、第１エージング工程（Ｓ２０３）のみを行った場合には約１２００時間であるのに対し、第１および第２エージング工程（Ｓ２０３、Ｓ２０４）を行った場合には約１５００時間となり、第１および第２エージング工程（Ｓ２０３、Ｓ２０４）を行った場合の方が第１エージング工程（Ｓ２０３）のみを行った場合よりも、高い輝度を長時間維持できることがわかる。
【００３６】
以上のように、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を採用することにより、欠陥部を確実に修復しつつ、エージング後の輝度の初期低下を低減することができ、高い輝度をより長期間維持することができる。
以上の説明は、本発明を実施の形態を説明するものであり、本発明が以上の実施の形態に限定されるものではない。また、当業者であれば、以上の実施の形態の各要素を、本発明の範囲において、容易に変更、追加、変換することが可能である。上記発明の実施態様では、パッシブ型有機ＥＬ表示装置として説明したが、アクティブ型有機ＥＬ表示装置にも本発明を適用できる。また、上記発明の実施態様では、有機ＥＬ表示装置として説明したが、有機ＥＬ照明装置等の表示以外の目的で製造された有機ＥＬ装置にも本発明を適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】有機ＥＬ表示素子の構成を示す図であって、図１（ａ）は電極が形成される側から基板を観察した状況を示す模式図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＸ−Ｘ切断線における断面図である。
【図２】本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法の工程を示すフロー図である。
【図３】有機ＥＬ表示装置の実駆動条件、第１および２エージング工程のエージング条件をまとめた図である。
【図４】第１および２エージング工程を行った場合と第１エージング工程のみ行った場合の有機ＥＬ表示装置の相対輝度の経時的変化を示す図である。
【図５】第１および２エージング工程を行った場合と第１エージング工程のみ行った場合の有機ＥＬ表示装置の駆動電圧の経時的変化を示す図である。
【符号の説明】
【００３８】
１ 基板
２ 陽極配線
３ 開口部
４ 絶縁膜
５ 陰極配線
６ 陰極隔壁
７ 有機発光層
８ 封止基板
９ シール材
１０ 捕水剤
１００ 有機ＥＬ素子基板
１００ａ 表示領域
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置の製造方法に関し、特にその製造工程におけるエージングの技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＦＰＤ(Flat Panel Display)として有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置が注目されている。有機ＥＬ表示装置は自発光表示素子であり、液晶表示装置と比較して視野角が広く、バックライトが不要なため薄型化が可能である。また、応答速度も速く、有機物が有する発光性の多様性から、次世代の表示装置として期待されている。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置は、画素となる有機ＥＬ素子を複数配置した有機ＥＬ表示素子を備えている。たとえば、パッシブ型の有機ＥＬ表示素子は、ストライプ状に配列された陽極配線と、当該陽極配線に交差するようにストライプ状に配列された陰極配線との交差部の間に有機発光層が挟持された構造となっている。この一つの交差部に、発光素子としての画素が形成されている。有機ＥＬ表示素子は、このような画素がマトリックス状に配列されることにより構成されている。この有機ＥＬ表示素子は、携帯電話機などの表示装置や光源装置などとしての利用が期待されている。
【０００４】
しかしながら、有機ＥＬ表示素子の実用化における問題として、異物の混入、有機発光層の膜厚不均一性などによる素子特性の低下が挙げられる。これらは有機ＥＬ表示装置の輝度ムラ、画素の非発光や非選択画素の発光を引き起こし、表示品質を低下させる。また、これらの不良は有機ＥＬ表示装置の使用とともに拡大し、有機ＥＬ表示素子を表示不良に至らせることもある。従って、有機ＥＬ表示素子は製造段階から高い信頼性レベルが要求されている。
【０００５】
このような有機ＥＬ表示素子を実用に供するのに、初期の発光時における発光特性の変化を取り除くために、数時間から数百時間に亘って発光を行わせ、発光特性の安定化を図る必要がある。この工程はエージングと呼ばれている。
例えば、有機ＥＬ表示素子の陽極配線の全てを、接続線を介して共通配線に短絡し、さらに、全ての陰極配線を、他の接続線を介して別の共通配線に短絡する。このエージング工程において、各共通配線から陽極配線の全てと陰極配線の全ての間に電圧パルスを印加する（たとえば、特許文献１）。
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−１４６２１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載の従来のエージング処理は、異物の混入、有機発光層の膜厚不均一性などの原因に基づく有機ＥＬ表示装置の輝度ムラ、画素の非発光や非選択画素の発光の問題に対しては有効であったが、エージング処理後に輝度が低くなり、高い輝度を長期間維持できず、有機ＥＬ表示装置の寿命が短くなってしまう問題があった。
本発明は、このような問題点を解決するためになされたもので、欠陥部を確実に修復しつつ、高い輝度をより長期間維持することができる有機ＥＬ装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、陽極と、陰極と、陽極および陰極の間に配置された有機発光層とを有する素子基板をエージングする有機ＥＬ装置の製造方法であって、陽極と陰極との間に第１のエージング電圧を印加して素子基板をエージングする第１のエージング工程と、陽極と陰極との間に第２のエージング電圧を印加して素子基板をエージングする第２のエージング工程とを備え、第１のエージング電圧の逆バイアス電圧は、有機ＥＬ装置の実駆動電圧の逆バイアス電圧よりも大きく、且つ、第２のエージング電圧の順バイアス電圧は、有機ＥＬ装置の実駆動電圧の順バイアス電圧よりも大きいことを特徴とするものである。
このようにしたことにより、欠陥部を確実に修復しつつ、高い輝度をより長期間維持することができる。
【０００９】
ここで、第２のエージング工程は、第１のエージングステップの後に行う。また、第２のエージング工程は、素子基板の周囲温度を高温にして行う。このようにすることにより、効率よくエージング処理を行うことができる。
また、第２のエージング工程のエージング時間は、第１のエージング工程のエージング時間よりも短くするとよい。これにより、順バイアス電圧が、有機ＥＬ表示装置の輝度の安定化に必要な時間以上に、長時間にわたり印加されるのを防止できる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、欠陥部を確実に修復しつつ、高い輝度をより長期間維持することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
まず、有機ＥＬ表示装置の構成について、図に基づいて説明する。
図１は、有機ＥＬ表示装置の構成を示す図であって、図１（ａ）は電極が形成される側から基板を観察した状況を示す模式図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＸ−Ｘ切断線における断面図である。なお、図１（ａ）では封止基板８および捕水剤１０を省略している。
【００１２】
図１（ａ）および図１（ｂ）に示されるように、有機ＥＬ素子基板１００は、基板１上に陽極配線２、陰極配線５、有機発光層７、絶縁膜４、陰極隔壁６等が形成されて構成されている。
基板１上に陽極配線２がストライプ状に形成される。基板１には例えばガラス基板が用いられる。陽極配線２の材料には、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）が用いられる。
【００１３】
図１（ａ）および図１（ｂ）に示されるように、陽極配線２上に積層して、開口部３を有する絶縁膜４が形成される。開口部３は、陽極配線２と陰極配線５との交差部に設けられる。図１（ａ）に示されるように、開口部３はマトリクス状に複数配列されており、これら複数の開口部３を囲うように表示領域１００ａが設けられている。
図１（ａ）および図１（ｂ）に示されるように、有機発光層７は陽極配線２上に積層して形成される。なお、有機発光層７は、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等の複数層により形成されるが、図１では、これらの複数層をまとめて有機発光層７として示している。
図１（ｂ）に示されるように、陰極配線５は、有機発光層７上に形成される。
【００１４】
また、図１（ａ）および図１（ｂ）に示されるように、陰極隔壁６が、陽極配線２と直交するように、絶縁膜４上に形成されている。陰極隔壁６が有機発光層７や陰極配線５を分離することにより、陰極隔壁６間に有機発光層７が形成され、ストライプ状にされた陰極配線５が形成される。陰極配線５の材料には、通常はアルミニウムＡｌまたはアルミニウム合金が用いられる。なお、ＡｌやＡｌ合金の他に、Ｌｉ等のアルカリ金属、Ａｇ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｙ、Ｉｎやこれらを含む合金を、陰極配線５の材料に用いてもよい。陽極配線２と陰極配線５の交差部では、陽極配線２は陽極として、陰極配線５は陰極として機能する。
【００１５】
ここで、図１（ａ）および図１（ｂ）に示されるように、陰極隔壁６は、陰極配線５と平行に配設される。陰極隔壁６は、陰極配線５の配線同士が導通しないように、複数の陰極配線５を空間的に分離する役割を担っている。
図１（ｂ）に示されるように、陰極隔壁６の断面形状は逆テーパ形状となっており、陰極隔壁６を逆テーパ形状にすることにより、陰極隔壁６の側壁およびの立ち上がり部分が影となり、製造工程において、複数の陰極配線５を空間的に分離することができる。
【００１６】
図１（ｂ）に示されるように、有機ＥＬ素子基板１００の表面、すなわち基板１の有機発光層７等が配置された面上には、封止基板８が対向するように配置され、基板１上の有機発光層７等が外気と遮断されるように封止されている。図１（ｂ）に示されるように、封止基板８の基板１との対向側の中央部には、凹部８ａが形成されている。
また、図１（ｂ）に示されるように、封止基板８と基板１とは、封止基板８の外周に塗布されたシール材９により貼り合わされる。
基板１上の有機発光層７等は、両基板１、８およびシール材９によって封止されることで、空気中の酸素や水分にさらされないように保たれる。
【００１７】
また、基板１と封止基板８との間の封止空間には、酸素や窒素等の支燃性ガスが封入されている。
図１（ｂ）に示されるように、捕水剤１０が、基板１上に形成された陽極配線２や陰極配線５や有機層７等と隙間を空けて、封止空間内に設けられている。捕水剤１０は、封止基板８に、基板１の表面に対して対向するように取り付けられている。
【００１８】
捕水剤１０は、吸水剤および不活性液体を主成分とする。吸水剤には、例えば、酸化カルシウムＣａＯ、酸化バリウムＢａＯ等のアルカリ土類金属酸化物、ゼオライト、珪藻土等が用いられる。
また、不活性液体には、例えば、不活性潤滑油が用いられる。捕水剤１０に含まれる吸水剤や不活性液体は、それぞれ１種類だけ用いてもよいし、複数種類用いてもよい。
【００１９】
次に、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を図に基づいて説明する。図２は、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法の工程を示すフロー図である。
有機ＥＬ素子基板製造工程（Ｓ２０１）では、基板１の表面に、複数の陽極配線２と、複数の陽極配線２に対して交差して配置された複数の陰極配線５と、陽極配線２および陰極配線５の交差部の間に配置された有機発光層７とを有する有機ＥＬ素子基板１００を製造する。
【００２０】
具体的には、基板１の表面上にＩＴＯを成膜し、感光性樹脂をＩＴＯ上に塗布し、露光、現像、エッチングをして、複数の陽極配線２を形成する。このとき、同時に、複数の陽極配線２の全てを接続する陽極用共通配線（不図示）を形成する。この陽極用共通配線２は、陽極配線２の全てを短絡させるために設け、後述の第１エージング工程（Ｓ２０３）および第２エージング工程（Ｓ２０４）で用いられる。
【００２１】
また、各有機ＥＬ表示素子内の引き回し配線を、フォトリソグラフィ及びエッチングによって形成する。このとき、同時に、この複数の陰極配線５の全てを接続する陰極用共通配線（不図示）を形成する。この陰極用共通配線は、陰極配線５の全てを短絡させるために設け、陽極用共通配線と同様に、後述の第１エージング工程（Ｓ２０３）および第２エージング工程（Ｓ２０４）で用いられる。
【００２２】
次に各有機ＥＬ表示素子内の引き回し配線や陽極配線２などの上に、絶縁膜４を塗布し露光、現像を行って開口部３を形成する。さらに、陰極隔壁６を形成した後、有機発光層７を積層する。最後に、陰極配線５を形成し、陰極配線５を引き回し配線に接続する。このとき、陰極隔壁６が有機発光層７や陰極配線５を分離することにより、陰極隔壁６間に有機発光層７が形成され、ストライプ状にされた陰極配線５が形成される。
【００２３】
有機ＥＬ素子基板製造工程（Ｓ２０１）が終了すると、基板１上に形成された複数のパッシブ型の有機ＥＬ表示素子における各陽極配線２が陽極用共通配線（不図示）に接続され、複数の陽極配線２の全てに陽極用共通配線から同じ信号を供給することができる。また、複数の有機ＥＬ表示素子における各陰極配線５が陰極用共通配線（不図示）に接続され、複数の陰極配線５の全てに、陰極用共通配線から同じ信号を供給することができる。
【００２４】
封止工程（Ｓ２０２）では、有機ＥＬ素子基板製造工程（Ｓ２０１）で基板１上に形成された有機発光層７を空気中の水分から守るために、封止基板８を基板１に対して対向配置し、シール材９によって双方の基板１、８を接合する。このとき、２枚の基板１、８とシール材９により形成された封止空間内に、酸素や窒素等の支燃性ガスを封入する。酸素や窒素等の支燃性ガスを封入することにより、第１エージング工程（Ｓ２０３）や第２エージング工程（Ｓ２０４）の際に、陽極配線２や陰極配線５や有機層７を効率よく燃焼させることができる。
【００２５】
次に、第１エージング工程（Ｓ２０３）、第２エージング工程（Ｓ２０４）を実施する。第１エージング工程（Ｓ２０３）は、陽極配線２と陰極配線５が短絡した欠陥部を破壊し除去する目的を中心に行われ、第２エージング工程（Ｓ２０４）は、有機ＥＬ表示装置の輝度を長期間高く維持できるようにし、当該有機ＥＬ表示装置の寿命を長く保つ目的を中心に行われる。１エージング工程（Ｓ２０３）、第２エージング工程（Ｓ２０４）の詳細については、後述する。第１エージング工程（Ｓ２０３）および第２エージング工程（Ｓ２０４）は、それぞれ工程で行ってもよいし、連続的に行ってもよい。
【００２６】
次に、切断工程（Ｓ２０５）を実施する。表示領域１００ａを囲むように切断線を設定し、切断線に沿って基板１および封止基板８を切断して複数の有機ＥＬ表示素子に分離する。次に光学フイルム貼付工程（Ｓ２０６）で偏光板等の光学フイルムを有機ＥＬ表示素子に貼り付ける。そして、実装工程（Ｓ２０７）で、駆動回路などの周辺回路を各有機ＥＬ表示素子に実装して有機ＥＬ表示装置を得る。
【００２７】
次に、第１エージング工程（Ｓ２０３）および第２エージング工程（Ｓ２０４）について、詳細に説明する。
第１エージング工程（Ｓ２０３）では、全ての陽極配線２が接続されている陽極用共通配線（不図示）と、全ての陰極配線５が接続されている陰極用共通配線（不図示）との間に、エージング用の電圧印加装置を接続し、基板１の周囲温度を室温以上、好ましくは８０℃以上の高温（一定値）に設定して、第１エージング電圧を陽極配線２と陰極配線５との間に印加することにより通電処理を行ない、陽極配線２と陰極配線５が短絡した欠陥部を破壊し除去する。ここで、第１エージング工程（Ｓ２０３）の際に、陽極配線２と陰極配線５との間に印加する第１エージング電圧の逆バイアス電圧は、有機ＥＬ表示装置の実駆動電圧の逆バイアス電圧よりも大きく設定されている。
【００２８】
第２エージング工程（Ｓ２０４）では、基板１の周囲温度を９０℃以上１５０℃以下の高温（一定値）に設定して、第２エージング電圧を陽極配線２と陰極配線５との間に印加することにより、再度、通電処理を行う。ここで、第２エージング工程（Ｓ２０４）の際に、陽極配線２と陰極配線５との間に印加する第２エージング電圧の順バイアス電圧は、有機ＥＬ表示装置の実駆動電圧の順バイアス電圧よりも大きく設定されている。このとき、第２エージング電圧の順バイアス電圧は、有機ＥＬ表示装置の実駆動電圧の順バイアス電圧の４倍以下とするのがよい。また、第２エージング工程（Ｓ２０４）のｄｕｔｙは、有機ＥＬ表示装置の実駆動のdutyの１０倍以下であることが好ましい。第２エージング電圧の順バイアス電圧を大きくし過ぎたり、ｄｕｔｙを必要以上に大きくし過ぎたりすると、陽極配線２や陰極配線５や有機発光層７が必要以上に燃焼してしまい、表示不良の原因となってしまうからである。
【００２９】
なお、第１エージング工程（Ｓ２０３）および第２エージング工程（Ｓ２０４）を行うことにより、欠陥部の陽極配線２や、陰極配線５や、陽極配線２および陰極配線５の交差部の有機発光層７、またはこれらの組合せが、封止空間内に封入された酸素や窒素等の支燃性ガスを用いて燃焼され、また、飛散される。
このように、エージング工程を第１エージング工程（Ｓ２０３）および第２エージング工程（Ｓ２０４）の２段階とし、第１エージング工程（Ｓ２０３）を行うことにより、特に、陽極配線２と陰極配線５が短絡した欠陥部を破壊し除去でき、更に、第２エージング工程（Ｓ２０４）を行うことにより、特に、エージング後の輝度の初期低下を低減することができ、有機ＥＬ表示装置の輝度を長期間高く維持でき、当該有機ＥＬ表示装置の寿命を長く保つことができる。
【００３０】
また、更に、第２エージング工程（Ｓ２０４）でのエージング時間は、第１エージング工程（Ｓ２０３）でのエージング時間よりも短くするとよい。具体的には、第２エージング工程（Ｓ２０４）の電圧印加時間を、第１エージング工程（Ｓ２０３）の電圧印加時間よりも短くする。また、この際、第２エージング電圧の印加時間は３時間未満にする必要がある。このようにすることにより、順バイアス電圧が、有機ＥＬ表示装置の輝度の安定化に必要な時間以上に、長時間にわたり印加されるのを防止できる。
【００３１】
発明者は、実際に、第１エージング工程（Ｓ２０３）および第２エージング工程（Ｓ２０４）を行って製造した有機ＥＬ表示装置と、第２エージング工程（Ｓ２０４）を行わず、第１エージング工程（Ｓ２０３）のみを行って製造した有機ＥＬ表示装置の輝度の経時的変化を評価する試験を行った。
図３は、有機ＥＬ表示装置の実駆動条件、第１および２エージング工程のエージング条件をまとめた図である。図４は、第１および２エージング工程を行った場合と第１エージング工程のみ行った場合の有機ＥＬ表示装置の相対輝度の経時的変化を示す図である。図５は、第１および２エージング工程を行った場合と第１エージング工程のみ行った場合の有機ＥＬ表示装置の駆動電圧の経時的変化を示す図である。
【００３２】
実駆動条件として、逆バイアス電圧をａ、順バイアス電圧をｂ、周波数をｃで表す。なお、ａは０Ｖ〜１５Ｖの範囲、ｂは１０Ｖ〜３０Ｖの範囲、ｃは５０Ｈｚ〜４００Ｈｚの範囲を取り得る。
図３に示されるように、１１０℃の高温環境下で、第１エージング工程（Ｓ２０３）では、ＡＣ−３．５×ａ（Ｖ）/＋０．５×ｂ（Ｖ）（１０％ｄｕｔｙ）、０．２×ｃ（Ｈｚ）の第１エージング電圧を陽極および陰極の間に２時間印加し、第２エージング工程（Ｓ２０４）では、ＡＣ−ａ（Ｖ）/＋１．２×ｂ（Ｖ）（５％ｄｕｔｙ）、ｃ（Ｈｚ）の第２エージング電圧を陽極および陰極の間に０．５時間印加した。
【００３３】
ここで、第１エージング工程（Ｓ２０３）の際に、陽極配線２と陰極配線５との間に印加する第１エージング電圧の逆バイアス電圧は、−３．５×ａ（Ｖ）であり、有機ＥＬ表示装置の実駆動電圧の逆バイアス電圧の−ａ（Ｖ）よりも大きく設定されている。
また、第２エージング工程（Ｓ２０４）の際に、陽極配線２と陰極配線５との間に印加する第２エージング電圧の順バイアス電圧は、＋ｂ（Ｖ）であり、有機ＥＬ表示装置の実駆動電圧の順バイアス電圧の＋１．２×ｂ（Ｖ）よりも大きく設定されている。
【００３４】
図４に示されるように、第１および第２エージング工程（Ｓ２０３、Ｓ２０４）を行った場合における有機ＥＬ表示装置の相対輝度は、第１エージング工程（Ｓ２０３）のみを行った場合よりも、早く減少する傾向にある。また、図４に示されるように、特に、エージング後の初期段階である０時間〜５００時間の間で、第１エージング工程（Ｓ２０３）のみを行った場合の相対輝度が大きく減少している。これに対し、第１および第２エージング工程（Ｓ２０３、Ｓ２０４）を行った場合の相対輝度は比較的滑らかに減少している。従って、第１エージング（Ｓ２０３）に加えて、第２エージング（Ｓ２０４）を行うことにより、エージング後の輝度の初期低下を低減することができる。
【００３５】
なお、図５に示されるように、有機ＥＬ表示装置の駆動電圧は、第１および第２エージング工程（Ｓ２０３、Ｓ２０４）を行った場合と、第１エージング工程（Ｓ２０３）のみを行った場合とを比較すると、ほとんど変わっていないのがわかる。
また、例えば、相対輝度８５％以上に維持できる時間は、第１エージング工程（Ｓ２０３）のみを行った場合には約１２００時間であるのに対し、第１および第２エージング工程（Ｓ２０３、Ｓ２０４）を行った場合には約１５００時間となり、第１および第２エージング工程（Ｓ２０３、Ｓ２０４）を行った場合の方が第１エージング工程（Ｓ２０３）のみを行った場合よりも、高い輝度を長時間維持できることがわかる。
【００３６】
以上のように、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を採用することにより、欠陥部を確実に修復しつつ、エージング後の輝度の初期低下を低減することができ、高い輝度をより長期間維持することができる。
以上の説明は、本発明を実施の形態を説明するものであり、本発明が以上の実施の形態に限定されるものではない。また、当業者であれば、以上の実施の形態の各要素を、本発明の範囲において、容易に変更、追加、変換することが可能である。上記発明の実施態様では、パッシブ型有機ＥＬ表示装置として説明したが、アクティブ型有機ＥＬ表示装置にも本発明を適用できる。また、上記発明の実施態様では、有機ＥＬ表示装置として説明したが、有機ＥＬ照明装置等の表示以外の目的で製造された有機ＥＬ装置にも本発明を適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】有機ＥＬ表示素子の構成を示す図であって、図１（ａ）は電極が形成される側から基板を観察した状況を示す模式図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＸ−Ｘ切断線における断面図である。
【図２】本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法の工程を示すフロー図である。
【図３】有機ＥＬ表示装置の実駆動条件、第１および２エージング工程のエージング条件をまとめた図である。
【図４】第１および２エージング工程を行った場合と第１エージング工程のみ行った場合の有機ＥＬ表示装置の相対輝度の経時的変化を示す図である。
【図５】第１および２エージング工程を行った場合と第１エージング工程のみ行った場合の有機ＥＬ表示装置の駆動電圧の経時的変化を示す図である。
【符号の説明】
【００３８】
１ 基板
２ 陽極配線
３ 開口部
４ 絶縁膜
５ 陰極配線
６ 陰極隔壁
７ 有機発光層
８ 封止基板
９ シール材
１０ 捕水剤
１００ 有機ＥＬ素子基板
１００ａ 表示領域
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と、陰極と、上記陽極および上記陰極の間に配置された有機発光層とを有する素子基板をエージングする有機ＥＬ装置の製造方法であって、
上記陽極と上記陰極との間に第１のエージング電圧を印加して上記素子基板をエージングする第１のエージング工程と、
上記陽極と上記陰極との間に第２のエージング電圧を印加して上記素子基板をエージングする第２のエージング工程とを備え、
上記第１のエージング電圧の逆バイアス電圧は、上記有機ＥＬ装置の実駆動電圧の逆バイアス電圧よりも大きく、且つ、上記第２のエージング電圧の順バイアス電圧は、上記有機ＥＬ装置の実駆動電圧の順バイアス電圧よりも大きいことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２】
上記第２のエージング工程は、上記第１のエージングステップの後に行うことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項３】
上記第２のエージング工程は、上記素子基板の周囲温度を高温にして行うことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項４】
上記第２のエージング工程のエージング時間は、上記第１のエージング工程のエージング時間よりも短いことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１】
陽極と、陰極と、上記陽極および上記陰極の間に配置された有機発光層とを有する素子基板をエージングする有機ＥＬ装置の製造方法であって、
上記陽極と上記陰極との間に第１のエージング電圧を印加して上記素子基板をエージングする第１のエージング工程と、
上記陽極と上記陰極との間に第２のエージング電圧を印加して上記素子基板をエージングする第２のエージング工程とを備え、
上記第１のエージング電圧の逆バイアス電圧は、上記有機ＥＬ装置の実駆動電圧の逆バイアス電圧よりも大きく、且つ、上記第２のエージング電圧の順バイアス電圧は、上記有機ＥＬ装置の実駆動電圧の順バイアス電圧よりも大きいことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２】
上記第２のエージング工程は、上記第１のエージングステップの後に行うことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項３】
上記第２のエージング工程は、上記素子基板の周囲温度を高温にして行うことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項４】
上記第２のエージング工程のエージング時間は、上記第１のエージング工程のエージング時間よりも短いことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２００７−１４９４５９（Ｐ２００７−１４９４５９Ａ）
【公開日】平成１９年６月１４日（２００７．６．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−３４１１１０（Ｐ２００５−３４１１１０）
【出願日】平成１７年１１月２５日（２００５．１１．２５）
【出願人】（０００１０３７４７）オプトレックス株式会社 (843)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年６月１４日（２００７．６．１４）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年１１月２５日（２００５．１１．２５）
【出願人】（０００１０３７４７）オプトレックス株式会社 (843)
【Ｆターム（参考）】
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