液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法
【課題】より簡便なプロセスによって、広帯域性を備えた信頼性の高い位相差層をインセル化することが可能な液晶表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１基板１０と第２基板２０との間に封止された液晶層ＬＣと、第１基板１０における液晶層ＬＣ側に設けられた位相差層３０とを備えた液晶表示装置１ａにおいて、位相差層３０は、重合性液晶モノマーを三次元架橋させた構成であって、波長４５０ｎｍに対する位相差Ｒ（４５０）と波長５５０ｎｍに対する位相差Ｒ（５５０）とが、Ｒ（４５０）／Ｒ（５５０）≦１である。
【解決手段】第１基板１０と第２基板２０との間に封止された液晶層ＬＣと、第１基板１０における液晶層ＬＣ側に設けられた位相差層３０とを備えた液晶表示装置１ａにおいて、位相差層３０は、重合性液晶モノマーを三次元架橋させた構成であって、波長４５０ｎｍに対する位相差Ｒ（４５０）と波長５５０ｎｍに対する位相差Ｒ（５５０）とが、Ｒ（４５０）／Ｒ（５５０）≦１である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法に関し、特にはカラー表示において広い視野角を得るための位相差層を設けた液晶表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一対の基板間に液晶層を狭持してなる液晶表示装置には、コントラストの改善や視野角特性の向上を目的として、光学補償用の位相差層が設けられている。また、半透過半反射型の液晶表示装置においては、位相差層を円偏光板として用いることにより、１つの画素内に透過表示領域と反射表示領域とを実現している。近年においては、このような位相差層を、液晶表示装置の基板間（いわゆる液晶セル内）に設けてインセル化することにより、装置の薄型化と製造プロセスの簡便化を図る構成が提案されている。
【０００３】
ここで、カラー表示の液晶表示装置においては、可視光の広い範囲で良好な視野角が得られるように、いわゆる広帯域性を備えた位相差層が求められている。このような位相差層としては、長波長側に向かって位相差が大きくなる波長分散性（逆分散性）の材料を選択して構成する必要がある。波長分散が逆分散性を示す位相差層として、例えばフルオレン骨格を備えたポリカーボネートからなるものが開示されている（下記特許文献１参照）。
【０００４】
しかしながらこのような材料はインセル化に適するものではなく、高分子材料の多くは、長波長側に向かって位相差が小さくなる波長分散（順分散）となる傾向がある。そこで、順分散性の材料からなる位相差層を積層構造とすることにより広帯域性が得られることを利用し、液晶セル内に位相差層を積層構造として設ける構成が提案されている（例えば下記特許文献２参照）。
【０００５】
以上のようなインセル化に適する位相差層の構成材料としては、例えば重合型の液晶材料が用いられている。重合型の液晶材料であれば、リソグラフィーによるパターン化が可能であり、液晶セル内の所定箇所（例えば画素内の反射表示部）に位相差層をパターン形成できる。また、積層構造の位相差層としては、重合性のコレステリック液晶を用いた例が開示されている（下記特許文献３参照）。
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−１８９６３２号公報
【特許文献２】特開２００３−３２２８５７号公報（図４と関連記載部、他参照）
【特許文献３】特開２００１−５６４８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところが、液晶セル内に位相差層を積層構造として設けるには、位相差層の形成プロセスを２回行う必要がある。したがって、例えば半透過反射型の液晶表示装置のように画素内の反射表示部のみに位相差層をパターン形成する構成であれば、２度のリソグラフィー工程を重ね合わせて行う必要があるため、製造工程数が多く手間が掛かった。
【０００８】
そこで本発明は、より簡便なプロセスによって、広帯域性を備えた信頼性の高い位相差層をインセル化することが可能な液晶表示装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このような目的を達成するための本発明の液晶表示装置は、２枚の基板と、当該基板間に封止された液晶層と、基板のうちの一方の基板における液晶層側に設けられた位相差層とを備えている。そして特に位相差層は、重合性液晶モノマーを三次元架橋させた構成であって、波長４５０ｎｍに対する位相差Ｒ（４５０）と波長５５０ｎｍに対する位相差Ｒ（５５０）とが、Ｒ（４５０）／Ｒ（５５０）≦１であることを特徴としている。
【００１０】
また本発明は、このような構成の液晶表示装置の製造方法でもあり、位相差層を形成する際には、第１の基板上に予め形成した配向膜上に重合性液晶モノマーを含有する溶液を塗布して位相差層形成膜を形成する第１工程と、位相差層形成膜に対して配向処理を行う第２工程と、配向処理された相差層形成膜に含有される前記重合性液晶モノマーを三次元架橋させて、当該位相差層形成膜を硬化させる第３工程とを行う。
【００１１】
このような構成では、２枚の基板間に液晶層が封止された液晶セル内に、上記リタデーション条件であって逆分散性の位相差層が設けられることになる。このため、単層構造でありながらもより広い波長帯域に対応する位相差層がインセルで配置されることになる。またこの位相差層は重合性液晶モノマーを三次元架橋させた構成を備えているため、耐熱性および耐薬品性に優れている。
【発明の効果】
【００１２】
以上より本発明によれば、単層構造でありながらも広帯域性を備え、かつ耐熱性および耐薬品性に優れた信頼性の高い位相差層を、インセル化した液晶表示装置を実現することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
次に本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。先ず、実施形形態の液晶表示装置に設けられる位相差層、位相差層の形成方法、位相差層を用いた液晶表示装置の構成の順に説明を行う。
【００１４】
＜位相差層＞
本発明の液晶表示装置に用いる位相差層は、重合性液晶モノマーを三次元架橋させた構成を第１の特徴としている。またこの位相差層は、波長４５０ｎｍに対する位相差Ｒ（４５０）と波長５５０ｎｍに対する位相差Ｒ（５５０）とが、Ｒ（４５０）／Ｒ（５５０）≦１であって順分散ではなく、好ましくは逆分散性であることを第２の特徴としている。
【００１５】
図１には、波長に対する位相差（リタデーション）のグラフを示す。このグラフに示すように、本発明で用いる位相差層は、グラフ中の破線で示すような長波長帯域ほどリタデーションが低くなる順分散性ではなく、好ましくはグラフ中の実践で示すような長波長帯域ほどリタデーションが高くなる逆分散性であることとする。
【００１６】
以上のような位相差層は、例えば下記化合物（１）〜（５）の、いわゆる重合性液晶モノマーであって放射線硬化型の液晶(ネマチック液晶）を単独または必要に応じて２種類以上を配向させた状態で三次元架橋させた構成であることとする。
【００１７】
【化１】
【００１８】
＜位相差層の形成方法−１＞
図２は、上述したような位相差層の形成手順の第１例を示すフローチャートであり、以下このフローチャートに従って位相差層の形成方法の第１例を説明する。
【００１９】
先ず、ステップＳ１では、配向機能を有する配向面を備えた基板を用意する。ここでは例えば、ガラス基板上に配向膜を形成する。配向膜の形成は、公知の用法を適用することができる。配向膜には、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルアルコール等、通常の液晶表示装置に用いられる配向膜が用いられる。このような配向膜のラビング処理はレーヨン、綿、ポリアミド、ポリメチルメタアクリレート等の素材からなる選ばれるラビング布を金属ロールに捲きつけ、これをフィルムに接した状態で回転させるか、ロールを固定したままフィルムを搬送することにより、フィルム面をラビングで摩擦する通常の方法が適用される。尚、配向面を備えた基板として、もともと配向機能を有する支持フィルムを基板として用意しても良い。
【００２０】
次に、ステップＳ２では、基板の配向面上に位相差層形成膜を塗布成膜する。化合物（１）〜（５）として例示した重合性液晶モノマーを含有する溶液（塗布液）を配向面上にスピンコートにて塗布成膜する。ただし、位相差層形成膜中における重合性液晶モノマーのうちの５０％以上が、２つ以上のアクリレート基を末端に有するものであることとする。これにより、重合性液晶モノマーを三次元架橋させた後の位相差層を、耐熱性および耐薬品性の高いものとすることができる。
【００２１】
また、ここでの位相差層形成膜の塗布成膜においては、位相差層の設計膜厚に対応する膜厚で位相差層形成膜を塗布成膜することが重要である。またこの際に用いる塗布液は、上記重合性液晶モノマーの他に、界面活性剤および光重合開始剤など添加剤を適宜、溶剤中に溶解させることによって調整する。尚、最終的に得られる位相差を、逆波長分散性とするには、ＷＯ２００６／０５２００１などに公開されている各種添加剤を混ぜることにより得ることができる。
【００２２】
上記界面活性剤としては、アクリル系、シリコーン系、フッ素系などを単独または複数種を混合したものを用いることができる。アクリル系の材料としては、ＢＹＫ３６１、３０７、３２５、３４４、３５２、３５４、３９２（以上、ビックケミー社製商品名）、ポリフロー４６１（共栄社化学社製商品名）を挙げることができる。フッ素系材料としては、ＳＣ１０１，ＳＣ３８６（以上、ＡＧＣ社製商品名）、メガファックＲ−０８、Ｒ−９０、Ｆ−４３０（以上、大日本インキ社製商品名）、ＤＭＡＯＰ（アズマックス社製商品名）、シリコーン系材料としては、KF-643、X22-1927（信越化学工業社製商品名）等を用いることができる。
【００２３】
界面活性剤の添加量は、液晶の配向を阻害しない範囲で適宜添加することができるが、一般的には液晶材料に対して０．００１ｗｔ％〜１０ｗｔ％程度が好ましく、さらに好ましくは、０．０１ｗｔ％〜５ｗｔ％程度が好ましい。
【００２４】
このような界面活性剤は、この重合性液晶組成物を用いた光学素子において、重合性液晶モノマーのチルト角を制御するものであり、面内で傾斜角の均一なチルト角で重合性液晶モノマーを配向させた光学素子を形成することができる。
【００２５】
また光重合開始剤としては、チオキサントン系光重合開始剤（例、２，４-ジエチルチオキサントン、２−クロロチオキサントン）、ベンゾフェノン系光重合開始剤（例、ベンゾフェノン、（４−（メチルフェニルチオ）フェニル）フェニルメタノン）やアントラキノン系光重合開始剤（例、エチルアントラキノン）を用いることができる。市販の光重合開始剤（チバジャパン製のIrgacure１８４、Irgacure３６９、Irgacure６５１、Irgacure８１９、Irgacure９０７、IrgacureＯＸＥ０２、IrgacureＯＸＥ０１、Darocur １１７３、Darocur ４２６５）なども用いることができ、必要に応じて２つをブレンドさせても良い。また、他の光重合開始剤や重合開始助剤をブレンドして用いても良い。添加量としては、一般的に０．０１〜１５重量％、好ましくは０．１〜１２重量％、より好ましくは０．５〜１０重量％の範囲で重合性液晶モノマーに添加することができる。
【００２６】
次に、ステップＳ３では、減圧処理によって位相差層形成膜中の溶剤を除去する。
【００２７】
その後、ステップＳ４では、位相差層形成膜に対して配向処理を行う。この際、位相差層形成膜に対して加温処理を行うことにより、位相差層形成膜中の重合性液晶モノマーを液晶相とし、下地の配向面の配向方向に対して配向させる。尚ここの工程での加温は、重合性液晶モノマーが液晶相を示す範囲から架橋しない範囲の低温で行われることが重要である。また、基板における配向面の配向規制力や重合性液晶モノマーが液晶相となる温度範囲によっては、加温処理を行うことなく重合性液晶モノマーが配向面の配向方向に対して配向するため、この加温処理は必要に応じて行えば良い。また重合性液晶モノマーによっては、減圧乾燥処理で配向させることも可能である。
【００２８】
次いで、ステップＳ５では、配向処理された相差層形成膜に対して室温または加温状態で全面露光を行うことにより、位相差層形成膜に含有される重合性液晶モノマーを三次元架橋させて、当該位相差層形成膜を硬化させなる位相差層を得る。ここで露光光（放射線）の光源として、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯などの水銀励起光源、およびキセノン光源等を用いることができる。なかでも、光重合開始剤の感度の大きい波長帯域に強度のピークを有する光源を選択することが好ましい。
【００２９】
その後、ステップＳ６では、熱処理によって位相差層を硬化させる。ここでは、１５０℃〜２３０℃の加熱温度で１０分〜数時間程度の熱処理を行う。
【００３０】
以上により、波長４５０ｎｍに対する位相差Ｒ（４５０）と波長５５０ｎｍに対する位相差Ｒ（５５０）とがＲ（４５０）／Ｒ（５５０）≦１である位相差層を得る。
【００３１】
＜位相差層の形成方法−２＞
図３は、上述したような位相差層の形成手順の第２例を示すフローチャートであり、以下このフローチャートに従ってパターニングされた位相差層の形成方法の第２例を説明する。
【００３２】
先ずステップＳ１〜ステップＳ４を、先の第１例と同様に行い、化合物（１）〜（５）として例示した重合性液晶モノマーを含有する位相差層形成膜に対して加温による配向処理を行う。
【００３３】
その後、新たなステップＳ２１では、位相差層形成膜を室温にまで冷却する。
【００３４】
次に、ステップＳ２２では、位相差層形成膜に対してフォトマスクなどを介してパターン露光を行うことにより、露光部のみにおいて重合性液晶モノマーを三次元架橋させる。また、このパターン露光における露光光（放射線）の光源としては、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯などの水銀励起光源、およびキセノン光源等を用いることができる。なかでも、光重合開始剤の感度の大きい波長帯域に強度のピークを有する光源を選択することが好ましい。
【００３５】
次いで、ステップＳ２３では、位相差層形成膜が可溶な現像液を用いて現像処理を行う。現像液としては、位相差形成膜が可溶であれば良く、無機アルカリ水溶液、有機アルカリ水溶液、有機溶媒などが用いられる。これにより、先のステップＳ２２におけるパターン露光によって重合性液晶モノマーを三次元架橋させた部分のみをのみを残すように当該位相差層形成膜をパターニングしてなる位相差層を得る。尚、現像処理後にはリンス液を用いた洗浄処理を行なっても良い。
【００３６】
またステップＳ２４では、乾燥処理を行うことにより、現像液およびリンス液を除去する。また、別のパターニング手法として、未露光部を温度調整により等方相にし、光または熱にて硬化させる手法を用いても良い。
【００３７】
以上の後には、第１例と同様にステップＳ６として熱処理によって位相差層を硬化させる。ここでは、１５０℃〜２３０℃の加熱温度で１０分〜数時間程度の熱処理を行う。
【００３８】
以上により、波長４５０ｎｍに対する位相差Ｒ（４５０）と波長５５０ｎｍに対する位相差Ｒ（５５０）とがＲ（４５０）／Ｒ（５５０）≦１である位相差層を得る。この位相差層は、基板上にステップＳ２２で行ったパターン露光に応じた形状でパターニングされてものとなる。
【００３９】
＜液晶表示装置−１＞
図４は、本発明を適用した透過型の液晶表示装置の構成を示す断面構成図である。以下、この図に基づいて第１実施形態の液晶表示装置の構成を説明する。
【００４０】
この図に示す液晶表示装置１aは、透過型の液晶表示装置であり、透明材料からなる第１基板１０と第２基板２０との間に液晶層ＬＣが封止されている。そして、第２基板２０における液晶層ＬＣ側に上述した構成の順分散性ではない位相差層３０が設けられている。また第１基板１０の外側面には、透過表示の視野角を補償や透過率を確保するための位相差板４１が密着状態で設けられている。またらさらに第１基板１０および第２基板２０の外側面に、クロスニコルに偏光板４３，４５が密着状態で設けられている。そして第１基板１０側に配置された偏光板４３の外側には、バックライト４７、および反射板３９がこの順に配置されている。
【００４１】
このうち第１基板１０は、ガラス基板のような透明基板からなる。この第１基板１０における液晶層ＬＣに向かう面上には、例えば薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）等を用いた駆動回路を絶縁膜で覆ってなる駆動回路層１１が設けられている。そして、この駆動回路層１１上には透明画素電極１３ｔが配列形成され、これらの透明画素電極１３ｔを覆う状態で配向膜１５が設けられている。
【００４２】
一方、第２基板２０は、ガラス基板のような透明基板からなる。この第２基板２０における液晶層ＬＣに向かう面上には、位相差層３０の下地となる配向膜２１が設けられている。そして、この配向膜２１の配向軸に沿って配向してなる上述の位相差層３０が、第２基板２０における表示領域の全面に設けられている。このような位相差層３０の位相差は、液晶表示装置１ａの表示モード毎に設定される光学設計に基づいて適宜設定され、例えば可視光（例えば波長５５０ｎｍ）でのリデーションとして５０ｎｍ〜４００ｎｍの範囲で設定されることとする。またこのような位相差層３０は、図２のフローチャートを用いて説明した製造方法を適用して形成されている。また、配向膜の配向軸（位相差層の遅相軸または進相軸）についても液晶表示装置１ａの表示モード毎に設定される光学設計に基づいて適宜設定され、偏光板４５の透過軸に対して０〜９０°に設定されていることとする。
【００４３】
またこの位相差層３０上には、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）各色のカラーフィルタと必要に応じてブラックマトリックスを設けたカラーフィルタ層２３が設けられている。さらにこの上部には、透明導電性材料からなる共通電極２５および配向膜２７がこの順に設けられている。この配向膜２７は、例えば第１基板１０側に設けられた配向膜１５に対して反平行にラビング処理または配向処理されたものであることとする。
【００４４】
尚、液晶層ＬＣは、以上の第１基板１０-第２基板２０の周縁に設けられた封止剤２９によって、これらの基板１０−２０間に充填封止されている。
【００４５】
以上のように構成された第１実施形態の透過型の液晶表示装置１ａでは、基板１０−２０間に液晶層ＬＣが封止された液晶セル内に、上記リタデーション条件であって順分散性ではなく好ましくは逆分散性の位相差層３０が設けられることになる。このため、コントラストに優れ表示品位が良く、しかも単層構造でありながらもより広い波長帯域に対応する位相差層３０がインセルで配置されることになる。また、この位相差層３０は重合性液晶モノマーを三次元架橋させた構成を備えているため、耐熱性および耐薬品性に優れている。
【００４６】
この結果、以上の液晶表示装置１ａは、単層構造でありながらも広帯域性を備え、かつた耐熱性および耐薬品性に優れた信頼性の高い位相差層３０をインセル化したてものであるため、製造プロセスの簡便化と信頼性の向上が図られたものとなる。
【００４７】
尚、上記液晶層ＬＣが、ホメオトロピック配向の液晶分子を用いて構成されている場合、この液晶表示装置１ａはＶＡモードで駆動されるものとなる。そしてこのようなＶＡモード型の液晶表示装置において、逆波長分散型の位相差層３０を透過部に設けることにより、透過率アップや斜め方向からのコントラストアップなど透過表示品位も優れた液晶表示装置を提供することができる。またこの液晶層ＬＣがホモジニアス配向する液晶分子で構成されている場合であれば、この液晶表示装置１ａは、ＥＣＢモードや横電界モードで駆動されるものとなる。そしてこのような液晶表示装置において、逆波長分散型の位相差板を透過部に設けることにより、透過率アップや斜め方向からのコントラストアップなど透過表示品位も優れた液晶表示装置を提供することができる。
【００４８】
＜液晶表示装置−２＞
図５は、本発明を適用した透過型の液晶表示装置の構成を示す断面構成図である。以下、この図に基づいて第２実施形態の液晶表示装置の構成を説明する。尚、図４を用いて説明した構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００４９】
この図に示す液晶表示装置１ｂは、透過型の液晶表示装置であり、図４を用いて説明した第１実施形態の液晶表示装置と異なるところは、第２基板２０の液晶層ＬＣ側の積層順にあり、他の構成は同様である。
【００５０】
すなわち、第２基板２０における液晶層ＬＣに向かう面上には、カラーフィルタ層２３が設けられ、これを覆う状態で表面平坦な保護絶縁膜３１が設けられている。そしてこの保護絶縁膜３１上に配向膜２１を介して上述した構成の順分散性ではない位相差層３０が全面に設けられ、この位相差層３０を覆う状態で、共通電極２５および配向膜２７がこの順に設けられている。尚、このような位相差層３０の位相差は、液晶表示装置１ｂの表示モード毎に設定される光学設計に基づいて適宜設定され、例えば可視光（例えば波長５５０ｎｍ）でのリデーションとして５０ｎｍ〜４００ｎｍで設定されることと、配向軸は偏光板４５の透過軸に対して０〜９０°に設定することは第1実施形態と同様である。
【００５１】
以上のように構成された第２実施形態の透過型の液晶表示装置１ｂであっても、基板１０−２０間に液晶層ＬＣが封止された液晶セル内に、順分散性ではなく好ましくは逆分散性であって重合性液晶モノマーを三次元架橋させた構成の位相差層３０を設けているため、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００５２】
＜液晶表示装置−３＞
図６は、本発明を適用した反射型の液晶表示装置の構成を示す断面構成図である。以下、この図に基づいて第３実施形態の液晶表示装置の構成を説明する。尚、図４，５を用いて説明した先の実施形態の構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００５３】
この図に示す液晶表示装置１ｃは、反射型の液晶表示装置であり、第１基板１０と透明材料からなる第２基板２０との間に液晶層ＬＣが封止され、第２基板２０における液晶層ＬＣ側に上述した構成の順分散性ではない位相差層３０が全面に設けられている。また第２基板２０の外側面のみに偏光板４５が密着状態で設けられている。
【００５４】
このうち第１基板１０における液晶層ＬＣに向かう面上には、駆動回路層１１が設けられ、この上部には反射層を兼ねた画素電極１３’が配列形成され、これらの画素電極１３’を覆う状態で配向膜１５が設けられている。
【００５５】
一方、第２基板２０側の構成は第１実施形態と同様である。すなわち第２基板２０は、ガラス基板のような透明基板からなる。この第２基板２０における液晶層ＬＣに向かう面上には、配向膜２１を介して上述の位相差層３０が全面に設けられ、さらにカラーフィルタ層２３、共通電極２５、および配向膜２７がこの順に設けられている。この配向膜２７は、例えば第１基板１０側に設けられた配向膜１５に対して例えば反平行にラビング処理または配向処理されたものであることとする。尚、このような位相差層３０の位相差は、液晶表示装置１ｃの表示モード毎に設定される光学設計に基づいて適宜設定され、例えば可視光（例えば波長５５０ｎｍ）でのリデーションとして５０ｎｍ〜４００ｎｍで設定されることと、配向軸は偏光板４５の透過軸に対して０〜９０°に設定することは第１実施形態と同様である。
【００５６】
以上のように構成された第３実施形態の反射型の液晶表示装置１ｃであっても、基板１０−２０間に液晶層ＬＣが封止された液晶セル内に、順分散性ではなく好ましくは逆分散性であって重合性液晶モノマーを三次元架橋させた構成の位相差層３０を設けているため、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００５７】
＜液晶表示装置−４＞
図７は、本発明を適用した反射型の液晶表示装置の構成を示す断面構成図である。以下、この図に基づいて第４実施形態の液晶表示装置の構成を説明する。尚、図４〜６を用いて説明した先の実施形態の構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００５８】
この図に示す液晶表示装置１ｄは、反射型の液晶表示装置であり、図６を用いて説明した第３実施形態の液晶表示装置と異なるところは、第２基板２０の液晶層ＬＣ側の積層順にあり、他の構成は同様である。
【００５９】
すなわち、第２基板２０における液晶層ＬＣに向かう面上には、カラーフィルタ層２３が設けられ、これを覆う状態で表面平坦な保護絶縁膜３１が設けられている。そしてこの保護絶縁膜３１上に配向膜２１を介して上述した構成の順分散性ではない位相差層３０が全面に設けられ、この位相差層３０を覆う状態で、共通電極２５および配向膜２７がこの順に設けられている。尚、このような位相差層３０の位相差は、液晶表示装置１ｄの表示モード毎に設定される光学設計に基づいて適宜設定され、例えば可視光（例えば波長５５０ｎｍ）でのリデーションとして５０ｎｍ〜４００ｎｍで設定されることと、配向軸は偏光板４５の透過軸に対して０〜９０°に設定することは第１実施形態と同様である。
【００６０】
以上のように構成された第４実施形態の反射型の液晶表示装置１ｄであっても、基板１０−２０間に液晶層ＬＣが封止された液晶セル内に、順分散性ではなく好ましくは逆分散性であって重合性液晶モノマーを三次元架橋させた構成の位相差層３０を設けているため、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００６１】
＜液晶表示装置−５＞
図８は本発明を適用した半透過半反射型の液晶表示装置の構成を示す断面構成図であり、図９は図８の液晶表示装置における１画素分の構成を示す要部の断面構成図である。以下、この図に基づいて第５実施形態の液晶表示装置の構成を説明する。尚、図４〜７を用いて説明した先の実施形態の構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００６２】
これらの図に示す液晶表示装置１ｅは、半透過半反射型の液晶表示装置であり、透明材料からなる第１基板１０と第２基板２０との間に液晶層ＬＣが封止され、第２基板２０における液晶層ＬＣ側に上述した構成の順分散性ではない位相差層３０が設けられている。また第１基板１０の外側面には、位相差板４１が密着状態で設けられ、さらに第１基板１０および第２基板２０の外側面に、クロスニコルに偏光板４３，４５が密着状態で設けられている。また第１基板１０側に配置された偏光板４３の外側には、バックライト４７、および反射板３９が配置されている。
【００６３】
第１基板１０の液晶層ＬＣに向かう面上には、駆動回路層１１が設けられ、この駆動回路層１１上の各画素１０ａには透明画素電極１３ｔと反射画素電極１３ｒとからなる画素電極が配列形成されている。ここでは、各画素１０ａにおいて反射画素電極１３ｒが配置された部分が反射表示部１０ｒとなり、透明画素電極１３ｔのみが形成された部分が透過表示部１０ｔとなる。
【００６４】
また、特に図９に示されるように、反射表示部１３においては、反射画素電極１３ｒが表面凹凸形状の拡散反射層として構成されていることが好ましい。この場合、反射画素電極１３ｒの下地となる反射表示部１０ｒの駆動回路層１１において、薄膜トランジスタＴｒを用いた駆動回路を覆う絶縁膜１１ａの表面を凹凸形状に整形し、この凹凸形状に沿って反射画素電極１３ｒを設ける。尚、画素電極と薄膜トランジスタＴｒとは、絶縁膜１１ａに設けた接続孔ｈを介して透明画素電極１３ｔまたは反射画素電極１３ｒによって接続させる。
【００６５】
そして、以上のような透明画素電極１３ｔと拡散反射層として用いられる反射画素電極１３ｒとからなる画素電極を覆う状態で配向膜１５が設けられている。
【００６６】
一方、第２基板２０の液晶層ＬＣに向かう面上には、カラーフィルタ層２３、保護絶縁膜３１、配向膜２１、上述した構成の順分散性ではない位相差層３０が設けられている。この位相差層３０は、各画素における反射画素電極１３ｒ（すなわち反射表示部１０ｒ）に対応してパターン形成されており、図３のフローチャートを用いて説明した製造方法を適用して形成されている。
【００６７】
また、特に図９に示されるように、この位相差層３０の膜厚によって、反射表示部１０ｒにおける液晶層ＬＣの層厚（セルギャップｇｒ）と、透過表示部１０ｔにおける液晶層ＬＣの層厚（セルギャップｇｔ）とが調整されている。例えば、これらのセルギャップｇｒ，ｇｔは、画素電極１３ｒ，１３−共通電極２５間に電圧を印加した状態において、反射表示部１０ｒで液晶層ＬＣがλ／４の位相差を有し、透過表示部１０ｔで液晶層ＬＣがλ／２の位相差を有する様に設定されていることとする。また位相差層３０は、上記膜厚を有すると共に、位相差層３０の位相差は、液晶表示装置１ｅにおける反射表示部１０ｒの表示モード毎に設定される光学設計に基づいて適宜設定され、例えば可視光（例えば波長５５０ｎｍ）でのリデーションとして５０ｎｍ〜４００ｎｍで設定されることと、配向軸は偏光板４５の透過軸に対して０〜９０°に設定されることとする。
【００６８】
そして、以上のような配向膜２１および位相差層３０を覆う状態で、共通電極２５および配向膜２７がこの順に設けられている。
【００６９】
以上のように構成された第５実施形態の半透過半反射型の液晶表示装置１ｅあっても、基板１０−２０間に液晶層ＬＣが封止された液晶セル内に、順分散性ではなく好ましくは逆分散性であって重合性液晶モノマーを三次元架橋させた構成の位相差層３０を設けているため、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。また、反射表示部１０ｒにのみ位相差層３０をパターン形成したことにより、透過表示にはなんら影響を与えない透過表示品位および反射表示品位に優れた液晶表示装置１ｅを提供することができる。
【００７０】
尚、図９においては、膜トランジスタＴｒを用いた画素回路を画素１０ａ内に配置した構成を示した。この場合画素回路（薄膜トランジスタＴｒ）付近の配向不良部、光洩れ部や非表示部は遮光することが好ましい。また、画素回路は、画素１０ａの周辺に配置することが好ましい。
【００７１】
＜液晶表示装置−６＞
図１０は本発明を適用した半透過半反射型の液晶表示装置の構成を示す断面構成図であり、図１１は図１０の液晶表示装置における１画素分の構成を示す要部の断面構成図である。以下、この図に基づいて第６実施形態の液晶表示装置の構成を説明する。尚、図４〜９を用いて説明した先の実施形態の構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００７２】
この図に示す液晶表示装置１ｆは、半透過半反射型の液晶表示装置であり、図８，９を用いて説明した第５実施形態の液晶表示装置と異なるところは、第１基板１０側に上述した構成の順分散性ではない位相差層３０をパターン形成した構成にある。
【００７３】
すなわち、第１基板１０における液晶層ＬＣに向かう面上には、駆動回路層１１が設けられ、この駆動回路層１１上の各画素１０ａにおける反射表示部１０ａには、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）さらにはこれらの合金等の金属材料を用いた反射材料層３３がパターン形成されている。そして、特に図１１に示すように、反射表示部１０ｒにおいては、反射材料層３３が表面凹凸形状の拡散反射層として構成されていることが好ましい。この場合、反射材料層３３の下地となる反射表示部１０ｒの駆動回路層１１において、薄膜トランジスタＴｒを用いた駆動回路を覆う絶縁膜１１ａの表面を凹凸形状に整形し、この凹凸形状に沿って反射材料層３３を設ける。
【００７４】
そして、これらの反射材料層３３を覆う状態で位相差層３０の下地となる配向膜２１が設けられ、この上部に配向膜２１に対して等方的に配向してなる上述の位相差層３０がパターン形成されている。この位相差層３０は、各画素における反射表示部１０ｒに対応してパターン形成されており、図３のフローチャートを用いて説明した製造方法を適用して形成されている。駆動回路層上に配向膜を用いた位相差層を配置する場合は、下層との導通をとるため、あらかじめ配向膜もパターニングしておくか、または位相差層形成後、現像またはドライエッチングなどで除去することが好ましい。
【００７５】
ここでは、反射材料層３３上が位相差層３０で完全に覆われるように、反射材料層３３の幅Ｗ１、および位相差層３０の幅Ｗ２を設定することが重要である。このため、反射材料層３３の幅Ｗ１≦位相差層３０の幅Ｗ２であって、反射材料層３３の幅Ｗ１＜位相差層３０の幅Ｗ２であることが好ましい。また位相差層３０の下地となる配向膜２１が図示したようにパターニングされている場合、位相差層３０が所定に位置に形成されるように、位相差層３０の幅Ｗ２≦配向膜２１の幅Ｗ３であって、位相差層３０の幅Ｗ２＜配向膜２１の幅Ｗ３であることが好ましい。
【００７６】
また、この位相差層３０の膜厚によって、反射表示部１０ｒにおける液晶層ＬＣの層厚（セルギャップｇｒ）と、透過表示部１０ｔにおける液晶層ＬＣの層厚（セルギャップｇｔ）とが調整されている。例えば、これらのセルギャップｇｒ，ｇｔは、画素電極１３ｒ，１３−共通電極２５間に電圧を印加した状態において、反射表示部１０ｒで液晶層ＬＣがλ／４の位相差を有し、透過表示部１０ｔで液晶層ＬＣがλ／２の位相差を有する様に設定されていることとする。また位相差層３０は、上記膜厚を有すると共に、位相差層３０の位相差は、液晶表示装置１ｆにおける反射表示部１０ｒの表示モード毎に設定される光学設計に基づいて適宜設定され、例えば可視光に対して５５０ｎｍでのリデーションとして５０ｎｍ〜４００ｎｍで設定されることと、配向軸は偏光板４５の透過軸に対して０〜９０°に設定されることは第５実施形態と同様である。
【００７７】
以上のような配向膜２１および各位相差層３０を覆う状態で、各画素１０ａには反射表示部１０ｒおよび透過表示部１０ｔに共通で透明画素電極１３ｔがパターン形成されている。この透明画素電極１３ｔは、駆動回路を覆う絶縁膜１１ａに設けた接続孔ｈを介して薄膜トランジスタＴｒに接続されている。この接続孔ｈは、位相差層３０の脇に配置されることとする。これにより、上述したように、位相差層３０で完全に覆われることを特徴とした反射材料層３３が、接続孔ｈの内壁に露出することもない。このため、例えば接続孔ｈを形成する際のドライエッチングなどの後プロセスにおいて、反射材料層３３を構成する金属材料が変質することが防止される。したがって、反射材料層３３の変質による反射特性の劣化を防止でき、反射材料層３３においての反射特性を維持することができる。
【００７８】
そして、以上のように位相差層３０上に設けられた透明画素電極１３ｔを覆う状態で配向膜１５が設けられている。
【００７９】
一方、第２基板２０の液晶層ＬＣに向かう面上には、カラーフィルタ層２３、共通電極２５、および配向膜２７がこの順に設けられている。
【００８０】
以上のように構成された第６実施形態の透過型の液晶表示装置１ｆであっても、基板１０−２０間に液晶層ＬＣが封止された液晶セル内に、順分散性ではなく好ましくは逆分散性であって重合性液晶モノマーを三次元架橋させた構成の位相差層３０を設けているため、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。また、反射表示部１０ｒにのみ位相差層３０をパターン形成したことにより、透過表示にはなんら影響を与えない透過表示品位および反射表示品位に優れた液晶表示装置１ｆを提供することができる。
【００８１】
尚、図１１においては、膜トランジスタＴｒを用いた画素回路を画素１０ａ内に配置した構成を示した。この場合画素回路（薄膜トランジスタＴｒ）の形成部は遮光することが好ましい。また、画素回路は、画素１０ａの周辺に配置することが好ましい。
【００８２】
＜液晶表示装置の回路構成＞
図１２には、本発明が適用されるアクティブマトリックス駆動の液晶表示装置の回路構成を示す図である。尚、上述した実施形態と同一の構成要素には同一の符号を付して説明を行う。
【００８３】
この図に示すように、液晶表示装置１ａ（１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ)には、表示領域Ａとその周辺領域Ｂとが設定されている。表示領域Ａには、複数の走査線７１と複数の信号線７２とが縦横に配線されており、それぞれの交差部に対応して１つの画素１０ａが設けられた画素アレイ部として構成されている。また、表示領域Ａには、各画素１０ａに共通の共通電極７３が設けられている。一方、周辺領域Ｂには、走査線７１を走査駆動する走査線駆動回路７４と、輝度情報に応じた映像信号（すなわち入力信号）を信号線７２に供給する信号線駆動回路７５とが配置されている。
【００８４】
各画素１ａには、例えばスイッチング素子としての薄膜トランジスタＴｒおよび保持容量Ｃｓからなる画素回路が設けられ、さらにこの画素回路に接続された画素電極１３ｒ，１３ｔが設けられている。また保持容量Ｃｓは、共通電極７３−画素電極１３ｒ，１３ｔ間で構成される。薄膜トランジスタＴｒは、ゲートが走査線７１に接続され、ソース／ドレインの一方が信号線７２に接続され、ソース／ドレインの他方が画素電極１３ｒ，１３ｔに接続されている。
【００８５】
そして、薄膜トランジスタＴｒを介して信号線７２から書き込まれた映像信号が保持容量Ｃｓに保持され、保持された信号量に応じた電圧が画素電極１３ｒ，１３ｔに供給される構成となっている。
【００８６】
以上のような画素回路の構成は、あくまでも一例であり、必要に応じて画素回路内に容量素子を設けたり、さらに複数のトランジスタを設けて画素回路を構成しても良い。また、周辺領域Ｂには、画素回路の変更に応じて必要な駆動回路を追加しても良い。
【００８７】
＜適用例＞
以上説明した本発明に係る表示装置は、図１３〜図１６に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。以下に、本発明が適用される電子機器の一例について説明する。
【００８８】
図１３は、本発明が適用されるテレビを示す斜視図である。本適用例に係るテレビは、フロントパネル１０２やフィルターガラス１０３等から構成される映像表示画面部１０１を含み、その映像表示画面部１０１として本発明に係る表示装置を用いることにより作成される。
【００８９】
図１４は、本発明が適用されるデジタルカメラを示す図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部１１１、表示部１１２、メニュースイッチ１１３、シャッターボタン１１４等を含み、その表示部１１２として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
【００９０】
図１５は、本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体１２１に、文字等を入力するとき操作されるキーボード１２２、画像を表示する表示部１２３等を含み、その表示部１２３として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
【００９１】
図１６は、本発明が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラは、本体部１３１、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ１３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ１３３、表示部１３４等を含み、その表示部１３４として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
【００９２】
図１７は、本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。本適用例に係る携帯電話機は、上側筐体１４１、下側筐体１４２、連結部（ここではヒンジ部）１４３、ディスプレイ１４４、サブディスプレイ１４５、ピクチャーライト１４６、カメラ１４７等を含み、そのディスプレイ１４４やサブディスプレイ１４５として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
【実施例】
【００９３】
＜実施例１＞
下記組成物Ａを塗布液として調整した。
組成物Ａ
重合性液晶モノマー［化合物（１）］ ：１０重量部
重合性化合物［下記（１−１）］ ：１０重量部
重合開始剤［Irgacure OXE02］ ：０．２重量部
界面滑性剤［メガファックR-08］ ：０．０２重量部
溶剤［シクロヘキサノン］ ：７８．９８重量部
【００９４】
【化２】
【００９５】
以上のように調整した組成物Ａを、ラビング処理済の配向膜ＡＬ１２５４（ＪＳＲ社製商品名）上にスピンコートにて塗布し、その後減圧乾燥(最終到達真空度０．４Ｔｏｒｒ)にて溶剤を除去し、ホットプレート上(６０℃)にて１分間の加温による配向処理を行なった。その後、超高圧水銀灯にて照度３０ｍＷ／ｃｍ2、露光時間１０秒、窒素中（酸素濃度０．１％以下）にて３次元架橋処理を行なった。その後、オーブン（２２０℃）にて６０分間の熱処理を行なった。
【００９６】
このようにして作製した位相差層の膜厚を触針式段差計にて測定したところ１．１μｍであった。また、この位相差層について正面で位相差を測定したところ、４５０ｎｍでは１１５ｎｍ、５５０ｎｍでは１３５ｎｍであり、逆波長分散性であることが確認された。
【００９７】
このようにして得られた位相差層をインセルで組み込んだ反射型の液晶表示装置（ＶＡモード、ノーマリーブラック）を作製した。この液晶表示装置は、黒表示の反射率は０．２％、白表示の反射率は５％であり、コントラストは２５であった。
【００９８】
＜比較例１＞
実施例１と同様の構成で、位相差層のみを順分散性のものに換えて液晶表示装置を作製した。ここで用いた位相差層の波長分散は、λ４５０ｎｍでは１４５ｎｍ、λ５５０ｎｍでは１３５ｎｍである。このようにして作製した液晶表示装置は、黒表示の反射率は０．５％、白表示の反射率は５％であり、コントラストは１０であった。
【００９９】
以上の実施例１と比較例１との結果から、実施例１の逆分散性の位相差層を用いた液晶表示装置では、十分なコントラストが得られることが確認された。
【０１００】
＜実施例２＞
下記組成物Ｂを塗布液として調整した。
組成物Ｂ
重合性液晶モノマー［化合物（１）］ ：１０重量部
重合性化合物［上記（１−１）］ ：１０重量部
重合開始剤［Irgacure OXE02］ ：０．０７重量部
界面滑性剤［メガファックR-08］ ：０．０２重量部
溶剤［シクロヘキサノン］ ：７８．９１重量部
【０１０１】
以上のように調整した組成物Ｂを、ラビング処理済の配向膜ＡＬ１２５４（ＪＳＲ社製商品名）上にスピンコートにて塗布し、その後減圧乾燥(最終到達真空度０．４Ｔｏｒｒ)にて溶剤を除去し、ホットプレート上(６０℃)にて１分間の加温による配向処理を行なった。次に、基板を室温(２５℃)まで急冷した後、空気中にてパターンの付いたフォトマスクを介して超高圧水銀灯にて照度３０ｍＷ／ｃｍ2、露光時間２秒のパターン露光による３次元架橋処理を行なった。次いで、露光された基板に室温(２５℃)のメチルエチルケトンを拡散スプレーにて吹きつけ処理を６０秒間行ない、未露光部を除去する現像処理を行なった。その後、オーブン（２２０℃）にて６０分間の熱処理を行なった。
【０１０２】
以上のようにして位相差層を形成した後の基板表面を顕微鏡観察したところ、露光部のみに位相差層がパターン形成されていることが確認された。このようにして作製した位相差層の膜厚を触針式段差計にて測定したところ１．１μｍであった。またこのようにパターン形成された位相差層について、正面で位相差を測定したところ、λ４５０ｎｍでは１１５ｎｍ、λ５５０ｎｍでは１３５ｎｍであり、逆波長分散の位相差層がパターン形成されていることが確認された。
【０１０３】
このようにして得られた位相差層をインセルで組み込んだ半透過半反射型の液晶表示装置（ＶＡモード、ノーマリーブラック、位相差層のパターン部のみに反射層を設置）を作製した。この液晶表示装置は、黒表示の反射率は０．１％、白表示の反射率は２．５％であり、コントラストは２５であった。
【０１０４】
＜比較例２＞
実施例２と同様の構成で、位相差層のみを順分散性のものに換えて液晶表示装置を作製した。ここで用いた位相差層の波長分散は、λ４５０ｎｍでは１４５ｎｍ、λ５５０ｎｍでは１３５ｎｍである。このようにして作製した液晶表示装置は、黒表示の反射率は０．２５％、白表示の反射率は２．５％であり、コントラストは１０であった。
【０１０５】
以上の実施例２と比較例２との結果から、実施例２の逆分散性の位相差層を用いた液晶表示装置では、十分なコントラストが得られることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【０１０６】
【図１】位相差素の波長分散性を説明する図である。
【図２】位相差層の形成手順の第１例を示すフローチャートである。
【図３】位相差層の形成手順の第２例を示すフローチャートである。
【図４】第１実施形態の液晶表示装置（透過型）の構成を断面構成図である。
【図５】第２実施形態の液晶表示装置（透過型）の構成を断面構成図である。
【図６】第３実施形態の液晶表示装置（反射型）の構成を断面構成図である。
【図７】第４実施形態の液晶表示装置（反射型）の構成を断面構成図である。
【図８】第５実施形態の液晶表示装置（半透過半反射型）の構成を断面構成図である。
【図９】第５実施形態の液晶表示装置の要部断面構成図である。
【図１０】第６実施形態の液晶表示装置（半透過半反射型）の構成を断面構成図である。
【図１１】第６実施形態の液晶表示装置の要部断面構成図である。
【図１２】本発明が適用される液晶表示装置の回路構成の一例を示す図である。
【図１３】本発明が適用されるテレビを示す斜視図である。
【図１４】本発明が適用されるデジタルカメラを示す図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。
【図１５】本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。
【図１６】本発明が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。
【図１７】本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【符号の説明】
【０１０７】
１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ…液晶表示装置、１０…第１基板、１０ａ…画素、１０ｔ…透過表示部、１０ｒ…反射表示部、２０…第２基板、３０…位相差層、ＬＣ…液晶層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法に関し、特にはカラー表示において広い視野角を得るための位相差層を設けた液晶表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一対の基板間に液晶層を狭持してなる液晶表示装置には、コントラストの改善や視野角特性の向上を目的として、光学補償用の位相差層が設けられている。また、半透過半反射型の液晶表示装置においては、位相差層を円偏光板として用いることにより、１つの画素内に透過表示領域と反射表示領域とを実現している。近年においては、このような位相差層を、液晶表示装置の基板間（いわゆる液晶セル内）に設けてインセル化することにより、装置の薄型化と製造プロセスの簡便化を図る構成が提案されている。
【０００３】
ここで、カラー表示の液晶表示装置においては、可視光の広い範囲で良好な視野角が得られるように、いわゆる広帯域性を備えた位相差層が求められている。このような位相差層としては、長波長側に向かって位相差が大きくなる波長分散性（逆分散性）の材料を選択して構成する必要がある。波長分散が逆分散性を示す位相差層として、例えばフルオレン骨格を備えたポリカーボネートからなるものが開示されている（下記特許文献１参照）。
【０００４】
しかしながらこのような材料はインセル化に適するものではなく、高分子材料の多くは、長波長側に向かって位相差が小さくなる波長分散（順分散）となる傾向がある。そこで、順分散性の材料からなる位相差層を積層構造とすることにより広帯域性が得られることを利用し、液晶セル内に位相差層を積層構造として設ける構成が提案されている（例えば下記特許文献２参照）。
【０００５】
以上のようなインセル化に適する位相差層の構成材料としては、例えば重合型の液晶材料が用いられている。重合型の液晶材料であれば、リソグラフィーによるパターン化が可能であり、液晶セル内の所定箇所（例えば画素内の反射表示部）に位相差層をパターン形成できる。また、積層構造の位相差層としては、重合性のコレステリック液晶を用いた例が開示されている（下記特許文献３参照）。
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−１８９６３２号公報
【特許文献２】特開２００３−３２２８５７号公報（図４と関連記載部、他参照）
【特許文献３】特開２００１−５６４８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところが、液晶セル内に位相差層を積層構造として設けるには、位相差層の形成プロセスを２回行う必要がある。したがって、例えば半透過反射型の液晶表示装置のように画素内の反射表示部のみに位相差層をパターン形成する構成であれば、２度のリソグラフィー工程を重ね合わせて行う必要があるため、製造工程数が多く手間が掛かった。
【０００８】
そこで本発明は、より簡便なプロセスによって、広帯域性を備えた信頼性の高い位相差層をインセル化することが可能な液晶表示装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このような目的を達成するための本発明の液晶表示装置は、２枚の基板と、当該基板間に封止された液晶層と、基板のうちの一方の基板における液晶層側に設けられた位相差層とを備えている。そして特に位相差層は、重合性液晶モノマーを三次元架橋させた構成であって、波長４５０ｎｍに対する位相差Ｒ（４５０）と波長５５０ｎｍに対する位相差Ｒ（５５０）とが、Ｒ（４５０）／Ｒ（５５０）≦１であることを特徴としている。
【００１０】
また本発明は、このような構成の液晶表示装置の製造方法でもあり、位相差層を形成する際には、第１の基板上に予め形成した配向膜上に重合性液晶モノマーを含有する溶液を塗布して位相差層形成膜を形成する第１工程と、位相差層形成膜に対して配向処理を行う第２工程と、配向処理された相差層形成膜に含有される前記重合性液晶モノマーを三次元架橋させて、当該位相差層形成膜を硬化させる第３工程とを行う。
【００１１】
このような構成では、２枚の基板間に液晶層が封止された液晶セル内に、上記リタデーション条件であって逆分散性の位相差層が設けられることになる。このため、単層構造でありながらもより広い波長帯域に対応する位相差層がインセルで配置されることになる。またこの位相差層は重合性液晶モノマーを三次元架橋させた構成を備えているため、耐熱性および耐薬品性に優れている。
【発明の効果】
【００１２】
以上より本発明によれば、単層構造でありながらも広帯域性を備え、かつ耐熱性および耐薬品性に優れた信頼性の高い位相差層を、インセル化した液晶表示装置を実現することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
次に本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。先ず、実施形形態の液晶表示装置に設けられる位相差層、位相差層の形成方法、位相差層を用いた液晶表示装置の構成の順に説明を行う。
【００１４】
＜位相差層＞
本発明の液晶表示装置に用いる位相差層は、重合性液晶モノマーを三次元架橋させた構成を第１の特徴としている。またこの位相差層は、波長４５０ｎｍに対する位相差Ｒ（４５０）と波長５５０ｎｍに対する位相差Ｒ（５５０）とが、Ｒ（４５０）／Ｒ（５５０）≦１であって順分散ではなく、好ましくは逆分散性であることを第２の特徴としている。
【００１５】
図１には、波長に対する位相差（リタデーション）のグラフを示す。このグラフに示すように、本発明で用いる位相差層は、グラフ中の破線で示すような長波長帯域ほどリタデーションが低くなる順分散性ではなく、好ましくはグラフ中の実践で示すような長波長帯域ほどリタデーションが高くなる逆分散性であることとする。
【００１６】
以上のような位相差層は、例えば下記化合物（１）〜（５）の、いわゆる重合性液晶モノマーであって放射線硬化型の液晶(ネマチック液晶）を単独または必要に応じて２種類以上を配向させた状態で三次元架橋させた構成であることとする。
【００１７】
【化１】
【００１８】
＜位相差層の形成方法−１＞
図２は、上述したような位相差層の形成手順の第１例を示すフローチャートであり、以下このフローチャートに従って位相差層の形成方法の第１例を説明する。
【００１９】
先ず、ステップＳ１では、配向機能を有する配向面を備えた基板を用意する。ここでは例えば、ガラス基板上に配向膜を形成する。配向膜の形成は、公知の用法を適用することができる。配向膜には、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルアルコール等、通常の液晶表示装置に用いられる配向膜が用いられる。このような配向膜のラビング処理はレーヨン、綿、ポリアミド、ポリメチルメタアクリレート等の素材からなる選ばれるラビング布を金属ロールに捲きつけ、これをフィルムに接した状態で回転させるか、ロールを固定したままフィルムを搬送することにより、フィルム面をラビングで摩擦する通常の方法が適用される。尚、配向面を備えた基板として、もともと配向機能を有する支持フィルムを基板として用意しても良い。
【００２０】
次に、ステップＳ２では、基板の配向面上に位相差層形成膜を塗布成膜する。化合物（１）〜（５）として例示した重合性液晶モノマーを含有する溶液（塗布液）を配向面上にスピンコートにて塗布成膜する。ただし、位相差層形成膜中における重合性液晶モノマーのうちの５０％以上が、２つ以上のアクリレート基を末端に有するものであることとする。これにより、重合性液晶モノマーを三次元架橋させた後の位相差層を、耐熱性および耐薬品性の高いものとすることができる。
【００２１】
また、ここでの位相差層形成膜の塗布成膜においては、位相差層の設計膜厚に対応する膜厚で位相差層形成膜を塗布成膜することが重要である。またこの際に用いる塗布液は、上記重合性液晶モノマーの他に、界面活性剤および光重合開始剤など添加剤を適宜、溶剤中に溶解させることによって調整する。尚、最終的に得られる位相差を、逆波長分散性とするには、ＷＯ２００６／０５２００１などに公開されている各種添加剤を混ぜることにより得ることができる。
【００２２】
上記界面活性剤としては、アクリル系、シリコーン系、フッ素系などを単独または複数種を混合したものを用いることができる。アクリル系の材料としては、ＢＹＫ３６１、３０７、３２５、３４４、３５２、３５４、３９２（以上、ビックケミー社製商品名）、ポリフロー４６１（共栄社化学社製商品名）を挙げることができる。フッ素系材料としては、ＳＣ１０１，ＳＣ３８６（以上、ＡＧＣ社製商品名）、メガファックＲ−０８、Ｒ−９０、Ｆ−４３０（以上、大日本インキ社製商品名）、ＤＭＡＯＰ（アズマックス社製商品名）、シリコーン系材料としては、KF-643、X22-1927（信越化学工業社製商品名）等を用いることができる。
【００２３】
界面活性剤の添加量は、液晶の配向を阻害しない範囲で適宜添加することができるが、一般的には液晶材料に対して０．００１ｗｔ％〜１０ｗｔ％程度が好ましく、さらに好ましくは、０．０１ｗｔ％〜５ｗｔ％程度が好ましい。
【００２４】
このような界面活性剤は、この重合性液晶組成物を用いた光学素子において、重合性液晶モノマーのチルト角を制御するものであり、面内で傾斜角の均一なチルト角で重合性液晶モノマーを配向させた光学素子を形成することができる。
【００２５】
また光重合開始剤としては、チオキサントン系光重合開始剤（例、２，４-ジエチルチオキサントン、２−クロロチオキサントン）、ベンゾフェノン系光重合開始剤（例、ベンゾフェノン、（４−（メチルフェニルチオ）フェニル）フェニルメタノン）やアントラキノン系光重合開始剤（例、エチルアントラキノン）を用いることができる。市販の光重合開始剤（チバジャパン製のIrgacure１８４、Irgacure３６９、Irgacure６５１、Irgacure８１９、Irgacure９０７、IrgacureＯＸＥ０２、IrgacureＯＸＥ０１、Darocur １１７３、Darocur ４２６５）なども用いることができ、必要に応じて２つをブレンドさせても良い。また、他の光重合開始剤や重合開始助剤をブレンドして用いても良い。添加量としては、一般的に０．０１〜１５重量％、好ましくは０．１〜１２重量％、より好ましくは０．５〜１０重量％の範囲で重合性液晶モノマーに添加することができる。
【００２６】
次に、ステップＳ３では、減圧処理によって位相差層形成膜中の溶剤を除去する。
【００２７】
その後、ステップＳ４では、位相差層形成膜に対して配向処理を行う。この際、位相差層形成膜に対して加温処理を行うことにより、位相差層形成膜中の重合性液晶モノマーを液晶相とし、下地の配向面の配向方向に対して配向させる。尚ここの工程での加温は、重合性液晶モノマーが液晶相を示す範囲から架橋しない範囲の低温で行われることが重要である。また、基板における配向面の配向規制力や重合性液晶モノマーが液晶相となる温度範囲によっては、加温処理を行うことなく重合性液晶モノマーが配向面の配向方向に対して配向するため、この加温処理は必要に応じて行えば良い。また重合性液晶モノマーによっては、減圧乾燥処理で配向させることも可能である。
【００２８】
次いで、ステップＳ５では、配向処理された相差層形成膜に対して室温または加温状態で全面露光を行うことにより、位相差層形成膜に含有される重合性液晶モノマーを三次元架橋させて、当該位相差層形成膜を硬化させなる位相差層を得る。ここで露光光（放射線）の光源として、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯などの水銀励起光源、およびキセノン光源等を用いることができる。なかでも、光重合開始剤の感度の大きい波長帯域に強度のピークを有する光源を選択することが好ましい。
【００２９】
その後、ステップＳ６では、熱処理によって位相差層を硬化させる。ここでは、１５０℃〜２３０℃の加熱温度で１０分〜数時間程度の熱処理を行う。
【００３０】
以上により、波長４５０ｎｍに対する位相差Ｒ（４５０）と波長５５０ｎｍに対する位相差Ｒ（５５０）とがＲ（４５０）／Ｒ（５５０）≦１である位相差層を得る。
【００３１】
＜位相差層の形成方法−２＞
図３は、上述したような位相差層の形成手順の第２例を示すフローチャートであり、以下このフローチャートに従ってパターニングされた位相差層の形成方法の第２例を説明する。
【００３２】
先ずステップＳ１〜ステップＳ４を、先の第１例と同様に行い、化合物（１）〜（５）として例示した重合性液晶モノマーを含有する位相差層形成膜に対して加温による配向処理を行う。
【００３３】
その後、新たなステップＳ２１では、位相差層形成膜を室温にまで冷却する。
【００３４】
次に、ステップＳ２２では、位相差層形成膜に対してフォトマスクなどを介してパターン露光を行うことにより、露光部のみにおいて重合性液晶モノマーを三次元架橋させる。また、このパターン露光における露光光（放射線）の光源としては、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯などの水銀励起光源、およびキセノン光源等を用いることができる。なかでも、光重合開始剤の感度の大きい波長帯域に強度のピークを有する光源を選択することが好ましい。
【００３５】
次いで、ステップＳ２３では、位相差層形成膜が可溶な現像液を用いて現像処理を行う。現像液としては、位相差形成膜が可溶であれば良く、無機アルカリ水溶液、有機アルカリ水溶液、有機溶媒などが用いられる。これにより、先のステップＳ２２におけるパターン露光によって重合性液晶モノマーを三次元架橋させた部分のみをのみを残すように当該位相差層形成膜をパターニングしてなる位相差層を得る。尚、現像処理後にはリンス液を用いた洗浄処理を行なっても良い。
【００３６】
またステップＳ２４では、乾燥処理を行うことにより、現像液およびリンス液を除去する。また、別のパターニング手法として、未露光部を温度調整により等方相にし、光または熱にて硬化させる手法を用いても良い。
【００３７】
以上の後には、第１例と同様にステップＳ６として熱処理によって位相差層を硬化させる。ここでは、１５０℃〜２３０℃の加熱温度で１０分〜数時間程度の熱処理を行う。
【００３８】
以上により、波長４５０ｎｍに対する位相差Ｒ（４５０）と波長５５０ｎｍに対する位相差Ｒ（５５０）とがＲ（４５０）／Ｒ（５５０）≦１である位相差層を得る。この位相差層は、基板上にステップＳ２２で行ったパターン露光に応じた形状でパターニングされてものとなる。
【００３９】
＜液晶表示装置−１＞
図４は、本発明を適用した透過型の液晶表示装置の構成を示す断面構成図である。以下、この図に基づいて第１実施形態の液晶表示装置の構成を説明する。
【００４０】
この図に示す液晶表示装置１aは、透過型の液晶表示装置であり、透明材料からなる第１基板１０と第２基板２０との間に液晶層ＬＣが封止されている。そして、第２基板２０における液晶層ＬＣ側に上述した構成の順分散性ではない位相差層３０が設けられている。また第１基板１０の外側面には、透過表示の視野角を補償や透過率を確保するための位相差板４１が密着状態で設けられている。またらさらに第１基板１０および第２基板２０の外側面に、クロスニコルに偏光板４３，４５が密着状態で設けられている。そして第１基板１０側に配置された偏光板４３の外側には、バックライト４７、および反射板３９がこの順に配置されている。
【００４１】
このうち第１基板１０は、ガラス基板のような透明基板からなる。この第１基板１０における液晶層ＬＣに向かう面上には、例えば薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）等を用いた駆動回路を絶縁膜で覆ってなる駆動回路層１１が設けられている。そして、この駆動回路層１１上には透明画素電極１３ｔが配列形成され、これらの透明画素電極１３ｔを覆う状態で配向膜１５が設けられている。
【００４２】
一方、第２基板２０は、ガラス基板のような透明基板からなる。この第２基板２０における液晶層ＬＣに向かう面上には、位相差層３０の下地となる配向膜２１が設けられている。そして、この配向膜２１の配向軸に沿って配向してなる上述の位相差層３０が、第２基板２０における表示領域の全面に設けられている。このような位相差層３０の位相差は、液晶表示装置１ａの表示モード毎に設定される光学設計に基づいて適宜設定され、例えば可視光（例えば波長５５０ｎｍ）でのリデーションとして５０ｎｍ〜４００ｎｍの範囲で設定されることとする。またこのような位相差層３０は、図２のフローチャートを用いて説明した製造方法を適用して形成されている。また、配向膜の配向軸（位相差層の遅相軸または進相軸）についても液晶表示装置１ａの表示モード毎に設定される光学設計に基づいて適宜設定され、偏光板４５の透過軸に対して０〜９０°に設定されていることとする。
【００４３】
またこの位相差層３０上には、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）各色のカラーフィルタと必要に応じてブラックマトリックスを設けたカラーフィルタ層２３が設けられている。さらにこの上部には、透明導電性材料からなる共通電極２５および配向膜２７がこの順に設けられている。この配向膜２７は、例えば第１基板１０側に設けられた配向膜１５に対して反平行にラビング処理または配向処理されたものであることとする。
【００４４】
尚、液晶層ＬＣは、以上の第１基板１０-第２基板２０の周縁に設けられた封止剤２９によって、これらの基板１０−２０間に充填封止されている。
【００４５】
以上のように構成された第１実施形態の透過型の液晶表示装置１ａでは、基板１０−２０間に液晶層ＬＣが封止された液晶セル内に、上記リタデーション条件であって順分散性ではなく好ましくは逆分散性の位相差層３０が設けられることになる。このため、コントラストに優れ表示品位が良く、しかも単層構造でありながらもより広い波長帯域に対応する位相差層３０がインセルで配置されることになる。また、この位相差層３０は重合性液晶モノマーを三次元架橋させた構成を備えているため、耐熱性および耐薬品性に優れている。
【００４６】
この結果、以上の液晶表示装置１ａは、単層構造でありながらも広帯域性を備え、かつた耐熱性および耐薬品性に優れた信頼性の高い位相差層３０をインセル化したてものであるため、製造プロセスの簡便化と信頼性の向上が図られたものとなる。
【００４７】
尚、上記液晶層ＬＣが、ホメオトロピック配向の液晶分子を用いて構成されている場合、この液晶表示装置１ａはＶＡモードで駆動されるものとなる。そしてこのようなＶＡモード型の液晶表示装置において、逆波長分散型の位相差層３０を透過部に設けることにより、透過率アップや斜め方向からのコントラストアップなど透過表示品位も優れた液晶表示装置を提供することができる。またこの液晶層ＬＣがホモジニアス配向する液晶分子で構成されている場合であれば、この液晶表示装置１ａは、ＥＣＢモードや横電界モードで駆動されるものとなる。そしてこのような液晶表示装置において、逆波長分散型の位相差板を透過部に設けることにより、透過率アップや斜め方向からのコントラストアップなど透過表示品位も優れた液晶表示装置を提供することができる。
【００４８】
＜液晶表示装置−２＞
図５は、本発明を適用した透過型の液晶表示装置の構成を示す断面構成図である。以下、この図に基づいて第２実施形態の液晶表示装置の構成を説明する。尚、図４を用いて説明した構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００４９】
この図に示す液晶表示装置１ｂは、透過型の液晶表示装置であり、図４を用いて説明した第１実施形態の液晶表示装置と異なるところは、第２基板２０の液晶層ＬＣ側の積層順にあり、他の構成は同様である。
【００５０】
すなわち、第２基板２０における液晶層ＬＣに向かう面上には、カラーフィルタ層２３が設けられ、これを覆う状態で表面平坦な保護絶縁膜３１が設けられている。そしてこの保護絶縁膜３１上に配向膜２１を介して上述した構成の順分散性ではない位相差層３０が全面に設けられ、この位相差層３０を覆う状態で、共通電極２５および配向膜２７がこの順に設けられている。尚、このような位相差層３０の位相差は、液晶表示装置１ｂの表示モード毎に設定される光学設計に基づいて適宜設定され、例えば可視光（例えば波長５５０ｎｍ）でのリデーションとして５０ｎｍ〜４００ｎｍで設定されることと、配向軸は偏光板４５の透過軸に対して０〜９０°に設定することは第1実施形態と同様である。
【００５１】
以上のように構成された第２実施形態の透過型の液晶表示装置１ｂであっても、基板１０−２０間に液晶層ＬＣが封止された液晶セル内に、順分散性ではなく好ましくは逆分散性であって重合性液晶モノマーを三次元架橋させた構成の位相差層３０を設けているため、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００５２】
＜液晶表示装置−３＞
図６は、本発明を適用した反射型の液晶表示装置の構成を示す断面構成図である。以下、この図に基づいて第３実施形態の液晶表示装置の構成を説明する。尚、図４，５を用いて説明した先の実施形態の構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００５３】
この図に示す液晶表示装置１ｃは、反射型の液晶表示装置であり、第１基板１０と透明材料からなる第２基板２０との間に液晶層ＬＣが封止され、第２基板２０における液晶層ＬＣ側に上述した構成の順分散性ではない位相差層３０が全面に設けられている。また第２基板２０の外側面のみに偏光板４５が密着状態で設けられている。
【００５４】
このうち第１基板１０における液晶層ＬＣに向かう面上には、駆動回路層１１が設けられ、この上部には反射層を兼ねた画素電極１３’が配列形成され、これらの画素電極１３’を覆う状態で配向膜１５が設けられている。
【００５５】
一方、第２基板２０側の構成は第１実施形態と同様である。すなわち第２基板２０は、ガラス基板のような透明基板からなる。この第２基板２０における液晶層ＬＣに向かう面上には、配向膜２１を介して上述の位相差層３０が全面に設けられ、さらにカラーフィルタ層２３、共通電極２５、および配向膜２７がこの順に設けられている。この配向膜２７は、例えば第１基板１０側に設けられた配向膜１５に対して例えば反平行にラビング処理または配向処理されたものであることとする。尚、このような位相差層３０の位相差は、液晶表示装置１ｃの表示モード毎に設定される光学設計に基づいて適宜設定され、例えば可視光（例えば波長５５０ｎｍ）でのリデーションとして５０ｎｍ〜４００ｎｍで設定されることと、配向軸は偏光板４５の透過軸に対して０〜９０°に設定することは第１実施形態と同様である。
【００５６】
以上のように構成された第３実施形態の反射型の液晶表示装置１ｃであっても、基板１０−２０間に液晶層ＬＣが封止された液晶セル内に、順分散性ではなく好ましくは逆分散性であって重合性液晶モノマーを三次元架橋させた構成の位相差層３０を設けているため、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００５７】
＜液晶表示装置−４＞
図７は、本発明を適用した反射型の液晶表示装置の構成を示す断面構成図である。以下、この図に基づいて第４実施形態の液晶表示装置の構成を説明する。尚、図４〜６を用いて説明した先の実施形態の構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００５８】
この図に示す液晶表示装置１ｄは、反射型の液晶表示装置であり、図６を用いて説明した第３実施形態の液晶表示装置と異なるところは、第２基板２０の液晶層ＬＣ側の積層順にあり、他の構成は同様である。
【００５９】
すなわち、第２基板２０における液晶層ＬＣに向かう面上には、カラーフィルタ層２３が設けられ、これを覆う状態で表面平坦な保護絶縁膜３１が設けられている。そしてこの保護絶縁膜３１上に配向膜２１を介して上述した構成の順分散性ではない位相差層３０が全面に設けられ、この位相差層３０を覆う状態で、共通電極２５および配向膜２７がこの順に設けられている。尚、このような位相差層３０の位相差は、液晶表示装置１ｄの表示モード毎に設定される光学設計に基づいて適宜設定され、例えば可視光（例えば波長５５０ｎｍ）でのリデーションとして５０ｎｍ〜４００ｎｍで設定されることと、配向軸は偏光板４５の透過軸に対して０〜９０°に設定することは第１実施形態と同様である。
【００６０】
以上のように構成された第４実施形態の反射型の液晶表示装置１ｄであっても、基板１０−２０間に液晶層ＬＣが封止された液晶セル内に、順分散性ではなく好ましくは逆分散性であって重合性液晶モノマーを三次元架橋させた構成の位相差層３０を設けているため、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００６１】
＜液晶表示装置−５＞
図８は本発明を適用した半透過半反射型の液晶表示装置の構成を示す断面構成図であり、図９は図８の液晶表示装置における１画素分の構成を示す要部の断面構成図である。以下、この図に基づいて第５実施形態の液晶表示装置の構成を説明する。尚、図４〜７を用いて説明した先の実施形態の構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００６２】
これらの図に示す液晶表示装置１ｅは、半透過半反射型の液晶表示装置であり、透明材料からなる第１基板１０と第２基板２０との間に液晶層ＬＣが封止され、第２基板２０における液晶層ＬＣ側に上述した構成の順分散性ではない位相差層３０が設けられている。また第１基板１０の外側面には、位相差板４１が密着状態で設けられ、さらに第１基板１０および第２基板２０の外側面に、クロスニコルに偏光板４３，４５が密着状態で設けられている。また第１基板１０側に配置された偏光板４３の外側には、バックライト４７、および反射板３９が配置されている。
【００６３】
第１基板１０の液晶層ＬＣに向かう面上には、駆動回路層１１が設けられ、この駆動回路層１１上の各画素１０ａには透明画素電極１３ｔと反射画素電極１３ｒとからなる画素電極が配列形成されている。ここでは、各画素１０ａにおいて反射画素電極１３ｒが配置された部分が反射表示部１０ｒとなり、透明画素電極１３ｔのみが形成された部分が透過表示部１０ｔとなる。
【００６４】
また、特に図９に示されるように、反射表示部１３においては、反射画素電極１３ｒが表面凹凸形状の拡散反射層として構成されていることが好ましい。この場合、反射画素電極１３ｒの下地となる反射表示部１０ｒの駆動回路層１１において、薄膜トランジスタＴｒを用いた駆動回路を覆う絶縁膜１１ａの表面を凹凸形状に整形し、この凹凸形状に沿って反射画素電極１３ｒを設ける。尚、画素電極と薄膜トランジスタＴｒとは、絶縁膜１１ａに設けた接続孔ｈを介して透明画素電極１３ｔまたは反射画素電極１３ｒによって接続させる。
【００６５】
そして、以上のような透明画素電極１３ｔと拡散反射層として用いられる反射画素電極１３ｒとからなる画素電極を覆う状態で配向膜１５が設けられている。
【００６６】
一方、第２基板２０の液晶層ＬＣに向かう面上には、カラーフィルタ層２３、保護絶縁膜３１、配向膜２１、上述した構成の順分散性ではない位相差層３０が設けられている。この位相差層３０は、各画素における反射画素電極１３ｒ（すなわち反射表示部１０ｒ）に対応してパターン形成されており、図３のフローチャートを用いて説明した製造方法を適用して形成されている。
【００６７】
また、特に図９に示されるように、この位相差層３０の膜厚によって、反射表示部１０ｒにおける液晶層ＬＣの層厚（セルギャップｇｒ）と、透過表示部１０ｔにおける液晶層ＬＣの層厚（セルギャップｇｔ）とが調整されている。例えば、これらのセルギャップｇｒ，ｇｔは、画素電極１３ｒ，１３−共通電極２５間に電圧を印加した状態において、反射表示部１０ｒで液晶層ＬＣがλ／４の位相差を有し、透過表示部１０ｔで液晶層ＬＣがλ／２の位相差を有する様に設定されていることとする。また位相差層３０は、上記膜厚を有すると共に、位相差層３０の位相差は、液晶表示装置１ｅにおける反射表示部１０ｒの表示モード毎に設定される光学設計に基づいて適宜設定され、例えば可視光（例えば波長５５０ｎｍ）でのリデーションとして５０ｎｍ〜４００ｎｍで設定されることと、配向軸は偏光板４５の透過軸に対して０〜９０°に設定されることとする。
【００６８】
そして、以上のような配向膜２１および位相差層３０を覆う状態で、共通電極２５および配向膜２７がこの順に設けられている。
【００６９】
以上のように構成された第５実施形態の半透過半反射型の液晶表示装置１ｅあっても、基板１０−２０間に液晶層ＬＣが封止された液晶セル内に、順分散性ではなく好ましくは逆分散性であって重合性液晶モノマーを三次元架橋させた構成の位相差層３０を設けているため、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。また、反射表示部１０ｒにのみ位相差層３０をパターン形成したことにより、透過表示にはなんら影響を与えない透過表示品位および反射表示品位に優れた液晶表示装置１ｅを提供することができる。
【００７０】
尚、図９においては、膜トランジスタＴｒを用いた画素回路を画素１０ａ内に配置した構成を示した。この場合画素回路（薄膜トランジスタＴｒ）付近の配向不良部、光洩れ部や非表示部は遮光することが好ましい。また、画素回路は、画素１０ａの周辺に配置することが好ましい。
【００７１】
＜液晶表示装置−６＞
図１０は本発明を適用した半透過半反射型の液晶表示装置の構成を示す断面構成図であり、図１１は図１０の液晶表示装置における１画素分の構成を示す要部の断面構成図である。以下、この図に基づいて第６実施形態の液晶表示装置の構成を説明する。尚、図４〜９を用いて説明した先の実施形態の構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００７２】
この図に示す液晶表示装置１ｆは、半透過半反射型の液晶表示装置であり、図８，９を用いて説明した第５実施形態の液晶表示装置と異なるところは、第１基板１０側に上述した構成の順分散性ではない位相差層３０をパターン形成した構成にある。
【００７３】
すなわち、第１基板１０における液晶層ＬＣに向かう面上には、駆動回路層１１が設けられ、この駆動回路層１１上の各画素１０ａにおける反射表示部１０ａには、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）さらにはこれらの合金等の金属材料を用いた反射材料層３３がパターン形成されている。そして、特に図１１に示すように、反射表示部１０ｒにおいては、反射材料層３３が表面凹凸形状の拡散反射層として構成されていることが好ましい。この場合、反射材料層３３の下地となる反射表示部１０ｒの駆動回路層１１において、薄膜トランジスタＴｒを用いた駆動回路を覆う絶縁膜１１ａの表面を凹凸形状に整形し、この凹凸形状に沿って反射材料層３３を設ける。
【００７４】
そして、これらの反射材料層３３を覆う状態で位相差層３０の下地となる配向膜２１が設けられ、この上部に配向膜２１に対して等方的に配向してなる上述の位相差層３０がパターン形成されている。この位相差層３０は、各画素における反射表示部１０ｒに対応してパターン形成されており、図３のフローチャートを用いて説明した製造方法を適用して形成されている。駆動回路層上に配向膜を用いた位相差層を配置する場合は、下層との導通をとるため、あらかじめ配向膜もパターニングしておくか、または位相差層形成後、現像またはドライエッチングなどで除去することが好ましい。
【００７５】
ここでは、反射材料層３３上が位相差層３０で完全に覆われるように、反射材料層３３の幅Ｗ１、および位相差層３０の幅Ｗ２を設定することが重要である。このため、反射材料層３３の幅Ｗ１≦位相差層３０の幅Ｗ２であって、反射材料層３３の幅Ｗ１＜位相差層３０の幅Ｗ２であることが好ましい。また位相差層３０の下地となる配向膜２１が図示したようにパターニングされている場合、位相差層３０が所定に位置に形成されるように、位相差層３０の幅Ｗ２≦配向膜２１の幅Ｗ３であって、位相差層３０の幅Ｗ２＜配向膜２１の幅Ｗ３であることが好ましい。
【００７６】
また、この位相差層３０の膜厚によって、反射表示部１０ｒにおける液晶層ＬＣの層厚（セルギャップｇｒ）と、透過表示部１０ｔにおける液晶層ＬＣの層厚（セルギャップｇｔ）とが調整されている。例えば、これらのセルギャップｇｒ，ｇｔは、画素電極１３ｒ，１３−共通電極２５間に電圧を印加した状態において、反射表示部１０ｒで液晶層ＬＣがλ／４の位相差を有し、透過表示部１０ｔで液晶層ＬＣがλ／２の位相差を有する様に設定されていることとする。また位相差層３０は、上記膜厚を有すると共に、位相差層３０の位相差は、液晶表示装置１ｆにおける反射表示部１０ｒの表示モード毎に設定される光学設計に基づいて適宜設定され、例えば可視光に対して５５０ｎｍでのリデーションとして５０ｎｍ〜４００ｎｍで設定されることと、配向軸は偏光板４５の透過軸に対して０〜９０°に設定されることは第５実施形態と同様である。
【００７７】
以上のような配向膜２１および各位相差層３０を覆う状態で、各画素１０ａには反射表示部１０ｒおよび透過表示部１０ｔに共通で透明画素電極１３ｔがパターン形成されている。この透明画素電極１３ｔは、駆動回路を覆う絶縁膜１１ａに設けた接続孔ｈを介して薄膜トランジスタＴｒに接続されている。この接続孔ｈは、位相差層３０の脇に配置されることとする。これにより、上述したように、位相差層３０で完全に覆われることを特徴とした反射材料層３３が、接続孔ｈの内壁に露出することもない。このため、例えば接続孔ｈを形成する際のドライエッチングなどの後プロセスにおいて、反射材料層３３を構成する金属材料が変質することが防止される。したがって、反射材料層３３の変質による反射特性の劣化を防止でき、反射材料層３３においての反射特性を維持することができる。
【００７８】
そして、以上のように位相差層３０上に設けられた透明画素電極１３ｔを覆う状態で配向膜１５が設けられている。
【００７９】
一方、第２基板２０の液晶層ＬＣに向かう面上には、カラーフィルタ層２３、共通電極２５、および配向膜２７がこの順に設けられている。
【００８０】
以上のように構成された第６実施形態の透過型の液晶表示装置１ｆであっても、基板１０−２０間に液晶層ＬＣが封止された液晶セル内に、順分散性ではなく好ましくは逆分散性であって重合性液晶モノマーを三次元架橋させた構成の位相差層３０を設けているため、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。また、反射表示部１０ｒにのみ位相差層３０をパターン形成したことにより、透過表示にはなんら影響を与えない透過表示品位および反射表示品位に優れた液晶表示装置１ｆを提供することができる。
【００８１】
尚、図１１においては、膜トランジスタＴｒを用いた画素回路を画素１０ａ内に配置した構成を示した。この場合画素回路（薄膜トランジスタＴｒ）の形成部は遮光することが好ましい。また、画素回路は、画素１０ａの周辺に配置することが好ましい。
【００８２】
＜液晶表示装置の回路構成＞
図１２には、本発明が適用されるアクティブマトリックス駆動の液晶表示装置の回路構成を示す図である。尚、上述した実施形態と同一の構成要素には同一の符号を付して説明を行う。
【００８３】
この図に示すように、液晶表示装置１ａ（１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ)には、表示領域Ａとその周辺領域Ｂとが設定されている。表示領域Ａには、複数の走査線７１と複数の信号線７２とが縦横に配線されており、それぞれの交差部に対応して１つの画素１０ａが設けられた画素アレイ部として構成されている。また、表示領域Ａには、各画素１０ａに共通の共通電極７３が設けられている。一方、周辺領域Ｂには、走査線７１を走査駆動する走査線駆動回路７４と、輝度情報に応じた映像信号（すなわち入力信号）を信号線７２に供給する信号線駆動回路７５とが配置されている。
【００８４】
各画素１ａには、例えばスイッチング素子としての薄膜トランジスタＴｒおよび保持容量Ｃｓからなる画素回路が設けられ、さらにこの画素回路に接続された画素電極１３ｒ，１３ｔが設けられている。また保持容量Ｃｓは、共通電極７３−画素電極１３ｒ，１３ｔ間で構成される。薄膜トランジスタＴｒは、ゲートが走査線７１に接続され、ソース／ドレインの一方が信号線７２に接続され、ソース／ドレインの他方が画素電極１３ｒ，１３ｔに接続されている。
【００８５】
そして、薄膜トランジスタＴｒを介して信号線７２から書き込まれた映像信号が保持容量Ｃｓに保持され、保持された信号量に応じた電圧が画素電極１３ｒ，１３ｔに供給される構成となっている。
【００８６】
以上のような画素回路の構成は、あくまでも一例であり、必要に応じて画素回路内に容量素子を設けたり、さらに複数のトランジスタを設けて画素回路を構成しても良い。また、周辺領域Ｂには、画素回路の変更に応じて必要な駆動回路を追加しても良い。
【００８７】
＜適用例＞
以上説明した本発明に係る表示装置は、図１３〜図１６に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。以下に、本発明が適用される電子機器の一例について説明する。
【００８８】
図１３は、本発明が適用されるテレビを示す斜視図である。本適用例に係るテレビは、フロントパネル１０２やフィルターガラス１０３等から構成される映像表示画面部１０１を含み、その映像表示画面部１０１として本発明に係る表示装置を用いることにより作成される。
【００８９】
図１４は、本発明が適用されるデジタルカメラを示す図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部１１１、表示部１１２、メニュースイッチ１１３、シャッターボタン１１４等を含み、その表示部１１２として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
【００９０】
図１５は、本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体１２１に、文字等を入力するとき操作されるキーボード１２２、画像を表示する表示部１２３等を含み、その表示部１２３として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
【００９１】
図１６は、本発明が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラは、本体部１３１、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ１３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ１３３、表示部１３４等を含み、その表示部１３４として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
【００９２】
図１７は、本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。本適用例に係る携帯電話機は、上側筐体１４１、下側筐体１４２、連結部（ここではヒンジ部）１４３、ディスプレイ１４４、サブディスプレイ１４５、ピクチャーライト１４６、カメラ１４７等を含み、そのディスプレイ１４４やサブディスプレイ１４５として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
【実施例】
【００９３】
＜実施例１＞
下記組成物Ａを塗布液として調整した。
組成物Ａ
重合性液晶モノマー［化合物（１）］ ：１０重量部
重合性化合物［下記（１−１）］ ：１０重量部
重合開始剤［Irgacure OXE02］ ：０．２重量部
界面滑性剤［メガファックR-08］ ：０．０２重量部
溶剤［シクロヘキサノン］ ：７８．９８重量部
【００９４】
【化２】
【００９５】
以上のように調整した組成物Ａを、ラビング処理済の配向膜ＡＬ１２５４（ＪＳＲ社製商品名）上にスピンコートにて塗布し、その後減圧乾燥(最終到達真空度０．４Ｔｏｒｒ)にて溶剤を除去し、ホットプレート上(６０℃)にて１分間の加温による配向処理を行なった。その後、超高圧水銀灯にて照度３０ｍＷ／ｃｍ2、露光時間１０秒、窒素中（酸素濃度０．１％以下）にて３次元架橋処理を行なった。その後、オーブン（２２０℃）にて６０分間の熱処理を行なった。
【００９６】
このようにして作製した位相差層の膜厚を触針式段差計にて測定したところ１．１μｍであった。また、この位相差層について正面で位相差を測定したところ、４５０ｎｍでは１１５ｎｍ、５５０ｎｍでは１３５ｎｍであり、逆波長分散性であることが確認された。
【００９７】
このようにして得られた位相差層をインセルで組み込んだ反射型の液晶表示装置（ＶＡモード、ノーマリーブラック）を作製した。この液晶表示装置は、黒表示の反射率は０．２％、白表示の反射率は５％であり、コントラストは２５であった。
【００９８】
＜比較例１＞
実施例１と同様の構成で、位相差層のみを順分散性のものに換えて液晶表示装置を作製した。ここで用いた位相差層の波長分散は、λ４５０ｎｍでは１４５ｎｍ、λ５５０ｎｍでは１３５ｎｍである。このようにして作製した液晶表示装置は、黒表示の反射率は０．５％、白表示の反射率は５％であり、コントラストは１０であった。
【００９９】
以上の実施例１と比較例１との結果から、実施例１の逆分散性の位相差層を用いた液晶表示装置では、十分なコントラストが得られることが確認された。
【０１００】
＜実施例２＞
下記組成物Ｂを塗布液として調整した。
組成物Ｂ
重合性液晶モノマー［化合物（１）］ ：１０重量部
重合性化合物［上記（１−１）］ ：１０重量部
重合開始剤［Irgacure OXE02］ ：０．０７重量部
界面滑性剤［メガファックR-08］ ：０．０２重量部
溶剤［シクロヘキサノン］ ：７８．９１重量部
【０１０１】
以上のように調整した組成物Ｂを、ラビング処理済の配向膜ＡＬ１２５４（ＪＳＲ社製商品名）上にスピンコートにて塗布し、その後減圧乾燥(最終到達真空度０．４Ｔｏｒｒ)にて溶剤を除去し、ホットプレート上(６０℃)にて１分間の加温による配向処理を行なった。次に、基板を室温(２５℃)まで急冷した後、空気中にてパターンの付いたフォトマスクを介して超高圧水銀灯にて照度３０ｍＷ／ｃｍ2、露光時間２秒のパターン露光による３次元架橋処理を行なった。次いで、露光された基板に室温(２５℃)のメチルエチルケトンを拡散スプレーにて吹きつけ処理を６０秒間行ない、未露光部を除去する現像処理を行なった。その後、オーブン（２２０℃）にて６０分間の熱処理を行なった。
【０１０２】
以上のようにして位相差層を形成した後の基板表面を顕微鏡観察したところ、露光部のみに位相差層がパターン形成されていることが確認された。このようにして作製した位相差層の膜厚を触針式段差計にて測定したところ１．１μｍであった。またこのようにパターン形成された位相差層について、正面で位相差を測定したところ、λ４５０ｎｍでは１１５ｎｍ、λ５５０ｎｍでは１３５ｎｍであり、逆波長分散の位相差層がパターン形成されていることが確認された。
【０１０３】
このようにして得られた位相差層をインセルで組み込んだ半透過半反射型の液晶表示装置（ＶＡモード、ノーマリーブラック、位相差層のパターン部のみに反射層を設置）を作製した。この液晶表示装置は、黒表示の反射率は０．１％、白表示の反射率は２．５％であり、コントラストは２５であった。
【０１０４】
＜比較例２＞
実施例２と同様の構成で、位相差層のみを順分散性のものに換えて液晶表示装置を作製した。ここで用いた位相差層の波長分散は、λ４５０ｎｍでは１４５ｎｍ、λ５５０ｎｍでは１３５ｎｍである。このようにして作製した液晶表示装置は、黒表示の反射率は０．２５％、白表示の反射率は２．５％であり、コントラストは１０であった。
【０１０５】
以上の実施例２と比較例２との結果から、実施例２の逆分散性の位相差層を用いた液晶表示装置では、十分なコントラストが得られることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【０１０６】
【図１】位相差素の波長分散性を説明する図である。
【図２】位相差層の形成手順の第１例を示すフローチャートである。
【図３】位相差層の形成手順の第２例を示すフローチャートである。
【図４】第１実施形態の液晶表示装置（透過型）の構成を断面構成図である。
【図５】第２実施形態の液晶表示装置（透過型）の構成を断面構成図である。
【図６】第３実施形態の液晶表示装置（反射型）の構成を断面構成図である。
【図７】第４実施形態の液晶表示装置（反射型）の構成を断面構成図である。
【図８】第５実施形態の液晶表示装置（半透過半反射型）の構成を断面構成図である。
【図９】第５実施形態の液晶表示装置の要部断面構成図である。
【図１０】第６実施形態の液晶表示装置（半透過半反射型）の構成を断面構成図である。
【図１１】第６実施形態の液晶表示装置の要部断面構成図である。
【図１２】本発明が適用される液晶表示装置の回路構成の一例を示す図である。
【図１３】本発明が適用されるテレビを示す斜視図である。
【図１４】本発明が適用されるデジタルカメラを示す図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。
【図１５】本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。
【図１６】本発明が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。
【図１７】本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【符号の説明】
【０１０７】
１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ…液晶表示装置、１０…第１基板、１０ａ…画素、１０ｔ…透過表示部、１０ｒ…反射表示部、２０…第２基板、３０…位相差層、ＬＣ…液晶層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２枚の基板と、当該基板間に封止された液晶層と、前記基板のうちの一方の基板における前記液晶層側に設けられた位相差層とを備えた液晶表示装置において、
前記位相差層は、重合性液晶モノマーを三次元架橋させた構成であって、波長４５０ｎｍに対する位相差Ｒ（４５０）と波長５５０ｎｍに対する位相差Ｒ（５５０）とが、Ｒ（４５０）／Ｒ（５５０）≦１である
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１記載の液晶表示装置において、
前記２枚の基板には、透過表示部と反射表示部とがそれぞれ設定された複数の画素が配列形成され、
前記位相差層は、前記反射表示部に対応して前記各画素内においてパターニングされている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
第１の基板上に位相差層を形成し、前記第１の基板における前記位相差層の形成面側に第２の基板を対向配置し、前記第１の基板と第２の基板との間に液晶層を充填して封止する液晶表示装置の製造方法において、
前記位相差層を形成する際には、
前記第１の基板の配向面上に重合性液晶モノマーを含有する溶液を塗布して位相差層形成膜を形成する第１工程と、
前記位相差層形成膜に対して配向処理を行う第２工程と、
前記配向処理された相差層形成膜に含有される前記重合性液晶モノマーを三次元架橋させて、当該位相差層形成膜を硬化させる第３工程とを行い、
波長４５０ｎｍに対する位相差Ｒ（４５０）と波長５５０ｎｍに対する位相差Ｒ（５５０）とがＲ（４５０）／Ｒ（５５０）≦１である前記位相差層を得る
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の液晶表示装置の製造方法において、
前記位相差層形成膜中における前記重合性液晶モノマーのうちの５０％以上は、２つ以上のアクリレート基を末端に有する
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
請求項３記載の液晶表示装置の製造方法において、
前記第３工程では、前記位相差層形成膜に対してパターン露光を行うことにより、露光部のみにおいて前記重合性液晶モノマーを三次元架橋させ、
その後、前記位相差層形成膜の現像処理を行うことにより前記露光部のみを残すように当該位相差層形成膜をパターニングする第４工程を行う
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
２枚の基板と、当該基板間に封止された液晶層と、前記基板のうちの一方の基板における前記液晶層側に設けられた反射材料層と、当該反射層の上方にパターン形成された位相差層とを備えた液晶表示装置において、
前記反射材料層は、前記位相差層で完全に覆われている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項６記載の液晶表示装置において、
前記２枚の基板には、透過表示部と反射表示部とがそれぞれ設定された複数の画素が配列形成され、
前記反射材料層および前記位相差層は、前記反射表示部に対応して前記各画素内においてパターニングされている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
請求項６記載の液晶表示装置において、
前記反射材料層は、金属材料を用いて構成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１】
２枚の基板と、当該基板間に封止された液晶層と、前記基板のうちの一方の基板における前記液晶層側に設けられた位相差層とを備えた液晶表示装置において、
前記位相差層は、重合性液晶モノマーを三次元架橋させた構成であって、波長４５０ｎｍに対する位相差Ｒ（４５０）と波長５５０ｎｍに対する位相差Ｒ（５５０）とが、Ｒ（４５０）／Ｒ（５５０）≦１である
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１記載の液晶表示装置において、
前記２枚の基板には、透過表示部と反射表示部とがそれぞれ設定された複数の画素が配列形成され、
前記位相差層は、前記反射表示部に対応して前記各画素内においてパターニングされている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
第１の基板上に位相差層を形成し、前記第１の基板における前記位相差層の形成面側に第２の基板を対向配置し、前記第１の基板と第２の基板との間に液晶層を充填して封止する液晶表示装置の製造方法において、
前記位相差層を形成する際には、
前記第１の基板の配向面上に重合性液晶モノマーを含有する溶液を塗布して位相差層形成膜を形成する第１工程と、
前記位相差層形成膜に対して配向処理を行う第２工程と、
前記配向処理された相差層形成膜に含有される前記重合性液晶モノマーを三次元架橋させて、当該位相差層形成膜を硬化させる第３工程とを行い、
波長４５０ｎｍに対する位相差Ｒ（４５０）と波長５５０ｎｍに対する位相差Ｒ（５５０）とがＲ（４５０）／Ｒ（５５０）≦１である前記位相差層を得る
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の液晶表示装置の製造方法において、
前記位相差層形成膜中における前記重合性液晶モノマーのうちの５０％以上は、２つ以上のアクリレート基を末端に有する
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
請求項３記載の液晶表示装置の製造方法において、
前記第３工程では、前記位相差層形成膜に対してパターン露光を行うことにより、露光部のみにおいて前記重合性液晶モノマーを三次元架橋させ、
その後、前記位相差層形成膜の現像処理を行うことにより前記露光部のみを残すように当該位相差層形成膜をパターニングする第４工程を行う
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
２枚の基板と、当該基板間に封止された液晶層と、前記基板のうちの一方の基板における前記液晶層側に設けられた反射材料層と、当該反射層の上方にパターン形成された位相差層とを備えた液晶表示装置において、
前記反射材料層は、前記位相差層で完全に覆われている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項６記載の液晶表示装置において、
前記２枚の基板には、透過表示部と反射表示部とがそれぞれ設定された複数の画素が配列形成され、
前記反射材料層および前記位相差層は、前記反射表示部に対応して前記各画素内においてパターニングされている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
請求項６記載の液晶表示装置において、
前記反射材料層は、金属材料を用いて構成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【公開番号】特開２００９−１５７３３４（Ｐ２００９−１５７３３４Ａ）
【公開日】平成２１年７月１６日（２００９．７．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−４０９６８（Ｐ２００８−４０９６８）
【出願日】平成２０年２月２２日（２００８．２．２２）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年７月１６日（２００９．７．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年２月２２日（２００８．２．２２）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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