【課題】端子金属が保護用ＩＴＯのピンホールまたは亀裂から侵入した水分による水和反応によって侵され、接続不良が生ずることを防止する。
【解決手段】端子部は、表示領域から延在する引き出し線３０と、端子金属１０と、端子金属１０から外側に延在する検査用配線４０を有している。端子部は保護用絶縁膜によって覆われ、端子金属１０の部分は、保護用絶縁膜にスルーホール２０が形成され、端子金属１０はスリット１５を介して複数に分割され、スリット１５は、表示領域側において、保護用絶縁膜によって覆われている。ＩＴＯ６０は分割された端子金属１０とスリット１５を覆っている。これによって、ＩＴＯ５０のピンホール等から水分が浸入しても、水分はスリット１５において進行を阻止される。したがって、端子金属１０全体が腐食して導通不良を引き起こすことは無い。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。該半導体装置を作製する。半導体装置を歩留まりよく作製し、生産性を向上させる。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程によりゲート電極層、又はソース電極層及びドレイン電極層を形成後、ゲート電極層又は酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の残留物を除去する工程を行う。 （もっと読む）

【課題】並列に電気的に接続された複数の保持容量を積層した場合でも、いずれの保持容量に不具合が発生したかを容易かつ確実に検査することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００においては、並列に電気的に接続された第１保持容量７０ａと第２保持容量７０ｂとによって保持容量７０が形成され、かつ、第１保持容量７０ａと第２保持容量７０ｂとは積層された構造になっている。また、素子基板１０の端部と画像表示領域との間には、第１保持容量７０ａと同一の層構造を備えた検査用第１容量と、第２保持容量７０ｂと同一の層構造を備えた検査用第２容量が形成されているとともに、検査用第１容量に電気的に接続する第１容量検査用端子対と、検査用第２容量に電気的に接続する第２容量検査用端子対とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタ及び当該トランジスタを用いた表示
装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域に酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタであっ
て、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、該活性
層は、微結晶化した表層部の第１の領域と、その他の部分の第２の領域で形成されている
。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や
酸素の脱離によるｎ型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極と
の接触抵抗を下げることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた表示装置に代表される半導体装置において、画面サイズの大型化や高精細化に対応し、表示品質が良く、安定して動作する信頼性のよい半導体装置を提供する。
【解決手段】引き回し距離の長い配線にＣｕを含む導電層を用いることで、配線抵抗の増大を抑える。また、Ｃｕを含む導電層を、ＴＦＴのチャネル領域が形成される酸化物半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Ｃｕの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。特に、半導体装置の一態様である表示装置を大型化または高精細化しても、表示品質が良く、安定して動作させること
ができる。 （もっと読む）

【課題】端子部のコンタクトホールのテーパー形状を高い精度で制御する。
【解決手段】酸化物半導体層７ａ、ソース配線１３ａｓ、ドレイン電極１３ａｄを備えた薄膜トランジスタと、第１接続部３ｃ、第２接続部１３ｃおよび第２接続部上に形成された第３接続部１９ｃを備えた端子部とからなる薄膜トランジスタである。第２接続部は、第１および第２絶縁膜５，９に設けられた第１開口部内で第１接続部と接し、第３接続部１９ｃは、保護膜に設けられた第２開口部内で第２接続部と接する。第１開口部は、第１絶縁膜５および第２絶縁膜９を同時にエッチングすることによって形成、第２開口部は、保護膜１５を前記第１および第２絶縁膜とは別個にエッチングすることによって形成される。第２接続部１３ｃは、第１開口部における第１および第２絶縁膜の端面を覆い、かつ、第２開口部における保護膜１５の端面を覆っていない。 （もっと読む）

【課題】ＦＦＳ方式を代表とする横電界方式の液晶表示装置において、液晶材料にかかる
電界を十分にすることを課題とする。
【解決手段】横電界方式において、１組の電極ではなく、複数組の電極を用いて、共通電
極直上や画素電極直上にある液晶材料に電界をかける。１組の電極は、櫛歯状に設けられ
た共通電極と、櫛歯状に設けられた画素電極との組である。その他の組の電極は、画素部
に設けられた共通電極と、該櫛歯状に設けられた画素電極との組である。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴの工程を複雑化させることなくシステムオンパネル化を実現し、なおかつコストを抑えることができる液晶表示装置の提案を課題とする。
【解決手段】画素部に液晶素子と、液晶素子に印加される電圧を制御するＴＦＴとを有する画素が設けられており、駆動回路が有するＴＦＴと、液晶素子に印加される電圧を制御するＴＦＴとは、ゲート電極とゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極と重なっている第１の半導体膜と、第１の半導体膜上に形成された一対の第２の半導体膜とを有し、一対の第２の半導体膜には一導電型を付与する不純物が添加されており、第１の半導体膜はセミアモルファス半導体で形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】高いオン特性を有する酸化物半導体を用いたトランジスタを提供する。高速応答及び高速駆動の可能なトランジスタを有する高性能の半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域を含む酸化物半導体膜を有するトランジスタの作製工程において、該酸化物半導体膜に、金属元素を含む膜と接した状態で加熱処理することにより導入された金属元素と、注入法により該金属元素を含む膜を通過して導入されたドーパントとを含む低抵抗領域を形成する。低抵抗領域はチャネル長方向においてチャネル形成領域を挟んで形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体層と電極の接続部に生じる寄生抵抗を抑制し、配線抵抗による電圧降下の
影響や画素への信号書き込み不良や階調不良などを防止し、より表示品質の良い表示装置
を代表とする半導体装置を提供することを課題の一つとする
【解決手段】上記課題を解決するために、本発明は酸素親和性の強い金属を含むソース電
極、及びドレイン電極と、不純物濃度を抑制した酸化物半導体層とを接続した薄膜トラン
ジスタと、低抵抗な配線を接続して半導体装置を構成すればよい。また、酸化物半導体を
用いた薄膜トランジスタを絶縁膜で囲んで封止すればよい。 （もっと読む）

【課題】反射性画素電極の上層側に絶縁膜が形成されているか否かにかかわらず端子電極を設けることができるとともに、深いコンタクトホールを形成しなくても端子電極の導通を図ることができる電気光学装置、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００において、端子電極１０２は、反射性の画素電極９ａと同一の層に設けられているとともに、画素電極９ａを構成する導電膜と同一種類の導電材料からなる。このため、画素電極９ａの上層側に平坦化膜１７等の絶縁膜が形成されているか否かにかかわらず、端子電極１０２を構成することができる。また、端子電極１０２を導通させるためのコンタクトホール４５ｓが浅い。画素電極９ａおよび端子電極１０２の上層側には平坦化膜１７が設けられており、平坦化膜１７の端子電極１０２と重なる領域には開口部１７ｓが設けられている。 （もっと読む）

【課題】反射層の上層に屈折率の異なる複数の透光膜を積層した場合でも、透光膜の膜厚の測定結果に基づいて、透光膜の表面側からの研磨量やエッチング量を適正に設定することのできる電気光学装置用基板の製造方法、および電気光学装置用基板を提供すること。
【解決手段】電気光学装置の素子基板１０の製造方法では、画素電極９ａと同一の層あるいは画素電極９ａより下層側にモニター用反射パターン７ｚ、９ｚを形成しておき、画素電極９ａおよびモニター用反射パターン７ｚ、９ｚの上層側に第１透光膜１８１、および第２透光膜１８２を形成する。また、第２透光膜１８２のモニター用反射パターン７ｚ、９ｚに重なる部分を除去した後、第３透光膜１７を形成する。この状態で、モニター用反射パターン７ｚ、９ｚに光を照射し、膜厚を測定する。 （もっと読む）

【課題】電極間のショート不良を引き起こすことなく導電部材によるトランスファ接続を実現し、導電部材のクラックによる導通不良を防止する。
【解決手段】第１基板の上面に形成された第１電極と、第１基板の上面に貼り付けられた第２基板の上面に形成された第２電極と、を導電部材で接続する接続構造において、第２基板は、第１基板よりも外形サイズが小さく、第１電極は、第１基板上の第２基板の周囲に配置され、第２基板の周縁には、第１基板との間に間隙が形成されており、第１電極の近傍において、第２基板の側面の一部を覆い、第１基板と前記第２基板との間隙を埋めるように、絶縁性樹脂が配置され、第１基板の第１電極から、絶縁性樹脂上を通って、第２基板の第２電極に至る領域に、導電部材が配置される。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタ及び当該トランジスタを用いた表示
装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域に酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタであっ
て、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、該活性
層は、微結晶化した表層部の第１の領域と、その他の部分の第２の領域で形成されている
。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や
酸素の脱離によるｎ型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極と
の接触抵抗を下げることができる。 （もっと読む）

【課題】 絶縁性基板上の接続端子に駆動ＩＣを直接実装する表示装置において、生産コストアップを生じることなく、金属配線の露出による絶縁性低下、腐食を発生させることもなく、高い接続信頼性を得る。
【解決手段】 絶縁性基板１上に形成された金属配線と、金属配線上に形成された無機絶縁膜１２と、無機絶縁膜上に形成された有機樹脂膜１３と、金属配線上の無機絶縁膜１２および有機樹脂膜１３を除去した部分に形成された透明導電膜１０と、絶縁性基板１上の表示領域外の駆動ＩＣ４実装領域に形成された接続端子７と、表示領域に信号を供給するために、異方性導電膜５によって接続端子７と接続される駆動ＩＣ４のバンプ９とを備えた表示装置であって、駆動ＩＣ４実装領域において、金属配線上以外の領域の無機絶縁膜１２と有機樹脂膜１３とを除去したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】狭ピッチ化に対応することができる電子パネルを提供することを目的とする。
【解決手段】電子パネルは、複数の金属配線１８を覆って金属配線１８の一部を露出させる貫通穴２２を有する絶縁膜２０と、絶縁層上に形成されて貫通穴２２を介して金属配線１８と電気的に導通する酸化物半導体膜２４と、酸化物半導体膜２４に電気的に接続される電極１６を有する電気部品１４と、を有し、酸化物半導体膜２４は、複数の金属配線１８の配列方向に対して交差する方向に延び、長さ方向に直交する幅が異なる第１部分２６及び第２部分２８を有し、第１部分２６の幅は第２部分２８の幅よりも広くなっており、第１部分２６の少なくとも幅の両端を除いた部分が、貫通穴２２から露出する金属配線１８の一部と対向して電気的に接続し、第２部分２８の少なくとも一部が、電気部品１４の電極１６と対向して電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】表示装置等の接続端子部分における腐食による断線を防止する。
【解決手段】第１の配線（２）と第２の配線（６）とを透明導電薄膜（１０）により複数箇所で接続して接続端子を構成する。接続端子部分が第１の配線（２）と第２の配線（６）とによる並列接続となり、且つ、第１の配線（２）と第２の配線（６）とが複数箇所で接続されるため、断線のリスクが大幅に低減される。 （もっと読む）

【課題】全体に占める有効表示領域の割合の拡大に適した構造の表示装置を提供する。
【解決手段】この表示装置は、少なくとも一方が光透過性を有すると共に互いの対向面に第１および第２の電極がそれぞれ設けられた第１および第２の基板と、第１の基板と第２の基板との間に設けられた表示素子とを備える。第１の基板および第１の電極は、第２の基板の端面の少なくとも一部を覆うように折り曲げられた外縁部を有する。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体
装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体
層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた逆スタガ型（ボト
ムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース電極層及びドレイン
電極層と半導体層との間に、半導体層よりもキャリア濃度の高いバッファ層を意図的に設
けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置１０における可撓性基板９０と複数個の外部回路接続端子との間の抵抗を均一にする。
【解決手段】 電気光学装置１０は、電気光学物質を間に挟んで対向した素子基板１１および対向基板１２を有する。素子基板１１には電気光学物質を駆動する回路が形成されている。素子基板１１は、各層間に絶縁層を挟んだ複数層の配線層ＷＲ_Ｌ２およびＷＲ_Ｌ１を有する。また、記素子基板１１は、同じ高さに位置する複数のＩＴＯパッド３−ｉを有する。複数のＩＴＯパッド３−ｉの各々の下部には、絶縁層を挟んで配線層ＷＲ_Ｌ２およびＷＲ_Ｌ１をのうちのいずれかの層の配線層が配置されるとともに、絶縁層を貫通して当該ＩＴＯパッドを当該配線層ＷＲ_Ｌ２またはＷＲ_Ｌ１に電気的に接続する複数のコンタクトホールＣＨ_Ｌ２またはＣＨ_Ｌ１が形成されている。 （もっと読む）