極細同軸線の端末処理方法及び端末処理構造
【課題】シールド導体を切断するときに内部絶縁体への損傷を軽減する極細同軸線の端末処理方法及び端末処理構造を提供する。
【解決手段】中心から外側へ順に中心導体２、内部絶縁体３、シールド導体４、ジャケット５を有し、シールド導体４が導線からなる横巻き又は編組巻きのいずれかで形成された極細同軸線の端末処理方法において、極細同軸線１の端末部分のジャケット５を切断して、シールド導体４を露出させるステップＳ１と、露出させたシールド導体４を極細同軸線１の長手方向に沿って切断するステップＳ２と、切断したシールド導体４を極細同軸線１の端末側にストリップ除去して、中心導体２を露出させるステップＳ３と、を含み、シールド導体４は、極細同軸線１の周方向に沿ってｎ（ｎは１以上の整数）箇所の切断箇所９を有し、切断箇所９において、シールド導体４の巻きピッチＰに対して少なくとも（１／ｎ）Ｐの長さを切断するものである。
【解決手段】中心から外側へ順に中心導体２、内部絶縁体３、シールド導体４、ジャケット５を有し、シールド導体４が導線からなる横巻き又は編組巻きのいずれかで形成された極細同軸線の端末処理方法において、極細同軸線１の端末部分のジャケット５を切断して、シールド導体４を露出させるステップＳ１と、露出させたシールド導体４を極細同軸線１の長手方向に沿って切断するステップＳ２と、切断したシールド導体４を極細同軸線１の端末側にストリップ除去して、中心導体２を露出させるステップＳ３と、を含み、シールド導体４は、極細同軸線１の周方向に沿ってｎ（ｎは１以上の整数）箇所の切断箇所９を有し、切断箇所９において、シールド導体４の巻きピッチＰに対して少なくとも（１／ｎ）Ｐの長さを切断するものである。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シールド導体を切断するときに内部絶縁体への損傷を軽減する極細同軸線の端末処理方法及び端末処理構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ノート型パソコンの本体と液晶ディスプレイとを繋ぐ配線や医療用超音波診断装置の本体と探触子とを繋ぐ配線など、高周波信号、高速信号を伝送して且つ可撓性が大きいケーブルとして、極細同軸線がある。
【０００３】
極細同軸線は、中心から外側へ順に中心導体、内部絶縁体、シールド導体、ジャケットが積層されたものである。極細同軸線を機器に直接接続したり、コネクタに取り付けたりする際には、端末部分の中心導体とシールド導体を露出させる端末処理が施される。
【０００４】
従来の端末処理方法による複数本の極細同軸線の端末処理の手順を図１６により説明する。
【０００５】
図１６（ａ）に示されるように、複数本の極細同軸線１を所望の整列ピッチで整列させ、ケーブルラミネート用の粘着テープ６でその整列状態を固定する。
【０００６】
図１６（ｂ）に示されるように、端末から所望の距離にある端末処理箇所にて、粘着テープ６と極細同軸線１のジャケット５にレーザ光を上下面から照射することにより粘着テープ６と極細同軸線１のジャケット５を切断し、この端末処理箇所から端末側にある粘着テープ６とジャケット５とを同時に端末方向に引き抜く。これにより、この端末処理箇所から端末までのシールド導体４が露出する。なお、切断とは、切り込みを入れることを言う。
【０００７】
図１６（ｃ）に示されるように、図１６（ｂ）の端末処理箇所より端末に近い端末処理箇所にて、シールド導体４にレーザ光を上下面から照射することによりシールド導体４を切断し、この端末処理箇所から端末側にあるシールド導体４を端末方向に引き抜く。これにより、この端末処理箇所から端末までの内部絶縁体３が露出する。
【０００８】
図１６（ｄ）に示されるように、図１６（ｃ）の端末処理箇所より端末に近い端末処理箇所にて、内部絶縁体３にレーザ光を上下面から照射することにより内部絶縁体３を切断し、この端末処理箇所から端末側にある内部絶縁体３を端末方向に引き抜く。これにより、この端末処理箇所から端末までの中心導体２が露出する。
【０００９】
以上の工程を順に行うことにより、シールド導体４、内部絶縁体３、中心導体２がそれぞれ所望の長さで露出した状態となる。
【００１０】
特許文献１では、複数のレーザ光を、光軸角度を変えて照射し、内部絶縁体３に巻かれているシールド導体４の全体に均一にレーザパワーが与えられるように工夫している。
【００１１】
特許文献２では、複数箇所からなる端末処理箇所において、ジャケット５にレーザ光を表裏面から走査することにより、ジャケット５を切断してシールド導体４を露出させるステップと、露出させたシールド導体４にレーザ光を表裏面から走査することにより、シールド導体４のうち隣接する極細同軸線１、１同士の間隙に位置するシールド導体４は切断せずに、レーザ照射面に位置するシールド導体４を切断するステップと、を含む端末処理方法が記載されている。この方法により、シールド導体４を切断するときの内部絶縁体３へのダメージを軽減できるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２００７−２９００１３号公報
【特許文献２】特開２０１０−２６３６９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかし、特許文献１の端末処理方法では、複数並べた極細同軸線１をスライド機構によって左右方向にスライドさせながらレーザ光を照射する場合、図１７に示すように、焦点深度がシールド導体４の中央部１３（極細同軸線１の長手方向に直交する光軸上に、内部絶縁体３、シールド導体４が含まれる領域）の頂点位置から第１側部１１（極細同軸線１の長手方向に直交する光軸上に、シールド導体４のみが含まれる領域のうち一方の領域）、又は第２側部１２（極細同軸線１の長手方向に直交する光軸上に、シールド導体４のみが含まれる領域のうち他方の領域）までの深さ距離に満たないと、レーザ光の焦点が合う場所と合わない場所ができてしまい、レーザ光の強度にバラツキがでる。また、レーザ光を照射するための機構を構成する部品の数が多く、レーザ光の照射方向、照射強度の調整が難しい。
【００１４】
そのため、レーザ光の強度がシールド導体４を切断するのに必要な強度に満たない部分ではシールド導体４の切断不良を引き起こし、レーザ光の強度が強すぎる部分では内部絶縁体３の損傷を引き起こす。
【００１５】
また、複数の極細同軸線１が狭ピッチで並べられている場合、隣接する極細同軸線１、１同士の間隙に位置するシールド導体４においては、図１８の一例に示すように、レーザ光８が全てのシールド導体４に行き届かず、切断不良となる場合がある。
【００１６】
また、特許文献２の端末処理方法では、第１側部１１、及び第２側部１２にレーザ光８を照射しないように一度に処理するシールド導体４の本数を少なくした場合でも、極細同軸線１の円周上にレーザ光８を照射する限り、レーザ光８の強度にバラツキが生じ、シールド導体４の切断不良や内部絶縁体３の損傷を起こす可能性がある。
【００１７】
そこで、本発明の目的は、前述した課題を解決し、シールド導体を切断するときに内部絶縁体への損傷を軽減する極細同軸線の端末処理方法及び端末処理構造を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
この目的を達成するために創案された本発明は、中心から外側へ順に中心導体、内部絶縁体、シールド導体、ジャケットを有し、前記シールド導体が導線からなる横巻き又は編組巻きのいずれかで形成された極細同軸線の端末処理方法において、前記極細同軸線の端末部分の前記ジャケットを切断して、前記シールド導体を露出させるステップと、露出させた前記シールド導体を前記極細同軸線の長手方向に沿って切断するステップと、切断した前記シールド導体を前記極細同軸線の端末側にストリップ除去して、前記中心導体を露出させるステップと、を含み、前記シールド導体は、前記極細同軸線の周方向に沿ってｎ（ｎは１以上の整数）箇所の切断箇所を有し、前記切断箇所において、前記シールド導体の巻きピッチＰに対して少なくとも（１／ｎ）Ｐの長さを切断する極細同軸線の端末処理方法である。
【００１９】
前記切断箇所は、前記極細同軸線の長手方向に直交する切断軸上に、前記シールド導体のみが含まれる領域であると良い。
【００２０】
前記切断箇所は、前記極細同軸線の長手方向に直交する切断軸上に、前記内部絶縁体、前記シールド導体とが少なくとも含まれる領域であると良い。
【００２１】
また、本発明は、中心から外側へ順に中心導体、内部絶縁体、シールド導体、ジャケットを有し、前記シールド導体が導線からなる横巻き又は編組巻きのいずれかで形成された極細同軸線の端末処理構造において、前記極細同軸線の端末部分の前記中心導体と前記シールド導体が露出され、前記シールド導体は、前記極細同軸線の長手方向に沿って、前記シールド導体の巻きピッチＰに対して少なくとも（１／ｎ）Ｐの長さだけ連続的に切断されている極細同軸線の端末処理構造である。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、シールド導体を切断するときに内部絶縁体への損傷を軽減する極細同軸線の端末処理方法及び端末処理構造を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の極細同軸線の端末処理方法による複数本の極細同軸線の端末処理の手順を示す上面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態におけるシールド導体切断時にレーザ光が走査する箇所の詳細を示した斜視図である。
【図３】（ａ），（ｂ）は、図２のＡ−Ａ’面におけるシールド導体切断面の詳細を示した断面図である。
【図４】図２におけるシールド導体切断後に、切断されたシールド導体をストリップ除去した後を示す斜視図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態の変形例におけるシールド切断時にレーザ光が走査する箇所の詳細を示した斜視図である。
【図６】（ａ），（ｂ）は、図５のＢ−Ｂ’面におけるシールド導体切断面の詳細を示した断面図である。
【図７】図５におけるシールド導体切断後に、切断されたシールド導体をストリップ除去した後を示す斜視図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態におけるシールド切断時にレーザ光が走査する箇所の詳細を示した斜視図である。
【図９】（ａ），（ｂ）は、図８のＣ−Ｃ’面におけるシールド導体切断面の詳細を示した断面図である。
【図１０】図８におけるシールド導体切断後に、切断されたシールド導体をストリップ除去した後を示す斜視図である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態の変形例におけるシールド切断時にレーザ光が走査する箇所の詳細を示した斜視図である。
【図１２】（ａ），（ｂ）は、図１１のＤ−Ｄ’面におけるシールド導体切断面の詳細を示した断面図である。
【図１３】図１１におけるシールド導体切断後に、切断されたシールド導体をストリップ除去した後を示す斜視図である。
【図１４】本発明の第３の実施の形態におけるシールド切断時にレーザ光が走査する箇所の詳細を示した斜視図である。
【図１５】極細同軸線の端末処理後に、シールド導体の切断部にはんだ材を塗布した状態を示す上面図である。
【図１６】（ａ）〜（ｄ）は、従来の極細同軸線の端末処理方法による複数本の極細同軸線の端末処理の手順を示す上面図である。
【図１７】極細同軸線の横断面を示す断面図である。
【図１８】従来の極細同軸線の端末処理方法による課題を示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の第１の実施の形態を添付図面に基づいて詳述する。
【００２５】
図１（ａ）〜（ｅ）に示されるように、第１の実施の形態に係る極細同軸線の端末処理方法は、中心から外側へ順に中心導体２、内部絶縁体３、シールド導体４、ジャケット５を有し、シールド導体４が導線（例えば、銅線）からなる横巻き又は編組巻きのいずれかで形成された極細同軸線１の端末を処理する方法である。
【００２６】
具体的には、極細同軸線１の端末部分のジャケット５を切断して、シールド導体４を露出させるステップＳ１と、ステップＳ１で露出させたシールド導体４に極細同軸線１の長手方向に沿ってレーザ光を走査することにより、シールド導体４を切断するステップＳ２と、ステップＳ２で切断したシールド導体４を極細同軸線１の端末側にストリップ除去して、中心導体２を露出させるステップＳ３と、を含む。
【００２７】
図２に示されるように、図１（ｃ）におけるシールド導体４の切断箇所となるレーザ光８の照射箇所７（レーザ光８を走査するライン）は、各極細同軸線１の第１側部１１、及び第２側部１２に位置するシールド導体４にあって、レーザ光８の走査方向は、各極細同軸線１の長手方向であり、レーザ光８の走査長さがシールド導体４の巻きピッチＰに対して（１／２）Ｐの長さとなる。なお、第１側部１１、及び第２側部１２は、各極細同軸線１の長手方向に直交する切断軸上にシールド導体のみが含まれる領域である。
【００２８】
図３（ａ）に示されるように、図２のＡ−Ａ’面におけるレーザ光８の照射箇所７は、各極細同軸線１の第１側部１１、及び第２側部１２に位置するシールド導体４にあって、図３（ｂ）に示されるように、レーザ光８の照射によるシールド導体４の切断箇所９は、各極細同軸線１の第１側部１１、及び第２側部１２に位置するシールド導体４のみとなり、極細同軸線１の長手方向に沿って、（１／２）Ｐの長さに亘り連続的に極細同軸線１の第１側部１１、及び第２側部１２に位置するシールド導体４が切断されている構造となる。
【００２９】
ところで、極細同軸線１のシールド導体４は、巻きピッチＰに対して（１／２）Ｐ分の長さの間で、内部絶縁体３の表面上を１８０°取り囲んで巻かれている。
【００３０】
すなわち、（１／２）Ｐ分の長さの間で、シールド導体４は全て、極細同軸線１の第１側部１１、及び第２側部１２に位置する箇所を経由しており、第１側部１１、及び第２側部１２に位置するシールド導体４を少なくとも（１／２）Ｐの長さに亘って連続的に切断することにより、全てのシールド導体４を第１側部１１、及び第２側部１２のどちらかの箇所において、図４に示されるように切断することができる。
【００３１】
なお、図５に示されるように、レーザ光８の照射箇所７が各極細同軸線１の第１側部１１に位置するシールド導体４にある場合、レーザ光８の走査方向が各極細同軸線１の長手方向であり、レーザ光８の走査長さがシールド導体４の巻きピッチＰに対して１Ｐの長さとなる。
【００３２】
図６（ａ）に示されるように、図５のＢ−Ｂ’面におけるレーザ光８の照射箇所７は、各極細同軸線１の第１側部１１に位置するシールド導体４にあって、図６（ｂ）に示されるように、レーザ光８によるシールド導体４の切断箇所９は、各極細同軸線１の第１側部１１に位置するシールド導体４のみとなり、極細同軸線１の長手方向に沿って、少なくとも１Ｐの長さに亘り連続的に極細同軸線１の第１側部１１に位置するシールド導体４が切断されている構造となる。
【００３３】
ところで、極細同軸線１のシールド導体４は、巻きピッチＰに対して１Ｐ分の長さの間で、内部絶縁体３の表面上を３６０°取り囲んで巻かれている。
【００３４】
すなわち、１Ｐ分の長さの間で、シールド導体４は全て、極細同軸線１の第１側部１１、又は第２側部１２のいずれか一方に位置する箇所を経由しており、第１側部１１、又は第２側部１２のいずれか一方に位置するシールド導体４を長手方向に沿って、１Ｐの長さに亘って連続的に切断することにより、全てのシールド導体４を、図７に示されるように切断することができる。
【００３５】
なお、照射箇所７、切断箇所９は、シールド導体４の第２側部１２でも良く、同様の方法で実施することができる。
【００３６】
すなわち、シールド導体４は、極細同軸線１の周方向に沿ってｎ（ｎは１以上の整数）箇所の切断箇所９を有し、その切断箇所において、シールド導体４の巻きピッチＰに対して少なくとも（１／ｎ）Ｐの長さを切断する。
【００３７】
第１の実施の形態によれば、シールド導体４を切断する強力なレーザ光８の切断軸上、すなわち、光軸上に内部絶縁体３及び中心導体２がなく、レーザ光８がシールド導体４を切断した後に、内部絶縁体３及び中心導体２まで到達することはない。
【００３８】
また、第１の実施の形態では、レーザ光８をジャケット５やシールド導体４の切断に用いたが、その切断方法はレーザ光８によるものに限られず、例えば、切削刃による加工法を用いても良い。
【００３９】
ここで、端末処理手順を時系列に沿って詳しく説明する。
【００４０】
図１（ａ）に示されるように、先ず、複数本の極細同軸線１を所望の整列ピッチで整列させフラットケーブル状にする。このフラットケーブル状の複数本の極細同軸線１にケーブルラミネート用の粘着テープ６によるラミネートを行う。これにより、複数本の極細同軸線１は整列状態のまま固定される。極細同軸線１は、例えば、外径が０．２ｍｍのＡＷＧ４６ケーブルであり、シールド導体４はそれぞれ直径０．０２ｍｍの２０本の導線を横巻きして構成している。
【００４１】
その後、図１（ｂ）に示されるように、波長１０．６μｍのＣＯ2レーザを用いて、ポリマ材料からなるジャケット５にレーザ光８を照射する。レーザ光８が照射されると粘着テープ６とジャケット５は、レーザ光８のエネルギーを吸収し、高温になると共に燃焼、蒸発し、粘着テープ６とジャケット５に穴が生じる。ＣＯ2レーザは、シールド導体４を構成している導線（金属線）の表面では反射されるため、シールド導体４や内部絶縁体３にダメージを与えない。
【００４２】
ＣＯ2レーザは、極細同軸線１の上下面それぞれから照射することにより、極細同軸線１の全周分のジャケット５を切断する。
【００４３】
このようにして、ジャケット５にレーザ光８を照射することにより、ジャケット５を切断してシールド導体４を露出させ、シールド導体露出部を形成する。この図１（ｂ）の工程はステップＳ１である。
【００４４】
なお、ジャケット５をダイシングソーなどの他の加工法により切断してシールド導体４を露出させても良い。
【００４５】
しかる後、図１（ｃ）に示されるように、極細同軸線１の第１側部１１、及び第２側部１２に位置するシールド導体４に、極細同軸線１の長手方向に沿って、シールド導体４の巻きピッチＰに対して少なくとも（１／２）Ｐの長さでレーザ光８を走査することにより、レーザ光８が照射された箇所のシールド導体４を切断する。このとき、レーザは、波長１．０６μｍのＹＶＯ4レーザを用いた。
【００４６】
このとき、シールド導体４の切断軸となるレーザ光８の光軸上に、内部絶縁体３や中心導体２がないため、シールド導体４が十分に切断できる程度のレーザ強度の強い条件を選定することができる。この図１（ｃ）の工程がステップＳ２である。
【００４７】
従来の極細同軸線の端末処理方法では、上半分に位置するシールド導体４の全てと、下半分に位置するシールド導体４の全てを、レーザ光８を上下面から照射することにより切断していた。
【００４８】
そのため、第１側部１１、及び第２側部１２に位置するシールド導体４を切断できるだけの強力なレーザ条件を用いる必要があり、その条件を用いて中央部１３のシールド導体４を切断していたため、中央部１３において、レーザ光８が内部絶縁体３や中心導体２まで到達し、内部絶縁体３や中心導体２を損傷させていた。
【００４９】
これに対して、第１の実施の形態では、強度の強いレーザ条件を用いても、レーザ光８の光軸上に内部絶縁体３や中心導体２がなく、レーザ光８が内部絶縁体３や中心導体２を損傷することがない。
【００５０】
更に、第１の実施の形態では、シールド導体４を切断するためのレーザ光８を上下面から照射する必要がなく、例えば、上面からの照射のみで、全てのシールド導体４の切断が可能である。
【００５１】
その後、図１（ｄ）に示されるように、切断されたシールド導体４をストリップ除去し、内部絶縁体３を露出させる。この工程がステップＳ３である。
【００５２】
最後に、図１（ｅ）に示されるように、波長１．０６μｍのＣＯ2レーザを用いて内部絶縁体３にレーザ光８を照射することにより、内部絶縁体３を切断して端末側に引き抜き、中心導体露出部を形成する。
【００５３】
このように、第１の実施の形態によれば、中心から外側へ順に中心導体２、内部絶縁体３、シールド導体４、ジャケット５を有し、シールド導体４が導線からなる横巻き又は編組巻きのいずれかで形成された極細同軸線の端末処理方法において、極細同軸線１の端末部分のジャケット５を切断して、シールド導体４を露出させるステップＳ１と、露出させたシールド導体４を極細同軸線１の長手方向に沿って切断するステップＳ２と、切断したシールド導体４を極細同軸線１の端末側にストリップ除去して、中心導体２を露出させるステップＳ３と、を含み、シールド導体４は、極細同軸線１の周方向に沿ってｎ（ｎは１以上の整数）箇所の切断箇所９を有し、切断箇所９において、シールド導体４の巻きピッチＰに対して少なくとも（１／ｎ）Ｐの長さを切断するため、シールド導体４を切断するときに内部絶縁体３への損傷を軽減することができる。
【００５４】
なお、ステップＳ２において、極細同軸線１の第１側部１１、又は第２側部１２のいずれか一方に位置するシールド導体４に、極細同軸線１の長手方向に、シールド導体４の巻きピッチＰに対して少なくとも１Ｐの長さで、レーザ光８を走査することにより、レーザ光８が照射された箇所のシールド導体４を切断する場合でも、同様の効果が得られる。
【００５５】
すなわち、極細同軸線１の長手方向に直交する切断軸上に、シールド導体４のみが含まれる領域、すなわち、第１側部１１及び第２側部１２のうち少なくとも一方を切断箇所９とする場合でも、同様の効果が得られる。
【００５６】
次に、本発明の第２の実施の形態を添付図面に基づいて詳述する。
【００５７】
第１の実施の形態と同様に、ステップＳ２において、極細同軸線１の中央部１３に位置するシールド導体４を、極細同軸線１の上下面から、極細同軸線１の長手方向に、シールド導体４の巻きピッチＰに対して少なくとも（１／２）Ｐの長さでレーザ光８を走査することにより、内部絶縁体３及び中心導体２の損傷をなくすことができる。
【００５８】
図８に示されるように、図１（ｃ）におけるシールド導体４の切断箇所となるレーザ光８の照射箇所７は、各極細同軸線１の中央部１３に位置するシールド導体４の上下面にあって、レーザ光８の走査方向が各極細同軸線１の長手方向であり、レーザ光８の走査長さがシールド導体４の巻きピッチＰに対して（１／２）Ｐの長さとなる。なお、中央部１３は、各極細同軸線１の長手方向に直交する切断軸上に内部絶縁体とシールド導体とが少なくとも含まれる領域である。
【００５９】
図９（ａ）に示されるように、図８のＣ−Ｃ’面におけるレーザ光８の照射箇所７は、各極細同軸線１の中央部１３に位置するシールド導体４の上下面にあって、図９（ｂ）に示されるように、レーザ光８によるシールド導体４の切断箇所９は、各極細同軸線１の中央部１３に位置するシールド導体４の上下面のみとなり、極細同軸線１の長手方向に沿って、（１／２）Ｐの長さだけ連続的に極細同軸線１の中央部１３の上面、及び下面に位置するシールド導体４が切断されている構造となる。
【００６０】
ところで、極細同軸線１のシールド導体４は、巻きピッチＰに対して（１／２）Ｐ分の長さの間で、内部絶縁体３の表面上を１８０°取り囲んで巻かれている。
【００６１】
すなわち、（１／２）Ｐ分の長さの間で、シールド導体４は全て、極細同軸線１の中央部１３の上面、及び下面に位置する箇所を経由しており、中央部１３の上面、及び下面に位置するシールド導体４を少なくとも（１／２）Ｐの長さに亘って連続的に切断することにより、全てのシールド導体４を中央部１３の上面、及び下面のどちらかの箇所において、図１０に示されるように切断することができる。
【００６２】
第２の実施の形態によれば、シールド導体４を切断するためのレーザ光８として、第１の実施の形態とは異なり、第１側部１１、及び第２側部１２に位置するシールド導体４の全てを切断するほどの強力なレーザ条件を用いる必要がない。また、従来の極細同軸線の端末処理方法のように、レーザ光８を円周方向に照射しないため、レーザからの距離が一定で焦点がずれることがない。
【００６３】
そのため、焦点ずれを考慮してレーザ光８の強度を上げる必要がなく、従来の極細同軸線の端末処理方法よりも弱く、且つ一定の強度のレーザ光８で照射することができ、内部絶縁体３及び中心導体２を損傷することがない。
【００６４】
また、第１の実施の形態と同様に、ステップＳ２において、極細同軸線１の中央部１３に位置するシールド導体４を、極細同軸線１の片面から、極細同軸線１の長手方向に沿って、シールド導体４の巻きピッチＰに対して少なくとも１Ｐの長さで、レーザ光８を走査することにより、内部絶縁体３及び中心導体２の損傷をなくすことができる。
【００６５】
図１１に示されるように、図１（ｃ）におけるレーザ光８の照射箇所７は、各極細同軸線１の中央部１３に位置するシールド導体４の上面にあって、図１２（ａ）に示されるように、レーザ光８によるシールド導体４の切断箇所９は、各極細同軸線１の中央部１３に位置するシールド導体４の上面のみとなり、極細同軸線１の長手方向に沿って、１Ｐの長さを連続的に極細同軸線１の中央部１３の上面に位置するシールド導体４が切断されている構造となる。
【００６６】
ところで、極細同軸線１のシールド導体４は、巻きピッチＰに対して１Ｐ分の長さの間で、内部絶縁体３の表面上を３６０°取り囲んで巻かれている。
【００６７】
すなわち、１Ｐ分の長さの間で、シールド導体４は全て、極細同軸線１の中央部１３の上面、又は下面のいずれか一方に位置する箇所を経由しており、中央部１３の上面、又は下面のいずれか一方に位置するシールド導体４を長手方向に沿って、１Ｐの長さに亘って連続的に切断することにより、全てのシールド導体４を、中央部１３の上面、又は下面において、図１３に示されるように切断することができる。
【００６８】
なお、照射箇所７、切断箇所９は、シールド導体４の中央部１３の下面でも良く、同様の方法で実施することができる。
【００６９】
この形態によっても、シールド導体４を切断するためのレーザ光８として、第１の実施の形態とは異なり、第１側部１１、及び第２側部１２に位置するシールド導体４の全てを切断するほどの強力なレーザ条件を用いる必要がない。また、従来の極細同軸線の端末処理方法のように、レーザ光８を円周方向に照射しないため、レーザからの距離が一定で焦点がずれることがない。
【００７０】
そのため、焦点ずれを考慮してレーザ光８の強度を上げる必要がなく、従来の極細同軸線の端末処理方法よりも弱く、且つ一定の強度のレーザ光８で照射することができ、内部絶縁体３及び中心導体２を損傷することがない。
【００７１】
次に、本発明の第３の実施の形態を添付図面に基づいて詳述する。
【００７２】
図１４に示されるように、図１（ｃ）におけるレーザ光８の照射箇所７は、各極細同軸線１の中央部１３に位置するシールド導体４の上面中央と、上面中央を０°とすると、極細同軸線１の外周廻りに１２０°、２４０°の３箇所にあって、レーザ光８の走査方向が各極細同軸線１の長手方向であり、レーザ光８の走査長さがシールド導体４の巻きピッチＰに対して（１／３）Ｐの長さとなる。
【００７３】
極細同軸線１のシールド導体４は、巻きピッチＰに対して（１／３）Ｐ分の長さの間で、内部絶縁体３の表面上を１２０°取り囲んで巻かれている。
【００７４】
すなわち、（１／３）Ｐ分の長さの間で、シールド導体４は全て、極細同軸線１の上面中央と、上面中央を０°とすると、極細同軸線１の外周廻りに１２０°、２４０°の３箇所に位置する箇所を経由しており、上面中央と、上面中央を０°とすると、極細同軸線１の外周廻りに１２０°、２４０°の３箇所に位置するシールド導体４を長手方向に沿って、少なくとも（１／３）Ｐの長さに亘って連続的に切断することにより、全てのシールド導体４を切断することができる。
【００７５】
第３の実施の形態によれば、シールド導体４を切断するためのレーザ光８として、第１の実施の形態とは異なり、第１側部１１、及び第２側部１２に位置するシールド導体４の全てを切断するほどの強力なレーザ条件を用いる必要がない。具体的には、第２の実施の形態で用いたレーザ条件と同じものを用いることができ、内部絶縁体３や中心導体２への損傷が発生しない。また、従来の極細同軸線の端末処理方法のように、レーザ光８を円周方向に照射しないため、レーザからの距離が一定で焦点がずれることがない。
【００７６】
そのため、焦点ずれを考慮してレーザ光８の強度を上げる必要がなく、特許文献２の端末処理方法よりも弱く、且つ一定の強度のレーザ光８で照射することができ、内部絶縁体３及び中心導体２を損傷することがない。
【００７７】
更に、端末処理された極細同軸線１は、露出したシールド導体４にはんだ材１０を塗布し、グランドバーを接続することで接地を行う。はんだ材１０は、シールド導体４に塗布される際、約２２０℃の高温となるため、従来の端末処理方法によって端末処理された極細同軸線１のシールド導体４にはんだ材１０を塗布すると、はんだ材１０が内部絶縁体３に触れて内部絶縁体３を損傷する虞がある。
【００７８】
これに対し、第１〜３の実施の形態によって端末処理された極細同軸線１は、図１５に示されるように、切断箇所９のシールド導体４の巻き付けを戻し、隣接する極細同軸線１との間にシールド導体４が配置されるようにした後、シールド導体４にはんだ材１０を塗布することで、内部絶縁体３上にはんだ材１０が落ちることがない。そのため、はんだ材１０による内部絶縁体３の損傷を防ぐことができる。
【００７９】
以上要するに、本発明によれば、シールド導体４を切断するためのレーザ光８の光軸を損傷の虞のある内部絶縁体３及び中心導体２から外したり、たとえレーザ光８の光軸上に内部絶縁体３及び中心導体２が存在したとしても、レーザ光８を内部絶縁体３や中心導体２が損傷しない強度まで低減することができる。
【００８０】
これにより、とりわけアレイ化した複数本の極細同軸線１の端末を一斉に加工する際に、内部絶縁体３と中心導体２に対する加工工程に起因したダメージを低減することが可能となり、生産性と信頼性が向上する。
【００８１】
なお、シールド導体４の切断に用いるレーザの種類は、特に限定されず、例えば、波長１．０６μｍのＹＶＯ4レーザに限られず、ＹＡＧレーザを用いても良い。また、これらのレーザをＬＢＯ結晶などの非線形結晶に通すことで、第２高調波である波長５３２ｎｍのレーザを発生させ、用いても良い。銅を加工するときの銅表面の光吸収率は、波長１．０６μｍでは２％と低く、波長５３２ｎｍでは３３％と高いため、波長５３２ｎｍのレーザの方が効率的な加工が行える。
【符号の説明】
【００８２】
１ 極細同軸線
２ 中心導体
３ 内部絶縁体
４ シールド導体
５ ジャケット
６ 粘着テープ
７ 照射箇所
８ レーザ光
９ 切断箇所
１０ はんだ材
１１ 第１側部
１２ 第２側部
１３ 中央部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シールド導体を切断するときに内部絶縁体への損傷を軽減する極細同軸線の端末処理方法及び端末処理構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ノート型パソコンの本体と液晶ディスプレイとを繋ぐ配線や医療用超音波診断装置の本体と探触子とを繋ぐ配線など、高周波信号、高速信号を伝送して且つ可撓性が大きいケーブルとして、極細同軸線がある。
【０００３】
極細同軸線は、中心から外側へ順に中心導体、内部絶縁体、シールド導体、ジャケットが積層されたものである。極細同軸線を機器に直接接続したり、コネクタに取り付けたりする際には、端末部分の中心導体とシールド導体を露出させる端末処理が施される。
【０００４】
従来の端末処理方法による複数本の極細同軸線の端末処理の手順を図１６により説明する。
【０００５】
図１６（ａ）に示されるように、複数本の極細同軸線１を所望の整列ピッチで整列させ、ケーブルラミネート用の粘着テープ６でその整列状態を固定する。
【０００６】
図１６（ｂ）に示されるように、端末から所望の距離にある端末処理箇所にて、粘着テープ６と極細同軸線１のジャケット５にレーザ光を上下面から照射することにより粘着テープ６と極細同軸線１のジャケット５を切断し、この端末処理箇所から端末側にある粘着テープ６とジャケット５とを同時に端末方向に引き抜く。これにより、この端末処理箇所から端末までのシールド導体４が露出する。なお、切断とは、切り込みを入れることを言う。
【０００７】
図１６（ｃ）に示されるように、図１６（ｂ）の端末処理箇所より端末に近い端末処理箇所にて、シールド導体４にレーザ光を上下面から照射することによりシールド導体４を切断し、この端末処理箇所から端末側にあるシールド導体４を端末方向に引き抜く。これにより、この端末処理箇所から端末までの内部絶縁体３が露出する。
【０００８】
図１６（ｄ）に示されるように、図１６（ｃ）の端末処理箇所より端末に近い端末処理箇所にて、内部絶縁体３にレーザ光を上下面から照射することにより内部絶縁体３を切断し、この端末処理箇所から端末側にある内部絶縁体３を端末方向に引き抜く。これにより、この端末処理箇所から端末までの中心導体２が露出する。
【０００９】
以上の工程を順に行うことにより、シールド導体４、内部絶縁体３、中心導体２がそれぞれ所望の長さで露出した状態となる。
【００１０】
特許文献１では、複数のレーザ光を、光軸角度を変えて照射し、内部絶縁体３に巻かれているシールド導体４の全体に均一にレーザパワーが与えられるように工夫している。
【００１１】
特許文献２では、複数箇所からなる端末処理箇所において、ジャケット５にレーザ光を表裏面から走査することにより、ジャケット５を切断してシールド導体４を露出させるステップと、露出させたシールド導体４にレーザ光を表裏面から走査することにより、シールド導体４のうち隣接する極細同軸線１、１同士の間隙に位置するシールド導体４は切断せずに、レーザ照射面に位置するシールド導体４を切断するステップと、を含む端末処理方法が記載されている。この方法により、シールド導体４を切断するときの内部絶縁体３へのダメージを軽減できるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２００７−２９００１３号公報
【特許文献２】特開２０１０−２６３６９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかし、特許文献１の端末処理方法では、複数並べた極細同軸線１をスライド機構によって左右方向にスライドさせながらレーザ光を照射する場合、図１７に示すように、焦点深度がシールド導体４の中央部１３（極細同軸線１の長手方向に直交する光軸上に、内部絶縁体３、シールド導体４が含まれる領域）の頂点位置から第１側部１１（極細同軸線１の長手方向に直交する光軸上に、シールド導体４のみが含まれる領域のうち一方の領域）、又は第２側部１２（極細同軸線１の長手方向に直交する光軸上に、シールド導体４のみが含まれる領域のうち他方の領域）までの深さ距離に満たないと、レーザ光の焦点が合う場所と合わない場所ができてしまい、レーザ光の強度にバラツキがでる。また、レーザ光を照射するための機構を構成する部品の数が多く、レーザ光の照射方向、照射強度の調整が難しい。
【００１４】
そのため、レーザ光の強度がシールド導体４を切断するのに必要な強度に満たない部分ではシールド導体４の切断不良を引き起こし、レーザ光の強度が強すぎる部分では内部絶縁体３の損傷を引き起こす。
【００１５】
また、複数の極細同軸線１が狭ピッチで並べられている場合、隣接する極細同軸線１、１同士の間隙に位置するシールド導体４においては、図１８の一例に示すように、レーザ光８が全てのシールド導体４に行き届かず、切断不良となる場合がある。
【００１６】
また、特許文献２の端末処理方法では、第１側部１１、及び第２側部１２にレーザ光８を照射しないように一度に処理するシールド導体４の本数を少なくした場合でも、極細同軸線１の円周上にレーザ光８を照射する限り、レーザ光８の強度にバラツキが生じ、シールド導体４の切断不良や内部絶縁体３の損傷を起こす可能性がある。
【００１７】
そこで、本発明の目的は、前述した課題を解決し、シールド導体を切断するときに内部絶縁体への損傷を軽減する極細同軸線の端末処理方法及び端末処理構造を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
この目的を達成するために創案された本発明は、中心から外側へ順に中心導体、内部絶縁体、シールド導体、ジャケットを有し、前記シールド導体が導線からなる横巻き又は編組巻きのいずれかで形成された極細同軸線の端末処理方法において、前記極細同軸線の端末部分の前記ジャケットを切断して、前記シールド導体を露出させるステップと、露出させた前記シールド導体を前記極細同軸線の長手方向に沿って切断するステップと、切断した前記シールド導体を前記極細同軸線の端末側にストリップ除去して、前記中心導体を露出させるステップと、を含み、前記シールド導体は、前記極細同軸線の周方向に沿ってｎ（ｎは１以上の整数）箇所の切断箇所を有し、前記切断箇所において、前記シールド導体の巻きピッチＰに対して少なくとも（１／ｎ）Ｐの長さを切断する極細同軸線の端末処理方法である。
【００１９】
前記切断箇所は、前記極細同軸線の長手方向に直交する切断軸上に、前記シールド導体のみが含まれる領域であると良い。
【００２０】
前記切断箇所は、前記極細同軸線の長手方向に直交する切断軸上に、前記内部絶縁体、前記シールド導体とが少なくとも含まれる領域であると良い。
【００２１】
また、本発明は、中心から外側へ順に中心導体、内部絶縁体、シールド導体、ジャケットを有し、前記シールド導体が導線からなる横巻き又は編組巻きのいずれかで形成された極細同軸線の端末処理構造において、前記極細同軸線の端末部分の前記中心導体と前記シールド導体が露出され、前記シールド導体は、前記極細同軸線の長手方向に沿って、前記シールド導体の巻きピッチＰに対して少なくとも（１／ｎ）Ｐの長さだけ連続的に切断されている極細同軸線の端末処理構造である。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、シールド導体を切断するときに内部絶縁体への損傷を軽減する極細同軸線の端末処理方法及び端末処理構造を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の極細同軸線の端末処理方法による複数本の極細同軸線の端末処理の手順を示す上面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態におけるシールド導体切断時にレーザ光が走査する箇所の詳細を示した斜視図である。
【図３】（ａ），（ｂ）は、図２のＡ−Ａ’面におけるシールド導体切断面の詳細を示した断面図である。
【図４】図２におけるシールド導体切断後に、切断されたシールド導体をストリップ除去した後を示す斜視図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態の変形例におけるシールド切断時にレーザ光が走査する箇所の詳細を示した斜視図である。
【図６】（ａ），（ｂ）は、図５のＢ−Ｂ’面におけるシールド導体切断面の詳細を示した断面図である。
【図７】図５におけるシールド導体切断後に、切断されたシールド導体をストリップ除去した後を示す斜視図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態におけるシールド切断時にレーザ光が走査する箇所の詳細を示した斜視図である。
【図９】（ａ），（ｂ）は、図８のＣ−Ｃ’面におけるシールド導体切断面の詳細を示した断面図である。
【図１０】図８におけるシールド導体切断後に、切断されたシールド導体をストリップ除去した後を示す斜視図である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態の変形例におけるシールド切断時にレーザ光が走査する箇所の詳細を示した斜視図である。
【図１２】（ａ），（ｂ）は、図１１のＤ−Ｄ’面におけるシールド導体切断面の詳細を示した断面図である。
【図１３】図１１におけるシールド導体切断後に、切断されたシールド導体をストリップ除去した後を示す斜視図である。
【図１４】本発明の第３の実施の形態におけるシールド切断時にレーザ光が走査する箇所の詳細を示した斜視図である。
【図１５】極細同軸線の端末処理後に、シールド導体の切断部にはんだ材を塗布した状態を示す上面図である。
【図１６】（ａ）〜（ｄ）は、従来の極細同軸線の端末処理方法による複数本の極細同軸線の端末処理の手順を示す上面図である。
【図１７】極細同軸線の横断面を示す断面図である。
【図１８】従来の極細同軸線の端末処理方法による課題を示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の第１の実施の形態を添付図面に基づいて詳述する。
【００２５】
図１（ａ）〜（ｅ）に示されるように、第１の実施の形態に係る極細同軸線の端末処理方法は、中心から外側へ順に中心導体２、内部絶縁体３、シールド導体４、ジャケット５を有し、シールド導体４が導線（例えば、銅線）からなる横巻き又は編組巻きのいずれかで形成された極細同軸線１の端末を処理する方法である。
【００２６】
具体的には、極細同軸線１の端末部分のジャケット５を切断して、シールド導体４を露出させるステップＳ１と、ステップＳ１で露出させたシールド導体４に極細同軸線１の長手方向に沿ってレーザ光を走査することにより、シールド導体４を切断するステップＳ２と、ステップＳ２で切断したシールド導体４を極細同軸線１の端末側にストリップ除去して、中心導体２を露出させるステップＳ３と、を含む。
【００２７】
図２に示されるように、図１（ｃ）におけるシールド導体４の切断箇所となるレーザ光８の照射箇所７（レーザ光８を走査するライン）は、各極細同軸線１の第１側部１１、及び第２側部１２に位置するシールド導体４にあって、レーザ光８の走査方向は、各極細同軸線１の長手方向であり、レーザ光８の走査長さがシールド導体４の巻きピッチＰに対して（１／２）Ｐの長さとなる。なお、第１側部１１、及び第２側部１２は、各極細同軸線１の長手方向に直交する切断軸上にシールド導体のみが含まれる領域である。
【００２８】
図３（ａ）に示されるように、図２のＡ−Ａ’面におけるレーザ光８の照射箇所７は、各極細同軸線１の第１側部１１、及び第２側部１２に位置するシールド導体４にあって、図３（ｂ）に示されるように、レーザ光８の照射によるシールド導体４の切断箇所９は、各極細同軸線１の第１側部１１、及び第２側部１２に位置するシールド導体４のみとなり、極細同軸線１の長手方向に沿って、（１／２）Ｐの長さに亘り連続的に極細同軸線１の第１側部１１、及び第２側部１２に位置するシールド導体４が切断されている構造となる。
【００２９】
ところで、極細同軸線１のシールド導体４は、巻きピッチＰに対して（１／２）Ｐ分の長さの間で、内部絶縁体３の表面上を１８０°取り囲んで巻かれている。
【００３０】
すなわち、（１／２）Ｐ分の長さの間で、シールド導体４は全て、極細同軸線１の第１側部１１、及び第２側部１２に位置する箇所を経由しており、第１側部１１、及び第２側部１２に位置するシールド導体４を少なくとも（１／２）Ｐの長さに亘って連続的に切断することにより、全てのシールド導体４を第１側部１１、及び第２側部１２のどちらかの箇所において、図４に示されるように切断することができる。
【００３１】
なお、図５に示されるように、レーザ光８の照射箇所７が各極細同軸線１の第１側部１１に位置するシールド導体４にある場合、レーザ光８の走査方向が各極細同軸線１の長手方向であり、レーザ光８の走査長さがシールド導体４の巻きピッチＰに対して１Ｐの長さとなる。
【００３２】
図６（ａ）に示されるように、図５のＢ−Ｂ’面におけるレーザ光８の照射箇所７は、各極細同軸線１の第１側部１１に位置するシールド導体４にあって、図６（ｂ）に示されるように、レーザ光８によるシールド導体４の切断箇所９は、各極細同軸線１の第１側部１１に位置するシールド導体４のみとなり、極細同軸線１の長手方向に沿って、少なくとも１Ｐの長さに亘り連続的に極細同軸線１の第１側部１１に位置するシールド導体４が切断されている構造となる。
【００３３】
ところで、極細同軸線１のシールド導体４は、巻きピッチＰに対して１Ｐ分の長さの間で、内部絶縁体３の表面上を３６０°取り囲んで巻かれている。
【００３４】
すなわち、１Ｐ分の長さの間で、シールド導体４は全て、極細同軸線１の第１側部１１、又は第２側部１２のいずれか一方に位置する箇所を経由しており、第１側部１１、又は第２側部１２のいずれか一方に位置するシールド導体４を長手方向に沿って、１Ｐの長さに亘って連続的に切断することにより、全てのシールド導体４を、図７に示されるように切断することができる。
【００３５】
なお、照射箇所７、切断箇所９は、シールド導体４の第２側部１２でも良く、同様の方法で実施することができる。
【００３６】
すなわち、シールド導体４は、極細同軸線１の周方向に沿ってｎ（ｎは１以上の整数）箇所の切断箇所９を有し、その切断箇所において、シールド導体４の巻きピッチＰに対して少なくとも（１／ｎ）Ｐの長さを切断する。
【００３７】
第１の実施の形態によれば、シールド導体４を切断する強力なレーザ光８の切断軸上、すなわち、光軸上に内部絶縁体３及び中心導体２がなく、レーザ光８がシールド導体４を切断した後に、内部絶縁体３及び中心導体２まで到達することはない。
【００３８】
また、第１の実施の形態では、レーザ光８をジャケット５やシールド導体４の切断に用いたが、その切断方法はレーザ光８によるものに限られず、例えば、切削刃による加工法を用いても良い。
【００３９】
ここで、端末処理手順を時系列に沿って詳しく説明する。
【００４０】
図１（ａ）に示されるように、先ず、複数本の極細同軸線１を所望の整列ピッチで整列させフラットケーブル状にする。このフラットケーブル状の複数本の極細同軸線１にケーブルラミネート用の粘着テープ６によるラミネートを行う。これにより、複数本の極細同軸線１は整列状態のまま固定される。極細同軸線１は、例えば、外径が０．２ｍｍのＡＷＧ４６ケーブルであり、シールド導体４はそれぞれ直径０．０２ｍｍの２０本の導線を横巻きして構成している。
【００４１】
その後、図１（ｂ）に示されるように、波長１０．６μｍのＣＯ2レーザを用いて、ポリマ材料からなるジャケット５にレーザ光８を照射する。レーザ光８が照射されると粘着テープ６とジャケット５は、レーザ光８のエネルギーを吸収し、高温になると共に燃焼、蒸発し、粘着テープ６とジャケット５に穴が生じる。ＣＯ2レーザは、シールド導体４を構成している導線（金属線）の表面では反射されるため、シールド導体４や内部絶縁体３にダメージを与えない。
【００４２】
ＣＯ2レーザは、極細同軸線１の上下面それぞれから照射することにより、極細同軸線１の全周分のジャケット５を切断する。
【００４３】
このようにして、ジャケット５にレーザ光８を照射することにより、ジャケット５を切断してシールド導体４を露出させ、シールド導体露出部を形成する。この図１（ｂ）の工程はステップＳ１である。
【００４４】
なお、ジャケット５をダイシングソーなどの他の加工法により切断してシールド導体４を露出させても良い。
【００４５】
しかる後、図１（ｃ）に示されるように、極細同軸線１の第１側部１１、及び第２側部１２に位置するシールド導体４に、極細同軸線１の長手方向に沿って、シールド導体４の巻きピッチＰに対して少なくとも（１／２）Ｐの長さでレーザ光８を走査することにより、レーザ光８が照射された箇所のシールド導体４を切断する。このとき、レーザは、波長１．０６μｍのＹＶＯ4レーザを用いた。
【００４６】
このとき、シールド導体４の切断軸となるレーザ光８の光軸上に、内部絶縁体３や中心導体２がないため、シールド導体４が十分に切断できる程度のレーザ強度の強い条件を選定することができる。この図１（ｃ）の工程がステップＳ２である。
【００４７】
従来の極細同軸線の端末処理方法では、上半分に位置するシールド導体４の全てと、下半分に位置するシールド導体４の全てを、レーザ光８を上下面から照射することにより切断していた。
【００４８】
そのため、第１側部１１、及び第２側部１２に位置するシールド導体４を切断できるだけの強力なレーザ条件を用いる必要があり、その条件を用いて中央部１３のシールド導体４を切断していたため、中央部１３において、レーザ光８が内部絶縁体３や中心導体２まで到達し、内部絶縁体３や中心導体２を損傷させていた。
【００４９】
これに対して、第１の実施の形態では、強度の強いレーザ条件を用いても、レーザ光８の光軸上に内部絶縁体３や中心導体２がなく、レーザ光８が内部絶縁体３や中心導体２を損傷することがない。
【００５０】
更に、第１の実施の形態では、シールド導体４を切断するためのレーザ光８を上下面から照射する必要がなく、例えば、上面からの照射のみで、全てのシールド導体４の切断が可能である。
【００５１】
その後、図１（ｄ）に示されるように、切断されたシールド導体４をストリップ除去し、内部絶縁体３を露出させる。この工程がステップＳ３である。
【００５２】
最後に、図１（ｅ）に示されるように、波長１．０６μｍのＣＯ2レーザを用いて内部絶縁体３にレーザ光８を照射することにより、内部絶縁体３を切断して端末側に引き抜き、中心導体露出部を形成する。
【００５３】
このように、第１の実施の形態によれば、中心から外側へ順に中心導体２、内部絶縁体３、シールド導体４、ジャケット５を有し、シールド導体４が導線からなる横巻き又は編組巻きのいずれかで形成された極細同軸線の端末処理方法において、極細同軸線１の端末部分のジャケット５を切断して、シールド導体４を露出させるステップＳ１と、露出させたシールド導体４を極細同軸線１の長手方向に沿って切断するステップＳ２と、切断したシールド導体４を極細同軸線１の端末側にストリップ除去して、中心導体２を露出させるステップＳ３と、を含み、シールド導体４は、極細同軸線１の周方向に沿ってｎ（ｎは１以上の整数）箇所の切断箇所９を有し、切断箇所９において、シールド導体４の巻きピッチＰに対して少なくとも（１／ｎ）Ｐの長さを切断するため、シールド導体４を切断するときに内部絶縁体３への損傷を軽減することができる。
【００５４】
なお、ステップＳ２において、極細同軸線１の第１側部１１、又は第２側部１２のいずれか一方に位置するシールド導体４に、極細同軸線１の長手方向に、シールド導体４の巻きピッチＰに対して少なくとも１Ｐの長さで、レーザ光８を走査することにより、レーザ光８が照射された箇所のシールド導体４を切断する場合でも、同様の効果が得られる。
【００５５】
すなわち、極細同軸線１の長手方向に直交する切断軸上に、シールド導体４のみが含まれる領域、すなわち、第１側部１１及び第２側部１２のうち少なくとも一方を切断箇所９とする場合でも、同様の効果が得られる。
【００５６】
次に、本発明の第２の実施の形態を添付図面に基づいて詳述する。
【００５７】
第１の実施の形態と同様に、ステップＳ２において、極細同軸線１の中央部１３に位置するシールド導体４を、極細同軸線１の上下面から、極細同軸線１の長手方向に、シールド導体４の巻きピッチＰに対して少なくとも（１／２）Ｐの長さでレーザ光８を走査することにより、内部絶縁体３及び中心導体２の損傷をなくすことができる。
【００５８】
図８に示されるように、図１（ｃ）におけるシールド導体４の切断箇所となるレーザ光８の照射箇所７は、各極細同軸線１の中央部１３に位置するシールド導体４の上下面にあって、レーザ光８の走査方向が各極細同軸線１の長手方向であり、レーザ光８の走査長さがシールド導体４の巻きピッチＰに対して（１／２）Ｐの長さとなる。なお、中央部１３は、各極細同軸線１の長手方向に直交する切断軸上に内部絶縁体とシールド導体とが少なくとも含まれる領域である。
【００５９】
図９（ａ）に示されるように、図８のＣ−Ｃ’面におけるレーザ光８の照射箇所７は、各極細同軸線１の中央部１３に位置するシールド導体４の上下面にあって、図９（ｂ）に示されるように、レーザ光８によるシールド導体４の切断箇所９は、各極細同軸線１の中央部１３に位置するシールド導体４の上下面のみとなり、極細同軸線１の長手方向に沿って、（１／２）Ｐの長さだけ連続的に極細同軸線１の中央部１３の上面、及び下面に位置するシールド導体４が切断されている構造となる。
【００６０】
ところで、極細同軸線１のシールド導体４は、巻きピッチＰに対して（１／２）Ｐ分の長さの間で、内部絶縁体３の表面上を１８０°取り囲んで巻かれている。
【００６１】
すなわち、（１／２）Ｐ分の長さの間で、シールド導体４は全て、極細同軸線１の中央部１３の上面、及び下面に位置する箇所を経由しており、中央部１３の上面、及び下面に位置するシールド導体４を少なくとも（１／２）Ｐの長さに亘って連続的に切断することにより、全てのシールド導体４を中央部１３の上面、及び下面のどちらかの箇所において、図１０に示されるように切断することができる。
【００６２】
第２の実施の形態によれば、シールド導体４を切断するためのレーザ光８として、第１の実施の形態とは異なり、第１側部１１、及び第２側部１２に位置するシールド導体４の全てを切断するほどの強力なレーザ条件を用いる必要がない。また、従来の極細同軸線の端末処理方法のように、レーザ光８を円周方向に照射しないため、レーザからの距離が一定で焦点がずれることがない。
【００６３】
そのため、焦点ずれを考慮してレーザ光８の強度を上げる必要がなく、従来の極細同軸線の端末処理方法よりも弱く、且つ一定の強度のレーザ光８で照射することができ、内部絶縁体３及び中心導体２を損傷することがない。
【００６４】
また、第１の実施の形態と同様に、ステップＳ２において、極細同軸線１の中央部１３に位置するシールド導体４を、極細同軸線１の片面から、極細同軸線１の長手方向に沿って、シールド導体４の巻きピッチＰに対して少なくとも１Ｐの長さで、レーザ光８を走査することにより、内部絶縁体３及び中心導体２の損傷をなくすことができる。
【００６５】
図１１に示されるように、図１（ｃ）におけるレーザ光８の照射箇所７は、各極細同軸線１の中央部１３に位置するシールド導体４の上面にあって、図１２（ａ）に示されるように、レーザ光８によるシールド導体４の切断箇所９は、各極細同軸線１の中央部１３に位置するシールド導体４の上面のみとなり、極細同軸線１の長手方向に沿って、１Ｐの長さを連続的に極細同軸線１の中央部１３の上面に位置するシールド導体４が切断されている構造となる。
【００６６】
ところで、極細同軸線１のシールド導体４は、巻きピッチＰに対して１Ｐ分の長さの間で、内部絶縁体３の表面上を３６０°取り囲んで巻かれている。
【００６７】
すなわち、１Ｐ分の長さの間で、シールド導体４は全て、極細同軸線１の中央部１３の上面、又は下面のいずれか一方に位置する箇所を経由しており、中央部１３の上面、又は下面のいずれか一方に位置するシールド導体４を長手方向に沿って、１Ｐの長さに亘って連続的に切断することにより、全てのシールド導体４を、中央部１３の上面、又は下面において、図１３に示されるように切断することができる。
【００６８】
なお、照射箇所７、切断箇所９は、シールド導体４の中央部１３の下面でも良く、同様の方法で実施することができる。
【００６９】
この形態によっても、シールド導体４を切断するためのレーザ光８として、第１の実施の形態とは異なり、第１側部１１、及び第２側部１２に位置するシールド導体４の全てを切断するほどの強力なレーザ条件を用いる必要がない。また、従来の極細同軸線の端末処理方法のように、レーザ光８を円周方向に照射しないため、レーザからの距離が一定で焦点がずれることがない。
【００７０】
そのため、焦点ずれを考慮してレーザ光８の強度を上げる必要がなく、従来の極細同軸線の端末処理方法よりも弱く、且つ一定の強度のレーザ光８で照射することができ、内部絶縁体３及び中心導体２を損傷することがない。
【００７１】
次に、本発明の第３の実施の形態を添付図面に基づいて詳述する。
【００７２】
図１４に示されるように、図１（ｃ）におけるレーザ光８の照射箇所７は、各極細同軸線１の中央部１３に位置するシールド導体４の上面中央と、上面中央を０°とすると、極細同軸線１の外周廻りに１２０°、２４０°の３箇所にあって、レーザ光８の走査方向が各極細同軸線１の長手方向であり、レーザ光８の走査長さがシールド導体４の巻きピッチＰに対して（１／３）Ｐの長さとなる。
【００７３】
極細同軸線１のシールド導体４は、巻きピッチＰに対して（１／３）Ｐ分の長さの間で、内部絶縁体３の表面上を１２０°取り囲んで巻かれている。
【００７４】
すなわち、（１／３）Ｐ分の長さの間で、シールド導体４は全て、極細同軸線１の上面中央と、上面中央を０°とすると、極細同軸線１の外周廻りに１２０°、２４０°の３箇所に位置する箇所を経由しており、上面中央と、上面中央を０°とすると、極細同軸線１の外周廻りに１２０°、２４０°の３箇所に位置するシールド導体４を長手方向に沿って、少なくとも（１／３）Ｐの長さに亘って連続的に切断することにより、全てのシールド導体４を切断することができる。
【００７５】
第３の実施の形態によれば、シールド導体４を切断するためのレーザ光８として、第１の実施の形態とは異なり、第１側部１１、及び第２側部１２に位置するシールド導体４の全てを切断するほどの強力なレーザ条件を用いる必要がない。具体的には、第２の実施の形態で用いたレーザ条件と同じものを用いることができ、内部絶縁体３や中心導体２への損傷が発生しない。また、従来の極細同軸線の端末処理方法のように、レーザ光８を円周方向に照射しないため、レーザからの距離が一定で焦点がずれることがない。
【００７６】
そのため、焦点ずれを考慮してレーザ光８の強度を上げる必要がなく、特許文献２の端末処理方法よりも弱く、且つ一定の強度のレーザ光８で照射することができ、内部絶縁体３及び中心導体２を損傷することがない。
【００７７】
更に、端末処理された極細同軸線１は、露出したシールド導体４にはんだ材１０を塗布し、グランドバーを接続することで接地を行う。はんだ材１０は、シールド導体４に塗布される際、約２２０℃の高温となるため、従来の端末処理方法によって端末処理された極細同軸線１のシールド導体４にはんだ材１０を塗布すると、はんだ材１０が内部絶縁体３に触れて内部絶縁体３を損傷する虞がある。
【００７８】
これに対し、第１〜３の実施の形態によって端末処理された極細同軸線１は、図１５に示されるように、切断箇所９のシールド導体４の巻き付けを戻し、隣接する極細同軸線１との間にシールド導体４が配置されるようにした後、シールド導体４にはんだ材１０を塗布することで、内部絶縁体３上にはんだ材１０が落ちることがない。そのため、はんだ材１０による内部絶縁体３の損傷を防ぐことができる。
【００７９】
以上要するに、本発明によれば、シールド導体４を切断するためのレーザ光８の光軸を損傷の虞のある内部絶縁体３及び中心導体２から外したり、たとえレーザ光８の光軸上に内部絶縁体３及び中心導体２が存在したとしても、レーザ光８を内部絶縁体３や中心導体２が損傷しない強度まで低減することができる。
【００８０】
これにより、とりわけアレイ化した複数本の極細同軸線１の端末を一斉に加工する際に、内部絶縁体３と中心導体２に対する加工工程に起因したダメージを低減することが可能となり、生産性と信頼性が向上する。
【００８１】
なお、シールド導体４の切断に用いるレーザの種類は、特に限定されず、例えば、波長１．０６μｍのＹＶＯ4レーザに限られず、ＹＡＧレーザを用いても良い。また、これらのレーザをＬＢＯ結晶などの非線形結晶に通すことで、第２高調波である波長５３２ｎｍのレーザを発生させ、用いても良い。銅を加工するときの銅表面の光吸収率は、波長１．０６μｍでは２％と低く、波長５３２ｎｍでは３３％と高いため、波長５３２ｎｍのレーザの方が効率的な加工が行える。
【符号の説明】
【００８２】
１ 極細同軸線
２ 中心導体
３ 内部絶縁体
４ シールド導体
５ ジャケット
６ 粘着テープ
７ 照射箇所
８ レーザ光
９ 切断箇所
１０ はんだ材
１１ 第１側部
１２ 第２側部
１３ 中央部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中心から外側へ順に中心導体、内部絶縁体、シールド導体、ジャケットを有し、前記シールド導体が導線からなる横巻き又は編組巻きのいずれかで形成された極細同軸線の端末処理方法において、
前記極細同軸線の端末部分の前記ジャケットを切断して、前記シールド導体を露出させるステップと、
露出させた前記シールド導体を前記極細同軸線の長手方向に沿って切断するステップと、
切断した前記シールド導体を前記極細同軸線の端末側にストリップ除去して、前記中心導体を露出させるステップと、
を含み、
前記シールド導体は、前記極細同軸線の周方向に沿ってｎ（ｎは１以上の整数）箇所の切断箇所を有し、前記切断箇所において、前記シールド導体の巻きピッチＰに対して少なくとも（１／ｎ）Ｐの長さを切断することを特徴とする極細同軸線の端末処理方法。
【請求項２】
前記切断箇所は、前記極細同軸線の長手方向に直交する切断軸上に、前記シールド導体のみが含まれる領域である請求項１に記載の極細同軸線の端末処理方法。
【請求項３】
前記切断箇所は、前記極細同軸線の長手方向に直交する切断軸上に、前記内部絶縁体、前記シールド導体とが少なくとも含まれる領域である請求項１に記載の極細同軸線の端末処理方法。
【請求項４】
中心から外側へ順に中心導体、内部絶縁体、シールド導体、ジャケットを有し、前記シールド導体が導線からなる横巻き又は編組巻きのいずれかで形成された極細同軸線の端末処理構造において、
前記極細同軸線の端末部分の前記中心導体と前記シールド導体が露出され、
前記シールド導体は、前記極細同軸線の長手方向に沿って、前記シールド導体の巻きピッチＰに対して少なくとも（１／ｎ）Ｐの長さだけ連続的に切断されていることを特徴とする極細同軸線の端末処理構造。
【請求項１】
中心から外側へ順に中心導体、内部絶縁体、シールド導体、ジャケットを有し、前記シールド導体が導線からなる横巻き又は編組巻きのいずれかで形成された極細同軸線の端末処理方法において、
前記極細同軸線の端末部分の前記ジャケットを切断して、前記シールド導体を露出させるステップと、
露出させた前記シールド導体を前記極細同軸線の長手方向に沿って切断するステップと、
切断した前記シールド導体を前記極細同軸線の端末側にストリップ除去して、前記中心導体を露出させるステップと、
を含み、
前記シールド導体は、前記極細同軸線の周方向に沿ってｎ（ｎは１以上の整数）箇所の切断箇所を有し、前記切断箇所において、前記シールド導体の巻きピッチＰに対して少なくとも（１／ｎ）Ｐの長さを切断することを特徴とする極細同軸線の端末処理方法。
【請求項２】
前記切断箇所は、前記極細同軸線の長手方向に直交する切断軸上に、前記シールド導体のみが含まれる領域である請求項１に記載の極細同軸線の端末処理方法。
【請求項３】
前記切断箇所は、前記極細同軸線の長手方向に直交する切断軸上に、前記内部絶縁体、前記シールド導体とが少なくとも含まれる領域である請求項１に記載の極細同軸線の端末処理方法。
【請求項４】
中心から外側へ順に中心導体、内部絶縁体、シールド導体、ジャケットを有し、前記シールド導体が導線からなる横巻き又は編組巻きのいずれかで形成された極細同軸線の端末処理構造において、
前記極細同軸線の端末部分の前記中心導体と前記シールド導体が露出され、
前記シールド導体は、前記極細同軸線の長手方向に沿って、前記シールド導体の巻きピッチＰに対して少なくとも（１／ｎ）Ｐの長さだけ連続的に切断されていることを特徴とする極細同軸線の端末処理構造。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【公開番号】特開２０１３−５５２５（Ｐ２０１３−５５２５Ａ）
【公開日】平成２５年１月７日（２０１３．１．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１３２４２０（Ｐ２０１１−１３２４２０）
【出願日】平成２３年６月１４日（２０１１．６．１４）
【出願人】（０００００５１２０）日立電線株式会社 (3,358)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年１月７日（２０１３．１．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年６月１４日（２０１１．６．１４）
【出願人】（０００００５１２０）日立電線株式会社 (3,358)
【Ｆターム（参考）】
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