説明

液晶表示装置

【課題】カラーフィルターのスクライブ時に表示領域の周縁部に形成された引き回し配線
が断線し難い液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】走査線用引き回し配線GL1〜GLnを、第2接続部CP2でゲート絶縁膜
及びパッシベーション膜で被覆されている下層配線GL1、GL5、・・・とパッシベー
ション膜によって被覆されている上層配線GL3、GL7、・・・とで構成し、張り出し
部2a'よりも表示領域側で、上層配線を走査線用第1接続部SP1'において下側の走査
線用引き回し配線GL3'、GL7'・・・に変換して電極端子t1及びt2に電気的に接
続し、信号線SW1〜SWmを信号線用第1接続部SP1においてゲート絶縁膜の下層に
形成されている信号線用引き回し配線SL1〜SLnに切り替えて信号線用電極端子t3
に電気的に接続する。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、製造時に表示領域の周縁部に形成された引き回し配線が断線し難い液晶表示
装置に関する。更に詳しくは、本発明は、引き回し配線が接続部において全てゲート絶縁
膜の下に位置するように切り替えられて少なくとも2層の絶縁膜によって被覆された状態
で電極端子に電気的に接続されており、製造時に引き回し配線が断線し難い液晶表示装置
に関する。
【背景技術】
【0002】
液晶表示装置はCRT(陰極線管)と比較して軽量、薄型、低消費電力という特徴があ
るため、表示用として多くの電子機器に使用されている。液晶表示装置の液晶層に電界を
印加する方法として、縦電界方式のものと横電界方式のものとがある。縦電界方式の液晶
表示装置は、液晶層を挟んで配置される一対の透明基板上にそれぞれ電極が設けられ、こ
れら一対の電極により、概ね列方向の電界を液晶分子に印加するものである。この縦電界
方式の液晶表示装置としては、TN(Twisted Nematic)モード、VA(Vertical Alignm
ent)モード、MVA(Multi-domain Vertical Alignment)モード等のものが知られてい
る。横電界方式の液晶表示装置は、液晶層を挟んで配設される一対の基板のうちの一方の
内面側にのみ一対の電極を絶縁して設け、概ね横方向の電界を液晶分子に対して印加する
ものである。この横電界方式の液晶表示装置としては、一対の電極が平面視で重ならない
IPS(In-Plane Switching)モードのものと、重なるFFS(Fringe Field Switching
)モードのものとが知られている。
【0003】
このように、液晶表示装置には複数の方式のものが知られている。これらの液晶表示装
置は、いずれも液晶分子の配向を変化させるための電界を形成する画素電極及び共通電極
と、マトリクス状に整列された画素ごとに画素電極の電圧を変化させるための走査線及び
信号線が、アレイ基板の表示領域に形成されている。
【0004】
そして、アレイ基板の非表示領域には、ドライバー用ICとの電気的接続用の電極端子
が形成され、これら電極端子には走査線及び信号線が引き回し配線を介して電気的に接続
されている。これらの引き回し配線は表示領域の周縁領域に形成されるが、走査線及び信
号線用の引き回し配線は非常に数が多いので、広い周縁領域が必要とされる。特に、ドラ
イバー用ICが、走査線の延在方向ではなく、信号線の延在方向に配設されているときは
、表示領域が液晶表示装置の左右のいずれにも偏らないようにして中央に配置されている
ようにするためには、走査線用の引き回し配線を表示領域の左右の両側から信号線の延在
方向に引き回す必要があるため、さらに広い周縁領域が必要とされる。このような周縁領
域に必要な面積を減らす目的で、下記特許文献1には、引き回し配線を多層構造化した液
晶表示装置が開示されている。ここで、下記特許文献1に開示されている液晶表示装置の
引き回し配線の構成を図7を用いて説明する。
【0005】
図7Aは従来例の液晶表示装置の周縁領域左側における引き回し配線の配置を示す部分
拡大平面図、図7Bは図7AのVIIB−VIIB線の断面図、図7Cは図7Aの第1接続部を
拡大した断面図である。
【0006】
なお、理解を容易とするために、図7Aにおいては、走査線と同一材料(以下、「ゲー
ト材料」という。)で形成された導電部材を点線で示し、信号線と同一材料(以下、「ソ
ース材料」という。)で形成された導線部材を実線で示している。
【0007】
下記特許文献1に開示された液晶表示装置にあっては、アレイ基板は、透明ガラス基板
60の表面に走査線61及び信号線62とがマトリクス状に配置された表示領域と、表示
領域の左右両側(図7Aにおいては左側のみ示されている)及び下側に位置する周縁領域
とに区画されている。周縁領域には、信号線62の延在方向に、ドライバー用IC(図示
省略)との接続のためのゲート材料で形成された走査線用電極端子63及びソース材料で
形成された信号線用電極端子64が設けられており、周縁領域には更に、走査線61と走
査線用電極端子63とを接続するための引き回し配線65が形成されている。
【0008】
この引き回し配線65は、ゲート材料で構成された第1引き回し配線65aと、ソース
材料で構成された第2引き回し配線65bとからなっている。そして、図7Bに示される
ように、これらの第1引き回し配線65aと、第2引き回し配線65bとは、間にゲート
絶縁膜66を挟んで2層構造化されると共に、平面視で互いに重なることなく互い違いに
隣接配置されており、それぞれ交互に走査線61と電気的に接続されている。この際、第
1引き回し配線65aは、一端が走査線61と直接接続され、他端がゲート絶縁膜66の
下側に形成された電極端子63と直接接続されている。
【0009】
一方、第2引き回し配線65bは、図7Cに示されるように、第1接続部67において
、第2引き回し配線65bの一端が、ゲート絶縁膜66に形成されたコンタクトホール6
9を介して走査線61にブリッジ接続されている。また、第2引き回し配線65bも、第
2接続部68において、ゲート絶縁膜66に形成されたコンタクトホール(図示省略)を
介して下側配線部65b'とブリッジ接続され、この下側配線部65b'を介して電極端子
63と電気的に接続されている。なお、第2接続部68の構成は、実質的に第1接続部6
7と同様の構成であるので、図示省略した。
【0010】
この特許文献1の液晶表示装置によれば、第1及び第2引き回し配線65a、65bが
2層構造化されていることから、引き回し配線間のピッチを狭めることができ、周縁領域
の占める面積の狭小化が達成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0011】
【特許文献1】特開2005−91962号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0012】
液晶表示装置は、縦電界方式、横電界方式を問わず、通常、複数枚の液晶表示パネルを
同時製造できるだけの十分な大きさを有するアレイ基板用のマザー基板及びカラーフィル
ター基板用のマザー基板を用い、各種の製造工程を経て製造される。この製造工程では、
まず、アレイ基板用のマザー基板に、表示領域に走査線、信号線、スイッチング素子とし
ての薄膜トランジスター(TFT:Thin Film Transistor)、画素電極等を備えると共に
、非表示領域に各種引き回し配線や電極端子等が形成された複数のパネル領域を形成する
。次いで、複数のパネル領域に形成されたそれぞれの表示領域の周囲にシール材を塗布し
た後、アレイ基板用のマザー基板と別途作製されたカラーフィルター基板用のマザー基板
と貼り合せ、貼り合された両方のマザー基板を個々の液晶表示装置に分断し、更に、分断
された個々の液晶表示装置に液晶を封入することにより液晶表示装置が完成される。
【0013】
ところで、液晶表示装置の製造工程には、貼り合された両方のマザー基板から個々の液
晶表示装置を作製する前に、個々の液晶表示装置の前駆体に分断した後、カラーフィルタ
ー基板の一端を切除し、アレイ基板の上面の一部を露出させて張り出し部(図7Aの参照
符号60'の部分参照)を設けるスクライブ処理工程が含まれている。このスクライブ処
理工程は、アレイ基板のドライバー用ICの搭載領域や外部接続端子部等を露出させるた
めのものである。このスクライブ処理工程では、カッターホイールを用いてカラーフィル
ター基板上の所定位置にスクライブライン(図7Aの参照符号SCRの部分参照)を形成
し、このスクライブラインSCRに対応する位置の外表面を分断バーと呼ばれる専用の工
具で叩くことによって、カラーフィルター基板の一端を切除している。このカラーフィル
ター基板の一端を切除する際に、カラーフィルター基板の切断片がアレイ基板の表面に衝
突し、アレイ基板に形成されている引き回し配線に断線が発生することがある。この現象
を図8を用いて説明する。
【0014】
図8Aは従来のスクライブ処理工程を説明するための断面図であり、図8Bは図8Aの
VIIIB部の拡大図である。
【0015】
図8Aに示すスクライブ処理工程における液晶表示装置の前駆体70は、第1のガラス
基板72の表面に各種の電極及び配線等73が形成されたアレイ基板71と第2のガラス
基板75の表面にカラーフィルター層等76が形成されたカラーフィルター基板74とが
対向配置され、外周囲がシール材77によってシールされ、内部に液晶が封止された構成
を有している。そして、予め第2のガラス基板75の所定位置にスクライブラインSCR
を形成した後、スクライブラインSCRに沿って分断バー78によりブレークすることに
よって、第2のガラス基板75の端材75aを切除し、アレイ基板71上の端子領域の周
辺回路配線73aを露出させる。このとき、図8Bに示すように、端材75aの角がアレ
イ基板71の周辺回路配線73aに接触する。そのため、端材75aの角がアレイ基板7
1の周辺回路配線73aに接触した衝撃によって、アレイ基板71上の周辺回路配線73
aに亀裂79が入り、周辺回路配線73aが断線することになるわけである。
【0016】
図7において、上述のような引き回し配線65の断線は、たとえ上側の第2引き回し配
線65bの表面がパッシベーション膜で被覆されていたとしても、この上側の第2引き回
し配線65bに生じやすい。このような現象が生じる理由は、下側の第1引き回し配線6
5aはゲート絶縁膜66及びパッシベーション膜で被覆されているのに対し、上側の第2
引き回し配線65bはパッシベーション膜のみで被覆されているためと考えられる。
【0017】
本発明は、従来技術の上記問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、周
縁領域の引き回し配線が多層構造化された液晶表示装置において、スクライブ処理工程で
発生し易い引き回し配線の断線が抑制された液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0018】
上記目的を達成するため、本発明の液晶表示装置は、液晶層を挟持して対向配置された
下側の第1基板と上側の第2基板とを備え、前記第2基板がスクライブラインに沿って分
断されていることにより、前記第1基板には、前記スクライブラインを境にその上面が露
出された張り出し部が設けられ、前記張り出し部に複数の電極端子が形成された液晶表示
装置であって、前記第1基板の前記液晶層側には、表示領域の周縁部に走査線用及び信号
線用の引き回し配線が形成されており、前記引き回し配線は、第1絶縁膜及び第2絶縁膜
によって被覆されて前記電極端子に直接電気的に接続されている下層配線と、前記第1絶
縁膜上に形成されて前記第2絶縁膜によって被覆されている上層配線とからなり、前記上
層配線は、前記スクライブラインよりも前記表示領域側となる非張り出し部内に形成され
た第1接続部において、前記下層配線に切り替えられて前記電極端子に電気的に接続され
ており、前記走査線は、一部が前記表示領域の周辺部に形成された第2接続部において前
記上層配線に電気的に接続されており、残部が前記下層配線に直接電気的に接続されてお
り、前記信号線は、前記第1接続部において前記下層配線に電気的に接続されている、こ
とを特徴とする。
【0019】
本発明の液晶表示装置は、液晶層を挟持して対向配置された下側の第1基板と上側の第
2基板とを備え、前記第2基板の一端がスクライブラインに沿って分断されていることに
より前記第2基板のスクライブラインが基板端部となり、前記第1基板には、前記スクラ
イブラインを境にその上面が露出された張り出し部が設けられ、前記張り出し部に複数の
電極端子が形成されている。このような構成の液晶表示装置は、携帯電話機等の小型の電
子機器に多く使用されている。
【0020】
そして、本発明の液晶表示装置では、前記第1基板の前記液晶層側には、表示領域の周
縁部に走査線用及び信号線用の引き回し配線が形成されており、前記引き回し配線は、第
1絶縁膜及び第2絶縁膜によって被覆されて前記電極端子に直接電気的に接続されている
下層配線と、前記第1絶縁膜上に形成されて前記第2絶縁膜によって被覆されている上層
配線とからなり、前記上層配線は、前記スクライブラインよりも前記表示領域側となる非
張り出し部内に形成された第1接続部において、前記下層配線に切り替えられて前記電極
端子に電気的に接続されており、前記走査線は、一部が前記表示領域の周辺部に形成され
た第2接続部において前記上層配線に電気的に接続されており、残部が前記下層配線に直
接電気的に接続されている。すなわち、本発明の液晶表示装置においては、スクライブラ
インよりも表示領域側となる非張り出し部内に形成された第1接続部において、上層配線
は全て下層配線に切り替えられてこれらの下層配線を経て電極端子に接続されている。
【0021】
液晶表示装置の製造時に第2基板をスクライブラインに沿って分断すると、第2基板の
切断片は第1基板の張り出し部の表面と衝突するので、張り出し部に形成されている引き
回し配線の表面に被覆されている絶縁膜の厚さが薄いと、引き回し配線が断線し易くなる
。しかしながら、本発明の液晶表示装置においては、張り出し部における引き回し配線は
、全て第1絶縁膜及び第2絶縁膜で被覆されているので、第2基板をスクライブラインに
沿って分断した際に第2基板の切断片が第1基板の張り出し部の表面と衝突しても、断線
する可能性が大きく減少する。
【0022】
更に、本発明の液晶表示装置によれば、走査線用の引き回し配線は上層配線と下層配線
とに振り分けられて電極端子との接続を行っており、しかも、上層配線と下層配線とは異
なる層に形成されているために、同一層にある上層配線同士の距離及び下層配線同士の距
離を十分に確保できるから、配線間ピッチを狭めることによる短絡等が生じる可能性も減
少する。
【0023】
また、本発明の液晶表示装置においては、前記第1接続部は、前記第1絶縁膜及び前記
第2絶縁膜を貫通して前記下層配線を露呈させている第1コンタクトホールと前記第2絶
縁膜を貫通して前記上層配線又は信号線を露呈させている第2コンタクトホールとを有し
、前記第1接続部において、前記上層配線及び前記信号線は、前記第1及び第2コンタク
トホールを経て、それぞれ下層配線に透明導電性材料からなる層によって電気的に接続さ
れており、前記第2接続部は、前記第1絶縁膜及び前記第2絶縁膜を貫通して前記走査線
を露呈させている第3コンタクトホールと、前記第2絶縁膜を貫通して前記上層配線を露
呈させている第4コンタクトホールとを有し、前記第2接続部において、前記走査線は、
前記第3及び第4コンタクトホールを経て、透明導電性材料からなる層によって前記上層
配線に電気的に接続されていることが好ましい。
【0024】
液晶表示装置の製造工程においては、画素電極とTFTのドレイン電極とを電気的に接
続するため、TFTの表面を被覆する第2絶縁膜(例えばパッシベーション膜)にコンタ
クトホールを形成する工程がある。本発明の液晶表示装置は、このコンタクトホールの形
成工程時に同時に第1接続部及び第2接続部の第1〜第4コンタクトホールを形成するこ
とができる。しかも、第1接続部及び第2接続部の透明導電性材料からなる層の形成を同
一工程で行うことができる。そのため、本発明の液晶表示装置によれば、あまり製造工程
数を増加させることなく第1接続部及び第2接続部を形成することができるようになる。
【0025】
また、本発明の液晶表示装置においては、前記第1及び第2コンタクトホール間を電気
的に接続する透明導電性材料からなる層及び前記第3コンタクトホール及び第4コンタク
トホール間を電気的に接続する透明導電性材料からなる層は、前記表示領域に形成された
液晶駆動用の画素電極又は共通電極と同一素材とすることが好ましい。
【0026】
本発明の液晶表示装置によれば、第1接続部における上層配線及び信号線と下層配線と
の電気的接続と、第2接続部における走査線と上層配線との電気的接続を、表示領域の画
素電極又は共通電極と同時に形成することができるため、特に第1接続部及び第2接続部
の透明導電性材料からなる層を形成するために製造工数を増やす必要がなくなる。
【0027】
また、本発明の液晶表示装置においては、前記第1絶縁膜は前記走査線を非被覆するゲ
ート絶縁膜であり、前記第2絶縁膜は前記表示領域に形成されたスイッチング素子として
のTFTの表面を被覆するパッシベーション膜であることが好ましい。
【0028】
通常の液晶表示装置は、縦電界方式の液晶表示装置であっても横電界方式の液晶表示装
置であっても、スイッチング素子としてのTFTの表面を被覆するパッシベーション膜を
備えている。このパッシベーション膜は、TFTのチャネル領域及び各種電極や配線の保
護のためにも受けられるものである。そのため、本発明は、幅広い形式の液晶表示装置に
適用することができるようになる。
【0029】
また、本発明の液晶表示装置は、前記液晶表示装置はFFSモードの液晶表示装置であ
り、前記第1絶縁膜は前記走査線を非被覆するゲート絶縁膜から形成され、前記第2絶縁
膜は、前記表示領域に形成されたスイッチング素子としての薄膜トランジスターの表面を
被覆するパッシベーション膜及び前記液晶駆動用の画素電極及び共通電極の間に形成され
た電極間絶縁膜から形成されているものとすることもできる。
【0030】
FFSモードの液晶表示パネルには、層間樹脂膜上に電極間絶縁膜を挟んで下電極と複
数のスリット状開口を備える上電極とから形成されるものがある。このような構成のFF
Sモードの液晶表示装置は、スイッチング素子としてのTFTの表面を被覆するパッシベ
ーション膜、層間樹脂膜及び電極間絶縁膜を備えている。そのため、本発明の液晶表示装
置は、このようなパッシベーション膜、層間樹脂膜及び電極間絶縁膜が形成されているF
FSモードの液晶表示装置に対しても適用可能となる。この場合、第2絶縁膜は、パッシ
ベーション膜及び電極間絶縁膜の2層構造からなるので、厚さが十分に厚くなるためによ
り引き回し配線の断線が生じ難くなる。
【0031】
また、本発明の液晶表示装置は、前記液晶表示装置はFFSモードの液晶表示装置であ
り、前記第1絶縁膜は前記走査線を非被覆するゲート絶縁膜から形成され、前記第2絶縁
膜は前記液晶駆動用の画素電極及び共通電極の間に形成された電極間絶縁膜から形成され
ているものとすることができる。
【0032】
FFSモードの液晶表示パネルには、層間樹脂膜上に電極間絶縁膜を挟んで下電極と複
数のスリット状開口を備える上電極とから形成されるものがある。このような構成のFF
Sモードの液晶表示装置は、TFTのチャネル領域は層間樹脂膜と電極間樹脂膜によって
被覆されるため、パッシベーション膜を省略しても、TFTのチャネル領域を十分に保護
することができる。本発明の液晶表示装置によれば、このようなパッシベーション膜が形
成されていないFFSモードの液晶表示装置に対しても適用可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0033】
【図1】各実施形態に共通する液晶表示装置のカラーフィルター基板を透視して表したアレイ基板の概略平面図である。
【図2】図2Aは図1のIIA−IIA線の断面図、図2Bは図1のIIB−IIB線の断面図である。
【図3】図3Aは図1の第1接続部の拡大平面図、図3Bは図3AのIIIB−IIIB線の断面図である。
【図4】図4Aは図1の第2接続部の拡大平面図、図4Bは図4AのIVB−IVB線の断面図である。
【図5】図5Aは第2実施形態の液晶表示装置のアレイ基板の1サブ画素分の層構造を示す断面図、図5Bは第2実施形態の液晶表示装置の図3Bに対応する断面図である。
【図6】図6Aは第3実施形態の液晶表示装置のアレイ基板の1サブ画素分の層構造を示す断面図、図6Bは第3実施形態の液晶表示装置の図3Bに対応する断面図である。
【図7】図7Aは従来例の液晶表示装置の周縁領域左側における引き回し配線の配置を示す部分拡大平面図、図7Bは図7AのVIIB−VIIB線の断面図、図7Cは図7Aの第1接続部の拡大した断面図である。
【図8】図8Aは従来のスクライブ工程を説明するための断面図であり、図8Bは図8AのVIIIB部の拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【0034】
以下、図面を参照して本発明の最良の実施形態を説明する。但し、以下に示す実施形態
は、本発明の技術思想を具体化するための液晶表示装置を例示するものであって、本発明
をこの液晶表示装置に特定することを意図するものではなく、特許請求の範囲に含まれる
その他の実施形態のものにも等しく適応し得るものである。更に、この明細書における説
明のために用いられた各図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大き
さとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせて表示しており、必ずしも実際の寸法に
比例して表示されているものではない。
【0035】
図1は各実施形態に共通する液晶表示装置のカラーフィルター基板を透視して表したア
レイ基板の概略平面図である。図2Aは図1のIIA−IIA線の断面図、図2Bは図1のII
B−IIB線の断面図である。図3Aは図1の第1接続部の拡大平面図、図3Bは図3Aの
IIIB−IIIB線の断面図である。図4Aは図1の第2接続部の拡大平面図、図4Bは図4
AのIVB−IVB線の断面図である。図5Aは第2実施形態の液晶表示装置のアレイ基板の
1サブ画素分の層構造を示す断面図、図5Bは第2実施形態の液晶表示装置の図3Bに対
応する断面図である。図6Aは第3実施形態の液晶表示装置のアレイ基板の1サブ画素分
の層構造を示す断面図、図6Bは第3実施形態の液晶表示装置の図3Bに対応する断面図
である。
【0036】
[第1実施形態]
図1及び図2を参照して、本発明の第1実施形態に係る液晶表示装置の概要を説明する
。なお、理解を容易とするために、図1においては、ゲート材料で形成された走査線、第
1引き回し配線、並びに第2引き回し線の下側配線部は点線で示し、ソース材料で形成さ
れた信号線並びに第2引き回し配線の上側配線部は実線で示している。なお、第1実施形
態の液晶表示装置1は、アクティブマトリクス方式のものであり、縦電界方式及び横電界
方式の両者共に適用可能であるが、以下においては縦電界方式の液晶表示装置であるとし
て説明する。
【0037】
この液晶表示装置1は、図1及び図2Aに示すように、透明ガラス基板2を備えるアレ
イ基板ARと、これに対向配置される透明ガラス基板3を備えるカラーフィルター基板C
Fとを有している。このアレイ基板ARが本発明における第1基板に対応し、また、カラ
ーフィルター基板CFが本発明の第2基板に対応する。アレイ基板ARとカラーフィルタ
ー基板CFとは、その周囲に塗布されたシール材4により、内部に適宜本数の柱状スペー
サー(図示せず)を介在させて、張り合わされている。柱状スペーサーは、アレイ基板A
Rとカラーフィルター基板CFとの間の距離を一定に維持するために形成されるものであ
る。
【0038】
そして、アレイ基板AR、カラーフィルター基板CF及びシール材4によって形成され
た内部空間内に液晶が注入されて液晶層5が構成されている。なお、アレイ基板AR上に
は、スイッチング素子としてのTFT、画素電極、各種配線及び絶縁膜等が設けられてい
るが、これらは図2Aにおいては構造物6として包括的に図示されている。また、カラー
フィルター基板CFには、カラーフィルター層、遮光部材、共通電極等が設けられている
が、これらは図2Aにおいては構造物7として包括的に図示されている。
【0039】
アレイ基板ARは、図1に示すように上下に短辺2b、2a及び左右に長辺2c、2d
を有する縦長長方形状をなし、下方には、張り出し部2a'が設けられている。この張り
出し部2a'は、アレイ基板ARとカラーフィルター基板CFとを積層して貼合せた後に
、上側に位置するカラーフィルター基板CFをスクライブラインSCRに沿って分断する
ことによって、下側に位置するアレイ基板ARの上面の一部が平面視でカラーフィルター
基板CFから露出することにより特定される部位である。スクライブラインSCRは、図
1においては点線で示されている。
【0040】
張り出し部2a'には、ICチップ実装領域Mが設けられており、このICチップ実装
領域Mには、例えば走査線駆動用ドライバー回路及び信号線駆動用ドライバー回路がワン
チップ化された液晶駆動用ドライバーICDrが搭載されている。ICチップ実装領域M
には、液晶駆動用ドライバーICDrの実装領域の中央部からアレイ基板ARの上側短辺
2bに向けて信号線駆動用ドライバー回路に対応する線状の複数本の信号線用電極端子t
3が形成されている。また、ICチップ実装領域Mの両側部からアレイ基板ARの上側短
辺2bに向けて走査線駆動用ドライバー回路に対応する線状の複数本の走査線用電極端子
t1、t2がそれぞれ延在して設けられている。ICチップ実装領域Mには、更に、液晶
駆動用ドライバーICDrからアレイ基板ARの下側短辺2aに向かって複数本の外部接
続端子Tが導出されている。これらの外部接続端子Tには、フレキシブル配線基板(図示
省略)が接続される。
【0041】
また、アレイ基板ARの液晶層5側には、中央に表示領域DAが配され、その左右に周
縁領域PAL、PAR、下側に周縁領域PABがそれぞれ区画されている。表示領域DA
には例えばAl、Al合金、Mo等の金属材料からなる複数本の走査線GW1〜GWnと
、同じくAl、Al合金、Mo等の金属材料からなる複数本の信号線SW1〜SWmとが
、ゲート絶縁膜8(本発明の「第1絶縁膜」に相当。図2B参照。)を挟んで互いに絶縁
された状態でマトリクス状に配設されている。これらの走査線GW1〜GWnと信号線S
W1〜SWmとの交差部近傍には、走査線GW1〜GWnからの走査信号によって動作す
るスイッチング素子としてのTFT(図示省略)が形成されている。また、表示領域DA
の各画素には、TFTを介して信号線SW1〜SWmからの映像信号が供給される画素電
極(図示省略)が形成される。なお、この画素電極は、ITO(Indium Tin Oxide)ない
しIZO(Indium Zinc Oxide)等の透明導電性材料からなる層で形成することができる

【0042】
走査線GW1〜GWnは、上側短辺2bから下側短辺2aまで、所定のピッチでそれぞ
れ平行に横列に配設されている。これらの走査線GW1〜GWnは、奇数番目の走査線G
W1、GW3、GW5・・・と、偶数番目の走査線GW2、GW4、GW6・・・とに分
配されてそれぞれが左右に延在されており、その端部は各周縁領域PAL、PARにまで
達している。
【0043】
走査線GW1〜GWnは、窒化ケイ素や酸化ケイ素等の透明絶縁材料からなるゲート絶
縁膜8で覆われている。そしてゲート絶縁膜8の表面には、複数本の信号線SW1〜SW
mが各走査線GW1〜GWnと交差するように配設されている。これらの信号線SW1〜
SWmは、左側長辺2cから右側長辺2dまで所定のピッチでそれぞれ縦列に配設されて
いる。
【0044】
信号線SW1〜SWmは、下方端が周縁領域PAB内を延在されて張り出し部2a'に
形成された信号線用電極端子t3に電気的に接続されているが、この信号線SW1〜SW
mと信号線用電極端子t3との具体的な接続関係については後述する。そして、これらの
信号線SW1〜SWmはパッシベーション膜9(本発明の「第2絶縁膜」に相当)で被覆
されている。なお、パッシベーション膜9は、一義的には液晶表示装置のTFTのチャネ
ル領域等を保護するための保護絶縁膜として使用されるもので、ゲート絶縁膜8と同じ窒
化ケイ素や酸化ケイ素等の透明絶縁材料から形成されている。
【0045】
上記構成により、アレイ基板AR上にあっては、各走査線GW1〜GWnは、ゲート絶
縁膜8の下側に位置する下層配線となり、各信号線SW1〜SWmはゲート絶縁膜8の上
側に位置する上層配線となっている。
【0046】
左右の周縁領域PAL、PARには、それぞれ走査線GW1〜GWnに接続される走査
線用引き回し配線GL1〜GLnが配設されている。そして、奇数番目の走査線GW1、
GW3、GW5、GW7・・・は、図1における右側の周縁領域PARに設けられた走査
線用引き回し配線GL1、GL3、GL5、GL7・・・にそれぞれ接続されている。ま
た、偶数番目の走査線GW2、GW4、GW6、GW8・・・は、左側の周縁領域PAL
に設けられた走査線用引き回し配線GL2、GL4、GL6、GL8・・・にそれぞれ接
続されている。
【0047】
これら走査線用引き回し配線GL1〜GLnは、更に、ゲート絶縁膜8の下側に形成さ
れた図1中では点線で示されている下側の走査線用引き回し配線GL1、GL2、GL5
、GL6…と、ゲート絶縁膜8の上側に形成され、図1中では実線で示されている上側の
走査線用引き回し配線GL3、GL4、GL7、GL8…とに区別されている。すなわち
、走査線GW1〜GWnは、全てゲート絶縁膜8の下に形成されているため、奇数番目の
走査線GW1、GW3、GW5、GW7・・・は右側の周縁領域PARに形成されている
第2接続部CP2において1本おきに上側の走査線用引き回し配線に切り替えられ、同じ
く、偶数番目の走査線GW2、GW4、GW6、GW8・・・は左側の周縁領域PALに
形成されている第2接続部CP2において1本おきに上側の走査線用引き回し配線に切り
替えられている。
【0048】
より詳細には、奇数番目の走査線GW1、GW3、GW5、GW7・・・のうち、GW
3、GW7・・・は右側の周縁領域PARに形成されている第2接続部CP2において上
側の走査線用引き回し配線GL3、GL7・・に切り替えられている。また、奇数番目の
走査線GW1、GW3、GW5、GW7・・・のうち、GW1、GW5・・・はそのまま
下側の走査線用引き回し配線GL1、GL5・・・として、右側の周縁領域PARを張り
出し部2a'まで延在され、ICチップ実装領域Mの走査線用電極端子t1と電気的に接
続されている。
【0049】
同様に、偶数番目の走査線GW2、GW4、GW6、GW8・・・のうち、GW4、G
W8・・・は左側の周縁領域PALに形成されている第2接続部CP2において上側の走
査線用引き回し配線GL4、GL8・・に切り替えられている。また、偶数番目の走査線
GW2、GW4、GW6、GW8・・・のうち、GW2、GW6・・・はそのまま下側の
走査線用引き回し配線GL2、GL6・・・として、左側の周縁領域PARを張り出し部
2a'まで延在され、ICチップ実装領域Mの走査線用電極端子t2と電気的に接続され
ている。
【0050】
そして、上側の走査線用引き回し配線であるGL3、GL4、GL7、GL8・・・は
、それぞれスクライブラインSCRよりも表示領域DA側となる非張り出し部内に形成さ
れた走査線用第1接続部CP1'において、再度下側の走査線用引き回し配線GL3'、G
L4'、GL7'、GL8'・・・に切り替えられ、この下側の走査線用引き回し配線GL
3'、GL4'、GL7'、GL8'・・・は張り出し部2a'まで延在され、ICチップ実
装領域Mの走査線用電極端子t1ないしt2と電気的に接続されている。そして、これら
走査線用引き回し配線GL1〜GLnは、図1に示されるように、平面視において互いに
重なることなく交互に隣接するように形成されている。
【0051】
また、信号線SW1〜SWmは、非張り出し領域内に形成されたソース配線用の第1接続
部CP1においてゲート絶縁膜8の下側に形成されている信号線用引き回し配線SL1〜
SLmに切り替えられて、信号線用電極端子t3に電気的に接続されている。
【0052】
ここで、走査線用引き回し配線GL1〜GLnの断面構造を、図2Bを用いて説明する
。透明ガラス基板2の表面に形成された下側の走査線用引き回し配線GL1、GL5・・
・の表面及び透明ガラス基板2の露出面はゲート絶縁膜8に被覆されている。また、ゲー
ト絶縁膜8の表面には、平面視で下側の走査線用引き回し配線GL1、GL5・・・と重
畳しないように、上側の走査線用引き回し配線GL3、GL7・・・が形成されている。
そして、上側の走査線用引き回し配線GL3、GL7・・・の表面及びゲート絶縁膜8の
露出面はパッシベーション膜9で被覆されている。そのため、下側の走査線用引き回し配
線GL1、GL5・・・はゲート絶縁膜8及びパッシベーション膜9によって被覆されて
いるのに対し、上側の走査線用引き回し配線GL3、GL7・・・はパッシベーション膜
9のみによって被覆されていることになる。なお、信号線SW1〜SWmも、ゲート絶縁
膜8の表面に形成されているので、パッシベーション膜9によってのみ被覆されているこ
とになる。
【0053】
そのため、上側の走査線用引き回し配線GL3、GL7・・・及び信号線SW1〜SW
mは、そのままスクライブラインSCRを越えて張り出し部2a'のICチップ実装領域
Mまで延在させてしまうと、パッシベーション膜9の厚さが薄いため、液晶表示装置1の
製造時にカラーフィルター基板CFの透明ガラス基板3をスクライブラインSCRで分断
する際、分断された透明ガラス基板が衝突して引き回し配線や信号線、走査線等を断線し
てしまう可能性が大きくなる。そこで、第1実施形態の液晶表示装置1では、上側の走査
線用引き回し配線GL3、GL7・・・及び信号線SW1〜SWmを、スクライブライン
SCRよりも表示領域DA側で、走査線用第1接続部CP1'及び信号線用第1接続部C
P1において、ゲート絶縁膜8の下側に形成されている走査線用引き回し配線GL3'、
GL4'、GL7'、GL8'・・・及び信号線用引き回し配線SL1〜SLnにそれぞれ
電気的に切り替えている。
【0054】
そのため、走査線用引き回し配線GL3'、GL4'、GL7'、GL8'・・・及び信号
線用引き回し配線SL1〜SLnは共にゲート絶縁膜8及びパッシベーション膜9によっ
て被覆されているため、液晶表示装置1の製造時にカラーフィルター基板CFの透明ガラ
ス基板3をスクライブラインSCRで分断した際に、分断された透明ガラス基板が衝突し
ても引き回し配線や信号線、走査線等を断線する可能性が大きく減少するようになる。
【0055】
ここで、信号線用第1接続部CP1、走査線用第1接続部CP1'及び走査線用第2接
続部CP2の構成をそれぞれ図3及び図4を用いて説明する。まず、信号線用第1接続部
CP1の具体的構成を信号線SW1及び信号線用引き回し配線SL1に代表させ、図3を
用いて説明する。信号線SW1はゲート絶縁膜8とパッシベーション膜9との間に形成さ
れており、信号線用引き回し配線SL1は透明ガラス基板2とゲート絶縁膜8との間に形
成されている。そして、信号線用第1接続部CP1は、スクライブラインSCRよりも表
示領域DA側に位置しているため、平面視ではカラーフィルター基板CFと重畳している
。この信号線用第1接続部CP1では、信号線用引き回し配線SL1の表面のゲート絶縁
膜8及びパッシベーション膜9を貫通するように第1コンタクトホール11が形成され、
信号線SW1の表面のパッシベーション膜9を貫通するように第2コンタクトホール12
が形成されている。
【0056】
更に、信号線用第1接続部CP1第1コンタクトホール11及び第2コンタクトホール
12を介して透明導電性材料からなる層13がブリッジ状に形成されており、信号線引き
回し配線SL1と信号線SW1とが透明導電性材料からなる層13によって電気的に接続
されている。この透明導電性材料からなる層13は、例えば表示領域DAに形成する画素
電極(図示省略)と同じITOないしIZOで形成することができるため、画素電極と同時
に形成することができる。
【0057】
次に、走査線用第1接続部CP1'及び第2接続部CP2の具体的構成を、右側の周辺
領域PARにおける走査線用引き回し配線GL3、下側の走査線用引き回し配線GL3'
に代表させ、図4を用いて説明する。なお、図4Aには、走査線用引き回し配線GL1、
GL5及びGL7、下側の走査線用引き回し配線GL7'も同時に示してある。ただし、
走査線用第1接続部CP1'及び第2接続部CP2は、それぞれ実質的に同様の構成を備
えているので、図4においては第2接続部CP2の構成については括弧書きで参照符号を
付与して説明する。
【0058】
走査線用引き回し配線GL3はゲート絶縁膜8とパッシベーション膜9との間に形成さ
れており、下側の走査線用引き回し配線GL3'は透明ガラス基板2とゲート絶縁膜8と
の間に形成されている。そして、走査線用第1接続部CP1'は、スクライブラインSC
Rよりも表示領域DA側に位置しているため、平面視ではカラーフィルター基板CFと重
畳している。この走査線用第1接続部CP1'では、例えば下側の走査線用引き回し配線
GL3'の表面のゲート絶縁膜8及びパッシベーション膜9を貫通するように第1コンタ
クトホール11'が形成され、走査線用引き回し配線GL3の表面のパッシベーション膜
9を貫通するように第2コンタクトホール12'が形成されている。なお、走査線用引き
回し配線GL1及びGL5は、透明ガラス基板2とゲート絶縁膜8との間に形成されてい
るため、図4Aに示したように、走査線用第1接続部CP1'ではそのまま延在されて走
査線用電極端子t1(図1参照)に電気的に接続されている。
【0059】
更に、走査線用第1接続部CP1'第1コンタクトホール11'及び第2コンタクトホー
ル12'を介して透明導電性材料からなる層13'がブリッジ状に形成されており、走査線
用引き回し配線GL3と下側の走査線用引き回し配線GL3'及び走査線用引き回し配線
GL7と下側の走査線用引き回し配線GL7'とが透明導電性材料からなる層13'によっ
て電気的に接続されている。この透明導電性材料からなる層13'も、表示領域DAに形
成する画素電極と同じITOないしIZOから形成することができるため、画素電極と同
時に形成することができる。
【0060】
一方、走査線GW1〜GWnは透明ガラス基板2とゲート絶縁膜8との間に形成されて
いる。そのため、例えば走査線GW1及びGW5は走査線用第2接続部CP2及び走査線
用第1接続部CP1'ではそのまま走査線用引き回し配線GL1及びGL5として走査線
用電極端子t1(図1参照)に電気的に接続されている。また、走査線用第2接続部CP
2において、たとえば下側の走査線GW3の表面のゲート絶縁膜8及びパッシベーション
膜9を貫通するように第3コンタクトホール14が形成され、上側の走査線用引き回し配
線GL3の表面のパッシベーション膜9を貫通するように第4コンタクトホール15が形
成されている。
【0061】
更に、第3コンタクトホール14及び第4コンタクトホール15を介して透明導電性材
料からなる層16がブリッジ状に形成されており、走査線GW3と上側の走査線用引き回
し配線GL3とが透明導電性材料からなる層16によって電気的に接続されている。この
透明導電性材料からなる層16も、表示領域DAに形成する画素電極と同じITOないし
IZOから形成することができるため、画素電極と同時に形成することができる。このよ
うにして、走査線用第2接続部CP2では、走査線の一部がゲート絶縁膜8上に形成され
た上側の走査線用引き回し配線に切り替えられて、走査線用第1接続部CP1'にまで延
在されている。
【0062】
このようにして、第1実施形態の液晶表示装置1では、アレイ基板ARの張り出し部2
a'における全ての引き回し配線は、ゲート絶縁膜8及びパッシベーション膜9で被覆さ
れているので、カラーフィルター基板CFの一端をスクライブラインSCRに沿って分断
した際に、カラーフィルター基板CFの切断片がアレイ基板ARの張り出し部2a'の表
面と衝突しても、引き回し配線や信号線、走査線等を断線する可能性が大きく減少する。
【0063】
[第2実施形態]
次に、第2実施形態の液晶表示装置1Aのアレイ基板ARの1サブ画素分の層構造及び
信号線用第1接続部CP1の構成を図5を参照しつつ説明する。なお、第2実施形態の液
晶表示装置1Aにおいては、図1及び図2Aに対応する基本構成は第1実施形態の液晶表
示装置1の場合と同様であるので適宜図1及び図2を援用して説明し、更に、第1実施形
態の液晶表示装置1と同一の構成部分には同一の参照符号を付与して説明する。また、第
2実施形態の液晶表示装置1Aの走査線用第1接続部CP1'及び第2接続部CP2の構
成は、実質的に信号線用第1接続部CP1の構成の同様であるので、それらの詳細な説明
は省略する。
【0064】
第2実施形態の液晶表示装置1AはFFSモードで作動するものである。この液晶表示
装置1Aのアレイ基板ARの表示領域DA(図1参照)には、図5Aに示すように、ガラ
ス等の透明基板2の表面にマトリクス状に走査線(図示省略)が形成されており、この走
査線からはサブ画素毎にゲート電極Gが延在されている。このゲート電極G及び透明基板
2の露出している表面はゲート絶縁膜8によって被覆されている。ゲート絶縁膜8の表面
のTFT形成領域には例えばa−Si層からなる半導体層17が形成され、更に、ゲート
絶縁膜8の表面には、ソース電極S部分を含む信号線(図示省略)及びドレイン電極D部
分が形成されている。なお、ソース電極S部分及びドレイン電極D部分はいずれも半導体
層17の表面に部分的に重なっている。これらのゲート電極G、ソース電極S及びドレイ
ン電極がTFTの各電極を構成する。
【0065】
そして、信号線の表面、TFTのチャネル領域、ソース電極S及びドレイン電極Dの表
面を含み、露出しているゲート絶縁膜8の表面はパッシベーション膜9で被覆されており
、更にこのパッシベーション膜9の表面は層間樹脂膜18によって被覆されている。また
、ドレイン電極D上のパッシベーション膜9及び層間樹脂膜18にはコンタクトホール2
1が形成されており、更に、層間樹脂膜18の表面には、サブ画素毎に、ITOないしI
ZOからなる下電極19が形成されており、この下電極19はコンタクトホール21を介
してドレイン電極Dと電気的に接続されている。そのため、この下電極19は画素電極と
して作動する。
【0066】
下電極19の表面には、酸化ケイ素ないし窒化ケイ素からなる電極間絶縁膜20が形成
されており、電極間絶縁膜20の表面はサブが素領域毎に複数のスリット22が形成され
たITOないしIZOからなる上電極23が形成されている。この上電極23は、全ての
サブ画素に共通して形成されており、共通電極として作動する。このような構成を備える
第2実施形態の液晶表示装置1Aは,FFSモードで作動する。
【0067】
一方、第2実施形態の液晶表示装置1Aの信号線用第1接続部CP1は、図5Bに示す
ように、ガラス等の透明基板2の表面に信号線用引き回し配線SL1が形成されている。
この信号線用引き回し配線SL1は、表示領域DAの走査線と同時に形成され、ICチッ
プ実装領域Mまで延在されて信号線用電極端子t3と電気的に接続されており、信号線が
形成されている。信号線用引き回し配線SL1及び露出している透明基板2の表面はゲー
ト絶縁膜8により被覆されており、このゲート絶縁膜8の表面には信号線SW1が延在さ
れている。更に、信号線SW1及び露出しているゲート絶縁膜8の表面はパッシベーショ
ン膜9によって被覆されており、このパッシベーション膜9の表面は更に電極間絶縁膜2
0によって被覆されている。
【0068】
そして、信号線用引き回し配線SL1の表面が露出するように、ゲート絶縁膜8、パッ
シベーション膜9及び電極間絶縁膜20を貫通するように第1コンタクトホール11が形
成されている。また、走査線SW1の表面が露出するように、パッシベーション膜9及び
電極間絶縁膜20を貫通するように第2コンタクトホール12が形成されている。更に、
第1コンタクトホール11及び第2コンタクトホール12を介して透明導電性材料からな
る層13がブリッジ状に形成されており、信号線引き回し配線SL1と信号線SW1とが
透明導電性材料からなる層13によって電気的に接続されている。この透明導電性材料か
らなる層13は、例えば表示領域DAに形成する上電極23と同じITOないしIZOか
ら形成することができる。
【0069】
そのため、第2実施形態の液晶表示装置では、信号線用第1接続部CP1は、全て表示
領域DAを形成する際に同時に形成することができる。なお、図示省略したが、走査線用
第1接続部CP1'及び第2接続部CP2も、ほぼ同様の構成を備えているため、全て表
示領域DAを形成する際に同時に形成することができる。なお、第2実施形態の液晶表示
装置1では、ゲート絶縁膜8が本発明の第1絶縁膜に対応し、パッシベーション膜9及び
電極間絶縁膜20が本発明の第2絶縁膜に対応する。このような構成を備える第2実施形
態の液晶表示装置1Aによれば、張り出し部2a'(図1参照)における全ての引き回し
配線は、ゲート絶縁膜8、パッシベーション膜9及び電極間絶縁膜20の3層で被覆され
ている。そのため、第2実施形態の液晶表示装置1Aは、第1実施形態の液晶表示装置1
の場合よりも、カラーフィルター基板CFの一端をスクライブラインSCRに沿って分断
した際に、カラーフィルター基板CFの切断片がアレイ基板ARの張り出し部2a'の表
面と衝突しても、引き回し配線や信号線、走査線等を断線する可能性が減少する。
【0070】
[第3実施形態]
第2実施形態の液晶表示装置1Aでは、TFTの表面上は、パッシベーション膜9、層
間樹脂膜18及び電極間絶縁膜20によって被覆されている。電極間絶縁膜20は、ゲー
ト絶縁膜8やパッシベーション膜9と同じ酸化ケイ素や窒化ケイ素より作製されているの
で、十分な耐湿性を備えている。そのため、第2実施形態の液晶表示装置1Aにおいては
、パッシベーション膜9を省略しても、十分な耐湿性を確保することができる。なお、こ
のようなパッシベーション膜を省略したFFSモードの液晶表示装置は、本願の出願人よ
り既に特許出願(特願2007−309978号。以下、「先願」という。)されている
。この先願発明の液晶表示装置は、表示領域のTFTのパッシベーション膜を省略して層
間樹脂膜でチャネル領域を直接被覆することで、基板上に形成される成膜構造を簡略化し
て製造コストを削減可能としながらも、従来例のものと同等の耐湿性を備えることを可能
としたものである。
【0071】
第3実施形態の液晶表示装置1Bは、上述の先願発明に対して本願発明を適用したもの
である。この第3実施形態の液晶表示装置1Bのアレイ基板ARの1サブ画素分の層構造
及び信号線用第1接続部CP1の構成を図6を参照しつつ説明する。なお、第3実施形態
の液晶表示装置1Bにおいては、パッシベーション膜が存在しない以外は第2実施形態の
液晶表示装置1Aと構成に相違はないので、この構成が相違する点を重点的に説明し、第
2実施形態の液晶表示素1Aと構成が同一の部分には同一の参照符号を付与してその詳細
な説明は省略する。また、第3実施形態の液晶表示装置1Bの走査線用第1接続部CP1
'及び第2接続部CP2の構成は、実質的に信号線用第1接続部CP1の構成の同様であ
るので、それらの詳細な説明は省略する。
【0072】
第3実施形態の液晶表示装置1BはFFSモードで作動するものであるが、図6Aに示
すように、信号線の表面、TFTのチャネル領域、ソース電極及びドレイン電極の表面を
含み、露出しているゲート絶縁膜8の表面は、パッシベーション膜がないために、層間樹
脂膜18によって直接被覆されている点でのみ、第2実施形態の液晶表示装置1Aの場合
と構成が相違する。また、第3実施形態の液晶表示装置1Bの信号線用第1接続部CP1
は、図6Bに示すように、パッシベーション膜が形成されていないため、ゲート絶縁膜8
の表面が直接電極間絶縁膜20によって被覆されている点で、第2実施形態の液晶表示装
置1Aの場合と構成が相違する。そのため、第3実施形態の液晶表示装置1Bでは、電極
間絶縁膜20が本発明の第2絶縁膜に相当する。
【0073】
このような第3実施形態の液晶表示装置1Bでは、TFTのチャネル領域は層間樹脂膜
18及び電極間絶縁膜20で被覆されているため、成膜構造を簡略化して製造コストを削
減可能としながらも、第1実施形態の液晶表示装置1と実質的に同等の耐湿性を備えてい
る。しかも、張り出し部2a'(図1参照)における全ての引き回し配線は、ゲート絶縁
膜8及び電極間絶縁膜20の2層で被覆されている。そのため、第3実施形態の液晶表示
装置1Bでは、第1実施形態の液晶表示装置1の場合と同様に、カラーフィルター基板C
Fの一端をスクライブラインSCRに沿って分断した際に、カラーフィルター基板CFの
切断片がアレイ基板ARの張り出し部2a'の表面と衝突しても、引き回し配線や信号線
、走査線等を断線する可能性が減少する。
【符号の説明】
【0074】
1…液晶表示装置 2…透明ガラス基板 2a…下側短辺 2a'…張り出し部 2b
…上側短辺 2c…左側長辺 2d…右側長辺 3…透明ガラス基板 4…シール材 5
…液晶層 6、7…構造物 8…ゲート絶縁膜 9…パッシべーション膜 11、11'
…第1コンタクトホール 12、12'…第2コンタクトホール 13、13'…透明導電
性材料からなる層 14…第3コンタクトホール 15…第4コンタクトホール 16…
透明導電性材料からなる層 17…半導体層 18…層間樹脂膜 19:下電極 20…
電極間絶縁膜 21…コンタクトホール 22…スリット 23…上電極 SCR…スク
ライブライン M…ICチップ実装領域 GW1〜GWn…走査線 SW1〜SWm…信
号線 CP1…信号線用第1接続部 CP1'…走査線用第1接続部 CP2…第2接続
部 GL1〜GLn…走査線用引き回し配線 GL3'、GL4'、GL7'、GL8'…下
側の走査線用引き回し配線 SL1〜SLn…信号線用引き回し配線 PAR、PAL、
PAB…周縁領域 t1、t2…走査線用電極端子 t3…信号線用電極端子

【特許請求の範囲】
【請求項1】
液晶層を挟持して対向配置された下側の第1基板と上側の第2基板とを備え、前記第2
基板がスクライブラインに沿って分断されていることにより、前記第1基板には、前記ス
クライブラインを境にその上面が露出された張り出し部が設けられ、前記張り出し部に複
数の電極端子が形成された液晶表示装置であって、
前記第1基板の前記液晶層側には、表示領域の周縁部に走査線用及び信号線用の引き回
し配線が形成されており、
前記引き回し配線は、
第1絶縁膜及び第2絶縁膜によって被覆されて前記電極端子に直接電気的に接続されて
いる下層配線と、前記第1絶縁膜上に形成されて前記第2絶縁膜によって被覆されている
上層配線とからなり、
前記上層配線は、前記スクライブラインよりも前記表示領域側となる非張り出し部内に
形成された第1接続部において、前記下層配線に切り替えられて前記電極端子に電気的に
接続されており、
前記走査線は、一部が前記表示領域の周辺部に形成された第2接続部において前記上層
配線に電気的に接続されており、残部が前記下層配線に直接電気的に接続されており、
前記信号線は、前記第1接続部において前記下層配線に電気的に接続されている、
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項2】
前記第1接続部は、前記第1絶縁膜及び前記第2絶縁膜を貫通して前記下層配線を露呈
させている第1コンタクトホールと前記第2絶縁膜を貫通して前記上層配線又は信号線を
露呈させている第2コンタクトホールとを有し、前記第1接続部において、前記上層配線
及び前記信号線は、前記第1及び第2コンタクトホールを経て、それぞれ下層配線に透明
導電性材料からなる層によって電気的に接続されており、
前記第2接続部は、前記第1絶縁膜及び前記第2絶縁膜を貫通して前記走査線を露呈さ
せている第3コンタクトホールと、前記第2絶縁膜を貫通して前記上層配線を露呈させて
いる第4コンタクトホールとを有し、前記第2接続部において、前記走査線は、前記第3
及び第4コンタクトホールを経て、透明導電性材料からなる層によって前記上層配線に電
気的に接続されている、
ことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
【請求項3】
前記第1及び第2コンタクトホール間を電気的に接続する透明導電性材料からなる層及
び前記第3コンタクトホール及び第4コンタクトホール間を電気的に接続する透明導電性
材料からなる層は、前記表示領域に形成された液晶駆動用の画素電極又は共通電極と同一
素材である、
ことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
【請求項4】
前記第1絶縁膜は前記走査線を非被覆するゲート絶縁膜であり、前記第2絶縁膜は前記
表示領域に形成されたスイッチング素子としての薄膜トランジスターの表面を被覆するパ
ッシベーション膜である、
ことを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項5】
前記液晶表示装置はフリンジ・フィールド・スイッチングモードの液晶表示装置であり

前記第1絶縁膜は前記走査線を非被覆するゲート絶縁膜から形成され、前記第2絶縁膜
は、前記表示領域に形成されたスイッチング素子としての薄膜トランジスターの表面を被
覆するパッシベーション膜及び前記液晶駆動用の画素電極及び共通電極の間に形成された
電極間絶縁膜から形成されている、
ことを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項6】
前記液晶表示装置はフリンジ・フィールド・スイッチングモードの液晶表示装置であり

前記第1絶縁膜は前記走査線を非被覆するゲート絶縁膜から形成され、前記第2絶縁膜
は前記液晶駆動用の画素電極及び共通電極の間に形成された電極間絶縁膜から形成されて
いる、
ことを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の液晶表示装置。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【図8】
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【公開番号】特開2010−160381(P2010−160381A)
【公開日】平成22年7月22日(2010.7.22)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2009−3234(P2009−3234)
【出願日】平成21年1月9日(2009.1.9)
【出願人】(304053854)エプソンイメージングデバイス株式会社 (2,386)
【Fターム(参考)】